KR20170126536A - Deposition apparatus - Google Patents

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KR20170126536A KR1020160056272A KR20160056272A KR20170126536A KR 20170126536 A KR20170126536 A KR 20170126536A KR 1020160056272 A KR1020160056272 A KR 1020160056272A KR 20160056272 A KR20160056272 A KR 20160056272A KR 20170126536 A KR20170126536 A KR 20170126536A
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권봉준
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Abstract

Provided is a deposition apparatus capable of improving deposition reliability. The deposition apparatus comprises: a first crucible having a first opening on an upper side thereof; a first nozzle part connected to the first opening; a second crucible having a second opening on an upper side thereof and disposed in the upper part of the first crucible so that at least a part of the second crucible overlaps with the first crucible; and a second nozzle part connected to the second opening.

Description

증착 장치{DEPOSITION APPARATUS}[0001] DEPOSITION APPARATUS [0002]

본 발명은 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus.

전기전자 소자, 예컨대 유기 발광 소자는 복수의 박막을 포함하여 이루어질 수 있다. 이러한 박막을 형성하는 방법으로 증착(deposition)을 예시할 수 있다. 증착이란 증착 물질을 가열하여 증기로 만들어 증착 대상의 표면에 부착시켜 박막을 성장시키는 방법이다.An electric or electronic element, for example, an organic light emitting element, may include a plurality of thin films. As a method for forming such a thin film, deposition can be exemplified. The deposition is a method in which the evaporation material is heated to be vaporized and attached to the surface of the deposition target to grow the thin film.

증착이 수행되는 증착 장치는 증착 물질을 분출하는 증착원(deposition source)을 포함한다. 일반적으로 증착원은 증착 물질을 수용할 수 있는 도가니와 증착 물질 증기의 유로를 제공하는 노즐부를 포함한다. 한편, 필요에 따라 두 가지 이상의 증착 물질을 함께 증착시키는, 이른바 공증착 장치의 개발이 요구되는 실정이다.The deposition apparatus in which the deposition is performed includes a deposition source for ejecting the deposition material. Generally, the evaporation source includes a crucible capable of accommodating the evaporation material and a nozzle portion providing a flow path of the evaporation material vapor. On the other hand, development of a so-called co-evaporation apparatus in which two or more deposition materials are deposited together as needed is required.

그러나, 서로 상이한 기화 온도를 갖는 증착 물질들을 증착시키는 과정에서 증착 물질들의 혼합 증기의 혼합비(mixing ratio)를 일정하게 유지하지 못할 경우 형성된 박막 내 조성이 불균일해질 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자가 불균일한 조성을 갖는 박막을 포함할 경우 유기 발광 소자의 발광 효율과 발광 수명이 저하되는 원인이 될 수 있다.However, if the mixing ratio of the mixed vapor of the deposition materials can not be maintained in the process of depositing the deposition materials having different vaporization temperatures, the composition of the formed thin film may become uneven. For example, when the organic light emitting device includes a thin film having a nonuniform composition, it may cause a decrease in luminous efficiency and lifetime of the organic light emitting device.

뿐만 아니라, 서로 상이한 증착 물질들을 수용하는 복수의 도가니를 배치할 경우 복수의 노즐부 간의 간격이 멀어져 증착 물질 증기 간의 이동 경로 차이가 커지는 문제가 발생할 수 있다.In addition, when a plurality of crucibles that accommodate different deposition materials are disposed, the gap between the plurality of nozzle units may be distanced, which may lead to an increase in the difference in movement path between the evaporation material vapors.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 하나의 챔버 내에서 서로 상이한 두 가지 이상의 증착 물질을 증착시킬 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a deposition apparatus capable of depositing two or more deposition materials different from each other in one chamber.

또, 하나의 챔버 내에서 상기 두 가지 이상의 증착 물질을 증착시킴에도 불구하고 혼합 증기 내 상기 증착 물질들 간의 혼합비(mixing ratio)를 일정하게 유지하고, 대면적 기판에 상기 증착 물질들을 균일하게 증착시킬 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이다.In addition, although the two or more deposition materials are deposited in one chamber, the mixing ratio between the deposition materials in the mixed vapor is kept constant, and the deposition materials are uniformly deposited on the large- And to provide a deposition apparatus that can be used.

또한 서로 상이한 두 가지 이상의 증착 물질을 증착시킴에도 불구하고 증착 신뢰도가 향상된 증착 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a deposition apparatus having improved deposition reliability despite deposition of two or more different deposition materials.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 증착 장치는, 상측에 제1 개구부를 갖는 제1 도가니, 상기 제1 개구부와 연결된 제1 노즐부, 상측에 제2 개구부를 가지고, 상기 제1 도가니와 적어도 일부가 중첩하도록 상기 제1 도가니 상부에 배치된 제2 도가니, 및 상기 제2 개구부와 연결된 제2 노즐부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus including a first crucible having a first opening on an upper side, a first nozzle portion connected to the first opening, and a second opening on an upper side, A second crucible disposed at an upper portion of the first crucible so that at least a portion of the second crucible overlaps the first crucible, and a second nozzle portion connected to the second opening.

평면 시점에서 상기 제2 개구부는 상기 제1 도가니와 중첩할 수 있다.At the plan view, the second opening may overlap with the first crucible.

또, 평면 시점에서 상기 제1 개구부는 상기 제2 도가니와 중첩하지 않을 수 있다.Further, at the plan view, the first opening may not overlap with the second crucible.

상기 제1 노즐부는 연장되어 상기 제1 노즐부의 상측 단부는 상기 제2 도가니의 상면보다 상측에 위치하고, 상기 제2 노즐부와 상기 제1 노즐부는 평면 시점에서 제1 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.Wherein the first nozzle portion extends to the upper side of the second crucible and the upper end of the first nozzle portion is located above the upper surface of the second crucible and the second nozzle portion and the first nozzle portion are sequentially disposed along the first direction at a plan view have.

또, 평면 시점에서 상기 제2 개구부는 상기 제2 도가니의 평면상 중심에 비해 상기 제1 노즐부 측으로 치우쳐 위치할 수 있다.In addition, at the plan view, the second opening portion may be positioned biased toward the first nozzle portion side relative to the plane center of the second crucible.

또, 상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부의 최단 이격 거리는 0 mm 초과 140 mm 미만이거나, 또는 상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부는 상호 접할 수 있다.The shortest distance between the first nozzle portion and the second nozzle portion may be greater than 0 mm and less than 140 mm, or the first nozzle portion and the second nozzle portion may be in contact with each other.

상기 제1 도가니는 제1 기화 온도를 갖는 제1 증착 물질을 수용하도록 구성되고, 상기 제2 도가니는 상기 제1 기화 온도 보다 높은 제2 기화 온도를 갖는 제2 증착 물질을 수용하도록 구성될 수 있다.The first crucible is configured to receive a first deposition material having a first vaporization temperature and the second crucible can be configured to receive a second deposition material having a second vaporization temperature that is higher than the first vaporization temperature .

상기 제1 노즐부의 분사 구멍의 단면적은 상기 제2 노즐부의 분사 구멍의 단면적과 상이할 수 있다.The cross-sectional area of the injection hole of the first nozzle portion may be different from the cross-sectional area of the injection hole of the second nozzle portion.

상기 제1 도가니의 내부 공간 부피는 상기 제2 도가니의 내부 공간 부피와 상이할 수 있다.The internal volume of the first crucible may be different from the internal volume of the second crucible.

본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 제1 노즐부의 개폐동작을 하도록 구성된 제1 밸브, 및 상기 제2 노즐부의 개폐동작을 하도록 구성된 제2 밸브를 더 포함할 수 있다.The deposition apparatus according to another embodiment of the present invention may further include a first valve configured to open and close the first nozzle unit, and a second valve configured to open and close the second nozzle unit.

또, 상기 제1 밸브의 개폐동작과 상기 제2 밸브의 개폐동작을 상호 독립적으로 제어하도록 구성된 밸브 제어부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a valve control unit configured to control the opening and closing operations of the first valve and the opening and closing operations of the second valve independently of each other.

본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 제1 도가니에 열을 공급하도록 구성된 제1 히터, 상기 제2 도가니에 열을 공급하도록 구성된 제2 히터, 및 상기 제1 도가니와 상기 제2 도가니 사이에 배치된 단열 부재를 더 포함할 수 있다.A vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a first heater configured to supply heat to the first crucible, a second heater configured to supply heat to the second crucible, and a second heater configured to supply heat to the second crucible, And a heat insulating member disposed between the heat insulating members.

또, 평면 시점에서 상기 단열 부재는 상기 제1 개구부와 중첩하지 않을 수 있다.Further, at a plan view, the heat insulating member may not overlap with the first opening.

또, 상기 제1 히터의 온도와 상기 제2 히터의 온도를 상호 독립적으로 제어하도록 구성된 온도 제어부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a temperature controller configured to control the temperature of the first heater and the temperature of the second heater independently of each other.

또, 상기 제1 도가니, 상기 제1 히터, 상기 제2 도가니, 상기 제2 히터, 및 상기 단열 부재를 수용하는 하우징, 및 상기 하우징 내에 배치되며 상기 제1 노즐부의 적어도 일부를 가열하도록 구성된 노즐 히터를 더 포함할 수 있다.And a nozzle heater disposed in the housing and configured to heat at least a portion of the first nozzle portion, wherein the first heater, the second crucible, the second heater, and the heat insulating member are housed in the housing, As shown in FIG.

