KR101554466B1 - Linear Depositing System for Substrate Cooling - Google Patents

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Abstract

본 발명은 선형 증착 시스템에 관한 것으로서, 박막 증착을 위한 증착 소스 장치를 포함하는 공정 챔버가 선형 형태로 배열되어, 기판 상에 공정이 연속적으로 진행되는 선형 증착 시스템에 있어서, 상기 증착 소스 장치의 상부의 증착 영역 주변부에 형성되며, 상기 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 제1반사판과, 상기 제1반사판 상측에 상기 제1반사판과 이격되어 형성된 제2반사판을 포함하여 구성되어, 기판의 온도 상승을 억제시키는 것을 특징으로 하는 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명은, 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 이중 반사판에 의해 증착 소스 장치로부터 전달되는 간접적인 대류, 복사열 등을 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하는 이점이 있다.The present invention relates to a linear deposition system, in which a process chamber including a deposition source apparatus for thin film deposition is arranged in a linear form, and a process is continuously performed on the substrate, And a second reflector formed on the upper side of the first reflector and spaced apart from the first reflector so as to suppress the temperature rise of the substrate, The present invention relates to a linear deposition system for suppressing an increase in temperature of a substrate. Accordingly, the present invention has an advantage in that the temperature rise of the substrate is suppressed by interrupting the indirect convection, radiation heat, and the like transmitted from the deposition source device by the double reflection plate formed so as to be spaced apart from the deposition source apparatus.

Description

기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템{Linear Depositing System for Substrate Cooling}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a linear deposition system,

본 발명은 선형 증착 시스템에 관한 것으로서, 특히 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 제1반사판 및 제2반사판을 도입하여, 증착 소스 장치로부터 전달되는 열을 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하기 위한 선형 증착 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a linear deposition system, and more particularly, to a linear deposition system for suppressing temperature rise of a substrate by intercepting heat transmitted from an evaporation source apparatus by introducing a first reflector and a second reflector, .

최근의 전기전자제품의 소형화, 슬림(slim)화, 고집적화, 다양한 적용분야에 대한 요구 및 필요성에 따라 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes)에 대한 연구가 활발하다.BACKGROUND ART [0002] Organic light emitting diodes (OLEDs) have been actively studied in recent years in accordance with demands and needs for miniaturization, slimming, high integration, and various application fields of electric and electronic products.

유기 발광 소자는 기존의 액정 표시 소자(Liquid Crystal Display)와는 달리 백라이트(Back light) 장치가 필요없어 자체 발광되면서 경량의 초박형이 가능하다는 점과 낮은 소비 전력, 간단한 구조에 의한 제조의 편리성, 경제성 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 소자로서 특히 주목받고 있다.Unlike a conventional liquid crystal display, a backlight device is not required for an organic light emitting device, so that the organic light emitting device can be light-weighted and ultra-thin while being self-emitting, and can be manufactured with low power consumption, And has attracted particular attention as a next generation display device.

이러한 유기 발광 소자를 제작하기 위해서는 많은 단계의 공정이 필요한데, 최근에는 생산효율 및 단가적인 면에서 우수하며, 선형 증발원 또는 점 증발원이 특정 간격으로 배열된 공정 챔버 내부를 기판이 일정 속도로 지나도록 하면서, 기판 상층에 유기막 및 금속막 등을 증착시키는 인라인 형태의 증착 시스템에 대한 연구가 활발한 실정이다.In order to manufacture such an organic light emitting device, many steps are required. In recent years, the organic light emitting device is superior in terms of production efficiency and unit cost, and has a structure in which a linear evaporation source or a point evaporation source is arranged at specific intervals, , An in-line type deposition system in which an organic film and a metal film are deposited on a substrate is actively studied.

특히, 상기의 각 공정 챔버는 일반적으로 히터 등의 발열부와 도가니를 포함하는 증착 소스 장치가 구비되어 있는데, 상기 도가니 내부에 증착 소스를 넣고 발열부에 의해 도가니를 가열시키면 그 내부의 증착 소스 물질이 증발, 기화되면서 그 대향면에 위치한 기판에 증착되게 되는 것이다.In particular, each of the process chambers has a deposition source apparatus including a heating unit such as a heater and a crucible. When a crucible is heated by a heating unit by inserting an evaporation source into the crucible, Is evaporated and evaporated, and is deposited on the substrate located on the opposite surface.

