KR20180025523A - Display device - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a display device for preventing a short between pads due to a conductive ball of an anisotropic conductive film in a display panel. The display device of the present invention comprises: a display region on which multiple pixels and signal wires connected to the pixels are located in a substrate; and the pads located in a pad part outside the display region on the substrate, and connected to the signal wires. At least a part of the pads includes: first and second metal patterns separated at a predetermined interval in a surface direction of the substrate; and a third metal pattern connecting the first metal pattern and the second metal pattern via the substrate. Each of the first and second metal patterns includes first and second metal layers laminated in the thickness direction of the substrate with a gate insulating film interposed therebetween.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 리페어 영역을 포함하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device including a repair area.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. The display field has rapidly changed to a thin, light, and large-area flat panel display device (FPD) that replaces bulky cathode ray tubes (CRTs). The flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display device : ED).

표시장치는 표시패널과 표시패널에 각종 구동신호를 인가하는 드라이브 IC를 포함한다. 표시패널의 신호배선은 이방성 도전필름(Anisotropic Conductive Film; ACF)을 통해서 드라이브 IC의 신호배선들과 연결된다. 이방성 도전필름은 탭 본딩 공정을 통해서 가압되고, 이방성도전필름 내의 도전볼은 표시패널의 패드부와 연성인쇄회로기판을 전기적으로 연결시킨다. 그러나, 이방성 도전필름의 양이나 압력 정도에 따라 이방성 도전필름의 도전볼을 패드부의 끝단으로 밀리면서 뭉치는 현상이 발생한다. 그 결과 전기적으로 오픈 상태이어야 하는 표시패널의 패드들 간에 쇼트 현상이 발생하기도 한다.The display device includes a display panel and a drive IC for applying various drive signals to the display panel. The signal wiring of the display panel is connected to signal wirings of the drive IC through an anisotropic conductive film (ACF). The anisotropic conductive film is pressed through the tap bonding process, and the conductive ball in the anisotropic conductive film electrically connects the pad portion of the display panel and the flexible printed circuit board. However, depending on the amount and pressure of the anisotropic conductive film, the conductive ball of the anisotropic conductive film is pushed to the end of the pad portion to cause aggregation. As a result, a short phenomenon may occur between the pads of the display panel which must be electrically open.

본 발명은 표시패널에서 이방성 도전필름의 도전볼로 인해서 패드들 간의 쇼트 현상이 발생하는 것을 방지하기 위한 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device for preventing a shorting phenomenon between pads due to a conductive ball of an anisotropic conductive film in a display panel.

본 발명에 의한 표시장치는 기판에서 다수의 픽셀들과 픽셀들에 연결되는 신호 배선들이 배치되는 표시영역 및 기판 상에서 표시영역 밖의 패드부에 배치되고 신호배선들과 연결되는 패드들을 포함한다. 패드들 중 적어도 일부는 기판의 면 방향에서 소정 간격 이격된 제1 및 제2 금속 패턴 및 기판을 경유하여 제1 금속 패턴과 제2 금속 패턴을 연결하는 제3 금속 패턴을 포함한다. 제1 및 제2 금속 패턴 각각은 게이트 절연막을 사이에 두고 기판의 두께 방향에서 적층된 제1 및 제2 금속층을 포함한다.A display device according to the present invention includes a display area in which signal lines are connected to a plurality of pixels and pixels in a substrate, and pads disposed in a pad area outside the display area on the substrate and connected with the signal lines. At least some of the pads include first and second metal patterns spaced a predetermined distance in the plane direction of the substrate and a third metal pattern connecting the first metal pattern and the second metal pattern via the substrate. Each of the first and second metal patterns includes first and second metal layers stacked in a thickness direction of the substrate with a gate insulating film interposed therebetween.

본 발명은 이방성 도전필름의 도전볼이 뭉치는 영역의 내측에서 레이져 커팅을 할 수 있는 리페어 영역을 구비하여, 도전볼이 뭉칠 경우에 리페어 영역을 절단할 수 있다.The present invention has a repair region that can perform laser cutting inside the region where the conductive balls of the anisotropic conductive film are bundled, so that the repair region can be cut when the conductive balls are bundled.

