KR100848709B1 - Downward type deposition source - Google Patents
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
Abstract
Description
도 1 및 도 2는 각각 종래기술에 따른 증발원에서 도가니본체에 대한 도면들,1 and 2 are views of the crucible body in the evaporation source according to the prior art, respectively,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하향식 증발원에서 하우징을 제외한 상태의 사시도,3 is a perspective view of a state except the housing from the top-down evaporation source according to an embodiment of the present invention,
도 4는 도 3에서 덮개를 분리한 상태의 분해 사시도,4 is an exploded perspective view of a state in which a cover is removed from FIG. 3;
도 5는 도 3의 부분 절개 사시도,5 is a partial cutaway perspective view of FIG. 3;
도 6은 도 3의 A-A 선에 따른 단면도,6 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 하향식 증발원의 종단면도,7 is a longitudinal sectional view of a top-down evaporation source according to an embodiment of the present invention;
도 8은 도 7에 도시된 하향식 증발원을 기울인 상태의 도면,8 is a view in which the top-down evaporation source shown in FIG. 7 is inclined;
도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 하향식 증발원을 구비한 박막 증착장치의 개략적인 구조도.9 is a schematic structural diagram of a thin film deposition apparatus having a top-down evaporation source according to an embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 내부에 보조가열부가 더 구비된 하향식 증발원의 종단면도.10 is a longitudinal sectional view of a top-down evaporation source further provided with an auxiliary heating unit therein according to an embodiment of the present invention.
도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 내부에 소형의 하향식 증발원이 더 구비된 하향식 증발원의 종단면도이다.11 is a longitudinal sectional view of a top-down evaporation source further provided with a small top-down evaporation source therein according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
1 : 공정챔버 3 : 서셉터1: process chamber 3: susceptor
5 : 기판 10 : 하향식 증발원5
20 : 도가니본체 21 : 이동부20: crucible body 21: moving part
23 : 공급부 30 : 덮개 23: supply part 30: cover
33 : 연장부 40 : 확산부33: extension part 40: diffusion part
40a : 플레이트 40b : 연결부40a:
50 : 하우징 60 : 가열부50
63 : 보조가열부63: auxiliary heating unit
본 발명은, 하향식 증발원에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반대 방향으로 뒤집거나 일정 각도 기울인다 하더라도 내부에 충전된 증발물질이 쏟아지지 않아 사용상 편리할 뿐만 아니라 하부에 위치한 기판에 대해 위에서 아래 방향으로 증착할 수 있도록 하되 간단한 구조를 가짐으로써 제품에 적용하기가 용이하여 공정 비용을 절감할 수 있고 나아가 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 발전에 기여할 수 있는 하향식 증발원 및 그를 구비한 박막 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a top-down evaporation source, and more particularly, the evaporation material filled therein does not spill even when turned upside down or inclined at an angle. The present invention relates to a top-down evaporation source and a thin film deposition apparatus having the same, which can be easily applied to a product by having a simple structure, thereby reducing process costs and contributing to the development of the next-generation semiconductor and display industries.
기판이라 함은, 반도체를 제조하기 위한 박판의 웨이퍼(wafer)를 비롯하여, 유리기판 등을 모두 포함하는 용어이다.Substrate is a term including both a thin wafer for manufacturing a semiconductor and a glass substrate.
한편, 기판이 제품으로 출시되기까지에는 다양한 공정이 수반되는데 이 중에 하나가 박막 증착공정이다.Meanwhile, a variety of processes are involved before the substrate is released as a product, one of which is a thin film deposition process.
기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공 증착법, 이온 플래이팅법(ion-plating) 및 스퍼터링(sputtering)법 등과 같은 물리 기상 증착법(PVD)과, 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법 등이 있다. 이 가운데에서, 본 실시예와 같이 유기전계 발광소자의 유기막층, 전극 등과 같은 박막을 형성하는 데에는 진공 증착법이 주로 사용된다.Typical methods of forming a thin film on a substrate include physical vapor deposition (PVD), such as vacuum deposition, ion-plating, and sputtering, and chemical vapor deposition (CVD) by gas reaction. have. Among them, the vacuum deposition method is mainly used to form a thin film such as an organic film layer, an electrode, etc. of the organic light emitting device as in the present embodiment.