여기에서, 상기 도가니를 가열하는 히터의 열은 그 내부의 증착 소스를 기화시킬 정도의 높은 열에너지에 의하므로, 도가니의 대향면에 위치한 기판에 열이 전달되어 기판의 손상 및 변형에 의해 기판에 증착되는 박막의 결함이 증가할 뿐만 아니라, 특정한 두께로의 박막 증착시 제대로 구현되지 않는 문제점이 있다.Here, since the heat of the heater for heating the crucible is due to high thermal energy enough to vaporize the deposition source therein, heat is transferred to the substrate located on the opposite surface of the crucible, Defects in the thin film are increased, and the thin film is not properly realized when the thin film is deposited to a specific thickness.

이러한 문제점을 해결하기 위해 종래에는 쉴드 플래이트(shild plate)를 도가니와 기판 사이에 배치시키거나, 도가니 상측 히터 부위에 부착하여 히터의 열이 기판으로 전달되지 않도록 하였다.In order to solve this problem, a shield plate is conventionally disposed between the crucible and the substrate, or attached to the upper heater region of the crucible to prevent the heat of the heater from being transferred to the substrate.

그러나, 이 경우 쉴드의 길이가 길어지게 되면 열에 의해 휘어지는 현상이 발생할 뿐만 아니라, 얇은 플레이트를 사용하기 때문에 열 차단 효과가 미흡한 문제점이 있다.However, in this case, when the length of the shield becomes long, the heat may be bent by the heat, and since the thin plate is used, the heat shielding effect is insufficient.

좀 더 개량된 기술로서는, 대한민국특허청 공개특허공보 공개번호 10-2011-0032695호 "유도가열 금속 증착원"이 있다. 이 기술은 도 2에 도시된 바와 같이 도가니(20)의 개구부(21) 인접부 및 히터 코일(11)이 내장된 히터 블럭(12)을 포함하는 발열부(10) 상측부에 냉각 쉴드(30)가 형성된 것으로, 발열부(10)에 의한 도가니(20)의 고열이 반도체 기판에 직접 전열되는 것을 차단하는 역할을 하여 고열에 의한 반도체 기판의 손상을 방지한 것이다.As a further refined technique, there is the " Induction heated metal evaporation source ", Korean Patent Unexamined Publication No. 10-2011-0032695. 2, the cooling shield 30 (see FIG. 2) is provided on the side of the heat generating portion 10 including the heater block 12 in which the heater coil 11 is embedded and the vicinity of the opening 21 of the crucible 20, This prevents the high heat of the crucible 20 from being directly transferred to the semiconductor substrate by the heat generating unit 10 and prevents damage to the semiconductor substrate due to the high temperature.

그러나, 이러한 방식 또한 단일 플레이트의 사용으로 열 차단 효과가 미비하며, 고온에 의한 냉각 쉴드의 휨 현상이 발생하여 열 차단이 효율적으로 되지 않는 단점이 있다.However, this method also has a disadvantage in that heat shielding effect is insufficient due to the use of a single plate, warping of the cooling shield due to high temperature occurs, and heat shielding is not efficient.

또한, 상기의 기술은 발열부(10) 상측부에 냉각 쉴드(30)가 직접 접촉하는 형태로 형성되어, 발열부의 열이 냉각 쉴드에 바로 전달되어, 기판으로의 열차단 효율이 그 다지 높지 않은 단점이 있다.In addition, the above-described technique is formed such that the cooling shield 30 directly contacts the upper side of the heat generating portion 10, so that the heat of the heat generating portion is directly transmitted to the cooling shield, There are disadvantages.

본 발명은 선형 증착 시스템에 있어서 증착 소스로부터 이격되게 형성된 제1반사판 및 제2반사판을 도입하여, 증착 소스로부터 전달되는 열을 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하기 위한 선형 증착 시스템의 제공을 그 목적으로 한다.The present invention provides a linear deposition system for introducing a first reflector and a second reflector spaced apart from an evaporation source in a linear deposition system to block the heat transmitted from a deposition source to suppress temperature rise of the substrate, .