리페어 영역은 버퍼층 상에 바로 인접하는 금속층만을 포함하고 있어서, 레이져 공정으로 손쉽게 레이저 공정으로 제거할 수 있다.The repair region includes only the metal layer immediately adjacent to the buffer layer, and can be easily removed by a laser process by a laser process.

도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제1 예시도.
도 3은 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제2 예시도
도 4는 본 발명에 의한 비표시영역을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4에서 A영역을 확대한 도면이다.
도 6은 도 5에서 I-I'의 단면을 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8은 도전볼에 의한 쇼트 현상을 설명하는 도면이다.
도 9는 쇼프 현상을 개선하기 위한 리페어 공정을 설명하는 도면이다.
도 10은 다른 실시 예에 의한 패드부를 나타내는 도면이다.
1 is a schematic block diagram of an organic light emitting diode display.
2 is a first exemplary view showing a circuit configuration of a subpixel.
3 is a second example of a circuit configuration of subpixels
4 is a view showing a non-display region according to the present invention.
FIG. 5 is an enlarged view of the area A in FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in FIG.
7 and 8 are diagrams for explaining a shot phenomenon caused by the conductive balls.
Fig. 9 is a view for explaining a repair process for improving the shortage phenomenon.
10 is a view showing a pad portion according to another embodiment.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 명세서는 유기발광표시장치를 중심으로 설명되어 있지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 액정표시장치, 전기영동표시장치 등에도 적용될 수 있는 것은 자명하다. Although the present invention has been described with reference to an organic light emitting display, the technical idea of the present invention is not limited thereto. It is apparent that the present invention can also be applied to a liquid crystal display device, an electrophoretic display device, and the like.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제1 예시도이고, 도 3은 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제2 예시도이다. FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device, FIG. 2 is a first exemplary view showing a circuit configuration of a subpixel, and FIG. 3 is a second exemplary view showing a circuit configuration of a subpixel.

도 1을 참조하면, 유기발광표시장치는 영상 처리부(10), 타이밍 제어부(20), 데이터 구동부(30), 게이트 구동부(40) 및 표시 패널(50)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the OLED display includes an image processing unit 10, a timing control unit 20, a data driving unit 30, a gate driving unit 40, and a display panel 50.

영상 처리부(10)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(10)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다. 영상 처리부(10)는 시스템 회로기판에 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.The image processing unit 10 outputs a data enable signal DE together with a data signal DATA supplied from the outside. The image processing unit 10 may output at least one of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal in addition to the data enable signal DE, but these signals are omitted for convenience of explanation. The image processing unit 10 is formed on the system circuit board in the form of an IC (Integrated Circuit).

타이밍 제어부(20)는 영상 처리부(10)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다.The timing controller 20 receives a data signal DATA from a video processor 10 in addition to a data enable signal DE or a driving signal including a vertical synchronizing signal, a horizontal synchronizing signal and a clock signal.

타이밍 제어부(20)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍 제어부(20)는 제어 회로기판에 IC 형태로 형성된다.The timing control unit 20 generates a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driving unit 40 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driving unit 30 based on the driving signal. . The timing control unit 20 is formed on the control circuit board in the form of an IC.

데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(20)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(20)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(30)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(30)는 기판 상에 IC 형태로 부착된다.The data driver 30 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 20 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 20 and converts the sampled data signal into a gamma reference voltage . The data driver 30 outputs the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn. The data driver 30 is mounted on the substrate in an IC form.

게이트 구동부(40)는 타이밍 제어부(20)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(40)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(40)는 게이트 회로기판에 IC 형태로 형성되거나 표시 패널(50)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The gate driving unit 40 outputs the gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing control unit 20. [ The gate driver 40 outputs a gate signal through the gate lines GL1 to GLm. The gate driver 40 is formed on the gate circuit board in the form of an IC or is formed on the display panel 50 in a gate in panel manner.

표시 패널(50)은 데이터 구동부(30) 및 게이트 구동부(40)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(50)은 영상을 표시하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.The display panel 50 displays an image corresponding to the data signal DATA and the gate signal supplied from the data driver 30 and the gate driver 40. The display panel 50 includes subpixels SP for displaying an image.