진공 증착법에 사용되는 증발원으로는 보통 간접 가열 방식(또는 유도 가열 방식)의 증발원(effusion cell)이 사용되고 있다. 통상의 진공 증착법은 공정챔버의 하부에 증발원을 장착하고 증발원의 상부에 성막용 기판을 설치하여 기판에 박막을 형성하는 방법이다.As the evaporation source used in the vacuum deposition method, an effusion cell of an indirect heating method (or induction heating method) is usually used. The conventional vacuum deposition method is a method of forming a thin film on a substrate by mounting an evaporation source on the lower part of the process chamber and a film formation substrate on the evaporation source.
한편, 디스플레이 산업이 발전함에 따라 기판, 특히 유리기판의 크기도 계속 커지고 있다.Meanwhile, as the display industry develops, the size of substrates, especially glass substrates, continues to grow.
이처럼 유리기판의 크기가 계속 커짐에도 불구하고 기존의 증발원을 이용해서 기판에 박막을 형성시키는 통상의 방식의 경우, 유리기판을 위쪽에 매달아야하므로 얇고 넓어진 대형 유리기판이 아래쪽으로 휘어질 수밖에 없어 기판에 균일한 증착 박막을 얻기가 어려워진다. 따라서 이러한 경우, 상측에 매달아 둔 유리기판이 휘어지는 것을 방지하기 위한 수단들을 갖추어야마나 하는데, 이에는 기술적 비용이 상당히 많이 들어가는 단점이 있다.In this case, although the glass substrate continues to grow in size, the conventional method of forming a thin film on the substrate by using an existing evaporation source, the glass substrate must be suspended on the upper side, so that the thin and wide glass substrate must be bent downward. It becomes difficult to obtain a uniform deposited thin film on the substrate. Therefore, in this case, it is equipped with a means for preventing the glass substrate suspended on the upper side, which has a disadvantage that considerably high technical cost.
따라서 근자에 들어서는 기판을 바닥에 위치시킨 후에 기판의 상부에서 기판 의 상면에 박막을 형성시키고자 하는 기술이 지속적으로 연구되고 있으나 여전히 해결되어야 할 문제점들이 나타나고 있다.Therefore, in recent years, a technique for forming a thin film on the upper surface of the substrate from the top of the substrate after placing the substrate on the bottom has been continuously studied, but there are still problems to be solved.
예컨대, 일본특허청 출원번호 제1989-168024호나 대한민국특허청 출원번호 제2002-0052899호 등을 보면 기판을 하부에 위치시켜 놓고, 기판의 상부에 증발원을 마련한 하향식 증발원에 대해 개시하고 있기는 하지만, 구조적으로 상당히 복잡하여 실질적으로 제품에 적용하기가 쉽지 않다는 문제점이 있다.For example, Japanese Patent Application No. 1989-168024 and Korean Patent Application No. 2002-0052899 disclose a top-down evaporation source in which a substrate is placed at the bottom and an evaporation source is provided on the substrate. There is a problem that it is quite complicated and practically difficult to apply to the product.
또한 상기 문헌에 개시된 기술적 문제점을 해결하기 위한 방안 외에도 더 해결되어야 할 수단으로서 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 내부에 증발물질을 충전시킨 도가니본체(120,220)를 뒤집는 경우, 그 내부에 충전된 증발물질(B)이 쉽게 쏟아지는 것을 방지하기 위한 수단이 있다.In addition, as shown in FIGS. 1 and 2 as a means to be solved in addition to the solution to the technical problem disclosed in the document, when the inverted crucible body (120,220) filled with evaporation material therein, it is filled therein There is a means for preventing the evaporated substance (B) from pouring easily.
