KR20170140506A - 오목부 금형 제조방법 - Google Patents

오목부 금형 제조방법 Download PDF

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KR20170140506A
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photoresist layer
mold
forming
laser light
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박성일
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노원우
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Abstract

금형(1)에 형성되는 오목상의 제품 형성면(11)에 오목부 패턴(13)을 형성하기 위한 금형(1)의 가공방법으로서,
제품 형성면(11)에 히트 모드의 형상 변화가 가능한 포토레지스트층(12)을 형성하는 포토레지스트 형성 공정과,
반도체 레이저를 내장한 노광 장치에 의해 포토레지스트층(12)에 레이저 광을 조사함으로써 오목부 패턴(13)을
형성하는 레이저 광 조사 공정과, 오목부 패턴(13)을 이용함으로써 제품 형성면(11)에 요철을 형성하는 요철 형
성 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

오목부 금형 제조방법{scollap mold manufacture method}
본 발명은 미세한 오목부가 형성되는 금형의 가공방법 [0001] 및 제조방법에 관한 것이다.
광학 플라스틱 렌즈는 금형에 수지를 사출하여 형성함으로써 높은 생산성으로 제조되고 있다. 광 플라스틱 렌즈
의 표면반사는 수%로 크고, 이것을 피하기 위해서는 진공 성막에 의한 광학 박막 형성 등을 행함으로써 반사 방
지 효과를 얻고 있었다. 단, 이 진공 성막에 의한 방법에서는 렌즈 표면의 성막이 끝난 후 렌즈를 뒤집어서 이
면의 성막을 행하므로 시간이 걸린다고 하는 문제가 있다.
[0003] 이 문제에 대하여, 최근 렌즈 표면에 미세한 요철을 형성하여 포토닉스 결정을 형성함으로써 표면반사를 저감시
키는 원리가 검토되고 있다. 렌즈 표면에 미세한 요철을 형성하는 방법으로는 금형의 오목부(이하,「제품 형성
면」이라고도 함)에 미세한 요철을 형성하고, 이 금형을 사용하여 사출 성형함으로써 미세한 요철을 렌즈면에
전사시키는 방법이 고려된다.
본 발명의 1 실시형태에 의한 금형의 가공방법은 곡면을 갖고, 또한 금형에 형성되는 제품 형성면에 히트 모드
의 형상 변화가 가능한 포토레지스트층을 형성하는 포토레지스트 형성 공정과, 반도체 레이저를 내장한 노광 장
치에 의해 상기 포토레지스트층에 레이저 광을 조사함으로써 오목부 패턴을 형성하는 레이저 광 조사 공정과,
상기 오목부 패턴을 이용함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성하는 요철 형성 공정을 구비한 것을 특징으로
한다.
[0010] 상기 방법에 의하면, 히트 모드의 형상 변화가 가능한 포토레지스트층에 레이저 광을 조사하면 그 조사 부분[레
이저 광의 스팟(spot) 직경보다 1노치(notch) 작은 부분]이 레이저 광의 에너지에 의해 소실되어 미세한 오목부
가 포토레지스트층에 형성된다. 그 때문에, 이러한 포토레지스트층에 레이저 광을 조사함으로써 형성되는 오목
부 패턴을 이용하여, 예컨대 에칭 등에 의해 제품 형성면에 요철을 형성함으로써 미세한 요철(예컨대, 서브미크
론 오더의 요철)이어도 양호하게 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 보통 사용되는 반도체 레이저의 파장은 최단
이라도 405㎚ 정도이므로 이것보다 짧은 파장의 고체 레이저 등에 비해 미세한 요철을 형성할 수 없지만, 히트
모드의 형상 변화가 가능한 포토레지스트층을 사용함으로써 반도체 레이저로도 미세한 요철을 형성하는 것이 가
능해지고 있다.
[0011] 또한, 상기 방법에서는 상기 레이저 광 조사 공정에 있어서, 상기 제품 형성면 상의 포토레지스트층의 표면과
레이저 광의 광축이 직교하도록 상기 레이저 광을 출사하는 헤드의 방향을 상기 제품 형성면의 각도에 맞추어
변화시키는 것이 바람직할 경우가 있지만 반드시 그러한 것은 아니다.
