KR20170111618A

KR20170111618A - Lighting module

Info

Publication number: KR20170111618A
Application number: KR1020160037446A
Authority: KR
Inventors: 김기현
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2016-03-29
Filing date: 2016-03-29
Publication date: 2017-10-12

Abstract

실시 예에 개시된 조명 모듈은, 발광 소자가 배치된 복수의 발광 모듈; 상기 복수의 광학 모듈 각각의 위에 배치된 복수의 제1광학 렌즈; 상기 복수의 제1광학 렌즈 상에 배치되며 볼록 렌즈 형상을 갖는 복수의 셀을 갖는 제2광학 렌즈; 상기 제2광학 렌즈를 수직 상 또는 하 방향으로 이동시켜 주는 액츄에이터를 포함한다.The illumination module disclosed in the embodiment includes a plurality of light emitting modules in which light emitting elements are arranged; A plurality of first optical lenses disposed on each of the plurality of optical modules; A second optical lens disposed on the plurality of first optical lenses and having a plurality of cells having a convex lens shape; And an actuator for moving the second optical lens in the vertical or downward direction.

Description

Lighting module {LIGHTING MODULE}

실시 예는 조명 모듈에 관한 것이다. An embodiment relates to a lighting module.

실시 예는 발광 다이오드 및 광학 렌즈를 갖는 조명 모듈을 제공한다.Embodiments provide an illumination module having a light emitting diode and an optical lens.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다. Light emitting diodes (LEDs) can be made of a compound semiconductor material such as GaAs-based, AlGaAs-based, GaN-based, InGaN-based, and InGaAlP-based.

이러한 발광 다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 소자로 이용되고 있으며, 발광 소자는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 조명으로 사용되고 있다.Such a light emitting diode is used as a light emitting device that is packaged and emits various colors, and a light emitting device is used as an illumination in various fields such as a lit indicator, a character indicator, and an image indicator.

실시 예는 발광 소자로부터 방출된 광의 지향각 분포를 조절할 수 있는 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides an illumination module capable of adjusting the directivity angle distribution of the light emitted from the light emitting element.

실시 예는 발광 모듈로부터 방출된 광을 타겟으로 조사하기 위한 광학 렌즈에 의한 조도 분포를 변화시켜 줄 수 있는 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides an illumination module capable of changing an illumination distribution by an optical lens for irradiating light emitted from a light emitting module to a target.

실시 예는 발광 모듈 상에 복수의 제1광학 렌즈를 배치하고, 상기 제1광학 렌즈 상에 복수의 볼록 렌즈를 갖는 제2광학 렌즈를 배열한 조명 모듈을 제공한다.The embodiment provides an illumination module in which a plurality of first optical lenses are arranged on a light emitting module and a second optical lens having a plurality of convex lenses is arranged on the first optical lens.

실시 예에 따른 조명 모듈은, 실시 예에 개시된 조명 모듈은, 발광 소자가 배치된 복수의 발광 모듈; 상기 복수의 광학 모듈 각각의 위에 배치된 복수의 제1광학 렌즈; 상기 복수의 제1광학 렌즈 상에 배치되며 볼록 렌즈 형상을 갖는 복수의 셀을 갖는 제2광학 렌즈; 상기 제2광학 렌즈를 수직 상 또는 하 방향으로 이동시켜 주는 액츄에이터를 포함한다.An illumination module according to an embodiment is characterized in that the illumination module disclosed in the embodiment includes: a plurality of light emitting modules in which light emitting elements are arranged; A plurality of first optical lenses disposed on each of the plurality of optical modules; A second optical lens disposed on the plurality of first optical lenses and having a plurality of cells having a convex lens shape; And an actuator for moving the second optical lens in the vertical or downward direction.

실시 예는 조명 모듈에 의해 조도 분포나 배광 분포를 조절할 수 있는 효과가 있다.The embodiment has an effect that the illuminance distribution and the light distribution can be controlled by the illumination module.

실시 예는 조명 모듈을 갖는 조명 기구 또는 조명 장치에 적용될 수 있다.Embodiments can be applied to a lighting apparatus or a lighting apparatus having a lighting module.

실시 예는 조명 모듈에 의해 타겟 면의 조도 분포에서 중심 조도를 강조하거나 외곽 필드(1.0 Field)에서의 조도를 보강할 수 있는 효과가 있다. The embodiment has the effect of enhancing the center illuminance in the illuminance distribution of the target surface by the illumination module or enhancing the illuminance in the outer field (1.0 Field).

실시 예는 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 기구의의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the lighting module and the lighting device having the lighting module.

도 1은 실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 조명 모듈의 제2광학 렌즈의 이동 전 상태를 나타낸 측 단면도이다.
도 3은 도 1의 조명 모듈의 제2광학 렌즈를 이동한 상태를 나타낸 측 단면도이다.
도 4는 도 2의 조명 모듈의 부분 확대도이다.
도 5는 도 1의 조명 모듈에서 제2광학 렌즈에서 본 평면도의 예이다.
도 6은 도 2의 조명 모듈의 다른 예이다.
도 7은 실시 예에 따른 조명 모듈의 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 조명 모듈의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9의 (A)(B)는 도 2의 조명 모듈에서의 조도 분포 및 지향각 분포를 나타낸 도면이다.
도 10의 (A)(B)는 도 3의 조명 모듈에서의 조도 분포 및 지향각 분포를 나타낸 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a diagram of a lighting device with a lighting module according to an embodiment.
2 is a side cross-sectional view showing a state before the movement of the second optical lens of the illumination module of Fig.
3 is a side cross-sectional view showing a state in which the second optical lens of the illumination module of Fig. 1 is moved.
Figure 4 is a partial enlarged view of the lighting module of Figure 2;
Figure 5 is an example of a top view of a second optical lens in the illumination module of Figure 1;
Figure 6 is another example of the lighting module of Figure 2;
7 is a view illustrating a light emitting device of an illumination module according to an embodiment.
8 is a view showing another example of the light emitting device of the illumination module according to the embodiment.
Figs. 9A and 9B are diagrams showing the illuminance distribution and the directivity angle distribution in the illumination module of Fig. 2. Fig.
10 (A) and (B) are diagrams showing the illuminance distribution and the directivity angle distribution in the illumination module shown in Fig. 3;

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise. In order to clearly explain the present invention in the drawings, parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification.

실시 예의 설명에 있어서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the description of the embodiments, when a portion such as a layer, a film, an area, a plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion but also the case where there is another portion in the middle. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

<조명 모듈><Lighting module>

도 1은 실시 예에 따른 조명 모듈을 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 조명 모듈의 제2광학 렌즈의 이동 전 상태를 나타낸 측 단면도이고, 도 3은 도 1의 조명 모듈의 제2광학 렌즈를 이동한 상태를 나타낸 측 단면도이며, 도 4는 도 2의 조명 모듈의 부분 확대도이다.FIG. 2 is a side sectional view showing a state before the movement of the second optical lens of the illumination module of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the illumination module of FIG. FIG. 4 is a partially enlarged view of the illumination module of FIG. 2. FIG.

도 1내지 도 4를 참조하면, 조명 장치는 전원부(101), 제어 보드(103), 조명 모듈(100)을 포함하며, 상기 전원부(101)는 조명 장치에 필요한 각 종 전원을 공급하게 된다. 상기 제어보드(control board, 103)는 상기 전원부(101)로부터 전원을 공급받아 상기 조명 모듈(100)의 구동을 위한 전원을 공급하고, 조명 제어를 위한 제어 신호를 출력하게 된다. 또한 상기 제어보드(103)는 상기 조명 모듈(100)의 조도 분포를 변화시켜 주기 위해 전류의 방향 및 크기를 제어할 수 있다.1 to 4, the lighting apparatus includes a power supply unit 101, a control board 103, and a lighting module 100, which supply various power supplies required for the lighting apparatus. The control board 103 receives power from the power source unit 101, supplies power for driving the lighting module 100, and outputs a control signal for lighting control. In addition, the control board 103 may control the direction and size of the current to change the illuminance distribution of the illumination module 100.

도 2 및 도 3과 같이, 상기 조명 모듈(100)은, 케이스(case)(110), 상기 케이스(110) 하부에 베이스(base) 기판(120), 상기 베이스 기판(120) 상에 복수의 발광 모듈(130), 상기 복수의 발광 모듈(130) 각각에 배치된 복수의 제1광학 렌즈(160), 상기 복수의 제1광학 렌즈(160) 상에 제2광학 렌즈(180), 및 상기 제2광학 렌즈(180)를 수직 방향 또는 광축 방향으로 상/하 이동시켜 주는 액츄에이터(Actuator)(170)를 포함한다. 2 and 3, the illumination module 100 includes a case 110, a base substrate 120 under the case 110, and a plurality of A plurality of first optical lenses 160 disposed on each of the plurality of light emitting modules 130; a second optical lens 180 on the plurality of first optical lenses 160; And an actuator 170 for moving the second optical lens 180 in the vertical direction or the optical axis direction.

여기서, 상기 액츄에이터(170)는 코일(175)과 자석(171)을 포함하며, 상기 코일(175)에 공급되는 전류 방향 및 전류 세기에 따라 상기 코일(175)과 자석(171) 간의 전자기력을 이용하여, 상기 코일(175) 또는 자석(171) 중 이동 가능한 어느 하나를 이동시켜 줄 수 있다. 상기 액츄에이터(170)는 VCM(Voce Coil Motor) 방식을 포함할 수 있다. Here, the actuator 170 includes a coil 175 and a magnet 171, and uses the electromagnetic force between the coil 175 and the magnet 171 according to the current direction and current intensity supplied to the coil 175 So that any one of the movable coil 175 and the movable magnet 171 can be moved. The actuator 170 may include a voice coil motor (VCM) method.