즉, 도 1 및 도 2와 같은 통상의 구조에서는 도가니본체(120,220)가 단순한 용기 구조를 가지기 때문에 도가니본체(120,220)를 기울이는 각도에 한계가 있을 수밖에 없어 실질적으로 공정에 적용하기에는 다소 무리가 따를 수밖에 없으므로 이러한 문제점 역시 해결되어야 할 것으로 본다.That is, in the conventional structure as shown in FIGS. 1 and 2, since the crucible
종합해보면, 하향식 증발원을 개발하려는 경우, 하향식 증발원을 반대 방향으로 뒤집거나 일정 각도 기울인다 하더라도 내부에 충전된 증발물질이 쏟아지지 않아 사용상 편리할 뿐만 아니라 하부에 위치한 기판에 대해 위에서 아래 방향으로 증착할 수 있도록 하되 간단한 구조를 가짐으로써 제품에 적용하기가 용이하여 공정 비용을 절감할 수 있고 나아가 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 발전에 기여할 수 있도록 하는 방향으로의 연구 개발이 필요하다 할 것이다.Taken together, in order to develop a top-down evaporation source, even if the top-down evaporation source is turned upside down or tilted at an angle, the evaporation material charged inside does not spill and it is convenient for use and can be deposited from the top to the bottom of the substrate located below. However, it is necessary to research and develop in a direction that can be applied to products by having a simple structure, thereby reducing process costs and contributing to the development of next-generation semiconductor and display industries.
본 발명의 목적은, 기존의 공정이 갖는 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반대 방향으로 뒤집거나 일정 각도 기울인다 하더라도 내부에 충전된 증발물질이 쏟아지지 않아 사용상 편리할 뿐만 아니라 하부에 위치한 기판에 대해 위에서 아래 방향으로 증착할 수 있도록 하되 간단한 구조를 가짐으로써 제품에 적용하기가 용이하여 공정 비용을 절감할 수 있고 나아가 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 발전에 기여할 수 있는 하향식 증발원 및 그를 구비한 박막 증착장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to solve the problems of the existing process, even if the inverted or inclined at an angle in the opposite direction is not easy to use because it does not spill the evaporated material filled inside, but also from the top to the bottom substrate Providing a top-down evaporation source and a thin film deposition apparatus having the same, which can be deposited in a direction but have a simple structure, which can be easily applied to a product, thereby reducing process costs and contributing to the development of the next-generation semiconductor and display industries. will be.
상기 목적은, 증발물질의 충전공간이 형성되며 증발된 증착물질을 상부로 공급하는 공급부와, 상기 공급부의 축심에 위치하며 상기 공급부의 상부와 연통되어 증착물질을 하방으로 이동시키는 이동부가 구비된 도가니본체; 와 상기 공급부와 상기 이동부가 서로 연통되도록 상기 도가니본체의 상부에 착탈가능하게 결합되거나 도가니본체와 일체형으로 된 덮개; 및 상기 이동부의 하부에 구비되며 상기 도가니본체의 이동부로부터 이동된 증착물질을 확산되도록 하여 배출하는 확산부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.The object of the present invention is to provide a filling space for evaporation material, and a crucible having a supply part for supplying evaporated deposition material to an upper part and a moving part positioned at an axis of the supply part and communicating with an upper part of the supply part to move the deposition material downward. main body; And a lid detachably coupled to the upper portion of the crucible body or integral with the crucible body so that the supply part and the moving part communicate with each other; And a diffusion part disposed below the moving part and configured to diffuse and discharge the deposition material moved from the moving part of the crucible body; Characterized in that it comprises a.
상기 공급부는 환형으로 될 수 있다.The supply can be annular.
상기 공급부는 복수개로 되며 상기 이동부 주위로 방사형으로 배치될 수 있다.The supply portion may be plural and radially disposed around the moving portion.
