KR20180022147A - 반도체 발광소자 패키지용 기판 - Google Patents

반도체 발광소자 패키지용 기판 Download PDF

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KR20180022147A
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권혁
신동진
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우리이앤엘 주식회사
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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자 패키지용 기판에 있어서, 제1 홈이 형성된 금속층; 금속층 위에 형성되는 절연층; 그리고, 절연층 위에 형성된 배선층;을 포함하고, 제1 홈은 바닥면과 측면을 가지며, 제1 홈의 측면에 형성된 배선층의 일부가 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자 패키지용 기판{SUBSTRATE USED FOR SEMICONDURTOR LIGHT EMITTING PACKAGE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 패키지용 기판에 관한 것으로, 특히 방열이 수월하고, 빛이 제품 밖으로 새어나가는 현상이 제거되는 반도체 발광소자 패키지용 기판과 반도체 발광소자 패키지에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 일반적인 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면으로서, 고효율의 고광량, 장수명 특성을 갖는 LED 패키지를 구현하기 위해서 필수적인 것이 방열이다. 방열 효과를 극대화할 수 있는 패키지의 설계가 필요하다. 일반적으로 기존의 발광소자 패키지는 리드 프레임(3) 상부에 격벽(4)과 발광소자 칩(1) 그리고 제너다이오드(2)를 실장하여 제작하였다. 상기의 LED 패키지는 대량으로 생산할 수 있는 것이 장점이다. 하지만 격벽(4)에 의해 방열이 잘 되지 않는 것이 문제점이다.
도 2는 한국 공개특허공보 제2012/0093672호에 개시된 발광소자 패키지의 일 예를 나타내는 도면으로서, 방열 효과를 향상시키고 구조를 단순화시킨 발광소자 패키지는, 금속 재질로 형성된 메탈 베이스(13), 상기 메탈 베이스 상부에 장착되고 메탈 베이스에서 외부로 돌출 구비된 윙 형태의 리드 프레임(15) 및 상기 메탈 베이스 상부에 장착된 칩(11)을 포함하여 구성된다. 하지만 이 발명에서는 칩(11)에서 여러 방향으로 발산되는 빛을 효과적으로 모아줄 수 없는 문제점이 있다.
도 3은 한국 공개특허공보 제10-2015-0048979호에 개시된 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지 제작 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 기판(30)위에 형성된 절연층(22)과 절연층(22) 위에 배선층(20)이 형성되어있다. 상기 컵홈부(21)는, 상기 기판(10)의 일면을 부분적으로 가압할 수 있는 펀치 프레스(PP)에 의해서 오목하게 형성되는 전체적으로 컵형상인 부분이다. 또한, 상기 컵홈부(21)는 내부에 경사면(21a)이 형성될 수 있다. 이를 위해서 상기 펀치 프레스(PP)에는 상기 컵홈부(21)의 형상과 대응되는 돌출 부분이 형성될 수 있고, 상기 돌출 부분에는 상기 컵홈부(21)의 경사면(21a)과 대응되는 경사면(21a)이 형성될 수 있다.
