KR20170119772A

KR20170119772A - Semiconductor light emitting device

Info

Publication number: KR20170119772A
Application number: KR1020160047567A
Authority: KR
Inventors: 김경민; 조영관; 전수근
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2016-04-19
Filing date: 2016-04-19
Publication date: 2017-10-30
Also published as: KR101907612B1

Abstract

본 개시는반도체 발광소자에 있어서, 바닥부와 측벽을 구비하며, 바닥부와 측벽에 의해 형성된 캐비티를 포함하는 몸체;로서, 측벽에는 적어도 하나 이상의 홈이 형성되고, 바닥부에는 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 적어도 캐비티에 구비되어 반도체 발광소자 칩을 덮도록 측벽의 홈까지 채워지는 봉지재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion and a side wall, the body including a cavity formed by a bottom portion and a side wall, wherein at least one groove is formed in the side wall, A formed body; A semiconductor light emitting device chip accommodated in each hole, comprising: a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes; and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers; And an encapsulant which is provided at least in the cavity so as to fill the groove of the side wall so as to cover the semiconductor light emitting device chip, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the bottom direction of the bottom of the body. .

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 반도체 발광소자에서 나가는 빛의 각도를 봉지재의 양과 측벽의 높이로 조절하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device that adjusts an angle of light emitted from a semiconductor light emitting device to an amount of a sealing material and a height of a sidewall.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다. Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts. Also, in this specification, directional indication such as up / down, up / down, etc. is based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and the first semiconductor layer 30 is etched to serve as a bonding pad Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다. 도 3에 기재된 반도체 발광소자(100)는 반도체 발광소자 칩(150)에서 나가는 빛의 각도를 조절하기 위해서는 몰드(130)를 사용한다. 빛이 반사되는 몰드(130)의 각도 또는 몰드(130)의 높이를 이용하여 최종적으로 반도체 발광소자(100)에서 나가는 빛의 각도가 조절된다. 그러나 초소형의 제품에 사용되는 반도체 발광소자(100)는 몰드(130)의 높이는 한정된다.The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength converting material 160. [ The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have. The semiconductor light emitting device 100 shown in FIG. 3 uses a mold 130 to adjust the angle of light emitted from the semiconductor light emitting device chip 150. The angle of the light finally exiting the semiconductor light emitting device 100 is adjusted by using the angle of the mold 130 or the height of the mold 130. However, the height of the mold 130 is limited in the semiconductor light emitting device 100 used in a very small product.

본 개시는 반도체 발광소자(100)의 몰드(130)의 높이가 한정될 때, 반도체 발광소자(100)에서 나가는 빛의 각도를 효율적으로 조절 가능한 반도체 발광소자(100)를 제공하고자 한다.The present disclosure provides a semiconductor light emitting device 100 capable of efficiently adjusting the angle of light emitted from the semiconductor light emitting device 100 when the height of the mold 130 of the semiconductor light emitting device 100 is limited.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부와 측벽을 구비하며, 바닥부와 측벽에 의해 형성된 캐비티를 포함하는 몸체;로서, 측벽에는 적어도 하나 이상의 홈이 형성되고, 바닥부에는 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 적어도 캐비티에 구비되어 반도체 발광소자 칩을 덮도록 측벽의 홈까지 채워지는 봉지재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: a body having a bottom portion and a side wall, the body including a cavity formed by a bottom portion and a side wall, A body having at least one groove formed therein and at least one hole formed in a bottom thereof; A semiconductor light emitting device chip accommodated in each hole, comprising: a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes; and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers; And an encapsulant which is provided at least in the cavity so as to fill the groove of the side wall so as to cover the semiconductor light emitting device chip, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the bottom direction of the bottom of the body. Is provided.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 보강재의 다양한 실시 예를 보여주는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 빛이 나가는 모습을 보여주는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 홈의 내부공간의 예들을 보여주는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.
도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 보여주는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing various embodiments of a stiffener in a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
11 is a view showing a state in which light is emitted from the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
13 is a view showing examples of the inner space of the groove of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
14 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.
15 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 4(a)는 사시도이며, 도 4(b)는 AA'에 따른 단면도이다.Fig. 4 (a) is a perspective view, and Fig. 4 (b) is a sectional view along AA '.

반도체 발광소자(200)는 몸체(210), 반도체 발광소자 칩(220) 및 봉지재(230)를 포함한다.The semiconductor light emitting device 200 includes a body 210, a semiconductor light emitting device chip 220, and an encapsulant 230.

