CN107112616B - 一种介质滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种介质滤波器,包括腔体、谐振腔、盖板及连筋。腔体包括收容空腔及包围收容空腔的腔壁。谐振器设置于收容空腔内,谐振器包括支撑介质及主介质,支撑介质设置于收容空腔内的底壁上;主介质设置于支撑介质上。盖板盖合于腔体上,以封闭收容空腔。连筋收容于收容空腔内,且设置于谐振器的中心轴向腔壁辐射的辐射线与谐振器的中心轴之间形成的辐射面上,连筋距离所述主介质的最短距离大于预设值。本发明实现了对高次谐波进行推远的目的。本发明还提供了一种介质滤波器组件及基站。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种介质滤波器。
背景技术
由于无线电通信技术的发展,低成本、高性能的无线通信收发系统需要高性能的滤波器。介质滤波器由于其体积小、损耗小、选择性高而逐渐广泛应用到各类通信系统中。介质滤波器利用介质材料(如陶瓷)的低损耗、高介电常数、频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点设计制成,通常可由数个长型谐振器纵向多级串联或并联的梯形线路构成,其特点是插入损耗小、功率容量大、带宽窄,特别适合900MHz,1.8GHz,2.4GHz,5.8GHz的滤波,可以应用于便携电话、汽车电话、无线耳机、无线麦克风、无线电台、无绳电话或一体化收发双工器等的级向耦合滤波。所述介质滤波器包括腔体、固定在腔体内的介质谐振器、盖板及调试螺钉。其中,TE01模介质滤波器是介质滤波器的一种,其具有良好的单腔Q值特性。因此,TE01模介质滤波器给广泛应用于无线通信系统中,用于降低系统损耗提高效率。但是,TE01模介质滤波器也存在以下缺点:由于TE01模介质滤波器的高次谐波频率靠近TE01模频率,使得TE01模介质滤波器对高次谐波的抑制难以实现。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种介质谐振器,以对介质滤波器内的高次谐波进行推远,从而实现对高次谐波的抑制。
第一方面,提供了一种介质滤波器,包括:
腔体,所述腔体包括收容空腔及包围所述收容空腔的腔壁;
谐振器,所述谐振器设置于所述收容空腔内,所述谐振器包括支撑介质及主介质,所述支撑介质设置于所述收容空腔内的底壁上;所述主介质设置于所述支撑介质上;
盖板,所述盖板盖合于所述腔体上,以封闭所述收容空腔;及
连筋,所述连筋收容于所述收容空腔内,且设置于所述谐振器的中心轴向所述腔壁辐射的辐射线与所述谐振器的中心轴之间形成的辐射面上,所述连筋距离所述主介质的最短距离大于预设值。
在第一方面的第一种可能的实现方式中,所述连筋设置于所述收容空腔的底壁、盖板和腔壁中的至少一个上。
结合第一方面的第一种可能的实现方式,在第二种可能的实现方式中,所述介质滤波器还包括调谐件,所述调谐件设置于所述盖板上,所述调谐件的中心轴与所述盖板的中心轴相同,当所述收容空腔的底壁和腔壁中的至少一个上设置有所述连筋时,所述连筋连接所述支撑介质及所述收容空腔的腔壁;当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋连接所述调谐件及所述收容空腔的腔壁。
结合第一方面的第一种或第二种可能的实现方式,在第三种可能的实现方式中,所述辐射面在所述底壁上形成第一投影,当所述收容空腔的底壁上设置有所述连筋时,所述连筋在所述底壁上形成第二投影,所述第二投影在从所述谐振器到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合,当所述腔壁上设置有所述连筋时,所述连筋在所述底壁上形成第三投影,所述第三投影在从所述谐振器到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合,当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋在所述盖板上形成第四投影,所述第四投影在从所述盖板的中心轴到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合。
