KR20170087639A - 전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로 - Google Patents

전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20170087639A
KR20170087639A KR1020160007457A KR20160007457A KR20170087639A KR 20170087639 A KR20170087639 A KR 20170087639A KR 1020160007457 A KR1020160007457 A KR 1020160007457A KR 20160007457 A KR20160007457 A KR 20160007457A KR 20170087639 A KR20170087639 A KR 20170087639A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current mirror
quenching
circuit
receiving element
bias circuit
Prior art date
Application number
KR1020160007457A
Other languages
English (en)
Inventor
범진욱
박힘찬
Original Assignee
서강대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서강대학교산학협력단 filed Critical 서강대학교산학협력단
Priority to KR1020160007457A priority Critical patent/KR20170087639A/ko
Publication of KR20170087639A publication Critical patent/KR20170087639A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/205—Substrate bias-voltage generators
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 바이어스 회로에 관한 것으로서, 수광소자, 패시브 퀀칭을 유도하는 전류 미러 회로, 및 퀀칭동작을 수행하도록 하는 바이어스 퀀칭 회로를 포함함으로써, 수광소자의 변이에 따른 오차를 보상함으로써 정확한 바이어스 퀀칭 회로를 구현할 수 있다.

Description

전류 거울을 사용하여 SPAD 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로 {Quenching bias circuit with current mirror for Single Photon Avalanche Photodiodes}
본 발명은 바이어스 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전류 미러 회로를 이용하여 수광소자의 변이에 따른 변화를 보상하는 바이어스 회로에 관한 것이다.
일반적인 바이어스 회로의 경우 photo diode에 광자가 주입되면 미약한 photo current가 passive component인 resistor에 흐르게 되고 sensing node의 전압이 떨어지게 된다. 이 sensing node의 전압을 바이어스 회로를 이용하여 ground 까지 떨어뜨려 quenching 동작을 하도록 한 후 inverter를 통과시켜 pulse를 만들어 준다. 결과적으로 하나의 광자가 주입되었을 때 하나의 pulse가 발생한다.
한국공개특허공보 제10-2008-0010674호 "다항식모델 기반 엑스레이 영상의 밝기 및 형상왜곡보정방법"
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전류 미러 회로를 이용하여 수광소자의 변이에 따른 변화를 보상하는 바이어스 회로를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위하여, 수광소자; 패시브 퀀칭을 유도하는 전류 미러 회로; 및 퀀칭동작을 수행하도록 하는 바이어스 퀀칭 회로를 포함하는 바이어스 회로를 제공한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 전류 미러 회로는, 상기 수광 소자에 흐르는 전류를 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 전류 미러 회로에 입력되는 전류는 일정한 것을 특징으로 하는 바이어스 회로일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 전류 미러 회로는, NPN형 트랜지스터로 구성되는 제 1 전류 미러 회로 및 PNP형 트랜지스터로 구성되는 제 2 전류 미러 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 수광소자는 단일 광자 수광 소자인 것을 특징으로 하는 바이어스 회로일 수 있다.