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 박막 증착을 위한 증착 소스 장치를 포함하는 공정 챔버가 선형 형태로 배열되어, 기판 상에 공정이 연속적으로 진행되는 선형 증착 시스템에 있어서, 상기 증착 소스 장치의 상부의 증착 영역 주변부에 형성되며, 상기 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 제1반사판과, 상기 제1반사판 상측에 상기 제1반사판과 이격되어 형성된 제2반사판을 포함하여 구성되어, 기판의 온도 상승을 억제시키는 것을 특징으로 하는 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템을 기술적 요지로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a linear deposition system in which a process chamber including a deposition source apparatus for thin film deposition is arranged in a linear shape, and a process is continuously performed on a substrate, And a second reflector formed on the upper side of the first reflector and spaced apart from the first reflector so as to suppress the temperature rise of the substrate, The present invention relates to a linear deposition system for suppressing an increase in temperature of a substrate.

여기에서, 상기 제1반사판 및 제2반사판은, 상기 공정 챔버의 내부 형태에 대응되게 형성되는 것이 바람직하며, 특히, 상기 제1반사판 및 제2반사판은, 각각 사각 프레임 형태로 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the first reflector and the second reflector are formed to correspond to the inner shape of the process chamber. In particular, the first reflector and the second reflector are preferably formed in the shape of a rectangular frame .

또한, 상기 제1반사판 및 제2반사판 중 어느 하나 또는 둘 모두에는 냉각부가 더 설치되는 것이 바람직하며, 상기 냉각부는, 냉매가 이동할 수 있는 냉각관 형태로 형성되며, 상기 제1반사판 및 제2반사판 하부면 내측부에 형성되는 것이 더욱 바람직하다.Preferably, the first reflector and the second reflector are each provided with a cooling portion, and the cooling portion is formed in the form of a cooling tube through which the coolant can move, and the first reflector and the second reflector And it is more preferable that it is formed in the lower surface inner side portion.

한편, 본 발명에 따른 상기 증착 소스 장치는, 상기 기판에 유기 박막을 증착하기 위한 것으로서, 도판트(dopant) 물질 제공을 위한 소스와, 그 양쪽에 호스트(host) 물질 제공을 위한 소스가 형성되고, 이들 소스로부터 기판에 균일한 도판트 물질 및 호스트 물질을 제공하기 위한 다수개의 분사노즐이 상기 소스 상측에 형성된 것이 바람직하다.Meanwhile, the deposition source device according to the present invention is for depositing an organic thin film on the substrate, in which a source for providing a dopant material and a source for providing a host material are formed on both sides of the source , And a plurality of injection nozzles for providing a uniform dopant material and a host material to the substrate from these sources are formed on the source.

또한, 상기 분사노즐을 노출시키면서 상기 소스를 덮도록 형성되며, 상기 소스의 열을 차단하는 냉각 쉴드가 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, a cooling shield is formed to cover the source while exposing the spray nozzle, and a heat shield for shielding the heat of the source.

여기에서, 상기 제1반사판은 제1고정구에 의해 상기 냉각 쉴드에서 이격 고정되는 것이 바람직하며, 상기 제2반사판은 제2고정구에 의해 상기 제1반사판에서 이격 고정되는 것이 더욱 바람직하다.The first reflector is preferably spaced apart from the cooling shield by a first fixture, and the second reflector is spaced apart from the first reflector by a second fixture.

또한, 상기 호스트 물질을 제공하기 위한 다수개의 분사노즐은, 도판트 물질 제공을 위한 소스 측으로 특정각으로 기울어져 형성되는 것이 바람직하다.The plurality of injection nozzles for providing the host material may be formed to be inclined at a certain angle to the source side for providing the dopant material.

본 발명은, 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 이중 반사판에 의해 증착 소스 장치로부터 전달되는 간접적인 대류, 복사열 등을 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하는 효과가 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has the effect of suppressing the temperature rise of the substrate by interrupting the indirect convection, radiation heat, and the like transmitted from the deposition source apparatus by the double reflector formed so as to be spaced apart from the deposition source apparatus.

또한, 증착 소스 장치에 직접적으로 접촉되게 형성된 냉각 쉴드에 의해 증착 소스 장치로부터 직접적으로 전달되는 전도열까지 차단하여 기판의 온도 상승을 더욱 억제할 수 있는 효과가 있다.Further, the cooling shield formed to be in direct contact with the deposition source device blocks the conductive heat directly transmitted from the deposition source device, thereby further suppressing the temperature rise of the substrate.

