KR20170139285A - Apparatus for Processing Substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus which includes a process chamber, a substrate supporting unit which is installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotates in a first rotation direction, a chamber lid covering the upper side of the process chamber, a source gas spray unit which is installed in the chamber lid and sprays a source gas to the substrate located in a source gas spray region, and a reducing agent spraying unit which is installed in the chamber lid in a position separated from the source gas spray unit along the first rotation direction and sprays the reducing agent reacting with the source gas on the substrate located in a reducing agent spray region via the source gas spray region. Accordingly, the present invention can increase the productivity of the substrate on which a deposition process is completed in case a thin film made of low reactant materials is deposited on the substrate.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Processing Substrate}[0001] Apparatus for Processing Substrate [

본 발명은 기판 상에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for depositing a thin film on a substrate.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 상에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on a substrate. To this end, A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film of an exposed portion are performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma is widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 및 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각 장치 등이 있다.A plasma processing apparatus using a plasma includes a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, and a plasma etching apparatus for patterning a thin film by etching.

도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치에 대한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 챔버(11), 플라즈마 전극(12), 서셉터(13), 및 가스 분사 수단(14)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 according to the prior art includes a chamber 11, a plasma electrode 12, a susceptor 13, and a gas jetting means 14.

상기 챔버(11)는 기판 처리 공정을 위한 공정 공간을 제공한다. 상기 챔버(11)의 일측 바닥면은 배기구(111)에 연통된다. 상기 배기구(111)는 상기 공정 공간을 배기시키기 위한 것이다.The chamber 11 provides a processing space for the substrate processing process. One side of the chamber 11 communicates with the exhaust port 111. The exhaust port (111) is for exhausting the process space.

상기 플라즈마 전극(12)은 상기 챔버(11)의 상부에 설치된다. 이에 따라, 상기 플라즈마 전극(12)은 상기 공정 공간을 밀폐한다.The plasma electrode 12 is installed on the upper portion of the chamber 11. Accordingly, the plasma electrode 12 seals the process space.

상기 플라즈마 전극(12)의 일측은 정합 부재(121)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(122)에 전기적으로 접속된다. 상기 RF 전원(122)은 RF 전력을 생성하여 상기 플라즈마 전극(12)에 공급한다. 상기 플라즈마 전극(12)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 공정가스를 공급하는 가스 공급 관(123)에 연통된다.One side of the plasma electrode 12 is electrically connected to a RF power source 122 through a matching member 121. The RF power source 122 generates and supplies RF power to the plasma electrode 12. A central portion of the plasma electrode 12 is connected to a gas supply pipe 123 for supplying a process gas for a substrate processing process.

상기 정합 부재(121)는 상기 플라즈마 전극(12)과 상기 RF 전원(122)에 접속되어서 상기 RF 전원(122)으로부터 상기 플라즈마 전극(12)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching member 121 is connected to the plasma electrode 12 and the RF power source 122 to match the load impedance and the source impedance of the RF power supplied from the RF power source 122 to the plasma electrode 12 .

상기 서셉터(13)는 상기 챔버(11)의 내부에 설치된다. 상기 서셉터(13)는 상기 챔버(11)의 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(S)을 지지한다. 상기 서셉터(13)는 상기 플라즈마 전극(12)에 대향되는 대향 전극(또는 접지 전극)의 역할을 한다.The susceptor 13 is installed inside the chamber 11. The susceptor 13 supports a plurality of substrates S loaded from the outside of the chamber 11. The susceptor 13 serves as a counter electrode (or a ground electrode) opposed to the plasma electrode 12.

상기 가스 분사 수단(14)은 상기 서셉터(13)에 대향되도록 상기 플라즈마 전극(12)의 하부에 설치된다. 상기 가스 분사 수단(14)과 상기 플라즈마 전극(12) 사이에는 상기 가스 공급 관(123)으로부터 공급되는 공정가스가 확산되는 가스 확산 공간(141)이 형성된다. 상기 가스 공급 관(123)은 상기 플라즈마 전극(12)을 관통하여 형성된다. 상기 가스 분사 수단(14)은 상기 가스 확산 공간(141)에 연통된 복수의 가스 분사 홀(142)을 통해 공정가스를 상기 공정 공간에 분사한다.The gas injection means 14 is installed below the plasma electrode 12 so as to face the susceptor 13. A gas diffusion space 141 through which the process gas supplied from the gas supply pipe 123 is diffused is formed between the gas injection means 14 and the plasma electrode 12. The gas supply pipe 123 is formed through the plasma electrode 12. The gas injection means 14 injects the process gas into the process space through a plurality of gas injection holes 142 communicated with the gas diffusion space 141.

이와 같은, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 상기 기판(S)을 상기 서셉터(13)에 로딩시킨 다음, 상기 챔버(11)의 공정 공간에 소정의 공정가스를 분사하면서 상기 플라즈마 전극(12)에 RF 전력을 공급하여 플라즈마를 형성함으로써 상기 기판(S) 상에 소정의 박막을 형성하게 된다.The substrate processing apparatus 10 according to the related art loads the substrate S onto the susceptor 13 and then injects a predetermined process gas into the process space of the chamber 11, A predetermined thin film is formed on the substrate S by supplying RF power to the substrate 12 to form a plasma.

그러나, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the substrate processing apparatus 10 according to the related art has the following problems.

첫째, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 공간에 소스가스를 분사하는 공정, 소스가스를 퍼지하는 공정, 공정 공간에 반응가스를 분사하는 공정, 및 반응가스를 퍼지하는 공정을 1 사이클(Cycle)로 하여 기판(S) 상에 박막을 증착하였다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 루테늄(Ruthenium, Ru) 등과 같이 반응성이 낮은 물질로 이루어진 박막을 기판(S) 상에 증착하는 경우, 증착에 걸리는 소요 시간이 증가함에 따라 양산성이 저하되는 문제가 있다.First, the substrate processing apparatus 10 according to the related art is provided with a process of injecting a source gas into a process space, a process of purging the source gas, a process of injecting the reaction gas into the process space, and a process of purging the reaction gas, A thin film was deposited on the substrate S in a cycle. Accordingly, when a thin film made of a material having a low reactivity such as ruthenium (Ru) or the like is deposited on the substrate S, the substrate processing apparatus 10 according to the related art increases the time required for deposition, There is a problem that the property is deteriorated.

둘째, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 루테늄으로 이루어진 박막을 기판(S) 상에 증착하는 경우, 산소 등과 같은 산화제를 이용하여 기판 처리 공정을 수행하였다. 이에 따라, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 박막 내에 산소 불순물(Impurity)이 남아있게 되므로, 기판(S) 상에 증착된 박막에 대한 막질이 저하되는 문제가 있다.Secondly, in the substrate processing apparatus 10 according to the related art, when a thin film made of ruthenium is deposited on the substrate S, a substrate processing process is performed using an oxidizing agent such as oxygen. Accordingly, since the substrate processing apparatus 10 according to the related art has oxygen impurities remaining in the thin film, the film quality of the thin film deposited on the substrate S is deteriorated.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 반응성이 낮은 물질로 이루어진 박막을 기판 상에 증착하는 경우에도 양산성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a decrease in mass productivity even when a thin film made of a material having a low reactivity is deposited on a substrate.

본 발명은 산소 등과 같은 산화제를 이용함에 따라 기판 상에 증착된 박막에 대한 막질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing deterioration of film quality of a thin film deposited on a substrate by using an oxidizing agent such as oxygen.

상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 하기와 같은 구성을 포함할 수 있다.In order to solve the above-described problems, the present invention can include the following configuration.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정챔버; 복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 제1회전방향으로 회전하는 기판지지부; 상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드; 상기 챔버리드에 설치되고, 소스가스 분사영역에 위치한 기판에 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부; 상기 소스가스 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 소스가스 분사영역을 거쳐 환원제 분사영역에 위치한 기판에 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 및 상기 환원제 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 환원제 분사영역을 거쳐 후처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 후처리공정을 수행하는 후처리부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber; A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a first rotation direction; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber; A source gas spraying part installed in the chamber lid and spraying a source gas to a substrate placed in the source gas spraying area; And a reducing agent sprayer for spraying a reducing agent that reacts with the source gas to a substrate positioned in the reducing agent spraying region through the source gas spraying region, the reducing agent spraying portion being provided in the chamber lid at a position spaced apart from the source gas spraying portion in the first rotation direction, Quasi; And a post-processing unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the reductant jetting unit in the first rotation direction and performing a post-treatment process using a plasma on a substrate positioned in a post-treatment zone via the reducing agent jetting zone, . ≪ / RTI >

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정챔버; 복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 제1회전방향으로 회전하는 기판지지부; 상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드; 상기 챔버리드에 설치되고, 소스가스 분사영역에 위치한 기판에 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부; 상기 소스가스 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 소스가스 분사영역을 거쳐 전처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 전처리공정을 수행하는 전처리부; 및 상기 전처리부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 전처리영역을 거쳐 환원제 분사영역에 위치한 기판에 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사하는 환원제 분사부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber; A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a first rotation direction; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber; A source gas spraying part installed in the chamber lid and spraying a source gas to a substrate placed in the source gas spraying area; A pretreatment unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the source gas spraying unit in the first rotation direction and performing a pretreatment process using a plasma on a substrate positioned in a pretreatment region through the source gas injection region; And a reducing agent injecting unit disposed in the chamber lid at a position spaced apart from the pre-processing unit in the first rotation direction and injecting a reducing agent reacting with the source gas to a substrate positioned in the reducing agent injection region through the pretreatment region .

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정챔버; 복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 제1회전방향으로 회전하는 기판지지부; 상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드; 상기 챔버리드에 설치되고, 소스가스 분사영역에 위치한 기판에 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부; 상기 소스가스 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 소스가스 분사영역을 거쳐 전처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 전처리공정을 수행하는 전처리부; 상기 전처리부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 전처리영역을 거쳐 환원제 분사영역에 위치한 기판에 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 및 상기 환원제 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 환원제 분사영역을 거쳐 후처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 후처리공정을 수행하는 후처리부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a processing chamber; A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a first rotation direction; A chamber lid covering an upper portion of the process chamber; A source gas spraying part installed in the chamber lid and spraying a source gas to a substrate placed in the source gas spraying area; A pretreatment unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the source gas spraying unit in the first rotation direction and performing a pretreatment process using a plasma on a substrate positioned in a pretreatment region through the source gas injection region; A reducing agent spraying unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the pre-processing unit in the first rotation direction and spraying a reducing agent reacting with the source gas to a substrate positioned in the reducing agent spraying area through the pretreatment zone; And a post-processing unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the reductant jetting unit in the first rotation direction and performing a post-treatment process using a plasma on a substrate positioned in a post-treatment zone via the reducing agent jetting zone, . ≪ / RTI >

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.According to the present invention, the following effects can be achieved.

본 발명은 복수개의 기판에 대해 동시에 처리공정이 이루어질 수 있도록 구현됨으로써, 반응성이 낮은 물질로 이루어진 박막을 기판 상에 증착하는 경우에도 증착공정이 완료된 기판에 대한 양산성을 증대시킬 수 있다.The present invention is embodied so that a plurality of substrates can be simultaneously processed. Thus, even when a thin film made of a material having low reactivity is deposited on a substrate, the mass production of the substrate after the deposition process can be increased.

본 발명은 환원제를 이용하여 환원 반응을 통해 기판에 박막을 증착하도록 구현됨으로써, 박막 내에 남게 되는 산소 불순물의 양을 감소시킬 수 있으므로, 기판 상에 증착된 박막에 대한 막질을 향상시킬 수 있다.The present invention is embodied by depositing a thin film on a substrate through a reduction reaction using a reducing agent, thereby reducing the amount of oxygen impurities remaining in the thin film, thereby improving the film quality of the thin film deposited on the substrate.

