KR20170139662A

KR20170139662A - 유전체 필터

Info

Publication number: KR20170139662A
Application number: KR1020177034053A
Authority: KR
Inventors: 취안 룽; 샤오이 덩; 지안 구
Original assignee: 후아웨이 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Priority date: 2015-04-29
Filing date: 2015-04-29
Publication date: 2017-12-19
Also published as: WO2016172880A1; EP3280000A1; CN107112616B; EP3280000B1; KR102013056B1; EP3280000A4; CN107112616A

Abstract

캐비티, 공진 캐비티, 커버 플레이트 및 연결 리브들을 포함하는, 유전체 필터가 제공된다. 캐비티는 수용 캐비티 및 수용 캐비티를 둘러싸는 캐비티 벽을 포함한다. 공진기는 수용 캐비티에 배치되고, 지지 유전체 및 주요 유전체를 포함하며, 지지 유전체는 수용 캐비티 내의 하단 벽 상에 배치되고, 주요 유전체는 지지 유전체 상에 배치된다. 커버 플레이트는 수용 캐비티를 밀봉하는 캐비티를 커버한다. 연결 리브들은 수용 캐비티에 수용되고, 공진기의 중심 샤프트로부터 캐비티 벽으로 방사상으로 연장되는 반경과, 공진기의 중심 샤프트 사이에 형성되는 방사상 평면 상에 배치되며, 연결 리브들과 주요 유전체 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다. 본 발명은 고차 고조파들을 억제하는 목적을 달성한다. 또한 유전체 필터 어셈블리 및 기지국이 제공된다.

Description

유전체 필터

본 발명은 통신 기술들의 분야에 관한 것으로, 특히 유전체 필터에 관한 것이다.

무선 통신 기술들의 발달로 인해, 고성능 필터는 저비용 및 고성능 무선 통신 송수신기 시스템에서 요구된다. 유전체 필터는 그것의 소형, 저손실, 및 고선택도 때문에 다양한 통신 시스템들에 점진적으로 광범위하게 적용된다. 유전체 필터는 저손실, 높은 유전체 상수, 작은 주파수 온도 계수, 작은 열팽창 계수, 높은 허용 전력 등을 특징으로 하는 유전체 재료(예를 들어, 세라믹)를 사용함으로써 디자인된다. 일반적으로, 유전체 필터는 사다리꼴 라인을 따라 세로로 멀티 레벨 직렬 또는 병렬로 배열되는 수개의 롱 타입 공진기들에 의해 형성될 수 있다. 그러한 유전체 필터는 낮은 삽입 손실, 고전력 용량, 및 협대역폭을 특징으로 하고, 900 MHz, 1.8 GHz, 2.4 GHz, 및 5.8 GHz에서의 필터링에 특히 적절하고, 따라서 휴대용 전화, 차량 전화, 무선 헤드셋, 무선 마이크로폰, 무선국, 코드리스 전화, 통합된 송수신기 듀플렉서 등의 레벨 결합 필터링에 적용될 수 있다. 유전체 필터는 캐비티, 캐비티에 고정되는 유전체 공진기, 커버 플레이트, 및 조정 나사를 포함한다. TE₀₁ 모드 유전체 필터는 유전체 필터의 타입이고, 양호한 단일 캐비티 Q 값 특성을 갖는다. 따라서, TE₀₁ 모드 유전체 필터는 시스템 손실을 감소시키고 효율을 개선하기 위해, 무선 통신 시스템에 광범위하게 적용된다. 그러나, TE₀₁ 모드 유전체 필터는 또한 이하의 단점들을 갖는다: TE₀₁ 모드 유전체 필터의 고차 고조파의 주파수가 TE₀₁ 모드 주파수에 가깝기 때문에, TE₀₁ 모드 유전체 필터가 고차 고조파를 억제하는 것은 어렵다.

본 발명의 실시예들에 의해 해결되는 기술적 문제는 고차 고조파를 억제하기 위해, 유전체 필터에서 고차 고조파를 밀어 버리는 유전체 공진기를 제공하는 것이다.

제1 양태에 따르면, 유전체 필터가 제공되며, 유전체 필터는,

캐비티 - 캐비티는 수용 캐비티(accommodating cavity) 및 수용 캐비티를 둘러싸는 캐비티 벽을 포함함 -;

공진기 - 공진기는 수용 캐비티 내부에 배치되고, 공진기는 지지 매체 및 주요 매체를 포함하고, 지지 매체는 수용 캐비티의 하단 벽 상에 배치되고, 주요 매체는 지지 매체 상에 배치됨 -;

커버 플레이트 - 커버 플레이트는 수용 캐비티를 폐쇄하기 위해 캐비티를 커버함 -; 및

연결 리브(connecting rib) - 연결 리브는 수용 캐비티에 수용되고, 공진기의 중심 축으로부터 캐비티 벽 위로 방사되는 방사선과 공진기의 중심 축 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되며, 연결 리브와 주요 매체 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 큼 - 를 포함한다.

제1 양태의 제1 가능한 구현 방식에서, 연결 리브는 수용 캐비티의 하단 벽, 커버 플레이트, 또는 수용 캐비티의 캐비티 벽 중 적어도 하나 상에 배치된다.

제1 양태의 제1 가능한 구현 방식을 참조하여, 제2 가능한 구현 방식에서, 유전체 필터는 조정 부재를 더 포함하며, 조정 부재는 커버 플레이트 상에 배치되고, 조정 부재의 중심 축은 커버 플레이트의 중심 축과 동일하고; 연결 리브가 수용 캐비티의 하단 벽 또는 수용 캐비티의 캐비티 벽 중 적어도 하나 상에 배치될 때, 연결 리브는 지지 매체 및 수용 캐비티의 캐비티 벽에 연결되고; 연결 리브가 커버 플레이트 상에 배치될 때, 연결 리브는 조정 부재 및 수용 캐비티의 캐비티 벽에 연결된다.

제1 양태의 제1 또는 제2 가능한 구현 방식을 참조하여, 제3 가능한 구현 방식에서, 방사선 평면은 하단 벽 상에 제1 돌출부를 형성하고; 연결 리브가 수용 캐비티의 하단 벽 상에 배치될 때, 연결 리브는 하단 벽 상에 제2 돌출부를 형성하고, 제2 돌출부는 공진기로부터 캐비티 벽으로의 방향으로 중심 라인 상에서 제1 돌출부와 오버랩되고; 연결 리브가 캐비티 벽 상에 배치될 때, 연결 리브는 하단 벽 상에 제3 돌출부를 형성하고, 제3 돌출부는 공진기로부터 캐비티 벽으로의 방향으로 중심 라인 상에서 제1 돌출부와 오버랩되고; 연결 리브가 커버 플레이트 상에 배치될 때, 연결 리브는 커버 플레이트 상에 제4 돌출부를 형성하고, 제4 돌출부는 커버 플레이트의 중심 축으로부터 캐비티 벽으로의 방향으로 중심 라인 상에서 제1 돌출부와 오버랩된다.

