KR20140027452A - Vacuum deposition device - Google Patents

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KR20140027452A
KR20140027452A KR1020147000410A KR20147000410A KR20140027452A KR 20140027452 A KR20140027452 A KR 20140027452A KR 1020147000410 A KR1020147000410 A KR 1020147000410A KR 20147000410 A KR20147000410 A KR 20147000410A KR 20140027452 A KR20140027452 A KR 20140027452A
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KR
South Korea
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partition plate
vapor deposition
opening
cylindrical body
evaporation source
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Application number
KR1020147000410A
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Korean (ko)
Inventor
노부유키 미야가와
다이스케 니시모리
다카시 안지키
가즈키 기타무라
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파나소닉 주식회사
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

[과제] 진공 증착 장치에 있어서, 복수의 증발원을 사용했을 때, 피증착체에 형성된 증착막의 불균일이 쉽게 발생하지 않고, 원하는 막 두께의 증착막을 형성할 수 있는 것으로 한다.
[해결 수단] 진공 증착 장치(1)는 복수의 증발원(3)과, 증발원(3) 및 피증착체(2) 사이의 공간을 에워싸고, 피증착체의 측면에 개구면(41)을 가지는 통형체(4)를 구비한다. 또한, 통형체(4)의 내부에 배치되는 구획판(7)을 구비한다. 구획판(7)은 개구부(70)를 가지고, 개구부(70)는 중심(重心)(P)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 적어도 1개 이상 설치되어 있고, 직경(D)은 구획판(7)의 외주상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3이다. 이 구성에 의하면, 구획판(7)의 개구부(70)로부터 피증착체(2) 측으로의 기화 재료의 유속 분포를 균일하게 할 수 있으므로, 복수의 증발원(3)을 사용했을 때, 피증착체(2)에 형성된 증착막의 불균일이 쉽게 발생하지 않고, 원하는 막 두께의 증착막을 얻을 수 있다.[Problem] In the vacuum vapor deposition apparatus, when a plurality of evaporation sources are used, non-uniformity of the vapor deposition film formed in the to-be-deposited body does not arise easily, and it is supposed that a vapor deposition film of desired film thickness can be formed.
SOLUTION The vacuum vapor deposition apparatus 1 encloses the space between the several evaporation source 3, the evaporation source 3, and the to-be-deposited body 2, and has the opening surface 41 in the side surface of a to-be-deposited body. The cylindrical body 4 is provided. Moreover, the partition plate 7 arrange | positioned inside the cylindrical body 4 is provided. The partition plate 7 has the opening part 70, The opening part 70 is provided in at least 1 or more in the range of the circumference of the diameter D which makes the center P center. (D) is 2/3 of the maximum value of the distance between two points on the outer periphery of the partition plate 7. According to this structure, since the flow velocity distribution of the vaporization material from the opening part 70 of the partition plate 7 to the to-be-deposited body 2 side can be made uniform, when a plurality of evaporation sources 3 are used, Non-uniformity of the vapor deposition film formed in (2) does not occur easily, and a vapor deposition film of a desired film thickness can be obtained.

Description

진공 증착 장치 {VACUUM DEPOSITION DEVICE}Vacuum Deposition Device {VACUUM DEPOSITION DEVICE}

본 발명은 기판 등의 피증착체에 증착 재료를 증착시켜, 박막을 형성하는 진공 증착 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a vacuum vapor deposition apparatus in which a vapor deposition material is deposited on a vapor-deposited body such as a substrate to form a thin film.

진공 증착 장치는 진공 챔버 내에 증착 재료를 포함하는 증발원과, 기판 등의 피증착체를 배치하고, 진공 챔버 내를 감압시킨 상태에서, 증발원을 가열하여, 증발원을 기화시키고, 이 기화시킨 증착 재료를 피증착체의 표면에 퇴적시켜, 박막을 형성하는 것이다. 그러나, 증발원으로부터 기화된 증착 재료의 일부는, 피증착체를 향해 진행하지 않아, 피증착체의 표면에 부착되지 않은 경우가 있다. 이와 같은 피증착체에 부착되지 않은 증착 재료가 많아지면, 재료의 사용 효율의 저하 및 증착 속도의 저하의 원인이 된다.The vacuum vapor deposition apparatus arrange | positions an evaporation source containing a vapor deposition material and a vapor deposition material, such as a board | substrate, in a vacuum chamber, heats an evaporation source, vaporizes an evaporation source, in the state which pressure-reduced the inside of a vacuum chamber, and supplies this vaporized vapor deposition material. It deposits on the surface of a to-be-deposited body and forms a thin film. However, a part of the vapor deposition material vaporized from the evaporation source may not progress toward the vapor-deposited body and may not adhere to the surface of the vapor-deposited body. If the amount of the evaporation material not adhering to the object to be deposited increases, the use efficiency of the material decreases and the deposition rate decreases.

그래서, 증발원과 피증착체가 대향하는 공간을 통형체로 에워싸고, 이 통형체를 증착 재료가 재증발되는 온도로 가열하여, 기화된 증착 재료를 통형체 내를 통과시켜 피증착체의 표면에 증착시키도록 한 진공 증착 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). Thus, the space facing the evaporation source and the vapor deposition body is surrounded by a cylindrical body, the cylindrical body is heated to a temperature at which the vapor deposition material is evaporated, and the vaporized vapor deposition material is passed through the cylindrical body to be deposited on the surface of the vapor deposition body. The vacuum vapor deposition apparatus which made it let it be made is proposed (for example, refer patent document 1).

그러나, 박막을 복수 종류의 재료로 형성하기 위해 복수의 증발원을 사용한 경우, 이들 증발원의 배치 위치가 상이하면, 통형체 내에서의 기화된 재료가 균일하게 분포하지 않아, 피증착체에 증착된 증착 재료가 불균일해지는 경우가 있다. 그래서, 복수의 증발원으로부터 방출된 증착 재료의 증기의 유로에, 증착 재료의 분포 및 흐름을 조절하는 다공판(多孔板) 셔터를 설치한 진공 증착기가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). However, when a plurality of evaporation sources are used to form a thin film from a plurality of kinds of materials, if the evaporation sources are arranged in different positions, the vaporized materials in the cylindrical body are not uniformly distributed, and the vapor deposition deposited on the vapor deposition body is carried out. The material may be nonuniform. Therefore, a vacuum vapor deposition machine provided with a porous plate shutter for controlling the distribution and flow of the vapor deposition material in a flow path of vapor of the vapor deposition material discharged from a plurality of evaporation sources is known (see Patent Document 2, for example). .

일본 공개특허공보 평9-272703호Japanese Patent Laid-Open No. 9-272703 일본 공개특허공보 제2005-213570호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2005-213570

그러나, 상기 특허문헌 2에 기재된 증착 장치와 같이, 증착 재료의 유로에 다공판 셔터를 설치하면, 이 다공판 셔터에 증착 재료가 부착되어 눈 막힘을 일으킬 우려가 있다. 다공판 셔터가 눈 막힘을 일으키면, 피증착체에서의 증착 불균일이 발생하는 경우가 있고, 또한, 증착 속도를 정확하게 제어할 수가 없어, 원하는 막 두께의 증착막을 형성할 수 없을 우려가 있다. However, if the porous plate shutter is provided in the flow path of vapor deposition material like the vapor deposition apparatus of the said patent document 2, there exists a possibility that a vapor deposition material may adhere to this porous plate shutter, and it may cause clogging. If the porous plate shutter causes clogging, deposition unevenness may occur in the vapor-deposited body, and the deposition rate cannot be controlled accurately, and there is a fear that a vapor deposition film having a desired film thickness cannot be formed.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 것이며, 복수의 증발원을 사용했을 때, 피증착체에 형성된 증착막의 불균일이 쉽게 발생하지 않고, 원하는 막 두께의 증착막을 형성할 수 있는 진공 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and when a plurality of evaporation sources are used, it is possible to provide a vacuum vapor deposition apparatus that can form a vapor deposition film having a desired film thickness without easily causing a non-uniformity of the vapor deposition film formed on the vapor deposition body. The purpose.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 진공 증착 장치는, 피증착체에 복수 종류의 재료를 증착하기 위한 복수의 증발원과; 상기 복수의 증발원 및 상기 피증착체의 사이의 공간을 에워싸고, 상기 피증착체 측에 개구면을 가지는 통형체와; 상기 피증착체, 상기 증발원 및 상기 통형체가 배치되는 공간을 진공 상태로 하는 진공 챔버를 포함하는 진공 증착 장치로서, 상기 통형체의 내부에 배치되는 구획판을 포함하고, 상기 구획판은 개구부를 포함하고, 상기 개구부는 상기 구획판을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 적어도 1개 이상 설치되어 있고, 상기 직경(D)은 상기 구획판의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3인 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, a vacuum vapor deposition apparatus according to the present invention, a plurality of evaporation source for depositing a plurality of kinds of materials on the vapor deposition body; A cylindrical body surrounding a space between the plurality of evaporation sources and the vapor deposition body and having an opening surface on the vapor deposition side; A vacuum vapor deposition apparatus including a vacuum chamber for vacuuming a space in which the vapor deposition source, the evaporation source, and the cylindrical body are disposed, the vacuum vapor deposition apparatus including a partition plate disposed inside the cylindrical body, and the partition plate includes an opening. At least one opening is provided in the range of the circumference of the diameter D which has the center in the shape at the time of a planar view of the said partition plate, The said diameter D ) Is 2/3 of the maximum value of the distance between the two points on the outer periphery of the partition plate.