도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치에 대한 개략적인 단면도
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 개략적인 분해 사시도
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 개념적인 사시도
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서 도 2의 I-I 선을 기준으로 나타낸 소스가스 분사부의 개략적인 단면도
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서 도 2의 Ⅱ-Ⅱ 선을 기준으로 나타낸 환원제 분사부의 개략적인 단면도
도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 기준으로 나타낸 후처리부의 개략적인 단면도
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 개념적인 평면도
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 있어서 전처리부의 개략적인 단면도
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 개념적인 평면도
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 개념적인 평면도
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치가 수행한 박막 증착 결과를 나타낸 도면1 is a schematic cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus;
2 is a schematic exploded perspective view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a conceptual perspective view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of the source gas injecting portion shown with reference to line II in Fig. 2 in the substrate processing apparatus according to the present invention
5 is a schematic cross-sectional view of the reducing agent jetting unit shown on the line II-II in FIG. 2 in the substrate processing apparatus according to the present invention
Fig. 6 is a schematic sectional view of a post-processing unit, which is based on the line III-III in Fig. 2 in the substrate processing apparatus according to the present invention
7 is a conceptual plan view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view of the pretreatment unit in the substrate processing apparatus according to the present invention
9 is a conceptual plan view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention
10 is a conceptual plan view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention
11 is a view showing a result of thin film deposition performed by the substrate processing apparatus according to the present invention

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판(S)에 박막을 증착하기 위한 증착공정을 수행하는 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 증착공정이 이루어지는 공정챔버(2), 상기 공정챔버(2) 내에 설치되는 기판지지부(3), 상기 공정챔버(2)의 상부를 덮는 챔버리드(4), 상기 챔버리드(4)에 설치되는 소스가스 분사부(5), 및 상기 챔버리드(4)에 설치되는 환원제 분사부(6)를 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention performs a deposition process for depositing a thin film on a substrate S. The substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes a process chamber 2 in which the deposition process is performed, a substrate support 3 installed in the process chamber 2, a chamber lead A source gas spraying unit 5 installed on the chamber lid 4 and a reducing agent spraying unit 6 installed on the chamber lid 4. [

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 공정챔버(2)는 상기 증착공정이 이루어지는 공정공간을 제공하는 것이다. 상기 공정챔버(2)에는 상기 기판지지부(3) 및 상기 챔버리드(5)가 설치될 수 있다. 상기 공정챔버(2)에는 상기 공정공간에 존재하는 가스 등을 배기시키기 위한 배기부가 설치될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the process chamber 2 provides a process space in which the deposition process is performed. The substrate support 3 and the chamber lid 5 may be installed in the process chamber 2. The process chamber 2 may be provided with an exhaust unit for exhausting gases and the like existing in the process space.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 기판지지부(3)는 복수개의 기판(S)을 지지하는 것이다. 상기 기판(S)들은 상기 공정챔버(2)의 외부에 설치된 로딩장치(미도시)에 의해 이송된 것이다. 상기 기판(S)들은 반도체 기판 또는 웨이퍼일 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the substrate support 3 supports a plurality of substrates S. The substrates S are transferred by a loading device (not shown) installed outside the process chamber 2. The substrates S may be a semiconductor substrate or a wafer.

상기 기판지지부(3)는 상기 공정챔버(2)의 내부에 위치하도록 상기 공정챔버(2)에 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 상기 공정챔버(2)에 회전 가능하게 설치될 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전할 수 있다. 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 중심으로 시계방향 또는 반시계방향일 수 있다. 이 경우, 상기 기판(S)들은 상기 기판지지부(3)의 회전축을 중심으로 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 서로 동일한 각도로 이격되어 배치되도록 상기 기판지지부(3)에 지지될 수 있다. 상기 기판지지부(3)는 구동부(미도시)에 의해 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전할 수 있다. 상기 구동부는 상기 기판지지부(3)를 회전시키기 위한 회전력을 발생시키는 모터를 포함할 수 있다. 상기 구동부는 상기 모터 및 상기 기판지지부(3)를 연결하는 동력전달부(미도시)를 더 포함할 수도 있다. 상기 동력전달부는 풀리, 벨트, 체인, 기어 등일 수 있다. 상기 구동부는 상기 공정챔버(2)의 외부에 위치하도록 상기 공정챔버(2)에 설치될 수 있다.The substrate support 3 may be installed in the process chamber 2 to be located inside the process chamber 2. The substrate support 3 may be rotatably installed in the process chamber 2. The substrate support 3 can rotate in the first rotation direction (arrow R1 direction). The first rotation direction (R1 arrow direction) may be clockwise or counterclockwise about the rotation axis of the substrate supporting part 3. [ In this case, the substrates S may be supported on the substrate support 3 such that the substrates S are spaced apart from each other along the rotation axis of the substrate support 3 in the first rotation direction have. The substrate support 3 can be rotated in the first rotation direction (arrow R1 direction) by a driving unit (not shown). The driving unit may include a motor for generating a rotational force for rotating the substrate supporting unit 3. [ The driving unit may further include a power transmission unit (not shown) for connecting the motor and the substrate support unit 3. The power transmitting portion may be a pulley, a belt, a chain, a gear, or the like. The driving unit may be installed in the process chamber 2 so as to be located outside the process chamber 2.

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 챔버리드(4)는 상기 공정챔버(2)의 상부를 덮도록 상기 공정챔버(2)에 설치된다. 이에 따라, 상기 챔버리드(4)는 상기 공정공간을 밀폐시킬 수 있다. 상기 챔버리드(4) 및 상기 공정챔버(2)는 도 2에 도시된 바와 같이 6각형 구조로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 원통형 구조, 타원형 구조, 다각형 구조 등으로 형성될 수도 있다.2 and 3, the chamber lid 4 is installed in the process chamber 2 so as to cover the upper portion of the process chamber 2. Accordingly, the chamber lid 4 can seal the process space. The chamber lid 4 and the process chamber 2 may be formed in a hexagonal shape as shown in FIG. 2, but not limited thereto, and may be formed in a cylindrical shape, an elliptical shape, a polygonal shape, or the like.

도 2 내지 도 4를 참고하면, 상기 소스가스 분사부(5)는 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 소스가스 분사부(5)는 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 소스가스 분사부(5)가 설치되기 위한 소스가스 설치공(41, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 소스가스 분사부(5)는 상기 소스가스 설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 소스가스 설치공(41)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.2 to 4, the source gas injecting unit 5 is installed in the chamber lid 4. The source gas spraying unit 5 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting unit 3. The chamber lid 4 may be provided with a source gas installation hole 41 (shown in FIG. 2) for installing the source gas injection part 5. The source gas injection unit 5 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the source gas installation hole 41. The source gas installation hole 41 may be formed through the chamber lid 4.

상기 소스가스 분사부(5)는 소스가스 분사영역(50)에 소스가스를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 소스가스 분사영역(50)을 지날 수 있다. 이에 따라, 상기 소스가스 분사부(5)는 상기 소스가스 분사영역(50)에 위치한 기판(S)에 소스가스를 분사할 수 있다. 상기 소스가스 분사영역(50)은 상기 소스가스 분사부(5) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.The source gas injecting section 5 can inject the source gas into the source gas injecting region 50. In this case, the substrates S supported by the substrate supporting portion 3 can pass through the source gas ejecting region 50 as the substrate supporting portion 3 rotates in the first rotation direction (R1 direction) have. Accordingly, the source gas injecting unit 5 may inject the source gas to the substrate S located in the source gas injecting region 50. The source gas injection region 50 may be located between the source gas injection unit 5 and the substrate support unit 3.

상기 소스가스 분사부(5)는 산소 원자가 포함된 소스가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 소스가스 분사부(5)는 상기 환원제 분사부(6)에 의해 분사된 환원제와 환원 반응하는 소스가스를 분사하도록 구현된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 소스가스에 포함된 산소 원자를 제거하는 환원 반응을 이용하여 상기 기판(S)들에 박막을 증착하도록 구현됨으로써, 산소 등과 같은 산화제를 이용하는 종래 기술과 대비할 때 박막 내에 남게 되는 산소 불순물의 양을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 기판(S) 상에 증착된 박막에 대한 막질을 향상시킬 수 있다.The source gas injecting section 5 may inject a source gas containing oxygen atoms. Accordingly, the source gas spraying unit 5 is configured to spray the source gas that is subjected to the reduction reaction with the reducing agent sprayed by the reducing agent spraying unit 6. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can be realized by depositing a thin film on the substrates S by using a reduction reaction for removing oxygen atoms contained in the source gas, The amount of oxygen impurities remaining in the thin film can be reduced. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S.

상기 소스가스 분사부(5)는 소스가스 분사모듈(51, 도 4에 도시됨)을 포함할 수 있다.The source gas injection portion 5 may include a source gas injection module 51 (shown in FIG. 4).

상기 소스가스 분사모듈(51)은 상기 소스가스 분사영역(50)에 소스가스를 분사하는 것이다. 상기 소스가스 분사모듈(51)은 루테늄(Ruthenium, Ru)에 산소 원자가 포함된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 소스가스 분사모듈(51)은 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 환원제 분사부(6)에 의해 분사된 환원제를 이용하여 소스가스로부터 산소 원자를 제거하는 환원 반응을 통해 상기 기판(S) 상에 루테늄으로 이루어진 박막을 증착할 수 있다.The source gas injection module 51 injects the source gas into the source gas injection region 50. The source gas injection module 51 may inject a source gas containing oxygen atoms in ruthenium (Ru) into the source gas injection region 50. For example, the source gas injection module 51 may inject a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru into the source gas injection region 50. In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is characterized in that the reducing agent injected by the reducing agent spraying unit 6 is used to reduce oxygen atoms from the source gas to form ruthenium on the substrate S The deposited thin film can be deposited.

상기 소스가스 분사모듈(51)은 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 소스가스 분사모듈(51)은 상기 소스가스 설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 소스가스 분사모듈(51)은 소스가스 하우징(511, 도 4에 도시됨), 소스가스 통과홈(512, 도 4에 도시됨), 및 소스가스 공급공(513, 도 4에 도시됨)을 포함할 수 있다.The source gas injection module 51 may be installed in the chamber lid 4. The source gas injection module 51 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the source gas installation hole 41. The source gas injection module 51 includes a source gas housing 511 (shown in FIG. 4), a source gas pass groove 512 (shown in FIG. 4), and a source gas supply hole 513 . ≪ / RTI >

상기 소스가스 하우징(511)은 상기 소스가스 설치공(41)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 소스가스 하우징(511)은 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 챔버리드(4)에 설치되어 소스가스를 분사할 수 있는 형태이면 원통 형태 등과 같이 다른 형태로 형성될 수도 있다.The source gas housing 511 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the source gas installation hole 41. The source gas housing 511 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as long as it is provided in the chamber lid 4 and can inject the source gas. .

상기 소스가스 통과홈(512)은 상기 소스가스 하우징(511)에 형성될 수 있다. 상기 소스가스 통과홈(512)은 상기 소스가스 하우징(511)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 소스가스 하우징(511)은 상기 소스가스 통과홈(512)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 소스가스 하우징(511)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 소스가스는 상기 소스가스 통과홈(512)을 거쳐 상기 기판지지부(4)를 향해 분사됨으로써, 상기 소스가스 분사영역(50)에 위치한 기판(S)에 분사될 수 있다.The source gas passage groove 512 may be formed in the source gas housing 511. The source gas passage groove 512 may be located inside the source gas housing 511. The source gas housing 511 may be formed with one side opened through the source gas passage groove 512. The source gas housing 511 may be installed in the chamber lid 4 such that one side of the source gas housing 511 faces the substrate supporting part 3. The source gas may be injected toward the substrate support 4 through the source gas passage groove 512 to be sprayed onto the substrate S located in the source gas injection region 50.

