KR20180025600A - Buffer unit and Apparatus for treating substrate with the unit - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing device which comprises: a processing module configured to supply a processing gas onto a substrate to process the substrate; and an index module configured to return the substrate to the processing module or temporarily store the substrate. The index module comprises: a housing having an accommodation space in which the substrate is accommodated; a substrate support unit configured to support substrate in the accommodation space; and a gas supply unit configured to supply a purge gas to the substrate supported by the substrate support unit. The substrate support unit comprises: a substrate support member which can support a plurality of substrates; and a substrate rotation member configured to rotate the substrate support member. Therefore, the purge gas can supplied to the entire area of the substrate even though the purge gas is supplied in one direction.

Description

버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치{Buffer unit and Apparatus for treating substrate with the unit}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a buffer unit and a substrate processing apparatus having the buffer unit.

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 이러한 공정들 중 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착은 가스를 이용하여 기판을 처리한다. 가스 처리된 기판 상에는 공정 부산물이 잔류되며, 이를 제거하기 위한 제거 공정이 진행된다. In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Among these processes, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition processes the substrate using gas. Processed byproducts remain on the gassed substrate and a removal process is performed to remove them.

일반적으로 기판 상의 잔류 부산물을 제거하는 후처리 공정으로는, 기판을 가열하고, 퍼지하는 공정이 적용된다. 상기 후처리 공정은 다수의 기판들이 수용되며, 기판들이 임시 보관되는 버퍼 유닛에서 진행된다. 버퍼 유닛에는 가열된 퍼지 가스를 공급한다. 이에 따라 기판 상에 잔류되는 공정 부산물들은 퍼지되고, 배기된다.In general, as a post-treatment process for removing residual by-products on a substrate, a process of heating and purging the substrate is applied. The post-treatment process is carried out in a buffer unit in which a plurality of substrates are accommodated and substrates are temporarily stored. The buffer unit is supplied with a heated purge gas. The process by-products remaining on the substrate are thereby purged and vented.

도 1은 일반적은 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면. 기판의 일측에는 퍼지 가스를 토출하는 노즐들이 위치된다. 그러나 퍼지 가스는 기판의 일부 영역(A)에 제공되는 반면, 다른 영역에는 퍼지 가스가 제공되지 못한다. 이에 따라 상기 다른 영역은 공정 부산물이 잔류되는 데드존(B, Dead zone)으로 남게되며, 이는 공정 불량을 야기한다.1 is a plan view showing a general buffer unit; Referring to FIG. At one side of the substrate, nozzles for discharging purge gas are located. However, the purge gas is provided in a partial region (A) of the substrate, while the purge gas is not provided in the other region. As a result, the other region remains as a dead zone (B) in which process by-products remain, which causes a process failure.

본 발명은 기판의 일부 영역에 퍼지 가스가 미공급되어 공정 부산물이 잔류되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of preventing purge gas from being supplied to a part of a substrate to prevent processing by-products from remaining.

또한 본 발명은 복수 매의 기판들 각각의 전체 영역에 퍼지 가스를 공급할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus capable of supplying purge gas to the entire area of each of a plurality of substrates.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판 상에 공정 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정 모듈 및 기판을 상기 공정 모듈에 반송하거나, 기판을 임시 보관하는 인덱스 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 내부에 기판이 수용되는 수용 공간을 가지는 하우징, 상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 복수 개의 기판들을 지지 가능한 기판 지지 부재 및 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 기판 회전 부재를 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a process module for processing a substrate by supplying a process gas onto a substrate, and an index module for transporting the substrate to the process module or for temporarily storing the substrate, wherein the index module includes a housing And a gas supply unit for supplying a purge gas to the substrate supported by the substrate support unit, wherein the substrate support unit is configured to support a plurality of substrates, And a substrate rotating member for rotating the substrate supporting member and the substrate supporting member.

상기 기판 지지 부재는 길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 몸체, 상기 수직 몸체의 일측면으로부터 연장되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지 슬롯, 그리고 상기 수직 몸체를 지지하는 지지 몸체를 포함하되, 상기 수직 몸체는 복수 개로 제공되며, 상기 지지 몸체 상에서 원주 방향으로 배열되고, 상기 기판 회전 부재는 상기 지지 몸체를 회전시킬 수 있다. 상기 가스 공급 유닛은 상기 수직 몸체의 일측에 위치되며, 길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 아암 및 상기 수직 아암에 고정 결합되며, 퍼지 가스를 토출하는 가스 노즐을 포함하되, 상기 지지 슬롯 및 상기 가스 노즐 각각은 복수 개로 제공되며, 상하 방향으로 배열될 수 있다. 상기 상하 방향에 대해 서로 인접한 2 개의 상기 지지 슬롯들 간에 슬롯 간격은 서로 인접한 2 개의 상기 가스 노즐들 간에 노즐 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 가스 공급 유닛은 상기 수직 아암을 회전시키는 노즐 회전 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 인덱스 모듈은 상압 분위기를 가지고, 상기 공정 모듈은 상기 상압 분위기보다 낮은 압력인 진공 분위기를 가지되, 상기 공정 모듈은 기판을 식각 처리하는 공정 챔버를 포함할 수 있다. The substrate support member includes a vertical body having a longitudinal direction, a support slot having a seating surface on which the substrate is mounted, and a support body for supporting the vertical body, The vertical bodies are provided in a plurality and arranged in the circumferential direction on the support body, and the substrate rotation member can rotate the support body. Wherein the gas supply unit includes a vertical arm positioned at one side of the vertical body and having a vertical direction in the longitudinal direction and a gas nozzle fixedly coupled to the vertical arm and discharging the purge gas, Each of them is provided in a plurality and can be arranged in the vertical direction. The slot interval between two of the support slots adjacent to each other in the up-and-down direction may be the same as the nozzle interval between two gas nozzles adjacent to each other. The gas supply unit may further include a nozzle rotating member for rotating the vertical arm. The index module has an atmospheric pressure atmosphere and the process module has a vacuum atmosphere that is lower than the atmospheric pressure atmosphere, and the process module may include a process chamber for etching the substrate.

또한 기판이 임시 보관되는 유닛은 내부에 기판이 수용되는 수용 공간을 가지는 하우징, 상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 복수 개의 기판들을 지지 가능한 기판 지지 부재 및 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 기판 회전 부재를 포함한다. The unit in which the substrate is temporarily stored includes a housing having a housing space in which a substrate is accommodated, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the accommodating space, and a gas supplying unit for supplying purge gas to the substrate supported by the substrate supporting unit. Wherein the substrate supporting unit includes a substrate supporting member capable of supporting a plurality of substrates and a substrate rotating member rotating the substrate supporting member.