结合第一方面的第一至第三种中任一种可能的实现方式中,在第四种可能的实现方式中,当所述收容空腔的底壁上设置有所述连筋时,所述连筋与所述底壁一体成型,当所述收容空腔的腔壁上设置有所述连筋时,所述连筋与所述腔壁一体成型,当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋与所述盖体一体成型。
在第一方面的第五种可能的实现方式中,或结合第一方面的第一至第四种中任一种可能的实现方式,在在第五种可能的实现方式中,所述连筋包括支撑部及由所述支撑部的第一端向远离所述支撑部的方向延伸的第一延伸部,所述支撑部及所述第一延伸部中距离所述主介质的最短距离大于所述预设值。
结合第一方面的第五种可能的实现方式,在第六种可能的实现方式中,所述连筋还包括第二延伸部,所述第二延伸部由所述支撑部的与所述第一端相对的第二端向远离所述支撑部的方向延伸形成,所述第二延伸部中距离所述主介质的最短距离大于所述预设值。
在第一方面的第七种可能的实现方式中,或结合第一方面的第一至第六种中任一种可能的实现方式,在在第七种可能的实现方式中,连筋的数量为至少两个,所述至少两个连筋以所述谐振器的中心轴为中心线均匀地排布在所述中心线的周围。
结合第一方面的第一至第七种中任一种可能的实现方式,在第八种可能的实现方式中,当所述底壁、腔壁及盖板中任两个均设置有连筋时,设置于任两个上的连筋不接触,或当所述底壁、腔壁及盖板均设置有连筋时,分别设置于所述底壁、腔壁及盖板上的连筋均未接触。
在第一方面的第九种可能的实现方式中,或结合第一方面的第一至第八种中任一种可能的实现方式,在在第九种可能的实现方式中,所述预设值为2mm。
第二方面提供一种介质滤波器组件,包括低通滤波器及上述第一方面的各个实现方式中提供的介质谐振器,所述低通滤波器与所述介质滤波器级联。
第三方面提供一种基站,包括上述第二方面提供的介质滤波器组件。
本发明中,所述介质滤波器包括腔体、谐振腔、盖板及连筋。所述腔体包括收容空腔及包围所述收容空腔的腔壁。所述谐振器设置于所述收容空腔内,所述谐振器包括支撑介质及主介质,所述支撑介质设置于所述收容空腔内的底壁上;所述主介质设置于所述支撑介质上。所述盖板盖合于所述腔体上,以封闭所述收容空腔。所述连筋收容于所述收容空腔内,且设置于所述谐振器的中心轴向所述腔壁辐射的辐射线与所述谐振器的中心轴之间形成的辐射面上,所述连筋距离所述主介质的最短距离大于预设值。因此,由于所述连筋设置于所述谐振器的中心轴向所述腔壁辐射的辐射线与所述谐振器的中心轴I之间形成的辐射面上,所述连筋与所述介质滤波器的高次谐波的磁场正交,故所述连筋会影响所述磁场的路径,导致所述高次谐波的频率变化。进一步地,由于所述连筋设置在所述收容空腔内,使得所述收容空腔内空气的体积变小,从而使得高次谐波的频率变高,实现了对高次谐波进行推远的功能。本发明介质滤波器在对高次谐波的进行推远抑制的同时还保持了TE01模的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一实施方式提供的介质滤波器的部分分解示意图。
图2是图1的纵截面图。
图3是未设有连筋的TE01模介质滤波器的TE01模的电场分布图。
图4是未设有连筋的TE01模介质滤波器的TE01模的磁场分布图。
图5是未设有连筋的TE01模介质滤波器的高次谐波的电场分布图。
图6是未设有连筋的TE01模介质滤波器的TE01模的磁场分布图。
图7是图1中的腔体的俯视图。
图8是本发明第一实施方式提供的另一种介质滤波器的纵截面图。
图9是本发明第一实施方式提供的再一种介质滤波器的纵截面图。
图10是本发明第二实施方式提供的介质滤波器组件的框图。
图11是本发明第三实施方式提供的基站的框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面通过具体实施例,分别进行详细的说明。
