KR20180016887A - Method for manufacturing Protrusion - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for forming a nano-protrusion and, more specifically, to a method for forming an anti-reflection layer including a nano-protrusion having a width of several nanometers to several tens of nanometers, or an anti-glare layer including a protrusion having a width of several tens of nanometers to several micrometers, through a wet etching process by an acid solution without using a nano-mask. In addition, the present invention relates to a method for forming a protrusion, comprising a step of additionally forming an anti-reflection layer including a nano-protrusion having a width of several nanometers to several tens of nanometers on an anti-glare layer including a protrusion having a width of several tens of nanometers to several micrometers. Another objective of the present invention is to provide a method for additionally forming an anti-reflection layer having a protrusion having a width of several nanometers to several tens of nanometers through a wet etching process by an acid solution on an anti-glare layer having a protrusion having a size of several micrometers to several hundreds of micrometers formed on a glass substrate according to a conventional method other than the present invention.

Description

돌기 형성 방법{Method for manufacturing Protrusion}Method for manufacturing Protrusion}

유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름 기판에 나노 돌기를 형성하는 방법에 관한 것으로, 자세하게 마스크(mask)를 사용하지 않고, 습식 식각 공정에 의해 수nm~수십nm 또는 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 형성하는 무마스크 습식 나노패터닝 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming nano-protrusions on a polymer film substrate having a glass or glass property, and more particularly, to a method of forming a nano- Maskless wet nano patterning method for forming protrusions.

반도체 공정에서 식각 공정은 습식 식각 공정과 건식 식각 공정으로 구분 할 수 있다. 습식 식각 공정은 일반적으로 부식 용해시키는 성질을 가지는 식각 용액과 식각의 대상이 되는 모재와의 화학 반응을 통해 이루어 진다. 습식 식각은 수직, 수평 방향으로의 식각 속도가 동일한 등방성 식각이다. 건식 식각은 기체 플라즈마나 활성화된 기체에 의한 반응을 이용한 식각 공정이다. 건식 식각은 수직 수평 방향으로의 식각 속도가 상이한 이방성 식각 이다.In the semiconductor process, the etching process can be divided into a wet etching process and a dry etching process. The wet etching process is generally performed through a chemical reaction between the etching solution having a property of dissolving corrosion and the base material to be etched. The wet etching is an isotropic etching having the same vertical and horizontal etching rates. Dry etching is an etching process using gas plasma or reaction by activated gas. Dry etching is anisotropic etching with different etching rates in the vertical and horizontal directions.

종래의 표면 처리에서 수~수십nm의 너비를 가지는 패턴을 형성하기 위해서는 전술한 건식 식각을 사용해야만 했다. 그러나, 건식 식각은 습식 식각에 비해 고비용이며 공정 관리가 어렵고 대량 생산이 용이하지도 않다. 또한 건식 식각은 곡면 유리 및 대면적 유리에 적용하기엔 공정의 특성상 어려움이 있다.In order to form a pattern having a width of several to several tens of nanometers in the conventional surface treatment, it is necessary to use the dry etching described above. However, dry etching is more expensive than wet etching, and it is difficult to manage the process and mass production is not easy. In addition, dry etching is difficult to apply to curved glass and large-area glass due to the nature of the process.

종래의 습식 식각 공정은 건식 식각에 비해 공정 관리가 쉽고 대량 생산에 용이하다. 그러나, 습식 식각 공정을 통해 형성된 패턴은 평균 3um이상의 너비를 갖는다.    Conventional wet etching processes are easier to process and easier to mass-produce than dry etching. However, the pattern formed through the wet etching process has an average width of at least 3 mu m.

최근 스마트폰을 포함한 모바일 등 각종 디스플레이 분야에서 광학유리 및 광학필름의 반사방지 처리의 중요성이 점증하고 있는데, 반사방지를 구현하기 위한 나노패터닝 기술이 주목을 받고 있지만 기술이 까다로운 고비용의 나노마스크를 필요로 하고 곡면이나 대면적 처리가 곤란하여 실용화되지 못하고 있다.Recently, the importance of anti-reflection treatment of optical glass and optical film is increasing in various display fields such as mobile phones including smart phones. Although nano patterning technology for preventing reflection is getting attention, there is a need for a high-cost nano mask And it is difficult to process a curved surface or a large area, so that it has not been practically used.

이러한 문제들을 해결하기 위한 방법으로써, 마스크가 필요 없고, 건식 식각 공정이 아닌 습식 식각 공정을 통해 수nm~수um의 너비를 가지는 패턴을 구현할 수 있는 기술이 요구되어 왔다. As a method for solving these problems, there has been demanded a technique which can realize a pattern having a width of several nm to several um through a wet etching process, not a mask, and not a dry etching process.

제안된 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 습식 식각 공정을 통해 수nm~수십nm 또는 수십nm~수um의 너비를 가지는 나노 돌기를 형성하는 것이다.One of the problems to be solved by the proposed invention is to form a nano protrusion having a width of several nm to several tens nm or several tens nm to several um through a wet etching process.

제안된 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 습식 식각 공정을 통해 눈부심을 방지하는 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름을 생산하는 것이다.Another problem to be solved by the proposed invention is to produce a polymer film having glass or glass properties that prevents glare through a wet etching process.

제안된 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 습식 식각 공정을 통해 반사를 방지하는 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름을 생산하는 것이다.Another problem to be solved by the proposed invention is to produce a polymer film having glass or glass properties that prevents reflection through a wet etching process.

제안된 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 습식 식각 공정을 통해 눈부심 및 반사를 동시에 방지하는 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름을 생산하는 것이다.Another problem to be solved by the proposed invention is to produce a polymer film having glass or glass characteristics which simultaneously prevents glare and reflection through a wet etching process.

한편, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 기술적 과제가 포함될 수 있다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

일 양상에 있어서, 돌기 형성 방법은 습식 식각을 통해 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름 기판 상에 돌기를 형성하는 단계를 포함한다.In one aspect, the method of forming protrusions comprises forming protrusions on a polymeric film substrate having glass or glass properties through wet etching.