상기 기판 지지 부재는 길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 몸체, 상기 수직 몸체의 일측면으로부터 연장되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지 슬롯, 그리고 상기 수직 몸체를 지지하는 지지 몸체를 포함하되, 상기 수직 몸체는 복수 개로 제공되며, 상기 지지 몸체 상에서 원주 방향으로 배열되고, 상기 기판 회전 부재는 상기 지지 몸체를 회전시킨다. The substrate support member includes a vertical body having a longitudinal direction, a support slot having a seating surface on which the substrate is mounted, and a support body for supporting the vertical body, A plurality of vertical bodies are provided, arranged circumferentially on the support body, and the substrate rotation member rotates the support body.

상기 가스 공급 유닛은 상기 수직 몸체의 일측에 위치되며, 길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 아암 및 상기 수직 아암에 고정 결합되며, 퍼지 가스를 토출하는 가스 노즐을 포함하되, 상기 지지 슬롯 및 상기 가스 노즐 각각은 복수 개로 제공되며, 상기 상하 방향으로 배열될 수 있다. 상기 상하 방향에 대해 서로 인접한 2 개의 상기 지지 슬롯들 간에 슬롯 간격은 서로 인접한 2 개의 상기 가스 노즐들 간에 노즐 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 상기 버퍼 유닛은 상기 하우징 내에 제공되며, 상기 수용 공간을 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다.Wherein the gas supply unit includes a vertical arm positioned at one side of the vertical body and having a vertical direction in the longitudinal direction and a gas nozzle fixedly coupled to the vertical arm and discharging the purge gas, Each of them may be provided in a plurality, and may be arranged in the vertical direction. The slot interval between two of the support slots adjacent to each other in the up-and-down direction may be the same as the nozzle interval between two gas nozzles adjacent to each other. The buffer unit may further include a heater provided in the housing and heating the accommodation space.

본 발명의 실시예에 의하면, 복수 매의 기판들은 버퍼 유닛 내에서 회전 가능하다. 이로 인해 퍼지 가스는 일 방향으로 공급될지라도, 기판의 전체 영역에 퍼지 가스가 공급될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the plurality of substrates are rotatable in the buffer unit. This allows the purge gas to be supplied to the entire area of the substrate even if the purge gas is supplied in one direction.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 전체 영역에 퍼지 가스가 공급되므로, 기판의 전체 영역에 공정 부산물이 잔류되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the purge gas is supplied to the entire area of the substrate, it is possible to prevent the process by-products from remaining in the entire area of the substrate.

도 1은 일반적은 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 4의 버퍼 유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 5의 버퍼 유닛의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a general buffer unit;
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the process unit of Fig.
4 is a cross-sectional view showing the buffer unit of Fig.
5 is a plan view showing the buffer unit of FIG.
Figure 6 is a perspective view showing the substrate support unit of Figure 4;
7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the buffer unit of FIG.
FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the buffer unit of FIG. 5; FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면, 다양하게 적용 가능하다. In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited to this, and various applications are possible as long as the apparatus is a device for processing a substrate by using a gas.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(10), 로딩 모듈, 그리고 공정 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 버퍼 유닛(2000)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 로딩 모듈(30), 그리고 공정 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10, a loading module, and a processing module 20, and the index module 10 includes a load port 120, a transfer frame 140, And a buffer unit 2000. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. A direction in which the load port 120, the transfer frame 140, the loading module 30, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12, A direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. The direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 복수 개의 기판들(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 3 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The load port 120 has a carrier 18 on which a plurality of substrates W are housed. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 2, three load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18), 버퍼 유닛(2000), 그리고 로딩 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 carries the substrate W between the carrier 18 seated on the load port 120, the buffer unit 2000, and the loading module 30. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ Can be used. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

버퍼 유닛(2000)은 기판(W)을 임시 보관한다. 버퍼 유닛(2000)은 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물을 제거하는 공정을 수행한다. 버퍼 유닛(2000)은 공정 모듈(20)에서 처리된 기판(W)을 후처리하는 후처리 공정을 수행한다. 후처리 공정은 기판(W) 상에 퍼지 가스를 퍼지하는 공정일 수 있다. 버퍼 유닛(2000)은 복수 개로 제공된다. 각각의 버퍼 유닛(2000)은 이송 프레임(140)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치된다. 버퍼 유닛(2000)은 제2방향(14)으로 배열된다. 이송 프레임(140)의 양측에 각각 위치된다. 선택적으로 버퍼 유닛(2000)은 단일하게 제공되며, 이송 프레임(140)의 일측에 위치될 수 있다.The buffer unit 2000 temporarily stores the substrate W. The buffer unit 2000 performs a process of removing process by-products remaining on the substrate W. [ The buffer unit 2000 performs a post-processing process for post-processing the substrate W processed in the processing module 20. [ The post-treatment process may be a process of purging the purge gas on the substrate W. [ A plurality of buffer units 2000 are provided. Each of the buffer units 2000 is positioned opposite to each other with the transfer frame 140 interposed therebetween. The buffer unit 2000 is arranged in the second direction 14. And are positioned on both sides of the transfer frame 140, respectively. Optionally, the buffer unit 2000 is provided singly and may be located at one side of the transfer frame 140.

로딩 모듈(30)은 이송 프레임(140)과 반송 유닛(240) 사이에 배치된다. 로딩 모듈(30)은 공정 모듈(20)로 반입되는 기판(W)에 대해 인덱스 모듈(10)의 상압 분위기를 공정 모듈(20)의 진공 분위기로 치환하거나, 인덱스 모듈(10)로 반출되는 기판(W)에 대해 공정 모듈(20)의 진공 분위기를 인덱스 모듈(10)의 상압 분위기로 치환한다. 로딩 모듈(30)은 반송 유닛(240)과 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로딩 모듈(30)은 로드락 챔버(32) 및 언로드락 챔버(34)를 포함한다. The loading module (30) is disposed between the transfer frame (140) and the transfer unit (240). The loading module 30 may be configured to replace the atmospheric pressure atmosphere of the index module 10 with the vacuum atmosphere of the processing module 20 with respect to the substrate W to be loaded into the processing module 20, The vacuum atmosphere of the process module 20 is replaced with the atmospheric pressure atmosphere of the index module 10 with respect to the wafer W. The loading module 30 provides a space in which the substrate W stays before the substrate W is transferred between the transfer unit 240 and the transfer frame 140. [ The loading module 30 includes a load lock chamber 32 and an unload lock chamber 34.