도 1 - 본 발명에 따른 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템의 주요부에 대한 모식도.
도 2 - 종래의 기판 온도 상승을 억제하기 위한 선형 증착 시스템의 증착 소스 장치에 대한 모식도.FIG. 1 is a schematic view of a main part of a linear deposition system for suppressing a substrate temperature rise according to the present invention. FIG.
2 is a schematic diagram of a deposition source apparatus of a linear deposition system for suppressing conventional substrate temperature rise;

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 선형 증착 시스템에 있어서 증착 소스로부터 이격되게 형성된 제1반사판 및 제2반사판과 같이 이중 반사판을 도입하여, 증착 소스로부터 전달되는 열을 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하기 위한 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템에 관한 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a linear deposition system in which a double reflector such as a first reflector plate and a second reflector plate spaced apart from an evaporation source is introduced, To a linear deposition system that suppresses the substrate temperature rise to suppress the substrate temperature.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템의 주요부에 대한 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of a main portion of a linear deposition system for suppressing a substrate temperature rise according to the present invention. FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템은, 박막 증착을 위한 증착 소스 장치(200)를 포함하는 공정 챔버(100)가 선형 형태로 배열되어, 기판 상에 공정이 연속적으로 진행되는 것으로서, 상기 증착 소스 장치(200)에서 이격되어 상기 증착 소스 장치(200) 상부의 증착 영역 주변부에 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)으로 이루어진 이중 반사판이 형성된 것이다.As shown, the linear deposition system for suppressing the substrate temperature rise according to the present invention is characterized in that the process chamber 100 including the deposition source apparatus 200 for thin film deposition is arranged in a linear form, A double reflection plate formed of a first reflection plate 300 and a second reflection plate 400 is formed at a peripheral portion of the deposition region above the deposition source apparatus 200 spaced apart from the deposition source apparatus 200.

즉, 상기 제1반사판(300)은 상기 증착 소스 장치(200)로부터 일정 거리 이격되게 형성되고, 상기 제2반사판(400)은 상기 제1반사판(300) 상측에 상기 제1반사판(300)과 이격되어 형성되는 것으로서, 기존의 냉각 쉴드의 경우와는 달리 증착 소스 장치(200)에 접촉되어 있는 구조가 아닌 일정 간격 이격되어 반사판이 형성되어 증착 소스로부터 전해지는 대류, 복사열을 반사, 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하고자 하는 것이다.That is, the first reflector 300 is spaced apart from the deposition source apparatus 200 by a predetermined distance, and the second reflector 400 is disposed above the first reflector 300, Unlike the conventional cooling shield, the reflection plate is spaced apart from the structure contacting with the deposition source device 200 to reflect and block the convection and radiant heat transmitted from the deposition source, In order to suppress the temperature rise of the fuel cell.

그리고, 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)은 상기 증착 소스 장치(200)의 상부측에 형성되되, 증착 소스로부터 분사되는 증착 물질의 이동에 방해되지 않도록 증착 영역 주변부에 형성되는 것이다.The first reflection plate 300 and the second reflection plate 400 are formed on the upper side of the deposition source apparatus 200 and are formed on the periphery of the deposition region so as not to be disturbed by the movement of the deposition material sprayed from the deposition source will be.

여기에서, 증착 영역이라 함은 증착 소스로부터 증착 물질이 일정 운동에너지를 가지면서 분사되어 그 대향면에 위치한 기판에 도착하여 증착되게 되는데, 그 증착 물질이 기판에 도달하는 경로가 존재하는 영역을 말하는 것이다.Herein, the deposition region refers to a region where a deposition material is sprayed with a certain kinetic energy from an evaporation source, and is deposited on a substrate positioned on the opposed surface thereof, and a region where a path through which the deposition material reaches the substrate exists will be.

이와 같이, 본 발명은 증착 소스 장치(200)나 기판에 직접적으로 접촉 설치하여 열을 차단하거나 기판의 온도 상승을 억제시키는 것이 아닌 증착 소스 장치(200)나 기판과 이격되게 형성되어, 대류, 복사열까지 효율적으로 차단하여 기판의 온도 상승을 억제하고자 하는 것이다.As described above, according to the present invention, the deposition source device 200 and the substrate are directly contacted with each other to prevent heat from being intercepted or to suppress the temperature rise of the substrate, So that the temperature rise of the substrate can be suppressed.

