KR20170123244A - Vacuum deposition apparatus and method for cooling evaporation source - Google Patents

Vacuum deposition apparatus and method for cooling evaporation source Download PDF

Info

Publication number
KR20170123244A
KR20170123244A KR1020170050814A KR20170050814A KR20170123244A KR 20170123244 A KR20170123244 A KR 20170123244A KR 1020170050814 A KR1020170050814 A KR 1020170050814A KR 20170050814 A KR20170050814 A KR 20170050814A KR 20170123244 A KR20170123244 A KR 20170123244A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
evaporation source
refrigerant gas
heat
evaporation
cooling
Prior art date
Application number
KR1020170050814A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102190775B1 (en
Inventor
카즈히로 와타나베
Original Assignee
캐논 톡키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 톡키 가부시키가이샤 filed Critical 캐논 톡키 가부시키가이샤
Publication of KR20170123244A publication Critical patent/KR20170123244A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102190775B1 publication Critical patent/KR102190775B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Provided is a vacuum deposition apparatus capable of setting an evaporation source after deposition to a temperature to be opened to the atmosphere in a short time, and reducing operation stoppage time of the apparatus to improve production efficiency. The vacuum deposition apparatus, which includes an evaporation source (4) evaporating a film forming material (20) in a vacuum tank (1) and forming a deposition film on a substrate (6) by injecting the film forming material (20) evaporated from an evaporation hole (5) installed in the evaporation source (4), comprises: an evaporation source (4); and a heat shielding container body (8) which accommodates a heating unit (7) heating the evaporation source (4), and blocking heat from the evaporated source (4) and the heating unit (7) wherein a refrigerant gas introduction mechanism introducing refrigerant gas is provided in a space (9) between the heat shielding container body (8) and the evaporation source (4). The refrigerant gas introduction mechanism includes a refrigerant gas introduction hole (10) installed in the heat shielding container body (8), and a refrigerant gas pipe (11) connected to an inlet of the refrigerant gas introduction hole to transmit refrigerant gas from the outside of the vacuum tank (1) to the refrigerant gas introduction hole (10).

Description

진공 증착 장치 및 증발원의 냉각 방법{VACUUM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR COOLING EVAPORATION SOURCE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus and a cooling method for an evaporation source,

본 발명은 진공 증착 장치 및 증발원의 냉각 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus and a cooling method of an evaporation source.

성막실 내에 기판과 대향 상태로 증발원이 설치되는 진공 증착 장치에 있어서, 증착 후의 성막 재료의 보충 작업이나 기기의 유지 관리 작업은, 가열된 증발원을 예를 들면 100℃ 정도까지 냉각하고 진공조를 대기 개방한 후에 행할 필요가 있다.In the vacuum evaporation apparatus in which the evaporation source is provided in a state opposite to the substrate in the deposition chamber, the evaporation source of the heated evaporation source is cooled to, for example, about 100 캜, It is necessary to do after opening.

그러나, 단순히 증발원의 가열을 정지하고 진공 분위기 내에 방치하는 자연 냉각만으로는, 증발원을 100℃ 정도까지 냉각하는데 수 시간에서 수십 시간이 걸리는 경우도 있다. 이 때문에, 예를 들면 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 증발원을 가열하는 가열부의 주위에 설치된 리플렉터(반사판)에 냉매 배관을 설치하고 냉매 가스 등을 순환시킴으로써, 리플렉터의 냉각에 의해 간접적으로 증발원의 냉각 효율을 향상시키거나, 가열부 자체를 냉각하는 냉매 배관을 가열부에 설치하는 등의 냉각 시간의 단축화를 도모하기 위해 다양한 연구가 행해지고 있다.However, it may take several hours to several hours to cool the evaporation source to about 100 占 폚 only by natural cooling simply by stopping the heating of the evaporation source and leaving it in a vacuum atmosphere. For this reason, for example, as disclosed in Patent Document 1, a refrigerant pipe is provided in a reflector (reflector) provided around a heating portion for heating an evaporation source, and a refrigerant gas or the like is circulated to cool the evaporation source indirectly by cooling the reflector Various studies have been made in order to shorten the cooling time, for example, to improve the efficiency or to install a refrigerant pipe for cooling the heating section itself in the heating section.

또한, 특허문헌 1에서는 증발원의 냉각 중에 성막실 내에 불활성 가스를 도입하여 냉각을 촉진시키는 점이 개시되어 있지만, 구체적으로 어디에 어떤 방법으로 불활성 가스를 도입할 것인지는 전혀 시사되어 있지 않다.Patent Document 1 discloses that cooling is promoted by introducing an inert gas into the deposition chamber during cooling of the evaporation source. However, specifically, there is no suggestion as to where the inert gas should be introduced.

일본특허출원공개 제2012-207238호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-207238

본 발명은, 전술한 바와 같은 상황을 감안하여, 증발원의 냉각 시간을 더욱 단축화하는 것을 도모하기 위해 이루어진 것으로서, 증발원을 직접 냉매 가스로 냉각함으로써 증착 후의 증발원을 단시간에 대기 개방 가능한 온도로 할 수 있으며, 장치의 가동정지 시간을 단축하여 생산 효율을 향상시킬 수 있는 진공 증착 장치 및 증발원의 냉각 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to further shorten the cooling time of the evaporation source in view of the situation described above. By cooling the evaporation source with the refrigerant gas directly, the evaporation source after the evaporation can be made to a temperature capable of air- And to provide a vacuum evaporation apparatus and a cooling method of an evaporation source that can improve production efficiency by shortening the operation stop time of the apparatus.

진공조(眞空槽) 내에, 수납된 성막 재료를 증발시키는 증발원을 구비하고, 상기 증발원에 설치된 증발구로부터 증발한 성막 재료를 사출함으로써 상기 증발원과 대향하는 위치에 설치된 기판 상에 증착막을 형성하는 진공 증착 장치로서, 상기 증발원 및 상기 증발원을 가열하는 가열부를 수용하고 상기 증발원 및 상기 가열부로부터의 열을 차단하는 열차폐 용기체를 구비하고, 이 열차폐 용기체와 상기 증발원과의 사이의 공간에 냉매 가스를 도입하는 냉매 가스 도입 기구가 설치되어 있고, 이 냉매 가스 도입 기구는, 상기 열차폐 용기체에 설치된 냉매 가스 도입 구멍과, 이 냉매 가스 도입 구멍의 입구 쪽에 접속되어 상기 진공조의 외부로부터 상기 냉매 가스 도입 구멍으로 상기 냉매 가스를 송출하기 위한 냉매 가스 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치에 관한 것이다.A vacuum evaporation source for evaporating the deposition material accommodated in the vacuum chamber and injecting a film forming material evaporated from an evaporation port provided in the evaporation source to generate a vacuum for forming a vapor deposition film on a substrate provided at a position facing the evaporation source And a heat shielding gas accommodating the heating unit for heating the evaporation source and the evaporation source and interrupting the heat from the evaporation source and the heating unit, wherein the evaporation source and the evaporation source are disposed in a space between the evaporation source and the evaporation source, There is provided a refrigerant gas introducing mechanism for introducing a refrigerant gas, the refrigerant gas introducing mechanism including a refrigerant gas introduction hole provided in the heat shielding base, and a refrigerant gas introduction hole connected to an inlet side of the refrigerant gas introduction hole, And a refrigerant gas pipe for sending the refrigerant gas to the refrigerant gas introduction hole It relates to a vacuum vapor deposition apparatus.

본 발명은 전술한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 증발원을 직접 냉매 가스로 냉각함으로써 증착 이후의 증발원을 단시간에 대기 개방 가능한 온도로 할 수가 있으며, 장치의 가동정지 시간을 단축하여 생산 효율을 향상시킬 수 있는 진공 증착 장치 및 증발원의 냉각 방법을 구현할 수 있게 된다.Since the present invention is constituted as described above, the evaporation source can be cooled directly by the refrigerant gas, so that the evaporation source after evaporation can be brought to a temperature capable of being released to the atmosphere in a short time, and the operation stoppage time of the apparatus can be shortened, And the cooling method of the evaporation source can be implemented.

도 1은 본 실시예의 개략 설명 단면도이다.
도 2는 본 실시예의 냉각 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 3은 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 4는 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 5는 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 6은 도 3의 예에서의 냉각 곡선을 나타내는 그래프이다.
도 7은 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 8은 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 9는 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 10은 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 11은 증발원 유닛의 일례를 나타내는 개략 설명 단면도이다.
도 12는 다른 예의 개략 설명 단면도이다.
도 13은 다른 예의 냉각 곡선을 나타내는 그래프이다.1 is a schematic explanatory cross-sectional view of this embodiment.
2 is a graph showing a cooling curve of the present embodiment.
3 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
4 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
5 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
6 is a graph showing a cooling curve in the example of Fig.
7 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
8 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
9 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
10 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
11 is a schematic explanatory sectional view showing an example of the evaporation source unit.
12 is a schematic explanatory sectional view of another example.
13 is a graph showing cooling curves of another example.

바람직하다고 생각되는 본 발명의 실시형태를, 도면에 기초하여 본 발명의 작용을 설명함으로써 간단히 설명한다.Brief Description of the Drawings Fig.