프레스로 컵홈부(21)를 형성하는 경우 경사면(21a)의 경사가 급하게 형성되면, 경사가 급한 배선층(20)이 끊어져, 단선이 되는 문제가 생긴다. 또한, 배선층(20) 위에 반사층을 형성하기도 하는데, 배선층(20)과 반사층이 함께 끊어져 빛의 반사효율이 떨어지는 문제점이 생기기도 한다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 패키지용 기판에 있어서, 제1 홈이 형성된 금속층; 금속층 위에 형성되는 절연층; 그리고, 절연층 위에 형성된 배선층;을 포함하고, 제1 홈은 바닥면과 측면을 가지며, 제1 홈의 측면에 형성된 배선층의 일부가 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 일반적인 LED 패키지의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 공개특허공보 제2012/0093672호에 개시된 발광소자 패키지의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 한국 등록특허공보 제10-1435451호에 개시된 메탈 인쇄회로기판 및 그 제조방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판과 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판과 반도체 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 6 및, 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판과 반도체 발광소자 패키지의 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판의 또 다른 예를 설명한 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판의 장점을 설명하는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 배선층의 일 예를 설명하기 위한 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판과 반도체 발광소자 패키지용 기판의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 4(a)는 반도체 발광소자 패키지용 기판의 일 예를 나타낸다. 반도체 발광소자 패키지용 기판은 배선층(300), 절연층(200), 금속층(100)을 포함하며, 금속층에는 제1 홈(902) 및, 제2 홈(901)이 형성되어 있다. 배선층(300)은 절연층(200) 위에 구비되어 반도체 발광소자(800)에 전원을 공급한다. 배선층(300)은 전기가 흐르는 층이기 때문에 예를 들어, 구리(Cu)로 형성될 수 있다. 절연층(200)은 배선층(300) 아래에 구비되어 금속층(100)과 배선층(300)을 절연한다. 절연층(200)은 절연물질로 형성되는데 예를 들어, 폴리아미드로 형성될 수 있다. 폴리아미드는 탄성을 가지기 때문에, 힘이 가해질 때 끊어지거나 갈라짐이 적은 특성을 가지고 있다. 금속층(100)은 절연층(200) 아래에 구비된다. 금속층(100)은 반도체 발광소자(800)의 열을 방열하며, 예를 들면, 알루미늄으로 형성될 수 있다. 제1 홈(902)은 절연층(200) 측 금속층에 형성되고, 제2 홈(901)은 절연층(200) 반대측인 금속층(100)측에 형성된다.
도 4(b)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 반도체 발광소자 패키지용 기판(도 4(a))과 반도체 발광소자(800)를 포함한다. 도 4(b)의 반도체 발광소자(800)는 기판의 제1 홈(902) 내에 실장된다. 배선층(300)은 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302)를 포함한다. 서로 도통하지 않는 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302)는 반도체 발광소자(800)에 전원을 전달할 전극이 된다. 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302)에서 전원을 공급받아 반도체 발광소자(800)는 발광한다.
본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판 및 반도체 발광소자 패키지에 의하면, 금속층(100)에 의해 방열기구 없이 방열이 향상되며, 제1 홈(902)에 반도체 발광소자를 실장함으로써 빛의 지향각을 조절할 수 있는 반도체 발광소자 패키지용 기판 및 반도체 발광소자 패키지가 제공된다.
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지 기판과 반도체 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 5(a)는 도 5의 평면도에서 A-A' 단면도이다. 본 예에서, 반도체 발광소자 패키지용 기판은 도금층(500), 반사층(600) 및 코팅층(400)을 포함한다.
도금층(500)은 제1 홈의 주변(610)으로부터 제1 홈의 내측(902)에 형성된다. 도금층(500)은 금속으로 형성되며, 반사층(600)과의 접촉력을 높힌다. 예를 들면, 도금층(500)은 니켈로 형성될 수 있다.
반사층(600)은 제1 홈의 주변(610)으로부터 제1 홈의 내측(902)에 형성된다. 반사층(600)은 금속으로 형성되며, 예를 들면, 은으로 형성될 수 있다. 반사층(600)은 반도체 발광소자(800)에서 발광되는 빛을 반사한다.
배선층(300)은 구리층으로 형성되며, 절연층(200) 위에 한 층으로 형성될 수 있다. 이때 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302)는 전기적으로 분리된다. 전기적으로 분리하기 위하여 구리층의 일부(700)가 제거되어 형성될 수 있다.
코팅층(400)은 배선층(300) 위에 구비되며, 주변으로부터 홈 주위(610)까지 형성된다. 코팅층(400)은 배선층(300) 위에서 배선층(300)을 보호하고, 절연한다.
도 5(b)는 도 5의 평면도에서 B-B' 단면도이다. B-B' 단면도는 홈의 단축을 보여준다. 반도체 발광소자(800)는 제1 홈(902) 내에 있다. 반도체 발광소자(800)가 제1 홈 내(902)에 구비됨으로서 빛이 옆으로 새는 현상을 줄일 수 있다.