본 발명에 따르면, 수광소자의 변이에 따른 오차를 보상함으로써 정확한 바이어스 퀀칭 회로를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 바이어스 회로의 블록도이다.
도 2 내지 3은 저항 소자를 패시브 소자로 이용하는 바이어스 회로를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 바이어스 회로의 회로도이다.
도 5는 저항 소자를 패시브 소자로 이용하는 바이어스 회로의 센싱노드에서의 퀀칭 동작 및 수광소자의 변리에 따른 시간 차이를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 바이어스 회로의 센싱노드에서의 퀀칭 동작 및 수광소자의 변리에 따른 시간 차이를 나타낸 것이다.
본 발명에 관한 구체적인 내용의 설명에 앞서 이해의 편의를 위해 본 발명이 해결하고자 하는 과제의 해결 방안의 개요 혹은 기술적 사상의 핵심을 우선 제시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 바이어스 회로는 수광소자, 패시브 퀀칭을 유도하는 전류 미러 회로, 및 퀀칭동작을 수행하도록 하는 바이어스 퀀칭 회로를 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 이들 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이에 의하여 제한되지 않는다는 것은 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제의 해결 방안을 명확하게 하기 위한 발명의 구성을 본 발명의 바람직한 실시예에 근거하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하되, 도면의 구성요소들에 참조번호를 부여함에 있어서 동일 구성요소에 대해서는 비록 다른 도면상에 있더라도 동일 참조번호를 부여하였으며 당해 도면에 대한 설명시 필요한 경우 다른 도면의 구성요소를 인용할 수 있음을 미리 밝혀둔다. 아울러 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명 그리고 그 이외의 제반 사항이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 바이어스 회로의 블록도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 바이어스 회로는 단일 광자 검출기에 사용되는 바이어스 회로(100)이고, 수광소자(110), 전류 미러 회로(120), 및 바이어스 퀀칭 회로(130)로 구성된다. 공급 전압(140), 공급 전류(150)를 더 포함할 수 있다.
수광소자(110)는 빛을 전기로 변환한다.
보다 구체적으로, 단일 광자를 검출하기 위하여 수광소자를 포함한다. 수광소자는 단일 광자 수광 소자일 수 있다. 구체적으로 SPAD(Single Photon Avalanche Diode)일 수 있다. 수광소자인 SPAD는 PVT(process, voltage, temperature)의 변이로 인하여 여러 동작의 변화를 야기한다.
전류 미러 회로(120)는 패시브 퀀칭(passive quenching)을 유도한다.
보다 구체적으로, 패시브 퀀칭을 위해 패시브 소자(passive component)가 필요한데 본 발명에서는 전류 미러 회로를 이용한다. 전류 미러 회로(120)는 공급 전압(140) 및 센싱노드(160) 사이에 위치한다. 전류 미러 회로(120)는 수광 소자(110)에 흐르는 전류를 일정하게 유지시킨다. 전류 미러 회로는 일정한 조건하에서 전류 미러를 통해 전류를 일정하게 만들어 줄 수 있다. 전류 미러의 특성을 이용하여 전류 미러 회로(120)를 이용하여 수광 소자(110)에 흐르는 전류가 떨어지지 않고 일정하게 유지시킬 수 있다. 이를 위하여, 전류 미러 회로(120)에 입력되는 공급 전류(150)는 일정할 수 있다.
보다 오차가 적게 수광 소자에 흐르는 전류를 일정하게 유지하기 위하여, 전류 미러 회로(120)는 NPN형 트랜지스터로 구성되는 제 1 전류 미러 회로 및 PNP형 트랜지스터로 구성되는 제 2 전류 미러 회로로 구성될 수 있다.
도 4와 같이, 공급 전류(150)는 NPN형 트랜지스터로 구성되는 제 1 전류 미러 회로 입력되고, 제 1 전류 미러 회로를 통해 유도되는 전류는 PNP형 트랜지스터로 구성되는 제 2 전류 미러 회로를 통해 수광 소자에 흐르는 전류가 유도되고, 이를 통해 수광소자에 흐르는 전류를 일정하게 유지시킬 수 있다.
바이어스 퀀칭 회로(130)는 퀀칭동작을 확실하게 하기 위한 동작을 수행한다.
도 2 내지 3은 저항 소자를 패시브 소자로 이용하는 바이어스 회로를 나타낸 것이다.
도 2는 일반적인 바이어스 회로의 경우로, SPAD에 광자가 주입되면 아주 작은 전류가 passive component인 저항에 흐르게 되고 sensing node의 전압이 VHIGH 보다 약간 떨어지게 된다. 이렇게 떨어진 sensing node의 전압을 바이어스 회로를 통해 조금 더 신속하게 ground 까지 떨어뜨려 quenching 동작을 하도록 한 후 inverter를 통과시켜 pulse를 만들어 준다. 결과적으로 하나의 광자가 주입되었을 때 하나의 pulse가 발생한다. 동시에 전압이 ground 까지 떨어져 SPAD의 break-down이 발생하지 않는 전압까지 떨어지면 reset이 되어 전압이 다시 VHIGH로 회복된다.