상기 진공 증착 장치에 있어서, 상기 개구부는 기하학 형상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. In the vacuum deposition apparatus, the opening is preferably formed in a geometric shape.

상기 진공 증착 장치에 있어서, 상기 구획판은, 상기 구획판을 평면에서 볼 때의 형상에서의 외주 위치에, 상기 개구부보다 개구 면적이 작은 보조 개구부를 포함하는 것이 바람직하다. In the vacuum vapor deposition apparatus, it is preferable that the partition plate includes an auxiliary opening having a smaller opening area than the opening at an outer circumferential position in a shape when the partition plate is viewed in a plane.

상기 진공 증착 장치에 있어서, 상기 개구부는 상기 구획판의 중심(重心)에 대하여 점 대칭이 되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. In the vacuum vapor deposition apparatus, the opening is preferably formed to be point symmetrical with respect to the center of the partition plate.

상기 진공 증착 장치에 있어서, 상기 구획판을 복수 포함하고, 상기 복수의 구획판은 서로 형상이 다른 개구부를 포함하는 것이 바람직하다. In the vacuum vapor deposition apparatus, it is preferable that a plurality of partition plates are included, and the plurality of partition plates include openings different in shape from each other.

상기 진공 증착 장치에 있어서, 상기 구획판은 가열 기구 및 온도 조절 기구를 포함하는 것이 바람직하다. In the vacuum deposition apparatus, the partition plate preferably includes a heating mechanism and a temperature control mechanism.

본 발명에 의하면, 구획판의 개구부가, 구획판을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 설치되고, 이 직경(D)이 구획판의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3이다. 그러므로, 피증착체 측으로의 기화 재료의 유속 분포를 균일하게 할 수 있어, 복수의 증발원을 사용했을 때, 피증착체에 형성된 증착막의 불균일이 쉽게 발생하지 않고, 원하는 막 두께의 증착막을 얻을 수 있다. According to this invention, the opening part of a partition plate is provided in the range of the circumference of the diameter D which has the center of gravity in the shape at the time of a planar view of a partition plate, and this diameter (D). It is 2/3 of the maximum value of the distance between two points on the outer periphery of this partition plate. Therefore, the flow velocity distribution of the vaporizing material toward the vapor deposition material can be made uniform, and when a plurality of evaporation sources are used, non-uniformity of the vapor deposition film formed on the vapor deposition material does not easily occur, and a vapor deposition film having a desired film thickness can be obtained. .

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 진공 증착 장치의 측단면도이다.
도 2 (a)(b)는 각각 상기 진공 증착 장치에 사용되는 구획판의 형상을 나타낸 상면도이다.
도 3 (a) 내지 (e)는 각각 상기 구획판의 변형예를 나타낸 상면도이다.
도 4는 구획판을 구비하지 않는 비교예의 진공 증착 장치에서의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 5는 개구부의 구경이 구획판의 직경의 3/4일 때의 비교예의 진공 증착 장치에서의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 6은 개구부의 구경이 구획판의 직경의 2/3일 때의 비교예의 진공 증착 장치에서의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 7은 개구부의 구경이 구획판의 직경의 1/2일 때의 실시예의 진공 증착 장치에서의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 8은 개구부의 구경이 구획판의 직경의 3/20일 때의 실시예의 진공 증착 장치에서의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 9는 상기 실시형태의 변형예에 따른 진공 증착 장치의 측단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 진공 증착 장치의 측단면도이다.
도 11은 상기 진공 증착 장치에 사용되는 구획판의 형상을 나타내는 상면도이다.
도 12는 상기 실시예의 각 구성의 위치 관계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 13은 보조 개구부를 설치한 구획판을 사용했을 때의 실시예의 진공 증착 장치에서의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 진공 증착 장치의 측단면도이다.
도 15 (a)(b)는 상기 진공 증착 장치에 사용되는 구획판의 형상을 나타내는 상면도이다.
도 16은 상기 진공 증착 장치에 사용되는 구획판과 증발원의 위치 관계의 형상을 나타내는 측단면도이다. 1 is a side sectional view of a vacuum deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG.2 (a) (b) is a top view which showed the shape of the partition plate used for the said vacuum vapor deposition apparatus, respectively.
3A to 3E are top views each showing a modified example of the partition plate.
It is a figure which shows the simulation result of film thickness distribution in the vacuum vapor deposition apparatus of the comparative example which does not have a partition plate.
It is a figure which shows the simulation result of film thickness distribution in the vacuum vapor deposition apparatus of the comparative example when the aperture size of opening is 3/4 of the diameter of a partition plate.
It is a figure which shows the simulation result of film thickness distribution in the vacuum vapor deposition apparatus of the comparative example when the aperture size of an opening part is 2/3 of the diameter of a partition plate.
It is a figure which shows the simulation result of film thickness distribution in the vacuum vapor deposition apparatus of an Example when the aperture diameter is 1/2 of the diameter of a partition plate.
FIG. 8 is a diagram showing a simulation result of the film thickness distribution in the vacuum vapor deposition apparatus in the embodiment when the aperture of the aperture is 3/20 of the diameter of the partition plate.
9 is a side sectional view of a vacuum deposition apparatus according to a modification of the above embodiment.
10 is a side sectional view of a vacuum deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
11 is a top view showing the shape of a partition plate used in the vacuum vapor deposition apparatus.
12 is a perspective view for explaining the positional relationship of the components of the embodiment.
It is a figure which shows the simulation result of film thickness distribution in the vacuum vapor deposition apparatus of the Example at the time of using the partition plate in which the auxiliary opening part was provided.
14 is a side sectional view of a vacuum deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG.15 (a) (b) is a top view which shows the shape of the partition plate used for the said vacuum vapor deposition apparatus.
Fig. 16 is a side sectional view showing the shape of the positional relationship between the partition plate and the evaporation source used in the vacuum vapor deposition apparatus.

본 발명의 제1 실시형태에 따른 진공 증착 장치에 대하여, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 진공 증착 장치(1)는 피증착체(2)에 복수 종류의 재료를 증착하기 위한 복수의 증발원(3)과, 이들 복수의 증발원(3) 및 피증착체(2) 사이의 공간을 에워싸고, 피증착체(2) 측에 개구면을 가지는 통형체(4)를 구비한다. 또한, 이들 피증착체(2), 증발원(3) 및 통형체(4)가 배치되는 공간을 진공 상태로 하는 진공 챔버(5)를 구비한다. 진공 챔버(5)는 진공 펌프(6)로 배기함으로써 진공 상태로 감압할 수 있도록 구성되어 있다. The vacuum vapor deposition apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention is demonstrated with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the vacuum vapor deposition apparatus 1 of this embodiment includes a plurality of evaporation sources 3 for depositing a plurality of kinds of materials on the vapor deposition body 2, and a plurality of these evaporation sources 3 and blood. The cylindrical body 4 which surrounds the space between the vapor deposition bodies 2, and has an opening surface in the to-be-deposited body 2 side is provided. Moreover, the vacuum chamber 5 which makes the space in which these to-be-deposited bodies 2, the evaporation source 3, and the cylindrical body 4 are arrange | positioned is provided in a vacuum state. The vacuum chamber 5 is comprised so that pressure_reduction | reduced_pressure may be carried out in a vacuum state by evacuating with the vacuum pump 6.