도 2를 참조하면, 하나의 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 보상회로(CC) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.Referring to FIG. 2, one sub-pixel includes a switching transistor SW, a driving transistor DR, a compensation circuit CC, and an organic light emitting diode (OLED). The organic light emitting diode OLED operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor DR.

스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급된 게이트 신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터에 저장된 데이터 전압에 따라 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이다. 또한, 스위칭 트랜지스터(SW)나 구동 트랜지스터(DR)에 연결된 커패시터는 보상회로(CC) 내부로 위치할 수 있다. The switching transistor SW is operated so that the data signal supplied through the first data line DL1 is stored as a data voltage in the capacitor in response to the gate signal supplied through the first gate line GL1. The driving transistor DR operates so that a driving current flows between the high potential power supply line VDD and the low potential power supply line GND in accordance with the data voltage stored in the capacitor. The compensation circuit CC is a circuit for compensating the threshold voltage and the like of the driving transistor DR. Also, the capacitor connected to the switching transistor SW or the driving transistor DR may be located inside the compensation circuit CC.

보상회로(CC)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양한 바, 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다. The compensation circuit CC consists of one or more thin film transistors and a capacitor. The configuration of the compensation circuit CC varies greatly depending on the compensation method, and a detailed illustration and description thereof will be omitted.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)가 포함된 경우 서브 픽셀에는 보상 박막 트랜지스터를 구동함과 더불어 특정 신호나 전원을 공급하기 위한 신호라인과 전원라인 등이 더 포함된다. 추가된 신호라인은 서브 픽셀에 포함된 보상 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 제1-2 게이트 라인(GL1b)으로 정의될 수 있다. 그리고 추가된 전원라인은 서브 픽셀의 특정 노드를 특정 전압으로 초기화하기 위한 초기화 전원라인(INIT)으로 정의될 수 있다. 그러나 이는 하나의 예시일 뿐 이에 한정되지 않는다.In addition, as shown in FIG. 3, when the compensation circuit CC is included, the sub-pixel further includes a signal line and a power supply line for supplying a specific signal or power, as well as driving the compensating thin film transistor. The added signal line may be defined as a 1-2 gate line GL1b for driving the compensating thin film transistor included in the subpixel. The added power supply line may be defined as an initialization power supply line (INIT) for initializing a specific node of the subpixel to a specific voltage. However, this is merely one example, but is not limited thereto.

한편, 도 2 및 도 3에서는 하나의 서브 픽셀에 보상회로(CC)가 포함된 것을 일례로 하였다. 하지만, 보상의 주체가 데이터 구동부(30) 등과 같이 서브 픽셀의 외부에 위치하는 경우 보상회로(CC)는 생략될 수도 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀은 기본적으로 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C 등으로 다양하게 구성될 수도 있다.In FIGS. 2 and 3, the compensation circuit CC is included in one sub-pixel. However, the compensation circuit CC may be omitted when the subject of compensation is located outside the sub-pixel such as the data driver 30 or the like. That is, one subpixel is basically composed of a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor and an organic light emitting diode (OLED) 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C, or the like may be used.

또한, 도 2 및 도 3에서는 보상회로(CC)가 스위칭 트랜지스터(SW)와 구동 트랜지스터(DR) 사이에 위치하는 것으로 도시하였지만, 구동 트랜지스터(DR)와 유기발광다이오드(OLED) 사이에도 더 위치할 수도 있다. 보상회로(CC)의 위치와 구조는 도 2와 도 3에 한정되지 않는다.Although the compensation circuit CC is shown between the switching transistor SW and the driving transistor DR in FIGS. 2 and 3, the compensation circuit CC is located between the driving transistor DR and the organic light emitting diode OLED. It is possible. The position and structure of the compensation circuit CC are not limited to those shown in Figs.

도 4는 본 발명에 의한 표시패널의 평면도이다. 4 is a plan view of a display panel according to the present invention.