이를 위해 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)은 열전도도가 낮은 세라믹, 스테인레스스틸, 알루미늄 합금 등의 재질을 사용하거나, 스테인레스스틸이나 알루미늄 합금 등의 재질을 이중 진공 압착 등의 방법으로 성형한 재질을 사용한다.For this, the first reflector 300 and the second reflector 400 may be formed of a material such as ceramic, stainless steel, or an aluminum alloy having a low thermal conductivity, or a material such as stainless steel or aluminum alloy by a double vacuum method Is used.

이러한, 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)은, 상기 증착 소스 장치(200) 상부에 형성되면서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 형태에 대응되게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 공정 챔버(100)가 내부 형태가 사각으로 형성되면 사각 프레임, 원형으로 형성되면 원형 프레임 형태로 형성되는 것이다.The first reflection plate 300 and the second reflection plate 400 may be formed on the deposition source apparatus 200 to correspond to the internal shape of the process chamber 100. That is, when the process chamber 100 is formed into a square shape, it is formed into a rectangular frame, and when the process chamber 100 is formed into a circular shape, it is formed into a circular frame shape.

일반적으로 본 발명에 따른 선형 증착 시스템은 공정 챔버(100)에 포함되는 증착 소스 장치(200)에 다수개의 분사노즐(230)이 길이 방향으로 길게 형성되고, 기판에 대한 연속적인 공정 진행을 위해서 공정 챔버(100)의 내부 형태가 사각 형태로 형성된 경우가 바람직하며, 이에 따라 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)의 경우에도 각각 상기 공정 챔버(100)의 내부 형태에 대응하여 사각 프레임 형태로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.In general, in the linear deposition system according to the present invention, a plurality of spray nozzles 230 are formed in a long length in the deposition source apparatus 200 included in the process chamber 100, It is preferable that the inner shape of the chamber 100 is formed in a rectangular shape so that the first reflector 300 and the second reflector 400 also have rectangular shapes corresponding to the inner shape of the process chamber 100, And it is more preferable that it is formed in a frame shape.

여기에서, 사각 프레임 형태란 것은 중간은 비어 있고 테두리만 형성된 경우를 말하며, 중간 부분은 증착 영역으로 증착 물질의 이동에 방해가 되지 않도록 하여야 하므로 증착 영역 주변부에만 형성된 형태를 띄는 것이다.Here, the rectangular frame shape means that the middle portion is empty and only the rim is formed, and the middle portion is formed only at the periphery of the deposition region since it should not interfere with the movement of the deposition material to the deposition region.

또한, 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400) 중 어느 하나 또는 둘 모두에는 냉각부(cooling)가 더 설치되는 것이 바람직하다.The first reflector 300 and the second reflector 400 may further include a cooling unit.

이는 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)의 존재만으로도 증착 소스 장치(200)로부터 전달되는 열을 효과적으로 반사, 차단할 수 있으나, 필요에 의해서는 제1반사판(300) 또는 제2반사판(400)을 냉각시키기 위한 냉각부를 더 구비할 수도 있다.The first reflector 300 and the second reflector 400 may effectively reflect and block the heat transmitted from the deposition source apparatus 200. However, And a cooling unit for cooling the heat exchanger 400.

상기 냉각부는 냉매가 이동할 수 있는 냉각관(510) 형태로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400) 하부면에 형성되어, 증착 소스 장치(200)로부터 전달되는 열을 효과적으로 차단하도록 한다. 여기에서 냉매라 함은 증착 물질의 증착 온도에 영향을 주지 않을 정도의 온도로 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)의 온도를 떨어뜨릴 수 있을 정도의 온도를 가지는 것으로, 수냉식이든 공냉식이든 무방하다.The cooling unit is preferably formed in the form of a cooling pipe 510 through which the refrigerant can move and is formed on the lower surface of the first reflector 300 and the second reflector 400, Ensure that heat is effectively blocked. Here, the refrigerant has a temperature at which the temperature of the first reflector 300 and the second reflector 400 can be lowered to a temperature that does not affect the deposition temperature of the evaporation material, It is all right.