몸체(210)는 측벽(211) 및 바닥부(212)를 포함한다. 바닥부(212)는 홀(213)을 포함한다. 또한 측벽(211) 및 바닥부(212)에 의해 형성된 캐비티(214)를 포함한다. 바닥부(212)는 상면(215)과 하면(216)을 포함한다. 측벽(211)은 외측면(217)과 내측면(218)을 포함한다. 측벽(211)의 높이(H)는 바닥부(212)의 길이(L)보다 작을 수 있다. 예를 들어 측벽(211)의 높이(H)는 0.1mm 이상 내지 0.6mm 이하 일 수 있으며, 바닥부(212)의 길이(L)는 0.5mm 이상일 수 있다. 또한 측벽(211)은 필요에 따라 없을 수도 있다.(미도시). 홀(213)의 크기는 반도체 발광소자 칩(220)의 크기와 비슷하거나 반도체 발광소자 칩(220)의 크기의 1.5배가 바람직하다. 또한 홀(213)의 측면(240)은 광 추출 효율의 향상을 위해 경사진 것이 바람직하다.The body 210 includes a sidewall 211 and a bottom 212. The bottom portion 212 includes a hole 213. And a cavity 214 formed by the side wall 211 and the bottom portion 212. The bottom portion 212 includes a top surface 215 and a bottom surface 216. The side wall 211 includes an outer surface 217 and an inner surface 218. The height H of the side wall 211 may be less than the length L of the bottom portion 212. [ For example, the height H of the side wall 211 may be 0.1 mm or more and 0.6 mm or less, and the length L of the bottom portion 212 may be 0.5 mm or more. The side wall 211 may also be omitted if necessary (not shown). The size of the hole 213 may be approximately the same as the size of the semiconductor light emitting device chip 220 or 1.5 times the size of the semiconductor light emitting device chip 220. Further, the side surface 240 of the hole 213 is preferably inclined for improving the light extraction efficiency.

반도체 발광소자 칩(220)은 홀(213)에 위치하고 있다. 반도체 발광소자 칩(220)은 래터럴 칩, 수직 칩 및 플립 칩이 가능하다. 다만 본 개시에서 반도체 발광소자 칩의 전극(221)이 몸체(210) 바닥부(212) 하면(216) 방향으로 노출되어 있는 점에서 플립 칩이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)는 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 낮은 것이 바람직하다. 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)보다 높은 경우 반도체 발광소자(200)의 광 추출 효율이 떨어질 수 있기 때문이다. 다만 광 추출 효율이 떨어질 수 있지만, 광 경로 등을 고려하여 바닥부(212)의 높이(219)가 반도체 발광소자 칩(220)의 높이보다 높게 할 수도 있다. 바닥부(212)의 높이(219) 및 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 바닥부(212)의 하면(216)을 기준으로 측정할 수 있다. 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(222)는 0.05mm 이상 내지 0.5mm 이하 일 수 있다. 바닥부(212)의 높이(219)는 0.08mm 이상 내지 0.4mm 이하 일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 220 is located in the hole 213. The semiconductor light emitting device chip 220 may be a lateral chip, a vertical chip, and a flip chip. However, the flip chip is preferable in that the electrode 221 of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the direction of the bottom surface 212 of the body 210 in the present disclosure. The height 219 of the bottom 212 is preferably lower than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220. If the height 219 of the bottom part 212 is higher than the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220, the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 200 may deteriorate. However, the height 219 of the bottom part 212 may be higher than the height of the semiconductor light emitting device chip 220 in consideration of the optical path and the like. The height 219 of the bottom portion 212 and the height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 can be measured based on the bottom surface 216 of the bottom portion 212. The height 222 of the semiconductor light emitting device chip 220 may be 0.05 mm or more to 0.5 mm or less. The height 219 of the bottom portion 212 may be greater than or equal to 0.08 mm and less than or equal to 0.4 mm.

