KR20170097178A - 기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링 - Google Patents

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Abstract

에지 링, 및 에지 링을 제조하기 위한 프로세스가 본원에서 개시된다. 일 실시예에서, 에지 링은 환형 본체, 및 환형 본체 내에 배치된 복수의 열 차단부들을 포함한다. 열 차단부들은, 에지 링의 환형 본체의 중심선에 대해 수직으로 배치된다.

Description

기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링
[0001] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 상에 디바이스들을 제조하기 위한 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시예들은, 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 에지 링을 제공한다.
[0002] 관련 기술의 설명
[0003] 반도체 웨이퍼들 및 디스플레이 패널들과 같은 기판들의 프로세싱에서, 적합한 프로세싱 조건들이 프로세싱 챔버에서 유지되는 동안, 기판은 프로세싱 챔버의 지지부 상에 위치된다. 예컨대, 기판은 증착, 에칭, 또는 다른 반도체 제조 프로세스 동안 가열될 수 있다. 반도체 제조 프로세스 동안, 기판은 지지 구조에 의해 지지될 수 있고, 그러는 동안 기판 위로부터의 또는 아래로부터의 에너지가 기판을 가열하는 데에 활용된다. 많은 프로세싱 챔버들에서, 에지 링은, 기판을 프로세싱하는 동안 기판 지지 구조를 보호하는 데에 활용된다.
[0004] 도 1은, 반도체 프로세싱 챔버에서 사용되는 종래의 에지 링(100)의 단면도를 개략적으로 예시한다. 에지 링(100) 및 기판을 지지하는 지지 구조는 도시되지 않는다. 에지 링(100)은, 프로세싱되는 기판(102)의 외측 직경보다 약간 더 작은 내측 직경을 갖는다. 프로세싱 동안, 기판(102)의 외측 에지 영역(106)은, 에지 링(100)이 기판(102) 아래에 부분적으로 연장되도록, 에지 링(100)의 지지 표면(104) 위에 배치된다. 열 에너지(110)는, 기판(102)을 가열하기 위해, 예컨대, 기판 지지 구조에 매립된 가열기들을 사용하여, 기판(102) 및 에지 링(100) 아래에서 기판(102)의 바닥부 표면으로 지향될 수 있다. 기판(102)을 더 가열하기 위해, 플라즈마(108) 및/또는 제 2 열 소스가, 에지 링(100)의 위로부터 기판(102)의 정상부 표면으로 지향될 수 있다.
[0005] 도 1에 도시된 바와 같은, 종래의 에지 링들(100)은 종종 너무 뜨거워질 수 있으며, 에지 링(100)의 뒤틀림(warping)을 초래할 수 있다. 에지 링(100)의 뒤틀림은, 에지 링(100)이 교체를 필요로 할 때 툴 가동 시간(uptime)의 감소, 및 입자 생성의 증가를 초래한다.
[0006] 따라서, 개선된 에지 링이 필요하다.
[0007] 본원에서 설명되는 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 에지 링에 관한 것이다. 에지 링은 환형 본체를 갖는다. 복수의 열 차단부들(breaks)이 에지 링의 환형 본체 내에 배치된다. 복수의 열 차단부들은 환형 본체의 중심선에 대해 수직으로 배치된다.
[0008] 다른 실시예에서, 에지 링을 제조하기 위한 방법이 본원에서 설명된다. 방법은, 환형 본체를 형성하는 단계, 및 환형 본체 내에 복수의 열 차단 층들을 형성하는 단계를 포함한다. 복수의 열 차단부들은 환형 본체의 중심선에 대해 수직이다. 각각의 열 차단부는, 에지 링의 환형 본체를 구성하는 재료 내에 개재된다(interleaved).
[0009] 또 다른 실시예에서, 프로세싱 챔버가 본원에서 개시된다. 프로세싱 챔버는 기판 지지 부재 및 에지 링을 포함한다. 기판 지지 부재는 기판을 지지하도록 구성된다. 에지 링은 기판 지지 부재에 의해 지지된다. 에지 링은, 기판 지지 부재에 의해 지지되는 기판 아래에서 연장되도록 구성된다. 에지 링은 환형 본체, 및 환형 본체 내에 배치된 복수의 열 차단부들을 포함한다. 열 차단부들은, 에지 링의 환형 본체의 중심선에 대해 수직으로 배치된다.
