KR20170119763A - 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170119763A KR20170119763A KR1020160047377A KR20160047377A KR20170119763A KR 20170119763 A KR20170119763 A KR 20170119763A KR 1020160047377 A KR1020160047377 A KR 1020160047377A KR 20160047377 A KR20160047377 A KR 20160047377A KR 20170119763 A KR20170119763 A KR 20170119763A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode lines
- line
- center
- substrate
- cantilever
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2237/00—Mechanism between key and laykey
- H01H2237/004—Cantilever
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
본 발명은 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기존과 달리 복수 개의 도전성 캔틸레버 빔을 수평으로 나란히 구비함으로써, 이웃한 캔틸레버 빔이 상호 구동할 수 있게 되어, 캔틸레버 빔의 이동범위를 감소시켜 소자의 신뢰성을 높이고 동작전압을 낮출 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 전기기계 스위칭 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수 개의 도전성 캔틸레버 빔(conductive cantilever beam)이 수평으로 나란히 형성되어 상호 구동하는 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 FPGA로 대표되는 재구성가능 회로에 대한 시장의 수요는 폭발적으로 증가하고 있다. 하지만 기존의 재구성가능 회로에 적용되는 스위칭 소자는 CMOS baseline 공정 기술을 이용하여 구현되게 되는데 이는 면적의 손실, 성능 저하, 수율 저하를 초래하게 된다.
이를 극복하기 위하여 최근 다양한 스위칭 소자가 연구되고 있다. 특히, 그 중에서도 반도체 소자가 아닌 기계적으로 움직이는 소자를 이용하여 스위칭 소자를 구현하려는 전기기계 스위칭 소자에 대한 연구가 최근 활발히 진행되고 있다. 본 발명자도 한국 등록특허 제1383760호를 통해 알려진 바와 같이 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 및 그 제조방법을 개발한 바 있다.
상기 한국 등록특허 제1383760호에 개시된 수평 구동형 전기기계 메모리 소자는, 도 1에 도시된 바와 같이, 쓰기 워드라인(50')과 읽기 워드라인(70')에 인가되는 전압으로 유도되는 정전기력에 의해 비트라인(60')에 연결된 캔틸레버 빔(62')이 수평으로 회전 구동하여 "0"과 "1"을 저장하는 방식으로 동작한다. 그러나, 쓰기 워드라인(50')과 읽기 워드라인(70')은 기판(10') 상에 절연막(22')으로 고정 지지되어 전압 인가시에도 움직일 수 없는 구조이어서, 중앙에 있는 캔틸레버 빔(62')의 구동만 요구되어 높은 스트레스로 반복 동작에 따른 소자의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있고, 캔틸레버 빔(62')의 회전 각도를 줄여 동작전압을 낮추기 위해 구비된 각 라인의 돌출부(52', 72')는 캔틸레버 빔(62')과 최소 이격 거리, 즉 공정상 미세 패턴의 폭을 유지할 수밖에 없으므로 이를 통해 동작전압을 낮추는데도 한계가 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 기존과 달리 복수 개의 도전성 캔틸레버 빔을 수평으로 나란히 구비함으로써, 이웃한 캔틸레버 빔이 상호 구동할 수 있는 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자는 소정의 평탄면을 갖는 기판; 상기 기판상에 수평으로 서로 이격되어 형성된 복수 개의 전극 라인; 및 상기 각 전극 라인에 하나 이상 일체로 형성되어 상기 기판상에 부양되며 수평으로 서로 이격되어 일정 길이로 나란히 배치된 복수 개의 캔틸레버 빔을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 복수 개의 전극 라인은 상기 기판상에 각각 국부적으로 형성된 절연막으로 지지되며 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되어 형성된 제 1, 2 전극 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인과 이웃하여 상기 복수 개의 캔틸레버 빔 중 하나와 일체로 형성된 중앙 빔 라인을 포함하여 구성되고, 상기 복수 개의 캔틸레버 빔은 상기 중앙 빔 라인에 연결된 중앙 캔틸레버 빔과, 상기 중앙 캔틸레버 빔을 가운데 두고 상기 제 1 전극 라인 및 상기 제 2 전극 라인에 각각 연결된 좌, 우측 캔틸레버 빔을 포함하여 구성되고, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔은 상기 제 1, 2 전극 라인 사이에서 상기 제 1 수평방향과 수직인 제 2 수평방향으로 일정 길이로 나란히 배치된 것을 본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 다른 특징으로 한다.
