KR101131096B1 - Downward type effusion cell - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하향식 진공 증발원 장치에 관한 것으로서, 소스 물질이 저장되며, 입구가 상방향으로 개방되어 있는 소스 도가니; 상기 소스 도가니의 입구를 감싸도록 상기 소스 도가니 외부에 이격 배치되는 열복사/소스 반사판; 상기 열복사/소스 반사판의 내부에 삽입 배치되어 열을 방출하여 상기 열복사/소스 반사판을 가열하는 적어도 하나 이상의 발열체; 상기 소스 도가니의 하부를 지지하며, 적어도 하나 이상의 개구부를 구비한 소스 도가니 지지부; 및 상기 열복사/소스 반사판 외측에 형성되며, 상기 소스 도가니, 열복사/소스 반사판, 발열체 및 소스 도가니 지지부를 수용하는 하우징을 포함하며, 상기 발열체에 의해 가열된 열복사/소스 반사판은 상기 소스 도가니 쪽으로 열복사선을 방사하여 상기 소스 도가니 및 상기 소스 도가니의 소스 물질을 가열하고 또한 소스 도가니로부터 방출되는 소스 물질을 재가열하여 반사 및 재증발시키며, 상기 반사 및 재증발되는 소스 물질은 상기 소스 도가니 지지부에 구비된 개구부를 통해 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치를 제공한다.The present invention relates to a top-down vacuum evaporation source apparatus, comprising: a source crucible in which a source material is stored and an inlet is open upward; A heat radiation / source reflector disposed to be spaced apart from the outside of the source crucible so as to surround the inlet of the source crucible; At least one heating element inserted into the heat radiation / source reflector to emit heat to heat the heat radiation / source reflector; A source crucible support supporting a lower portion of the source crucible and having at least one opening; And a housing formed outside the heat radiation / source reflector, the housing receiving the source crucible, the heat radiation / source reflector, the heating element and the source crucible support, wherein the heat radiation / source reflector heated by the heating element is directed toward the source crucible. Radiating to heat the source crucible and the source material of the source crucible, and also to reheat and reflect and re-evaporate the source material emitted from the source crucible, wherein the source material to be reflected and re-evaporated is an opening provided in the source crucible support. It provides a top-down vacuum evaporation source device characterized in that it is discharged to the outside through.
Description
본 발명은 하향식 진공 증발원 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발열체를 열복사/소스 반사판 내부에 배치함으로써 효율을 높인 하향식 진공 증발원 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a top-down vacuum evaporation source device, and more particularly, to a top-down vacuum evaporation source device having improved efficiency by disposing a heating element inside a heat radiation / source reflector.
진공 증착 또는 진공 증발이란 고진공의 챔버(chamber) 내에 증착될 대상 물질을 놓고 전류 등에 의해 소스 물질을 가열함으로써 그 입자를 증발시키고, 이를 상대적으로 차가운 기판 등의 표면에 응축하여 박막을 형성하는 증착 방법으로서, 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 특정 물질로 이루어지는 박막을 형성하거나, 박막형 태양 전지 또는 대형 평판 디스플레이 장치의 제조에 있어서 유리 기판 등의 표면에 원하는 물질로 이루어지는 박막을 형성하는 데에 널리 사용되고 있다.Vacuum deposition or vacuum evaporation is a deposition method in which a target material to be deposited is placed in a chamber of a high vacuum, and the source material is heated by an electric current to evaporate the particles and condense it on a surface of a relatively cold substrate to form a thin film. For example, it is widely used to form a thin film made of a specific material on the surface of a wafer in a semiconductor manufacturing process or to form a thin film made of a desired material on a surface such as a glass substrate in the manufacture of a thin film solar cell or a large flat panel display device.
한편, 최근 차세대 태양 전지로 주목받고 있는 4원소(quaternary) 화합물 반도체 CuInGaSe2(CIGS) 태양 전지는 절연 소다라임 유리기판 위에 Mo 후면전극, 광흡수층(CIGS), CdS 버퍼층, ZnO 투명창층, 무반사층과 그리드 전극(Al/Ni)을 형성하여 제작하며, 통상적인 IT-반도체 소자와 달리 소자 패턴이 전혀 필요가 없는 단순한 구조이다. 지금까지 최고의 셀 효율은 미국 에너지연구소(NREL)에서 개발한 0.45 cm2, 19.9%인데, 이는 다결정(폴리) 실리콘 태양 전지의 20.3%와 대등한 아주 우수한 결과이다. 또한 이 소재 이용에 있어 환경 안정성과 방사선에 대한 저항력도 매우 강하다. 이처럼 CIGS 태양전지가 주목을 받으면서 CIGS 태양전지의 핵심기술인 장비 기술 개발의 중요성이 부각되고 있다. 4원소 화합물인 CIGS 흡수체의 제조 방법으로는 동시 증발법(co-evaporation)과 프리커서(precursor)의 증착 후 열처리에 의한 2단계 공정법(two-step process)의 두 가지가 대표적인 공정으로 알려져 있다. 동시 증발법은 단위 원소인 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)을 열 증발원을 이용하여 동시에 증발시켜 고온 기판에 박막을 형성하는 방법인데, 이 기술은 원소의 조성제어가 용이하다는 장점이 있지만 대면적 태양전지를 제작하는데 한계가 있다. 따라서 대면적 태양전지를 제작하기 위해서는 고효율의 선형 증발원(Line source) 개발이 시급한 실정이다. 그러나, 대면적 박막의 대량 생산을 위해서는 기판이 선형 증발원 위에서 인라인(in-line)으로 수평 이동하면서 박막이 제작되어야 하므로, 진공 증발원 장치 및 진공 증착 장치에 있어서 높은 효율이 요구되고 있다.Meanwhile, the quaternary compound semiconductor CuInGaSe2 (CIGS) solar cell, which is recently attracting attention as a next-generation solar cell, has a Mo back electrode, a light absorption layer (CIGS), a CdS buffer layer, a ZnO transparent window layer, and an antireflection layer on an insulating soda-lime glass substrate. It is manufactured by forming grid electrodes (Al / Ni), and unlike a typical IT-semiconductor device, it is a simple structure that requires no device pattern at all. So far, the best cell efficiency is 0.45 cm2, 19.9%, developed by the US Energy Research Institute (NREL), a very good result, comparable to 20.3% of polycrystalline (poly) silicon solar cells. In addition, the use of this material is also very strong environmental stability and resistance to radiation. As the CIGS solar cell attracts attention, the importance of the development of equipment technology, which is the core technology of the CIGS solar cell, is being highlighted. Two methods for producing a four-element compound CIGS absorber are known as co-evaporation and two-step process by heat treatment after deposition of precursor. . The simultaneous evaporation method is a method of forming a thin film on a high temperature substrate by simultaneously evaporating unit elements copper (Cu), indium (In), gallium (Ga) and selenium (Se) using a thermal evaporation source. Although there is an advantage of easy composition control, there is a limit in manufacturing a large area solar cell. Therefore, in order to manufacture a large area solar cell, it is urgent to develop a highly efficient linear source. However, in order to mass-produce a large area thin film, a thin film must be manufactured while the substrate is horizontally moved in-line on a linear evaporation source, and thus high efficiency is required in the vacuum evaporation source device and the vacuum deposition device.