제1 양태의 제1 내지 제3 가능한 구현 방식들 중 어느 하나를 참조하여, 제4 가능한 구현 방식에서, 연결 리브가 수용 캐비티의 하단 벽 상에 배치될 때, 연결 리브는 하단 벽과 통합되고; 연결 리브가 수용 캐비티의 캐비티 벽 상에 배치될 때, 연결 리브는 캐비티 벽과 통합되고; 연결 리브가 커버 플레이트 상에 배치될 때, 연결 리브는 커버 플레이트와 통합된다.

제1 양태의 제5 가능한 구현 방식에서, 또는 제1 양태의 제1 내지 제4 가능한 구현 방식들 중 어느 하나를 참조하여, 제5 가능한 구현 방식에서, 연결 리브는 지지 부분 및 지지 부분에서 떨어진 방향으로 지지 부분의 제1 단부를 연장함으로써 형성되는 제1 연장 부분을 포함하고, 지지 부분과 주요 매체 사이 그리고 제1 연장 부분과 주요 매체 사이의 최단 거리들은 사전 설정 값보다 더 크다.

제1 양태의 제5 가능한 구현 방식을 참조하여, 제6 가능한 구현 방식에서, 연결 리브는 제2 연장 부분을 더 포함하며, 제2 연장 부분은 지지 부분에서 떨어진 방향으로, 지지 부분의 것이고 제1 단부와 반대쪽에 있는 제2 단부를 연장함으로써 형성되고, 제2 연장 부분과 주요 매체 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다.

제1 양태의 제7 가능한 구현 방식에서, 또는 제1 양태의 제1 내지 제6 가능한 구현 방식들 중 어느 하나를 참조하여, 제7 가능한 구현 방식에서, 적어도 2개의 연결 리브가 있고; 공진기의 중심 축이 중심 라인인 경우, 적어도 2개의 연결 리브는 중심 라인 주위에 균일하게 배열된다.

제1 양태의 제1 내지 제7 가능한 구현 방식들 중 어느 하나를 참조하여, 제8 가능한 구현 방식에서, 연결 리브들이 하단 벽, 캐비티 벽, 및 커버 플레이트 중 어느 2개 상에 배치될 때, 하단 벽, 캐비티 벽, 및 커버 플레이트 중 어느 2개 상에 배치되는 연결 리브들은 서로 접촉되지 않거나; 연결 리브들이 하단 벽, 캐비티 벽, 및 커버 플레이트 전부 상에 배치될 때, 하단 벽, 캐비티 벽, 및 커버 플레이트 상에 배치되는 연결 리브들은 서로 접촉되지 않는다.

제1 양태의 제9 가능한 구현 방식에서, 또는 제1 양태의 제1 내지 제8 가능한 구현 방식들 중 어느 하나를 참조하여, 제9 가능한 구현 방식에서, 사전 설정 값은 2 mm이다.

제2 양태에 따르면, 유전체 필터 구성요소가 제공되며, 유전체 필터 구성요소는 저역 통과 필터 및 제1 양태의 상기 가능한 구현 방식들에 따른 유전체 공진기를 포함하고, 저역 통과 필터는 유전체 필터와 캐스케이드된다.

제3 양태에 따르면, 기지국이 제공되며, 기지국은 제2 양태에 따른 유전체 필터 구성요소를 포함한다.

본 발명에서, 유전체 필터는 캐비티, 공진 캐비티, 커버 플레이트, 및 연결 리브를 포함한다. 캐비티는 수용 캐비티 및 수용 캐비티를 둘러싸는 캐비티 벽을 포함한다. 공진기는 수용 캐비티 내부에 배치되고, 공진기는 지지 매체 및 주요 매체를 포함하고, 지지 매체는 수용 캐비티의 하단 벽 상에 배치되고, 주요 매체는 지지 매체 상에 배치된다. 커버 플레이트는 수용 캐비티를 폐쇄하기 위해 캐비티를 커버한다. 연결 리브는 수용 캐비티에 수용되고, 공진기의 중심 축으로부터 캐비티 벽 위로 방사되는 방사선과 공진기의 중심 축 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되며, 연결 리브와 주요 매체 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다. 연결 리브가 공진기의 중심 축으로부터 캐비티 벽 위로 방사되는 방사선과 공진기의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되고, 연결 리브가 유전체 필터의 고차 고조파의 자기 필드에 수직이기 때문에, 연결 리브는 자기 필드의 경로에 영향을 미쳐서, 고차 고조파의 주파수의 변화를 야기한다. 게다가, 연결 리브가 수용 캐비티 내부에 배치되기 때문에, 수용 캐비티에서의 공기의 용적은 고차 고조파의 주파수가 더 높아질수록 더 작아진다. 이것은 고차 고조파를 밀어 버리는 기능을 구현한다. 본 발명에서의 유전체 필터는 또한 억제를 위해 고차 고조파를 밀어 버릴 때 TE₀₁ 모드의 성능을 유지한다.

본 발명의 실시예들에서 또는 종래 기술에서 기술적 해결법들을 더 분명히 설명하기 위해, 이하는 실시예들을 설명하기 위해 요구되는 첨부 도면들을 간단히 설명한다. 명백하게, 이하의 설명에서의 첨부 도면들은 본 발명의 일부 실시예들을 나타낼 뿐이고, 본 기술분야의 통상의 기술자는 창조적 노력들 없이 이러한 첨부 도면들로부터 다른 도면들을 여전히 유도할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유전체 필터의 일부의 개략적 분해도이다.
도 2는 도 1의 종단면도이다.
도 3은 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 TE₀₁ 모드의 전기 필드 분포의 도해이다.
도 4는 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 TE₀₁ 모드의 자기 필드 분포의 도해이다.
도 5는 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 고차 고조파의 전기 필드 분포의 도해이다.
도 6은 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 TE₀₁ 모드의 자기 필드 분포의 도해이다.
도 7은 도 1에서의 캐비티의 상면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 다른 유전체 필터의 종단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 또 다른 유전체 필터의 종단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유전체 필터 구성요소의 블록도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기지국의 블록도이다.