다른 양상에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는, 산용액에 의한 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성하는 단계를 포함한다.In another aspect, the step of forming the projections includes forming an anti-glare layer including protrusions having a width of several tens nm to several um through wet etching by an acid solution.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액은, 불소계열의 산 및 질산을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the acid solution is characterized by containing a fluorine-based acid and nitric acid.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액은, 불화수소 및 질산을 포함하되, 불화암모늄, 인산, 염산 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the acid solution comprises hydrogen fluoride and nitric acid, wherein the ammonium fluoride, phosphoric acid, And at least one of hydrogen chloride and hydrochloric acid.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액 중 불화수소의 함량은 10중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, the content of hydrogen fluoride in the acid solution is 10 wt% or less.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액 중 질산의 함량은, 그 함량은 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, the content of nitric acid in the acid solution is 10 wt% or more and 25 wt% or less.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 불화암모늄이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when ammonium fluoride is contained in the acid solution, the content thereof is not more than 5 wt%.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 인산이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when the acid solution contains phosphoric acid, the content thereof is not more than 5 wt%.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 염산이 포함될 경우, 그 함량은 10 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when hydrochloric acid is contained in the acid solution, the content thereof is 10 wt% or less.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액은, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산 및 물을 포함하되, 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대한 각 성분의 함량은, 상기 불화수소는 10중량 퍼센트 이하, 상기 불화암모늄은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 질산은 10 중량 퍼센트 이상에서 25 중량 퍼센트 이하, 상기 인산은5 중량 퍼센트 이하, 상기 염산은 10 중량 퍼센트 이하이고, 나머지가 상기 물로 된 것을 것을 특징으로 한다.In another aspect, the acid solution is selected from the group consisting of hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of each component with respect to 100 wt% of the acid solution is 10 wt% or less, the ammonium fluoride is 5 wt% or less, the nitric acid is 10 wt% or more and 25 wt% By weight or less, the phosphoric acid is 5% by weight or less, the hydrochloric acid is 10% by weight or less, and the remainder is water.

또 다른 양상에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는 산용액에 의한 습식 식각을 통해 수nm~수십nm 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함한다.In another aspect, the step of forming the protrusions includes forming an antireflection layer including protrusions having a width of several nm to several tens nm through wet etching with an acid solution.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액은, 불소계열의 산을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the acid solution is characterized by containing a fluorine-based acid.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액은, 불화수소를 포함하되, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In another aspect, the acid solution comprises hydrogen fluoride, wherein the ammonium fluoride, phosphoric acid, Nitric acid, and hydrochloric acid.

또 다른 양상에 있어서, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In yet another aspect, the hydrogen fluoride content is greater than 0 weight percent and less than or equal to 10 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 불화암모늄이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when ammonium fluoride is contained in the acid solution, the content thereof is not more than 5 wt%.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 질산이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when nitric acid is contained in the acid solution, the content thereof is 5 wt% or less.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 인산이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when the acid solution contains phosphoric acid, the content thereof is not more than 5 wt%.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액에 염산이 포함될 경우, 그 함량은 10 중량 퍼센트 이상이고 40 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In another aspect, when hydrochloric acid is contained in the acid solution, the content thereof is 10 wt% or more and 40 wt% or less.

또 다른 양상에 있어서, 상기 산용액은, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산 및 물을 포함하되, 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대한 각 성분의 함량은, 상기 불화수소는 10중량 퍼센트 이하, 상기 불화암모늄은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 질산은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 인산은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 염산은 10 중량 퍼센트 이상에서 40 중량 퍼센트 이하이고 나머지가 물로 된 것을 특징으로 한다.In another aspect, the acid solution is selected from the group consisting of hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of each component with respect to 100 wt% of the acid solution is 10 wt% or less, the ammonium fluoride is 5 wt% or less, the nitric acid is 5 wt% or less, the phosphoric acid Is not more than 5 wt%, the hydrochloric acid is not less than 10 wt% and not more than 40 wt%, and the remainder is water.

또 다른 양상에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는 산용액에 의한 1차 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성하는 단계; 및 산용액에 의한 2차 습식 식각을 통해 상기 눈부심 방지층 상에 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계;를 포함한다.In another aspect, the step of forming the protrusions may include forming an anti-glare layer including protrusions having a width of several tens nm to several um through a first wet etching using an acid solution; And forming an antireflection layer on the anti-glare layer by a secondary wet etching using an acid solution, the anti-reflection layer including protrusions having a width of several nm to several tens nm.

제안된 발명은 습식 식각 공정을 통해 수nm~수십nm 또는 수십nm~수um의 너비를 가지는 나노 돌기를 형성할 수 있다.The present invention can form nano-protrusions having a width of several nm to several tens nm or several tens nm to several um through a wet etching process.

제안된 발명은 습식 식각 공정을 통해 눈부심을 방지하는 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름을 생산할 수 있다.The proposed invention can produce polymer films having glass or glass properties that prevent glare through wet etching processes.

제안된 발명은 습식 식각 공정을 통해 반사를 방지하는 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름을 생산 할 수 있다.The proposed invention can produce polymer films having glass or glass properties that prevent reflection through a wet etching process.

제안된 발명은 습식 식각 공정을 통해 눈부심과 반사를 동시에 방지하는 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머필름을 생산 할 수 있다.The proposed invention can produce polymer films having glass or glass properties that simultaneously prevent glare and reflections through a wet etching process.

본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며,The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above,

이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 효과들이 포함될 수 있다.Various effects can be included within the scope of what is well known to a person skilled in the art from the following description.

도 1은 일 실시예에 따른 돌기 형성 방법을 전체적인 흐름을 도시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 눈부심 방지층이 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 눈부심 방지층이 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이며, 도 4는 도 3의 확대된 주사 전자 현미경 사진이다.
도 5는 일 실시예에 따른 반사 방지층이 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따른 반사 방지층이 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이며, 도 7는 도 6의 확대된 주사 전자 현미경 사진이다.
도 8은 일 실시예에 따른 눈부심 방지층 및 반사 방지층이 함께 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.
도 9는 일 실시예에 따른 눈부심 방지층 및 반사 방지층이 함께 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이다.
도 10은 본 발명이 아닌 종래의 방법으로 유리기판에 형성된 수um ~수백um 크기의 돌기와 홈에 추가적으로 반사 방지층이 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.
도 11은 수um ~수백um크기의 눈부심 방지 돌기 위에 수nm ~수십nm 크기의 반사방지 돌기가 추가적으로 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이다.
도 12는 본 발명에 따른 돌기 형성 방법에 의해 반사 방지층이 형성된 유리 또는 폴리머 필름을 포함하는 스마트폰의 사진이다.FIG. 1 shows an overall flow of a projection forming method according to an embodiment.
2 shows a cross-sectional view of a glass substrate on which an anti-glare layer according to an embodiment is formed.
FIG. 3 is a scanning electron microscope (SEM) image of a glass substrate having an anti-glare layer according to an embodiment, and FIG. 4 is an enlarged scanning electron microscope photograph of FIG.
5 shows a cross-sectional view of a glass substrate on which an antireflection layer is formed according to an embodiment.
6 is a scanning electron micrograph of a glass substrate on which an antireflection layer is formed according to an embodiment, and Fig. 7 is an enlarged scanning electron micrograph of Fig.
8 shows a cross-sectional view of a glass substrate on which an anti-glare layer and an anti-reflection layer are formed together according to an embodiment.
9 is a scanning electron microscope (SEM) image of a glass substrate on which an antiglare layer and an antireflection layer are formed together according to an embodiment.
10 is a cross-sectional view of a glass substrate on which a plurality of protrusions and grooves having a size of several um to several hundreds of um are formed on a glass substrate by a conventional method.
11 is a scanning electron microscope (SEM) image of a glass substrate on which an antireflection protrusion having a size of several nm to several tens nm is additionally formed on the anti-glare protrusion having a size of several um to several hundreds of micrometers.
12 is a photograph of a smartphone including a glass or polymer film having an antireflection layer formed by the projection formation method according to the present invention.