도 5(c)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판의 일 예이다. 도 4의 평면도에서 반도체 발광소자를 실장하기 전 단계에서, 반사층이 입혀지기 전의 모습이다. 본 예에서, 배선층(300)은 구리막을 형성 후 부식하여 패턴(301,302)을 형성하였다. 배선층(300)은 제1 홈의 주변(610)으로부터 제1 홈의 내측(902) 또는 적어도 제1 홈의 내측(902)에 형성될 수 있다. 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302)는 반도체 발광소자의 전극에 각각 전기적으로 연결되는 부분이다. 배선층(300)은 제1 전원연결부(310)와 제2 전원연결부(320)를 포함하고, 제1 전원연결부(310)는 제1 배선부(301)에 연결되며, 제2 전원연결부(320)는 제2 배선부(302)에 연결된다. 전원 연결부(310,320)는 코팅층(400)으로 덮히지 않도록 노출될 수 있다.
도 6과 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판과 반도체 발광소자 패키지의 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들로서, 도 6(a)는 금속층(100), 절연층(200), 배선층(300)을 적층하여 기판을 형성한 모습이다. 이때, 도 6(b)와 같이 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302)가 형성될 수 있도록, 부식을 통하여 동박층의 일부(990)를 제거한다. 그와 동시에 금속층(100)의 일부(900)를 부식시켜 제1 홈(902)과 제2 홈(901)을 형성시키기 위한 홈(900)을 형성한다. 금속층(100)의 연성과 홈(900)의 깊이 및 넓이에 따라 금속층(100)을 제거할 수 있다. 도 6(c)와 같이 홈(900)에 수직한 방향에서 홈(900)으로 프레스(980)를 이용하여 압력을 가하여 제1 홈(902)과 제2 홈(901)을 형성한다. 도 7(a)와 같이 주변으로부터 제1 홈(902) 주위까지 코팅제를 도포한다. 그리고 도 7(b)와 같이 제1 홈의 주변으로부터 제1 홈의 내측(902)을 도금층(500)으로 도금한다. 도 7(c)와 같이 도금층(500)의 위를 반사층(600)으로 도금한다. 도 7(d)와 같이 제1 홈(902)에 반도체 발광소자(800)를 실장한다. 이때, 각각의 제1 배선부(301), 제2 배선부(302)에 반도체 발광소자(800)를 실장한다. 도 7(e)와 같이 반도체 발광소자(800)가 실장된 제1 홈(902)을 봉지재(850)로 채운다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 도 8(a)는 반도체 발광소자 패키지의 사시도를 나타낸 것이다. 제1 홈(902)에는 반도체 발광소자(800)가 실장된다.
도 8(b)는 도 8(a)를 응용한 반도체 발광소자 패키지이다. 제1 홈(902)의 장축을 늘려 다수의 반도체 발광소자(800)를 실장한 예이다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명한 도면으로서, 제1 배선부(301) 및 제2 배선부(302)가 전기적으로 분리 될 때, 절연층(200)은 제거하지 않을 수 있다. 도 9(a)는 제1 배선부(301)와 제2 배선부(302) 사이의 절연층(200)을 제거한 예이다. 도 9(b)는 배선층(300)에 반도체 발광소자(800)가 접촉할 면을 남겨두고 빛이 반사할 부분에 도금층(500)과 반사층(600)을 도금한 예이다. 도 9(c)는 도 9(b)에서 반도체 발광소자(800)는 도금층(500)과 접촉되고, 반사 부분만 반사층(600)이 형성된 예이다.
