KR20170103593A - Semiconductor packages and methods of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a semiconductor package and a manufacturing method thereof. A method for manufacturing a semiconductor includes: providing a connecting substrate on a carrier substrate; forming a first solder ball on the connecting substrate; providing a semiconductor chip on the carrier substrate, wherein the semiconductor chip is laterally spaced from the connecting substrate; forming a molding film on the connecting substrate and the semiconductor chip to cover the first solder ball; and forming an opening in the molding film to expose the first solder ball. According to the present invention, the semiconductor package has high reliability.

Description

반도체 패키지 및 그 제조 방법{Semiconductor packages and methods of manufacturing the same}[0001] Semiconductor packages and methods for manufacturing same [0002]

본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조 방법, 보다 구체적으로 반도체 패키지의 솔더볼 및 그 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a solder ball of a semiconductor package and a method of forming the same.

반도체 패키지는 집적회로 칩을 전자제품에 사용하기 적합한 형태로 구현한 것이다. 통상적으로 반도체 패키지는 인쇄회로기판(PCB) 상에 반도체 칩을 실장하고 본딩 와이어 내지 범프를 이용하여 이들을 전기적으로 연결하는 것이 일반적이다. 전자 산업의 발달로 전자 부품의 고기능화, 고속화 및 소형화 요구가 증대되고 있다. 이러한 추세에 대응하여, 하나의 기판에 여러 반도체 칩들을 적층하여 실장하거나 패키지 위에 패키지를 적층하는 방법이 대두되고 있다.The semiconductor package is implemented in a form suitable for use in an electronic product. Generally, a semiconductor package generally mounts a semiconductor chip on a printed circuit board (PCB) and electrically connects them using bonding wires or bumps. With the development of the electronic industry, there is a growing demand for high-performance, high-speed and miniaturization of electronic components. In response to this tendency, a method of stacking and mounting various semiconductor chips on one substrate or stacking a package on a package has emerged.

본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 높은 신뢰성을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor package having high reliability and a manufacturing method thereof.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 간소화된 반도체 패키지의 제조방법을 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a simplified semiconductor package.

본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반도체 패키지의 제조 방법은 캐리어 기판 상에 연결 기판을 제공하는 것; 상기 연결 기판 상에 제1 솔더볼을 형성하는 것; 상기 캐리어 기판 상에 반도체칩을 제공하는 것, 상기 반도체칩은 상기 연결 기판과 이격되고; 상기 연결 기판 및 상기 반도체칩 상에 폴리머막을 형성하여, 상기 제1 솔더볼을 덮는 것; 및 상기 폴리머막 내에 개구부를 형성하여, 상기 제1 솔더볼을 노출시키는 것을 포함할 수 있다. The present invention relates to a semiconductor package and a manufacturing method thereof. According to the present invention, a method of manufacturing a semiconductor package includes providing a connecting substrate on a carrier substrate; Forming a first solder ball on the connecting substrate; Providing a semiconductor chip on the carrier substrate, the semiconductor chip being spaced apart from the connection substrate; Forming a polymer film on the connection substrate and the semiconductor chip to cover the first solder ball; And forming an opening in the polymer film to expose the first solder ball.

본 발명에 따르면, 반도체 패키지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 반도체칩; 상기 기판 상에서 상기 반도체칩과 이격된 연결 기판, 상기 연결 기판은 그 내부에 도전부를 포함하고; 상기 연결 기판 상에 제공되고, 상기 도전부와 전기적으로 연결되는 솔더볼; 상기 연결 기판 및 상기 반도체칩 상에 제공되며, 상기 솔더볼을 노출시키는 개구부를 갖는 폴리머막; 및 상기 솔더볼 내에 제공되며, 상기 폴리머막과 동일한 물질을 포함하는 폴리머 입자들을 포함할 수 있다. According to the present invention, a semiconductor package includes: a substrate; A semiconductor chip disposed on the substrate; A connection substrate spaced apart from the semiconductor chip on the substrate, the connection substrate including a conductive portion inside the connection substrate; A solder ball provided on the connection substrate and electrically connected to the conductive portion; A polymer film provided on the connection substrate and the semiconductor chip, the polymer film having an opening for exposing the solder ball; And polymer particles provided in the solder ball and comprising the same material as the polymer film.

본 발명에 따르면, 제1 솔더볼은 폴리머막 내의 개구부를 형성하기 이전에 형성될 수 있다. 제1 솔더볼의 낮은 녹는점으로 인해, 개구부의 형성 과정에서, 폴리머막의 잔여물이 제1 솔더볼 내로 유입되어, 폴리머 입자들을 형성할 수 있다. 폴리머막의 잔여물은 제1 솔더볼의 리플로우 공정에서, 제1 솔더볼 또는 연결 솔더 내로 더 유입될 수 있다. 폴리머 입자들은 제1 솔더볼 내에 분산되어 제공될 수 있다. 이에 따라, 폴리머 입자들이 제1 솔더볼의 전기적 특성에 영향을 미치지 않을 수 있다. 제1 솔더볼 상에 세정 공정이 수행되어, 폴리머막의 잔여물이 더 제거될 수 있다. 반도체 패키지는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다. According to the present invention, the first solder ball may be formed before forming the opening in the polymer film. Due to the low melting point of the first solder ball, during the formation of the openings, the remainder of the polymer film can flow into the first solder balls to form polymer particles. The remainder of the polymer film may be further introduced into the first solder ball or connecting solder in the reflow process of the first solder ball. The polymer particles may be dispersed in the first solder ball. Accordingly, the polymer particles may not affect the electrical characteristics of the first solder ball. A cleaning process may be performed on the first solder ball so that the residue of the polymer film may be further removed. The semiconductor package can have improved reliability.

도 1a는 실시예에 따른 제1 패키지를 도시한 평면도이다.
도 1b 내지 도 1f, 도 1h, 도 1i 및 도 1m는 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1g 및 도 1h는 실시예에 따른 개구부의 형성 과정을 도시한 단면도들로, 도 1f의 Ⅱ영역을 확대 도시한 단면들에 대응된다.
도 1j는 도 1i의 Ⅱ영역을 확대한 단면이다.
도 1n은 도 1m의 Ⅱ영역을 확대한 단면이다.
도 2a는 실시예에 따른 제1 패키지를 도시한 평면도이다.
도 2b 내지 도 2g는 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a는 실시예에 따른 제1 패키지를 도시한 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 자른 단면이다.
도 3c는 실시예에 따른 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.1A is a plan view showing a first package according to an embodiment.
1B to 1F, 1 H, 1 I, and 1 M are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor package according to the embodiment.
Figs. 1G and 1H are cross-sectional views illustrating the process of forming the opening according to the embodiment, corresponding to cross-sectional views of the region II in Fig. 1F.
FIG. 1J is an enlarged cross-sectional view of the region II in FIG. 1I.
1N is an enlarged cross-sectional view of the region II in FIG.
2A is a plan view showing a first package according to an embodiment.
2B to 2G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor package according to the embodiment.
3A is a plan view showing a first package according to an embodiment.
3B is a cross-sectional view taken along the line IV-IV 'in FIG. 3A.
3C is a cross-sectional view showing a semiconductor package according to an embodiment.

이하, 본 발명의 개념에 따른 반도체 패키지의 제조 방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor package according to the concept of the present invention will be described.