상기 중앙 빔 라인은 상기 제 1, 2 전극 라인의 일 측면에 상기 제 1 수평방향으로 형성되고, 상기 제 1, 2 전극 라인은 상기 제 2 수평방향으로 형성되고, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔은 상기 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되며 상기 제 2 수평방향으로 부양된 소정의 길이를 갖는 것을 본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 다른 특징으로 한다.
상기 중앙 빔 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인은 상기 절연막으로만 지지되거나 상기 절연막 내에 형성된 컨택 플러그로 함께 지지되는 것을 본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 다른 특징으로 한다.
본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법은 소정의 평탄면을 갖는 기판상에 절연막 층을 형성하는 제 1 단계; 상기 절연막 층 상에 도전층을 형성하는 제 2 단계; 상기 도전층을 식각하여 중앙 빔 라인, 제 1, 2 전극 라인, 중앙 캔틸레버 빔과 좌, 우측 캔틸레버 빔을 형성하는 제 3 단계; 및 상기 중앙 빔 라인, 제 1, 2 전극 라인, 중앙 캔틸레버 빔 및 좌, 우측 캔틸레버 빔을 마스크로 하여 상기 절연막 층을 식각하여, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔이 상기 기판상에서 부양되도록 하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔의 폭과 사이 간격, 상기 좌측 캔틸레버 빔과 상기 제 1 전극 라인 사이 간격 및 상기 우측 캔틸레버 빔과 상기 제 2 전극 라인 사이 간격을 결정하기 위한 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 제조방법의 다른 특징으로 한다.
상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 중앙 빔 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인의 컨택 플러그용 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 본 발명에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 제조방법의 다른 특징으로 한다.
본 발명은 복수 개의 캔틸레버 빔을 수평으로 나란히 구비함으로써, 이웃한 캔틸레버 빔이 상호 구동할 수 있게 되어, 캔틸레버 빔의 이동범위를 감소시켜 소자의 신뢰성을 높이고 동작전압을 획기적으로 낮출 수 있는 효과가 있다.
도 1은 한국 등록특허 제1383760호에 개시된 수평 구동형 전기기계 메모리 소자의 구조 및 동작원리를 보여주는 사시도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조공정을 보여주는 공정 사시도이다.
도 6 및 도 7은 각각 도 5의 AA'선 단면도 및 BB'선 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조공정을 보여주는 공정 사시도이다.
도 6 및 도 7은 각각 도 5의 AA'선 단면도 및 BB'선 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하며 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시 예에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자는 기본적으로, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 소정의 평탄면을 갖는 기판(10); 상기 기판상에 수평으로 서로 이격되어 형성된 복수 개의 전극 라인(40, 50, 60); 및 상기 각 전극 라인에 하나 이상 일체로 형성되어 상기 기판상에 부양되며 수평으로 서로 이격되어 일정 길이로 나란히 배치된 복수 개의 캔틸레버 빔(42, 52, 62)을 포함하여 구성된다.
상기와 같이, 복수 개의 캔틸레버 빔(42, 52, 62)이 각 전극 라인(40)(50)(60)과 일체로 형성되고, 상기 기판(10)상에 부양되며 수평으로 서로 이격되어 일정 길이로 나란히 배치됨으로써, 이웃한 캔틸레버 빔이 상호 구동할 수 있게 되어, 종래 하나의 캔틸레버 빔만 구동시켜 동작하는 것보다 소자의 신뢰성을 높이고 동작전압도 훨씬 낮출 수 있게 된다.