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명한 도면으로서, 도 10(a)는 반도체 발광소자 기판에 도금층(500)과 반사층(600)에 반도체 발광소자(800)를 실장한 예이다. 도 10(b)는 반도체 발광소자 기판에 코팅층(400)을 형성하고 도금층(500)과 반사층(600)은 적층하지 않고 반도체 발광소자 패키지를 제조한 예이다. 도 10(c)는 반도체 발광소자 기판에 코팅층(400)과 반사층(600)을 빼고, 도금층(500)만 적층하여 반도체 발광소자 패키지를 제조한 예이다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명한 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 봉지재(620)를 가진다. 제1 홈(902) 내에 봉지재(620)로 반도체 발광소자(800)를 감싸는 예이다. 반도체 발광소자(800)에서 발광된 빛은 봉지재(620) 내에 포함된 확산제에 의해 빛이 균일하게 발산된다. 반도체 발광소자(800)는 제1 전극(801)과 제2 전극(802)을 포함한다. 반도체 발광소자(800)는 예를 들면, 버티칼칩(도 11(a)), CSP(도 11(b)) 및, 플립칩(도 11(c))을 사용할 수 있다. 반도체 발광소자(800)의 제1 전극(801)과 제1 배선부(301)는 전기적으로 연결되고, 제2 전극(802)과 제2 배선부(302)는 전기적으로 연결된다. 외부 충격이 있을 때, 봉지재(620)로 인해 반도체 발광소자(800)가 보호될 수 있다. 제1 배선부(301)는 하나의 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 배선부(302)는 다른 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지의 또 다른 예들을 설명한 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 확산필름(630)을 가진다. 제1 홈(902) 내에 반도체 발광소자(800)를 넣고, 홈을 확산필름(630)을 이용하여 덮는 예이다. 확산필름(630)은 접착제나 테이프를 이용하여 접착시킬 수 있다. 확산필름(630)은 발광된 빛을 균일하게 나가게한다. 또한 확산필름(630)은 반도체 발광소자(800)에 먼지나 습기가 닿는 것을 방지한다. 반도체 발광소자(800)는 두 전극을 가지며, 버티칼칩(도 12(a)), CSP(도 12(b)) 및, 플립칩(도 12(c))를 사용하여 형성될 수 있다. 도 12(a)의 반도체 발광소자(800)는 두 전극을 가진다. 제1 배선부(301)에 반도체 발광소자(800)를 고정하고, 다른 전극에 와이어를 통하여 제2 배선부(302)를 연결한다. 도 12(b)와 도 12(c)는 반도체 발광소자(800)의 두 전극 중 한 전극을 제1 배선부(301), 다른 전극을 제2 배선부(302)에 접촉한다.
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판의 또 다른 예를 설명한 도면이다.
도 13(a)는 반도체 발광소자 패키지용 기판의 평면도이며, 도 13(b)는 도 13(a)의 AA' 단면이며, 도 13(c)는 도 13(a)의 BB' 단면이다.
반도체 발광소자 패키지용 기판은 금속층(100), 절연층(200) 및 배선층(300)을 포함한다. 금속층(100)에는 제1 홈(902)이 형성된다. 절연층(200)은 금속층(100) 위에 형성된다. 배선층(300)은 절연층(200) 위에 형성되며, 구리로 형성될 수 있다. 제1 홈(902)의 내측은 바닥면(912)과 바닥면(912)을 둘러싸는 측면(910)들을 포함하고, 측면(910)은 단축으로 마주보는 측면(914)과, 장축으로 마주보는 측면(913)을 가진다. 이하 단축으로 마주보는 측면(914)은 단축 측면(914)이라고 하고, 장축으로 마주보는 측면(913)을 장축 측면(914)이라고 한다. 단축 측면(914)은 빛이 퍼지도록 경사가 완만하게 형성되고, 장축 측면(913)은 빛이 퍼지지 않고, 반사되어 전면으로 나갈 수 있도록 경사가 급하게 형성될 수 있다.
예를 들면, 제1 홈(902)의 바닥면(912)과 단축 측면(914)은 13°~35°사이의 각도를 이루고, 제1 홈(902)의 바닥면(912)과 장축 측면(913)은 40°~70°사이의 각도를 이룰 수 있다. 이로 인해, 도 6(c)와 같이 프레스로 압력을 가하는 경우, 경사가 급한 장축 측면(913)의 배선층(300)이 끊어질 수 있다. 이 경우, 빛의 반사가 되지 않고, 끊어진 부분에서 빛이 흡수되어 빛의 탈출 효율이 떨어진다. 자세한 것은 도 14에서 설명한다.