전술한, 그리고 추가적인 양상들은 첨부된 도면을 참조하여 설명하는 실시예들을 통해 구체화된다. 각 실시예들의 구성 요소들은 다른 언급이나 상호간에 모순이 없는 한 실시예 내에서 다양한 조합이 가능한 것으로 이해된다. 나아가 제안된 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. The foregoing and further aspects are embodied through the embodiments described with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that the components of each embodiment are capable of various combinations within an embodiment as long as no other mention or mutual contradiction exists. Furthermore, the proposed invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도면에서 제안된 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 그리고, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 예컨대, 이하의 설명에서는 유리기판을 대상으로 하고 있지만 유리 특성을 가지는 폴리머 필름을 포함하는 것은 전술한 바와 같다. In order to clearly illustrate the claimed invention, parts not related to the description are omitted, and like reference numerals are used for like parts throughout the specification. And, when a section is referred to as "including " an element, it does not exclude other elements unless specifically stated to the contrary. For example, in the following description, a glass substrate is targeted, but the polymer film having glass properties is as described above.

도 1은 일 실시예에 따른 돌기 형성 방법을 전체적인 흐름을 도시한다.FIG. 1 shows an overall flow of a projection forming method according to an embodiment.

일 실시예에 있어서, 돌기 형성 방법은 유리 기판을 세정하는 단계(S610), 습식 식각을 통해 유리 기판 상에 돌기를 형성하는 단계(S620) 및 유리 기판을 중화하는 단계(S630)를 포함한다.In one embodiment, the protrusion forming method includes cleaning the glass substrate (S610), forming protrusions (S620) on the glass substrate through wet etching (S630), and neutralizing the glass substrate (S630).

일 실시예에 있어, 유리 기판을 세정하는 단계(S610)는 유리 기판에 존재하는 유기물을 제거하여 후공정인 습식 식각을 통해 유리 기판 상에 돌기를 형성하는 단계(S620)에서 산용액에 의한 산처리가 기판 전체에 균일하게 이루어지도록 한다. 유리 기판의 세정에는 IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 에탄올을 사용한다. IPA(Isopropyl Alcohol) 또는 에탄올로 유리 기판을 세정한 후에는 물로 세정한다. 세정 방식으로는 초음파를 이용하거나, 브러쉬를 이용하여 유리 기판을 세정할 수 있다.In one embodiment, the step of cleaning the glass substrate (S610) comprises removing the organic substances present on the glass substrate and forming protrusions on the glass substrate through wet etching, which is a later process (S620) So that the processing is uniformly performed over the entire substrate. IPA (isopropyl alcohol) or ethanol is used for cleaning the glass substrate. After cleaning the glass substrate with IPA (isopropyl alcohol) or ethanol, rinse with water. As the cleaning method, the glass substrate can be cleaned using ultrasonic waves or using a brush.

일 실시예에 따른 습식 식각을 통해 유리 기판 상에 돌기를 형성하는 단계(S620)는 산용액 속에 유리 기판을 담그는 디핑(dipping) 또는 유리 기판에 산용액을 분사시키는 스프레이(spray) 방식등으로 수행된다. 돌기를 형성하는 단계(S620)는 마스크 없이 산용액에 의한 습식 식각을 통해 유리 또는 유리특성을 가지는 폴리머 필름 기판 상에 나노 돌기를 형성한다. 습식 식각을 통해 유리 기판 상에 돌기를 형성하는 단계(S620)에 대한 상세한 설명은 후술한다.The step S620 of forming the protrusions on the glass substrate through the wet etching according to the embodiment may be performed by dipping the glass substrate into the acid solution or spraying the acid solution onto the glass substrate do. The step of forming the protrusions (S620) forms nano-protrusions on the polymer film substrate having glass or glass characteristics through wet etching with an acid solution without a mask. A detailed description of the step (S620) of forming the protrusions on the glass substrate through the wet etching will be described later.

일 실시예에 있어서, 유리 기판을 중화하는 단계(S630)는 습식 식각을 통해 유리 기판 상에 돌기를 형성하는 단계(S620)를 거친 ph가 낮아진 유리 기판 표면의 ph를 중성으로 유지시킨다. 예를 들어 물이 담긴 수조에 습식 식각을 통해 유리 기판 상에 돌기를 형성하는 단계(S620)를 거친 ph가 낮아진 유리 기판을 담궈서 산을 중화시킨다.In one embodiment, the neutralizing step (S630) of the glass substrate maintains the pH of the surface of the glass substrate lowered in pH through neutralization (S620) of forming a protrusion on the glass substrate through wet etching. For example, a step of forming protrusions on a glass substrate through wet etching in a water bath (S620) is performed to neutralize the acid by immersing the glass substrate whose pH is lowered.

도 2는 일 실시예에 따른 눈부심 방지층이 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.2 shows a cross-sectional view of a glass substrate on which an anti-glare layer according to an embodiment is formed.