봉지재(230)는 적어도 캐비티(214)에 구비되어 반도체 발광소자 칩(220)을 덮고 있어서, 홀(213)에 위치하고 있는 반도체 발광소자 칩(220)을 몸체(210)에 고정시킬 수 있다. 봉지재(230)는 투광성을 갖고 있으며, 예를 들어 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 하나로 이루어질 수 있다. 필요한 경우 파장 변환재(231)를 포함할 수 있다. 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자 칩(220)의 활성층으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)₂SiO₄:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재(231)는 반도체 발광소자에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다.The encapsulant 230 is provided at least in the cavity 214 to cover the semiconductor light emitting device chip 220 so that the semiconductor light emitting device chip 220 located in the hole 213 can be fixed to the body 210. The sealing material 230 has a light-transmitting property, and may be made of one of, for example, an epoxy resin and a silicone resin. And may include a wavelength conversion material 231 if necessary. The wavelength converting material 231 may be any material as long as it converts light generated from the active layer of the semiconductor light emitting device chip 220 into light having a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) For example, YAG, (Sr, Ba, Ca) ₂ SiO ₄ : Eu, etc.) is preferably used. Further, the wavelength converting material 231 can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting element, and is well known to those skilled in the art.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(300)는 접합부(330)를 포함한다. 접합부(330)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 접합부(330)는 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312)에 위치한다. 다만 몸체(310) 바닥부(311)의 하면(312) 방향으로 노출된 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 떨어져 위치한다. 접합부(330)로 인하여 반도체 발광소자(300)가 외부 기판과 접합될 때, 전극(321)만으로 접합하는 경우보다 접합력이 향상될 수 있다. 접합부(330)는 금속일 수 있다. 예를 들어 접합부(330)는 은(Ag), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나일 수 있다. 또한 접합부(330)는 2개 이상의 금속의 조합일 수 있다. 예를 들어 니켈(Ni)과 구리 조합, 크롬(Cr)과 구리 조합, 티타늄(Ti)과 구리 조합 중 하나일 수 있다. 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 접합부(330)는 다양한 조합이 가능하다. 도 5(b)는 도 5(a)의 저면도이며, 전극(321)과 접합부(330)의 배치를 확인할 수 있다. 또한 도시하지는 않았지만, 필요한 경우에는 접합부(330)가 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(321)과 접하여 위치함으로써, 전극 기능을 수행할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 300 includes a bonding portion 330. Except for the junction 330, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 200 described in FIG. The joining portion 330 is located on the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. But is spaced apart from the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 exposed in the direction of the lower surface 312 of the bottom portion 311 of the body 310. When the semiconductor light emitting device 300 is bonded to the external substrate due to the bonding portion 330, the bonding strength can be improved as compared with the case where the semiconductor light emitting device 300 is bonded only by the electrode 321. The junction 330 may be a metal. For example, the junction 330 may be one of silver (Ag), copper (Cu), and gold (Au). The abutment 330 may also be a combination of two or more metals. For example, a combination of nickel (Ni) and copper, a combination of chromium (Cr) and copper, a combination of titanium (Ti) and copper. Various combinations of junctions 330 are possible to the extent that those skilled in the art can easily modify them. 5 (b) is a bottom view of FIG. 5 (a), and the arrangement of the electrode 321 and the bonding portion 330 can be confirmed. Although not shown, if necessary, the bonding portion 330 may be disposed in contact with the electrode 321 of the semiconductor light emitting device chip 320 to perform an electrode function.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(400)는 몸체(410)의 바닥부(411)와 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 반사 물질(430)을 포함한다. 반사 물질(430)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 반사 물질(430)이 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에 위치함으로써 반도체 발광소자 칩(420)의 측면에서 나오는 빛을 반사시켜, 반도체 발광소자(400)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 반사 물질(430)은 백색 반사 물질이 바람직하다. 예를 들어 백색 실리콘 수지일 수 있다. 또한 도 6(b)와 같이 반사 물질(430)과 반도체 발광소자 칩(420) 사이에 공간(431)이 형성되게 반사 물질(430)이 위치할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 400 includes a reflective material 430 between the bottom portion 411 of the body 410 and the semiconductor light emitting device chip 420. Except for the reflective material 430, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. The reflective material 430 is positioned on the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to reflect the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 420 to improve the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 400. Reflective material 430 is preferably a white reflective material. For example, a white silicone resin. The reflective material 430 may be positioned between the reflective material 430 and the semiconductor light emitting device chip 420 as shown in FIG. 6 (b).

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(500)는 몸체(510) 측벽(511)의 내측면(513) 및 바닥부(512)의 상면(514) 중 적어도 하나에 반사층(530)을 포함한다. 반사층(530)을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 반사층(530)은 몸체(510) 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사층(530)은 예를 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR : Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등으로 될 수 있다. 특히 도 3과 같은 종래의 반도체 발광소자(100)에는 리드 프레임(110, 120)에 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되어야 하기 때문에, 반사효율이 좋은 금속의 반사층이 반도체 발광소자 칩(150)이 접합되는 리드 프레임(110, 120) 상면 전체에 전기적 쇼트 문제로 인하여 형성될 수 없었다. 그러나 본 개시에서는 반도체 발광소자 칩(520)에 접합되는 리드 프레임이 없으며, 또한 바닥부(512)의 상면(514)에 반도체 발광소자 칩(520)이 위치하지 않기 때문에, 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)이 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성될 수 있다. 반사효율이 높은 금속의 반사층(530)을 바닥부(512)의 상면(514) 전체에 형성시킴으로써, 반도체 발광소자(500)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 도시 하지는 않았지만, 반사층(530)은 홀의 측면에 위치할 수도 있다. The semiconductor light emitting device 500 includes a reflective layer 530 on at least one of the inner surface 513 of the side wall 511 of the body 510 and the upper surface 514 of the bottom portion 512. Except for the reflective layer 530, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. The reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512 of the body 510. The reflective layer 530 may be, for example, aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), high reflective white reflective material, or the like. In particular, since the semiconductor light emitting device chip 150 must be bonded to the lead frames 110 and 120 in the conventional semiconductor light emitting device 100 as shown in FIG. 3, Can not be formed on the entire upper surface of the lead frames 110 and 120 to be bonded due to an electric short problem. However, in the present disclosure, since there is no lead frame bonded to the semiconductor light emitting device chip 520 and the semiconductor light emitting device chip 520 is not disposed on the upper surface 514 of the bottom portion 512, A reflective layer 530 may be formed on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. The light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device 500 can be improved by forming the reflective layer 530 of high reflection efficiency on the entire upper surface 514 of the bottom portion 512. Although not shown, the reflective layer 530 may be located on the side of the hole.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(600)는 몸체(610) 바닥부(611)에 복수개의 홀(612)을 포함하며, 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치한다. 복수개의 홀(612) 및 각각의 홀(612)에 반도체 발광소자 칩(620)이 위치하는 것을 제외하고는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)와 동일한 특성을 갖는다. 도 8에는 2개의 홀이 기재되어 있으나, 2개 이상도 가능하다. 또한 각각의 홀(612)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(620)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다. The semiconductor light emitting device 600 includes a plurality of holes 612 in a bottom portion 611 of the body 610 and the semiconductor light emitting device chip 620 is positioned in each hole 612. The semiconductor light emitting device 300 has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 300 described in FIG. 5 except that the semiconductor light emitting device chip 620 is located in the plurality of holes 612 and the holes 612. Although two holes are shown in Fig. 8, two or more holes are possible. Further, the semiconductor light emitting device chips 620 located in the respective holes 612 can emit different colors.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 9(a)는 저면도이며, 도 9(b)는 사시도 이다.9 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 9 (a) is a bottom view, and Fig. 9 (b) is a perspective view.

