KR20170109805A - Thermistor for piezoelectric device and piezoelectric device package including the same - Google Patents

Thermistor for piezoelectric device and piezoelectric device package including the same Download PDF

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KR20170109805A
KR20170109805A KR1020160033854A KR20160033854A KR20170109805A KR 20170109805 A KR20170109805 A KR 20170109805A KR 1020160033854 A KR1020160033854 A KR 1020160033854A KR 20160033854 A KR20160033854 A KR 20160033854A KR 20170109805 A KR20170109805 A KR 20170109805A
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thermistor
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조원섭
김영욱
차상엽
이순범
김용성
박아리운
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 제1면과 제2면을 가지는 기판; 상기 제1면에 배치되는 제1 내지 제4 단자 전극; 상기 제1면에 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극을 통해 각각 상기 제1 및 제2 단자 전극과 전기적으로 연결되는 써미스터층; 및 상기 제2면에 배치되며, 각각 상기 제3 및 제4 단자 전극과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극;을 포함하는 압전 소자용 써미스터에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate having a first surface and a second surface; First to fourth terminal electrodes disposed on the first surface; A thermistor layer disposed on the first surface and electrically connected to the first and second terminal electrodes via first and second connection electrodes, respectively; And first and second quartz vibrator electrodes disposed on the second face and electrically connected to the third and fourth terminal electrodes, respectively.

Description

압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지{THERMISTOR FOR PIEZOELECTRIC DEVICE AND PIEZOELECTRIC DEVICE PACKAGE INCLUDING THE SAME} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a thermistor for a piezoelectric element and a piezoelectric device package including the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본 발명은 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a thermistor for a piezoelectric element and a piezoelectric element package including the thermistor.

수정 진동자는 SiO2로 구성된 석영(Quartz)을 얇은 조각 형태로 제조되는 수정편과 수정 진동자의 양면에 Au 또는 Ag와 같은 도전성 물질로 이루어진 여진 전극을 포함한다. The quartz crystal includes a quartz quartz crystal piece made of SiO 2 and an excitation electrode made of a conductive material such as Au or Ag on both sides of the quartz crystal.

여진 전극에 전압을 가하면 전기 일그러짐 효과에 의해 변형력이 더해져서 진동이 일어난다. 진동이 일어나면 압전 효과에 의해 전극에 전압이 유발되고, 그 진동수는 수정의 역학적 성질이나 크기에 따라 정해지며, 일반적으로 온도 등의 변화에 대해 안정하고 Q값도 매우 높다.When a voltage is applied to the excitation electrode, the deformation is added due to the electric distortion effect, and vibration is generated. When vibration occurs, a voltage is induced in the electrode due to the piezoelectric effect, and the frequency thereof is determined according to the mechanical property and size of crystal, and is generally stable against changes in temperature and Q value.

이러한 성질을 이용하여 이동 통신 기기에 있어서 주파수를 제어하기 위해 수정 진동자가 사용된다. A quartz crystal is used to control the frequency in a mobile communication device by using such a property.

최근 IC(Intergrated Circuit) 기기들의 성능이 향상됨에 따라서 종래 사용되는 TCXO(Temperature Compensation Cry stal Oscillator) 장치를 대체할 수 있는 공정도(High-End) 복합 수정 발진기가 필요하다.Recently, as the performance of integrated circuit (IC) devices has improved, a high-end complex crystal oscillator capable of replacing a conventional TCXO (Temperature Compensation Crystal Oscillator) device is needed.

수정 진동자의 경우, 넓은 사용 온도 범위에서 외부 온도 변화에 대하여 일정한 안정적인 주파수를 유지해야 하는데, 수정 진동자와 온도에 따른 주파수를 보정하는 보상 회로를 수정 진동자에 구비하여 수정 진동자와 주파수간의 편차를 줄임으로써 보다 안정적이고 정확한 특성을 갖는 수정 진동자를 구현해낼 수 있다.In the case of a crystal oscillator, it is necessary to maintain a constant stable frequency with respect to an external temperature change over a wide temperature range. A quasi-oscillator is provided with a quartz crystal oscillator and a compensation circuit for correcting the frequency according to the temperature, A quartz oscillator having more stable and accurate characteristics can be realized.

따라서 외부 온도 변화에 대해 안정적인 주파수를 유지하면서 소형화를 유지할 수 있는 압전 소자 패키지가 필요한 실정이다.Therefore, there is a need for a piezoelectric device package capable of maintaining a small size while maintaining a stable frequency with respect to an external temperature change.