[0010] 본 개시물의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시물의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시물의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시물이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은, 열 프로세싱 챔버에서 사용되는 종래의 에지 링의 단면도를 개략적으로 예시한다.
[0012] 도 2는, 일 실시예에 따른, 개선된 에지 링을 갖는 열 프로세싱 챔버의 부분 단면도를 개략적으로 예시한다.
[0013] 도 3은, 일 실시예에 따른, 도 2의 개선된 에지 링의 확대 단면도이다.
[0014] 도 4는, 일 실시예에 따른, 에지 링의 다른 실시예의 부분 단면도이다.
[0015] 명료함을 위해, 적용 가능한 경우에, 도면들 사이에서 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 부가적으로, 일 실시예의 엘리먼트들은 유리하게, 본원에서 설명되는 다른 실시예들에서의 활용을 위해 이루어질 수 있다.
[0016] 도 2는, 에지 링(202)을 갖는 프로세싱 챔버(200)의 측면도를 예시한다. 프로세싱 챔버(200)는 기판 지지 부재(208) 및 베이스(242)를 포함한다. 기판 지지 부재(208)는 베이스(242)에 커플링된다. 기판 지지 부재(208)는 지지 조립체(204)를 포함한다. 지지 조립체(204)는 정전 척 조립체, 가열기, 진공 척 조립체, 또는 다른 기판 지지 플랫폼일 수 있다.
[0017] 퍼지 링(206) 및 에지 링(202)은 기판 지지 부재(208) 상에 지지된다. 에지 링(202)은, 프로세싱 동안 지지 조립체(204) 상에 배치된 기판(203) 아래로 연장되도록 구성된다. 에지 링(202)은 복수의 열 차단부들(218)을 더 포함할 수 있고, 또한, 나사산 가공된(threaded) 인서트(220), 및 가스 분배 시스템(210) 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다.
[0018] 가스 분배 시스템(210)은 가스 통로(214), 가스 유입구(212), 및 가스 배출구(216)를 포함한다. 나사산 가공된 인서트(220)는, 퍼지 링(206)과 대면하는, 에지 링(202)의 바닥부 표면(222) 상에 로케이팅된다. 나사산 가공된 인서트(220)는 파스너(fastener; 226)를 수용하도록 구성되며, 이에 의해, 파스너(226)는 퍼지 링(206)을 에지 링(202)에 커플링한다. 나사산 가공된 인서트(220)는, 나사산 가공된 인서트(220)가, 파스너(226)로부터 분리 불가능해지는 것 없이, 가열 프로세스 동안 생성되는 높은 내부 파쇄(crushing) 및 전단 응력(shear stress)을 견딜 수 있는 재료로 만들어진다. 또한, 에지 링(202)의 일체형 부분일 수 있는, 파스너(226) 및 나사산 가공된 인서트(220)를 구비한 에지 링(202)은 기계 가공될 수 있거나 또는 3D 프린팅될 수 있다. 일체형의 나사산 가공된 인서트(220) 및 파스너(226)는 기판을 위한 센터링 피처(centering feature)로서 작용할 수 있다.
[0019] 가스 유입구(212), 가스 배출구(216), 및 가스 통로(214)는 에지 링(202) 내에 배치된다. 가스 통로(214)는 가스 유입구(212) 및 가스 배출구(216) 양자 모두와 유체 연통(fluid communication)한다. 에지 링(202)은 도 3에서 더 상세하게 설명된다.
[0020] 퍼지 링(206)은 형상이 실실적으로 환형이며, 지지 조립체(204)와 함께 내측 공동(cavity)(228)을 한정한다(bound). 내측 공동(228)은, 예컨대, 지지 조립체(204)를 통하여 라우팅된(routed) 도관들(도시되지 않음)에 의해, 가스 공급부(230)에 연결된다. 프로세싱 동안, 퍼지 가스는 내측 공동(228) 내로 유동된다. 내측 공동(228)의 퍼지 가스는, 퍼지 링(206)의 내부 주변 근처에 배치된 가스 배출구들(232)을 통해 유동한다. 가스 배출구들(232)은, 에지 링(202)과 대면하는, 퍼지 링(206)의 정상부 표면 상에 존재한다. 가스 배출구들(232)은 에지 링(202)의 가스 유입구(212)와 유체 연통한다. 따라서, 가스 배출구(232)를 빠져 나가는 퍼지 가스는 가스 유입구(212)를 통해 에지 링(202)의 가스 통로(214) 내로 공급된다. 퍼지 링(206)은 배기 도관(234)을 더 포함한다. 퍼지 링(206)의 배기 도관(234)은 에지 링(202)의 가스 배출구(216)와 유체 연통하고, 이로써, 가스 배출구(216)를 통해, 에지 링(202)의 가스 통로(214)를 빠져 나가는 가스는 퍼지 링9206)의 배기 도관(234)을 통해 유동할 수 있으며, 프로세싱 챔버(200) 밖으로 라우팅될 수 있다.
[0021] 지지 조립체(204)는 프로세싱 동안 기판(203)을 지지한다. 지지 조립체(204)는 베이스(242)와 커플링된다. 지지 조립체(204)는 정전 척(236) 및 냉각 플레이트(238)를 더 포함한다. 냉각 플레이트(238)는 베이스(242) 상에 배치된다. 냉각 플레이트(238)는, 냉각 채널들을 통해 냉각제를 순환시키기 위한 복수의 냉각 채널들(도시되지 않음)을 더 포함할 수 있다. 냉각 플레이트(238)는, 접착제 또는 임의의 적합한 맞물림 메커니즘에 의해 정전 척(236)에 맞물릴 수 있다. 냉각 플레이트(238)의 바닥부는, 냉각 플레이트(238)와 정전 척(236) 사이의 열 크로스 토크(thermal cross talk)를 감소시키기 위해, 열 장벽(barrier)으로 코팅될 수 있다.
[0022] 정전 척(236)은 하나 또는 그 초과의 가열기들(도시되지 않음)을 더 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가열기들은 하나 또는 그 초과의 가열 전력 공급부들(240)에 커플링될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가열기들은 독립적으로 제어 가능할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 가열기들은, 정전 척(236)이, 기판(203)의 바닥부 표면으로부터 기판(203)을 원하는 온도로, 예컨대, 섭씨 약 300도의 온도로 가열할 수 있게 한다. 정전 척(236)의 고온에 의한 에지 링(202)의 과도한 가열을 방지하기 위해, 에지 링(202)은 하나 또는 그 초과의 열 제어 메커니즘들, 예컨대, 열 차단부들(218), 열 장벽 코팅, 및 가스 분배 시스템(210)을 포함할 수 있다.
[0023] 도 3은, 하나 또는 그 초과의 열 제어 메커니즘들을 예시하는, 에지 링(202)의 부분 확대도를 예시한다. 에지 링(202)은 환형 본체(300)를 갖는다. 환형 본체(300)는 외측 밴드(band)(302) 및 내측 밴드(304)를 포함할 수 있다. 내측 밴드(304)는, 프로세싱 동안 (도 3에 도시된 바와 같은) 기판 지지 부재 상에 배치되는 기판(도시되지 않음)의 에지 아래로 부분적으로 연장되도록 구성된다. 외측 밴드(302)는, 기판의 둘레를 적어도 부분적으로 둘러싸는 내측 벽(306)을 포함한다. 외측 밴드(302) 및 내측 밴드(304)는 환형 본체(300)의 중심선을 중심으로 동심(concentric)이다. 외측 밴드(302)의 내측 벽(306)은 내측 밴드(304)의 레지(ledge; 314)에 연결된다. 내측 밴드(304)의 레지(314)는, 외측 밴드(302)의 내측 벽(306)으로부터 내측으로 연장되고, 제 1 환형 측벽(308)에서 끝난다. 에지 링(202)의 환형 본체(300)는, 하방으로 연장되어 외측 벽(312)을 형성하는 제 2 환형 벽(310)을 더 포함할 수 있다. 일 예에서, 외측 벽(312)은, 도 2의 퍼지 링(206)의 길이를 따라(down) 연장될 수 있다.
[0024] 에지 링(202)의 내측 밴드(304)는, 기판 아래로 연장되는 레지(314)를 형성하기 위해, 외측 밴드(302)의 내측 벽(306)으로부터 본체(300)의 중심선을 향하여 방사상 내측으로 연장된다. 레지(314)는 외측 밴드(302)의 정상부 표면(316)에 대해 평행하며 정상부 표면(316) 아래에 있다. 내측 밴드(304)의 레지(314)는, 기판의 크기에 따라 크기가 정해지며, 기판의 열 팽창을 허용한다. 내측 밴드(304)의 레지(314)는, 기판의 둘레 아래로 연장되도록 크기가 정해진다. 내측 밴드(304)는, 지지 조립체(204)를 보호하기 위해, 기판 아래로 충분한 거리만큼, 예컨대, 약 0.1cm 내지 약 0.5cm만큼 연장될 수 있다.
[0025] 도 4는, 에지 링(202)의 일 실시예를 예시한다. 에지 링(202)의 환형 본체(300)는 복수의 핀들(fins)(402)을 포함할 수 있다. 핀들(402)은, 에지 링(202)의 노출된 표면을 증가시킴으로서, 구조의 표면적(surface area)을 증가시키도록 구성된다. 에지 링(202)의 노출된 표면을 증가시키는 것에 의해, 열 전도율이 증가되며, 따라서 에지 링(202)의 온도 구배(gradient)가 감소되고 궁극적으로 에지 링(202)의 변형(deformation)이 감소된다. 부가적으로, 핀들(402)은, 가스 통로(214)를 통해 유동하는 퍼지 가스에 부가하여, 또는 그러한 퍼지 가스 대신에, 퍼지 가스가, 에지 링(202)과 정전 척(236) 사이의 지역에서 유동할 수 있도록 구성될 수 있다.
[0026] 일 예에서, 핀(402)은 외측 밴드(302) 및 내측 밴드(304)와 동심인 연속적인 원형 벽이다. 핀(402)은 외측 밴드(302)와 내측 밴드(304) 사이에 포지셔닝될 수 있다. 핀(402)은 중심축으로부터의 반경을 갖는다. 핀(402)의 반경은, 에지 링(202)의, 방사상 온도 구배 또는 온도 프로파일을 달성하고, 따라서 가열 동안 에지 링(202)의 변형을 감소시키도록 설계될 수 있다. (도시된 바와 같은) 다른 예에서, 환형 본체(300)는, 외측 밴드(302) 및 내측 밴드(304)와 동심인 비-연속적인 원형 벽을 형성하는 복수의 핀들(402)을 포함한다.
[0027] 다시 도 3을 참조하면, 환형 본체(300)는 열 차단부들(218)을 더 포함한다. 열 차단부들(218)은 에지 링(202)의 환형 본체(300) 내에, 환형 본체(300)의 중심선(350)에 대해 수직으로 배치된다. 열 차단부들(218)은, 외측 밴드(302)의 정상부 표면(316) 아래에서 환형 본체(300)의 길이를 통해 연장된다. 열 차단부들(218)은, 본체(300)를 구성하는 재료에 대해 상이한 열 전도 계수를 갖는 재료로 구성된다. 예컨대, 열 차단부들(218)은, 그라파이트와 같은 열 전도성 재료로 구성될 수 있다. 기판이 정전 척(236), 플라즈마 소스, 또는 양자 모두에 의해 가열될 때, 에지 링(202)은 온도가 상승할 수 있다. 열 차단부들(218)은, 축방향 열 전달을 억제하면서, 에지 링(202) 전체를 통해 측방향으로(laterally)(방사상으로) 열을 소산시키도록 구성되고, 이는, 에지 링(202)의 과열 및 휨(warpage)을 실질적으로 방지하도록 기능한다. 에지 링(202)의 감소되고 더 균일한 가열 때문에, 에지 링(202)은 휨 및 입자 생성의 영향을 덜 받는다.
[0028] 다른 예에서, 에지 링(202)의 환형 본체(300)는 대안적으로 또는 부가적으로, 상기 설명된 바와 같은 가스 분배 시스템(210)을 포함한다. 가스 분배 시스템(210)은, 에지 링(202)의 가열을 감소시키기 위해, 열 차단부들(218)과 함께 작동할 수 있다. 상기 설명된 바와 같이, 가스 분배 시스템(210)은, 퍼지 가스가, 에지 링(202)을 통해 유동하는 것을 허용하고, 이로써, 열을 에지 링(202)으로부터 전달한다. 퍼지 가스는 불활성 가스, 예컨대, 질소일 수 있다. 퍼지 가스가 가스 통로(214)를 통해 유동할 때, 퍼지 가스는, 챔버 프로세스들에 의한 에지 링(202)의 가열을 보상하기 위해, 에지 링(202)의 환형 본체(300)를 냉각시킬 수 있다. 열 차단부들(218)과 함께 사용될 때, 가스 분배 시스템(210)의 가스 통로(214)는, 온도 균일성을 증진시키기 위해, 열 차단부들(218)과 평행하게 배치될 수 있다.