본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는, 평면 시점에서 상기 제1 도가니와 중첩하지 않도록 상기 제1 도가니 측부에 배치되고, 상측에 제3 개구부를 갖는 제3 도가니, 및 상기 제3 개구부와 연결된 제3 노즐부를 더 포함하되, 상기 제2 노즐부, 상기 제1 노즐부, 및 상기 제3 노즐부는 평면 시점에서 제1 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.A vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a third crucible disposed at a side of the first crucible so as not to overlap with the first crucible at a plan view and having a third opening at an upper side thereof, The second nozzle unit, the first nozzle unit, and the third nozzle unit may be sequentially disposed along a first direction at a plan view.

또, 평면 시점에서 상기 제3 개구부는 상기 제3 도가니의 평면상 중심에 비해 상기 제1 노즐부 측으로 치우쳐 위치할 수 있다.In addition, at the plan view, the third opening may be positioned biased toward the first nozzle portion side relative to the plane center of the third crucible.

또, 상측에 제4 개구부를 가지고, 상기 제3 도가니와 적어도 일부가 중첩하도록 상기 제3 도가니 상부에 배치된 제4 도가니, 및 상기 제4 개구부와 연결된 제4 노즐부를 더 포함하되, 상기 제3 노즐부와 상기 제4 노즐부는 평면 시점에서 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.And a fourth crucible having a fourth opening on the upper side and disposed on the upper part of the third crucible so that at least part of the third crucible overlaps with the third crucible and a fourth nozzle part connected to the fourth opening, The nozzle unit and the fourth nozzle unit may be sequentially disposed along the first direction at a plan view.

또한, 평면 시점에서 상기 제4 개구부는 상기 제4 도가니의 평면상 중심에 비해 상기 제3 노즐부 측으로 치우쳐 위치할 수 있다.In addition, at the plan view, the fourth opening may be biased toward the third nozzle portion side relative to the plane center of the fourth crucible.

본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치는, 상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부는 평면 시점에서 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고, 상기 제1 도가니 및 상기 제1 도가니의 상부에 배치된 제2 도가니는 하나의 기본 단위를 이루며, 상기 기본 단위는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 반복되어 복수개일 수 있다.The deposition apparatus according to another embodiment of the present invention is characterized in that the first nozzle unit and the second nozzle unit are sequentially arranged along a first direction at a plan view, and the first crucible and the second nozzle unit The second crucible may form one basic unit, and the basic unit may be repeated along a second direction intersecting with the first direction.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치에 의하면, 기화 온도가 서로 상이한 두 가지 이상의 증착 물질들을 개별적으로 수용하는 두 개 이상의 도가니를 배치하고, 증착 물질들을 각각 서로 다른 도가니 내에서 기화시킴으로써 증착 물질 증기의 혼합비를 정밀하게 제어할 수 있다.According to the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention, it is possible to arrange two or more crucibles individually accommodating two or more deposition materials having different vaporization temperatures from each other, and vaporize the deposition materials in different crucibles, Can be precisely controlled.

또, 상기 복수의 도가니를 상하 방향으로 중첩하도록 배치하여 도가니들과 연결된 노즐부 간의 간격을 감소시킬 수 있고, 이를 통해 증착 물질 증기 간의 이동 경로 차이를 최소화할 수 있다.In addition, the plurality of crucibles may be arranged so as to overlap with each other in the vertical direction, thereby reducing the interval between the crucibles and the nozzle units, thereby minimizing the difference in travel path between the vapor of the evaporation material.

나아가 하나의 챔버 내에서 서로 상이한 두 가지 이상의 증착 물질을 증착시킴에도 증착 균일도가 향상된 박막을 성장시킬 수 있다.Furthermore, even if two or more deposition materials different from each other are deposited in one chamber, a thin film having improved deposition uniformity can be grown.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 증착원 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치의 증착원 어셈블리의 사시도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 장치의 증착원 어셈블리의 사시도이다.
도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 증착 공정을 수행한 경우의 기판 위치별 박막 내 증착 물질들의 혼합비를 측정한 결과이다.
도 9는 종래의 증착 장치를 이용하여 증착 공정을 수행한 경우의 기판 위치별 박막 내 증착 물질들의 혼합비를 측정한 결과이다.
1 is a perspective view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of the evaporator source assembly of FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG.
4 is a perspective view of an evaporation source assembly of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view taken along the line V-V 'in FIG.
6 is a perspective view of an evaporation source assembly of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII 'of FIG.
FIG. 8 is a graph illustrating the results of measurement of mixing ratios of the in-film deposition materials according to the substrate position when the deposition process is performed using the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a graph illustrating a result of measurement of mixing ratios of deposition materials in a thin film according to a substrate position when a deposition process is performed using a conventional deposition apparatus.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention will now be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, in which preferred embodiments of the invention are shown. However, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. To fully disclose the scope of the invention to a person skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being " on " of another element or layer, it includes both a layer directly over or intervening another element or intervening elements. On the other hand, a device being referred to as " directly on " refers to not intervening another device or layer in the middle. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. &Quot; and / or " include each and any combination of one or more of the mentioned items.

공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.Spatially relative terms such as 'below', 'beneath', 'lower', 'above' and 'upper' May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include terms in different directions of the device in use, in addition to the directions shown in the figures. For example, when inverting an element shown in the figure, an element described as 'below or beneath' of another element may be placed 'above' another element. Thus, the exemplary term " below " may include both the downward and upward directions.

본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내의 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다.In the present specification, the first direction X means any one direction in the plane, the second direction Y means a direction intersecting the first direction X in the plane, Z means a direction perpendicular to the plane.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 증착원 어셈블리의 분해 사시도이다. 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절개한 단면도이다.1 is a perspective view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is an exploded perspective view of the evaporator source assembly of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(1000)는 증착원 어셈블리(101), 기판 장착부(200), 및 온도 제어부(300)를 포함할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 증착 장치(1000)는 증착 공정이 이루어지는 공간을 제공하는 챔버(미도시)를 더 포함할 수 있다.1 to 3, a deposition apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention may include an evaporation source assembly 101, a substrate mounting section 200, and a temperature control section 300. Although not shown in the figure, the deposition apparatus 1000 may further include a chamber (not shown) for providing a space for performing the deposition process.

기판 장착부(200)는 증착 대상인 기판 등을 고정시킬 수 있다. 기판 장착부(200)는 증착 공정 중에 적어도 일 방향을 따라 이동하거나 회전이 가능하도록 구성될 수 있다.The substrate mounting part 200 can fix a substrate or the like to be a deposition target. The substrate mount 200 may be configured to move or rotate in at least one direction during the deposition process.

온도 제어부(300)는 증착원 어셈블리(101)와 연결되어 후술할 제1 히터(151) 및 제2 히터(152)를 포함하는 복수의 히터의 온도를 제어하도록 구성될 수 있다.The temperature control unit 300 may be configured to control the temperatures of a plurality of heaters, which are connected to the evaporation source assembly 101 and include a first heater 151 and a second heater 152, which will be described later.

증착원 어셈블리(101)는 내부에 증착 물질을 수용하고, 증착 공정 중에 증착 물질 증기를 분출할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 증착원 어셈블리(101)는 제1 도가니(111)와 제1 노즐부(112)를 포함하는 제1 증착원(110), 제2 도가니(121)와 제2 노즐부(122)를 포함하는 제2 증착원(120), 제1 도가니(111)를 가열하도록 구성된 제1 히터(151), 제2 도가니(121)를 가열하도록 구성된 제2 히터(152), 제1 도가니(111)와 제2 도가니(121)를 상호 단열시키는 단열 부재(160) 및 이들을 수용하는 하우징(180)을 포함할 수 있다.The evaporation source assembly 101 can accommodate the evaporation material therein and eject the evaporation material vapor during the evaporation process. In an exemplary embodiment, the evaporation source assembly 101 includes a first evaporation source 110 including a first crucible 111 and a first nozzle portion 112, a second evaporation source 110 including a second crucible 121 and a second nozzle portion 112 A first heater 151 configured to heat the first crucible 111, a second heater 152 configured to heat the second crucible 121, a second crucible 121 configured to heat the second crucible 121, A heat insulating member 160 for mutually insulating the first crucible 111 and the second crucible 121, and a housing 180 for accommodating the same.

제1 도가니(111)는 도면을 기준으로 상측에 제1 개구부(111c)를 가지고, 내부 공간에 제1 증착 물질(DM1)을 수용하도록 구성될 수 있다. 제1 도가니(111)는 제1 도가니 본체(111a) 및 제1 도가니 덮개(111b)를 포함하여 상호 분리 가능하게 구성될 수 있다. 제1 도가니 덮개(111b)의 상면은 제1 도가니(111)의 상면을 정의하며, 제1 개구부(111c)는 제1 도가니 덮개(111b)에 형성될 수 있다.The first crucible 111 has a first opening 111c on the upper side with reference to the drawing and can be configured to receive the first deposition material DM1 in the inner space. The first crucible 111 may include a first crucible main body 111a and a first crucible lid 111b so as to be separable from each other. The upper surface of the first crucible cover 111b defines an upper surface of the first crucible 111 and the first opening 111c may be formed in the first crucible cover 111b.