이러한 종래의 박막 형성을 위한 진공 증발원 장치 및 진공 증착 장치로서는, 상향식 증착 방식이 있는데, 이는 챔버 내에서 기판을 상부에 위치시키고 소스 물질을 함유하는 진공 증발원을 챔버 하부에 위치시킨 후 진공 증발원으로부터 상방향으로 소스 물질을 증발시키는 방식이다. 그러나, 이러한 상향식 증착 방식은 상향으로 증발된 소스 물질이 중력의 영향을 받게 되므로 상부에 위치한 기판의 표면에 접촉하지 못하고 낙하하는 소스 물질이 생기게 되므로 소스 물질의 사용 효율이 낮다는 문제점이 있다. 또한, 마스크를 사용해야 하는 경우에는 마스크 처짐 현상이 있고, 기판을 고온으로 가열해야 하는 경우 대면적 기판과 같은 경우에는 휨 현상이 발생할 수 있어서 대면적 기판에 적용하기 어렵다는 단점이 있다. As a vacuum evaporation source device and a vacuum deposition device for forming such a conventional thin film, there is a bottom-up deposition method, in which a vacuum evaporation source containing a source material is placed in a chamber and a vacuum evaporation source containing a source material is placed under the chamber. Evaporation of the source material in the direction. However, the bottom-up deposition method has a problem in that the source material evaporated upwards is subject to gravity, and thus the source material falls down without coming into contact with the surface of the substrate located thereon, and thus the use efficiency of the source material is low. In addition, when a mask is to be used, there is a mask deflection phenomenon, and when a substrate is to be heated to a high temperature, in the case of a large area substrate, a warpage phenomenon may occur, and thus it is difficult to apply to a large area substrate.
본 발명의 출원인은 이러한 상향식 증착 방식의 문제점을 해결하기 위해, 하향식 진공 증발원 장치 및 진공 증착 장치를 개발하여 특허출원 제10-2008-0112708호 및 제10-2009-0039222호로써 출원한 바 있다. 상기 특허출원에 의해 개시된 기술은 전술한 바와 같은 상향식 진공 증착 장치의 문제점을 해결한 것이지만, 이들 하향식 진공 증착 장치는 점증발원이기 때문에 대면적 공정에는 한계가 있으며 발열체가 열복사/소스 반사판의 외주면을 따라 배치되어 열을 방출함으로서 열복사/소스 반사판을 가열하고, 발열체에 의해 가열된 열복사/소스 반사판은 소스 도가니쪽으로 열복사선을 방사하여 소스 도가니 및 소스도가니의 소스 물질을 가열시켜 외부로 배출시키는 방식이어서(도 1 참조), 발열체와 소스 도가니의 거리에 의해 발열체의 온도와 소스 도가니에 가해지는 온도의 차가 생기게 된다는 문제점이 있다. 또한 긴 와이어 구조로 여러 개가 배치되어 있는 발열체의 형태가 고온에서 변형을 일으키게 되어 고온의 온도를 발생시키는데 한계가 있다. In order to solve the problems of the bottom-up deposition method, the applicant of the present invention has developed a top-down vacuum evaporation source device and a vacuum deposition device, and has applied for the patent application Nos. 10-2008-0112708 and 10-2009-0039222. The technique disclosed by the above patent application solves the problems of the bottom-up vacuum deposition apparatus as described above, but since these top-down vacuum deposition apparatuses are evaporation sources, there is a limitation in the large-area process and the heating element is along the outer circumferential surface of the heat radiation / source reflector. And heats the heat radiation / source reflector by dissipating heat, and the heat radiation / source reflector heated by the heating element radiates heat radiation toward the source crucible to heat the source crucible and the source material of the source crucible and discharge it to the outside ( 1), there is a problem that a difference between the temperature of the heating element and the temperature applied to the source crucible occurs due to the distance between the heating element and the source crucible. In addition, the shape of the heating element, which is arranged in a plurality of long wire structure causes a deformation at a high temperature, there is a limit in generating a high temperature.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 발열체를 열복사/소스 반사판 내에 삽입시킴으로써 진공 증발원 장치에서 발생할 수 있는 열 손실을 최소화 시키고 나아가 진공 증발원 장치의 전원 손실을 줄임으로써 컨트롤러의 용량을 줄일 수 있어서 장치의 제조 및 유지 비용을 절감할 수 있는 하향식 진공 증발원 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the problems described above, by inserting the heating element into the heat radiation / source reflector plate to minimize the heat loss that can occur in the vacuum evaporation source device and further reduce the power loss of the vacuum evaporation source device capacity of the controller It is an object of the present invention to provide a top-down vacuum evaporation source device that can reduce the manufacturing and maintenance costs of the device can be reduced.
