KR20170132467A - 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지 않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장 조절층, n형 InP윈도우층이 순차적으로 적층되어 있고, n형 InP윈도우층의 중앙에 국소적으로 형성된 p형 InP윈도우층과 상기 p형 InP윈도우층 주위에 링 형태로 형성된 p형 InP가드링을 갖으며, p형 InP 윈도우층상에 링 형상으로 돌출되게 형성된 p형 InGaAs옴접촉층과, p형 InGaAs옴접촉층을 중심으로 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역과 외주영역의 노출된 부분에 형성된 내주 및 외주 표면보호층과, p형 InGaAs옴접촉층의 상면과 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역에 형성된 내주 표면보호층 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 형성된 원형의 p-전극층을 구비한다. 이러한 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 광 응답도를 향상시킬 수 있어 높은 광자 검출 효율을 얻을 수 있으며, 작은 옴 접촉 저항을 갖게 하여 고속동작을 가능하게 한다.
Description
본 발명은 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것으로, 높은 광자 검출 효율을 얻기 위해 광 응답도를 높이면서 p-전극과 에피층 사이의 낮은 옴 접촉 저항을 갖도록 하여 고속동작이 가능한 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
단일광자 애벌란치 다이오드(SPAD; single photon avalanche diode)는 양자 암호통신을 위한 양자 키 분배(QKD; quantum key distribution), OTDR(optical time domain reflectometry), LADAR(Laser Radar) 등과 같이 다양한 분야에서 단일광자 검출기(single photon detector)로 사용되는 소자이다.
광통신용 수신기로 사용되는 일반적인 애벌란치 포토다이오드는 항복전압보다 낮은 바이어스 전압에서 동작하여 입력 광 파워에 비례한 광 전류를 얻을 수 있다. 즉 선형 모드(linear mode) 동작으로 이때의 이득은 약 10배에서 100배이다.
반면 단일광자 애벌란치 다이오드는 항복 전압보다 높은 전압으로, 즉 가이거 모드(Geiger mode)로 동작하여 단일광자에 의해 여기된 캐리어의 애벌란치증폭을 통해 수만 배에서 수십만 배 이상의 이득으로 감지 가능한 크기의 전류를 발생시킨다.
단일광자 애벌란치 다이오드의 광자 검출 효율은 광자 흡수 확률, 광자에 의해 여기된 캐리어가 증폭층에 주입될 확률 그리고 주입된 캐리어에 의한 애벌란치 증폭 발생 확률에 의해 결정된다.
여기서 애벌란치 증폭 발생 확률은 인가된 바이어스 전압에 비례하여 증가하지만 암 계수(dark count)도 함께 증가하는 트레이드오프(trade-off) 관계가 있기 때문에 상대적으로 낮은 바이어스 전압에서 높은 광자 검출 효율을 얻기 위해서는 광자 흡수 확률, 즉 광응답도를 높여야 한다.
광 응답도(R)는 단위 입력 광 파워당 발생된 전류로 정의되며, 양자 효율(
)과 광 응답도의 관계는 다음과 같다.
여기에서, 
는 광자 에너지, q는 기본 전하(elementary charge)를 의미한다
일반적인 애벌란치 포토다이오드의 광 응답도는흡수층 두께, 흡수층 외의 에피층에서의 광 손실, 각 층의 경계면에서의 반사 등에 의해 결정되는데 흡수층에서 흡수되지 않고 통과된 광을 반사시켜 다시 흡수층에서 흡수되도록 하여 광 응답도를 높일 수 있다. 이를 위해서는 광을 반사시키기 위한 반사면이 필요하다.
일반적으로 InP 기판 후면으로 광이 입사되고, p 도핑된 InP윈도우층상에 형성된 p-전극 금속이 반사면으로 작용하게 되는데 금속 형성 과정에서의 금속과 InP 사이의 인터디퓨젼(interdiffusion)이 발생되어 충분히 큰 반사도를 얻을 수 없다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여 미국 등록특허 US6894322호에는 광 응답도를 높이는 방법으로, p-n 접합을 위해 Zn이 도핑된 InP 층 위에 SixNy윈도우층과 Ti/Au반사층을 형성하고, 전기 접촉을 위한 링 형태의 AuZn 전극을 형성한 구조로 제안하고 있다.