请参阅图1,为本发明第一实施方式提供的一种介质滤波器100。所述介质滤波器包括腔体10、谐振器20、盖板30及连筋50。所述腔体10包括收容空腔11及包围所述收容空腔11的腔壁12。所述谐振器20设置于所述收容空腔11内。所述谐振器20包括支撑介质22及主介质23。所述支撑介质22设置于所述收容空腔11的底壁112上。所述主介质23设置于所述支撑介质22上。所述盖板30盖合于所述腔体10上,以封闭所述收容空腔11。所述连筋50收容于收容空腔于所述收容空腔11内,且设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上。所述连筋50距离所述主介质23的最短距离大于预设值。
其中,所述介质滤波器100可以为单腔介质滤波器。通常,所述腔壁12和盖板30的材料可以是金属材料,或是表面镀有金属的材料。在其他实施方式中,所述介质滤波器100也可以为多腔介质滤波器,其中,多腔介质滤波器由多个所述单腔介质滤波器组成。
需要说明的是,所述连筋50距离所述主介质23的最短距离大于预设值即为所示连筋50上的任何部位到所述主介质23的任何位置的距离均大于所述预设值。
在本实施方式中,所述连筋50可以设置于所述底壁112上。所述预设值可以为2mm。所述介质滤波器100可以为TE01模介质滤波器。所谓TE01模介质滤波器是指单腔由TE01模谐振器组成的滤波器。波导的场分布中TE模是电场完全分布在与电磁波传播方向垂直的横截面内,磁场具有传播方向分量的波型,TE01是该类型波导中的第一个TE波型。所述连筋50的材质可以为导电材料,如金属材质,比如铝。在其他的实施方式中,所述预设值可以根据实际滤波器的抑制度要求进行调整。
可选地,所述介质滤波器100还可以包括调谐件40,用于对该滤波器的工作频率进行细调。所述调谐件40可以设置于所述盖板30上,也可以有其他设置方式,比如固定于主介质23上,或是通过主介质23和盖板30之间的压力进行固定,具体方式在本发明实施例中可以不予限定。以调谐件40设置于盖板30上为例,所述主介质23、所述支撑介质22及所述调谐件40为同轴设置。所述主介质23的直径大于所述支撑介质22的直径。所述主介质23与所述支撑介质22的材质不同。所述主介质23及所述支撑介质22的材料可以是具有高介电常数,低损耗及稳定的温度系数等性质的材料,比如陶瓷,钛酸盐等。具体地,所述主介质23的介电常数大,所述支撑介质22的介电常数小,这样可以将大部分的电磁波束缚在所述主介质23里面,从而使得介质损耗小。
在其他实施方式中,所述连筋50也可以设置于盖板30或腔壁12上。当然,所述底壁112、所述盖板30及所述腔壁12中任两个上可以分别设置有连筋50,或所述底壁112、所述盖板30及所述腔壁12上可以分别设置有连筋50。
需要说明的是,当所述底壁112、所述腔壁12及所述盖板30中任两个上分别设置有连筋50,或所述底壁112、所述腔壁12及所述盖板30上均分别设置有连筋50时,设置所述底壁112、所述腔壁12及所述盖板30中任两个上的连筋50未接触,或分别设置于所述底壁112、所述腔壁12及所述盖板30上的连筋50均未接触,以防止出现结构干涉影响滤波器的性能。
可选地,所述谐振器20的中心轴I可以与所述盖板30的中心轴I相同。
可选地,所述调谐件40的中心轴I可以与所述盖板30的中心轴I相同。
需要说明的是,所述连筋50设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上,使得所述连筋50可以与高次谐波的磁场垂直,从而影响高次谐波的磁场的路径,进而改变高次谐波的频率。
对于TE01模介质滤波器,其具有高次谐波频率靠近TE01模频率的特性。请继续参阅图3-6,图3为未设有连筋的TE01模介质滤波器的TE01模的电场分布图。图4为未设有连筋的TE01模介质滤波器的TE01模的磁场分布图。图5为未设有连筋的TE01模介质滤波器的高次谐波的电场分布图。图6为未设有连筋的TE01模介质滤波器的TE01模的磁场分布图。
对于TE01模:
图3中,TE01模的电场主要集中在主介质处。在本发明实施例中,所述连筋50收容于所述收容空腔11内,且所述连筋50距离所述主介质23的最短距离大于所述预设值。所述连筋50对所述电场的影响很小,可以忽略不计。
