KR20170109543A - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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KR20170109543A
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타카시 사카이리
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소니 주식회사
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Abstract

본 개시의 표시 장치는, 반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되어 공진기 구조를 구성하고 있다. 이 공진기 구조에서, 반사판과 반투과판 사이에, 발광층을 포함하는 발광 기능층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막이, 차례로, 적층되어 있다. 그리고, 반투과판은, 보호막의 위에 형성되어 있다.

Description

표시 장치 및 전자 기기{DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT}
본 개시는, 표시 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.
화소의 발광 소자로서, 자발광 소자인 유기 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence : EL) 소자를 이용한 유기 EL 표시 장치가 있다. 유기 EL 표시 장치에서, 공진 효과에 의해 특정한 파장의 광을 강조하는 공진기 구조를 채용함으로써, 색역(色域)의 확대나 발광 효율의 향상을 도모할 수 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1에 기재된 표시 장치에서는, 애노드 전극을 반투과 전극으로 함과 함께, 애노드 전극과 반사판 사이에 층간막을 마련하고, 당해 층간막의 막두께를 바꿈으로써, 반투과 전극인 애노드 전극과 반사판 사이의 광로 길이를 바꾸도록 하고 있다. 그리고, 반투과 전극(애노드 전극)과 반사판 사이에서의 공진 효과에 의해 화소마다 발광색을 바꾸도록 하고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개2009-135081호 공보
상술한, 공진기 구조를 채용하는 표시 장치에서, 공진 효과를 최대한으로 활용하려면, 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 필요가 있다. 그렇지만, 특허 문헌 1에 기재된 표시 장치에서는, 애노드 전극과 반사판 사이에 개재하는 층간막의 막두께를 바꿈에 의해 반투과 전극과 반사판 사이의 광로 길이를 바꾸도록 하고 있다. 그 때문에, 최종적인 광로 길이는, 가공할 수가 없는 발광 기능층의 성막만으로 결정되어 버려, 최종적인 광로 길이에 편차가 있어도 조정하는 것이 곤란해진다. 그 결과, 공진 효과를 최대한으로 활용할 수가 없기 때문에, 색역이나 발광 효율의 편차가 생기게 된다.
그래서, 본 개시는, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높이는 것이 가능한 표시 장치 및 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 표시 장치는,
반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되고,
반사판과 반투과판 사이에, 발광층을 포함하는 발광 기능층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막이, 차례로 적층되어 있고,
반투과판은, 보호막의 위에 형성되어 있다. 또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 전자 기기는 상기한 구성의 표시 장치를 갖는다.
상기한 구성의 표시 장치 또는 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기에서는, 발광 기능층상에 캐소드 전극을 배치하고, 캐소드 전극의 위에 보호막을 통하여 반투과판을 배치하고, 발광색마다 거리가 다른 반사판과 반투과판 사이에서 공진 효과를 얻는 구조로 되어 있다. 이 구조에 의하면, 보호막을 성막한 후에 반투과판을 형성하는 것으로 되어, 반사판과 반투과판 사이의 최종적인 광로 길이를 보호막의 가공에 의해 결정할 수 있기 때문에, 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 수 있다.
본 개시에 의하면, 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 수 있기 때문에, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높일 수 있다. 또한, 여기에 기재된 효과로 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 명세서 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다. 또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고 이것으로 한정되는 것이 아니고, 또한 부가적인 효과가 있어도 좋다.
도 1은 본 개시의 전제가 되는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 기본적인 구성의 개략을 도시하는 시스템 구성도.
도 2는 2Tr2C의 단위화소(화소 회로)의 회로 구성을 도시하는 회로도.
도 3은 공진기 구조를 갖는 RGB 3개의 부화소의 종래례에 관한 화소 구조를 도시하는 단면도.
도 4는 전형적인 탠덤 구조의 백색 유기 EL 소자의 구조의 한 예를 도시하는 주요부의 단면도.
도 5는 공진기 구조를 갖는 RGB 3개의 부화소의 실시례 1에 관한 화소 구조를 도시하는 단면도.
도 6은 공진기 구조를 갖는 RGB 3개의 부화소의 실시례 2에 관한 화소 구조를 도시하는 단면도.
도 7은 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라의 외관도로서, 도 7A에 그 정면도를 도시하고, 도 7B에 그 배면도를 도시하는 도면.
도 8은 헤드 마운트 디스플레이의 외관도.
이하, 본 개시의 기술을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시 형태」라고 기술한다)에 관해 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 본 개시의 기술은 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 실시 형태에서의 여러가지의 수치나 재료 등은 예시이다. 이하의 설명에서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기, 전반에 관한 설명
2. 본 개시의 전제(前提)가 되는 표시 장치
2-1. 시스템 구성
2-2. 화소 회로
2-3. 공진기 구조
3. 본 개시의 한 실시 형태
3-1. 실시례 1
3-2. 실시례 2
4. 전자 기기
<본 개시의 표시 장치 및 전자 기기, 전반에 관한 설명>
본 개시의 표시 장치 및 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기에서는, 발광색 마다 거리가 다른 반투과판과 반사판 사이에서 공진 효과를 얻는 공진기 구조가 구성되어 있다. 각 색의 광의 파장은 각각 다르다. 따라서, 공진기 구조에서는, 각 색의 스펙트럼 피크 파장에 반투과판과 반사판 사이의 광로 길이를 합치시켜, 각 색으로부터 가장 강한 광을 취출하도록 하고 있다. 발광 기능층에서 발생한 광은, 반투과판과 반사판 사이에서 반사를 반복한다. 그리고, 광로 길이가 합치한 파장의 광만 공진시켜서 강조하고, 광로 길이가 어긋난 그 이외의 파장의 광을 약하게 한다. 그 결과, 외부에 취출되는 광의 스펙트럼이 가파르면서 고강도가 되어, 휘도와 색순도가 우수한 것으로 된다.