로드락 챔버(32)는 인덱스 모듈(10)에서 공정 모듈(20)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 로드락 챔버(32)는 대기 상태에서 상압 분위기를 유지하며, 공정 모듈(20)에 대해 차단되는 반면, 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된 상태를 유지한다. 로드락 챔버(32)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 로드락 챔버(32)의 내부 공간을 상압 분위기에서 진공 분위기로 치환하고, 인덱스 모듈(10)에 대해 차단된 상태에서 공정 모듈(20)에 대해 개방된다.The load lock chamber 32 temporarily holds the substrate W transferred from the index module 10 to the process module 20. [ The load lock chamber 32 maintains a normal pressure atmosphere in the standby state and remains open to the index module 10 while being blocked against the process module 20. When the substrate W is carried into the load lock chamber 32, the internal space is sealed to the index module 10 and the process module 20, respectively. Subsequently, the internal space of the load lock chamber 32 is replaced with a vacuum atmosphere in an atmospheric pressure atmosphere, and is opened to the process module 20 in a state of being blocked with respect to the index module 10.

언로드락 챔버(34)는 공정 모듈(20)에서 인덱스 모듈(10)로 반송되는 기판(W)이 임시로 머무른다. 언로드락 챔버(34)는 대기 상태에서 진공 분위기를 유지하며, 인덱스 모듈(10)에 대해 차단되는 반면, 공정 모듈(20)에 대해 개방된 상태를 유지한다. 언로드락 챔버(34)에 기판(W)이 반입되면, 내부 공간을 인덱스 모듈(10)과 공정 모듈(20) 각각에 대해 밀폐한다. 이후 언로드락 챔버(34)의 내부 공간을 진공 분위기에서 상압 분위기로 치환하고, 공정 모듈(20)에 대해 차단된 상태에서 인덱스 모듈(10)에 대해 개방된다.The unload lock chamber 34 temporarily holds the substrate W conveyed from the processing module 20 to the index module 10. The unload lock chamber 34 maintains a vacuum atmosphere in the standby state and remains open to the process module 20 while being blocked against the index module 10. When the substrate W is carried into the unloading lock chamber 34, the inner space is sealed to the index module 10 and the process module 20, respectively. Subsequently, the inner space of the unloading lock chamber 34 is replaced with a normal pressure atmosphere in a vacuum atmosphere, and is opened to the index module 10 in a state of being blocked with respect to the process module 20.

공정 모듈(20)은 반송 유닛(240) 및 복수 개의 공정 챔버들을 포함한다. Process module 20 includes a transfer unit 240 and a plurality of process chambers.

반송 유닛(240)은 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 유닛(240)은 반송 챔버(242) 및 반송 로봇(250)을 포함한다. 반송 챔버(242)는 육각형의 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반송 챔버(242)는 직사각 또는 오각의 형상으로 제공될 수 있다. 반송 챔버(242)의 둘레에는 로드락 챔버(32), 언로드락 챔버(34), 그리고 복수 개의 공정 챔버들(260)이 위치된다. 반송 챔버(242)의 내부에는 기판(W)을 반송하기 위한 반송 공간(244)에 제공된다. The transfer unit 240 transfers the substrate W between the load lock chamber 32, the unload lock chamber 34, and the plurality of process chambers 260. The transfer unit 240 includes a transfer chamber 242 and a transfer robot 250. The transfer chamber 242 may be provided in a hexagonal shape. Optionally, the delivery chamber 242 may be provided in a rectangular or angled configuration. Around the transfer chamber 242, a load lock chamber 32, an unload lock chamber 34, and a plurality of process chambers 260 are located. The transfer chamber 242 is provided with a transfer space 244 for transferring the substrate W therein.

반송 로봇(250)은 반송 공간(244)에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(250)은 반송 챔버(240)의 중앙부에 위치될 수 있다. 반송 로봇(250)은 수평, 수직 방향으로 이동할 수 있고, 수평면 상에서 전진, 후진 또는 회전이 가능한 복수 개의 핸드들(252)을 가질 수 있다. 각 핸드(252)는 독립 구동이 가능하며, 기판(W)은 핸드(252)에 수평 상태로 안착될 수 있다. The transfer robot 250 transfers the substrate W in the transfer space 244. [ The transport robot 250 may be located at the center of the transport chamber 240. The carrying robot 250 can move in the horizontal and vertical directions, and can have a plurality of hands 252 that can move forward, backward, or rotate on the horizontal plane. Each hand 252 can be independently driven and the substrate W can be placed horizontally on the hand 252. [

아래에서는 공정 챔버(260)에 제공된 가스 처리 장치(1000)에 대해 설명한다. 가스 처리 장치는 기판(W)을 식각 처리하는 장치로 설명한다. 그러나 본 실시예의 가스 처리 장치는 식각 처리 장치에 한정되지 않으며, 가스를 이용한 가스 처리 장치라면 다양하게 적용 가능한다.The gas treatment apparatus 1000 provided in the process chamber 260 will be described below. The gas processing apparatus is described as an apparatus for etching the substrate W. However, the gas processing apparatus of the present embodiment is not limited to the etching processing apparatus, and various gas processing apparatuses using gas can be applied.

도 3은 도 2의 가스 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 가스 처리 장치(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 가스 공급 유닛(1300), 플라즈마 소스(1400), 그리고 배기 배플(1500)을 포함한다.3 is a cross-sectional view of the gas processing apparatus of FIG. 2; 3, the gas processing apparatus 1000 includes a chamber 1100, a substrate support unit 1200, a gas supply unit 1300, a plasma source 1400, and an exhaust baffle 1500.