상기 전극 라인(40, 50, 60)의 개수와 각 전극 라인에 연결된 캔틸레버 빔(42, 52, 62)의 개수는 필요에 따라 다양할 수 있으나, 도 5의 실시 예와 같이, 적어도 3개의 전극 라인(40, 50, 60)과 각 전극 라인에 하나씩 연결된 3개의 캔틸레버 빔(42, 52, 62)을 포함하여 구성될 수 있다.
따라서, 구체적인 실시 예로, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 복수 개의 전극 라인은 상기 기판(10)상에 각각 국부적으로 형성된 절연막(22)으로 지지되며 제 1 수평방향(예컨대, x축 방향)으로 일정거리 이격되어 형성된 제 1, 2 전극 라인(50, 60)과 상기 제 1, 2 전극 라인과 이웃하여 상기 복수 개의 캔틸레버 빔 중 하나(42)와 일체로 형성된 중앙 빔 라인(40)을 포함하여 구성되고, 상기 복수 개의 캔틸레버 빔은 상기 중앙 빔 라인에 연결된 중앙 캔틸레버 빔(42)과, 상기 중앙 캔틸레버 빔을 가운데 두고 상기 제 1 전극 라인 및 상기 제 2 전극 라인에 각각 연결된 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)을 포함하여 구성되고, 상기 중앙 캔틸레버 빔(42)과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)은 상기 제 1, 2 전극 라인(50, 60) 사이에서 상기 제 1 수평방향(x축 방향)과 수직인 제 2 수평방향(y축 방향)으로 일정 길이로 나란히 배치될 수 있다.
상기와 같이 구성됨으로써, 제 1, 2 전극 라인(50, 60)에 인가되는 전압에 따라 중앙 캔틸레버 빔(42)이 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62) 중 어느 하나와 서로 붙었다 떨어지게 동작하여 멀티플렉서로, 궁극적으로는 재구성 가능한 논리회로의 구현을 위한 스위칭 소자로 이용될 수 있다.
나아가, 상기 복수 개의 캔틸레버 전극(42, 52, 62)의 물질에 따라, 즉 휨(bending)의 상태를 유지하는 빔 자체 변형력(stiction force)이 빔의 복원력(탄성력)보다 클 경우에는 비휘발성 메모리 소자로 동작할 수 있고, 그 반대의 경우에는 휘발성 메모리 소자로 동작할 수도 있다.
보다 구체적으로, 도 5와 같이, 상기 중앙 빔 라인(40)은 상기 제 1, 2 전극 라인(50, 60)의 일 측면에 상기 제 1 수평방향(x축 방향)으로 형성되고, 상기 제 1, 2 전극 라인(50, 60)은 상기 제 2 수평방향(y축 방향)으로 형성되고, 상기 중앙 캔틸레버 빔(42)과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)은 상기 제 1 수평방향(x축 방향)으로 일정거리 이격되며 상기 제 2 수평방향(y축 방향)으로 부양된 소정의 길이를 갖도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 중앙 빔 라인(40)과 상기 제 1, 2 전극 라인(50, 60)은 상기 절연막(22)으로만 지지될 수도 있으나, 도 6 및 도 7과 같이, 상기 절연막(22) 내에 형성된 컨택 플러그(41)로 함께 지지되도록 하여 기판(10)에 형성된 전도성 라인(예컨대, 상기 기판이 반도체 기판일 경우 불순물 도핑 라인)과 전기적으로 연결되도록 함이 바람직하다. 전자의 예는 논리회로의 스위칭 소자로 사용될 경우에 바람직하고, 후자의 예는 메모리 소자로 사용될 경우에 바람직하다.
특히, 상술한 실시 예를 메모리 소자로 사용할 경우, 상기 중앙 빔 라인(40)은 비트라인으로, 상기 제 1, 2 전극 라인(50, 60)은 각각 읽기 워드라인, 쓰기 워드라인으로 하여, 수직방향(z축 방향)으로 얼마든지 적층하며 집적된 메모리 어레이를 구성할 수 있게 된다. 이에 대한 메모리 소자의 동작, 어레이 구성 등은 한국 등록특허 제1383760호에 개시된 내용과 유사하므로 이에 대한 설명은 생략한다.