이하는 본 발명의 실시예들에서의 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에서 기술적 해결법들을 분명히 그리고 완전히 설명한다. 명백하게, 설명된 실시예들은 일부일 뿐이지만 본 발명의 실시예들의 전부는 아니다. 창조적 노력들 없이 본 발명의 실시예들에 기초하여 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 획득되는 모든 다른 실시예들은 본 발명의 보호 범위 내에 있을 것이다.

본 발명의 명세서, 청구항들, 첨부 도면들에서, 용어들 "제1", "제2", "제3", "제4" 등(존재하면)은 유사한 객체들을 구별하도록 의도되지만 특정 순서 또는 시퀀스를 반드시 표시하는 것은 아니다. 그러한 방식으로 칭해지는 데이터는 본원에 설명되는 본 발명의 실시예들이 본원에 예시되거나 설명되는 순서를 제외한 순서들로 구현될 수 있도록 적절한 상황들에서 교환가능하다는 점이 이해되어야 한다. 더욱이, 용어들 "포함한다", "함유한다" 및 임의의 다른 변형들은 비배타적 포함을 망라하도록 의미하며, 예를 들어 단계들 또는 유닛들의 리스트를 포함하는 프로세스, 방법, 시스템, 제품, 또는 디바이스는 그러한 유닛들에 반드시 제한되는 것은 아니지만, 그러한 프로세스, 방법, 시스템, 제품, 또는 디바이스에 분명히 열거되지 않거나 내재하는 다른 유닛들을 포함할 수 있다.

이하는 특정 실시예들을 사용함으로써 상세한 설명들을 개별적으로 제공한다.

도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유전체 필터(100)를 도시한다. 유전체 필터는 캐비티(10), 공진기(20), 커버 플레이트(30), 및 연결 리브(50)를 포함한다. 캐비티(10)는 수용 캐비티(11) 및 수용 캐비티(11)를 둘러싸는 캐비티 벽(12)을 포함한다. 공진기(20)는 수용 캐비티(11) 내부에 배치된다. 공진기(20)는 지지 매체(22) 및 주요 매체(23)를 포함한다. 지지 매체(22)는 수용 캐비티(11)의 하단 벽(112) 상에 배치된다. 주요 매체(23)는 지지 매체(22) 상에 배치된다. 커버 플레이트(30)는 수용 캐비티(11)를 폐쇄하기 위해 캐비티(10)를 커버한다. 연결 리브(50)는 수용 캐비티(11)에 수용되고, 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치된다. 연결 리브(50)와 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다.

유전체 필터(100)는 단일 캐비티 유전체 필터일 수 있다. 일반적으로, 캐비티 벽(12) 및 커버 플레이트(30)는 금속 재료, 또는 금속 플레이트 표면을 갖는 재료로 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 유전체 필터(100)는 또한 멀티 캐비티 유전체 필터일 수 있다. 멀티 캐비티 유전체 필터는 다수의 단일 캐비티 유전체 필터들을 포함한다.

연결 리브(50)와 주요 매체(23) 사이의 최단 거리가 사전 설정 값보다 더 큰 것은 연결 리브(50)의 임의의 부분으로부터 주요 매체(23)의 임의의 위치로의 거리가 사전 설정 값보다 더 큰 것을 의미한다는 점이 주목되어야 한다.

이러한 실시예에서, 연결 리브(50)는 하단 벽(112) 상에 배치될 수 있다. 사전 설정 값은 2 mm일 수 있다. 유전체 필터(100)는 TE₀₁ 모드 유전체 필터일 수 있다. TE₀₁ 모드 유전체 필터는 단일 캐비티가 TE₀₁ 모드 공진기를 포함하는 필터이다. 도파관의 필드 분포에서의 TE 모드는 전기 필드가 전자기파의 전파 방향에 수직인 단면으로 완전히 분포되고 자기 필드가 전파 방향으로 성분을 가진 파형을 갖는 것이다. TE₀₁은 그러한 타입의 도파관에서의 제1 TE 파형이다. 연결 리브(50)는 전도성 재료, 예를 들어 금속 재료 예컨대 알루미늄으로 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 사전 설정 값은 필터의 실제 억제도 요건에 따라 조정될 수 있다.

임의로, 유전체 필터(100)는 필터의 동작 주파수 상에서 미세 조정을 수행하도록 구성되는 조정 부재(40)를 더 포함할 수 있다. 조정 부재(40)는 커버 플레이트(30) 상에 배치될 수 있거나, 주요 매체(23)에 고정되는 것 또는 주요 매체(23)와 커버 플레이트(30) 사이에 압력을 사용함으로써 고정되는 것과 같이 다른 방식으로 배치될 수 있다. 특정 방식은 본 발명의 이러한 실시예에서 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 조정 부재(40)는 커버 플레이트(30) 상에 배치된다. 주요 매체(23), 지지 매체(22), 및 조정 부재(40)는 동축으로 배치된다. 주요 매체(23)의 직경은 지지 매체(22)의 직경보다 더 크다. 주요 매체(23) 및 지지 매체(22)는 상이한 재료들로 제조된다. 주요 매체(23) 및 지지 매체(22)의 재료들은 성질들 예컨대 높은 유전체 상수, 저손실, 및 안정한 온도 계수를 갖는 재료들, 예컨대 세라믹 및 티타네이트일 수 있다. 구체적으로, 주요 매체(23)의 유전체 상수는 크고, 지지 매체(22)의 유전체 상수는 작다. 이러한 방식으로, 전자기파들의 대부분은 주요 매체(23) 내에 포획될 수 있고, 따라서 유전체 손실은 작다.

다른 실시예에서, 연결 리브(50)는 또한 커버 플레이트(30) 또는 캐비티 벽(12) 상에 배치될 수 있다. 분명히, 연결 리브들(50)은 하단 벽(112), 커버 플레이트(30), 및 캐비티 벽(12) 중 어느 2개 상에 개별적으로 배치될 수 있거나, 연결 리브들(50)은 하단 벽(112), 커버 플레이트(30), 및 캐비티 벽(12) 상에 개별적으로 배치될 수 있다.

연결 리브들(50)이 하단 벽(112), 캐비티 벽(12), 및 커버 플레이트(30) 중 어느 2개 상에 개별적으로 배치되거나, 연결 리브들(50)이 하단 벽(112), 캐비티 벽(12), 및 커버 플레이트(30) 상에 개별적으로 배치될 때, 구조적 간섭이 필터의 성능에 영향을 미치는 것을 방지하기 위해, 하단 벽(112), 캐비티 벽(12), 및 커버 플레이트(30) 중 어느 2개 상에 배치되는 연결 리브들(50)이 서로 접촉되지 않거나, 하단 벽(112), 캐비티 벽(12), 및 커버 플레이트(30) 상에 배치되는 연결 리브들(50)이 서로 접촉되지 않는다는 점이 주목되어야 한다.