챔버(1100)은 기판(W)이 처리되는 처리 공간(1106)을 가진다. 챔버(1100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(1100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(1100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(1100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(1120)에 의해 개폐된다. 챔버(1100)의 바닥면에는 하부홀(1150)이 형성된다. 하부홀(1150)에는 감압 부재(미도시)에 연결된다. 챔버(1100)의 처리 공간(1106)은 감압 부재에 의해 배기되며, 감압 분위기가 형성될 수 있다.The chamber 1100 has a processing space 1106 in which the substrate W is processed. The chamber 1100 is provided in a circular cylindrical shape. The chamber 1100 is made of a metal material. For example, the chamber 1100 may be made of aluminum. An opening is formed in one side wall of the chamber 1100. The opening serves as an inlet through which the substrate W is carried in and out. The opening is opened and closed by the door 1120. A bottom hole 1150 is formed in the bottom surface of the chamber 1100. The lower hole 1150 is connected to a pressure-reducing member (not shown). The processing space 1106 of the chamber 1100 is evacuated by the pressure-reducing member, and a reduced-pressure atmosphere can be formed.

기판 지지 유닛(1200)은 처리 공간(1106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(1200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(1200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 1200 supports the substrate W in the processing space 1106. The substrate supporting unit 1200 may be provided with an electrostatic chuck 1200 that supports the substrate W using an electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 1200 can support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(1200)은 유전판(1210), 베이스(1230), 그리고 포커스링(1250)를 포함한다. 유전판(1210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(1210)으로 제공된다. 유전판(1210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(1210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(1210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(1210)의 내부에는 내부 전극(1212)이 설치된다. 내부 전극(1212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(1212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(1210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(1210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(1214)가 설치된다. 히터(1214)는 내부 전극(1212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(1214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 1200 includes a dielectric plate 1210, a base 1230, and a focus ring 1250. The dielectric plate 1210 is provided with a dielectric plate 1210 containing a dielectric material. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 1210. The dielectric plate 1210 is provided in a disc shape. The dielectric plate 1210 may have a smaller radius than the substrate W. [ An internal electrode 1212 is provided inside the dielectric plate 1210. A power source (not shown) is connected to the internal electrode 1212, and receives power from a power source (not shown). The internal electrode 1212 provides an electrostatic force such that the substrate W is attracted to the dielectric plate 1210 from the applied power (not shown). Inside the dielectric plate 1210, a heater 1214 for heating the substrate W is provided. The heater 1214 may be positioned under the internal electrode 1212. [ The heater 1214 may be provided as a helical coil.

베이스(1230)는 유전판(1210)을 지지한다. 베이스(1230)는 유전판(1210)의 아래에 위치되며, 유전판(1210)과 고정결합된다. 베이스(1230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(1230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(1210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(1230)의 내부에는 냉각 유로(1232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(1232)는 베이스(1230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(1234)과 연결된다. 고주파 전원(1234)은 베이스(1230)에 전력을 인가한다. 베이스(1230)에 인가된 전력은 챔버(1100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(1230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(1230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 1230 supports the dielectric plate 1210. The base 1230 is positioned below the dielectric plate 1210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 1210. The upper surface of the base 1230 has a stepped shape such that its central area is higher than the edge area. The base 1230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 1210 in the central region of its upper surface. A cooling passage 1232 is formed in the base 1230. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 1232 may be provided in a spiral shape inside the base 1230. [ And is connected to a high frequency power source 1234 located outside the base. The high frequency power supply 1234 applies power to the base 1230. The power applied to the base 1230 guides the plasma generated within the chamber 1100 to be moved toward the base 1230. The base 1230 may be made of a metal material.

포커스링(1250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(1250)은 내측링(1252) 및 외측링(1254)을 포함한다. 내측링(1252)은 유전판(1210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(1252)을 베이스(1230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(1252)의 상면은 유전판(1210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(1252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(1252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(1254)은 내측링(1252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(1254)은 베이스(1230)의 가장자리영역에서 내측링(1252)과 인접하게 위치된다. 외측링(1254)은 내측링(1252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(1254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 1250 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 1250 includes an inner ring 1252 and an outer ring 1254. The inner ring 1252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 1210. The inner ring 1252 is located in the edge region of the base 1230. The upper surface of the inner ring 1252 is provided so as to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 1210. The upper surface inner side portion of the inner ring 1252 supports the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the inner ring 1252 may be provided with a conductive material. The outer ring 1254 is provided in the form of an annular ring surrounding the inner ring 1252. The outer ring 1254 is positioned adjacent to the inner ring 1252 in the edge region of the base 1230. The outer ring 1254 has its upper end relative to the inner ring 1252. The outer ring 1254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(1300)은 기판 지지 유닛(1200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1300)은 가스 저장부(1350), 가스 공급 라인(1330), 그리고 가스 유입 포트(1310)를 포함한다. 가스 공급 라인(1330)은 가스 저장부(1350) 및 가스 유입 포트(1310)를 연결한다. 가스 저장부(1350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(1330)을 통해 가스 유입 포트(1310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(1310)는 기판 지지 유닛(1200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(1310)는 챔버(1100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(1330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The gas supply unit 1300 supplies the process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 1200. The gas supply unit 1300 includes a gas reservoir 1350, a gas supply line 1330, and a gas inlet port 1310. The gas supply line 1330 connects the gas reservoir 1350 and the gas inlet port 1310. The process gas stored in the gas reservoir 1350 is supplied to the gas inlet port 1310 through the gas supply line 1330. The gas inlet port 1310 is installed in the upper wall of the chamber 1100. The gas inlet port 1310 is positioned opposite to the substrate supporting unit 1200. According to one example, the gas inlet port 1310 may be installed at the center of the upper wall of the chamber 1100. A valve is provided in the gas supply line 1330 to open or close the internal passage, or to control the flow rate of the gas flowing in the internal passage. For example, the process gas may be an etch gas.

플라즈마 소스(1400)는 챔버(1100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(1400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(1400)는 안테나(1410) 및 외부 전원(1430)을 포함한다. 안테나(1410)는 챔버(1100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(1410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부 전원(1430)과 연결된다. 안테나(1410)는 외부 전원(1430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(1410)는 챔버(1100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.Plasma source 1400 excites the process gas into a plasma state within chamber 1100. As the plasma source 1400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 1400 includes an antenna 1410 and an external power source 1430. An antenna 1410 is disposed on the outer upper side of the chamber 1100. Antenna 1410 is provided in a spiral shape with a plurality of turns and is connected to an external power source 1430. The antenna 1410 receives power from the external power supply 1430. An antenna 1410 to which electric power is applied forms a discharge space in an inner space of the chamber 1100. The process gas staying in the discharge space can be excited into a plasma state.