반도체 발광소자(700)는 보강재(720)를 포함한다. 보강재(720)를 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 보강재(720)는 복수 개 일 수 있다. 도 9에 도시된 것처럼 보강재(720)가 2개인 경우 홀(711) 및 홀(711)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(730)은 보강재(720) 사이에 위치할 수 있다. 보강재(720)와 홀(711)은 중첩되지 않게 배치하는 것이 바람직하다. 보강재(720)는 몸체(710)의 휨이나 휨에 의한 몸체(710)의 깨짐 문제 등을 보완할 수 있다. 보강재(720)는 금속이 바람직하다. 보강재(720)는 도 3에 기재된 리드 프레임일 수도 있다. 또한 도 9(a)와 같이 위치하는 보강재(720) 및 도 10(b) 내지 도 10(c)와 같이 위치하는 보강재(720)는 도 5에 기재된 접합부의 기능도 가질 수 있다. The semiconductor light emitting device 700 includes a reinforcing member 720. Except for the reinforcing material 720, has the same characteristics as those of the semiconductor light emitting device 200 described in Fig. The number of the reinforcing members 720 may be plural. The semiconductor light emitting device chip 730 located in the holes 711 and the holes 711 may be positioned between the reinforcing members 720 when the reinforcing member 720 is two as shown in FIG. It is preferable that the reinforcing member 720 and the hole 711 are arranged so as not to overlap each other. The reinforcing member 720 can compensate for the problem of breaking the body 710 due to warping or bending of the body 710. The reinforcing material 720 is preferably a metal. The stiffener 720 may be the lead frame described in Fig. The stiffener 720 positioned as shown in Fig. 9 (a) and the stiffener 720 positioned as shown in Figs. 10 (b) through 10 (c) may also have the function of the joint shown in Fig.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 보강재의 다양한 실시 예를 보여주는 도면이다. 도 10(a) 내지 도 10(c)는 사시도이며, 도 10(d)는 저면도이다.10 is a view showing various embodiments of a stiffener in the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 10 (a) to 10 (c) are perspective views, and FIG. 10 (d) is a bottom view.