도 3은 단일 광자 검출기에 사용하는 회로로, 저항소자를 사용한 퀀칭 바이어스 회로의 도면을 나타낸다. 단일 광자 검출 회로는 단일 광자를 검출하기 위한 회로로써, 단일 광자 수광 소자인 SPAD (Single Photon Avalanche Diode), passive quenhing을 위한 passive component, 그리고 quenching 동작을 빠르게 (Active quenching) 하기 위한 바이어스 회로 등이 포함된다. 기본적인 quenching 동작은 다음과 같다. SPAD에 광자가 입사되면 미약한 photon current가 흐르게 된다. 이때 passive component로 인해 VHIGH (supply voltage) 전압에서 전압강하가 이루어지는 passive quenching 현상이 발생하며, 그 뒤에 mos와 같은 active device가 조금의 전압 강하를 감자하게 되면 전압을 강제적으로 빠르게 낮추어주는 active quenching 동작을 하게 된다. 하지만 도 3의 회로는 Passive 저항 소자를 사용하여 SPAD의 PVT 변이에 취약하며 전류 및 Quenching 시간에 대한 오류가 발생한다. 더불어 Monostable 및 Control logic을 외부에 따로 처리한 형태이기 때문에, 실제 회로를 구성할 경우 SPAD를 포함한 Quenching circuit을 Micro-cell 할 때 이 cell 내의 SPAD가 차지하는 면적의 비중이 작아져서 단일 광자를 감지하는 확률에 있어서도 불리함이 있다.
도 5는 도 3 회로의 SPAD 변이에 따른 결과를 나타낸 것으로 SPAD의 특성이 각기 다르기에 -VLOW에 인가되는 전압이 다르게 변하고 그에 따라 SPAD를 통하여 흐르는 전류가 변화하여 동일한 단일 광자를 감지하였음에도 불구하고 다른 결과를 나타낸다. -VLOW에 인가되는 전압의 절대값이 커질수록 SPAD에 흐르는 전류가 많아지게 되고 그에 따라서 회로에서 반응하는 속도는 전류가 많을 경우 quenching 동작이 더 빠르게 시작됨을 알 수 있다.
이러한 현상을 본 발명의 일 실시예에 따른 바이어스 회로와 같이 전류 미러 회로를 이용하여 보상을 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 바이어스 회로의 구체적인 회로도는 도 4와 같이 구현할 수 있다. SPAD의 변이로 인하여 발생하는 전류량의 변화 및 여러 동작의 불안정성을 보상하기 위하여 패시브 소자로 저항이 아닌 전류 미러 회로(120)를 이용한다. SPAD의 변이로 인하여 흐르는 전류량 및 Passive 및 Active Quenching 시간 차이가 발생한다. 이는 bias 회로 뒤에 이어질 TDC (Time to Digital Converter) 나 ADC (Analog to Digital Converter)등의 Read-out 회로에 잘못된 정보를 전달하여 회로 전체의 성능을 저하시킬 수 있기 때문에, 전류 미러 회로를 이용하여 이러한 전류 및 시간 차이에서 발생하는 오류를 보상한다. 더불어 기준 (Reference) 전압은 임의로 전압 범위를 설정할 수 있도록 하여 sensing 감도를 조절할 수 있다.
전류 미러 회로를 이용함으로써 SPAD를 통해 흐르는 전류를 동일하게 만들어, SPAD의 변이로 인해 발생하는 발생 시간의 차이 및 pulse width의 차이를 없앨 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 단일 광자 검출기는 수광소자, 패시브 퀀칭을 유도하는 전류 미러 회로, 및 퀀칭동작을 수행하도록 하는 바이어스 퀀칭 회로로 포함하는 바이어스 회로로 구성될 수 있다. 단일 광자 검출기를 구성하는 바이어스 회로에 대한 상세한 설명은 도 1 내지 도 6의 바이어스 회로에 대한 상세한 설명에 대응한다.
일반적으로 PET/CT, PET/MRI의 장비에서 단일 광자를 감지하여 처리할 수 있는 정보는 첫 번째로 입사되는 광자의 입사 시간, 두 번째로 그 이후에 일정시간 동안 들어오는 광자의 수를 처리하는 것인데, 이를 위하여 정확한 시간 정보 및 동일한 시간 내에 광자의 수를 셀 수 있는 회로가 필요하게 되므로, 광자를 감지하는 단계 회로에서 오류 없이 처리하는 것이 중요하고, 전류 미러 회로를 이용한 퀀칭 바이어스 회로를 사용하면 SPAD의 변이에 무관하게 동일한 시간 정보를 줄 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 바이어스 회로
110: 수광소자
120: 전류 미러 회로
130: 바이어스 퀀칭 회로
140: 공급 전압
150: 공급 전류
160: 센싱노드