통형체(4)는, 그 일단(一端)에 개구면(41)을 가지고, 그 개구면(41)에 후술하는 유량 제어용의 보정판(48)이 설치되고, 이에 대향하도록 기판 등의 피증착체(2)가 배치된다. 통형체(4)의 타단(他端)에는, 복수의 증발원(3)이 각각 상이한 위치에 배치되고, 증발원(3)의 배치되어 있지 않은 부분은 바닥부(42)에 의해 연접(連接)되어 있다. The cylindrical body 4 has an opening surface 41 at one end thereof, and a correction plate 48 for controlling the flow rate, which will be described later, is provided on the opening surface 41, and a vapor-deposited body such as a substrate is opposed to this. (2) is arranged. In the other end of the cylindrical body 4, the several evaporation source 3 is arrange | positioned in a different position, respectively, and the part which is not arrange | positioned of the evaporation source 3 is connected by the bottom part 42, and is connected. have.

통형체(4)의 내부에는, 적어도 1곳 이상의 개구부(70)를 가지는 구획판(7)이 배치되어 있다. 통형체(4)의 내벽에는, 구획판(7)을 수평으로 결합하여 고정하기 위한 결합 고정부(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 결합 고정부는, 통형체(4)의 바닥부(42)에서 개구면(41)에 걸쳐, 소정 간격으로 복수 설치되어 있어, 구획판(7)을 통형체(4) 내의 적절한 높이에 설치할 수 있다. 구획판(7)의 설치 높이는, 통형체(4)의 통 직경 등에 따라 상이하지만, 바람직하게는 개구면(41) 측보다 바닥부(42)에 가까운 위치에 설치된다. 이렇게 하면, 통형체(4) 내에서의 구획판(7)과 개구면(41) 사이의 공간이 충분히 확보되므로, 기화 재료를 피증착체(2)에 균일하게 부착시킬 수 있다. 한편, 구획판(7)이 개구면(41)에 가까운 위치에 설치되면 구획판(7)의 개구부(70)와 피증착체(2)와의 거리가 가까워져, 피증착체(2)의 중앙 영역에 집중적으로 증착 재료가 부착되기 쉽다. 그래서, 구획판(7)은, 그에 따라 구분되는 통형체(4) 내에 있어서, 증발원(3) 측의 공간과 피증착체(2) 측의 공간과의 비가, 예를 들면, 1:2 ∼ 1:5가 되도록 설치되는 것이 바람직하다. In the cylindrical body 4, the partition plate 7 which has at least 1 or more opening parts 70 is arrange | positioned. On the inner wall of the cylindrical body 4, the engaging fixing part (not shown) for engaging and fixing the partition plate 7 horizontally is formed. A plurality of coupling fixing portions are provided at predetermined intervals from the bottom portion 42 of the tubular body 4 to the opening surface 41, and the partition plate 7 can be installed at an appropriate height in the tubular body 4. have. Although the installation height of the partition plate 7 differs according to the cylinder diameter etc. of the cylindrical body 4, Preferably, it is provided in the position closer to the bottom part 42 than the opening surface 41 side. In this way, since the space between the partition plate 7 and the opening surface 41 in the cylindrical body 4 is fully secured, the vaporizing material can be uniformly attached to the vapor-deposited body 2. On the other hand, when the partition plate 7 is provided at a position close to the opening surface 41, the distance between the opening 70 of the partition plate 7 and the deposition target 2 is close, and the center region of the deposition target body 2 is close. It is easy to attach a vapor deposition material in concentration. Therefore, in the cylindrical body 4 divided accordingly, the partition plate 7 has a ratio of the space on the evaporation source 3 side and the space on the vapor-deposited body 2 side, for example, 1: 2-. It is preferable to install so that it may be 1: 5.

구획판(7)의 개구부(70)는, 구획판(7)을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)(P)(도 2 참조)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 적어도 1개 이상 설치되어 있다. 또한, 이 직경(D)은 구획판(7)의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3이다. The opening 70 of the partition plate 7 has a diameter D whose center is the center P (see FIG. 2) in the shape of the partition plate 7 in plan view. At least one is provided in the range of a circumference. In addition, this diameter D is 2/3 of the maximum value of the distance between two points on the outer periphery of the partition plate 7.

통형체(4)의 외주에는, 시스 히터(sheath heater) 등으로 구성되는 통형체 히터[이하, 히터(43)]가 감겨 장착되어 있다. 이 히터(43)는, 전원(44)에 접속되어 급전을 받음으로써, 통형체(4) 내를 가열한다. 또한, 통형체(4)의 바닥부(42)에는, 통형체(4) 내의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(45)가 설치되고, 온도 센서(45)의 측정 정보는 CPU나 메모리 등으로 구성되는 통형체 온도 제어기(46)에 출력된다. 통형체 온도 제어기(46)는 온도 센서(45)의 측정 정보를 받아 전원(44)으로부터 히터(43)에 공급되는 전력량을 제어함으로써, 통형체(4) 내의 온도를 조절할 수 있다. 이때, 히터(43)에 의해, 통형체(4) 내의 구획판(7)도 가열되도록 구성되어 있어도 된다. On the outer circumference of the cylindrical body 4, a cylindrical body heater (hereinafter, the heater 43) composed of a sheath heater or the like is wound and mounted. This heater 43 heats the inside of the cylindrical body 4 by connecting to the power supply 44, and receiving electric power. In addition, the bottom part 42 of the cylindrical body 4 is provided with the temperature sensor 45 for measuring the temperature in the cylindrical body 4, and the measurement information of the temperature sensor 45 consists of CPU, a memory, etc. Is output to the cylindrical body temperature controller 46. The cylindrical body temperature controller 46 can adjust the temperature in the cylindrical body 4 by receiving the measurement information of the temperature sensor 45, and controlling the amount of electric power supplied from the power supply 44 to the heater 43. FIG. Under the present circumstances, the heater 43 may be comprised so that the partition plate 7 in the cylindrical body 4 may also be heated.

통형체(4)는, 그 측벽에 측면 개구부(47)를 가지고, 이 측면 개구부(47)에 면하도록 막 두께 합계(8)가 장착되어 있다. 막 두께 합계(8)는, 수정 진동자 막 두께 합계 등으로 구성되며, 그 표면에, 증착에 의해 부착된 막의 막 두께를 자동 계측한다. 막 두께 합계(8)는 그에 따른 막 두께 데이터를 증착 속도 제어기(37)에 출력한다. 개구면(41)에는, 통형체(4)로부터 피증착체(2)로의기화한 증착 재료의 유량을 제어하기 위한 보정판(48)이 설치되어 있다. 보정판(48)은, 개폐 가능한 복수의 개구가 설치되어 있다. 이들의 개구는, 보정판(48)의 중심(重心)을 중심(中心)으로 하는 점대칭인 위치에 형성되어 있다. The cylindrical body 4 has the side opening part 47 in the side wall, and the film thickness total 8 is attached so that the side wall opening 47 may be faced. The film thickness total 8 is composed of a crystal oscillator film thickness total and the like, and automatically measures the film thickness of the film attached to the surface by vapor deposition. The film thickness sum 8 outputs the film thickness data accordingly to the deposition rate controller 37. The opening surface 41 is provided with a correction plate 48 for controlling the flow rate of the evaporated material vaporized from the cylindrical body 4 to the deposition target 2. The correction plate 48 is provided with a plurality of openings that can be opened and closed. These openings are formed at the point symmetrical position which makes the center of the correction plate 48 the center.