상기 공급부는 인접한 공급부와 서로 연통될 수 있다.The supply may be in communication with an adjacent supply.
상기 덮개는 반구형 또는 돔형으로 될 수 있다.The cover may be hemispherical or dome shaped.
상기 확산부는, 저면을 형성하는 원반형의 플레이트와, 상기 도가니본체의 이동부와 상기 플레이트를 상호 연결하며 하부로 갈수록 확장되는 레듀셔 형태의 연결부로 될 수 있다.The diffusion part may be a disk-shaped plate forming a bottom surface, and a reducer-type connection part that connects the moving part and the plate of the crucible body and extends downward.
상기 도가니본체와 상기 덮개가 내부에 수용되도록 상기 확산부와 결합되는 하우징과, 상기 도가니본체와 상기 하우징의 내벽면 사이에는 상기 공급부 내에 충전된 증발물질을 가열하는 가열부가 더 구비될 수 있다.A housing coupled to the diffusion portion to accommodate the crucible body and the cover therein, and a heating unit for heating the evaporation material filled in the supply portion between the crucible body and the inner wall surface of the housing may be further provided.
상기 가열부는 상기 덮개 상단으로부터 상기 플레이트의 상부까지 연장형성될 수 있다.The heating unit may extend from the top of the cover to the top of the plate.
상기 덮개는 중앙에 이동부의 내부 하단으로 연장된 원기둥형상의 연장부가 더 형성될 수 있다.The cover may further include a cylindrical extension portion extending to the inner lower end of the moving part at the center.
상기 연장부의 내부에 보조가열부가 더 구비될 수 있다.An auxiliary heating part may be further provided inside the extension part.
상기 덮개는 중앙에 이동부의 내부로부터 확산부로 연장된 연장부가 더 형성되며, 상기 연장부의 내부에는 하향식 증발원이 소형으로 더 구비될 수 있다.The cover may further include an extension part extending from the inside of the moving part to the diffusion part in the center, and further provided with a small top-down evaporation source inside the extension part.
상기 연장부와 하향식 증발원의 도가니본체 사이에는 보조가열부가 더 구비될 수 있다.An auxiliary heating part may be further provided between the extension part and the crucible body of the top-down evaporation source.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.
설명에 앞서, 아래에서 설명될 기판이라 함은, 반도체를 제조하기 위한 박판의 웨이퍼(wafer)를 비롯하여, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 등의 유리기판 등을 모두 포함하는 용어라 간주하기로 한다.Prior to the description, the substrate to be described below includes a thin wafer for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED). It is to be considered a term that includes all glass substrates.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 하향식 증발원에서 하우징을 제외한 상태의 사시도, 도 4는 도 3에서 덮개를 분리한 상태의 분해 사시도, 도 5는 도 3의 부분 절개 사시도, 도 6은 도 3의 A-A 선에 따른 단면도, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 하향식 증발원의 종단면도, 도 8은 도 7에 도시된 하향식 증발원을 기울인 상태의 도면, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 하향식 증발원을 구비한 박막 증착장치의 개략적인 구조도, 도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 내부에 보조가열부가 더 구비된 하향식 증발원의 종단면도, 도 11은 본 발명의 일실시예에 따른 내부에 소형의 하향식 증발원이 더 구비된 하향식 증발원의 종단면도이다.Figure 3 is a perspective view of a state without the housing from the top-down evaporation source according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is an exploded perspective view of the cover removed in Figure 3, Figure 5 is a partially cutaway perspective view of Figure 3, Figure 6 3 is a cross-sectional view of the top-down evaporation source according to an embodiment of the present invention, FIG. 8 is a view in which the top-down evaporation source shown in FIG. 7 is inclined, and FIG. 9 is an embodiment of the present invention. Figure 10 is a schematic structural diagram of a thin film deposition apparatus having a top down evaporation source according to the present invention, Figure 10 is a longitudinal sectional view of a top down evaporation source further provided with an auxiliary heating unit in accordance with an embodiment of the present invention, Figure 11 is an embodiment of the present invention The vertical cross-sectional view of the top-down evaporation source is further provided with a small top-down evaporation source therein.