도 4를 참조하면, 표시패널은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 베젤 영역에서 일측에 배치되는 데이터 패드부(DP)를 포함한다. 표시 영역(AA)은 컬러 구현을 위한 R, G, B 또는 R, G, B, W 서브픽셀들이 다수 배치된다. 데이터 패드부(DP)는 데이터라인(DL)과 연결되는 데이터 패드(PAD1,PAD2,PAD3)들을 포함한다. 각각의 데이터 패드(PAD1,PAD2,PAD3)들은 표시 영역(AA)에 배치되는 데이터라인(DL)들에 연결된다.Referring to FIG. 4, the display panel includes a display area AA and a data pad part DP disposed at one side in a bezel area surrounding the display area AA. The display area AA has a plurality of R, G, B or R, G, B, W subpixels for color implementation. The data pad unit DP includes data pads PAD1, PAD2 and PAD3 connected to the data lines DL. Each data pad PAD1, PAD2, PAD3 is connected to the data lines DL arranged in the display area AA.

도 5는 도 4에 도시된 A 영역을 확대한 도면으로, 데이터 패드를 나타내고 있다. 도 6은 도 5에 도시된 I-I'의 단면을 나타내는 도면이다. FIG. 5 is an enlarged view of the area A shown in FIG. 4, showing a data pad. 6 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'shown in FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 데이터 패드들(PAD1,PAD2,PAD3)은 기판(SUB) 상에서 트랜지스터들을 형성하는 과정에 적층되는 금속층들을 이용한다.Referring to FIGS. 5 and 6, the data pads PAD1, PAD2, and PAD3 use metal layers stacked in the process of forming the transistors on the substrate SUB.

기판(PI) 상에는 버퍼층(BUF)이 위치한다. 버퍼층(BUF) 상에는 리페어 영역(RA)을 사이에 두고 이격된 제1 금속패턴(MP1) 및 제2 금속패턴(MP2)이 위치한다. 제1 금속패턴(MP1)은 버퍼층(BUF) 상에 위치하는 게이트 금속층(GATE), 게이트 절연막(GI), 소스 금속층(SD), 반도체층(ACT), 패시베이션층(PAS) 및 투명금속층(ITO)을 포함한다. 제2 금속패턴(MP2)은 버퍼층(BUF) 상에 위치하는 게이트 금속층(GATE), 게이트 절연막(GI), 소스 금속층(SD), 패시베이션층(PAS) 및 투명금속층(ITO)을 포함한다. 투명금속층(ITO)은 제1 금속패턴(MP1), 리페어 영역(RA) 및 제2 금속패턴(MP2)의 전면을 덮는다.A buffer layer BUF is located on the substrate PI. On the buffer layer BUF, a first metal pattern MP1 and a second metal pattern MP2 spaced apart by a repair area RA are located. The first metal pattern MP1 includes a gate metal layer GATE, a gate insulating layer GI, a source metal layer SD, a semiconductor layer ACT, a passivation layer PAS, and a transparent metal layer ITO ). The second metal pattern MP2 includes a gate metal layer GATE, a gate insulating film GI, a source metal layer SD, a passivation layer PAS, and a transparent metal layer ITO, which are located on the buffer layer BUF. The transparent metal layer (ITO) covers the entire surface of the first metal pattern MP1, the repair area RA and the second metal pattern MP2.

버퍼층(BUF)은 기판(SUB)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막트랜지스터를 보호하는 역할을 한다. 버퍼층(BUF)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.The buffer layer BUF protects the thin film transistor formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions or the like, which are discharged from the substrate SUB. The buffer layer BUF may be silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or multiple layers thereof.

게이트 금속층(GATE)은 표시영역(AA)에 위치하는 트랜지스터들의 게이트전극을 이루는 금속층이다. 게이트 금속층(GATE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성된다. 또한, 게이트 전극(GA)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(GA)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다. The gate metal layer GATE is a metal layer constituting a gate electrode of the transistors located in the display area AA. The gate metal layer GATE is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper Any one of them or an alloy thereof. The gate electrode GA may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, Or an alloy of any one selected from the above. For example, the gate electrode GA can be a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.The gate insulating film GI may be a silicon oxide (SiOx), a silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof.