증발원(3)은, 도가니 등의 가열 용기(31) 내에 증착 재료(32)가 유지된 것이다. 가열 용기(31)는, 그 개구 측이 통형체(4)의 바닥부(42)와 같은 높이가 되도록, 통형체(4)에 매립되어 있다. 본 실시형태의 진공 증착 장치(1)에 있어서는, 복수의 증발원(3)이 통형체(4)의 바닥부(42)의 상이한 위치에 각각 배치되어 있다. 증착 재료(32)에는, 임의의 재료가 사용되지만, 예를 들면, 유기 전계 발광 소자에 사용되는 유기 반도체 재료 등의 유기 재료가 바람직하게 사용된다. 가열 용기(31)의 주변부에는, 증발원 히터(33)가 배치되어 있다. 이 증발원 히터(33)는 전원(34)에 접속되어 급전됨으로써, 가열 용기(31) 및 증착 재료(32)를 가열한다. 가열 용기(31)에는, 그 온도를 측정하기 위한 온도계(35)가 설치되고, 온도계(35)의 측정 정보는 증발원 온도 제어기(36)에 출력된다. 이 증발원 온도 제어기(36)는 증착 속도 제어기(37)에 접속된다. 증착 속도 제어기(37)는 온도계(35)의 측정 정보를 받아 전원(34)에서 증발원 히터(33)로 공급하는 전력량을 제어함으로써, 가열 용기(31) 내의 온도를 조절하고, 막 두께계(thickness gauge)(8)의 막 두께 데이터를 계측하면서, 증착 속도를 제어한다. As for the evaporation source 3, the vapor deposition material 32 is hold | maintained in the heating container 31, such as a crucible. The heating container 31 is embedded in the cylindrical body 4 so that the opening side may become the same height as the bottom part 42 of the cylindrical body 4. In the vacuum vapor deposition apparatus 1 of this embodiment, the some evaporation source 3 is arrange | positioned in the different position of the bottom part 42 of the cylindrical body 4, respectively. Although arbitrary materials are used for the vapor deposition material 32, organic materials, such as the organic semiconductor material used for an organic electroluminescent element, are used preferably, for example. The evaporation source heater 33 is arrange | positioned at the periphery part of the heating container 31. As shown in FIG. The evaporation source heater 33 is connected to a power source 34 and fed with power, thereby heating the heating container 31 and the vapor deposition material 32. The heating vessel 31 is provided with a thermometer 35 for measuring the temperature, and the measurement information of the thermometer 35 is output to the evaporation source temperature controller 36. This evaporation source temperature controller 36 is connected to the deposition rate controller 37. The deposition rate controller 37 receives the measurement information of the thermometer 35 and controls the amount of power supplied from the power supply 34 to the evaporation source heater 33, thereby controlling the temperature in the heating vessel 31, and controlling the thickness of the film. The deposition rate is controlled while measuring the film thickness data of the gauge 8.

도 2 (a)(b)에 나타낸 바와 같이, 구획판(7)의 개구부(70)는 구획판(7)을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)(P)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 설치되고, 이 직경(D)은 구획판(7)의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3이다. 다시 말해, 상기 구획판(7)의 2점간 거리의 최대의 값은 직경(D)의 3/2이다. 즉, 개구부(70)의 구경을 전술한 범위로 하면, 개구부(70)로부터 피증착체(2) 측으로 방출되는 기화 재료의 유속 분포를 균일하게 할 수 있다. 구획판(7)의 개구부(70)가 1개인 경우에는, 이 개구부(70)의 구경은 구획판(7)의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 1/10을 직경으로 하는 원주보다 큰 것이 바람직하다. 개구부(70)의 구경이 상기한 범위이면, 증발원(3)에서 기화한 증착 재료(32)는 구획판(7)에 의해 크게 방해받는 일 없이 피증착체(2) 측으로 진행할 수 있다. As shown in Fig. 2 (a) (b), the opening 70 of the partition plate 7 has a center of gravity P in the shape of the partition plate 7 in plan view. It is provided in the range of the circumference of the diameter D to be set, and this diameter D is 2/3 of the maximum value of the distance between two points on the outer periphery of the partition plate 7. In other words, the maximum value of the distance between the two points of the partition plate 7 is 3/2 of the diameter D. That is, when the aperture diameter of the opening part 70 is made into the above-mentioned range, the flow velocity distribution of the vaporizing material discharged | emitted from the opening part 70 to the to-be-deposited body 2 side can be made uniform. In the case where there is one opening 70 of the partition plate 7, the aperture of the opening 70 is smaller than the circumference whose diameter is 1/10 of the maximum value between the two points on the outer circumference of the partition plate 7. It is desirable to be large. If the aperture diameter of the opening part 70 is the above-mentioned range, the vapor deposition material 32 vaporized in the evaporation source 3 can advance to the to-be-deposited body 2 side, without being largely obstructed by the partition plate 7.

또한, 구획판(7)의 개구부(70)가 구획판(7)의 중심(P)에 대하여 점대칭이 되도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 피증착체(2)에 균일하게 증착 재료(32)를 부착시킬 수 있다. 구획판(7)의 개구부(70)는, 기하학 형상으로 형성되어 있다. 도 2 (a)(b)에 나타낸 바와 같은 정원(正圓) 형상에 한정되지 않고, 예를 들면, 도 3 (a) 내지 (d)에 나타낸 바와 같이, 타원, 정사각형, 직사각형, 또는 정다각형(도시한 예에서는 정육각형) 중 어느 하나이어도 된다. 또한, 도 3 (e)에 나타낸 바와 같이, 정사각형과 정원 형상의 복수의 개구부(70)를 조합해도 된다. 구획판(7)의 개구부(40)의 형상은 증발원(3)의 위치나 증착 속도 등에 따라 바람직한 것이 선택된다. Moreover, it is preferable that the opening part 70 of the partition plate 7 is provided so that it may become point symmetric with respect to the center P of the partition plate 7. In this way, the vapor deposition material 32 can be adhered to the vapor-deposited body 2 uniformly. The opening part 70 of the partition plate 7 is formed in geometric shape. It is not limited to the spherical shape as shown in FIG.2 (a) (b), For example, as shown to FIG.3 (a)-(d), an ellipse, a square, a rectangle, or a regular polygon ( In the example shown in the drawing, any one of a regular hexagon) may be used. 3 (e), you may combine the several opening part 70 of a square and a garden shape. The shape of the opening 40 of the partition plate 7 is preferably selected in accordance with the position of the evaporation source 3, the deposition rate, or the like.

이와 같이 구성된 진공 증착 장치(1)에 있어서, 피증착체(2)에 증착 재료(32)를 증착시킬 때, 먼저, 각 증발원(3)의 가열 용기(31)에 각각 증착 재료(32)가 수용되고, 진공 펌프(6)를 작동시켜 진공 챔버(5) 내가 진공 상태로 감압된다. 다음에, 각 증발원(3)의 증발원 히터(33)를 발열시켜, 각 증착 재료(32)를 가열하는 동시에, 통형체(4)와 구획판(7)이, 히터(43) 등에 의해 모든 증착 재료(32)를 기화시키고, 또한 분해 등을 시키지 않을 정도의 온도로 가열된다. 그리고, 각 증발원(3)의 증발원 히터(33)에 의한 가열에 의하여, 각 증착 재료(32)가 용융으로부터 증발, 또는 승화에 의해 기화하면, 기화된 증착 재료는, 직접 또는 증착 재료(32)가 기화되는 온도로 설정된 통형체(4)의 내벽면 및 구획판(7)의 양면에서 반사하면서, 통형체(4)의 개구면(41) 방향으로 진행하고, 보정판(48)의 개구로부터 방출되어, 피증착체(2)의 표면에 퇴적된다. In the vacuum vapor deposition apparatus 1 comprised in this way, when depositing the vapor deposition material 32 in the to-be-adhered body 2, the vapor deposition material 32 is respectively put in the heating container 31 of each evaporation source 3, respectively. It is accommodated and the vacuum pump 6 is operated to depressurize the vacuum chamber 5 into a vacuum state. Next, the evaporation source heater 33 of each evaporation source 3 is heated to heat each vapor deposition material 32, and the cylindrical body 4 and the partition plate 7 are all vapor-deposited by the heater 43 or the like. The material 32 is vaporized and heated to a temperature such that no decomposition or the like is performed. And when each vapor deposition material 32 vaporizes from melting | fusing by evaporation source heater 33 by the evaporation source heater 33, and vaporizes by sublimation or sublimation, the vaporized vapor deposition material is directly or vapor deposition material 32. While traveling on the inner wall surface of the cylindrical body 4 set to the temperature at which the gas is vaporized and on both sides of the partition plate 7, it proceeds toward the opening surface 41 of the cylindrical body 4 and is discharged from the opening of the correction plate 48. And deposits on the surface of the vapor-deposited body 2.

이때, 각 증발원(3)으로부터 기화된 증착 재료(32)는, 피증착체(2)와 증발원(3)의 위치 관계나, 증발원(3)의 형상이나 경사 등에 의존하지 않고, 구획판(7)의 개구부(70)를 통과하여, 통형체(4)의 구획판(7)보다 피증착체(2) 측의 영역으로 진행한다. 그러므로, 통형체(4)의 피증착체(2) 측의 개구면(41) 부근에 있어서는, 각 기화 재료의 유속 분포가 균일해지고, 각 증착 재료(32)의 혼합비를 피증착체(2)의 전면(全面)에 걸쳐 균일하게 할 수 있다. At this time, the vapor deposition material 32 vaporized from each evaporation source 3 does not depend on the positional relationship of the to-be-deposited body 2 and the evaporation source 3, the shape, the inclination, etc. of the evaporation source 3, and the partition plate 7 It passes through the opening part 70 of (), and advances to the area | region on the to-be-deposited body 2 side rather than the partition plate 7 of the cylindrical body 4. Therefore, in the vicinity of the opening surface 41 on the side of the vapor deposition body 2 of the cylindrical body 4, the flow velocity distribution of each vaporizing material becomes uniform, and the mixing ratio of each vapor deposition material 32 is reduced. It can be made uniform over the whole surface of the.