[0012] 여기서, 헤드의 방향의 제어 방법의 일례로는, 예컨대 피가공물의 형상 정보를 미리 입수해 두고, 이것에 따라
서 가공 레이저의 광축을 제어하는 방법을 들 수 있다. 정보의 입수 방법으로는 기계 설계로서 형상을 파악하는
방법과 형상 검출 수단에 의해 행할 수 있다. 형상 검출 수단으로는 레이저 변위계나 접촉형 변위계를 이용할
수 있다. 레이저 변위계 쪽이 접촉하지 않으므로 피가공물에 상처 등의 결함을 발생시킬 가능성이 없으므로 바
람직하다. 레이저 변위계에 의한 방식이면 거의 가공과 동시에 입수할 수 있어 리얼타임 제어가 가능해진다.
이것에 의하면, 제품 형성면 상의 포토레지스트층의 표면과 레이저 광의 광축이 직교함으로써 헤드로부터 출사
된 레이저 광의 초점 위치를 확실히 포토레지스트층 내의 소정 위치에 위치시킬 수 있으므로 포토레지스트층에
양호한 오목부 패턴을 형성할 수 있다.
[0014] 또한, 상기 방법에서는 상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 제품 형성면과 상기 포토레지스트층의 외표면에 금
속 재료를 성막시키고 나서 포토레지스트층을 제거함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성해도 좋다.
[0015] 이것에 의하면, 금속 패턴에 의해 금형의 제품 형성면에 미세한 요철 패턴을 양호하게 형성할 수 있다.
[0016] 또한, 상기 방법에서는 상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 금형을 도금조에 넣어서 상기 제품 형성면에 도금
막을 성장시키고 나서 포토레지스트층을 제거함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성해도 좋다.
[0017] 이것에 의하면, 도금막으로 이루어진 패턴에 의해 금형의 제품 형성면에 미세한 요철 패턴을 양호하게 형성할
수 있다.
[0018] 또한, 상기 방법에서는 상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 제품 형성면에 남은 포토레지스트층을 마스크로 하
여 에칭을 행하고 나서 포토레지스트층을 제거함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성해도 좋다.
[0019] 이것에 의하면, 에칭에 의해 금형의 제품 형성면에 미세한 요철 패턴을 양호하게 형성할 수 있다.
[0020] 또한, 상기 방법에서는 상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 제품 형성면과 상기 포토레지스트층의 외표면에 연
속해서 금속 재료를 성막함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성해도 좋다.
[0021] 이것에 의하면, 금형의 제품 형성면과 해당 제품 형성면에 남은 포토레지스트층에 연속해서 금속 재료를 성막하
는 것만으로 제품 형성면에 금속 패턴의 요철을 양호하게 형성할 수 있다. 또한, 이 방법에서는 금속 재료의 성
막 후에 포토레지스트층을 제거할 필요가 없으므로 포토레지스트층을 제거하기 위한 설비 등이 불필요하여 제조
비용을 저감할 수 있다.
또한, 상기 방법에서는 상기 레이저 광 조사 공정에 있어서, 상기 레이저 광을 상기 포토레지스트층에 대한 소
정 위치에 집속시키는 포커스 서보(focus servo) 제어를 행해도 좋다.
이것에 의하면, 포토레지스트층에 대한 소정 위치에 레이저 광이 집속되므로 [0023] 포토레지스트층 표면에 조사되는
레이저 광의 스팟 직경을 일정하게 할 수 있어 균일한 오목부를 형성할 수 있다.
[0024] 또한, 상기 방법에서는 상기 레이저 광 조사 공정에 있어서, 오목상의 제품 형성면을 따라 상기 레이저 광을 출
사하는 헤드와 금형을 상대적으로 이동시켜도 좋다.
[0025] 이것에 의하면, 헤드와 포토레지스트층의 거리가 일정하게 유지되므로 포토레지스트층 표면에 조사되는 레이저
광의 스팟 직경을 일정하게 할 수 있어 균일한 오목부를 형성할 수 있다.
[0026] 또한, 상기 방법에 있어서는, 상기 오목부 패턴의 폭이 1㎛ 이하일 경우에 특히 유효하다. 즉, 히트 모드의 형
상 변화가 가능한 포토레지스트층에 광을 조사함으로써 형성되는 오목부 패턴을 이용함으로써 종래에는 형성이
곤란했던 1㎛ 이하(예컨대, 서브미크론 오더) 폭의 오목부 패턴을 양호하게 형성할 수 있다.