배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배기 배플(1500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(1500)은 처리 공간(1106)에서 챔버(1100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(1200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(1500)에는 복수의 배기홀들(1502)이 형성된다. 배기홀들(1502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(1502)은 배기 배플(1500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(1502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. The exhaust baffle 1500 uniformly evacuates the plasma in the processing space 1106 by region. The exhaust baffle 1500 has an annular ring shape. The exhaust baffle 1500 is positioned between the inner wall of the chamber 1100 and the substrate support unit 1200 in the processing space 1106. A plurality of exhaust holes 1502 are formed in the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are provided so as to face up and down. The exhaust holes 1502 are provided in the holes extending from the upper end to the lower end of the exhaust baffle 1500. The exhaust holes 1502 are arranged apart from each other along the circumferential direction of the exhaust baffle 1500. Each exhaust hole 1502 has a slit shape and a radial direction lengthwise direction.

다음은 상술한 버퍼 유닛(2000)에 대해 보다 자세히 설명한다. Next, the buffer unit 2000 will be described in more detail.

도 4는 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 버퍼 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 유닛(2000)은 하우징(2100), 기판 지지 유닛(2200), 가스 공급 유닛(2500), 그리고 배기 유닛(2700)을 포함한다. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the buffer unit of FIG. 2, and FIG. 5 is a plan view showing the buffer unit of FIG. 4. FIG. 4 and 5, the buffer unit 2000 includes a housing 2100, a substrate support unit 2200, a gas supply unit 2500, and an exhaust unit 2700.

하우징(2100)은 내부에 수용 공간(2120)을 가지는 통 형상으로 제공된다. 하우징(2100)은 제3방향(16)을 향하는 길이 방향을 가진다. 수용 공간(2120)은 복수 매의 기판들(W)이 수용 가능한 공간으로 제공된다. 하우징(2100)은 일측에 개방된 개방면(2110)을 가진다. 일 예에 의하면, 개방면(2110)은 이송 프레임(140)을 바라보는 일측면일 수 있다. 하우징(2100)의 측벽 내에는 제1히터(미도시)가 제공된다. 제1히터(미도시)는 수용 공간(2120)을 상온보다 높은 온도로 가열 처리할 수 있다.The housing 2100 is provided in a cylindrical shape having a receiving space 2120 therein. The housing 2100 has a longitudinal direction toward the third direction 16. The accommodation space 2120 is provided as a space in which a plurality of substrates W can be accommodated. The housing 2100 has an opening 2110 opened to one side. According to one example, opening face 2110 may be a side facing the transfer frame 140. A first heater (not shown) is provided in the side wall of the housing 2100. The first heater (not shown) can heat the accommodation space 2120 to a temperature higher than normal temperature.

기판 지지 유닛(2200)은 수용 공간(2120)에서 기판(W)을 지지한다. 도 6은 도 4의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 기판 지지 유닛(2200)은 기판 지지 부재(2300) 및 기판 회전 부재(2400)를 포함한다. 기판 지지 부재(2300)는 복수 매의 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(2300)는 복수 매의 기판들(W)이 상하 방향으로 배열되도록 기판들(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(2300)는 수직 몸체(2310), 지지 슬롯(2330), 그리고 지지 몸체(2350)를 포함한다. 수직 몸체(2310)는 바 형상으로 제공된다. 수직 몸체(2310)는 제3방향(16)을 향하는 길이 방향을 가진다. 수직 몸체(2310)는 복수 개로 제공되며, 각각은 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 수직 몸체(2310)들은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 수직 몸체(2310)는 3 개 또는 4 개로 제공될 수 있다. The substrate supporting unit 2200 supports the substrate W in the receiving space 2120. Figure 6 is a perspective view showing the substrate support unit of Figure 4; Referring to FIG. 6, the substrate supporting unit 2200 includes a substrate supporting member 2300 and a substrate rotating member 2400. The substrate supporting member 2300 supports a plurality of substrates W. The substrate support member 2300 supports the substrates W such that a plurality of substrates W are arranged in the vertical direction. The substrate support member 2300 includes a vertical body 2310, a support slot 2330, and a support body 2350. The vertical body 2310 is provided in a bar shape. The vertical body 2310 has a longitudinal direction toward the third direction 16. The vertical body 2310 is provided in a plurality, and each is arranged to be arranged along the circumferential direction. The vertical bodies 2310 can be positioned so as to have a ring shape in combination with each other. According to one example, three or four vertical bodies 2310 may be provided.

지지 슬롯(2330)은 기판(W)이 안착되는 안착면을 가진다. 여기서 안착면은 지지 슬롯(2330)의 상면일 수 있다. 지지 슬롯(2330)은 수직 몸체(2310)의 일측면으로부터 연장된다. 각각의 지지 슬롯(2330)은 수직 몸체(2310)들에 의해 형성된 링 형상의 중심을 향하는 방향으로 연장된다. 지지 슬롯(2330)은 복수 개로 제공된다. 지지 슬롯(2330)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 서로 인접한 2 개의 지지 슬롯(2330)들 간에 슬롯 간격은 동일하게 제공될 수 있다. The support slot 2330 has a seating surface on which the substrate W is seated. The seating surface may be the upper surface of the support slot 2330. The support slot 2330 extends from one side of the vertical body 2310. Each of the support slots 2330 extends in a direction toward the center of the ring shape formed by the vertical bodies 2310. A plurality of support slots 2330 are provided. Support slots 2330 are spaced apart from each other along the third direction 16. The slot intervals between two adjacent support slots 2330 can be provided equally.

지지 몸체(2350)는 복수 개의 수직 몸체(2310)들을 동시에 지지한다. 지지 몸체(2350)는 수직 몸체(2310)보다 아래에 위치된다. 지지 몸체(2350)의 상면에는 수직 몸체(2310)들이 고정 결합된다. 지지 몸체(2350)는 판 형상으로 제공된다. The support body 2350 supports a plurality of vertical bodies 2310 simultaneously. The support body 2350 is positioned below the vertical body 2310. Vertical bodies 2310 are fixedly coupled to the upper surface of the support body 2350. The support body 2350 is provided in a plate shape.

기판 회전 부재(2400)는 지지 몸체(2350)를 회전시킨다. 지지 몸체(2350)는 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 이에 따라 기판 지지 부재(2300)에 지지된 기판들(W)은 위치가 고정된 상태에서 회전될 수 있다.The substrate rotating member 2400 rotates the supporting body 2350. The support body 2350 is rotatable about a central axis. Accordingly, the substrates W supported on the substrate support member 2300 can be rotated in a fixed position.