우선 도 9를 먼저 참조할 때, 본 실시예의 하향식 증발원(10, 도 7 참조)은 도 9와 같은 구조로 사용될 수 있다.First, referring first to FIG. 9, the top-down evaporation source 10 (see FIG. 7) of the present embodiment may be used in the same structure as in FIG. 9.
즉, 공정챔버(1) 내에 상부 영역에 하향식 증발원(10)을 설치하되, 서셉터(Susceptor)(3)에 지지된 기판(5)의 상부 영역에 하향식 증발원(10)을 설치하여 기판(5)을 향해 증발물질을 하방으로 낙하시킴으로써 기판(5)의 상부 표면에 증착 박막이 형성되도록 할 수 있다.That is, the top-
물론, 도 9는 본 실시예를 개략적으로 단순히 도시된 그림일 뿐, 실질적으로 증착장치가 도 9와 같지는 않다. 예컨대, 공정챔버(1)에는 그 내부를 진공 유지시키기 위한 각종 밸브를 비롯하여 서셉터(3)를 승강시키기 위한 구조들, 그리고 기판(5)을 공정챔버(1) 내로 출입시키기 위한 수단들이 갖춰져야 할 것으로 본다. 하 지만 이러한 각종 부가적인 구성은 공지된 것들을 참조하기로 한다.Of course, Fig. 9 is merely a diagram schematically showing the present embodiment, and the vapor deposition apparatus is not substantially the same as Fig. 9. For example, the process chamber 1 should be equipped with various valves for maintaining the vacuum therein, structures for elevating the
그러면 도 9와 같이 사용될 수 있는 본 실시예의 하향식 증발원(10)에 대해 도 3 내지 도 8을 참조하여 설명하기로 한다.Next, the top-down
본 실시예의 하향식 증발원(10)은, 크게 도가니본체(20), 덮개(30), 확산부(40), 하우징(50) 및 가열부(60)를 구비한다.The top-down
도가니본체(20)는 본 실시예의 하향식 증발원(10)에서 기본 골격을 형성하는 부분이다. 이러한 도가니본체(20)는 원기둥 형상을 갖는다. 하지만 이는 하나의 실시예에 불과할 뿐이므로 도가니본체(20)가 반드시 원기둥 형상을 가질 필요는 없다.The
예컨대, 도가니본체(20)는 삼각 혹은 사각, 혹은 육각기둥과 같은 다양한 다각 기둥으로 제조되어도 좋다. 이러한 도가니본체(20)의 내부에는 증발물질(B)이 이동되거나 충전되는 공간으로서의 이동부(21) 및 공급부(23)가 구비된다.For example, the
이동부(21)는 후술할 가열부(60)에 의해 가열이 완료된 증발물질(B)을 하방으로 이동시키는 이동공간을 형성하는 부분이다. 이러한 이동부(21)는 원기둥 형상의 도가니본체(20)의 축심에 배치된다. 즉, 도 6에 도시된 다수의 구멍들 중에서 정 중앙에 위치된 하나가 이동부(21)이다. 이러한 이동부(21)의 상부 및 하부는 모두 개방되어 있는데, 상부 영역은 공급부(23)의 상부 영역과 덮개(30) 내의 공간에서 연통하고, 하부 영역은 확산부(40)와 연통된다.The moving
공급부(23)는 이동부(21)를 축심으로 하여 복수개로 배치된다. 본 실시예에서 공급부(23)는 도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 총 6개의 공급부(23)는 방사형 으로 배치되거나, 환형으로 형성될 수 있고, 인접한 공급부(23)와 일부분이 서로 연통될 수 있다. 물론, 본 발명의 권리범위가 이에 제한되는 것은 아니므로 공급부(23) 및 이동부(21)는 적절하게 변경될 수 있다.The
이러한 공급부(23) 각각에는 기판(5)에 증착 박막을 형성시키기 위한 증발물질(B)이 충전된다. 이에, 가열부(60)에 의해 증발물질(B)이 가열되면, 가열된 증발물질(B)은 공급부(23)의 개방된 상부를 통해 이동부(21)의 상부로 옮겨지게 된 후, 이동부(21)의 하방으로 이동하면서 최종적으로 확산부(40)를 통해 빠져 나와 기판(5)의 상면으로 향할 수 있게 된다.Each of the