또한, 본 발명은 종래에 비하여 발열체가 차지하는 공간을 줄임으로써 장비를 집적화시킬 수 있으므로 장치 전체를 보다 소형화할 수 있는 하향식 진공 증발원 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.In addition, it is another object of the present invention to provide a top-down vacuum evaporation source device capable of integrating equipment by reducing the space occupied by the heating element as compared with the related art.
또한, 본 발명은 발열체가 삽입 고정되는 열복사/소스 반사판의 빈 공간에 열복사/소스 반사판과 같은 재질로 형성된 구성된 튜브형 지지체를 삽입 결합함으로써, 발열체에서 손실될 수 있는 열을 최대한으로 줄이고 발열체에서 방출되는 열을 최대한으로 흡수함으로써 장치 전체를 효율적으로 가열할 수 있는 하향식 진공 증발원 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
In addition, the present invention by inserting and combining the tubular support formed of the same material as the heat radiation / source reflector in the empty space of the heat radiation / source reflector to which the heating element is inserted and fixed, to minimize the heat that can be lost in the heating element to be released from the heating element Another object is to provide a top-down vacuum evaporation source device capable of efficiently heating the entire apparatus by absorbing heat to the fullest extent.
상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 소스 물질이 저장되며, 입구가 상방향으로 개방되어 있는 소스 도가니; 상기 소스 도가니의 입구를 감싸도록 상기 소스 도가니 외부에 이격 배치되는 열복사/소스 반사판; 상기 열복사/소스 반사판의 내부에 삽입 배치되어 열을 방출하여 상기 열복사/소스 반사판을 가열하는 적어도 하나 이상의 발열체; 상기 소스 도가니의 하부를 지지하며, 적어도 하나 이상의 개구부를 구비한 소스 도가니 지지부; 및 상기 열복사/소스 반사판 외측에 형성되며, 상기 소스 도가니, 열복사/소스 반사판, 발열체 및 소스 도가니 지지부를 수용하는 하우징을 포함하며, 상기 발열체에 의해 가열된 열복사/소스 반사판은 상기 소스 도가니 쪽으로 열복사선을 방사하여 상기 소스 도가니 및 상기 소스 도가니의 소스 물질을 가열하고 또한 소스 도가니로부터 방출되는 소스 물질을 재가열하여 반사 및 재증발시키며, 상기 반사 및 재증발되는 소스 물질은 상기 소스 도가니 지지부에 구비된 개구부를 통해 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치를 제공할 수 있다.In order to solve the above problems, the present invention, the source material is stored, the source crucible in the inlet is open upward; A heat radiation / source reflector disposed to be spaced apart from the outside of the source crucible so as to surround the inlet of the source crucible; At least one heating element inserted into the heat radiation / source reflector to emit heat to heat the heat radiation / source reflector; A source crucible support supporting a lower portion of the source crucible and having at least one opening; And a housing formed outside the heat radiation / source reflector, the housing receiving the source crucible, the heat radiation / source reflector, the heating element and the source crucible support, wherein the heat radiation / source reflector heated by the heating element is directed toward the source crucible. Radiating to heat the source crucible and the source material of the source crucible, and also to reheat and reflect and re-evaporate the source material emitted from the source crucible, wherein the source material to be reflected and re-evaporated is an opening provided in the source crucible support. It is possible to provide a top-down vacuum evaporation source device characterized in that it is discharged to the outside through.
여기에서, 상기 하우징과 상기 열복사/소스 반사판 사이에서 상기 하우징의 내주면을 따라 형성되어 상기 열복사/소스 반사판으로부터 방출되는 열을 상기 열복사/소스 반사판 쪽으로 반사하기 위한 반사판을 더 포함하도록 구성할 수도 있다.Here, it may be configured to further include a reflector formed between the housing and the heat radiation / source reflector to reflect heat emitted from the heat radiation / source reflector toward the heat radiation / source reflector.
또한, 상기 발열체는 상기 열복사/소스 반사판의 내부에 형성된 통공에 삽입 배치되도록 구성할 수 있다.In addition, the heating element may be configured to be inserted into the through-hole formed in the heat radiation / source reflector.
또한, 내부에 구멍이 형성된 적어도 하나 이상의 절연성 고정부가 서로 간격을 두고 상기 발열체에 끼움 결합되고, 상기 발열체는 상기 적어도 하나 이상의 절연성 고정부에 의해 상기 통공의 내면으로부터 이격되어 상기 통공의 중심부에 배치되도록 구성할 수도 있다.In addition, at least one insulating fixing portion having a hole therein is fitted to the heating element at intervals from each other, the heating element is spaced apart from the inner surface of the through hole by the at least one insulating fixing portion to be disposed in the center of the through hole It can also be configured.
또한, 상기 끼움 결합된 절연성 고정부와 발열체는 내부가 빈 튜브형 제1 지지체의 내부에 삽입 결합되며, 상기 튜브형 제1 지지체는 통공과 접촉하도록 삽입됨으로써, 상기 발열체는 절연성 고정부에 의해 상기 튜브형 제1 지지체 및 통공과 이격되어 상기 통공 및 튜브형 제1 지지체의 중심부에 배치되도록 구성할 수도 있다.In addition, the fitted insulating fixing part and the heating element are inserted into and coupled to the inside of the tubular first support having an empty inside, and the tubular first support is inserted into contact with the through hole, so that the heating element is formed by the insulating fixing part. 1 may be arranged so as to be spaced apart from the support and the through hole in the center of the through hole and the tubular first support.
또한, 상기 적어도 하나 이상의 절연성 고정부 사이에는 내부가 빈 튜브형 제2 지지체가 결합되도록 구성할 수도 있다.In addition, between the at least one insulating fixing portion may be configured such that the second hollow tubular support is coupled.