AuZn 전극 층은 p 도핑된 InP와 옴접촉되는데 이때의 접촉 저항은 3.7 x 10-5Ωcm2로 (참고 문헌: J. B. Boos, W. Kruppa, Solid-State Electron., 31 (1988), 127) n 도핑된 InP 또는 p 도핑된 GaAs에 비해 10배 이상으로 커 고속 동작에 적합하지 않는 단점이 있다(참고 문헌: A.G. Baca, et al., Thin Solid Films, 308-309 (1997), 599).
또한 이와 같은 구조를 구현하기 위해서는 전극 형성 공정과 높은 반사율의 금속층 형성 공정을 분리하여 진행하여야 하므로 공정 비용이 상승하는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 높은 반사도를 갖는 Au를 반사층으로 사용하고 링 형태의 InGaAs옴접촉층에 전극을 형성하여 높은 광자 검출 효율과 낮은 옴 접촉 저항을 갖는 단일광자 애벌란치 포토다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 단일광자 애벌란치 포토다이오드는 n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지 않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장 조절층, n형 InP윈도우층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 n형 InP윈도우층의 중앙에 국소적으로 형성된 p형 InP윈도우층과 상기 p형 InP윈도우층 주위에 링 형태로 형성된 p형 InP가드링을 갖는 단일광자 애벌란치 다이오드에 있어서, 상기 p형 InP 윈도우층상에 링 형상으로 돌출되게 형성된 p형 InGaAs옴접촉층과; 상기 p형 InGaAs옴접촉층을 중심으로 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역과 외주영역의 노출된 부분에 형성된 내주 및 외주 표면보호층과; 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 상면과 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역에 형성된 상기 내주 표면보호층 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 형성된 원형의 p-전극층;을 구비한다.
상기 p-전극층은 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au로 형성되거나, Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au 상부에 형성된 전해 도금층을 더 갖는 구조로 형성된다.
또한, 상기 내주 및 외주 표면보호층은 SiO2, SiNx, 폴리이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 폴리머 중 어느 하나로 형성된다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 단일광자 애벌란치 다이오드 제조방법은 가. n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장 조절층, n형 InP윈도우층 및 n형 InGaAs옴접촉층을 순차적으로 형성하는 단계와; 나. n형 InGaAs옴접촉층 상에 원형 마스크를 형성한 후 p형 도펀트 확산 또는 이온주입 공정을 통해 상기 n형 InGaAs옴접촉층이 p형으로 변환된 p형 InGaAs옴접촉층과 상기 n형 InP윈도우층 내에 p형 InP윈도우층 및 1개 이상의 p형 InP가드링을 형성하는 단계와; 다. 상기 원형의 p형InGaAs옴접촉층을 습식 또는 건식 식각 공정을 통해서 상기 p형 InP윈도우층 상에 링 형태의 p형 InGaAs옴접촉층을 형성하는 단계와; 라. 상기 링 형상의 상기 p형 InGaAs옴접촉층을 중심으로 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역과 외주영역의 노출된 상기 n형 InP윈도우층과, p형 InP윈도우층 및 p형 InP가드링 상면 부분에 내주 및 외주 표면보호층을 형성하는 단계와; 바. 상기 링형상의 p형 InGaAs옴접촉층 상부와 상기 p형 InGaAs옴접촉층 내주영역에 형성된 내주 표면보호층 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 p-전극층을 형성하는 단계와; 사. 상기 n형 InP 기판의 저면의 상기 p형 InP 윈도우층의 투영 영역에 대응되는 영역에 무반사막층과, 상기 무반사막층 주위에 n-전극층을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, InP윈도우층 상면에 높은 반사도를 갖는 반사면을 형성함과 동시에 p-전극을 형성하여 링 형상의 InGaAs옴접촉층에 옴 접촉되도록 하여, InP 기판을 통해 입사된 후 InGaAs흡수층에서 흡수되지 못하고 통과된 광자가 반사되어 다시 InGaAs흡수층에서 흡수될 수 있도록 하여 광 응답도를 향상시킬 수 있어 높은 광자 검출 효율을 얻을 수 있으며, 작은 옴 접촉 저항을 갖게 하여 고속동작에 적합한 단일광자 애벌란치 다이오드를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 단일광자 애벌란치 다이오드를 나타내 보인 단면도이고,
도 2는 실리콘 질화물 두께에 따른 반사도 계산 결과이고,
도 3은 타이타늄 두께에 따른 반사도 계산 결과이다.