임의로, 공진기(20)의 중심 축(I)은 커버 플레이트(30)의 중심 축(I)과 동일할 수 있다.

임의로, 조정 부재(40)의 중심 축(I)은 커버 플레이트(30)의 중심 축(I)과 동일할 수 있다.

연결 리브(50)는 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되어, 연결 리브(50)는 고차 고조파의 자기 필드에 수직일 수 있어서, 고차 고조파의 자기 필드의 경로에 영향을 미치며, 그것에 의해 고차 고조파의 주파수를 변경한다는 점이 주목되어야 한다.

TE₀₁ 모드 유전체 필터는 고차 고조파의 주파수가 TE₀₁ 모드 주파수에 가까운 특성을 갖는다. 도 3 내지 도 6을 참조하면, 도 3은 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 TE₀₁ 모드의 전기 필드 분포의 도해이다. 도 4는 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 TE₀₁ 모드의 자기 필드 분포의 도해이다. 도 5는 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 고차 고조파의 전기 필드 분포의 도해이다. 도 6은 어떠한 연결 리브도 배치되지 않는 TE₀₁ 모드 유전체 필터의 TE₀₁ 모드의 자기 필드 분포의 도해이다.

TE₀₁ 모드에 대해:

도 3에서, TE₀₁ 모드의 전기 필드는 주요 매체에 주로 집중된다. 본 발명의 이러한 실시예에서, 연결 리브(50)는 수용 캐비티(11)에 수용되고, 연결 리브(50)와 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다. 전기 필드에 연결 리브(50)의 영향은 매우 작고, 무시될 수 있다.

도 4에서, TE₀₁ 모드의 자기 필드는 터빈 형상이다. 연결 리브(50)는 수용 캐비티(11)에 수용되고, 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되며, 즉 연결 리브(50)는 자기 필드의 접선 방향에 있다. 따라서, 연결 리브(50)는 자기 필드에 영향을 거의 미치지 않는다.

따라서, 연결 리브(50)가 TE₀₁ 모드에 거의 영향을 미치지 않고, 따라서 유전체 필터(100)의 TE₀₁ 모드의 주파수 및 Q 값이 거의 변경되지 않는 것이 분석에 의해 습득될 수 있다. 이러한 방식으로, TE₀₁ 모드의 성능이 유지된다. TE₀₁ 모드의 성능은 TE₀₁ 모드의 주파수 및 Q 값에 의해 반영된다. TE₀₁ 모드의 Q 값은 공진 기간에서의 저장된 에너지 대 손실된 에너지의 비율이다.

고차 고조파에 대해:

도 5에서, 고차 고조파의 전기 필드의 일부는 주요 매체(23)의 주변 벽에 위로 수직이고, 고차 고조파의 전기 필드의 다른 부분들은 주요 매체(23)의 상단 표면 및 하단 표면에 실질적으로 수직이다. 고차 고조파에 대한 것이고 주요 매체(23)에 수직인 전기 필드의 일부의 방향은 연결 리브(50)의 배열 방향과 평행하고; 전기 필드에 대한 것이고 주요 매체(23)의 상단 표면 및 하단 표면에 수직인 일부는 연결 리브(50)의 측면 표면과 평행하다. 따라서, 고차 고조파의 전기 필드에 연결 리브(50)의 영향은 매우 작고, 무시될 수 있다.

도 6에서, 고차 고조파의 자기 필드가 분포되어 주요 매체, 지지 매체, 장착 테이블, 및 조정 부재를 둘러싼다. 연결 리브(50)는 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되며, 즉 연결 리브(50)는 자기 필드에 수직이다. 따라서, 연결 리브(50)는 자기 필드의 경로에 영향을 미쳐서, 고차 고조파의 주파수의 변화를 야기한다. 게다가, 연결 리브(50)가 수용 캐비티(11) 내부에 배치되기 때문에, 수용 캐비티(11)에서의 공기의 용적은 고차 고조파의 주파수가 더 높아질수록 더 작아진다. 따라서, 고차 고조파를 밀어 버리는 기능이 구현된다.

따라서, 상기 분석에 따르면, 이러한 실시예에서, 유전체 필터(100)는 연결 리브(50)를 포함한다. 연결 리브(50)는 수용 캐비티(11)에 수용되고, 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치된다. 연결 리브(50)와 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다. 연결 리브(50)가 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되고, 연결 리브(50)가 유전체 필터(100)의 고차 고조파의 자기 필드에 수직이기 때문에, 연결 리브(50)는 자기 필드의 경로에 영향을 미쳐서, 고차 고조파의 주파수의 변화를 야기한다. 게다가, 연결 리브(50)가 수용 캐비티(11) 내부에 배치되기 때문에, 수용 캐비티(11)에서의 공기의 용적은 고차 고조파의 주파수가 더 높아질수록 더 작아진다. 따라서, 고차 고조파를 밀어 버리는 기능이 구현된다. 본 발명에서의 유전체 필터(100)는 또한 억제를 위해 고차 고조파를 밀어 버릴 때 TE₀₁ 모드의 성능을 유지한다.

고차 고조파 상의 연결 리브(50)의 밀어 버림 효과(push-away effect)는 수용 캐비티(11) 상에 있고 연결 리브(50)가 배치되는 위치에 상관없이, 수용 캐비티(11)에 대한 것이고 연결 리브(50)에 의해 점유되는 용적에 의존한다는 점이 주목되어야 한다. 수용 캐비티(11)에 대한 것이고 연결 리브(50)에 의해 점유되는 더 큰 용적은 수용 캐비티(11)에서의 공기의 더 작은 용적을 표시하여, 고차 고조파의 더 높은 주파수를 야기한다. 따라서, 고차 고조파 상의 밀어 버림 효과가 더 좋아진다.

임의로, 공진 캐비티(20)는 장착 테이블(21)을 더 포함할 수 있다. 장착 테이블(21)은 수용 캐비티(11)의 하단 벽(112) 상에 배치된다. 지지 매체(22)는 장착 테이블(21)을 사용함으로써 수용 캐비티(11)의 하단 벽(112) 상에 배치된다. 장착 테이블(21)은 금속 재료 예컨대 알루미늄으로 제조될 수 있다. 본 발명의 이러한 실시예에 제공되는 해결법의 효과는 공진기(20)가 장착 테이블(21)을 사용함으로써 고정될 때 더 좋다는 것이 실험적으로 발견되었다. 그러나, 공진 캐비티를 고정하는 특정 방식을 위해, 일부 기존 방식들 또는 장래에 출현하는 일부 방식들을 언급한다는 점이 이해될 수 있다. 이것은 본 발명의 적용에 영향을 미치지 않고, 상세들은 본원에 설명되지 않는다.