상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 보호막에 관해, 그 막두께가 발광색마다 다른 구성으로 할 수 있다. 보호막의 막두께가 발광색마다 다름으로써, 공진기 구조를 구성하는 반투과판과 반사판 사이의 광로 길이를, 발광색마다 최적화할 수 있다. 또한, 반사판과 발광 기능층 사이에, 투명한 애노드 전극을 갖는 구성으로 할 수 있다. 또는 또한, 반사판에 관해, 애노드 전극의 기능을 갖는, 즉, 반사판을 애노드 전극과 겸용하는 구성으로 할 수 있다.
또는 또한, 상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 반사판과 발광 기능층 사이에, 발광색마다 막두께가 다른 층간막을 갖는 구성으로 할 수 있다. 층간막의 막두께가 발광색마다 다름으로써, 공진기 구조를 구성하는 반투과판과 반사판 사이의 광로 길이를, 발광색마다 최적화할 수 있다. 또한, 층간막과 발광 기능층 사이에, 투명한 애노드 전극을 갖는 구성으로 할 수 있다.
본 개시의 표시 장치는, 발광색이 다른 복수의 부화소로 이루어지는 단위화소가 행렬형상으로 배치되어 이루어지는 컬러 표시 장치이다. 컬러 표시 장치에서, 하나의 화소는, 적색을 발광하는 적색 발광부 화소, 녹색을 발광하는 녹색 발광부 화소 및 청색을 발광하는 청색 발광부 화소의 3개의 부화소, 또는, 4개 이상의 부화소로 구성된다.
이와 같은 컬러 표시 장치에서는, 발광 기능층에 관해, 백색광을 발광하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 발광 기능층에 관해, 적색광을 발광하는 적색 발광 기능층, 녹색광을 발광하는 녹색 발광 기능층 및 청색광을 발광하는 청색 발광 기능층이 적층되어 이루어지는 구성으로 할 수 있다.
발광 기능층이 백색광을 발광하는 컬러 표시 장치에서는, 컬러 필터를 구비하는 구성으로 하고, 각 색 발광부 화소를, 백색광을 발광하는 발광 소자와 컬러 필터와의 조합으로 이루어지는 구성으로 할 수 있다. 또는 또한, 컬러 필터를 이용하지 않아도, 공진기 구조에 의해, 부화소마다 적색광, 녹색광 및 청색광을 취출하는 구성으로 할 수 있다.
상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 표시 장치를, 복수의 부화소가 유기 EL 소자(유기 일렉트로 루미네선스 소자)로 이루어지는 발광부(발광 소자)를 갖는 유기 EL 표시 장치의 구성으로 할 수 있다. 즉, 유기 EL 표시 장치에서는, 유기 EL 소자의 각각에 의해 부화소가 구성된다.
유기 EL 표시 장치는, 예를 들면, 퍼스널 컴퓨터나 비디오 카메라, 디지털 스틸 카메라를 구성하는 모니터 장치로서 사용할 수 있고, 텔레비전 수상기나 휴대 전화기, PDA(Personal Digital Assistant, 휴대 정보 단말), 게임기기에 조립된 모니터 장치로서 사용할 수 있다. 또는 또한, 전자 뷰 파인더(Electronic View Finder : EVF)나 두부 장착형 디스플레이(Head Mounted Display : HMD)에 적용할 수 있다. 또는 또한, 그 밖에, 액정 표시 장치용의 백라이트 장치나 면형상 광원 장치를 포함하는 조명 장치를 들 수 있다.
유기 EL 소자에서, 발광 기능층인 유기층은, 발광층(예를 들면, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층)을 구비하고 있다. 이 유기층은, 구체적으로는, 예를 들면, 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층의 적층 구조, 정공 수송층과 전자 수송층을 겸한 발광층의 적층 구조, 정공 주입층과 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층과 전자 주입층의 적층 구조 등으로 구성할 수 있다. 또한, 이들의 적층 구조 등을 탠덤 유닛으로 하는 경우, 유기층은, 제1의 탠덤 유닛, 접속층 및 제2의 탠덤 유닛이 적층된 2단계의 탠덤 구조를 갖고 있어도 좋고, 나아가서는, 3개 이상의 탠덤 유닛이 적층된 3단 이상의 탠덤 구조를 갖고 있어도 좋다. 이들의 경우, 발광색을 적색, 녹색, 청색과 각 탠덤 유닛으로 바꿈으로써, 전체로서 백색을 발광하는 유기층을 얻을 수 있다.
유기층의 형성 방법으로서, 진공증착법 등의 물리적 기상 성장법(PVD법) ; 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법이라는 인쇄법 ; 전사용 기판상에 형성된 레이저 흡수층과 유기층의 적층 구조에 대해 레이저광을 조사함으로써 레이저 흡수층상의 유기층을 분리하여, 유기층을 전사한다는 레이저 전사법, 각종의 도포법을 예시할 수 있다. 유기층을 진공증착법에 의거하여 형성하는 경우, 예를 들면, 이른바 메탈 마스크를 이용하여, 당해 메탈 마스크에 마련된 개구를 통과한 재료를 퇴적시킴에 의해 유기층을 얻을 수 있고, 유기층을, 패터닝하는 일 없이, 전면에 형성하여도 좋다.
<본 개시의 전제가 되는 표시 장치>
[시스템 구성]
도 1은, 본 개시의 전제가 되는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치의 기본적인 구성의 개략을 도시하는 시스템 구성도이다.
액티브 매트릭스형 표시 장치는, 발광부(발광 소자)의 구동을, 당해 발광부와 같은 화소 내에 마련하는 능동 소자, 예를 들면 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터에 의해 행하는 표시 장치이다. 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터로서는, 전형적으로는, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 이용할 수 있다.