상기 소스가스 공급공(513)은 상기 소스가스 하우징(511)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 소스가스 공급공(513)은 상기 소스가스 통과홈(512)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 소스가스 공급공(513)은 소스가스를 공급하는 소스가스 공급원(52)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 소스가스 공급원(52)이 공급한 소스가스는, 상기 소스가스 공급공(513)을 통해 상기 소스가스 통과홈(512)으로 이동한 후에, 상기 소스가스 통과홈(512)을 거쳐 상기 소스가스 분사영역(50)으로 분사될 수 있다. 상기 소스가스 공급원(52)은 루테늄에 산소 원자가 포함된 소스가스를 공급할 수 있다. 예컨대, 상기 소스가스 공급원(52)은 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 공급할 수 있다.The source gas supply holes 513 may be formed through the source gas housing 511. The source gas supply hole 513 may be formed to communicate with the source gas passage groove 512. The source gas supply hole 513 may be connected to a source gas source 52 for supplying a source gas. The source gas supplied from the source gas supply source 52 is moved to the source gas passage groove 512 through the source gas supply hole 513 and then flows through the source gas passage groove 512 Can be injected into the source gas injection region (50). The source gas source 52 may supply a source gas containing oxygen atoms to ruthenium. For example, the source gas source 52 may supply a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru.

도 2 내지 도 5를 참고하면, 상기 환원제 분사부(6)는 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 환원제 분사부(6)는 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 환원제 분사부(6)가 설치되기 위한 환원제 설치공(42, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 환원제 분사부(6)는 상기 환원제 설치공(42)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 환원제 설치공(42)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.2 to 5, the reducing agent spraying unit 6 is installed in the chamber lid 4. The reducing agent spraying part 6 may be installed on the chamber lid 4 so as to be located above the substrate supporting part 3. [ The chamber lid 4 may be provided with a reducing agent installation hole 42 (shown in FIG. 2) for installing the reducing agent spraying part 6. The reducing agent spraying part 6 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the reducing agent installation hole 42. The reducing agent installation hole (42) may be formed through the chamber lid (4).

상기 환원제 분사부(6)는 상기 소스가스 분사부(5)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 환원제 분사부(6)는 상기 소스가스 분사영역(50)을 거쳐 환원제 분사영역(60)에 위치한 기판(S)에 환원제를 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)을 순차적으로 지나면서 상기 증착공정이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)에서 각각 별개의 기판(S)에 대한 처리공정이 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 루테늄 등과 같이 반응성이 낮은 물질로 이루어진 박막을 상기 기판(S) 상에 증착하는 경우에도, 상기 증착공정이 완료된 기판(S)에 대한 양산성을 증대시킬 수 있다. 상기 환원제 분사영역(60)은 상기 환원제 분사부(6) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.The reducing agent spraying part 6 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas spraying part 5 in the first rotation direction (arrow direction R1). Accordingly, the reducing agent spraying unit 6 can spray the reducing agent to the substrate S located in the reducing agent spraying area 60 via the source gas spraying area 50. [ In this case, the substrates S supported on the substrate supporting unit 3 are moved in the first rotation direction (arrow direction R1) by the substrate supporting unit 3, The deposition process can be performed while sequentially passing through the ejection region 60. [ Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can process the substrates S separately in the source gas injection region 50 and the reducing agent injection region 60. Accordingly, even when a thin film made of a material having a low reactivity, such as ruthenium, is deposited on the substrate S, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can achieve mass productivity Can be increased. The reducing agent injection region 60 may be positioned between the reducing agent spraying unit 6 and the substrate supporting unit 3.

상기 환원제 분사부(6)는 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 산소 원자가 포함된 소스가스 및 환원제 간의 환원 반응을 통해 소스가스로부터 산소 원자를 제거함으로써, 상기 기판(S)들에 증착된 박막 내에 남게 되는 산소 불순물의 양을 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 산소 등과 같은 산화제를 이용하는 종래 기술과 대비할 때 박막 내의 남게 되는 산소 불순물의 양을 감소시킴으로써, 상기 기판(S) 상에 증착된 박막에 대한 막질을 향상시킬 수 있다.The reducing agent spraying unit 6 can spray a reducing agent that reacts with the source gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention removes oxygen atoms from the source gas through the reduction reaction between the source gas containing the oxygen atoms and the reducing agent, so that the oxygen remaining in the thin films deposited on the substrates (S) The amount of impurities can be reduced. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can reduce the amount of oxygen impurities remaining in the thin film when compared with the prior art using an oxidizing agent such as oxygen, thereby reducing the film quality of the thin film deposited on the substrate (S) Can be improved.

상기 환원제 분사부(6)는 환원제 분사모듈(61, 도 5에 도시됨)을 포함할 수 있다.The reducing agent spraying unit 6 may include a reducing agent spraying module 61 (shown in FIG. 5).

상기 환원제 분사모듈(61)은 상기 환원제 분사영역(60)에 환원제를 분사하는 것이다. 상기 소스가스 분사모듈(51)이 산소 원자가 포함된 소스가스를 분사하는 경우, 상기 환원제 분사모듈(61)은 환원 반응을 통해 소스가스로부터 산소 원자를 제거할 수 있는 환원제를 상기 환원제 분사영역(60)에 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 소스가스 분사모듈(51)이 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사하는 경우, 상기 환원제 분사모듈(61)은 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스와 환원 반응하는 환원제로 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나를 상기 환원제 분사영역(60)에 분사할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 환원 반응을 통해 상기 기판(S) 상에 루테늄으로 이루어진 박막을 증착할 수 있다.The reducing agent spraying module 61 injects a reducing agent into the reducing agent spraying area 60. When the source gas injection module 51 injects a source gas containing oxygen atoms, the reducing agent injection module 61 applies a reducing agent capable of removing oxygen atoms from the source gas through the reducing reaction to the reducing agent injection region 60 ). ≪ / RTI > For example, when the source gas injection module 51 injects a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru into the source gas injection region 50, the reducing agent injection module 61 may be formed of RuO 4 or from C 16 H 22 O 6 Ru source gas and H 2, N 2, and NH 3 as a reducing agent for the reduction reaction can be composed of any one injects the reducing agent injection region 60. In this case, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can deposit a thin film made of ruthenium on the substrate S through a reduction reaction.

상기 환원제 분사모듈(61)은 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 환원제 분사모듈(61)은 상기 환원제 설치공(42)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 환원제 분사모듈(61)은 상기 소스가스 분사모듈(51)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 환원제 분사모듈(61)은 환원제 하우징(611, 도 5에 도시됨), 환원제 통과홈(612, 도 5에 도시됨), 및 환원제 공급공(613, 도 5에 도시됨)을 포함할 수 있다.The reducing agent injection module 61 may be installed in the chamber lid 4. The reducing agent injection module 61 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the reducing agent installation hole 42. The reducing agent injection module 61 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas injection module 51 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The reducing agent injection module 61 may include a reducing agent housing 611 (shown in FIG. 5), a reducing agent passage groove 612 (shown in FIG. 5), and a reducing agent supply hole 613 have.

상기 환원제 하우징(611)은 상기 환원제 설치공(42)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 환원제 하우징(611)은 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 챔버리드(4)에 설치되어 환원제를 분사할 수 있는 형태이면 원통 형태 등과 같이 다른 형태로 형성될 수도 있다.The reducing agent housing 611 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the reducing agent installation hole 42. The reducing agent housing 611 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as long as it is provided in the chamber lid 4 and can inject a reducing agent.

상기 환원제 통과홈(612)은 상기 환원제 하우징(611)에 형성될 수 있다. 상기 환원제 통과홈(612)은 상기 환원제 하우징(611)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 환원제 하우징(611)은 상기 환원제 통과홈(612)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 환원제 하우징(611)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 환원제는 상기 환원제 통과홈(612)을 거쳐 상기 기판지지부(4)를 향해 분사됨으로써, 상기 환원제 분사영역(60)에 위치한 기판(S)에 분사될 수 있다.The reducing agent passage groove 612 may be formed in the reducing agent housing 611. The reducing agent passage groove 612 may be located inside the reducing agent housing 611. The reducing agent housing 611 may be formed with one side opened through the reducing agent passage groove 612. The reductant housing 611 may be installed in the chamber lid 4 such that an open side of the reductant housing 611 faces the substrate supporting part 3. The reducing agent may be injected toward the substrate supporting part 4 through the reducing agent passing groove 612 to be sprayed onto the substrate S located in the reducing agent jetting area 60.

상기 환원제 공급공(613)은 상기 환원제 하우징(611)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 환원제 공급공(613)은 상기 환원제 통과홈(612)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 환원제 공급공(613)은 환원제를 공급하는 환원제 공급원(52)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 환원제 공급원(52)이 공급한 환원제는, 상기 환원제 공급공(613)을 통해 상기 환원제 통과홈(612)으로 이동한 후에, 상기 환원제 통과홈(612)을 거쳐 상기 환원제 분사영역(60)으로 분사될 수 있다. 상기 환원제 공급원(52)은 루테늄에 산소 원자가 포함된 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 공급할 수 있다. 예컨대, 상기 환원제 공급원(52)은 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나로 구성된 환원제를 공급할 수 있다.The reducing agent supply hole 613 may be formed through the reducing agent housing 611. The reducing agent supply hole 613 may be formed to communicate with the reducing agent passage groove 612. The reducing agent supply hole 613 may be connected to a reducing agent supply source 52 for supplying a reducing agent. The reducing agent supplied from the reducing agent supply source 52 is moved to the reducing agent passage groove 612 through the reducing agent supply hole 613 and then flows into the reducing agent jetting region 612 through the reducing agent passage groove 612. [ 60). The reducing agent supply source 52 may supply a reducing agent that reacts with a source gas containing oxygen atoms in ruthenium. For example, the reducing agent supply source 52 may supply a reducing agent composed of any one of H 2 , N 2 , and NH 3 .

여기서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 기판(S) 상에 증착되는 박막에 대한 막질, 상기 기판(S) 상에 증착되는 박막에 대한 증착률(Deposition Rate) 등을 향상시키기 위해 플라즈마를 이용하여 상기 증착공정을 수행할 수 있다. 이를 위해 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 여러 가지 실시예를 포함할 수 있는바, 이러한 실시예들에 대해 첨부된 도면을 참조하여 순차적으로 설명한다.Here, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention can improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S, the deposition rate of the thin film deposited on the substrate S, The deposition process may be performed using plasma. To this end, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include various embodiments, and these embodiments will be sequentially described with reference to the accompanying drawings.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 2 내지 도 7을 참고하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 후처리부(7)를 포함할 수 있다.Referring to Figs. 2 to 7, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention may include a post-processing unit 7. Fig.

상기 후처리부(7)는 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 후처리부(7)는 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 후처리부(7)가 설치되기 위한 후처리 설치공(43, 도 2에 도시됨)이 형성될 수 있다. 상기 후처리부(7)는 상기 후처리 설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 설치공(43)은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.The post-processing unit 7 is installed in the chamber lid 4. The post-processing unit 7 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting unit 3. The chamber lid 4 may be provided with a post-treatment installation hole 43 (shown in Fig. 2) for installing the post-treatment section 7 therein. The post-processing unit 7 may be installed in the chamber lead 4 by being inserted into the post-processing installation hole 43. The post-treatment installation hole 43 may be formed through the chamber lid 4.