도 1a는 실시예에 따른 제1 패키지를 도시한 평면도이다. 도 1b 내지 도 1f, 도 1i, 도 1k, 및 도 1m는 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 1b 내지 도 1f, 도 1i, 도 1k, 및 도 1m은 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다. 도 1j 및 도 1n는 각각 도 1i 및 도 1m의 Ⅱ영역을 확대한 단면들이다. 1A is a plan view showing a first package according to an embodiment. 1B to 1F, 1I, 1K, and 1M are sectional views for explaining the manufacturing process of the semiconductor package according to the embodiment. 1B to 1F, 1I, 1K and 1M correspond to cross-sections taken along the line I-I 'of FIG. 1A. Figs. 1J and 1N are cross-sectional views of the region II of Figs. 1I and 1M, respectively.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 연결 기판(200)이 캐리어 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 연결 기판(200)은 캐리어 접착층(110)에 의해 캐리어 기판(100) 상에 부착될 수 있다. 일 예로, 인쇄회로기판(PCB)이 연결 기판(200)으로 사용될 수 있다. 연결 기판(200)은 베이스층들(210) 및 상기 베이스층들(210) 내의 도전부(220)를 포함할 수 있다. 베이스층들(210)은 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층들(210)은 탄소함유물질(예를 들어, 그라파이트 또는 그래핀), 세라믹, 또는 폴리머(예를 들어, 나일론, 폴리카보네이트, 또는 고밀도 폴리에틸렌(high-density polyethylene, HDPE)을 포함할 수 있다. 도전부(220)는 제1 패드(221), 배선 패턴(222), 및 비아들(223)을 포함할 수 있다. 제1 패드(221)는 연결 기판(200)의 하면(200b) 상에 배치될 수 있다. 비아들(223)은 베이스층들(210)을 관통할 수 있다. 배선 패턴(222)은 베이스층들(210) 사이에 개재되며, 비아들(223)과 접속할 수 있다. 도전부(220)는 구리, 니켈, 알루미늄, 금, 은, 스테인레스 스틸, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 도전부(220)의 녹는점은 1100℃, 상세하게는 450℃보다 더 높을 수 있다. Referring to FIGS. 1A and 1B, a connection substrate 200 may be provided on the carrier substrate 100. The connection substrate 200 may be attached on the carrier substrate 100 by the carrier adhesion layer 110. [ As an example, a printed circuit board (PCB) can be used as the connecting substrate 200. The connecting substrate 200 may include base layers 210 and a conductive portion 220 within the base layers 210. The base layers 210 may comprise a nonconductive material. For example, the base layers 210 may be formed of a carbon-containing material (e.g., graphite or graphene), a ceramic, or a polymer (e.g., nylon, polycarbonate, or HDPE) The conductive part 220 may include a first pad 221, a wiring pattern 222 and vias 223. The first pad 221 may be formed on the connection substrate 200, Vias 223 can penetrate base layers 210. Wiring patterns 222 are interposed between base layers 210 and vias 223 The conductive part 220 may include copper, nickel, aluminum, gold, silver, stainless steel, or an alloy thereof. The melting point of the conductive part 220 is 1100 ° C., 450 < 0 > C.

솔더 패드(300)가 연결 기판(200)의 상면(200a) 상에 제공되며, 비아들(223) 중에서 어느 하나와 접속할 수 있다. 솔더 패드(300)는 구리, 니켈, 알루미늄, 금, 은, 스테인레스 스틸, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 솔더 패드(300)는 높은 녹는점을 가질 수 있다. 예를 들어, 솔더 패드(300)의 녹는점은 1100℃, 상세하게는 450℃보다 더 높을 수 있다. A solder pad 300 is provided on the upper surface 200a of the connection substrate 200 and can be connected to any one of the vias 223. [ The solder pad 300 may include copper, nickel, aluminum, gold, silver, stainless steel, or an alloy thereof. The solder pad 300 may have a high melting point. For example, the melting point of the solder pad 300 may be higher than 1100 占 폚, specifically 450 占 폚.

마스크 패턴(150)이 연결 기판(200)의 상면(200a) 상에 형성될 수 있다. 연결 기판(200)은 솔더 패드(300)를 노출시키는 마스크 개구부(151)를 가질 수 있다. A mask pattern 150 may be formed on the upper surface 200a of the connection substrate 200. [ The connecting substrate 200 may have a mask opening 151 that exposes the solder pad 300.

제1 솔더볼(SB1)이 솔더 패드(300) 상에 형성되어, 도전부(220)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 솔더 페이스트(미도시)가 마스크 개구부(151) 내의 솔더 패드(300) 상에 제공될 수 있다. 솔더 페이스트가 리플로우되어, 제1 솔더볼(SB1)이 마스크 개구부(151) 내의 솔더 패드(300) 상에 형성될 수 있다. 제1 솔더볼(SB1)은 도전부(220)의 녹는점 및 솔더 패드(300)의 녹는점보다 더 낮은 온도에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 솔더볼(SB1)은 450℃ 미만, 상세하게 170℃ 내지 230℃에서 형성될 수 있다. 이에 따라, 솔더 패드(300)는 제1 솔더볼(SB1)의 형성 과정에서 녹지 않고, 고체 상태일 수 있다. 제1 솔더볼(SB1)의 녹는점은 450℃ 미만, 상세하게 170℃ 내지 230℃일 수 있다. 제1 솔더볼(SB1)은 금속, 예를 들어, 주석(Sn), 납(Pb), 인듐(In), 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 솔더 페이스트의 리플로우 이후, 제1 솔더볼(SB1)은 상온(약 15℃ 내지 25℃)에 제공되며, 고체 상태일 수 있다. 마스크 패턴(150)은 제거될 수 있다. The first solder ball SB1 may be formed on the solder pad 300 and electrically connected to the conductive part 220. [ For example, a solder paste (not shown) may be provided on the solder pad 300 in the mask opening 151. The solder paste may be reflowed so that the first solder ball SB1 may be formed on the solder pad 300 in the mask opening 151. [ The first solder ball SB1 may be formed at a temperature lower than the melting point of the conductive part 220 and the melting point of the solder pad 300. [ For example, the first solder ball SB1 may be formed at a temperature of less than 450 占 폚, specifically 170 占 폚 to 230 占 폚. Accordingly, the solder pad 300 may not be dissolved in the process of forming the first solder ball SB1, but may be in a solid state. The melting point of the first solder ball SB1 may be less than 450 占 폚, specifically 170 占 폚 to 230 占 폚. The first solder ball SB1 may include a metal, for example, tin (Sn), lead (Pb), indium (In), or an alloy thereof. After reflowing the solder paste, the first solder ball SB1 is provided at room temperature (about 15 占 폚 to 25 占 폚) and may be in a solid state. The mask pattern 150 can be removed.

도 1a 및 도 1c를 참고하면, 연결 기판(200) 내에 홀(290)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 연결 기판(200)의 일부가 제거되어, 홀(290)이 형성될 수 있다. 평면적 관점에서, 홀(290)은 연결 기판(200)의 센터 부분에 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 1A and 1C, a hole 290 may be formed in the connection substrate 200. For example, a part of the connecting substrate 200 may be removed, and a hole 290 may be formed. From a plan viewpoint, a hole 290 may be formed in the center portion of the connecting substrate 200. [

도 1a 및 도 1d를 참조하면, 제1 반도체칩(400) 및 제1 폴리머막(500)이 캐리어 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 제1 반도체칩(400)은 연결 기판(200)의 홀(290) 내에 제공되며, 평면적 관점에서 연결 기판(200)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 반도체칩(400)은 그 하면 상에 제공된 칩 패드(410)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1A and 1D, a first semiconductor chip 400 and a first polymer film 500 may be provided on the carrier substrate 100. The first semiconductor chip 400 is provided in the hole 290 of the connection substrate 200 and may be surrounded by the connection substrate 200 in plan view. The first semiconductor chip 400 may include a chip pad 410 provided on a lower surface thereof.