대한민국 특허공개공보 제2014-0057704호Korean Patent Laid-Open Publication No. 2014-0057704

본 발명은 써미스터층이 기판의 실장면에 배치되어 박형화가 가능하고, 인쇄회로기판에서 발생하는 열을 가장 빠르게 감지할 수 있는 압전 소자용 써미스터 및 이를 포함하는 압전 소자 패키지를 제공하고자 한다.The present invention provides a thermistor for a piezoelectric element and a piezoelectric device package including the thermistor, wherein the thermistor layer can be disposed in a mounting surface of the substrate and can be thinned, and the heat generated in the printed circuit board can be detected most quickly.

본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터는 제1면과 제2면을 가지는 기판; 상기 제1면에 배치되는 제1 내지 제4 단자 전극; 상기 제1면에 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극을 통해 각각 상기 제1 및 제2 단자 전극과 전기적으로 연결되는 써미스터층; 및 상기 제2면에 배치되며, 각각 상기 제3 및 제4 단자 전극과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극;을 포함한다.A thermistor for a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention includes: a substrate having a first surface and a second surface; First to fourth terminal electrodes disposed on the first surface; A thermistor layer disposed on the first surface and electrically connected to the first and second terminal electrodes via first and second connection electrodes, respectively; And first and second quartz crystal electrodes disposed on the second face and electrically connected to the third and fourth terminal electrodes, respectively.

본 발명의 다른 실시예에 따른 압전 소자 패키지는 제1면과 제2면을 가지는 기판; 상기 제1면에 배치되는 제1 내지 제4 단자 전극; 상기 제1면에 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극을 통해 각각 상기 제1 및 제2 단자 전극과 전기적으로 연결되는 써미스터층; 상기 제2면에 배치되며, 각각 상기 제3 및 제4 단자 전극과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극; 및 상기 제2면에 배치되어 상기 제1 및 제2 수정 진동자용 전극과 접속된 수정 진동자;를 포함한다.A piezoelectric device package according to another embodiment of the present invention includes: a substrate having a first surface and a second surface; First to fourth terminal electrodes disposed on the first surface; A thermistor layer disposed on the first surface and electrically connected to the first and second terminal electrodes via first and second connection electrodes, respectively; First and second quartz oscillator electrodes disposed on the second surface and electrically connected to the third and fourth terminal electrodes, respectively; And a crystal oscillator disposed on the second surface and connected to the electrodes for the first and second crystal oscillators.

본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터는 써미스터층이 기판의 실장면에 배치되어 박형화가 가능하고, 인쇄회로기판에서 발생하는 열을 가장 빠르게 감지할 수 있다는 효과가 있다.The piezoelectric element thermistor according to an embodiment of the present invention has the effect that the thermistor layer can be disposed on the mounting surface of the substrate to be thin, and the heat generated from the printed circuit board can be detected most quickly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터의 하면의 평면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전 소자 패키지의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 4의 II-II`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a perspective view of a piezoelectric element thermistor according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view schematically showing a bottom surface of a piezoelectric element thermistor according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 schematically shows a cross-sectional view taken along II 'of Fig.
4 schematically shows a perspective view of a piezoelectric device package according to another embodiment of the present invention.
Fig. 5 schematically shows a cross-sectional view taken along the line II-II in Fig.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 또한, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" to another element, it may be directly connected to the other element, but there may be other elements in between. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Also, other expressions describing the relationship between the components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호가 사용될 것이며, 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.In the drawings referred to in the present invention, elements having substantially the same configuration and function will be denoted by the same reference numerals, and the shapes and sizes of the elements and the like in the drawings may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터(100)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터(100)의 하면의 평면도를 개략적으로 도시한 것이고, 도 3은 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 1 is a perspective view of a piezoelectric element thermistor 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a bottom surface of a piezoelectric element thermistor 100 according to an embodiment of the present invention. And Fig. 3 schematically shows a cross-sectional view according to II 'in Fig.

도 1 내지 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터(100)의 구조에 대해 설명하도록 한다.The structure of the piezoelectric element thermistor 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터(100)는 기판(110), 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a) 및 써미스터층(130)을 포함한다.The piezoelectric element thermistor 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110, first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a, and 124a, and a thermistor layer 130.