일 실시예에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는, 산용액에 의한 습식 식각을 통해 수십nm~ 수um의 너비(w1)를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성하는 단계를 포함한다. 돌기는 도 2 에 도시된 것처럼 요면 및 철면을 포함한다. 전술한 너비(W1)은 철면의 폭이다. 산용액에 의한 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비(w1)를 가지는 돌기는 수십nm~수um의 높이(h1)를 갖는다. 유리 기판 표면에 수십nm~수um의 너비(w1)를 가지는 돌기가 있으면, 유리 기판으로 조사된 빛은 수십nm~수um의 너비(w1)를 가지는 돌기들에 의해 산란되고, 그에 따라 유리 기판의 반사율은 낮아지므로 눈부심이 줄어들게 된다.In one embodiment, the step of forming the protrusions includes forming an anti-glare layer including protrusions having a width w1 of several tens nm to several um through wet etching using an acid solution. The projection includes a concave surface and a convex surface as shown in Fig. The aforementioned width W1 is the width of the iron surface. Through the wet etching with an acid solution, the projections having a width (w1) of several tens nm to several um have a height (h1) of several tens nm to several um. If there is a protrusion having a width w1 of several tens nm to several um on the surface of the glass substrate, the light irradiated to the glass substrate is scattered by protrusions having a width w1 of several tens nm to several um, The reflectance of the light is lowered, so that the glare is reduced.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 불소계열의 산 및 질산을 포함한다. 불소계열의 산은 예를 들어, 불화수소(HF) 및 불화암모늄(NH4F) 등을 포함한다. 불소계열의 산 및 질산을 포함하는 산용액 의한 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 유리 기판 상에 형성할 수 있다.In one embodiment, the acid solution comprises a fluorine-based acid and nitric acid. And the like of the fluorine-based acid is, for example, hydrogen fluoride (HF) and ammonium fluoride (NH 4 F). A protrusion having a width of several tens nm to several um can be formed on the glass substrate by wet etching with an acid solution containing a fluorine series acid and nitric acid.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은 불화수소(HF) 및 질산(HNO3)을 포함하되, 불화암모늄(NH4F), 인산(H3PO4), 염산(HCl), 물(H2O) 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises hydrogen fluoride (HF) and nitric acid (HNO 3 ), wherein ammonium fluoride (NH 4 F), phosphoric acid (H 3 PO 4 ) And at least one of hydrochloric acid (HCl) and water (H 2 O).

일 실시예에 있어서, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the hydrogen fluoride content is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution.

이하의 화학반응식들은 본 발명으로부터 얻어지는 나노돌기가 형성되는 과정의 일례를 이론적으로 유추해 본 것이나, 가사 그 화학반응 과정이 일부 다르다고 하더라도 나노 돌기가 형성되는 결과 및 그로부터 얻어지는 효과에는 전혀 변함이 없다. The following chemical reaction equations are theoretically deduced from an example of the process of forming the nano protrusion obtained from the present invention. However, even if the chemical reaction process is slightly different, there is no change in the result of forming the nano protrusion and the effect obtained therefrom.

화학식 1Formula 1

SiOSiO 22 +  + 6HF -> H6HF - > H 22 SiFSiF 66 +  + 2H2H 22 OO

화학식 1과 같이 이산화 규소는 불화수소와 반응하여 유리 기판의 표면에 식각이 일어나고, 그 결과 유리 기판 상에는 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기가 형성된다.As shown in Formula 1, silicon dioxide reacts with hydrogen fluoride to cause etching on the surface of the glass substrate. As a result, protrusions having a width of several nm to several tens nm are formed on the glass substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다. 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하인 질산은 산화 알루미늄과 반응하여 전술한 과정에 의해 형성된 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 유리 기판에 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 형성한다.In one embodiment, the content of nitric acid is 10 weight percent or more and 25 weight percent or less based on 100 weight percent of the acid solution. A glass substrate containing protrusions having a width of several nm to several tens nm formed by the above-mentioned process in reaction with aluminum nitrate silver oxide having a concentration of 10 wt% or more and 25 wt% or less based on 100 wt% of the acid solution, Thereby forming a projection having a width.

화학식 2(2)

6HNO6HNO 33 +  + AlAl 22 OO 33 -> 2Al(NO - > 2Al (NO 33 )) 33 +  + 3H3H 22 OO

화학식 2에 따라 질산은 전술한 화학식 1에 따른 식각에 따라 생성된 틈으로 유입되어 산화 알루미늄(Al2O3)과 반응한다. 이 반응에 따라 불화 수소에 의해 형성된 돌기 보다 더 큰 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기가 유리 기판에 형성된다. 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하의 범위에서 질산의 중량비가 높을수록 유리 기판 상에 더 큰 높이 및 더 큰 너비를 가지는 돌기를 형성할 수 있다.According to the formula (2), nitric acid flows into the gaps generated according to the etching according to the above-described formula (1) and reacts with aluminum oxide (Al 2 O 3 ). According to this reaction, protrusions having a width of several tens nm to several um larger than the protrusions formed by hydrogen fluoride are formed on the glass substrate. The higher the weight ratio of nitric acid in the range of 10 weight percent to 25 weight percent based on 100 weight percent of the acid solution, the more protrusions having a larger height and a larger width can be formed on the glass substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 불화암모늄을 포함하되, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the acid solution comprises ammonium fluoride, wherein the ammonium fluoride content is greater than 0 weight percent and less than 5 weight percent based on 100 weight percent of the acid solution.

화학식 3(3)

NHNH 44 FF <-> NH <-> NH 33 + HF + HF

전술한 화학식 1에 따라 불화수소가 감소하더라도, 화학식 3에 따라 불화수소는 생성된다. 이에 따라 산용액에서 불화수소의 중량비가 일정하게 유지 된다. 불화수소의 중량비가 일정하게 유지됨에 따라 안정적인 습식 식각 공정이 이루어질 수 있다. Hydrogen fluoride is produced according to the formula (3) even if hydrogen fluoride is reduced according to the above-mentioned formula (1). Thus, the weight ratio of hydrogen fluoride in the acid solution is kept constant. As the weight ratio of hydrogen fluoride is kept constant, a stable wet etching process can be achieved.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 인산을 포함하되, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises phosphoric acid, wherein the phosphoric acid content is greater than 0 weight percent and less than 5 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution.

화학식 4Formula 4

2H2H 33 POPO 44 +  + AlAl 22 OO 3 3 -> 2Al(PO-> 2Al (PO 44 )) +  + 3H3H 22 OO

화학식 4 3에 따라 인산은 산화 알루미늄(Al2O3)과 반응하여 거친 표면을 가지는 돌기의 표면을 매끄럽게 한다. 인산은 질산에 비해 점성이 높아서 질산의 화학 반응에 따라 형성된 돌기의 표면을 매끄럽게 할 수 있다.Phosphorus reacts with aluminum oxide (Al 2 O 3 ) according to the formula 4 3 to smooth the surface of the protrusions having a rough surface. Phosphoric acid is highly viscous compared to nitric acid, so the surface of protrusions formed by the chemical reaction of nitric acid can be smoothed.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 염산을 포함하되, 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises hydrochloric acid, wherein the content of hydrochloric acid is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution.