제1 폴리머막(500)이 연결 기판(200) 및 제1 반도체칩(400) 상에 형성되어, 제1 솔더볼(SB1)을 덮을 수 있다. 제1 폴리머막(500)은 연결 기판(200)과 제1 반도체칩(400) 사이의 갭에 제공될 수 있다. 제1 폴리머막(500)은 절연성 폴리머, 예를 들어, 에폭시계 폴리머를 포함할 수 있다. 제1 폴리머막(500)은 몰딩막일 수 있다. 일 예로, 폴리머 시트를 사용하여, 제1 폴리머막(500)이 제조될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이 후, 캐리어 기판(100) 및 캐리어 접착층(110)이 제거되어, 제1 반도체칩(400)의 하면 및 연결 기판(200)의 하면(200b)이 노출될 수 있다. The first polymer film 500 may be formed on the connection substrate 200 and the first semiconductor chip 400 to cover the first solder ball SB1. The first polymer film 500 may be provided in a gap between the connection substrate 200 and the first semiconductor chip 400. The first polymer film 500 may comprise an insulating polymer, for example, an epoxy-based polymer. The first polymer film 500 may be a molding film. As an example, using the polymer sheet, the first polymer film 500 may be manufactured, but is not limited thereto. Thereafter, the carrier substrate 100 and the carrier bonding layer 110 are removed so that the lower surface of the first semiconductor chip 400 and the lower surface 200b of the connection substrate 200 can be exposed.

도 1a 및 도 1e를 참조하면, 절연 패턴들(610) 및 재배선부(621, 622)가 제1 반도체칩(400)의 하면 및 연결 기판(200)의 하면(200b) 상에 형성되어, 제1 기판(600)이 형성될 수 있다. 제1 기판(600)은 재배선 기판일 수 있다. 재배선부(621, 622)는 절연 패턴들(610) 사이의 도전 패턴(621) 및 절연 패턴들(610)을 관통하는 도전 비아(622)를 포함할 수 있다. 재배선부(621, 622)는 구리 또는 알루미늄을 포함할 수 있고, 1100℃, 상세하게는 450℃보다 더 높은 녹는점을 가질 수 있다. 재배선부(621, 622)는 제1 반도체칩(400)의 칩 패드(410) 및 연결 기판(200)의 제1 패드(221)와 접속할 수 있다. 보호층(630)이 제1 기판(600)의 하면 상에 형성될 수 있다. 보호층(630)은 절연물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 보호층(630)은 제1 폴리머막(500)과 동일할 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, 보호층(630)은 생략될 수 있다. 재배선 기판이 제1 기판(600)으로 사용되므로, 제1 기판(600)은 얇은 두께를 가질 수 있다. 1A and 1E, insulating patterns 610 and re-wiring portions 621 and 622 are formed on the lower surface of the first semiconductor chip 400 and the lower surface 200b of the connection substrate 200, 1 substrate 600 may be formed. The first substrate 600 may be a rewiring substrate. The redistribution portions 621 and 622 may include a conductive pattern 621 between the insulating patterns 610 and a conductive via 622 penetrating the insulating patterns 610. [ The reordering portions 621 and 622 may include copper or aluminum and may have a melting point higher than 1100 캜, specifically 450 캜. The re-routing portions 621 and 622 can be connected to the chip pads 410 of the first semiconductor chip 400 and the first pads 221 of the connection substrate 200. [ A protective layer 630 may be formed on the lower surface of the first substrate 600. The protective layer 630 may comprise an insulating material. In one example, the protective layer 630 may comprise the same material as the first polymeric film 500. As another example, the protective layer 630 may be omitted. Since the rewiring substrate is used as the first substrate 600, the first substrate 600 may have a small thickness.

도 1a 및 도 1f를 참조하면, 개구부(550)가 제1 폴리머막(500) 내에 형성되어, 제1 솔더볼(SB1)을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 폴리머막(500)이 드릴링 공정에 의해 제거되어, 개구부(550)를 형성할 수 있다. 일 예로, 상기 드릴링 공정은 레이저 드릴링에 의해 진행될 수 있다. 이하, 도 1g 및 도 1h를 참조하여, 개구부(550)의 형성에 대하여 보다 상세하게 설명한다. Referring to FIGS. 1A and 1F, an opening 550 may be formed in the first polymer film 500 to expose the first solder ball SB1. For example, the first polymer film 500 may be removed by a drilling process to form the openings 550. In one example, the drilling process may be performed by laser drilling. Hereinafter, the formation of the opening 550 will be described in more detail with reference to Figs. 1G and 1H.

도 1g 및 도 1h는 실시예에 따른 개구부의 형성 과정을 도시한 단면도들로, 도 1f의 Ⅱ영역을 확대 도시한 단면들에 대응된다. Figs. 1G and 1H are cross-sectional views showing the process of forming the opening according to the embodiment, corresponding to cross-sectional views of the region II of Fig. 1F enlarged.

도 1g를 참조하면, 제1 솔더볼(SB1)이 개구부(550)에 의해 공기 중에 노출되어, 산화막(700)이 제1 솔더볼(SB1) 상에 형성될 수 있다. 산화막(700)은 도 1d의 제1 폴리머막(500) 형성 이전 또는 개구부(550)의 형성 이후에 형성될 수 있다. 도시된 바와 달리, 산화막(700)은 제1 솔더볼(SB1) 및 제1 폴리머막(500) 사이에 더 개재될 수 있다. 산화막(700)의 형상 및 두께는 다양하게 변형될 수 있다. 개구부(550)의 형성 과정에서, 제거된 제1 폴리머막(500)의 일부가 제1 솔더볼(SB1) 상에 남아, 잔여물(501)을 형성할 수 있다. 잔여물(501)은 제1 솔더볼(SB1) 상에 제공되며, 산화막(700)을 덮을 수 있다. 다른 예로, 산화막(700)은 잔여물(501)과 제1 솔더볼(SB1) 사이에 개재되지 않을 수 있다. 잔여물(501)의 형상은 다양할 수 있다. 잔여물(501)은 제1 폴리머막(500)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1G, the first solder ball SB1 is exposed to the air by the opening 550, and the oxide film 700 may be formed on the first solder ball SB1. The oxide film 700 may be formed before the formation of the first polymer film 500 of FIG. 1D or after the formation of the openings 550. The oxide film 700 may be further sandwiched between the first solder ball SB1 and the first polymer film 500. [ The shape and thickness of the oxide film 700 can be variously modified. In the process of forming the openings 550, a part of the removed first polymer film 500 may remain on the first solder ball SB1 to form the remainder 501. The remainder 501 is provided on the first solder ball SB1 and can cover the oxide film 700. [ As another example, the oxide film 700 may not be interposed between the remainder 501 and the first solder ball SB1. The shape of the remainder 501 may vary. The remainder 501 may comprise the same material as the first polymer film 500.