[0027] 또한, 상술한 각 가공방법을 금형의 제조방법에 이용해도 좋다. 또한, 이 제조방법으로 제조된 금형을 사용하여
사출 성형함으로써 광학부품을 제조해도 좋다. 이것에 의하면, 금형의 제품 형성면에 형성된, 예컨대 서브미크
론 오더의 요철 패턴을 광학부품 재료에 전사할 수 있어 서브미크론 오더의 요철 패턴을 갖는 광학부품을 양호
하고 간이하게 제조할 수 있다.
우선, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 금형(1)의 제품 형성면(11)에 히트 모드의 형상 변화가 가능한 포토레지스
트층(12)을 형성한다(포토레지스트 형성 공정).
[0042] 여기서, 포토레지스트층(12)은 강한 광 조사에 의해 광이 열로 변환되어서 이 열에 의해 재료가 형상 변화해서
오목부를 형성하는 것이 가능한 층이며, 소위 히트 모드형의 포토레지스트 재료의 층이다. 이러한 포토레지스트
재료는 종래 광기록 디스크 등의 기록층에 다용되고 있는 기록 재료, 예컨대 시아닌계, 프탈로시아닌계,
퀴논계, 스쿠아릴륨계, 아즐레늄계, 티올 착염계, 메로시아닌계 등의 기록 재료를 이용할 수 있다.
[0043] 본 발명에 있어서의 포토레지스트층(12)은 색소를 포토레지스트 재료로서 함유하는 색소형으로 하는 것이 바람
직하다.
[0044] 따라서, 포토레지스트층(12)에 함유되는 포토레지스트 재료로는 색소 등의 유기 화합물을 들 수 있다. 또한, 포
토레지스트 재료로는 유기 재료에 한정되지 않고, 무기 재료 또는 무기 재료와 유기 재료의 복합 재료를 사용할
수 있다. 단, 유기 재료이면 성막을 스핀 코트나 스프레이 도포에 의해 용이하게 할 수 있고, 전이 온도가 낮은
재료를 얻기 쉽기 때문에 유기 재료를 채용하는 것이 바람직하다. 또한, 유기 재료 중에서도 광 흡수량이 분자
설계로 제어가능한 색소를 채용하는 것이 바람직하다.
[0045] 여기서, 포토레지스트층(12)의 적합한 예로는 메틴 색소(시아닌 색소, 헤미시아닌 색소, 스티릴 색소, 옥소놀
색소, 메로시아닌 색소 등), 대환상 색소(프탈로시아닌 색소, 나프탈로시아닌 색소, 포르피린 색소 등), 아조
색소(아조 금속 킬레이트 색소를 포함함), 아릴리덴 색소, 착체 색소, 쿠마린 색소, 아졸 유도체, 트리아진 유
도체, 1-아미노부타디엔 유도체, 신남산 유도체, 퀴노프탈론계 색소 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틴 색소,
옥소놀 색소, 대환상 색소, 아조 색소가 바람직하다.
이러한 색소형의 포토레지스트층(12)은 노광 파장영역에 흡수를 갖는 색소를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
특히, 광의 흡수량을 나타내는 소쇠(消衰)계수 k의 값은 그 상한이 10 이하인 것이 바람직하고, 5 이하인 것이
보다 바람직하고, 3 이하인 것이 더욱 바람직하고, 1 이하인 것이 가장 바람직하다. 그 이유는 소쇠계수 k가 너
무 높으면 포토레지스트층(12)의 광의 입사측으로부터 반대측까지 광이 전해지지 않아서 불균일한 구멍이 형성되기 때문이다. 또한, 소쇠계수 k의 하한치는 0.0001 이상인 것이 바람직하고, 0.001 이상인 것이 보다 바람직
하고, 0.1 이상인 것이 더욱 바람직하다. 그 이유는 소쇠계수 k가 너무 낮으면 광 흡수량이 적어지기 때문에 그
만큼 큰 레이저 파워가 필요하게 되어 가공 속도의 저하를 초래하기 때문이다.
또한, 포토레지스트층(12)은 상기한 바와 같이, 노광 파장에 있어서 광 흡수가 [0047] 있는 것이 필요하고, 이러한 관
점에서 레이저 광원의 파장에 따라서 적당히 색소를 선택하거나 구조를 개변할 수 있다.