또한, 상기 끼움 결합된 절연성 고정부와 발열체는 내부가 빈 튜브형 제1 지지체의 내부에 삽입 결합되되, 상기 적어도 하나 이상의 절연성 고정부 사이에는 내부가 빈 튜브형 제2 지지체가 결합되고, 상기 튜브형 제1 지지체는 통공과 접촉하도록 삽입됨으로써, 상기 발열체는 절연성 고정부에 의해 상기 튜브형 제1 지지체 및 통공과 이격되어 상기 통공 및 튜브형 제1 지지체의 중심부에 배치되도록 구성할 수도 있다.In addition, the fitted insulating fixing part and the heating element are inserted and coupled to the inside of the first hollow tubular support, the tubular second support having an empty interior is coupled between the at least one insulating fixing part, the tubular first The support may be inserted into contact with the through hole, such that the heating element is spaced apart from the tubular first support and the through hole by an insulating fixing part so as to be disposed at the center of the through hole and the tubular first support.
또한, 상기 튜브형 제1 지지체, 튜브형 제2 지지체 및 열복사/소스 반사판은 동일한 재질로 형성할 수도 있다.In addition, the tubular first support, the tubular second support, and the heat radiation / source reflector may be formed of the same material.
또한, 상기 튜브형 제1 지지체, 튜브형 제2 지지체 및 열복사/소스 반사판은 그라파이트 재질로 형성할 수 있다.
In addition, the tubular first support, the tubular second support, and the heat radiation / source reflector may be formed of graphite material.
본 발명에 의하면, 발열체를 열복사/소스 반사판 내에 삽입시킴으로써 진공 증발원 장치에서 발생할 수 있는 열 손실을 최소화 시키고 나아가 진공 증발원 장치의 전원 손실을 줄임으로써 컨트롤러의 용량을 줄일 수 있어서 장치의 제조 및 유지 비용을 절감할 수 있는 하향식 진공 증발원 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, by inserting the heating element into the heat radiation / source reflector, the heat loss that can occur in the vacuum evaporation source device can be minimized and the power loss of the vacuum evaporation source device can be reduced to reduce the capacity of the controller, thereby reducing the manufacturing and maintenance costs of the device. It is possible to provide a top-down vacuum evaporation source device that can be saved.
또한, 본 발명에 의하면, 종래에 비하여 발열체가 차지하는 공간을 줄임으로써 장비를 집적화시킬 수 있으므로 장치 전체를 보다 소형화할 수 있는 하향식 진공 증발원 장치를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, since it is possible to integrate the equipment by reducing the space occupied by the heating element as compared to the prior art it can provide a top-down vacuum evaporation source device that can be more compact the whole apparatus.
또한, 본 발명에 의하면, 발열체가 삽입 고정되는 열복사/소스 반사판의 빈 공간에 열복사/소스 반사판과 같은 재질로 형성된 구성된 튜브형 지지체를 삽입 결합함으로써, 발열체에서 손실될 수 있는 열을 최대한으로 줄이고 발열체에서 방출되는 열을 최대한으로 흡수함으로써 장치 전체를 효율적으로 가열할 수 있는 하향식 진공 증발원 장치를 제공할 수 있다.
In addition, according to the present invention, by inserting the tubular support formed of the same material as the heat radiation / source reflector in the empty space of the heat radiation / source reflector to which the heating element is inserted and fixed, to reduce the heat that can be lost in the heat generating element to the maximum By absorbing the heat emitted to the maximum, it is possible to provide a top-down vacuum evaporation source device capable of efficiently heating the entire apparatus.
도 1은 종래 기술에 의한 하향식 진공 증발원 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명에 의한 하향식 진공 증발원 장치(100)의 일실시예를 나타낸 단면도이다.
도 3은 절연성 고정부(15)와 결합된 발열체(14)의 일부를 나타낸 사시도이다.
도 4는 튜브형 제1 지지체(21)를 이용하여 절연성 고정부(15) 및 발열체(14)를 결합하는 구성을 설명하기 위한 부분 절개 사시도이다.
도 5는 튜브형 제1 지지체(21)를 이용하여 절연성 고정부(15) 및 발열체(14)를 결합하는 구성을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 튜브형 지지체를 이용하여 절연성 고정부(15) 및 발열체(14)를 결합하는 다른 구성을 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 튜브형 제1 지지체(21)와 튜브형 제2 지지체(22)가 함께 결합된 형태의 외관 사시도이다.
도 8은 튜브형 제1 지지체(21)와 튜브형 제2 지지체(22)가 함께 결합된 형태의 부분 절개 사시도이다.
도 9는 본 발명에 의한 하향식 진공 증발원 장치를 선형으로 구성한 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a top-down vacuum evaporation source device according to the prior art.