도 2는 실리콘 질화물 두께에 따른 반사도 계산 결과이고,
도 3은 타이타늄 두께에 따른 반사도 계산 결과이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법을 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 단일광자 애벌란치 다이오드를 나타내 보인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 단일광자 애벌란치 다이오드는 n형 InP 기판(101) 위에 n형 InP버퍼층(102), InGaAs흡수층(103), InGaAsP그래이딩층(104), n형 InP 전기장 조절층(105) 및 n형 InP윈도우층(106)이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다.
n형 InP버퍼층(102)은 격자 정합을 위해 적용된 층이며, InGaAs흡수층(103)은 광을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하고, InGaAsP그래이딩층(104)은 광 흡수를 통해 생성된 정공이 p-전극층(302)으로 이동하는 과정에서 정공 쌓임 현상을 방지하여 정공 이동 속도를 향상시키고, n형 InP 전기장 조절층(105)은 전기장 분포를 조절한다.
또한, n형 InP윈도우층(106) 중앙에 p형 InP윈도우층(107)과, p형 InP윈도우층(107)과 이격되게 p형 InP가드링(108)이 형성되어 있다.
여기서, p형 InP윈도우층(107)의 가장자리 영역의 형성 깊이는 p형 InP가드링(108)의 형성 깊이와 동일하게 구성되며 중앙부 영역의 형성 깊이는 가장자리 영역 및 p형 InP가드링(108)의 깊이에 비해 더 깊게 형성되어 있다.
또한, p형 InGaAs옴접촉층(301)은 링 형상으로 p형 InP 윈도우층(107) 위에 형성되어 있다.
표면보호층(110)은 p형 InGaAs옴접촉층(301)을 중심으로 p형 InGaAs옴접촉층(301)의 내주영역과 외주영역의 노출된 n형 InP 윈도우층(106), p형 InP 윈도우층(107) 그리고, p형 InP가드링(108) 상부에 형성되어 있다.
표면보호층(110)은 전기적 표면 보호를 위해 SiO2, SiNx, 폴리이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 폴리머 중 어느 하나로 형성되면 된다.
설명의 편의를 위해 p형 InGaAs옴접촉층(301)을 중심으로 p형 InGaAs옴접촉층(301)의 내주영역 형성된 것을 내주 표면보호층(110a), 외주영역에 형성된 것을 외주 표면보호층(110b)이라 한다.
p-전극층(302)은 p형 InGaAs옴접촉층(301)의 상면과 p형 InGaAs옴접촉층(301)의 내주영역에 형성된 내주 표면보호층(110b) 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 형성되어 있다.
p-전극층(302)은 전극기능과 반사면 기능을 모두 수행할 수 있도록 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au 소재로 형성된다.
이러한 구조에서 내주 표면보호층(110a)은 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au p-전극층(302)에서 p형 InP윈도우층(107)로의 Au 원자의 확산을 방지하여 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au p-전극층(302)이 높은 반사도를 갖게 한다.
또한, p-전극층(302)은 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au 상부에 Au 전해 도금층을 더 갖는 구조로 형성될 수 있다.
도 2와 도 3은 각각 InP/SiNx/Ti/Pt/Au 구조에서 SiNx와 Ti 두께에 따른 1550nm 파장 광의 반사도 계산 결과이다. Ti 두께가 20 nm인 경우, SiNx가 150 nm일 때 최대 0.97의 반사도를 얻을 수 있다. 하지만 Ti 두께가 증가함에 따라 흡수에 의한 손실이 증가해서 반사도가 감소하는데, 95% 이상의 반사도를 얻기 위해서는 Ti 두께가 30 nm 이하로 제작되어야 함을 알 수 있다.
한편, Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au p-전극층(302)은 링 형상의 p형 InGaAs옴접촉층(301)과 옴 접촉을 통해 p-전극 역할을 하게 되는데, Ti/Pt/Au와 p형 InGaAs 옴접촉층(301) 사이에 약 10-8Ωcm2의 매우 작은 접촉 저항을 갖는다.
이는 앞서 미국 등록특허 US6894322호에서 언급된 구조인 Ti/AuZn와 p형 InP 사이 접촉 저항의 1% 수준으로 고속동작에 보다 유리한 구조임을 알 수 있다.
n형 InP 기판(101) 저면 중앙에 광 입력 영역이 되며 무반사소재로 된 무반사막층(113)과, 무반사막층 주위에 n-전극층(112)이 형성되어있다.
무반사막층은 SiO2 또는 SiNx를 증착하여 형성한다.
이하에서는 이러한 단일광자 애벌란치 다이오드의 제조과정을 설명한다.