이러한 냉각관(510) 형태의 냉각부는 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)의 하부면에 형성되되, 내측부에 형성되는 것이 바람직하다. 여기에서 내측부라 함은 사각 프레임 형태로 형성된 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)의 내부 테두리로 증착 영역 주변부를 말한다. 즉, 증착 소스 장치(200)에 더 가까워 더 고온인 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)의 내부 테두리 영역에 냉각관(510)이 형성되도록 하는 것이다.The cooling part in the form of the cooling pipe 510 is formed on the lower surface of the first reflector 300 and the second reflector 400 and is formed on the inner side. Here, the inner side refers to the peripheral portion of the deposition region with the inner edges of the first reflector 300 and the second reflector 400 formed in the shape of a rectangular frame. That is, the cooling tube 510 is formed in the inner edge region of the first reflector 300 and the second reflector 400, which are closer to the deposition source apparatus 200 and are higher in temperature.

상기 냉각관(510)은 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)과 일체로 동일한 재질로 형성되어도 무방하며, 별도의 열전도도가 낮은 재질로 형성하여 결합시켜도 무방하다.The cooling pipe 510 may be formed of the same material as the first reflector 300 and the second reflector 400 and may be formed of a material having a low thermal conductivity.

한편, 본 발명에 따른 증착 소스 장치(200)는 상기 기판에 유기 박막을 증착하기 위한 것으로서, 유기 박막을 구성하는 물질을 녹여 이를 기화시켜 기판 상에 제공하게 된다.Meanwhile, the deposition source apparatus 200 according to the present invention is for depositing an organic thin film on the substrate, and dissolves the material constituting the organic thin film and vaporizes it to provide the organic thin film on the substrate.

일반적으로 본 발명에서는 반도체 유기 박막을 형성하기 위한 것으로서, 도판트(dopant) 물질 제공을 위한 소스(210)와, 그 양쪽에 호스트(host) 물질 제공을 위한 소스(220)가 형성되고, 이들 소스로부터 기판에 균일한 도판트 물질 및 호스트 물질을 제공하기 위해 다수개의 분사노즐(230)이 상기 소스 상측에 형성된 것이다. 물론, 이러한 증착 소스 장치(200)에는 증착 물질을 녹여 기화시킬 수 있도록 히터 블럭을 포함하는 발열부의 형성은 자명한 사실이다.Generally, in the present invention, a source 210 for providing a dopant material and a source 220 for providing a host material are formed on both sides of the source 210 for forming a semiconductor organic thin film, A plurality of spray nozzles 230 are formed above the source to provide uniform dopant material and host material to the substrate. Of course, it is a matter of course that the deposition source device 200 is formed with a heating portion including a heater block so that the deposition material can be melted and vaporized.

이와 같이 각 소스 상측으로 연결된 다수개의 분사노즐(230)은 길이 방향으로 길게 배열되어 형성되므로, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)은 사각 프레임 형태로 형성되게 된다.As described above, the first reflector 300 and the second reflector 400 according to the present invention are formed in a rectangular frame shape as described above, because a plurality of injection nozzles 230 connected to the upper side of each source are formed long in the longitudinal direction. .

한편, 상기 호스트 물질 제공을 위한 소스(220) 상측에 형성된 호스트 물질을 제공하기 위한 다수개의 분사노즐(230)은, 특정각으로 기울어져 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 도판트 물질 제공을 위한 소스(210) 양쪽에 호스트 물질 제공을 위한 소스(220) 및 그 분사노즐(230)이 형성되게 되므로, 호스트 물질을 제공하기 위한 다수개의 분사노즐(230)은 상기 도판트 물질 제공을 위한 소스(220) 쪽으로 기울어져 형성되는 것이다. 이는 일반적으로 도판트 물질 제공을 위한 소스(220) 상측에 기판이 위치하게 되므로, 호스트 물질 제공을 위한 소스(220) 상측에 형성된 분사노즐(230)은 가운데로 기울어져 형성되게 된다.The plurality of injection nozzles 230 for providing the host material formed on the source 220 for providing the host material may be formed to be inclined at a specific angle. That is, since the source 220 and the injection nozzle 230 for providing the host material are formed on both sides of the source 210 for providing the dopant material, the plurality of injection nozzles 230 for providing the host material And is inclined toward the source 220 for providing the dopant material. In general, since the substrate is positioned above the source 220 for providing the dopant material, the injection nozzle 230 formed on the source 220 for providing the host material is inclined to the center.