상기 후처리부(7)는 상기 환원제 분사부(6)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 후처리부(7)는 상기 환원제 분사영역(60)을 거쳐 후처리영역(70)에 위치한 기판(S)에 대해 플라즈마를 이용하여 후처리공정을 수행할 수 있다. 상기 후처리공정을 통해, 상기 환원제 분사영역(60)을 거쳐 상기 기판(S)에 증착된 박막은, 불순물이 제거됨과 동시에 막 밀도(Density)가 증대됨으로써, 막질이 향상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 환원제 분사영역(60)을 거친 기판(S)에 대해 플라즈마를 이용하여 후처리공정을 수행함으로써, 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상기 기판처리부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 소스가스 분사영역(50), 상기 환원제 분사영역(60), 및 상기 후처리영역(70)을 순차적으로 지나면서 상기 증착공정이 이루어질 수 있다. 상기 후처리영역(70)은 상기 후처리부(7) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.The post-processing unit 7 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the reducing agent spraying unit 6 in the first rotation direction (arrow direction R1). Accordingly, the post-processing unit 7 can perform a post-treatment process on the substrate S located in the post-treatment region 70 via the reducing agent injection region 60 using plasma. The thin film deposited on the substrate S through the reductant injection region 60 through the post-treatment process can be improved in film quality by increasing the film density while removing the impurities. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention can perform a post-treatment process on the substrate S that has passed through the reducing agent injection region 60 by using plasma, The film quality of the deposited thin film can be improved. In this case, the substrates S supported by the substrate processing unit 3 are moved in the first rotation direction (arrow direction R1) by the substrate supporter 3, the source gas injection area 50, The deposition region 60, and the post-treatment region 70 in this order. The post-treatment zone 70 may be located between the post-treatment unit 7 and the substrate support 3.

상기 후처리부(7)는 후처리 분사모듈(71, 도 6에 도시됨) 및 후처리 전극(72, 도 6에 도시됨)을 포함할 수 있다.The post-processing unit 7 may include a post-processing injection module 71 (shown in FIG. 6) and a post-processing electrode 72 (shown in FIG. 6).

상기 후처리 분사모듈(71)은 상기 후처리영역(70)에 후처리가스를 분사하는 것이다. 상기 후처리 분사모듈(71)은 후처리가스로 Ar 또는 He을 상기 후처리영역(70)에 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스 분사모듈(51)은 루테늄에 산소 원자가 포함된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 소스가스 분사모듈(51)은 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 상기 환원제 분사모듈(61)은 환원제로 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나를 상기 환원제 분사영역(60)에 분사할 수 있다.The post-treatment injection module 71 injects post-treatment gas into the post-treatment area 70. The post-treatment injection module 71 may inject Ar or He into the post-treatment zone 70 as a post-treatment gas. In this case, the source gas injection module 51 may inject a source gas containing oxygen atoms to ruthenium into the source gas injection region 50. For example, the source gas injection module 51 may inject a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru into the source gas injection region 50. The reducing agent injection module 61 may inject any one of H 2 , N 2 , and NH 3 as a reducing agent into the reducing agent injection region 60.

상기 후처리 분사모듈(71)은 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 분사모듈(71)은 상기 후처리 설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 분사모듈(71)은 상기 환원제 분사모듈(61)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 분사모듈(71)은 후처리 하우징(711, 도 6에 도시됨), 후처리 통과홈(712, 도 6에 도시됨), 후처리 공급공(713, 도 6에 도시됨), 및 후처리 절연부재(714, 도 6에 도시됨)를 포함할 수 있다.The post-processing injection module 71 may be installed in the chamber lid 4. The post-processing injection module 71 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the post-processing installation hole 43. The post-processing injection module 71 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the reductant injection module 61 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The post-treatment injection module 71 includes a post-treatment housing 711 (shown in FIG. 6), a post-treatment passage groove 712 (shown in FIG. 6), a post-treatment feed hole 713 And a post-treatment insulating member 714 (shown in FIG. 6).

상기 후처리 하우징(711)은 상기 후처리 설치공(43)에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 하우징(711)은 상기 챔버리드(4)에 전기적으로 접속됨으로써, 상기 챔버리드(4)를 통해 전기적으로 접지된다. 상기 후처리 하우징(711)은 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 챔버리드(4)에 설치되어 후처리가스를 분사할 수 있는 형태이면 원통 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.The post-treatment housing 711 may be installed in the chamber lead 4 by being inserted into the post-treatment installation hole 43. The post-processing housing 711 is electrically connected to the chamber lid 4, thereby being electrically grounded through the chamber lid 4. The post-processing housing 711 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as long as the post-processing housing 711 is provided in the chamber lid 4 and is capable of injecting a post-process gas. .

상기 후처리 통과홈(712)은 상기 후처리 하우징(711)에 형성될 수 있다. 상기 후처리 통과홈(712)은 상기 후처리 하우징(711)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 후처리 하우징(711)은 상기 후처리 통과홈(712)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 후처리 하우징(711)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.The post-treatment passage groove 712 may be formed in the post-treatment housing 711. The post-treatment passage groove 712 may be located inside the post-treatment housing 711. The post-processing housing 711 may be formed with one side opened through the post-processing through-hole 712. The post-processing housing 711 may be installed in the chamber lid 4 such that one side of the post-processing housing 711 faces the substrate supporting part 3.

상기 후처리 공급공(713)은 상기 후처리 하우징(711)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 후처리 공급공(713)은 상기 후처리 통과홈(712)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 후처리 공급공(713)은 후처리가스를 공급하는 후처리가스 공급원(73)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 후처리가스 공급원(73)이 공급한 후처리가스는, 상기 후처리 공급공(713)을 통해 상기 후처리 통과홈(712)으로 공급될 수 있다. 상기 후처리 하우징(711)에는 상기 후처리 공급공(713)이 복수개 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 후처리 공급공(713)들은 상기 후처리 전극(72)의 양측에 위치할 수 있다.The post-treatment supply hole 713 may be formed through the post-treatment housing 711. The post-treatment supply hole 713 may be formed to communicate with the post-treatment passage groove 712. The post-treatment supply hole 713 may be connected to a post-treatment gas supply source 73 for supplying post-treatment gas. Accordingly, the post-treatment gas supplied from the post-treatment gas supply source 73 can be supplied to the post-treatment through-hole 712 through the post-treatment supply hole 713. A plurality of the post-processing feed holes 713 may be formed in the post-processing housing 711. In this case, the post-treatment supply holes 713 may be located on both sides of the post-treatment electrode 72.

상기 후처리 절연부재(714)는 상기 후처리 하우징(711)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 절연부재(714)는 상기 후처리 하우징(711)에 삽입됨으로써, 상기 후처리 하우징(711)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 절연부재(714)는 상기 후처리 하우징(711) 및 상기 후처리 전극(72)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 후처리 하우징(711)에 상기 후처리 공급공(713)이 복수개 형성된 경우, 상기 후처리 절연부재(714)는 상기 후처리 공급공(713)들의 사이에 위치할 수 있다.The post-processing insulating member 714 may be installed in the post-processing housing 711. The post-processing insulating member 714 may be installed in the post-processing housing 711 by being inserted into the post-processing housing 711. The post-treatment insulating member 714 may electrically insulate the post-treatment housing 711 and the post-treatment electrode 72. The post-processing insulating member 714 may be positioned between the post-processing supply holes 713 when a plurality of the post-processing supply holes 713 are formed in the post-processing housing 711.

상기 후처리 전극(72)은 상기 후처리 하우징(711)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 전극(72)은 상기 후처리 절연부재(714)에 삽입되어 설치됨으로써, 상기 후처리 하우징(711)에 설치될 수 있다. 상기 후처리 전극(72)은 일부가 상기 후처리 통과홈(712)에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 후처리 하우징(711)은 상기 후처리 전극(72)과 함께 플라즈마를 생성하기 위한 접지 전극으로 기능할 수 있다.The post-processing electrode 72 may be installed in the post-processing housing 711. The post-treatment electrode 72 may be installed in the post-treatment housing 711 by being inserted into the post-treatment insulating member 714. The post-processing electrode 72 may be disposed such that a part of the post-processing electrode 72 is located in the post- The post-treatment housing 711 may function as a ground electrode for generating a plasma with the post-treatment electrode 72.

상기 후처리 전극(72)은 플라즈마 전원 공급원(74)으로부터 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 후처리 통과홈(712)에 공급되는 후처리가스로부터 플라즈마를 생성한다. 이 경우, 플라즈마는 플라즈마 전원에 따라 상기 후처리 전극(72)과 상기 후처리 하우징(711)의 측벽(711a) 간에 걸리는 전기장에 의해 생성될 수 있다. 이에 따라, 후처리가스는 플라즈마에 의해 활성화되어서 상기 후처리영역(70)으로 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 후처리 하우징(711)의 측벽(711a)과 상기 후처리 전극(72) 사이의 간격은, 상기 후처리영역(70)에 지지된 기판(S)과 상기 후처리 전극(72) 사이의 간격에 비해 더 좁게 설정될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 후처리 전극(72)과 상기 후처리 하우징(711)의 측벽(711a) 사이에 플라즈마를 생성시킬 수 있다. 즉, 플라즈마는 상기 후처리 통과홈(712)에 생성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 플라즈마에 의해 상기 기판(S) 및 상기 기판(S)에 증착된 박막이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The post-treatment electrode 72 generates a plasma from the post-treatment gas supplied to the post-treatment passage groove 712 in accordance with a plasma power source applied from the plasma power source 74. In this case, the plasma may be generated by an electric field which is applied between the post-treatment electrode 72 and the side wall 711a of the post-treatment housing 711 according to a plasma power source. Thus, the post-treatment gas can be activated by the plasma and injected into the post-treatment zone 70. In this case, the gap between the side wall 711a of the post-processing housing 711 and the post-processing electrode 72 is determined by the distance between the substrate S supported on the post-processing area 70 and the post- May be set to be narrower than the interval between the electrodes. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention can generate plasma between the post-processing electrode 72 and the side wall 711a of the post-processing housing 711. That is, the plasma can be generated in the post-treatment passage groove 712. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention can prevent the substrate S and the thin film deposited on the substrate S from being damaged by plasma.

상기 후처리 전극(72)에서 상기 후처리 통과홈(712)에 위치한 부분은, 상기 후처리 하우징(711)의 측벽(711a)에 대해 평행하게 배치될 수 있다. 상기 플라즈마 전원 공급원(74)은 고주파 전력 또는 RF(Radio Frequency) 전력으로 이루어진 플라즈마 전원을 상기 후처리 전극(72)에 인가할 수 있다. 상기 플라즈마 전원 공급원(74)이 RF 전력으로 이루어진 플라즈마 전원을 인가하는 경우, LF(Low Frequency) 전력, MF(Middle Frequency), HF(High Frequency) 전력, 또는 VHF(Very High Frequency) 전력으로 이루어진 플라즈마 전원을 인가할 수 있다. LF 전력은 3㎑ ~ 300㎑ 범위의 주파수를 가질 수 있다. MF 전력은 300㎑ ~ 3㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다. HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다. VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The portion of the post-treatment electrode 72 located in the post-treatment passage groove 712 may be disposed parallel to the side wall 711a of the post-treatment housing 711. The plasma power source 74 may apply a plasma power of high frequency power or radio frequency (RF) power to the post-treatment electrode 72. When the plasma power source 74 applies a plasma power of RF power, a plasma of a low frequency (LF) power, a middle frequency (MF), a high frequency (HF) power or a very high frequency (VHF) Power can be applied. The LF power may have a frequency in the range of 3 kHz to 300 kHz. The MF power may have a frequency in the range of 300 kHz to 3 MHz. The HF power may have a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz. The VHF power may have a frequency in the range of 30 MHz to 300 MHz.

상기 후처리 전극(72)과 상기 플라즈마 전원 공급원(74)을 연결하는 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속될 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로는 상기 플라즈마 전원 공급원(74)으로부터 상기 후처리 전극(72)에 인가되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중에서 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.An impedance matching circuit (not shown) may be connected to the feed cable connecting the post-processing electrode 72 and the plasma power source 74. The impedance matching circuit matches the load impedance and the source impedance of the plasma power source applied to the post-processing electrode 72 from the plasma power source 74. The impedance matching circuit may be composed of at least two impedance elements (not shown) composed of at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 2 내지 도 9를 참고하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 전처리부(8)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 9, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention may include a pre-processing unit 8.