여기서는, 한 예로서, 단위화소(화소 회로)의 발광부(발광 소자)가 유기 EL 소자로 이루어지는 액티브 매트릭스 방식의 유기 EL 표시 장치의 경우를 예로 들어서 설명하는 것으로 한다. 유기 EL 소자는, 디바이스에 흐르는 전류치에 응하여 발광 휘도가 변화하는 전류 구동형의 전기 광학 소자이다. 이하에서는, 「단위화소/화소 회로」를 단지 「화소」라고 기술하는 경우도 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 개시의 전제가 되는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치(10)는, 복수의 단위화소(20)가 행렬형상(2차원 매트릭스형상)으로 2차원 배치되어 이루어지는 화소 어레이부(30)와, 그 주변 영역에 배치되어 화소(20)를 구동하는 구동부(주변 회로)를 갖는 구성으로 되어 있다. 구동부는, 예를 들면, 기록 주사부(40), 전원 공급 주사부(50) 및 신호 출력부(60) 등으로 이루어지고, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)를 구동한다.
본 예에서는, 기록 주사부(40), 전원 공급 주사부(50) 및 신호 출력부(60)는, 화소 어레이부(30)의 주변 회로로서 당해 화소 어레이부(30)와 같은 기판상, 즉, 표시 패널(70)상에 탑재되어 있다. 단, 기록 주사부(40), 전원 공급 주사부(50) 및 신호 출력부(60)의 몇 개, 또는 전부를 표시 패널(70)의 외부에 마련하는 구성을 채택하는 것도 가능하다. 또한, 기록 주사부(40) 및 전원 공급 주사부(50)를 각각, 화소 어레이부(30)의 일방측에 배치하는 구성으로 하고 있지만, 화소 어레이부(30)를 끼우고 양측에 배치하는 구성을 취하는 것도 가능하다. 표시 패널(70)의 기판으로서는, 유리 기판 등의 투명 절연성 기판을 이용할 수도 있고, 실리콘 기판 등의 반도체 기판을 이용할 수도 있다.
컬러 표시 대응의 유기 EL 표시 장치(10)에서는, 컬러 화상을 형성할 때의 단위가 되는 하나의 화소(단위화소/픽셀)는 복수 색의 부화소(서브픽셀)로 구성된다. 이때, 부화소의 각각이 도 1의 화소(20)에 상당하게 된다. 보다 구체적으로는, 컬러 표시 대응의 표시 장치에서는, 하나의 화소는, 예를 들면, 적색(Red : R)광을 발광하는 부화소, 녹색(Green : G)광을 발광하는 부화소 및 청색(Blue : B)광을 발광하는 부화소의 3개의 부화소로 구성된다.
단, 하나의 화소로서는, RGB의 3원색의 부화소의 조합으로 한정되는 것이 아니라, 3원색의 부화소에 다시 1색 또는 복수색의 부화소를 더하여 하나의 화소를 구성하는 것도 가능하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 휘도 향상을 위해 백색(White ; W)광을 발광하는 부화소를 더하여 하나의 화소를 구성하거나, 색 재현 범위를 확대하기 위해 보색광(補色光)을 발광하는 적어도 하나의 부화소를 더하여 하나의 화소를 구성하거나 하는 것도 가능하다.
화소 어레이부(30)에는, m행 n열의 화소(20)의 배열에 대해, 행방향(화소행의 화소의 배열 방향/수평 방향)에 따라 주사선(31)(311∼31m)과 전원 공급선(32)(321∼32m)이 화소행마다 배선되어 있다. 또한, m행 n열의 화소(20)의 배열에 대해, 열방향(화소열의 화소의 배열 방향/수직 방향)에 따라 신호선(33)(331∼33n)이 화소열마다 배선되어 있다.
주사선(311∼31m)은, 기록 주사부(40)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 전원 공급선(321∼32m)은, 전원 공급 주사부(50)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 신호선(331∼33n)은, 신호 출력부(60)의 대응하는 열의 출력단에 각각 접속되어 있다.
기록 주사부(40)는, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 기록 주사부(40)는, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)에의 영상 신호의 신호 전압의 기록에 즈음하여, 주사선(31)(311∼31m)에 대해 기록 주사 신호(WS)(WS1∼WSm)를 순차적으로 공급함에 의해 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)를 행 단위로 순번대로 주사하는, 이른바, 선순차 주사를 행한다.
전원 공급 주사부(50)는, 기록 주사부(40)와 마찬가지로, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 전원 공급 주사부(50)는, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 동기하여, 제1 전원 전압(Vccp)과 당해 제1 전원 전압(Vccp)보다도 낮은 제2 전원 전압(Vini)으로 전환되는 것이 가능한 전원 전압(DS)(DS1∼DSm)을 전원 공급선(32)(321∼32m)에 공급한다. 후술하는 바와 같이, 전원 전압(DS)의 Vccp/Vini의 전환에 의해, 화소(20)의 발광/비발광(소광)의 제어가 행하여진다.
신호 출력부(60)는, 신호 공급원(도시 생략)으로부터 공급되는, 휘도 정보에 응한 영상 신호의 신호 전압(이하, 단지 「신호 전압」이라고 기술하는 경우도 있다)(Vsig)과 기준 전압(Vofs)을 선택적으로 출력한다. 여기서, 기준 전압(Vofs)은, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)의 기준이 되는 전압(예를 들면, 영상 신호의 흑레벨에 상당하는 전압)이고, 후술한 임계치 보정 처리할 때에 사용된다.
신호 출력부(60)로부터 출력되는 신호 전압(Vsig)/기준 전압(Vofs)은, 신호선(33)(331∼33n)을 통하여 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)에 대해, 기록 주사 회로(40)에 의한 주사에 의해 선택된 화소행의 단위로 기록된다. 즉, 신호 출력부(60)는, 신호 전압(Vsig)을 행(라인) 단위로 기록하는 선순차 기록의 구동 형태를 채택하고 있다.