2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a top-down vacuum
3 is a perspective view illustrating a part of the
4 is a partially cutaway perspective view for explaining a configuration in which the
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a configuration in which the
6 is a perspective view illustrating another configuration in which the
7 is an external perspective view of the tubular
8 is a partial cutaway perspective view of the tubular
9 is a diagram illustrating an embodiment in which the top-down vacuum evaporation source device according to the present invention is linearly configured.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예들을 상세하게 설명한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 의한 하향식 진공 증발원 장치(100)의 일실시예를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a top-down vacuum
도 2를 참조하면, 본 실시예의 하향식 진공 증발원 장치(100)는, 소스 물질(11)이 저장되며, 입구가 상방향으로 개방되어 있는 소스 도가니(12)와, 상기 소스 도가니(12)의 입구를 감싸도록 상기 소스 도가니(12) 외부에 이격 배치되는 열복사/소스 반사판(13)과, 상기 열복사/소스 반사판(13)의 내부에 삽입 배치되어 열을 방출하여 상기 열복사/소스 반사판(13)을 가열하는 적어도 하나 이상의 발열체(14)와, 상기 소스 도가니(12)의 하부를 지지하며, 적어도 하나 이상의 개구부(20)를 구비한 소스 도가니 지지부(17)와, 상기 열복사/소스 반사판(13) 외측에 형성되며, 상기 소스 도가니(12), 열복사/소스 반사판(13), 발열체(14) 및 소스 도가니 지지부(17)를 수용하는 하우징(19)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the top-down vacuum
이러한 구성의 하향식 진공 증발원 장치(100)는, 다음과 같이 동작한다. 즉, 상기 열복사/소스 반사판(13) 내부에 삽입 배치된 적어도 하나 이상의 발열체(14)는 열복사/소스 반사판(13)을 가열하고, 가열된 열복사/소스 반사판(13)은 상기 소스 도가니(12) 쪽으로 열복사선을 방사하여 상기 소스 도가니(12) 및 상기 소스 도가니(12)의 소스 물질(11)을 가열한다. 소스 도가니(12) 및 소스 물질(11)이 가열되어 소스 물질(11)이 소스 도가니(12)로부터 상방향으로 방출되면(도 2의 A로 표시한 방향) 열복사/소스 반사판(13)에 도달하는데, 열복사/소스 반사판(13)은 도달한 소스 물질(11)을 재가열하여 반사 및 재증발시키며, 반사 및 재증발되는 소스 물질(11)은 도 2의 B로 나타낸 방향으로 아래쪽으로 이동하게 된다. 아래쪽으로 이동하는 소스 물질(11)은 상기 소스 도가니 지지부(17)에 형성된 개구부(20)를 통해 도 2의 C로 표시한 바와 같이 외부로 배출됨으로써 개구부(20) 아래쪽에 배치된 기판(미도시)에 증착되어 기판을 코팅하여 박막을 형성함으로써 하향식 진공 증착을 수행하게 된다.The downward vacuum
본 실시예에서 열복사/소스 반사판(13)은, 전술한 바와 같이 소스 물질(11) 및 소스 도가니(12)를 가열시켜 소스 물질(11)을 상방향으로 증발시키고, 소스 도가니(12)로부터 증발되어 열복사/소스 반사판(13)에 분자선 형태로 도달하는 소스물질(11)을 반사 및 재증발시키면서 보다 작은 크기의 소스 물질(11)로 분해시키고, 또한 이를 보다 높은 에너지를 갖는 분자선 형태의 소스 물질로 재가열 시키는 기능을 동시에 수행하게 된다. 나아가, 진공 증발원 장치(100) 하부에 위치하는 기판을 고온으로 가열하여 박막 형성시에 필요한 에너지를 제공하는 기능도 수행할 수 있다.In this embodiment, the heat radiation /
소스 도가니(12)의 입구는 도 2에 도시한 바와 같이 상방향을 향해 개방되어 있으며, 열복사/소스 반사판(13) 및 상기 하우징(19)은 분자선 형태의 소스 물질이 하부로 방사될 수 있도록 그 단면이 하부가 개방된 직사각형이나 ∩자 등의 형태로 형성되는 것이 바람직하다.The inlet of the
여기에서, 상기 소스 도가니 지지부(17)는 상기 열복사/소스 반사판(13)의 개방된 하부를 외부와 차폐하도록 형성되는데, 다만 소스 물질(11)이 증발원 장치(100) 아래쪽(C 방향)으로 통과될 수 있도록 개구부(20)가 형성된다. 이러한 개구부(20)를 통하여, 열복사/소스 반사판(13)에서 반사 및 재증발된 분자선 형태의 소스 물질이 하부로 배출될 수 있다. 소스 도가니 지지부(17)의 구성에 의하여 열복사/소스 반사판(13)의 내부를 일정 수준 이상 밀폐시켜 열 손실을 최소화할 수 있으며, 소스 도가니(12) 내부의 압력을 높여 소스 물질이 보다 고에너지로 분사될 수 있다. 또한, 상기 소스 도가니 지지부(17)에 구비된 개구부(20)를 다양한 패턴으로 형성됨으로써, 기판에 방사되는 복사선 형태의 소스 물질(11)의 균일도를 조절할 수 있다. 또한, 소스 도가니 지지부(17)에 구비된 개구부(20)의 수직축 방향의 경사를 조절함으로써, 기판에 방사되는 복사선 형태의 소스 물질의 방향을 조절할 수도 있다. Here, the
한편, 발열체(14)는 예컨대 전기적인 수단에 의해 발열될 수 있으며 이를 위해 전극(미도시)을 통해 전원(미도시)과 연결될 수 있음은 물론이다. 또한, 발열체(14)는 단면이 원형인 직선 형태로 나타내었으나 이에 한정되는 것은 아니다. 발열체(14)는 도 2에 나타난 바와 같이 열복사/소스 반사판(13)의 내부에 그 둘레를 따라서 복수개로 배치될 수 있다. 복수개의 발열체(14)는 별도로 온도 조절이 가능하도록 설정하여, 소스 물질이 증발 경로에 따라 가장 적합한 온도로 가열되도록 할 수도 있다.On the other hand, the
발열체(14)는 상기 열복사/소스 반사판(13)의 내부에 형성된 통공(16)에 삽입 배치될 수 있다. 통공(16)은 발열체(14)를 수용하도록 발열체(14)의 단면보다 큰 직경으로 형성된다. 발열체(14)는 전기적인 수단에 의해 가열될 수 있으므로 열복사/소스 반사판(14)과 직접 접촉하면 누설 전류가 발생할 수 있으므로 이를 막기 위하여 절연성 고정부(15, 도 3 참조)를 설치하여 발열체(14)와 열복사/소스 반사판(14)이 직접 접촉하지 않도록 이격되어 배치된다. The
도 3은 절연성 고정부(15)와 결합된 발열체(14)의 일부를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a part of the
도 3을 참조하면, 발열체(14)는 내부에 구멍이 형성된 적어도 하나 이상의 절연성 고정부(15)와 끼움 결합되어 있다. 절연성 고정부(15)는 필요한 발열체(14)의 길이 및 무게 등을 고려하여 적절한 간격을 두고 복수개로 배치될 수 있다. 또한, 절연성 고정부(15)는 전기적 절연을 위해 세라믹 등의 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 도 3과 같이, 발열체(14)와 절연성 고정부(15)가 끼움 결합된 결합체를 통공(16)에 삽입함으로써, 발열체(14)는 통공(16)의 내면으로부터 이격되어 통공(16)의 중심부에 배치될 수 있다. 이에 의하여, 발열체(14)가 통공(16)의 내면 즉, 열복사/소스 반사판(13)과 직접 접촉하여 누설 전류가 발생하는 것을 방지하는 절연 기능을 수행할 수 있다. 도 3의 예에서, 절연성 고정부(15)는 통공(16)의 형상에 대응되도록 형성하되, 통공(16)에 원활히 삽입될 수 있도록 단면의 직경이 통공(16)의 내주부보다는 약간 작게 형성하는 것이 바람직하다.