도 1f에서 개구부(550)가 형성된 이후 제1 솔더볼(SB1)이 형성되면, 개구부(550)는 솔더 패드(300)을 노출시키고, 제1 폴리머막(500)의 잔여물이 솔더 패드(300) 상에 제공될 수 있다. 솔더 패드(300)는 높은 녹는점을 가져, 상기 드릴링 공정에서 발생하는 열 의해 녹지 않을 수 있다. 따라서, 제1 폴리머막(500)의 잔여물은 솔더 패드(300)를 덮는 막(미도시)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제1 솔더볼(SB1)은 제1 폴리머막(500)의 잔여물 상에 형성될 수 있다. 제1 솔더볼(SB1)의 형성은 솔더 패드(300)의 녹는점보다 더 낮은 온도에서 수행되므로, 제1 폴리머막(500)의 잔여물은 솔더 패드(300) 및 제1 솔더볼(SB1) 사이에 남아 있을 수 있다. 이에 따라, 솔더 패드(300) 및 제1 솔더볼(SB1) 사이의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 솔더 패드(300) 상에 제1 폴리머막(500)의 잔여물 제거 공정이 수행되면, 반도체 패키지의 공정 수가 증가할 수 있다. 더불어, 상기 제1 폴리머막(500)의 잔여물 제거 공정에서 솔더 패드(300) 또는 제1 폴리머막(500)이 손상될 수 잇다. The opening 550 exposes the solder pad 300 and the residue of the first polymer film 500 contacts the solder pad 300. The first solder ball SB1 is formed after the opening 550 is formed in FIG. Lt; / RTI > The solder pad 300 has a high melting point and may be insoluble due to heat generated in the drilling process. Thus, the remainder of the first polymer film 500 may form a film (not shown) covering the solder pad 300. In this case, a first solder ball SB1 may be formed on the remainder of the first polymer film 500. The formation of the first solder ball SB1 is performed at a lower temperature than the melting point of the solder pad 300 so that the remainder of the first polymer film 500 is held between the solder pad 300 and the first solder ball SB1 Can remain. Accordingly, the electrical characteristics between the solder pad 300 and the first solder ball SB1 may be degraded. If the residue removal process of the first polymer film 500 is performed on the solder pad 300, the number of processes of the semiconductor package may increase. In addition, the solder pad 300 or the first polymer film 500 may be damaged in the process of removing the residue of the first polymer film 500.

실시예들에 따르면, 제1 솔더볼(SB1)이 형성된 후, 개구부(550)가 형성되므로, 잔여물(501)은 솔더 패드(300) 상에 형성되지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 솔더볼(SB1)는 솔더 패드(300)와 양호하게 접속할 수 있다. According to embodiments, since the opening 550 is formed after the first solder ball SB1 is formed, the remainder 501 may not be formed on the solder pad 300. [ Accordingly, the first solder ball SB1 can be well connected to the solder pad 300. [

도 1g 및 도 1h를 차례로 참조하면, 상기 드릴링 공정에서 열이 발생할 수 있다. 상기 열은 제1 솔더볼(SB1)로 전달될 수 있다. 제1 솔더볼(SB1)은 비교적 낮은 녹는점을 가져, 제1 솔더볼(SB1)의 적어도 일부가 상기 열에 의해 녹을 수 있다. 예를 들어, 제1 솔더볼(SB1)의 상부가 녹아, 제1 솔더볼(SB1)의 상부는 액체 상태일 수 있다. 도 1g에서 화살표로 표시한 바와 같이 잔여물(501)이 제1 솔더볼(SB1) 내로 유입되어, 도 1h의 폴리머 입자들(502)을 형성할 수 있다. 산화막(700)은 잔여물(501)의 유입에 영향을 미치지 않을 수 있다. 폴리머 입자들(502)은 제1 솔더볼(SB1) 내에 분산되어 제공될 수 있다. 폴리머 입자들(502)은 원형 또는 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 폴리머 입자들(502)은 2μm미만, 상세하게, 1 μm미만의 평균 직경을 가질 수 있다. 드릴링 공정 이후, 제1 솔더볼(SB1)은 상온에 제공되며, 융융되었던 제1 솔더볼(SB1)의 일부는 고체 상태로 될 수 있다. 이 때, 솔더볼(SB1) 내로 유입되지 않은 잔여물(501)의 일부는 제1 솔더볼(SB1) 상에 남아 있을 수 있다. 다른 예로, 잔여물(501)은 제1 솔더볼(SB1) 상에 남아있지 않을 수 있다. Referring to Figs. 1G and 1H in turn, heat may be generated in the drilling process. The heat may be transferred to the first solder ball SB1. The first solder ball SB1 has a relatively low melting point so that at least a part of the first solder ball SB1 can be melted by the heat. For example, the upper portion of the first solder ball SB1 may melt, and the upper portion of the first solder ball SB1 may be in a liquid state. The residue 501 may flow into the first solder ball SB1 as indicated by arrows in Figure Ig to form the polymer particles 502 of Figure 1h. The oxide film 700 may not affect the influx of the residue 501. The polymer particles 502 may be dispersed in the first solder ball SB1. The polymer particles 502 may have various shapes such as a circular shape or an elliptical shape. For example, the polymer particles 502 may have an average diameter of less than 2 占 퐉, specifically less than 1 占 퐉. After the drilling process, the first solder ball SB1 is supplied at room temperature, and a part of the first solder ball SB1 that has been melted can be brought into a solid state. At this time, a part of the residue 501 that has not flowed into the solder ball SB1 may remain on the first solder ball SB1. As another example, the remainder 501 may not remain on the first solder ball SB1.

다시 도 1f를 참조하면, 외부 단자들(650)이 제1 기판(600)의 하면 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 하부 개구부들(631)이 보호층(630) 내에 형성되어, 재배선부(621, 622)를 노출시킬 수 있다. 외부 단자들(650)은 하부 개구부들(631) 내에 형성되어, 재배선부(621, 622)와 접속할 수 있다. 외부 단자(650)는 금속을 포함하며, 솔더볼의 형상을 가질 수 있다. 외부 단자들(650)은 재배선부(621, 622) 및 도전부(220)에 의해 제1 솔더볼(SB1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 단자들(650)은 제1 솔더볼(SB1)과 제3 방향(D3)으로 정렬되지 않을 수 있다. 외부 단자들(650)의 개수는 솔더 패드(300)의 개수와 다를 수 있다. 지금까지 설명한 예에 의해, 제1 패키지(10)의 제조가 완성될 수 있다. 제1 패키지(10)는 웨이퍼 레벨로 제조될 수 있다. Referring again to FIG. 1F, external terminals 650 may be formed on the lower surface of the first substrate 600. For example, the lower openings 631 may be formed in the protective layer 630 to expose the rewiring portions 621 and 622. [ The external terminals 650 are formed in the lower openings 631 and can be connected to the redistribution parts 621 and 622. The external terminal 650 includes a metal and may have the shape of a solder ball. The external terminals 650 may be electrically connected to the first solder ball SB1 by the rewiring portions 621 and 622 and the conductive portion 220. [ The external terminals 650 may not be aligned with the first solder ball SB1 in the third direction D3. The number of external terminals 650 may be different from the number of solder pads 300. According to the example described so far, the manufacture of the first package 10 can be completed. The first package 10 may be fabricated at the wafer level.