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 가스 공급 유닛(2500)은 수용 공간(2120)에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(2500)은 복수 매의 기판들(W) 각각에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(2500)은 수직 아암(2510) 및 가스 노즐(2530)을 포함한다. 수직 아암(2510)은 수직 몸체(2310)의 일측에 위치된다. 수직 아암(2510)은 제3방향(16)을 향하는 길이 방향을 가진다. 수직 아암(2510)은 수직 몸체(2310)와 대응되거나 이보다 긴 길이를 가질 수 있다. 수직 아암(2510)은 복수 개로 제공되며, 각각은 개방면(2110)과 인접하게 위치된다. 일 예에 의하면, 수직 아암(2510)은 2 개일 수 있다. 수직 아암(2510)은 수용 공간(2120)에 반출입되는 기판(W)과 간섭되지 않는 위치에 배치될 수 있다. 선택적으로 수직 아암(2510)은 단일하게 제공될 수 있다.4 and 5, the gas supply unit 2500 supplies the purge gas to the accommodation space 2120. [ The gas supply unit 2500 supplies purge gas to each of the plurality of substrates W. The gas supply unit 2500 includes a vertical arm 2510 and a gas nozzle 2530. The vertical arm 2510 is positioned on one side of the vertical body 2310. The vertical arm 2510 has a longitudinal direction toward the third direction 16. The vertical arm 2510 may have a length corresponding to or longer than the vertical body 2310. A plurality of vertical arms 2510 are provided, each positioned adjacent opening face 2110. According to one example, the number of vertical arms 2510 may be two. The vertical arm 2510 can be disposed at a position that does not interfere with the substrate W carried in and out of the accommodation space 2120. Alternatively, the vertical arms 2510 may be provided singly.

가스 노즐(2530)은 수용 공간(2120)에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 노즐(2530)은 복수 개로 제공되며, 각각의 수직 아암(2510)에 고정 결합된다. 가스 노즐(2530)들은 제3방향(16)으로 서로 이격되게 배열된다. 서로 인접한 2 개의 가스 노즐(2530)들 간에 노즐 간격은 슬롯 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 각각의 가스 노즐(2530)은 기판(W)의 상면으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 동일 높이에 위치된 가스 노즐들(2530)은 기판(W)의 서로 상이한 영역으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 가스 노즐들(2530)은 하향 경사진 방향으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 각각의 가스 노즐(2530)에는 가스 공급 라인(미도시)가 연결된다. 가스 공급 라인(미도시)은 가스 노즐들(2530)에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(미도시)에는 제2히터(미도시)가 설치된다. 제2히터(미도시) 퍼지 가스를 상온보다 높은 온도로 가열한다. 이에 따라 기판(W) 상에는 가열된 퍼지 가스가 공급된다. 선택적으로 가스 노즐(2530)들은 수평 방향으로 퍼지 가스를 토출할 수 있다. 예컨대, 퍼지 가스는 비활성 가스일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The gas nozzle 2530 supplies the purge gas to the accommodation space 2120. A plurality of gas nozzles 2530 are provided, and are fixedly coupled to the respective vertical arms 2510. The gas nozzles 2530 are arranged to be spaced from each other in the third direction 16. The nozzle spacing between two adjacent gas nozzles 2530 may be provided equal to the slot spacing. Each of the gas nozzles 2530 can discharge the purge gas to the upper surface of the substrate W. [ The gas nozzles 2530 positioned at the same height can discharge the purge gas to different regions of the substrate W. [ The gas nozzles 2530 can discharge the purge gas in a downward inclined direction. A gas supply line (not shown) is connected to each gas nozzle 2530. A gas supply line (not shown) supplies purge gas to the gas nozzles 2530. A second heater (not shown) is installed in the gas supply line (not shown). The second heater (not shown) purge gas is heated to a temperature higher than normal temperature. Thus, the heated purge gas is supplied onto the substrate W. Alternatively, the gas nozzles 2530 can discharge the purge gas in the horizontal direction. For example, the purge gas may be an inert gas. The inert gas may be nitrogen gas (N 2 ).

배기 유닛(2700)은 수용 공간(2120)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(2700)은 퍼지 가스에 의해 기판(W)으로부터 제거된 공정 부산물 및 퍼지 가스를 배기한다. 배기 유닛(2700)은 하우징(2100)의 바닥면에 형성된 배기홀과 연결된다. 상부에서 바라볼 때 배기홀은 기판 지지 부재(2300)를 사이에 두고 가스 공급 유닛(2500)과 마주보도록 위치될 수 있다. The exhaust unit 2700 exhausts the atmosphere of the accommodation space 2120. The exhaust unit 2700 exhausts the process by-products and the purge gas removed from the substrate W by the purge gas. The exhaust unit 2700 is connected to an exhaust hole formed in the bottom surface of the housing 2100. The exhaust holes may be positioned to face the gas supply unit 2500 with the substrate support member 2300 therebetween.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)은 캐리어(18)로부터 반출되어 로드락 챔버(32)로 이동된다. 로드락 챔버(32)의 내부 분위기가 상압 분위기에서 진공 분위기로 치환되면, 기판(W)은 공정 챔버(260)로 반송된다. 공정 챔버(260)에 반송된 기판(W)을 플라즈마에 의해 식각 처리된다. 식각 처리가 완료된 기판(W)은 언로드락 챔버(34)로 이동된다. 언로드락 챔버(34)의 내부 분위기가 진공 분위기에서 상압 분위기로 치환되면, 기판(W)은 버퍼 유닛(2000)으로 반송되어 지지 슬롯(2330)에 안착된다.Next, a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described. The substrate W is taken out of the carrier 18 and moved to the load lock chamber 32. [ When the inside atmosphere of the load lock chamber 32 is replaced with a vacuum atmosphere in a normal pressure atmosphere, the substrate W is returned to the process chamber 260. The substrate W transferred to the process chamber 260 is etched by plasma. The substrate W on which the etching process has been completed is moved to the unloading lock chamber 34. When the atmosphere inside the unloading lock chamber 34 is replaced with a normal pressure atmosphere in a vacuum atmosphere, the substrate W is transferred to the buffer unit 2000 and is placed in the support slot 2330.