상기 전처리부(8)는 상기 챔버리드(4)에 설치된다. 상기 전처리부(8)는 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 챔버리드(4)에는 상기 전처리부(8)가 설치되기 위한 전처리 설치공(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 전처리부(8)는 상기 전처리 설치공에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 설치공은 상기 챔버리드(4)를 관통하여 형성될 수 있다.The preprocessing unit 8 is installed in the chamber lid 4. The pretreatment unit 8 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting unit 3. The chamber lid 4 may be provided with a preprocessing hole (not shown) for installing the pretreatment unit 8 therein. The preprocessing unit 8 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the preprocessing hole. The pre-treatment installation hole may be formed through the chamber lid 4.

상기 전처리부(8)는 상기 소스가스 분사부(5)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 전처리부(8)는 상기 소스가스 분사영역(50)을 거쳐 전처리영역(80)에 위치한 기판(S)에 대해 플라즈마를 이용하여 전처리공정을 수행할 수 있다. 상기 전처리부(8)가 구비되는 경우, 상기 환원제 분사부(6)는 상기 전처리부(8)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 이에 따라, 상기 환원제 분사부(6)는 상기 전처리영역(80)을 거쳐 상기 환원제 분사영역(60)에 위치한 기판(S)에 대해 환원제를 분사할 수 있다.The pretreatment unit 8 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas injection unit 5 along the first rotation direction (arrow R1 direction). Accordingly, the pre-processing unit 8 can perform a pre-processing process on the substrate S located in the pre-processing region 80 through the source gas injection region 50 using plasma. When the pre-processing unit 8 is provided, the reducing agent spraying unit 6 is installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the pre-processing unit 8 in the first rotation direction . Accordingly, the reducing agent spraying unit 6 can spray the reducing agent onto the substrate S located in the reducing agent spraying area 60 through the pre-treatment area 80. [

이 경우, 상기 전처리공정을 통해, 상기 소스가스 분사영역(50)을 거쳐 상기 기판(S)에 증착된 소스물질은, 상기 전처리부(8)에 의해 생성된 플라즈마에 의해 활성화됨으로써 반응성이 증대될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 루테늄 등과 같이 반응성이 낮은 물질로 이루어진 박막을 상기 기판(S) 상에 증착하는 경우에도, 반응성 증대를 통해 환원 반응에 대한 반응률을 증대시킴으로써, 증착률을 증대시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 회전하는 회전속도(RPM)를 높임으로써, 상기 증착공정이 완료된 기판(S)에 대한 양산성을 증대시킬 수 있다.In this case, the source material deposited on the substrate S via the source gas injection region 50 through the pretreatment process is activated by the plasma generated by the pretreatment unit 8, so that the reactivity is increased . Accordingly, even when a thin film made of a material having a low reactivity, such as ruthenium, is deposited on the substrate S, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention can increase the reactivity By increasing the reaction rate, the deposition rate can be increased. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention increases the rotation speed RPM at which the substrate supporting unit 3 rotates along the first rotation direction (arrow R1 direction) S) can be increased.

상기 전처리부(8)가 구비되는 경우, 상기 기판처리부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 소스가스 분사영역(50), 상기 전치리영역(80), 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 순차적으로 지나면서 상기 증착공정이 이루어질 수 있다. 상기 전처리영역(80)은 상기 전처리부(8) 및 상기 기판지지부(3)의 사이에 위치할 수 있다.When the pre-processing unit 8 is provided, the substrates S supported by the substrate processing unit 3 are moved in the first rotation direction (arrow R1 direction) The deposition process can be performed by sequentially passing through the ejection region 50, the pre-regrowth region 80, and the source gas injection region 50. The preprocessed region 80 may be located between the preprocessing unit 8 and the substrate support 3.

상기 전처리부(8)는 전처리 분사모듈(81, 도 8에 도시됨) 및 전처리 전극(82, 도 8에 도시됨)을 포함할 수 있다.The pretreatment unit 8 may include a pretreatment injection module 81 (shown in FIG. 8) and a pretreatment electrode 82 (shown in FIG. 8).

상기 전처리 분사모듈(81)은 상기 전처리영역(80)에 전처리가스를 분사하는 것이다. 상기 전처리 분사모듈(81)은 전처리가스로 H2를 상기 전처리영역(80)에 분사할 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스 분사모듈(51)은 루테늄에 산소 원자가 포함된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 소스가스 분사모듈(51)은 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 상기 환원제 분사모듈(61)은 환원제로 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다.The pretreatment injection module 81 injects a pretreatment gas into the pretreatment region 80. The pretreatment injection module 81 may inject H 2 into the pretreatment region 80 as a pretreatment gas. In this case, the source gas injection module 51 may inject a source gas containing oxygen atoms to ruthenium into the source gas injection region 50. For example, the source gas injection module 51 may inject a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru into the source gas injection region 50. The reductant injection module 61 may inject any one of H 2 , N 2 , and NH 3 as the reducing agent into the source gas injection region 50.

상기 전처리 분사모듈(81)은 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 분사모듈(81)은 상기 전처리 설치공에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 분사모듈(81)은 상기 소스가스 분사모듈(51)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 분사모듈(81)은 전처리 하우징(811, 도 8에 도시됨), 전처리 통과홈(812, 도 8에 도시됨), 전처리 공급공(813, 도 8에 도시됨), 및 전처리 절연부재(814, 도 8에 도시됨)를 포함할 수 있다.The preprocessing injection module 81 may be installed in the chamber lid 4. The pre-treatment injection module 81 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the pre-treatment installation hole. The preprocessing injection module 81 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas injection module 51 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The pretreatment injection module 81 includes a pretreatment housing 811 (shown in FIG. 8), a pretreatment passage groove 812 (shown in FIG. 8), a pretreatment feed hole 813 (shown in FIG. 8) (814, shown in Figure 8).

상기 전처리 하우징(811)은 상기 전처리 설치공에 삽입됨으로써, 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 하우징(811)은 상기 챔버리드(4)에 전기적으로 접속됨으로써, 상기 챔버리드(4)를 통해 전기적으로 접지된다. 상기 전처리 하우징(811)은 전체적으로 직방체 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 상기 챔버리드(4)에 설치되어 전처리가스를 분사할 수 있는 형태이면 원통 형태 등 다른 형태로 형성될 수도 있다.The pre-treatment housing 811 may be installed in the chamber lid 4 by being inserted into the pre-treatment installation hole. The pre-treatment housing 811 is electrically connected to the chamber lid 4, thereby electrically grounding through the chamber lid 4. The pretreatment housing 811 may be formed in a rectangular parallelepiped shape as long as it is provided in the chamber lid 4 and can inject the pretreatment gas.

상기 전처리 통과홈(812)은 상기 전처리 하우징(811)에 형성될 수 있다. 상기 전처리 통과홈(812)은 상기 전처리 하우징(811)의 내측에 위치할 수 있다. 상기 전처리 하우징(811)은 상기 전처리 통과홈(812)을 통해 일측이 개방된 형태로 형성될 수 있다. 상기 전처리 하우징(811)은 개방된 일측이 상기 기판지지부(3)를 향하도록 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다.The pretreatment passage groove 812 may be formed in the pretreatment housing 811. The pre-treatment passage groove 812 may be located inside the pre-treatment housing 811. The preprocessing housing 811 may be formed with one side opened through the pre-processing through-hole 812. The pre-treatment housing 811 may be installed in the chamber lid 4 such that one side of the pre-treatment housing 811 faces the substrate supporting part 3.

상기 전처리 공급공(813)은 상기 전처리 하우징(811)을 관통하여 형성될 수 있다. 상기 전처리 공급공(813)은 상기 전처리 통과홈(812)에 연통되게 형성될 수 있다. 상기 전처리 공급공(813)은 전처리가스를 공급하는 전처리가스 공급원(83)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 전처리가스 공급원(83)이 공급한 전처리가스는, 상기 전처리 공급공(813)을 통해 상기 전처리 통과홈(812)으로 공급될 수 있다. 상기 전처리 하우징(811)에는 상기 전처리 공급공(813)이 복수개 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 전처리 공급공(813)들은 상기 전처리 전극(82)의 양측에 위치할 수 있다.The pre-treatment supply hole 813 may be formed through the pre-treatment housing 811. The pre-treatment supply hole 813 may be formed to communicate with the pre-treatment through hole 812. The pretreatment supply hole 813 may be connected to a pretreatment gas supply source 83 for supplying a pretreatment gas. Accordingly, the pretreatment gas supplied by the pretreatment gas supply source 83 can be supplied to the pretreatment passage 812 through the pretreatment supply hole 813. [ The preprocessing housing 811 may include a plurality of preprocessing holes 813. In this case, the pre-treatment supply holes 813 may be located on both sides of the pretreatment electrode 82.

상기 전처리 절연부재(814)는 상기 전처리 하우징(811)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 절연부재(814)는 상기 전처리 하우징(811)에 삽입됨으로써, 상기 전처리 하우징(811)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 절연부재(814)는 상기 전처리 하우징(811) 및 상기 전처리 전극(82)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 전처리 하우징(811)에 상기 전처리 공급공(813)이 복수개 형성된 경우, 상기 전처리 절연부재(814)는 상기 전처리 공급공(813)들의 사이에 위치할 수 있다.The pre-treatment insulating member 814 may be installed in the pretreatment housing 811. The pre-treatment insulating member 814 may be installed in the pretreatment housing 811 by being inserted into the pretreatment housing 811. The pre-treatment insulating member 814 may electrically insulate the pre-treatment housing 811 and the pre-treatment electrode 82. If a plurality of the pre-treatment supply holes 813 are formed in the pre-treatment housing 811, the pre-treatment insulating member 814 may be positioned between the pre-treatment supply holes 813.

상기 전처리 전극(82)은 상기 전처리 하우징(811)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 전극(82)은 상기 전처리 절연부재(814)에 삽입되어 설치됨으로써, 상기 전처리 하우징(811)에 설치될 수 있다. 상기 전처리 전극(82)은 일부가 상기 전처리 통과홈(812)에 위치하도록 배치될 수 있다. 상기 전처리 하우징(811)은 상기 전처리 전극(82)과 함께 플라즈마를 생성하기 위한 접지 전극으로 기능할 수 있다.The pretreatment electrode 82 may be installed in the pretreatment housing 811. The pretreatment electrode 82 may be installed in the pretreatment housing 811 by being inserted into the pretreatment insulating member 814. The pretreatment electrode 82 may be disposed so that a part of the pretreatment electrode 82 is located in the pre- The pretreatment housing 811 may serve as a ground electrode for generating plasma with the pretreatment electrode 82.

상기 전처리 전극(82)은 플라즈마 전원 공급원(84)으로부터 인가되는 플라즈마 전원에 따라 상기 전처리 통과홈(812)에 공급되는 전처리가스로부터 플라즈마를 생성한다. 이 경우, 플라즈마는 플라즈마 전원에 따라 상기 전처리 전극(82)과 상기 전처리 하우징(811)의 측벽(811a) 간에 걸리는 전기장에 의해 생성될 수 있다. 이에 따라, 전처리가스는 플라즈마에 의해 활성화되어서 상기 전처리영역(80)으로 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 전처리 하우징(811)의 측벽(811a)과 상기 전처리 전극(82) 사이의 간격은, 상기 전처리영역(80)에 지지된 기판(S)과 상기 전처리 전극(82) 사이의 간격에 비해 더 좁게 설정될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 전처리 전극(82)과 상기 전처리 하우징(811)의 측벽(811a) 사이에 플라즈마를 생성시킬 수 있다. 즉, 플라즈마는 상기 전처리 통과홈(812)에 생성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 플라즈마에 의해 상기 기판(S) 및 상기 기판(S)에 증착된 소스물질이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The pretreatment electrode 82 generates plasma from the pretreatment gas supplied to the pretreatment passage groove 812 according to the plasma power source applied from the plasma power source 84. In this case, the plasma may be generated by an electric field between the pre-treatment electrode 82 and the side wall 811a of the pre-treatment housing 811 according to a plasma power source. Thus, the pretreatment gas can be activated by the plasma and injected into the pretreatment region 80. In this case, the gap between the side wall 811a of the pre-treatment housing 811 and the pre-treatment electrode 82 is set to a distance between the substrate S supported on the pre-treatment region 80 and the pre- Can be set to be narrower. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention can generate plasma between the pretreatment electrode 82 and the side wall 811a of the pretreatment housing 811. That is, the plasma can be generated in the pre-treatment passage groove 812. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention can prevent the source material deposited on the substrate S and the substrate S from being damaged by the plasma.