图4中,所述TE01模的磁场呈涡轮状,所述连筋50收容于所述收容空腔11内,且设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上,即所述连筋50在所述磁场的切线方向上,故所述连筋50对所述磁场几乎没有影响。
因此,根据分析可知:所述连筋50对所述TE01模几乎未产生影响,因此所述介质滤波器100的TE01模的频率及Q值几乎不变,从而保持了TE01模的性能。所谓TE01模性能由TE01模的频率及Q值体现。所谓TE01模的Q值为在一个谐振周期内存储与损耗能量的比值。
对于高次谐波:
图5中,高次谐波的电场的一部分上垂直于主介质23的周壁,高次谐波电场的其他部分基本上垂直于所述主介质23的顶面及底面。高次谐波的垂直于主介质23的这部分电场的方向与所述连筋50的排布方式平行;垂直于所述主介质23的顶面及底面的这部分电场与所述连筋50的侧面是平行的。故所述连筋50对高次谐波的电场的影响很小,可以忽略。
图6中,高次谐波的磁场环绕主介质、支撑介质、安装台及调谐件分布。所述连筋50设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上,即所述连筋50与所述磁场正交,故所述连筋50会影响所述磁场的路径,导致所述高次谐波的频率变化。进一步地,由于所述连筋50设置在所述收容空腔11内,使得所述收容空腔11内空气的体积变小,从而使得高次谐波的频率变高,实现了对高次谐波进行推远的功能。
因此,根据上述分析可知:在本实施方式中,所述介质滤波器100包括所述连筋50。所述连筋50收容于所述收容空腔11内,设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上。所述连筋50距离所述主介质23的最小距离大于预设值。由于所述连筋50设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上,所述连筋50与所述介质滤波器100的高次谐波的磁场正交,故所述连筋50会影响所述磁场的路径,导致所述高次谐波的频率变化。进一步地,由于所述连筋50设置在所述收容空腔11内,使得所述收容空腔11内空气的体积变小,从而使得高次谐波的频率变高,实现了对高次谐波进行推远的功能。本发明介质滤波器100在对高次谐波的进行推远抑制的同时还保持了TE01模的性能。
需要说明的是,无论所述连筋50设置于所述收容空腔11的哪个位置,所述连筋50对高次谐波的推移效果取决于所述连筋50占有所述收容空腔11的体积的大小。所述连筋50占有所述收容空腔11的体积越大,所述收容空腔11内的空气体积越小,从而导致所述高次谐波的频率越高,进而使得对所述高次谐波的推远效果更好。
可选地,谐振腔20还可以包括安装台21。所述安装台21设置于所述收容空腔11的底壁112上。所述支撑介质22通过所述安装台21设置于所述收容空腔11的底壁112。其中,所述安装台21的材质可以为金属材质,如铝。经实验发现,当谐振器20通过所述安装台21固定时,本发明实施例中提供的方案的效果较好。但是,可以理解的是,具体的谐振腔的固定方式可以参考现有的一些方式,或是未来新出现的一些方式,其并不影响本发明的应用,在此不予赘述。
在其他实施方式中,所述连筋50也可以不仅仅只限定于设置在所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上,只要所述连筋50设置于TE01模的磁场的切线方向上,所述连筋50就会与所述介质滤波器100的高次谐波的磁场正交,从而影响高次谐波的磁场的路径,导致所述高次谐波的频率变化,达到相同对高次谐波进行推远的效果。
另外,所述连筋50的设置只要与高次谐波的磁场不平行,所述连筋50就会影响高次谐波的磁场的路径,可以改变高次谐波的频率,只是相较于所述连筋50与高次谐波的磁场正交对高次谐波的磁场的路径及改变高次谐波的频率的影响小。因此,当所述连筋50设置于所述谐振器20的中心轴I向所述腔壁12辐射的辐射线与所述谐振器20的中心轴I之间形成的辐射面上,所述连筋50对高次谐波进行推远的程度最好。可选地,所述连筋50可以连接所述支撑介质22及所述腔壁12。当所述谐振腔20还包括所述安装台21,且所述支撑介质22通过所述安装台21设置于所述收容空腔11的底壁112上时,所述连筋50可以连接所述安装台21及所述腔壁12。