상기 케이스(110)는 도 2와 같이, 내부에 개구부(111)를 구비하게 되며, 상기 개구부(111)에는 발광 모듈(130) 및 복수의 제1광학 렌즈(160)가 배치될 수 있다. 상기 케이스(110)에는 액츄에이터(170)의 자석(171)이 결합될 수 있고, 상기 자석(171)은 케이스(110)에 고정될 수 있다. 상기 자석(171)은 상기 케이스(110)의 상부 둘레를 따라 적어도 하나 또는 복수로 상기 제2광학 렌즈(180)에 인접한 위치에 배치될 수 있다. 상기 자석(171)은 원 형상 또는 다각형 형상의 링(ring) 형상일 수 있으며, 영구 자석을 포함할 수 있다. 상기 코일(175)은 권선 코일을 포함한다.2, the case 110 has an opening 111 therein, and the light emitting module 130 and the plurality of first optical lenses 160 may be disposed in the opening 111. A magnet 171 of the actuator 170 may be coupled to the case 110 and the magnet 171 may be fixed to the case 110. The magnet 171 may be disposed at a position adjacent to the second optical lens 180 at least one or more along the upper circumference of the case 110. The magnet 171 may have a circular or polygonal ring shape and may include a permanent magnet. The coil 175 includes a winding coil.

상기 베이스 기판(120)은 회로 패턴을 포함하며 상기 케이스(110)의 하부에 결합될 수 있다. 상기 베이스 기판(120)은 상기 케이스(110)의 개구부(111)의 바닥 면에 배치되어, 상기 개구부(111) 바닥을 통해 광이 누설되는 것을 차단할 수 있다. 상기 베이스 기판(120)은 복수의 발광 모듈(130)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 베이스 기판(120)은 상면에 반사층 예컨대, 솔더 레지스트와 같은 반사 재질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The base substrate 120 includes a circuit pattern and may be coupled to a lower portion of the case 110. The base substrate 120 is disposed on the bottom surface of the opening 111 of the case 110 to prevent leakage of light through the bottom of the opening 111. The base substrate 120 may be electrically connected to the plurality of light emitting modules 130. A reflective material such as a solder resist may be disposed on the upper surface of the base substrate 120, but the present invention is not limited thereto.

상기 복수의 발광 모듈(130) 각각은 회로 기판(131) 및 발광 소자(133)를 포함하며, 상기 회로 기판(131)은 상기 발광 소자(133) 및 베이스 기판(120)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 회로 패턴을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(131)은 예를 들어, 세라믹 재질의 기판, 수지 재질의 기판(PCB, Printed circuit board), 메탈 코어 기판(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 기판(FPCB, Flexible PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(131)은 제1광학 렌즈(160) 아래에 배치될 수 있다.Each of the plurality of light emitting modules 130 includes a circuit board 131 and a light emitting element 133. The circuit board 131 may be electrically connected to the light emitting element 133 and the base board 120 , And a circuit pattern. The circuit board 131 may include at least one of a ceramic substrate, a printed circuit board (PCB), a metal core PCB (MCPCB), and a flexible PCB (FPCB) . &Lt; / RTI > The circuit board 131 may be disposed under the first optical lens 160.

상기 발광 소자(133)는, 청색, 적색, 녹색, 백색, UV(Ultraviolet) 중 적어도 하나를 발광할 수 있으며, 예컨대 조명을 위해 백색 광을 방출할 수 있다. 상기 발광 소자(133)는 LED 칩, 또는 LED 칩을 갖는 패키지 형태로 회로 기판(131) 상에 탑재될 수도 있다. 상기 발광 소자(133)는 수평형 LED 칩 구조, 수직형 LED 칩 구조, 또는 플립 LED 칩 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(133)는 LED 칩 상에 형광체층(미도시)을 포함할 수 있으며 상기 형광체층은 청색, 황색, 녹색, 적색, 오렌지색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 실시 예에 따른 발광 모듈(130)은 예를 들어, 낮은 4000K 이하의 색 온도를 가지는 웜 화이트(Warm white)의 발광소자, 6500K 이상의 색 온도를 가지는 쿨 화이트(Cool white)의 발광 소자, 웜 화이트와 쿨 화이트의 중간 색 온도를 가지는 뉴트럴(Neutral) 화이트 또는 퓨어(Pure) 화이트의 발광 소자 중 적어도 하나 또는 2개 이상을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 퓨어 화이트의 색 온도는 뉴트럴 화이트의 색 온도보다 더 높을 수 있다. The light emitting device 133 may emit at least one of blue, red, green, white, and ultraviolet, and may emit white light for illumination, for example. The light emitting device 133 may be mounted on the circuit board 131 in the form of a package having an LED chip or an LED chip. The light emitting device 133 may include at least one of a horizontal LED chip structure, a vertical LED chip structure, and a flip LED chip structure. The light emitting device 133 may include a phosphor layer (not shown) on the LED chip, and the phosphor layer may include at least one of blue, yellow, green, red, and orange phosphors. Here, the phosphor may include at least one of a garnet (YAG, TAG), a silicate, a nitride, and an oxynitride. For example, the light emitting module 130 according to the embodiment may include a warm white light emitting element having a low color temperature of 4000K or less, a cool white light emitting element having a color temperature of 6500K or higher, And Neutral white or Pure white light emitting elements having a cool white intermediate color temperature. Here, the color temperature of the pure white may be higher than the color temperature of the neutral white.

상기 제1광학 렌즈(160)는 복수개가 배열되며, 상기 복수의 제1광학 렌즈(160) 각각은 각 발광 모듈(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1광학 렌즈(160)는 입사된 광을 평행한 광으로 출사하는 콜리메이터(collimator) 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 복수의 제1광학 렌즈(160)는 상기 베이스 기판(120)의 위 및 상기 제2광학 렌즈(180)의 아래에 도 5와 같이 매트릭스 형태 예컨대, m행 ⅹ n열 (m, n ≥ 1)로 배열될 수 있으며, 예컨대 2행ⅹ2열 또는 그 이상의 m행/n열(m, n ≥ 3)로 배열될 수 있다. 상기 제1광학 렌즈(160)는 행과 열의 개수가 동일하거나 다를 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 제1광학 렌즈(160)는 제2광학 렌즈(180)의 영역 아래에 배치되어, 상기 제2광학 렌즈(180) 방향으로 광을 출사할 수 있다. 상기 복수의 제1광학 렌즈(160) 간의 피치(pitch)(D1)는 제1광학 렌즈(160)의 너비 예컨대, 제1광학 렌즈(160)의 출사면(165)의 너비(T1)보다 클 수 있다. 상기 피치(D1)는 행 또는 열 방향으로 배열된 제1광학 렌즈(160)의 중심 간의 간격으로서, 예컨대, 40mm±4mm 범위로 배치될 수 있고, 상기 제1광학 렌즈(160)의 너비(T1)에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A plurality of the first optical lenses 160 may be arranged and each of the plurality of first optical lenses 160 may be disposed on each of the light emitting modules 130. The first optical lens 160 may include a collimator lens that emits incident light as parallel light. The plurality of first optical lenses 160 are arranged on the base substrate 120 and below the second optical lens 180 in the form of a matrix such as m rows and n columns (m, n > 1 ), And may be arranged, for example, in 2 rows by 2 columns or more m rows / n columns (m, n? 3). The number of rows and columns of the first optical lens 160 may be the same or different and is not limited thereto. The plurality of first optical lenses 160 may be disposed below the region of the second optical lens 180 and emit light toward the second optical lens 180. The pitch D1 between the plurality of first optical lenses 160 is larger than the width of the first optical lens 160 such as the width T1 of the exit surface 165 of the first optical lens 160 . The pitch D1 may be a distance between the centers of the first optical lenses 160 arranged in the row or column direction and may be in the range of 40 mm 4 mm, for example, and the width T1 of the first optical lens 160 ), But the present invention is not limited thereto.

상기 제1광학 렌즈(160)는 각 발광 소자(133)로부터 입사된 광의 진행 방향으로 변화시켜 주는 부재이며, 굴절률이 1.4 이상 1.7 이하인 투명 재료를 이용할 수 있다. 또한, 제1광학 렌즈(160)는, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass)에 의해 형성될 수 있다.The first optical lens 160 is a member for changing the direction of light incident from each light emitting element 133 and may be a transparent material having a refractive index of 1.4 or more and 1.7 or less. The first optical lens 160 may be formed of a transparent resin material of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), epoxy resin (EP), or transparent glass.

도 2 및 도 4와 같이, 상기 제1광학 렌즈(160)는 하부에 볼록한 리세스(162)를 갖는 입사면(161), 상기 입사면(161)으로 입사된 광을 반사하는 전 반사면(163), 상기 입사면(161)으로 입사된 광 및 전 반사면(163)에 의해 반사된 광을 출사하는 출사면(165)을 포함한다. As shown in FIGS. 2 and 4, the first optical lens 160 includes an incident surface 161 having a convex recess 162 at a lower portion thereof, an all-reflecting surface reflecting the light incident on the incident surface 161 163, and an exit surface 165 for emitting the light incident on the incident surface 161 and the light reflected by the total reflection surface 163.