상기 전처리 전극(82)에서 상기 전처리 통과홈(812)에 위치한 부분은, 상기 전처리 하우징(811)의 측벽(811a)에 대해 평행하게 배치될 수 있다. 상기 플라즈마 전원 공급원(84)은 고주파 전력 또는 RF 전력으로 이루어진 플라즈마 전원을 상기 전처리 전극(82)에 인가할 수 있다. 상기 플라즈마 전원 공급원(84)이 RF 전력으로 이루어진 플라즈마 전원을 인가하는 경우, LF 전력, MF, HF 전력, 또는 VHF 전력으로 이루어진 플라즈마 전원을 인가할 수 있다. LF 전력은 3㎑ ~ 300㎑ 범위의 주파수를 가질 수 있다. MF 전력은 300㎑ ~ 3㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다. HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다. VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The portion of the pretreatment electrode 82 located in the preprocessing passage groove 812 may be disposed parallel to the side wall 811a of the pretreatment housing 811. The plasma power source 84 may apply a plasma power of high frequency power or RF power to the pretreatment electrode 82. When the plasma power source 84 applies a plasma power of RF power, a plasma power of LF power, MF, HF power, or VHF power may be applied. The LF power may have a frequency in the range of 3 kHz to 300 kHz. The MF power may have a frequency in the range of 300 kHz to 3 MHz. The HF power may have a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz. The VHF power may have a frequency in the range of 30 MHz to 300 MHz.

상기 전처리 전극(82)과 상기 플라즈마 전원 공급원(84)을 연결하는 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속될 수 있다. 상기 임피던스 매칭 회로는 상기 플라즈마 전원 공급원(84)으로부터 상기 전처리 전극(82)에 인가되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중에서 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.An impedance matching circuit (not shown) may be connected to the feed cable connecting the preprocessing electrode 82 and the plasma power source 84. The impedance matching circuit matches the load impedance and the source impedance of the plasma power source applied to the preprocessing electrode 82 from the plasma power source 84. The impedance matching circuit may be composed of at least two impedance elements (not shown) composed of at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

<제3실시예>&Lt; Third Embodiment >

도 2 내지 도 10을 참고하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 후처리부(7) 및 상기 전처리부(8)를 포함할 수 있다. 상기 후처리부(7) 및 상기 전처리부(8)는 각각 본 발명의 제1실시예 및 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에서 설명한 바와 같으므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.Referring to FIGS. 2 to 10, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention may include the post-processing unit 7 and the pre-processing unit 8. The post-processing unit 7 and the preprocessing unit 8 are the same as those described in the substrate processing apparatus 1 according to the first and second embodiments of the present invention, respectively, and a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 기판처리부(3)에 지지된 기판(S)들은, 상기 기판지지부(3)가 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)으로 회전함에 따라 상기 소스가스 분사영역(50), 상기 전처리영역(80), 상기 환원제 분사영역(60), 및 상기 후처리영역(70)을 순차적으로 지나면서 상기 증착공정이 이루어질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 전처리부(8)를 이용하여 반응성 증대를 통해 환원 반응에 대한 반응률을 증대시켜서 증착률을 증대시킬 수 있음과 동시에, 상기 후처리부(7)를 이용하여 불순물 제거와 막 밀도 증대를 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 루테늄 등과 같이 반응성이 낮은 물질로 이루어진 박막을 상기 기판(S) 상에 증착하는 경우에도 양산성을 증대시킬 수 있을 뿐만 아니라, 상기 기판(S) 상에 증착된 박막에 대한 막질을 향상시킬 수 있다.In the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention, the substrates S supported by the substrate processing section 3 are arranged such that the substrate supporting section 3 is rotated in the first rotation direction (R1 direction) The deposition process may be performed while sequentially passing through the source gas injection region 50, the pre-treatment region 80, the reducing agent injection region 60, and the post-treatment region 70 as the substrate is rotated. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention can increase the deposition rate by increasing the reaction rate to the reduction reaction by increasing the reactivity by using the pretreatment unit 8, The post-processing unit 7 can be used to remove impurities and increase the film density. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention not only can increase the mass productivity even when a thin film made of a material having low reactivity, such as ruthenium, is deposited on the substrate S, The film quality of the thin film deposited on the substrate S can be improved.

본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 후처리 분사모듈(71)은 상기 후처리영역(70)에 상기 전처리가스와 상이한 후처리가스를 분사할 수 있다. 상기 후처리 분사모듈(71)은 불순물 제거와 막 밀도 증대를 구현할 수 있는 후처리가스로 Ar 또는 He을 상기 후처리영역(70)에 분사할 수 있다. 상기 전처리 분사모듈(81)은 반응성을 증대시킬 수 있는 전처리가스로 H2를 상기 전처리영역(80)에 분사할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 환원 반응에 대한 반응률을 증대시킴으로써 증착률을 증대시킬 수 있음과 동시에, 상기 기판(S) 상에 증착된 박막에 대한 막질을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상기 소스가스 분사모듈(51)은 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다. 상기 환원제 분사모듈(61)은 환원제로 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나를 상기 소스가스 분사영역(50)에 분사할 수 있다.In the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention, the post-processing injection module 71 may inject post-processing gas different from the pre-processing gas into the post-processing region 70. [ The post-treatment injection module 71 may inject Ar or He into the post-treatment zone 70 as a post-treatment gas capable of achieving impurity removal and film density increase. The pretreatment injection module 81 may inject H 2 into the pretreatment region 80 as a pretreatment gas capable of increasing reactivity. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention can increase the deposition rate by increasing the reaction rate for the reduction reaction, and can improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S Can be improved. In this case, the source gas injection module 51 may inject a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru into the source gas injection region 50. The reductant injection module 61 may inject any one of H 2 , N 2 , and NH 3 as the reducing agent into the source gas injection region 50.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)가 제2실시예 및 제3실시예에 따라 상기 전처리부(8)를 포함하는 경우, 상기 전처리부(8)를 포함하지 않은 비교예와 대비할 때 반응성 증대를 통해 양산성을 향상시킬 수 있다. 도 11에서 세로축은 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 증착률이고, 가로축은 상기 기판지지부(3)의 회전속도이다. 도 11에서 실선은 제2실시예 및 제3실시예에 따라 상기 전처리부(8)를 갖는 기판 처리 장치(1)로 상기 증착공정을 수행하여 상기 기판지지부(3)의 회전속도별로 증착률을 표시한 것이다. 도 11에서 일점쇄선은 비교예에 따라 상기 전처리부(8)가 없는 기판 처리 장치(1)로 상기 증착공정을 수행하여 상기 기판지지부(3)의 회전속도별로 증착률을 표시한 것이다.11, when the substrate processing apparatus 1 according to the present invention includes the pre-processing unit 8 according to the second embodiment and the third embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes the pre- In comparison with the comparative example, the productivity can be improved by increasing the reactivity. In FIG. 11, the vertical axis represents the deposition rate for the thin film deposited on the substrate S, and the horizontal axis represents the rotation speed of the substrate support 3. 11, the solid line indicates the deposition rate of the substrate supporting unit 3 in accordance with the second embodiment and the third embodiment by performing the deposition process on the substrate processing apparatus 1 having the pre-processing unit 8 . In FIG. 11, the one-dot chain line indicates the deposition rate by the rotation speed of the substrate supporting unit 3 by performing the deposition process on the substrate processing apparatus 1 without the preprocessing unit 8 according to the comparative example.

이러한 도 11로부터 알 수 있듯이, 상기 전처리부(8)를 갖는 기판 처리 장치(1)가 10 RPM의 회전속도로 상기 증착공정을 수행하였을 때의 증착률 및 상기 전처리부(8)가 없는 기판 처리 장치(1)가 2 RPM의 회전속도로 상기 증착공정을 수행하였을 때의 증착률이 대략 일치하는 수치로 나타났다. 따라서, 제2실시예 및 제3실시예에 따라 상기 전처리부(8)를 갖는 기판 처리 장치(1)는, 비교예에 따라 상기 전처리부(8)가 없는 기판 처리 장치(1)와 대비할 때, 반응성 증대를 통해 양산성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.11, the deposition rate when the substrate processing apparatus 1 having the pre-processing section 8 performed the deposition process at a rotation speed of 10 RPM and the deposition rate when the substrate processing without the pre-processing section 8 The deposition rate of the device 1 when the deposition process was performed at a rotation speed of 2 RPM was found to be approximately the same value. Therefore, the substrate processing apparatus 1 having the pre-processing section 8 according to the second and third embodiments is compared with the substrate processing apparatus 1 without the pre-processing section 8 according to the comparative example , It can be seen that the mass productivity can be improved by increasing the reactivity.

도 7, 도 9 및 도 10을 참고하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 구획가스 분사부(9)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 7, 9 and 10, the substrate processing apparatus 1 according to the present invention may include a gas division unit 9.

상기 구획가스 분사부(9)는 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 구획가스 분사부(9)는 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 구획가스 분사부(9)는 상기 기판지지부(3)와 상기 챔버리드(4) 사이의 공간을 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 영역별로 구획할 수 있다. 이러한 구획가스 분사부(9)는 본 발명의 제1실시예 내지 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서 상이하게 구현될 수 있다. 이에 대해 구체적으로 설명하면, 다음과 같다.The divisional gas injection part 9 may be installed in the chamber lid 4. The partition gas injecting unit 9 may inject the partition gas toward the substrate supporting unit 3. Accordingly, the partition gas spraying unit 9 can divide the space between the substrate supporting unit 3 and the chamber lid 4 by regions along the first rotation direction (R1 arrow direction). The divided gas injecting section 9 may be implemented differently in the substrate processing apparatus 1 according to the first to third embodiments of the present invention. This will be described in detail as follows.

도 2 및 도 7을 참고하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 구획가스 분사부(9)는 제1구획가스 분사모듈(91), 제2구획가스 분사모듈(92), 및 제3구획가스 분사모듈(93)을 포함할 수 있다.2 and 7, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention, the compartment gas injecting section 9 includes a first compartment gas injection module 91, An injection module 92, and a third compartment gas injection module 93.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)을 공간적으로 구획할 수 있다.The first gas injection module 91 may inject the gas partitioning gas between the source gas injection region 50 and the reducing agent injection region 60. Accordingly, the first gas injection module 91 can form an air curtain between the source gas injection region 50 and the reducing agent injection region 60, so that the source gas injection region 50 and the reducing agent The jetting area 60 can be spatially divided.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 환원제 분사영역(60)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 소스가스 분사영역(50)을 거쳐 상기 기판(S) 상에 증착되지 않고 잔존하는 소스가스를 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1구획가스 분사모듈(91)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The first gas injection module 91 may inject the partition gas between the source gas injection region 50 and the reducing agent injection region 60 using an inert gas as a partition gas. For example, the first compartment gas injection module 91 may inject Ar. Therefore, the first gas injection module 91 can spatially divide the source gas injection region 50 and the reducing agent injection region 60, The source gas remaining on the substrate S without being deposited can be purged. That is, the first compartment gas injection module 91 may implement a purge function using the partition gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the first compartment gas injection module 91.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사부(5)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The first gas injection module 91 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas injection part 5 in the first rotation direction R1 direction. The first divisional gas injection module 91 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting part 3. The first gas injection module 91 may inject the gas to the substrate support 3.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 후처리영역(70)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 후처리영역(70)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 후처리영역(70)을 공간적으로 구획할 수 있다.The second gas injection module 92 may inject the gas partitioning gas between the reducing agent injection area 60 and the post-treatment area 70. Accordingly, the second gas injection module 92 implements the air curtain between the reducing agent injection region 60 and the post-processing region 70, so that the reducing agent injection region 60 and the post- (70) can be spatially divided.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 후처리영역(70)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 후처리영역(70)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 환원제 분사영역(60)을 거쳐 소스가스와 환원 반응하지 않은 환원제를 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2구획가스 분사모듈(92)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The second gas injection module 92 may inject the partition gas between the reducing agent injection area 60 and the post-treatment area 70 using an inert gas as a compartment gas. For example, the second division gas injection module 92 may inject Ar. The second gas injection module 92 can not only spatially partition the reducing agent injection region 60 and the post treatment region 70 but also the source gas and the reducing agent injection region 60, The reducing agent that has not reacted with the reducing agent can be purged. That is, the second compartment gas injection module 92 may implement the purge function using the partition gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the second division gas injection module 92.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 환원제 분사부(6)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The second gas injection module 92 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the reducing agent dispensing part 6 in the first rotation direction R1 direction. The second partition gas injection module 92 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3. The second gas injection module 92 may inject the gas to the substrate support 3.