제1 노즐부(112)는 제1 도가니(111)의 내부 공간에 수용되는 제1 증착 물질(DM1) 증기가 분출되는 유로를 제공할 수 있다. 제1 노즐부(112)는 제1 개구부(111c)와 연결되어 상측으로 돌출될 수 있다. 제1 노즐부(112)는 제2 도가니(121)의 측면을 따라 연장되며 도면을 기준으로 제1 노즐부(112)의 상측 단부는 제2 도가니(121)의 상면보다 상측에 위치할 수 있다. 제1 노즐부(112)가 제2 도가니(121)의 측면과 이격되게 도시된 도 3과 달리, 제1 노즐부(112)와 제2 도가니(121)의 측면은 접할 수도 있다. 또, 제1 개구부(111c) 및/또는 제1 노즐부(112)는 제1 도가니(111)의 평면상 중심(CP1)에 비해 제1 방향(X) 일측으로 치우쳐 위치할 수 있다. The first nozzle unit 112 may provide a flow path through which vapor of the first deposition material DM1 contained in the inner space of the first crucible 111 is ejected. The first nozzle unit 112 may be connected to the first opening 111c and protrude upward. The first nozzle part 112 extends along the side surface of the second crucible 121 and the upper end of the first nozzle part 112 may be located above the upper surface of the second crucible 121 . The first nozzle portion 112 and the side surfaces of the second crucible 121 may be in contact with each other, unlike FIG. 3 in which the first nozzle portion 112 is shown apart from the side surface of the second crucible 121. The first opening 111c and / or the first nozzle portion 112 may be biased toward the first direction X relative to the plane center CP 1 of the first crucible 111.

한편, 도 2 등에서는 제1 노즐부(112)가 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 두 개인 경우를 예시하고 있으나, 제1 노즐부(112)는 하나이거나, 또는 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치된 세 개 이상일 수도 있다.2 and the like illustrate the case where the first nozzle units 112 are spaced apart from each other in the second direction Y. However, the first nozzle units 112 may be one, Y). ≪ / RTI >

제2 도가니(121)는 상측에 제2 개구부(121c)를 가지고, 내부 공간에 제2 증착 물질(DM2)을 수용하도록 구성될 수 있다. 제2 증착 물질(DM2)은 제1 증착 물질(DM1)과 상이한 물질, 예컨대 상이한 기화 온도를 갖는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 증착 물질(DM2)은 제1 증착 물질(DM1)보다 높은 기화 온도를 갖는 물질일 수 있다. 이 같이 구성하여 제1 증착 물질(DM1) 증기가 제1 노즐부(112)를 통하여 이동하는 중에 제2 도가니(121)에 의해 온도가 변화되는 것을 방지할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.The second crucible 121 has a second opening 121c on the upper side and can be configured to receive the second deposition material DM2 in the inner space. The second deposition material DM2 may be a material different from the first deposition material DM1, for example, a material having a different vaporization temperature. In an exemplary embodiment, the second deposition material DM2 may be a material having a higher vaporization temperature than the first deposition material DM1. This configuration prevents the temperature of the first deposition material DM1 from being changed by the second crucible 121 while the vapor of the first deposition material DM1 is moving through the first nozzle unit 112. [ However, the present invention is not limited thereto.

제2 도가니(121)는 제2 도가니 본체(121a) 및 제2 도가니 덮개(121b)를 포함하여 상호 분리 가능하게 구성될 수 있다. 제2 도가니 덮개(121b)의 상면은 제2 도가니(121)의 상면을 정의하며, 제2 개구부(121c)는 제2 도가니 덮개(121b)에 형성될 수 있다. 제2 도가니(121)는 제1 도가니(111)와 적어도 일부가 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 제1 도가니(111) 상부에 배치된다. 또, 평면 시점에서 제2 개구부(121c)는 제1 도가니(111)와 중첩하도록, 즉 제2 개구부(121c)는 제1 도가니(111)와 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 위치할 수 있다. 이하에서 평면 시점이란, 도면을 기준으로 상측에서 증착원 어셈블리(101)를 바라본 시점을 의미한다. 반면, 평면 시점에서 제1 개구부(111c)는 제2 도가니(121)와 중첩하지 않도록 위치할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The second crucible 121 may include a second crucible main body 121a and a second crucible cover 121b so as to be separable from each other. The upper surface of the second crucible cover 121b defines an upper surface of the second crucible 121 and the second opening 121c may be formed in the second crucible cover 121b. The second crucible 121 is disposed on the first crucible 111 such that at least a part of the second crucible 121 overlaps with the first crucible 111 in the third direction Z. The second opening 121c may overlap the first crucible 111, that is, the second opening 121c may overlap the first crucible 111 in the third direction Z at a plan view . Hereinafter, the plan view refers to a time when the evaporation source assembly 101 is viewed from above on the basis of the drawing. On the other hand, the first opening 111c may be positioned so as not to overlap with the second crucible 121 at a plan view, but the present invention is not limited thereto.

예시적인 실시예에서, 제2 도가니(121)의 내부 공간 부피는 제1 도가니(111)의 내부 공간 부피와 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 도가니(111)의 내부 공간 부피는 제2 도가니(121)의 내부 공간 부피보다 클 수 있다. 다른 실시예에서, 도면에 도시된 바와 달리 제1 도가니의 높이는 제2 도가니의 높이보다 작고, 상기 제1 도가니의 내부 공간 부피는 상기 제2 도가니의 내부 공간 부피보다 작거나 같을 수도 있다. 제1 도가니(111)와 제2 도가니(121)의 부피 차이를 통해 증착원 어셈블리(101) 내부에 수용되는 제1 증착 물질(DM1)과 제2 증착 물질(DM2)의 양을 조절하여 제1 증착 물질(DM1) 증기와 제2 증착 물질(DM2) 증기의 혼합 증기의 혼합비를 제어할 수 있다.In an exemplary embodiment, the internal volume of the second crucible 121 may be different from the internal volume of the first crucible 111. For example, the inner space volume of the first crucible 111 may be larger than the inner space volume of the second crucible 121. In another embodiment, the height of the first crucible may be less than the height of the second crucible, and the inner volume of the first crucible may be less than or equal to the inner volume of the second crucible. The amount of the first deposition material DM1 and the second deposition material DM2 accommodated in the evaporation source assembly 101 is controlled by adjusting the volume difference between the first crucible 111 and the second crucible 121, It is possible to control the mixing ratio of the mixed vapor of the deposition material (DM1) vapor and the second deposition material (DM2) vapor.

제2 노즐부(122)는 제2 도가니(121)의 내부 공간에 수용되는 제2 증착 물질(DM2) 증기가 분출되는 유로를 제공할 수 있다. 제2 노즐부(122)는 제2 개구부(121c)와 연결되어 상측으로 돌출될 수 있다. 평면 시점에서 제2 노즐부(122)는 제1 노즐부(112)와 제1 방향(X)을 따라 이격되거나 접하여 순차적으로 배치될 수 있다. 또, 제1 노즐부(112)의 상측 단부에 위치하는 분사 구멍과 제2 노즐부(122)의 상측 단부에 위치하는 분사 구멍이 실질적으로 동일한 레벨일 경우, 제1 노즐부(112)의 길이는 제2 노즐부(122)의 길이보다 길 수 있다. 또한, 제2 개구부(121c) 및/또는 제2 노즐부(122)는 제2 도가니(121)의 평면상 중심(CP2)에 비해 제1 방향(X) 일측, 예를 들어 제1 노즐부(112) 측으로 치우쳐 위치할 수 있다. 즉, 제2 노즐부(122)는 제2 도가니(121)의 평면상 중심(CP2)과 제1 노즐부(112) 사이에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 평면 시점에서 바라볼 때, 제1 노즐부(112)와 제2 노즐부(122) 간의 최단거리는, 제1 노즐부(112)와 제2 도가니(121)의 평면상 중심(CP2) 간의 최단거리보다 짧을 수 있다. 비제한적인 일례에서, 제1 노즐부(112)와 제2 노즐부(122)의 제1 방향(X)으로의 최단 이격 거리(d)의 상한은 약 140mm 미만이거나, 약 130mm 이하이거나, 120mm 이하이거나, 110mm 이하이거나, 100mm 이하이거나, 90mm 이하이거나, 80mm 이하이거나, 70mm 이하이거나, 60mm 이하이거나, 약 50mm 이하이거나, 40mm 이하이거나, 30mm 이하이거나, 약 20mm 이하이거나, 또는 약 10mm 이하이고, 최단 이격 거리(d)의 하한은 0mm 초과일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 노즐부(112)와 제2 노즐부(122)가 접하여 이격 거리(d)가 0일 수 있다.The second nozzle unit 122 may provide a flow path through which vapor of the second deposition material DM2 contained in the inner space of the second crucible 121 is ejected. The second nozzle unit 122 may be connected to the second opening 121c and protrude upward. At a plan view, the second nozzle unit 122 may be sequentially disposed in contact with or spaced apart from the first nozzle unit 112 along the first direction X. When the injection hole located at the upper end of the first nozzle part 112 and the injection hole located at the upper end of the second nozzle part 122 are at substantially the same level, the length of the first nozzle part 112 May be longer than the length of the second nozzle portion 122. In addition, the second opening (121c) and / or the second nozzle portion 122 includes a second plane the center of the crucible (121) (CP 2) to the first direction (X) side, for example the first nozzle portion than (112). That is, the second nozzle unit 122 may be positioned between the center CP 2 of the second crucible 121 and the first nozzle unit 112. In other words, the shortest distance between the first nozzle unit 112 and the second nozzle unit 122 when viewed from the plan view is the center of the plane between the first nozzle unit 112 and the second crucible 121 (CP 2 May be shorter than the shortest distance between them. In a non-limiting example, the uppermost limit of the shortest distance d l in the first direction X between the first nozzle portion 112 and the second nozzle portion 122 is less than about 140 mm, less than about 130 mm, Less than 120 mm, less than 110 mm, less than 100 mm, less than 90 mm, less than 80 mm, less than 70 mm, less than 60 mm, less than about 50 mm, less than 40 mm, less than 30 mm, less than about 20 mm, , And the lower limit of the shortest distance (d L ) may be more than 0 mm. In another embodiment, a first nozzle unit, the separation distance (d ℓ) in contact 112 and the second nozzle portion 122 may be zero.