[화소 회로]
도 2는, 단위화소(화소 회로)(20)의 구체적인 회로 구성의 한 예를 도시하는 회로도이다. 화소(20)의 발광부는, 디바이스에 흐르는 전류치에 응하여 발광 휘도가 변화하는 전류 구동형의 전기 광학 소자의 한 예인 유기 EL 소자(21)로 이루어진다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 화소(20)는, 유기 EL 소자(21)와, 유기 EL 소자(21)에 전류를 흘림에 의해 당해 유기 EL 소자(21)를 구동하는 구동 회로에 의해 구성되어 있다. 유기 EL 소자(21)는, 모든 화소(20)에 대해 공통으로 배선된 공통 전원선(34)에 캐소드 전극이 접속되어 있다.
유기 EL 소자(21)를 구동하는 구동 회로는, 구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(23), 유지 용량(24) 및 보조 용량(25), 즉, 2개의 트랜지스터(Tr)와 2개의 용량 소자(C)를 갖는, 2Tr2C의 회로 구성으로 되어 있다. 여기서는, 구동 트랜지스터(22) 및 기록 트랜지스터(23)로서 N채널형의 박막 트랜지스터(TFT)를 이용하고 있다. 단, 여기서 나타낸, 구동 트랜지스터(22) 및 기록 트랜지스터(23)의 도전형의 조합은 한 예에 지나지 않고, 이들의 조합으로 한정되는 것이 아니다.
구동 트랜지스터(22)는, 일방의 전극(소스/드레인 전극)이 전원 공급선(32)(321∼32m)에 접속되고, 타방의 전극(소스/드레인 전극)이 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극에 접속되어 있다. 기록 트랜지스터(23)는, 일방의 전극(소스/드레인 전극)이 신호선(33)(331∼33n)에 접속되고, 타방의 전극(소스/드레인 전극)이 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 접속되어 있다. 또한, 기록 트랜지스터(23)의 게이트 전극은, 주사선(31)(311∼31m)에 접속되어 있다.
구동 트랜지스터(22) 및 기록 트랜지스터(23)에서, 일방의 전극이란, 일방의 소스/드레인 영역에 전기적으로 접속된 금속 배선을 말하고, 타방의 전극이란, 타방의 소스/드레인 영역에 전기적으로 접속된 금속 배선을 말한다. 또한, 일방의 전극과 타방의 전극의 전위 관계에 의해 일방의 전극이 소스 전극이 되면 드레인 전극이 되고, 타방의 전극이 드레인 전극이 되면 소스 전극이 된다.
유지 용량(24)은, 일방의 전극이 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 접속되고, 타방의 전극이 구동 트랜지스터(22)의 타방의 전극 및 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극에 접속되어 있다. 보조 용량(25)은, 일방의 전극이 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극에, 타방의 전극이 유기 EL 소자(21)의 캐소드 전극에 각각 접속되어 있는, 즉, 유기 EL 소자(21)에 대해 병렬로 접속되어 있다.
상기한 구성에서, 기록 트랜지스터(23)는, 기록 주사부(40)로부터 주사선(31)을 통하여 게이트 전극에 인가되는, 고전압의 상태가 액티브 상태가 되는 기록 주사 신호(WS)에 응답하여 도통 상태가 된다. 이에 의해, 기록 트랜지스터(23)는, 신호선(33)을 통하여 신호 출력부(60)로부터 다른 타이밍에서 공급되는, 휘도 정보에 응한 영상 신호의 신호 전압(Vsig) 또는 기준 전압(Vofs)을 샘플링하여, 화소(20) 내에 기록한다. 기록 트랜지스터(23)에 의해 기록된 신호 전압(Vsig) 또는 기준 전압(Vofs)은 유지 용량(24)에 유지된다.
구동 트랜지스터(22)는, 전원 공급선(32)(321∼32m)의 전원 전압(DS)이 제1 전원 전압(Vccp)에 있을 때에는, 일방의 전극이 드레인 전극, 타방의 전극이 소스 전극이 되어 포화 영역에서 동작한다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(22)는, 전원 공급선(32)으로부터 전류의 공급을 받아서 유기 EL 소자(21)를 전류 구동으로 발광 구동한다. 보다 구체적으로는, 구동 트랜지스터(22)는, 포화 영역에서 동작함에 의해, 유지 용량(24)에 유지된 신호 전압(Vsig)의 전압치에 응한 전류치의 구동 전류를 유기 EL 소자(21)에 공급하고, 당해 유기 EL 소자(21)를 전류 구동함에 의해 발광시킨다.
구동 트랜지스터(22)는 또한, 전원 전압(DS)이 제1 전원 전압(Vccp)으로부터 제2 전원 전압(Vini)으로 전환된 때에는, 일방의 전극이 소스 전극, 타방의 전극이 드레인 전극이 되어 스위칭 트랜지스터로서 동작한다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(22)는, 유기 EL 소자(21)에의 구동 전류의 공급을 정지하고, 유기 EL 소자(21)를 비발광 상태로 한다. 즉, 구동 트랜지스터(22)는, 유기 EL 소자(21)의 발광/비발광을 제어하는 트랜지스터로서의 기능도 겸비하고 있다.
이 구동 트랜지스터(22)의 스위칭 동작에 의해, 유기 EL 소자(21)가 비발광 상태가 되는 기간(비발광 기간)을 마련하고, 유기 EL 소자(21)의 발광 기간과 비발광 기간의 비율(듀티)을 제어할 수 있다. 이 듀티 제어에 의해, 1표시 프레임 기간에 걸쳐서 화소가 발광하는 것에 수반하는 잔상 흐림을 저감할 수 있기 때문에, 특히, 동화의 화품위(image quality)를 보다 우수한 것으로 할 수 있다.
전원 공급 주사부(50)로부터 전원 공급선(32)을 통과하여 선택적으로 공급되는 제1, 제2 전원 전압(Vccp, Vini) 중, 제1 전원 전압(Vccp)은 유기 EL 소자(21)를 발광 구동하는 구동 전류를 구동 트랜지스터(22)에 공급하기 위한 전원 전압이다. 또한, 제2 전원 전압(Vini)은, 유기 EL 소자(21)에 대해 역 바이어스를 걸기 위한 전원 전압이다. 이 제2 전원 전압(Vini)은, 기준 전압(Vofs)보다도 낮은 전압, 예를 들면, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압을 Vth로 할 때 Vofs-Vth보다도 낮은 전압, 바람직하게는, Vofs-Vth 보다도 충분히 낮은 전압으로 설정된다.