Referring to FIG. 3, the
한편, 발열체(14)와 절연성 고정부(15)는 통공(16)에 보다 원활히 삽입되고, 또한 절연 기능과 열전달 효율을 보다 높일 수 있도록 튜브형 지지체를 이용하여 통공(16)에 삽입될 수 있다. 도 4 및 도 5는 튜브형 제1 지지체(21)를 이용하여 절연성 고정부(15) 및 발열체(14)를 결합하는 구성을 설명하기 위한 부분 절개 사시도 및 단면도이다.On the other hand, the
도 4 및 도 5를 참조하면, 속이 빈 튜브형 제1 지지체(21)가 길이 방향으로 연장 형성되고, 튜브형 제1 지지체(21) 내부에는 도 3에서 설명한 바와 같은 절연성 고정부(15)가 배치된다. 전술한 바와 같이, 절연성 고정부(15) 또한 그 내부가 발열체(14)를 수용할 정도의 크기의 통공이 형성되어 있고, 이 통공에 발열체(14)가 삽입되어 튜브형 제1 지지체(21)와 이격되어 배치될 수 있다. 4 and 5, the hollow tubular
튜브형 제1 지지체(21)는 전술한 바와 같이 열복사/소스 반사판(13)의 내부에 형성된 통공(16)을 통해 삽입 배치되며, 열전도율을 높일 수 있도록 열복사/소스 반사판(13)과 같은 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 특히, 열전도성을 높일 수 있도록 열복사/소스 반사판(13)과 튜브형 제1 지지체(21)는 그라파이트(graphite) 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 튜브형 제1 지지체(21)는 그 단면이 원형인 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 통공(16)에 상응하는 형태로 구성되고, 예컨대 통공(16) 및 튜브형 제1 지지체(21)는 사각형 또는 삼각형 등의 모양으로 형성할 수도 있음은 물론이다. The tubular
실제 장치를 구성할 때는, 절연성 고정부(15)와 발열체(14)를 먼저 끼움 결합하고 이 결합체를 튜브형 제1 지지체(21)의 내부에 삽입하여 구성할 수도 있을 것이다. When the actual device is configured, the insulating fixing
이러한 구성에 의하여, 튜브형 제1 지지체(21)는 통공(16)과 접촉하도록 삽입되므로 열 전달 효율을 높일 수 있고, 발열체(14)는 절연성 고정부(15)에 의해 상기 튜브형 제1 지지체(21) 및 통공(16) 즉, 열복사/소스 반사판(13)과 이격되어 상기 통공(16) 및 튜브형 제1 지지체(21)의 중심부에 배치되므로 절연 기능도 수행할 수 있게 된다.
By this configuration, the tubular
도 6은 튜브형 지지체를 이용하여 절연성 고정부(15) 및 발열체(14)를 결합하는 다른 구성을 설명하기 위한 사시도이다. 도 6의 튜브형 지지체는 도 5의 튜브형 제1 지지체(21)와 구별하기 위하여 튜브형 제2 지지체(22)로 표시한다.6 is a perspective view illustrating another configuration in which the insulating fixing
도 6을 참조하면, 절연성 고정부(15) 사이에는 내부가 빈 튜브형 제2 지지체(22)가 끼움 결합되어 있음을 알 수 있다. 튜브형 제2 지지체(22)는 튜브형 제1 지지체(21)를 잘라 놓은 형태로 생각할 수 있다. 실제 장치를 구성할 때는, 발열체(14)에 절연성 고정부(15)와 튜브형 제2 지지체(22)를 번갈아 끼움으로써 도 6과 같은 형태를 구성하여 이를 통공(16)에 삽입할 수 있다. 다른 예로서는, 통공(16)에 발열체(14)를 먼저 삽입하고 절연성 고정부(15)와 튜브형 제2 지지체(22)를 번갈아 밀어 넣으면서 끼워지도록 결합할 수도 있다. Referring to FIG. 6, it can be seen that the tubular
이 경우에서, 튜브형 제2 지지체(22)의 외경은 절연성 고정부(15)의 외경과 동일하거나 약간 크거나 또는 작도록 구성할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 절연성 고정부(15)에 의해 절연 기능을 수행함과 동시에 절연성 고정부(15)를 보다 견고하게 통공(16) 내에서 안정시킬 수 있으며, 튜브형 제2 지지체(22)를 열복사/소스 반사판(13)과 같은 재질로 구성하게 되면 열 전달 효율 또한 높일 수 있다.