도 10(a) 내지 도 10(c)는 보강재(720)의 다양한 실시 예로서 몸체(710)의 바닥부의 상면(712)과 하면(713) 사이에 보강재(720)가 다양하게 위치하는 것을 보여주고 있다. 도 10(a)의 보강재(720)는 몸체(710)에 완전히 삽입되어 있는 것을 보여준다. 도 10(b)의 보강재(720)는 보강재(720)의 하면(721)이 몸체(710) 바닥부의 하면(713)과 일치하는 것을 보여준다. 도 10(c)의 보강재(720)는 보강재(720)의 일부가 몸체(710) 바닥부의 하면(713)에서 돌출되어 있는 것을 보여준다. 또한 도 10(d)를 보면 보강재(720)가 몸체(710)의 길이방향으로 형성되어 있는 도 9(a)와 다르게 보강재(720)가 몸체(710)의 길이방향과 세로방향에 모두 형성되어 있는 것을 보여준다. 즉 보강재(720)가 몸체(710)의 홀과 중첩되지 않게 가능한 넓게 형성되는 것이 몸체(710)의 휨이나 휨에 의한 몸체(710)의 깨짐 문제 등에 바람직하다. 10A-10C illustrate various embodiments of the stiffener 720 in which the stiffener 720 is positioned differently between the upper surface 712 and the lower surface 713 of the bottom of the body 710 Giving. The stiffener 720 of FIG. 10 (a) is fully inserted into the body 710. 10B shows that the lower surface 721 of the stiffener 720 coincides with the lower surface 713 of the bottom of the body 710. The reinforcing member 720 shown in FIG. 10C shows that a part of the reinforcing member 720 protrudes from the lower surface 713 of the bottom of the body 710. 10 (d), the stiffener 720 is formed in both the longitudinal direction and the longitudinal direction of the body 710, unlike the case of FIG. 9 (a) in which the stiffener 720 is formed in the longitudinal direction of the body 710 . That is, it is preferable that the reinforcing member 720 is formed as wide as possible so as not to overlap with the hole of the body 710, for example, a problem of breaking the body 710 due to warping or bending of the body 710.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자에서 빛이 나가는 모습을 보여주는 도면이다.11 is a view showing a state in which light is emitted from the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(200)의 캐비티(214) 내에 봉지재(230)가 형성되어 있다. 본 예에서 반도체 발광소자 칩(220)에서 나오는 빛은 봉지재(230)를 통해 반도체 발광소자(200) 밖으로 나간다. 반도체 발광소자 칩(220)에서 나오는 빛의 일부는 캐비티(214) 내에서 측벽(211)에 반사되거나, 봉지재(230)에 파장변환재(231)가 포함되는 경우에는 빛의 일부가 파장변환재(231)에 의해 경로가 변화된다. 따라서 반도체 발광소자(200) 밖으로 나가는 빛은 측벽(211)의 부재로 인해 퍼지는 빛이 반사되지 못하고 도 11과 같이 반도체 발광소자(200)의 전방과 측방으로 퍼지게 된다.An encapsulant 230 is formed in the cavity 214 of the semiconductor light emitting device 200. In this embodiment, the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 220 goes out of the semiconductor light emitting device 200 through the sealing material 230. When a part of the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 220 is reflected in the side wall 211 in the cavity 214 or the encapsulation material 230 includes the wavelength conversion material 231, The path is changed by the ash 231. Therefore, light emitted from the semiconductor light emitting device 200 is not reflected by the member of the side wall 211, but spreads toward the front side and the side of the semiconductor light emitting device 200 as shown in FIG.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.12 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 12(a)는 사시도이며, 도 12(b)는 AA'에 따른 단면도이며, 도 12(c)는 평면도이다.Fig. 12 (a) is a perspective view, Fig. 12 (b) is a sectional view along AA ', and Fig. 12 (c) is a plan view.

반도체 발광소자(800)는 몸체(810) 측벽(811)에 적어도 하나 이상의 홈(850)을 포함하며, 홈(850)까지 봉지재(830)가 채워진다. 홈(850)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(200)와 동일한 특성을 갖는다. 적어도 하나 이상의 홈(850)은 측벽(811)에서 반도체 발광소자 칩(820)보다 위에 형성된다. 홈(850)은 바닥부(812)와 평행하도록 측벽(811)을 따라서 형성될 수 있다. 측벽(811)은 상면(823)을 가진다. The semiconductor light emitting device 800 includes at least one groove 850 in the side wall 811 of the body 810 and the sealing material 830 is filled up to the groove 850. Except for the groove 850, has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 200 described in Fig. At least one groove 850 is formed on the sidewall 811 over the semiconductor light emitting device chip 820. The groove 850 may be formed along the side wall 811 so as to be parallel to the bottom portion 812. The side wall 811 has an upper surface 823.

봉지재(830)는 홈(850)이 있는 부분까지 채워지도록 하며, 홈(850)은 봉지재(830)가 넘어서 형성되지 않도록 하는 경계턱의 역할을 한다. 반도체 발광소자 칩(820)에서 나온 빛은 봉지재(830)를 통과하여 반도체 발광소자(800) 밖으로 나온다. 봉지재(830)를 통과한 캐비티(814) 내의 빛 중 일부의 빛은 측벽(811)에 부딪혀 반사된다. 그 결과, 반도체 발광소자(800)를 나온 빛은 측벽(811)에 의해서 반도체 발광소자(800)를 나오는 빛이 도 11에서 나오는 빛보다 좁게 나온다. The sealing material 830 is filled up to the portion where the groove 850 is formed, and the groove 850 serves as a boundary step to prevent the sealing material 830 from being formed. Light emitted from the semiconductor light emitting device chip 820 passes through the sealing material 830 and emerges from the semiconductor light emitting device 800. Light of a part of the light in the cavity 814 passing through the sealing material 830 is reflected on the side wall 811. As a result, the light emitted from the semiconductor light emitting device 800 is narrower than the light emitted from the semiconductor light emitting device 800 by the side wall 811, as shown in FIG.