버퍼 유닛(2000)에 일정 수 이상의 기판들(W)이 수용되면, 기판(W)의 후처리 공정이 수행된다. 선택적으로 버퍼 유닛(2000)에는 단일의 기판(W)에 대해 후처리 공정이 수행될 수 있다. 후처리 공정이 진행되면, 기판(W)은 기판 회전 부재(2400)에 의해 회전된다. 회전되는 기판(W) 상에는 퍼지 가스가 토출되고, 기판(W) 상에 잔류되는 잔류물은 퍼지되거나 건조 처리된다. When a predetermined number or more of substrates W are accommodated in the buffer unit 2000, a post-process of the substrate W is performed. Alternatively, a post-processing process may be performed on the single substrate W in the buffer unit 2000. [ When the post-treatment process proceeds, the substrate W is rotated by the substrate rotating member 2400. A purge gas is discharged onto the substrate W to be rotated, and the residue remaining on the substrate W is purged or dried.

상술한 실시예에는 버퍼 유닛(2000)에 복수 매의 기판들(W)이 수용되고, 기판(W) 상에는 퍼지 가스가 토출된다. 이때 복수 매의 기판들(W)은 회전되므로, 기판(W)의 전체 영역에 퍼지 가스가 전달될 수 있다. In the above-described embodiment, a plurality of substrates W are accommodated in the buffer unit 2000, and a purge gas is discharged onto the substrate W. At this time, since the plurality of substrates W are rotated, the purge gas can be transferred to the entire region of the substrate W.

상술한 실시예에는 기판 지지 유닛(2200)이 단일하게 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 7과 같이, 기판 지지 유닛(2200)은 복수 개로 제공될 수 있다. 기판 지지 유닛(2200)은 상부 지지 유닛(2200a) 및 하부 지지 유닛(2200b)을 포함할 수 있다. 상부 지지 유닛(2200a) 및 하부 지지 유닛(2200b)은 상하 방향을 따라 위치될 수 있다. 상부 지지 유닛(2200a) 및 하부 지지 유닛(2200b)은 독립 구동될 수 있다. 예컨대, 상부 지지 유닛(2200a)에 지지된 기판들(W)이 회전되는 중에 하부 지지 유닛(2200b)에 지지된 기판들(W)은 정지될 수 있다. 이와 달리 하부 지지 유닛(2200b)에 지지된 기판들(W)이 회전되는 중에 상부 지지 유닛(2200a)에 지지된 기판들(W)은 정지될 수 있다. 즉 상부 지지 유닛(2200a) 및 하부 지지 유닛(2200b) 중 어느 하나에는 후처리 공정이 진행되고, 다른 하나에는 후처리 공정이 대기될 수 있다. 또한 상부 지지 유닛(2200a) 및 하부 지지 유닛(2200b) 각각은 후처리 공정이 동시 진행될 수 있다.In the above-described embodiment, the substrate supporting unit 2200 is described as being provided as a single unit. However, as shown in Fig. 7, the substrate supporting unit 2200 may be provided in plural. The substrate supporting unit 2200 may include an upper supporting unit 2200a and a lower supporting unit 2200b. The upper support unit 2200a and the lower support unit 2200b may be positioned along the vertical direction. The upper support unit 2200a and the lower support unit 2200b may be independently driven. For example, while the substrates W supported on the upper support unit 2200a are being rotated, the substrates W supported on the lower support unit 2200b may be stopped. The substrates W supported on the upper support unit 2200a may be stopped while the substrates W supported on the lower support unit 2200b are rotated. That is, one of the upper support unit 2200a and the lower support unit 2200b may be post-processed and the other may be post-processed. Further, each of the upper support unit 2200a and the lower support unit 2200b may be subjected to a post-treatment process concurrently.

또한 도 8과 같이, 가스 공급 유닛(2500)은 노즐 회전 부재를 더 포함할 수 있다. 노즐 회전 부재는 수직 아암(2510)을 지지 및 회전시킬 수 있다. 이에 따라 가스 노즐(2530)은 회전될 수 있다. 수직 아암(2510)은 그 중심축을 중심으로 회전되며, 퍼지 가스를 다양한 방향으로 토출할 수 있다.Further, as shown in Fig. 8, the gas supply unit 2500 may further include a nozzle rotation member. The nozzle rotating member can support and rotate the vertical arm 2510. Whereby the gas nozzle 2530 can be rotated. The vertical arm 2510 is rotated about its central axis and can discharge the purge gas in various directions.

2100: 하우징 2120: 수용 공간
2200: 기판 지지 유닛 2300: 기판 지지 부재
2330: 지지 슬롯 2400: 기판 회전 부재
2500: 가스 공급 유닛 2510: 수직 아암
2530: 가스 노즐2100: housing 2120: accommodation space
2200: substrate supporting unit 2300: substrate supporting member
2330: support slot 2400: substrate rotation member
2500: gas supply unit 2510: vertical arm
2530: Gas nozzle

Claims (14)