화소 어레이부(30)의 각 화소(20)는, 구동 트랜지스터(22)의 특성의 편차에 기인하는 구동 전류의 편차를 보정하는 기능을 갖고 있다. 구동 트랜지스터(22)의 특성으로서는, 예를 들면, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)이나, 구동 트랜지스터(22)의 채널을 구성하는 반도체 박막의 이동도(μ)(이하, 단지 「구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)」라고 기술한다)를 예시할 수 있다.
임계치 전압(Vth)의 편차에 기인하는 구동 전류의 편차의 보정(이하, 「임계치 보정」이라고 기술한다)은, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)을 기준 전압(Vofs)으로 초기화함에 의해 행하여진다. 구체적으로는, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)의 초기화 전압(기준 전압(Vofs))을 기준으로 하여 당해 초기화 전압으로부터 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)을 감(減)한 전위를 향하여, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)을 변화시키는 동작이 행하여진다. 이 동작이 진행되면, 이윽고, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)에 수속한다. 이 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압은 유지 용량(24)에 유지된다. 그리고, 유지 용량(24)에 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압이 유지되어 있음으로써, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)에 의한 구동 트랜지스터(22)의 구동일 때에, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 드레인-소스 사이 전류(Ids)의 임계치 전압(Vth)에 대한 의존성을 억제할 수 있다.
한편, 이동도(μ)의 편차에 기인하는 구동 전류의 편차의 보정(이하, 「이동도 보정」이라고 기술한다)은, 기록 트랜지스터(23)가 도통 상태가 되어, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)을 기록하고 있는 상태에서, 구동 트랜지스터(22)를 통한 전류를 유지 용량(24)에 흘림에 의해 행하여진다. 환언하면, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 전류(Ids)에 응한 귀환량(보정량)으로 유지 용량(24)에 부귀환을 걸음에 의해 행하여진다. 상기한 임계치 보정에 의해, 영상 신호를 기록한 때에는 이미 드레인-소스 사이 전류(Ids)의 임계치 전압(Vth)에 대한 의존성이 지워져 있고, 당해 드레인-소스 사이 전류(Ids)는, 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)에 의존한 것으로 되어 있다. 따라서 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 전류(Ids)에 응한 귀환량으로 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전압(Vds)에 부귀환을 걸음으로써, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 드레인-소스 사이 전류(Ids)의 이동도(μ)에 대한 의존성을 억제할 수 있다.
[공진기 구조]
상술한, 발광색이 다른 복수의 부화소로 이루어지는 단위화소(20)가 행렬형상으로 배치되어 이루어지는 유기 EL 표시 장치(10)에서는, 색역의 확대나 발광 효율의 향상을 도모하는 목적으로, 공진 효과에 의해 특정한 파장의 광을 강조하는 공진기 구조를 채용하고 있다. 이하에, 공진기 구조의 종래례에 관해 도 3을 이용하여 설명한다.
도 3은, 공진기 구조를 갖는 R(RED), G(GREEN), B(BLUE)의 3개의 부화소(20R, 20G, 20B)의 종래례에 관한 화소 구조를 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시하는 종래례에 관한 화소 구조에서, 캐소드 전극(81)은, 예를 들면, 마그네슘(Mg)과 은(Ag)과의 합금(Mg-Ag 합금)으로 이루어지고, 반투과판(반투과 전극)을 겸한 구성으로 되어 있고, 전화소(부화소) 공통으로 마련되어 있다. 캐소드 전극(81)은, 발광 기능층인 유기층(82)의 위에 형성되어 있다. 캐소드 전극(81)의 위에는, 당해 캐소드 전극(81)을 보호하는 보호막(83)이 형성되어 있다.
유기층(82)은, 백색광을 발광하는 백색 발광 기능층이고, 투명 도전 재료인 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide : 산화인듐·주석)로 이루어지는 애노드 전극(84R, 84G, 84B)의 위에 형성되어 있다. 애노드 전극(84R, 84G, 84B)의 하방에는 부화소(20R, 20G, 20B)마다, 예를 들면, 알루미늄(Al)과 구리(Cu)와의 합금(Al-Cu 합금)으로 이루어지는 반사판(85R, 85G, 85B)이 배치되어 있다. 또한, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이에는 층간막(86)이 개재하고 있다.
상기한 구성의 종래례에 관한 화소 구조에서, 반투과 전극인 캐소드 전극(81)과 반사판(85R, 85G, 85B)에 의해, 백색 발광 기능층인 유기층(82)에서 발생한 광을 공진시키는 공진기 구조가 구성되어 있다. 이 공진기 구조에서는, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이에 개재하는 층간막(86)의 막두께를 바꿈에 의해, 캐소드 전극(81)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 광로 길이를 발광색마다 바꾸어서 최적화하고, 화소(부화소)마다 발광색을 바꾸도록 하고 있다.
공진기 구조를 갖는 부화소(20R, 20G, 20B)를 구비하는 유기 EL 표시 장치(10)에서, 공진 효과를 최대한으로 활용하려면 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 필요가 있다.
그렇지만, 상기한 구성의 종래례에 관한 화소 구조에서는, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이에 층간막(86)을 개재시켜서, 당해 층간막(86)의 막두께를 바꿈에 의해 캐소드 전극(81)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 광로 길이를 최적화하도록 하고 있다. 그 때문에, 최종적인 광로 길이는, 가공을 할 수 없는 발광 기능층인 유기층(82)의 성막만으로 결정되어 버려, 최종적인 광로 길이에 편차가 있어도 조정하는 것이 곤란해진다. 그 결과, 공진 효과를 최대한으로 활용할 수가 없기 때문에, 색역이나 발광 효율의 편차가 생기게 된다.