[0048] 예컨대, 레이저 광원의 발진(發振) 파장이 780㎚ 부근인 경우에는 펜타메틴시아닌 색소, 헵타메틴옥소놀 색소,
펜타메틴옥소놀 색소, 프탈로시아닌 색소, 나프탈로시아닌 색소 등에서 선택하는 것이 유리하다. 그 중에서도,
프탈로시아닌 색소 또는 펜타메틴시아닌 색소를 사용하는 것이 바람직하다.
[0049] 또한, 레이저 광원의 발진 파장이 660㎚ 부근인 경우에는 트리메틴시아닌 색소, 펜타메틴옥소놀 색소, 아조 색
소, 아조 금속 착체 색소, 피로메텐 착체 색소 등에서 선택하는 것이 유리하다.
[0050] 또한, 레이저 광원의 발진 파장이 405㎚ 부근인 경우에는 모노메틴시아닌 색소, 모노메틴옥소놀 색소, 제로메틴
메로시아닌 색소, 프탈로시아닌 색소, 아조 색소, 아조 금속 착체 색소, 포르피린 색소, 아릴리덴 색소, 착체
색소, 쿠마린 색소, 아졸 유도체, 트리아진 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 1-아미노부타디엔 유도체, 퀴노프탈
론계 색소 등에서 선택하는 것이 유리하다.
[0051] 이하, 레이저 광원의 발진 파장이 780㎚ 부근인 경우, 660㎚ 부근인 경우, 405㎚ 부근인 경우에 대하여 포토레
지스트층(12)(포토레지스트 재료)으로서 각각 바람직한 화합물의 예를 들 수 있다. 여기서, 이하의 화학식 1, 2
로 표시되는 화합물(I-1~I-10)은 레이저 광원의 발진 파장이 780㎚ 부근인 경우의 화합물이다. 또한, 화학식 3,
4로 표시되는 화합물(II-1~II-8)은 660㎚ 부근인 경우의 화합물이다. 또한, 화학식 5, 6으로 표시되는 화합물
(III-1~III-14)은 405㎚ 부근인 경우의 화합물이다. 또한, 본 발명은 이들 포토레지스트 재료를 사용했을 경우
에 한정되는 것이 아니다.
본 발명의 후술하는 모든 실시형태에 의하면, 히트 모드의 형상 변화가 가능한 포토레지스트층에 레이저 광을
조사함으로써 금형의 제품 형성면에 미세한 오목부를 양호하게 형성할 수 있다. 상기 본 발명의 모든 실시형태
와 효과, 및 다른 효과와 새로운 특징은 첨부된 도면을 참조하여 후술하는 본 발명의 예시적이고 비제한적인 실
시형태의 상세한 설명에 의해 한층 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 1 실시형태에 관한 금형의 가공 장치를 나타내는 측면도이다.
도 2는 포토레지스트층 형성 공정을 나타내는 단면도(a)와 레이저 광 조사 공정을 나타내는 단면도(b)이다.
도 3은 도금 처리를 나타내는 단면도(a)와 포토레지스트층을 제거하는 처리를 나타내는 단면도(b)이다.
도 4는 증착 또는 스퍼터링에 의해 제품 형성면에 요철 패턴을 형성하는 형태를 나타내는 단면도이며, 포토레지
스트층에 오목부 패턴이 형성된 상태를 나타내는 단면도(a)와, 포토레지스트층의 외표면과 제품 형성면에 크롬
을 성막한 상태를 나타내는 단면도(b)와, 제품 형성면으로부터 포토레지스트층을 제거한 상태를 나타내는 단면
도(c)이다.
도 5는 에칭에 의해 제품 형성면에 요철 패턴을 형성하는 형태를 나타내는 단면도이며, 포토레지스트층에 오목
부 패턴이 형성된 상태를 나타내는 단면도(a)와, 제품 형성면을 에칭한 상태를 나타내는 단면도(b)와, 제품 형
성면으로부터 포토레지스트층을 제거한 상태를 나타내는 단면도(c)이다.
도 6은 포토레지스트층의 외표면과 제품 형성면에 연속하도록 금속 재료를 성막함으로써 요철 패턴을 형성하는
형태를 나타내는 단면도이며, 포토레지스트층에 오목부 패턴이 형성된 상태를 나타내는 단면도(a)와 포토레지스
트층의 외표면과 제품 형성면에 연속하도록 금속 재료를 성막한 상태를 나타내는 단면도(b)이다.
도 7은 회전 장치를 제품 형성면을 따라 회동시키는 형태를 나타내는 측면도이다.