도 1a, 도 1i, 및 도 1j를 참조하면, 세정 공정이 제1 솔더볼(SB1) 상에 수행되어, 산화막(700)이 제거될 수 있다. 세정 공정은 플럭스 용액을 사용하여 수행될 수 있다. 일 예로, 플럭스 용액은 할로겐 원소를 포함할 수 있다. 이 때, 잔여물(501)이 산화막(700)과 함께 제거될 수 있다. 잔여물(501)을 제거하기 위한 별도의 공정이 수행되지 않아, 제1 패키지(10)의 제조가 간소화될 수 있다. 세정 공정 이후, 잔여물(501)의 일부가 제거되지 않고, 제1 솔더볼(SB1) 상에 남아 있을 수 있다. 다른 예로, 세정 공정 후, 잔여물(501)은 제1 솔더볼(SB1) 상에 남아있지 않을 수 있다. Referring to Figs. 1A, 1I, and 1J, a cleaning process is performed on the first solder ball SB1, so that the oxide film 700 can be removed. The cleaning process can be performed using a flux solution. As an example, the flux solution may contain a halogen element. At this time, the residue 501 can be removed together with the oxide film 700. A separate process for removing the residue 501 is not performed, so that the manufacture of the first package 10 can be simplified. After the cleaning process, a portion of the residue 501 may remain on the first solder ball SB1 without being removed. As another example, after the cleaning process, the residue 501 may not remain on the first solder ball SB1.

도 1k 및 도 1l를 참조하면, 제2 패키지(20)가 제1 패키지(10) 상에 제공될 수 있다. 제2 패키지(20)는 제2 기판(800), 제2 반도체칩(810), 및 몰딩막(820)을 포함할 수 있다. 제2 기판(800)은 인쇄회로기판 또는 재배선 기판일 수 있다. 제2 반도체칩(810)은 제2 기판(800) 상에 배치되며, 본딩 외어어(811)에 의해 제2 기판(800)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 반도체칩(810)의 개수, 실장 방법, 및 배치는 다양할 수 있다. 제2 솔더볼(SB2)이 제2 기판(800)의 하면 상에 제공될 수 있다. 제2 솔더볼(SB2)은 제2 반도체칩(810)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 기판(800) 내의 점선은 제2 기판(800)의 전기적 연결의 일 예를 간략하게 도시한 것이다. 제2 솔더볼(SB2)이 제1 솔더볼(SB1)과 정렬되도록, 제2 패키지(20)가 제1 패키지(10) 상에 배치될 수 있다. Referring to FIGS. 1K and 11, a second package 20 may be provided on the first package 10. The second package 20 may include a second substrate 800, a second semiconductor chip 810, and a molding film 820. The second substrate 800 may be a printed circuit board or a rewiring board. The second semiconductor chip 810 may be disposed on the second substrate 800 and may be electrically connected to the second substrate 800 by a bonding external cavity 811. The number, mounting method, and arrangement of the second semiconductor chips 810 may vary. And a second solder ball SB2 may be provided on the lower surface of the second substrate 800. [ And the second solder ball SB2 may be electrically connected to the second semiconductor chip 810. [ A dotted line in the second substrate 800 schematically shows an example of the electrical connection of the second substrate 800. The second package 20 may be disposed on the first package 10 such that the second solder ball SB2 is aligned with the first solder ball SB1.

도 1m 및 도 1n을 도 1l과 함께 참조하면, 리플로우 공정에 의해 제2 솔더볼(SB2)이 제1 솔더볼(SB1)과 접속하여, 연결 솔더(SB)가 형성될 수 있다. 연결 솔더(SB)는 솔더 패드(300) 및 제2 기판(800) 사이에 형성될 수 있다. 상기 리플로우 공정은 제2 솔더볼(SB2)의 녹는점 및 제1 솔더볼(SB1)의 녹는점과 동일하거나 더 높고, 도전부(220) 및 솔더 패드(300)의 녹는점보다 더 낮은 온도에서 진행될 수 있다. 예를 들어, 리플로우 공정은 대략 450℃ 이하, 상세하게, 170℃ 내지 230℃의 온도에서 진행될 수 있다. 도전부(220) 및 솔더 패드(300)는 상기 리플로우 공정에서 녹지 않을 수 있다. 즉, 도전부(220) 및 솔더 패드(300)는 상기 리플로우 공정에서 손상되지 않을 수 있다. Referring to FIGS. 1M and 1N with FIG. 11, the second solder ball SB2 is connected to the first solder ball SB1 by the reflow process, and the connecting solder SB can be formed. The connecting solder SB may be formed between the solder pad 300 and the second substrate 800. The reflow process is equal to or higher than the melting point of the second solder ball SB2 and the melting point of the first solder ball SB1 and proceeds at a temperature lower than the melting point of the conductive part 220 and the solder pad 300 . For example, the reflow process may be conducted at a temperature of about 450 캜 or less, specifically, 170 캜 to 230 캜. The conductive part 220 and the solder pad 300 may not melt in the reflow process. That is, the conductive part 220 and the solder pad 300 may not be damaged in the reflow process.

리플로우 공정에서 잔여물(501)이 제1 솔더볼(SB1) 상에 일부 남아있더라도, 도 1g 및 도 1l에 도시된 바와 같이 잔여물(501)이 연결 솔더(SB) 내로 유입되어, 폴리머 입자들(502)을 형성할 수 있다. 폴리머 입자들(502)은 연결 솔더(SB) 내에 분산되어 제공되므로, 연결 솔더(SB)의 전기적 특성에 영향을 미치지 않을 수 있다. 이에 따라, 제2 패키지(20)가 연결 솔더(SB)를 통해 제1 패키지(10)와 양호하게 전기적으로 연결될 수 있다. 반도체 패키지(1)는 향상된 신뢰성을 가질 수 있다. 실시예에 따르면, 상기 리플로우 공정 이전에, 도 1i 및 도 1j의 세정 공정이 수행되어, 리플로우 공정에서 남아 있는 잔여물(501)이 더 감소될 수 있다. 이에 따라, 제2 솔더볼(SB2)이 제1 솔더볼(SB1)과 더 양호하게 접속하며, 반도체 패키지(1)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다. Although the remainder 501 remains on the first solder ball SB1 in the reflow process, the remainder 501 flows into the connecting solder SB as shown in Figs. 1G and 1L, (502) can be formed. Since the polymer particles 502 are dispersedly provided in the connecting solder SB, the electrical characteristics of the connecting solder SB may not be affected. Thus, the second package 20 can be preferably electrically connected to the first package 10 through the connecting solder SB. The semiconductor package 1 may have improved reliability. According to the embodiment, prior to the reflow process, the cleaning process of FIGS. 1I and 1J may be performed to further reduce residuals 501 remaining in the reflow process. As a result, the second solder ball SB2 is better connected to the first solder ball SB1, and the reliability of the semiconductor package 1 can be further improved.

도 2a는 실시예에 따른 제1 패키지를 도시한 평면도이다. 도 2b 내지 도 2g는 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 과정을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 2b 내지 도 2e는 도 1a의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 자른 단면들에 대응된다, 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다. 2A is a plan view showing a first package according to an embodiment. 2B to 2G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the semiconductor package according to the embodiment. 2B to 2E correspond to cross-sectional views taken along the line III-III 'in FIG. 1A. Hereinafter, duplicated description will be omitted.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 연결 기판(200), 제1 반도체칩(400), 및 제1 폴리머막(500)이 캐리어 기판(100) 상에 제공될 수 있다. 연결 기판(200), 제1 반도체칩(400), 및 제1 폴리머막(500)은 도 1b 내지 도 1d에서 설명한 바와 같이 제조될 수 있다. 다만, 제1 솔더볼들(SB1)은 형성되지 않을 수 있다. 복수의 제2 패드들(240)이 연결 기판(200)의 상면(200a) 상에 제공되어, 비아들(223)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 폴리머막(500)은 연결 기판(200) 및 제1 반도체칩(400) 상에 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2B, a connection substrate 200, a first semiconductor chip 400, and a first polymer film 500 may be provided on the carrier substrate 100. The connecting substrate 200, the first semiconductor chip 400, and the first polymer film 500 may be manufactured as described in Figs. 1B to 1D. However, the first solder balls SB1 may not be formed. A plurality of second pads 240 may be provided on the top surface 200a of the connection substrate 200 to be electrically connected to the vias 223. The first polymer film 500 may be formed on the connection substrate 200 and the first semiconductor chip 400.