기판(110)은 제1면(1) 및 제2면(2)을 가진다. 제1면(1)은 실장면으로 제공될 수 있으며, 제2면(2)은 압전 소자가 배치되는 면으로 제공될 수 있다.The substrate 110 has a first side 1 and a second side 2. The first surface 1 may be provided as a mounting surface and the second surface 2 may be provided as a surface on which the piezoelectric elements are disposed.

기판(110)은 인쇄회로기판일 수 있다.The substrate 110 may be a printed circuit board.

또한, 기판(110)은 폴리머 또는 세라믹을 포함할 수 있으나, 이에 제한 되는 것은 아니다. 압전 소자에 대한 써미스터층(130)의 온도에 대한 감응성을 향상시키기 위해 기판(110)은 열전도도가 좋은 물질로 형성되거나, 세라믹에 열전도가 좋은 물질을 분산시킨 것을 이용하여 형성될 수 있다.In addition, the substrate 110 may include, but is not limited to, polymers or ceramics. In order to improve the sensitivity of the thermistor layer 130 to the temperature of the piezoelectric element, the substrate 110 may be formed of a material having a high thermal conductivity or a material having a good thermal conductivity dispersed in the ceramic material.

또한 기판(110)은 열전도도가 뛰어난 에폭시를 이용하여 형성될 수도 있다.Further, the substrate 110 may be formed using an epoxy having a high thermal conductivity.

기판(110)은 측면의 모서리가 일부 제거된 평판일 수 있다. 모서리가 일부 제거된 곳에는 측면 전극(121b, 122b, 123b, 124b)이 배치될 수 있다.The substrate 110 may be a flat plate from which the side edges are partially removed. The side electrodes 121b, 122b, 123b, and 124b may be disposed where the edges are partially removed.

제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)은 제1면(1)의 모서리 부에 배치될 수 있다.The first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a may be disposed at the corners of the first surface 1.

제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)은 기판(110)의 제1면(1)에 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a may be formed on the first surface 1 of the substrate 110 using a conductive paste, but the present invention is not limited thereto.

제1 및 제2 단자 전극(121a, 122a)은 써미스터층(130)과 전기적으로 연결되며, 제3 및 제4 단자 전극(123a, 124a)은 압전 소자와 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second terminal electrodes 121a and 122a may be electrically connected to the thermistor layer 130 and the third and fourth terminal electrodes 123a and 124a may be electrically connected to the piezoelectric element.

도 2에서는 제1 및 제2 단자 전극(121a, 122a)이 서로 대각선에 위치하도록 도시하였으나, 제1 및 제2 단자 전극(121a, 122a)이 서로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 인접하여 배치될 수 있다.2, the first and second terminal electrodes 121a and 122a are disposed diagonally to each other. However, the first and second terminal electrodes 121a and 122a may be disposed adjacent to each other clockwise or counterclockwise have.

또한, 제3 및 제4 단자 전극(123a, 124a)이 서로 대각선에 위치할 수 있다.Also, the third and fourth terminal electrodes 123a and 124a may be positioned diagonally with respect to each other.

제3 또는 제4 단자 전극(123a, 124b) 중 하나는 마킹(180)을 포함할 수 있다.One of the third or fourth terminal electrodes 123a and 124b may include a marking 180.

마킹(180)은 실장시 어느 단자 전극이 압전 소자와 전기적으로 연결되는지 육안으로 확인할 수 있는 역할을 수행할 수 있다.The marking 180 can perform a function of visually confirming which terminal electrode is electrically connected to the piezoelectric element during mounting.

써미스터층(130)은 제1면(1)의 중심부에 배치될 수 있다. The thermistor layer 130 may be disposed at the center of the first surface 1.

써미스터층(130)은 제1 및 제2 연결 전극(131, 132)를 통해, 각각 제1 및 제2 단자 전극(121a, 122a)와 전기적으로 연결된다.The thermistor layer 130 is electrically connected to the first and second terminal electrodes 121a and 122a through the first and second connection electrodes 131 and 132, respectively.

써미스터층(130)은 NTC(Negative Temperature Coefficient) 써미스터 조성물을 이용하여 형성될 수 있다. NTC 써미스터란 온도가 증가하면 저항값이 감소하는 특성을 가진 써미스터를 의미한다.The thermistor layer 130 may be formed using a negative temperature coefficient (NTC) thermistor composition. An NTC thermistor is a thermistor whose resistance value decreases with increasing temperature.