덮개(30)는 도가니본체(20)의 상부에 착탈가능하게 결합되거나, 증발물질(B)이 유출되는 것을 방지하기 위해 일체로 형성된다. 이러한 덮개(30)는 도가니본체(20)의 상부를 형성하는 이동부(21) 및 공급부(23)의 상부 개구를 외부로부터 차폐하는 역할을 하는데, 이동부(21) 및 공급부(23)의 상부 개구를 개별적으로 차폐하지는 않는다. 따라서 덮개(30)는 반구형 또는 돔 형상을 갖는 것이 바람직하다.The
이처럼 덮개(30)가 이동부(21) 및 공급부(23)의 상부 개구를 개별적으로 차폐하지는 않으면서 도가니본체(20)의 상부에 결합됨으로써, 예컨대, 본 실시예의 하향식 증발원(10)을 도 7에서 도 8과 같이 기울인다 하더라도 그 내부의 증발물질(B)은 외부로 쏟아지지 않는 이점이 있다.As such, the
확산부(40)는 상기 이동부(21)의 하부에 구비되며 상기 도가니본체(20)의 이동부(21)로부터 이동된 증착물질을 확산되도록 하여 배출한다.The
이러한 확산부(40)는 저면을 형성하는 원반형의 플레이트(40a)와, 도가니본 체(20)와 플레이트(40a)를 상호 연결하는 레듀셔 형태의 연결부(40b)를 구비한다.The
이처럼 연결부(40b)와 플레이트(40a)로 이루어지는 확산부(40)는 도가니본체(20)에서 플레이트(40a)로 갈수록 점진적으로 그 단면적이 확장되는 레듀셔 형태를 갖도록 제조된다. 하지만 이 역시 하나의 실시예에 불과하므로 확산부(40)가 반드시 그 단면적이 확장되는 레듀셔 형태를 가질 필요는 없는 것이다.As such, the
한편, 하우징(50)은 도가니본체(20)와 덮개(30)가 그 내부에 수용될 수 있도록 확산부(40)와 결합되어 본 실시예의 하향식 증발원(10)의 외관을 형성한다.On the other hand, the
이러한 하우징(50)의 내벽면과 도가니본체(20) 사이에는 공급부(23) 내에 충전된 증발물질(B)을 가열하는 가열부(60)가 더 구비된다. 자세히 도시하고 있지는 않지만, 가열부(60) 역시 공급부(23)와 마찬가지로 도가니본체(20)의 외벽면을 따라 배치되는 것이 효율적으로 바람직할 수 있을 것임에 틀림이 없다. 일예로서, 가열부(60)는 코일로 대체된 후에 도가니본체(20)의 길이 방향을 따라 왕복되며 감기는 것으로서 마련되어도 좋다.Between the inner wall surface of the
이러한 구성을 갖는 하향식 증발원(10)의 작용에 대해 설명한다.The operation of the top-down
우선, 도 9와 같이, 박막 증착장치를 설계한 상태에서, 전원을 인가하여 가열부(60)를 온(on)시킨다. 가열부(60)가 온(on)되면, 가열부(60)에 의해 공급부(23) 내에 충전된 증발물질(B)이 가열되기 시작한다.First, as shown in FIG. 9, in the state where the thin film deposition apparatus is designed, power is applied to turn on the
가열된 증발물질(B)은 도 5 및 도 7의 화살표 방향과 같이 상향된 후, 도가니본체(20)의 축심에 구비된 이동부(21)의 상부로 유입된다.The heated evaporation material (B) is raised as shown in the arrow direction of Figures 5 and 7, and then flows into the upper portion of the moving
이처럼 이동부(21)의 상부로 유입된 가열된 증발물질(B)은 이동부(21) 내에 서 하향한 후, 확산부(40)를 통해 확산되면서 분출되어 기판(5)의 상면으로 향하게 된다. 따라서 도 9의 기판(5) 상면에는 분출된 증발물질(B)에 의한 박막이 형성될 수 있게 되는 것이다.As such, the heated evaporated material B introduced into the upper portion of the moving