다음은, 도 2 내지 도 5를 참조하며, 상술한 실시 예에 의한 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법에 대하여 설명한다.
먼저, 도 2와 같이, 소정의 평탄면을 갖는 기판(10)상에 절연막 층(20)을 형성한다(제 1 단계).
여기서, 상기 기판(10)은 소자의 구조물을 형성할 수 있고 지지할 수 있는 소정의 평탄면을 갖는 것이면 어떤 것도 가능하나, 메모리 어레이에서 중앙 빔 라인(40)을 비트라인으로 하여 배선을 기판(10)에 형성하고자 할 경우에는 반도체 기판(예컨대, 실리콘 기판)으로 사용함이 바람직하다.
물론, 반도체 기판(10)에 비트라인의 배선을 형성할 경우에는 상기 절연막 층(20) 형성 이전에 기판(10)의 도전형과 반대되는 도전형을 갖는 불순물을 기판(10) 상부에 도핑 함으로써, 불순물 도핑 라인으로 미리 형성한다.
그리고, 상기 절연막 층(20)은 상기 기판(10)으로 실리콘 기판을 사용할 경우, 실리콘 산화막으로 형성할 수 있다.
또한, 상기 기판(10)에 비트라인의 배선을 형성한 경우이거나, 차후 중앙 캔틸레버 빔(42)의 지지대를 중앙 빔 라인(40) 등 각 라인과 동시에 형성하기 위해서는 다음 단계로 진행하기 이전에 상기 절연막 층(20) 상에 컨택 플러그(41)용 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 진행하는 것이 바람직하다.
이어, 도 2와 같이, 상기 절연막 층(20) 상에 도전층(30)을 형성한다(제 2 단계).
여기서, 상기 도전층(30)은 금속막뿐만 아니라 불순물이 도핑된 반도체층(예컨대, 실리콘계 막: 폴리실리콘막, 비정질실리콘막 등)일 수 있고, 상기 도전층(30)으로 차후 복수 개의 캔틸레버 전극(42, 52, 62)도 형성하게 되므로, 유연하면서도 피로도에 강한 물질로 선택함이 바람직하다.
또한, 다음 단계로 진행하기 이전에, 도3 및 도 4와 같이, 상기 도전층(30)에 차후 중앙 캔틸레버 빔(42)과 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)의 폭과 사이 간격, 좌측 캔틸레버 빔(52)과 제 1 전극 라인(50) 사이 간격 및 우측 캔틸레버 빔(62)과 제 2 전극 라인(60) 사이 간격을 결정하기 위한 미세 패턴(31, 32, 33, 34)을 형성하기 위한 공정을 더 진행하는 것이 바람직하다.
이때, 미세 패턴(31, 32, 33, 34)은 광학사진 공정, 전자빔(e-beam) 혹은 이온빔(FIB: Focused Ion Beam), 측벽(sidewall spacer) 공정을 이용하여 매우 가늘면서 함몰된 형태로 형성하게 된다.
이후, 도 4와 같이, 상기 도전층(30)을 식각하여 중앙 빔 라인(30), 제 1, 2 전극 라인(50, 60), 중앙 캔틸레버 빔(42)과 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)을 형성한다(제 3 단계).
여기서, 상기 도전층(30)의 식각은 광학사진 공정 등으로 진행하며 필요없는 도전층을 제거하게 된다.
다음, 도 5와 같이, 상기 중앙 빔 라인(40), 제 1, 2 전극 라인(50, 60), 중앙 캔틸레버 빔(42) 및 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)을 마스크로 하여 상기 절연막 층(20)을 식각하여, 상기 중앙 캔틸레버 빔(42)과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)이 상기 기판(10)상에서 부양되도록 한다(제 4 단계).