증발원(4)에 수납된 성막 재료(20)를 가열하여 증발시키고, 증발한 성막 재료(20)를 증발구(5)로부터 사출하여 기판(6) 상에 증착막을 형성한다.The film forming material 20 contained in the evaporation source 4 is heated and evaporated and the evaporated film forming material 20 is ejected from the evaporation port 5 to form a vapor deposition film on the substrate 6. [

여기서, 성막 후에 진공조(1)를 대기 개방할 때, 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)과의 사이의 공간(9)에 냉매 가스를 도입하고, 이 냉매 가스에 의해 직접 증발원(4)을 냉각함으로써, 증발원(4)을 단시간에 대기 개방 가능한 온도까지 냉각시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 열차폐 용기체(8)에 설치한 냉매 가스 도입 구멍(10)으로부터, 확실하게 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)과의 사이의 공간(9)으로 냉매 가스를 도입할 수 있어, 냉각 대상인 증발원(4)을 냉매 가스에 의해 직접 냉각시키는 것이 가능하게 된다.Here, when the vacuum tank 1 is opened to the atmosphere after the film formation, the refrigerant gas is introduced into the space 9 between the heat shielding base 8 and the evaporation source 4, and the evaporation source 4), it becomes possible to cool the evaporation source 4 to a temperature at which the evaporation source 4 can be released to the atmosphere in a short period of time. That is to say, the refrigerant gas can be reliably introduced into the space 9 between the heat shielding base 8 and the evaporation source 4 from the refrigerant gas introducing hole 10 provided in the heat shielding base 8 Therefore, it becomes possible to directly cool the evaporation source 4 to be cooled by the refrigerant gas.

구체적으로는, 성막 후, 가열부(7)의 전원을 오프로 하고, 곧 바로 냉매 가스를 상기 공간(9)에 도입하는 것이 아니라, 자연 냉각 등의 복사에 의한 냉각에 의해, 증발원(4)을 냉매 가스와 증발원(4)과의 화합물이 생기지 않을 정도의 온도까지 떨어뜨린 뒤, 냉매 가스를 상기 공간(9)에 도입한다.Specifically, after the film formation, the power source of the heating section 7 is turned off and the refrigerant gas is not immediately introduced into the space 9, but the evaporation source 4 is cooled by cooling by natural cooling or the like, Is dropped to a temperature at which no compound of the refrigerant gas and the evaporation source (4) occurs, and then the refrigerant gas is introduced into the space (9).

또한, 예를 들어, 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)과의 사이의 공간(9)으로 도입된 냉매 가스가, 열차폐 용기체(8)의 증발구(5)를 노출시키기 위한 개구부(12)의 증발구(5)의 주위로부터 유출되도록 구성함으로써, 상기 공간(9)에 도입된 냉매 가스가 냉매 가스 도입 구멍(10)으로부터 상기 개구부(12)를 향해 흐르는 냉매 가스 흐름이 만들어지게 되고, 냉매 가스 도입 구멍(10)으로부터 도입되는 냉매 가스에 의한 냉각이 한층 양호하게 행해지게 된다.The refrigerant gas introduced into the space 9 between the heat shielding body 8 and the evaporation source 4 is discharged to the space 9 for exposing the evaporation port 5 of the thermal shielding body 8, The refrigerant gas introduced into the space 9 flows from the refrigerant gas introducing hole 10 toward the opening 12 by the refrigerant gas flowing out from the periphery of the evaporator 5 of the opening 12 And cooling by the refrigerant gas introduced from the refrigerant gas introducing hole 10 is carried out more satisfactorily.

따라서, 본 발명은, 복사에 의한 냉각뿐만 아니라, 냉매 가스를 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)과의 사이의 공간(9)으로 도입하여 증발원(4)을 직접 냉매 가스(대류)에 의해 확실하게 냉각하는 것이 가능하게 되어, 매우 효율적으로 냉매 가스에 의한 냉각을 행할 수 있게 된다.Therefore, the present invention is advantageous in that not only the cooling by radiating but also the introduction of the refrigerant gas into the space 9 between the heat shielding base 8 and the evaporation source 4 causes the evaporation source 4 to directly cool the refrigerant gas (convection) It is possible to perform cooling with the refrigerant gas very efficiently.

또한, 예를 들어 열차폐 용기체(8)의 내측면 쪽에 흡열면부(13)를 설치하는 구성으로 함으로써, 증발원(4)과 대향하는 면이 쉽게 식게 되어, 그 만큼 증발원(4)의 복사에 의한 냉각이 촉진되게 된다. 따라서, 예를 들어, 증착 후, 가열부(7)의 전원을 오프로 한 직후는, 흡열면부(13)를 이용한 복사에 의한 냉각을 행하고, 소정 온도에 도달한 이후, 냉매 가스를 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)과의 사이의 공간(9)에 도입하는 것에 의한 냉각을 행하도록 함으로써, 증발원(4)의 냉각 시간을 더욱 단축하는 것이 가능하게 된다.In addition, for example, when the heat absorbing surface portion 13 is provided on the inner side surface of the heat shielding base 8, the surface facing the evaporation source 4 is easily cooled, Thereby promoting cooling. Therefore, for example, immediately after the power source of the heating section 7 is turned off after the evaporation, cooling by radiation using the heat absorbing surface section 13 is performed, and after reaching the predetermined temperature, It is possible to further shorten the cooling time of the evaporation source 4 by performing cooling by introducing it into the space 9 between the base body 8 and the evaporation source 4. [

또한, 예를 들어 냉매 가스 도입 구멍(10)을 그 출구가 증발원(4)의 상기 성막 재료(20)가 수납되는 수납부(2)에 면한 위치에 설치함으로써, 예를 들면 열 용량이 큰 유기 재료 등의 성막 재료(20)가 수납되는 수납부(2) 근방을 양호하게 냉각하는 것이 가능하게 되어, 그만큼 냉각 시간을 단축 가능하게 된다.The refrigerant gas introducing hole 10 may be provided at a position where the outlet of the refrigerant gas introducing hole 10 faces the accommodating portion 2 in which the film forming material 20 of the evaporation source 4 is stored, It is possible to cool the vicinity of the accommodating portion 2 in which the film forming material 20 such as a material is housed to be satisfactorily cooled, and the cooling time can be shortened accordingly.

[실시예][Example]

본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 도면에 기초하여 설명한다.A specific embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

본 실시예는, 진공조(1) 내에 증발원(4), 증발원(4)을 가열하는 가열부(7) 및 증발원(4)과 가열부(7)를 수용하는 열차폐 용기체(8)가 설치되고, 상기 증발원(4)과 대향하는 기판(6) 상에 증착막을 형성하는 진공 증착 장치이다.In this embodiment, a heating unit 7 for heating the evaporation source 4, the evaporation source 4, and a heat shielding base 8 for accommodating the evaporation source 4 and the heating unit 7 are provided in the vacuum tank 1 And forms a vapor deposition film on the substrate 6 facing the evaporation source 4.

구체적으로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 증발원(4)과 열차폐 용기체(8)의 사이의 공간(9)에 냉매 가스(질소 가스)를 도입하는 냉매 가스 도입 기구가 설치되고, 이 냉매 가스 도입 기구는 상기 열차폐 용기체(8)에 설치된 냉매 가스 도입 구멍(10)과, 이 냉매 가스 도입 구멍(10)의 입구 쪽에 접속되고 상기 진공조(1)의 외부로부터 상기 가스 도입 구멍으로 상기 냉매 가스를 송출하기 위한 냉매 가스 배관(11)으로 구성되어 있는 것이다. 도 1 중 부호 “25”는 냉매 가스 공급용의 냉매 가스 공급부, “26”은 배기용의 진공 펌프이다.Specifically, as shown in Fig. 1, a refrigerant gas introduction mechanism for introducing a refrigerant gas (nitrogen gas) into the space 9 between the evaporation source 4 and the heat shielding base 8 is provided, The refrigerant gas introducing mechanism includes a refrigerant gas introducing hole 10 provided in the heat shielding base 8 and an inlet side of the refrigerant gas introducing hole 10, And a refrigerant gas pipe (11) for discharging the refrigerant gas. In Fig. 1, reference numeral 25 denotes a refrigerant gas supply part for supplying refrigerant gas, and 26 denotes a vacuum pump for exhausting.

본 실시예의 증발원(4)은 내부에 재료 수납 용기(21)가 설치되고, 이 재료 수납 용기(21)에 성막 재료(20)가 수납되어 있다. 재료 수납 용기(21)는 상자 형상이고, 재료 방출용의 구멍이 마련된 덮개(22)가 설치되어 있다. 따라서, 유지 보수 시에, 증발원(4)으로부터 재료 수납 용기(21)를 꺼내어 성막 재료(20)를 충진하고 난 뒤 증발원(4)에 설치함으로써, 증발원(4) 자체를 꺼내는 작업이 필요하지 않게 되어 간편하게 성막 재료(20)를 충진하는 것이 가능하게 된다.The evaporation source 4 of the present embodiment is provided with a material storage container 21 inside and a film forming material 20 is stored in the material storage container 21. [ The material storage container 21 is box-shaped and is provided with a lid 22 provided with holes for releasing the material. Therefore, at the time of maintenance, the material storage container 21 is taken out of the evaporation source 4 to fill the deposition material 20 and then installed in the evaporation source 4, so that it is not necessary to take out the evaporation source 4 itself The film forming material 20 can be easily filled.