在其他实施例中,当所述盖板30上设置有所述连筋50时,所述连筋50可以连接所述调谐件40及所述腔壁12。当所述腔壁12上设置有所述连筋50时,所述连筋50可以连接支撑介质22及所述腔壁12。
需要说明的是,当所述连筋50连接所述安装台21(或支撑介质22)及所述腔壁12,或在其他实施方式中,所述连筋50连接所述谐振件40及所述腔壁12时,所述连筋50的长度最长。在所述连筋50高度不变的情况下,所述连筋50长度最长,从而与高次谐波磁场垂直的面积最大,对高次谐波的磁场影响最大,进而对高次谐波的频率推远效果最好。
可选的,当所述底壁112上设置有所述连筋50时,所述连筋50可以与所述底壁112一体成型。当所述腔壁12上设置有所述连筋50时,所述连筋50可以与所述腔壁12一体成型。当所述盖体30上设置有所述连筋50时,所述连筋50可以与所述盖体30一体成型。因此,当所述底壁112和所述腔壁12中的至少一个设置有所述连筋50时,所述连筋50可以是通过对所述腔体10进行压铸形成,当所述盖体30上设置有所述连筋50时,所述连筋50可以是通过对所述盖板30进行压铸形成,不增加额外成本。
请参阅图7,可选地,所述连筋50的数量为至少两个,所述至少两个连筋50以所述谐振器20的中心轴I为中心线均匀地排布在所述中心线的周围可选地。所述辐射面在所述底壁上形成第一投影。具体地,在本实施方式中,所述连筋50的数量为4个。所述连筋50呈十字对称地排布于所述底壁112上。所述连筋50呈长方体状。所述连筋50的横截面呈长方形。所述连筋50的纵截面呈长方形。所述连筋50在所述底壁112上形成第二投影。所述第二投影在从所述谐振器20到所述腔壁12方向的中心线与所述第一投影重合。因此,所述连筋50与所述高次谐波的磁场正交,从而更有效地改变磁场的路径,从而更好地提高高次谐波的频率。
需要说明的是,所述连筋50也可以为其他形状,如L形等;所述连筋50的横截面及纵截面也可以为其他形状。所述连筋50的形状及其横截面、纵截面的形状,所述连筋50是否是对称结构均不影响本发明的对高次谐波的推远效果,在此可以不予限定。
在其他实施方式中,当所述腔壁12上设置有所述连筋50时,所述连筋50在所述底壁112上形成第三投影。所述第三投影在从所述谐振器20到所述腔壁12方向的中心线与所述第一投影重合。当所述盖板30上设置有所述连筋50时,所述连筋50在所述盖板30上形成第四投影,所述第四投影在从所述盖板30的中心轴到所述腔壁12方向的中心线与所述第一投影重合。
需要说明的是,每一连筋50均为独立的,多个连筋50的形状也可以不完全相同。在本实施方式中,所述连筋50的形状相同。
对于所述连筋的数量:所述连筋50的数量越多,所述收容空腔11内的空气体积越小,高次谐波的频率就越高,从而使得连筋50对高次谐波的推远效果越高。
现举例说明所述连筋50的数量对高次谐波的推远效果的影响。其中,所述连筋50为方形,高度设定为8mm,所述连筋50的数量分别为1、2、4条时,经过实验得到,其中1、2、4根连筋50分别将高次谐波的频率被推高了70MHz、170MHz、310MHz。
请参阅图8,本发明第一实施方式提供的另一种介质滤波器200。所述第二实施方式提供的介质滤波器200与所述第一实施方式提供的介质滤波器100相似,两者不同在于:在第二实施方式中,所述连筋210大概呈“L”形。所述连筋210包括支撑部211及由所述支撑部211的第一端向远离所述支撑部的方向延伸的第一延伸部212。所述支撑部211及所述第一延伸部212中距离所述主介质23的最短距离大于所述预设值。
在本实施方式中,所述支撑部211的第一端为远离所述谐振器20的一端。所述连筋210的数量为至少两个,所述连筋210均为“L”形。在其他实施方式中,所述支撑部211的第一端也可以为靠近所述谐振器20的一端。