먼저, n형 InP 기판(101)상에 n형 InP버퍼층(102), 도핑되지 않은 InGaAs흡수층(103), InGaAsP그래이딩층(104), n형 InP 전기장 조절층(105), n형 InP윈도우층(106) 및 n형 InGaAs옴접촉층(미도시)을 순차적으로 적층되게 형성한다.
다음은 n형 InGaAs옴접촉층 상에 원형 마스크를 형성한 후 p형 도펀트 확산 또는 이온주입 공정을 통해 n형 InGaAs옴접촉층이 p형으로 변환된 p형 InGaAs옴접촉층(301)과 n형 InP윈도우층(106) 내에 p형 InP윈도우층(107) 및 1개 이상의 p형 InP가드링(108)을 형성한다.
여기서, p형 InGaAs옴접촉층(301)은 앞서 적층된 n형 InGaAs옴접촉층에 도펀트 확산 또는 이온 주입에 의해 p형으로 변환된 것이다.
또한, n형 InP윈도우층(106)에 p형 도펀트 예를 들면 Zn 또는 Zn3P2를 확산소스로 하는 확산 공정을 통하여 형성되는 p형 InP윈도우층(107)과 n형 InP 전기장 조절층(105)사이에 InP증폭층(109)이 형성된다.
다음은 원형의 p형InGaAs옴접촉층을 습식 또는 건식 식각 공정을 통해서 p형 InP윈도우층(107) 상에 링 형태의 p형 InGaAs옴접촉층(301)을 형성한다.
이후, 링 형상의 p형 InGaAs옴접촉층(301)을 중심으로 p형 InGaAs옴접촉층(301)의 내주영역과 외주영역의 노출된 n형 InP윈도우층(106)과, p형 InP윈도우층(107) 및 p형 InP가드링(108) 상면 부분에 내주 및 외주 표면보호층(110a)(110b)을 형성한다.
다음은 링형상의 p형 InGaAs옴접촉층(301) 상부와 p형 InGaAs옴접촉층(301) 내주영역에 형성된 내주 표면보호층(110a) 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖도록 앞서 설명된 소재로 p-전극층(302)을 형성한다.
p-전극층(302)은 앞서 설명된 소재로 E-beam 증착 공정을 통해 형성한다.
마지막으로 n형 InP 기판(101)의 저면의 p형 InP 윈도우층(107)의 투영 영역에 대응되는 영역에 무반사막층(113)과, 무반사막층(113) 주위에 n-전극층(112)을 형성하면 된다.
이러한 애벌린치 다이오드는 n형 InP 기판(101) 바닥 면의 무반사막층(113)을 통해 입력된 광은 InGaAs 흡수층(103)에 흡수되어 전자-정공 쌍을 생성한다.
또한, p-전극층(302)과 n-전극층(112)을 통해 역방향으로 인가된 전기장에 의해 생성된 정공은 InP증폭층(109)으로 이동하여 애벌란치 증폭을 일으키게 된다.
이때, n형 InP 전기장 조절층(105)은 InP증폭층(109)에는 애벌란치 증폭을 위한 충분히 큰 전기장이, InGaAs흡수층(103)에는 band-to-band tunneling을 최소화하기 위해 낮은 전기장이 인가되도록 전기장 분포를 조절하는 역할을 하고, InGaAsP그래이딩층(104)은 InP와 InGaAs사이의 밴드갭 에너지 차이에 의한 정공 쌓임을 막아 정공 이동 속도를 향상시키는 역할을 한다.
또한, 무반사막층(113)을 통해 입력된 후, InGaAs흡수층(103)을 지나며 흡수되지 못한 광은 p-전극층(302)에 의해 반사되어 다시 InGaAs 흡수층(103)을 지나며 흡수될 수 있도록 하여 광 응답도를 높일 수 있다.
이와 같이 단일광자 애벌란치 다이오드는 p형 InP윈도우층(107) 상면에 형성되어 높은 반사도를 갖으면서 p-전극 역할을 하며 링 형태의 p형 InGaAs옴접촉층(301)에 옴 접촉되는 p-전극층(302)에 의해 n형 InP 기판(101)을 통해 입사된 후 InGaAs 흡수층(103)에서 흡수되지 못하고 통과된 광자가 반사되어 다시 InGaAs 흡수층(103)에서 재흡수될 수 있는 확율을 높일 수 있어 높은 광자 검출 효율을 얻을 수 있으며, 낮은 옴 접촉 저항을 갖도록 하여 고속 동작을 가능하게 한다.