[0029] 다른 실시예에서, 열 차단부들(218) 및 가스 분배 시스템(210)은, 에지 링(202)의 외측 벽(312)의 길이를 따라 연장될 수 있다. 차단부들(218) 및 가스 분배 시스템(210)은, 에지 링(202)의 외측 벽(312)을 냉각시키는 것을 도울 수 있고, 이는, 퍼지 링(206)의 둘레를, 챔버 환경에 의해 가열되는 것으로부터 보호한다.
[0030] 열 차단부들(218) 및 가스 분배 시스템(210) 중 하나 또는 양자 모두에 부가하여, 또는 대안적으로, 열 장벽 코팅(332)이 에지 링(202)의 하나 또는 그 초과의 표면들(316, 222) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 열 장벽 코팅(332)은 에지 링(202)의 바닥부 표면(222) 상에 배치될 수 있다. 열 장벽 코팅(332)은 또한, 에지 링(202)의 외측 벽(312)의 길이를 따라 연장될 수 있다. 열 장벽 코팅(332)은, 정전 척(236)으로부터 방출되는 열 에너지로부터, 에지 링(202)을 위한 부가적인 보호를 제공한다. 따라서, 열 장벽 코팅(332)은 기판 및 에지 링(202)에 걸친 온도 제어 및/또는 균일성을 증진시킨다. 열 장벽 코팅(332)은, 본체(300)의 재료에 비해 더 낮은 열 전도 계수를 갖는 재료, 예컨대, 지르코늄 옥사이드(zirconium oxide), DLC(diamond like carbon), 석영, 또는 이트륨 안정화(yttrium stabilized) 지르코늄 옥사이드와 같은 재료로 만들어진다. 본딩 층(도시되지 않음)은 에지 링(202)의 바닥부 표면(222)과 열 장벽 코팅(332) 중간에 위치될 수 있다. 일 예에서, 본딩 층들은 0.5 내지 20미크론 두께일 수 있다. 다른 예에서, 열 장벽 코팅(332)은 100 내지 200미크론 두께일 수 있다.
[0031] 에지 링(202)의 정상부 표면(316)은 선택적으로, 비드 블라스팅될(bead blasted) 수 있다. 에지 링(202)의 정상부 표면(316)은, 표면의 거칠기를 증가시키기 위해 비드 블라스팅된다. 에지 링(202)의 조면화된(roughened) 표면은 프로세싱 챔버(200) 내에서 아킹(arcing)을 감소시키고, 기판 상의 균일한 증착에 기여한다.
[0032] 에지 링(202)은, 프로세싱되는 기판의 재료에 따른 적합한 재료로 형성될 수 있다. 일 예에서, 에지 링(202)은, 기판의 재료와 유사한 열 용량(thermal capacity)을 갖는 재료로 형성될 수 있다. 다른 예에서, 에지 링(202)은 실리콘 기판을 프로세싱하기 위해 실리콘 카바이드 재료로 형성될 수 있다.
[0033] 일 실시예에서, 에지 링(202)은 3D 프린팅 프로세스를 사용하여 제조될 수 있다. 3D 프린팅 프로세스에서, 얇은 층들은, 에지 링(202)이 완성될 때까지 점진적으로 증착되고 융합된다(fused). 각각의 층은, 3D 프린터의 노즐에 의해, 컴퓨터(도시되지 않음) 상에서 실행되는 3D 드로잉 컴퓨터 프로그램에 의해 저장된 패턴으로 적용된다. 에지 링(202)의 열 차단부들(218)은 3D 프린팅 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 예컨대, 에지 링(202)의 본체(300)를 구성하는 층 및 차단부(218)를 구성하는 층은, 3D 프린터에 의해, 중단되지 않는 동작으로 제조될 수 있다. 3D 프린팅 접근법은, 종래의 에지 링 제조에 필요한 비용과 시간을 감소시킨다. 3D 프린팅 접근법은 또한, 몰딩(molding), 주조(casting), 및 기계가공(machinating)과 같은 여러 가지 종래의 에지 링 제조 단계들을 없앤다. 부가적으로, 층별(layer-by-layer) 프린팅 접근법에 기인하여, 엄격한 공차들(tight tolerances)이 달성될 수 있다. 하나의 프린팅 시스템은, 간단히 3D 드로잉 컴퓨터 프로그램에 저장된 패턴을 변경함으로써, 열 차단부들(218)이 있거나 없는 다양한 상이한 에지 링들을 제조하는 데에 사용될 수 있다. 3D 프린팅된 부품들은, 열간 등압 성형(hot isostatic pressing)과 같은 프로세싱 후(post processing) 프로세스들을 거쳐, 표면 결함들 및 공극률(porosity)을 최소화할 수 있다.
[0034] 에지 링(202)은 대안적으로, 주조 프로세스 또는 다른 형성 프로세스를 통해 제조될 수 있다. 주조 프로세스 동안, 에지 링(202)의 환형 본체(300)에는 열 전도성 재료, 즉, 열 차단부들(218)이 매립된다.
[0035] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 개시물의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링(edge ring)으로서,
    상기 에지 링은,
    환형 본체; 및
    상기 환형 본체 내에 배치된 복수의 열 차단부들(breaks)을 포함하고, 상기 열 차단부들은 상기 에지 링의 환형 본체의 중심선에 대해 수직으로 배치되는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 링은, 상기 환형 본체 내에 배치된 가스 분배 시스템을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스 분배 시스템은, 상기 환형 본체의 측벽을 따라(down) 연장되는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 링은,
    상기 본체의 재료에 비해 더 낮은 열 전도 계수를 갖는 재료로 구성된 코팅을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 코팅의 재료는, 지르코늄 옥사이드(zirconium oxide), 다이아몬드 형 탄소(diamond like carbon), 및 석영으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료인,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 코팅의 재료는 이트륨 안정화(yttrium stabilized) 지르코늄 옥사이드을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 코팅은 100 내지 200미크론의 두께를 갖는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 차단부들은 상기 환형 본체의 측벽을 따라 연장되는,
    기판 프로세싱 챔버를 위한 에지 링.
  9. 열 전도성 재료가 매립된 에지 링을 제조하기 위한 방법으로서,
    상기 방법은,
    환형 본체를 형성하는 단계; 및
    상기 환형 본체 내에 복수의 열 차단부들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 열 차단부들은 상기 본체의 중심선에 대해 수직인 배향을 가지며, 각각의 열 차단부는, 상기 환형 본체를 구성하는 재료 내에 개재되는(interleaved),
    열 전도성 재료가 매립된 에지 링을 제조하기 위한 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 에지 링의 환형 본체를 형성하는 단계는, 상기 환형 본체를 구비한 가스 분배 시스템을 형성하는 것을 더 포함하는,
    열 전도성 재료가 매립된 에지 링을 제조하기 위한 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 환형 본체 상에 코팅을 증착시키는 단계를 더 포함하고, 상기 코팅은, 상기 환형 본체의 재료에 비해 더 낮은 열 전도 계수를 갖는 재료로 구성되는,
    열 전도성 재료가 매립된 에지 링을 제조하기 위한 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 환형 본체 내에 복수의 열 차단부들을 형성하는 단계는,
    상기 열 차단부들을 상기 환형 본체 내에 3D 프린팅(3D printing)하는 것을 포함하는,
    열 전도성 재료가 매립된 에지 링을 제조하기 위한 방법.
  13. 프로세싱 챔버로서,
    기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 부재; 및
    상기 기판 지지 부재에 의해 지지되는 에지 링을 포함하고, 상기 에지 링은, 상기 기판 지지 부재에 의해 지지되는 기판 아래로 연장되도록 구성되며, 상기 에지 링은,
    환형 본체; 및
    상기 환형 본체 내에 배치된 복수의 열 차단부들(breaks)을 포함하고, 상기 열 차단부들은 상기 에지 링의 환형 본체의 중심선에 대해 수직으로 배치되는,
    프로세싱 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 에지 링은, 상기 환형 본체 내에 배치된 가스 분배 시스템을 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 에지 링은,
    상기 본체의 재료에 비해 더 낮은 열 전도 계수를 갖는 재료로 구성된 코팅을 더 포함하는,
    프로세싱 챔버.
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