화학식 5Formula 5

SiOSiO 22 +  + 4HCl -> SiCl4HCl -> SiCl 44 +  + 2H2H 22 OO

화학식 5에 따라 염산은 이산화규소(SiO2)와 과 반응하여 거친 표면을 가지는 돌기의 표면을 매끄럽게 한다. According to the general formula (5) hydrochloric acid is smooth the surface of the projection has a rough surface to react with the silicon dioxide (SiO 2).

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산을 포함하되, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하이며, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하이며, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10 중량 퍼센트 이하이며, 나머지가 물로 된 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the acid solution comprises water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of hydrogen fluoride is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution and the content of ammonium fluoride is greater than 0 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution By weight based on 100% by weight of the acid solution and 5% by weight or less, the content of nitric acid is 10% by weight or more and 25% by weight or less based on 100% by weight of the acid solution, By weight and the content of hydrochloric acid is more than 0 weight% and not more than 10 weight% with respect to 100 weight% of the acid solution, and the remainder is water.

전술한 중량 퍼센트의 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산이 포함된 산용액에 의한 습식 식각 공정을 통해 유리 기판에는 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기가 형성된다. 물은 산용액을 희석 시킨다.The weight percentages of water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Through the wet etching process using an acid solution containing nitric acid and hydrochloric acid, protrusions having a width of several tens nm to several um are formed on the glass substrate. Water dilutes the acid solution.

도 3은 일 실시예에 따른 눈부심 방지층이 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이다. 유리 기판에 형성된 돌기의 너비는 수십nm~수um이다. 이며, 도 4는 도 3의 확대된 주사 전자 현미경 사진이다. 3 is a scanning electron micrograph of a glass substrate on which an anti-glare layer according to an embodiment is formed. The width of the protrusion formed on the glass substrate is several tens of nm ~ can um. And Fig. 4 is an enlarged scanning electron microscope photograph of Fig .

도 5는 일 실시예에 따른 반사 방지층이 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.5 shows a cross-sectional view of a glass substrate on which an antireflection layer is formed according to an embodiment.

일 실시예에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는, 산용액에 의한 습식 식각을 통해 수nm~수십nm의 너비(w2)를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함한다. 돌기는 도 5 에 도시된 것처럼 요면 및 철면을 포함한다. 전술한 너비(w2)는 철면의 폭이다. 유리 기판 표면에 수nm~수십nm의 너비(w2)를 가지는 돌기가 있으면, 유리 기판으로 조사된 빛은 수nm~수십nm의 너비(w2)를 가지는 돌기들에 의해 유리 기판의 빛 투과율은 증가하고 반사율은 낮아지게 된다.In one embodiment, the step of forming the protrusions includes forming an antireflection layer including protrusions having a width (w2) of several nm to several tens nm through wet etching with an acid solution. The projection includes a concave surface and a convex surface as shown in Fig. The width (w2) described above is the width of the iron surface. If there is a protrusion having a width (w2) of several nm to several tens nm on the surface of the glass substrate, light emitted from the glass substrate is increased in light transmittance of the glass substrate by protrusions having a width (w2) of several nm to several tens nm And the reflectance is lowered.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 불소계열의 산을 포함한다. 불소계열의 산은 예를 들어, 불화수소(HF) 및 불화암모늄(NH4F) 등을 포함한다. 불소계열의 산을 포함하는 산용액에 의한 습식 식각을 통해 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기를 유리 기판 상에 형성할 수 있다.In one embodiment, the acid solution comprises a fluorine-based acid. And the like of the fluorine-based acid is, for example, hydrogen fluoride (HF) and ammonium fluoride (NH 4 F). It is possible to form a projection having a width of several nm to several tens nm on the glass substrate through wet etching using an acid solution containing an acid of fluorine series.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 불화수소를 포함하되, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises hydrogen fluoride, wherein the ammonium fluoride, phosphoric acid, Nitric acid, and hydrochloric acid.

일 실시예에 있어서, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the hydrogen fluoride content is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution.

화학식 66

SiOSiO 22 +  + 6HF -> H6HF - > H 22 SiFSiF 66 +  + 2H2H 22 OO

화학식 6과 같이 이산화 규소는 불화수소와 반응하여 유리 기판의 표면에 식각이 일어나고, 그 결과 유리 기판 상에는 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기가 형성된다.As shown in Formula 6, silicon dioxide reacts with hydrogen fluoride to cause etching on the surface of the glass substrate. As a result, protrusions having a width of several nm to several tens nm are formed on the glass substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 불화암모늄을 포함하되, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises ammonium fluoride, wherein the ammonium fluoride content is greater than 0 weight percent and less than 5 weight percent based on 100 weight percent of the acid solution.

화학식 7Formula 7

NHNH 44 FF <-> NH <-> NH 33 + HF + HF

전술한 화학식 6에 따라 불화수소가 감소하더라도, 화학식 7에 따라 불화수소는 생성된다. 이에 따라 산용액에서 불화수소의 중량비가 일정하게 유지 된다. 불화수소의 중량비가 일정하게 유지됨에 따라 안정적인 습식 식각 공정이 이루어질 수 있다. Hydrogen fluoride is produced according to the formula (7) even if hydrogen fluoride is reduced according to the above-mentioned formula (6). Thus, the weight ratio of hydrogen fluoride in the acid solution is kept constant. As the weight ratio of hydrogen fluoride is kept constant, a stable wet etching process can be achieved.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 질산을 포함하되, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다. 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하의 질산은 불화수소에 의해 형성된 돌기의 크기를 수nm~수십nm 범위로 유지하는 역할을 한다.In one embodiment, the acid solution comprises nitric acid, wherein the amount of nitric acid is greater than 0 weight percent and less than 5 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution. And serves to maintain the size of protrusions formed by hydrogen fluoride over a range from several nanometers to several tens of nanometers in excess of 0 weight percent and no more than 5 weight percent based on 100 weight percent of the acid solution.

화학식 88

6HNO6HNO 33 +  + AlAl 22 OO 33 -> 2Al(NO - > 2Al (NO 33 )) 33 +  + 3H3H 22 OO

화학식 8에 따라 질산은 전술한 화학식 6에 따른 식각에 따라 생성된 틈으로 유입되어 산화 알루미늄(Al2O3)과 반응한다. 전술한 반응에 따라 유리 기판에 형성된 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기가 형성된다. According to the general formula (8), nitric acid flows into the gaps generated according to the etching according to the aforementioned chemical formula (6) and reacts with aluminum oxide (Al 2 O 3 ). According to the above-described reaction, protrusions having a width of several nm to several tens nm formed on the glass substrate are formed.