다른 실시예에서, 연결 리브(50)는 또한 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에만 배치되는 것에 제한되지 않을 수 있다. 연결 리브(50)가 TE₀₁ 모드의 자기 필드의 접선 방향으로 배치되면, 연결 리브(50)는 유전체 필터(100)의 고차 고조파의 자기 필드에 수직이다. 이것은 고차 고조파의 자기 필드의 경로에 영향을 미쳐서, 고차 고조파의 주파수의 변화를 야기하며, 그것에 의해 고차 고조파를 밀어 버릴 시에 동일한 효과를 달성한다.

게다가, 연결 리브(50)가 고차 고조파의 자기 필드와 평행하게 배치되지 않으면, 연결 리브(50)는 고차 고조파의 자기 필드의 경로에 영향을 미치고, 고차 고조파의 주파수가 변경될 수 있어, 연결 리브(50)가 고차 고조파의 자기 필드에 수직인 것으로 인해 야기되는 영향과 비교하여 고차 고조파의 자기 필드의 경로에 더 적은 영향만을 제공해 주고 고차 고조파의 주파수를 변경한다. 따라서, 연결 리브(50)가 공진기(20)의 중심 축(I)으로부터 캐비티 벽(12) 위로 방사되는 방사선과 공진기(20)의 중심 축(I) 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 고차 고조파를 가장 큰 정도로 밀어 버릴 수 있다. 임의로, 연결 리브(50)는 지지 매체(22) 및 캐비티 벽(12)을 연결할 수 있다. 공진 캐비티(20)가 장착 테이블(21)을 더 포함하고 지지 매체(22)가 장착 테이블(21)을 사용함으로써 수용 캐비티(11)의 하단 벽(112) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 장착 테이블(21) 및 캐비티 벽(12)을 연결할 수 있다.

다른 실시예에서, 연결 리브(50)가 커버 플레이트(30) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 조정 부재(40) 및 캐비티 벽(12)을 연결할 수 있다. 연결 리브(50)가 캐비티 벽(12) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 지지 매체(22) 및 캐비티 벽(12)을 연결할 수 있다.

연결 리브(50)가 장착 테이블(21)(또는 지지 매체(22)) 및 캐비티 벽(12)을 연결할 때, 또는 다른 실시예에서, 연결 리브(50)가 조정 부재(40) 및 캐비티 벽(12)을 연결할 때, 연결 리브(50)가 최장 길이를 갖는다는 점이 주목되어야 한다. 연결 리브(50)의 높이가 일정할 때, 연결 리브(50)는 최장 길이를 갖는다. 따라서, 연결 리브(50)에 대한 것이고 고차 고조파의 자기 필드에 수직인 구역은 가장 크고, 고차 고조파의 자기 필드에 가장 큰 영향이 야기된다. 따라서, 고차 고조파를 밀어 버리는 최상의 효과가 달성된다.

임의로, 연결 리브(50)가 하단 벽(112) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 하단 벽(112)과 통합될 수 있다. 연결 리브(50)가 캐비티 벽(12) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 캐비티 벽(12)과 통합될 수 있다. 연결 리브(50)가 커버 플레이트(30) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 커버 플레이트(30)와 통합될 수 있다. 따라서, 연결 리브(50)가 하단 벽(112) 또는 캐비티 벽(12) 중 적어도 하나 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 캐비티(10) 상에 다이 캐스팅을 수행함으로써 형성될 수 있고; 연결 리브(50)가 커버 플레이트(30) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 부가 비용들 없이, 커버 플레이트(30) 상에 다이 캐스팅을 수행함으로써 형성될 수 있다.

도 7을 참조하면, 임의로, 적어도 2개의 연결 리브들(50)이 있다. 공진기(20)의 중심 축(I)이 중심 라인인 경우, 적어도 2개의 연결 리브들(50)이 균일하게 배열되어 중심 라인을 둘러싼다. 방사선 평면은 하단 벽 상에 제1 돌출부를 형성한다. 구체적으로, 이러한 실시예에서, 4개의 연결 리브들(50)이 있다. 연결 리브들(50)은 크로스 방식으로 하단 벽(112) 상에 대칭으로 배열된다. 연결 리브(50)는 직육면체 형상이다. 연결 리브(50)의 단면은 직사각형이다. 연결 리브(50)의 종단면은 직사각형이다. 연결 리브(50)는 하단 벽(112) 상에 제2 돌출부를 형성한다. 제2 돌출부는 공진기(20)로부터 캐비티 벽(12)으로의 방향으로 중심 라인 상에서 제1 돌출부와 오버랩된다. 따라서, 연결 리브(50)는 고차 고조파의 자기 필드에 수직이다. 이것은 자기 필드의 경로를 더 효과적으로 변경하고, 고차 고조파의 주파수를 더 좋게 개선한다.

연결 리브(50)가 또한 다른 형상, 예컨대 L 형상일 수 있고, 연결 리브(50)의 단면 및 종단면이 또한 다른 형상들일 수 있다는 점이 주목되어야 한다. 연결 리브(50)의 형상, 그것의 단면 및 종단면의 형상들, 및 연결 리브(50)가 대칭 구조체인지는 본 발명에서 고차 고조파에서 밀어 버림 효과에 영향을 미치지 않는다. 이것은 본원에 제한되지 않는다.

다른 실시예에서, 연결 리브(50)가 캐비티 벽(12) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 하단 벽(112) 상에 제3 돌출부를 형성한다. 제3 돌출부는 공진기(20)로부터 캐비티 벽(12)으로의 방향으로 중심 라인 상에서 제1 돌출부와 오버랩된다. 연결 리브(50)가 커버 플레이트(30) 상에 배치될 때, 연결 리브(50)는 커버 플레이트(30) 상에 제4 돌출부를 형성한다. 제4 돌출부는 커버 플레이트(30)의 중심 축으로부터 캐비티 벽(12)으로의 방향으로 중심 라인 상에서 제1 돌출부와 오버랩된다.

각각의 연결 리브(50)가 독립적이고, 다수의 연결 리브들(50)의 형상들이 또한 정확히 동일하지 않을 수 있다는 점이 주목되어야 한다. 이러한 실시예에서, 연결 리브들(50)의 형상들은 동일하다.

연결 리브들의 수량에 대해: 연결 리브들(50)의 더 큰 수량은 수용 캐비티(11)에서의 공기의 더 작은 용적 및 고차 고조파의 더 높은 주파수를 표시한다. 따라서, 연결 리브들(50)은 고차 고조파에 더 좋은 밀어 버림 효과를 나타낸다.