Claims (6)

  1. 수광소자;
    패시브 퀀칭을 유도하는 전류 미러 회로; 및
    퀀칭동작을 수행하도록 하는 바이어스 퀀칭 회로를 포함하는 바이어스 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    상기 수광 소자에 흐르는 전류를 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로에 입력되는 전류는 일정한 것을 특징으로 하는 바이어스 회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로는,
    NPN형 트랜지스터로 구성되는 제 1 전류 미러 회로 및 PNP형 트랜지스터로 구성되는 제 2 전류 미러 회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 바이어스 회로.
  5. 제 1 항에 있어서
    상기 수광소자는 단일 광자 수광 소자인 것을 특징으로 하는 바이어스 회로.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 바이어스 회로를 포함하는 단일 광자 검출기.



KR1020160007457A 2016-01-21 2016-01-21 전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로 KR20170087639A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160007457A KR20170087639A (ko) 2016-01-21 2016-01-21 전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160007457A KR20170087639A (ko) 2016-01-21 2016-01-21 전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170087639A true KR20170087639A (ko) 2017-07-31

Family

ID=59418972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160007457A KR20170087639A (ko) 2016-01-21 2016-01-21 전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170087639A (ko)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110274697A (zh) * 2019-06-18 2019-09-24 西安电子科技大学 一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路
US20210290147A1 (en) * 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Maintaining Consistent Photodetector Sensitivity in an Optical Measurement System
US11480465B2 (en) * 2020-09-21 2022-10-25 Hyundai Motor Company Quenching bias circuit device and single photon detector comprising the same
US11607132B2 (en) 2020-03-20 2023-03-21 Hi Llc Temporal resolution control for temporal point spread function generation in an optical measurement system
US11630310B2 (en) 2020-02-21 2023-04-18 Hi Llc Wearable devices and wearable assemblies with adjustable positioning for use in an optical measurement system
US11645483B2 (en) 2020-03-20 2023-05-09 Hi Llc Phase lock loop circuit based adjustment of a measurement time window in an optical measurement system
US11656119B2 (en) 2020-03-20 2023-05-23 Hi Llc High density optical measurement systems with minimal number of light sources
US11771362B2 (en) 2020-02-21 2023-10-03 Hi Llc Integrated detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system
US11813066B2 (en) 2020-02-21 2023-11-14 Hi Llc Wearable module assemblies for an optical measurement system
US11819311B2 (en) 2020-03-20 2023-11-21 Hi Llc Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system
US11857348B2 (en) 2020-03-20 2024-01-02 Hi Llc Techniques for determining a timing uncertainty of a component of an optical measurement system
US11864867B2 (en) 2020-03-20 2024-01-09 Hi Llc Control circuit for a light source in an optical measurement system by applying voltage with a first polarity to start an emission of a light pulse and applying voltage with a second polarity to stop the emission of the light pulse
US11877825B2 (en) 2020-03-20 2024-01-23 Hi Llc Device enumeration in an optical measurement system
US11883181B2 (en) 2020-02-21 2024-01-30 Hi Llc Multimodal wearable measurement systems and methods
US11903676B2 (en) 2020-03-20 2024-02-20 Hi Llc Photodetector calibration of an optical measurement system
US11950879B2 (en) 2020-02-21 2024-04-09 Hi Llc Estimation of source-detector separation in an optical measurement system
US11969259B2 (en) 2020-02-21 2024-04-30 Hi Llc Detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system and including spring-loaded light-receiving members
US12029558B2 (en) 2020-02-21 2024-07-09 Hi Llc Time domain-based optical measurement systems and methods configured to measure absolute properties of tissue