따라서, 상기 호스트 물질을 제공하기 위한 다수개의 분사노즐(230)은 특정각으로 기울어지게 형성되어야 하며, 기울어지는 정도는 기판에 증착되는 도판트 물질 및 호스트 물질의 농도 및 박막의 두께, 기판과의 거리 등을 고려하여 정해지게 된다.Accordingly, the plurality of injection nozzles 230 for providing the host material should be formed to be inclined at a certain angle, and the degree of inclination is determined by the concentration of the dopant material and the host material deposited on the substrate and the thickness of the thin film, Distance and so on.

이러한, 형태의 증착 소스 장치(200)에는 상기 분사노즐(230)을 노출시키면서 상기 소스를 전체적으로 덮도록 형성되며, 상기 소스의 열을 차단하기 위한 냉각 쉴드(600)가 형성된다.The evaporation source device 200 of this type is formed so as to cover the source as a whole while exposing the injection nozzle 230, and a cooling shield 600 for shielding the heat of the source is formed.

상기 냉각 쉴드(600)는 상기 소스의 상단부의 형태에 대응하여 형성되어, 상기 소스 상측에 접촉하거나 거의 인접하여 형성되어 소스 하부의 발열부에서 전달되는 열을 1차적으로 차단하게 되는 것으로서, 열전도도가 낮은 세라믹, 스테인레스스틸, 이중 스테인레스스틸, 이중 알루미늄 합금 등의 재질로 형성된다.The cooling shield 600 is formed to correspond to the shape of the upper end of the source and is formed to be in contact with or substantially adjacent to the upper side of the source to primarily block the heat transmitted from the heat generating portion under the source, Stainless steel, double stainless steel, double aluminum alloy, or the like.

이러한 상기 냉각 쉴드(600) 상측으로 상기 제1반사판(300) 및 제2반사판(400)이 고정되게 되는데, 구체적으로는 상기 제1반사판(300)은 제1고정구(700)에 의해 상기 냉각 쉴드(600)에서 이격 고정되며, 상기 제2반사판(400)은 상기 제2고정구(800)에 의해 상기 제1반사판(300)에서 이격 고정되게 되어 형성된다.The first reflector 300 and the second reflector 400 are fixed to the upper side of the cooling shield 600. Specifically, the first reflector 300 is fixed to the cooling shield And the second reflector 400 is spaced apart from and fixed to the first reflector 300 by the second fixture 800. [

도시된 바와 같이, 증착 소스 장치(200) 상측에 냉각 쉴드(600)가 전체적으로 분사노즐(230) 만을 노출시킨 채 형성되고, 그 상측에 제1고정구(700)에 의해 상기 냉각 쉴드(600)에서 일정 간격 이격되어 제1반사판(300)이 고정 형성되고, 그 상측으로 제2고정구(800)에 의해 상기 제1반사판(300)에서 일정 간격 이격되어 제2반사판(400)이 고정 형성되는 것이다.
As shown in the drawing, the cooling shield 600 is formed on the deposition source apparatus 200 while exposing only the spray nozzle 230, and the first fixing hole 700 is formed on the cooling shield 600 The first reflector 300 is fixed and spaced apart from the first reflector 300 by a predetermined distance and the second reflector 400 is fixed to the first reflector 300 by a second fixture 800 spaced from the first reflector 300 by a predetermined distance.

따라서, 본 발명에 따른 기판 온도 상승을 억제하기 위한 선형 증착 시스템은 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 이중 반사판에 의해 증착 소스 장치로부터 전달되는 간접적인 대류, 복사열 등을 반사, 차단하여 기판의 온도 상승을 억제함과 더불어, 증착 소스 장치에 직접적으로 접촉되게 형성된 냉각 쉴드에 의해 증착 소스 장치로부터 직접적으로 전달되는 전도열까지 차단하여 기판의 온도 상승을 더욱 억제할 수 있도록 한 것이다.Therefore, the linear deposition system for suppressing the temperature rise of the substrate according to the present invention reflects and blocks the indirect convection and radiation heat transferred from the deposition source device by the double reflection plate spaced apart from the deposition source apparatus, So as to block the conduction heat directly transmitted from the deposition source device by the cooling shield formed so as to be in direct contact with the deposition source device, thereby further suppressing the temperature rise of the substrate.