성막 재료(20)는 재료 수납 용기(21)의 하부에 수납되고, 성막 재료(20)의 표면과 덮개(22) 사이의 공간은 증발한 성막 재료(20)가 확산하는 확산 영역이 된다. 즉, 도 1의 증발원(4)은, 재료 수납 용기(21)의 성막 재료(20)가 수납되는 재료 수납 영역과 마주보는 부분이 수납부(2)가 되고, 상기 확산 영역과 마주보는 부분이 확산부(3)로 된다. 또한, 재료 수납 용기(21)의 외부의 공간도 확산 영역이 될 수 있다.The film forming material 20 is accommodated in the lower portion of the material storage container 21 and the space between the surface of the film forming material 20 and the lid 22 becomes a diffusion region where the evaporated film forming material 20 is diffused. That is, in the evaporation source 4 of Fig. 1, the portion facing the material storage area in which the film forming material 20 of the material storage container 21 is housed is the storage portion 2, And becomes a diffusion part 3. The space outside the material storage container 21 may also be a diffusion area.

증발원(4)의 주위에는, 원형 단면의 시스 히터로 구성된 판 형상의 가열부(7)가 설치되어 있다. 또한, 가열부(7)는 예를 들면 판 형상의 카본 히터 등의 다른 구성으로 하여도 좋다.In the periphery of the evaporation source 4, there is provided a plate-like heating section 7 composed of a cis heater having a circular section. The heating section 7 may have another configuration such as a plate-shaped carbon heater.

증발원(4)의 확산부(3)에는 노즐 형상의 증발구(5)가 설치되어, 증발구(5)를 노출시킨 상태로 증발원(4) 및 가열부(7)를 수용하는 열차폐 용기체(8)가 설치되어 있다.A nozzle-shaped evaporation port 5 is provided in the diffusion section 3 of the evaporation source 4 to receive the evaporation source 4 and the heating section 7 in a state in which the evaporation port 5 is exposed, (8) are provided.

열차폐 용기체(8)는 증발구(5)를 노출시키기 위한 개구부(12)를 갖고, 상기 냉매 가스 도입 구멍(10)으로부터 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)의 사이의 공간(9)으로 도입된 냉매 가스가 상기 개구부(12)의 상기 증발구(5)의 주위로부터, 진공조(1)의 내부에서 열차폐 용기체(8)의 외부로 유출하도록 구성되어 있다. 즉, 개구부(12)는 증발구(5)의 외경보다 직경이 크고, 증발구(5)의 외주면과 개구부(12)의 단면 사이에 간극이 생기도록 구성되어 있다.The heat shielding base 8 has an opening 12 for exposing the evaporator 5 and a space between the heat shielding base 8 and the evaporation source 4 from the refrigerant gas introducing hole 10 9 is configured to flow out from the periphery of the evaporation port 5 of the opening portion 12 to the outside of the heat shielding base 8 in the vacuum chamber 1. That is, the opening 12 is larger in diameter than the outer diameter of the evaporation port 5, and the gap is formed between the outer circumferential surface of the evaporation port 5 and the end surface of the opening 12.

이 증발원(4)을 둘러싸는 열차폐 용기체(8)의 내부에는 냉매 순환로(23)가 형성되어 있다. 이 냉매 순환로(23)에 물 등의 냉매를 순환시킴으로써, 열차폐 용기체(8)의 온도를 유지하고 증발원(4)이나 가열부(7)로부터의 복사열이 진공조(1) 내의 기판(6)이나 다른 부위에 영향을 주지 않도록 하고 있다. 또한, 본 실시예의 열차폐 용기체(8)는 냉매 순환로(23)를 내장한 패널체를 조합하여 형성되고 있다. 냉매 순환부(23)는 각 패널체에 사행(蛇行) 형상으로 설치되고, 다른 패널체의 냉매 순환로(23)와 접속되어 전체로서 하나의 순환로를 구성하는 것이다. 도 1 중 부호 “24”는 냉매 순환로(23)에 냉매를 순환시키는 냉매 순환부이다.A refrigerant circulation path (23) is formed in the interior of the heat shielding base (8) surrounding the evaporation source (4). The temperature of the heat shielding base 8 is maintained and the radiant heat from the evaporation source 4 or the heating section 7 is radiated to the substrate 6 in the vacuum tank 1 by circulating a coolant such as water in the coolant circulation path 23, ) Or other parts of the body. In addition, the heat shielding base 8 of the present embodiment is formed by combining a panel body incorporating the refrigerant circulation path 23 therein. The refrigerant circulation part 23 is provided in a serpentine shape on each panel body and connected to the refrigerant circulation path 23 of the other panel body to constitute one circulation path as a whole. In FIG. 1, reference numeral 24 denotes a refrigerant circulation unit for circulating the refrigerant to the refrigerant circulation path 23.

본 실시예의 냉매 가스 도입 구멍(10)은, 그 출구 쪽이 수납부(2)에 면한 위치에 마련되어 있다. 구체적으로는, 냉매 가스 도입 구멍(10)은 상단 측의 개구부(12)와는 반대편 위치로 되는 하단 측에 마련되어 있다. 수납부(2)는 성막 재료(20)가 수납되고 냉각에 큰 에너지가 필요한 부위이다. 따라서, 수납부(2)를 양호하게 냉각할 수 있게 되고, 그 만큼 냉각 시간을 단축 가능하게 된다. 특히, 열 용량이 큰 유기 재료가 성막 재료(20)인 경우, 보다 효과가 현저하다.The refrigerant gas introducing hole 10 of the present embodiment is provided at a position facing the outlet 2 toward the outlet. Specifically, the refrigerant gas introducing hole 10 is provided on the lower end side which is located opposite to the opening 12 on the upper end side. The storage portion 2 is a portion in which the film forming material 20 is accommodated and a large energy is required for cooling. Therefore, the storage portion 2 can be cooled well, and the cooling time can be shortened accordingly. In particular, when the organic material having a large heat capacity is the film forming material 20, the effect is more remarkable.

이상의 구성의 진공 증착 장치에 있어서, 성막 이후 이하의 공정으로 증발원(4)을 냉각시킨다.In the vacuum vapor deposition apparatus having the above configuration, the evaporation source 4 is cooled by the following process after the film formation.

성막 후의 온도가 400℃ 정도인 경우, 우선, 가열부(7)에 의한 가열을 정지하고, 열 복사에 의해 증발원(4)의 냉각을 행한다(제1 냉각 공정).When the temperature after the film formation is about 400 캜, the heating by the heating unit 7 is stopped first, and the evaporation source 4 is cooled by the heat radiation (first cooling step).

이어서, 증발원(4)이 250℃ 정도까지 냉각된 후, 열차폐 용기체(8)와 증발원(4) 사이의 공간(9)에 냉매 가스 도입함으로써 증발원(4)의 냉각을 행한다(제2 냉각 공정).Subsequently, the evaporation source 4 is cooled to about 250 DEG C, and then the evaporation source 4 is cooled by introducing the refrigerant gas into the space 9 between the heat shielding base 8 and the evaporation source 4 fair).

이상의 공정으로 증발원(4)을 약 100℃까지 냉각시킬 때에 걸리는 시간은, 도 2에 도시한 바와 같이, 냉각 대책이 없는 종래 예 (C)에서는 6시간, 리플렉터를 냉각하는 특허문헌 1에 관한 종래 예 (B)에서는 3.5시간이 걸리는 반면, 본 실시예 (A)는 2.5시간 정도로 된다.As shown in Fig. 2, the time required for cooling the evaporation source 4 to about 100 占 폚 by the above process is 6 hours in the conventional example (C) in which there is no cooling countermeasure, In the case (B), 3.5 hours is required, whereas in the case (A), 2.5 hours.

따라서, 본 실시예에 의하면 냉각 속도가 향상되고, 그 만큼 장치의 가동정지 시간을 단축할 수 있게 된다.Therefore, according to the present embodiment, the cooling speed is improved and the operation stoppage time of the apparatus can be shortened accordingly.

또한, 본 실시예는 상기 제1 냉각 공정 및 제2 냉각 공정을 거침으로써, 급속 냉각에 의한 각 구성 부품의 열 변형을 방지할 수 있으며, 또한 냉매 가스와 증발원(4)으로 사용되는 금속과의 반응을 방지할 수 있다.In addition, this embodiment can prevent the thermal deformation of each component by rapid cooling by passing through the first cooling step and the second cooling step, and also can prevent thermal deformation of each component by the rapid cooling of the refrigerant gas and the metal used as the evaporation source 4 The reaction can be prevented.

또한, 냉매 가스 도입 구멍(10)을 수납부(2)에 면한 하단 측 위치에 설치함으로써, 증발구(5)가 수납부(2)에 다소 뒤쳐져 냉각되어 가기 때문에, 증착 레이트가 높은 상태에서 가열부(7)의 전원을 오프로 하여도, 증발구(5) 부근에 재료가 석출되는 것을 방지할 수 있다.Further, since the evaporator 5 is slightly behind the accommodating portion 2 to be cooled by providing the coolant gas introducing hole 10 at the lower end position facing the accommodating portion 2, It is possible to prevent the material from being deposited in the vicinity of the evaporation port 5 even when the power of the part 7 is turned off.

또한, 도 1 중 점선으로 둘러싼 증발원 유닛을 이하와 같이 구성함으로써, 더욱 냉각 효율을 향상시킬 수 있다.Further, by constituting the evaporation source unit surrounded by the dotted line in Fig. 1 as follows, it is possible to further improve the cooling efficiency.

예를 들어, 도 3~5는, 증발원(4)을, 성막 재료(20)를 수납하는 수납부(2)를 형성하는 수납실과, 증발한 상기 성막 재료(20)가 확산하여 압력을 균일화하는 확산부(3)를 형성하는 확산실을, 수납부 및 확산실보다 작은 직경의 연결관(17)으로 연결한 구성으로 하고 있다.3 to 5 illustrate an example in which the evaporation source 4 is divided into a storage chamber in which the storage portion 2 for storing the film forming material 20 is formed and a storage chamber in which the vaporized deposition material 20 is diffused to equalize the pressure The diffusion chamber forming the diffusion section 3 is connected by a connection pipe 17 having a smaller diameter than the accommodation section and the diffusion chamber.