고차 고조파의 밀어 버림 효과에 연결 리브들(50)의 수량의 영향은 일 예를 사용함으로써 본원에 예시된다. 연결 리브(50)는 8 mm로 설정되는 높이를 갖는 정사각형이다. 연결 리브들(50)의 수량들이 각각 1, 2, 및 4일 때, 고차 고조파의 주파수들이 1개의 연결 리브(50), 2개의 연결 리브(50), 및 4개의 연결 리브(50)를 사용함으로써 각각 70 MHz, 170 MHz, 및 310 MHz만큼 올려지는 것이 실험적으로 획득되었다.

도 8을 참조하면, 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 다른 유전체 필터(200)를 도시한다. 제2 실시예에 제공되는 유전체 필터(200)는 제1 실시예에 제공되는 유전체 필터(100)와 유사하다. 2개의 유전체 필터들 사이의 차이는 이하에 있다: 제2 실시예에서, 연결 리브(210)는 거의 "L" 형상이다. 연결 리브(210)는 지지 부분(211) 및 지지 부분(211)의 제1 단부로부터 지지 부분에서 떨어진 방향으로 연장됨으로써 형성되는 제1 연장 부분(212)을 포함한다. 지지 부분(211)과 주요 매체(23) 사이 그리고 제1 연장 부분(212)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리들은 사전 설정 값보다 더 크다.

이러한 실시예에서, 지지 부분(211)의 제1 단부는 공진기(20)에서 멀리 떨어진 단부이다. 적어도 2개의 연결 리브들(210)이 있을 수 있고, 연결 리브들(210) 모두는 "L" 형상이다. 다른 실시예에서, 지지 부분(211)의 제1 단부는 또한 공진기(20)에 가까운 단부일 수 있다.

연결 리브(210)가 하단 벽(112) 상에 배치될 때, 제1 연장 부분(212)의 높이는 실제 요구들에 따라 조정될 수 있다. 제1 연장 부분(212)의 높이는 제1 연장 부분(212)이 커버 플레이트(30)를 터치하지 않고, 제1 연장 부분(212)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리가 사전 설정 값보다 더 크면, 캐비티(10)의 상단 부분에 도달할 수 있다. 연결 리브(210)가 커버 플레이트 상에 배치될 때, 제1 연장 부분(210)의 높이는 제1 연장 부분(212)이 하단 벽(112)을 터치하지 않고, 제1 연장 부분(212)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리가 사전 설정 값보다 더 크면, 실제 요구들에 따라 조정될 수 있다.

분명히, 제1 연장 부분(212)의 더 높은 높이는 연결 리브(210)의 더 큰 용적을 표시하고, 따라서 수용 캐비티의 더 큰 용적이 점유되어, 수용 캐비티에서의 공기의 더 작은 용적 및 고차 고조파의 더 높은 주파수를 야기한다. 이것은 고차 고조파에 더 좋은 밀어 버림 효과를 나타낸다.

게다가, 다른 실시예에서, 지지 부분(211)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 제1 사전 설정 값보다 더 클 수 있고, 제1 연장 부분(212)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 제2 사전 설정 값보다 더 클 수 있다. 제1 사전 설정 값은 제2 사전 설정 값과 상이하다. 지지 부분(211)과 비교하면, 제1 연장 부분(212)은 주요 매체(23)가 위치되는 자기 필드에 더 큰 영향을 미친다. 따라서, 제2 사전 설정 값은 제1 사전 설정 값보다 더 크게 설정될 수 있다.

제1 연장 부분(212)과 주요 매체(23) 사이 그리고 지지 부분(211)과 주요 매체(23) 사이의 더 먼 거리들은 주요 매체(23)가 위치되는 자기 필드에 더 적은 영향이 야기되는 것을 표시한다는 점이 주목되어야 한다.

도 9를 참조하면, 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유전체 필터(300)를 도시한다. 제3 실시예에 제공되는 유전체 필터(300)는 제2 실시예에 제공되는 유전체 필터(200)와 유사하다. 2개의 유전체 필터들 사이의 차이는 이하에 있다: 제3 실시예에서, 연결 리브(310)는 제2 연장 부분(312)을 더 포함한다. 제2 연장 부분(312)은 지지 부분(211)에서 떨어진 방향으로, 지지 부분(211)에 대한 것이고 제1 단부와 반대쪽에 있는 제2 단부를 연장함으로써 형성된다. 제2 연장 부분(312)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다.

이러한 실시예에서, 적어도 2개의 연결 리브들(210)이 있고, 모든 연결 리브들(210)은 오목 형상이다.

연결 리브(310)가 하단 벽(112) 또는 캐비티 벽(12) 상에 배치될 때, 제2 연장 부분(312)의 높이는 제2 연장 부분(312)이 커버 플레이트(30)를 터치하지 않고, 제2 연장 부분(312)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리가 사전 설정 값보다 더 크면, 실제 요구들에 따라 조정될 수 있다. 연결 리브(310)가 커버 플레이트(30) 상에 배치될 때, 제2 연장 부분(310)의 높이는 제2 연장 부분(312)이 하단 벽(112)을 터치하지 않고, 제2 연장 부분(312)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리가 사전 설정 값보다 더 크면, 실제 요구들에 따라 조정될 수 있다.

분명히, 제2 연장 부분(312)의 더 높은 높이는 연결 리브(310)의 더 큰 용적을 표시하고, 따라서 수용 캐비티(12)의 더 큰 용적이 점유되어, 수용 캐비티(12)에서의 공기의 더 작은 용적 및 고차 고조파의 더 높은 주파수를 야기한다. 이것은 고차 고조파에 좋은 밀어 버림 효과를 나타낸다.

고차 고조파의 밀어 버림 효과에 연결 리브(310)의 형상의 영향은 일 예를 사용함으로써 본원에 예시된다. 지지 부분(211)의 높이는 8 mm이다. 제1 연장 부분(212)은 캐비티 벽(12)의 상단 부분의 것과 동일한 높이를 갖는다. 제2 연장 부분(312)은 5*5의 정사각형이다. 고차 고조파의 주파수가 어떠한 제2 연장 부분(312)도 없는 310 MHz에서 370 MHz까지 올려지는 것이 실험적으로 획득되었다.

고차 고조파의 밀어 버림 효과에 연결 리브(310)의 높이의 영향은 일 예를 사용함으로써 본원에 예시된다. 4개의 연결 리브들(310)이 있고, 4개의 연결 리브들(310)은 직사각형이고 크로스 방식으로 하단 벽(112) 상에 대칭으로 배열된다. 연결 리브(310)의 높이들은 각각 2 mm, 4 mm, 및 8 mm로 설정된다. 고차 고조파의 주파수들이 2 mm, 4 mm, 및 8 mm의 높이들을 갖는 연결 리브들(310)을 사용함으로써 각각 50 MHz, 130 MHz, 및 310 MHz까지 올려지는 것이 실험적으로 획득되었다.