NTC 써미스터 조성물의 주성분은 NTC 써미스터에 전도도를 부여하는 세라믹 반도체의 역할을 수행할 수 있으며, 전도도를 부여하는 원리는 다음과 같다.The main component of the NTC thermistor composition can serve as a ceramic semiconductor that imparts conductivity to the NTC thermistor, and the principle of imparting the conductivity is as follows.

NTC 써미스터는 소성 과정에서 생성된 AB2O4 결정 구조의 스피넬(Spinel) 상 중에서 B-Site(Octahedral)의 양이온 간의 전하 평형상태를 NTC 써미스터용 조성물의 조성으로 조정하여 전자 호핑(hopping) 위치를 생성한다. The NTC thermistor adjusts the charge equilibrium state between the cations of the B-site (octahedral) in the spinel phase of the AB 2 O 4 crystal structure generated during the firing process to the composition of the composition for the NTC thermistor, .

즉, NTC 써미스터는 전자 호핑이 발생할 수 있는 위치(site)를 생성하여 주변의 온도로부터 전자 호핑에 필요한 에너지를 얻어 온도 상승에 따른 전자 호핑의 증가로 저항이 감소하는 R-T(저항-온도)의 비선형 특성을 구현한다.That is, the NTC thermistor generates a site where electron hopping can occur, obtains the energy required for electron hopping from the surrounding temperature, obtains a nonlinear resistance (resistance-temperature) non-linearity Properties.

써미스터층(130)의 일면에는 저항값의 조정을 위한 홈(미도시)이 배치될 수 있다. 홈은 써미스터층(130)을 형성한 후 레이저를 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. A groove (not shown) for adjusting the resistance value may be disposed on one surface of the thermistor layer 130. The grooves may be formed using a laser after forming the thermistor layer 130, but the present invention is not limited thereto.

종래의 압전 소자용 패키지는 써미스터를 캐비티(cavity) 내에 위치시켰으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터(100)는 실장면으로 제공되는 제1면(1)에 써미스터층(130)을 위치시킴으로써 설계에 대한 자유도가 높고 박형화가 가능하고, 압전 소자와 동일 공간 내에 배치되어 공진 주파수를 변화시킬 수 있는 위험을 감소시킬 수 있다.The conventional thermistor 100 for a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention has a thermistor layer 130 on a first surface 1 provided as a mounting surface, It is possible to reduce the risk that the resonance frequency can be changed by placing the piezoelectric element in the same space as the piezoelectric element.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 압전 소자용 써미스터(100)는 써미스터층(130)이 기판(110)에 직접 형성되기 때문에 기판(110)의 온도를 민감하게 측정할 수 있다.Also, since the thermistor layer 130 is directly formed on the substrate 110, the temperature of the substrate 110 can be measured sensitively.

제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 두께(t1)는 써미스터층(130)의 두께(t3)보다 두꺼울 수 있다.The thickness t1 of the first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a may be thicker than the thickness t3 of the thermistor layer 130.

써미스터층(130)의 두께(t3)가 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 두께(t1)보다 두꺼운 경우에는 압전 소자 패키지의 표면 실장시에 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 평탄도를 확보할 수 없다. When the thickness t3 of the thermistor layer 130 is thicker than the thickness t1 of the first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a, The flatness of the electrodes 121a, 122a, 123a, and 124a can not be ensured.

즉, 써미스터층(130)의 두께가 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 두께(t1)보다 두꺼운 경우에는 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a) 중 일부가 실장되는 부분의 단자와 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.That is, when the thickness of the thermistor layer 130 is thicker than the thickness t1 of the first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a, the first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a A problem may arise in that the terminal of the part where some of them are mounted may fall off.

따라서, 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 두께는 써미스터층(130)의 두께(t3)보다 두껍게 형성하여 압전 소자 패키지의 표면 실장시에 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 평탄도를 확보할 수 있다.The thickness of the first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a is greater than the thickness t3 of the thermistor layer 130 so that the first to fourth terminal electrodes 121a, It is possible to secure the flatness of the grooves 121a, 122a, 123a and 124a.