도 8은 헤드를 요동시키지 않고 포커스 서보 제어에 의해 상하 운동시키는 형태를 나타내는 측면도이다.
이어서, 본 발명의 1 실시형태에 대해서, 적당히 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
[0031] 최초에 도 1을 참조하여 금형(1)에 형성되는 오목상의 제품 형성면(11)( 상세하게는 포토레지스트층(12))에 오
목부 패턴(13)(도 2(a) 참조)을 형성하기 위한 가공 장치(2)에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시형태에
있어서는, 오목상의 제품 형성면으로서 곡면상(구상)의 면을 채용하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 금
형에 맞추어진 면에 대하여 경사진 경사면을 갖고 있으면, 예컨대 원추대(円錐台)상의 면이어도 좋다.
[0032] 도 1에 나타낸 바와 같이, 가공 장치(2)는 금형(1)을 회전시키기 위한 회전 장치(21)와 반도체 레이저를 내장한
노광 장치(22)를 구비하여 구성되어 있다. 회전 장치(21)는 금형(1)을 지지하는 회전 테이블(21A)과 회전 테이
블(21A)을 지지하는 지지축(21B)과, 지지축(21B)을 회전시키는 구동장치(21C)를 구비하고 있다.
노광 장치(22)는 레이저 광을 출사하는 반도체 레이저를 내장한 소형의 헤드(22A)[0033] 와 헤드(22A)를 지지하는 지지
암(22B)과 지지암(22B)을 회전함으로써 헤드(22A)의 렌즈면(22D)을 금형(1)의 제품 형성면(11)(포토레지스트층
(12)의 표면)을 따라 이동시키는 구동장치(22C)를 구비하고 있다.
[0034] 구체적으로, 구동장치(22C)는 헤드(22A)로부터 출사되는 레이저 광의 광축과 레이저 광이 조사되는 포토레지스
트층(12)의 가공 부위의 표면이 거의 수직으로 교차하도록 헤드(22A)를 경사진 제품 형성면(11)을 따라 기울이
면서 이동시키고 있다. 즉, 레이저 광의 광축의 연장선이 구면상의 제품 형성면(11)의 중심점을 항상 지나도록
구면상의 제품 형성면(11)의 중심점을 중심으로 하여 헤드(22A)가 요동 가능하게 되어 있다.
[0035] 또한, 구동장치(22C)는 헤드(22A)가 금형(1)의 제품 형성면(11)(포토레지스트층(12)의 표면)에 대하여 진퇴 가
능해지도록 상하 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 구동장치(22C)에는 포토레지스트층(12)에 형성되는
오목부 패턴(13)(도 2(a) 참조)에 따른 신호를 헤드(22A)에 대하여 출력하는 도시하지 않은 제어장치가 설치되
어 있다. 또한, 이 제어장치는 헤드(22A) 내의 광학부품(예컨대, 대물 렌즈)을 가동시킴으로써 레이저 광을 포
토레지스트층(12)에 대한 소정 위치에 집속시키는 포커스 서보 제어를 실행하도록 구성되어 있다.
[0036] <금형의 제조방법>
[0037] 이어서, 도 2(a)~(b) 및 도 3(a)~(b)을 참조하면서 금형의 제조방법에 대해서 설명한다.
[0038] 우선, 공지의 주조 공정 및 제품 형성면(11)의 기계 가공을 행함으로써 구면상의 제품 형성면(11)을 갖는 금형
(1)을 제작한다. 그 후는 이하에 나타낸 바와 같은 본 발명에 관한 가공방법을 실시함으로써 제품 형성면(11)에
미세한 요철 패턴을 갖는 금형(1)을 제조한다.
[0039] 여기서, 오목상의 제품 형성면(11)의 곡률 반직경의 하한치는 25㎜ 이상, 50㎜ 이상, 100㎜ 이상이 바람직하다.
제품 형성면(11)의 곡률 반직경이 너무 작으면 이 오목상의 제품 형성면(11) 내로 들어가는 것이 가능한 사이즈
의 헤드(22A)를 작성하는 것이 곤란해지기 때문이다. 또한, 제품 형성면(11)의 곡률 반직경의 상한치는 2m
이하, 1m 이하, 0.5m 이하가 바람직하다. 제품 형성면(11)의 곡률 반직경이 너무 크면 금형(1)의 거시적인 형상
정밀도를 유지하는 것이 곤란해짐과 아울러 노광 스캔시 정밀도를 양호하게 유지하는 것이 곤란해진다.