<본 개시의 한 실시 형태>
그래서 본 개시의 한 실시 형태에서는, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높이도록 하기 위해, 반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되어 공진기 구조를 구성하는 화소 구조에서, 캐소드 전극의 기능과 반투과판의 기능을 나눈 구조로 한다. 그리고, 반사판과 반투과판 사이에, 발광 기능층인 유기층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막을 차례로 적층하고, 보호막의 위에 반투과판을 형성한 구성을 채택하고 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 관한 화소 구조에서는, 발광 기능층상에 캐소드 전극을 배치하고, 캐소드 전극의 위에 보호막을 통하여 반투과판을 배치하고, 발광색마다 거리가 다른 반투과판과 반사판 사이에서 공진 효과를 얻는 구조로 되어 있다. 이 공진기 구조에 의하면, 보호막을 성막한 후에 반투과판을 형성하는 것으로 되어, 반투과판과 반사판 사이의 최종적인 광로 길이를 보호막의 가공에 의해 결정할 수 있기 때문에, 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 수 있다. 그 결과, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높일 수 있다.
발광 기능층인 유기층은, 발광층(예를 들면, 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층)을 구비하고 있다. 이 유기층은, 구체적으로는, 예를 들면, 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층의 적층 구조, 정공 수송층과 전자 수송층을 겸한 발광층의 적층 구조, 정공 주입층과 정공 수송층과 발광층과 전자 수송층과 전자 주입층의 적층 구조 등으로 구성할 수 있다.
또한, 이들의 적층 구조 등을 탠덤 유닛으로 하는 경우, 유기층은, 제1의 탠덤 유닛, 접속층 및 제2의 탠덤 유닛이 적층된 2단계의 탠덤 구조를 갖고 있어도 좋고, 나아가서는, 3개 이상의 탠덤 유닛이 적층된 3단 이상의 탠덤 구조를 갖고 있어도 좋다. 이들의 경우, 발광색을 적색, 녹색, 청색과 각 탠덤 유닛으로 바꿈으로써, 전체로서 백색을 발광하는 유기층(백색 발광 기능층)을 얻을 수 있고, 탠덤 구조의 백색 유기 EL 소자가 된다.
도 4는, 전형적인 탠덤 구조의 백색 유기 EL 소자의 구조의 한 예를 도시하는 주요부의 단면도이다. 여기서는, 공진기 구조를 갖지 않는 탠덤 구조의 백색 유기 EL 소자에 관해, 한 예로서, 3단 탠덤 구조인 경우를 예로 들어, 도면의 간략화를 위해, 기본적인 구조에 관해 간소화하여 나타내고 있다. 또한, RGB의 3개의 부화소 중, 2개의 부화소의 화소 구조에 관해 도시하고 있다.
도 4에서, 윈드 절연막(71)의 오목부(71A)의 저부에는, 애노드 전극(84)(84R, 84G, 84B)이 화소(부화소) 단위로 마련되어 있다. 이 애노드 전극(84)과 전화소 공통으로 마련된 캐소드 전극(81)의 사이에는, 유기층(82)이 전화소 공통으로 마련되고 백색 유기 EL 소자(21W)를 구성하고 있다. 그리고, 캐소드 전극(81)의 위에는 층간 절연막(72)이 적층되어 있다.
백색 유기 EL 소자(21W)에서, 유기층(82)은, 애노드 전극(84)의 위에, 한 예로서, 전하 주입층(821), R의 발광층(822R), 접속층(823), G의 발광층(822G), 접속층(824) 및 B의 발광층(822B)이 차례로 전화소 공통으로 퇴적됨에 의해 형성되어 있다. 그리고, 도 2의 구동 트랜지스터(22)에 의한 전류 구동하에서, 구동 트랜지스터(22)로부터 애노드 전극(84)을 통하여 유기층(82)에 전류가 흐름으로써, 당해 유기층(82) 내의 각 발광층(822R, 822G, 822B)에서 전자와 정공이 재결합한 때에 발광하게 되어 있다. 이때, R, G, B의 각 발광층(822R, 822G, 822B)의 발광색이 맞겹쳐져서(합성되어) 백색광이 된다.
이하에, 공진기 구조를 갖는 본 실시 형태에 관한 화소 구조의 구체적인 실시례에 관해 설명한다.
[실시례 1]
도 5는, 공진기 구조를 갖는 RGB 3개의 부화소의 실시례 1에 관한 화소 구조를 도시하는 단면도이다.
도 5에서, RGB의 부화소(20R, 20G, 20B)의 각 반사판(85R, 85G, 85B)은, 예를 들면, Al-Cu 합금으로 이루어지고, 층간막(86)의 표층부에 각 발광색 사이에서 동일한 층으로서 형성되어 있다. RGB의 부화소(20R, 20G, 20B)의 각각에서, 반사판(85R, 85G, 85B)의 위에는, 예를 들면, ITO로 이루어지는 투명한 애노드 전극(84R, 84G, 84B)이 형성되어 있다.
애노드 전극(84R, 84G, 84B)의 위에는, 백색 발광 기능층인 유기층(82)이 형성되어 있다. 이 유기층(82)의 위에는, 예를 들면, ITO로 이루어지는 투명한 캐소드 전극(81)이 전화소 공통으로 형성되어 있다. 그리고, 캐소드 전극(81)의 위에는, 당해 캐소드 전극(81)을 보호하는 보호막(83A)이 실리콘 질화막(SiN) 등에 의해 형성되어 있다. 보호막(83A)은, 부화소(20R, 20G, 20B)마다 막두께차를 갖고 있다. 이 막두께차는, 드라이 에칭 가공 등에 의해 형성할 수 있다.