연결 비아들(900)이 제1 폴리머막(500) 내에 형성될 수 있다. 연결 비아들(900)은 제2 패드들(240) 상에 배치되며, 제2 패드들(240)과 접속할 수 있다. 연결 비아들(900)은 구리, 니켈, 알루미늄, 금, 은, 스테인레스 스틸, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 연결 비아들(900)은 1100℃, 상세하게는 450℃ 보다 더 높은 녹는점을 가질 수 있다. Connection vias 900 may be formed in the first polymeric film 500. The connection vias 900 are disposed on the second pads 240 and may be connected to the second pads 240. The connection vias 900 may include copper, nickel, aluminum, gold, silver, stainless steel, or alloys thereof. The interconnecting vias 900 may have a melting point higher than 1100 占 폚, specifically 450 占 폚.

연결 패턴들(910) 및 복수의 솔더 패드들(300')이 제1 폴리머막(500) 상에 형성될 수 있다. 연결 패턴들(910)은 제1 폴리머막(500)의 상면을 따라 연장되며, 연결 비아들(900) 및 솔더 패드들(300')과 전기적으로 연결될 수 있다. 솔더 패드들(300')은 연결 패턴들(910)을 통해 연결 비아들(900)과 전기적으로 연결될 수 있다. 솔더 패드들(300') 중 적어도 하나는 중 그와 전기적으로 연결된 도전부(220)와 제3 방향(D3)으로 정렬되지 않을 수 있다. 이 때, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)은 연결 기판(200)의 하면(200b)과 평행하고, 서로 교차할 수 있다. 제3 방향(D3)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 수직할 수 있다. 솔더 패드들(300')은 연결 기판(200) 상에 뿐만 아니라, 제1 반도체칩(400) 상에 형성될 수 있다. 연결 패턴들(910)이 제공되어, 솔더 패드들(300')의 배치 자유도가 증가될 수 있다. 솔더 패드들(300') 및 연결 패턴들(910)은 구리, 니켈, 알루미늄, 금, 은, 스테인레스 스틸, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 솔더 패드들(300')의 녹는점 및 연결 패턴들(910)의 녹는점은 1000℃, 상세하게는 450 ℃보다 더 높을 수 있다.Connection patterns 910 and a plurality of solder pads 300 'may be formed on the first polymer film 500. The connection patterns 910 extend along the top surface of the first polymer film 500 and may be electrically connected to the connection vias 900 and the solder pads 300 '. The solder pads 300 'may be electrically connected to the connection vias 900 through the connection patterns 910. At least one of the solder pads 300 'may not be aligned in the third direction D3 with the conductive part 220 electrically connected to the one of the solder pads 300'. In this case, the first direction D1 and the second direction D2 are parallel to the lower surface 200b of the connecting substrate 200 and can intersect with each other. The third direction D3 may be perpendicular to the first direction D1 and the second direction D2. Solder pads 300 'may be formed on the first semiconductor chip 400 as well as on the connecting substrate 200. Connection patterns 910 are provided so that the degree of freedom of placement of the solder pads 300 'can be increased. The solder pads 300 'and connection patterns 910 may comprise copper, nickel, aluminum, gold, silver, stainless steel, or alloys thereof. The melting points of the solder pads 300 'and the melting points of the connection patterns 910 may be higher than 1000 ° C, specifically 450 ° C.

제1 솔더볼(SB1)은 복수로 제공될 수 있다. 제1 솔더볼들(SB1)이 솔더 패드들(300') 상에 형성될 수 있다. 제1 솔더볼들(SB1)은 앞서 도 1b에서 설명한 바와 실질적으로 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다. 제1 솔더볼들(SB1)의 녹는점 및 물질은 도 1b의 예에서 설명한 바와 동일할 수 있다. 제1 솔더볼들(SB1)은 솔더 패드들(300')과 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 솔더볼들(SB1)은 연결 기판(200) 상에 뿐만 아니라, 제1 반도체칩(400) 상에 형성될 수 있다.The first solder ball SB1 may be provided in plurality. The first solder balls SB1 may be formed on the solder pads 300 '. The first solder balls SB1 may be formed by substantially the same method as described above with reference to FIG. 1B. The melting points and materials of the first solder balls SB1 may be the same as those described in the example of Fig. 1B. The first solder balls SB1 may be electrically connected to the solder pads 300 ', respectively. The first solder balls SB1 may be formed on the first semiconductor chip 400 as well as on the connection substrate 200. [

도 2a 및 도 2c를 참고하면, 제2 폴리머막(510)이 제1 폴리머막(500) 상에 형성되어, 제1 솔더볼들(SB1) 및 연결 패턴들(910)을 덮을 수 있다. 제2 폴리머막(510)은 절연성 폴리머, 예를 들어, 에폭시계 폴리머를 포함할 수 있다. 제2 폴리머막(510)은 몰딩막일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이 후, 캐리어 기판(100) 및 캐리어 접착층(110)이 제거되어, 제1 반도체칩(400)의 하면 및 연결 기판(200)의 하면(200b)이 노출될 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2C, a second polymer film 510 may be formed on the first polymer film 500 to cover the first solder balls SB1 and the connection patterns 910. FIG. The second polymer film 510 may comprise an insulating polymer, for example, an epoxy-based polymer. The second polymer film 510 may be a molding film, but is not limited thereto. Thereafter, the carrier substrate 100 and the carrier bonding layer 110 are removed so that the lower surface of the first semiconductor chip 400 and the lower surface 200b of the connection substrate 200 can be exposed.

도 2a 및 도 2d를 참조하면, 절연 패턴들(610) 및 재배선부(621, 622)가 제1 반도체칩(400)의 하면 및 연결 기판(200)의 하면(200b) 상에 형성되어, 제1 기판(600)이 제조될 수 있다. 보호층(630)이 제1 기판(600)의 하면 상에 형성될 수 있다. 다른 예로, 보호층(630)은 형성되지 않을 수 있다. 2A and 2D, the insulating patterns 610 and the re-wiring portions 621 and 622 are formed on the lower surface of the first semiconductor chip 400 and the lower surface 200b of the connection board 200, 1 substrate 600 may be manufactured. A protective layer 630 may be formed on the lower surface of the first substrate 600. As another example, the protective layer 630 may not be formed.