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110274697A (zh) * 2019-06-18 2019-09-24 西安电子科技大学 一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路
US11813066B2 (en) 2020-02-21 2023-11-14 Hi Llc Wearable module assemblies for an optical measurement system
US11883181B2 (en) 2020-02-21 2024-01-30 Hi Llc Multimodal wearable measurement systems and methods
US12029558B2 (en) 2020-02-21 2024-07-09 Hi Llc Time domain-based optical measurement systems and methods configured to measure absolute properties of tissue
US11630310B2 (en) 2020-02-21 2023-04-18 Hi Llc Wearable devices and wearable assemblies with adjustable positioning for use in an optical measurement system
US11969259B2 (en) 2020-02-21 2024-04-30 Hi Llc Detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system and including spring-loaded light-receiving members
US11950879B2 (en) 2020-02-21 2024-04-09 Hi Llc Estimation of source-detector separation in an optical measurement system
US11771362B2 (en) 2020-02-21 2023-10-03 Hi Llc Integrated detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system
US11645483B2 (en) 2020-03-20 2023-05-09 Hi Llc Phase lock loop circuit based adjustment of a measurement time window in an optical measurement system
US11607132B2 (en) 2020-03-20 2023-03-21 Hi Llc Temporal resolution control for temporal point spread function generation in an optical measurement system
US20210290147A1 (en) * 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Maintaining Consistent Photodetector Sensitivity in an Optical Measurement System
US11877825B2 (en) 2020-03-20 2024-01-23 Hi Llc Device enumeration in an optical measurement system
US11864867B2 (en) 2020-03-20 2024-01-09 Hi Llc Control circuit for a light source in an optical measurement system by applying voltage with a first polarity to start an emission of a light pulse and applying voltage with a second polarity to stop the emission of the light pulse
US11903676B2 (en) 2020-03-20 2024-02-20 Hi Llc Photodetector calibration of an optical measurement system
US11656119B2 (en) 2020-03-20 2023-05-23 Hi Llc High density optical measurement systems with minimal number of light sources
US11857348B2 (en) 2020-03-20 2024-01-02 Hi Llc Techniques for determining a timing uncertainty of a component of an optical measurement system
US11819311B2 (en) 2020-03-20 2023-11-21 Hi Llc Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system
US11480465B2 (en) * 2020-09-21 2022-10-25 Hyundai Motor Company Quenching bias circuit device and single photon detector comprising the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170087639A (ko) 전류 거울을 사용하여 spad 변화에 무관한 퀀칭 바이어스 회로
TWI628785B (zh) 具有像素級偏壓控制之單光子崩潰二極體陣列
JP6730150B2 (ja) 光検出器、及び距離測定装置
JP6863922B2 (ja) 長測距ライダー用の高ダイナミックレンジアナログフロントエンド受信機
Antolovic et al. Dynamic range extension for photon counting arrays
US9190552B2 (en) Method and device for adjusting the bias voltage of a SPAD photodiode
US9210350B2 (en) Low power imaging system with single photon avalanche diode photon counters and ghost image reduction
TWI703340B (zh) 適用於遠程飛行時間應用的雙模堆疊式光倍增器
CN108681362B (zh) 一种阵列单光子雪崩光电二极管增益自适应调节电路
JP2017026615A (ja) ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードを有する受光器及び読み出し方法
US11159738B2 (en) Imaging devices with single-photon avalanche diodes having sub-exposures for high dynamic range
US9185314B2 (en) Mitigating the effects of signal overload in analog front-end circuits used in image sensing systems
CN103776544A (zh) 一种非制冷红外焦平面阵列的读出电路
CN113224090A (zh) 成像系统
JP7149784B2 (ja) 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
US10036669B1 (en) Infrared focal plane readout integrated circuit
US10788363B2 (en) Single photon avalanche diode control circuit
US20220011158A1 (en) Light sensor and sensing method thereof
KR101797676B1 (ko) 단일 광자 검출기에 대한 향상된 바이어스 회로
US7522201B2 (en) Method and apparatus for detecting failed reset in pixels of an imager
KR101917023B1 (ko) Spad 변화에 덜 민감한 ?칭 바이어스 회로 및 그것을 포함하는 단일 광자 검출기
CN108204859B (zh) 光电检测电路和光电检测装置
US20160308074A1 (en) Solid state photomultiplier with improved pulse shape readout
Vornicu et al. A CMOS 8× 8 SPAD array for Time-of-Flight measurement and light-spot statistics
CN114167387A (zh) 直接飞行时间DToF传感器及其延迟校正方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application