홈(850)은 반도체 발광소자 칩(820) 위의 측벽(811)에 형성되고, 측벽(811) 상면(823)보다 아래에 형성되는 것이 바람직하다. 측벽(811) 상면(823)과 홈(850) 사이의 거리가 짧으면 빛이 나가는 각도가 좁아지는 효과가 적다. 그러므로, 바닥부(812) 상면(815)으로부터 홈(850)까지의 높이(H2)는 측벽(811) 상면(823)까지의 높이(H1)의 1/2인 것이 바람직하다. 예를 들면, 바닥부(812) 상면(815)으로부터 측벽(811) 상면(823)까지의 높이(H1)가 0.55mm일 때, 바닥부(812) 상면(815)으로부터 홈(850)까지의 높이(H2)가 0.25mm일 수 있다. 반도체 발광소자의 높이와 너비가 일정할 때, 홈(850)까지의 높이(H2)가 측벽(811)의 높이(H1)를 차지하는 비율이 적을수록 반도체 발광소자에서 나가는 빛의 각도는 좁아지고, 홈(850)까지의 높이(H2)가 측벽(811)의 높이(H1)를 차지하는 비율이 커질수록 반도체 발광소자에서 나가는 빛의 각도는 넓어진다.It is preferable that the groove 850 is formed on the side wall 811 on the semiconductor light emitting device chip 820 and below the upper surface 823 of the side wall 811. [ If the distance between the upper surface 823 of the side wall 811 and the groove 850 is short, the effect of narrowing the light out angle is small. The height H2 from the upper surface 815 of the bottom portion 812 to the groove 850 is preferably 1/2 of the height H1 to the upper surface 823 of the side wall 811. [ For example, when the height H1 from the upper surface 815 of the bottom portion 812 to the upper surface 823 is 0.55 mm, the distance from the upper surface 815 of the bottom portion 812 to the groove 850 The height H2 may be 0.25 mm. When the height and width of the semiconductor light emitting device are constant, the angle of the light emitted from the semiconductor light emitting device becomes narrower as the ratio of the height H2 to the groove 850 occupying the height H1 of the side wall 811 is small, The greater the ratio of the height H2 to the groove 850 to the height H1 of the side wall 811, the wider the angle of light exiting the semiconductor light emitting element.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 홈의 내부공간의 예들을 보여주는 도면이다. 도 13은 도 12(b)의 B를 확대한 도면이며, 다양한 예를 나타내었다.13 is a view showing examples of the inner space of the groove of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 13 is an enlarged view of B in Fig. 12 (b), showing various examples.

도 13(a), 도 13(b), 도 13(c) 및 도 13(d)은 홈(850)의 단면이다. 홈(850)은 내부공간(860)을 가지며, 홈(850)의 내부공간(860)의 일부는 봉지재(830)로 채워진다. 도 13(a)과 같이 홈(850)은 상면(851)과 하면(852)으로 둘러싼 내부공간(860)을 가지며, 상면(851)과 하면(852)이 만나는 꼭지점(853)이 형성된다. 내부공간(860)은 상면(851)과 하면(852)으로 둘러싸여 형성되며, 봉지재(830)가 내부공간(860)에 채워질 때, 꼭지점(853)까지 채워지는 것이 바람직하다. 도 13(b)과 같이 내부공간(860)의 모양은 다양하게 형성될 수 있으며, 도 13(c)과 같이 홈(850)은 꼭지점(853)을 포함하지 않도록 형성될 수 있다. 도 13(d)와 같이 홈(850)이 형성되고, 홈(850)은 제1 벽(861)과 제2 벽(862)으로 둘러싼 내부공간(860)을 가지며, 제1 벽(861)의 가장 높은 부분까지 봉지재(830)가 형성되는 예이다. 내부공간(860)에는 봉지재(830)가 채워지지 않는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 제1 벽(861)의 가장 높은 부분까지 봉지재(830)가 채워졌을 때 봉지재(830)의 표면장력을 이용하여 봉지재(830)가 내부공간(860)으로 흘러가지 않도록 하기 때문이다. 도 13에서 설명한 것을 제외하고, 도 12에서 설명된 반도체 발광소자는 실질적으로 동일하다.13 (a), 13 (b), 13 (c), and 13 (d) are cross sections of the groove 850. FIG. The groove 850 has an inner space 860 and a portion of the inner space 860 of the groove 850 is filled with the sealing material 830. As shown in FIG. 13A, the groove 850 has an inner space 860 surrounded by an upper surface 851 and a lower surface 852, and a vertex 853 at which the upper surface 851 and the lower surface 852 meet is formed. The inner space 860 is surrounded by the upper surface 851 and the lower surface 852 and is preferably filled up to the vertex 853 when the sealing material 830 is filled in the inner space 860. The shape of the inner space 860 may be variously formed as shown in FIG. 13 (b), and the groove 850 may not include the vertex 853 as shown in FIG. 13 (c). A groove 850 is formed as shown in Figure 13 (d) and the groove 850 has an inner space 860 surrounded by a first wall 861 and a second wall 862, And an encapsulant 830 is formed up to the highest portion. It is preferable that the sealing material 830 is not filled in the inner space 860. This is because the sealing material 830 does not flow into the inner space 860 by using the surface tension of the sealing material 830 when the sealing material 830 is filled up to the highest portion of the first wall 861 to be. Except as described in Fig. 13, the semiconductor light emitting elements described in Fig. 12 are substantially the same.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다.14 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(900)는 몸체(910) 바닥부(912)에 복수 개의 홀(913)을 포함하며 각각의 홀(913)에 반도체 발광소자 칩(920)이 위치한다. 복수 개의 홀(913) 및 각각의 홀(913)에 반도체 발광소자 칩(920)이 위치하는 것을 제외하고는 도 12에 기재된 반도체 발광소자(800)와 동일한 특성을 갖는다. 도 14에는 2개의 홀(913)이 기재되어 있으나, 2개 이상도 가능하다. 또한, 각각의 홀(913)에 위치하는 반도체 발광소자 칩(920)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다.The semiconductor light emitting device 900 includes a plurality of holes 913 in a bottom portion 912 of the body 910 and the semiconductor light emitting device chips 920 are disposed in the respective holes 913. The semiconductor light emitting device 800 has the same characteristics as the semiconductor light emitting device 800 described in FIG. 12 except that the semiconductor light emitting device chip 920 is located in the plurality of holes 913 and the holes 913, respectively. Although two holes 913 are shown in Fig. 14, two or more holes 913 are possible. Further, the semiconductor light-emitting device chips 920 located in the respective holes 913 can emit different colors.