산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하의 범위에서는 전술한 바와 같이 질산의 중량비가 높을수록 유리 기판 상에 수um까지의 큰 너비를 가지는 돌기를 형성할 수 있다. 반면, 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하인 질산은 유리 기판 상에 형성된 돌기의 너비를 수nm~수십nm의 범위에서 일정하게 유지한다. As described above, as the weight ratio of nitric acid is higher in the range of 10 weight percent or more and 25 weight percent or less based on 100 weight percent of the acid solution, protrusions having a width as large as several um can be formed on the glass substrate. On the other hand, nitric acid, which is more than 0 weight percent and not more than 5 weight percent based on 100 weight percent of the acid solution, keeps the width of the protrusions formed on the glass substrate constant within a range of several nm to several tens of nm.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 인산을 포함하되, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises phosphoric acid, wherein the phosphoric acid content is greater than 0 weight percent and less than 5 weight percent relative to 100 weight percent of the acid solution.

화학식 9Formula 9

2H2H 33 POPO 44 +  + AlAl 22 OO 3 3 -> 2Al(PO-> 2Al (PO 44 )) +  + 3H3H 22 OO

화학식 9에 따라 인산은 산화 알루미늄(Al2O3)과 반응하여 거친 표면을 가지는 돌기의 표면을 매끄럽게 한다. 인산은 질산에 비해 점성이 높아서 질산의 화학 반응에 따라 형성된 돌기의 표면을 매끄럽게 할 수 있다.According to Formula 9, phosphoric acid reacts with aluminum oxide (Al 2 O 3 ) to smooth the surface of the protrusions having rough surfaces. Phosphoric acid is highly viscous compared to nitric acid, so the surface of protrusions formed by the chemical reaction of nitric acid can be smoothed.

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 염산을 포함하되 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 40 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises hydrochloric acid, wherein the content of hydrochloric acid is 10 weight percent or more and 40 weight percent or less based on 100 weight percent of the acid solution.

화학식 1010

SiOSiO 22 +  + 4HCl4HCl ->  -> SiClSiCl 44 +  + 2H2H 22 OO

화학식 10에 따라 염산은 이산화 규소(SiO2)와 반응하여 거친 표면을 가지는 돌기의 표면을 매끄럽게 한다. Hydrochloride according to general formula 10 is smooth the surface of the projection has a rough surface to react with the silicon dioxide (SiO 2).

일 실시예에 있어서, 상기 산용액은, 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산을 포함하되, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하이며, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 40 중량 퍼센트 이하이며, 나머지가 물로 된 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the acid solution comprises water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of hydrogen fluoride is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution and the content of ammonium fluoride is greater than 0 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution By weight based on 100% by weight of the acid solution and 5% by weight or less based on 100% by weight of the acid solution, and the content of nitric acid is 0% by weight or more and 5% And the content of hydrochloric acid is 10 weight percent or more and 40 weight percent or less based on 100 weight percent of the acid solution, and the balance being water.

전술한 중량 퍼센트의 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산이 포함된 산용액에 의한 습식 식각 공정을 통해 유리 기판에는 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기가 형성된다. 물은 산용액을 희석 시킨다.The weight percentages of water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Through the wet etching process with an acid solution containing nitric acid and hydrochloric acid, projections having a width of several nm to several tens nm are formed on the glass substrate. Water dilutes the acid solution.

도 6은 일 실시예에 따른 반사 방지층이 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이다. 유리 기판에 형성된 돌기의 너비는 수nm~수십nm 이며, 도 7는 도 6의 확대된 주사 전자 현미경 사진이다. 6 is a scanning electron micrograph of a glass substrate on which an antireflection layer is formed according to an embodiment. The width of the protrusions formed on the glass substrate is several nm to several tens nm, and Fig. 7 is an enlarged scanning electron micrograph of Fig.

도 8은 일 실시예에 따른 눈부심 방지층 및 반사 방지층이 함께 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.8 shows a cross-sectional view of a glass substrate on which an anti-glare layer and an anti-reflection layer are formed together according to an embodiment.

일 실시예에 있어서, 상기 돌기를 형성하는 단계는 산용액에 의한 1차 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성하는 단계; 및 산용액에 의한 2차 습식 식각을 통해 상기 눈부심 방지층 상에 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계;를 포함한다.In one embodiment, the forming of the protrusions may include forming an anti-glare layer including protrusions having a width of several tens nm to several um through a first wet etching using an acid solution; And forming an antireflection layer on the anti-glare layer by a secondary wet etching using an acid solution, the anti-reflection layer including protrusions having a width of several nm to several tens nm.

눈부심 및 반사 방지층을 형성하는 단계는 먼저 산용액에 의한 1차 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성한다.The step of forming the glare and antireflective layer first forms an anti-glare layer including protrusions having a width of several tens nm to several um through a first wet etching using an acid solution.

전술한 산용액은 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산을 포함하되, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하이며, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하이며, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10 중량 퍼센트 이하이며, 나머지가 물로 된것을 특징으로 한다.The above-mentioned acid solution may contain water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of hydrogen fluoride is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution and the content of ammonium fluoride is greater than 0 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution By weight based on 100% by weight of the acid solution and 5% by weight or less, the content of nitric acid is 10% by weight or more and 25% by weight or less based on 100% by weight of the acid solution, By weight and the content of hydrochloric acid is more than 0% by weight and less than 10% by weight with respect to 100% by weight of the acid solution, and the remainder is water.

눈부심 및 반사 방지층을 형성하는 단계는 눈부심 방지층을 형성하는 단계 이후에, 산용액에 의한 2차 습식 식각을 통해 상기 눈부심 방지층 상에 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성한다.The step of forming the anti-glare and anti-glare layer may include forming an anti-glare layer including protrusions having a width of several nm to several tens nm on the anti-glare layer through secondary wet etching using an acid solution after forming the anti glare layer do.

전술한 산용액은 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산을 포함하되, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하이며, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 40 중량 퍼센트 이하이며, 나머지가 물로 된것을 특징으로 한다.The above-mentioned acid solution may contain water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of hydrogen fluoride is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution and the content of ammonium fluoride is greater than 0 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution By weight based on 100% by weight of the acid solution and 5% by weight or less based on 100% by weight of the acid solution, and the content of nitric acid is 0% by weight or more and 5% And the content of hydrochloric acid is 10 weight percent or more and 40 weight percent or less with respect to 100 weight percent of the acid solution, and the remainder is water.