여기서, 상기 절연막 층(20)의 식각은 상기 절연막 층(20)이 중앙 캔틸레버 빔(42) 및 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)의 각 하부에 국부적으로 남아 있도록 함과 동시에 중앙 캔틸레버 빔(42)과 좌, 우측 캔틸레버 빔(52, 62)의 밑에는 완전히 제거되어 부양되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 절연막 층(20)의 식각 공정은 통상의 습식 식각(wet etch)으로 이루어질 수 있는데, 상기 절연막 층(20)이 실리콘 산화막으로 형성된 경우에는 HF vapor etch 방식으로 진행될 수 있다.
기타, 나머지 공정은 통상의 CMOS의 공정 및 공지의 전기기계 메모리 소자 공정에 의하므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
10: 기판 20: 절연막 층
22: 절연막 30: 도전층
31, 32, 33, 34: 미세 패턴 40: 중앙 빔 라인
41: 컨택 플러그 42: 중앙 캔틸레버 빔
50: 제 1 전극 라인 52: 좌측 캔틸레버 빔
60: 제 2 전극 라인 62: 우측 캔틸레버 빔
22: 절연막 30: 도전층
31, 32, 33, 34: 미세 패턴 40: 중앙 빔 라인
41: 컨택 플러그 42: 중앙 캔틸레버 빔
50: 제 1 전극 라인 52: 좌측 캔틸레버 빔
60: 제 2 전극 라인 62: 우측 캔틸레버 빔
Claims (7)
- 소정의 평탄면을 갖는 기판;
상기 기판상에 수평으로 서로 이격되어 형성된 복수 개의 전극 라인; 및
상기 각 전극 라인에 하나 이상 일체로 형성되어 상기 기판상에 부양되며 수평으로 서로 이격되어 일정 길이로 나란히 배치된 복수 개의 캔틸레버 빔을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자.
- 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 전극 라인은 상기 기판상에 각각 국부적으로 형성된 절연막으로 지지되며 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되어 형성된 제 1, 2 전극 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인과 이웃하여 상기 복수 개의 캔틸레버 빔 중 하나와 일체로 형성된 중앙 빔 라인을 포함하여 구성되고,
상기 복수 개의 캔틸레버 빔은 상기 중앙 빔 라인에 연결된 중앙 캔틸레버 빔과, 상기 중앙 캔틸레버 빔을 가운데 두고 상기 제 1 전극 라인 및 상기 제 2 전극 라인에 각각 연결된 좌, 우측 캔틸레버 빔을 포함하여 구성되고,
상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔은 상기 제 1, 2 전극 라인 사이에서 상기 제 1 수평방향과 수직인 제 2 수평방향으로 일정 길이로 나란히 배치된 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자.
- 제 2 항에 있어서,
상기 중앙 빔 라인은 상기 제 1, 2 전극 라인의 일 측면에 상기 제 1 수평방향으로 형성되고,
상기 제 1, 2 전극 라인은 상기 제 2 수평방향으로 형성되고,
상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔은 상기 제 1 수평방향으로 일정거리 이격되며 상기 제 2 수평방향으로 부양된 소정의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자.
- 제 3 항에 있어서,
상기 중앙 빔 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인은 상기 절연막으로만 지지되거나 상기 절연막 내에 형성된 컨택 플러그로 함께 지지되는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자.