또한, 구획판(7)의 개구부(70)가, 구획판(7)의 중심(P)에 대하여 점대칭이 되도록 설치되어 있는 경우에는, 각 기화 재료의 유속 분포가 통형체(4)의 개구면(41)의 중심(重心)을 중심(中心)으로 하여 점대칭으로 정돈된다. 그리고, 점대칭인 유속 분포를 기초로, 형상이 정해진 보정판(48)에 의해, 피증착체(2)에 퇴적되는 막 두께 분포를 균일하게 할 수 있다. In addition, when the opening part 70 of the partition plate 7 is provided so that it may become point symmetric with respect to the center P of the partition plate 7, the flow velocity distribution of each vaporizing material will be the opening surface of the cylindrical body 4. The center of gravity (41) is centered and centered in point symmetry. And the film thickness distribution deposited on the to-be-deposited body 2 can be made uniform by the correction plate 48 whose shape was defined based on the flow velocity distribution which is point symmetry.

본 실시형태의 진공 증착 장치(1)를 사용하여 어떠한 증착막이 형성되는지에 대하여, 직접 시뮬레이션 몬테카를로법(Monte Carlo method)를 사용하여 시뮬레이션을 행하였다. 통형체(4)로서, 내벽의 폭 200㎜, 깊이 100㎜, 높이 200㎜의 직육면체형의 각통(角筒)을 사용하고, 통형체(4)의 가열 온도는 300℃로 하였다. 또한, 통형체(4) 내에는 2개의 증발원(3)이 각각 상이한 위치에 배치되어 있는 것으로 하였다. 한쪽의 증발원(3)(제1 증발원)은 통형체(4)의 바닥부(42)의 중심(重心)에 위치하고, 개구 직경 30㎜의 가열 용기(31)의 개구면이 통형체(4)의 바닥부(42)의 높이에 있는 것으로 하였다. 그 한쪽의 증발원(3)은 통형체(4)의 바닥부(42)의 중심(重心)에 배치되고, 개구 직경 30㎜의 가열 용기(31)의 개구면이 통형체(4)의 바닥부(42)의 높이에 있는 것으로 하였다. 다른 쪽의 증발원(3)(제2 증발원)은 통형체(4)의 바닥부(42)의 중심(重心)으로부터 통형체(4)의 폭 방향으로 65㎜ 이동한 점을 중심(中心)으로 하는 위치에 배치되고, 개구 직경 30㎜의 가열 용기(31)의 개구면이 통형체(4)의 바닥부(42)의 높이에 있는 것으로 하였다. About what vapor deposition film was formed using the vacuum vapor deposition apparatus 1 of this embodiment, the simulation was performed using the direct simulation Monte Carlo method. As the cylindrical body 4, the rectangular cylinder of the width 200mm, the depth 100mm, and the height 200mm of the inner wall was used, and the heating temperature of the cylindrical body 4 was 300 degreeC. In addition, it is assumed that two evaporation sources 3 are arranged at different positions in the cylindrical body 4, respectively. One evaporation source 3 (first evaporation source) is located at the center of the bottom portion 42 of the cylindrical body 4, and the opening face of the heating vessel 31 having an opening diameter of 30 mm is the cylindrical body 4. It was assumed that the height was at the bottom of the bottom 42. The one evaporation source 3 is disposed at the center of the bottom 42 of the cylindrical body 4, and the opening face of the heating vessel 31 having an opening diameter of 30 mm is the bottom of the cylindrical body 4. It was assumed that it was at the height of (42). The other evaporation source 3 (second evaporation source) has a center of gravity 65 mm shifted from the center of the bottom portion 42 of the cylindrical body 4 in the width direction of the cylindrical body 4. It was arrange | positioned at the position to make it, and it was assumed that the opening surface of the heating container 31 of opening diameter 30mm exists in the height of the bottom part 42 of the cylindrical body 4. As shown in FIG.

제1 및 제2 증발원의 각 가열 용기(31)에는, 모두 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이트) 알루미늄 착체(Alq3)가 수용되고 있는 것으로 상정하고, 이 Alq3의 분자량, 분자 사이즈, 증발 온도 등을 기초로 시뮬레이션에서의 계산 조건을 정하였다. 먼저, 기준으로서, 상기한 경우에 대하여, 피증착체(2)에서의 제1 증발원(3)과 제2 증발원(3)의 증착 속도비가 1:0.1이 되도록, 각 증발원(3)의 증착 속도를 정해 시뮬레이션을 행하였다. It is assumed that tris (8-hydroxyquinolinate) aluminum complex (Alq 3 ) is housed in each of the heating vessels 31 of the first and second evaporation sources, and the molecular weight, molecular size and evaporation of the Alq 3 The calculation conditions in the simulation were determined based on the temperature and the like. First, as a reference, in the above-described case, the deposition rate of each evaporation source 3 such that the deposition rate ratio of the first evaporation source 3 and the second evaporation source 3 in the vapor-deposited body 2 is 1: 0.1. The simulation was performed.

도 4는 구획판(7)을 구비하지 않은 진공 증착 장치, 즉 비교예 1의 진공 증착 장치를 사용했을 때의, 피증착체(2) 상에 형성된 증착막의 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 제1 증발원으로부터의 기화 재료의 막 두께 분포(△)와 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)는 일치하지 않고, 특히, 제2 증발원에 대해서는, 막 두께 분포에 편향이 발생하고 있음을 알 수 있다. 이때, 피증착체(2) 상의 위치에 따라서 2개의 증착 재료의 혼합비에 10% 정도의 차가 생겼다. 4 shows a simulation result of the film thickness distribution of the vapor deposition film formed on the vapor-deposited body 2 when the vacuum vapor deposition apparatus without the partition plate 7, that is, the vacuum vapor deposition apparatus of Comparative Example 1 is used. As shown in FIG. 4, the film thickness distribution (△) of the vaporization material from a 1st evaporation source and the film thickness distribution (◇) from a 2nd evaporation source do not correspond, In particular, about a 2nd evaporation source, It can be seen that bias is occurring. At this time, a difference of about 10% occurred in the mixing ratio of the two vapor deposition materials depending on the position on the vapor-deposited body 2.

도 5는 통형체(4)의 바닥부(42)에서 50㎜의 높이에 구획판(7)을 설치한 진공 증착 장치(비교예 2)를 사용했을 때의 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 이 구획판(7)은, 통형체(4) 내에 있어서, 증발원(3) 측의 공간과 피증착체(2) 측의 공간과의 비가 1:3이 되도록 구획하고 있다. 이 구획판(7)의 개구부(70)의 구경이 150㎜이며, 통형체(4)의 내벽의 폭(200㎜)에 대하여 개구부(70)의 구경이 3/4으로 되어 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 도 4에 나타낸 비교예 1보다는, 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가 균일화되어 있지만, 여전히 제 1증발원으로부터의 기화 재료의 막 두께 분포(△)와 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)는 일치하지 않음을 알 수 있다. 이때, 피증착체(2) 상의 위치에 따라서 2개의 증착 재료의 혼합비에 8% 정도의 차가 생겼다. FIG. 5 shows simulation results of the film thickness distribution when a vacuum vapor deposition apparatus (Comparative Example 2) in which the partition plate 7 is provided at a height of 50 mm at the bottom portion 42 of the cylindrical body 4 is used. The partition plate 7 is partitioned in the cylindrical body 4 so that the ratio of the space on the evaporation source 3 side to the space on the vapor-deposited body 2 side is 1: 3. The diameter of the opening part 70 of this partition plate 7 is 150 mm, and the diameter of the opening part 70 is 3/4 with respect to the width 200 mm of the inner wall of the cylindrical body 4. As shown in Fig. 5, although the film thickness distribution (◇) from the second evaporation source is uniform than the comparative example 1 shown in Fig. 4 above, the film thickness distribution (Δ) and the film thickness of the vaporizing material from the first evaporation source are still 2 It turns out that the film thickness distribution (◇) from an evaporation source does not correspond. At this time, a difference of about 8% occurred in the mixing ratio of the two vapor deposition materials depending on the position on the vapor-deposited body 2.