또한, 제1 및 제2 연결 전극(131, 132)의 두께(t2)는 써미스터층(130)의 두께(t3)보다 두꺼울 수 있다. 즉, 제1 및 제2 연결 전극(131, 132)의 두께(t2)는 써미스터층(130)의 두께(t3)보다 두껍게 하여, 제1 및 제2 연결 전극(131, 132)의 일단부가 써미스터층(130)의 일면을 일부 덮도록 배치되어 연결성을 향상시킬 수 있다. The thickness t2 of the first and second connection electrodes 131 and 132 may be greater than the thickness t3 of the thermistor layer 130. [ That is, the thickness t2 of the first and second connection electrodes 131 and 132 is made thicker than the thickness t3 of the thermistor layer 130 so that one end of the first and second connection electrodes 131 and 132 is connected to the thermistor 130, It is possible to improve the connectivity by disposing a part of one side of the layer 130 to cover.

제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 평탄도 확보를 위해, 제1 및 제2 연결 전극(131, 132)의 두께(t2)는 제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)의 두께(t1)보다 얇을 수 있다.The thickness t2 of the first and second connection electrodes 131 and 132 may be equal to or greater than the thickness t2 of the first to fourth terminal electrodes 121a and 122a, , 122a, 123a, 124a).

기판(110)의 측면에는 측면 전극(121b, 122b, 123b, 124b)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(110)의 측면의 모서리 부분이 일부 제거되어 홈이 형성되어 있는 경우에 측면 전극(121b, 122b, 123b, 124b)은 홈을 덮도록 배치될 수 있다. Side electrodes 121b, 122b, 123b, and 124b may be formed on a side surface of the substrate 110. [ For example, the side electrodes 121b, 122b, 123b, and 124b may be arranged to cover the grooves when the side edges of the substrate 110 are partially removed to form grooves.

기판(110)의 측면의 모서리 부분이 일부 제거되어 형성된 홈은 측면 전극의 형성을 용이하게 하기 위한 기능을 수행할 수 있다.The grooves formed by partially removing the corner portions of the side surface of the substrate 110 can perform the function for facilitating the formation of the side electrodes.

제1 내지 제4 단자 전극(121a, 122a, 123a, 124a)은 각각 측면 전극(121b, 122b, 123b, 124b)을 통해 제2면(2)에 배치되는 상면 전극(121c, 122c, 123c, 124c)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first to fourth terminal electrodes 121a, 122a, 123a and 124a are connected to upper electrodes 121c, 122c, 123c and 124c (not shown) arranged on the second surface 2 through the side electrodes 121b, 122b, 123b and 124b, As shown in FIG.

특히, 제3 및 제4 단자 전극(123a, 124a)은 측면 전극(123b, 124b)과 상면 전극(123c, 124c)를 통해 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.Particularly, the third and fourth terminal electrodes 123a and 124a are electrically connected to the first and second quartz oscillator electrodes 141 and 142 through the side electrodes 123b and 124b and the top electrodes 123c and 124c, respectively. Can be connected.

제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)은 제2면(2)에 서로 이격되어 배치될 수 있으며, 상면 전극(123c, 124c)와 각각 연결될 수 있다.The first and second quartz vibrator electrodes 141 and 142 may be spaced from each other on the second surface 2 and may be connected to the top electrodes 123c and 124c, respectively.

또는, 제3 및 제4 단자 전극(123a, 124a)은 기판(110)을 관통하는 도전성 비아(미도시)를 통해 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 도전성 비아를 이용하는 경우에는 후술하는 캡 리드(Cap Lid)을 이용하여 압전 소자를 용접 밀폐(hermetic sealing)할 때, 밀폐성을 향상시킬 수 있다. Alternatively, the third and fourth terminal electrodes 123a and 124a may be electrically connected to the first and second quartz vibrator electrodes 141 and 142, respectively, through conductive vias (not shown) passing through the substrate 110 have. When a conductive via is used, hermetic sealing can be improved when the piezoelectric element is hermetically sealed by using a cap lead (to be described later).

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전 소자 패키지(1000)의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 5는 도 4의 II-II`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.4 schematically shows a perspective view of a piezoelectric device package 1000 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 schematically shows a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG.

도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전 소자 패키지(1000)는 압전 소자용 써미스터(100)의 상부에 실장되는 수정 진동자(150)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the piezoelectric device package 1000 according to another embodiment of the present invention may further include a quartz crystal oscillator 150 mounted on the piezoelectric element thermistor 100.