도 3~5에서는, 재료 수납 용기(21)를 배치하는 수납실을 설치하는 것과 함께, 증발된 성막 재료를 양호하게 확산시키기 위한 확산실을 수납실과는 별개로 설치하여 이 확산실을 확산부(3)로 하고 있다.3 to 5, a storage chamber in which the material storage container 21 is disposed is provided, and a diffusion chamber for diffusing the vaporized film formation material is provided separately from the storage chamber, 3).

또한, 열차폐 용기체(8)에는 수납부(2)와 확산부(3)와의 사이를 구획하는 구획부(19)를 설치한다. 구획부(19)에 의해 수납부(2)와 확산부(3)를 열적으로 독립된 구성으로 함으로써, 수납부(2) 및 확산부(3)의 온도 제어를 각각 독립하여 행하는 것이 가능하게 되어, 한층 양호하게 성막을 행할 수 있는 구성으로 된다.Further, a partition (19) for partitioning between the storage part (2) and the diffusion part (3) is provided in the heat shielding base (8). The storage section 2 and the diffusion section 3 are thermally isolated from each other by the partition section 19 so that the temperature control of the storage section 2 and the diffusion section 3 can be independently performed, The film formation can be performed more satisfactorily.

구체적으로는, 구획부(19)는 열차폐 용기체(8)를 구성하는 하나의 패널체에 상기 연결관(17)이 삽입 관통되는 삽통 구멍(18)을 설치한 구성으로 되어 있다. 삽통 구멍(18)은 연결관(17)의 외경보다 직경이 크고, 연결관(17)의 외주면과 삽통 구멍(18)의 단면 사이에 간극이 생기도록 구성되어 있다.Specifically, the partition 19 has a structure in which a through hole 18 through which the connection pipe 17 is inserted is provided in one panel member constituting the heat shielding base 8. [ The insertion hole 18 is larger in diameter than the outer diameter of the coupling tube 17 and is configured such that a gap is formed between the outer peripheral surface of the coupling tube 17 and the end surface of the insertion hole 18. [

또한, 도 3~5에서는, 열차폐 용기체(8)의 내측면 쪽에 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하는 흡열면부(吸熱面部)(13)를 설치하고 있다. 흡열면부(13)의 적외선 영역에서의 복사율이 흡열면부(13)를 설치하지 않은 경우의 열차폐 용기체(8)의 적외선 영역에서의 복사율보다 높으면, 복사율 향상에 의한 냉각 효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 도 3~5에서는, 열차폐 용기체(8)의 내측면에 흡열면부(13)를 갖는 판재를 붙이고 있다. 이에 의해, 가열부(7)나 증발원(4)으로부터의 열을 흡열면부(13)에서 흡열하고, 흡열면부(13)를 열차폐 용기체(8)에 의해 신속히 냉각시켜 복사에 의한 냉각이 효율적으로 행해질 수 있다. 또한, 흡열면부(13)를 설치함으로써, 수납부(2)와 열차폐 용기체(8)와의 사이에서 단위 시간당 교환되는 열량이 커지게 되어, 진공 중에서도 열 응답성이 좋으며, 레이트 제어가 용이한 구성으로 된다. 또한, 흡열면부(13)를 열차폐 용기체(8)와 별체로 구성함으로써, 고온 환경에 놓일 때 등에 생기는 표면 처리의 열화 시에 교환을 쉽게 할 수 있는 구성으로 된다.3 to 5, a heat absorbing surface portion (heat absorbing surface portion) 13 for increasing the radiation rate in the infrared region is provided on the inner side surface of the heat shielding base 8. When the radiation rate in the infrared region of the heat absorbing surface portion 13 is higher than the radiation rate in the infrared region of the heat shading substrate 8 when the heat absorbing surface portion 13 is not provided, have. In Figs. 3 to 5, a sheet material having a heat absorbing surface portion 13 is attached to the inner surface of the heat shielding base 8. As a result, the heat from the heating unit 7 or the evaporation source 4 is absorbed by the heat absorbing surface portion 13 and the heat absorbing surface portion 13 is quickly cooled by the heat shielding base 8, Lt; / RTI > Further, by providing the heat absorbing surface portion 13, the heat quantity to be exchanged per unit time between the storage portion 2 and the heat shielding body 8 becomes large, so that the heat responsiveness in vacuum is good and the rate control is easy . Further, by constituting the heat absorbing surface portion 13 differently from the heat shielding base 8, it is possible to easily replace the heat absorbing surface portion 13 at the time of deterioration of the surface treatment caused by the high temperature environment.

흡열면부(13)는 상기 판재의 표면에 깊이의 1/2 이하의 직경을 갖는 멈춤 홀을 복수 개 나란히 설치하여 형성되고 있다. 또한, 멈춤 홀에 한정되지 않고, 관통 구멍으로 하여도 좋다. 이 멈춤 홀에 의해 표면적이 증가하고, 나아가 멈춤 홀의 내면에서 전자파가 다중 반사를 거듭함으로써 겉보기 복사율이 향상된다. 또한, 표면적이 증가하고, 냉매 가스와 열차폐 용기체(8)와의 열 전달율이 향상됨으로써, 냉각 시간을 보다 단축할 수가 있다. 또한, 멈춤 홀의 밀도를 부위에 따라 바꾸어, 열을 흡수하기 쉬운 부분과 어려운 부분을 의도적으로 형성할 수도 있다. 예를 들어, 수납부(2)에 면한 위치에 있는 흡열면부(13)는 복사율을 높게 하고, 확산부(3)나 증발구(5)에 면한 위치에 있는 흡열면부(13)는 복사율을 낮게 하는 것 등이 가능하다.The heat absorbing surface portion 13 is formed by arranging a plurality of stop holes having a diameter equal to or less than 1/2 of the depth on the surface of the plate material. Further, it is not limited to the stop hole, but may be a through hole. The surface area is increased by the stop hole, and furthermore, the electromagnetic wave is repeatedly reflected on the inner surface of the stop hole, whereby the apparent radiation rate is improved. Further, the surface area is increased, and the heat transfer rate between the refrigerant gas and the heat shielding base 8 is improved, so that the cooling time can be further shortened. Further, the density of the stop hole may be changed depending on the region, so that the portion that is easy to absorb heat and the portion that is difficult to heat may be intentionally formed. For example, the heat absorbing surface portion 13 at the position facing the receiving portion 2 has a high emissivity and the heat absorbing surface portion 13 at the position facing the diffusing portion 3 or the evaporation port 5 has a low emissivity And so on.

또한, 흡열면부(13)는 멈춤 홀을 설치하여 형성하고 있지만, 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하는 도금 처리, 용사(溶射; thermal spraying) 처리, 산화 피막 처리 또는 조면(粗面) 처리를 실시하는 등으로 하여 형성하여도 좋다. 또한, 흡열면부(13)는 열차폐 용기체(8)와는 별체의 구성으로 하여 열차폐 용기체(8)의 내측면에 붙이는 구성으로 하고 있지만, 열차폐 용기체(8)의 내측면 자체의 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하도록, 열차폐 용기체(8)의 내측면 자체에 멈춤 홀을 형성하거나 도금 처리 등을 실시하여도 좋다. 흡열면부(13)를 열차폐 용기체(8)에 일체로 형성한 경우에는, 열차폐 용기체(8)와 흡열면부(13) 사이에 형성되는 접촉 열 저항이 없어지기 때문에 그 만큼 냉각 속도를 빠르게 할 수 있다.The heat absorbing surface portion 13 is formed by providing a stop hole. However, the heat absorbing surface portion 13 may be formed by a plating process, a thermal spraying process, an oxidation film process or a roughening process for increasing the radiation rate in the infrared region Or the like. The heat absorbing surface portion 13 is attached to the inner surface of the heat shielding base 8 in a constitution different from that of the heat shielding body 8, A stop hole may be formed in the inner side surface of the heat shielding base 8 or a plating process may be performed to increase the radiation rate in the infrared region. When the heat absorbing surface portion 13 is formed integrally with the heat shielding base 8, there is no contact heat resistance formed between the heat shielding base 8 and the heat absorbing surface portion 13, You can do it fast.

도 3은 수납부(2) 및 확산부(3)와 대향하는 면에 흡열면부(13)를 설치한 예, 도 4는 수납부(2)와 대향하는 면에 흡열면부(13)를 설치하고, 확산부(3)와 열차폐 용기체(8)의 사이에 후술하는 보온판부(16)를 설치한 예, 도 5는 수납부(2) 및 증발구(5)의 주위를 제외한 확산부(3)와 대향하는 면에 흡열면부(13)을 설치하고, 증발구(5)의 주위에 보온판부(16)를 설치한 예이다.Fig. 3 shows an example in which a heat absorbing surface portion 13 is provided on a surface facing the storage portion 2 and the diffusion portion 3. Fig. 4 shows an example in which a heat absorbing surface portion 13 is provided on a surface facing the storage portion 2 5 shows an example in which a heat insulating plate portion 16 to be described later is provided between the diffusion portion 3 and the heat shielding body 8; 3 is provided with a heat absorbing surface portion 13 and a heat insulating plate portion 16 is provided around the evaporation opening 5. [

또한, 도 3 및 도 5에서는, 구획부(19)의 수납부(2)와 대향하는 면 및 구획부(19)의 확산부(3)와 대향하는 면에도 각각 흡열면부(13)를 설치하고 있다. 구획부(19)에 각각 흡열면부(13)를 설치하는 구성으로 함으로써, 증발원(4)의 높이를 보다 컴팩트하게 할 수 있다.3 and 5, the heat absorbing surface portion 13 is also provided on the surface of the partitioning portion 19 facing the storage portion 2 and the surface of the partitioning portion 19 facing the diffusion portion 3 have. And the heat absorbing surface portion 13 is provided in each of the partition portions 19, the height of the evaporation source 4 can be made more compact.