수십nm~수um의 너비(w1)를 가지는 돌기가 형성됨에 따라 유리 기판의 빛에 대한 투과율 및 반사율이 감소한다. 이후에, 수십nm~수um의 너비(w1)를 가지는 돌기상에 수nm~수십nm의 너비(w2)를 가지는 돌기가 추가적으로 형성됨에 따라 투과율은 상대적으로 상승하고, 반사율은 더욱 낮아진다. 이에 따라 눈부심 및 반사를 방지하는 유리 기판이 만들어진다.As the projections having the width w1 of several tens nm to several um are formed, the transmittance and reflectance of the glass substrate to light are reduced. Thereafter, protrusions having a width w2 of several nm to several tens nm are additionally formed on the protrusions having a width w1 of several tens nm to several um, so that the transmissivity is relatively increased and the reflectance is further lowered. As a result, a glass substrate for preventing glare and reflection is produced.

도 9는 일 실시예에 따른 눈부심 방지층 및 반사 방지층이 함께 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이다. 도 9의 하단에 있는 사진은 도 9의 상단에 도시된 사진의 사각형 영역을 더 확대한 사진이다.9 is a scanning electron microscope (SEM) image of a glass substrate on which an antiglare layer and an antireflection layer are formed together according to an embodiment. 9 is a photograph further enlarging the rectangular area of the photograph shown in the upper part of Fig.

도 10은 본 발명이 아닌 종래의 방법으로 유리기판에 형성된 수um~수백um 크기의 돌기와 홈에 추가적으로 반사 방지층이 형성된 유리 기판의 단면도를 도시한다.10 is a cross-sectional view of a glass substrate on which a plurality of protrusions and grooves having a size of several um to several hundreds of um are formed on a glass substrate by a conventional method.

일 실시예에 있어서, 본 발명이 아닌 종래의 방법으로 유리기판에 형성된 수um~수백um 크기의 돌기를 포함하는 눈부심 방지층 상에 산용액에 의한 습식 식각을 통해 추가적으로 수nm~수십nm 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 도 11 은 종래의 방법으로 형성된 수um~수백um 크기를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층 위에 수nm~수십nm 크기의 반사 방지층이 추가적으로 형성된 유리 기판의 주사 전자 현미경 사진이다.In one embodiment, a wet etch with an acid solution on the anti-glare layer comprising protrusions of a few um to several hundreds of um in size, formed on a glass substrate, And forming an antireflection layer including a projection. 11 is a scanning electron microscope (SEM) image of a glass substrate on which an antireflection layer having a size of several nm to several tens nm is additionally formed on an anti-glare layer including protrusions having a size of several um to several hundreds of μm formed by a conventional method.

전술한 산용액은 물, 불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산을 포함하되, 상기 불화수소의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 10중량 퍼센트 이하이며, 상기 불화암모늄의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 질산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 인산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 0 중량 퍼센트 초과이고 5 중량 퍼센트 이하이며, 상기 염산의 함량은 상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대하여 10 중량 퍼센트 이상이고 40 중량 퍼센트 이하이며, 나머지가 물로 된 것을 특징으로 한다.The above-mentioned acid solution may contain water, hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Wherein the content of hydrogen fluoride is greater than 0 weight percent and less than 10 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution and the content of ammonium fluoride is greater than 0 weight percent with respect to 100 weight percent of the acid solution By weight based on 100% by weight of the acid solution and 5% by weight or less based on 100% by weight of the acid solution, and the content of nitric acid is 0% by weight or more and 5% And the content of hydrochloric acid is 10 weight percent or more and 40 weight percent or less based on 100 weight percent of the acid solution, and the balance being water.

도 11의 하단에 있는 사진은 상단의 사각형 부분을 확대하여 반사방지층을 관찰한 주사 전자 현미경 사진이다. 11 is a scanning electron microscope (SEM) image obtained by enlarging a rectangular portion at the top and observing the antireflection layer.

도 12는 본 발명에 따른 돌기 형성 방법에 의해 반사 방지층이 형성된 유리 또는 폴리머 필름을 포함하는 스마트폰의 사진이다.12 is a photograph of a smartphone including a glass or polymer film having an antireflection layer formed by the projection formation method according to the present invention.

도 12를 참조하면, 가운데 점선을 기준으로 스마트폰이 포함하는 유리의 좌측에는 본 발명에 따른 돌기 형성 방법에 의해 반사 방지층이 형성되어 있다. 스마트폰이 포함하는 유리의 우측에는 본 발명에 따른 돌기 형성 방법에 의해 반사 방지층이 형성되어 있지 않다. 우측에 비해 좌측 유리에 형성된 지문이 진하지 않음을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 12, an anti-reflection layer is formed on the left side of the glass included in the smart phone with reference to the center dotted line according to the projection forming method of the present invention. The antireflection layer is not formed on the right side of the glass included in the smart phone by the projection forming method according to the present invention. It can be confirmed that the fingerprint formed on the left glass is not thicker than the right finger.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 실시 형태로 실시될 수 있다는 것을 인지할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시 예들은 예시적인 것일 뿐이며, 그 범위를 제한해놓은 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 또한, 도면에 도시된 순서도들은 본 발명을 실시함에 있어서 가장 바람직한 결과를 달성하기 위해 예시적으로 도시된 순차적인 순서에 불과하며, 다른 추가적인 단계들이 제공되거나, 일부 단계가 삭제될 수 있음은 물론이다. Thus, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative only and not restrictive of the scope of the invention. It is also to be understood that the flow charts shown in the figures are merely the sequential steps illustrated in order to achieve the most desirable results in practicing the present invention and that other additional steps may be provided or some steps may be deleted .

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalents thereof are deemed to be included in the scope of the present invention. .