전술한 제1 노즐부(112)와 제1 개구부(111c), 제2 노즐부(122)와 제2 개구부(121c)의 배치를 통해 각 노즐부를 통해 이동하는 증착 물질 증기의 유로 길이를 최소화하여 증착 물질 증기가 이동 중에 노즐부 등에 의해 열을 빼앗기는 것을 방지할 수 있다. 또한 제1 노즐부(112)의 분사 구멍과 제2 노즐부(122)의 분사 구멍 간의 이격 거리를 감소시킴으로써 제1 증착 물질(DM1) 증기와 제2 증착 물질(DM2) 증기의 이동 경로 차이를 줄일 수 있으며, 이에 따라 제1 증착 물질(DM1)과 제2 증착 물질(DM2)의 혼합비의 산포를 감소시킬 수 있다. The length of the flow path of the evaporation material vapor moving through each nozzle portion is minimized through the arrangement of the first nozzle portion 112 and the first opening portion 111c, the second nozzle portion 122 and the second opening portion 121c It is possible to prevent the evaporation material vapor from being deprived of heat by the nozzle portion or the like during movement. Further, by reducing the separation distance between the injection hole of the first nozzle part 112 and the injection hole of the second nozzle part 122, the difference in the movement path of the first deposition material DM1 vapor and the second deposition material DM2 vapor Thereby reducing the scattering of the mixing ratio of the first deposition material DM1 and the second deposition material DM2.

한편, 도 2 등에서는 제2 노즐부(122)가 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 두 개인 경우를 예시하고 있으나, 제2 노즐부(122)는 하나이거나, 또는 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치된 세 개 이상일 수도 있으며, 제2 노즐부(122)의 개수는 제1 노즐부(112)의 개수와 상이할 수 있다.2 and the like illustrate the case where the second nozzle portions 122 are separated from each other in the second direction Y. However, the second nozzle portions 122 may have one nozzle, Y, and the number of the second nozzle portions 122 may be different from the number of the first nozzle portions 112. In addition,

예시적인 실시예에서, 제1 노즐부(112)의 분사 구멍의 단면적과 제2 노즐부(122)의 분사 구멍의 단면적은 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 노즐부(112,122)의 단면 형상이 대략 원형일 경우 제1 노즐부(112)의 내경(d1)과 제2 노즐부(122)의 내경(d2)은 상이할 수 있다. 이를 통해 제1 증착 물질(DM1) 증기와 제2 증착 물질(DM2) 증기의 혼합 증기의 혼합비를 제어할 수 있다.In the exemplary embodiment, the cross-sectional area of the injection hole of the first nozzle portion 112 and the cross-sectional area of the injection hole of the second nozzle portion 122 may be different. For example, the first and, if the sectional shape of the second nozzle portion (112 122) be substantially circular inside diameter of the first nozzle section an inner diameter (d 1) and the second nozzle portion 122 of (112) (d 2) is Can be different. Thus, the mixing ratio of the mixed vapor of the first deposition material (DM1) vapor and the second deposition material (DM2) vapor can be controlled.

제1 히터(151)는 제1 도가니(111)에 열을 공급하여 제1 도가니(111) 내부 공간에 수용된 제1 증착 물질(DM1)을 기화시킬 수 있도록 구성된다. 제1 히터(151)는 제1 도가니(111)의 측부에서 제1 도가니(111)의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1 히터(151)는 히팅 플레이트 또는 발열 코일 등일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The first heater 151 is configured to supply heat to the first crucible 111 to vaporize the first deposition material DM1 contained in the first crucible 111. The first heater 151 may be arranged to surround at least a part of the first crucible 111 on the side of the first crucible 111. The first heater 151 may be a heating plate or a heat generating coil, but is not limited thereto.

마찬가지로, 제2 히터(152)는 제2 도가니(121)에 열을 공급하여 제2 도가니(121) 내부 공간에 수용된 제2 증착 물질(DM2)을 기화시킬 수 있도록 구성된다. 제2 히터(152)는 제2 도가니(121)의 측부에서 제2 도가니(121)의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다.Similarly, the second heater 152 is configured to supply heat to the second crucible 121 to vaporize the second deposition material DM2 contained in the space inside the second crucible 121. The second heater 152 may be arranged to surround at least a part of the second crucible 121 on the side of the second crucible 121.

앞서 설명한 바와 같이, 제1 히터(151) 및 제2 히터(152)는 온도 제어부(300)와 각각 연결되어 히터의 발열 온도를 제어하는 신호를 제공받을 수 있다. 예를 들어, 제1 히터(151)의 발열 온도와 제2 히터(152)의 발열 온도는 온도 제어부(300)에 의해 상호 독립적으로 제어될 수 있다. 이를 통해 제1 도가니(111)와 제2 도가니(121)로 제공하는 열량을 개별적으로 제어할 수 있고, 제1 증착 물질(DM1)과 제2 증착 물질(DM2)의 기화량을 개별적으로 제어할 수 있으며, 이에 따라 제1 증착 물질(DM1)과 제2 증착 물질(DM2)의 혼합비를 보다 균일하게 제어할 수 있다. As described above, the first heater 151 and the second heater 152 may be connected to the temperature controller 300 to receive a signal for controlling the heating temperature of the heater. For example, the heating temperature of the first heater 151 and the heating temperature of the second heater 152 may be independently controlled by the temperature controller 300. The amount of heat to be supplied to the first crucible 111 and the second crucible 121 can be individually controlled and the amount of vaporization of the first deposition material DM1 and the second deposition material DM2 can be separately controlled Accordingly, the mixing ratio of the first deposition material DM1 and the second deposition material DM2 can be more uniformly controlled.

단열 부재(160)는 제1 도가니(111)와 제2 도가니(121) 사이에 배치된다. 제1 도가니(111)와 제2 도가니(121)가 서로 상이한 온도로 동시에 가열될 경우, 제1 도가니(111)와 제2 도가니(121)를 상호 단열시켜 서로 간의 열 전달을 방지할 수 있다. 평면 시점에서 단열 부재(160)는 제1 개구부(111c)와 중첩하지 않도록 배치될 수 있다.The heat insulating member (160) is disposed between the first crucible (111) and the second crucible (121). When the first crucible 111 and the second crucible 121 are simultaneously heated to different temperatures, the first crucible 111 and the second crucible 121 may be mutually insulated to prevent heat transmission therebetween. At the plan view, the heat insulating member 160 may be arranged so as not to overlap with the first opening 111c.

하우징(180)은 제1 도가니(111), 제1 히터(151), 제2 도가니(121), 제2 히터(152) 및 단열 부재(160)를 수용한다. 예를 들어 하우징(180)은 탑 하우징(181) 및 바텀 하우징(182)을 포함하는 대략 박스 형태일 수 있다. 탑 하우징(181)은 복수의 관통홀(181a)을 가져 복수의 관통홀(181a)에 제1 노즐부(112) 및 제2 노즐부(122)가 삽입 배치되어 탑 하우징(181)의 상측으로 더욱 돌출될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 탑 하우징(181)은 생략될 수도 있다. 바텀 하우징(182)은 하판과 측벽을 포함하여 내부에 도가니 등을 수납하고 증착원 어셈블리(101)의 외벽을 구성할 수 있다.The housing 180 houses the first crucible 111, the first heater 151, the second crucible 121, the second heater 152 and the heat insulating member 160. For example, the housing 180 may be substantially box-shaped, including a top housing 181 and a bottom housing 182. The top housing 181 has a plurality of through holes 181a so that the first nozzle portion 112 and the second nozzle portion 122 are inserted into the plurality of through holes 181a to be disposed above the top housing 181 But the present invention is not limited thereto, and the top housing 181 may be omitted. The bottom housing 182 may include a lower plate and side walls, and may house the crucibles and constitute an outer wall of the evaporation source assembly 101.

한편, 예시적인 실시예에서 증착원 어셈블리(101)는 제1 노즐부(112)의 개폐동작을 하도록 구성된 제1 밸브(171), 제2 노즐부(122)의 개폐동작을 하도록 구성된 제2 밸브(172), 및 제1 노즐부(112)를 가열하도록 구성된 노즐 히터(155)를 더 포함하고, 증착 장치(1000)는 제1 밸브(171)와 제2 밸브(172)의 개폐동작을 제어하는 밸브 제어부(400)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, in the exemplary embodiment, the evaporator source assembly 101 includes a first valve 171 configured to perform opening and closing operations of the first nozzle unit 112, a second valve 171 configured to open and close the second nozzle unit 122, And a nozzle heater 155 configured to heat the first nozzle portion 112 and the second nozzle portion 112. The deposition apparatus 1000 controls the opening and closing operations of the first valve 171 and the second valve 172 And a valve control unit 400 for controlling the valves.