도 6은 구획판(7)의 개구부(70)의 구경이 133㎜이며, 통형체(4)의 내벽의 폭(200㎜)에 대하여 개구부(70)의 구경이 2/3인 진공 증착 장치(실시예 1)를 사용했을 때의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 도 4 및 도 5에 나타낸 비교예 1, 2보다, 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가 균일화되어, 제1 증발원으로부터의 기화 재료의 막 두께 분포(△)와 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가 일치하고 있음을 알 수 있다. 이때, 피증착체(2) 상의 위치에 따라서 2개의 증착 재료의 혼합비에 5% 정도의 차가 생겼다. 즉, 증착막이 피증착체(2)의 전면(全面)에 걸쳐 균일하게 형성되는 것을 알 수 있다. FIG. 6 shows a vacuum vapor deposition apparatus having a diameter of the opening 70 of the partition plate 7 of 133 mm and a diameter of the opening 70 of 2/3 with respect to the width 200 mm of the inner wall of the cylindrical body 4 ( The simulation result of film thickness distribution at the time of using Example 1) is shown. As shown in FIG. 6, the film thickness distribution (*) from a 2nd evaporation source becomes uniform rather than the comparative examples 1 and 2 shown in the said FIG. 4 and FIG. 5, and the film thickness distribution (△) of the vaporization material from a 1st evaporation source. ) And the film thickness distribution (◇) from the second evaporation source are in agreement. At this time, a difference of about 5% occurred in the mixing ratio of the two vapor deposition materials depending on the position on the vapor-deposited body 2. That is, it turns out that a vapor deposition film is formed uniformly over the whole surface of the to-be-deposited body 2.

도 7은 구획판(7)의 개구부(70)의 구경이 100㎜이며, 통형체(4)의 내벽의 폭(200㎜)에 대하여 개구부(70)의 구경이 1/2인 진공 증착 장치(실시예 2)를 사용했을 때의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예 1보다, 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가 균일화되어, 제1 증발원으로부터의 기화 재료의 막 두께 분포(△)와 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가 일치하고 있음을 알 수 있다. 이때, 피증착체(2) 상의 위치에 따라서 2개의 증착 재료의 혼합비에 4% 정도의 차가 생겼다. FIG. 7 shows a vacuum vapor deposition apparatus having a bore of the opening 70 of the partition plate 7 having a diameter of 100 mm and having a bore of the opening 70 having a width of 200 mm of the inner wall of the cylindrical body 4. The simulation result of film thickness distribution when Example 2) is used is shown. As shown in Fig. 7, the film thickness distribution (◇) from the second evaporation source is made uniform from the first embodiment, and the film thickness distribution (Δ) of the vaporizing material from the first evaporation source and the film thickness from the second evaporation source. It can be seen that the distributions (◇) coincide. At this time, a difference of about 4% occurred in the mixing ratio of the two vapor deposition materials depending on the position on the vapor-deposited body 2.

도 8은 구획판(7)의 개구부(70)의 구경이 30㎜이며, 통형체(4)의 내벽의 폭(200㎜)에 대하여, 개구부(70)의 구경이 3/20인 진공 증착 장치(실시예 3)를 사용했을 때의, 막 두께 분포의 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 상기 실시예 1, 2보다 더, 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가 더욱 균일화되어 제1 증발원으로부터의 기화 재료의 막 두께 분포(△)와 제2 증발원으로부터의 막 두께 분포(◇)가, 보다 일치하고 있음을 알 수 있다. 이때, 피증착체(2) 상의 위치에 따라서 2개의 증착 재료의 혼합비에 3% 정도의 차가 생겼다. FIG. 8 shows a vacuum vapor deposition apparatus in which the aperture 70 of the partition plate 7 has a diameter of 30 mm, and the aperture 70 has an aperture of 3/20 with respect to the width 200 mm of the inner wall of the cylindrical body 4. The simulation result of film thickness distribution at the time of using (Example 3) is shown. As shown in Fig. 8, the film thickness distribution (◇) from the second evaporation source is more uniform than that of the first and second embodiments so that the film thickness distribution (Δ) of the vaporizing material from the first evaporation source and from the second evaporation source. It turns out that the film thickness distribution ((circle)) of is more identical. At this time, a difference of about 3% occurred in the mixing ratio of the two vapor deposition materials depending on the position on the vapor-deposited body 2.

이들의 시뮬레이션의 결과는, 구획판(7)의 개구부(70)가, 중심(重心)(P)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 설치되고, 직경(D)이 구획판(7)의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3인 것에 의해, 개구부(70)로부터 피증착체(2) 측으로 방출되는 기화 재료의 유속 분포를 균일하게 할 수 있음을 나타낸다. 따라서, 본 실시형태의 진공 증착 장치에 의하면, 복수의 증발원을 사용한 경우에도, 피증착체(2)에 형성된 증착막의 불균일이 쉽게 발생하지 않고, 원하는 막 두께의 증착막을 형성할 수 있다. As a result of these simulations, the opening part 70 of the partition plate 7 is provided in the range of the circumference of the diameter D which makes the center P the center, and the diameter D is By being two thirds of the maximum value between two points on the outer periphery of the partition plate 7, it is possible to make uniform the flow rate distribution of the vaporizing material discharged from the opening part 70 to the deposition target 2 side. Indicates. Therefore, according to the vacuum vapor deposition apparatus of this embodiment, even if a plurality of evaporation sources are used, non-uniformity of the vapor deposition film formed in the vapor-deposited body 2 does not occur easily, and the vapor deposition film of a desired film thickness can be formed.

상기 실시형태의 변형예에 따른 진공 증착 장치에 대하여, 도 9를 참조하여 설명한다. 이 변형예에 따른 진공 증착 장치(1)는, 구획판(7)이, 가열 기구와 히터(71)를 가지는 것이다. 히터(71)는, 구획판(7)에 시즈 히터가 매립되는 등에 의해 구성된다. 이 히터(71)도, 통형체(4) 등과 마찬가지로, 전원(72)에 접속되어 급전됨으로써, 구획판(7)을 가열할 수 있다. 또한, 구획판(7)에는 구획판(7) 자체의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(73)가 설치되고, 온도 센서(73)의 측정 정보는 구획판 온도 제어기(74)에 출력된다. 구획판 온도 제어기(74)는, 전원(72)으로부터 히터(71)에 공급되는 전력량을 제어함으로써, 구획판(7)의 온도를 조절할 수 있다. 그리고, 구획판 온도 제어기(74)는, 통형체 온도 제어기(46)에 전기적으로 접속되고, 구획판(7)의 온도가 통형체(4)와 같아지도록, 구획판(7)의 온도를 조절하도록 구성되어 있어도 된다. The vacuum vapor deposition apparatus which concerns on the modification of the said embodiment is demonstrated with reference to FIG. In the vacuum vapor deposition apparatus 1 which concerns on this modification, the partition plate 7 has a heating mechanism and the heater 71. The heater 71 is comprised by the sheath heater embedded in the partition plate 7, etc. Like the cylindrical body 4 etc., this heater 71 can also heat the partition plate 7 by connecting and supplying electric power to the power supply 72. In addition, the partition plate 7 is provided with a temperature sensor 73 for measuring the temperature of the partition plate 7 itself, and the measurement information of the temperature sensor 73 is output to the partition plate temperature controller 74. The partition plate temperature controller 74 can adjust the temperature of the partition plate 7 by controlling the amount of power supplied from the power supply 72 to the heater 71. And the partition plate temperature controller 74 is electrically connected to the cylindrical body temperature controller 46, and adjusts the temperature of the partition plate 7 so that the temperature of the partition plate 7 may become the same as the cylindrical body 4. As shown in FIG. It may be configured to do so.