상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 공간적으로 구획할 수 있다.The third gas injection module 93 may inject the gas into the space between the post-treatment region 70 and the source gas injection region 50. Thus, the third compartment gas injection module 93 implements an air curtain between the post-treatment zone 70 and the source gas injection zone 50, so that the post-treatment zone 70 and the source gas The jetting area 50 can be spatially divided.

상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 후처리영역(70)을 거쳐 상기 기판(S) 상에 잔존하는 후처리가스 등을 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제3구획가스 분사모듈(93)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The third gas injection module 93 may inject the partition gas between the post-treatment region 70 and the source gas injection region 50 using an inert gas as a partition gas. For example, the third compartment gas injection module 93 may inject Ar. The third gas injection module 93 can not only spatially separate the post-treatment region 70 and the source gas injection region 50 but also the post-treatment region 70, The post-treatment gas remaining on the substrate S can be purged. That is, the third compartment gas injection module 93 can implement the purge function using the partition gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the third division gas injection module 93.

상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 후처리부(7)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The third divisional gas injection module 93 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the post-processing unit 7 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The third partition gas injection module 93 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3. The third gas injection module 93 may inject gas into the substrate support 3.

본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 제3구획가스 분사모듈(93), 상기 제2구획가스 분사모듈(92), 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 서로 연결되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제3구획가스 분사모듈(93), 상기 제2구획가스 분사모듈(92), 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 하나의 구획가스 공급원으로부터 공급된 구획가스를 분배하여 분사할 수 있다. 상기 제3구획가스 분사모듈(93), 상기 제2구획가스 분사모듈(92), 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 일체로 형성될 수도 있다.In the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention, the third compartment gas injection module 93, the second compartment gas injection module 92, and the first compartment gas injection module 91 May be implemented to be connected to each other. In this case, the third compartment gas injection module 93, the second compartment gas injection module 92, and the first compartment gas injection module 91 distribute the compartment gas supplied from one compartment gas supply source It can be sprayed. The third gas injection module 93, the second gas injection module 92, and the first gas injection module 91 may be integrally formed.

도 2 및 도 9를 참고하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 구획가스 분사부(9)는 제1구획가스 분사모듈(91), 제2구획가스 분사모듈(92), 및 제3구획가스 분사모듈(93)을 포함할 수 있다.2 and 9, in the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention, the compartment gas injecting section 9 includes a first compartment gas injection module 91, An injection module 92, and a third compartment gas injection module 93.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)을 공간적으로 구획할 수 있다.The first gas injection module 91 may inject the gas into the space between the source gas injection region 50 and the pre-processing region 80. Accordingly, the first gas injection module 91 can form an air curtain between the source gas injection region 50 and the preprocessing region 80, so that the source gas injection region 50 and the pre- (80) can be spatially divided.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 소스가스 분사영역(50)을 거쳐 상기 기판(S) 상에 증착되지 않고 잔존하는 소스가스를 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1구획가스 분사모듈(91)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The first gas injection module 91 may inject the partition gas between the source gas injection region 50 and the pre-processing region 80 using an inert gas as a partition gas. For example, the first compartment gas injection module 91 may inject Ar. The first gas injection module 91 can spatially divide the source gas injection region 50 and the preprocessing region 80 as well as the source gas injection region 50, It is possible to purge the source gas remaining on the substrate S without being deposited. That is, the first compartment gas injection module 91 may implement a purge function using the partition gas. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the first compartment gas injection module 91.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사부(5)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The first gas injection module 91 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas injection part 5 in the first rotation direction R1 direction. The first divisional gas injection module 91 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting part 3. The first gas injection module 91 may inject the gas to the substrate support 3.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 전처리영역(80) 및 상기 환원제 분사영역(60)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 전처리영역(80) 및 상기 환원제 분사영역(60)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 전처리영역(80) 및 상기 환원제 분사영역(60)을 공간적으로 구획할 수 있다.The second gas injection module 92 may inject the gas into the space between the pretreatment region 80 and the reducing agent injection region 60. Accordingly, the second gas injection module 92 can form an air curtain between the pre-treatment region 80 and the reducing agent injection region 60, and thereby the pre-treatment region 80 and the reducing agent injection region 60 Can be spatially divided.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 전처리영역(80) 및 상기 환원제 분사영역(60)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 전처리영역(80) 및 상기 환원제 분사영역(60)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 전처리영역(80)을 거쳐 상기 기판(S) 상에 잔존하는 전처리가스 등을 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2구획가스 분사모듈(92)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The second gas injection module 92 may inject the partition gas between the pretreatment region 80 and the reducing agent injection region 60 using an inert gas as a partition gas. For example, the second division gas injection module 92 may inject Ar. The second gas injection module 92 can not only spatially separate the pretreatment region 80 and the reducing agent injection region 60 but also the substrate S through the pre- The pretreatment gas remaining on the substrate can be purged. That is, the second compartment gas injection module 92 may implement the purge function using the partition gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the second compartment gas injection module 92.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 전처리부(8)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The second gas injection module 92 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the pre-processing unit 8 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The second partition gas injection module 92 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3. The second gas injection module 92 may inject the gas to the substrate support 3.

상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 공간적으로 구획할 수 있다.The third gas injection module 93 may inject the partition gas between the reducing agent injection region 60 and the source gas injection region 50. Accordingly, the third compartment gas injection module 93 realizes an air curtain between the reducing agent injection region 60 and the source gas injection region 50, thereby reducing the amount of the reducing agent injection region 60 and the source gas The jetting area 50 can be spatially divided.

상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 환원제 분사영역(60) 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 환원제 분사영역(60)을 거쳐 소스가스와 환원 반응하지 않은 환원제를 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제3구획가스 분사모듈(93)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The third gas injection module 93 may inject the partition gas between the reducing agent injection region 60 and the source gas injection region 50 using an inert gas as a partition gas. For example, the third compartment gas injection module 93 may inject Ar. Accordingly, the third gas injection module 93 can spatially divide the reducing agent injection region 60 and the source gas injection region 50 as well as the source gas injection region 60 through the reducing agent injection region 60, And the reducing agent that has not reacted with the reducing agent can be purged. That is, the third compartment gas injection module 93 can implement the purge function using the partition gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the third compartment gas injection module 93.

상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 환원제 분사부(6)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제3구획가스 분사모듈(93)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The third gas injection module 93 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the reducing agent dispensing part 6 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The third partition gas injection module 93 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3. The third gas injection module 93 may inject gas into the substrate support 3.

본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 제3구획가스 분사모듈(93), 상기 제2구획가스 분사모듈(92), 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 서로 연결되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제3구획가스 분사모듈(93), 상기 제2구획가스 분사모듈(92), 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 하나의 구획가스 공급원으로부터 공급된 구획가스를 분배하여 분사할 수 있다. 상기 제3구획가스 분사모듈(93), 상기 제2구획가스 분사모듈(92), 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 일체로 형성될 수도 있다.In the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention, the third compartment gas injection module 93, the second compartment gas injection module 92, and the first compartment gas injection module 91 May be implemented to be connected to each other. In this case, the third compartment gas injection module 93, the second compartment gas injection module 92, and the first compartment gas injection module 91 distribute the compartment gas supplied from one compartment gas supply source It can be sprayed. The third gas injection module 93, the second gas injection module 92, and the first gas injection module 91 may be integrally formed.

도 2 및 도 10을 참고하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 구획가스 분사부(9)는 제1구획가스 분사모듈(91) 및 제2구획가스 분사모듈(92)을 포함할 수 있다.2 and 10, in the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention, the compartment gas injecting section 9 includes a first compartment gas injection module 91 and a second compartment gas injection part 9, And an injection module 92.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)을 공간적으로 구획할 수 있다.The first gas injection module 91 may inject the gas into the space between the source gas injection region 50 and the pre-processing region 80. Accordingly, the first gas injection module 91 can form an air curtain between the source gas injection region 50 and the preprocessing region 80, so that the source gas injection region 50 and the pre- (80) can be spatially divided.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사영역(50) 및 상기 전처리영역(80)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 소스가스 분사영역(50)을 거쳐 상기 기판(S) 상에 증착되지 않고 잔존하는 소스가스를 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제1구획가스 분사모듈(91)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The first gas injection module 91 may inject the partition gas between the source gas injection region 50 and the pre-processing region 80 using an inert gas as a partition gas. For example, the first compartment gas injection module 91 may inject Ar. The first gas injection module 91 can spatially divide the source gas injection region 50 and the preprocessing region 80 as well as the source gas injection region 50, It is possible to purge the source gas remaining on the substrate S without being deposited. That is, the first compartment gas injection module 91 may implement a purge function using the partition gas. Therefore, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the first compartment gas injection module 91.

상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 소스가스 분사부(5)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The first gas injection module 91 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the source gas injection part 5 in the first rotation direction R1 direction. The first divisional gas injection module 91 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned above the substrate supporting part 3. The first gas injection module 91 may inject the gas to the substrate support 3.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 이에 따라, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 에어커튼을 구현함으로써, 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 공간적으로 구획할 수 있다.The second gas injection module 92 may inject the gas into the space between the post-treatment region 70 and the source gas injection region 50. Thus, the second compartment gas injection module 92 implements the air curtain between the post-treatment zone 70 and the source gas injection zone 50, The jetting area 50 can be spatially divided.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 불활성가스를 구획가스로 하여 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)의 사이에 구획가스를 분사할 수 있다. 예컨대, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 Ar을 분사할 수 있다. 따라서, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 후처리영역(70) 및 상기 소스가스 분사영역(50)을 공간적으로 구획할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 후처리영역(70)을 거쳐 상기 기판(S) 상에 잔존하는 후처리가스 등을 퍼지할 수 있다. 즉, 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 구획가스를 이용하여 퍼지기능을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 상기 제2구획가스 분사모듈(92)을 이용하여 상기 기판(S)에 증착된 박막에 대한 막질을 더 향상시킬 수 있다.The second gas injection module 92 may inject the partition gas between the post-treatment region 70 and the source gas injection region 50 using an inert gas as a partition gas. For example, the second division gas injection module 92 may inject Ar. The second gas injection module 92 is capable of spatially dividing the post-processing region 70 and the source gas injection region 50, as well as the post-processing region 70, The post-treatment gas remaining on the substrate S can be purged. That is, the second compartment gas injection module 92 may implement the purge function using the partition gas. Accordingly, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention can further improve the film quality of the thin film deposited on the substrate S by using the second division gas injection module 92.