도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예들을 보여주는 도면이다.15 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 15(a)와 같이 반도체 발광소자(1000)는 몸체(1010) 측벽(1011)에 복수의 홈(1050)을 포함하며, 복수의 홈(1050)은 마주보도록 형성된다. 몸체(1010) 바닥부(1012)는 장방향과 단방향을 가지며, 복수의 홈(1050)은 몸체(1010) 바닥부(1012)의 단방향측에서 서로 마주보게 형성된다. 도시하지는 않았지만 복수의 홈(1050)은 몸체(1010) 바닥부(1012)의 장방향측에서 서로 마주보게 형성될 수 있다. 도 15(b)와 같이 반도체 발광소자(1000)는 몸체(1010) 측벽(1011)에 복수의 홈(1050)을 포함하며, 복수의 홈(1050)은 일정 간격을 가지도록 형성된다. 복수의 홈(1050)은 바닥부(1012)와 평행하도록 측벽(1011)을 따라서 형성된다. 도시하지는 않았지만 적어도 하나 이상의 홈(1050)은 일정하지 않은 간격을 가지도록 형성될 수 있다. 도 15에서 설명한 것을 제외하고, 도 12에서 설명된 반도체 발광소자는 실질적으로 동일하다.15A, the semiconductor light emitting device 1000 includes a plurality of grooves 1050 on a side wall 1011 of a body 1010, and a plurality of grooves 1050 are formed to face each other. The bottom 1012 of the body 1010 has a longitudinal direction and a unidirectional direction and the plurality of grooves 1050 are formed facing each other on the unidirectional side of the bottom 1012 of the body 1010. Although not shown, a plurality of grooves 1050 can be formed facing each other on the longitudinal direction side of the bottom 1012 of the body 1010. 15B, the semiconductor light emitting device 1000 includes a plurality of grooves 1050 on the sidewall 1011 of the body 1010, and the plurality of grooves 1050 are formed to have a predetermined distance. A plurality of grooves 1050 are formed along the sidewalls 1011 to be parallel to the bottom 1012. Although not shown, at least one groove 1050 may be formed to have an uneven spacing. Except as described in Fig. 15, the semiconductor light emitting elements described in Fig. 12 are substantially the same.

본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다. Various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 바닥부와 측벽을 구비하며, 바닥부와 측벽에 의해 형성된 캐비티를 포함하는 몸체;로서, 측벽에는 적어도 하나 이상의 홈이 형성되고, 바닥부에는 적어도 하나 이상의 홀이 형성된 몸체; 각각의 홀에 수용되는 반도체 발광소자 칩;으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩; 그리고, 적어도 캐비티에 구비되어 반도체 발광소자 칩을 덮도록 측벽의 홈까지 채워지는 봉지재;를 포함하며, 반도체 발광소자 칩의 전극이 몸체 바닥부의 하면 방향으로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (1) A semiconductor light emitting device comprising: a body including a bottom portion and a side wall, the body including a cavity formed by a bottom portion and a side wall, wherein at least one groove is formed in the side wall, A formed body; A semiconductor light emitting device chip accommodated in each hole, comprising: a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes; and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers; And an encapsulant which is provided at least in the cavity so as to fill the groove of the side wall so as to cover the semiconductor light emitting device chip, wherein the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in the bottom direction of the bottom of the body. .

(2) 측벽에 복수의 홈이 형성되며, 복수의 홈이 서로 마주보고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) A plurality of grooves are formed in a side wall, and a plurality of grooves are facing each other.

(3) 몸체 바닥부는 장방향과 단방향을 가지며, 복수의 홈은 몸체 바닥부의 장방향측에서 서로 마주보게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the bottom of the body has a longitudinal direction and a unidirectional direction, and the plurality of grooves are formed to face each other on the longitudinal direction side of the body bottom.

(4) 몸체 바닥부는 장방향과 단방향을 가지며, 복수의 홈은 몸체 바닥부의 단방향측에서 서로 마주보게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the body bottom portion has a longitudinal direction and a unidirectional direction, and the plurality of grooves are formed to face each other on a unidirectional side of a bottom portion of the body.