통형체(4)의 통 직경이 작으면, 구획판(7)의 크기도 작으므로, 통형체(4)가 히터(43)에 의해 가열되면, 통형체(4)의 내벽에 장착된 구획판(7)에도, 통형체(4)의 열이 전달된다. 그러나, 통형체(4)의 통 직경이 커지면, 히터(43)로 구획판(7) 전체를 가열할 수 없다. 그래서, 구획판(7) 자체에 히터(71)를 내장시킴으로써, 구획판(7)에 증착 재료(32)가 부착되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 개구부(70)가 증착 재료(32)에 의해 눈이 막히는 등을 방지할 수 있다. If the cylinder diameter of the cylindrical body 4 is small, the size of the partition plate 7 will also be small. Therefore, when the cylindrical body 4 is heated by the heater 43, the partition board attached to the inner wall of the cylindrical body 4 will be. Also in (7), heat of the cylindrical body 4 is transmitted. However, when the cylinder diameter of the cylindrical body 4 becomes large, the whole partition plate 7 cannot be heated by the heater 43. As shown in FIG. Therefore, by incorporating the heater 71 in the partition plate 7 itself, the deposition material 32 can be prevented from adhering to the partition plate 7, and the opening 70 is formed in the vapor deposition material 32. This can prevent eyes from clogging.

본 발명의 제2 실시형태에 따른 진공 증착 장치에 대하여, 도 10 내지 도 13을 참조하여 설명한다. 도 10 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 진공 증착 장치(1)는, 구획판(7)을 평면에서 볼 때의 형상에서의 외주 위치에, 개구부(70)보다 개구 면적이 작은 보조 개구부(75)를 가지는 것이다. The vacuum vapor deposition apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated with reference to FIGS. As shown to FIG. 10 and FIG. 11, the vacuum vapor deposition apparatus 1 of this embodiment is auxiliary | assistant whose opening area is smaller than the opening part 70 in the outer peripheral position in the shape when the partition plate 7 is planarly viewed. It has an opening 75.

증발원(3)이 통형체(4)를 평면에서 볼 때의 중심(中心)으로부터 이격되어 배치되어 있으면, 구획판(7)의 개구부(70)에 의한 균일화의 효과가 얻기 어려워진다. 그래서, 본 실시형태에 있어서는, 구획판(7)의 외주 위치에 보조 개구부(75)를 설치함으로써, 상기 중심(中心)으로부터 이격되어 배치된 증발원(3)으로부터의 증착 재료(32)가 보조 개구부(75)를 통하여 통형체(4) 내에 분산되어, 피증착체(2)에 부착되는 막 두께의 분포를 최적화할 수 있다. 또한, 보조 개구부(75)의 개구 면적을 개구부(70)보다 작게 하고 있으므로, 다른 증발원(3)에 의한 막 두께 분포에 대한 영향을 적게 할 수 있다. If the evaporation source 3 is arranged so as to be spaced apart from the center of the cylindrical body 4 in plan view, the effect of the homogenization by the opening 70 of the partition plate 7 becomes difficult to be obtained. Therefore, in this embodiment, by providing the auxiliary opening part 75 in the outer peripheral position of the partition plate 7, the vapor deposition material 32 from the evaporation source 3 arrange | positioned spaced apart from the said center is auxiliary opening part. It is possible to optimize the distribution of the film thickness dispersed in the cylindrical body 4 through 75 and adhered to the vapor-deposited body 2. Moreover, since the opening area of the auxiliary opening part 75 is made smaller than the opening part 70, the influence on the film thickness distribution by the other evaporation source 3 can be reduced.

이들 증발원(3)과 구획판의 개구부(70) 및 보조 개구부(75)와의 위치 관계, 및 구획판(7)에서의 보조 개구부(75)의 유무에 따른 각각의 막 두께 분포에 대하여, 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 여기서는, 도 12에 나타낸 바와 같이, 제1 증발원(3a)이 통형체(4)를 평면에서 볼 때의 중심(中心)에 배치되고, 제2 증발원(3b)이 제1 증발원(3a)보다 외주 측에 150㎜는 이격된 위치에 배치되어 있는 것으로 한다. 또한, 통형체(4)는, 내벽의 폭 350㎜, 깊이 100㎜, 높이 250㎜의 직육면체형의 각통이며, 통형체(4)의 바닥면(42)에서 100㎜의 위치에 구획판(7)이 설치되어 있다. 구획판(7)의 개구부(70)의 개구 면적은 50cm2이며, 보조 개구부(75)의 개구면적은 5cm2이다. With respect to the positional relationship between the evaporation source 3 and the opening 70 and the auxiliary opening 75 of the partition plate, and the respective film thickness distributions depending on the presence or absence of the auxiliary opening 75 in the partition plate 7, FIG. It will be described with reference to FIG. 13. Here, as shown in FIG. 12, the 1st evaporation source 3a is arrange | positioned in the center at the time of seeing the cylindrical body 4 in plan view, and the 2nd evaporation source 3b is outer periphery than the 1st evaporation source 3a. It is assumed that 150 mm is disposed at a position spaced apart from the side. The cylindrical body 4 is a rectangular cylinder having a width of 350 mm, a depth of 100 mm, and a height of 250 mm of the inner wall, and the partition plate 7 at a position of 100 mm from the bottom surface 42 of the cylindrical body 4. ) Is installed. The opening area of the opening 70 of the partition plate 7 is 50 cm 2, and the opening area of the auxiliary opening 75 is 5 cm 2 .

도 13에 나타낸 바와 같이, 구획판(7)에 보조 개구부(75)가 없는 경우(□), 제2 증발원(3b)에 의한 막 두께 분포에 편향이 생기고, 폭 방향 ±100㎜의 범위에서 막 두께 분포 레인지가 9.5%되었다. 이에 대하여, 구획판(7) 외주 위치에 보조 개구부(75)를 설치한 경우(◇), 막 두께 분포 레인지는 3.4%로 개선되었다. 또한, 보조 개구부(75)의 개구 면적을, 개구부(70)의 1/10로 했으므로, 제1 증발원(3a)에 의한 막 두께 분포에 대한 영향도 줄일 수 있었다. As shown in FIG. 13, when the partition plate 7 does not have the auxiliary opening part 75 (square), deflection arises in the film thickness distribution by the 2nd evaporation source 3b, and a film | membrane in the range of +/- 100mm of width direction is shown. The thickness distribution range was 9.5%. On the other hand, when the auxiliary opening part 75 was provided in the outer peripheral position of the partition plate 7 (◇), the film thickness distribution range improved to 3.4%. Moreover, since the opening area of the auxiliary opening part 75 was made into 1/10 of the opening part 70, the influence on the film thickness distribution by the 1st evaporation source 3a was also able to be reduced.

본 발명의 제3 실시형태에 따른 진공 증착 장치에 대하여, 도 14 내지 도 16을 참조하여 설명한다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 진공 증착 장치(1)는 구획판을 복수 구비하고, 이들의 구획판은 서로 형상이 다른 개구부를 가지는 것이다. 그리고, 개구부의 형상의 상위(相違)로서, 구획판에서의 개구부의 위치나 개구부의 개수가 상위한 것도 포함된다. 여기서는, 제1 구획판(7)과, 이 제1 구획판(7)보다 증발원(3) 측에, 소정 간격을 두고 설치된 제2 구획판(9)을 구비한 구성에 기초하여 설명한다. 제1 구획판(7)은, 도 15 (a)에 나타낸 바와 같이, 구획판(7)을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)(P)을 중심(中心)으로 하는 개구부(70)를 가진다. 또한, 제2 구획판(9)은, 도 15 (b)에 나타낸 바와 같이, 중심(P)에 대칭인 2개의 개구부(90)를 가진다. 이들 개구부(70, 90)는 모두 중심(P)을 중심으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 설치되고, 이 직경(D)은 구획판(7)의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3이다. 제1 구획판(7)과 제2 구획판(9) 간격이나, 각 개구부(70, 90)의 위치는, 예를 들면, 도 16에 나타낸 바와 같이, 제1 구획판(7)의 개구부(70)와 각 증발원(3)을 각각 연결하는 직선상에 간섭하지 않는 범위에, 제2 구획판(9)의 개구부(90)가 배치되도록, 설정된다. A vacuum vapor deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 16. As shown in FIG. 14, the vacuum vapor deposition apparatus 1 of this embodiment is provided with two or more partition plates, and these partition plates have the opening part different from each other in shape. And as a difference of the shape of an opening part, the thing in which the position of the opening part in the partition plate, and the number of opening parts differs is also included. Here, it demonstrates based on the structure provided with the 1st partition plate 7 and the 2nd partition plate 9 provided in the evaporation source 3 side rather than this 1st partition plate at predetermined intervals. As shown in FIG. 15 (a), the first partition plate 7 has an opening 70 having the center P as the center in the shape of the partition plate 7 in plan view. ) In addition, the second partition plate 9 has two opening portions 90 which are symmetrical to the center P, as shown in Fig. 15B. These opening parts 70 and 90 are all provided in the range of the circumference of the diameter D centering on the center P, and this diameter D is the largest of the distance between two points on the outer periphery of the partition plate 7. 2/3 of the value. The interval between the first partition plate 7 and the second partition plate 9 and the positions of the respective openings 70 and 90 are, for example, as shown in FIG. 16, and the openings of the first partition plate 7 ( It is set so that the opening part 90 of the 2nd partition plate 9 may be arrange | positioned in the range which does not interfere on the straight line which connects 70 and each evaporation source 3, respectively.