100 : 공정 챔버 200 : 증착 소스 장치
210 : 도판트 물질을 제공하기 위한 소스
220 : 호스트 물질을 제공하기 위한 소스
230 : 분사노즐 300 : 제1반사판
400 : 제2반사판 510 : 냉각관
600 : 냉각 쉴드 700 : 제1고정구
800 : 제2고정구100: process chamber 200: deposition source device
210: source for providing dopant material
220: source for providing host material
230: jet nozzle 300: first reflector
400: second reflector 510: cooling tube
600: cooling shield 700: first fixture
800: Second fixture

Claims (4)

박막 증착을 위한 증착 소스 장치를 포함하는 공정 챔버가 선형 형태로 배열되어, 기판 상에 공정이 연속적으로 진행되는 선형 증착 시스템에 있어서,
상기 증착 소스 장치의 상부의 증착 영역 주변부에 형성되며,
상기 공정 챔버의 내부 형태에 대응되게 형성되며, 상기 증착 소스 장치로부터 이격되게 형성된 제1반사판;
상기 공정 챔버의 내부 형태에 대응되게 형성되며, 상기 제1반사판 상측에 상기 제1반사판과 이격되어 형성된 제2반사판;을 포함하여 구성되되,
상기 제1반사판 및 제2반사판 중 어느 하나 또는 둘 모두에 냉각부가 설치되며,
상기 냉각부는 냉매가 이동할 수 있는 냉각관 형태로 형성되고, 상기 제1반사판 및 제2반사판 하부면 내측부인 증착 영역 주변부에 설치되고,
상기 증착 소스 장치는 상기 기판에 유기 박막을 증착하기 위한 것으로서, 도판트(dopant) 물질 제공을 위한 소스와, 그 양쪽에 호스트(host) 물질 제공을 위한 소스가 형성되고, 이들 소스로부터 기판에 균일한 도판트 물질 및 호스트 물질을 제공하기 위한 다수개의 분사노즐이 상기 소스 상측에 형성되며,
상기 소스의 상단부의 형태에 대응하여 형성되며, 상기 분사노즐을 노출시키면서 상기 소스를 덮도록 형성되어 상기 소스의 열을 차단하는 냉각 쉴드가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템.A linear deposition system in which a process chamber including a deposition source apparatus for thin film deposition is arranged in a linear form and a process is continuously performed on the substrate,
A deposition source formed on a peripheral portion of the deposition region above the deposition source device,
A first reflector formed corresponding to an internal shape of the process chamber, the first reflector being spaced apart from the deposition source device;
And a second reflector formed to correspond to an inner shape of the process chamber and spaced apart from the first reflector plate on the first reflector plate,
A cooling part is installed on one or both of the first reflection plate and the second reflection plate,
The cooling unit is formed in the form of a cooling pipe through which the refrigerant can move, and is installed in the peripheral portion of the deposition region, which is the inner side of the first reflector and the second reflector lower surface,
The deposition source device is for depositing an organic thin film on the substrate, and includes a source for providing a dopant material, a source for providing a host material on both sides thereof, A plurality of injection nozzles for forming a dopant material and a host material are formed on the source,
Wherein the cooling shield is formed to correspond to the shape of the upper end of the source and is formed to cover the source while exposing the spray nozzle to block the heat of the source. 제 1항에 있어서, 상기 제1반사판 및 제2반사판은,
각각 사각 프레임 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템.[2] The apparatus of claim 1, wherein the first reflector and the second reflector comprise:
Wherein each of the first and second substrates is formed in a square frame shape. 제 1항에 있어서, 상기 제1반사판은 제1고정구에 의해 상기 냉각 쉴드에서 이격 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템.The linear deposition system according to claim 1, wherein the first reflector is spaced apart from the cooling shield by a first fixture. 제 3항에 있어서, 상기 제2반사판은 제2고정구에 의해 상기 제1반사판에서 이격 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 온도 상승을 억제하는 선형 증착 시스템.The linear deposition system according to claim 3, wherein the second reflector is spaced apart from the first reflector by a second fixture.
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