소스 금속층(SD)은 표시영역(AA)에 위치하는 트랜지스터들의 소스전극 및 드레인전극을 이루는 금속층이다. 소스 금속층(SD)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 소스 금속층(SD)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스 금속층(SD)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 티타늄/알루미늄/티타늄, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다. The source metal layer SD is a metal layer constituting a source electrode and a drain electrode of the transistors located in the display area AA. The source metal layer SD may be formed of a single layer or a multilayer and may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au) , Nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof. Also, when the source metal layer SD is a multilayer, it may be formed of a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium, titanium / aluminum / titanium, molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

패시베이션층(PAS)은 하부의 소자를 보호하는 절연막으로, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다The passivation layer PAS may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof as an insulating film for protecting underlying devices

투명 금속층(ITO)은 표시영역(AA)에 위치하는 유기발광다이오드의 애노드 전극을 이루는 금속층이다. 투명 금속층(ITO)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투명도전물질로 이루어질 수 있다. The transparent metal layer (ITO) is a metal layer constituting the anode electrode of the organic light emitting diode located in the display area AA. The transparent metal layer (ITO) may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO).

제1 금속 패턴(MP1)에서 투명 금속층(ITO)은 컨택홀(CNT)을 통해서 소스 금속층(SD)과 접속된다. In the first metal pattern MP1, the transparent metal layer ITO is connected to the source metal layer SD through the contact hole CNT.

도 7에서와 같이, 패드부(DP)는 이방성 도전필름(ACF)이 합착될 때, 소스 금속층(SD)은 도전볼과 전기적으로 연결된다. 이방성도전필름(ACF)은 복수의 도전볼(CB)이 접착수지(AR)에 분산되어 배치된 것으로, 기판(PI)과 연성인쇄기판(FPC)을 접착하면서 전기적으로 연결시킨다. 연성인쇄기판은 연성필름(FF)에 구비된 신호배선(CL)을 포함한다.As shown in Fig. 7, when the anisotropic conductive film ACF is attached to the pad portion DP, the source metal layer SD is electrically connected to the conductive ball. The anisotropic conductive film ACF is formed by dispersing a plurality of conductive balls CB in an adhesive resin AR so that the substrate PI and the flexible printed board FPC are electrically connected while being bonded. The flexible printed board includes a signal wiring CL provided in the flexible film (FF).

리페어 영역(RA)에서 제1 금속 패턴(MP1)과 제2 금속 패턴(MP2)은 투명 금속층(ITO)을 통해서 전기적으로 연결된다. 각각의 데이터 패드(PAD1,PAD2,PAD3)들은 서로 전기적으로 연결되지 않는다. 그 결과, 데이터 패드(PAD1,PAD2,PAD3)들 각각은 연성인쇄기판(FPC)이 출력하는 신호들을 표시영역(AA)의 데이터라인(DL)들에 인가한다. 이처럼 정상적인 상태에서는 각 데이터 패드(PAD1,PAD2,PAD3)들은 서로 전기적으로 연결되지 않아야 하지만, 이방성 도전필름(ACF)의 도전볼이 뭉치는 현상으로 인해서 인접하는 데이터 패드들(PAD1,PAD2,PAD3)이 서로 전기적으로 연결되는 문제점이 발생하기도 한다. In the repair area RA, the first metal pattern MP1 and the second metal pattern MP2 are electrically connected through a transparent metal layer (ITO). The data pads PAD1, PAD2, and PAD3 are not electrically connected to each other. As a result, each of the data pads PAD1, PAD2, and PAD3 applies signals output from the flexible printed circuit board (FPC) to the data lines DL of the display area AA. In the normal state, the data pads PAD1, PAD2, and PAD3 should not be electrically connected to each other. However, due to the phenomenon that the conductive balls of the anisotropic conductive film ACF accumulate, the adjacent data pads PAD1, There is a problem that they are electrically connected to each other.