其中,当所述连筋210设置于所述底壁112上时,所述第一延伸部212的高度可以根据实际需要调整,所述第一延伸部212的高度可以达到所述腔体10的顶部,只要未接触到所述盖体30,且所述第一延伸部212距离所述主介质23的最短距离大于所述预设值即可。当所述连筋210设置于盖体上时,所述第一延伸部210的高度可以根据实际需要调整,只要不接触到所述底壁112,且所述第一延伸部212距离所述主介质23的最短距离大于所述预设值即可。
当然,所述第一延伸部212的高度越高,所述连筋210的体积越大,占有所述收容空腔的体积越大,导致所述收容空腔内的空气体积越小,所述高次谐波的频率越高,对高次谐波的推远效果更好。
另外,在其他的实施方式中,所述支撑部211距离所述主介质23的最短距离可以大于第一预设值,所述第一延伸部212距离所述主介质23的最短距离可以大于第二预设值。所述第一预设值与所述第二预设值不同。由于所述第一延伸部212相较于所述支撑部211对所述主介质23处于的磁场影响相对较大,故可以选择所述第二预设值大于所述第一预设值。
需要说明的是,所述第一延伸部212及所述支撑部211距离所述主介质23越远,对所述主介质23处的磁场影响越小。
请参阅图9,本发明第三实施方式提供的介质滤波器300。所述第三实施方式提供的介质滤波器300与所述第二实施方式提供的介质滤波器200相似,两者不同在于:在第三实施方式中,所述连筋310还包括第二延伸部312。所述第二延伸部312由所述支撑部211的与所述第一端相对的第二端向远离所述支撑部211的方向延伸形成。所述第二延伸部312中距离所述主介质23的最短距离大于所述预设值。
在本实施方式中,所述连筋210的数量为至少两个,所述连筋210均为“凹”形。
其中,当所述连筋310设置于底壁112或腔壁12上时,所述第二延伸部312的高度可以根据实际需要调整,只要未接触到所述盖体30,且所述第二延伸部312距离所述主介质23的最短距离大于预设值即可。当所述连筋310设置于盖体30上时,所述第二延伸部310的高度可以根据实际需要调整,只要不接触到所述底壁112,且所述第二延伸部312距离所述主介质23的最短距离大于所述预设值即可。
当然,所述第二延伸部312的高度越高,所述连筋310的体积越大,占有所述收容空腔12的体积越大,导致所述收容空腔12内的空气体积越小,所述高次谐波的频率越高,对高次谐波的推远效果更好。
现举例说明所述连筋310的形状对高次谐波的推远效果的影响。其中,所述支撑部211的高度为8mm,所述第一延伸部212与所述腔壁12的顶部同高,所述第二延伸部312为5*5的方形,经过实验得到高次谐波的频率从未有所述第二延伸部312时的310MHz被推高到370MHz。
现举例说明所述连筋310的高度对高次谐波的推远效果的影响。其中,所述连筋310为4根,且4根连筋310为长方形,且呈十字对称地排布于底壁112上,设定所述连筋310的高度分别为2mm、4mm、8mm,经过实验得到,其中高度为2mm、4mm、8mm的连筋310分别将高次谐波的频率被推高为50MHz、130MHz、310MHz。
另外,在其他的实施方式中,所述支撑部211距离所述主介质23的最短距离可以大于第一预设值,所述第一延伸部212距离所述主介质的最短距离大于第二预设值。所述第二延伸部312距离所述主介质23的最短距离大于第三预设值。所述第一预设值可以与所述第二及第三预设值不同。所述第二预设值也可以与所述第三预设值不同。由于所述第一延伸部212相较于所述支撑部211对所述主介质23处于的磁场影响相对较大,所述第二延伸部312相较于所述支撑部211对所述主介质23处于的磁场影响相对较大,故可以选择所述第二及第三预设值均大于所述第一预设值。
需要说明的是,所述第一延伸部212、所述第二延伸部312及所述支撑部211距离所述主介质23越远,对所述主介质23处的磁场影响越小。
可以理解的是,一个介质滤波器还可以由一个或多于一个以上实施例中的任意一种介质滤波器组成。示例的,多于一个介质滤波器组合时,其腔壁可以是相连的,盖板也可以是相连的。此组合方式可以参考现有的方式或未来发展出的方式,在此不予赘述。