절연층(200)과 배선층(300)이 형성된 금속층(100) 위에 프레스로 압력을 가하더라도 배선층(300)이 측면(910)에서 끊어지지 않게 하기 위해 제1 홈(902)의 장축 측면(913)에 형성된 배선층(300)의 일부를 제거한다. 금속층(100)은 제1 홈(902)의 내측과 외측이 만나는 경계선(908)을 포함하며, 경계선(908)은 제1 홈(902)의 장축 경계선(909)과 제1 홈(902)의 단축 경계선(907)을 포함한다. 이때, 경계선(908) 주위의 배선층(300)이 제거된다. 장축의 경계선(909) 주위의 배선층이 제거된다.
도 13(c)와 같이 제1 홈(902)의 측면(910)은 빛을 반사하는 역할을 하기 때문에, 측면(910)에는 조금이라도 넓은 반사면이 있는 것이 빛의 탈출효율을 높이는데 도움이 되므로, 제1 홈(902)의 외측과 내측이 만나는 경계선(908) 주위의 배선층(300)은 최소한 제거되는 것이 바람직하다.
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 패키지용 기판의 장점을 설명하는 도면이다.
도 14(a)는 배선층이 끊어지지 않은 반도체 발광소자 패키지용 기판에 반도체 발광소자가 구비된 예이며, 도 14(b)는 배선층이 끊어진 반도체 발광소자 패키지용 기판 위에 반도체 발광소자가 구비된 예이다.
도 14(a)와 같이 배선층이 끊어지지 않은 반도체 발광 패키지용 기판에서는, 반도체 발광소자(800)에서 나온 빛이 장축 측면(913)에 반사되어 전면으로 모두 나간다. 장축 경계선(909)의 금속층(100)이 압력으로 인해 늘어나면서, 금속층(100) 위에 형성된 배선층(300)은 늘어나지 못하고, 끊어지게 된다. 도 14(b)와 같이, 끊어지는 부분이 측면(910)에 위치하게 되면, 반도체 발광소자(800)의 빛은 반사되지 못하고 흡수된다. 그 결과, 도 14(a)에서 출광되는 빛보다 도 14(b)에서 출광되는 빛은 더 적다. 왜냐하면 배선층(300)이 끊어진 부위에서 빛이 흡수되어 빛의 출광 효율이 떨어지기 때문이다.
도 15는 본 개시에 따른 배선층의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
제1 홈(902)의 크기가 장축으로 10mm, 단축으로 2mm 일 때, 배선층(300)의 도면이다. 배선층(300)은 제1 홈(902)의 크기에 따라 달라질 수 있다. 제1 홈(902)의 장축의 경계선(909)에서 제1 홈(902) 내측으로 장축을 따라 0.1mm로 배선층(300)을 제거하고, 제1 홈(902) 외측으로 0.1mm로 배선층(300)을 제거한다. 또한, 배선층(300)은 제1 홈(902)의 장축과 수직한 방향으로 분리된다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자 패키지용 기판에 있어서, 제1 홈이 형성된 금속층; 금속층 위에 형성되는 절연층; 그리고, 절연층 위에 형성된 배선층;을 포함하고, 제1 홈은 바닥면과 측면을 가지며, 제1 홈의 측면에 형성된 배선층의 일부가 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(2) 측면은 장축 측면과 단축 측면을 포함하며, 장축 측면에 형성된 배선층이 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(3) 장축 측면과 바닥면의 각도는 단축 측면과 바닥면의 각도보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(4) 금속층은 제1 홈의 내측과 제1 홈의 외측이 만나는 경계선;으로서, 제1 홈의 장축 측면 측에 형성된 장축 경계선 및 제1 홈의 단축 측면 측에 형성된 단축 경계선을 포함하는 경계선;을 포함하며, 장축 경계선 주위의 배선층이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(5) 배선층은 장축 경계선에서 제1 홈의 내측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되고, 제1 홈의 외측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(6) 배선층은 제1 홈의 장축과 수직한 방향으로 분리된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(7) 제1 홈은 프레스로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(8) 제1 홈의 바닥면과 장축 측면은 40°~70°각도를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(9) 제1 홈의 바닥면과 단축 측면은 13°~35°각도를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