이방성 도전필름(ACF)을 사이에 두고 연성인쇄기판(FPC)이 패드부(DP)에 압착될 때에, 이방성 도전필름(CACF)의 도전볼(CB)은 패드부(DP)의 끝단으로 밀리면서 몰리게 된다. 그 결과 도 8에서와 같이, 도전볼(CB)이 뭉친 영역을 통해서 패드들(PAD1,PAD2,PAD3)은 전기적으로 연결된다. The conductive ball CB of the anisotropic conductive film CACF is pushed to the end of the pad portion DP when the flexible printed board FPC is pressed on the pad portion DP with the anisotropic conductive film ACF sandwiched therebetween It is crowded. As a result, as shown in FIG. 8, the pads PAD1, PAD2 and PAD3 are electrically connected through the region where the conductive balls CB are formed.

리페어 영역(RA)은 도전볼(CB)이 뭉친 영역을 전기적으로 분리하기 위한 곳이다. 도 8에서와 같이, 패드부(DP)의 끝단에 도전볼(CB)이 뭉칠 경우에, 리페어 영역(RA)은 레이져 커팅을 통해서 도 9에서와 같이 제거된다. 그 결과, 도전볼(CB)이 뭉친 제2 금속 패턴(MP2) 영역은 컨택홀(CNT)이 위치한 제1 금속 패턴(MP1) 영역과 전기적으로 분리된다. The repair area RA is a place for electrically separating the region where the conductive balls CB are gathered. As shown in FIG. 8, when the conductive balls CB are bundled at the ends of the pad portions DP, the repair areas RA are removed through laser cutting as shown in FIG. As a result, the second metal pattern MP2 region in which the conductive balls CB are gathered is electrically separated from the first metal pattern MP1 region in which the contact holes CNT are located.

레이져 커팅 공정의 효율을 위해서, 리페어 영역(RA)은 버퍼층(BUF) 상에 투명 금속층(ITO)만 배치된다. 즉, 리페어 영역(RA)에는 투명 금속층(ITO) 이외에는 다른 금속층이 배치되지 않기 때문에, 레이져 커팅을 통해서 제1 금속 패턴(MP1)과 제2 금속 패턴(MP2)을 전기적으로 확실하게 분리할 수 있다. For the efficiency of the laser cutting process, only the transparent metal layer (ITO) is disposed on the buffer layer BUF in the repair area RA. That is, since no metal layer other than the transparent metal layer (ITO) is disposed in the repair area RA, the first metal pattern MP1 and the second metal pattern MP2 can be electrically separated reliably through laser cutting .

도 10은 제2 실시 예에 의한 패드부를 나타내는 도면이다. 10 is a view showing a pad portion according to the second embodiment.

도 8은 패드부(DP)의 끝단에 위치한 영역에서 도전볼(CB)이 뭉치는 예를 도시하고 있다. 일반적으로 도전볼(CB)은 도 8에서와 같이, 패드부(DP)의 끝단에서 몰리게 되지만, 끝단이 아니라 다른 영역에서도 도전볼(CB)이 뭉칠 수 있다. Fig. 8 shows an example in which the conductive balls CB are bundled in the region located at the end of the pad portion DP. Generally, the conductive balls CB are driven at the ends of the pad portions DP as shown in FIG. 8, but the conductive balls CB may be stacked in other regions than the end portions.

도 10에 도시된 제2 실시 예는 제1 및 제2 리페어 영역(RA)을 포함한다. 제2 실시 예에 의한 패드부(DP)에서 제1 및 제2 리페어 영역(RA)은 도전볼(CB)이 뭉치는 영역에 따라서 선택적으로 커팅될 수 있다. The second embodiment shown in FIG. 10 includes first and second repair areas RA. The first and second repair areas RA in the pad part DP according to the second embodiment can be selectively cut along the area where the conductive balls CB are bundled.