보온판부(16)는 적외선 영역에서의 복사율이 낮은 판 부재로 구성되어 있다. 보온판부(16)는 확산부(3)를 가열하는 가열부(7)와 열차폐 용기체(8)와의 사이에서 증발구(5)의 외주를 둘러싸도록 설치하면, 이 증발구(5)의 냉각 속도를 다른 부위보다 느리게 할 수 있어, 증착 레이트가 높은 상태에서 가열부(7)의 전원을 끄더라도 재료의 석출을 억제할 수 있다.The insulating plate portion 16 is constituted by a plate member having a low radiation rate in the infrared region. The insulating plate portion 16 is provided so as to surround the outer periphery of the evaporator 5 between the heating portion 7 for heating the diffusing portion 3 and the heat shielding base 8, The cooling rate can be made slower than the other portions, and deposition of the material can be suppressed even when the power of the heating unit 7 is turned off in a state where the deposition rate is high.

도 3의 구성의 증발원 유닛을 사용했을 경우의 냉각 공정은 이하와 같다.The cooling process in the case of using the evaporation source unit having the configuration of Fig. 3 is as follows.

성막 후의 온도가 400℃ 정도인 경우, 우선, 가열부(7)에 의한 가열을 정지하고, 흡열면부(13)도 이용한 열 복사에 의해 증발원(4)의 냉각을 행한다(제1 냉각 공정).When the temperature after the film formation is about 400 占 폚, the heating by the heating unit 7 is stopped first and the evaporation source 4 is cooled by the heat radiation using the heat absorption surface portion 13 (first cooling step).

이어서, 증발원(4)이 250℃정도까지 냉각된 후, 열차폐 용기체(8)와 증발원(4)과의 사이의 공간(9)에 냉매 가스를 도입함으로써 증발원(4)의 냉각을 행한다(제2 냉각 공정).The evaporation source 4 is cooled to about 250 DEG C and then the evaporation source 4 is cooled by introducing the refrigerant gas into the space 9 between the heat shielding base 8 and the evaporation source 4 Second cooling step).

이상의 공정으로 증발원(4)을 약 100℃까지 냉각시킬 때 걸리는 시간은, 도 6에 도시한 것처럼, 냉각 대책이 없는 종래 예 (C)에서는 6시간, 리플렉터를 냉각하는 특허문헌 1에 관한 종래 예 (B)에서는 3.5시간이 걸리는 것에 반하여, 도 3의 예 (A')는 2시간 정도로 된다.As shown in Fig. 6, the time taken for cooling the evaporation source 4 to about 100 deg. C by the above process is 6 hours in the conventional example (C) in which there is no cooling countermeasure, (B) takes 3.5 hours, whereas the example (A ') of Fig. 3 takes about 2 hours.

즉, 열 복사에 의한 냉각이 흡열면부(13)에 의해 촉진되어, 한층 냉각 속도를 향상시키는 것이 가능하게 된다.That is, the cooling by the heat radiation is promoted by the heat absorbing surface portion 13, and it becomes possible to further improve the cooling rate.

또한, 도 1 중 점선으로 둘러싼 증발원 유닛을 이하와 같이 구성하여도 좋다.In addition, the evaporation source unit surrounded by the dotted line in Fig. 1 may be configured as follows.

도 7~9는, 도 3~5의 냉매 가스 도입 구멍(10)의 설치 수를 늘리거나, 설치 위치를 변경한 예이다.Figs. 7 to 9 show examples in which the number of the refrigerant gas introduction holes 10 in Figs. 3 to 5 is increased or the installation position is changed.

도 7은 열차폐 용기체(8)의 하단면뿐만 아니라, 수납부(2)의 좌우 측면과 대향하는 면에 각각 냉매 가스 도입 구멍(10)을 설치한 예이다. 이 경우, 더욱 양호하게 수납부(2)를 냉각시킬 수 있다.7 shows an example in which the refrigerant gas introduction holes 10 are provided not only on the lower end face of the heat shielding base 8 but also on the opposite sides of the right and left side faces of the storage portion 2, respectively. In this case, the storage portion 2 can be cooled more favorably.

도 8은 열차폐 용기체(8)의 하단면(수납부(2)에 면한 위치)뿐만 아니라, 확산부(3)에 면한 위치(확산부(3)의 좌우 측면과 대향하는 면 각각)에 냉매 가스 도입 구멍(10)을 설치한 예이다. 또한, 도 9는 열차폐 용기체(8)의 하단면(수납부(2)에 면한 위치)에 냉매 가스 도입 구멍(10)을 설치하지 않고, 확산부(3)에 면한 위치(확산부(3)의 좌우 측면과 대향하는 면 각각)에만 냉매 가스 도입 구멍(10)을 설치한 예이다. 이 경우, 확산부(3)의 냉각을 양호하게 행할 수 있다.8 shows not only the lower end surface (the position facing the storage portion 2) of the heat shielding base 8 but also the position facing the diffusion portion 3 (the surfaces facing the left and right sides of the diffusion portion 3) And a refrigerant gas introduction hole 10 is provided. 9 shows a state in which the refrigerant gas introducing hole 10 is not provided at the lower end face (position facing the receiving portion 2) of the heat shielding base 8 and the position facing the diffusing portion 3 3) are provided with only the refrigerant gas introducing hole 10 in each of the surfaces facing the right and left side surfaces of the refrigerant gas inlet port 10, In this case, the diffusion portion 3 can be cooled well.

또한, 도 10에 도시한 바와 같이, 상자 형상의 증발원(4)에 직접 성막 재료(20)를 수납하여, 성막 재료(20)가 수납되는 부분을 수납부(2)로 하고, 성막 재료(20)의 표면과 증발원(4)의 상면과의 사이의 공간을 둘러싸는 부분을 확산부(3)로 한 구성에 있어서, 열차폐 용기체(8)의 내측면에 흡열면부(13)를 설치하는 구성으로 하여도 좋다.10, the film forming material 20 is stored directly in the box-shaped evaporation source 4 so that the portion where the film forming material 20 is accommodated is used as the accommodating portion 2 and the film forming material 20 And the space between the surface of the evaporation source (4) and the upper surface of the evaporation source (4) is a diffusion portion (3), a heat absorbing surface portion (13) is provided on the inner surface of the heat dissipating substrate May be used.

도 10에서는, 열차폐 용기체(8)의 내측면 전체 면에 흡열면부(13)를 설치하고, 냉매 가스 도입 구멍(10)을 2개 설치한 구성으로 하고 있다. 또한, 각 냉매 가스 도입 구멍(10)으로부터는 각각 다른 냉매 가스를 도입하도록 구성하여도 좋다. 예를 들면, 한 쪽은 질소 가스, 다른 쪽은 아르곤 가스를 도입하는 등의 구성으로 하여도 좋다.In Fig. 10, a heat absorbing surface portion 13 is provided on the entire inner surface of the heat shielding base 8, and two refrigerant gas introduction holes 10 are provided. The refrigerant gas introduction holes 10 may be configured to introduce different refrigerant gases. For example, nitrogen gas may be introduced into one side and argon gas may be introduced into the other side.

또한, 도 11에 도시한 것처럼, 증발원(4)을, 확산부(3)의 길이 방향으로 복수 개 증발구(5)를 나란히 설치한 소위 라인 소스로 한 경우에도 마찬가지이다. 즉, 도 11은 확산부(3)에 4개의 증발구(5)를 병설한 구성으로, 열차폐 용기체(8)에는 각 증발구(5)를 노출시키는 개구부(12)가 4개 설치되어 있다. 또한, 수납부(2)와 확산부(3)와의 사이를 구획하는 구획부(19)가 설치되어 있다. 또한, 열차폐 용기체(8)의 수납부(2) 및 증발구(5)의 주위를 제외한 확산부(3)와 대향하는 면에 흡열면부(13)를 설치하고, 증발구(5)의 주위에 보온판부(16)를 설치하고 있다. 또한, 열차폐 용기체(8)의 구획부(19)의 수납부(2)와 대향하는 면 및 구획부(19)의 확산부(3)와 대향하는 면에도 각각 흡열면부(13)를 설치하고 있다. 구획부(19)의 상하 면에 각각 흡열면부(13)를 설치하는 구성으로 함으로써, 증발원(4)의 높이를 보다 컴팩트하게 할 수 있다. 또한, 수납부(2) 및 확산부(3)가 대형으로 되는 라인 소스에서는, 수납부(2)와 확산부(3)의 온도가 서로 영향을 받기 쉬워, 구획부(19)에 의해 수납부(2)와 확산부(3)를 열적으로 독립된 구성으로 함으로써 얻어지는 효과가 특히 커진다.11, the evaporation source 4 may be a so-called line source in which a plurality of evaporation ports 5 are arranged side by side in the longitudinal direction of the diffusion portion 3. That is, FIG. 11 shows a configuration in which four evaporation ports 5 are provided in the diffusion section 3, and four openings 12 for exposing the respective evaporation ports 5 are provided in the heat- have. Further, a partitioning portion 19 for partitioning between the storage portion 2 and the diffusion portion 3 is provided. The heat absorbing surface portion 13 is provided on the surface of the heat shielding base 8 opposite to the diffusion portion 3 excluding the surroundings of the storage portion 2 and the evaporation port 5, And the insulating plate portion 16 is provided around the periphery. A heat absorbing surface portion 13 is also provided on the surface of the partitioning portion 19 of the gas barrier layer 8 facing the storage portion 2 and the surface of the partition portion 19 facing the diffusing portion 3, . And the heat absorbing surface portion 13 is provided on the upper and lower surfaces of the partition portion 19, the height of the evaporation source 4 can be made more compact. In the line source in which the storage portion 2 and the diffusion portion 3 are large in size, the temperatures of the storage portion 2 and the diffusion portion 3 are easily affected by each other, (2) and the diffusion part (3) are made thermally independent from each other.