请参阅图10,本发明第二实施方式提供一种介质滤波器组件1000。所述介质滤波器组件1000包括低通滤波器1100及介质滤波器。所述低通滤波器1100与所述介质滤波器级联,以实现一个更好的滤波器性能。
其中,由于所述连筋50对TE01的高次谐波的推远,使得TE01的高次谐波的频率被提高。所述低通滤波器1100级联所述介质滤波器,可以对TE01模的高次谐波提供抑制,使得介质滤波器与低通滤波器1100级联后的滤波效果更好。
可选地,为减小低通滤波器1100对级联后整体滤波器的插损影响,实际应用中低通滤波器的截止频率需要与介质滤波器的通带频率保持一定的间隔。例如介质滤波器通带频率2620MHz-2690MHz,低通滤波器1100的截止频率一般要求高于3200MHz,因此低通滤波器1100只能对介质滤波器中产生的高于3200MHz的高次谐波提供抑制。如果所述连筋50把低于3200MHz的高次谐波频率推远到高于3200MHz,从而使得低通滤波器能够抑制该谐波而得到好的整体滤波器性能。
在本实施方式中,所述介质滤波器为上述第一实施方式提供的介质滤波器100。所述介质滤波器100的结构及功能已在第一实施方式中进行了具体的说明,故在此不再赘述。
在其他实施方式中,所述介质滤波器也可以为第一实施方式提供的其他介质滤波器。请参阅图11,本发明第三实施方式提供一种基站2000。所述基站2000包括上述第一实施方式提供的介质滤波器100,或第二实施方式提供的介质滤波器组件1000。
其中,所述介质滤波器组件1000包括低通滤波器1100及介质滤波器。所述低通滤波器1100与所述介质滤波器级联,以实现一个更好的滤波器性能。所述介质滤波器为上述第一实施方式提供的介质滤波器100。所述介质滤波器100的结构及功能已在第一实施方式中进行了具体的说明,故在此不再赘述。
所述介质滤波器也可以为第一实施方式提供的其他介质滤波器。
可选的,所述介质滤波器100还应用于射频模块。可选的,该射频模块可以为基站2000中的射频模块,也可以为其他通讯设备中的射频模块,如雷达系统中的。
可选的,所述介质滤波器100也可以用于收发信机等。该收发信机也可以为所述基站2000中的模块。
在本实施方式中,所述基站2000包括所述介质滤波器组件1000。所述介质滤波器组件1000包括低通滤波器1100及所述介质滤波器100。所述介质滤波器100包括所述连筋50。所述连筋50收容空腔收容于所述收容空腔11内。所述连筋50距离所述主介质23的最小距离大于预设值。由于所述连筋50与所述介质滤波器100的高次谐波的磁场正交,故所述连筋50会影响所述磁场的路径,导致所述高次谐波的频率变化。进一步地,由于所述连筋50设置在所述收容空腔11内,使得所述收容空腔11内空气的体积变小,从而使得高次谐波的频率变高,实现了对高次谐波进行推远的功能。本发明基站2000在对高次谐波的进行推远抑制的同时还保持了TE01模的性能。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种介质滤波器,包括:
腔体,所述腔体包括收容空腔及包围所述收容空腔的腔壁;
谐振器,所述谐振器设置于所述收容空腔内,所述谐振器包括支撑介质及主介质,所述支撑介质设置于所述收容空腔内的底壁上;所述主介质设置于所述支撑介质上;
盖板,所述盖板盖合于所述腔体上,以封闭所述收容空腔;及
连筋,所述连筋收容于所述收容空腔内,且设置于所述谐振器的中心轴向所述腔壁辐射的辐射线与所述谐振器的中心轴之间形成的辐射面上,所述连筋距离所述主介质的最短距离大于预设值;
其中,所述连筋包括支撑部及由所述支撑部的第一端向远离所述支撑部的方向延伸的第一延伸部,所述支撑部及所述第一延伸部中距离所述主介质的最短距离大于所述预设值。
2.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述连筋设置于所述收容空腔的底壁、盖板和腔壁中的至少一个上。