도 1은 본 발명의 1 실시형태에 관한 금형의 가공 장치를 나타내는 측면도이다.
도 2는 포토레지스트층 형성 공정을 나타내는 단면도(a)와 레이저 광 조사 공정을 나타내는 단면도(b)이다.
도 3은 도금 처리를 나타내는 단면도(a)와 포토레지스트층을 제거하는 처리를 나타내는 단면도(b)이다.
도 4는 증착 또는 스퍼터링에 의해 제품 형성면에 요철 패턴을 형성하는 형태를 나타내는 단면도이며, 포토레지
스트층에 오목부 패턴이 형성된 상태를 나타내는 단면도(a)와, 포토레지스트층의 외표면과 제품 형성면에 크롬
을 성막한 상태를 나타내는 단면도(b)와, 제품 형성면으로부터 포토레지스트층을 제거한 상태를 나타내는 단면
도(c)이다.
도 5는 에칭에 의해 제품 형성면에 요철 패턴을 형성하는 형태를 나타내는 단면도이며, 포토레지스트층에 오목
부 패턴이 형성된 상태를 나타내는 단면도(a)와, 제품 형성면을 에칭한 상태를 나타내는 단면도(b)와, 제품 형
성면으로부터 포토레지스트층을 제거한 상태를 나타내는 단면도(c)이다.
도 6은 포토레지스트층의 외표면과 제품 형성면에 연속하도록 금속 재료를 성막함으로써 요철 패턴을 형성하는
형태를 나타내는 단면도이며, 포토레지스트층에 오목부 패턴이 형성된 상태를 나타내는 단면도(a)와 포토레지스
트층의 외표면과 제품 형성면에 연속하도록 금속 재료를 성막한 상태를 나타내는 단면도(b)이다.
도 7은 회전 장치를 제품 형성면을 따라 회동시키는 형태를 나타내는 측면도이다.
도 8은 헤드를 요동시키지 않고 포커스 서보 제어에 의해 상하 운동시키는 형태를 나타내는 측면도이다.

Claims (11)

  1. 곡면을 갖고, 또한 금형에 형성되는 제품 형성면에 히트 모드의 형상 변화가 가능한 포토레지스트층을 형성하는
    포토레지스트 형성 공정과;
    반도체 레이저를 내장한 노광 장치에 의해 상기 포토레지스트층에 레이저 광을 조사함으로써 오목부 패턴을 형
    성하는 레이저 광 조사 공정과;
    상기 오목부 패턴을 이용함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성하는 요철 형성 공정을 구비한 것을 특징으로
    하는 금형의 가공방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 광 조사 공정에 있어서, 상기 제품 형성면 상의 포토레지스트층의 표면과 레이저 광의 광축이 직교
    하도록 상기 레이저 광을 출사하는 헤드의 방향을 상기 제품 형성면의 각도에 맞추어 변화시키는 것을 특징으로
    하는 금형의 가공방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 제품 형성면과 상기 포토레지스트층의 외표면에 금속 재료를 성막시키고
    나서 포토레지스트층을 제거함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 금형의
    가공방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 금형을 도금조에 넣어서 상기 제품 형성면에 도막을 성장시키고 나서 포토
    레지스트층을 제거함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 금형의 가공방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 제품 형성면에 남은 포토레지스트층을 마스크로 하여 에칭을 행하고 나서
    포토레지스트층을 제거함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 금형의 가공방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철 형성 공정에 있어서, 상기 제품 형성면과 상기 포토레지스트층의 외표면에 연속해서 금속 재료를 성
    막함으로써 상기 제품 형성면에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 금형의 가공방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 광 조사 공정에 있어서, 상기 레이저 광을 상기 포토레지스트층에 대한 소정 위치에 집속시키는 포
    커스 서보 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 금형의 가공방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 광 조사 공정에 있어서, 상기 오목상의 제품 형성면을 따라 상기 레이저 광을 출사하는 헤드와 금
    형을 상대적으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 금형의 가공방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 오목부 패턴의 폭은 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 금형의 가공방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 금형의 가공방법을 이용해서 금형을 제조하는 것을 특징으로 하
    는 금형의 제조방법.
  11. 제 10 항에 기재된 금형의 제조방법에 의해 제조된 금형을 사용해서 사출 성형함으로써 광학부품을 제조하는 것
    을 특징으로 하는 광학부품의 제조방법.
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