상기 리세스(162)는 상기 발광 소자(133) 상에 배치되며, 하부가 오픈되며 상기 출사면(165)에 인접할수록 점차 좁아지는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 리세스(162)는 상부 너비보다 하부 너비(도 4의 W2)가 넓고 상부의 고점 또는 정점으로 수렴하는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 리세스(162)의 둘레에는 입사면(161)이 배치되며, 상기 입사면(161)은 상기 리세스(162)의 외측에 곡면으로 형성되며, 위로 올라갈수록 점차 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 상기 입사면(161)의 하부는 바텀 뷰 형상이 원 형상이거나 다각형 형상일 수 있다. 상기 리세스(162)의 하부 너비(W2)는 상기 발광 소자(133)의 너비(W1)보다 넓을 수 있고, 상기 입사면(161)의 하부 너비일 수 있다. 이러한 리세스(162) 및 입사면(161)의 하부 너비(W1)에 의해 발광 소자(133)로부터 방출된 광의 입사 효율은 개선될 수 있다. The recess 162 may be formed on the light emitting device 133 and may be formed to have a shape that gradually becomes narrower toward the emission surface 165. The recess 162 may be formed in such a shape that the lower width (W2 in FIG. 4) is wider than the upper width and converges to the upper or apex of the upper portion. An incidence surface 161 is disposed around the recess 162. The incidence surface 161 is formed as a curved surface on the outer side of the recess 162 and may have a shape gradually becoming narrower as it goes up . The bottom view of the incident surface 161 may have a bottom view shape or a polygonal shape. The lower width W2 of the recess 162 may be wider than the width W1 of the light emitting device 133 and may be a lower width of the incident surface 161. [ The incidence efficiency of the light emitted from the light emitting element 133 can be improved by the recess 162 and the lower width W1 of the incident surface 161. [

상기 전 반사면(163)은 상기 입사면(161)의 둘레에 배치되고 제1광학 렌즈(160)의 외 측면을 이루게 된다. 상기 전 반사면(163)은 상기 출사면(165)부터 제1광학 렌즈(160)의 하단까지 연장되며, 곡면을 가지게 된다. 상기 전 반사면(163)은 상기 입사면(161)을 통해 입사된 광을 출사면(165) 방향으로 반사하게 된다. The total reflection surface 163 is disposed around the incident surface 161 and forms an outer surface of the first optical lens 160. The total reflection surface 163 extends from the emission surface 165 to the lower end of the first optical lens 160 and has a curved surface. The total reflection surface 163 reflects the light incident through the incident surface 161 toward the emission surface 165.

상기 출사면(165)은 탑뷰 형상이 원 형상 또는 다각형 형상일 수 있다. 상기 출사면(165)은 제2광학 렌즈(180)과 대면하며 수평한 평면으로 형성될 수 있다. 상기 출사면(165)은 입사면(161)으로 입사된 광 또는 상기 전 반사면(163)에 의해 반사된 광을 출사하게 되며, 이때 출사되는 광은 평행 광으로 출사될 수 있다. The exit surface 165 may have a circular or polygonal top view. The exit surface 165 may face the second optical lens 180 and may be formed as a horizontal plane. The exit surface 165 emits light incident on the incident surface 161 or light reflected by the total reflection surface 163, and the emitted light may be emitted as parallel light.

상기 제1광학 렌즈(160)는 지지 돌기(167)를 포함하며, 상기 지지 돌기(167)는 복수개가 제1광학 렌즈(160)의 하단으로부터 베이스 기판(120) 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 지지 돌기(167)는 상기 복수개가 서로 이격되어 베이스 기판(120)에 결합되므로 상기 제1광학 렌즈(160)가 틸트(tilt)되거나 유동되는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 지지 돌기(167)를 제외한 상기 제1광학 렌즈(160)의 하단은 상기 베이스 기판(120)으로부터 이격될 수 있다.The first optical lens 160 includes a support protrusion 167 and a plurality of the support protrusions 167 may protrude from the lower end of the first optical lens 160 toward the base substrate 120. Since the plurality of support protrusions 167 are spaced apart from each other and are coupled to the base substrate 120, the first optical lens 160 can be prevented from tilting or flowing. Here, the lower end of the first optical lens 160 excluding the support protrusions 167 may be spaced apart from the base substrate 120.

상기 제2광학 렌즈(180)는 상기 복수의 제1광학 렌즈(160) 상에 배치되며, 상기 제1광학 렌즈(160)로부터 제1간격(도2의 G1)부터 제2간격(도 3의 G2)의 범위 내에서 이동되어, 원하는 조도 분포로 변화를 줄 수 있다. 상기 제2광학 렌즈(180)는 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass)에 의해 형성될 수 있다.The second optical lens 180 is disposed on the plurality of first optical lenses 160 and is spaced apart from the first optical lens 160 at a first interval (G1 in FIG. 2) G2), so that a desired illuminance distribution can be changed. The second optical lens 180 may be formed of a transparent resin material of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), epoxy resin (EP), or transparent glass.

상기 제2광학 렌즈(180)는 도 2내지 도 5와 같이 복수의 셀(Cell, 181)을 포함하며, 상기 각각의 셀(181)은 도 2와 같이 위로 볼록한 볼록 렌즈 형상을 포함할 수 있다. 상기 각 셀(181)은 측 단면 형상이 볼록한 렌즈 형상이고, 탑뷰 형상이 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 각 셀(181)의 사이즈 및 렌즈 형상은 서로 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second optical lens 180 includes a plurality of cells 181 as shown in FIGS. 2 to 5, and each of the cells 181 may include a convex lens shape convex upward as shown in FIG. 2 . Each of the cells 181 may have a lens shape having a convex cross-sectional shape, and the top view shape may include a polygonal shape. The sizes and lens shapes of the cells 181 may be identical to each other, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2광학 렌즈(180)의 각 셀(181)의 볼록 렌즈는 광을 모아주게 되므로, 상기 복수의 셀(181)로부터 방출된 광은 타겟 방향으로 균일한 광 분포로 확산되어 제공될 수 있다. 상기 복수의 셀(181)은 매트릭스 형태로 배열되어, 각 셀(181)로 입사되는 광을 굴절시켜 출사하므로, 광의 분포를 균일하게 할 수 있다. 상기 제2광학 렌즈(180)는 파리 눈(fly eye) 렌즈를 포함할 수 있다. The convex lens of each cell 181 of the second optical lens 180 collects the light so that the light emitted from the plurality of cells 181 can be diffused in a uniform light distribution in the target direction . The plurality of cells 181 are arranged in a matrix, and refracts and emits the light incident on each cell 181, so that the distribution of light can be made uniform. The second optical lens 180 may include a fly eye lens.

여기서, 상기 제2광학 렌즈(180) 상에 임의의 타겟(미도시)과 같은 스크린이 배치된 경우, 도 2의 조명 모듈(100) 즉, 제2광학 렌즈(180)는 타겟과 제1초점 거리를 가질 수 있고, 도 3의 조명 모듈(100) 즉, 제2광학 렌즈(180)은 타겟과 제2초점 거리를 가질 수 있다. 실시 예에 따른 조명 모듈(100)은 타겟과의 초점 거리가 변화될 수 있으며, 상기 초점 거리의 변화로 인해 타켓에서의 조도 분포는 달라질 수 있다. Here, when a screen such as an arbitrary target (not shown) is disposed on the second optical lens 180, the illumination module 100 of FIG. 2, that is, the second optical lens 180, And the illumination module 100 of FIG. 3, i.e., the second optical lens 180, may have a second focal length with the target. The focal distance of the illumination module 100 according to the embodiment may be changed with respect to the target, and the distribution of the illuminance at the target may vary due to the change of the focal distance.

도 2와 같이, 상기 제2광학 렌즈(180)는 상기 제1광학 렌즈(160)로부터 제1간격(G1) 내지 제2간격(G2) 범위 내에 위치될 수 있다. 상기 제1간격(G1)은 상기 제1광학 렌즈(160)와 상기 제2광학 렌즈(180) 사이의 최소 간격으로서, 0.45mm 이상 예컨대, 0.5mm±0.05mm 범위로 이격될 수 있으며, 상기 제1간격(G1)이 상기 범위를 초과할 경우 초점 거리 또는 타겟인 스크린 사이즈를 재 설정하여야 할 수 있고, 상기 범위보다 작을 경우 제2광학 렌즈(180)와 제1광학 렌즈(160) 가 서로 접촉될 수 있어 광학 특성이 저하될 수 있다. As shown in FIG. 2, the second optical lens 180 may be positioned within the first gap G1 to the second gap G2 from the first optical lens 160. The first gap G1 may be a minimum distance between the first optical lens 160 and the second optical lens 180 and may be spaced from 0.45 mm or more, for example, within a range of 0.5 mm +/- 0.05 mm, If the first gap G1 exceeds the above range, the focal distance or the target screen size may be reset. If the gap G1 is smaller than the above range, the second optical lens 180 and the first optical lens 160 may contact each other And the optical characteristics may be deteriorated.

도 3과 같이, 상기 제2간격(G2)은 상기 제2광학 렌즈(180)와 제1광학 렌즈(160) 사이의 최대 간격으로서, 17mm 이하 예컨대, 15.5mm±1.5mm의 범위로 배치될 수 있으며, 상기 제2간격(G2)이 상기 범위보다 클 경우 초점 거리 또는 타겟인 스크린 사이즈가 달라질 수 있다. 3, the second gap G2 may be a maximum distance between the second optical lens 180 and the first optical lens 160, and may be set within a range of 17 mm or less, for example, 15.5 mm ± 1.5 mm If the second gap G2 is greater than the range, the focal length or the target screen size may vary.