또한, 도 10에 도시된 바와 같이, 이동부(21)의 직경을 증가시켜 단위시간당 분출되는 증발물질(B)의 양을 증가시킬 수 있으며, 이때 가열부(60)로부터 먼 거리에 있는 이동부(21) 중심의 증발물질(B)은 상대적으로 낮은 온도로 인해 서로 엉겨붙어 기판에 오열물질로 작용할 수 있다. 따라서 덮개(30)의 중앙이 이동부(21) 내부로 연장된 연장부(33)를 형성하고, 연장부(33) 내부에 보조가열부(63)를 구비하여 분출되는 증발물질(B)에 지속적인 열을 공급하여 서로 엉겨붙는 것을 방지한다. In addition, as shown in Figure 10, by increasing the diameter of the moving
아울러, 도 11에 도시된 바와 같이, 덮개(30)는 중앙에 이동부(21)의 내부로부터 확산부(40)로 연장된 연장부(33)가 더 형성되며, 연장부(33)의 내부에 다른 물질이 충전된 소형의 하향식 증발원(10)을 구비하여 기판에 2종류의 물질을 증착시킬 수 있으며, 연장부(33)의 내벽면과 하향식 증발원(10)의 도가니본체(20) 사이에 보조가열부(63)를 구비하여 분출되는 증발물질(B)이 엉겨붙지 않도록 지속적으로 열을 공급한다.In addition, as shown in FIG. 11, the
이와 같이 본 실시예에 따르면, 본 하향식 증발원(10)을 반대 방향으로 뒤집거나 일정 각도 기울인다 하더라도 내부에 충전된 증발물질(B)이 쏟아지지 않아 사용상 편리하며 2종류의 증발물질(B)을 기판에 동시에 분출시킬 수 있어 생산능률이 증가한다.As described above, according to the present embodiment, even if the top-down
뿐만 아니라 하부에 위치한 기판(5)에 대해 위에서 아래 방향으로 증착할 수 있도록 하되 간단한 구조를 가짐으로써 제품에 적용하기가 용이하여 공정비용을 절감할 수 있다. 따라서 궁극적으로는 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 발전에 기여할 수 있을 것임에 틀림이 없다.In addition, it is possible to deposit from the top to the bottom for the substrate (5) located on the bottom, but having a simple structure can be easily applied to the product can reduce the process cost. Ultimately, it must be able to contribute to the development of the next-generation semiconductor and display industries.
이와 같이 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 반대 방향으로 뒤집거나 일정 각도 기울인다 하더라도 내부에 충전된 증발물질이 쏟아지지 않아 사용상 편리할 뿐만 아니라 하부에 위치한 기판에 대해 위에서 아래 방향으로 증착할 수 있도록 하되 간단한 구조를 가짐으로써 제품에 적용하기가 용이하여 공정비용을 절감할 수 있고 나아가 차세대 반도체 및 디스플레이 산업의 발전에 기여할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, even if the inverted direction or inclined angle in the opposite direction is not easy to use because the evaporated material does not pour inside, it is possible to deposit in a downward direction from the top to the bottom substrate is simple By having a structure, it is easy to apply to a product, thereby reducing process costs and further contributing to the development of the next-generation semiconductor and display industries.
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