도 2a 및 도 2e 도 1g 및 도 1h와 함께 참조하면, 복수의 개구부들(550')이 드릴링 공정(예를 들어, 레이저 드릴링)에 의해 제2 폴리머막(510) 내에 형성될 수 있다. 개구부들(550')은 제1 솔더볼들(SB1)을 각각 노출시킬 수 있다. 제2 폴리머막(510)의 제거 과정에서, 제2 폴리머막(510)의 잔여물들(501')이 제1 솔더볼들(SB1) 상에 제공될 수 있다. 드릴링 공정에서 발생하는 열에 의해, 제1 솔더볼들(SB1)이 녹을 수 있다. 잔여물들(501')은 제1 솔더볼들(SB1) 내로 유입되어, 폴리머 입자들(502')을 형성할 수 있다. 드릴링 공정 후, 잔여물들(501')의 일부는 제1 솔더볼들(SB1) 상에 남아 있을 수 있다. 외부 단자들(650)이 제1 기판(600)의 하면 상에 형성되어, 제1 패키지(11)가 제조될 수 있다. Referring to Figures 2A and 2E, Figures 1G and 1H, a plurality of openings 550 'may be formed in the second polymeric film 510 by a drilling process (e.g., laser drilling). The openings 550 'may expose the first solder balls SB1, respectively. In the removal process of the second polymer film 510, residues 501 'of the second polymer film 510 may be provided on the first solder balls SB1. By the heat generated in the drilling process, the first solder balls SB1 can be melted. Residues 501 'may flow into the first solder balls SB1 to form polymer particles 502'. After the drilling process, a portion of the residues 501 'may remain on the first solder balls SB1. External terminals 650 are formed on the lower surface of the first substrate 600 so that the first package 11 can be manufactured.

도 2a 및 도 2f를 도 1j와 함께 참조하면, 세정 공정이 제1 솔더볼들(SB1) 상에 수행되어, 잔여물들(501')이 제거될 수 있다. 이 때, 제1 솔더볼들(SB1)의 산화막(도 1h에서 700)이 잔여물들(501')과 함께 제거될 수 있다. 잔여물들(501')의 일부는 제거되지 않고 남아 있을 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2F with reference to FIG. 1J, a cleaning process is performed on the first solder balls SB1 so that the residues 501 'can be removed. At this time, the oxide film (700 in FIG. 1H) of the first solder balls SB1 can be removed together with the residues 501 '. Some of the residues 501 'may remain without being removed.

도 2a 및 도 2g를 참조하면, 제2 솔더볼들(SB2)이 제1 솔더볼들(SB1)과 정렬되도록, 제2 패키지(21)가 제1 패키지(11) 상에 배치될 수 있다. 제1 솔더볼들(SB1)이 제1 반도체칩(400) 상에 배치되어, 제2 솔더볼들(SB2) 및 제2 기판(800) 내의 회로 패턴(미도시)의 배치 자유도가 증가될 수 있다. 2A and 2G, the second package 21 may be disposed on the first package 11 so that the second solder balls SB2 are aligned with the first solder balls SB1. The first solder balls SB1 are disposed on the first semiconductor chip 400 so that the degree of freedom in arranging the circuit patterns (not shown) in the second solder balls SB2 and the second substrate 800 can be increased.

제2 반도체칩(810)은 범프(812)에 의해 플립칩 실장될 수 있다. 다른 예로, 제2 반도체칩(810)은 직접 본딩될 수 있다. 예를 들어, 범프(812)가 생략되고, 제2 반도체칩(810)의 칩 패드들(813)이 제2 기판(800)의 상면 상의 패드들(803)과 직접 접촉할 수 있다. 제3 반도체칩(815)이 제2 반도체칩(810) 상에 적층될 수 있으며, 제2 반도체칩(810) 내의 관통 비아들(814)를 통해 제2 기판(800)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 반도체칩들(810, 815)의 개수, 배치, 및 실장 방법은 다양하게 변형될 수 있다. The second semiconductor chip 810 can be flip-chip mounted by the bumps 812. As another example, the second semiconductor chip 810 may be directly bonded. For example, the bumps 812 may be omitted and the chip pads 813 of the second semiconductor chip 810 may be in direct contact with the pads 803 on the upper surface of the second substrate 800. The third semiconductor chip 815 can be stacked on the second semiconductor chip 810 and electrically connected to the second substrate 800 through the through vias 814 in the second semiconductor chip 810 . However, the number, arrangement, and mounting methods of the semiconductor chips 810 and 815 can be variously modified.

도 2a 및 도 2h를 참조하면, 리플로우 공정에 의해 제2 솔더볼들(SB2)이 제1 솔더볼들(SB1)과 접속하여, 복수의 연결 솔더들(SB)이 형성될 수 있다. 잔여물들(도 1g에서 511)이 제1 솔더볼들(SB1) 상에 일부 남아있더라도, 잔여물들(501')은 도 1n에서 설명한 바와 같이, 리플로우 공정에서 연결 솔더(SB) 내로 유입되어, 폴리머 입자들(502')을 형성할 수 있다. 이에 따라, 폴리머 입자들(502')은 연결 솔더들(SB) 내에 분산되어 제공되어, 반도체 패키지(2)의 전기적 특성이 폴리머 입자들(502')에 의해 저하되지 않을 수 있다. Referring to FIGS. 2A and 2H, the second solder balls SB2 may be connected to the first solder balls SB1 by a reflow process, and a plurality of connecting solders SB may be formed. The residues 501 'flow into the connecting solder SB in the reflow process, as described in FIG. 1n, so that even though the residues (511 in FIG. 1G) remain partially on the first solder balls SB1, To form particles 502 '. Accordingly, the polymer particles 502 'are dispersed in the connecting solder SB so that the electrical characteristics of the semiconductor package 2 may not be degraded by the polymer particles 502'.

도 3a는 실시예에 따른 제1 패키지를 도시한 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 자른 단면이다. 3A is a plan view showing a first package according to an embodiment. 3B is a cross-sectional view taken along the line IV-IV 'in FIG. 3A.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1 패키지(12)는 제1 기판(600), 연결 기판(201), 제1 반도체칩(400), 제1 폴리머막(500), 솔더 패드들(300), 및 제1 솔더볼들(SB1)을 포함할 수 있다. 제1 기판(600), 제1 반도체칩(400), 제1 폴리머막(500), 솔더 패드들(300), 및 제1 솔더볼들(SB1)은 앞서 도 1b 내지 1f에서 설명한 바와 실질적으로 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다. 3A and 3B, the first package 12 includes a first substrate 600, a connection substrate 201, a first semiconductor chip 400, a first polymer film 500, solder pads 300 ), And first solder balls SB1. The first substrate 600, the first semiconductor chip 400, the first polymer film 500, the solder pads 300, and the first solder balls SB1 are substantially the same as those described above with reference to FIGS. Method. ≪ / RTI >

연결 기판(201)은 복수로 제공될 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 연결 기판들(201)은 제1 반도체칩(400)을 둘러쌀 수 있다. 도 3b와 같이, 연결 기판들(201) 각각은 베이스층(210) 및 도전부(220)를 포함할 수 있다. 도 1a 및 도 1f의 연결 기판(201)과 달리, 베이스층(210)은 단수로 제공되며, 배선 패턴들(222)은 생략될 수 있다. 비아들(223)은 베이스층(210)을 관통하며, 제1 패드들(221) 및 솔더 패드들(300)과 각각 직접 접속할 수 있다. The connection substrate 201 may be provided in plurality. As shown in FIG. 3A, the connection substrates 201 may surround the first semiconductor chip 400. FIG. As shown in FIG. 3B, each of the connection substrates 201 may include a base layer 210 and a conductive portion 220. Unlike the connecting substrate 201 of FIGS. 1A and 1F, the base layer 210 is provided in a single number, and the wiring patterns 222 may be omitted. The vias 223 penetrate the base layer 210 and may directly connect to the first pads 221 and the solder pads 300, respectively.