제1 밸브(171)는 제1 노즐부(112)의 적어도 일부를 개폐하도록 구성되어 제1 노즐부(112)를 통해 분출되는 제1 증착 물질(DM1)의 증기량을 조절할 수 있다. 제2 밸브(172)는 제2 노즐부(122)의 적어도 일부를 개폐하도록 구성되어 제2 노즐부(122)를 통해 분출되는 제2 증착 물질(DM2)의 증기량을 조절할 수 있다. 또, 밸브 제어부(400)는 증착원 어셈블리(101)와 연결되어 제1 밸브(171) 및 제2 밸브(172)를 포함하는 복수의 밸브의 개폐동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제1 밸브(171)의 개폐동작과 제2 밸브(172)의 개폐동작은 밸브 제어부(400)에 의해 상호 독립적으로 제어될 수 있다. 이를 통해 제1 증착 물질(DM1)과 제2 증착 물질(DM2)의 혼합비를 보다 균일하게 제어할 수 있다.The first valve 171 is configured to open and close at least a portion of the first nozzle unit 112 to adjust the amount of vapor of the first deposition material DM1 ejected through the first nozzle unit 112. The second valve 172 is configured to open and close at least a part of the second nozzle part 122 to control the amount of vapor of the second deposition material DM2 ejected through the second nozzle part 122. [ The valve control unit 400 may be connected to the evaporation source assembly 101 to control the opening and closing operations of the plurality of valves including the first valve 171 and the second valve 172. For example, the opening and closing operations of the first valve 171 and the opening and closing operations of the second valve 172 can be independently controlled by the valve control unit 400. Thus, the mixing ratio of the first deposition material DM1 and the second deposition material DM2 can be more uniformly controlled.

노즐 히터(155)는 제1 노즐부(112)를 가열할 수 있도록 구성된다. 노즐 히터(155)는 하우징(180) 내에서 제1 노즐부(112)의 적어도 일부와 인접하여 그 측부에 배치될 수 있다. 제2 노즐부(122)에 비해 상대적으로 긴 제1 노즐부(112)를 통해 분출되는 제1 증착 물질(DM1) 증기의 온도가 이동 중에 변화하는 것을 방지하기 위해 노즐 히터(155)가 제1 증착 물질(DM1) 증기를 계속하여 가열할 수 있다. 이 경우, 노즐 히터(155)는 온도 제어부(300)와 연결되어 노즐 히터(155)의 발열 온도를 제어하는 신호를 제공받을 수 있다. 예를 들어, 노즐 히터(155)의 발열 온도는 제1 및 제2 히터(151,152)의 발열 온도와 상호 독립적으로 제어될 수 있다.The nozzle heater 155 is configured to heat the first nozzle portion 112. The nozzle heater 155 may be disposed on the side of the housing 180 adjacent to at least a portion of the first nozzle portion 112. In order to prevent the temperature of the vapor of the first deposition material DM1 sprayed through the first nozzle part 112 relatively longer than the second nozzle part 122 from changing during the movement, The vapor of the deposition material (DM1) can be continuously heated. In this case, the nozzle heater 155 may be connected to the temperature controller 300 to receive a signal for controlling the temperature of the nozzle heater 155. For example, the heating temperature of the nozzle heater 155 can be controlled independently of the heating temperature of the first and second heaters 151 and 152. [

이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치에 대해 설명한다. 다만, 발명의 본질을 흐리지 않기 위해 일 실시예에 따른 증착 장치와 실질적으로 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Hereinafter, a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention will be described. However, in order not to obscure the essence of the present invention, a description of substantially the same configuration as the deposition apparatus according to one embodiment will be omitted, and it will be apparent to those skilled in the art.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치의 증착원 어셈블리의 사시도이다. 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따라 절개한 단면도이다.4 is a perspective view of an evaporation source assembly of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view taken along the line V-V 'in FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치의 증착원 어셈블리(102)는 제3 도가니(131)와 제3 노즐부(132)를 포함하는 제3 증착원, 제4 도가니(141)와 제4 노즐부(142)를 포함하는 제4 증착원, 제3 도가니(131)를 가열하도록 구성된 제3 히터(153), 제4 도가니(141)를 가열하도록 구성된 제4 히터(154), 제3 노즐부(132)의 개폐동작을 하도록 구성된 제3 밸브(173), 및 제4 노즐부(142)의 개폐동작을 하도록 구성된 제4 밸브(174)를 더 포함하는 점이 도 1 내지 도 3의 실시예에 따른 증착 장치(1000)의 증착원 어셈블리(101)와 상이한 점이다.4 and 5, an evaporation source assembly 102 of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a third evaporation source including a third crucible 131 and a third nozzle unit 132, A third heater 153 configured to heat the third crucible 131, a fourth evaporator 141 configured to heat the fourth crucible 141, The third valve 173 configured to perform opening and closing operations of the third nozzle unit 132 and the fourth valve 174 configured to perform the opening and closing operations of the fourth nozzle unit 142 And is different from the evaporation source assembly 101 of the evaporation apparatus 1000 according to the embodiment of FIGS.

제3 도가니(131)는 상측에 제3 개구부(131c)를 가지고, 내부 공간에 제3 증착 물질(DM3)을 수용하도록 구성될 수 있다. 제3 증착 물질(DM3)은 제1 증착 물질(DM1) 및/또는 제2 증착 물질(DM2)과 상이한 물질일 수 있다. 제3 도가니(131)는 제3 도가니 본체(131a) 및 제3 도가니 덮개(131b)를 포함하여 상호 분리 가능하게 구성될 수 있다. 제3 도가니 덮개(131b)의 상면은 제3 도가니(131)의 상면을 정의하며, 제3 개구부(131c)는 제3 도가니 덮개(131b)에 형성될 수 있다. 제3 도가니(131)는 평면 시점에서 제1 도가니(111)와 중첩하지 않도록, 즉 제3 도가니(131)는 제1 도가니(111)와 제3 방향(Z)으로 중첩하지 않도록 제1 도가니(111)의 측부에 배치된다.The third crucible 131 may have a third opening 131c on the upper side and may be configured to receive the third deposition material DM3 in the inner space. The third deposition material DM3 may be a material different from the first deposition material DM1 and / or the second deposition material DM2. The third crucible 131 may include a third crucible main body 131a and a third crucible lid 131b, and may be configured to be separable from each other. The upper surface of the third crucible cover 131b defines the upper surface of the third crucible 131 and the third opening 131c is formed in the third crucible cover 131b. The third crucible 131 is arranged so as not to overlap with the first crucible 111 at a planar viewpoint such that the third crucible 131 does not overlap the first crucible 111 in the third direction Z, 111).

예시적인 실시예에서, 제3 도가니(131)의 내부 공간 부피와 제1 도가니(111)의 내부 공간 부피는 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3 도가니(131)의 제1 방향(X) 너비는 제1 도가니(111)의 제1 방향(X) 너비와 상이할 수 있다. 이를 통해 제1 증착 물질(DM1) 증기와 제3 증착 물질(DM3) 증기의 혼합 증기의 혼합비를 제어할 수 있다.In an exemplary embodiment, the internal space volume of the third crucible 131 and the internal space volume of the first crucible 111 may be different. For example, the width of the third crucible 131 in the first direction (X) may be different from the width of the first crucible (111) in the first direction (X). Thus, the mixing ratio of the mixed vapor of the first deposition material (DM1) vapor and the third deposition material (DM3) vapor can be controlled.

제3 노즐부(132)는 제3 도가니(131)의 내부 공간에 수용되는 제3 증착 물질(DM3) 증기가 분출되는 유로를 제공할 수 있다. 제3 노즐부(132)는 제3 개구부(131c)와 연결되어 상측으로 돌출될 수 있다. 제3 노즐부(132)는 제4 도가니(141)의 측면을 따라 연장되며 도면을 기준으로 제3 노즐부(132)의 상측 단부는 제4 도가니(141)의 상면보다 상측에 위치할 수 있다. 제3 노즐부(132)가 제4 도가니(141)의 측면과 이격되게 도시된 도 5와 달리, 제3 노즐부(132)와 제4 도가니(141)의 측면은 접할 수도 있다. The third nozzle part 132 may provide a flow path through which vapor of the third deposition material DM3 contained in the inner space of the third crucible 131 is ejected. The third nozzle unit 132 may be connected to the third opening 131c and protrude upward. The third nozzle unit 132 extends along the side surface of the fourth crucible 141 and the upper end of the third nozzle unit 132 may be located above the upper surface of the fourth crucible 141 . The third nozzle portion 132 and the side surface of the fourth crucible 141 may be in contact with each other, unlike FIG. 5 in which the third nozzle portion 132 is shown apart from the side surface of the fourth crucible 141.