기판 상에 공정 가스를 공급하여 기판을 처리하는 공정 모듈과;
기판을 상기 공정 모듈에 반송하는 인덱스 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은,
복수 개의 기판들이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트와;
기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛과;
상기 캐리어, 상기 공정 모듈, 그리고 상기 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 이송 프레임을 포함하되,
상기 버퍼 유닛은,
내부에 기판이 수용되는 수용 공간을 가지는 하우징과;
상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
복수 개의 기판들을 지지 가능한 기판 지지 부재와;
상기 기판 지지 부재를 회전시키는 기판 회전 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A process module for processing a substrate by supplying a process gas onto the substrate;
And an index module for conveying the substrate to the process module,
The index module comprises:
A load port on which a carrier accommodating a plurality of substrates is seated;
A buffer unit for temporarily storing the substrate;
And a transfer frame for transferring the substrate between the carrier, the process module, and the buffer unit,
Wherein the buffer unit comprises:
A housing having a housing space in which a substrate is housed;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the accommodating space;
And a gas supply unit for supplying a purge gas to the substrate supported by the substrate support unit,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A substrate support member capable of supporting a plurality of substrates;
And a substrate rotating member for rotating the substrate supporting member. 제1항에 있어서,
상기 기판 지지 부재는,
길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 몸체와;
상기 수직 몸체의 일측면으로부터 연장되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지 슬롯과;
상기 수직 몸체를 지지하는 지지 몸체를 포함하되,
상기 수직 몸체는 복수 개로 제공되며, 상기 지지 몸체 상에서 원주 방향으로 배열되고,
상기 기판 회전 부재는 상기 지지 몸체를 회전시키는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate support member comprises:
A vertical body whose longitudinal direction is directed up and down;
A support slot extending from one side of the vertical body and having a seating surface on which the substrate is seated;
And a support body for supporting the vertical body,
Wherein the vertical body is provided in a plurality and arranged circumferentially on the support body,
And the substrate rotating member rotates the supporting body. 제2항에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 수직 몸체의 일측에 위치되며, 길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 아암과;
상기 수직 아암에 고정 결합되며, 퍼지 가스를 토출하는 가스 노즐을 포함하되,
상기 지지 슬롯 및 상기 가스 노즐 각각은 복수 개로 제공되며, 상하 방향으로 배열되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The gas supply unit includes:
A vertical arm positioned at one side of the vertical body and oriented in the vertical direction;
A gas nozzle fixed to the vertical arm and discharging the purge gas,
Wherein the support slots and the gas nozzles are provided in plural, and are arranged in the vertical direction. 제3항에 잇어서,
상기 상하 방향에 대해 서로 인접한 2 개의 상기 지지 슬롯들 간에 슬롯 간격은 서로 인접한 2 개의 상기 가스 노즐들 간에 노즐 간격과 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein a slot interval between two support slots adjacent to each other in the up-and-down direction is equal to a nozzle gap between two gas nozzles adjacent to each other. 제4항에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 수직 아암을 회전시키는 노즐 회전 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The gas supply unit includes:
And a nozzle rotating member for rotating the vertical arm. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인덱스 모듈은 상압 분위기를 가지고,
상기 공정 모듈은 상기 상압 분위기보다 낮은 압력인 진공 분위기를 가지되,
상기 공정 모듈은,
기판을 식각 처리하는 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the index module has a normal pressure atmosphere,
Wherein the process module has a vacuum atmosphere that is lower than the atmospheric pressure,
The process module comprises:
And a processing chamber for etching the substrate. 제6항에 있어서,
상기 로드 포트, 상기 이송 프레임, 그리고 상기 공정 모듈은 제1방향을 따라 순차적으로 배열되고,
상기 버퍼 유닛은 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 향하는 이송 프레임의 일측에 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the load port, the transfer frame, and the process module are sequentially arranged along a first direction,
Wherein the buffer unit is located at one side of a transfer frame facing a second direction perpendicular to the first direction. 제7항에 있어서,
상기 장치는,
상기 이송 프레임과 상기 공정 모듈 사이에 위치되며, 상기 상압 분위기 또는 상기 진공 분위기로 전환 가능한 로딩 모듈을 더 포함하되,
상기 공정 모듈은,
복수 개의 공정 챔버들과;
상기 공정 챔버들 및 상기 로딩 모듈 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The apparatus comprises:
Further comprising a loading module located between the transfer frame and the process module, the loading module being switchable to the atmospheric pressure atmosphere or the vacuum atmosphere,
The process module comprises:
A plurality of process chambers;
And a transporting unit for transporting the substrate between the processing chambers and the loading module. 기판이 임시 보관되는 유닛에 있어서,
내부에 기판이 수용되는 수용 공간을 가지는 하우징과;
상기 수용 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
복수 개의 기판들을 지지 가능한 기판 지지 부재와;
상기 기판 지지 부재를 회전시키는 기판 회전 부재를 포함하는 버퍼 유닛.In a unit in which a substrate is temporarily stored,
A housing having a housing space in which a substrate is housed;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the accommodating space;
And a gas supply unit for supplying a purge gas to the substrate supported by the substrate support unit,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A substrate support member capable of supporting a plurality of substrates;
And a substrate rotating member for rotating the substrate supporting member. 제9항에 있어서,
상기 기판 지지 부재는,
길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 몸체와;
상기 수직 몸체의 일측면으로부터 연장되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지 슬롯과;
상기 수직 몸체를 지지하는 지지 몸체를 포함하되,
상기 수직 몸체는 복수 개로 제공되며, 상기 지지 몸체 상에서 원주 방향으로 배열되고,
상기 기판 회전 부재는 상기 지지 몸체를 회전시키는 버퍼 유닛.10. The method of claim 9,
Wherein the substrate support member comprises:
A vertical body whose longitudinal direction is directed up and down;
A support slot extending from one side of the vertical body and having a seating surface on which the substrate is seated;
And a support body for supporting the vertical body,
Wherein the vertical body is provided in a plurality and arranged circumferentially on the support body,
And the substrate rotating member rotates the supporting body. 제10항에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 수직 몸체의 일측에 위치되며, 길이 방향이 상하 방향을 향하는 수직 아암과;
상기 수직 아암에 고정 결합되며, 퍼지 가스를 토출하는 가스 노즐을 포함하되,
상기 지지 슬롯 및 상기 가스 노즐 각각은 복수 개로 제공되며, 상기 상하 방향으로 배열되는 버퍼 유닛.11. The method of claim 10,
The gas supply unit includes:
A vertical arm positioned at one side of the vertical body and oriented in the vertical direction;
A gas nozzle fixed to the vertical arm and discharging the purge gas,
Wherein the support slots and the gas nozzles are provided in plural, and the buffer units are arranged in the vertical direction. 제11항에 잇어서,
상기 상하 방향에 대해 서로 인접한 2 개의 상기 지지 슬롯들 간에 슬롯 간격은 서로 인접한 2 개의 상기 가스 노즐들 간에 노즐 간격과 동일하게 제공되는 버퍼 유닛.12. The method of claim 11,
Wherein a slot interval between the two support slots adjacent to each other in the up-and-down direction is equal to a nozzle interval between two gas nozzles adjacent to each other. 제11항 또는 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 버퍼 유닛은,
상기 하우징에 제공되며, 상기 수용 공간을 가열하는 제1히터를 더 포함하는 버퍼 유닛.13. The method according to any one of claims 11 to 12,
Wherein the buffer unit comprises:
And a first heater provided in the housing, the first heater heating the receiving space. 제13항에 있어서,
상기 가스 공급 유닛은,
상기 가스 노즐에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 라인과;
상기 가스 공급 라인 상에 설치되며, 퍼지 가스를 가열하는 제2히터를 더 포함하는 버퍼 유닛.



14. The method of claim 13,
The gas supply unit includes:
A gas supply line for supplying a purge gas to the gas nozzle;
And a second heater provided on the gas supply line for heating the purge gas.



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