본 명세서는 데이터 패드부를 중심으로 설명하고 있지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 리페어 영역은 게이트 패드부 또는 다른 신호 배선을 연결시키는 패드부에도 적용될 수 있는 것은 자명하다. Although the present specification describes the data pad unit as a center, the technical idea of the present invention is not limited thereto. That is, it is obvious that the repair region of the present invention can be applied to a pad portion connecting a gate pad portion or another signal wiring.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

SUB: 기판 BUF: 버퍼층
DP: 데이터 패드부 GI: 게이트 절연막
SD: 소스 금속층 PAS: 패시베이션막
SUB: Substrate BUF: Buffer layer
DP: Data pad part GI: Gate insulating film
SD: source metal layer PAS: passivation film

Claims (8)

기판에서 다수의 픽셀들과, 상기 픽셀들에 연결되는 신호 배선들이 배치되는 표시영역; 및
상기 기판 상에서 상기 표시영역 밖의 패드부에 배치되고, 상기 신호배선들과 연결되는 패드들을 포함하고,
상기 패드들 중 적어도 일부는
상기 기판의 면 방향에서 소정 간격 이격된 제1 및 제2 금속 패턴; 및
상기 기판을 경유하여 상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴을 연결하는 제3 금속 패턴을 포함하고,
상기 제1 및 제2 금속 패턴 각각은,
게이트 절연막을 사이에 두고 상기 기판의 두께 방향에서 적층된 제1 및 제2 금속층을 포함하는 표시장치.
A display region in which a plurality of pixels in a substrate and signal lines connected to the pixels are arranged; And
And pads disposed on the substrate and outside the display area, the pads being connected to the signal lines,
At least some of the pads
First and second metal patterns spaced apart from each other in a plane direction of the substrate; And
And a third metal pattern connecting the first metal pattern and the second metal pattern via the substrate,
Wherein each of the first and second metal patterns comprises:
And a first metal layer and a second metal layer stacked in a thickness direction of the substrate with a gate insulating film interposed therebetween.
제 1 항에 있어서,
상기 패드들은 상기 표시영역에 배치되는 데이터라인에 연결되는 표시장치.
The method according to claim 1,
And the pads are connected to a data line arranged in the display area.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 금속층은 상기 기판의 버퍼층에 위치하는 게이트 금속층이며,
상기 제2 금속층은 상기 데이터라인을 이루는 소스 금속층인 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the first metal layer is a gate metal layer located in a buffer layer of the substrate,
And the second metal layer is a source metal layer constituting the data line.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 금속패턴은 상기 제2 금속층 상에 위치하는 반도체층 및 상기 반도체층을 덮는 패시베이션층을 더 포함하고,
상기 반도체층과 상기 제3 금속층은 상기 패시베이션층을 관통하는 컨택홀을 통해서 연결되는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first metal pattern further comprises a semiconductor layer located on the second metal layer and a passivation layer covering the semiconductor layer,
Wherein the semiconductor layer and the third metal layer are connected through a contact hole passing through the passivation layer.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴과 상기 제2 금속 패턴 사이의 영역에서, 상기 제3 금속층은 상기 버퍼층 상에 위치하는 표시장치.
The method of claim 3,
And the third metal layer is located on the buffer layer in a region between the first metal pattern and the second metal pattern.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴은 상기 제2 금속 패턴에 대비하여 상기 표시영역에 가까운 곳에 위치하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first metal pattern is located closer to the display area than the second metal pattern.
제 6 항에 있어서,
상기 제1 금속 패턴보다 상기 표시영역에 더 가깝게 위치하고, 상기 제1 금속 패턴과 이격된 제3 금속 패턴을 더 포함하고,
상기 제3 금속 패턴은
상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 기판의 두께 방향에서 적층된 상기 제1 및 제2 금속층으로 이루어지는 표시장치.
The method according to claim 6,
Further comprising a third metal pattern located closer to the display area than the first metal pattern and spaced apart from the first metal pattern,
The third metal pattern
And the first and second metal layers stacked in the thickness direction of the substrate with the gate insulating film interposed therebetween.
제 7 항에 있어서,
상기 제3 금속 패턴은 상기 제2 금속층 상에 위치하는 반도체층 및 상기 반도체층을 덮는 패시베이션층을 더 포함하고,
상기 반도체층과 상기 제3 금속층은 상기 패시베이션층을 관통하는 컨택홀을 통해서 연결되는 표시장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the third metal pattern further comprises a semiconductor layer located on the second metal layer and a passivation layer covering the semiconductor layer,
Wherein the semiconductor layer and the third metal layer are connected through a contact hole passing through the passivation layer.
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