평면 시점에서 제2 노즐부(122), 제1 노즐부(112), 및 제3 노즐부(132)는 제1 방향(X)을 따라 이격되거나 접하여 순차적으로 배치될 수 있다. 또, 제3 개구부(131c) 및/또는 제3 노즐부(132)는 제3 도가니(131)의 평면상 중심(CP3)에 비해 제1 방향(X) 타측, 예를 들어 제1 노즐부(112) 측으로 치우쳐 위치할 수 있다. 즉, 제3 노즐부(132)는 제3 도가니(131)의 평면상 중심(CP3)과 제1 노즐부(112) 사이에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 평면 시점에서 바라볼 때, 제1 노즐부(112)와 제3 노즐부(132) 간의 최단거리는, 제1 노즐부(112)와 제3 도가니(131)의 평면상 중심(CP3) 간의 최단거리보다 짧을 수 있다.The second nozzle unit 122, the first nozzle unit 112, and the third nozzle unit 132 may be sequentially disposed at or spaced apart from each other along the first direction X at a plan view. The third opening portion 131c and / or the third nozzle portion 132 are located on the other side in the first direction X, for example, in the first nozzle portion 132, than the plane center CP 3 of the third crucible 131. [ (112). That is, the third nozzle unit 132 may be positioned between the plane center CP 3 of the third crucible 131 and the first nozzle unit 112. In other words, the shortest distance between the first nozzle unit 112 and the third nozzle unit 132 when viewed from the plan view is the center of the plane between the first nozzle unit 112 and the third crucible 131 (CP 3 May be shorter than the shortest distance between them.

한편, 도 4 등에서는 제3 노즐부(132)가 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 두 개인 경우를 예시하고 있으나, 제3 노즐부(132)는 하나이거나, 또는 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치된 세 개 이상일 수도 있으며, 제3 노즐부(132)의 개수는 제1 노즐부(112) 또는 제2 노즐부(122) 개수와 상이할 수 있다.4 and the like illustrate the case where the third nozzle units 132 are separated from each other in the second direction Y. However, the third nozzle units 132 may be one, Y, and the number of the third nozzle parts 132 may be different from the number of the first nozzle part 112 or the second nozzle part 122. In this case,

제4 도가니(141)는 상측에 제4 개구부(141c)를 가지고, 내부 공간에 제4 증착 물질(DM4)을 수용하도록 구성될 수 있다. 제4 증착 물질(DM4)은 제1 증착 물질(DM1), 제2 증착 물질(DM2), 및/또는 제3 증착 물질(DM3)과 상이한 물질일 수 있다. 제4 도가니(141)는 제4 도가니 본체(141a) 및 제4 도가니 덮개(141b)를 포함하여 상호 분리 가능하게 구성될 수 있다. 제4 도가니 덮개(141b)의 상면은 제4 도가니(141)의 상면을 정의하며, 제4 개구부(141c)는 제4 도가니 덮개(141b)에 형성될 수 있다. 제4 도가니(141)는 제3 도가니(131)와 적어도 일부가 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 제3 도가니(131) 상부에 배치된다. 또, 평면 시점에서 제4 개구부(141c)는 제3 도가니(131)와 중첩하도록, 즉 제4 개구부(141c)는 제3 도가니(131)와 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 위치할 수 있다. 반면, 평면 시점에서 제3 개구부(131c)는 제4 도가니(141)와 중첩하지 않도록 위치할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The fourth crucible 141 has a fourth opening 141c on the upper side and can be configured to receive the fourth deposition material DM4 in the inner space. The fourth deposition material DM4 may be a material different from the first deposition material DM1, the second deposition material DM2, and / or the third deposition material DM3. The fourth crucible 141 may include a fourth crucible main body 141a and a fourth crucible cover 141b so as to be separable from each other. The upper surface of the fourth crucible cover 141b defines the upper surface of the fourth crucible 141 and the fourth opening 141c may be formed in the fourth crucible cover 141b. The fourth crucible 141 is disposed above the third crucible 131 such that at least a part of the fourth crucible 141 overlaps with the third crucible 131 in the third direction Z. [ The fourth opening 141c may overlap the third crucible 131, that is, the fourth opening 141c may overlap the third crucible 131 in the third direction Z at a plan view . On the other hand, the third opening 131c may be positioned so as not to overlap with the fourth crucible 141 at a plan view, but the present invention is not limited thereto.

예시적인 실시예에서, 제4 도가니(141)의 내부 공간 부피와 제3 도가니(131)의 내부 공간 부피는 상이할 수 있다. 예를 들어, 제4 도가니(141)의 높이는 제3 도가니(131)의 높이와 상이할 수 있다.In an exemplary embodiment, the inner space volume of the fourth crucible 141 and the inner space volume of the third crucible 131 may be different. For example, the height of the fourth crucible 141 may be different from the height of the third crucible 131.

제4 노즐부(142)는 제4 도가니(141)의 내부 공간에 수용되는 제4 증착 물질(DM4) 증기가 분출되는 유로를 제공할 수 있다. 제4 노즐부(142)는 제4 개구부(141c)와 연결되어 상측으로 돌출될 수 있다. 평면 시점에서 제4 노즐부(142)는 제3 노즐부(132)와 제1 방향(X)을 따라 이격되거나 접하여 순차적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 노즐부(122), 제1 노즐부(112), 제3 노즐부(132), 및 제4 노즐부(142)는 제1 방향(X)을 따라 순차적으로 단속되어 이격 배치될 수 있다. 또, 제4 개구부(141c) 및/또는 제4 노즐부(142)는 제4 도가니(141)의 평면상 중심(CP4)에 비해 제1 방향(X) 타측, 예를 들어 제3 노즐부(132) 측으로 치우쳐 위치할 수 있다. 즉, 제4 노즐부(142)는 제4 도가니(141)의 평면상 중심(CP4)과 제3 노즐부(132) 사이에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 평면 시점에서 바라볼 때, 제3 노즐부(132)와 제4 노즐부(142) 간의 최단거리는, 제3 노즐부(132)와 제4 도가니(141)의 평면상 중심(CP4) 간의 최단거리보다 짧을 수 있다. 이 같은 배치를 통해 제1 내지 제4 노즐부(112,122,132,142)의 분사 구멍 간의 이격 거리를 감소시킴으로써 제1 내지 제4 증착 물질(DM4) 증기의 이동 경로 차이를 줄일 수 있다.The fourth nozzle unit 142 may provide a flow path through which vapor of the fourth deposition material DM4 contained in the inner space of the fourth crucible 141 is ejected. The fourth nozzle unit 142 may be connected to the fourth opening 141c and protrude upward. At a plan view, the fourth nozzle unit 142 may be sequentially disposed in contact with or spaced apart from the third nozzle unit 132 along the first direction X. For example, the second nozzle portion 122, the first nozzle portion 112, the third nozzle portion 132, and the fourth nozzle portion 142 are sequentially interrupted along the first direction X, . The fourth opening portion 141c and / or the fourth nozzle portion 142 are located on the other side in the first direction X relative to the plane center CP 4 of the fourth crucible 141, for example, (132). That is, the fourth nozzle unit 142 may be positioned between the plane center CP 4 of the fourth crucible 141 and the third nozzle unit 132. In other words, the shortest distance between the third nozzle unit 132 and the fourth nozzle unit 142 when viewed from the plan view is the center of the plane between the third nozzle unit 132 and the fourth crucible 141 (CP 4 May be shorter than the shortest distance between them. By reducing the distance between the injection holes of the first to fourth nozzle units 112, 122, 132 and 142 through this arrangement, it is possible to reduce the difference in the movement path of the first to fourth deposition material DM4 vapor.

한편, 도 4 등에서는 제4 노즐부(142)가 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치되어 두 개인 경우를 예시하고 있으나, 제4 노즐부(142)는 하나이거나, 또는 상호 제2 방향(Y)으로 이격 배치된 세 개 이상일 수도 있으며, 제4 노즐부(142)의 개수는 제1 노즐부(112), 제2 노즐부(122), 또는 제3 노즐부(132) 개수와 상이할 수 있다.4 and the like illustrate the case where the fourth nozzle units 142 are separated from each other in the second direction Y. However, the fourth nozzle units 142 may be one, Y and the number of the fourth nozzle portions 142 is different from the number of the first nozzle portion 112, the second nozzle portion 122, or the third nozzle portion 132 .

제3 히터(153)는 제3 도가니(131)에 열을 공급하여 제3 도가니(131) 내부 공간에 수용된 제3 증착 물질(DM3)을 기화시킬 수 있도록 구성된다. 제3 히터(153)는 제3 도가니(131)의 측부에서 제3 도가니(131)의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 마찬가지로, 제4 히터(154)는 제4 도가니(141)에 열을 공급하여 제4 도가니(141) 내부 공간에 수용된 제4 증착 물질(DM4)을 기화시킬 수 있도록 구성된다. 제4 히터(154)는 제4 도가니(141)의 측부에서 제4 도가니(141)의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치될 수 있다.The third heater 153 is configured to supply heat to the third crucible 131 to vaporize the third deposition material DM3 contained in the space inside the third crucible 131. The third heater 153 may be arranged to surround at least a part of the third crucible 131 on the side of the third crucible 131. Similarly, the fourth heater 154 is configured to supply heat to the fourth crucible 141 to vaporize the fourth deposition material DM4 accommodated in the interior space of the fourth crucible 141. The fourth heater 154 may be arranged to surround at least a part of the fourth crucible 141 on the side of the fourth crucible 141.

또, 제3 히터(153) 및 제4 히터(154)는 증착 장치의 온도 제어부(미도시)와 각각 연결되어 히터의 발열 온도를 제어하는 신호를 제공받을 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제4 히터(154)의 발열 온도는 상기 온도 제어부에 의해 상호 독립적으로 제어될 수 있다.The third heater 153 and the fourth heater 154 may be connected to the temperature control unit (not shown) of the deposition apparatus to receive a signal for controlling the heating temperature of the heater. For example, the heating temperatures of the first to fourth heaters 154 may be controlled independently of each other by the temperature control unit.