In this case, the outer diameter of the tubular
도 7 및 도 8은 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한 튜브형 제1 지지체(21)와 튜브형 제2 지지체(22)가 함께 결합된 형태의 외관 사시도와 부분 절개 사시도를 나타낸 것이다.7 and 8 illustrate an external perspective view and a partial cutaway perspective view of a tubular
도 7 및 도 8을 참조하면, 도 6에서 설명한 바와 같은 튜브형 제2 지지체(22)를 감싸도록 튜브형 제1 지지체(21)가 결합되어 있음을 알 수 있다. 도 7 및 도 8의 결합체에서는, 튜브형 제2 지지체(22)의 외경은 튜브형 제1 지지체(21)와 동일하거나 약간 작도록 형성되어 튜브형 제1 지지체(21)의 내면과 접촉하거나 약간 떨어지도록 결합한다. 실제 도 7 및 도 8과 같은 형태를 구성할 때는, 발열체(14)에 절연성 고정부(15)와 튜브형 제2 지지체(22)를 번갈아 끼움 결합하고, 이 결합체 전체를 튜브형 제1 지지체(21)에 삽입한 후, 다시 이 결합체 전체를 통공(16)에 삽입할 수 있다. 물론, 통공(16)에 먼저 발열체(14)를 끼우고 절연성 고정부(15)와 튜브형 제2 지지체(22)를 번갈아 끼운 후, 튜브형 제1 지지체(21)를 삽입할 수도 있다. 또한, 통공(16)에 튜브형 제1 지지체(21)를 먼저 삽입하고 상기와 반대 순서로 삽입하는 결합 형태도 가능하다. 7 and 8, it can be seen that the tubular
도 7 및 도 8의 실시예에 의하면, 절연성 고정부(15)에 의하여 절연 기능을 수행하고, 튜브형 제2 지지체(22)에 의해서는 절연성 고정부(15)를 고정하고, 튜브형 제1 지지체(21) 및 제2 지지체(22)에 의해서는 열 전달 효율을 높일 수 있는 여러가지 기능을 복합적으로 수행할 수 있게 된다. 열 전달 효율을 높이기 위해서는 튜브형 제1 지지체(21), 제2 지지체(22) 및 열복사/소스 반사판(13)은 동일한 재질로 구성한다. 특히, 열 전달 효율을 높이기 위해서 그라파이트(graphite) 재질로 형성하는 것이 바람직하다.
7 and 8, an insulating function is performed by the insulating fixing
다시 도 2를 참조하면, 진공 증발원 장치(100)는, 열효율을 높이기 위하여, 하우징(19)과 열복사/소스 반사판(13) 사이에 상기 하우징(19)의 내주면을 따라 형성되어 상기 열복사/소스 반사판(13)으로부터 방출되는 열을 상기 열복사/소스 반사판(13) 쪽으로 반사하기 위한 반사판(18)을 더 포함할 수 있다. 상기 반사판(18)은 열복사/소스 반사판(13)에서 하우징(19)쪽으로 방사되는 열을 반사시켜 다시 열복사/소스 반사판(13)쪽으로 도달하도록 함으로써 열 효율을 높이는 기능을 수행한다.Referring back to FIG. 2, the vacuum
도 2 내지 도 8에서 설명한 실시예에 의하면, 열복사/소스 반사판(13) 내부에 발열체(14)를 삽입 배치함으로써 전체적인 열효율을 높이는 동시에 장치를 전체적으로 소형 집적화시킬 수 있는 장점이 있다.
According to the exemplary embodiment described with reference to FIGS. 2 to 8, the
도 9는 본 발명에 의한 하향식 진공 증발원 장치의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 진공 증발원 장치(100)를 선형으로 구성한 경우를 나타낸 것이다.9 shows another embodiment of the top-down vacuum evaporation source apparatus according to the present invention, and illustrates the case where the vacuum
도 9를 참조하면, 가로 방향으로 선형으로 소스 도가니(12)가 복수개 배치되고 소스 도가니(12)의 측면을 따라 발열체(14)가 도 3 내지 도 8에서 설명한 바와 같이 배치되고, 소스 도가니(12)의 상부에는 발열체(14)를 소스 도가니(12)의 배치된 방향(길이 방향)으로 연장되도록 배치하였음을 알 수 있다.Referring to FIG. 9, a plurality of
도 9와 같은 실시예에 의하면, 진공 증발원 장치(100)를 선형으로 복수개로 구성할 수 있으므로 대면적의 기판을 용이하게 증착할 수 있는 장점이 있다.
According to the embodiment as shown in Figure 9, since the vacuum
이상에서, 바람직한 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명은 첨부한 특허청구범위 및 도면 등의 전체적인 기재를 참조하여 해석되어야 할 것이며, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
In the above, the present invention has been described with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and variations from such descriptions. will be. Therefore, the present invention should be construed with reference to the overall description of the appended claims and drawings, and all equivalent or equivalent modifications thereof will belong to the scope of the present invention.
100...하향식 진공 증발원 장치,
11...소스 물질, 12...소스 도가니,
13...열복사/소스 반사판, 14...발열체,
15...절연성 고정부, 16...통공,
17...소스 도가니 지지부, 18...반사판,
19...하우징, 20...개구부,
21...튜브형 제1 지지체, 22...튜브형 제2 지지체.100 ... down vacuum evaporation source device,
11 source material, 12 source crucible,
13 ... heat radiation / source reflector, 14 ... heating element,
15 ... insulating fixture, 16 ... through,
17 source sauce crucible support, 18 reflector plate,
19 ... housing, 20 ... openings,
21 ... tubular first support, 22 ... tubular second support.