부화소(20R, 20G, 20B)마다 막두께차를 갖는 보호막(83A)의 위에는, 예를 들면, Mg-Ag 합금이나 알루미나(Al2O3)에 의해 반투과판(87R, 87G, 87B)이 하프미러로서 성막되어 있다. 반투과판(87R, 87G, 87B)의 위에는, 이들 반투과판(87R, 87G, 87B)을 보호하는 보호막(83B)이 실리콘 질화막(SiN) 등에 의해 형성되어 있다.
상기한 구성의 실시례 1에 관한 화소 구조에서는, 캐소드 전극(81)과는 기능을 별도로 하는 반투과판(87R, 87G, 87B)과 반사판(85R, 85G, 85B)에 의해, 백색 발광 기능층인 유기층(82)에서 발생한 광을 공진시키는 공진기 구조가 구성되어 있다. 이 공진기 구조에서는, 캐소드 전극(81)과 반투과판(87R, 87G, 87B) 사이에 개재하는 보호막(83A)의 막두께를 바꿈에 의해, 반투과판(87R, 87G, 87B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 광로 길이를 발광색마다 바꾸어서 최적화하여, 화소(부화소)마다 발광색을 바꾸도록 하고 있다.
실시례 1에 관한 화소 구조에서의 공진기 구조에 의하면, 보호막(83A)을 성막하고, 드라이 에칭 가공 등에 의해 각 발광색마다 단차(段差)를 형성하고, 단차 형성 후에 반투과판(87R, 87G, 87B)을 형성하게 된다. 이에 의해, 반투과판(87R, 87G, 87B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 최종적인 광로 길이를 보호막(83A)의 가공에 의해 결정할 수 있다. 따라서, 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 수 있기 때문에, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높일 수 있다. 그 결과, 색역이나 발광 효율의 편차를 억제할 수 있다.
선술한 종래례에 관한 화소 구조(도 3 참조)에서는, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이에 층간막(86)을 개재시켜, 당해 층간막(86)의 막두께를 바꿈에 의해 캐소드 전극(81)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 광로 길이를 최적화하도록 하고 있다. 따라서, 반사판(85R, 85G, 85B)과는 별도로, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)인 투명 전극이 필요해진다.
실시례 1에 관한 화소 구조인 경우에는, 상기한 예에서는, 반사판(85R, 85G, 85B)과는 별도로 투명 전극인 애노드 전극(84R, 84G, 84B)을 마련하는 구성으로 하고 있지만, 반사판(85R, 85G, 85B)에 애노드 전극(84R, 84G, 84B)의 기능을 갖게 하는 구성을 취하는 것도 가능하다. 즉, 반사판(85R, 85G, 85B)을 애노드 전극(84R, 84G, 84B)으로서 겸용하는 것도 가능하다.
[실시례 2]
도 6은, 공진기 구조를 갖는 공진기 구조를 갖는 RGB 3개의 부화소의 실시례 2에 관한 화소 구조를 도시하는 단면도이다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)은 투명 전극으로 이루어지고, 층간막(86)과 백색 발광 기능층인 유기층(82)의 사이에 마련되어 있다. 그리고, 실시례 2에 관한 화소 구조에서는, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이에 개재하는 층간막(86)의 막두께를 바꿈에 의해, 화소(부화소)마다 발광색을 바꾸도록 하고 있다. 이 점에 관해서는, 선술한 종래례에 관한 화소 구조(도 3 참조)와 마찬가지이다. 단, 캐소드 전극(81)과는 별도로 반투과판(87R, 87G, 87B)을 마련하고, 캐소드 전극(81)의 위에 보호막(83A)을 형성하고, 보호막(83A)의 위에 캐소드 전극(81)을 형성하고 있는 점에서, 구성상, 종래례에 관한 화소 구조와는 크게 다르다.
상기한 구성의 실시례 2에 관한 화소 구조에서도, 실시례 1에 관한 화소 구조와 마찬가지로, 캐소드 전극(81)과는 기능을 달리 하는 반투과판(87R, 87G, 87B)과 반사판(85R, 85G, 85B)에 의해, 백색 발광 기능층인 유기층(82)에서 발생한 광을 공진시키는 공진기 구조가 구성되어 있다. 단, 실시례 1에 관한 화소 구조와는 달리, 애노드 전극(84R, 84G, 84B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이에 개재하는 층간막(86)의 막두께를 바꿈에 의해, 반투과판(87R, 87G, 87B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 광로 길이를 발광색마다 바꾸어서 최적화하고, 화소(부화소)마다 발광색을 바꾸도록 하고 있다.
실시례 2에 관한 화소 구조에서의 공진기 구조에 의하면, 보호막(83A)을 성막한 후에 반투과판(87R, 87G, 87B)을 형성하도록 된다. 이에 의해, 반투과판(87R, 87G, 87B)과 반사판(85R, 85G, 85B) 사이의 최종적인 광로 길이를 보호막(83A)의 가공에 의해 결정할 수 있다. 따라서, 공진기 구조의 최종적인 광로 길이의 편차를 억제할 수 있기 때문에, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높일 수 있다. 그 결과, 색역이나 발광 효율의 편차를 억제할 수 있다.
<전자 기기>
이상 설명한 본 개시의 표시 장치는, 전자 기기에 입력된 영상 신호, 또는, 전자 기기 내에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는 모든 분야의 전자 기기의 표시부(표시 장치)로서 이용할 수 있다. 한 예로서, 예를 들면, 텔레비전 세트, 디지털 스틸 카메라, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화기 등의 휴대 단말 장치, 비디오 카메라, 헤드 마운트 디스플레이 등의 표시부로서 이용할 수 있다.
이와 같이, 모든 분야의 전자 기기에서, 그 표시부로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해, 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다. 즉, 본 개시의 기술에 의하면, 공진 효과를 최대한으로 활용하여, 공진 효과를 보다 높일 수 있고, 그 결과, 색역이나 발광 효율의 편차를 억제할 수 있기 때문에, 표시 품위의 향상에 기여할 수 있다.