상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 후처리부(7)로부터 상기 제1회전방향(R1 화살표 방향)을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드(4)에 설치될 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 기판지지부(3)의 상측에 위치하도록 상기 챔버리드(4)에 설치할 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92)은 상기 기판지지부(3)를 향해 구획가스를 분사할 수 있다.The second gas injection module 92 may be installed in the chamber lid 4 at a position spaced apart from the post-processing unit 7 along the first rotation direction (arrow R1 direction). The second partition gas injection module 92 may be installed on the chamber lid 4 so as to be positioned on the upper side of the substrate supporting part 3. The second gas injection module 92 may inject the gas to the substrate support 3.

본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 상기 제2구획가스 분사모듈(92) 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 서로 연결되도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 상기 제2구획가스 분사모듈(92) 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 하나의 구획가스 공급원으로부터 공급된 구획가스를 분배하여 분사할 수 있다. 상기 제2구획가스 분사모듈(92) 및 상기 제1구획가스 분사모듈(91)은 일체로 형성될 수도 있다.In the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment of the present invention, the second partition gas injection module 92 and the first partition gas injection module 91 may be connected to each other. In this case, the second gas injection module 92 and the first gas injection module 91 may distribute the divided gas supplied from one gas source. The second gas injection module 92 and the first gas injection module 91 may be integrally formed.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

1 : 기판 처리 장치 2 : 공정챔버
3 : 기판지지부 4 : 챔버리드
5 : 소스가스 분사부 6 : 환원제 분사부
7 : 후처리부 8 : 전처리부1: substrate processing apparatus 2: process chamber
3: substrate supporting part 4: chamber lead
5: Source gas injection part 6: Reducing agent injection part
7: post-processing unit 8: preprocessing unit

Claims (10)

공정챔버;
복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 제1회전방향으로 회전하는 기판지지부;
상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드;
상기 챔버리드에 설치되고, 소스가스 분사영역에 위치한 기판에 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부;
상기 소스가스 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 소스가스 분사영역을 거쳐 환원제 분사영역에 위치한 기판에 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 및
상기 환원제 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 환원제 분사영역을 거쳐 후처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 후처리공정을 수행하는 후처리부를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a first rotation direction;
A chamber lid covering an upper portion of the process chamber;
A source gas spraying part installed in the chamber lid and spraying a source gas to a substrate placed in the source gas spraying area;
And a reducing agent sprayer for spraying a reducing agent that reacts with the source gas to a substrate positioned in the reducing agent spraying region through the source gas spraying region, the reducing agent spraying portion being provided in the chamber lid at a position spaced apart from the source gas spraying portion in the first rotation direction, Quasi; And
A post-processing unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the reductant jetting unit in the first rotation direction and performing a post-treatment process on the substrate positioned in the post-treatment zone via the reducing agent jetting zone using plasma; And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 챔버리드에 설치되는 구획가스 분사부를 포함하고,
상기 구획가스 분사부는,
상기 소스가스 분사영역과 상기 환원제 분사영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 소스가스 분사영역과 상기 환원제 분사영역을 공간적으로 구획하는 제1구획가스 분사모듈,
상기 환원제 분사영역과 상기 후처리영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 환원제 분사영역과 상기 후처리영역을 공간적으로 구획하는 제2구획가스 분사모듈, 및
상기 후처리영역과 상기 소스가스 분사영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 후처리영역과 상기 소스가스 분사영역을 공간적으로 구획하는 제3구획가스 분사모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And a partition gas injection unit installed in the chamber lid,
The division gas injection unit includes:
A first compartment gas injection module for spatially dividing the source gas injection area and the reducing agent injection area by injecting a partition gas between the source gas injection area and the reducing agent injection area,
A second division gas injection module for spatially dividing the reducing agent injection region and the post-processing region by injecting a partition gas between the reducing agent injection region and the post-processing region, and
And a third divisional gas injection module for spatially dividing the post-process region and the source gas injection region by injecting a partition gas between the post-process region and the source gas injection region. 공정챔버;
복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 제1회전방향으로 회전하는 기판지지부;
상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드;
상기 챔버리드에 설치되고, 소스가스 분사영역에 위치한 기판에 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부;
상기 소스가스 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 소스가스 분사영역을 거쳐 전처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 전처리공정을 수행하는 전처리부; 및
상기 전처리부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 전처리영역을 거쳐 환원제 분사영역에 위치한 기판에 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사하는 환원제 분사부를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a first rotation direction;
A chamber lid covering an upper portion of the process chamber;
A source gas spraying part installed in the chamber lid and spraying a source gas to a substrate placed in the source gas spraying area;
A pretreatment unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the source gas spraying unit in the first rotation direction and performing a pretreatment process using a plasma on a substrate positioned in a pretreatment region through the source gas injection region; And
And a reducing agent injecting portion provided in the chamber lid at a position spaced apart from the pre-processing portion in the first rotation direction and injecting a reducing agent reacting with the source gas to a substrate positioned in the reducing agent injection region through the pretreatment region, Processing device. 제3항에 있어서,
상기 챔버리드에 설치되는 구획가스 분사부를 포함하고,
상기 구획가스 분사부는,
상기 소스가스 분사영역과 상기 전처리영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 소스가스 분사영역과 상기 전처리영역을 공간적으로 구획하는 제1구획가스 분사모듈,
상기 전처리영역과 상기 환원제 분사영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 전처리영역과 상기 환원제 분사영역을 공간적으로 구획하는 제2구획가스 분사모듈, 및
상기 환원제 분사영역과 상기 소스가스 분사영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 환원제 분사영역과 상기 소스가스 분사영역을 공간적으로 구획하는 제3구획가스 분사모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
And a partition gas injection unit installed in the chamber lid,
The division gas injection unit includes:
A first compartment gas injection module for spatially dividing the source gas injection area and the preprocessed area by injecting a partition gas between the source gas injection area and the pre-
A second compartment gas injection module for spatially dividing the pre-treatment area and the reducing agent injection area by injecting a partition gas between the pre-treatment area and the reducing agent injection area, and
And a third compartment gas injection module spatially dividing the reducing agent injection area and the source gas injection area by injecting a partition gas between the reducing agent injection area and the source gas injection area. 공정챔버;
복수개의 기판을 지지하도록 상기 공정챔버 내에 설치되고, 제1회전방향으로 회전하는 기판지지부;
상기 공정챔버의 상부를 덮는 챔버리드;
상기 챔버리드에 설치되고, 소스가스 분사영역에 위치한 기판에 소스가스를 분사하는 소스가스 분사부;
상기 소스가스 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 소스가스 분사영역을 거쳐 전처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 전처리공정을 수행하는 전처리부;
상기 전처리부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 전처리영역을 거쳐 환원제 분사영역에 위치한 기판에 소스가스와 환원 반응하는 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 및
상기 환원제 분사부로부터 상기 제1회전방향을 따라 이격된 위치에서 상기 챔버리드에 설치되고, 상기 환원제 분사영역을 거쳐 후처리영역에 위치한 기판에 대해 플라즈마를 이용하여 후처리공정을 수행하는 후처리부를 포함하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a first rotation direction;
A chamber lid covering an upper portion of the process chamber;
A source gas spraying part installed in the chamber lid and spraying a source gas to a substrate placed in the source gas spraying area;
A pretreatment unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the source gas spraying unit in the first rotation direction and performing a pretreatment process using a plasma on a substrate positioned in a pretreatment region through the source gas injection region;
A reducing agent spraying unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the pre-processing unit in the first rotation direction and spraying a reducing agent reacting with the source gas to a substrate positioned in the reducing agent spraying area through the pretreatment zone; And
A post-processing unit installed in the chamber lid at a position spaced apart from the reductant jetting unit in the first rotation direction and performing a post-treatment process on the substrate positioned in the post-treatment zone via the reducing agent jetting zone using plasma; And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소스가스 분사부는 RuO4 또는 C16H22O6Ru로 구성된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역에 분사하는 소스가스 분사모듈을 포함하고,
상기 환원제 분사부는 소스가스와 환원 반응하는 환원제로 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나를 환원제 분사영역에 분사하는 환원제 분사모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the source gas injector comprises a source gas injection module for injecting a source gas composed of RuO 4 or C 16 H 22 O 6 Ru into the source gas injection region,
Wherein the reducing agent injecting unit includes a reducing agent injecting module that injects any one of H 2 , N 2 , and NH 3 into the reducing agent injection region as a reducing agent that reduces the reaction with the source gas. 제3항 또는 제5항에 있어서,
상기 소스가스 분사부는 루테늄에 산소 원자가 포함된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역에 분사하는 소스가스 분사모듈을 포함하고,
상기 전처리부는 상기 챔버리드에 설치되어 상기 전처리영역에 전처리가스로 H2를 분사하는 전처리 분사모듈, 및 상기 전처리 분사모듈에 설치되는 전처리 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 3 or 5,
Wherein the source gas injection portion includes a source gas injection module for injecting a source gas containing oxygen atoms into ruthenium into the source gas injection region,
Wherein the preprocessing unit includes a preprocessing module installed in the chamber lid and injecting H 2 as a pretreatment gas into the preprocessing area, and a preprocessing electrode installed in the preprocessing injection module. 제1항 또는 제5항에 있어서,
상기 소스가스 분사부는 루테늄에 산소 원자가 포함된 소스가스를 상기 소스가스 분사영역에 분사하는 소스가스 분사모듈을 포함하고,
상기 환원제 분사부는 소스가스와 환원 반응하는 환원제로 H2, N2, 및 NH3 중에서 어느 하나를 환원제 분사영역에 분사하는 환원제 분사모듈을 포함하며,
상기 후처리부는 상기 챔버리드에 설치되어 상기 후처리영역에 후처리가스로 Ar 또는 He을 분사하는 후처리 분사모듈, 및 상기 후처리 분사모듈에 설치되는 후처리 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method according to claim 1 or 5,
Wherein the source gas injection portion includes a source gas injection module for injecting a source gas containing oxygen atoms into ruthenium into the source gas injection region,
The reducing agent injecting unit includes a reducing agent injecting module that injects any one of H 2 , N 2 , and NH 3 into a reducing agent injection region as a reducing agent that reduces the source gas,
Wherein the post-processing unit includes a post-processing injection module installed in the chamber lead and injecting Ar or He as a post-process gas into the post-process area, and a post-processing electrode provided in the post-processing injection module. Processing device. 제5항에 있어서,
상기 전처리부는 상기 전처리영역에 전처리가스를 분사하는 전처리 분사모듈을 포함하고,
상기 후처리부는 상기 후처리영역에 상기 전처리가스와 상이한 후처리가스를 분사하는 후처리 분사모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The pretreatment unit may include a pretreatment injection module that injects a pretreatment gas into the pretreatment region,
Wherein the post-processing unit includes a post-processing injection module that injects a post-process gas different from the pre-process gas into the post-process area. 제5항에 있어서,
상기 기판지지부와 상기 챔버리드 사이의 공간을 상기 제1회전방향을 따라 영역별로 구획하기 위한 구획가스를 분사하는 구획가스 분사부를 포함하고,
상기 구획가스 분사부는,
상기 소스가스 분사영역과 상기 전처리영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 소스가스 분사영역과 상기 전처리영역을 공간적으로 구획하는 제1구획가스 분사모듈, 및
상기 후처리영역과 상기 소스가스 분사영역의 사이에 구획가스를 분사하여 상기 후처리영역과 상기 소스가스 분사영역을 공간적으로 구획하는 제2구획가스 분사모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
And a partition gas injection unit for injecting a partition gas for partitioning a space between the substrate support unit and the chamber lid by regions along the first rotation direction,
The division gas injection unit includes:
A first compartment gas injection module for spatially dividing the source gas injection area and the preprocessed area by injecting a partition gas between the source gas injection area and the preprocessed area,
And a second division gas injection module for spatially dividing the post-process region and the source gas injection region by injecting a partition gas between the post-process region and the source gas injection region.
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