(5) 적어도 하나 이상의 홈은 측벽에서 반도체 발광소자 칩보다 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device as claimed in claim 1, wherein at least one groove is formed on the side wall of the semiconductor light emitting device chip.

(6) 바닥부에서 홈의 높이는 바닥부에서 측벽 상면까지의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The height of the groove in the bottom portion is lower than the height from the bottom portion to the top surface of the side wall.

(7) 바닥부에서 홈의 높이는 바닥부에서 측벽 상면까지의 높이의 1/2인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The height of the groove in the bottom portion is 1/2 of the height from the bottom portion to the top surface of the side wall.

(8) 적어도 하나 이상의 홈은 내부공간을 형성하며, 내부공간의 일부만 봉지재로 채워지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein at least one groove forms an inner space, and only a part of the inner space is filled with an encapsulating material.

(9) 적어도 하나 이상의 홈은 바닥부와 평행하도록 측벽을 따라서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device as claimed in claim 1, wherein at least one groove is formed along the sidewall so as to be parallel to the bottom.

(10) 측벽에 복수의 홈이 형성되며, 홈은 일정간격으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.Wherein a plurality of grooves are formed in the sidewalls of the semiconductor substrate (10), and the grooves are formed at regular intervals.

본 개시에 따르면 반도체 발광소자 칩의 전극이 직접 외부 기판과 접합하는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. According to the present disclosure, a semiconductor light emitting element in which an electrode of a semiconductor light emitting element chip is directly bonded to an external substrate can be obtained.

또한 본 개시에 따르면 플립 칩을 사용하였음에도 리드 프레임과 플립 칩 사이의 접합에 의해 플립 칩에서 나오는 광량에 손실이 없도록 리드 프레임과 플립 칩 사이에 접합이 필요없는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.Also, according to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device which does not require bonding between the lead frame and the flip chip so that there is no loss in the amount of light emitted from the flip chip due to the bonding between the lead frame and the flip chip.

또한, 본 개시에 따르면 3면 또는 측면 발광의 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.Further, according to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting element of three-sided or side emission.

또한, 본 개시에 따르면 측벽에 형성된 홈까지 봉지재가 형성되는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.Further, according to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting element in which a sealing material is formed up to the groove formed in the side wall.

또한, 본 개시에 따르면 빛이 나가는 각도가 측벽의 길이에 의해 조절되는 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to obtain a semiconductor light emitting device in which the angle of light is controlled by the length of the side wall.

또한, 본 개시에 따르면 반도체 발광소자의 측벽의 높이가 한정될 때, 반도체 발광소자에서 나가는 빛의 각도를 효율적으로 조절 가능한 반도체 발광소자를 제공하고자 한다.Also, according to the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device capable of efficiently adjusting the angle of light emitted from the semiconductor light emitting device when the height of the side wall of the semiconductor light emitting device is limited.

반도체 발광소자 : 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 900, 1000
반도체 발광소자 칩 : 150, 220, 320, 420, 520, 620, 730, 820, 920
보강재 : 720Semiconductor light emitting devices: 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 900, 1000
Semiconductor light-emitting device chips: 150, 220, 320, 420, 520, 620, 730, 820, 920
Reinforcement: 720

Claims

In the semiconductor light emitting device,
1. A body comprising a bottom portion and a side wall, the body including a cavity formed by a bottom portion and a side wall, the body having at least one groove formed in the side wall and at least one hole formed in the bottom portion;
A semiconductor light emitting device chip accommodated in each hole, comprising: a plurality of semiconductor layers which generate light by recombination of electrons and holes; and an electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers; And,
And an encapsulant which is provided at least in the cavity and is filled up to the groove of the side wall so as to cover the semiconductor light emitting device chip,
Wherein an electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed in a bottom direction of a bottom portion of the body.

The method according to claim 1,
A plurality of grooves are formed in the side wall,
And the plurality of grooves face each other.

The method of claim 2,
Wherein the body bottom portion has a longitudinal direction and a unidirectional direction, and the plurality of grooves are formed to face each other at the longitudinal direction side of the body bottom portion.

The method of claim 2,
Wherein the body bottom portion has a longitudinal direction and a unidirectional direction, and the plurality of grooves are formed to face each other on the unidirectional side of the body bottom portion.

The method according to claim 1,
Wherein at least one groove is formed on the side wall of the semiconductor light emitting device chip.

The method according to claim 1,
And the height of the groove in the bottom portion is lower than the height from the bottom portion to the top surface of the side wall.

The method of claim 6,
And the height of the groove in the bottom portion is 1/2 of the height from the bottom portion to the top surface of the side wall.

The method according to claim 1,
At least one groove forms an inner space,
Wherein only a part of the inner space is filled with an encapsulating material.

The method according to claim 1,
And at least one groove is formed along the side wall so as to be parallel to the bottom portion.

The method of claim 9,
A plurality of grooves are formed in the side wall,
And the grooves are formed at regular intervals.