Claims (9)
상기 소스 도가니의 입구를 감싸도록 상기 소스 도가니 외부에 이격 배치되는 열복사/소스 반사판;
상기 열복사/소스 반사판의 내부에 삽입 배치되어 열을 방출하여 상기 열복사/소스 반사판을 가열하는 적어도 하나 이상의 발열체;
상기 소스 도가니의 하부를 지지하며, 적어도 하나 이상의 개구부를 구비한 소스 도가니 지지부; 및
상기 열복사/소스 반사판 외측에 형성되며, 상기 소스 도가니, 열복사/소스 반사판, 발열체 및 소스 도가니 지지부를 수용하는 하우징
을 포함하며,
상기 발열체는 상기 열복사/소스 반사판의 내부에 형성된 통공에 삽입 배치되고,
내부에 구멍이 형성된 적어도 하나 이상의 절연성 고정부가 서로 간격을 두고 상기 발열체에 끼움 결합되어 상기 적어도 하나 이상의 절연성 고정부에 의해 상기 발열체가 상기 통공의 내면으로부터 이격되어 상기 통공의 중심부에 배치되고,
상기 발열체에 의해 가열된 열복사/소스 반사판은 상기 소스 도가니 쪽으로 열복사선을 방사하여 상기 소스 도가니 및 상기 소스 도가니의 소스 물질을 가열하고 또한 소스 도가니로부터 방출되는 소스 물질을 재가열하여 반사 및 재증발시키며, 상기 반사 및 재증발되는 소스 물질은 상기 소스 도가니 지지부에 구비된 개구부를 통해 외부로 배출되는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.
A source crucible in which the source material is stored and whose inlet is open upward;
A heat radiation / source reflection plate disposed to be spaced apart from the outside of the source crucible so as to surround the source crucible;
At least one heating element inserted into the heat radiation / source reflector to emit heat to heat the heat radiation / source reflector;
A source crucible support supporting a lower portion of the source crucible and having at least one opening; And
A housing formed outside the heat radiation / source reflector and accommodating the source crucible, the heat radiation / source reflector, a heating element and a source crucible support
Including;
The heating element is inserted into the through hole formed in the heat radiation / source reflector,
At least one insulating fixing part having a hole therein is fitted into the heating element at intervals from each other so that the heating element is spaced apart from the inner surface of the through hole by the at least one insulating fixing part, and is disposed at the center of the through hole.
The heat radiation / source reflector heated by the heating element radiates heat radiation toward the source crucible to heat the source crucible and the source material of the source crucible, and also to reheat and reflect and re-evaporate the source material emitted from the source crucible, The source material that is reflected and re-evaporated is discharged to the outside through the opening provided in the source crucible support.
상기 하우징과 상기 열복사/소스 반사판 사이에서 상기 하우징의 내주면을 따라 형성되어 상기 열복사/소스 반사판으로부터 방출되는 열을 상기 열복사/소스 반사판 쪽으로 반사하기 위한 반사판
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.
The method of claim 1,
A reflector formed between the housing and the heat radiation / source reflector to reflect heat emitted from the heat radiation / source reflector toward the heat radiation / source reflector
Top down vacuum evaporation source device characterized in that it further comprises.
상기 끼움 결합된 절연성 고정부와 발열체는 내부가 빈 튜브형 제1 지지체의 내부에 삽입 결합되며, 상기 튜브형 제1 지지체는 통공과 접촉하도록 삽입됨으로써, 상기 발열체는 절연성 고정부에 의해 상기 튜브형 제1 지지체 및 통공과 이격되어 상기 통공 및 튜브형 제1 지지체의 중심부에 배치되는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.
The method of claim 1,
The fitted insulating fixing part and the heating element are inserted into and coupled to the inside of the tubular first support having an empty interior, and the tubular first support is inserted into contact with the through hole so that the heating element is connected to the tubular first support by the insulating fixing part. And a spaced apart from the through hole and disposed in the center of the through hole and the tubular first support.
상기 적어도 하나 이상의 절연성 고정부 사이에는 내부가 빈 튜브형 제2 지지체가 결합되는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.
The method of claim 1,
Top down vacuum evaporation source device, characterized in that the tubular second support is coupled between the at least one insulating fixing portion.
상기 끼움 결합된 절연성 고정부와 발열체는 내부가 빈 튜브형 제1 지지체의 내부에 삽입 결합되되, 상기 적어도 하나 이상의 절연성 고정부 사이에는 내부가 빈 튜브형 제2 지지체가 결합되고,
상기 튜브형 제1 지지체는 통공과 접촉하도록 삽입됨으로써, 상기 발열체는 절연성 고정부에 의해 상기 튜브형 제1 지지체 및 통공과 이격되어 상기 통공 및 튜브형 제1 지지체의 중심부에 배치되는 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.
The method of claim 1,
The fitted insulating fixing part and the heating element are inserted into and coupled to the inside of the first hollow tubular support, and the tubular second support having an empty inside is coupled between the at least one insulating fixing part,
The tubular first support is inserted into contact with the through hole, so that the heating element is spaced apart from the tubular first support and the through hole by an insulating fixing part and is disposed in the center of the through hole and the tubular first support. Device.
상기 튜브형 제1 지지체, 튜브형 제2 지지체 및 열복사/소스 반사판은 동일한 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.
8. The method according to any one of claims 5 to 7,
The tubular first support, the tubular second support and the heat radiation / source reflector is a top-down vacuum evaporation source device, characterized in that formed of the same material.
상기 튜브형 제1 지지체, 튜브형 제2 지지체 및 열복사/소스 반사판은 그라파이트 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 하향식 진공 증발원 장치.The method of claim 8,
The tubular first support, the tubular second support and the heat radiation / source reflector is a top-down vacuum evaporation source device, characterized in that formed of a graphite material.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040021290A (en) * | 2002-09-03 | 2004-03-10 | 삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사 | Heating crucible of organic thin film forming apparatus |
KR20060111321A (en) * | 2005-04-23 | 2006-10-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Source unit for deposition methode, depositing apparatus therewith, and manufacturing method of organic light emitting diode thereused |
KR100848709B1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-07-28 | 윤종만 | Downward type deposition source |
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KR20040021290A (en) * | 2002-09-03 | 2004-03-10 | 삼성 엔이씨 모바일 디스플레이 주식회사 | Heating crucible of organic thin film forming apparatus |
KR20060111321A (en) * | 2005-04-23 | 2006-10-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | Source unit for deposition methode, depositing apparatus therewith, and manufacturing method of organic light emitting diode thereused |
KR100848709B1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-07-28 | 윤종만 | Downward type deposition source |
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