실시 예는 상기 제2광학 렌즈(180)는 액츄에이터(170)에 의해 수직 상/하 방향으로 이동될 수 있다. 상기 액츄에이터(170)의 자석(171)은 예컨대, 상기 케이스(110)의 상부에 고정될 수 있고, 상기 코일(175)은 제2광학 렌즈(180)와 함께 이동될 수 있다. 상기 코일(175)은 상기 제2광학 렌즈(180)의 하부 외측에 배치된 지지부(185)에 권선될 수 있다. 상기 지지부(185)는 상기 제1광학 렌즈(160)의 하부 둘레에 다각 형상으로 형성되며, 그 외측 둘레에 형성된 오목부(도 2의 176)에 상기 코일(175)이 권선될 수 있다. 상기 지지부(185)에 권선된 코일(175)은 상기 자석(171)과 인접하거나, 전자기력이 미치는 범위 내에 배치될 수 있다. 상기 지지부(185)는 상기 케이스(110)의 내측 둘레에 배치될 수 있으며, 상기 케이스(110)의 내측에서 수직 상/하 방향으로 이동될 수 있다. 여기서, 상기 액츄에이터(170)는 VCM(Voice Coil Motor)로 구현된 예로 설명하였으나, 다른 예로서 피에조(Piezo), 스텝 모터(step motor)와 같은 수단을 이용하여 구현할 수 있다. 또한 상기 액츄에이터(170)는 상기 제2광학 렌즈(180)가 다각형 형상인 경우, 2측면 이상 또는 4측면에 배치될 수 있어, 구동의 자유도를 개선시켜 줄 수 있다. In an embodiment, the second optical lens 180 may be moved vertically up / down by an actuator 170. The magnet 171 of the actuator 170 may be fixed to the upper portion of the case 110 and the coil 175 may be moved together with the second optical lens 180. [ The coil 175 may be wound on a support 185 disposed outside the lower portion of the second optical lens 180. The support portion 185 is formed in a polygonal shape around the lower portion of the first optical lens 160 and the coil 175 may be wound on a concave portion 176 (see FIG. 2) formed on the outer periphery of the support portion 185. The coil 175 wound on the support part 185 may be disposed adjacent to the magnet 171 or within a range where the electromagnetic force is applied. The support portion 185 may be disposed on the inner circumference of the case 110 and may be vertically upward or downward on the inner side of the case 110. Here, the actuator 170 is implemented as a VCM (Voice Coil Motor), but it may be realized by means of a piezo or a step motor. Further, when the second optical lens 180 has a polygonal shape, the actuator 170 can be disposed on two or more sides or four sides, thereby improving the degree of freedom of driving.

여기서, 도 3과 같이 상기 제2광학 렌즈(180)의 하면(182)의 외측(187)은 도 2와 같이 제2광학 렌즈(180)가 하 방향으로 이동될 때, 스톱퍼(stopper)로 기능할 수 있다. 즉, 상기 제2광학 렌즈(180)의 하면 외측(187)은 상기 케이스(110) 또는 자석(171)과 수직 방향으로 오버랩되게 배치되어, 상기 제2광학 렌즈(180)가 수직 하 방향으로 이동될 때, 상기 케이스(110) 및 자석(171)에 의해, 더 이상 하 방향으로 이동되는 것이 제한될 수 있다. 다른 예로서, 상기 케이스(110)에는 상기 상기 지지부(185)가 더 이상 위로 올라가는 것을 방지하기 위한 스톱퍼(미도시) 또는 걸림 돌기를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 3, the outer side 187 of the lower surface 182 of the second optical lens 180 functions as a stopper when the second optical lens 180 is moved downward as shown in FIG. can do. That is, the lower outer side 187 of the second optical lens 180 is arranged to overlap with the case 110 or the magnet 171 in the vertical direction, and the second optical lens 180 moves in the vertical downward direction It can be restricted from being further downwardly moved by the case 110 and the magnet 171. [ As another example, the case 110 may include a stopper (not shown) or a latching protrusion for preventing the support part 185 from being further moved upward, but the present invention is not limited thereto.

상기 제2광학 렌즈(180)의 이동에 대해 설명하면, 상기 코일(175)에 정 방향으로 전류를 인가하면, 상기 코일(175)과 상기 자석(171) 간에 전 자기력이 발생된다. 이때 도 3 및 도 4와 같이, 이동 가능한 제2광학 렌즈(180) 및 코일(175)이 수직 상 방향으로 이동(도 4의 M1)하게 된다. 반대로, 상기 코일(175)에 역 방향의 전류를 인가하면, 상기 코일(175)과 상기 자석(171) 간에 전자기력이 발생되며, 이때 이동 가능한 제2광학 렌즈(180) 및 코일(175)이 수직 하 방향으로 이동(도 4의 M2)하게 된다. 다른 예로서, 상기 액츄에이터(170)는 제2광학 렌즈(180)를 수직 상/하 방향으로의 이동과 더블어, 탄젤셜(tangential) 방향에 자석(171) 및 코일(175)을 더 추가하여 틸트(tilt)시켜 줄 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The movement of the second optical lens 180 will now be described. When a current is applied to the coil 175 in the forward direction, a magnetic force is generated between the coil 175 and the magnet 171. 3 and 4, the movable second optical lens 180 and the coil 175 are moved in the vertical upward direction (M1 in Fig. 4). When a reverse current is applied to the coil 175, an electromagnetic force is generated between the coil 175 and the magnet 171. At this time, the movable second optical lens 180 and the coil 175 are perpendicular (M2 in Fig. 4). As another example, the actuator 170 may further include a magnet 171 and a coil 175 in a tangential direction by doubling the movement of the second optical lens 180 in the vertical up / down direction, but the present invention is not limited thereto.

이러한 액츄에이터(170)에 의해 제2광학 렌즈(180)가 수직 상/하 방향으로 이동됨으로써, 상기 제2광학 렌즈(180)와 타켓과의 초점 거리는 감소 또는 증가되며, 이때의 제2광학 렌즈(180)를 통해 출사된 광의 조도 분포는 변화게 된다. 예를 들면, 도 9의 (A)는 제2광학 렌즈의 이동 전 상태(도 2의 상태)에서의 조도 분포로서, 스크린(예: 타겟)의 1.0F/Center의 조도 비율은 16.99%일 수 있으며, 도 9의 (B)는 제2광학 렌즈의 이동 전의 지향각 분포를 나타낸 것으로, 중심 광도(0도)가 가장 높고 주변이 균일한 광도 차이로 감소됨을 알 수 있다. 이러한 동작 모드는 전 영역에서 균일한 광 분포가 필요할 때 이용될 수 있다. As the second optical lens 180 is moved in the vertical up / down direction by the actuator 170, the focal length between the second optical lens 180 and the target is decreased or increased. At this time, 180 are changed. For example, FIG. 9A shows the illuminance distribution in the state before the second optical lens is moved (the state in FIG. 2), and the illuminance ratio of 1.0F / Center of the screen 9 (B) shows the distribution of the directivity angle of the second optical lens before movement. It can be seen that the center luminous intensity (0 degree) is the highest, and the periphery is reduced to a uniform luminous intensity difference. This mode of operation can be used when a uniform light distribution is required over the entire area.

도 10의 (A)는 제2광학 렌즈의 이동 후 상태(도 3의 상태)에서의 조도 분포로서, 스크린 사이즈의 1.0Field/Center의 조도 비율은 31.37%일 수 있으며, 도 10의 (B)는 제2광학 렌즈의 이동 후의 지향각 분포를 나타낸 것으로, 중심 광도(0도)가 가장 높고 주변 ±20도로 이동될 때 도 9의 (B)보다는 급격하게 감소됨을 알 수 있다. 이러한 동작 모드는 1.0Filed의 광도를 더 높여 줄 때 이용될 수 있다. 여기서, 상기 스크린은 도 2의 제2광학 렌즈를 기준으로 500mm 밖에 위치하고, 400mmⅹ400mm 사이즈를 가질 수 있다. 10A shows the illuminance distribution in the state after the second optical lens has been moved (the state shown in Fig. 3). The illuminance ratio of 1.0 field / center of the screen size may be 31.37% (0 deg.) Is the highest and decreases sharply as compared with Figure 9 (B) when the lens is moved by ± 20 degrees around the center optical intensity (0 degree). This mode of operation can be used to increase the brightness of 1.0Filed. Here, the screen is located 500 mm away from the second optical lens of FIG. 2, and may have a size of 400 mm × 400 mm.

실시 예는 도 2와 같은 조명 모듈(100)의 초점 거리를 갖고 광을 조사할 경우, 스크린의 센터와 외곽(1.0Filed) 간의 조도 분포는 작은 차이로 균일하게 조사될 수 있고, 도 3과 같은 조명 모듈(100)의 초점 거리를 갖고 광을 조사할 경우 스크린의 센터와 외곽 간의 조도 분포는 큰 차이를 갖고 센터 및 센터에 인접한 영역에 집중될 수 있다. 이러한 조도 분포 변화에 고려하여, 상기 액츄에이터(170)로 제2광학 렌즈(180)를 수직 상 방향으로의 이동 또는 수직 하 방향으로 이동을 조절할 수 있다. When the light having the focal length of the illumination module 100 as shown in FIG. 2 is irradiated with light, the illuminance distribution between the center of the screen and the outer frame (1.0Filed) can be uniformly irradiated with a small difference, When the light is irradiated with the focal distance of the illumination module 100, the illuminance distribution between the center and the periphery of the screen can be concentrated in the center and adjacent to the center with a large difference. In consideration of the change in the illuminance distribution, the actuator 170 can control the movement of the second optical lens 180 in the vertical upward direction or in the vertical downward direction.

실시 예는 제1,2광학 렌즈(160,180)를 이용한 광 확산 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 도 5와 같이, 복수의 제1광학 렌즈(160) 중 센터 측 렌즈(R1)의 중심(P0)에 제2광학 렌즈(180)의 센터 측 셀 중심을 정렬시키고, 상기 사이드 측 렌즈(R2,R3)의 중심(P0)에 상기 제2광학 렌즈(180)의 사이드측 셀 중심(P2,P3)과 비정렬(decenter)시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제2광학 렌즈(180)의 센터 측 셀은 상기 제1광학 렌즈(180)의 센터 측(R1)에 대면하는 셀이며, 상기 제2광학 렌즈(180)의 사이드 측 셀은 상기 제2광학 렌즈(180)의 사이드 측 렌즈(R2,R3)에 대면하는 셀일 수 있다. The embodiment can improve the light diffusion efficiency using the first and second optical lenses 160 and 180. The center of the center side cell of the second optical lens 180 is aligned with the center P0 of the center side lens R1 among the plurality of first optical lenses 160 as shown in Fig. R3 of the second optical lens 180 to the center P0 of the side of the second optical lens 180. In this way, The center side cell of the second optical lens 180 is a cell facing the center side R1 of the first optical lens 180 and the side side cell of the second optical lens 180 is a cell facing the center side R1 of the first optical lens 180, Side lens R2 and R3 of the second optical lens 180, as shown in Fig.

상기 제1광학 렌즈(160)의 사이드 측 렌즈(R2,R3)의 중심(P1)과 제2광학 렌즈(180)의 셀(181)의 중심(P2,P3)들은 비 정렬되며, 그 비정렬된 차이(D3)는 상기 셀(181)의 한 변의 길이(X1,Y1)의 10% 정도 예컨대, 1.2mm±0.12mm의 범위일 수 있다. 여기서, 상기 차이(D3)는 제2간격(도 3의 G2) 대비 타겟과의 거리 비율로 구해진 값과 제1광학 렌즈(160) 간의 피치(D1)의 곱으로 구해질 수 있다. 상기 제2간격(G2)은 제2광학 렌즈(180)에 의한 초점 이동 거리이며 예컨대, 15mm이며, 타겟과의 거리는 예컨대, 500mm이고, 피치(D1)가 예컨대, 40mm인 경우, (15mm/500mm) ⅹ 40mm=1.2mm로 구해질 수 있다. 또한 상기 한 셀(181)의 크기를 보면, (스크린 사이즈/타겟과의 이동 거리)ⅹ제2간격으로 구해질 수 있으며, 예컨대 스크린 사이즈가 400mm이고, 타겟과의 거리가 500mm이고, 초점 이동 거리(제2간격)이 15mm인 경우, (400mm/500mm)ⅹ15mm=12mm로 한 변의 길이가 구해질 수 있다. 여기서, 상기 타겟과의 거리, 피치, 초점 이동 거리는 ±10% 내의 범위에서 증감될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The center P1 of the side lenses R2 and R3 of the first optical lens 160 and the centers P2 and P3 of the cells 181 of the second optical lens 180 are misaligned, The difference D3 may be in the range of about 10% of the length (X1, Y1) of one side of the cell 181, for example, 1.2 mm ± 0.12 mm. Here, the difference D3 may be obtained as a product of a value obtained by a ratio of the distance from the target to a second distance (G2 in FIG. 3) and a pitch D1 between the first optical lens 160 and the second distance. The second gap G2 is a focal length of the second optical lens 180 and is 15 mm and the distance from the target is 500 mm and the pitch D1 is 40 mm, ) X 40 mm = 1.2 mm. In addition, the size of the cell 181 may be determined by a second distance (a distance between the screen size and the target) x, for example, a screen size is 400 mm, a distance from the target is 500 mm, (Second interval) is 15 mm, the length of one side can be obtained by (400 mm / 500 mm) × 15 mm = 12 mm. Here, the distance to the target, the pitch, and the focus moving distance may be increased or decreased within a range of ± 10%, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 상기 제2광학 렌즈(180)의 이동 거리 또는 초점 이동 거리(즉, 도 3의 G2)는 상기 셀(181)의 한 변의 길이(X,Y1)보다 클 수 있으며, 초점 이동 거리(예: G2) 및 셀의 한 변의 길이(X1,Y1)의 비율은 1.25±0.125의 범위를 가질 수 있다. 상기 초점 이동 거리는 상기 제1광학 렌즈(160)들의 피치보다 작을 수 있다. The movement distance or the focus movement distance (i.e., G2 in FIG. 3) of the second optical lens 180 according to the embodiment may be greater than the length (X, Y1) of one side of the cell 181, (For example, G2) and the length (X1, Y1) of one side of the cell may be in the range of 1.25 ± 0.125. The focal length may be smaller than the pitch of the first optical lenses 160.

도 6은 실시 예에 따른 조명 모듈의 다른 예이다. 도 6을 설명함에 있어서, 상기에 개시된 실시 예와 동일한 구성은 상기의 설명을 참조하기로 한다.6 is another example of a lighting module according to the embodiment. In the description of FIG. 6, the same configuration as the above-described embodiment will be described with reference to the above description.

도 6을 참조하면, 조명 모듈은 베이스 기판(120) 아래에 방열 판(191)을 포함할 수 있으며, 상기 방열 판(191)은 복수의 방열 핀(193)이 수직 하 방향으로 돌출될 수 있다. 상기 방열 판(191)은 발광 모듈(130)로부터 발생된 열을 베이스 기판(120)으로 전도 받아 방열하게 된다. 6, the lighting module may include a heat radiating plate 191 below the base substrate 120, and a plurality of heat radiating fins 193 may protrude downward in the heat radiating plate 191 . The heat radiating plate 191 radiates heat generated from the light emitting module 130 to the base substrate 120.

도 7은 실시 예에 따른 발광 소자의 예를 나타낸 도면으로서, 수직형 LED 칩을 나타낸 예이다.7 is a view showing an example of a light emitting device according to an embodiment, and is an example of a vertical type LED chip.

도 7을 참조하면, 발광 소자는 복수의 반도체층(11,12,13)을 갖는 발광구조물(10), 상기 발광 구조물(10) 아래에 제1 전극층(20), 상기 제1전극층(20) 아래에 제2 전극층(50), 상기 제1 및 제2전극층(20,50) 사이에 절연층(41), 및 패드(25)를 포함할 수 있다.7, the light emitting device includes a light emitting structure 10 having a plurality of semiconductor layers 11, 12, and 13, a first electrode layer 20 under the light emitting structure 10, a first electrode layer 20, A second electrode layer 50 below the first electrode layer 20, an insulating layer 41 between the first and second electrode layers 20 and 50, and a pad 25.

상기 발광구조물(10)은 제1 반도체층(11), 활성층(12), 및 제2 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1반도체층(11)과 상기 제2 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.The light emitting structure 10 may include a first semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed between the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed under the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12. [

예로서, 상기 제1 반도체층(11)은 제1 도전형 도펀트 예컨대, n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 반도체층(13)은 제2 도전형 도펀트 예컨대, p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 또한 반대로, 상기 제1 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first semiconductor layer 11 may include an n-type semiconductor layer doped with a first conductive dopant such as an n-type dopant, and the second semiconductor layer 13 may include a second conductive dopant such as p And a p-type semiconductor layer to which a dopant is added. Conversely, the first semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 발광 구조물(10)은 II족 내지 V족 원소 및 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있으며, 예컨대, 자외선 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 구조물(10)은 제1반도체층(11), 제2반도체층(13), 상기 제1반도체층(11)과 상기 제2반도체층(13) 사이에 형성된 활성층(12)을 포함하며, 상기 각 층(11,12,13)의 위 및 아래 중 적어도 하나에는 다른 반도체층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting structure 10 is selectively formed from a compound semiconductor of group II to V elements and group III to V elements and is capable of emitting a predetermined peak wavelength within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band, For example, ultraviolet light can be emitted. The light emitting structure 10 includes a first semiconductor layer 11, a second semiconductor layer 13, and an active layer 12 formed between the first semiconductor layer 11 and the second semiconductor layer 13 , Another semiconductor layer may be further disposed on at least one of the upper and lower layers 11, 12, and 13, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1반도체층(11)은 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1반도체층(11)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first semiconductor layer 11 includes a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? _X + y? The first semiconductor layer 11 may be a compound semiconductor of a Group III-V element such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(12)은 제1반도체층(11) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 12 is disposed below the first semiconductor layer 11 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure, The well layer and the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI > pair of < / RTI >

상기 제2반도체층(13)은 활성층(12) 아래에 배치된다. 상기 제2반도체층(13)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2반도체층(13)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2반도체층(119)이 p형 반도체층이고, p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second semiconductor layer 13 is disposed under the active layer 12. The second semiconductor layer 13 may be a semiconductor doped with a second conductive dopant, such as In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? 1). The second semiconductor layer 13 may be formed of at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second semiconductor layer 119 may be a p-type semiconductor layer, and the p-type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

상기 제1반도체층(11)의 상면은 러프(rough)한 요철부(11A)로 형성될 수 있으며, 이러한 요철 면(11A)는 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 요철 면(11A)의 측 단면은 다각형 형상, 또는 반구형 형상을 포함할 수 있다.The upper surface of the first semiconductor layer 11 may be formed of a rough irregular portion 11A and the irregular surface 11A may improve the light extraction efficiency. The side end surface of the uneven surface 11A may include a polygonal shape or a hemispherical shape.

상기 제1전극층(20)은 상기 발광 구조물(10)과 제2전극층(50) 사이에 배치되며, 상기 발광 구조물(10)의 제2반도체층(13)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극층(50)과 전기적으로 절연된다. 상기 제1전극층(20)은 제1 접촉층(15), 반사층(17) 및 캡핑층(19)를 포함하며, 상기 제1 접촉층(15)는 상기 반사층(17)과 제2반도체층(13) 사이에 배치되며, 상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)과 상기 캡핑층(19) 사이에 배치된다. 상기 제1 접촉층(15), 반사층(17) 및 캡핑층(19)은 서로 다른 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode layer 20 is disposed between the light emitting structure 10 and the second electrode layer 50 and is electrically connected to the second semiconductor layer 13 of the light emitting structure 10, (50). The first electrode layer 20 includes a first contact layer 15, a reflective layer 17 and a capping layer 19, and the first contact layer 15 is formed between the reflective layer 17 and the second semiconductor layer 13), and the reflective layer (17) is disposed between the first contact layer (15) and the capping layer (19). The first contact layer 15, the reflective layer 17, and the capping layer 19 may be formed of different conductive materials, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 접촉층(15)은 상기 제2 반도체층(13)에 접촉되며, 예컨대 상기 제2 반도체층(13)에 오믹 접촉을 형성할 수 있다. 상기 제1 접촉층(15)은 예컨대 전도성 산화막, 전도성 질화물 또는 금속으로 형성될 수 있다. 상기 제1 접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), ITON(ITO Nitride), IZO(Indium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다.The first contact layer 15 is in contact with the second semiconductor layer 13 and may form an ohmic contact with the second semiconductor layer 13, for example. The first contact layer 15 may be formed of, for example, a conductive oxide film, a conductive nitride, or a metal. The first contact layer 15 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZON (indium zinc nitride), AZO (aluminum zinc oxide) ), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide), IZO (Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO (Indium Gallium Tin Oxide), ATO (Antimony Tin Oxide) IZO nitride, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, and Ti.

상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)과 캡핑층(19)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반사층(17)은 상기 반사층(17)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.The reflective layer 17 may be electrically connected to the first contact layer 15 and the capping layer 19. The reflection layer 17 may reflect light incident from the light emitting structure 10 and increase the amount of light extracted to the outside.

상기 반사층(17)은 광 반사율이 70% 이상인 금속으로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 반사층(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. The reflective layer 17 may be formed of a metal having a light reflectance of 70% or more. For example, the reflective layer 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au and Hf. The reflective layer 17 may be formed of one of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin- oxide (IZTO) Transparent conductive materials such as indium-gallium-oxide (IGZO), indium-gallium-zinc-oxide (IGTO), indium-gallium-titanium- oxide (AZO), and antimony-tin-oxide And may be formed in multiple layers.

예를 들어, 실시 예에서 상기 반사층(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 반사층(17)은 Ag 층과 Ni 층이 교대로 형성될 수도 있고, Ni/Ag/Ni, 혹은 Ti 층, Pt 층을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 접촉층(15)은 상기 반사층(17) 아래에 형성되고, 적어도 일부가 상기 반사층(17)을 통과하여 상기 제2반도체층(13)과 접촉될 수도 있다. 다른 예로서, 상기 반사층(17)은 상기 제1 접촉층(15)의 아래에 배치되고, 일부가 상기 제1 접촉층(15)을 통과하여 상기 제2반도체층(13)과 접촉될 수 있다. For example, in an embodiment, the reflective layer 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy. For example, the reflective layer 17 may include an Ag layer and an Ni layer alternately or may include a Ni / Ag / Ni layer, a Ti layer, and a Pt layer. As another example, the first contact layer 15 may be formed under the reflective layer 17, and at least a part of the first contact layer 15 may be in contact with the second semiconductor layer 13 through the reflective layer 17. As another example, the reflective layer 17 may be disposed under the first contact layer 15, and a portion may contact the second semiconductor layer 13 through the first contact layer 15 .

실시 예에 따른 발광 소자는 상기 반사층(17) 아래에 배치된 캡핑층(capping layer)(19)을 포함할 수 있다. 상기 캡핑층(19)은 상기 반사층(17)의 하면과 접촉되고, 접촉부(34)가 패드(25)와 결합되어, 상기 패드(25)로부터 공급되는 전원을 전달하는 배선층으로 기능한다. 상기 캡핑층(19)은 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 Au, Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may include a capping layer 19 disposed under the reflective layer 17. The capping layer 19 is in contact with the lower surface of the reflective layer 17 and the contact portion 34 is coupled with the pad 25 to function as a wiring layer for transmitting power supplied from the pad 25. The capping layer 19 may include at least one of Au, Cu, Ni, Ti, Ti, W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo.

상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 발광 구조물(10)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치되며, 상기 패드(25)와 수직하게 오버랩된다. 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 제1 접촉층(15) 및 반사층(17)과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 영역에 배치된다. 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34)는 상기 발광 구조물(10)보다 낮은 위치에 배치되며, 상기 패드(25)와 직접 접촉될 수 있다.The contact portion 34 of the capping layer 19 is disposed in a region that does not overlap with the light emitting structure 10 in the vertical direction and overlaps with the pad 25 in a vertical direction. The contact portions 34 of the capping layer 19 are disposed in regions that do not overlap with the first contact layer 15 and the reflective layer 17 in the vertical direction. The contact portion 34 of the capping layer 19 is disposed at a lower position than the light emitting structure 10 and may be in direct contact with the pad 25.

상기 패드(25)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 단층은 Au일 수 있고, 다층인 경우 Ti, Ag, Cu, Au 중 적어도 2개를 포함할 수 있다. 여기서, 다층인 경우 Ti/Ag/Cu/Au의 적층 구조이거나, Ti/Cu/Au 적층 구조일 수 있다. 상기 반사층(17) 및 상기 제1 접촉층(15) 중 적어도 하나가 패드(25)와 직접 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The pad 25 may be formed as a single layer or a multilayer, and the single layer may be Au, and in the case of a multi-layer, at least two of Ti, Ag, Cu, and Au may be included. Here, the multilayer structure may be a Ti / Ag / Cu / Au laminate structure or a Ti / Cu / Au laminate structure. At least one of the reflective layer 17 and the first contact layer 15 may be in direct contact with the pad 25, but is not limited thereto.

상기 패드(25)는 제1전극층(20)의 외 측벽과 상기 발광 구조물(10) 사이의 영역(A1)에 배치될 수 있다. 상기 패드(25)의 둘레에는 상기 보호층(30) 및 투광층(45)이 접촉될 수 있다.The pad 25 may be disposed in an area A1 between the outer wall of the first electrode layer 20 and the light emitting structure 10. [ The protective layer 30 and the light-transmitting layer 45 may be in contact with the periphery of the pad 25.

보호층(30)은 상기 발광구조물(10)의 하면에 배치되며, 상기 제2반도체층(13)의 하면 및 상기 제1 접촉층(15)과 접촉될 수 있고, 상기 반사층(17)과 접촉될 수 있다.The protective layer 30 is disposed on the lower surface of the light emitting structure 10 and may be in contact with the lower surface of the second semiconductor layer 13 and the first contact layer 15, .

상기 보호층(30) 중 상기 발광 구조물(10)과 수직 방향으로 오버랩되는 내측부는 상기 돌출부(16)의 영역과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34) 위로 연장되며 상기 접촉부(34)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치된다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 패드(25)와 접촉될 수 있으며, 예컨대 상기 패드(25)의 둘레 면에 배치될 수 있다.The inner portion of the passivation layer 30, which overlaps with the light emitting structure 10 in the vertical direction, may be vertically overlapped with the region of the protrusion 16. The outer side of the passivation layer 30 extends over the contact portion 34 of the capping layer 19 and overlaps with the contact portion 34 in the vertical direction. The outer side of the protective layer 30 may be in contact with the pad 25, for example, on the peripheral surface of the pad 25.

상기 보호층(30)의 내측부는 상기 발광 구조물(10)과 상기 제1전극층(20) 사이에 배치되며, 외측부는 투광층(45)과 상기 캡핑층(19)의 접촉부(34) 사이에 배치될 수 있다. 상기 보호층(30)의 외측부는 상기 발광구조물(10)의 측벽보다 외측 영역(A1)으로 연장되어, 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. The inner side of the protective layer 30 is disposed between the light emitting structure 10 and the first electrode layer 20 and the outer side is disposed between the light transmitting layer 45 and the contact portion 34 of the capping layer 19 . The outer side of the protective layer 30 may extend to the outer region A1 rather than the side wall of the light emitting structure 10 to prevent moisture from penetrating.

상기 보호층(30)은 채널층, 또는 저 굴절 재질, 아이솔레이션층으로 정의될 수 있다. 상기 보호층(30)은 절연물질로 구현될 수 있으며, 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(30)은 SiO₂, Si_xO_y, Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y, Al₂O₃, TiO₂, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 보호층(30)은 투명한 재질로 형성될 수 있다.The protective layer 30 may be defined as a channel layer, a low refractive index material, or a channel layer. The protective layer 30 may be formed of an insulating material, for example, an oxide or a nitride. For example, the protective layer 30 may include at least one of SiO ₂ , Si _x O _y , Si ₃ N ₄ , Si _x N _y , SiO _x N _y , Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , May be selected and formed. The protective layer 30 may be formed of a transparent material.

실시 예에 따른 발광 소자는 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50)을 전기적으로 절연시키는 절연층(41)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(41)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50) 사이에 배치될 수 있다. 상기 절연층(41)의 상부는 상기 보호층(30)에 접촉될 수 있다. 상기 절연층(41)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(41)은 SiO₂, Si_xO_y, Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y, Al₂O₃, TiO₂, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may include an insulating layer 41 for electrically insulating the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50 from each other. The insulating layer 41 may be disposed between the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50. The upper portion of the insulating layer 41 may be in contact with the protective layer 30. The insulating layer 41 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the insulating layer 41 may include at least one of the group consisting of SiO ₂ , Si _x O _y , Si ₃ N ₄ , Si _x N _y , SiO _x N _y , Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , May be selected and formed.

상기 절연층(41)은 예로서 100 나노미터 내지 2000 나노미터의 두께로 형성될 수 있다. 상기 절연층(41)의 두께가 100 나노미터 미만으로 형성될 경우 절연 특성에 문제가 발생 될 수 있으며, 상기 절연층(41)의 두께가 2000 나노미터 초과로 형성될 경우에 후 공정 단계에서 깨짐이 발생 될 수 있다. 상기 절연층(41)은 상기 제1 전극층(20)의 하면과 상기 제2전극층(50)의 상면에 접촉되며, 상기 보호층(30), 캡핑층(19), 접촉층(15), 반사층(17) 각각의 두께보다는 두껍게 형성될 수 있다.The insulating layer 41 may be formed to a thickness of 100 nanometers to 2000 nanometers, for example. If the thickness of the insulating layer 41 is less than 100 nanometers, a problem may arise in the insulating characteristics. If the thickness of the insulating layer 41 is more than 2000 nanometers, May occur. The insulating layer 41 is in contact with the lower surface of the first electrode layer 20 and the upper surface of the second electrode layer 50 and the protective layer 30, the capping layer 19, the contact layer 15, (17).

상기 제2 전극층(50)은 상기 절연층(41) 아래에 배치된 확산 방지층(52), 상기 확산 방지층(52) 아래에 배치된 본딩층(54) 및 상기 본딩층(54) 아래에 배치된 전도성 지지부재(56)를 포함할 수 있으며, 상기 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극층(50)은 상기 확산 방지층(52), 상기 본딩층(54), 상기 전도성 지지부재(56) 중에서 1 개 또는 2 개를 선택적으로 포함하고, 상기 확산 방지층(52) 또는 상기 본딩층(54) 중 적어도 하나는 형성하지 않을 수 있다.The second electrode layer 50 may include a diffusion barrier layer 52 disposed below the insulating layer 41, a bonding layer 54 disposed below the diffusion barrier layer 52, And may include a conductive support member 56 and may be electrically connected to the first semiconductor layer 11. The second electrode layer 50 may selectively include one or two of the diffusion preventing layer 52, the bonding layer 54, and the conductive supporting member 56, and the diffusion preventing layer 52 or At least one of the bonding layers 54 may not be formed.

상기 확산 방지층(52)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 방지층(52)은 절연층(41)과 본딩층(54) 사이에서 확산 장벽층으로 기능할 수도 있다. 상기 확산 방지층(52)은 본딩층(54) 및 전도성 지지부재(56)와 전기적으로 연결되고, 상기 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결될 수 있다.The diffusion preventing layer 52 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo. The diffusion barrier layer 52 may function as a diffusion barrier layer between the insulating layer 41 and the bonding layer 54. The diffusion barrier layer 52 may be electrically connected to the bonding layer 54 and the conductive support member 56 and may be electrically connected to the first semiconductor layer 11.

상기 확산 방지층(52)은 상기 본딩층(54)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(54)에 포함된 물질이 상기 반사층(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 확산 방지층(52)은 상기 본딩층(54)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 반사층(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. The diffusion preventing layer 52 may prevent diffusion of the material contained in the bonding layer 54 toward the reflective layer 17 in the process of providing the bonding layer 54. The diffusion preventing layer 52 may prevent a substance such as tin contained in the bonding layer 54 from affecting the reflective layer 17.

상기 본딩층(54)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(56)는 실시 예에 따른 상기 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(54)은 시드(seed) 층을 포함할 수도 있다.The bonding layer 54 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, . The conductive support member 56 supports the light emitting structure 10 according to the embodiment and can perform a heat dissipation function. The bonding layer 54 may include a seed layer.

상기 전도성 지지부재(56)는 금속 또는 캐리어 기판 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(56)은 발광 소자를 지지하기 위한 층으로서, 그 두께는 제2전극층(50)의 두께의 80% 이상이며, 30㎛ 이상으로 형성될 수 있다.The conductive support member 56 may be formed of a metal or a carrier substrate, for example, a semiconductor substrate (e.g., Si, Ge) doped with Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, , GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, and the like). The conductive supporting member 56 is a layer for supporting the light emitting element, and the thickness thereof is 80% or more of the thickness of the second electrode layer 50, and may be 30 m or more.

한편, 제2접촉층(33)은 상기 제1 반도체층(11)의 내부에 배치되고 상기 제1반도체층(11)과 접촉된다. 상기 제2접촉층(33)의 상면은 상기 제1반도체층(11)의 하면보다 위에 배치될 수 있으며, 제1반도체층(11)과 전기적으로 연결되고, 상기 활성층(12) 및 제2반도체층(13)과 절연된다.On the other hand, the second contact layer 33 is disposed inside the first semiconductor layer 11 and is in contact with the first semiconductor layer 11. The upper surface of the second contact layer 33 may be disposed above the lower surface of the first semiconductor layer 11 and may be electrically connected to the first semiconductor layer 11, Is insulated from the layer (13).

상기 제2 접촉층(33)은 상기 제2 전극층(50)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 접촉층(33)은 상기 제1전극층(20), 상기 활성층(12) 및 상기 제2반도체층(15)을 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2 접촉층(33)은 상기 발광 구조물(10) 내에 배치된 리세스(recess)(2)에 배치되고, 상기 활성층(12) 및 제2반도체층(15)과 보호층(30)에 의해 절연된다. 상기 제2 접촉층(33)는 복수개가 서로 이격되어 배치될 수 있다. The second contact layer 33 may be electrically connected to the second electrode layer 50. The second contact layer 33 may be disposed through the first electrode layer 20, the active layer 12, and the second semiconductor layer 15. The second contact layer 33 is disposed in a recess 2 disposed in the light emitting structure 10 and the active layer 12 and the second semiconductor layer 15 and the protective layer 30 Lt; / RTI > A plurality of the second contact layers 33 may be disposed apart from each other.

상기 제2 접촉층(33)은 제2전극층(50)의 돌기(51)에 연결될 수 있으며, 상기 돌기(51)는 상기 확산 방지층(52)으로부터 돌출될 수 있다. 상기 돌기(51)은 절연층(41) 및 보호층(30) 내에 배치된 홀(41A)을 통해 관통되고, 제1전극층(20)과 절연될 수 있다. The second contact layer 33 may be connected to the protrusion 51 of the second electrode layer 50 and the protrusion 51 may protrude from the diffusion prevention layer 52. The protrusion 51 penetrates through the hole 41A disposed in the insulating layer 41 and the protection layer 30 and can be insulated from the first electrode layer 20. [

상기 제2 접촉층(33)는 예컨대 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 돌기(501)는 다른 예로서, 상기 확산 방지층(52) 및 본딩층(54)을 구성하는 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 예컨대 상기 돌기(51)은 예로서 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second contact layer 33 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au and Mo. As another example, the protrusion 501 may include at least one of the diffusion preventing layer 52 and the bonding layer 54, but is not limited thereto. For example, the protrusions 51 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd or Ta.

패드(25)는 상기 제1 전극층(20)에 전기적으로 연결되며, 상기 발광구조물(10)의 측벽 외측의 영역(A1)에 노출될 수 있다. 상기 패드(25)는 하나 또는 복수로 배치될 수 있다. 상기 패드(25)는 예컨대 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. The pad 25 is electrically connected to the first electrode layer 20 and may be exposed to an area A1 outside the sidewall of the light emitting structure 10. [ The pads 25 may be arranged in one or more than one. The pad 25 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe and Mo.

투광층(45)은 상기 발광구조물(10)의 표면을 보호하고, 상기 패드(91)와 상기 발광구조물(10)의 사이를 절연시킬 수 있고, 상기 보호층(30)의 주변부와 접촉될 수 있다. 상기 투광층(45)은 상기 발광 구조물(10)을 구성하는 반도체층의 물질보다 낮은 굴절률을 가지며, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 투광층(45)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 투광층(45)은 Si0₂, Si_xO_y, Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y, Al₂O₃, TiO₂, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 한편, 상기 투광층(45)은 설계에 따라 생략될 수도 있다. 실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10)은 상기 제1 전극층(20)과 상기 제2 전극층(50)에 의해 구동될 수 있다. The light-transmitting layer 45 protects the surface of the light-emitting structure 10 and may isolate the pad 91 from the light-emitting structure 10 and may be in contact with the periphery of the protective layer 30 have. The light-transmitting layer 45 has a lower refractive index than the material of the semiconductor layer constituting the light-emitting structure 10, and can improve light extraction efficiency. The light-transmitting layer 45 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the light-transmitting layer 45 may include at least one of the group consisting of SiO ₂ , Si _x O _y , Si ₃ N ₄ , Si _x N _y , SiO _x N _y , Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , May be selected and formed. Meanwhile, the light-transmitting layer 45 may be omitted according to design. According to the embodiment, the light emitting structure 10 may be driven by the first electrode layer 20 and the second electrode layer 50.

도 8은 실시 예에 따른 발광 소자의 다른 예로서, 플립 칩 형태를 나타낸 도면이다. 8 is a view showing a flip chip type as another example of the light emitting device according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 소자는 기판(311), 제1반도체층(312), 발광 구조물(310), 전극층(331), 절연층(333), 제1전극(335) 및 제2전극(337)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device includes a substrate 311, a first semiconductor layer 312, a light emitting structure 310, an electrode layer 331, an insulating layer 333, a first electrode 335, 337).

상기 기판(311)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga₂O₃ 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(311)의 탑 면에는 복수의 볼록부(미도시)가 형성되어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 기판(311)은 제거될 수 있으며, 이 경우 상기 제1반도체층(312) 또는 제1도전형 반도체층(313)이 탑 층으로 배치될 수 있다. The substrate 311 may use a light-transmitting, insulating or conductive substrate, e.g., sapphire (Al ₂ O _3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga ₂ O ₃ of At least one can be used. A plurality of convex portions (not shown) may be formed on the top surface of the substrate 311 to improve light extraction efficiency. Here, the substrate 311 may be removed. In this case, the first semiconductor layer 312 or the first conductivity type semiconductor layer 313 may be disposed as a top layer.

상기 기판(311) 아래에는 제1반도체층(312)이 배치될 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 II족 내지 V족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, GaP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(312)은 버퍼층 및 언도프드(undoped) 반도체층 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 기판과 질화물 반도체층 간의 격자 상수의 차이를 줄여줄 수 있고, 상기 언도프드 반도체층은 반도체의 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. 여기서, 상기 제1반도체층(312)은 형성하지 않을 수 있다. The first semiconductor layer 312 may be disposed under the substrate 311. The first semiconductor layer 312 may be formed using a compound semiconductor of group II to V elements. The first semiconductor layer 312 may include at least one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP and GaP. The first semiconductor layer 312 may be formed of at least one of a buffer layer and an undoped semiconductor layer. The buffer layer may reduce a difference in lattice constant between the substrate and the nitride semiconductor layer, Layer can improve the crystal quality of the semiconductor. Here, the first semiconductor layer 312 may not be formed.