제3 밸브(173)는 제3 노즐부(132)의 적어도 일부를 개폐하도록 구성되어 제3 노즐부(132)를 통해 분출되는 제3 증착 물질(DM3)의 증기량을 조절할 수 있다. 제4 밸브(174)는 제4 노즐부(142)의 적어도 일부를 개폐하도록 구성되어 제4 노즐부(142)를 통해 분출되는 제4 증착 물질(DM4)의 증기량을 조절할 수 있다. 또, 증착 장치의 밸브 제어부(미도시)는 증착원 어셈블리(102)와 연결되어 제1 내지 제4 밸브(174)를 포함하는 복수의 밸브의 개폐동작을 독립적으로 제어하도록 구성될 수 있다.The third valve 173 is configured to open and close at least a portion of the third nozzle unit 132 to control the amount of vapor of the third deposition material DM3 ejected through the third nozzle unit 132. [ The fourth valve 174 is configured to open and close at least a portion of the fourth nozzle unit 142 to control the amount of vapor of the fourth deposition material DM4 ejected through the fourth nozzle unit 142. [ The valve control unit (not shown) of the deposition apparatus may be connected to the evaporation source assembly 102 to independently control the opening and closing operations of the plurality of valves including the first to fourth valves 174.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 장치의 증착원 어셈블리의 사시도이다. 도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ' 선을 따라 절개한 단면도이다.6 is a perspective view of an evaporation source assembly of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII 'of FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착 장치의 증착원 어셈블리(103)는 제1 도가니(111) 및 제1 노즐부(미도시)를 포함하는 제1 증착원과 제2 도가니(121) 및 제2 노즐부(122)를 포함하는 제2 증착원이 제2 방향(Y)을 따라 반복 배치되고, 인접한 상기 제1 증착원들 사이 및 상기 제2 증착원들 사이에 배치된 격벽(185)을 더 포함하는 점이 도 1 내지 도 3의 실시예에 따른 증착 장치(1000)의 증착원 어셈블리(101)와 상이한 점이다.6 and 7, an evaporation source assembly 103 of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a first evaporation source 111 including a first crucible 111 and a first nozzle unit (not shown) A second evaporation source including the second crucible 121 and the second nozzle unit 122 is repeatedly disposed along the second direction Y and between the adjacent first evaporation sources and the second evaporation sources The deposition source assembly 101 of the deposition apparatus 1000 according to the embodiment of FIGS. 1 to 3 differs from the deposition source assembly 101 of FIG.

구체적으로, 제1 도가니(111)와 제1 노즐부(미도시)를 포함하는 제1 증착원 및 제2 도가니(121)와 제2 노즐부(122)를 포함하는 제2 증착원은 하나의 기본 단위(UT)를 이루고, 그 기본 단위(UT)가 제2 방향(Y)을 따라 반복 배치되어 복수개일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 도가니(111) 및 제1 도가니(111)의 제2 방향(Y) 측부에 배치된 도가니는 모두 제1 증착 물질(DM1)을 수용하도록 구성되고, 제2 도가니(121) 및 제2 도가니(121)의 제2 방향(Y) 측부에 배치된 도가니는 모두 제2 증착 물질(DM2)을 수용하도록 구성될 수 있다. 도 6 등에는 제2 방향(Y)으로 반복 배치된 두 개의 기본 단위(UT)를 포함하는 증착원 어셈블리(103)를 예시하고 있으나, 기본 단위(UT)는 세 개 이상일 수도 있다.Specifically, the first evaporation source including the first crucible 111 and the first nozzle unit (not shown), and the second evaporation source including the second crucible 121 and the second nozzle unit 122, And the basic unit UT may be repeatedly disposed along the second direction Y to form a plurality of units. In the exemplary embodiment, the crucibles disposed in the first crucible 111 and the second crucible 111 side in the second direction Y are all configured to receive the first deposition material DM1, and the second crucible 111 121 and the crucible disposed on the second direction Y side of the second crucible 121 may all be configured to receive the second deposition material DM2. Although FIG. 6 illustrates an evaporator source assembly 103 including two basic units UT repeatedly arranged in the second direction Y, three or more basic units UT may be used.

격벽(185)은 하우징 내부에 배치어 인접한 기본 단위(UT)가 수용되는 공간을 분리하도록 배치될 수 있으나, 격벽(185)은 생략될 수도 있다.The barrier ribs 185 may be disposed inside the housing to isolate spaces in which the adjacent basic units UT are accommodated, but the barrier ribs 185 may be omitted.

다른 실시예에서, 상기 제1 증착원과 상기 제2 증착원이 이루는 기본 단위는 제1 방향(X)을 따라 반복 배치되어 복수개일 수도 있다.In another embodiment, the basic unit formed by the first evaporation source and the second evaporation source may be repeatedly disposed along the first direction X to form a plurality of units.

이하, 구체적인 실시예와 비교예를 참조로 하여 본 발명에 대해 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples and comparative examples.

<실시예><Examples>

본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 증착원 어셈블리와 증착 대상인 기판을 고정한 상태에서 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 증착 공정을 수행하였으며, 기판 위치별 증착 물질들의 혼합비(mixing ratio)의 측정 결과를 도 8에 도시하였다. 이 때, 제1 증착 물질을 분출하는 제1 노즐부의 좌표는 -10이고, 제2 증착 물질을 분출하는 제2 노즐부의 좌표는 +10이며, 제1 노즐부 상측 말단에 위치하는 분사 구멍과 제2 노즐부 상측 말단에 위치하는 분사 구멍의 이격 거리는 약 20 mm였다.The deposition process of the first deposition material and the second deposition material was performed while the deposition source assembly and the substrate to be deposited were fixed using the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. The mixing ratio of the deposition materials ) Are shown in Fig. In this case, the coordinates of the first nozzle unit for ejecting the first deposition material is -10, the coordinates of the second nozzle unit for ejecting the second deposition material is +10, and the ejection holes positioned at the upper end of the first nozzle unit 2 The separation distance of the injection hole located at the upper end of the nozzle portion was about 20 mm.

<비교예><Comparative Example>

종래의 증착 장치를 이용하여 증착원과 증착 대상인 기판을 고정한 상태에서 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 증착 공정을 수행하였으며, 기판 위치별 증착 물질들의 혼합비의 측정 결과를 도 9에 도시하였다. 이 때, 제1 증착 물질을 분출하는 제1 노즐부의 좌표는 -70이고, 제2 증착 물질을 분출하는 제2 노즐부의 좌표는 +70이며, 제1 노즐부 상측 말단에 위치하는 분사 구멍과 제2 노즐부 상측 말단에 위치하는 분사 구멍의 이격 거리는 약 140mm였다.The deposition process of the first deposition material and the second deposition material was performed while the deposition source and the substrate to be deposited were fixed using the conventional deposition apparatus and the measurement result of the mixing ratio of the deposition materials for each substrate position is shown in FIG. In this case, the coordinates of the first nozzle unit for ejecting the first deposition material is -70, the coordinates of the second nozzle unit for ejecting the second deposition material is +70, and the ejection holes located at the upper end of the first nozzle unit 2 The separation distance of the injection hole located at the upper end of the nozzle portion was about 140 mm.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 증착 공정을 수행한 경우의 기판 위치별 박막 내 증착 물질들의 혼합비를 측정한 결과이다. 도 9는 종래의 증착 장치를 이용하여 증착 공정을 수행한 경우의 기판 위치별 박막 내 증착 물질들의 혼합비를 측정한 결과이다.FIG. 8 is a graph illustrating the results of measurement of mixing ratios of the in-film deposition materials according to the substrate position when the deposition process is performed using the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 is a graph illustrating a result of measurement of mixing ratios of deposition materials in a thin film according to a substrate position when a deposition process is performed using a conventional deposition apparatus.

도 8 및 도 9에서, 가로축은 기판 좌표를 나타내고, +300은 기판 중앙으로부터 우측 300mm 지점을, 0은 기판 정중앙 지점을, -300은 기판 중앙으로부터 좌측 300mm 지점을 의미한다. 또, 세로축은 증착된 박막 내의 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 혼합비(mixing ratio)를 나타내고, 해당 위치의 기판 상에 증착된 박막에 포함된 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 분율(fraction)을 의미한다.In FIGS. 8 and 9, the abscissa represents the substrate coordinates, +300 means 300 mm right from the center of the substrate, 0 means the center point of the substrate, and -300 means 300 mm left from the center of the substrate. The vertical axis represents the mixing ratio of the first deposition material and the second deposition material in the deposited thin film and the ratio of the first deposition material and the second deposition material contained in the thin film deposited on the substrate at the position fraction.

도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 이용하여 수행한 증착 공정의 경우, 기판 위치(좌표)에 따라 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 증착 혼합비가 상대적으로 균일함을 확인할 수 있다. 구체적으로 기판 정중앙 위치에서의 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 혼합비는 1이고, 증착원 어셈블리와 이격 거리가 최대로 되는 -300 및 +300 위치에서의 혼합비는 약 1.2이다.Referring to FIG. 8, in the deposition process performed using the deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, the deposition mixture ratio of the first deposition material and the second deposition material is relatively uniform according to the substrate position (coordinate) can confirm. Specifically, the mixing ratio of the first deposition material and the second deposition material at the center position of the substrate is 1, and the mixture ratio at the positions -300 and +300 at which the separation distance from the deposition source assembly is maximized is about 1.2.