수정 진동자(150)는 SiO2로 구성된 석영(Quartz)을 절단한 뒤 그 상면과 하면에 여진 전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.The quartz crystal resonator 150 can be manufactured by cutting a quartz composed of SiO 2 and then forming excitation electrodes on the top and bottom surfaces thereof.

수정 진동자(150)의 여진 전극은 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)을 통해 제3 및 제4 단자 전극(123a, 124a)와 전기적으로 연결될 수 있다.The excitation electrode of the quartz crystal resonator 150 may be electrically connected to the third and fourth terminal electrodes 123a and 124a through the first and second quartz crystal resonator electrodes 141 and 142. [

즉, 수정 진동자(150)를 도전성 접착제(145)를 통해 제1 및 제2 수정 진동자용 전극(141, 142)에 배치할 수 있다.That is, the quartz vibrator 150 can be disposed on the first and second quartz vibrator electrodes 141 and 142 through the conductive adhesive 145. [

제2면(2)에는 수정 진동자(150)를 외부로부터 용접 밀폐시키는 캡 리드이 배치된다.The second surface (2) is provided with a cap lead for welding and sealing the quartz vibrator (150) from the outside.

캡 리드(270)는 제2면의 둘레 부분에 배치되는 금속 페이스트인 밀폐 고리(272)와 캡 리드(270)의 하단부에 배치되는 금속 접합층(273)을 금속-금속 접합하여 수정 진동자(150)를 용접 밀폐시킬 수 있다.The cap lead 270 is metal-metal bonded to the quartz crystal resonator 150 through a metal bonding layer 272 disposed at a peripheral portion of the second surface and a metal bonding layer 273 disposed at a lower end portion of the cap lead 270 Can be welded and sealed.

금속 접합층(273)은 Au-Sn 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The metal bonding layer 273 may be Au-Sn, but is not limited thereto.

캡 리드(270)와 상면 전극(121c, 122c, 123c, 124c)의 사이에는 유리 절연층(271)이 배치될 수 있다.A glass insulating layer 271 may be disposed between the cap lead 270 and the upper surface electrodes 121c, 122c, 123c, and 124c.

유리 절연층(271)은 밀폐 고리(272)와 상면 전극(121c, 122c, 123c, 124c)을 절연시키는 역할을 수행할 수 있다.The glass insulating layer 271 may serve to insulate the sealing ring 272 from the top electrodes 121c, 122c, 123c, and 124c.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited only by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

100: 압전 소자용 써미스터
1: 제1면 2: 제2면
110: 기판
121a, 122a, 123a, 124a: 단자 전극
121b, 122b, 123b, 124b: 측면 전극
121c, 122c, 123c, 124c: 상면 전극
130: 써미스터층
131, 132: 연결 전극
141, 142: 수정 진동자용 전극
150: 수정 진동자100: Thermistor for piezoelectric element
1: first side 2: second side
110: substrate
121a, 122a, 123a, and 124a:
121b, 122b, 123b, 124b:
121c, 122c, 123c, and 124c:
130: Thermistor layer
131, 132: connecting electrode
141, 142: electrode for quartz crystal
150: crystal oscillator

Claims (11)