상기 제1반도체층(312) 또는 상기 기판(311)의 아래에는 발광 구조물(310)이 배치될 수 있다. 상기 발광 구조물(310)은 II족 내지 V족 원소 및 III족-V족 원소의 화합물 반도체 중에서 선택적으로 형성되며, 자외선 대역부터 가시 광선 대역의 파장 범위 내에서 소정의 피크 파장을 발광할 수 있다. The light emitting structure 310 may be disposed under the first semiconductor layer 312 or the substrate 311. The light emitting structure 310 is selectively formed from a compound semiconductor of group II to V elements and a group III-V element, and can emit a predetermined peak wavelength within a wavelength range from the ultraviolet band to the visible light band.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 제2도전형 반도체층(315), 상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 제2도전형 반도체층(315) 사이에 활성층(314)을 포함한다. 상기 제1,2도전형 반도체층(313,315)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, a second conductive semiconductor layer 315, and a second conductive semiconductor layer 315 between the first conductive semiconductor layer 313 and the second conductive semiconductor layer 315. And an active layer 314. The first and second conductive semiconductor layers 313 and 315 may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 도펀트를 포함한다.The first conductive semiconductor layer 313 may be formed of a semiconductor doped with the first conductive dopant, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 313 includes a composition formula of In _x Al _y Ga ₁ _-x- _y N (0? X? 1, 0? _Y? 1, 0? _X + y? The first conductive semiconductor layer 313 may be a compound semiconductor of a group III-V element such as GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, . The first conductive dopant is an n-type dopant and includes dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 활성층(314)은 제1도전형 반도체층(313) 아래에 배치되고, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함하며, 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaA, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs의 페어 중 적어도 하나를 포함한다.The active layer 314 is disposed below the first conductive semiconductor layer 313 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. And includes the well layer and the period of the barrier layer. InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaA, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InGaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, / RTI > pair of < / RTI >

상기 제2도전형 반도체층(315)은 상기 활성층(313) 아래에 배치된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, In_xAl_yGa₁ _-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제1도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 315 is disposed below the active layer 313. The second conductive semiconductor layer 315 may include a semiconductor doped with a second conductive dopant such as In _x Al _y Ga ₁ _-xy N (0? _X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1). The second conductive semiconductor layer 315 may include at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. The second conductivity type semiconductor layer 315 is a p-type semiconductor layer, and the first conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

상기 발광 구조물(310)은 다른 예로서, 상기 제1도전형 반도체층(313)이 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층이 형성할 수도 있다. 또한 상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. As another example of the light emitting structure 310, the first conductive semiconductor layer 313 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 315 may be an n-type semiconductor layer. A third conductive type semiconductor layer having a polarity opposite to the second conductive type may be formed under the second conductive type semiconductor layer 315. The light emitting structure 310 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제2도전형 반도체층(315) 아래에는 전극층(331)이 형성된다. 상기 전극층(331)은 반사층을 포함하며, 상기 반사층은 발광 구조물(310)과 접촉된 오믹층을 더 포함할 수 있다. 상기 반사층은 반사율이 70% 이상인 물질 예컨대, Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt, Ir의 금속과 상기의 금속 중 2 이상의 합금 중에서 선택될 수 있다. 상기 전극층(331)은 단층 또는 다층 구조를 포함하며 예컨대, 투광성 전극층/반사층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 및 상기 전극층(331) 중 적어도 한 층의 표면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있으며, 이러한 광 추출 구조는 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 전극층(331)에 의해 반사된 광은 기판(311)을 통해 방출될 수 있다.An electrode layer 331 is formed under the second conductive type semiconductor layer 315. The electrode layer 331 may include a reflective layer, and the reflective layer may further include an ohmic layer in contact with the light emitting structure 310. The reflective layer may be selected from a material having a reflectance of 70% or more, for example, a metal of Al, Ag, Ru, Pd, Rh, Pt or Ir, and an alloy of two or more of the above metals. The electrode layer 331 may have a single layer or a multilayer structure, and may include, for example, a laminate structure of a light-transmitting electrode layer / a reflective layer. A light extracting structure such as a roughness may be formed on the surface of at least one of the second conductive type semiconductor layer 315 and the electrode layer 331. Such a light extracting structure may change the critical angle of incident light, The light extraction efficiency can be improved. The light reflected by the electrode layer 331 may be emitted through the substrate 311.

상기 제1도전형 반도체층(313)의 일부 영역 아래에는 제1전극(335)이 배치되며, 상기 전극층(331)의 일부 아래에는 제2전극(337)이 배치될 수 있다. A first electrode 335 may be disposed below a portion of the first conductive semiconductor layer 313 and a second electrode 337 may be disposed under a portion of the electrode layer 331.

상기 제1전극(335)는 상기 제1도전형 반도체층(315)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극(337)은 상기 전극층(331)을 통해 상기 제2도전형 반도체층(315)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1전극(335) 및 제2전극(337)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, Mo, W 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(335)과 상기 제2전극(337)은 동일한 적층 구조이거나 다른 적층 구조로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다. The first electrode 335 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 315 and the second electrode 337 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 315 through the electrode layer 331. [ And can be electrically connected. The first electrode 335 and the second electrode 337 may be formed of at least one of Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ta, . The first electrode 335 and the second electrode 337 may have the same or different lamination structure, and may be a single layer or a multilayer structure.

상기 절연층(333)은 상기 전극층(331) 아래에 배치되며, 상기 제2도전형 반도체층(315)의 하면, 상기 제2도전형 반도체층(315) 및 상기 활성층(314)의 측면, 상기 제1도전형 반도체층(313)의 일부 영역에 배치될 수 있다. 상기 절연층(333)은 상기 발광 구조물(310)의 하부 영역 중에서 상기 전극층(331), 제1전극(335) 및 제2전극(337)을 제외한 영역에 형성되어, 상기 발광 구조물(310)의 하부를 전기적으로 보호하게 된다. 상기 절연층(333)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr 중 적어도 하나를 갖는 산화물, 질화물, 불화물, 및 황화물 중 적어도 하나로 형성된 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(333)은 예컨대, SiO₂, Si₃N₄, Al₂O₃, TiO₂ 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(333)은 발광 구조물(310)의 아래에 플립 본딩을 위한 금속 구조물을 형성할 때, 상기 발광 구조물(310)의 층간 쇼트를 방지하기 위해 형성된다. The insulating layer 333 is disposed under the electrode layer 331 and the side surfaces of the second conductive type semiconductor layer 315 and the active layer 314, And may be disposed in a part of the region of the first conductivity type semiconductor layer 313. The insulating layer 333 is formed in a region of the light emitting structure 310 excluding the electrode layer 331, the first electrode 335 and the second electrode 337, So that the lower part is electrically protected. The insulating layer 333 includes an insulating material or an insulating resin formed of at least one of oxide, nitride, fluoride, and sulfide having at least one of Al, Cr, Si, Ti, Zn, and Zr. The insulating layer 333 may be selectively formed of, for example, SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , Al ₂ O ₃ , or TiO ₂ . The insulating layer 333 is formed to prevent an interlayer short circuit of the light emitting structure 310 when the metal structure for flip bonding is formed below the light emitting structure 310.

실시 예는 발광 소자 상에 형광체층(미도시)이 배치될 수 있으며, 상기 형광체층은 발광 소자의 상면에 배치되거나, 상면/측면에 배치될 수 있다. 상기 형광체층은 상기 발광 소자로부터 방출된 광의 파장 변환 효율이 개선될 수 있다. 상기 형광체층은 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 예컨대, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.In an embodiment, a phosphor layer (not shown) may be disposed on the light emitting device, and the phosphor layer may be disposed on the upper surface or the upper surface of the light emitting device. The wavelength conversion efficiency of the light emitted from the light emitting element can be improved in the phosphor layer. The phosphor layer may include at least one of a red phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, and a yellow phosphor. However, the present invention is not limited thereto. The phosphor may be selectively formed from among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

100: 조명 모듈 110: 케이스
120: 베이스 기판 130: 발광 모듈
131: 회로 기판 133: 발광 소자
160: 제1광학 렌즈 162: 리세스
161: 입사면 163: 전 반사면
165: 출사면
170: 액츄에이터
171: 자석
175: 코일
180: 제2광학 렌즈
181: 셀
185: 지지부100: lighting module 110: case
120: base substrate 130: light emitting module
131: circuit board 133: light emitting element
160: first optical lens 162: recess
161: incidence plane 163: full reflection plane
165: exit surface
170: Actuator
171: Magnet
175: Coil
180: second optical lens
181:
185:

Claims

A plurality of light emitting modules in which light emitting elements are arranged;
A plurality of first optical lenses disposed on each of the plurality of optical modules;
A second optical lens disposed on the plurality of first optical lenses and having a plurality of cells having a convex lens shape;
And an actuator for moving the second optical lens in a vertical or downward direction.

The method according to claim 1,
A base substrate disposed under the plurality of light emitting modules; And
And a case having an opening and disposed on the base substrate,
And the plurality of light emitting modules and the plurality of first optical lenses are disposed in the opening.

3. The method of claim 2,
Wherein the first optical lens has a recess on the light emitting element, an incident surface around the recess, a total reflection surface on the outer periphery of the incident surface, and an incident surface on the incident surface, And an exit surface that emits light reflected by the second optical lens and faces the second optical lens.

The method of claim 3,
Wherein an exit surface of the first optical lens is a horizontal plane and a top view shape is a circular shape.

The method of claim 3,
And a circuit board electrically connected to the light emitting device between the base substrate and each of the light emitting devices.

6. The method according to any one of claims 3 to 5,
Wherein the optical lens comprises a support protrusion spaced from the base substrate and coupled to the base substrate.

6. The method according to any one of claims 3 to 5,
Wherein the actuator comprises a magnet disposed on the case and a coil corresponding to the magnet on the second optical lens.

8. The method of claim 7,
And a support portion disposed on the inner periphery of the case around the outer periphery of the second optical lens,
And the coil is wound around an outer periphery of the support portion.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
And the outer surface of the lower surface of the second optical lens is disposed so as to overlap with the case vertically.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein the first optical lens includes a collimator lens,
Wherein the second optical lens comprises a fly eye lens.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein the plurality of first optical lenses are arranged in m rows and n columns (m, n? 3) below the second optical lens,
The center of the center-side cell of the second optical lens facing the center-side lens of the first optical lens is aligned with the center of the center-side cell of the second side-cell of the second optical lens facing the side- The lighting module is centered on each other.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Wherein the focal length of the second optical lens is greater than the length of one side of the cell of the second optical lens and less than the pitch of the first optical lens.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
And a heat dissipation plate having a plurality of heat dissipation fins below the base substrate.