- 소정의 평탄면을 갖는 기판상에 절연막 층을 형성하는 제 1 단계;
상기 절연막 층 상에 도전층을 형성하는 제 2 단계;
상기 도전층을 식각하여 중앙 빔 라인, 제 1, 2 전극 라인, 중앙 캔틸레버 빔과 좌, 우측 캔틸레버 빔을 형성하는 제 3 단계; 및
상기 중앙 빔 라인, 제 1, 2 전극 라인, 중앙 캔틸레버 빔 및 좌, 우측 캔틸레버 빔을 마스크로 하여 상기 절연막 층을 식각하여, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔이 상기 기판상에서 부양되도록 하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에는, 상기 중앙 캔틸레버 빔과 상기 좌, 우측 캔틸레버 빔의 폭과 사이 간격, 상기 좌측 캔틸레버 빔과 상기 제 1 전극 라인 사이 간격 및 상기 우측 캔틸레버 빔과 상기 제 2 전극 라인 사이 간격을 결정하기 위한 미세 패턴 형성 공정을 더 진행하는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 단계와 상기 제 2 단계 사이에는, 상기 절연막 층 상에 상기 중앙 빔 라인과 상기 제 1, 2 전극 라인의 컨택 플러그용 컨택 홀을 형성하는 단계를 더 진행하는 것을 특징으로 하는 수평 구동 전기기계 스위칭 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160047377A KR101804363B1 (ko) | 2016-04-19 | 2016-04-19 | 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160047377A KR101804363B1 (ko) | 2016-04-19 | 2016-04-19 | 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170119763A true KR20170119763A (ko) | 2017-10-30 |
| KR101804363B1 KR101804363B1 (ko) | 2017-12-05 |
Family
ID=60301290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160047377A KR101804363B1 (ko) | 2016-04-19 | 2016-04-19 | 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101804363B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200008728A (ko) * | 2018-07-17 | 2020-01-29 | 서강대학교산학협력단 | 저전압 구동 스위칭소자 및 이의 제조 방법 |
| CN111312532A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-19 | 深圳市卡贝电子技术有限公司 | 一种电流通量增大防止触点发热烧毁的电子开关与方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005209625A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｍｅｍｓスイッチ |
-
2016
- 2016-04-19 KR KR1020160047377A patent/KR101804363B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200008728A (ko) * | 2018-07-17 | 2020-01-29 | 서강대학교산학협력단 | 저전압 구동 스위칭소자 및 이의 제조 방법 |
| CN111312532A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-06-19 | 深圳市卡贝电子技术有限公司 | 一种电流通量增大防止触点发热烧毁的电子开关与方法 |
| CN111312532B (zh) * | 2020-03-26 | 2021-02-02 | 深圳市卡贝电子技术有限公司 | 一种电流通量增大防止触点发热烧毁的电子开关与方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101804363B1 (ko) | 2017-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10405118B2 (en) | Semiconductor devices having a membrane layer with smooth stress-relieving corrugations and methods of fabrication thereof | |
| JP4580745B2 (ja) | 圧電駆動型ｍｅｍｓ装置 | |
| CN107949907B (zh) | 包含导电线的半导体装置及形成半导体装置的方法 | |
| US9685408B1 (en) | Contact pad structure and method for fabricating the same | |
| US20130285164A1 (en) | Mems device and method of manufacturing the same | |
| TWI512948B (zh) | 製造高集積度半導體裝置的方法以及利用該方法製成的半導體裝置 | |
| JP2015073338A5 (ko) | ||
| KR101804363B1 (ko) | 수평 구동 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법 | |
| US20100252875A1 (en) | Structure and fabricating process of non-volatile memory | |
| TWI496176B (zh) | 微機電系統裝置和製造微機電系統裝置的方法 | |
| US9941153B1 (en) | Pad structure and manufacturing method thereof | |
| US9287050B2 (en) | MEMS and method of manufacturing the same | |
| KR101383760B1 (ko) | 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
| KR101912876B1 (ko) | 전기기계적 스위칭 소자 및 제조 방법 | |
| US8927425B1 (en) | Self-aligned patterning technique for semiconductor device features | |
| KR101411362B1 (ko) | Ｈ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
| JP5870616B2 (ja) | Ｍｅｍｓスイッチおよびその製造方法 | |
| WO2015112282A1 (en) | Double patterning method of forming semiconductor active areas and isolation regions | |
| JP5167652B2 (ja) | Ｍｅｍｓ素子 | |
| US20030173112A1 (en) | Interconnect bus crossover for MEMS | |
| JP2010272703A (ja) | 不揮発性メモリの構造および製造プロセス | |
| US9045330B2 (en) | MEMS element and method of manufacturing the same | |
| JP2008210640A (ja) | 静電駆動素子およびそれを備えた静電駆動デバイス | |
| KR101414567B1 (ko) | Ｔ셀 구조를 갖는 수평 구동형 전기기계 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
| RU2584267C1 (ru) | Способ изготовления электромеханического элемента памяти с подвижными электродами |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |