KR20170100515A - Thermally conductive adhesive sheet, production method therefor, and electronic device using same - Google Patents

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Abstract

열 전도성 접착 시트의 고열 전도부 및 저열 전도부의 치수 정밀도의 향상, 또한 저열 전도부의 저열 전도율화를 도모하고, 또한 전자 디바이스에, 용이하게 적층되어, 해당 전자 디바이스의 내부에 충분한 온도차를 부여할 수 있는, 열 전도성 접착 시트, 그의 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스를 제공하는 것이고, 고열 전도부와 저열 전도부를 포함하는 기재와, 접착제층을 포함하는 열 전도성 접착 시트이며, 해당 기재의 한쪽 면에 접착제층이 적층되고, 또한 중공 필러가 해당 저열 전도부에, 저열 전도부 전체 부피 중 20 내지 90부피％ 함유되고, 또한 해당 기재의 다른 쪽 면이, 해당 저열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면과, 해당 고열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면으로 구성되거나, 또는 해당 고열 전도부와 해당 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성하여 이루어지는, 열 전도성 접착 시트, 그의 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스이다.It is possible to improve the dimensional accuracy of the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion of the thermally conductive adhesive sheet and to reduce the thermal conductivity of the low thermal conductive portion and to easily provide a sufficient temperature difference inside the electronic device A thermally conductive adhesive sheet, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the same, and is a thermally conductive adhesive sheet comprising a substrate including a high thermal conductive portion and a low thermal conductive portion, and an adhesive layer, And the hollow filler is contained in the low heat conductive portion in an amount of 20 to 90% by volume of the total volume of the low thermal conductive portion and the other face of the substrate is a face opposite to the face in contact with the adhesive layer of the low heat conductive portion , A surface on the opposite side of the surface of the high heat conduction portion in contact with the adhesive layer, Configuring the heat-conducting portion and a portion having a thickness of at least either the corresponding base of the low thermal conductive portion, the heat conductive adhesive sheet, obtained by the electronic device using it and a method of manufacturing.

Description

열 전도성 접착 시트, 그의 제조 방법, 및 그것을 사용한 전자 디바이스{THERMALLY CONDUCTIVE ADHESIVE SHEET, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE USING SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a thermally conductive adhesive sheet, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본 발명은 열 전도성 접착 시트에 관한 것으로, 특히 전자 디바이스에 사용되는 열 전도성 접착 시트, 그의 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermally conductive adhesive sheet, and more particularly, to a thermally conductive adhesive sheet used in an electronic device, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the same.

종래부터, 전자 디바이스 등의 내부에 있어서, 열을 해방시키거나 또는 열의 흐름을 특정한 방향으로 제어하기 위해서, 고열 전도성을 갖는 시트 형상의 방열 부재가 사용되고 있다. 전자 디바이스로서는, 예를 들어 열전변환 디바이스, 광전 변환 디바이스, 대규모 집적 회로 등의 반도체 디바이스 등을 들 수 있다.BACKGROUND ART Heretofore, sheet-like heat radiation members having high thermal conductivity have been used in order to release heat or control the flow of heat in a specific direction in an electronic device or the like. Examples of the electronic device include a semiconductor device such as a thermoelectric conversion device, a photoelectric conversion device, and a large-scale integrated circuit.

근년, 반도체 디바이스에 있어서는, 해당 반도체 디바이스의 소형화 및 고밀도화 등에 수반하여, 동작 시에 내부로부터 발생하는 열이 보다 고온이 되고, 방열이 충분하지 않은 경우에는, 해당 반도체 디바이스 자체의 특성이 저하되어, 때로는 오동작을 야기하고, 최종적으로는 반도체 디바이스의 파괴 또는 수명의 저하로 이어지는 경우가 있다. 이러한 경우, 반도체 디바이스로부터 발생하는 열을 효율적으로 외부로 방열하기 위한 방법으로서, 반도체 디바이스와 히트 싱크(금속 부재) 사이에, 열 전도성이 우수한 방열 시트를 설치하는 것이 행해지고 있다.In recent years, in the semiconductor device, the heat generated from the inside becomes higher at the time of operation, accompanied by the miniaturization and the higher density of the semiconductor device, and when the heat radiation is insufficient, the characteristics of the semiconductor device itself deteriorate, Sometimes causing a malfunction, and eventually leading to breakage of the semiconductor device or deterioration of its service life. In this case, as a method for efficiently dissipating heat generated from the semiconductor device to the outside, a heat radiation sheet having excellent thermal conductivity is provided between the semiconductor device and the heat sink (metal member).

또한, 이러한 전자 디바이스 중에서, 열전변환 디바이스에 있어서는, 상술한 방열의 제어에 관한 것이지만, 열전 소자의 편면에 부여된 열을, 열전 소자의 내부 두께 방향으로 온도차가 커지도록 제어하면, 얻어지는 전력이 커지는 점에서, 시트 형상의 방열 부재를 사용하여 특정한 방향으로 선택적으로 방열을 제어하는(열전 소자의 내부에 온도차를 효율적으로 부여하는) 검토가 이루어지고 있다. 특허문헌 1에서는, 도 7에 도시한 바와 같은 구조를 갖는 열전변환 소자가 개시되어 있다. 즉, P형 열전 소자(41)와 N형 열전 소자(42)를 직렬로 접속하고, 그의 양단부에 열 기전력 취출 전극(43)을 배치하여, 열전변환 모듈(46)을 구성하고, 해당 열전변환 모듈(46)의 양면에 2종류의 열 전도율이 상이한 재료로 구성된 유연성을 갖는 필름 형상 기판(44, 45)을 설치한 것이다. 해당 필름 형상 기판(44, 45)에는, 상기 열전변환 모듈(46)과의 접합면측에 열 전도율이 낮은 재료(폴리이미드)(47, 48)가 설치되고, 상기 열전변환 모듈(46)의 접합면과 반대측에, 열 전도율이 높은 재료(구리)(49, 50)가 필름 형상 기판(44, 45)의 외면의 일부분에 위치하도록 설치되어 있다. 특허문헌 2에서는, 도 8에 나타내는 구조를 갖는 열전변환 모듈이 개시되어 있고, 저열 전도율 부재(51, 52)에 고열 전도율 부재를 겸하는 전극(54)이 매립되어, 그것들이 열전 소자(53)에 대하여, 도전성 접착제층(55) 및 절연성 접착제층(56)을 개재하여 배치되어 있다.Among these electronic devices, the thermoelectric conversion device relates to the above-described control of heat radiation. However, if the heat applied to one surface of the thermoelectric element is controlled so that the temperature difference in the direction of the thickness of the thermoelectric element becomes large, A study has been made in which heat radiation is selectively controlled in a specific direction (effectively imparting a temperature difference to the inside of the thermoelectric element) by using a sheet-shaped heat radiation member. Patent Document 1 discloses a thermoelectric conversion element having a structure as shown in Fig. That is, the thermoelectric conversion module 46 is constituted by connecting the P-type thermoelectric element 41 and the N-type thermoelectric element 42 in series and arranging the thermoelectric power extraction electrodes 43 at both ends thereof, Film substrates 44 and 45 having flexibility are formed on both sides of the module 46 and made of a material having two different thermal conductivity. (Polyimide) 47 or 48 having a low thermal conductivity is provided on the surface of the film substrate 44 or 45 to be bonded to the thermoelectric conversion module 46, (Copper) 49, 50 having high thermal conductivity are disposed on a portion of the outer surface of the film substrates 44, 45 on the opposite side of the film substrate 44, 45. In the patent document 2, a thermoelectric conversion module having the structure shown in Fig. 8 is disclosed. Electrodes 54 serving also as a high thermal conductivity member are embedded in the low thermal conductivity members 51 and 52, Are disposed via the conductive adhesive layer 55 and the insulating adhesive layer 56. [

일본 특허 제3981738호 공보Japanese Patent No. 3981738 일본 특허 공개 제2011-35203호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-35203

상기한 바와 같이 특히, 반도체 디바이스를 주로 하는 전자 디바이스에 있어서, 열을 외부로 보다 효율적으로 방열시킬 수 있는 방열 시트나, 열 전도성이 우수한 것에 더해, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열하여, 해당 전자 디바이스의 내부에 온도 구배를 발생시키는 기능을 갖는 열 전도성 시트 등이 요구되고 있다. 그러나, 본 발명자들이 상술한 바와 같은 열전변환 디바이스의 열전 소자에, 고열 전도부와 저열 전도부로 구성되는 열 전도성 접착 시트를 적용하여 검토를 행한 바, 열 전도성 접착성 시트의 고열 전도부나 저열 전도부의 패턴에 관한 치수 정밀도가 나쁘고, 소정의 온도차가 얻어지지 않는다고 하는 새로운 문제를 알아냈다. 치수 정밀도가 나빠지는 이유로서는, 열 전도성 접착성 시트를 구성하는 고열 전도부와 저열 전도부에 있어서의, 경화 수축 등을 포함하는 내부 응력 차 등을 들 수 있다.As described above, in particular, in an electronic device mainly composed of a semiconductor device, in addition to a heat-radiating sheet capable of more efficiently radiating heat to the outside and an excellent thermal conductivity, heat is selectively radiated in a specific direction, A heat conductive sheet having a function of generating a temperature gradient inside the device is required. However, the inventors of the present invention have applied heat conductive adhesive sheets composed of a high thermal conductive portion and a low thermal conductive portion to a thermoelectric element of a thermoelectric conversion device as described above. As a result, And a predetermined temperature difference can not be obtained. The reason why the dimensional accuracy is deteriorated is the internal stress difference including the hardening shrinkage and the like in the high thermal conductivity portion and the low heat conductivity portion constituting the thermally conductive adhesive sheet.

본 발명은 상기 문제를 감안하여, 열 전도성 접착 시트의 고열 전도부 및 저열 전도부의 치수 정밀도의 향상, 또한 저열 전도부의 저열 전도율화를 도모하고, 또한 전자 디바이스에, 용이하게 적층되어, 해당 전자 디바이스의 내부에 충분한 온도차를 부여할 수 있는, 열 전도성 접착 시트, 그의 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, it is an object of the present invention to improve the dimensional accuracy of a high thermal conductive portion and a low thermal conductive portion of a thermally conductive adhesive sheet and to reduce the thermal conductivity of a low thermal conductive portion, A heat conductive adhesive sheet capable of imparting a sufficient temperature difference to the inside, a method of manufacturing the same, and an electronic device using the same.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 열 전도성 접착 시트를, 고열 전도부와 저열 전도부를 포함하는 기재와, 해당 기재의 한쪽 면에 접착제층을 적층하는 구성으로 하고, 또한 특정량(부피％)의 중공 필러를 해당 저열 전도부에 함유시키고, 또한 저열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면과, 고열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면으로, 해당 기재의 다른 쪽 면을 구성하거나, 또는 해당 고열 전도부와 해당 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성함으로써, 상기 과제를 해결하는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.As a result of intensive investigations to solve the above problems, the present inventors have found that a thermally conductive adhesive sheet is formed by laminating an adhesive layer on one side of a base material including a high heat transmission portion and a low heat transmission portion, A hollow filler of a specific amount (vol%) is contained in the low heat conductive portion and the surface of the low heat conductive portion on the opposite side to the surface of the low heat conductive portion which is in contact with the adhesive layer and the surface of the high heat conductive portion, The present invention has been accomplished based on the finding that the above problem is solved by constituting the other surface of the substrate or by forming at least one of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion as a part of the thickness of the substrate.

즉, 본 발명은 이하의 (1) 내지 (15)를 제공하는 것이다.That is, the present invention provides the following (1) to (15).

(1) 고열 전도부와 저열 전도부를 포함하는 기재와, 접착제층을 포함하는 열 전도성 접착 시트이며, 해당 저열 전도부에 중공 필러가, 저열 전도부 전체 부피 중 20 내지 90부피％ 함유되고, 또한 해당 기재의 한쪽 면에 접착제층이 적층되고, 또한 해당 기재의 다른 쪽 면이, 해당 저열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면과, 해당 고열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면으로 구성되거나, 또는 해당 고열 전도부와 해당 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성하여 이루어지는, 열 전도성 접착 시트.(1) A thermally conductive adhesive sheet comprising a base material including a high-temperature conductive portion and a low-temperature conductive portion, and an adhesive layer, wherein a hollow filler is contained in the low-temperature conductive portion in an amount of 20 to 90% The other side of the base material is laminated on one surface of the base material and the other surface of the base material is a surface opposite to a surface of the low heat conductive portion which is in contact with the adhesive layer and a surface of the high heat conductive portion, Or at least one of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion constitutes a part of the thickness of the base material.

(2) 상기 고열 전도부와 상기 저열 전도부가, 각각 독립적으로 상기 기재의 모든 두께를 구성하고 있는, 상기 (1)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(2) The thermally conductive adhesive sheet according to the above (1), wherein the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion independently constitute all thicknesses of the substrate.

(3) 상기 고열 전도부 및 상기 저열 전도부가 수지 조성물로 형성되는, 상기 (1)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(3) The thermally conductive adhesive sheet according to (1), wherein the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion are formed of a resin composition.

(4) 상기 고열 전도부를 구성하는 상기 수지 조성물에 열 전도성 필러 및/또는 도전성 탄소 화합물을 포함하는, 상기 (3)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(4) The thermally conductive adhesive sheet according to (3), wherein the resin composition constituting the high heat conduction part contains a thermally conductive filler and / or a conductive carbon compound.

(5) 상기 열 전도성 필러가 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 상기 (4)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(5) The thermally conductive adhesive sheet according to (4), wherein the thermally conductive filler comprises at least one selected from the group consisting of metal oxides, metal nitrides and metals.

(6) 상기 열 전도성 필러가 금속 산화물과 금속 질화물을 포함하는, 상기 (4)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(6) The thermally conductive adhesive sheet according to (4), wherein the thermally conductive filler comprises a metal oxide and a metal nitride.

(7) 상기 도전성 탄소 화합물이 카본 블랙, 카본 나노 튜브, 그래핀 및 카본 나노 파이버로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 상기 (4)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(7) The thermally conductive adhesive sheet according to (4), wherein the conductive carbon compound comprises at least one member selected from the group consisting of carbon black, carbon nanotube, graphene and carbon nanofiber.

(8) 상기 중공 필러가 유리 중공 필러 또는 실리카 중공 필러인, 상기 (1)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(8) The thermally conductive adhesive sheet according to (1), wherein the hollow filler is a glass hollow filler or silica hollow filler.

(9) 상기 유리 중공 필러 및 실리카 중공 필러의 진밀도가 0.1 내지 0.6g/㎤인, 상기 (8)에 기재된 열 전도성 접착 시트.(9) The thermally conductive adhesive sheet according to (8), wherein the glass hollow filler and the silica hollow filler have a true density of 0.1 to 0.6 g / cm 3.

(10) 상기 고열 전도부를 구성하는 수지 조성물과 상기 저열 전도부를 구성하는 수지 조성물의 복합 경화 수축률이 2％ 이하인, 상기 (3) 내지 (9) 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트.(10) The thermally conductive adhesive sheet according to any one of (3) to (9) above, wherein the composite curing shrinkage ratio of the resin composition constituting the high thermal conductive portion and the resin composition constituting the low thermal conductive portion is not more than 2%.

(11) 상기 기재의 고열 전도부의 열 전도율이 0.5(W/m·K) 이상, 또한 저열 전도부의 열 전도율이 0.5(W/m·K) 미만인, 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트.(11) The honeycomb structured body according to any one of (1) to (10), wherein the thermal conductivity of the high thermal conductive portion of the substrate is 0.5 (W / mK) or more and the thermal conductivity of the low thermal conductive portion is less than 0.5 (W / mK) Wherein the thermally conductive adhesive sheet is a thermally conductive adhesive sheet.

(12) 상기 기재의 두께에 대한 상기 접착제층의 두께의 비율(접착제층/기재)이 0.005 내지 1.0인, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트.(12) The thermally conductive adhesive sheet according to any one of (1) to (11), wherein the ratio of the thickness of the adhesive layer to the thickness of the substrate (adhesive layer / substrate) is 0.005 to 1.0.

(13) 상기 접착제층이 실리콘계 접착제를 포함하는, 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트.(13) The thermally conductive adhesive sheet according to any one of (1) to (12) above, wherein the adhesive layer comprises a silicone adhesive.

(14) 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트를 적층한 전자 디바이스.(14) An electronic device in which the thermally conductive adhesive sheet according to any one of (1) to (13) above is laminated.

(15) 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트를 제조하는 방법이며, 박리 가능한 지지 기재 상에, 수지 조성물로 형성되는 고열 전도부와, 수지 조성물로 형성되는 저열 전도부로 기재를 형성하는 공정, 및 해당 기재에 접착제층을 적층하는 공정을 포함하는, 열 전도성 접착 시트의 제조 방법.(15) A method of producing a thermally conductive adhesive sheet according to any one of (1) to (13) above, comprising the steps of: forming on a releasable supporting substrate a heat conductive portion formed of a resin composition, And a step of laminating an adhesive layer on the base material.

본 발명의 열 전도성 접착 시트에 의하면, 열 전도성 접착 시트의 고열 전도부 및 저열 전도부의 치수 정밀도의 향상, 또한 저열 전도부의 저열 전도율화를 도모하고, 또한 전자 디바이스에, 용이하게 적층되어, 해당 전자 디바이스의 내부에 충분한 온도차를 부여할 수 있는, 열 전도성 접착 시트, 그의 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 디바이스를 제공할 수 있다.According to the heat-conductive adhesive sheet of the present invention, it is possible to improve the dimensional accuracy of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion of the thermally conductive adhesive sheet and to reduce the thermal conductivity of the low heat conduction portion, A method of manufacturing the same, and an electronic device using the same.

도 1은, 본 발명의 열 전도성 접착 시트의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는, 본 발명의 열 전도성 접착 시트의 여러 가지 예를 도시하는 단면도이다.
도 3은, 본 발명의 열 전도성 접착 시트를 열전변환 모듈에 부착했을 때의 열전변환 디바이스의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 열 전도성 접착 시트와 열전변환 모듈을 구성 요소로 분해한 사시도의 일례이고, (a)가 열전변환 모듈의 지지체 표면측의 열전 소자에 설치되는 열 전도성 접착 시트의 사시도이고, (b)가 열전변환 모듈의 사시도이고, (c)가 열전변환 모듈의 지지체 이면측에 설치되는 열 전도성 접착 시트의 사시도이다.
도 5는, 본 발명의 열 전도성 접착 시트의 고열 전도부와 저열 전도부의 온도차를 측정하기 위한 구성의 설명도이고, (a)가 열 전도성 접착 시트이고, (b)가 피착체로서 사용한 유리 기판의 사시도이다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 사용한 열전변환 모듈의 사시도이다.
도 7은, 종래의 열전변환 디바이스의 구성의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 8은, 종래의 열전변환 디바이스의 구성의 다른 일례를 도시하는 단면도이다.1 is a perspective view showing an example of a thermally conductive adhesive sheet of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing various examples of the thermally conductive adhesive sheet of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing an example of a thermoelectric conversion device when the thermally conductive adhesive sheet of the present invention is attached to the thermoelectric conversion module.
Fig. 4 is a perspective view of a thermally conductive adhesive sheet and a thermoelectric conversion module according to the present invention, which are exploded into constituent elements. Fig. 4 (a) is a perspective view of a thermally conductive adhesive sheet provided on a thermoelectric element on a surface side of a support of a thermoelectric conversion module (b) is a perspective view of the thermoelectric conversion module, and (c) is a perspective view of the thermally conductive adhesive sheet provided on the back side of the support of the thermoelectric conversion module.
Fig. 5 is an explanatory diagram of a configuration for measuring a temperature difference between a high heat conduction portion and a low heat conduction portion of a thermally conductive adhesive sheet of the present invention, wherein (a) is a thermally conductive adhesive sheet, It is a perspective view.
6 is a perspective view of a thermoelectric conversion module used in an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a conventional thermoelectric conversion device.
8 is a cross-sectional view showing another example of the configuration of a conventional thermoelectric conversion device.

[열 전도성 접착 시트][Heat-conductive adhesive sheet]

본 발명의 열 전도성 접착 시트는, 고열 전도부와 저열 전도부를 포함하는 기재와, 접착제층을 포함하는 열 전도성 접착 시트이며, 해당 저열 전도부에 중공 필러가, 저열 전도부 전체 부피 중 20 내지 90부피％ 함유되고, 또한 해당 기재의 한쪽 면에 접착제층이 적층되고, 또한 해당 기재의 다른 쪽 면이, 해당 저열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면과, 해당 고열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면으로 구성되거나, 또는 해당 고열 전도부와 해당 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성하여 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.The thermally conductive adhesive sheet of the present invention is a thermally conductive adhesive sheet comprising a base material including a high thermal conductive portion and a low thermal conductive portion and an adhesive layer, wherein a hollow filler is contained in the low thermal conductive portion in an amount of 20 to 90% And the other side of the base material is laminated on one side of the base material and the other side of the base material is in contact with the side of the low heat transfer portion opposite to the side in contact with the corresponding adhesive layer, Or at least one of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion constitutes a part of the thickness of the base material.

본 발명의 열 전도성 접착 시트는, 기재와 접착제층으로 구성되어 있다.The thermally conductive adhesive sheet of the present invention is composed of a substrate and an adhesive layer.

본 발명의 열 전도성 접착 시트의 구성 등을, 도면을 사용하여 설명한다.The construction and the like of the thermally conductive adhesive sheet of the present invention will be described with reference to the drawings.

<기재><Description>

기재는, 열 전도율이 서로 다른 고열 전도부와 저열 전도부로 구성된다.The substrate is composed of a high thermal conductivity portion and a low thermal conductivity portion having different thermal conductivity.

도 1은 본 발명의 열 전도성 접착 시트의 일례를 나타내는 사시도이다. 열 전도성 접착 시트(1)는, 고열 전도부(4a, 4b)와 저열 전도부(5a, 5b)를 포함하는 기재(7)와 접착제층(8)으로 구성되고, 고열 전도부와 저열 전도부는 교대로 배치되어 있다. 즉, 기재(7)의 한쪽 면에 접착제층(8)이 적층되고, 또한 기재(7)의 다른 쪽 면이, 저열 전도부(5a, 5b)의 접착제층(8)과 접하는 면과는 반대측의 면과, 고열 전도부(4a, 4b)의 접착제층(8)과 접하는 면과는 반대측의 면으로 구성되어 있다.1 is a perspective view showing an example of a thermally conductive adhesive sheet of the present invention. The thermally conductive adhesive sheet 1 is composed of the base material 7 and the adhesive layer 8 including the high thermal conductive portions 4a and 4b and the low thermal conductive portions 5a and 5b and the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion are alternately arranged . That is, the adhesive layer 8 is laminated on one side of the base material 7 and the other side of the base material 7 is bonded to the adhesive layer 8 on the opposite side to the side of the adhesive layer 8 of the low heat transmission portions 5a and 5b And a surface opposite to the surface of the high heat conduction sections 4a and 4b which is in contact with the adhesive layer 8.

열 전도성 접착 시트(1)의 기재(7)를 구성하는 고열 전도부와 저열 전도부의 배치(이하, 「두께 구성」이라고 하는 경우가 있음)는, 이하에 설명하는 바와 같이, 특별히 제한되지 않는다.The arrangement of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion constituting the base material 7 of the thermally conductive adhesive sheet 1 (hereinafter sometimes referred to as &quot; thickness configuration &quot;) is not particularly limited as described below.

도 2에 본 발명의 열 전도성 접착 시트의 단면도(배치를 포함함)의 여러 가지 예를 나타낸다. 도 2의 (a)는 도 1의 단면도이고, 고열 전도부(4)와 저열 전도부(5)가 각각 독립적으로 기재(7)의 모든 두께를 구성하고 있다. 또한, 도 2의 (b) 내지 (g)는, 고열 전도부(4)와 저열 전도부(5)의 적어도 어느 쪽인가의 기재의 두께의 일부분을 구성하고 있다. 구체적으로는, 도 2의 (b), (d)는, 저열 전도부(5)가 기재(7)의 두께의 일부분을 구성하고, 기재(7)의 접착제층(8)과 접하는 면은, 고열 전도부(4)만으로 형성되어 있다. 또한, 도 2의 (c), (e)는, 고열 전도부(4)가 기재(7)의 두께의 일부분을 구성하고, 기재(7)의 접착제층(8)과 접하는 면은, 저열 전도부(5)만으로 형성되어 있다. 도 2의 (f)는, 고열 전도부(4)가 기재(7)의 두께의 일부분을 구성하고, 기재(7)의 접착제층(8)과 접하는 면은, 고열 전도부(4)와 저열 전도부(5)의 양쪽에 형성되어 있고, 기재(7)의 접착제층(8)과 접하는 면과는 반대측의 면은, 저열 전도부(5)만으로 형성되어 있다. 도 2의 (g)는, 저열 전도부(5)가 기재(7)의 두께의 일부분을 구성하고, 기재(7)의 접착제층(8)과 접하는 면은, 고열 전도부(4)와 저열 전도부(5)의 양쪽에 형성되어 있고, 기재(7)의 접착제층(8)과 접하는 면과는 반대측의 면은, 고열 전도부(4)만으로 형성되어 있다. 기재(7)의 두께 구성은, 적용하는 전자 디바이스의 사양에 맞추어, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열한다는 관점에서, 예를 들어 도 2의 (a) 내지 (g)의 두께 구성을 선택하는 것이 바람직하고, 고열 전도부와 저열 전도부가, 각각 독립적으로 기재의 모든 두께를 구성하고 있는, 즉, (a)의 두께 구성이 더욱 바람직하다. 또한, 전자 디바이스의 내부로부터 발생하는 열을 외부로 효율적으로 방열하는 관점에서, 예를 들어 도 2의 (a) 내지 (g)의 두께 구성을 전자 디바이스의 사양에 맞추어 선택할 수 있다. 이 때, 예를 들어 고열 전도부의 부피를 크게, 또한 적용하는 디바이스면에 대향하는 면적을 크게 하는 구성으로 함으로써, 방열량을 효율적으로 제어할 수 있다.Fig. 2 shows various examples of the cross-sectional view (including the arrangement) of the thermally conductive adhesive sheet of the present invention. Fig. 2 (a) is a cross-sectional view of Fig. 1, and the high-temperature conductive portion 4 and the low-temperature conductive portion 5 constitute all the thicknesses of the substrate 7 independently. 2 (b) to 2 (g) constitute a part of the thickness of the base material of at least one of the high heat transmission portion 4 and the low heat transmission portion 5. 2 (b) and 2 (d) illustrate a case where the low heat transmission portion 5 constitutes a part of the thickness of the base material 7 and the surface of the base material 7, which is in contact with the adhesive layer 8, Only the conductive portion 4 is formed. 2 (c) and 2 (e), the high thermal conductive portion 4 constitutes a part of the thickness of the substrate 7 and the surface of the substrate 7 in contact with the adhesive layer 8 is a low thermal conductive portion 5). 2F shows a case where the high thermal conductive portion 4 constitutes a part of the thickness of the base material 7 and the surface of the base material 7 which is in contact with the adhesive layer 8 is composed of the high thermal conductive portion 4 and the low thermal conductive portion 5, and the surface of the base material 7 opposite to the surface in contact with the adhesive layer 8 is formed only of the low-temperature conductive portion 5. 2 (g) shows a state in which the low-temperature conductive portion 5 constitutes a part of the thickness of the base material 7 and the surface of the base material 7 which contacts the adhesive layer 8 has a high heat conductive portion 4 and a low- 5, and the surface of the substrate 7 opposite to the surface in contact with the adhesive layer 8 is formed solely of the high heat conduction portion 4. The thickness of the base material 7 can be appropriately selected in accordance with the specifications of the electronic device to be applied. For example, from the viewpoint of selectively radiating heat in a specific direction, for example, it is preferable to select the thickness configuration shown in Figs. 2 (a) to 2 (g), and the heat conduction portion and the low- And the thickness of (a) is more preferable. Further, from the viewpoint of efficiently dissipating the heat generated from the inside of the electronic device to the outside, for example, the thickness configuration shown in Figs. 2 (a) to 2 (g) can be selected in accordance with the specification of the electronic device. At this time, for example, by making the volume of the high heat conduction portion large and the area facing the device surface large, it is possible to efficiently control the heat radiation amount.

<저열 전도부><Low thermal conductivity part>

본 발명의 저열 전도부는, 중공 필러와 후술하는 수지를 포함하는 수지 조성물로 형성된다. 중공 필러를 함유시킴으로써, 저열 전도부의 경화 수축률을 억제하고, 또한 고열 전도부의 경화 수축률과의 차를 작게 함으로써, 후술하는 복합 경화 수축률이 저감되어, 결과적으로 고열 전도부와 저열 전도부의 각각의 패턴의 치수 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.The low heat conduction portion of the present invention is formed of a resin composition comprising a hollow filler and a resin to be described later. By containing the hollow filler, the curing shrinkage ratio of the low heat conductive portion is suppressed, and the difference between the curing shrinkage ratio of the high heat conductive portion and the curing shrinkage ratio of the high heat conductive portion is reduced. As a result, The precision can be improved.

저열 전도부의 형상은 특별히 제한은 없고, 후술하는 전자 디바이스 등의 사양에 따라, 적절히 변경할 수 있다. 여기서, 본 발명의 저열 전도부는, 상기 고열 전도부보다도 열 전도율이 낮은 쪽을 말한다.The shape of the low-temperature conductive portion is not particularly limited and may be suitably changed in accordance with specifications of an electronic device or the like to be described later. Here, the low heat conductivity portion of the present invention refers to a portion having a lower thermal conductivity than the high heat conductivity portion.

중공 필러로서는 특별히 제한되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 유리 벌룬, 실리카 벌룬, 시라스 벌룬, 플라이애시 벌룬, 금속 규산염 등의 벌룬(중공체)인 무기물계 중공 필러, 또한, 아크릴로니트릴, 염화비닐리덴, 페놀 수지, 에폭시 수지, 요소 수지 등의 벌룬(중공체)인 유기 수지물계 중공 필러를 들 수 있다. 중공 필러는 1종 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 중에서, 물질 자신의 열 전도율이 금속 산화물 중에서 비교적 낮고, 또한 부피 저항률, 비용의 관점에서, 무기물계 중공 필러인 유리 중공 필러 또는 실리카 중공 필러가 바람직하다. 구체적으로는, 유리 중공 필러로서는 예를 들어 스미또모 쓰리엠사제의 글래스 버블즈(소다 석회 붕규산 유리) 등을, 실리카 중공 필러로서는, 예를 들어 닛테츠 고교 가부시끼가이샤제의 실리낙스(등록 상표) 등을 들 수 있다.The hollow filler is not particularly limited, and any known hollow filler can be used. For example, inorganic hollow filler such as glass balloons, silica balloons, shirasu balloons, fly ash balloons, metal silicates, A hollow filler such as nitrile, vinylidene chloride, phenol resin, epoxy resin, and urea resin. The hollow filler may be used singly or in combination of two or more. Among them, a glass hollow filler or silica hollow filler which is an inorganic material hollow filler is preferable from the viewpoints of the thermal conductivity of the material itself is relatively low among the metal oxides and from the viewpoint of the volume resistivity and cost. Specific examples of the glass hollow filler include glass bubbles (soda lime borosilicate glass) manufactured by Sumitomo 3M, and silica hollow fillers such as SILANUX (registered trademark) manufactured by Nittetsu Kogyo Co., And the like.

또한, 본 발명에 있어서의 「중공 필러」란, 필러를 구성 재료로 하는 외각을 갖고, 내부가 중공 구조(내부는 공기 이외에, 불활성 기체 등의 기체로 채워져 있어도 되고, 진공이어도 됨)로 되어 있는 필러를 말하고, 해당 중공 구조로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 중공 구조가 구체이거나 타원체 등이어도 되고, 중공 구조가 복수 있어도 된다.The term "hollow filler" used in the present invention refers to a hollow filler having an outer shape made of a filler as a constituent material and having an inner hollow structure (the inside thereof may be filled with a gas such as an inert gas, The hollow structure is not particularly limited. For example, the hollow structure may be spherical, ellipsoidal or the like, or may have a plurality of hollow structures.

중공 필러의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 적용하는 전자 디바이스, 소자 등에 부착했을 때에, 그것들의 접촉 또는 기계적 손상에 의해, 전자 디바이스, 소자 등의 전기 특성 등이 손상되지 않는 형상이면 되고, 예를 들어 판 형상(비늘 조각 형상을 포함함), 구 형상, 바늘 형상, 막대 형상, 섬유 형상 중 어느 것이어도 된다.The shape of the hollow filler is not particularly limited, but it may be a shape that does not impair electrical characteristics of electronic devices, elements, etc., due to contact or mechanical damage when they are attached to an applied electronic device or device, It may be a plate shape (including a scaly shape), a sphere shape, a needle shape, a rod shape, or a fiber shape.

중공 필러의 사이즈는, 저열 전도부의 두께 방향으로 중공 필러를 균일하게 분산시켜, 열 전도성을 저하시키는 관점에서, 예를 들어 평균 입자 직경이 0.1 내지 200㎛가 바람직하고, 1 내지 100㎛가 보다 바람직하고, 10 내지 80㎛가 더욱 바람직하고, 20 내지 50㎛가 특히 바람직하다. 중공 필러의 평균 입자 직경이 이 범위에 있으면, 입자끼리의 응집이 일어나기 어려워, 균일하게 분산시킬 수 있다. 또한, 저열 전도부로의 충전 밀도가 충분해져, 물질 계면에 있어서 저열 전도부가 취화되는 일도 없다. 또한, 평균 입자 직경은, 예를 들어 쿨터 카운터법에 의해 측정할 수 있다.The size of the hollow filler is preferably from 0.1 to 200 mu m, more preferably from 1 to 100 mu m, for example, from the viewpoint of uniformly dispersing the hollow filler in the thickness direction of the low heat transmission portion and lowering thermal conductivity More preferably 10 to 80 占 퐉, and particularly preferably 20 to 50 占 퐉. When the average particle diameter of the hollow filler is in this range, aggregation of the particles hardly occurs and the particles can be uniformly dispersed. Further, the filling density into the low-temperature conductive portion becomes sufficient, and the low-temperature conductive portion does not become brittle at the material interface. The average particle diameter can be measured by, for example, a Coulter counter method.

중공 필러의 함유량은 그의 입자 형상에 따라서 적절히 조정되고, 수지 조성물 중, 20 내지 90부피％이고, 40 내지 80부피％가 바람직하고, 50 내지 70부피％가 더욱 바람직하다. 중공 필러의 함유량이 20부피％ 미만이면, 경화 수축이 커져 저열 전도부의 패턴 치수 정밀도가 저하되어 버린다. 또한, 중공 필러의 함유량이 90부피％를 초과하면, 저열 전도부의 기계적 강도를 유지할 수 없게 된다. 중공 필러의 함유량이 이 범위에 있으면, 경화 수축이 효과적으로 억제되고, 또한 방열 특성, 내절성, 내굴곡성이 우수하고, 저열 전도부의 기계적 강도가 유지된다.The content of the hollow filler is appropriately adjusted in accordance with the shape of the particles and is 20 to 90% by volume, preferably 40 to 80% by volume, more preferably 50 to 70% by volume in the resin composition. If the content of the hollow filler is less than 20% by volume, the hardening shrinkage becomes large, and the pattern dimensional accuracy of the low heat conductive portion is lowered. When the content of the hollow filler exceeds 90% by volume, the mechanical strength of the low heat conductive portion can not be maintained. When the content of the hollow filler is within this range, the curing shrinkage is effectively suppressed, the heat radiation property, the bending resistance and the bending resistance are excellent, and the mechanical strength of the low heat conductive portion is maintained.

중공 필러의 진밀도는 0.1 내지 0.6g/㎤이 바람직하고, 0.2 내지 0.5g/㎤이 보다 바람직하고, 0.3 내지 0.4g/㎤이 더욱 바람직하다. 중공 필러의 진밀도가 이 범위에 있으면, 단열 특성, 내압성이 우수하고, 저열 전도부 형성 시에 중공 필러가 부서지는 일도 없고, 또한 저열 전도부의 저열 전도성을 손상시키는 일도 없다.The true density of the hollow filler is preferably 0.1 to 0.6 g / cm 3, more preferably 0.2 to 0.5 g / cm 3, and still more preferably 0.3 to 0.4 g / cm 3. When the true density of the hollow filler is within this range, the heat insulating property and pressure resistance are excellent, the hollow filler is not broken at the time of forming the low thermal conductive portion, and the low thermal conductivity of the low thermal conductive portion is not impaired.

여기서, 「진밀도」란, 피크노미터법(아르키메데스의 원리에 기초한 기상법)에 의해 측정된 밀도이다. 예를 들어, 피크노미터(기상 치환식 진밀도계, 예를 들어 마이크로메트릭스(Micromeritics)사제의 AccuPycII 1340)를 사용하여 측정할 수 있다.Here, the &quot; true density &quot; is the density measured by the peak nometer method (vapor phase method based on the principle of Archimedes). For example, it can be measured using a pycnometer (AccuPyc II 1340 manufactured by Micromeritics, Inc., a vapor-phase displacement-type true density meter).

(수지)(Suzy)

본 발명에 사용하는 수지는 특별히 한정되지 않지만, 전자 부품 분야 등에서 사용되고 있는 것 중에서 임의의 수지를 적절히 선택할 수 있다.The resin to be used in the present invention is not particularly limited, but arbitrary resins can be appropriately selected from those used in the field of electronic parts and the like.

수지로서는 열경화성 수지, 열가소성 수지, 광 경화성 수지 등을 들 수 있다. 상기 저열 전도부를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지; 폴리스티렌 등의 스티렌계 수지; 폴리메타크릴산메틸 등의 아크릴계 수지; 폴리아미드(나일론 6, 나일론 66 등), 폴리m-페닐렌이소프탈아미드, 폴리p-페닐렌테레프탈아미드 등의 폴리아미드계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아릴레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 노르보르넨계 중합체, 단환의 환상 올레핀계 중합체, 환상 공액 디엔계 중합체, 비닐 지환식 탄화수소 중합체 및 이들의 수소화물 등의 시클로올레핀계 중합체; 염화비닐; 폴리이미드; 폴리아미드이미드; 폴리페닐렌에테르; 폴리에테르케톤; 폴리에테르에테르케톤; 폴리카르보네이트; 폴리술폰, 폴리에테르술폰 등의 폴리술폰계 수지; 폴리페닐렌술피드; 실리콘 수지; 및 이들 고분자의 2종 이상의 조합; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성이 우수하고, 방열성이 저하되기 어렵다고 하는 점에서 폴리아미드계 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 및 실리콘 수지가 바람직하다.Examples of the resin include a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and a photocurable resin. Examples of the resin constituting the low-temperature conductive portion include polyolefin-based resins such as polyethylene and polypropylene; Styrene resins such as polystyrene; Acrylic resins such as methyl polymethacrylate; Polyamide resins such as polyamide (nylon 6, nylon 66 and the like), poly m-phenylene isophthalamide and poly p-phenylene terephthalamide; Polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate and polyarylate; Cycloolefin polymers such as norbornene polymers, monocyclic cycloolefin polymers, cyclic conjugated diene polymers, vinyl alicyclic hydrocarbon polymers, and hydrides thereof; Vinyl chloride; Polyimide; Polyamideimide; Polyphenylene ether; Polyether ketones; Polyether ether ketone; Polycarbonate; Polysulfone resins such as polysulfone and polyethersulfone; Polyphenylene sulfide; Silicone resin; And combinations of two or more of these polymers; And the like. Of these, a polyamide-based resin, polyimide, polyamide-imide and silicone resin are preferable from the standpoint of excellent heat resistance and low heat dissipation.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

저열 전도부의 수지 조성물에는, 필요에 따라 적절한 범위 내에서, 예를 들어 광 중합 개시제, 가교제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 안료나 염료 등의 착색제, 점착 부여제, 대전 방지제, 커플링제 등의 첨가제가 포함되어 있어도 된다.The resin composition of the low-temperature conductive portion may contain, for example, a photo polymerization initiator, a crosslinking agent, a filler, a plasticizer, an antioxidant, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a colorant such as a pigment or a dye, , And a coupling agent may be included.

<고열 전도부><High heat conduction part>

고열 전도부는 수지 조성물로 형성되고, 상기 저열 전도부보다도 열 전도율이 높은 재료라면 특별히 한정되지 않는다.The high heat conduction portion is not particularly limited as long as it is formed of a resin composition and has a thermal conductivity higher than that of the low heat conduction portion.

상기 고열 전도부의 형상은 상기 저열 전도부의 형상과 마찬가지로, 특별히 제한은 없고, 후술하는 전자 디바이스 등의 사양에 따라, 적절히 변경할 수 있다.The shape of the high heat conduction portion is not particularly limited and may be suitably changed in accordance with specifications of an electronic device or the like to be described later, similarly to the shape of the low heat conduction portion.

수지로서는, 전술한 저열 전도부에 사용한 열 경화성 수지 및 에너지 경화성 수지 등, 마찬가지의 수지를 들 수 있다. 통상, 기계적 특성, 밀착성 등의 관점에서 저열 전도부와 동일 수지를 사용한다.As the resin, similar resins such as the thermosetting resin and the energy-curable resin used for the above-described low-temperature conductive portion can be mentioned. Usually, the same resin as the low thermal conductivity portion is used from the viewpoint of mechanical properties, adhesion, and the like.

고열 전도부는 경화 수축의 억제, 또한 후술하는 원하는 열 전도율로 조정하기 위해서, 상기 수지와 열 전도성 필러 및/또는 도전성 탄소 화합물을 포함하는 수지 조성물로 형성되는 것이 바람직하다.The high heat conduction portion is preferably formed of a resin composition containing the resin and the thermally conductive filler and / or the conductive carbon compound in order to suppress curing shrinkage and to adjust the heat conductivity to be described later.

이하, 열 전도성 필러 및 도전성 탄소 화합물을 「열 전도율 조정용 물질」이라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, the thermally conductive filler and the conductive carbon compound may be referred to as &quot; materials for adjusting the thermal conductivity &quot;.

(열 전도성 필러 및 도전성 탄소 화합물)(Thermally conductive filler and conductive carbon compound)

열 전도성 필러로서는 특별히 제한은 없지만, 실리카, 알루미나, 산화마그네슘 등의 금속 산화물, 질화규소, 질화알루미늄, 질화마그네슘, 질화붕소 등의 금속 질화물, 구리, 알루미늄 등의 금속으로부터 선택되는 적어도 1종, 또한, 도전성 탄소 화합물로서는 카본 블랙, 카본 나노 튜브(CNT), 그래핀, 카본 나노 파이버 등으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다. 이들 열 전도성 필러 및 도전성 탄소 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 열 전도율 조정용 물질로서는 열 전도성 필러가 바람직하다. 또한, 열 전도성 필러로서는, 금속 산화물과 금속 질화물을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열 전도성 필러로서 금속 산화물과 금속 질화물을 포함하는 경우, 금속 산화물과 금속 질화물의 질량 비율은 10:90 내지 90:10이 바람직하고, 20:80 내지 80:20이 보다 바람직하고, 50:50 내지 75:25가 더욱 바람직하다.The thermally conductive filler is not particularly limited and may be a metal oxide such as silica, alumina, or magnesium oxide, at least one selected from the group consisting of metal nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride, magnesium nitride and boron nitride, metals such as copper and aluminum, The conductive carbon compound is preferably at least one selected from carbon black, carbon nanotube (CNT), graphene, carbon nanofiber, and the like. These thermally conductive fillers and conductive carbon compounds may be used singly or in combination of two or more. Among them, a thermally conductive filler is preferable as the material for adjusting the thermal conductivity. As the thermally conductive filler, it is more preferable to include a metal oxide and a metal nitride. When the metal oxide and the metal nitride are contained as the thermally conductive filler, the mass ratio of the metal oxide to the metal nitride is preferably from 10:90 to 90:10, more preferably from 20:80 to 80:20, 50 to 75:25 is more preferable.

열 전도율 조정용 물질의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 적용하는 전자 디바이스, 소자 등에 부착했을 때에, 그것들의 접촉 또는 기계적 손상에 의해, 전자 디바이스, 소자 등의 전기 특성 등이 손상되지 않는 형상이면 되고, 예를 들어 판 형상(비늘 조각 형상을 포함함), 구 형상, 바늘 형상, 막대 형상, 섬유 형상 중 어느 것이어도 된다. 또한, 고열 전도부에 사용하는 상기 열 전도성 필러에는, 전술한 「중공 필러」는 포함되지 않는다.The shape of the material for adjusting the thermal conductivity is not particularly limited, but it may be any shape that does not damage the electrical characteristics of electronic devices, elements, etc., due to contact or mechanical damage when they are attached to an applied electronic device, For example, a plate shape (including a scaly shape), a sphere shape, a needle shape, a rod shape, and a fiber shape. The above-mentioned &quot; hollow filler &quot; is not included in the thermally conductive filler used for the high heat conduction portion.

열 전도율 조정용 물질의 사이즈는, 고열 전도부의 두께 방향으로 열 전도율 조정용 물질을 균일하게 분산시켜서 열 전도성을 향상시키는 관점에서, 예를 들어 평균 입자 직경이 0.1 내지 200㎛가 바람직하고, 1 내지 100㎛가 보다 바람직하고, 5 내지 50㎛가 더욱 바람직하고, 10 내지 30㎛가 특히 바람직하다. 또한, 평균 입자 직경은, 예를 들어 쿨터 카운터법에 의해 측정할 수 있다. 열 전도율 조정용 물질의 평균 입자 직경이 이 범위에 있으면, 개개의 물질 내부에서의 열 전도가 작아지는 일도 없고, 결과로서 고열 전도부의 열 전도율이 향상된다. 또한, 입자끼리의 응집이 일어나기 어려워, 균일하게 분산시킬 수 있고, 또한, 고열 전도부로의 충전 밀도가 충분해져, 물질 계면에 있어서 고열 전도부가 취화되는 일도 없다.The size of the material for adjusting the thermal conductivity is preferably from 0.1 to 200 mu m, more preferably from 1 to 100 mu m, for example, from the viewpoints of uniformly dispersing the material for adjusting the thermal conductivity in the thickness direction of the heat conduction portion to improve thermal conductivity. More preferably 5 to 50 占 퐉, and particularly preferably 10 to 30 占 퐉. The average particle diameter can be measured by, for example, a Coulter counter method. When the average particle diameter of the material for adjusting the thermal conductivity is within this range, the thermal conductivity in the inside of the individual material is not reduced, and as a result, the thermal conductivity of the high thermal conductivity portion is improved. Further, aggregation of the particles is difficult to occur, the particles can be uniformly dispersed, the filling density into the high-temperature conductive portion becomes sufficient, and the high-temperature conductive portion is not brittle at the material interface.

열 전도율 조정용 물질의 함유량은, 원하는 열 전도율에 따라서 적절히 조정되고, 수지 조성물 중, 40 내지 99질량％가 바람직하고, 50 내지 95질량％가 보다 바람직하고, 50 내지 80질량％가 특히 바람직하다. 열 전도율 조정용 물질의 함유량이 이 범위에 있으면, 방열 특성, 내절성, 내굴곡성이 우수하고, 고열 전도부의 강도가 유지된다.The content of the heat conductivity adjusting material is appropriately adjusted in accordance with the desired thermal conductivity, and is preferably from 40 to 99 mass%, more preferably from 50 to 95 mass%, and particularly preferably from 50 to 80 mass%, in the resin composition. When the content of the material for adjusting the thermal conductivity is within this range, the heat radiation characteristic, the bending resistance and the bending resistance are excellent, and the strength of the high heat conduction portion is maintained.

(그 밖의 성분)(Other components)

고열 전도부의 수지 조성물에는, 또한 상기 저열 전도부의 수지 조성물과 마찬가지로, 필요에 따라 적절한 범위 내에서, 동일 종류의 첨가제가 포함되어 있어도 된다.The resin composition of the high heat conduction portion may contain the same kind of additive within an appropriate range as required, similarly to the resin composition of the low heat conduction portion.

고열 전도부 및 저열 전도부의 각각의 층의 두께는 1 내지 200㎛가 바람직하고, 3 내지 100㎛가 더욱 바람직하다. 이 범위이면, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열할 수 있다. 또한, 고열 전도부 및 저열 전도부의 각각의 층의 두께는 동일하거나 상이해도 된다.The thickness of each layer of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion is preferably 1 to 200 mu m, more preferably 3 to 100 mu m. With this range, the heat can be selectively radiated in a specific direction. Further, the thicknesses of the respective layers of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion may be the same or different.

고열 전도부 및 저열 전도부의 각각의 층의 폭은, 적용하는 전자 디바이스의 사양에 따라 적절히 조정하여 사용하지만, 통상 0.01 내지 3mm, 바람직하게는 0.1 내지 2mm, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 1.5mm이다. 이 범위라면, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열할 수 있다. 또한, 고열 전도부 및 저열 전도부의 각각의 층의 폭은 동일하거나 상이해도 된다.The width of each layer of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion is appropriately adjusted according to the specification of the electronic device to be used and is usually 0.01 to 3 mm, preferably 0.1 to 2 mm, more preferably 0.5 to 1.5 mm. With this range, the heat can be selectively radiated in a specific direction. The widths of the respective layers of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion may be the same or different.

고열 전도부의 열 전도율은, 저열 전도부의 열 전도율에 비하여 충분히 높으면 되고, 열 전도율이 0.5(W/m·K) 이상이 바람직하고, 1.0(W/m·K) 이상이 보다 바람직하고, 1.3(W/m·K) 이상이 더욱 바람직하다. 고열 전도부의 열 전도율의 상한은 특별히 제한은 없지만, 통상 2000(W/m·K) 이하가 바람직하고, 500(W/m·K) 이하가 보다 바람직하다.The thermal conductivity of the high thermal conductive portion is preferably sufficiently higher than the thermal conductivity of the low thermal conductive portion and is preferably 0.5 W / mK or more, more preferably 1.0 W / mK or more, and more preferably 1.3 W / mK) or more is more preferable. The upper limit of the thermal conductivity of the high heat conduction portion is not particularly limited, but is usually 2000 W / mK or lower, more preferably 500 W / mK or lower.

저열 전도부의 열 전도율은 0.5(W/m·K) 미만이 바람직하고, 0.3(W/m·K) 이하가 보다 바람직하고, 0.25(W/m·K) 이하가 더욱 바람직하다. 고열 전도부 및 저열 전도부의 각각의 열 전도율이 상기와 같은 범위에 있으면, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열할 수 있다.The thermal conductivity of the low heat conductive portion is preferably less than 0.5 (W / m 占 K), more preferably not more than 0.3 (W / m 占 K) and most preferably not more than 0.25 (W / m 占.). When the respective thermal conductivities of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion are in the above ranges, the heat can be selectively radiated in a specific direction.

상기 고열 전도부를 구성하는 수지 조성물과 상기 저열 전도부를 구성하는 수지 조성물의 복합 경화 수축률이 2％ 이하인 것이 바람직하고, 1％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.8％ 이하가 더욱 바람직하다. 복합 경화 수축률이 이 범위에 있으면, 고열 전도부 및 저열 전도부의 패턴 치수 정밀도가 향상되고, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열하여, 상기 전자 디바이스 등의 내부에 충분한 온도차를 부여할 수 있다.The composite curing shrinkage ratio of the resin composition constituting the high heat conduction portion and the resin composition constituting the low heat conduction portion is preferably 2% or less, more preferably 1% or less, further preferably 0.8% or less. When the composite hardening shrinkage is within this range, the pattern dimensional accuracy of the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion is improved, and heat is selectively radiated in a specific direction, and a sufficient temperature difference can be given to the inside of the electronic device or the like.

여기서, 본 발명에 있어서의 상술한 「복합 경화 수축률」은, 상기 고열 전도부를 구성하는 수지 조성물로 형성되는, 예를 들어 스트라이프 패턴과 상기 저열 전도부를 구성하는 수지 조성물로 형성되는, 예를 들어 스트라이프 패턴으로 이루어지는 복합 패턴(예를 들어, 도 1, 도 2의 (a) 참조)의, 경화 전후의 치수 변화를 측정하고, 이하의 식에 의해 정의하여, 산출하였다.Here, the above-mentioned &quot; composite curing shrinkage percentage &quot; in the present invention refers to a ratio of the curing shrinkage percentage of the resin composition constituting the high heat conduction portion, for example, a stripe pattern formed of a resin composition constituting the low heat transmission portion, (For example, see Figs. 1 and 2 (a)) of the pattern was measured and calculated by the following formula.

복합 경화 수축률(％)=[(경화 전 스트라이프 패턴 피치 방향 전체 폭-경화 후 스트라이프 패턴 피치 방향 전체 폭)/경화 전 스트라이프 패턴 피치 방향 전체 폭]×100Composite shrinkage percentage (%) = [(Overall width in the stripe pattern pitch direction before curing-Overall width in stripe pattern pitch direction after curing) / Overall width in stripe pattern pitch direction before curing] × 100

구체적으로는, 하기에 나타내는 사양의 스트라이프 패턴(수지 조성물)군에 있어서, 고열 전도부 형성용 수지 조성물로 형성되는 고열 전도부 스트라이프 패턴의 피치 방향의 폭과 저열 전도부 형성용 수지 조성물로 형성되는 저열 전도부 스트라이프 패턴의 피치 방향의 폭과의 합계 폭(즉, 스트라이프 패턴의 피치 방향 전체 폭)을, 경화 전후로 디지털 멀티미터(닛본 코키사제, NRM-S3-XY형)를 사용하여 측정함으로써 행하였다.Specifically, in the stripe pattern (resin composition) group of the following specifications, the width in the pitch direction of the high thermal conductive portion stripe pattern formed of the resin composition for forming a high thermal conductive portion and the width in the pitch direction of the low thermal conductive portion stripe (Total width in the pitch direction of the stripe pattern) with the width in the pitch direction of the pattern was measured before and after curing using a digital multimeter (NRM-S3-XY, manufactured by Nippon Koki Co., Ltd.).

치수 측정용 샘플의 사양은 이하와 같다.Specifications of the dimensional measurement sample are as follows.

·스트라이프 패턴(수지 조성물)군: 100mm×100mm, 두께 100㎛Stripe pattern (resin composition) group: 100 mm 占 100 mm, thickness 100 占 퐉

·고열 전도부: 스트라이프 폭 1mm, 길이 100mm, 두께 100㎛· High thermal conductivity part: stripe width 1mm, length 100mm, thickness 100㎛

·저열 전도부: 스트라이프 폭 1mm, 길이 100mm, 두께 100㎛· Low thermal conductivity part: stripe width 1mm, length 100mm, thickness 100㎛

·고열 전도부(스트라이프)와 저열 전도부(스트라이프)를 피치 방향으로 교대로 배치(단, 스트라이프 사이의 스페이스를 제로로 함)· Placing high heat conduction parts (stripes) and low heat conduction parts (stripes) alternately in the pitch direction (with the space between the stripes being set to zero)

또한, 예를 들어 도 2의 (b) 내지 도 2의 (g)와 같이, 열 전도성 접착 시트의 두께 구성이 상이한(도 1, 도 2의 (a)에 있어서 고열 전도부, 저열 전도부의 두께가 서로 상이한 경우를 포함한다; 단, 고열 전도부, 저열 전도부 중 적어도 어느 하나는 스트라이프 패턴임) 경우의 치수 측정용 샘플의 사양으로서는, 열 전도성 접착 시트의 두께 구성은 유지하고, 고열 전도부, 저열 전도부의 각 층의 두께만을 각각 등배의 두께로 증가 또는 감소시켜, 층 전체의 총 두께가 100㎛가 되도록 하였다.2 (b) to 2 (g), the thickness of the thermally conductive adhesive sheet is different from that of the thermally conductive adhesive sheet The thickness of the thermally conductive adhesive sheet is maintained, and the thickness of the heat conductive portion and the low heat conductive portion are different from each other. Only the thickness of each layer was increased or decreased to a thickness equal to the thickness of each layer so that the total thickness of the entire layer was 100 탆.

고열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 0.1MPa 이상이 바람직하고, 0.15MPa 이상이 보다 바람직하고, 1MPa 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 0.1MPa 이상이 바람직하고, 0.15MPa 이상이 보다 바람직하고, 1MPa 이상이 더욱 바람직하다. 고열 전도부 및 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률이 0.1MPa 이상인 경우에는, 기재가 과도하게 변형되는 것이 억제되고, 안정적으로 방열할 수 있다. 고열 전도부 및 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 500MPa 이하인 것이 바람직하고, 100MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 50MPa 이하인 것이 더욱 바람직하다.The storage modulus at 150 占 폚 of the high heat conductive portion is preferably 0.1 MPa or higher, more preferably 0.15 MPa or higher, and even more preferably 1 MPa or higher. The storage modulus at 150 占 폚 of the low heat conductive portion is preferably at least 0.1 MPa, more preferably at least 0.15 MPa, and even more preferably at least 1 MPa. When the storage modulus at 150 占 폚 of the high heat transmission portion and the low heat transmission portion is 0.1 MPa or more, excessive deformation of the base material is suppressed and stable heat dissipation can be achieved. The upper limit of the storage modulus at 150 캜 of the high heat transmission portion and the low heat transmission portion is not particularly limited, but is preferably 500 MPa or less, more preferably 100 MPa or less, and further preferably 50 MPa or less.

고열 전도부 및 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은, 전술한 수지나, 열 전도율 조정용 물질의 함유량에 의해 조정할 수 있다.The storage modulus at 150 占 폚 of the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion can be adjusted by the above-mentioned resin or the content of the material for adjusting the thermal conductivity.

또한, 150℃에서의 저장 탄성률은, 동적 탄성률 측정 장치[TA 인스트루먼트사제, 기종명 「DMAQ800」]에 의해, 초기 온도를 15℃, 승온 속도 3℃/min으로 150℃까지 승온시키고, 주파수 11Hz에서 측정된 값이다.The storage elastic modulus at 150 占 폚 was measured at a frequency of 11 Hz by raising the initial temperature at 15 占 폚 and the temperature raising rate at 3 占 폚 / min to 150 占 폚 by using a dynamic elasticity meter [TA TA Instruments Co., Respectively.

고열 전도부 및 저열 전도부의 배치 및 그것들의 형상은 모두, 목적으로 하는 성능이 손상되지 않는 한, 특별히 제한되지 않는다.The arrangement of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion and their shapes are not particularly limited as long as the intended performance is not impaired.

상기 기재의 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면(즉, 저열 전도부와 고열 전도부가 각각 독립적으로 기재의 모든 두께를 구성한 경우: 도 1, 도 2의 (a))에 있어서, 고열 전도부와 저열 전도부와의 단차는 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 실질적으로 존재하지 않는 것이 더욱 바람직하다.In the case where the surface of the substrate opposite to the surface in contact with the adhesive layer (that is, in the case where the low thermal conductive portion and the high thermal conductive portion constitute all the thicknesses of the substrate: Figs. 1 and 2 (a)), The step with the conductive portion is preferably 10 占 퐉 or less, more preferably 5 占 퐉 or less, and still more preferably substantially no.

고열 전도부와 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성하고 있는, 예를 들어 도 2의 (b), (c)의 경우, 고열 전도부와 저열 전도부와의 단차는 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 실질적으로 존재하지 않는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 고열 전도부와 저열 전도부에 소정의 단차가 마련되어 있는 도 2의 (d), (e)의 경우, 기재의 두께를, 고열 전도부와 저열 전도부로 이루어지는 두께로 했을 때의, 고열전도부와 저열전도부와의 단차는, 해당 기재 두께에 대하여 10 내지 90％가 바람직하다. 또한, 기재에 있어서, 고열 전도부와 저열 전도부와의 부피 비율은 10:90 내지 90:10인 것이 바람직하고, 20:80 내지 80:20인 것이 보다 바람직하고, 30:70 내지 70:30인 것이 더욱 바람직하다.In the case of Figs. 2 (b) and 2 (c), for example, at least one of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion constitutes a part of the thickness of the substrate, the step difference between the high heat conduction portion and the low heat conduction portion is not more than 10 m More preferably 5 mu m or less, and still more preferably substantially no. 2 (d) and 2 (e), in which a predetermined step is provided between the high heat conduction portion and the low heat conduction portion, the thickness of the substrate is made to be the thickness of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion, Is preferably 10 to 90% with respect to the substrate thickness. In the base material, the volume ratio between the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion is preferably from 10:90 to 90:10, more preferably from 20:80 to 80:20, and from 30:70 to 70:30 More preferable.

<접착제층><Adhesive Layer>

접착제층을 구성하는 접착제로서는, 예를 들어 고무계 접착제, 아크릴계 접착제, 우레탄계 접착제, 실리콘계 접착제, 올레핀계 접착제, 에폭시계 접착제 등의 공지된 접착제를 들 수 있다. 이 중에서, 절연성 및 내열성이 우수하고, 열 전도율이 높고, 방열성이 우수하다는 관점에서 실리콘계 접착제가 바람직하게 사용된다. 또한, 기재에 접착제층을 적층함으로써, 해당 접착제층을 열전 소자에 부착했을 때에, 해당 기재와 해당 열전 소자와의 절연성을 충분히 취할 수 있는 점에서, 해당 기재의 고열 전도부에, 고열 전도부를 보다 고열 전도율화 가능한 도전성이 높은 금속을 함유시킬 수 있기 때문에, 온도차의 부여를 보다 효율적으로 할 수 있다.Examples of the adhesive constituting the adhesive layer include known adhesives such as rubber adhesives, acrylic adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, olefin adhesives and epoxy adhesives. Of these, silicone adhesives are preferably used from the viewpoints of excellent insulating properties and heat resistance, high thermal conductivity, and excellent heat dissipation properties. Further, by laminating the adhesive layer on the base material, it is possible to sufficiently take the insulating property between the base material and the thermoelectric element when the adhesive layer is attached to the thermoelectric element, so that the high heat- It is possible to contain a metal having a high conductivity capable of conductivity and thus to impart the temperature difference more efficiently.

접착제층에는, 본 발명의 목적이 손상되지 않는 범위에서, 예를 들어 점착 부여제, 가소제, 광 중합성 화합물, 광 중합 개시제, 발포제, 중합 금지제, 노화 방지제, 충전제, 커플링제, 대전 방지제 등의 그 밖의 성분을 첨가해도 된다.The adhesive layer may contain, for example, a tackifier, a plasticizer, a photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator, a foaming agent, a polymerization inhibitor, an antioxidant, a filler, a coupling agent, an antistatic agent May be added.

접착제층의 두께는 1 내지 200㎛가 바람직하고, 5 내지 100㎛가 더욱 바람직하다. 이 범위라면, 열 전도성 접착 시트로서 사용한 경우, 방열에 관한 제어 성능에 영향을 미치는 일이 없고, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열할 수 있다. 또한, 사용하는 전자 디바이스에 절연성이 요구되는 경우, 절연성을 유지할 수 있다.The thickness of the adhesive layer is preferably 1 to 200 mu m, more preferably 5 to 100 mu m. In this range, when used as a thermally conductive adhesive sheet, heat can be selectively dissipated in a specific direction without affecting the control performance regarding heat dissipation. In addition, when insulating property is required for the electronic device to be used, the insulating property can be maintained.

열 전도성 접착 시트의 방열에 관한 제어 성능과, 점착력과의 밸런스를 조정한다는 관점에서, 상기 기재의 두께와, 상기 접착제층의 두께와의 비율(접착제층/기재)이 0.005 내지 1.0인 것이 바람직하고, 0.01 내지 0.8인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 0.5인 것이 더욱 바람직하다.(Adhesive layer / substrate) of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer is preferably 0.005 to 1.0 from the viewpoint of adjusting the balance between the control performance and the adhesive force of the heat-conductive adhesive sheet , More preferably from 0.01 to 0.8, and still more preferably from 0.1 to 0.5.

<박리 시트><Release sheet>

열 전도성 접착 시트는, 접착제층의 표면에 박리 시트를 갖고 있어도 된다. 박리 시트로서는, 예를 들어 글라신지, 코팅지, 래미네이트지 등의 종이 및 각종 플라스틱 필름에, 실리콘 수지, 불소 수지 등의 박리제를 도포 부착한 것 등을 들 수 있다. 해당 박리 시트의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 통상 20 내지 150㎛이다. 본 발명에 사용하는 박리 시트에 사용하는 지지 기재로서는, 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직하다.The heat-conductive adhesive sheet may have a release sheet on the surface of the adhesive layer. Examples of the release sheet include paper coated with a release agent such as a silicone resin or a fluorine resin on paper and various plastic films such as glue paper, coated paper, and laminate paper. The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is usually 20 to 150 占 퐉. As the supporting substrate used for the release sheet used in the present invention, a plastic film is preferably used.

<전자 디바이스><Electronic device>

본 발명의 열 전도성 접착 시트를 적층한 전자 디바이스는, 특별히 제한되지 않지만, 방열 등의 열 제어의 관점에서, 열전변환 디바이스, 광전 변환 디바이스, 대규모 집적 회로 등의 반도체 디바이스 등을 들 수 있다. 특히, 열 전도성 접착 시트는, 열전변환 모듈에 적층함으로써, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열할 수 있고, 결과로서 열전 성능을 향상시킬 수 있기 때문에, 열전변환 디바이스에 바람직하게 사용된다.The electronic device in which the thermally conductive adhesive sheet of the present invention is laminated is not particularly limited, but a semiconductor device such as a thermoelectric conversion device, a photoelectric conversion device, or a large-scale integrated circuit can be mentioned from the viewpoint of heat control such as heat radiation. Particularly, the thermally conductive adhesive sheet is preferably used for a thermoelectric conversion device because it can selectively radiate heat in a specific direction by laminating it on the thermoelectric conversion module, and as a result, can improve thermoelectric performance.

또한, 열 전도성 접착 시트는, 전자 디바이스의 편면에 적층해도 되고, 양면에 적층해도 된다. 전자 디바이스의 사양에 맞추어, 적절히 선택한다.The thermally conductive adhesive sheet may be laminated on one side of the electronic device or on both sides thereof. Select it appropriately according to the specifications of the electronic device.

이하, 전자 디바이스로서, 열전변환 디바이스의 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case of a thermoelectric conversion device as an electronic device will be described as an example.

(열전변환 디바이스)(Thermoelectric conversion device)

열전변환 디바이스란, 열과 전기의 상호 에너지 변환을 행하는 열전변환 소자의 내부에 온도차를 부여함으로써 전력이 얻어지는 전자 디바이스이다.A thermoelectric conversion device is an electronic device that obtains electric power by applying a temperature difference within a thermoelectric conversion element that performs mutual energy conversion of heat and electricity.

도 3은, 본 발명의 열 전도성 접착 시트를 열전변환 모듈에 적층했을 때의 열전변환 디바이스의 일례를 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시한 열전변환 디바이스(10)는, 지지체(도시하지 않음) 상에, P형 재료를 포함하는 박막의 P형 열전 소자(11), N형 재료를 포함하는 박막의 N형 열전 소자(12)로 구성되는 열전변환 소자를 갖고, 또한 전극(13)을 설치하여 이루어지는 열전변환 모듈(16)과, 해당 열전변환 모듈(16)의 제1면(17)에 적층된 열 전도성 접착 시트(1A), 또한 상기 제1면(17)과는 반대측의 제2면(18)에 적층된 열 전도성 접착 시트(1B)로 구성된다.3 is a cross-sectional view showing an example of a thermoelectric conversion device when the thermally conductive adhesive sheet of the present invention is laminated on a thermoelectric conversion module. The thermoelectric conversion device 10 shown in Fig. 3 comprises a thin film P-type thermoelectric element 11 including a P-type material, a thin film N-type thermoelectric element 11 including an N- A thermoelectric conversion module 16 having a thermoelectric conversion element composed of a thermoelectric conversion element 12 and an electrode 13 and a thermally conductive adhesive sheet 16 laminated on a first surface 17 of the thermoelectric conversion module 16, And a thermally conductive adhesive sheet 1B laminated on a second surface 18 opposite to the first surface 17. The heat-

열 전도성 접착 시트(1A)는, 고열 전도부(14a, 14b), 저열 전도부(15a, 15b, 15c)를 포함하는 기재와, 해당 기재의 한쪽 면에 적층된 접착제층(20)을 포함하고, 또한 열 전도성 접착 시트(1B)는, 고열 전도부(14'a, 14'b, 14'c)와 저열 전도부(15'a, 15'b)를 포함하는 기재와, 해당 기재의 한쪽 면에 적층된 접착제층(20)을 포함한다.The thermally conductive adhesive sheet 1A includes a base material including the high thermal conductive portions 14a and 14b and the low thermal conductive portions 15a and 15b and an adhesive layer 20 laminated on one side of the base material, The thermally conductive adhesive sheet 1B includes a base material including the high thermal conductive portions 14'a, 14'b and 14'c and the low thermal conductive portions 15'a and 15'b, And an adhesive layer (20).

도 4에 본 발명의 열 전도성 접착 시트와 열전변환 모듈을 구성 요소별로 분해했을 때의 일례가 되는 사시도를 나타내었다. 도 4에 있어서, (a)가 열전변환 모듈의 지지체(19)의 표면측의 열전 소자에 설치되는 열 전도성 접착 시트(1A)의 사시도이고, (b)가 열전변환 모듈(16)의 사시도이고, (c)가 열전변환 모듈의 지지체(19)의 이면측에 설치되는 열 전도성 접착 시트(1B)의 사시도이다.Fig. 4 is a perspective view showing an example of a case where the thermally conductive adhesive sheet and thermoelectric conversion module of the present invention are disassembled by constituent elements. 4 (a) is a perspective view of a thermally conductive adhesive sheet 1A provided on a thermoelectric element on a surface side of a support 19 of a thermoelectric conversion module, (b) is a perspective view of the thermoelectric conversion module 16 (c) is a perspective view of the thermally conductive adhesive sheet 1B provided on the back side of the support 19 of the thermoelectric conversion module.

상기와 같은 구성을 취함으로써, 열 전도성 접착 시트(1A) 및 열 전도성 접착 시트(1B)로부터, 효율적으로 열을 확산시킬 수 있다. 또한, 열 전도성 접착 시트(1A)의 고열 전도부(14a, 14b)와, 열 전도성 접착 시트(1B)의 고열 전도부(14'a, 14'b, 14'c)가 대향하지 않도록, 위치를 어긋나게 적층함으로써, 열을 특정한 방향으로 선택적으로 방열시킬 수 있다. 이에 의해, 열전변환 모듈에 효율적으로 온도차를 부여할 수 있어, 발전 효율이 높은 열전변환 디바이스가 얻어진다.By adopting the above configuration, heat can be efficiently diffused from the thermally conductive adhesive sheet 1A and the thermally conductive adhesive sheet 1B. The heat conductive parts 14a and 14b of the thermally conductive adhesive sheet 1A and the heat conductive parts 14'a, 14'b and 14'c of the thermally conductive adhesive sheet 1B do not face each other, By lamination, heat can be selectively released in a specific direction. As a result, a temperature difference can be effectively applied to the thermoelectric conversion module, and a thermoelectric conversion device with high power generation efficiency can be obtained.

또한, 접착제층(20)을 개재하여, 열 전도성 접착 시트(1A), 열 전도성 접착 시트(1B)를 높은 접착력으로, 열전변환 모듈(16)의 제1면(17)과 제2면(18)에 접착하는 것이 가능하다.The thermally conductive adhesive sheet 1A and the thermally conductive adhesive sheet 1B are bonded to the first surface 17 and the second surface 18 of the thermoelectric conversion module 16 with high adhesive force via the adhesive layer 20, ).

본 발명에 사용되는 열전변환 모듈(16)은, 예를 들어 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 지지체(19) 상에, P형 열전 소자(11)와 N형 열전 소자(12)와 전극(13)으로 구성된다. P형 열전 소자(11)와 N형 열전 소자(12)는 직렬 접속이 되도록 박막 형상으로 형성되고, 각각의 단부에서, 전극(13)을 개재하여 접합하여 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 열전변환 모듈(16)에 있어서의 P형 열전 소자(11)와 N형 열전 소자(12)는 도 3에 도시한 바와 같이, 「전극(13), P형 열전 소자(11), 전극(13), N형 열전 소자(12), 전극(13), ·····」과 같이 배치해도 되고, 「전극(13), P형 열전 소자(11), N형 열전 소자(12), 전극(13), P형 열전 소자(11), N형 열전 소자(12), 전극(13), ·····」과 같이 배치해도 되고, 또한 「전극(13), P형 열전 소자(11), N형 열전 소자(12), P형 열전 소자(11), N형 열전 소자(12), ···전극(13)」과 같이 배치해도 된다.The thermoelectric conversion module 16 used in the present invention is a thermoelectric conversion module in which a P-type thermoelectric element 11 and an N-type thermoelectric element 12 are formed on a support 19, for example, as shown in Fig. 4 (b) And an electrode (13). The P-type thermoelectric element 11 and the N-type thermoelectric element 12 are formed in a thin film shape so as to be connected in series, and are electrically connected to each other at their respective ends via electrodes 13. 3, the P-type thermoelectric element 11 and the N-type thermoelectric element 12 in the thermoelectric conversion module 16 are electrically connected to the electrode 13, the P-type thermoelectric element 11, The electrode 13, the P-type thermoelectric element 11, the N-type thermoelectric element 12, the N-type thermoelectric element 12, the electrode 13, The electrode 13, the P-type thermoelectric element 11, the N-type thermoelectric element 12, the electrode 13, The N-type thermoelectric element 11, the N-type thermoelectric element 12, the P-type thermoelectric element 11, the N-type thermoelectric element 12, and the electrode 13 may be arranged.

상기 열전 소자에는 특별히 제한되지 않지만, 열전변환 모듈에 의해 전기 에너지로 변환되는 열원의 온도 영역에 있어서, 제벡 계수의 절댓값이 크고, 열 전도율이 낮고, 전기 전도율이 높은, 소위 열전 성능 지수가 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.There is no particular limitation on the thermoelectric element, but it is preferable to use a material having a high absolute value of the Seebeck coefficient, a low thermal conductivity, a high electrical conductivity, a so-called thermoelectric performance index in a temperature range of a heat source converted into electric energy by the thermoelectric conversion module Is preferably used.

P형 열전 소자 및 N형 열전 소자를 구성하는 재료로서는, 열전변환 특성을 갖는 것이면 특별히 제한은 없지만, 비스무트 텔루라이드, Bi2Te3 등의 비스무트-텔루륨계 열전반도체 재료, GeTe, PbTe 등의 텔루라이드계 열전반도체 재료, 안티몬-텔루륨계 열전반도체 재료, ZnSb, Zn3Sb2, Zn4Sb3 등의 아연-안티몬계 열전반도체 재료, SiGe 등의 실리콘-게르마늄계 열전반도체 재료, Bi2Se3 등의 비스무트 셀레나이드계 열전반도체 재료, β-FeSi2, CrSi2, MnSi1 .73, Mg2Si 등의 실리사이드계 열전반도체 재료, 산화물계 열전반도체 재료, FeVAl, FeVAlSi, FeVTiAl 등의 호이슬러 재료 등이 사용된다.The material constituting the P-type thermoelectric element and the N-type thermoelectric element is not particularly limited as long as it has a thermoelectric conversion property. Examples of the material include bismuth tellurium thermoelectric semiconductor materials such as bismuth telluride and Bi 2 Te 3 , Antimony-based thermoelectric semiconductor materials such as antimony-tellurium-based thermoelectric semiconductor materials, ZnSb, Zn 3 Sb 2 and Zn 4 Sb 3 , silicon-germanium thermoelectric semiconductor materials such as SiGe, Bi 2 Se 3 such as bismuth selenide-based thermoelectric semiconductor materials, Heusler materials such as β-FeSi 2, CrSi 2, MnSi 1 .73, Mg 2 Si , such as silicides of thermoelectric semiconductor material, the oxide-based thermoelectric semiconductor materials, FeVAl, FeVAlSi, FeVTiAl Etc. are used.

P형 열전 소자(11) 및 N형 열전 소자(12)의 두께는, 0.1 내지 100㎛가 바람직하고, 1 내지 50㎛가 더욱 바람직하다.The thickness of the P-type thermoelectric element 11 and the N-type thermoelectric element 12 is preferably 0.1 to 100 m, more preferably 1 to 50 m.

또한, P형 열전 소자(11)와 N형 열전 소자(12)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 동일한 두께여도, 다른 두께여도 된다.The thicknesses of the P-type thermoelectric element 11 and the N-type thermoelectric element 12 are not particularly limited, and they may be the same or different.

[열 전도성 접착 시트의 제조 방법][Method of producing thermally conductive adhesive sheet]

본 발명의 열 전도성 접착 시트의 제조 방법은, 고열 전도부와 저열 전도부를 포함하는 기재와 접착제층으로 구성되고, 해당 기재의 한쪽 면에 접착제층이 적층되고, 또한 해당 기재의 다른 쪽 면이 해당 저열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면과, 해당 고열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면으로 구성되거나, 또는 해당 고열 전도부와 해당 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성하고 있는 열 전도성 접착 시트를 제조하는 방법이며, 박리 가능한 지지 기재 상에, 수지 조성물로 형성되는 고열 전도부와, 수지 조성물로 형성되는 저열 전도부로 기재를 형성하는 공정, 및 해당 기재에 접착제층을 적층하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.A method for producing a thermally conductive adhesive sheet of the present invention is a method for producing a thermally conductive adhesive sheet which comprises a base material including a high thermal conductive portion and a low heat conductive portion and an adhesive layer, wherein an adhesive layer is laminated on one side of the base material, The surface of the conductive portion on the opposite side to the surface in contact with the adhesive layer and the surface on the opposite side of the surface of the high heat conductive portion in contact with the adhesive layer or at least one of the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion A step of forming a base material on a releasable supporting substrate by a high thermal conductive portion formed of a resin composition and a low thermal conductive portion formed of a resin composition, And a step of laminating an adhesive layer on the substrate.

<기재 형성 공정><Substrate Forming Step>

박리 가능한 지지 기재 상에, 고열 전도부 및 저열 전도부를 포함하는 기재를 형성하는 공정이다.A step of forming a base material including a high thermal conductive portion and a low thermal conductive portion on a peelable supporting substrate.

(지지 기재)(Supporting substrate)

박리 가능한 지지 기재로서, 전술한 열 전도성 접착 시트의 접착제층의 표면에 갖는 박리 시트와 동일한 것을 사용할 수 있고, 글라신지, 코팅지, 래미네이트지 등의 종이 및 각종 플라스틱 필름을 들 수 있다. 이 중에서, 실리콘 수지, 불소 수지 등의 박리제를 도포 부착한 플라스틱 필름이 바람직하다.As the releasable supporting substrate, the same material as that of the releasing sheet on the surface of the adhesive layer of the above-mentioned thermally conductive adhesive sheet can be used, and paper such as a gloss paper, a coated paper, a laminate paper, and various plastic films can be mentioned. Among these, a plastic film coated with a releasing agent such as silicone resin or fluorine resin is preferable.

박리제의 도포 방법은, 공지된 방법을 사용할 수 있다.As a coating method of the release agent, a known method can be used.

<고열 전도부 형성 공정>&Lt; Step of forming a high thermal conductive part &

고열 전도부를 형성하는 공정이다. 고열 전도부는, 수지 조성물을 사용하여 지지 기재 상, 또는 지지 기재 상 및 저열 전도부 상에 형성된다. 수지 조성물의 도포 방법으로서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 스텐실 인쇄, 디스펜서, 스크린 인쇄법, 롤 코팅법, 슬롯 다이 등의 공지된 방법에 의해 형성하면 된다.Thereby forming a high-temperature conductive portion. The high heat conduction portion is formed on the supporting substrate or on the supporting substrate and the low heat transmitting portion using the resin composition. The method of applying the resin composition is not particularly limited, and it may be formed by a known method such as stencil printing, dispenser, screen printing, roll coating, slot die, or the like.

본 발명에 사용하는 수지 조성물에 있어서, 열경화성 수지를 사용한 경우의 경화 조건으로서는, 사용하는 조성물에 따라 적절히 조정되지만, 80℃ 내지 150℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 90℃ 내지 120℃이다. 또한, 필요에 따라, 경화는 가압하면서 행할 수도 있다.In the resin composition for use in the present invention, the curing conditions in the case of using a thermosetting resin are appropriately adjusted depending on the composition to be used, but it is preferably from 80 캜 to 150 캜, more preferably from 90 캜 to 120 캜. Further, if necessary, the curing may be performed while pressing.

또한, 광 경화성 수지를 사용한 경우에는, 예를 들어 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본 아크 등, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프 등을 사용하여, 자외선에 의해 경화시킬 수 있다. 광량으로서, 통상 100 내지 1500mJ/㎠이다.When a photocurable resin is used, it can be cured by ultraviolet rays using, for example, a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a metal halide lamp or a xenon lamp. The amount of light is usually 100 to 1500 mJ / cm 2.

<저열 전도부 형성 공정>&Lt; Process for forming low thermal conductive portion &

저열 전도부를 형성하는 공정이다. 저열 전도부는, 전술한 수지와 중공 필러를 포함하는 수지 조성물을 사용하여, 지지 기재 상, 또는 지지 기재 상 및 고열 전도부 상에 형성된다. 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 고열 전도부의 형성과 동일하게, 예를 들어 스텐실 인쇄, 디스펜서, 스크린 인쇄법, 롤 코팅법, 슬롯 다이 등의 공지된 방법에 의해 형성하면 된다. 또한, 경화 방법에 대해서도, 고열 전도부의 경화 방법과 동일하다.Thereby forming a low thermal conductive portion. The low heat conduction portion is formed on the supporting substrate or on the supporting substrate and on the high heat conducting portion by using the resin composition including the above-mentioned resin and the hollow filler. The method of applying the resin composition is not particularly limited and may be formed by a known method such as stencil printing, dispenser, screen printing, roll coating, slot die or the like in the same manner as the formation of the high heat conduction portion. The curing method is the same as the curing method of the high heat conduction portion.

또한, 고열 전도부 및 저열 전도부의 형성 순서는, 특별히 제한되지 않는다. 패턴 형상, 전자 디바이스의 사양 등에 따라, 적절히 선택하면 된다.The order of forming the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion is not particularly limited. The pattern shape, the specification of the electronic device, and the like.

<접착제층 적층 공정>&Lt; Adhesive layer laminating step &

상기 기재 형성 공정에서 얻어진 기재에, 접착제층을 적층하는 공정이다.And a step of laminating an adhesive layer on the substrate obtained in the substrate forming step.

접착제층의 형성은 공지된 방법으로 행할 수 있고, 상기 기재에 직접 형성해도 되고, 미리 박리 시트 상에 형성한 접착제층을, 상기 기재에 접합하여, 접착제층을 기재에 전사시켜서 형성해도 된다.The adhesive layer may be formed by a known method or may be formed directly on the substrate. Alternatively, the adhesive layer previously formed on the release sheet may be bonded to the substrate, and the adhesive layer may be transferred onto the substrate.

본 발명의 제조 방법에 의하면, 간편한 방법으로 전자 디바이스 등의 내부에 있어서, 열을 해방시키거나 또는 열의 흐름을 특정한 방향으로 제어할 수 있고, 또한 경화 수축이 억제된 치수 정밀도가 높은 열 전도성 접착 시트를 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to provide a thermally conductive adhesive sheet having a high dimensional accuracy and capable of releasing heat or controlling the flow of heat in a specific direction inside an electronic device or the like by a simple method, Can be produced.

실시예Example

이어서, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 하등 한정되지 않는다.Next, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

실시예, 비교예에서 제조한 열 전도성 접착 시트(접착제층 적층 전)의 복합 경화 수축률, 고열 전도부 및 저열 전도부의 열 전도율 측정, 온도차의 평가, 및 전자 디바이스의 평가는, 이하의 방법으로 행하였다.The composite curing shrinkage percentage of the thermally conductive adhesive sheet (prior to lamination of the adhesive layer) prepared in Examples and Comparative Examples, the measurement of the thermal conductivity of the high heat conductive portion and the low heat conductive portion, the evaluation of the temperature difference, and the evaluation of the electronic device were carried out as follows .

(a) 열 전도성 접착 시트의 복합 경화 수축률 측정(a) Measurement of complex cure shrinkage of thermally conductive adhesive sheet

복합 경화 수축률은, 박리 가능한 지지 기재를 구비한, 고열 전도부 형성용 수지 조성물로 형성되는 스트라이프 패턴 및 저열 전도부 형성용 수지 조성물로 형성되는 스트라이프 패턴이 복합되어 이루어지는 스트라이프 패턴 군(100mm×100mm, 두께 100㎛; 단, 열 전도성 접착 시트의 두께 구성이 상이하고, 스트라이프 패턴이 고열 전도부 또는 저열 전도부 중 적어도 어느 한쪽만으로 되는 경우를 포함함)의 피치 방향의 전체 폭의, 경화(경화 조건: 사용한 수지 조성물에 따라 상이하지만 최적 경화 조건에서 행하는 것으로 함) 전후의 치수 변화를, 디지털 멀티미터(닛본 코키사제, NRM-S3-XY형)로 측정하여, 하기 식으로부터 산출하였다.The composite hardening shrinkage ratio was measured in a stripe pattern group (100 mm 占 100 mm, thickness 100 占 퐉) comprising a stripe pattern formed of a resin composition for forming a high thermal conductive portion and a stripe pattern formed of a resin composition for forming a low thermal conductive portion, (The case where the thickness configuration of the thermally conductive adhesive sheet is different and the case where the stripe pattern is composed of at least either the high heat conduction portion or the low heat conduction portion) of the entire width in the pitch direction (curing conditions: , The change in dimensions before and after the measurement was measured with a digital multimeter (NRM-S3-XY, manufactured by Nippon Koki Co., Ltd.) and calculated from the following equation.

복합 경화 수축률(％)=[(경화 전 스트라이프 패턴 피치 방향 전체 폭-경화 후 스트라이프 패턴 피치 방향 전체 폭)/경화 전 스트라이프 패턴 피치 방향 전체 폭]×100Composite shrinkage percentage (%) = [(Overall width in the stripe pattern pitch direction before curing-Overall width in stripe pattern pitch direction after curing) / Overall width in stripe pattern pitch direction before curing] × 100

또한, 스트라이프 패턴의 사양은 전술한 바와 같고, 경화 후의 치수 측정은, 박리 가능한 지지 기재가 경화물의 수축을 억제하는 것을 피하기 위해서, 박리 가능한 지지 기재 없이, 즉, 경화 후의 응력 완화가 박리 가능한 지지 기재로부터 없어진 상태(단, 경화물은, 예를 들어 응력 완화가 저해되지 않는 유리 기판 등의 평면 상에 정치)로 이루어진 경화물에 대해 행하였다.The dimensions of the stripe pattern are as described above and the dimensional measurement after curing is carried out in such a manner that the peelable support substrate does not have a peelable support substrate in order to prevent shrinkage of the hardened product, (Note that the cured product is, for example, placed on a plane such as a glass substrate where stress relaxation is not inhibited).

(b) 고열 전도부 및 저열 전도부의 열 전도율 측정(b) Measuring the thermal conductivity of the high thermal conductivity part and the low thermal conductivity part

열 전도율 측정 장치(EKO사제, HC-110)를 사용하여, 고열 전도부 및 저열 전도부의 각 부의 열 전도율을 측정하였다.The thermal conductivity of each part of the high thermal conductivity part and the low heat conductivity part was measured using a thermal conductivity measuring device (manufactured by EKO, HC-110).

(c) 고열 전도부 및 저열 전도부의 온도 측정(c) Temperature measurement of high thermal conductivity and low thermal conductivity

얻어진 열 전도성 접착 시트의 박리 시트를 박리하여 노출시킨 접착제층을, 도 5에 도시한 바와 같이, 소다 유리(크기 50mm×50mm, 두께 0.5mm)를 포함하는 피착체(2)의 상면에 부착한 후, 다른 한쪽 측의 박리 가능한 지지 기재를 박리하였다. 계속해서, 피착체(2)의 하면을 75℃에서 1시간 가열하고 온도를 안정시킨 후, 피착체(2)의 상면에 붙인 K 열전대(크로멜 알루멜)에 의해 피착체의 온도를 측정하였다. 또한, 열전대는, 고열 전도부 및 저열 전도부에 대응하는 부분의 피착체 상(측정 개소: 도 5에 있어서, 온도차 측정부(6); A, B, C, D)에 설치되어 있고, 1초마다 5분간 열전대의 온도를 측정하여, 얻어진 각 점에서의 평균값을 산출하였다.As shown in Fig. 5, the adhesive layer on which the release sheet of the obtained thermally conductive adhesive sheet was peeled and exposed was adhered to the upper surface of the adherend 2 including soda glass (size 50 mm x 50 mm, thickness 0.5 mm) Then, the peelable supporting substrate on the other side was peeled off. Subsequently, the lower surface of the adhered body 2 was heated at 75 캜 for one hour and the temperature was stabilized. Thereafter, the temperature of the adherend was measured by a K thermocouple (chromel alumel) attached to the upper surface of the adherend 2. In addition, the thermocouple is provided on an adherend image (measured portion: temperature difference measuring portion 6; A, B, C and D in FIG. 5) of a portion corresponding to the high heat conduction portion and the low heat conduction portion, The temperature of the thermocouple was measured for 5 minutes, and the average value at each obtained point was calculated.

(열전변환 모듈의 제조)(Manufacture of thermoelectric conversion module)

도 6의 일부에 도시한 바와 같이, 지지체(36) 상에, P형 열전 소자(31)(P형의 비스무트-텔루륨계 열전반도체 재료)와 N형 열전 소자(32)(N형의 비스무트-텔루륨계 열전반도체 재료)를 각각 동일 사이즈(폭 1.7mm×길이 100mm, 두께 0.5mm)가 되도록 배치함과 함께, 양쪽의 열전 소자 및 열전 소자 사이에 구리 전극(구리 전극(33a): 폭 0.15mm×길이 100mm, 두께 0.5mm; 구리 전극(33b): 폭 0.3mm×길이 100mm, 두께 0.5mm; 구리 전극(33c): 폭 0.15mm×길이 100mm, 두께 0.5mm)을 설치하여, 열전변환 모듈(37)을 제조하였다.6, a P-type thermoelectric element 31 (P-type bismuth-tellurium-based thermoelectric semiconductor material) and an N-type thermoelectric element 32 (N-type bismuth- (Copper electrode 33a) having a width of 0.15 mm (thickness: 0.5 mm) was disposed between the thermoelectric elements and the thermoelectric elements on both sides so as to have the same size (Width: 0.3 mm, length: 100 mm, thickness: 0.5 mm; copper electrode: 33 c: width: 0.15 mm; length: 100 mm; thickness: 0.5 mm) 37).

(전자 디바이스 평가)(Electronic device evaluation)

실시예, 비교예에서 얻어진 열전변환 디바이스의 하면(38)(도 6 참조)을 핫 플레이트에서 75℃로 가열하고, 반대측의 상면(39)(도 6 참조)을 25℃로 냉각한 상태에서, 그대로 1시간 유지하고, 온도를 안정시킨 후, 열 기전력 V(V), 전기 저항 R(Ω)을 측정하였다. 출력 P(W)는 측정한 열 기전력 V와 전기 저항 R을 사용하여, P=V2/R에 의해 산출하였다.The lower surface 38 (see Fig. 6) of the thermoelectric conversion device obtained in the example and the comparative example was heated to 75 deg. C on a hot plate and the upper surface 39 (see Fig. 6) After maintaining the temperature for 1 hour, the thermoelectromotive force V (V) and the electric resistance R (?) Were measured. The output P (W) was calculated by P = V 2 / R using the measured thermoelectromotive force V and the electrical resistance R. [

(실시예 1)(Example 1)

(1) 열 전도성 접착 시트의 제조(1) Production of thermally conductive adhesive sheet

실리콘 수지 A(아사히가세이 바커사제, 「SilGel 612-A」) 19.8질량부, 실리콘 수지 B(아사히가세이 바커사제, 「SilGel 612-B」) 19.8질량부, 경화 지연제(아사히가세이 바커사제, 「PT88」) 0.4질량부, 열 전도성 필러로서, 알루미나(쇼와 덴꼬사제, 「알루나비즈 CB-A20S」, 평균 입자 직경 20㎛) 40질량부, 질화붕소(쇼와 덴꼬사제, 「쇼비에누 UHP-2」, 평균 입자 직경 12㎛) 20질량부를 첨가하고, 자전·공전 믹서(THINKY사제, 「ARE-250」)를 사용하여 혼합 분산하여, 고열 전도부 형성용의 수지 조성물을 제조하였다., 19.8 parts by mass of silicone resin A (manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd., "SilGel 612-A"), 19.8 parts by mass of silicone resin B (SilGel 612-B, manufactured by Asahi Kasei Baker Co., 0.4 parts by mass as a thermally conductive filler, 40 parts by mass of alumina ("Alunaviz CB-A20S" manufactured by Showa Denko K.K., Average particle diameter of 20 μm), boron nitride (manufactured by Showa Denko KK 20 parts by mass of polyvinyl alcohol (trade name: Showbien UHP-2, average particle diameter 12 μm) was added and mixed and dispersed using a rotary mixer ("ARE-250" manufactured by THINKY Co., Ltd.) to prepare a resin composition for forming a high- Respectively.

한편, 실리콘 수지 A(아사히가세이 바커사제, 「SilGel 612-A」) 31.7질량부, 실리콘 수지 B(아사히가세이 바커사제, 「SilGel 612-B」) 31.7질량부, 경화 지연제(아사히가세이 바커사제, 「PT88」) 0.6질량부, 중공 필러로서, 유리 중공 필러(스미또모 쓰리엠사제, 「글래스 버블즈 S38」, 평균 입자 직경 40㎛, 진밀도 0.38g/㎤) 36질량부를 첨가(저열 전도부 전체 부피 중, 유리 중공 필러가 60부피％ 함유)하고, 자전·공전 믹서(THINKY사제, 「ARE-250」)를 사용하여 혼합 분산하여, 저열 전도부 형성용의 수지 조성물을 제조하였다.On the other hand, 31.7 parts by mass of silicone resin A ("SilGel 612-A" manufactured by Asahi Kasei Baker), 31.7 parts by mass of silicone resin B ("SilGel 612-B" manufactured by Asahi Kasei Baker) , 0.6 part by mass of "PT88" manufactured by Seibak Co., Ltd.) and 36 parts by mass of a hollow hollow filler ("Glass Bubbles S38" manufactured by Sumitomo 3M Ltd., average particle diameter 40 μm, true density 0.38 g / (Containing 60% by volume of glass hollow filler in the entire volume of the low thermal conductive portion) and mixed and dispersed using a rotary mixer ("ARE-250" manufactured by THINKY Co., Ltd.) to prepare a resin composition for forming a low thermal conductive portion.

이어서, 박리 가능한 지지 기재(린텍사제, 「PET50FD」)의 박리 처리된 면에, 상기 고열 전도부 형성용의 수지 조성물을, 디스펜서(무사시 엔지니어링사제, 「ML-808FXcom-CE」)를 사용하여 도포하여, 스트라이프 형상 패턴(폭 1mm×길이 100mm, 두께 50㎛, 패턴 중심 간 거리 2mm)을 포함하는 고열 전도부(34)(도 6 참조)를 형성하였다. 또한, 그 위로부터 어플리케이터를 사용하여, 저열 전도부 형성용의 수지 조성물을 도포하고, 150℃에서 30분간 경화시킴으로써, 해당 고열 전도부의 스트라이프 형상 패턴 사이에, 고열 전도부와 동일한 두께의 저열 전도부(35)(도 6 참조)가 형성된 열 전도성 접착 시트를 얻었다. 또한, 고열 전도부 상에는, 저열 전도부가 형성되어 있지 않은 것을 확인하였다.Subsequently, the resin composition for forming the high thermal conductive portion was applied to the exfoliated surface of a releasable supporting substrate ("PET50FD" manufactured by LINTEC CORPORATION) using a dispenser ("ML-808FXcom-CE" manufactured by Musashi Engineering Co., Ltd.) (See Fig. 6) including a stripe pattern (width 1 mm, length 100 mm, thickness 50 m, distance between centers of patterns 2 mm). A resin composition for forming a low thermal conductive portion is applied from above to the resin composition for forming a low thermal conductive portion and cured at 150 DEG C for 30 minutes to form a low thermal conductive portion 35 having the same thickness as the high thermal conductive portion, (See Fig. 6). It was also confirmed that no low heat conduction portion was formed on the high heat conduction portion.

한편, 박리 시트(린텍사제, PET50FD)의 박리 처리된 면에, 실리콘계 접착제를 도포하고, 90℃에서 1분간 건조시켜, 두께 10㎛의 접착제층을 형성하였다. 접착제층과 기재를 접합하여, 박리 시트 및 박리 가능한 지지 기재로 협지된 구성의 열 전도성 접착 시트를 제조하였다. 상기 기재의 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면에 있어서, 고열 전도부와 저열 전도부와의 단차는 실질적으로 존재하지 않았다.On the other hand, a silicone-based adhesive was applied to the exfoliated surface of the release sheet (PET50FD manufactured by LINTEC CO., LTD.) And dried at 90 DEG C for 1 minute to form an adhesive layer having a thickness of 10 mu m. The adhesive layer and the base material were bonded to each other to prepare a thermally conductive adhesive sheet having a configuration sandwiched between a release sheet and a peelable support base material. There was substantially no step between the high heat transmission portion and the low heat transmission portion on the surface opposite to the surface of the base material in contact with the adhesive layer.

고열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 2.3MPa, 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 3.4MPa였다.The storage modulus at 150 占 폚 of the high heat conductive portion was 2.3 MPa and the storage modulus at 150 占 폚 of the low heat conductive portion was 3.4 MPa.

(2) 열전변환 디바이스의 제조(2) Production of thermoelectric conversion device

얻어진 열 전도성 접착 시트를 2장 준비하고, 박리 시트를 박리 제거한 열 전도성 접착 시트를 열전변환 모듈(37)의 열전 소자가 형성된 측의 면과 지지체측의 면에 각각 적층하고, 계속해서, 박리 가능한 지지 기재를 박리 제거함으로써, 양면에 열 전도성 접착 시트가 적층된 열전변환 디바이스를 제조하였다.Two thermally conductive adhesive sheets thus obtained were laminated on the side of the thermoelectric conversion module 37 on the side where the thermoelectric element was formed and the side of the support, respectively, and the thermally conductive adhesive sheet, from which the release sheet was peeled off, The supporting substrate was peeled and removed to produce a thermoelectric conversion device in which a thermally conductive adhesive sheet was laminated on both surfaces.

(실시예 2)(Example 2)

저열 전도부 형성용의 접착성 수지 조성물을 실리콘 수지 A(아사히가세이 바커사제, 「SilGel612-A」) 42.6질량부, 실리콘 수지 B(아사히가세이 바커사제, 「SilGel612-B」) 42.6질량부, 경화 지연제(아사히가세이 바커사제, 「PT88」) 0.8질량부, 중공 필러로서, 유리 중공 필러(스미또모 쓰리엠사제, 「글래스 버블즈 S38」, 평균 입자 직경 40㎛, 진밀도 0.38g/㎤) 14질량부(저열 전도부 전체 부피 중, 유리 중공 필러가 30부피％ 함유)로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 열 전도성 접착 시트 및 열전변환 디바이스를 제조하였다.42.6 parts by mass of silicone resin A (SilGel612-A, manufactured by Asahi Kasei Baker), 42.6 parts by mass of silicone resin B (SilGel612-B, manufactured by Asahi Kasei Baker) 0.8 parts by mass of a hardening retarder ("PT88" manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd.) and a hollow filler ("Glass Bubbles S38" manufactured by Sumitomo 3M Limited, average particle diameter 40 μm, true density 0.38 g / ) (Containing 30% by volume of a hollow hollow filler in the total volume of the low-temperature conductive portion) was prepared in the same manner as in Example 1, to thereby produce a thermally conductive adhesive sheet and a thermoelectric conversion device.

또한, 고열 전도부의 경화 후의 150℃에서의 저장 탄성률은 2.3MPa, 저열 전도부의 경화 후의 150℃에서의 저장 탄성률은 0.2MPa였다.The storage modulus at 150 占 폚 after curing of the high heat conductive portion was 2.3 MPa and the storage modulus at 150 占 폚 after curing of the low heat conductive portion was 0.2 MPa.

(실시예 3)(Example 3)

수지로서 실리콘 수지 A, B 대신에 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리아미드산 용액(닛산 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제, 선에버 150) 15질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 열 전도성 접착 시트 및 그것을 사용한 열전변환 디바이스를 제조하였다.Except that 15 parts by mass of a polyamic acid solution (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., Linever 150), which is a precursor of a polyimide resin, was used in place of the silicone resins A and B as a resin, And a thermoelectric conversion device using the same.

고열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 4.1MPa, 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 0.2MPa였다.The storage modulus at 150 占 폚 of the high thermal conductive part was 4.1 MPa and the storage elastic modulus at 150 占 폚 of the low heat conductive part was 0.2 MPa.

(실시예 4)(Example 4)

고열 전도부의 형성에 있어서, 질화붕소와 알루미나 대신에 열 전도율 조정용 물질로서 도전성 탄소 화합물인 카본 나노 튜브(Nano-C사제, SWCNT, 평균 입자 직경 0.9 내지 1.3nm) 40질량부를 사용하여 기재를 제조한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열 전도성 접착 시트 및 그것을 사용한 열전변환 디바이스를 제조하였다.A base material was prepared by using 40 parts by mass of a carbon nanotube (SWCNT manufactured by Nano-C, SWCNT, average particle diameter 0.9 to 1.3 nm), which is a conductive carbon compound, as a material for adjusting thermal conductivity in place of boron nitride and alumina , A thermally conductive adhesive sheet and a thermoelectric conversion device using the thermally conductive adhesive sheet were produced.

고열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 4.0MPa, 저열 전도부의 150℃에서의 저장 탄성률은 0.2MPa였다.The storage modulus at 150 占 폚 of the high heat conductive portion was 4.0 MPa and the storage modulus at 150 占 폚 of the low heat conductive portion was 0.2 MPa.

(실시예 5)(Example 5)

실시예 3에서 사용한 상기 고열 전도부 형성용의 수지 조성물을 사용하여, 실시예 1과 동일하게, 박리 가능한 지지 기재의 박리 처리된 면에, 스트라이프 형상 패턴(폭 1mm×길이 100mm, 두께 50㎛, 패턴 중심 간 거리 2mm)을 포함하는 고열 전도부를 형성하였다.Using the resin composition for forming a high thermal conductivity portion used in Example 3, a striped pattern (width 1 mm, length 100 mm, thickness 50 占 퐉, pattern Center-to-center distance 2 mm).

계속해서, 그 위에 실시예 3에서 사용한 저열 전도부 형성용의 접착성 수지 조성물을 도포하고, 120℃에서 1분 건조시켜, 75㎛의 두께의 저열 전도부를 형성하고, 기재를 제조하였다. 해당 고열 전도부의 스트라이프 형상 패턴 사이에 두께 75㎛의 저열 전도부가 형성되고, 해당 고열 전도부 상에는 두께 25㎛의 저열 전도부가 형성되는 구성이었다. 고열 전도부와 저열 전도부의 두께의 차의 절댓값은 25㎛였다. 또한, 실시예 1과 동일하게 접착제층을 적층하여, 도 2의 (c)에 나타내는 구성의 열 전도성 접착 시트를 제조하였다. 또한, 상기 기재의 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면에 있어서, 고열 전도부와 저열 전도부와의 단차는 실질적으로 존재하지 않았다.Subsequently, the adhesive resin composition for forming a low thermal conductive portion used in Example 3 was applied thereon and dried at 120 占 폚 for 1 minute to form a low thermal conductive portion having a thickness of 75 占 퐉, thereby preparing a substrate. A low heat conduction portion having a thickness of 75 mu m is formed between the stripe patterns of the high heat conduction portion and a low heat conduction portion having a thickness of 25 mu m is formed on the high heat conduction portion. The difference in thickness between the high thermal conductivity portion and the low thermal conductivity portion was 25 mu m. The adhesive layers were laminated in the same manner as in Example 1 to prepare a thermally conductive adhesive sheet having the structure shown in Fig. 2 (c). In addition, the step difference between the high heat transmission portion and the low heat transmission portion on the side opposite to the side of the base material contacting the adhesive layer was substantially absent.

얻어진 열 전도성 접착 시트를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 열전변환 디바이스를 제조하였다.A thermoelectric conversion device was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained thermally conductive adhesive sheet.

(실시예 6)(Example 6)

실시예 5에서 얻은 기재로부터 박리 가능한 지지 기재를 박리하고, 노출한 면과 접착제층을 접합하여, 도 2의 (f)에 나타내는 구성의 열 전도성 접착 시트를 제조하였다. 얻어진 열 전도성 접착 시트의 기재 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면은, 모두 저열 전도부로 구성되어 있었다. 얻어진 열 전도성 접착 시트를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 열전변환 디바이스를 제조하였다.A releasable supporting substrate was peeled off from the substrate obtained in Example 5, and the exposed surface and the adhesive layer were bonded to each other to produce a thermally conductive adhesive sheet having the structure shown in Fig. 2 (f). The surface of the obtained thermally conductive adhesive sheet opposite to the surface in contact with the base adhesive layer was all composed of a low-temperature conductive portion. A thermoelectric conversion device was produced in the same manner as in Example 1, using the obtained thermally conductive adhesive sheet.

(실시예 7)(Example 7)

고열 전도부와 저열 전도부의 구성을 반대로 한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여, 열 전도성 접착 시트를 제조하였다. 얻어진 열 전도성 접착 시트의 구성은, 도 2의 (b)에 나타내는 구성이었다.A thermally conductive adhesive sheet was prepared in the same manner as in Example 5, except that the constitutions of the high heat transmission portion and the low heat transmission portion were reversed. The structure of the obtained thermally conductive adhesive sheet was as shown in Fig. 2 (b).

(실시예 8)(Example 8)

고열 전도부와 저열 전도부의 구성을 반대로 한 것 이외에는, 실시예 6과 동일하게 하여, 열 전도성 접착 시트를 제조하였다. 얻어진 열 전도성 접착 시트의 구성은, 도 2의 (g)에 나타내는 구성이었다.A thermally conductive adhesive sheet was prepared in the same manner as in Example 6 except that the constitutions of the high heat transmission portion and the low heat transmission portion were reversed. The obtained thermally conductive adhesive sheet had the structure shown in Fig. 2 (g).

(실시예 9)(Example 9)

실시예 3에서 사용한 상기 고열 전도부 형성용의 수지 조성물을 사용하여, 실시예 1과 동일하게, 박리 가능한 지지 기재의 박리 처리된 면에, 스트라이프 형상 패턴(폭 1mm×길이 100mm, 두께 50㎛, 패턴 중심 간 거리 2mm)을 포함하는 고열 전도부를 형성하였다.Using the resin composition for forming a high thermal conductivity portion used in Example 3, a striped pattern (width 1 mm, length 100 mm, thickness 50 占 퐉, pattern Center-to-center distance 2 mm).

계속해서, 박리 가능한 지지 기재의 박리 처리된 면에, 실시예 3에서 사용한 상기 저열 전도부 형성용의 수지 조성물을 도포하고, 120℃에서 1분 건조시켜, 25㎛의 두께의 저열 전도부를 형성하였다.Subsequently, the resin composition for forming the low thermal conductive portion used in Example 3 was applied to the exfoliated surface of the releasable supporting substrate and dried at 120 DEG C for 1 minute to form a low thermal conductive portion having a thickness of 25 mu m.

계속해서, 저열 전도부와 고열 전도부를 접합하여 기재를 제조하였다. 얻어진 기재는 두께 25㎛의 저열 전도부 상에, 두께 50㎛의 스트라이프 형상 패턴의 고열 전도부가 적층된 구성이었다. 또한, 실시예 1과 동일하게 접착제층을 적층하고, 도 2의 (e)에 나타내는 구성의 열 전도성 접착 시트를 제조하였다.Subsequently, a base material was produced by bonding the low thermal conductive portion and the high thermal conductive portion. The resultant substrate had a structure in which a high heat conduction portion of a stripe pattern having a thickness of 50 mu m was laminated on a low heat conduction portion having a thickness of 25 mu m. The adhesive layers were laminated in the same manner as in Example 1 to prepare a thermally conductive adhesive sheet having the structure shown in Fig. 2 (e).

(실시예 10)(Example 10)

고열 전도부와 저열 전도부의 구성을 반대로 한 것 이외에는, 실시예 9와 동일하게 하여, 열 전도성 접착 시트를 제조하였다. 얻어진 열 전도성 접착 시트의 구성은, 도 2의 (d)에 나타내는 구성이었다.A thermally conductive adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 9 except that the constitutions of the high heat transmission portion and the low heat transmission portion were reversed. The obtained thermally conductive adhesive sheet had the structure shown in Fig. 2 (d).

(실시예 11)(Example 11)

중공 필러로서 실리카 중공 필러인 중공 나노 실리카(닛테츠 고교 가부시끼가이샤제, 「실리낙스」(등록 상표), 평균 입자 직경 105nm, 진밀도 0.57g/㎤)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 열전변환 디바이스를 제조하였다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that hollow nanosilica (manufactured by Nittetsu Kogyo Kabushiki Kaisha, "SILANUCUS" (registered trademark), average particle diameter 105 nm, true density 0.57 g / cm 3) A thermoelectric conversion device was manufactured.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

저열 전도부에 유리 중공 필러를 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 열 전도성 접착 시트 및 그것을 사용한 열전변환 디바이스를 제조하였다.A thermally conductive adhesive sheet and a thermoelectric conversion device using the thermally conductive adhesive sheet were produced in the same manner as in Example 1 except that no glass hollow filler was added to the low thermal conductive portion.

또한, 고열 전도부의 경화 후의 150℃에서의 저장 탄성률은 2.3MPa, 저열 전도부의 경화 후의 150℃에서의 저장 탄성률은 0.2MPa였다.The storage modulus at 150 占 폚 after curing of the high heat conductive portion was 2.3 MPa and the storage modulus at 150 占 폚 after curing of the low heat conductive portion was 0.2 MPa.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

점착 가공된 PGS 그래파이트 시트(파나소닉사제, 제품 번호: EYGA091201M, PGS 그래파이트 시트 두께: 10㎛, 점착제 두께 10㎛, 열 전도율: 1950(W/m·K))를 열 전도성 접착 시트로 하였다.A thermally conductive adhesive sheet was obtained by subjecting a pressure-treated PGS graphite sheet (manufactured by Panasonic, product number: EYGA091201M, PGS graphite sheet thickness: 10 mu m, thickness of the pressure-sensitive adhesive: 10 mu m, thermal conductivity: 1950 (W / mK)).

열 전도성 접착 시트를 2장 준비하고, 열 전도성 접착 시트를 열전변환 모듈(37)의 열전 소자가 형성된 측의 면과 지지체측의 면에 각각 적층하여, 양면에 열 전도성 접착 시트가 적층된 열전변환 디바이스를 제조하였다.Two thermally conductive adhesive sheets were prepared and the thermally conductive adhesive sheets were stacked on the side of the thermoelectric conversion module 37 on the side where the thermoelectric elements were formed and on the side of the support, Device.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

피착체에 열 전도성 접착 시트를 부착하지 않고, 온도차의 측정을 행하였다. 또한, 열전변환 모듈(37)에 열 전도성 접착 시트를 적층하지 않고, 전자 디바이스 평가를 행하였다.The temperature difference was measured without attaching the thermally conductive adhesive sheet to the adherend. Further, the electronic device evaluation was performed without laminating the thermally conductive adhesive sheet on the thermoelectric conversion module 37.

실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 3에서 얻어진 열 전도성 접착 시트 등의 복합 경화 수축률, 열 전도율, 온도차 및/또는 전자(열전변환) 디바이스의 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 비교예 1의 전자 디바이스 평가의 결과가 0이 된 것은, 열 전도성 접착 시트와 열전변환 소자와의 부착 시의 위치 어긋남이 크고(복합 경화 수축 유래), 열전변환 소자에 적절하게 온도차를 부여할 수 없었던 것으로 생각된다.Table 1 shows the results of evaluation of composite curing shrinkage, thermal conductivity, temperature difference and / or electronic (thermoelectric conversion) devices of the thermally conductive adhesive sheets obtained in Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 3. In addition, the electronic device evaluation result of Comparative Example 1 was 0 because the positional deviation at the time of adhering the thermally conductive adhesive sheet to the thermoelectric conversion element was large (due to complex curing shrinkage) and the temperature difference was appropriately given to the thermoelectric conversion element I think I could not.

Figure pct00001
Figure pct00001

실시예 1 내지 11에서 사용한 본 발명의 열 전도성 접착 시트에 있어서는, 비교예 1에 비해, 복합 경화 수축률이 억제되어, 치수 정밀도가 향상되고, 또한 열 전도율의 저열 전도율화가 도모되어 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 고열 전도부와 인접하는 저열 전도부 사이의 온도차가 크게 떨어진 것을 알 수 있었다. 또한, 전자 디바이스 평가에 있어서, 높은 출력이 얻어졌다.It was found that the heat-curable adhesive sheet of the present invention used in Examples 1 to 11 suppressed the composite curing shrinkage ratio as compared with Comparative Example 1, and improved dimensional accuracy and reduced thermal conductivity of the heat conductive sheet . In addition, it was found that the temperature difference between the high heat conduction portion and the adjacent low heat conduction portion greatly decreased. Further, in the evaluation of the electronic device, a high output was obtained.

본 발명의 열 전도성 접착 시트는, 특히 전자 디바이스의 하나인 열전변환 디바이스의 열전변환 모듈에 부착한 경우, 열전 소자 등에 대하여 치수 정밀도 좋게 부착할 수 있고, 또한 고열 전도부와의 열 전도율 차를 보다 크게 취할 수 있는 점에서, 열전 소자의 두께 방향으로 효율적으로 온도차를 부여할 수 있다. 이로 인해, 발전 효율이 높은 발전이 가능하게 되고, 종래 형에 비해, 열전변환 모듈의 설치수를 적게 할 수 있어, 다운사이징 및 비용 절감으로 이어진다. 또한 동시에, 본 발명의 열 전도성 접착 시트를 사용함으로써, 플렉시블형의 열전변환 디바이스로서, 평탄하지 않은 면을 갖는 폐열원이나 방열원에 설치하는 등, 설치 장소를 제한하는 일 없이 사용할 수 있다.When the thermally conductive adhesive sheet of the present invention is attached to a thermoelectric conversion module of a thermoelectric conversion device which is one of electronic devices in particular, the thermally conductive adhesive sheet can be attached with good dimensional accuracy to thermoelectric elements and the like, It is possible to effectively provide a temperature difference in the thickness direction of the thermoelectric element. This makes it possible to generate electricity with high power generation efficiency, and the number of thermoelectric conversion modules to be installed can be reduced as compared with the conventional type, which leads to downsizing and cost reduction. At the same time, by using the thermally conductive adhesive sheet of the present invention at the same time, it is possible to use the thermoelectric conversion device of the flexible type without restricting the installation place, for example, to a waste heat source having a non-flat surface or a heat radiation source.

1, 1A, 1B: 열 전도성 접착 시트
2: 피착체
4, 4a, 4b: 고열 전도부
5, 5a, 5b: 저열 전도부
6: 온도차 측정부
7: 기재
8: 접착제층
10: 열전변환 디바이스
11: P형 열전 소자
12: N형 열전 소자
13: 전극(구리)
14a, 14b: 고열 전도부
14'a, 14'b, 14'c: 고열 전도부
15a, 15b, 15c: 저열 전도부
15'a, 15'b: 저열 전도부
16: 열전변환 모듈
17: 16의 제1면
18: 16의 제2면
19: 지지체
20: 접착제층
30: 열전변환 디바이스
31: P형 열전 소자
32: N형 열전 소자
33a, 33b, 33c: 전극(구리)
34: 고열 전도부
35: 저열 전도부
36: 지지체
37: 열전변환 모듈
38: 열전변환 디바이스(30)의 하면
39: 열전변환 디바이스(30)의 상면
40: 접착제층
41: P형 열전 소자
42: N형 열전 소자
43: 전극(구리)
44: 필름 형상 기판
45: 필름 형상 기판
46: 열전변환 모듈
47, 48: 열 전도율이 낮은 재료(폴리이미드)
49, 50: 열 전도율이 높은 재료(구리)
51, 52: 저열 전도율의 부재
53: 열전 소자
54: 전극(구리)
55: 도전성 접착제층
56: 절연성 접착제층1, 1A, 1B: thermally conductive adhesive sheet
2: adherend
4, 4a, 4b:
5, 5a, 5b:
6:
7: substrate
8: Adhesive layer
10: Thermoelectric conversion device
11: P-type thermoelectric element
12: N-type thermoelectric element
13: Electrode (copper)
14a and 14b:
14'a, 14'b, 14'c:
15a, 15b, 15c:
15'a, 15'b: Low thermal conductivity part
16: Thermoelectric conversion module
17: 16, the first side
18: 16, second side
19: Support
20: adhesive layer
30: thermoelectric conversion device
31: P-type thermoelectric element
32: N-type thermoelectric element
33a, 33b, and 33c: electrodes (copper)
34: High thermal conductivity part
35: low heat conduction part
36: Support
37: Thermoelectric conversion module
38: the lower surface of the thermoelectric conversion device 30
39: upper surface of thermoelectric conversion device 30
40: adhesive layer
41: P-type thermoelectric element
42: N-type thermoelectric element
43: Electrode (copper)
44: Film-like substrate
45: Film-like substrate
46: Thermoelectric conversion module
47, 48: material with low thermal conductivity (polyimide)
49, 50: material with high thermal conductivity (copper)
51, 52: Absence of low thermal conductivity
53: thermoelectric element
54: Electrode (copper)
55: Conductive adhesive layer
56: Insulating adhesive layer

Claims (15)

고열 전도부와 저열 전도부를 포함하는 기재와, 접착제층을 포함하는 열 전도성 접착 시트이며, 해당 저열 전도부에 중공 필러가, 저열 전도부 전체 부피 중 20 내지 90부피％ 함유되고, 또한 해당 기재의 한쪽 면에 접착제층이 적층되고, 또한 해당 기재의 다른 쪽 면이, 해당 저열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면과, 해당 고열 전도부의 해당 접착제층과 접하는 면과는 반대측의 면 으로 구성되거나, 또는 해당 고열 전도부와 해당 저열 전도부의 적어도 어느 쪽인가가 해당 기재의 두께의 일부분을 구성하여 이루어지는, 열 전도성 접착 시트.A heat conductive adhesive sheet comprising a base material including a high thermal conductive portion and a low thermal conductive portion and an adhesive layer, wherein a hollow filler is contained in the low thermal conductive portion in an amount of 20 to 90% by volume of the total volume of the low thermal conductive portion, And the other surface of the base material is constituted by a surface opposite to the surface of the low heat conductive portion which is in contact with the adhesive layer and a surface opposite to the surface of the high heat conductive portion which is in contact with the adhesive layer , Or at least one of the high heat conduction portion and the low heat conduction portion constitutes a part of the thickness of the base material. 제1항에 있어서, 상기 고열 전도부와 상기 저열 전도부가, 각각 독립적으로 상기 기재의 모든 두께를 구성하고 있는, 열 전도성 접착 시트.The thermally conductive adhesive sheet according to claim 1, wherein the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion independently constitute all thicknesses of the substrate. 제1항에 있어서, 상기 고열 전도부 및 상기 저열 전도부가 수지 조성물로 형성되는, 열 전도성 접착 시트.The thermally conductive adhesive sheet according to claim 1, wherein the high thermal conductive portion and the low thermal conductive portion are formed of a resin composition. 제3항에 있어서, 상기 고열 전도부를 구성하는 상기 수지 조성물에 열 전도성 필러 및/또는 도전성 탄소 화합물을 포함하는, 열 전도성 접착 시트.The thermally conductive adhesive sheet according to claim 3, wherein the resin composition constituting the high heat conduction part comprises a thermally conductive filler and / or a conductive carbon compound. 제4항에 있어서, 상기 열 전도성 필러가 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 열 전도성 접착 시트.5. The thermally conductive adhesive sheet according to claim 4, wherein the thermally conductive filler comprises at least one selected from the group consisting of metal oxides, metal nitrides and metals. 제4항에 있어서, 상기 열 전도성 필러가 금속 산화물과 금속 질화물을 포함하는, 열 전도성 접착 시트.5. The thermally conductive adhesive sheet of claim 4, wherein the thermally conductive filler comprises a metal oxide and a metal nitride. 제4항에 있어서, 상기 도전성 탄소 화합물이 카본 블랙, 카본 나노 튜브, 그래핀 및 카본 나노 파이버로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 열 전도성 접착 시트.The thermally conductive adhesive sheet according to claim 4, wherein the conductive carbon compound comprises at least one member selected from the group consisting of carbon black, carbon nanotube, graphene and carbon nanofiber. 제1항에 있어서, 상기 중공 필러가 유리 중공 필러 또는 실리카 중공 필러인, 열 전도성 접착 시트.The thermally conductive adhesive sheet according to claim 1, wherein the hollow filler is a glass hollow filler or silica hollow filler. 제8항에 있어서, 상기 유리 중공 필러 및 실리카 중공 필러의 진밀도가 0.1 내지 0.6g/㎤인, 열 전도성 접착 시트.The thermally conductive adhesive sheet according to claim 8, wherein the glass hollow filler and the silica hollow filler have a true density of 0.1 to 0.6 g / cm 3. 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고열 전도부를 구성하는 수지 조성물과 상기 저열 전도부를 구성하는 수지 조성물의 복합 경화 수축률이 2％ 이하인, 열 전도성 접착 시트.10. The thermally conductive adhesive sheet according to any one of claims 3 to 9, wherein a composite curing shrinkage ratio of the resin composition constituting the high thermal conductive portion and the resin composition constituting the low thermal conductive portion is not more than 2%. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재의 고열 전도부의 열 전도율이 0.5(W/m·K) 이상, 또한 저열 전도부의 열 전도율이 0.5(W/m·K) 미만인, 열 전도성 접착 시트.11. The substrate according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate has a thermal conductivity of not less than 0.5 (W / m 占 의) and a thermal conductivity of less than 0.5 (W / m 占,) Thermally conductive adhesive sheet. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재의 두께에 대한 상기 접착제층의 두께의 비율(접착제층/기재)이 0.005 내지 1.0인, 열 전도성 접착 시트.12. The thermally conductive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 11, wherein the ratio of the thickness of the adhesive layer to the thickness of the substrate (adhesive layer / substrate) is 0.005 to 1.0. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접착제층이 실리콘계 접착제를 포함하는, 열 전도성 접착 시트.13. The thermally conductive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 12, wherein the adhesive layer comprises a silicone-based adhesive. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트를 적층한 전자 디바이스.An electronic device comprising the thermally conductive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 13 laminated thereon. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 열 전도성 접착 시트를 제조하는 방법이며, 박리 가능한 지지 기재 상에, 수지 조성물로 형성되는 고열 전도부와, 수지 조성물로 형성되는 저열 전도부로 기재를 형성하는 공정, 및 해당 기재에 접착제층을 적층하는 공정을 포함하는, 열 전도성 접착 시트의 제조 방법.A method for producing a thermally conductive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 13, comprising the steps of: forming on a releasable supporting substrate a substrate with a high thermal conductivity portion formed of a resin composition and a low thermal conductivity portion formed of a resin composition And a step of laminating an adhesive layer on the substrate.
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