폴리머 입자들(502)이 제1 솔더볼들(SB1)의 내에 제공될 수 있다. 도 1h에서 설명한 바와 같이, 폴리머 입자들(502)은 개구부들(550)의 형성 과정에서 형성된 제1 폴리머막(500)의 잔여물일 수 있다. 폴리머 입자들(502)은 제1 폴리머막(500)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 잔여물(501)이 제1 솔더볼들(SB1) 상에 제공될 수 있다. 다른 예로, 잔여물(501)은 제공되지 않을 수 있다. .Polymer particles 502 may be provided in the first solder balls SB1. 1H, the polymer particles 502 may be the remainder of the first polymer film 500 formed during the formation of the openings 550. The polymer particles 502 may comprise the same material as the first polymer film 500. A residue 501 may be provided on the first solder balls SB1. As another example, residue 501 may not be provided. .

도 3c는 실시예에 따른 반도체 패키지를 도시한 단면도이다. 이하, 앞서 설명한 바와 중복되는 내용은 생략한다.3C is a cross-sectional view showing a semiconductor package according to an embodiment. Hereinafter, duplicated description will be omitted.

도 3c를 참조하면, 제2 패키지(20)가 도 3a 및 도 3b의 제1 패키지(12) 상에 실장되어, 반도체 패키지(3)가 제조될 수 있다. 제2 패키지(20)는 도 1k 및 도 1n에서 설명한 바와 실질적으로 동일한 방법에 의해 제1 패키지(12) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 리플로우 공정에 의해 제2 솔더볼들(SB2)이 제1 솔더볼들(SB1)과 접속하여, 연결 솔더(SB)가 형성될 수 있다. 제2 패키지(20)의 실장 이전에, 세정 공정이 제1 솔더볼들(SB1) 상에 수행되어, 잔여물(501)이 제거될 수 있다. Referring to FIG. 3C, the second package 20 is mounted on the first package 12 of FIGS. 3A and 3B so that the semiconductor package 3 can be manufactured. The second package 20 may be mounted on the first package 12 by substantially the same method as described in Figs. 1K and 1N. For example, the second solder balls SB2 may be connected to the first solder balls SB1 by the reflow process, and the connecting solder SB may be formed. Prior to the mounting of the second package 20, a cleaning process is performed on the first solder balls SB1 so that the residue 501 can be removed.

이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.It is not intended to be exhaustive or to limit the invention to the precise form disclosed, and it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention. The appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (10)

캐리어 기판 상에 연결 기판을 제공하는 것;
상기 연결 기판 상에 제1 솔더볼을 형성하는 것;
상기 캐리어 기판 상에 반도체칩을 제공하는 것, 상기 반도체칩은 상기 연결 기판과 이격되고;
상기 연결 기판 및 상기 반도체칩 상에 폴리머막을 형성하여, 상기 제1 솔더볼을 덮는 것; 및
상기 폴리머막 내에 개구부를 형성하여, 상기 제1 솔더볼을 노출시키는 것을 포함하는 반도체 패키지 제조방법. Providing a connecting substrate on a carrier substrate;
Forming a first solder ball on the connecting substrate;
Providing a semiconductor chip on the carrier substrate, the semiconductor chip being spaced apart from the connection substrate;
Forming a polymer film on the connection substrate and the semiconductor chip to cover the first solder ball; And
Forming an opening in the polymer film to expose the first solder ball. 제 1항에 있어서,
상기 연결 기판 상에 솔더 패드를 형성하는 것을 더 포함하되,
상기 제1 솔더볼은 상기 솔더 패드 상에서 상기 솔더 패드와 접속하고, 상기 솔더 패드보다 더 낮은 녹는점을 갖는 반도체 패키지 제조방법. The method according to claim 1,
Further comprising forming a solder pad on the connecting substrate,
Wherein the first solder ball connects to the solder pad on the solder pad and has a melting point lower than the solder pad. 제 1항에 있어서.
상기 제1 솔더볼 내에 폴리머 입자들을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 폴리머 입자들은 상기 폴리머막과 동일한 물질을 포함하는 반도체 패키지 제조방법. The method of claim 1,
Further comprising forming polymer particles within the first solder ball, wherein the polymer particles comprise the same material as the polymer film. 제 3항에 있어서.
상기 폴리머 입자들은 상기 개구부를 형성하는 동안 형성되는 반도체 패키지 제조방법. 4. The method of claim 3,
Wherein the polymer particles are formed during formation of the opening. 제 1항에 있어서,
그 하면 상에 제2 솔더볼을 포함하는 상부 패키지를 제공하는 것; 및
상기 제1 솔더볼 및 상기 제2 솔더볼을 리플로우하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지 제조방법. The method according to claim 1,
Providing a top package comprising a second solder ball on the bottom surface; And
And reflowing the first solder ball and the second solder ball. 제 5항에 있어서,
상기 개구부를 형성하는 동안, 상기 제1 솔더볼 상에 상기 폴리머막의 잔여물이 제공되고,
상기 리플로우하는 것 이전에, 상기 제1 솔더볼을 플럭스 용액을 사용하여 세정하여, 상기 폴리머막의 상기 잔여물을 제거하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지 제조방법. 6. The method of claim 5,
During the formation of the opening, a residue of the polymer film is provided on the first solder ball,
Further comprising cleaning said first solder ball with a flux solution prior to said reflow to remove said residue of said polymer film. 제 1항에 있어서,
상기 연결 기판은 베이스층들 및 상기 베이스층들 내의 도전부를 포함하며, 상기 제1 솔더볼은 상기 도전부와 전기적으로 연결되는 반도체 패키지 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein the connection substrate includes base layers and a conductive portion in the base layers, wherein the first solder balls are electrically connected to the conductive portions. 기판;
상기 기판 상에 배치되는 반도체칩;
상기 기판 상에서 상기 반도체칩과 이격된 연결 기판, 상기 연결 기판은 그 내부에 도전부를 포함하고;
상기 연결 기판 상에 제공되고, 상기 도전부와 전기적으로 연결되는 솔더볼;
상기 연결 기판 및 상기 반도체칩 상에 제공되며, 상기 솔더볼을 노출시키는 개구부를 갖는 폴리머막; 및
상기 솔더볼 내에 제공되며, 상기 폴리머막과 동일한 물질을 포함하는 폴리머 입자들을 포함하는 반도체 패키지. Board;
A semiconductor chip disposed on the substrate;
A connection substrate spaced apart from the semiconductor chip on the substrate, the connection substrate including a conductive portion inside the connection substrate;
A solder ball provided on the connection substrate and electrically connected to the conductive portion;
A polymer film provided on the connection substrate and the semiconductor chip, the polymer film having an opening for exposing the solder ball; And
And polymer particles provided in the solder ball, wherein the polymer particles comprise the same material as the polymer film. 제 8항에 있어서,
상기 연결 기판 및 상기 솔더볼 사이에 제공되는 솔더 패드를 더 포함하되,
상기 솔더볼은 상기 솔더 패드보다 더 낮은 녹는점을 갖는 반도체 패키지. 9. The method of claim 8,
And a solder pad provided between the connection substrate and the solder ball,
Wherein the solder ball has a lower melting point than the solder pad. 제 8항에 있어서,
상기 솔더볼 상에 제공되고, 상기 폴리머막과 동일한 물질을 포함하는 잔여물을 더 포함하는 반도체 패키지. 9. The method of claim 8,
And a residue provided on the solder ball, the residue comprising the same material as the polymer film.
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