또한 p형 InGaAs옴접촉층(301)의 옴저항 특성이 매우 뛰어나므로 1회의 전극금속 증착 공정으로도 원하는 전기적 특성을 얻을 수 있다.
101: n형 InP 기판 102: n형 InP버퍼층
103: InGaAs흡수층 104: InGaAsP그래이딩층
105: n형 InP 전기장 조절층 106: n형 InP윈도우층
107: p형 InP윈도우층 108: p형 InP 가드링
109: InP 증폭층 110: 표면보호층
112: n-전극층 113: 무반사막층
301: p형 InGaAs옴접촉층 302: p-전극층
103: InGaAs흡수층 104: InGaAsP그래이딩층
105: n형 InP 전기장 조절층 106: n형 InP윈도우층
107: p형 InP윈도우층 108: p형 InP 가드링
109: InP 증폭층 110: 표면보호층
112: n-전극층 113: 무반사막층
301: p형 InGaAs옴접촉층 302: p-전극층
Claims (10)
- n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지 않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장 조절층, n형 InP윈도우층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 n형 InP윈도우층의 중앙에 국소적으로 형성된 p형 InP윈도우층과 상기 p형 InP윈도우층 주위에 링 형태로 형성된 p형 InP가드링을 갖는 단일광자 애벌란치 다이오드에 있어서,
상기 p형 InP 윈도우층상에 링 형상으로 돌출되게 형성된 p형 InGaAs옴접촉층과;
상기 p형 InGaAs옴접촉층을 중심으로 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역과 외주영역의 노출된 부분에 형성된 내주 및 외주 표면보호층과;
상기 p형 InGaAs옴접촉층의 상면과 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역에 형성된 상기 내주 표면보호층 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 형성된 원형의 p-전극층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 n형 InP기판 저면의 중앙에 형성된 무반사막층과 상기 무반사막층 주위에 형성된 n-전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 p형 InP윈도우층의 가장자리 영역의 형성 깊이는 상기 p형 InP가드링의형성 깊이와 동일하게 구성되며 중앙부 영역의 형성 깊이는 가장자리 영역 및 상기 p형 InP가드링의 깊이에 비해 더 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 p-전극층은 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au로 형성된 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드. - 제4항에 있어서,
상기 p-전극층은 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au 상부에 형성된 전해 도금층을 포함하는 단일광자 애벌란치 다이오드. - 제1항에 있어서,
상기 내주 및 외주 표면보호층은 SiO2, SiNx, 폴리이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 폴리머 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드. - 단일광자 애벌란치 다이오드의 제조에 있어서,
가. n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장 조절층, n형 InP윈도우층 및 n형 InGaAs옴접촉층을 순차적으로 형성하는 단계와;
나. n형 InGaAs옴접촉층 상에 원형 마스크를 형성한 후 p형 도펀트 확산 또는 이온주입 공정을 통해 상기 n형 InGaAs옴접촉층이 p형으로 변환된 p형 InGaAs옴접촉층과 상기 n형 InP윈도우층 내에 p형 InP윈도우층 및 1개 이상의 p형 InP가드링을 형성하는 단계와;
다. 상기 원형의 p형InGaAs옴접촉층을 습식 또는 건식 식각 공정을 통해서 상기 p형 InP윈도우층 상에 링 형태의 p형 InGaAs옴접촉층을 형성하는 단계와;
라. 상기 링 형상의 상기 p형 InGaAs옴접촉층을 중심으로 상기 p형 InGaAs옴접촉층의 내주영역과 외주영역의 노출된 상기 n형 InP윈도우층과, p형 InP윈도우층 및 p형 InP가드링 상면 부분에 내주 및 외주 표면보호층을 형성하는 단계와;
바. 상기 링형상의 p형 InGaAs옴접촉층 상부와 상기 p형 InGaAs옴접촉층 내주영역에 형성된 내주 표면보호층 상부에 광을 반사하며 도전성을 갖는 소재로 p-전극층을 형성하는 단계와;
사. 상기 n형 InP 기판의 저면의 상기 p형 InP 윈도우층의 투영 영역에 대응되는 영역에 무반사막층과, 상기 무반사막층 주위에 n-전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 p형 도펀트는 Zn 또는 Zn3P2를 확산소스로 사용하여 도핑하는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 p-전극층은 Ti/Au 또는 Ti/Pt/Au를 E-beam 증착 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 무반사막층은 SiO2 또는 SiNx를 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 단일광자 애벌란치 다이오드 제조방법.
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