도 11은, 냉매 가스 도입 구멍(10)을 2개 설치한 구성으로, 각 냉매 가스 도입 구멍(10)으로부터는 각각 다른 냉매 가스를 도입하도록 구성하여도 된다. 예를 들어, 한 쪽은 질소 가스, 다른 쪽은 아르곤 가스를 도입하는 등의 구성으로 하여도 좋다.11 shows a configuration in which two refrigerant gas introduction holes 10 are provided and different refrigerant gas may be introduced from each of the refrigerant gas introduction holes 10. For example, nitrogen gas may be introduced into one side and argon gas may be introduced into the other side.

도 12는 가열부(7)에 냉매 순환로(15)를 설치하는 구성으로 한 본 실시예의 다른 예이다. 구체적으로는, 냉매 순환로(15)는 각 가열부(7)의 외면 쪽에 사행(蛇行) 형상으로 배치되고, 각각이 접속되어 전체로서 하나의 순환로를 구성하도록 하고 있다.Fig. 12 shows another example of the present embodiment in which the refrigerant circulation path 15 is provided in the heating section 7. Fig. Specifically, the refrigerant circulation paths 15 are arranged in a serpentine shape on the outer surface side of each heating section 7, and are connected to constitute one circulation path as a whole.

냉매 순환로(15)의 일단에는 냉매로서의 냉각수를 공급하는 냉각수 공급부(29)가 접속되고, 타단에는 3방 밸브(32)를 거쳐 냉각수 회수용의 냉각수 회수부(30)와 냉각수를 떨어뜨려 대기 개방시키기 위한 대기 개방부(31)가 접속되어 있다. 도 12 중, 부호 “24a”는 열차폐 용기체(8)의 냉매 순환로(23)에 냉각수를 공급하는 냉각수 공급부, “24b”는 냉매 순환로(23)의 냉각수를 회수하는 냉각수 회수부이다.A cooling water supply unit 29 for supplying cooling water as a coolant is connected to one end of the coolant circulation path 15 and a cooling water recovery unit 30 for cooling water recovery is connected to the other end via a three- Is connected to the atmosphere opening portion 31. [ In Fig. 12, reference numeral 24a denotes a cooling water supply unit for supplying cooling water to the refrigerant circulation path 23 of the thermal barrier body 8, and 24b denotes a cooling water recovery unit for recovering the cooling water of the refrigerant circulation path 23.

또한, 다른 예에서는, 냉매 가스 도입 구멍(10) 2개를, 열차폐 용기체(8)의 수납부(2)에 면한 하단에 나란히 설치한 구성으로 하고 있다. 또한, 한 쪽의 냉매 가스 도입 구멍(10)에는 질소 가스 공급부(27)가 냉매 가스 배관(11)을 거쳐 접속되고, 다른 쪽의 냉매 가스 도입 구멍(10)에는 아르곤 가스 공급부(28)가 냉매 가스 배관(11)을 거쳐 접속되고 있다.In another example, two refrigerant gas introducing holes 10 are provided side by side on the lower end of the heat shielding base 8 facing the accommodating portion 2. A nitrogen gas supply unit 27 is connected to the one refrigerant gas introduction hole 10 via a refrigerant gas pipe 11 and an argon gas supply unit 28 is connected to the other refrigerant gas introduction hole 10 through a refrigerant And is connected via a gas piping 11.

또한, 다른 예에서는, 흡열면부(13) 및 보온판부(16)가 도 5의 예와 마찬가지로 설치되어 있다.In another example, the heat absorbing surface portion 13 and the insulating plate portion 16 are provided in the same manner as in the example of Fig.

다른 예에서는, 증착 중일 때에는, 열차폐 용기체(8)의 냉매 순환로(23)에는 상시로 냉각수를 순환시키고, 가열부(7)의 냉매 순환로(15)로의 냉각수 공급부(29)의 밸브를 닫고, 또한 냉매 순환로(15)를 3방 밸브(32)에 의해 대기 개방시켜 둔다.In another example, the cooling water is always circulated in the refrigerant circulation path 23 of the heating body 8, the valve of the cooling water supply part 29 to the refrigerant circulation path 15 of the heating part 7 is closed , And the refrigerant circulation path (15) is opened to the atmosphere by the three-way valve (32).

그리고, 증착 이후의 냉각은 이하와 같이 행한다.The cooling after the deposition is performed as follows.

가열부(7)에 의한 가열을 정지하고, 복사에 의한 냉각을 행한다. 이 때, 수납부(2)의 냉각이 흡열면부(13)에 의해 촉진되고, 또한 증발구(5)의 냉각은 보온판부(16)에 의해 뒤쳐지는 것으로 된다. 따라서, 가열 정지 이후에 수납부(2)로부터 발생하는 다소의 증발 입자가 증발구(5) 근방에서 냉각되어 석출되는 것을 가급적 억제하면서, 수납부(2)의 냉각이 양호하게 행해진다.The heating by the heating unit 7 is stopped and cooling by radiation is performed. At this time, the cooling of the accommodating portion 2 is promoted by the heat absorbing surface portion 13, and the cooling of the evaporator 5 is lagged behind by the insulating plate portion 16. Therefore, the cooling of the storage portion 2 is preferably performed while suppressing the precipitation of some evaporated particles generated from the storage portion 2 after the heating and stopping in the vicinity of the evaporation port 5 as much as possible.

이어서, 소정의 제1 온도(250℃)까지 증발원(4)의 수납부(2)의 온도가 낮아졌을 때에 아르곤 가스를 증발원(4)과 열차폐 용기체(8)의 사이의 공간(9)으로 도입함으로써 냉각을 촉진시킨다. 또한, 소정의 제2 온도(200℃)까지 증발원(4)의 수납부(2)의 온도가 낮아졌을 때에 질소 가스를 상기 공간(9)으로 도입함으로써 냉각을 촉진시킨다.Subsequently, when the temperature of the storage portion 2 of the evaporation source 4 is lowered to the predetermined first temperature (250 deg. C), argon gas is introduced into the space 9 between the evaporation source 4 and the thermal barrier body 8, Thereby promoting cooling. Further, when the temperature of the storage portion 2 of the evaporation source 4 is lowered to the predetermined second temperature (200 deg. C), nitrogen gas is introduced into the space 9 to promote the cooling.

이어서, 소정의 제3 온도(150℃)까지 증발원(4)의 수납부(2)의 온도가 낮아졌을 때에 냉각수 공급부(29)의 밸브를 열고, 또한 3방 밸브(32)에 의해 냉각수를 회수함으로써 가열부(7)의 냉매 순환부(15)에 냉각수를 순환시켜 수냉한다.Then, when the temperature of the storage part 2 of the evaporation source 4 is lowered to the predetermined third temperature (150 캜), the valve of the cooling water supply part 29 is opened and the cooling water is recovered by the three- Whereby the cooling water is circulated in the coolant circulation section (15) of the heating section (7) to cool water.

이상의 공정에 의해, 도 13에 도시한 바와 같이, 냉각 대책이 없는 종래 예 (C)에 비하여 냉각 시간을 단축시킬 수 있음은 물론, 수납부(X)를 신속하게 냉각시키면서 확산부(Y)의 냉각을 늦추는 것이 가능하게 되어, 재료의 석출이나 각 부의 파손을 억제하면서, 나아가 증발원(4)을 대기 개방 가능 온도까지 신속하게 냉각시키는 것이 가능하게 된다.13, the cooling time can be shortened as compared with the conventional example (C) in which there is no cooling countermeasure. In addition, as shown in Fig. 13, The cooling can be delayed, and it becomes possible to rapidly cool the evaporation source 4 to the atmospheric releasing temperature while suppressing the precipitation of the material and the breakage of each part.

또한, 증발원(4)이 소정 온도까지 냉각된 후, 다른 종류의 냉매 가스를 도입하는 것이 아니라, 도입 중인 냉매 가스의 도입량(유량)을 증가시킴으로써 냉각 속도를 빠르게 하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 냉매 순환로(15)에는 냉각수를 5Pa~50Pa 정도로 순환시킨다. 압력이 너무 높으면 급속한 온도 변화에 의해 열 응력이 발생하여 가열부(7)가 파손될 우려가 있기 때문이다.Further, the cooling rate may be increased by increasing the introduction amount (flow rate) of the refrigerant gas being introduced, instead of introducing other types of refrigerant gas after the evaporation source 4 is cooled to the predetermined temperature. Further, the cooling water is circulated in the refrigerant circulation path 15 at about 5 Pa to 50 Pa. If the pressure is too high, there is a fear that thermal stress is generated due to a rapid temperature change and the heating part 7 is broken.