게다가, 다른 실시예에서, 지지 부분(211)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 제1 사전 설정 값보다 더 클 수 있고, 제1 연장 부분(212)과 주요 매체 사이의 최단 거리는 제2 사전 설정 값보다 더 크다. 제2 연장 부분(312)과 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 제3 값보다 더 크다. 제1 사전 설정 값은 제2 사전 설정 값 및 제3 사전 설정 값과 상이할 수 있다. 제2 사전 설정 값은 또한 제3 사전 설정 값과 상이할 수 있다. 지지 부분(211)과 비교하면, 제1 연장 부분(212)은 주요 매체(23)가 위치되는 자기 필드에 더 큰 영향을 미친다. 지지 부분(211)과 비교하면, 제2 연장 부분(312)은 주요 매체(23)가 위치되는 자기 필드에 더 큰 영향을 미친다. 따라서, 제2 사전 설정 값 및 제3 사전 설정 값 둘 다는 제1 사전 설정 값보다 더 크게 설정될 수 있다.

제1 연장 부분(212)과 주요 매체(23) 사이, 제2 연장 부분(312)과 주요 매체(23) 사이, 그리고 지지 부분(211)과 주요 매체(23) 사이의 더 먼 거리들은 주요 매체(23)가 위치되는 자기 필드에 더 적은 영향을 표시한다는 점이 주목되어야 한다.

유전체 필터가 또한 상기 실시예들 중 하나 이상에서 임의의 유전체 필터를 포함할 수 있다는 점이 이해될 수 있다. 예를 들어, 하나보다 많은 유전체 필터들이 조합될 때, 그것의 캐비티 벽들이 연결될 수 있고, 그것의 커버 플레이트들이 또한 연결될 수 있다. 조합 방식을 위해, 기존 방식 또는 장래에 출현하는 방식을 언급하고, 상세들은 본원에 설명되지 않는다.

도 10을 참조하면, 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유전체 필터 구성요소(1000)를 도시한다. 유전체 필터 구성요소(1000)는 저역 통과 필터(1100) 및 유전체 필터를 포함한다. 저역 통과 필터(1100)는 더 좋은 필터 성능을 달성하기 위해 유전체 필터와 캐스케이드된다.

연결 리브(50)가 TE₀₁ 모드의 고차 고조파를 밀어 버리기 때문에, TE₀₁ 모드의 고차 고조파의 주파수가 증가된다. 저역 통과 필터(1100)는 TE₀₁ 모드의 고차 고조파에 억제를 제공하기 위해 유전체 필터와 캐스케이드되어, 더 좋은 필터링 효과는 유전체 필터가 저역 통과 필터(1100)와 캐스케이드된 후에 달성된다.

임의로, 캐스케이딩 후에 획득되는 전체 필터에 저역 통과 필터(1100)의 삽입 손실 영향을 감소시키기 위해, 실제 응용에서, 저역 통과 필터의 컷오프 주파수는 유전체 필터의 통과 대역 주파수로부터 특정 간격을 유지할 필요가 있다. 예를 들어, 유전체 필터의 통과 대역 주파수는 2620 MHz 내지 2690 MHz이고, 저역 통과 필터(1100)의 컷오프 주파수는 일반적으로 3200 MHz보다 더 높도록 요구된다. 따라서, 저역 통과 필터(1100)는 유전체 필터에서 발생되고 주파수가 3200 MHz보다 더 높은 고차 고조파 상에서만 억제를 제공할 수 있다. 연결 리브(50)가 3200 MHz보다 더 낮은 주파수를 갖는 고차 고조파의 주파수를 3200 MHz보다 더 높은 주파수로 밀어 버리면, 저역 통과 필터는 좋은 전체 필터 성능을 획득하기 위해 고조파를 억제할 수 있다.

이러한 실시예에서, 유전체 필터는 제1 실시예에 제공되는 유전체 필터(100)이다. 유전체 필터(100)의 구조체 및 기능은 제1 실시예에 상세히 설명되었고, 따라서 상세들은 본원에 다시 설명되지 않는다.

다른 실시예에서, 유전체 필터는 또한 제1 실시예에 제공되는 다른 유전체 필터일 수 있다. 도 11을 참조하면, 도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기지국(2000)을 도시한다. 기지국(2000)은 제1 실시예에 제공되는 유전체 필터(100) 또는 제2 실시예에 제공되는 유전체 필터 구성요소(1000)를 포함한다.

유전체 필터 구성요소(1000)는 저역 통과 필터(1100) 및 유전체 필터를 포함한다. 저역 통과 필터(1100)는 더 좋은 필터 성능을 달성하기 위해 유전체 필터와 캐스케이드된다. 유전체 필터는 제1 실시예에 제공되는 유전체 필터(100)이다. 유전체 필터(100)의 구조체 및 기능은 제1 실시예에 상세히 설명되었고, 따라서 상세들은 본원에 다시 설명되지 않는다.

유전체 필터는 또한 제1 실시예에 제공되는 다른 유전체 필터일 수 있다.

임의로, 유전체 필터(100)는 또한 무선 주파수 모듈에 적용된다. 임의로, 무선 주파수 모듈은 기지국(2000) 내의 무선 주파수 모듈일 수 있거나, 다른 통신 디바이스, 예컨대 레이더 시스템 내의 무선 주파수 모듈일 수 있다.

임의로, 유전체 필터(100)는 또한 송수신기 등을 위해 사용될 수 있다. 송수신기는 또한 기지국(2000) 내의 모듈일 수 있다.

이러한 실시예에서, 기지국(2000)은 유전체 필터 구성요소(1000)를 포함한다. 유전체 필터 구성요소(1000)는 저역 통과 필터(1100) 및 유전체 필터(100)를 포함한다. 유전체 필터(100)는 연결 리브(50)를 포함한다. 연결 리브(50)는 수용 캐비티(11)에 수용된다. 연결 리브(50)와 주요 매체(23) 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 크다. 연결 리브(50)가 유전체 필터(100)의 고차 고조파의 자기 필드에 수직이기 때문에, 연결 리브(50)는 자기 필드의 경로에 영향을 미쳐서, 고차 고조파의 주파수의 변화를 야기한다. 게다가, 연결 리브(50)가 수용 캐비티(11) 내부에 배치되기 때문에, 수용 캐비티(11)에서의 공기의 용적은 고차 고조파의 주파수가 더 높아지도록 더 작아진다. 따라서, 고차 고조파를 밀어 버리는 기능이 구현된다. 본 발명의 기지국(2000)은 또한 억제를 위해 고차 고조파를 밀어 버릴 때 TE₀₁ 모드의 성능을 유지한다.