본 개시의 표시 장치는, 밀봉된 구성의 모듈 형상의 것도 포함한다. 한 예로서, 화소 어레이부에 투명한 유리 등의 대향부가 부착되어 형성된 표시 모듈이 해당한다. 또한, 표시 모듈에는, 외부로부터 화소 어레이부에의 신호 등을 입출력하기 위한 회로부나 플렉시블 프린트 서킷(FPC) 등이 마련되어 있어도 좋다. 이하에, 본 개시의 표시 장치를 이용하는 전자 기기의 구체례로서, 디지털 스틸 카메라 및 헤드 마운트 디스플레이를 예시한다. 단, 여기서 예시하는 구체례는 한 예에 지나지 않고, 이것으로 한정되는 것이 아니다.
(구체례 1)
도 7은, 렌즈 교환식 1안(眼) 리플렉스 타입의 디지털 카메라의 외관도로서, 도 7A에 그 정면도를 도시하고, 도 7B에 그 배면도를 도시한다. 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라는, 예를 들면, 카메라 본체부(카메라 보디)(111)의 정면 우측에 교환식의 촬영 렌즈 유닛(교환 렌즈)(112)을 가지며, 정면 좌측에 촬영자가 파지하기 위한 그립부(113)를 갖고 있다.
그리고, 카메라 본체부(111)의 배면 개략 중앙에는 모니터(114)가 마련되어 있다. 모니터(114)의 상부에는, 뷰 파인더(접안창(115))가 마련되어 있다. 촬영자는, 뷰 파인더(115)를 엿봄에 의해, 촬영 렌즈 유닛(112)으로부터 도출된 피사체의 광상을 시인하여 구도 결정을 행하는 것이 가능하다.
상기한 구성의 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라에서, 그 뷰 파인더(115)로서 본 개시의 표시 장치를 이용할 수 있다. 즉, 본 예에 관한 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라는, 그 뷰 파인더(115)로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
(구체례 2)
도 8은, 헤드 마운트 디스플레이의 외관도이다. 헤드 마운트 디스플레이는, 예를 들면, 안경형의 표시부(211)의 양측에, 사용자의 두부에 장착하기 위한 귀걸이부(212)를 갖고 있다. 이 헤드 마운트 디스플레이에서, 그 표시부(211)로서 본 개시의 표시 장치를 이용할 수 있다. 즉, 본 예에 관한 헤드 마운트 디스플레이는, 그 표시부(211)로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
도한, 본 개시는 이하와 같은 구성을 취할 수도 있다.
[1] 반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되고,
반사판과 반투과판 사이에, 발광층을 포함하는 발광 기능층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막이, 차례로, 적층되어 있고, 반투과판은 보호막의 위에 형성되어 있는 표시 장치.
[2] 보호막은, 막두께가 발광색마다 다른 상기 [1]에 기재된 표시 장치.
[3] 반사판과 발광 기능층 사이에 투명한 애노드 전극을 갖는 상기 [1] 또는 상기 [2]에 기재된 표시 장치.
[4] 반사판은, 애노드 전극의 기능을 갖는 상기 [1] 또는 상기 [2]에 기재된 표시 장치.
[5] 반사판과 발광 기능층 사이에, 발광색마다 막두께가 다른 층간막을 갖는 상기 [1]에 기재된 표시 장치.
[6] 층간막과 발광 기능층 사이에 투명한 애노드 전극을 갖는 상기 [5]에 기재된 표시 장치.
[7] 발광 기능층은, 백색광을 발광하는 상기 [1]부터 상기 [6]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[8] 발광 기능층은, 적색광을 발광하는 적색 발광 기능층, 녹색광을 발광하는 녹색 발광 기능층 및 청색광을 발광하는 청색 발광 기능층이 적층되어 이루어지는 상기 [7]에 기재된 표시 장치.
[9] 반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되고 반사판과 반투과판 사이에 발광층을 포함하는 발광 기능층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막이, 차례로 적층되어 있고 반투과판은, 보호막의 위에 형성되어 있는 표시 장치를 갖는 전자 기기.
10 : 유기 EL 표시 장치
20(20R, 20G, 20B) : 단위화소(화소/화소 회로)
21(21R, 21G, 21B, 21W) : 유기 EL 소자
22 : 구동 트랜지스터 23 : 기록 트랜지스터
24 : 유지 용량 25 : 보조 용량
30 : 화소 어레이부 31(311∼31m) : 주사선
32(321∼32m) : 전원 공급선 33(331∼33n) : 신호선
34 : 공통 전원선 40 : 기록 주사부
50 : 전원 공급 주사부 60 : 신호 출력부
70 : 표시 패널 81 : 캐소드 전극
82 : 유기층(백색 발광 기능층) 83, 83A, 83B : 보호막
84R, 84G, 84B : 애노드 전극 85R, 85G, 85B : 반사판
86 : 층간막 87R, 87G, 87B : 반투과판

Claims (9)

  1. 반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되고,
    반사판과 반투과판 사이에 발광층을 포함하는 발광 기능층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막이 차례로 적층되어 있고,
    반투과판은 보호막의 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    보호막은 막두께가 발광색마다 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    반사판과 발광 기능층 사이에 투명한 애노드 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    반사판은 애노드 전극의 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    반사판과 발광 기능층 사이에 발광색마다 막두께가 다른 층간막을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    층간막과 발광 기능층 사이에 투명한 애노드 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    발광 기능층은 백색광을 발광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    발광 기능층은 적색광을 발광하는 적색 발광 기능층, 녹색광을 발광하는 녹색 발광 기능층 및 청색광을 발광하는 청색 발광 기능층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 반사판과 반투과판이 발광색마다 다른 거리로 배치되고,
    반사판과 반투과판 사이에 발광층을 포함하는 발광 기능층, 투명한 캐소드 전극 및 캐소드 전극을 보호하는 보호막이 차례로 적층되어 있고,
    반투과판은 보호막의 위에 형성되어 있는 표시 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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