제1면과 제2면을 가지는 기판;
상기 제1면에 배치되는 제1 내지 제4 단자 전극;
상기 제1면에 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극을 통해 각각 상기 제1 및 제2 단자 전극과 전기적으로 연결되는 써미스터층; 및
상기 제2면에 배치되며, 각각 상기 제3 및 제4 단자 전극과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극;을 포함하는 압전 소자용 써미스터.
A substrate having a first side and a second side;
First to fourth terminal electrodes disposed on the first surface;
A thermistor layer disposed on the first surface and electrically connected to the first and second terminal electrodes via first and second connection electrodes, respectively; And
And first and second quartz crystal electrodes disposed on the second surface and electrically connected to the third and fourth terminal electrodes, respectively.
제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 단자 전극의 두께는 상기 써미스터층의 두께보다 두꺼운 압전 소자용 써미스터.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the first to fourth terminal electrodes is thicker than the thickness of the thermistor layer.
제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 단자 전극은 상기 제1면의 모서리부에 각각 배치되는 압전 소자용 써미스터.
The method according to claim 1,
And the first to fourth terminal electrodes are respectively disposed at corner portions of the first surface.
제3항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 단자 전극은 상기 기판의 측면의 모서리에 배치되는 측면 전극과 각각 연결되는 압전 소자용 써미스터.
The method of claim 3,
And the first to fourth terminal electrodes are respectively connected to the side electrodes disposed on the side edges of the substrate.
제4항에 있어서,
상기 제1 및 제2 수정 진동자용 전극은 상기 측면 전극을 통해 상기 제3 및 제4 단자 전극과 전기적으로 연결되는 압전 소자용 써미스터.
5. The method of claim 4,
And the first and second quartz oscillator electrodes are electrically connected to the third and fourth terminal electrodes via the side electrodes.
제3항에 있어서,
상기 제1 및 제2 단자 전극은 상기 제1면의 모서리부 중 서로 대각선으로 떨어진 곳에 배치되며,
상기 제3 및 제4 단자 전극은 상기 제1면의 모서리부 중 서로 대각선으로 떨어진 곳에 배치되는 압전 소자용 써미스터.
The method of claim 3,
Wherein the first and second terminal electrodes are disposed diagonally apart from each other in an edge portion of the first surface,
And the third and fourth terminal electrodes are disposed diagonally apart from each other in an edge portion of the first surface.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 수정 진동자용 전극과 상기 제3 및 제4 단자 전극은 각각 도전성 비아를 통해 전기적으로 연결되는 압전 소자용 써미스터.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second quartz oscillator electrodes and the third and fourth terminal electrodes are electrically connected through conductive vias, respectively.
제1항에 있어서,
상기 제3 또는 제4 단자 전극 중 하나는 마킹을 포함하는 압전 소자용 써미스터.
The method according to claim 1,
And one of the third or fourth terminal electrodes includes a marking.
제1면과 제2면을 가지는 기판;
상기 제1면에 배치되는 제1 내지 제4 단자 전극;
상기 제1면에 배치되며, 제1 및 제2 연결 전극을 통해 각각 상기 제1 및 제2 단자 전극과 전기적으로 연결되는 써미스터층;
상기 제2면에 배치되며, 각각 상기 제3 및 제4 단자 전극과 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 수정 진동자용 전극; 및
상기 제2면에 배치되어 상기 제1 및 제2 수정 진동자용 전극과 접속된 수정 진동자;를 포함하는 압전 소자 패키지.
A substrate having a first side and a second side;
First to fourth terminal electrodes disposed on the first surface;
A thermistor layer disposed on the first surface and electrically connected to the first and second terminal electrodes via first and second connection electrodes, respectively;
First and second quartz oscillator electrodes disposed on the second surface and electrically connected to the third and fourth terminal electrodes, respectively; And
And a crystal oscillator disposed on the second surface and connected to the electrodes for the first and second quartz oscillators.
제9항에 있어서,
상기 제1 내지 제4 단자 전극의 두께는 상기 써미스터층의 두께보다 두꺼운 압전 소자 패키지.
10. The method of claim 9,
Wherein the thickness of the first to fourth terminal electrodes is thicker than the thickness of the thermistor layer.
제9항에 있어서,
상기 제2면에 배치되어 상기 수정 진동자를 덮는 캡 리드를 포함하는 압전 소자 패키지.
10. The method of claim 9,
And a cap lead disposed on the second surface to cover the quartz crystal.
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1278485C (en) * 2000-01-31 2006-10-04 京瓷金石株式会社 Vessel for oscillation circuits using piczoelectric vibrator, method of producing the same and oscillator
JP2002050929A (en) * 2000-08-02 2002-02-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting
JP2007089117A (en) * 2005-08-24 2007-04-05 Seiko Instruments Inc Piezoelectric vibrator, oscillator, electronic component, electronic equipment, manufacturing method of piezoelectric vibrator, and manufacturing method of electronic component
JP5070954B2 (en) * 2007-06-22 2012-11-14 株式会社大真空 Surface mount type piezoelectric vibration device
CN102160285B (en) * 2008-03-31 2014-04-30 株式会社村田制作所 Piezoelectric vibrating part
JP5595218B2 (en) * 2010-10-20 2014-09-24 日本電波工業株式会社 Piezoelectric device and method for manufacturing piezoelectric substrate
JP2013146003A (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Seiko Epson Corp Vibration device and electronic apparatus
CN204046540U (en) * 2014-08-15 2014-12-24 加高电子股份有限公司 The resonator packages structure of tool thermistor component
CN204272053U (en) * 2014-12-11 2015-04-15 杭州鸿星电子有限公司 A kind of base construction of SMD quartz resonator

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