최종적으로, 상기 실시예들이 본 발명의 기술적 해결법들을 설명하기 위해 의도될 뿐이지만, 본 발명을 제한하기 위해 의도되지 않는다는 점이 주목되어야 한다. 본 발명이 상기 실시예들을 참조하여 상세히 설명되지만, 본 기술분야의 통상의 기술자는 설명들이 본 발명의 보호 범위를 제한하도록 의도되지 않는 것을 이해해야 한다. 본 발명에 개시되는 기술적 범위 내에서 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 용이하게 이해되는 임의의 변화 또는 대체는 본 발명의 보호 범위 내에 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 청구항들의 보호 범위를 받을 것이다.

Claims

유전체 필터로서,
캐비티 - 상기 캐비티는 수용 캐비티(accommodating cavity) 및 상기 수용 캐비티를 둘러싸는 캐비티 벽을 포함함 -;
공진기 - 상기 공진기는 상기 수용 캐비티 내부에 배치되고, 상기 공진기는 지지 매체 및 주요 매체를 포함하고, 상기 지지 매체는 상기 수용 캐비티의 하단 벽 상에 배치되고, 상기 주요 매체는 상기 지지 매체 상에 배치됨 -;
커버 플레이트 - 상기 커버 플레이트는 상기 수용 캐비티를 폐쇄하기 위해 상기 캐비티를 커버함 -; 및
연결 리브(connecting rib) - 상기 연결 리브는 상기 수용 캐비티에 수용되고, 상기 공진기의 중심 축으로부터 상기 캐비티 벽 위로 방사되는 방사선과 상기 공진기의 중심 축 사이에 형성되는 방사선 평면 상에 배치되며, 상기 연결 리브와 상기 주요 매체 사이의 최단 거리는 사전 설정 값보다 더 큼 -
를 포함하는 유전체 필터.
제1항에 있어서, 상기 연결 리브는 상기 수용 캐비티의 상기 하단 벽, 상기 커버 플레이트, 또는 상기 수용 캐비티의 상기 캐비티 벽 중 적어도 하나 상에 배치되는 유전체 필터.
제2항에 있어서, 상기 유전체 필터는 조정 부재(tuning member)를 더 포함하며, 상기 조정 부재는 상기 커버 플레이트 상에 배치되고, 상기 조정 부재의 중심 축은 상기 커버 플레이트의 중심 축과 동일하고; 상기 연결 리브가 상기 수용 캐비티의 상기 하단 벽 또는 상기 수용 캐비티의 상기 캐비티 벽 중 적어도 하나 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 지지 매체 및 상기 수용 캐비티의 상기 캐비티 벽에 연결되고; 상기 연결 리브가 상기 커버 플레이트 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 조정 부재 및 상기 수용 캐비티의 상기 캐비티 벽에 연결되는 유전체 필터.
제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 방사선 평면은 상기 하단 벽 상에 제1 돌출부를 형성하고; 상기 연결 리브가 상기 수용 캐비티의 상기 하단 벽 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 하단 벽 상에 제2 돌출부를 형성하고, 상기 제2 돌출부는 상기 공진기로부터 상기 캐비티 벽으로의 방향으로 중심 라인 상에서 상기 제1 돌출부와 오버랩(overlap)되고; 상기 연결 리브가 상기 캐비티 벽 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 하단 벽 상에 제3 돌출부를 형성하고, 상기 제3 돌출부는 상기 공진기로부터 상기 캐비티 벽으로의 방향으로 상기 중심 라인 상에서 상기 제1 돌출부와 오버랩되고; 상기 연결 리브가 상기 커버 플레이트 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 커버 플레이트 상에 제4 돌출부를 형성하고, 상기 제4 돌출부는 상기 커버 플레이트의 상기 중심 축으로부터 상기 캐비티 벽으로의 방향으로 중심 라인 상에서 상기 제1 돌출부와 오버랩되는 유전체 필터.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결 리브가 상기 수용 캐비티의 상기 하단 벽 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 하단 벽과 통합되고; 상기 연결 리브가 상기 수용 캐비티의 상기 캐비티 벽 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 캐비티 벽과 통합되고; 상기 연결 리브가 상기 커버 플레이트 상에 배치될 때, 상기 연결 리브는 상기 커버 플레이트와 통합되는 유전체 필터.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연결 리브는 지지 부분 및 상기 지지 부분에서 떨어진 방향으로 상기 지지 부분의 제1 단부를 연장함으로써 형성되는 제1 연장 부분을 포함하고, 상기 지지 부분과 상기 주요 매체 사이 그리고 상기 제1 연장 부분과 상기 주요 매체 사이의 최단 거리들은 상기 사전 설정 값보다 더 큰 유전체 필터.
제6항에 있어서, 상기 연결 리브는 제2 연장 부분을 더 포함하며, 상기 제2 연장 부분은 상기 지지 부분에서 떨어진 방향으로, 상기 지지 부분의 것이고 상기 제1 단부와 반대쪽에 있는 제2 단부를 연장함으로써 형성되고, 상기 제2 연장 부분과 상기 주요 매체 사이의 최단 거리는 상기 사전 설정 값보다 더 큰 유전체 필터.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 2개의 연결 리브가 있고; 상기 공진기의 중심 축이 중심 라인인 경우, 상기 적어도 2개의 연결 리브는 상기 중심 라인 주위에 균일하게 배열되는 유전체 필터.
제2항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 연결 리브들이 상기 하단 벽, 상기 캐비티 벽, 및 상기 커버 플레이트 중 어느 2개 상에 배치될 때, 상기 하단 벽, 상기 캐비티 벽, 및 상기 커버 플레이트 중 상기 어느 2개 상에 배치되는 연결 리브들은 서로 접촉되지 않거나; 연결 리브들이 상기 하단 벽, 상기 캐비티 벽, 및 상기 커버 플레이트 전부 상에 배치될 때, 상기 하단 벽, 상기 캐비티 벽, 및 상기 커버 플레이트 상에 배치되는 상기 연결 리브들은 서로 접촉되지 않는 유전체 필터.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 사전 설정 값은 2 mm인 유전체 필터.
저역 통과 필터 및 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 유전체 공진기를 포함하며, 상기 저역 통과 필터는 상기 유전체 필터와 캐스케이드(cascade)되는, 유전체 필터 구성요소.
제11항에 따른 유전체 필터 구성요소를 포함하는 기지국.