3.如权利要求2所述的介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器还包括调谐件,所述调谐件设置于所述盖板上,所述调谐件的中心轴与所述盖板的中心轴相同,当所述收容空腔的底壁和腔壁中的至少一个上设置有所述连筋时,所述连筋连接所述支撑介质及所述收容空腔的腔壁;当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋连接所述调谐件及所述收容空腔的腔壁。
4.如权利要求2所述的介质滤波器,其特征在于,所述辐射面在所述底壁上形成第一投影,当所述收容空腔的底壁上设置有所述连筋时,所述连筋在所述底壁上形成第二投影,所述第二投影在从所述谐振器到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合,当所述腔壁上设置有所述连筋时,所述连筋在所述底壁上形成第三投影,所述第三投影在从所述谐振器到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合,当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋在所述盖板上形成第四投影,所述第四投影在从所述盖板的中心轴到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合。
5.如权利要求3所述的介质滤波器,其特征在于,所述辐射面在所述底壁上形成第一投影,当所述收容空腔的底壁上设置有所述连筋时,所述连筋在所述底壁上形成第二投影,所述第二投影在从所述谐振器到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合,当所述腔壁上设置有所述连筋时,所述连筋在所述底壁上形成第三投影,所述第三投影在从所述谐振器到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合,当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋在所述盖板上形成第四投影,所述第四投影在从所述盖板的中心轴到所述腔壁方向的中心线与所述第一投影重合。
6.如权利要求2-5任一项所述的介质滤波器,其特征在于,当所述收容空腔的底壁上设置有所述连筋时,所述连筋与所述底壁一体成型,当所述收容空腔的腔壁上设置有所述连筋时,所述连筋与所述腔壁一体成型,当所述盖板上设置有所述连筋时,所述连筋与所述盖板一体成型。
7.一种介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器具有权利要求1至6任意一项所述介质滤波器的全部特征,并且,所述连筋还包括第二延伸部,所述第二延伸部由所述支撑部的与所述第一端相对的第二端向远离所述支撑部的方向延伸形成,所述第二延伸部中距离所述主介质的最短距离大于所述预设值。
8.一种介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器具有权利要求1至7任意一项所述介质滤波器的全部特征,并且,连筋的数量为至少两个,所述至少两个连筋以所述谐振器的中心轴为中心线均匀地排布在所述中心线的周围。
9.如一种介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器具有权利要求2至8任意一项所述介质滤波器的全部特征,并且,当所述底壁、腔壁及盖板中任两个均设置有连筋时,设置于任两个上的连筋不接触,或当所述底壁、腔壁及盖板均设置有连筋时,分别设置于所述底壁、腔壁及盖板上的连筋均未接触。
10.一种介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器具有权利要求1至9任意一项所述介质滤波器的全部特征,并且,所述预设值为2mm。
11.一种介质滤波器组件,包括低通滤波器及如权利要求1-10任一项所述的介质谐振器,所述低通滤波器与所述介质滤波器级联。
12.一种基站,包括如权利要求11所述的介质滤波器组件。
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