100: 유리 기판100: glass substrate

Claims (22)

습식 식각을 통해 유리 또는 폴리머 필름 기판 상에 나노 돌기를 형성하는 단계를 포함하는 돌기 형성 방법.
And forming nano-protrusions on the glass or polymer film substrate through wet etching.
제 1 항에 있어서,
상기 돌기를 형성하는 단계는,
산용액에 의한 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성하는 단계를 포함하는 돌기 형성 방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the protrusions may include:
And forming an antiglare layer including protrusions having a width of several tens nm to several um through wet etching by an acid solution.
제 2 항에 있어서,
상기 산용액은,
불소계열의 산 및 질산을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법
3. The method of claim 2,
The acid solution,
A process for forming protrusions characterized by comprising a fluorine-based acid and nitric acid
제 2 항에 있어서,
상기 산용액은,
불화수소 및 질산을 포함하되,
불화암모늄, 인산, 염산 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
3. The method of claim 2,
The acid solution,
Hydrogen fluoride and nitric acid,
Ammonium fluoride, phosphoric acid, Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 1, &lt; / RTI &gt; or hydrochloric acid.
제 4 항에 있어서,
상기 산용액 중 불화수소의 함량은 10중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the content of hydrogen fluoride in the acid solution is 10 weight percent or less.
제 4 항에 있어서,
상기 산용액 중 질산의 함량은, 그 함량은 10 중량 퍼센트 이상이고 25 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the content of nitric acid in the acid solution is 10 wt% or more and 25 wt% or less.
제 4 항에 있어서,
상기 산용액에 불화암모늄이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein when the ammonium fluoride is contained in the acid solution, the content of the ammonium fluoride is 5 wt% or less.
제 4 항에 있어서,
상기 산용액에 인산이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
5. The method of claim 4,
Wherein when the acid solution contains phosphoric acid, the content of the phosphoric acid is 5 wt% or less.
제 4 항에 있어서,
상기 산용액에 염산이 포함될 경우,
그 함량은 10 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
5. The method of claim 4,
When the acid solution contains hydrochloric acid,
And the content thereof is 10 weight percent or less.
제 2 항에 있어서,
상기 산용액은,
불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산 및 물을 포함하되,
상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대한 각 성분의 함량은,
상기 불화수소는 10중량 퍼센트 이하, 상기 불화암모늄은 5 중량 퍼센트 이하,
상기 질산은 10 중량 퍼센트 이상에서 25 중량 퍼센트 이하,
상기 인산은5 중량 퍼센트 이하,
상기 염산은 10 중량 퍼센트 이하이고, 나머지가 상기 물로 된 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.

3. The method of claim 2,
The acid solution,
Hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Nitric acid, hydrochloric acid and water,
The content of each component relative to 100 weight percent of the acid solution,
The hydrogen fluoride is 10 weight percent or less, the ammonium fluoride is 5 weight percent or less,
Wherein the nitric acid is present in an amount of from 10 weight percent to 25 weight percent,
The phosphoric acid is not more than 5 weight percent,
Wherein the hydrochloric acid is 10 weight percent or less and the balance is water.

제 1 항에 있어서,
상기 돌기를 형성하는 단계는
산용액에 의한 습식 식각을 통해 수nm~수십nm 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계를 포함하는, 돌기 형성 방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the protrusion
And forming an antireflection layer including projections having a width of several nm to several tens of nm through wet etching by an acid solution.
제 11 항에 있어서,
상기 산용액은,
불소계열의 산을 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법
12. The method of claim 11,
The acid solution,
A method for forming protrusions characterized by comprising an acid of fluorine series
제 11 항에 있어서,
상기 산용액은,
불화수소를 포함하되,
불화암모늄, 인산, 질산, 염산 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
12. The method of claim 11,
The acid solution,
Hydrogen fluoride,
Ammonium fluoride, phosphoric acid, Nitric acid, and hydrochloric acid. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt;
제 13 항에 있어서,
상기 산용액 중 불화수소의 함량은 10중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the content of hydrogen fluoride in the acid solution is 10 weight percent or less.
제 13 항에 있어서,
상기 산용액에 불화암모늄이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein when the ammonium fluoride is contained in the acid solution, the content of the ammonium fluoride is 5 wt% or less.
제 13 항에 있어서,
상기 산용액에 질산이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein when the acid solution contains nitric acid, the content thereof is 5 wt% or less.
제 13 항에 있어서,
상기 산용액에 인산이 포함될 경우, 그 함량은 5 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein when the acid solution contains phosphoric acid, the content of the phosphoric acid is 5 wt% or less.
제 13 항에 있어서,
상기 산용액에 염산이 포함될 경우, 그 함량은 10 중량 퍼센트 이상이고 40 중량 퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein when the acid solution contains hydrochloric acid, the content thereof is 10 weight percent or more and 40 weight percent or less.
제 11 항에 있어서,
상기 산용액은,
불화수소, 불화암모늄, 인산, 질산, 염산 및 물을 포함하되,
상기 산용액 100 중량 퍼센트에 대한 각 성분의 함량은,
상기 불화수소는 10중량 퍼센트 이하, 상기 불화암모늄은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 질산은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 인산은 5 중량 퍼센트 이하, 상기 염산은 10 중량 퍼센트 이상에서 40 중량 퍼센트 이하이고 나머지가 물로 된 것을 특징으로 하는 돌기 형성 방법.
12. The method of claim 11,
The acid solution,
Hydrogen fluoride, ammonium fluoride, phosphoric acid, Nitric acid, hydrochloric acid and water,
The content of each component relative to 100 weight percent of the acid solution,
Wherein the hydrogen fluoride is 10 weight percent or less, the ammonium fluoride is 5 weight percent or less, the nitric acid is 5 weight percent or less, the phosphoric acid is 5 weight percent or less, the hydrochloric acid is 10 weight percent or more to 40 weight percent or less, Wherein the protrusion forming step comprises:
제 1 항에 있어서,
상기 돌기를 형성하는 단계는
산용액에 의한 1차 습식 식각을 통해 수십nm~수um의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 눈부심 방지층을 형성하는 단계; 및
산용액에 의한 2차 습식 식각을 통해 상기 눈부심 방지층 상에 수nm~수십nm의 너비를 가지는 돌기를 포함하는 반사 방지층을 형성하는 단계;를 포함하는 돌기 형성 방법.
The method according to claim 1,
The step of forming the protrusion
Forming an anti-glare layer including protrusions having a width of several tens nm to several um through a primary wet etching using an acid solution; And
And forming an antireflection layer including protrusions having a width of several nanometers to several tens of nanometers on the antiglare layer through secondary wet etching using an acid solution.
제 1 항 내지 제 20항 중 어느 한항에 따른 돌기 형성 방법에 의해 나노 돌기가 형성된 유리 기판.
20. A glass substrate on which nano protrusions are formed by the method of forming protrusions according to any one of claims 1 to 20.
제 1 항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 따른 돌기 형성 방법에 의해 나노 돌기가 형성된 폴리머 필름 기판.

20. A polymer film substrate on which nano protrusions are formed by the method of forming protrusions according to any one of claims 1 to 20.

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