전술한 바와 같이, 통형체(4)를 평면에서 보았을 때의 중심(中心)으로부터 떨여저 배치된 증발원(3)일수록, 제1 구획판(7)에 의한 막 두께 분포의 균일화의 효과를 얻기 어렵다. 그 경우에, 예를 들면, 제1 구획판(7)의 중심(中心)에 대하여 대칭으로 2개의 개구부(90)가 설치된 제2 구획판(9)을, 제1 구획판(7)의 하부에, 제1 구획판(7)의 개구부(70)와 각 증발원(3)을 각각 연결하는 직선상에 간섭하지 않는 범위에 배치함으로써, 개구부(90)가 가상적인 증발면이 되고, 막 두께 분포의 균일화의 효과를 높일 수 있다. As mentioned above, the more the evaporation source 3 arrange | positioned away from the center when the cylindrical body 4 is planarly viewed, the more difficult the effect of the uniformity of the film thickness distribution by the 1st partition plate 7 is obtained. . In that case, the 2nd partition plate 9 provided with the two opening parts 90 symmetrically with respect to the center of the 1st partition plate 7, for example, is lower part of the 1st partition plate 7. By arranging the openings 70 and the evaporation sources 3 of the first partition plate 7 in a range where they do not interfere with each other on a straight line, the openings 90 become virtual evaporation surfaces and the film thickness distribution. Can increase the effect of homogenization.

그리고, 본 발명은, 전술한 실시형태에 한정되지 않고 각종 변형이 가능하다. 예를 들면, 통형체(4) 내에서의 구획판(7)의 설치 높이를 가변으로 하는 구동 기구가 설치되어도 된다. In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible. For example, the drive mechanism which changes the installation height of the partition plate 7 in the cylindrical body 4 may be provided.

본원은 일본 특허출원 제2011-151044호에 기초하며, 그 내용은 상기 특허 출원의 명세서 및 도면을 참조함으로써 본 발명에 포함된다. This application is based on the JP Patent application 2011-151044, The content is integrated in this invention by referring the specification and drawing of the said patent application.

1: 진공 증착 장치
2: 피증착체
3: 증발원
4: 통형체
41: 개구면
5: 진공 챔버
7: 구획판
70: 개구부
71: 히터(가열 기구)
73: 온도 센서(온도 조절 기구)
75: 보조 개구부
9: 구획판
90: 개구부
P: 구획판을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)1: Vacuum deposition apparatus
2:
3:
4: cylindrical body
41: aperture
5: vacuum chamber
7: partition plate
70: opening
71: heater (heating apparatus)
73: temperature sensor (thermostat)
75: secondary opening
9: partition plate
90: opening
P: center of gravity in the shape of the partition plate in plan view

Claims (6)

피증착체에 복수 종류의 재료를 증착하기 위한 복수의 증발원; 상기 복수의 증발원 및 상기 피증착체 사이의 공간을 에워싸고, 상기 피증착체 측에 개구면을 가지는 통형체; 및 상기 피증착체, 상기 증발원 및 상기 통형체가 배치되는 공간을 진공 상태로 하는 진공 챔버를 포함하는 진공 증착 장치로서,
상기 통형체의 내부에 배치되는 구획판을 포함하고,
상기 구획판은 개구부를 포함하고, 상기 개구부는 상기 구획판을 평면에서 볼 때의 형상에서의 중심(重心)을 중심(中心)으로 하는 직경(D)의 원주의 범위 내에 적어도 1개 이상 설치되어 있고, 상기 직경(D)은 상기 구획판의 외주 상에서의 2점간 거리 중 최대의 값의 2/3인,
진공 증착 장치. A plurality of evaporation sources for depositing a plurality of kinds of materials on the deposition target; A cylindrical body surrounding a space between the plurality of evaporation sources and the vapor deposition body and having an opening surface on the vapor deposition side; And a vacuum chamber in which a space in which the vapor-deposited body, the evaporation source, and the cylindrical body are disposed is in a vacuum state, comprising:
A partition plate disposed inside the tubular body,
The partition plate includes an opening, and at least one of the openings is provided within a range of a circumference of a diameter D whose center is the center of gravity in the shape of the partition plate in a plan view. Wherein the diameter (D) is 2/3 of the maximum value of the distance between the two points on the outer periphery of the partition plate,
Vacuum deposition apparatus. 제1항에 있어서,
상기 개구부는 기하학 형상으로 형성되어 있는, 진공 증착 장치. The method of claim 1,
And the opening is formed in a geometric shape. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 구획판은, 상기 구획판을 평면에서 볼 때의 형상에서의 외주 위치에, 상기 개구부보다 개구 면적이 작은 보조 개구부를 포함하는, 진공 증착 장치. 3. The method according to claim 1 or 2,
The partition plate includes a secondary opening having a smaller opening area than the opening at a peripheral position in a shape when the partition plate is viewed in a plane. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 개구부는 상기 구획판의 중심(重心)에 대하여 점대칭이 되도록 형성되어 있는, 진공 증착 장치. 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the opening portion is formed to be point symmetrical with respect to the center of the partition plate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구획판을 복수 포함하고,
상기 복수의 구획판은 서로 형상이 다른 개구부를 포함하는, 진공 증착 장치. 5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Including a plurality of partition plates,
And the plurality of partition plates include openings different in shape from each other. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구획판은 가열 기구 및 온도 조절 기구를 가지는, 진공 증착 장치. The method according to any one of claims 1 to 5,
And the partition plate has a heating mechanism and a temperature regulating mechanism.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020232152A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 Pyrotek, Inc. Degassing launder

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI582251B (en) 2014-10-31 2017-05-11 財團法人工業技術研究院 Evaporation system and evaporation method
JP6765237B2 (en) * 2016-07-05 2020-10-07 キヤノントッキ株式会社 Evaporation equipment and evaporation source
CN107686968A (en) * 2017-08-14 2018-02-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Crucible and deposition system is deposited
JP7372288B2 (en) * 2021-07-15 2023-10-31 キヤノントッキ株式会社 Film deposition equipment, film deposition method, and evaporation source
CN113930727B (en) * 2021-09-18 2023-12-15 铜陵市超越电子有限公司 Evaporation device for omnibearing flanging metallized film
US11971216B1 (en) 2021-12-23 2024-04-30 Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. Retort with loading window
WO2024187402A1 (en) * 2023-03-15 2024-09-19 China Triumph International Engineering Co., Ltd. Evaporation arrangement and use of it

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9323034D0 (en) * 1993-11-09 1994-01-05 Gen Vacuum Equip Ltd Vacuum web coating
TWI264473B (en) * 2001-10-26 2006-10-21 Matsushita Electric Works Ltd Vacuum deposition device and vacuum deposition method
JP2003253431A (en) * 2002-02-28 2003-09-10 Ulvac Japan Ltd Thin film deposition apparatus
JP4181813B2 (en) * 2002-07-26 2008-11-19 松下電工株式会社 Vacuum deposition method
JP4342868B2 (en) * 2003-08-11 2009-10-14 株式会社アルバック Deposition equipment
JP4475968B2 (en) * 2004-01-29 2010-06-09 三菱重工業株式会社 Vacuum evaporation machine
JP2006057160A (en) * 2004-08-23 2006-03-02 Fuji Electric Holdings Co Ltd Vapor deposition system
JP5064810B2 (en) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
JP4768584B2 (en) * 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 Evaporation source and vacuum deposition apparatus using the same
JP4840150B2 (en) * 2007-01-15 2011-12-21 パナソニック電工株式会社 Vacuum deposition equipment
JP4966028B2 (en) * 2007-01-15 2012-07-04 パナソニック株式会社 Vacuum deposition equipment
JP4909152B2 (en) * 2007-03-30 2012-04-04 キヤノン株式会社 Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
JP5319439B2 (en) * 2009-07-28 2013-10-16 パナソニック株式会社 Vapor deposition equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020232152A1 (en) * 2019-05-14 2020-11-19 Pyrotek, Inc. Degassing launder

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