(10) 측면은 장축 측면과 단축 측면을 포함하며, 장축 측면에 형성된 배선층이 제거되며, 장축 측면과 바닥면의 각도는 단축 측면과 바닥면의 각도보다 작고, 금속층은 제1 홈의 내측과 제1 홈의 외측이 만나는 경계선;으로서, 제1 홈의 장축 측면 측에 형성된 장축 경계선 및 제1 홈의 단축 측면 측에 형성된 단축 경계선을 포함하는 경계선;을 포함하며, 장축 경계선 주위의 배선층이 제거되며, 배선층은 장축 경계선에서 제1 홈의 내측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되고, 제1 홈의 외측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되며, 배선층은 제1 홈의 장축과 수직한 방향으로 분리되며, 제1 홈은 프레스로 형성되며, 제1 홈의 바닥면과 장축 측면은 40°~70°각도를 이루며, 제1 홈의 바닥면과 단축 측면은 13°~35°각도를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
본 개시에 의하면, 찢어지지 않도록 형성된 배선층을 가지는 반도체 발광소자 패키지용 기판을 제공한다.

Claims (10)

  1. 반도체 발광소자 패키지용 기판에 있어서,
    제1 홈이 형성된 금속층;
    금속층 위에 형성되는 절연층; 그리고,
    절연층 위에 형성된 배선층;을 포함하고,
    제1 홈은 바닥면과 측면을 가지며,
    제1 홈의 측면에 형성된 배선층의 일부가 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    측면은 장축 측면과 단축 측면을 포함하며,
    장축 측면에 형성된 배선층이 제거된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  3. 청구항 2에 있어서,
    장축 측면과 바닥면의 각도는 단축 측면과 바닥면의 각도보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  4. 청구항 1에 있어서,
    금속층은 제1 홈의 내측과 제1 홈의 외측이 만나는 경계선;으로서,
    제1 홈의 장축 측면 측에 형성된 장축 경계선 및 제1 홈의 단축 측면 측에 형성된 단축 경계선을 포함하는 경계선;을 포함하며,
    장축 경계선 주위의 배선층이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  5. 청구항 4에 있어서,
    배선층은 장축 경계선에서 제1 홈의 내측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되고, 제1 홈의 외측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  6. 청구항 1에 있어서,
    배선층은 제1 홈의 장축과 수직한 방향으로 분리된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  7. 청구항 1에 있어서,
    제1 홈은 프레스로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  8. 청구항 1에 있어서,
    제1 홈의 바닥면과 장축 측면은 40°~70°각도를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  9. 청구항 8에 있어서,
    제1 홈의 바닥면과 단축 측면은 13°~35°각도를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
  10. 청구항 1에 있어서,
    측면은 장축 측면과 단축 측면을 포함하며,
    장축 측면에 형성된 배선층이 제거되며,
    장축 측면과 바닥면의 각도는 단축 측면과 바닥면의 각도보다 작고,
    금속층은 제1 홈의 내측과 제1 홈의 외측이 만나는 경계선;으로서,
    제1 홈의 장축 측면 측에 형성된 장축 경계선 및 제1 홈의 단축 측면 측에 형성된 단축 경계선을 포함하는 경계선;을 포함하며,
    장축 경계선 주위의 배선층이 제거되며,
    배선층은 장축 경계선에서 제1 홈의 내측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되고, 제1 홈의 외측으로 장축을 따라 0.1mm 제거되며,
    배선층은 제1 홈의 장축과 수직한 방향으로 분리되며,
    제1 홈은 프레스로 형성되며,
    제1 홈의 바닥면과 장축 측면은 40°~70°각도를 이루며,
    제1 홈의 바닥면과 단축 측면은 13°~35°각도를 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 패키지용 기판.
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