반면 도 9를 참조하면, 종래의 증착 장치를 이용하여 수행한 증착 공정의 경우, 기판 위치에 따라 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 증착 혼합비가 불균일함을 확인할 수 있다. 구체적으로 기판 정중앙 위치에서의 제1 증착 물질과 제2 증착 물질의 혼합비는 1인 반면, 증착원과 이격 거리가 최대로 되는 -300 및 +300 위치에서의 혼합비는 약 3.0이다.On the other hand, referring to FIG. 9, in the case of the deposition process performed using the conventional deposition apparatus, it can be confirmed that the deposition mixture ratio of the first deposition material and the second deposition material is non-uniform according to the substrate position. Specifically, the mixing ratio of the first deposition material and the second deposition material at the center of the substrate is 1, while the mixing ratio at the -300 and +300 positions at which the separation distance from the deposition source is maximized is about 3.0.

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

1000: 증착 장치
101: 증착원 어셈블리
200: 기판 장착부
300: 온도 제어부
400: 밸브 제어부
1000: Deposition device
101: evaporation source assembly
200:
300: Temperature controller
400: valve control section

Claims (20)

상측에 제1 개구부를 갖는 제1 도가니;
상기 제1 개구부와 연결된 제1 노즐부;
상측에 제2 개구부를 가지고, 상기 제1 도가니와 적어도 일부가 중첩하도록 상기 제1 도가니 상부에 배치된 제2 도가니; 및
상기 제2 개구부와 연결된 제2 노즐부를 포함하는 증착 장치.
A first crucible having a first opening on its upper side;
A first nozzle unit connected to the first opening;
A second crucible having a second opening on the upper side and disposed on the first crucible to overlap at least a part of the first crucible; And
And a second nozzle part connected to the second opening part.
제1 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 제2 개구부는 상기 제1 도가니와 중첩하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
And the second opening overlaps with the first crucible at a plan view.
제2 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 제1 개구부는 상기 제2 도가니와 중첩하지 않는 증착 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the first opening does not overlap with the second crucible at a plan view.
제1 항에 있어서,
상기 제1 노즐부는 연장되어 상기 제1 노즐부의 상측 단부는 상기 제2 도가니의 상면보다 상측에 위치하고,
상기 제2 노즐부와 상기 제1 노즐부는 평면 시점에서 제1 방향을 따라 순차적으로 배치된 증착 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first nozzle part extends so that an upper end of the first nozzle part is located above the upper surface of the second crucible,
Wherein the second nozzle unit and the first nozzle unit are sequentially disposed along a first direction at a plan view.
제4 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 제2 개구부는 상기 제2 도가니의 평면상 중심에 비해 상기 제1 노즐부 측으로 치우쳐 위치하는 증착 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the second opening portion is biased toward the first nozzle portion side relative to the plane center of the second crucible at the plan view.
제4 항에 있어서,
상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부의 최단 이격 거리는 0 mm 초과 140 mm 미만이거나, 또는 상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부는 상호 접하는 증착 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the shortest distance between the first nozzle portion and the second nozzle portion is greater than 0 mm and less than 140 mm, or the first nozzle portion and the second nozzle portion are in contact with each other.
제1 항에 있어서,
상기 제1 도가니는 제1 기화 온도를 갖는 제1 증착 물질을 수용하도록 구성되고,
상기 제2 도가니는 상기 제1 기화 온도 보다 높은 제2 기화 온도를 갖는 제2 증착 물질을 수용하도록 구성된 증착 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first crucible is configured to receive a first deposition material having a first vaporization temperature,
And the second crucible is configured to receive a second deposition material having a second vaporization temperature higher than the first vaporization temperature.
제1 항에 있어서,
상기 제1 노즐부의 분사 구멍의 단면적은 상기 제2 노즐부의 분사 구멍의 단면적과 상이한 증착 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the cross-sectional area of the injection hole of the first nozzle portion is different from the cross-sectional area of the injection hole of the second nozzle portion.
제1 항에 있어서,
상기 제1 도가니의 내부 공간 부피는 상기 제2 도가니의 내부 공간 부피와 상이한 증착 장치.
The method according to claim 1,
Wherein an inner space volume of the first crucible is different from an inner space volume of the second crucible.
제1 항에 있어서,
상기 제1 노즐부의 개폐동작을 하도록 구성된 제1 밸브; 및
상기 제2 노즐부의 개폐동작을 하도록 구성된 제2 밸브를 더 포함하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
A first valve configured to open and close the first nozzle unit; And
And a second valve configured to perform opening and closing operations of the second nozzle portion.
제10 항에 있어서,
상기 제1 밸브의 개폐동작과 상기 제2 밸브의 개폐동작을 상호 독립적으로 제어하도록 구성된 밸브 제어부를 더 포함하는 증착 장치.
11. The method of claim 10,
Further comprising a valve control unit configured to control the opening and closing operations of the first valve and the opening and closing operations of the second valve independently of each other.
제1 항에 있어서,
상기 제1 도가니에 열을 공급하도록 구성된 제1 히터;
상기 제2 도가니에 열을 공급하도록 구성된 제2 히터; 및
상기 제1 도가니와 상기 제2 도가니 사이에 배치된 단열 부재를 더 포함하는 증착 장치.
The method according to claim 1,
A first heater configured to supply heat to the first crucible;
A second heater configured to supply heat to the second crucible; And
And a heat insulating member disposed between the first crucible and the second crucible.
제12 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 단열 부재는 상기 제1 개구부와 중첩하지 않는 증착 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the insulating member does not overlap the first opening at a plan view.
제12 항에 있어서,
상기 제1 히터의 온도와 상기 제2 히터의 온도를 상호 독립적으로 제어하도록 구성된 온도 제어부를 더 포함하는 증착 장치.
13. The method of claim 12,
And a temperature controller configured to control the temperature of the first heater and the temperature of the second heater independently of each other.
제12 항에 있어서,
상기 제1 도가니, 상기 제1 히터, 상기 제2 도가니, 상기 제2 히터, 및 상기 단열 부재를 수용하는 하우징; 및
상기 하우징 내에 배치되며 상기 제1 노즐부의 적어도 일부를 가열하도록 구성된 노즐 히터를 더 포함하는 증착 장치.
13. The method of claim 12,
A housing for accommodating the first crucible, the first heater, the second crucible, the second heater, and the heat insulating member; And
And a nozzle heater disposed within the housing and configured to heat at least a portion of the first nozzle portion.
제1 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 제1 도가니와 중첩하지 않도록 상기 제1 도가니 측부에 배치되고, 상측에 제3 개구부를 갖는 제3 도가니; 및
상기 제3 개구부와 연결된 제3 노즐부를 더 포함하되,
상기 제2 노즐부, 상기 제1 노즐부, 및 상기 제3 노즐부는 평면 시점에서 제1 방향을 따라 순차적으로 배치된 증착 장치.
The method according to claim 1,
A third crucible disposed on the first crucible side so as not to overlap with the first crucible at a plan view and having a third opening on the upper side; And
And a third nozzle unit connected to the third opening,
Wherein the second nozzle portion, the first nozzle portion, and the third nozzle portion are sequentially disposed along a first direction at a plan view.
제16 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 제3 개구부는 상기 제3 도가니의 평면상 중심에 비해 상기 제1 노즐부 측으로 치우쳐 위치하는 증착 장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the third opening is located biased toward the first nozzle portion side relative to the plane center of the third crucible at a plan view.
제16 항에 있어서,
상측에 제4 개구부를 가지고, 상기 제3 도가니와 적어도 일부가 중첩하도록 상기 제3 도가니 상부에 배치된 제4 도가니; 및
상기 제4 개구부와 연결된 제4 노즐부를 더 포함하되,
상기 제3 노즐부와 상기 제4 노즐부는 평면 시점에서 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치된 증착 장치.
17. The method of claim 16,
A fourth crucible having a fourth opening on the upper side and disposed on the third crucible to overlap at least a part of the third crucible; And
And a fourth nozzle unit connected to the fourth opening,
Wherein the third nozzle unit and the fourth nozzle unit are sequentially disposed along the first direction at a plan view.
제18 항에 있어서,
평면 시점에서 상기 제4 개구부는 상기 제4 도가니의 평면상 중심에 비해 상기 제3 노즐부 측으로 치우쳐 위치하는 증착 장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the fourth opening is located at the third nozzle portion side relative to the center of the fourth crucible in plan view.
제1 항에 있어서,
상기 제1 노즐부와 상기 제2 노즐부는 평면 시점에서 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되고,
상기 제1 도가니 및 상기 제1 도가니의 상부에 배치된 제2 도가니는 하나의 기본 단위를 이루며,
상기 기본 단위는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 반복되어 복수개인 증착 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first nozzle portion and the second nozzle portion are sequentially disposed along a first direction at a plan view,
Wherein the first crucible and the second crucible disposed above the first crucible constitute one basic unit,
And the basic unit is repeated along a second direction intersecting with the first direction.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2023010001A1 (en) * 2021-07-30 2023-02-02 Versum Materials Us, Llc Multiple zone heated enclosure for optimized sublimation of solid-phase precursors

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