1: 진공조
2: 수납부
3: 확산부
4: 증발원
5: 증발구
6: 기판
7: 가열부
8: 열차폐 용기체
9: 공간
10: 냉매 가스 도입 구멍
11: 냉매 가스 배관
12: 개구부
13: 흡열면부
15: 냉매 순환로
16: 보온판부
17: 연결관
18: 삽통 구멍
19: 구획부
20: 성막 재료1: Vacuum tank
2:
3:
4:
5: Evaporation port
6: substrate
7:
8: Gas for heating
9: Space
10: Refrigerant gas introduction hole
11: Refrigerant gas piping
12: opening
13: heat absorbing surface portion
15: refrigerant circulation path
16: Insulating plate
17: Connector
18: Insertion hole
19:
20: Deposition material

Claims (20)

진공조 내에, 수납된 성막 재료를 증발시키는 증발원을 구비하고, 상기 증발원에 설치된 증발구로부터 증발한 성막 재료를 사출함으로써 상기 증발원과 대향하는 위치에 설치된 기판 상에 증착막을 형성하는 진공 증착 장치로서,
상기 증발원 및 상기 증발원을 가열하는 가열부를 수용하고, 상기 증발원 및 상기 가열부로부터의 열을 차단하는 열차폐 용기체를 구비하고,
이 열차폐 용기체와 상기 증발원과의 사이의 공간에 냉매 가스를 도입하는 냉매 가스 도입 기구가 설치되어 있고,
상기 냉매 가스 도입 기구는, 상기 열차폐 용기체에 설치된 냉매 가스 도입 구멍과, 상기 냉매 가스 도입 구멍의 입구 쪽에 접속되어 상기 진공조의 외부로부터 상기 냉매 가스 도입 구멍으로 상기 냉매 가스를 송출하기 위한 냉매 가스 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.A vacuum evaporation apparatus for forming a vapor deposition film on a substrate provided at a position facing the evaporation source by injecting a vapor deposition source evaporated from an evaporation source provided in the evaporation source,
And a heat shielding gas accommodating a heating portion for heating the evaporation source and the evaporation source and for blocking heat from the evaporation source and the heating portion,
And a refrigerant gas introducing mechanism for introducing a refrigerant gas into the space between the gas for heating and the evaporation source is provided,
Wherein the refrigerant gas introducing mechanism includes a refrigerant gas introducing hole provided in the heat dissipating base body and a refrigerant gas introducing hole communicating with the inlet of the refrigerant gas introducing hole for discharging the refrigerant gas from the outside of the vacuum tank to the refrigerant gas introducing hole. Wherein the vacuum evaporation apparatus comprises a pipe. 진공조 내에, 성막 재료가 수납되는 수납부와 증발한 상기 성막 재료가 확산되는 확산부를 갖는 증발원을 구비하고, 상기 확산부에 설치된 증발구로부터 상기 증발한 성막 재료를 사출함으로써 상기 증발원과 대향하는 위치에 설치된 기판 상에 증착막을 형성하는 진공 증착 장치로서,
상기 증발원 및 상기 증발원을 가열하는 가열부를 수용하고, 상기 증발원 및 상기 가열부로부터의 열을 차단하는 열차폐 용기체를 구비하고,
상기 열차폐 용기체와 상기 증발원과의 사이의 공간에 냉매 가스를 도입하는 냉매 가스 도입 기구가 설치되어 있고,
상기 냉매 가스 도입 기구는, 상기 열차폐 용기체에 설치된 냉매 가스 도입 구멍과, 상기 냉매 가스 도입 구멍의 입구 쪽에 접속되어 상기 진공조의 외부로부터 상기 냉매 가스 도입 구멍으로 상기 냉매 가스를 송출하기 위한 냉매 가스 배관을 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.A vapor deposition apparatus, comprising: a vacuum chamber provided with an evaporation source having a storage portion for storing a film forming material and a diffusion portion for diffusing the evaporated film forming material, wherein the vapor deposition film material is ejected from an evaporation port provided in the diffusion portion, And forming a vapor deposition film on a substrate provided on the substrate,
And a heat shielding gas accommodating a heating portion for heating the evaporation source and the evaporation source and for blocking heat from the evaporation source and the heating portion,
A refrigerant gas introducing mechanism for introducing a refrigerant gas into a space between the heat shielding gas and the evaporation source is provided,
Wherein the refrigerant gas introducing mechanism includes a refrigerant gas introducing hole provided in the heat dissipating base body and a refrigerant gas introducing hole communicating with the inlet of the refrigerant gas introducing hole for discharging the refrigerant gas from the outside of the vacuum tank to the refrigerant gas introducing hole. And a piping. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 열차폐 용기체는 상기 증발구를 노출시키기 위한 개구부를 갖고, 상기 냉매 가스 도입 구멍으로부터 상기 열차폐 용기체와 상기 증발원 사이의 공간으로 도입된 냉매 가스가 상기 개구부의 상기 증발구의 주위로부터 상기 열차폐 용기체의 외부로 유출되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heat shielding gas has an opening for exposing the evaporator so that a refrigerant gas introduced into the space between the heat shielding gas and the evaporation source from the refrigerant gas introducing hole is blown from the periphery of the evaporator of the opening, And is configured to flow out of the waste gas. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 냉매 가스 도입 구멍은, 그 출구 쪽이 상기 증발원의 상기 성막 재료가 수납되는 수납부에 면한 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the refrigerant gas introducing hole is provided at a position where the outlet of the refrigerant gas introducing hole faces the receiving portion in which the film forming material of the evaporation source is stored. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 냉매 가스 도입 구멍은, 상기 열차폐 용기체에 설치되어 상기 증발구를 노출시키기 위한 개구부와는 반대쪽 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the refrigerant gas introduction hole is provided at a position opposite to an opening portion for exposing the evaporation port, the evaporation port being provided in the gas-barrier material. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 열차폐 용기체의 상기 증발원과 대향하는 내측면 쪽에, 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하는 흡열면부(吸熱面部)가 설치되어 있는 것을 특징으로 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Characterized in that a heat absorbing surface portion (heat absorbing surface portion) for increasing the radiation rate in the infrared region is provided on the inner side surface of the heat shielding gas facing the evaporation source. 제6항에 있어서,
상기 흡열면부는, 상기 증발원의 상기 성막 재료가 수납되는 수납부에 면한 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The method according to claim 6,
Wherein the heat absorbing surface portion is provided at a position facing the storage portion in which the film forming material of the evaporation source is housed. 제6항에 있어서,
상기 흡열면부에는, 깊이의 1/2 이하의 직경을 갖는 멈춤 홀 또는 관통 구멍이 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The method according to claim 6,
Wherein a plurality of stop holes or through holes each having a diameter not larger than 1/2 of the depth are formed in the heat absorbing surface portion. 제6항에 있어서,
상기 흡열면부의 상기 증발원과 대향하는 면이, 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하는 도금층, 용사(溶射; thermal spraying)층 또는 산화 피막이거나, 또는 소정의 거칠기의 요철면인 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The method according to claim 6,
Characterized in that the surface of the heat absorbing surface portion facing the evaporation source is a plated layer for raising the radiation rate in the infrared region, a thermal spraying layer or an oxide film, or an uneven surface of a predetermined roughness . 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 가열부에는 냉매 순환로가 설치되고, 상기 냉매 순환로를 냉매가 순환하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the heating section is provided with a refrigerant circulation path, and the refrigerant circulates in the refrigerant circulation path. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 열차폐 용기체의, 상기 증발원의 증발한 상기 성막 재료가 확산되는 확산부에 면한 위치에, 적외선 영역에서의 복사율을 낮게 하는 보온판부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a heat insulating plate portion for lowering the emissivity in the infrared region is provided at a position of the heat shielding gas facing the diffusion portion where the film forming material evaporated by the evaporation source is diffused. 제11항에 있어서,
상기 보온판부가 상기 증발구의 근방 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the heat insulating plate is provided at a position near the evaporator. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 증발원은, 상기 성막 재료가 수납되는 수납부를 형성하는 수납실과, 증발한 상기 성막 재료가 확산되는 확산부를 형성하는 확산실을 갖고, 상기 수납실과 상기 확산실이 연결관으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the evaporation source has a storage chamber in which a storage portion for storing the film forming material is formed and a diffusion chamber in which a diffusion portion in which the vaporized film formation material is diffused is formed, the storage chamber and the diffusion chamber being connected by a connection pipe . 제13항에 있어서,
상기 열차폐 용기체에, 상기 연결관이 삽입 관통되는 삽통 구멍을 가지며 상기 수납부와 상기 확산부를 구획하는 판 형상의 구획부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the heat shielding gas is provided with a plate-shaped partitioning portion having a through-hole through which the connection tube is inserted and partitioning the containing portion and the diffusion portion. 제14항에 있어서,
상기 구획부의 수납부와 대향하는 면 및 상기 구획부의 상기 확산부와 대향하는 면에 각각 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하는 흡열면부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.15. The method of claim 14,
Wherein a heat absorbing surface portion for increasing a radiation rate in an infrared region is provided on each of the surface facing the receiving portion of the partition portion and the surface facing the diffusing portion of the partition portion. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 증발구는 상기 증발원의 길이 방향으로 복수개 나란히 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a plurality of the evaporation holes are provided in parallel in the longitudinal direction of the evaporation source. 진공조 내에, 수납된 성막 재료를 증발시키는 증발원을 구비하고, 상기 증발원에 설치된 증발구로부터 증발한 성막 재료를 사출함으로써 상기 증발원과 대향하는 위치에 설치된 기판 상에 증착막을 형성하는 진공 증착 장치의 상기 증발원의 냉각 방법으로서,
상기 증발원 및 증발원을 가열하는 가열부를 수용하고 상기 증발원 및 상기 가열부로부터의 열을 차단하는 열차폐 용기체와, 상기 증발원과의 사이의 공간으로 냉매 가스를 도입하는 것을 특징으로 하는 증발원의 냉각 방법.There is provided a vacuum vapor deposition apparatus for forming a vapor deposition film on a substrate provided at a position facing the evaporation source by injecting a vapor deposition source evaporated from an evaporation source provided in the evaporation source, As a cooling method of an evaporation source,
A cooling device for cooling the evaporation source, wherein a refrigerant gas is introduced into a space between the evaporation source and the evaporation source, and a heat shielding gas for receiving heat from the evaporation source and the evaporation source and for blocking heat from the evaporation source and the heating section . 진공조 내에, 성막 재료가 수납되는 수납부와 증발한 상기 성막 재료가 확산되는 확산부를 갖는 증발원을 구비하고, 상기 확산부에 설치된 증발구로부터 증발한 성막 재료를 사출함으로써 상기 증발원과 대향하는 위치에 설치된 기판 상에 증착막을 형성하는 진공 증착 장치의 상기 증발원의 냉각 방법으로서,
상기 증발원 및 증발원을 가열하는 가열부를 수용하고 상기 증발원 및 상기 가열부로부터의 열을 차단하는 열차폐 용기체와, 상기 증발원과의 사이의 공간으로 냉매 가스를 도입하는 것을 특징으로 하는 증발원의 냉각 방법.And a vapor deposition source having a storage portion for storing a film forming material and a diffusion portion for diffusing the evaporated film forming material in a vacuum chamber, wherein a film forming material evaporated from an evaporation port provided in the diffusing portion is injected to a position opposed to the evaporation source A method for cooling an evaporation source of a vacuum vapor deposition apparatus for forming a vapor deposition film on an installed substrate,
A cooling device for cooling the evaporation source, wherein a refrigerant gas is introduced into a space between the evaporation source and the evaporation source, and a heat shielding gas for receiving heat from the evaporation source and the evaporation source and for blocking heat from the evaporation source and the heating section . 제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 열차폐 용기체의 상기 증발원과 대향하는 내측면 쪽에 설치된 적외선 영역에서의 복사율을 높게 하는 흡열면부를 통한 열 복사에 의해 상기 증발원을 냉각시키는 제1 냉각 공정을 행하고,
이어서, 상기 열차폐 용기체와 상기 증발원과의 사이의 공간에 냉매 가스를 도입함으로써 상기 증발원을 냉각시키는 제2 냉각 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 증발원의 냉각 방법.The method according to claim 17 or 18,
A first cooling step of cooling the evaporation source by performing heat radiation through a heat absorbing surface portion for raising an emissivity in an infrared region provided on an inner side surface of the heat shielding gas facing the evaporation source,
And a second cooling step of cooling the evaporation source by introducing a refrigerant gas into a space between the heat shielding gas and the evaporation source is performed. 제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 증발원이 소정 온도 이하로 되었을 때, 상기 냉매 가스의 도입량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 증발원의 냉각 방법.The method according to claim 17 or 18,
And the amount of the refrigerant gas introduced is increased when the evaporation source is below a predetermined temperature.
KR1020170050814A 2016-04-28 2017-04-20 Vacuum deposition apparatus and method for cooling evaporation source KR102190775B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-090099 2016-04-28
JP2016090099A JP6641226B2 (en) 2016-04-28 2016-04-28 Vacuum evaporation apparatus and method for cooling evaporation source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170123244A true KR20170123244A (en) 2017-11-07
KR102190775B1 KR102190775B1 (en) 2020-12-14

Family

ID=60222747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170050814A KR102190775B1 (en) 2016-04-28 2017-04-20 Vacuum deposition apparatus and method for cooling evaporation source

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6641226B2 (en)
KR (1) KR102190775B1 (en)
CN (2) CN114231909B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200079901A (en) 2018-12-26 2020-07-06 송재만 (Refrigerant circuit structure for temperature maintenance of refrigerant evaporator of vacuum evaporator
WO2020197068A1 (en) * 2019-03-25 2020-10-01 엘지전자 주식회사 Deposition apparatus
KR20220115653A (en) * 2021-02-08 2022-08-18 (주)에스브이엠테크 High frequency induction heating device for film deposition facilities

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11795541B2 (en) * 2017-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Method of cooling a deposition source, chamber for cooling a deposition source and deposition system
JP6686069B2 (en) * 2018-05-29 2020-04-22 キヤノントッキ株式会社 Evaporation source device, vapor deposition device, and vapor deposition system
JP6526880B1 (en) * 2018-06-29 2019-06-05 キヤノントッキ株式会社 Evaporation source and evaporation apparatus
CN109321883B (en) * 2018-10-15 2020-10-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Evaporation plating machine
JP6605163B1 (en) * 2019-03-05 2019-11-13 日本エア・リキード株式会社 Solid material container
CN112877651A (en) * 2021-01-08 2021-06-01 京东方科技集团股份有限公司 Evaporation plating device
JP7291197B2 (en) * 2021-07-15 2023-06-14 キヤノントッキ株式会社 Film forming apparatus, film forming method, and evaporation source unit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060087910A (en) * 2005-01-31 2006-08-03 삼성에스디아이 주식회사 Deposition source having a cooling means and deposition apparatus using the same
JP2011052301A (en) * 2009-09-04 2011-03-17 Hitachi Zosen Corp Evaporation/sublimation method for vapor deposition material for vacuum deposition, and crucible apparatus for vacuum deposition
JP2011195916A (en) * 2010-03-23 2011-10-06 Hitachi Zosen Corp Vapor deposition apparatus
JP2012207238A (en) 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
WO2015136859A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ Vapor deposition apparatus, vapor deposition method using vapor deposition apparatus, and device production method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5058396B1 (en) * 2011-03-11 2012-10-24 パナソニック株式会社 Thin film manufacturing method and manufacturing apparatus
CN202543304U (en) * 2012-03-19 2012-11-21 北京北仪创新真空技术有限责任公司 Crucible cooling device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060087910A (en) * 2005-01-31 2006-08-03 삼성에스디아이 주식회사 Deposition source having a cooling means and deposition apparatus using the same
JP2011052301A (en) * 2009-09-04 2011-03-17 Hitachi Zosen Corp Evaporation/sublimation method for vapor deposition material for vacuum deposition, and crucible apparatus for vacuum deposition
JP2011195916A (en) * 2010-03-23 2011-10-06 Hitachi Zosen Corp Vapor deposition apparatus
JP2012207238A (en) 2011-03-29 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
WO2015136859A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ Vapor deposition apparatus, vapor deposition method using vapor deposition apparatus, and device production method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200079901A (en) 2018-12-26 2020-07-06 송재만 (Refrigerant circuit structure for temperature maintenance of refrigerant evaporator of vacuum evaporator
WO2020197068A1 (en) * 2019-03-25 2020-10-01 엘지전자 주식회사 Deposition apparatus
KR20200113539A (en) * 2019-03-25 2020-10-07 엘지전자 주식회사 Deposition apparatus
CN113631751A (en) * 2019-03-25 2021-11-09 Lg电子株式会社 Deposition apparatus
CN113631751B (en) * 2019-03-25 2023-10-27 Lg电子株式会社 Deposition apparatus
KR20220115653A (en) * 2021-02-08 2022-08-18 (주)에스브이엠테크 High frequency induction heating device for film deposition facilities

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017197824A (en) 2017-11-02
CN114231909A (en) 2022-03-25
CN114231909B (en) 2023-12-01
CN107338410A (en) 2017-11-10
JP6641226B2 (en) 2020-02-05
KR102190775B1 (en) 2020-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170123244A (en) Vacuum deposition apparatus and method for cooling evaporation source
KR100645689B1 (en) Linear type deposition source
KR101814390B1 (en) Evaporation and sublimation method of vapor deposition materials in a vacuum vapor deposition apparatus, and crucible device for vacuum vaport deposition
JP5252457B2 (en) Batch processing chamber with diffuser plate and spray assembly
KR101645950B1 (en) Process device for processing in particular stacked processed goods
US20120171632A1 (en) Device and treatment chamber for thermally treating substrates
US7527497B2 (en) Heat treating apparatus, heat treating method, and storage medium
TW200721303A (en) Multi-layer RF window for use in plasma reaction chamber
US8901518B2 (en) Chambers with improved cooling devices
KR101290943B1 (en) Substrate processing apparatus and heating equipment
KR20170095872A (en) Apparatus and method especially for degassing of substrates
KR101740007B1 (en) Evaporation source
JP2015209593A (en) Evaporation cell
TW201730968A (en) Method and apparatus for the thermal treatment of substrates and receiving unit for substrates
KR101885092B1 (en) Deposition Chamber Blocking Increasing Temperature of Reflecter Shield
JP2005060757A (en) Film deposition apparatus and film deposition method
KR20160028371A (en) Magnetic annealing apparatus
KR20130020882A (en) Device for thermally treating substrates
CN104746009A (en) PVD degassing heating cavity
JP2009299115A (en) Vapor deposition apparatus
JP6116685B2 (en) Apparatus and method for heat treating an object
KR20000000551A (en) Deposition apparatus, organic evaporation source and fabrication method of an organic thin film
JP2001052975A (en) Resin supply device
KR101765232B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
KR20150082802A (en) Apparatus for drying and gettering pole plates for a secondary battery

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant