KR20170084028A - Adhesive, die bond material comprising adhesive, conductive connection method using adhesive, and optical semiconductor device obtained using method - Google Patents
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 73
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 74
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 21
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 description 20
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 9
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005998 bromoethyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N hydroxy(diphenyl)silicon Chemical class C=1C=CC=CC=1[Si](O)C1=CC=CC=C1 NYMPGSQKHIOWIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical class N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N phthalic acid di-n-butyl ester Natural products CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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Abstract
본 발명은, 접착제로서, (A)실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 변성 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 경화성 수지 조성물과, (B)평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자를 함유하는 것이며, 상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며, 상기 접착제를 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 접착제이다. 이에 따라, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여하는 접착제가 제공된다.The present invention provides a curable resin composition comprising (A) a curable resin composition comprising at least one or more selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin, and (B) conductive particles having an average particle diameter of 1 μm or less Wherein the content of the component (B) is in a range of greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), and the total light ray of the cured product having a thickness of 2 mm A transmittance of 70% or more, and a haze value of 60% or less. Accordingly, there is provided an adhesive which is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and which imparts a cured product having heat resistance and light resistance.
Description
본 발명은, 접착제, 이 접착제로 이루어진 다이본드재, 이 접착제를 이용한 도전접속방법, 및 이 방법에 의해 얻어진 광반도체 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an adhesive, a die bond material comprising the adhesive, a conductive connection method using the adhesive, and an optical semiconductor device obtained by the method.
발광 다이오드(LED) 등의 광반도체 소자는 전력소비량이 적다는 우수한 특성을 가지므로, 옥외조명용도나 자동차용도의 광반도체 디바이스에 대한 적용이 증가하고 있다. 이러한 광반도체 디바이스는, 일반적으로 청색광, 근자외광 혹은 자외광을 발광하는 광반도체 발광소자로부터 발하는 광을, 파장변환재료인 형광체에 의해 파장변환하여 의사백색이 얻어지도록 한 발광장치이다.
2. Description of the Related Art Optical semiconductor devices such as light emitting diodes (LEDs) have excellent characteristics of low power consumption, and thus application to optical semiconductor devices for outdoor lighting applications and automobiles is increasing. Such a photo semiconductor device is a light emitting device in which light emitted from a photosemiconductor light emitting element that emits blue light, near ultraviolet light, or ultraviolet light is wavelength-converted by a phosphor as a wavelength conversion material to obtain a pseudo white color.
최근, 광반도체 소자의 추가적인 발광효율의 향상을 목적으로 하여, 수직형 광반도체 소자의 개발이 이루어지고 있다. 수직형(Vertical) 광반도체 소자는 전극을 수직구조로 배치한 것이며, 간단히 수직형 LED 칩이라고도 불린다. 수직형 LED 칩은, 발광층에 균일하게 전류가 흐름으로써, 전극을 수평배치한 구조인 동일 사이즈의 수평형(lateral) LED 칩에 비해, 수십 배의 전류를 흘리는 것이 가능하며, 발광층의 온도상승을 억제하여, 발광효율을 높일 수 있다. 나아가, 수평형 LED 칩에 보인 국소적인 전류밀도의 증가가 억제되고, LED의 대전류화가 가능해지는 등, 우수한 특장을 가지므로, 그 실용이 진행되고 있다.
In recent years, vertical optical semiconductor devices have been developed for the purpose of further improving the light emitting efficiency of optical semiconductor devices. Vertical optical semiconductor devices are arranged vertically in an electrode, and are simply referred to as vertical type LED chips. In the vertical type LED chip, a current flows uniformly in the light emitting layer, which makes it possible to flow a current several tens of times larger than that of a lateral LED chip of the same size, in which the electrodes are horizontally arranged. And the luminous efficiency can be increased. Furthermore, since the LED chip has excellent features such as an increase in the local current density seen in the horizontal type LED chip is suppressed and a large current of the LED becomes possible, practical use thereof is progressing.
한편, 수직형 LED 칩은, 상기 서술한 바와 같이 전극을 수직구조로 배치하는 점에서 이해되는 바와 같이, 수직형 LED 칩을 배선판에 탑재하는 경우, 일방의 전극은 종래와 마찬가지로 와이어본드 등의 방법을 이용하여 전기적으로 접속하고, 다른 일방의 전극은 공정땜납이나 도전성 접착제 등을 이용하여 전기적으로 접속할 필요가 있다.
On the other hand, in the vertical type LED chip, when the vertical type LED chip is mounted on the wiring board, as is understood from the point that the electrodes are arranged in a vertical structure as described above, one of the electrodes is formed by a method such as wire bonding And the other one of the electrodes needs to be electrically connected by using a process solder, a conductive adhesive, or the like.
종래, 수직형 LED 칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서, 공정땜납이나 에폭시 수지 조성물에 도전성 입자를 배합한 도전성 접착제가 널리 이용되고 있다. 그러나, 공정땜납을 이용하는 방법에서는, 다이본드시에 필요한 땜납을 용융하기 위한 열에 의해, 광반도체의 발광층에 데미지를 주기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 최근에는, 상기 서술한 공정땜납이나 에폭시 수지 조성물에 도전성 입자를 배합한 도전성 접착제로는, 광의 반사가 충분하지 않아, 광의 취출효율이 뒤떨어지는 것이 문제가 되고 있다. 나아가, 광반도체 디바이스로 할 때의 설계의 자유도의 면에서도, 다이본드재에는 고투명성이 요구되고 있다.
Conventionally, as an adhesive for mounting a vertical LED chip on a wiring board, a conductive solder or a conductive adhesive containing conductive particles in an epoxy resin composition is widely used. However, the method using the process solder is not preferable because it damages the light emitting layer of the optical semiconductor by the heat for melting the solder necessary for die bonding. In addition, recently, with the above-described process solder or a conductive adhesive containing conductive particles in the epoxy resin composition, the reflection of light is insufficient and the light extraction efficiency becomes poor. Furthermore, from the viewpoint of the degree of freedom in designing as an optical semiconductor device, the die bonding material is required to have high transparency.
한편, 도전성 접착제를 이용한 예로서, 예를 들어, 특허문헌 1에서는, 비스페놀A형 에폭시 수지 또는 비스페놀F형 에폭시 수지와 지환식 에폭시 수지를 병용하고, 나아가 자외선흡수제로서 벤조트리아졸 유도체를 첨가함으로써 450~500nm 부근의 광에 대한 내광성을 개선한 도전성 접착제가 제안되어 있다. 그러나, 이 발명에 있어서의 조성물은, 백색의 산화티탄이나, 유색의 도전성 입자를 많이 함유하므로, 고투명한 접착제가 되지는 않는다.
On the other hand, as an example using a conductive adhesive, for example, in
특허문헌 2에는, 특정의 도전성 분말, (3,5-디글리시딜이소시아누릴)알킬기를 갖는 오르가노폴리실록산 및 글리시딜기와 반응하는 경화촉매(아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제)를 함유하는, 광반도체 소자용의 다이본드재가 제안되어 있다. 그러나, 이소시아누릴기로 대표되는 유기기가, 단파장의 광에 의해 열화를 받아, 시간경과에 따라 변색, 분해된다는 문제가 발생하고 있다. 나아가, 이 발명에서는 수지 성분의 합계 100질량부에 대하여 350~800질량부의 도전성 입자를 첨가하므로, 고투명한 접착제가 되지는 않는다.
특허문헌 3에는, (a)(메트)아크릴산알킬에스테르-부타디엔-스티렌 공중합체 또는 복합체, 및, 실리콘-(메트)아크릴산 공중합체 또는 복합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 유기미립자와, (b)라디칼 중합성 화합물과, (c)라디칼중합개시제와, (h)도전성 입자를 함유하고, (h)도전성 입자의 함유량이, 접착제 조성물의 고형분 전체적을 기준으로 하여 0.1~30체적%인, 접착제 조성물, 및 이 접착제 조성물로 이루어진 필름상 접착제가 제안되어 있다. 그러나, 상기와 마찬가지로, (b)라디칼 중합성 화합물에는 글리시딜기로 대표되는 유기기가 포함되어 있고, 단파장의 광에 의해 열화를 받아, 시간경과에 따라 변색, 분해된다는 문제가 발생하고 있다. 또한, 도전성 입자는 접착제 조성물의 고형분 전체적을 기준으로 하여 0.1~30체적% 함유된다고 하나, 경화물의 광투과율, 투명성에 관한 기술은 보이지 않고, 또한, 본 발명자들이 검증한 결과, 이 범위의 첨가량으로는 고투명한 재료는 되지 않는다. 나아가, 이 발명에서는, 도전성 입자의 평균입경은, 양호한 분산성 및 도전성을 얻는 관점에서, 1~18μm인 것이 바람직하다는 기재가 있으나, 이 범위의 평균입경을 갖는 도전성 수지 재료로는, 광반도체 소자를 배선판에 다이본드(도전접속)했을 때의 BLT(Bond line thickness)가 두꺼워지고, 방열성도 뒤떨어지는 결과가 되어, 유용한 고투명 다이본드재는 되지 않는다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 고투명하며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여하는 접착제를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이 접착제로 이루어진 다이본드재, 이 접착제를 이용한 도전접속방법, 이 도전접속방법에 의해 얻어진 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an adhesive that is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and is provided with a cured product having heat resistance and light resistance. It is also an object of the present invention to provide a die bonding material made of the adhesive, a conductive connection method using the adhesive, and an optical semiconductor device obtained by the conductive connection method.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는, 접착제로서In order to solve the above problems, in the present invention,
(A)실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 변성 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 경화성 수지 조성물과,(A) a curable resin composition comprising at least one selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin,
(B)평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자(B) conductive particles having an average particle diameter of 1 mu m or less
를 함유하는 것이며,, ≪ / RTI >
상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며,The content of the component (B) is larger than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A)
상기 접착제를 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 접착제를 제공한다.
A cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the adhesive has a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less.
이러한 접착제이면, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다.
Such an adhesive can give a cured product that is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and is excellent in heat resistance and light resistance.
또한, 상기 경화성 수지 조성물(A)이,Further, the curable resin composition (A)
(A-1)한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산,(A-1) a linear organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule,
(A-2)한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖고, 수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산,(A-2) an organopolysiloxane having at least two aliphatic unsaturated bonds in one molecule and having a resin structure,
(A-3)한 분자 중에 규소원자결합수소원자를 2개 이상 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및(A-3) an organohydrogenpolysiloxane having two or more silicon atom-bonded hydrogen atoms in one molecule, and
(A-4)백금족 금속계 촉매(A-4) Platinum group metal catalyst
로 이루어진 열경화성 실리콘 조성물인 것이 바람직하다.
Is preferably a thermosetting silicone composition.
이러한 열경화성 실리콘 조성물이면, 본 발명의 접착제를 구성하는 (A)성분으로서 호적하게 이용할 수 있다.
Such a thermosetting silicone composition can be suitably used as the component (A) constituting the adhesive of the present invention.
나아가 본 발명에서는, 상기의 접착제로 이루어진 다이본드재를 제공한다.
Further, the present invention provides a die bond material made of the above adhesive.
이러한 다이본드재이면, LED 칩을 배선판에 탑재하기 위한 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다.
If such a die bond material is used, the LED chip can be used as a die bond material for mounting on a wiring board.
이 경우, 상기 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물은 BLT(Bond line thickness)가 5μm 이하인 경우에 있어서 사용되는 것이 바람직하다.
In this case, the cured product obtained by curing the die bond material is preferably used when the bond line thickness (BLT) is 5 占 퐉 or less.
이러한 다이본드재이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다.
With such a die bond material, it is possible to reliably achieve a conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 접착제를 이용하고, BLT를 5μm 이하로 하여 광반도체 소자와 기판을 도전접속하는 것을 특징으로 하는 도전접속방법을 제공한다.
Further, in the present invention, there is provided a conductive connection method characterized in that the adhesive of the present invention is used and the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected to each other with a BLT of 5 μm or less.
이러한 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다.
With such a conductive connection method, the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 도전접속방법에 의해 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 것을 특징으로 하는 광반도체 장치를 제공한다.
Further, in the present invention, there is provided an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected by the above-mentioned conductive connection method of the present invention.
본 발명의 접착제는, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 또한, 본 발명의 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 도전접속방법에 의해 얻어진 광반도체 장치는, 광취출효율이 높고, 내열성 및 내광성을 갖는 것이 되며, 도전접속이 확실히 달성된 것이 된다.
The adhesive of the present invention can give a cured product having high transparency, excellent adhesive strength and workability, and excellent heat resistance and light resistance. Further, according to the conductive connection method of the present invention, the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved. Thus, the optical semiconductor device obtained by the conductive connection method of the present invention has high light extraction efficiency, heat resistance and light resistance, and the conductive connection is surely achieved.
본 발명의 접착제는, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 접착제는, 다이본드재로서 호적하게 이용할 수 있다. 이러한 접착제 및 다이본드재는, LED 칩, 특히 수직형 LED 칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서 호적하게 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 도전접속방법에 의해 얻어진 광반도체 장치는, 광취출효율이 높고, 내열성 및 내광성을 갖는 것이 된다.
The adhesive of the present invention can give a cured product having high transparency, excellent adhesive strength and workability, and having heat resistance and light resistance. Accordingly, the adhesive of the present invention can be suitably used as a die bond material. Such adhesives and die bond materials can be suitably used as an adhesive for mounting an LED chip, in particular, a vertical LED chip on a wiring board. Further, according to the conductive connection method of the present invention, the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved. Therefore, the optical semiconductor device obtained by the conductive connection method of the present invention has high light extraction efficiency, heat resistance, and light resistance.
도 1은 본 발명의 다이본드재를 이용하여 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 광반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element and a substrate are electrically connected to each other using the die bond material of the present invention.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
상기와 같이, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성을 갖는 경화물을 부여하는 접착제가 요구되고 있다.
As described above, there is a demand for an adhesive that is highly transparent, has excellent adhesive strength and workability, and imparts a cured product having heat resistance and light resistance.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과,Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies in order to achieve the above object,
(A)실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 변성 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 경화성 수지 조성물과,(A) a curable resin composition comprising at least one selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin,
(B)평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자(B) conductive particles having an average particle diameter of 1 mu m or less
를 함유하는 접착제로서,As an adhesive agent,
상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며,The content of the component (B) is larger than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A)
상기 접착제를 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 접착제가, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
It has been found that an adhesive having a total light transmittance of not less than 70% and a haze value of not more than 60% of a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the adhesive can solve the above problems and completed the present invention.
이하, 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail, but the present invention is not limited thereto.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명의 접착제는, (A)실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 변성 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 경화성 수지 조성물과, (B)평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자를 함유하는 것이며, 상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며, 상기 접착제를 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 접착제이다.
As described above, the adhesive of the present invention comprises: (A) a curable resin composition comprising at least one selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin; and (B) (B) is larger than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), and the conductive particles having a thickness of 2 mm And the haze value is 60% or less.
본 발명의 접착제를 2mm 두께의 경화물로 했을 때의 전광선투과율은, 70% 이상이며, 바람직하게는 80% 이상이다. 전광선투과율이 70% 이상이면, 경화후의 접착제는 고투명한 상태를 유지할 수 있다. 전광선투과율이 70% 미만이 되면, 경화후의 접착제는 착색, 혹은 탁함이 발생하는 것을 의미하고, 고투명으로는 되지 않는다. 전광선투과율의 상한은 특별히 제한은 없고, 보다 크면 경화물은 투명해지고, 광반도체 소자로부터의 광 취출의 방해가 되는 일도 없으므로 바람직하다.
When the adhesive of the present invention is a cured product of 2 mm in thickness, the total light transmittance is 70% or more, preferably 80% or more. If the total light transmittance is 70% or more, the adhesive after curing can maintain a high transparency. When the total light transmittance is less than 70%, it means that the adhesive after curing is colored or turbidity occurs, and it is not highly transparent. The upper limit of the total light transmittance is not particularly limited, and it is preferable that the upper limit of the total light transmittance is higher because the cured product becomes transparent and does not interfere with light extraction from the optical semiconductor element.
또한, (헤이즈값(%))=(확산광투과율)/(전광선투과율)×100으로 정의되는 점에서 이해되는 바와 같이, 확산광성분의 증대 및 전광선투과율의 감소에 수반하여 헤이즈값은 증대하여, 경화물은 반투명으로부터 미탁, 더 나아가 백탁에 이른다.
Further, as can be understood from the point that (haze value (%)) = (diffused light transmittance) / (total light transmittance) x 100, the haze value increases with the increase of the diffused light component and the decrease of the total light transmittance , The cured product is translucent to cloudy, and further to turbid.
본 발명의 접착제는, 이 접착제를 2mm 두께의 경화물로 했을 때의 헤이즈값이 60% 이하이며, 이는 경화물이 투명으로부터 반투명의 흐림을 갖는 상태인 것을 의미한다. 상기 헤이즈값은 바람직하게는 40% 이하이다. 헤이즈값이 60%를 초과하면, 경화물은 흐려져, 광을 산란시키는 미립자가 많이 존재하여, 고투명은 아니다. 헤이즈값이 60% 이하이면, 광반도체 소자로부터의 광 취출의 방해가 되는 일도 없으므로 바람직하다. 헤이즈값의 하한은 특별히 제한은 없고, 보다 작으면 경화물의 흐림이 적어져, 즉, 투명해져, LED 디바이스로부터의 광 취출의 방해가 되는 일도 없으므로 바람직하다.
The adhesive of the present invention has a haze value of 60% or less when the adhesive is made into a 2-mm-thick cured product, which means that the cured product has a transparent to translucent haze. The haze value is preferably 40% or less. When the haze value exceeds 60%, the cured product becomes cloudy, and there are many fine particles scattering light, which is not highly transparent. When the haze value is 60% or less, it is preferable that the haze value is not disturbed by the light extraction from the optical semiconductor element. The lower limit of the haze value is not particularly limited, and the smaller the haze value, the less the fog of the cured product becomes, that is, the transparent haze value is not hindered from the light extraction from the LED device.
[(A)경화성 수지 조성물][(A) Curable resin composition]
(A)성분의 경화성 수지 조성물은, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 변성 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것이다.
The curable resin composition of component (A) contains at least one or more selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin.
상기 경화성 수지 조성물로는, 목적의 물성, 투명성을 갖는 수지 또는 조성물(즉, 상기 접착제를 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 것)을 선택하면 되고, 2종 이상을 임의로 조합하여 이용할 수도 있다. (A)성분은, 투명성, 내열성, 내광성의 관점에서, 실리콘 수지 또는 변성 실리콘 수지인 것이 바람직하다. (A)성분으로서, 본 발명의 범위를 만족시키는 시판품을 이용해도 된다.
As the curable resin composition, a resin or a composition having desired physical properties and transparency (that is, a cured product having a thickness of 2 mm obtained by curing the adhesive has a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less) is selected And two or more species may be arbitrarily used in combination. The component (A) is preferably a silicone resin or a modified silicone resin from the viewpoints of transparency, heat resistance and light resistance. As the component (A), a commercially available product satisfying the range of the present invention may be used.
또한, (A)성분은, 실온(25℃)에 있어서의 점도가 10mPa·s 이상, 10000mPa·s 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100mPa·s 이상, 5000mPa·s 이하이다. 상기 점도가 10mPa·s 이상이면, 후술하는 (B)성분을, 경화성 수지 조성물 중에 비중에 영향을 주는 일 없이 양호하게 분산시킬 수 있다. 상기 점도가 10000mPa·s 이하이면, 조성물의 점도가 과도하게 높아지지 않아, BLT가 과도하게 커지거나, 도포공정에 있어서의 문제, 구체적으로는 고점도 액체를 도포할 때의 속도저하에 의한 작업성의 저하, 조성물의 칙사(stringiness)에 의한 도포량의 불균일, 및 디바이스의 오염 등이 발생할 우려가 없으므로 바람직하다.
The component (A) preferably has a viscosity at room temperature (25 ° C) of 10 mPa · s or more and 10,000 mPa · s or less, more preferably 100 mPa · s or more and 5,000 mPa · s or less. When the viscosity is 10 mPa · s or more, the component (B) to be described later can be well dispersed in the curable resin composition without affecting the specific gravity. When the viscosity is not more than 10000 mPa,, the viscosity of the composition is not excessively increased and the BLT becomes excessively large, and problems in the coating step, specifically, deterioration in workability due to a decrease in speed when applying a high viscosity liquid , Unevenness of the application amount due to stringiness of the composition, and contamination of the device.
또한, (A)성분으로서, 열경화성의 수지 조성물을 이용하는 것이 바람직하다. (A)성분으로서, 실리콘 조성물을 선택한 경우이면 다음에 예시하는 바와 같은 열경화형 실리콘 조성물이 바람직하나, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
As the component (A), it is preferable to use a thermosetting resin composition. When the silicone composition is selected as the component (A), the thermosetting silicone composition as illustrated below is preferable, but not limited thereto.
[열경화성 실리콘 조성물][Thermosetting silicone composition]
상기 열경화성 실리콘 조성물로서, 예를 들어,As the thermosetting silicone composition, for example,
(A-1)한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산,(A-1) a linear organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule,
(A-2)한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖고, 수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산,(A-2) an organopolysiloxane having at least two aliphatic unsaturated bonds in one molecule and having a resin structure,
(A-3)한 분자 중에 규소원자결합수소원자를 2개 이상 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및(A-3) an organohydrogenpolysiloxane having two or more silicon atom-bonded hydrogen atoms in one molecule, and
(A-4)백금족 금속계 촉매(A-4) Platinum group metal catalyst
로 이루어진 열경화성 실리콘 조성물을 예시할 수 있다.≪ / RTI > can be exemplified.
이하, 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, each component will be described in detail.
<(A-1)지방족 불포화결합함유 오르가노폴리실록산><(A-1) Aliphatic unsaturated bond-containing organopolysiloxane>
베이스성분인 (A-1)성분은, 한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖고, 본질적으로 직쇄상인 오르가노폴리실록산이다. 이 오르가노폴리실록산은, 작업성, 경화성 등의 점에서, 실온에 있어서의 점도가 100mPa·s 이상 10000mPa·s 이하인 것이 바람직하고, 100mPa·s 이상 5000mPa·s 이하인 것이 더욱 바람직하다.
The component (A-1) as the base component is an organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule and being essentially linear. The organopolysiloxane preferably has a viscosity at room temperature of 100 mPa · s or more and 10,000 mPa · s or less, more preferably 100 mPa · s or more and 5000 mPa · s or less, from the viewpoints of workability and curability.
상기 오르가노폴리실록산의 분자구조는, 본질적으로 직쇄상이며, 바람직하게는 직쇄상이다. 여기서, 「본질적으로 직쇄상이다」라는 것은, 본 성분 중의 양 말단을 봉쇄하는 트리오르가노실록시기 이외의 모든 실록산단위가, 주로 2관능단위(D단위)(구체적으로는, 식: R1 2SiO로 표시되는 단위)로 구성되나, 분지를 형성하는 3관능단위(T단위)(구체적으로는, 식: R1SiO3 /2로 표시되는 단위) 및 4관능단위(Q단위)(구체적으로는, 식: SiO4 /2단위로 표시되는 단위) 중 적어도 1종의 실록산단위를, 전체 실록산단위의 3몰% 이하, 바람직하게는 2몰% 이하의 양으로 함유할 수도 있는 것을 의미한다. 그 중에서도, 바람직하게는 양 말단만이 1관능성 단위(M단위)(구체적으로는, 식: R1 3SiO1 /2로 표시되는 단위)로 구성되고, 그 외의 실록산단위가 모두 D단위로 이루어진 직쇄상의 디오르가노폴리실록산이다. 여기서, R1은 치환 혹은 비치환의 일가탄화수소기이다.
The molecular structure of the organopolysiloxane is essentially straight-chain, preferably straight-chain. Here, "essentially linear" means that all the siloxane units other than the triorganosiloxy group blocking both ends in the present component are mainly composed of bifunctional units (D units) (specifically, R 1 2 but consists of units represented by SiO), a trifunctional units (T units) (particularly to form a basin, the formula: R units represented by 1 SiO 3/2) and a tetrafunctional units (Q units) (specifically It has the formula: the SiO the 4/2 units of the siloxane unit of the unit) at least one of the species, preferably 3 mole% of the siloxane units or less, represented by means that may be contained in an amount of up to 2 mol%. Among them, preferably both ends of the only monofunctional units (M unit) is composed of (specifically, the formula R 1 3 SiO units represented by 1/2), all other siloxane units in D units Lt; / RTI > is a straight-chain diorganopolysiloxane. Herein, R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group.
R1의 일가탄화수소기로는, 탄소원자수 1~10, 특히 1~6인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 시클로헥실기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기; 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기; 시클로헥세닐기; 및 이들의 탄화수소기의 수소원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플로로프로필기 등의 할로겐치환알킬기나 시아노에틸기 등을 들 수 있다.
The monovalent hydrocarbon group represented by R 1 preferably has 1 to 10 carbon atoms, especially 1 to 6 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, An alkyl group such as a pentyl group, a neopentyl group, a hexyl group, an octyl group, a nonyl group and a decyl group; A cyclohexyl group; Aryl groups such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group and a naphthyl group; An aralkyl group such as a benzyl group, a phenylethyl group or a phenylpropyl group; Alkenyl groups such as vinyl, allyl, propenyl, isopropenyl, butenyl, pentenyl, hexenyl, and octenyl; Cyclohexenyl group; And those obtained by substituting a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon groups with a halogen atom such as fluorine, bromine or chlorine, a cyano group or the like, such as chloromethyl group, chloropropyl group, bromoethyl group, And halogeno-substituted alkyl groups such as cyano group and the like.
(A-1)성분의 오르가노폴리실록산은, 한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖는다. 지방족 불포화결합으로는, 탄소원자수 2~8, 특히 2~6의 알케닐기 및 시클로알케닐기를 들 수 있고, 구체적으로는 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 시클로헥세닐기 등의 시클로알케닐기를 예시할 수 있다. 그 중에서도, 바람직하게는 비닐기 및 알릴기이다.
The organopolysiloxane of the component (A-1) has two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule. Examples of the aliphatic unsaturated bond include an alkenyl group and a cycloalkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, particularly 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include a vinyl group, an allyl group, a propenyl group, an isopropenyl group, a butenyl group, a pentenyl group, An alkenyl group such as a hexenyl group, and a cycloalkenyl group such as a cyclohexenyl group. Among them, preferred are a vinyl group and an allyl group.
(A-1)성분의 오르가노폴리실록산의 바람직한 구체예로는, 하기 일반식(1)로 표시되는, 분자쇄 양 말단의 규소원자의 각각에 적어도 1개의 알케닐기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산을 예시할 수 있다. 이 오르가노폴리실록산의 실온 에 있어서의 점도는, 상기에서도 서술한 바와 같이, 바람직하게는 100mPa·s 이상 10000mPa·s 이하이며, 보다 바람직하게는 100mPa·s 이상 5000mPa·s 이하이다.Specific preferred examples of the organopolysiloxane of the component (A-1) include linear organopolysiloxanes represented by the following general formula (1) and having at least one alkenyl group at each of the silicon atoms at both ends of the molecular chain, For example. The viscosity of the organopolysiloxane at room temperature is preferably 100 mPa · s or more and 10,000 mPa · s or less, more preferably 100 mPa · s or more and 5000 mPa · s or less, as described above.
[화학식 1][Chemical Formula 1]
(식 중, R1은 상기 서술한 바와 같이, 독립적으로, 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기이다. R2는 서로 동일 또는 이종의 지방족 불포화결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기이다. k 및 m은 독립적으로 0 또는 양의 정수이며, k+m은 이 오르가노폴리실록산의 실온에 있어서의 점도가 바람직하게는 100mPa·s 이상 10000mPa·s 이하가 되는 수이다.)
(As described formula, R 1 is described above, each independently, an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group. R 2 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having no aliphatic unsaturated bond of the same or different from each other. k and m are independently 0 or a positive integer, and k + m is a number such that the viscosity of the organopolysiloxane at room temperature is preferably 100 mPa · s or more and 10000 mPa · s or less.
R2의 지방족 불포화결합을 갖지 않는 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기로는, 탄소원자수 1~10, 특히 1~6인 것이 바람직하고, 상기 R1의 구체예와 동일한 것을 예시할 수 있으나, 단 알케닐기 및 시클로알케닐기는 포함하지 않는다.
The unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having no aliphatic unsaturated bond as R 2 preferably has 1 to 10 carbon atoms, particularly 1 to 6 carbon atoms, and examples of the same as the specific examples of R 1 may be mentioned. And does not include a cyano group and a cycloalkenyl group.
k 및 m은, 바람직하게는 0≤k≤2,000, 1≤m≤10,000이고, 또한 1≤k+m≤10,000을 만족시키는 0 또는 양의 정수이며, 보다 바람직하게는 5≤k+m≤2,000이고, 또한 0≤k/(k+m)≤0.2를 만족시키는 정수이다.
k and m are 0 or positive integers satisfying 0? k? 2,000, 1? m? 10,000 and 1? k + m? 10,000, more preferably 5? k + And is an integer satisfying 0? K / (k + m)? 0.2.
일반식(1)로 표시되는 오르가노폴리실록산으로서, 보다 구체적으로는, 하기의 것을 예시할 수 있다.As the organopolysiloxane represented by the general formula (1), more specifically, the following may be mentioned.
[화학식 2](2)
[화학식 3](3)
(상기 식에 있어서, k 및 m은 상기 서술한 바와 같다.)
(In the above formula, k and m are as described above.)
(A-1)성분의 오르가노폴리실록산의 더욱 구체적인 예는 이하와 같다.More specific examples of the organopolysiloxane of the component (A-1) are as follows.
[화학식 4][Chemical Formula 4]
<(A-2)수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산>≪ (A-2) Organopolysiloxane Having Resin Structure >
상기 열경화성 실리콘 조성물에서는, 지방족 불포화결합을 갖는 오르가노폴리실록산으로서, (A-1)성분의 본질적으로 직쇄상인 오르가노폴리실록산과 함께, 수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산이 (A-2)성분으로서 사용된다.
In the thermosetting silicone composition, an organopolysiloxane having a resin structure together with an organopolysiloxane which is essentially linear in the component (A-1) is used as the organopolysiloxane having an aliphatic unsaturated bond as the component (A-2) do.
(A-2)성분의 지방족 불포화기를 갖는 수지 구조의 오르가노폴리실록산은, 미리 3차원 가교되고, 3차원 망상구조를 갖는다. 이 오르가노폴리실록산은, R1 3SiO1 /2단위와, SiO4 /2단위로 이루어지나, 추가로 경우에 따라 R1SiO3 /2단위 및 R1 2SiO단위의 적어도 1종을 포함할 수도 있다. 즉, 기본적으로, R1 3SiO1 /2단위와 SiO4 /2단위로 이루어지나, 임의적으로 R1SiO3/2단위 및/또는 R1 2SiO단위를 적당히 함유하면 되는 것이다. 바람직하게는, R1 3SiO1/2단위와 SiO2단위로 이루어진다. 여기서, R1은 동일하거나 혹은 상이하고, 독립적으로, 치환 또는 비치환된, 바람직하게는 탄소원자수 1~10의, 일가탄화수소기이며, (A-1)성분에 관하여 설명한 바와 같다.
The organopolysiloxane having a resin structure having an aliphatic unsaturated group as the component (A-2) is three-dimensionally crosslinked in advance and has a three-dimensional network structure. The organopolysiloxane, R 1 3 SiO 1/2 units and, SiO 4 / pass comprises a second unit, can in some cases further containing at least one of R 1 SiO 3/2 units and R 1 2 SiO unit It is possible. In other words, by default, R 1 3 SiO 1 comprises a through / 2 units and SiO 4/2 units, R 1 SiO 3/2, optionally suitably containing a unit and / or R 1 2 SiO units. Preferably, it made of a R 1 3 SiO 1/2 units and SiO 2 units. Here, R 1 is the same or different, and is independently a substituted or unsubstituted, monovalent hydrocarbon group of preferably 1 to 10 carbon atoms, as described for the component (A-1).
또한, 이 오르가노폴리실록산은, 중량평균분자량이 500~10,000의 범위인 것이 호적하다.
It is also preferable that the organopolysiloxane has a weight average molecular weight in the range of 500 to 10,000.
(A-2)성분의 오르가노폴리실록산은 「수지 구조를 갖는다」는 점에서 (A-1)성분의 본질적으로 직쇄상인 오르가노폴리실록산과 상위하다. 본 명세서에 있어서, (A-2)성분의 오르가노폴리실록산이 「수지 구조를 갖는다」는 것은, 이 오르가노폴리실록산 중의 전체실록산단위 중, 5몰% 이상, 바람직하게는 10몰% 이상, 보다 바람직하게는 15~75몰%, 더욱 바람직하게는 25~50몰%가, SiO4 /2단위로 이루어진 것을 의미한다. 이 단위는 분자의 실록산골격을 3차원 망상구조로 하는 작용을 갖는다.
The organopolysiloxane of the component (A-2) is different from the organopolysiloxane which is essentially linear of the component (A-1) in that it has a "resin structure". In the present specification, the organopolysiloxane of the component (A-2) has a "resin structure" means that the total amount of the siloxane units in the organopolysiloxane is at least 5 mol%, preferably at least 10 mol% to 15 to 75 mol%, more preferably 25 to 50 mol%, it means consisting of SiO 4/2 units. This unit has a function of making the siloxane skeleton of the molecule into a three-dimensional network structure.
(A-2)성분의 수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산으로서 바람직한 것은, SiO4 /2단위(QB단위), R3 nR4 pSiO1 /2단위(MB1단위), 및 R3 qR4 rSiO1 /2단위(MB2단위)로 기본적으로 이루어지고, 임의로 2관능성 실록산단위 및 3관능성 실록산단위(즉, 오르가노실세스퀴옥산단위) 중 어느 하나 또는 양방을 적당히 포함할 수도 있는 오르가노폴리실록산이다. 여기서, R3은 비닐기 또는 알릴기이며, R4는 지방족 불포화결합을 포함하지 않는 일가탄화수소기이다. n은 2 또는 3, p는 0 또는 1이며, 또한 n+p=3이 되는 수이다. q는 0 또는 1, r은 2 또는 3이며, 또한 q+r=3이 되는 수이다.
(A-2), preferred as the organopolysiloxane having a resin structure of the components, SiO 4/2 units (QB unit), R 3 n R 4 p SiO 1/2 unit (MB1 units), and R 3 q R 4 r SiO & lt ; 2 > units (MB2 units), and may optionally contain at least one of bifunctional siloxane units and trifunctional siloxane units (i.e., organosilsesquioxane units) Lt; / RTI > Here, R 3 is a vinyl group or an allyl group, and R 4 is a monovalent hydrocarbon group not containing an aliphatic unsaturated bond. n is 2 or 3, p is 0 or 1, and n + p = 3. q is 0 or 1, r is 2 or 3, and q + r = 3.
또한, R4의 지방족 불포화결합을 포함하지 않는 치환 또는 비치환된 일가탄화수소기로는, 상기 R2와 동일한 탄소원자수 1~10, 특히 1~6인 것을 들 수 있다.
Furthermore, the monovalent hydrocarbon group substituted or unsubstituted does not contain an aliphatic unsaturated bond of R 4 may be mentioned, are the same carbon atoms of 1 to 10, in particular 1 to 6 and wherein R 2.
여기서, QB단위의 몰수를 s, MB1단위의 몰수를 m1, MB2단위의 몰수를 m2로 했을 때, 다음의 관계식(가) 및 (나):Here, when the number of moles of QB units is s, the number of moles of MB1 units is m1, and the number of moles of MB2 units is m2, the following relational expressions (A) and (B)
(m1+m2)/s=0.3~3, 특히 0.7~1 (가)(m1 + m2) / s = 0.3 to 3, particularly 0.7 to 1 (A)
m2/s=0.01~1, 특히 0.07~0.15 (나)m2 / s = 0.01 to 1, particularly 0.07 to 0.15 (b)
를 만족시키는 것이 바람직하다.
Is satisfied.
이러한 수지 구조의 오르가노폴리실록산의 합성은, 각각의 단위원이 되는 화합물을, 생성단위가 소요의 비율이 되도록 조합하고, 예를 들어 산의 존재하에서 공가수분해를 행함으로써 용이하게 행할 수 있다.
The synthesis of the organopolysiloxane having such a resin structure can be easily carried out by combining the respective compounds as the unit source in such a manner that the proportions of the resulting units are in a desired ratio and carrying out cohydrolysis in the presence of, for example, an acid.
여기서, 상기 QB단위원으로는, 규산소다, 알킬실리케이트, 폴리알킬실리케이트, 사염화규소 등을 예시할 수 있다.
Examples of the QB unit source include sodium silicate, alkyl silicate, polyalkyl silicate, silicon tetrachloride, and the like.
또한, MB1단위원으로는, 하기의 화합물을 예시할 수 있다.As the MB1 unit source, the following compounds can be exemplified.
[화학식 5][Chemical Formula 5]
추가로, MB2단위원으로는, 하기의 화합물을 예시할 수 있다.Further, as the MB2 unit source, the following compounds can be exemplified.
[화학식 6][Chemical Formula 6]
이 (A-2)성분의 수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산은, 얻어지는 경화물의 경도를 조정하기 위하여 배합되는 것이며, 상기 (A-1)성분과 (A-2)성분의 합계량당, 바람직하게는 0.1~50질량%, 보다 바람직하게는 1~30질량%의 양으로 배합된다. 이 (A-2)성분의 비율을 조정함으로써, 경화물의 경도를 조정할 수 있다.
The organopolysiloxane having the resin structure of the component (A-2) is blended in order to adjust the hardness of the resulting cured product. The organopolysiloxane is preferably used in an amount of 0.1 to 50% by mass, and more preferably 1 to 30% by mass. By adjusting the ratio of the component (A-2), the hardness of the cured product can be adjusted.
<(A-3)오르가노하이드로젠폴리실록산>≪ (A-3) Organohydrogenpolysiloxane >
(A-3)성분의 오르가노하이드로젠폴리실록산은, (A-1)성분 및 (A-2)성분과 반응하고, 가교제로서 작용하는 것이며, 이 성분 중의 SiH기와 (A-1)성분 및 (A-2)성분 중의 알케닐기 등의 지방족 불포화기가 부가반응함으로써 경화물을 형성하는 것이다. (A-3)성분은, 한 분자 중에 평균 2개 이상, 바람직하게는 평균 3개 이상의 규소원자결합수소원자(SiH기)를 갖는 것이며, 통상, 3~1,000개, 바람직하게는 3~500개, 보다 바람직하게는 3~200개, 더욱 바람직하게는 4~100개 정도의 규소원자결합수소원자를 갖는 것이 바람직하다.
The organohydrogenpolysiloxane of the component (A-3) reacts with the component (A-1) and the component (A-2) and acts as a crosslinking agent. The SiH group, the component (A- And the aliphatic unsaturated group such as an alkenyl group in the component (A-2) is subjected to addition reaction to form a cured product. The component (A-3) is a compound having an average of 2 or more, preferably an average of 3 or more silicon atom-binding hydrogen atoms (SiH groups) in one molecule and is usually 3 to 1,000, preferably 3 to 500 , More preferably 3 to 200 silicon atoms, and still more preferably 4 to 100 silicon atom-bonded hydrogen atoms.
(A-3)성분의 분자구조에는 특별히 제한은 없고, 종래 부가반응경화형 실리콘 조성물에 가교제로서 사용되어 있는 어느 것이나 사용할 수 있고, 예를 들어 선상, 환상, 분지상, 3차원 망상구조(수지상) 등 각종의 것이 사용 가능하다.
The molecular structure of the component (A-3) is not particularly limited, and any of those conventionally used as a crosslinking agent in the addition curing-type silicone composition can be used. Examples thereof include linear, cyclic, branched, And the like can be used.
한 분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 함유되는 규소원자결합수소원자는, 분자쇄 말단 및 분자쇄 비말단 중 어느 하나에 위치할 수도 있고, 또한 이 양방에 위치하는 것일 수도 있다. 이러한 수소원자 이외의, 규소원자에 결합한 1가의 원자 또는 치환기는, 모두 지방족 불포화결합을 포함하지 않는, 바람직하게는 탄소원자수 1~10의, 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기이다.
The silicon atom-bonded hydrogen atoms contained in two or more, preferably three or more, of the molecules may be located at either the molecular chain end or the non-molecular end, or both. The monovalent atom or substituent bonded to the silicon atom other than the hydrogen atom is preferably an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group containing no aliphatic unsaturated bond and having 1 to 10 carbon atoms.
상기 오르가노하이드로젠폴리실록산의 한 분자 중의 규소원자의 수(즉, 중합도)는, 통상 2~1,000개, 바람직하게는 3~300개, 보다 바람직하게는 4~150개 정도인 것이 바람직하고, 실온에 있어서의 점도가, 통상 0.1~100,000mPa·s, 바람직하게는, 0.5~5,000mPa·s 정도의, 실온에서 액상인 것을 사용할 수 있다.
The number of silicon atoms (i.e., the degree of polymerization) in one molecule of the organohydrogenpolysiloxane is usually from 2 to 1,000, preferably from 3 to 300, more preferably from 4 to 150, Having a viscosity of usually 0.1 to 100,000 mPa · s and preferably 0.5 to 5,000 mPa · s at room temperature can be used.
이 오르가노하이드로젠폴리실록산으로는, 예를 들어, 하기 평균조성식(2)로 표시되는 것이 이용된다.As this organohydrogenpolysiloxane, for example, those represented by the following average compositional formula (2) are used.
R5HcSiO(4-b-c)/2 (2)R 5 H c SiO (4-bc) / 2 (2)
(식 중, R5는, 지방족 불포화결합을 포함하지 않는, 바람직하게는 탄소원자수 1~10의, 규소원자에 결합한 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기이며, b는 0.7~2.1의 수, c는 0.001~1.0수로서, 또한 b+c가 0.8~3.0의 범위이다.)
(Wherein R 5 is an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group bonded to a silicon atom, preferably containing 1 to 10 carbon atoms, not containing an aliphatic unsaturated bond, b is a number of 0.7 to 2.1, c is 0.001 to 1.0, and b + c is in the range of 0.8 to 3.0).
상기 R5로 표시되는 지방족 불포화결합을 포함하지 않는 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기로는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기; 이들 탄화수소기의 수소원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐원자로 치환한 것, 예를 들어 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플로로프로필기 등을 들 수 있다. 이들의 비치환 또는 치환된 일가탄화수소기 중에서도, 바람직하게는 알킬기, 아릴기이며, 보다 바람직하게는 메틸기, 페닐기이다.
Examples of the unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group containing no aliphatic unsaturated bond represented by R 5 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert- An alkyl group such as a methyl group, a butyl group, a neopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, an octyl group, a nonyl group and a decyl group; Aryl groups such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group and a naphthyl group; An aralkyl group such as a benzyl group, a phenylethyl group or a phenylpropyl group; Those in which some or all of the hydrogen atoms of these hydrocarbon groups are substituted with halogen atoms such as fluorine, bromine, and chlorine, such as chloromethyl, chloropropyl, bromoethyl and trifluoropropyl groups. Among these unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon groups, alkyl group and aryl group are preferable, and methyl group and phenyl group are more preferable.
또한, 바람직하게는, b는 1.0~2.0의 수, c는 0.01~1.0의 수로서, b+c가 1.5~2.5인 범위이다.
Preferably, b is in the range of 1.0 to 2.0, c is in the range of 0.01 to 1.0, and b + c is in the range of 1.5 to 2.5.
이러한 오르가노하이드로젠폴리실록산은, 통상, R5SiHCl2, (R5)3SiCl, (R5)2SiCl2, (R5)2SiHCl(R5는, 상기와 같다)과 같은 클로로실란을 가수분해하거나, 가수분해하여 얻어진 실록산을 평형화함으로써 얻을 수 있다.
This organohydrogenpolysiloxane is a conventional, R 5 SiHCl 2, (R 5) 3 SiCl, (R 5) 2
평균조성식(2)로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산으로서, 구체적으로는, 예를 들어, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 트리스(하이드로젠디메틸실록시)메틸실란, 트리스(하이드로젠디메틸실록시)페닐실란, 메틸하이드로젠시클로폴리실록산, 메틸하이드로젠실록산·디메틸실록산환상 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기봉쇄메틸하이드로젠폴리실록산, 양 말단 트리메틸실록시기봉쇄디메틸실록산·메틸하이드로젠실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로젠실록시기봉쇄디메틸폴리실록산, 양 말단 디메틸하이드로젠실록시기봉쇄디메틸실록산·메틸하이드로젠실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기봉쇄메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기봉쇄메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기봉쇄메틸하이드로젠실록산·메틸페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, 양 말단디메틸하이드로젠실록시기봉쇄메틸하이드로젠실록산·디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체, 양 말단디메틸하이드로젠실록시기봉쇄메틸하이드로젠실록산·디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2단위와 (CH3)3SiO1 /2단위와 SiO4 /2단위로 이루어진 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2단위와 SiO4 /2단위로 이루어진 공중합체, (CH3)2HSiO1 /2단위와 SiO단위와 (C6H5)3SiO1 /2단위로 이루어진 공중합체 등을 들 수 있다.
Specific examples of the organohydrogenpolysiloxane represented by the average composition formula (2) include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, (Hydrogensilethylsiloxy) methylsilane, tris (hydrogendimethylsiloxy) phenylsilane, methylhydrogenocyclopolysiloxane, methylhydrogenosiloxane-dimethylsiloxane cyclic copolymer, both terminal trimethylsiloxy group-blocked methylhydrogenpolysiloxane, End trimethylsiloxane blocked dimethylsiloxane · methylhydrogensiloxane copolymer, both terminal dimethylhydrogensiloxy blocked dimethylpolysiloxane, both terminal dimethylhydrogensiloxy blocked dimethylsiloxane · methylhydrogensiloxane copolymer, both terminal trimethylsiloxy groups Blocked methylhydrogensiloxane-diphenylsiloxane copolymer, both terminal trimethylsiloxy group blocked methylhydrogensil Acid · diphenylsiloxane · dimethylsiloxane copolymer, both terminal trimethylsiloxy group blocked methylhydrogenosiloxane · methylphenylsiloxane · dimethylsiloxane copolymer, both ends dimethylhydrogensiloxy group blocked methylhydrogenosiloxane · dimethylsiloxane · diphenylsiloxane aerial copolymer, both ends of dimethyl hydrogen siloxy group blocked methyl hydrogen siloxane-dimethyl siloxane-methylphenyl siloxane copolymer, (CH 3) 2 HSiO 1 /2 units and (CH 3) 3 SiO 1/ 2 units and SiO 4/2 units copolymer, (CH 3) 2 HSiO 1 / copolymer consisting of 2 units and SiO 4/2 units, (CH 3) 2 HSiO 1 /2 units and SiO units and (C 6 H 5) consisting of 3 SiO 1 / 2 units, and the like.
더욱 구체적으로는, 하기 식으로 표시되는 구조의 하이드로젠오르가노실록산을 예시할 수 있다.More specifically, a hydrogel organosiloxane having a structure represented by the following formula can be exemplified.
[화학식 7](7)
[화학식 8][Chemical Formula 8]
(상기 식 중, L은 0~200의 정수, M은 1~200의 정수, R6은 에폭시기, (메트)아크릴록시기, 알콕시실릴기로부터 선택되는 관능기를 함유하는 관능기치환 알킬기이다.)
(Wherein L is an integer of 0 to 200, M is an integer of 1 to 200, and R 6 is a functional group-substituted alkyl group containing a functional group selected from an epoxy group, a (meth) acryloxy group and an alkoxysilyl group.
또한, (A-3)성분의 오르가노하이드로젠폴리실록산의 배합량은, 상기 (A-1)성분 및 (A-2)성분의 경화유효량이며, 특히 이것에 포함되는 규소원자결합수소원자가, (A-1)성분 및 (A-2)성분 중의 알케닐기 등의 지방족 불포화기의 합계 1몰당 0.8~4.0몰인 것이 바람직하고, 1.0~3.0몰인 것이 보다 바람직하고, 1.0~2.0몰인 것이 더욱 바람직하다. (A-3)성분이 4.0몰 이하이면, 미반응의 규소원자결합수소원자가 경화물 중에 다량으로 잔존한 결과, 고무물성이 경시적으로 변화하는 원인이 될 우려가 없으므로 바람직하다.
The amount of the organohydrogenpolysiloxane of the component (A-3) is the curing effective amount of the component (A-1) and the component (A-2) Is preferably 0.8 to 4.0 mols, more preferably 1.0 to 3.0 mols, and further preferably 1.0 to 2.0 mols per mol of the total amount of the aliphatic unsaturated groups such as an alkenyl group in the component (A-1) and the component (A-2). When the amount of the component (A-3) is 4.0 mol or less, a large amount of unreacted silicon atom-bonded hydrogen atoms remain in the cured product, which is preferable because the rubber property does not change with time.
<(A-4)백금족 금속계 촉매>≪ (A-4) Platinum group metal catalyst >
(A-4)성분의 백금족 금속계 촉매는 본 발명의 조성물의 부가경화반응을 발생시키는 작용을 갖는다. 이 촉매로는, 백금계, 팔라듐계, 로듐계인 것이 있으나, 비용 등의 견지로부터 백금, 백금흑, 염화백금산 등의 백금계인 것, 예를 들어, H2PtCl6·mH2O, K2PtCl6, KHPtCl6·mH2O, K2PtCl4,K2PtCl4·mH2O, PtO2·mH2O(m은, 양의 정수) 등이나, 이들과, 올레핀 등의 탄화수소, 알코올 또는 비닐기함유 오르가노폴리실록산과의 착체 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로도 2종 이상을 조합하여도 사용할 수 있다.
The platinum group metal catalyst of the component (A-4) has an effect of causing addition curing reaction of the composition of the present invention. Examples of the catalyst include platinum-based, palladium-based, and rhodium-based catalysts. From the standpoint of cost and the like, platinum-based catalysts such as platinum, platinum black and chloroplatinic acid, for example, H 2 PtCl 6 .mH 2 O and K 2 PtCl 6 , KHPtCl 6 .mH 2 O, K 2 PtCl 4 , K 2 PtCl 4 .mH 2 O, PtO 2 .mH 2 O (m is a positive integer) and the like and hydrocarbons such as olefins, alcohols or vinyl And a complex with a group-containing organopolysiloxane. These may be used alone or in combination of two or more.
(A-4)성분의 배합량은 하이드로실릴화촉매로서의 유효량이면 되고, 바람직하게는 (A-1)~(A-3)성분의 합계질량에 대하여 백금족 금속원소의 질량환산으로 0.1~1,000ppm의 범위이며, 보다 바람직하게는 1~500ppm의 범위이다.
The amount of the component (A-4) may be an effective amount as the hydrosilylation catalyst, preferably 0.1 to 1,000 ppm in terms of mass of the platinum group metal element relative to the total mass of the components (A-1) to And more preferably in the range of 1 to 500 ppm.
[(B)도전성 입자][(B) conductive particle]
본 발명의 접착제를 구성하는 (B)성분은, 평균입경 1μm 이하의 도전성 입자이다. 상기 도전성 입자는, 1차입경으로 100nm 이하의 도전성 나노입자인 것이 바람직하다. 평균입경이 1μm를 초과하면, 조대입자의 영향으로, 후에 서술하는 BLT가 5μm 이하가 되지 않고, 안정된 도전성을 얻는 것이 어렵다. 평균입경의 하한에 특별히 제한은 없다. 이러한 도전성 입자로는, 금속입자, 도전성 무기산화물 등을 이용할 수 있고, 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 입자의 바람직한 형상으로서, 구상, 플레이크상, 침상, 무정형 등을 들 수 있으나, 이것으로 한정되지 않는다.
The component (B) constituting the adhesive of the present invention is a conductive particle having an average particle diameter of 1 μm or less. It is preferable that the conductive particles are conductive nanoparticles having a diameter of 100 nm or less as primary particles. If the average particle diameter exceeds 1 占 퐉, the BLT to be described later does not become 5 占 퐉 or less due to the influence of coarse particles, and it is difficult to obtain stable conductivity. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited. As such conductive particles, metal particles, conductive inorganic oxides and the like can be used, and they may be used alone or in combination of two or more. Preferable shapes of the particles include, but are not limited to, spherical, flaky, acicular, amorphous, and the like.
본 발명에 있어서의 평균입경은, 체적기준입도분포에 있어서의 메디안 직경(D50)이며, D50값은, 레이저회절·산란법에 의해 얻어진 입도분포로부터 구해지는 것 외에, 주사형 전자현미경(SEM) 등을 이용하여 관측된 입자상으로부터 산출할 수 있다.
The average particle diameter in the present invention is the median diameter (D 50 ) in the volume-based particle size distribution, and the D 50 value is determined from the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method, SEM) or the like.
금속입자로는, 예를 들어, 금, 니켈, 구리, 은, 땜납, 팔라듐, 알루미늄, 이들의 합금, 이들의 다층화물(예를 들어, 니켈도금/금플래시도금물) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도전성 입자에 의한 착색의 영향이 적은, 은이 바람직하다.
Examples of the metal particles include gold, nickel, copper, silver, solder, palladium, aluminum, alloys thereof, and multilayered products thereof (for example, nickel plating / gold flash plating). Among them, silver, which is less influenced by the coloring by the conductive particles, is preferable.
또한, 도전성 무기산화물로서, 무기산화물(무기입자)에 도전성을 부여한 것을 사용할 수 있다. 이러한 도전성을 부여한 무기입자로는, ITO(인듐-주석계 산화물), ATO(주석-안티몬계 산화물), 산화티탄(TiO2), 질화붕소(BN), 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 무기유리 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수지 조성물 중에 분산했을 때, 투명해지기 쉬운 ITO, ATO, 산화규소가 바람직하다. 도전성 무기산화물의 피복층은, 도전성이 부여되어 있으면 되고, 무기입자를 은 등의 금속재료로 피복한 것일 수도 있고, 산화주석에 안티몬을 도프, 산화인듐에 주석을 도프하는 등, 도전성의 피복층을 마련할 수도 있다. 무기입자의 형상으로는 무정형, 구상, 인편상, 침상 등을 들 수 있다.
As the conductive inorganic oxide, an inorganic oxide (inorganic particle) imparted with conductivity may be used. Examples of the inorganic particles having such conductivity include ITO (indium-tin oxide), ATO (tin-antimony oxide), titanium oxide (TiO 2 ), boron nitride (BN), zinc oxide (ZnO) 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), inorganic glass, and the like. Among them, ITO, ATO, and silicon oxide, which tend to become transparent when dispersed in a resin composition, are preferable. The coating layer of the conductive inorganic oxide may be provided with conductivity, and the inorganic particles may be coated with a metal material such as silver. Alternatively, a conductive coating layer may be prepared by doping antimony with tin oxide or tin with indium oxide You may. Examples of the shape of the inorganic particles include amorphous, spherical, scaly, acicular, and the like.
본 발명의 접착제에 있어서, (B)성분의 함유량은, (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만이며, 바람직하게는 0.001~0.08체적%, 보다 바람직하게는 0.01~0.05체적%의 범위이다. (B)성분의 함유량이 0.1체적% 이상이 되면, 본 발명의 접착제의 고투명성이 손상되어, 전광선투과율의 저하 및 헤이즈값의 상승을 초래하기 때문에, 고투명한 경화물로 할 수 없다. 나아가, 광반도체 소자로부터의 광취출효율을 저하시키는 원인이 된다.
In the adhesive of the present invention, the content of the component (B) is preferably greater than 0% by volume, more preferably less than 0.1% by volume, more preferably from 0.001% to 0.08% by volume based on the solid content of the component (A) Is in the range of 0.01 to 0.05% by volume. When the content of the component (B) is 0.1% by volume or more, high transparency of the adhesive of the present invention is impaired, resulting in lowering of the total light transmittance and increase of the haze value. Further, it is a cause of lowering the light extraction efficiency from the optical semiconductor element.
[(C)기타 성분][(C) Other components]
조성물의 투명성을 더욱 유지하고, 경화물의 착색, 산화열화 등의 발생을 억제하기 위하여, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등의 종래 공지의 산화방지제를 본 발명의 접착제에 배합할 수 있다. 또한, 광열화에 대한 저항성을 부여하기 위하여, 힌더드아민계 안정제 등의 광안정제를 본 발명의 접착제에 배합할 수도 있다.
In order to further maintain the transparency of the composition and to suppress the occurrence of discoloration and oxidation deterioration of the cured product, a conventionally known antioxidant such as 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol is added to the adhesive of the present invention can do. Further, a light stabilizer such as a hindered amine stabilizer may be added to the adhesive of the present invention in order to impart resistance to light-induced degradation.
본 발명의 접착제의 강도를 향상시키고, 틱소성(チクソ性)을 부여하기 위하여, 추가로, 흄드실리카, 나노알루미나 등의 무기질충전제를 배합할 수도 있다. 필요에 따라, 본 발명의 접착제에, 염료, 안료, 난연제 등을 배합할 수도 있다.
An inorganic filler such as fumed silica, nano alumina or the like may be further added to improve the strength of the adhesive of the present invention and to give a tin (tack) property. If necessary, a dye, a pigment, a flame retardant and the like may be added to the adhesive of the present invention.
또한, 작업성을 개선하는 목적으로 용제 등을 첨가하여 사용하는 것도 가능하다. 용제의 종류는 특별히 제한되는 것이 아니고, 경화 전의 수지 조성물을 용해하고, 도전성 입자를 양호하게 분산시키고, 균일한 다이본드재 혹은 접착제 등을 제공할 수 있는 용제를 사용할 수 있다. 이 용제의 배합비율은 다이본드재 등을 사용하는 작업조건, 환경, 사용시간 등에 따라 적당히 조정하면 된다. 용제는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이러한 용제로는, 부틸카르비톨아세테이트, 카르비톨아세테이트, 메틸에틸케톤, α-테르피네올, 및 셀로솔브아세테이트 등을 들 수 있다.
It is also possible to add a solvent or the like for the purpose of improving workability. The type of the solvent is not particularly limited, and a solvent capable of dissolving the resin composition before curing, dispersing the conductive particles well, and providing a uniform die-bonding material or adhesive can be used. The compounding ratio of the solvent may be appropriately adjusted according to working conditions, environment, use time, etc. using a die bond material or the like. Two or more kinds of solvents may be used in combination. Examples of such a solvent include butyl carbitol acetate, carbitol acetate, methyl ethyl ketone,? -Terpineol, and cellosolve acetate.
또한, 본 발명의 접착제는, 그 접착성을 향상시키기 위한 접착부여제를 함유할 수도 있다. 이 접착부여제로는, 실란커플링제나 그 가수분해축합물 등이 예시된다. 실란커플링제로는, 에폭시기함유 실란커플링제, (메트)아크릴기함유 실란커플링제, 이소시아네이트기함유 실란커플링제, 이소시아누레이트기함유 실란커플링제, 아미노기함유 실란커플링제, 메르캅토기함유 실란커플링제 등 공지의 것이 예시되고, (A)성분의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1~20질량부, 보다 바람직하게는 0.3~10질량부 이용할 수 있다.
The adhesive of the present invention may contain an adhesion-imparting agent for improving the adhesiveness. Examples of the adhesive agent include silane coupling agents and hydrolyzed condensates thereof. Examples of the silane coupling agent include epoxy group-containing silane coupling agents, (meth) acrylate group-containing silane coupling agents, isocyanate group-containing silane coupling agents, isocyanurate group-containing silane coupling agents, amino group-containing silane coupling agents, Coupling agents, and the like. The amount is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.3 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the total amount of the component (A).
본 발명의 접착제는, 상기 각 성분을, 공지의 혼합방법, 예를 들어, 믹서, 롤 등을 이용하여 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 접착제는, 회전점도계, 예를 들어, E형 점도계를 이용하여 25℃에서 측정한 점도가 바람직하게는 10~1,000,000mPa·s, 보다 바람직하게는 100~1,000,000mPa·s, 특히 바람직하게는 100~40,000mPa·s이다.
The adhesive of the present invention can be produced by mixing each of the above components by a known mixing method, for example, using a mixer, a roll, or the like. The viscosity of the adhesive of the present invention measured at 25 캜 using a rotational viscometer, for example, an E-type viscometer is preferably 10 to 1,000,000 mPa · s, more preferably 100 to 1,000,000 mPa · s, And preferably from 100 to 40,000 mPa · s.
본 발명의 접착제는, 열에 의한 경화, 활성 에너지선에 의한 경화 등, 공지의 경화방법에 의해 경화시킬 수 있다. 구체적으로는, (A)성분에 열경화성 수지를 이용한 경우, 통상 80~200℃, 바람직하게는 100~160℃에서 가열함으로써, 이 접착제를 경화시킬 수 있다. 가열시간은, 0.5분~5시간 정도, 특히 1분~3시간 정도이면 된다. 상기 경화방법은, 작업조건, 생산성, 발광소자 및 광체내열성과의 밸런스로부터 적당히 선정할 수 있다.
The adhesive of the present invention can be cured by a known curing method such as curing by heat or curing by an active energy ray. Specifically, when a thermosetting resin is used for the component (A), the adhesive can be cured by heating at 80 to 200 ° C, preferably 100 to 160 ° C. The heating time may be about 0.5 minutes to 5 hours, particularly about 1 minute to 3 hours. The curing method can be appropriately selected from a balance between working conditions, productivity, light emitting element and optical body heat resistance.
본 발명의 접착제는, 수직형 LED 칩을 패키지에 고정하기 위하여 호적하게 이용할 수 있다. 또한, 기타 발광다이오드(LED), 유기전계발광소자(유기EL), 레이저다이오드, 및 LED 어레이 등의 광반도체 소자에도 호적하게 이용할 수 있다.
The adhesive of the present invention can be suitably used for fixing the vertical type LED chip to the package. It can also be suitably used for optical semiconductor devices such as other light emitting diodes (LEDs), organic electroluminescent devices (organic EL), laser diodes, and LED arrays.
나아가 본 발명에서는, 상기 접착제로 이루어지고, 반도체 소자를 배선판에 도전접속하기 위하여 사용할 수 있는 다이본드재를 제공한다.
Further, the present invention provides a die bond material which is made of the adhesive and can be used for electrically connecting semiconductor devices to a wiring board.
본 발명의 접착제는, 고투명이며, 또한 접착강도 및 작업성이 우수하고, 내열성 및 내광성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 따라서, 상기 접착제로 이루어진 다이본드재이면, LED 칩을 배선판에 탑재하기 위한 접착제로서 광의 취출효율을 손상시키는 일 없이 호적하게 이용할 수 있다.
The adhesive of the present invention can give a cured product having high transparency, excellent adhesive strength and workability, and excellent heat resistance and light resistance. Therefore, the die-bonding material made of the above adhesive can be suitably used as an adhesive for mounting the LED chip on the wiring board without deteriorating the light extraction efficiency.
나아가, 본 발명의 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물은 BLT가 5μm 이하인 경우에 있어서 사용되는 것이 바람직하다. BLT는 도전접속을 행하는 부재간의 거리를 의미하고, 도전성 경화물층의 두께로 이해할 수 있다. BLT가 5μm 이하이면, (B)성분의 도전성 입자가 극미량만 첨가된 경우에도, 부재간을 유효하게 전기적으로 접속할 수 있다. 상기 도전성 입자의 함유량이 적으면, 보다 고투명한 경화물을 얻을 수 있고, 또한, 경제적으로도 유용하다. BLT는 작은 값을 취하는 편이, 전극간 거리가 좁아지므로 바람직하다. 나아가, BLT는 작은 값을 취하는 편이, 열저항이 저감되는 점에서, 광반도체 소자의 발광에 의해 발해진 열의 방열에도 유리하다.
Further, the cured product obtained by curing the die bonding material of the present invention is preferably used when the BLT is 5 탆 or less. BLT means the distance between members for conducting connection, which can be understood as the thickness of the conductive cured layer. When the BLT is 5 m or less, it is possible to electrically connect the members effectively even when only a very small amount of the conductive particles of the component (B) is added. When the content of the conductive particles is small, a more transparent cured product can be obtained and it is economically advantageous. The smaller value of BLT is preferable because the distance between electrodes becomes narrower. Furthermore, taking a smaller value of BLT is advantageous also in heat dissipation of heat generated by the light emission of the optical semiconductor element because the thermal resistance is reduced.
다이본드재를 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 스핀코팅, 인쇄, 및 압축성형 등을 들 수 있다. 다이본드재의 두께는 적당히 선택하면 되고, 통상 5~50μm, 특히 10~30μm이다. 예를 들어, 디스펜스장치를 이용하여 23℃의 온도, 0.5~5kgf/cm2의 압력으로 토출함으로써 용이하게 도포할 수 있다. 또한, 스탬핑장치를 이용함으로써, 소정량의 다이본드재를 기판에 전사함으로써도 용이하게 할 수 있다.
The method of applying the die bond material is not particularly limited, and examples thereof include spin coating, printing, and compression molding. The thickness of the die-bonding material is appropriately selected, and is usually 5 to 50 탆, particularly 10 to 30 탆. For example, it can be easily applied by discharging at a temperature of 23 캜 and a pressure of 0.5 to 5 kgf / cm 2 using a dispensing apparatus. Further, by using a stamping apparatus, it is also possible to easily transfer a predetermined amount of the die bonding material to the substrate.
광반도체 소자의 탑재방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 다이본더를 들 수 있다. 다이본드재의 두께를 결정하는 요소는, 상기 서술한 다이본드재의 점도에 더하여, 광반도체 소자의 압착하중, 압착시간, 압착온도를 들 수 있다. 이들 조건은, 광반도체 소자의 외형형상, 목적으로 하는 다이본드재 두께에 따라 적당히 선택하면 되고, 압착하중은 일반적으로 1gf 이상 1kgf 이하이다. 바람직하게는 10gf 이상 100gf 이하이다. 1gf 이상의 압착하중이면, 다이본드재를 충분히 압착할 수 있다. 또한 1kgf 이하의 압착하중을 이용하면, 광반도체 소자표면의 발광층에 데미지를 부여하는 일이 없다. 압착시간은 공정의 생산성과의 균형으로 적당히 선택하면 되고, 일반적으로 0msec 초과 1sec 이하이다. 바람직하게는 1msec 이상 30msec이다. 1sec 이하이면 생산성의 점에서 바람직하다. 압착온도는 특별히 제한은 없고, 다이본드재의 사용온도범위에 따르면 되나, 일반적으로 15℃ 이상 100℃ 이하이면 바람직하다. 다이본더의 압착스테이지에 가온설비가 없는 경우는 실온 부근에서의 온도대에서 사용하면 된다. 15℃ 이상이면, 다이본드재의 점도가 과도하게 높아지지 않으므로 충분히 압착할 수 있다. 100℃ 이하이면, 다이본드재의 경화가 시작되는 일이 없으므로, 목적으로 하는 다이본드재의 두께에 도달할 수 있다.
The mounting method of the optical semiconductor element is not particularly limited, and for example, a die bonder can be mentioned. The factors determining the thickness of the die bond material include, in addition to the viscosity of the die bond material described above, the compressive load, the compression time, and the compression temperature of the optical semiconductor element. These conditions can be appropriately selected in accordance with the outer shape of the optical semiconductor element and the intended thickness of the die bond material, and the compression load is generally 1 gf or more and 1 kgf or less. And preferably 10 gf or more and 100 gf or less. When the bonding load is 1 gf or more, the die bonding material can be sufficiently pressed. Further, when a compression load of 1 kgf or less is used, no damage is given to the light emitting layer on the surface of the optical semiconductor element. The compression time may be appropriately selected in view of the balance with the productivity of the process, and is generally 0 msec to 1 sec. It is preferably 1 msec or more and 30 msec. If it is 1 sec or less, it is preferable from the viewpoint of productivity. The squeezing temperature is not particularly limited and may be determined according to the use temperature range of the die bond material, but it is generally preferable that the squeezing temperature is not less than 15 ° C and not more than 100 ° C. If there is no heating facility on the compression bonding stage of the die bonder, it may be used in a temperature zone near room temperature. If it is 15 DEG C or more, the viscosity of the die-bonding material is not excessively increased, so that it can be sufficiently pressed. If it is 100 DEG C or less, the curing of the die bonding material is not started, and the thickness of the intended die bonding material can be reached.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 접착제를 이용하고, BLT를 5μm 이하로 하여 광반도체 소자와 기판을 도전접속하는 것을 특징으로 하는 도전접속방법을 제공한다. 이러한 도전접속방법이면, 광반도체 소자와 기판의 도전접속을 확실히 달성할 수 있다.
Further, in the present invention, there is provided a conductive connection method characterized in that the adhesive of the present invention is used and the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected to each other with a BLT of 5 μm or less. With such a conductive connection method, the conductive connection between the optical semiconductor element and the substrate can be reliably achieved.
나아가 본 발명에서는, 상기 본 발명의 도전접속방법에 의해 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 것을 특징으로 하는 광반도체 장치를 제공한다. 본 발명의 광반도체 장치는, 본 발명의 도전접속방법에 의해 얻어진 것이므로, 광취출효율이 높고, 내열성 및 내광성을 갖는 것이 되며, 도전접속이 확실히 달성된 것이 된다.
Further, in the present invention, there is provided an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected by the above-mentioned conductive connection method of the present invention. Since the optical semiconductor device of the present invention is obtained by the conductive connection method of the present invention, it has high light extraction efficiency, has heat resistance and light resistance, and can achieve the conductive connection surely.
이하, 본 발명의 광반도체 장치의 일 태양에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 접착제로 이루어진 다이본드재를 이용하여 광반도체 소자와 기판이 도전접속된 광반도체 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 이 광반도체 장치는, 광반도체 소자(4)의 하부전극과 제1 리드(2)를 다이본드재(1)에 의해, 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(4)의 상부전극과 제2 리드(3)를 와이어(5)에 의해 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(4)를 봉지재(6)로 봉지한 것이다.
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element and a substrate are electrically connected to each other by using a die bond material made of an adhesive of the present invention. In this optical semiconductor device, the lower electrode of the
도 1의 광반도체 장치의 제조방법(본 발명의 도전접속방법)으로는, 이하의 방법을 예시할 수 있다.As the method of manufacturing the optical semiconductor device of Fig. 1 (the conductive connection method of the present invention), the following methods can be exemplified.
패키지기판 상의 제1 리드(2)에, 다이본드재(1)를 정량전사하고, 그 위에 광반도체 소자(4)를 탑재한다. 이어서 다이본드재(1)를 가열경화시키고, 광반도체 소자(4)의 하부전극과 제1 리드(2)를 전기적으로 접속한다. 이때, 본 발명의 도전접속방법에서는, BLT를 5μm 이하로 한다. BLT를 5μm 이하로 하는 방법으로는, 예를 들어, 조성물의 점도를 조정하는 방법, 조성물의 기판에 대한 도포량을 조절하는 방법, 광반도체 소자를 기판에 다이본드할 때의 압력을 제어하는 방법 등을 들 수 있다. 이어서, 광반도체 소자(4)가 탑재된 패키지기판을, 광반도체 소자(4)의 상부전극과 제2 리드(3)에 대하여 와이어(5)를 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자(4)가 탑재된 패키지기판을 얻는다. 이어서, 봉지재(6)를 정량도포하고, 봉지재(6)의 가열경화를 행한다.
The
본 발명의 접착제를 경화하여 얻어지는 경화물의 BLT가 5μm를 초과하면, (B)성분의 도전성 입자에 의한 전기적인 접속효과를 잃게 되어, 도전성의 경화물로서 이용할 수 없고, 반도체 소자와 기판을 도전접속할 수 있다. 이 경우, (B)성분의 함유량을 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0.1체적% 이상으로 하면 도전성은 회복되나, 전광선투과율의 저하, 및 헤이즈값의 상승을 초래하므로, 고투명한 경화물로 할 수 없다. 나아가, 열저항의 증대의 원인이 되므로, 바람직하지 않다.
If the BLT of the cured product obtained by curing the adhesive of the present invention exceeds 5 탆, the electrical connection effect of the conductive particles of the component (B) is lost and can not be used as a conductive hardened material. . In this case, when the content of the component (B) is 0.1% by volume or more based on the solid content of the component (A), the conductivity is recovered, but the total light transmittance is lowered and the haze value is increased. Can not. Further, it is not preferable because it causes an increase in heat resistance.
실시예
Example
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명은 이들로 제한되는 것은 아니다. 또한, 하기의 예에 있어서, 각 성분의 평균조성을 나타내는 기호는 이하와 같은 단위를 나타낸다.EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto. In the following examples, the symbol representing the average composition of each component represents the following unit.
MH: (CH3)2HSiO1 /2 M H: (CH 3) 2
M: (CH3)3SiO1 /2 M: (CH 3) 3 SiO 1/2
MVi: (CH2=CH)(CH3)2SiO1 /2 M Vi: (CH 2 = CH ) (CH 3) 2
DH: (CH3)HSiO2 /2 D H: (CH 3) HSiO 2/2
Dφ: (C6H6)2SiO2 /2 D φ: (C 6 H 6 ) 2
D: (CH3)2SiO2 /2 D: (CH 3) 2 SiO 2/2
Tφ: (C6H6)2SiO3 /2 T φ: (C 6 H 6 ) 2
Q: SiO4 /2
Q: SiO 4/2
[(A)성분][Component (A)] [
[조제예 1][Preparation Example 1]
((A-1)성분)평균조성식: MViD40MVi의 실리콘오일 35질량부,(Component (A-1)) 35 parts by mass of silicone oil having an average composition formula: M Vi D 40 M Vi ,
((A-2)성분)M단위와 MVi단위와 Q단위로 구성되고, MVi단위에 대한 M단위의 몰비가 6.25이며, Q단위에 대한 M단위와 MVi단위의 합계의 몰비가 0.8인 실리콘레진 65질량부,(Component (A-2)), a M Vi unit and a Q unit, wherein the mole ratio of M units to M Vi units is 6.25, and the molar ratio of the sum of M units and M Vi units to Q units is 0.8 65 parts by mass of silicone resin,
((A-3)성분)평균구조식: MDH 80M으로 표시되는 메틸하이드로젠실록산 8질량부,((A-3) component), the average structural formula: 8 parts by mass of methylhydrogen siloxane represented by the MD 80 H M,
((A-4)성분)염화백금산/1,3-디비닐테트라메틸디실록산착체를 백금원자함유량으로서 1질량% 함유하는 톨루엔용액 0.06질량부,(Component (A-4)) 0.06 parts by mass of a toluene solution containing a chloroplatinic acid / 1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex in an amount of 1 mass% as a platinum atom content,
에티닐시클로헥산올 0.05질량부, 및0.05 parts by mass of ethynylcyclohexanol, and
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 3질량부3 parts by mass of? -glycidoxypropyltrimethoxysilane
를 교반, 혼합하여 실리콘 조성물(I)을 조제하였다.
Were mixed and stirred to prepare silicone composition (I).
[조제예 2][Preparation Example 2]
((A-1)성분)평균조성식: MVi 2Dφ 2.8의 실리콘오일: 31질량부,(Component (A-1)) Silicon oil having an average composition formula: M Vi 2 D ? 2.8 : 31 parts by mass,
((A-2')성분)평균조성식: Tφ 0.75MVi 0 .25로 표시되는 분지쇄상 오르가노폴리실록산[성상=고체(25℃), 표준폴리스티렌환산의 중량평균분자량=1600] 59질량부,((A-2 ') component), the average composition formula: M Vi 0.75 T φ branched-chain organopolysiloxane represented by 0 .25 [aqueous phase = solid (25 ℃), the standard polystyrene-reduced weight-average molecular weight = 1600] 59 parts by weight ,
((A-3)성분)평균조성식: MHDH 2Dφ 2MH로 표시되는 메틸하이드로젠실록산: 6.4질량부,((A-3) component), the average composition formula: methylhydrogen siloxane represented by M H D H 2 D φ 2 M H: 6.4 parts by weight,
((A-4)성분)염화백금산/1,3-디비닐테트라메틸디실록산착체를 백금원자함유량으로서 1질량% 함유하는 톨루엔용액 0.06질량부,(Component (A-4)) 0.06 parts by mass of a toluene solution containing a chloroplatinic acid / 1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex in an amount of 1 mass% as a platinum atom content,
에티닐시클로헥산올 0.05질량부, 및0.05 parts by mass of ethynylcyclohexanol, and
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 3질량부3 parts by mass of? -glycidoxypropyltrimethoxysilane
를 교반, 혼합하여 실리콘 조성물(II)을 조제하였다.
Were mixed and stirred to prepare a silicone composition (II).
[조제예 3][Preparation Example 3]
((A-1)성분)평균조성식: MViD300MVi의 실리콘오일 35질량부,(Component (A-1)) 35 parts by mass of silicone oil having an average composition formula: M Vi D 300 M Vi ,
((A-2)성분)M단위와 MVi단위와 Q단위로 구성되고, MVi단위에 대한 M단위의 몰비가 6.25이며, Q단위에 대한 M단위와 MVi단위의 합계의 몰비가 0.8인 실리콘레진 65질량부,(Component (A-2)), a M Vi unit and a Q unit, wherein the mole ratio of M units to M Vi units is 6.25, and the molar ratio of the sum of M units and M Vi units to Q units is 0.8 65 parts by mass of silicone resin,
((A-3)성분)평균구조식: MDH 80M으로 표시되는 메틸하이드로젠실록산 8질량부,((A-3) component), the average structural formula: 8 parts by mass of methylhydrogen siloxane represented by the MD 80 H M,
((A-4)성분)염화백금산/1,3-디비닐테트라메틸디실록산착체를 백금원자함유량으로서 1질량% 함유하는 톨루엔용액 0.06질량부,(Component (A-4)) 0.06 parts by mass of a toluene solution containing a chloroplatinic acid / 1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex in an amount of 1 mass% as a platinum atom content,
에티닐시클로헥산올 0.05질량부, 및0.05 parts by mass of ethynylcyclohexanol, and
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 3질량부3 parts by mass of? -glycidoxypropyltrimethoxysilane
를 교반, 혼합하여 실리콘 조성물(III)을 조제하였다.
Were mixed and stirred to prepare a silicone composition (III).
[기타 (A)성분][Other Component (A)]
실리콘 조성물(IV): 시판의 실리콘다이본드재, 제품명 KER-3000-M2(신에쯔화학공업사제)Silicone composition (IV): commercially available silicone die-bonding material, product name KER-3000-M2 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
에폭시 수지 조성물(V): 시판의 에폭시다이본드재, 제품명 DX-20C(헨켈사제)Epoxy resin composition (V): commercially available epoxy die-bonding material, product name DX-20C (manufactured by Henkel)
실리콘 조성물(VI): 시판의 변성 실리콘다이본드재, 제품명 SCR-3400-S5(신에쯔화학공업사제)
Silicone composition (VI): Commercially available modified silicone die-bonding material, product name SCR-3400-S5 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
[실시예 1~7][Examples 1 to 7]
(실시예 1)(Example 1)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb 도프 SnO2 분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%), 첨가재로서 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), 0.1 part by mass of Sb-doped SnO 2 having an average particle diameter of 0.02 μm 0.1 part by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)) of powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industries Co., Ltd.) ) Were mixed, kneaded again with a three-roll mill, and subjected to vacuum degassing to prepare a paste-like composition.
(실시예 2)(Example 2)
(A)성분으로서 조제예 2에서 얻어진 실리콘 조성물(II) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb 도프 SnO2 분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(II)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by mass of the silicone composition (II) obtained in Preparation Example 2 as the component (A), 0.10 part by mass of Sb-doped SnO 2 0.1 part by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (II)) of the powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industries Co., Ltd.) was mixed, kneaded again with three rolls, A composition was prepared.
(실시예 3)(Example 3)
(A)성분으로서 상기 실리콘 조성물(IV) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb 도프 SnO2 분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(IV)의 고형분을 기준으로 하여 0.015체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하고, 희석제로서 자일렌을 5질량부 첨가하고 잘 혼합하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
, 100 parts by mass of the silicone composition (IV) as the component (A), 0.10 part by mass of Sb-doped SnO 2 0.1 part by mass (0.015% by volume based on the solid content of the silicone composition (IV)) of the powder (ATO, product name SN-100P, manufactured by Ishihara Industries Co., Ltd.) was mixed and kneaded again with a three- And 5 parts by mass of xylene was added thereto, followed by thorough mixing to prepare a paste-like composition.
(실시예 4)(Example 4)
(A)성분으로서 상기 에폭시 수지 조성물(V) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.05μm의 은분말(제품명 실베스트 C-34, 비중 10.5, 토쿠리키화학연구소사제) 0.01질량부(에폭시 수지 조성물(V)의 고형분을 기준으로 하여 0.001체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by weight of the epoxy resin composition (V) as the component (A), 0.01 parts by weight of silver powder having an average particle diameter of 0.05 mu m (trade name: Silvest C-34, specific gravity 10.5, manufactured by Tokuriki Chemical Co., Ltd.) (0.001% by volume based on the solid content of the epoxy resin composition (V)) were mixed, kneaded again with a three-roll mill, and subjected to vacuum degassing to prepare a paste-like composition.
(실시예 5)(Example 5)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.35μm의 Sb 도프 SnO2 피복 실리카분말(제품명 ES-650E, 비중 4.1, 티탄공업사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.024체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by weight of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), 0.1 part by weight of Sb-doped SnO 2 having an average particle diameter of 0.35 μm 0.1 part by mass (0.024% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)) of the coated silica powder (product name: ES-650E, specific gravity 4.1, manufactured by Titan Kogyo Co., Ltd.) was mixed and kneaded again with three rolls, To prepare a paste-like composition.
(실시예 6)(Example 6)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb 도프 SnO2 분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 0.01질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.0015체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), 0.1 part by mass of Sb-doped SnO 2 having an average particle diameter of 0.02 μm 0.01 part by mass (0.0015% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)) powder (ATO, product name SN-100P manufactured by Ishihara Industries Co., Ltd.) Ltd.), and further kneaded with a three-roll mill, followed by defoaming under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(실시예 7)(Example 7)
(A)성분으로서 상기 실리콘 조성물(VI) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.05μm의 은분말(제품명 실베스트 C-34, 비중 10.5, 토쿠리키화학연구소사제) 0.01질량부(실리콘 조성물(VI)의 고형분을 기준으로 하여 0.001체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by weight of the silicone composition (VI) as the component (A), 0.01 parts by weight of silver powder having an average particle size of 0.05 mu m (trade name: Silvest C-34, specific gravity 10.5, manufactured by Tokuriki Chemical Co., (0.001% by volume based on the solid content of the silicone composition (VI)) were mixed, kneaded again with a three-roll mill, and subjected to vacuum degassing to prepare a paste-like composition.
[비교예 1~4][Comparative Examples 1 to 4]
(비교예 1)(Comparative Example 1)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb 도프 SnO2 분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 1.0질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.15체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S, 토쿠야마사제) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), 0.1 part by mass of Sb-doped SnO 2 having an average particle diameter of 0.02 μm 1.0 part by mass (0.15% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)) of powder (ATO, product name SN-100P manufactured by Ishihara Industries Co., Ltd.) Ltd.), and further kneaded with a three-roll mill, followed by defoaming under reduced pressure to prepare a paste-like composition.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
(A)성분으로서 조제예 3에서 얻어진 실리콘 조성물(III) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 0.02μm의 Sb 도프 SnO2 분말(ATO, 제품명 SN-100P, 이시하라산업사제) 1질량부(실리콘 조성물(III)의 고형분을 기준으로 하여 0.15체적%), 첨가재로서, 연무상 실리카(제품명 레오시롤 DM-30S) 5질량부를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by mass of the silicone composition (III) obtained in Preparation Example 3 as the component (A), 0.1 part by mass of Sb-doped SnO 2 having an average particle diameter of 0.02 탆 1 part by mass (0.15% by volume based on the solid content of the silicone composition (III)) of powder (ATO, product name SN-100P manufactured by Ishihara Industries Co., Ltd.) and 5 mass parts of soft silica (trade name: Leocirol DM- And the kneaded mixture was further subjected to kneading treatment with a three-roll mill, followed by vacuum degassing to prepare a paste-like composition.
(비교예 3)(Comparative Example 3)
(A)성분으로서 조제예 1에서 얻어진 실리콘 조성물(I) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 6.9μm의 은분말(제품명 실베스트 TCG-7, 토쿠리키화학연구소사제) 0.1질량부(실리콘 조성물(I)의 고형분을 기준으로 하여 0.001체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
100 parts by mass of the silicone composition (I) obtained in Preparation Example 1 as the component (A), 0.1 parts by mass of silver powder having an average particle size of 6.9 m (trade name: Best Best TCG-7, manufactured by Tokuriki Chemical Co., Ltd.) as the conductive particles of the component (B) (0.001% by volume based on the solid content of the silicone composition (I)) were mixed, kneaded again with a three-roll mill, and subjected to vacuum degassing to prepare a paste-like composition.
(비교예 4)(Comparative Example 4)
(A)성분으로서 상기 에폭시조성물(V) 100질량부, (B)성분의 도전성 입자로서 평균입경 6.9μm의 은분말(제품명 실베스트 TCG-7, 비중 10.5, 토쿠리키화학연구소사제) 310질량부(에폭시조성물(V)의 고형분을 기준으로 하여 29.5체적%)를 혼합하고, 다시 3본롤로 혼련처리를 행하고, 감압탈포하여 페이스트상의 조성물을 조제하였다.
, 100 parts by mass of the epoxy composition (V) as the component (A), 310 parts by mass of silver powder having an average particle size of 6.9 mu m as the conductive particles of the component (B) (trade name: Best Best TCG-7, specific gravity 10.5, manufactured by Tokuriki Chemical Research Institute) (29.5% by volume based on the solid content of the epoxy composition (V)) were mixed, kneaded again with a three-roll mill, and subjected to vacuum degassing to prepare a paste-like composition.
실시예 1~7, 비교예 1~4의 조성물에 대하여, 이하의 모든 특성을 측정하였다. 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.
For the compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4, all the following properties were measured. The results are shown in Tables 1 and 2.
[헤이즈측정, 및 전광선투과율의 측정][Measurement of haze and measurement of total light transmittance]
일본전색공업사제 헤이즈미터 NDH-5000SP를 이용하여 헤이즈측정, 및 전광선투과율의 측정을 행하였다.Haze measurement and total light transmittance were measured using a haze meter NDH-5000SP manufactured by Nihon Furukawa Co., Ltd.
상기의 조건으로 혼합한 시료를, 2mm 두께의 셀에 유입하고, 소정의 조건(실시예 1~3, 5~7, 비교예 1~3은 150℃ 1시간, 실시예 4 및 비교예 4는 170℃ 1시간)으로 가열경화를 행하여, 표면이 청정한 2mm 두께의 경화물을 얻고, 이것을 측정부에 세트하여 측정하였다. 3번의 측정에 있어서의 헤이즈값, 전광선투과율의 평균값을 구하였다.
Under the predetermined conditions (Examples 1 to 3, 5 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, 150 ° C for 1 hour, and Example 4 and Comparative Example 4, 170 ° C for 1 hour) to obtain a cured product having a clean surface and a thickness of 2 mm. The cured product was set on the measuring part and measured. The haze value and the average value of the total light transmittance in the three measurements were obtained.
[점도의 측정][Measurement of viscosity]
실시예 및 비교예에 나타낸 조성물로 이루어진 각 다이본드재의 점도를 E형 점도계(토우키산업주식회사제 RE80U)를 이용하여 25℃, 50rpm으로 측정하였다.
The viscosity of each die-bonding material composed of the compositions shown in Examples and Comparative Examples was measured at 25 캜 and 50 rpm using an E-type viscometer (RE80U, manufactured by TOKI INDUSTRIAL CO., LTD.).
[광반도체 패키지의 제작][Fabrication of optical semiconductor package]
LED용 패키지기판으로서, 광반도체 소자를 재치하는 오목부를 갖고, 그 바닥부에 은도금된 제1 리드와 제2 리드가 마련된 LED용 패키지기판[SMD5050(I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,사제, 수지부 PPA(폴리프탈아미드))], 광반도체 소자로서, 주발광피크가 450nm인 수직형 LED(SemiLEDs사제 EV-B35A)를, 각각 준비하였다.
As a package substrate for an LED, a package substrate for LED (SMD5050 (manufactured by I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO., LTD., Manufactured by I-CHI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.) Having a concave portion for mounting the optical semiconductor element and having a first lead and a second lead, PPA (polyphthalamide)]) and a vertical LED (EV-B35A, manufactured by SemiLEDs) having a main emission peak of 450 nm were prepared as optical semiconductor elements, respectively.
다이본더(ASM사제 AD-830)를 이용하여, 패키지기판의 은도금된 제1 리드에, 실시예 및 비교예에 나타낸 접착제로 이루어진 각 다이본드재를 스탬핑에 의해 정량전사하고, 그 위에 광반도체 소자를 탑재하였다. 이때의 광반도체 소자의 탑재조건은, 압착시간 13msec, 압착하중 60gf이며, 가온장치를 이용하지 않고 실온 25℃의 환경에서 행하였다. 이어서 패키지기판을 오븐에 투입하여 각 다이본드재를 가열경화시키고(실시예 1~3, 5~7, 비교예 1~3은 150℃ 1시간, 실시예 4 및 비교예 4는 170℃ 1시간), 광반도체 소자의 하부전극과 제1 리드를 전기적으로 접속하였다. 이어서 와이어본더를 이용하여, 이 광반도체 소자가 탑재된 이 LED용 패키지기판을, 광반도체 소자의 상부전극과 제2 리드에 대하여 금와이어(다나카전자공업사제 FA 25μm)를 이용하여 전기적으로 접속하고, 광반도체 소자가 탑재된 LED용 패키지기판 각 1매(패키지수로 하여 120개)를 얻었다.
The die bonding material (AD-830 manufactured by ASM Co., Ltd.) was used to quantitatively transfer each die bond material made of the adhesive shown in the examples and the comparative examples to the first silver plated lead of the package substrate by stamping, Respectively. The mounting condition of the optical semiconductor element at this time was a compression time of 13 msec and a compression load of 60 gf, and was performed in an environment of a room temperature of 25 캜 without using a heating device. Subsequently, the package substrate was put into an oven to heat-cure the respective die-bonding materials (Examples 1 to 3, 5 to 7, Comparative Examples 1 to 3, 150 ° C for 1 hour, Example 4 and Comparative Example 4 for 170 ° C for 1 hour ), The lower electrode of the optical semiconductor element and the first lead were electrically connected. Subsequently, the LED package substrate on which the optical semiconductor element was mounted was electrically connected to the upper electrode of the optical semiconductor element and the second lead using a gold wire (FA 25 μm manufactured by Tanaka Electronics Co., Ltd.) using a wire bonder , And one each of LED package substrates on which optical semiconductor elements were mounted (120 packages as the number of packages).
이어서, 상기에서 얻어진 광반도체 소자가 탑재된 LED용 패키지기판에 대하여, 디스펜스장치(무사시 엔지니어링제, SuperΣ CM II)를 이용하여, 실리콘봉지재(제품명 KER2500, 신에쯔화학공업주식회사제)를 정량도포하고, 150℃, 4시간동안 봉지재의 가열경화를 행하였다.
Subsequently, a silicone sealing material (product name: KER2500, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was quantitatively measured on a package substrate for LED on which the optical semiconductor element thus obtained was mounted using a dispenser (SuperΣ CM II manufactured by Musashi Engineering Co., Followed by heat curing of the sealing material at 150 DEG C for 4 hours.
상기와 같이 하여, 다이본드재가 상이한 광반도체 패키지를 제작하고, 이하의 시험에 이용하였다.
As described above, an optical semiconductor package having different die bonding materials was prepared and used in the following tests.
[점등수의 확인][Confirmation of lighting number]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지 전체수(120개)의 점등검사를 행하고(인가전류IF=20mA), 점등한 광반도체 장치의 수를 세었다.
The number of the optical semiconductor devices that were turned on was counted by performing the lighting test of the total number (120) of the optical semiconductor packages filled with the encapsulating material obtained by the above method (applied current IF = 20 mA).
[BLT의 측정][Measurement of BLT]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지를, 시판의 실온 경화형 에폭시 수지로 매포하고, 광반도체 소자의 직하가 관찰되도록 절단, 연마하여, BLT가 관찰가능한 시료를 제작하였다. 얻어진 시료를 레이저현미경(주식회사키엔스제 VK-8700)으로 관찰하고, 광반도체 소자-기판간의 거리를 3점 측정하여, 평균값을 구하였다.
The optical semiconductor package packed with the encapsulating material obtained by the above method was mapped with a commercially available room temperature curable epoxy resin and cut and polished so that the direct underneath of the optical semiconductor element was observed to prepare a sample observable for BLT. The obtained sample was observed with a laser microscope (VK-8700, manufactured by Keyens Co., Ltd.), and the distance between the optical semiconductor element and the substrate was measured at three points, and an average value was obtained.
[전광속의 측정][Measurement in all light]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지 10개를, 전광속측정시스템 HM-9100(오츠카전자(주)제)을 이용하고, 전광속값(Lm)을 측정하여(인가전류IF=350mA), 평균값을 구하였다.
The optical semiconductor package 10 packed with the encapsulating material obtained by the above method was measured for the total luminous flux value Lm (applied current IF = 350 mA) using the whole luminous flux measuring system HM-9100 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) ), And the average value was obtained.
[고온점등시험][High temperature lighting test]
상기의 방법으로 얻어진 봉지재가 충전된 광반도체 패키지 중 10개를, 고온하(85℃)에서, 350mA통전, 1000시간 점등한 후, 시험후의 샘플의 통전시험을 행하고, 점등한 시험편수/총시험편수를 세었다.
10 of the optical semiconductor packages packed with the encapsulating material obtained by the above-mentioned method were energized at 350 mA under high temperature (85 캜) for 1000 hours, then subjected to the energization test of the sample after the test, The number was counted.
얻어진 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.
The obtained results are shown in Tables 1 and 2.
[표 1][Table 1]
[표 2][Table 2]
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 범위를 만족시키는 접착제로 이루어진 다이본드재를 이용한 실시예 1~실시예 7에서는, 모두, (B)성분으로서 평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자를 함유하고, 상기 (B)도전성 입자의 함유량이, (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고 0.1체적% 미만인 범위로서, 고투명이므로 2mm 두께의 경화물로 했을 때의 전광선투과율이 70% 이상, 또한 헤이즈값이 60% 이하이며, 나아가 BLT가 5μm 이하이므로, 모든 패키지에서 점등가능하며 전광속값도 높은 값을 나타내었다. 즉, 밝은 패키지였다. 또한, 고온통전시험(고온점등시험)에서도 다이본드재에 외관의 변화는 없고, 모든 패키지에서 점등가능하였다. 이들 결과로부터, 본 발명의 도전접속방법이면, 광의 취출효율이 높고, 신뢰성이 높은 광반도체 디바이스를 제조할 수 있는 것을 알 수 있었다.
As shown in Table 1, all of the examples 1 to 7 using the die-bonding material composed of the adhesive satisfying the range of the present invention all contained conductive particles having an average particle diameter of 1 μm or less as the component (B) (B) is greater than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A), the total light transmittance when the cured product is 2 mm thick is 70% Haze value is 60% or less, and BLT is 5 μm or less. Therefore, all packages can be turned on and the total luminous flux value is also high. In other words, it was a bright package. Also, the die bond material was not changed in appearance even in the high-temperature energization test (high-temperature lighting test), and could be lit in all the packages. From these results, it was found that an optical semiconductor device with high light extraction efficiency and high reliability can be manufactured by the conductive connection method of the present invention.
한편, 표 2에 나타낸 바와 같이, (B)성분이 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0.1체적% 이상이며, 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 접착제를 이용한 비교예 1, 2에서는, 투명성이 불충분하여, 전광속값이 높은 패키지는 얻지 못하였다.
On the other hand, as shown in Table 2, in Comparative Examples 1 and 2 in which the component (B) was not less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A) A package having a high total flux value was not obtained.
(B)성분의 평균입경이 1μm 이상이며, 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 조성물인 비교예 3에서는, 투명성은 얻어졌으나, BLT가 5μm를 초과하므로 도전성이 뒤떨어지고, 120개의 패키지 중, 불점등의 패키지가 발생하였다. 또한, 고온점등시험에 있어서의 내구성도 뒤떨어지는 것이었다.
In Comparative Example 3 in which the average particle diameter of the component (B) was 1 占 퐉 or more and did not satisfy the range of the present invention, transparency was obtained, but since the BLT exceeded 5 占 퐉, the conductivity was poor, . In addition, the durability in the high-temperature lighting test was also poor.
일반적인, 투명성을 갖지 않는 도전성 수지 조성물을 이용한 비교예 4는, (B)성분의 평균입경 및 첨가량이 본 발명의 범위로부터 벗어나 있어, 전광속값이 높은 패키지는 얻지 못하였다.
In Comparative Example 4 in which a conductive resin composition having no general transparency was used, the average particle diameter and the additive amount of the component (B) deviated from the range of the present invention, and a package having a high total flux value could not be obtained.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the above-described embodiments. The above-described embodiments are illustrative, and any of those having substantially the same structure as the technical idea described in the claims of the present invention and exhibiting the same operational effects are included in the technical scope of the present invention.
Claims (6)
(A)실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 및 변성 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 경화성 수지 조성물과,
(B)평균입경이 1μm 이하인 도전성 입자
를 함유하는 것이며,
상기 (B)성분의 함유량이, 상기 (A)성분의 고형분을 기준으로 하여 0체적%보다 크고, 또한 0.1체적% 미만인 범위이며,
상기 접착제를 경화하여 얻어지는 2mm 두께의 경화물의 전광선투과율이 70% 이상이며, 또한 헤이즈값이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 접착제.
As an adhesive
(A) a curable resin composition comprising at least one selected from a silicone resin, a modified silicone resin, an epoxy resin, and a modified epoxy resin,
(B) conductive particles having an average particle diameter of 1 mu m or less
, ≪ / RTI >
The content of the component (B) is larger than 0% by volume and less than 0.1% by volume based on the solid content of the component (A)
Wherein the cured product of 2 mm in thickness obtained by curing the adhesive has a total light transmittance of 70% or more and a haze value of 60% or less.
상기 경화성 수지 조성물(A)이,
(A-1)한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산,
(A-2)한 분자 중에 2개 이상의 지방족 불포화결합을 갖고, 수지 구조를 갖는 오르가노폴리실록산,
(A-3)한 분자 중에 규소원자결합수소원자를 2개 이상 갖는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 및
(A-4)백금족 금속계 촉매
로 이루어진 열경화성 실리콘 조성물인 것을 특징으로 하는 접착제.
The method according to claim 1,
The curable resin composition (A)
(A-1) a linear organopolysiloxane having two or more aliphatic unsaturated bonds in one molecule,
(A-2) an organopolysiloxane having at least two aliphatic unsaturated bonds in one molecule and having a resin structure,
(A-3) an organohydrogenpolysiloxane having two or more silicon atom-bonded hydrogen atoms in one molecule, and
(A-4) Platinum group metal catalyst
≪ / RTI > wherein the thermosetting silicone composition is a thermosetting silicone composition.
A die-bonding material comprising the adhesive according to claim 1 or 2.
상기 다이본드재를 경화하여 얻어지는 경화물은 BLT(Bond line thickness)가 5μm 이하인 경우에 있어서 사용되는 것을 특징으로 하는 다이본드재.
The method of claim 3,
Wherein the cured product obtained by curing the die bond material is used when the bond line thickness (BLT) is 5 占 퐉 or less.
A conductive connection method characterized by using the adhesive according to any one of claims 1 to 5 and making the BLT 5 μm or less so that the optical semiconductor element and the substrate are electrically connected.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2014-247677 | 2014-12-08 | ||
| JP2014247677A JP2016108461A (en) | 2014-12-08 | 2014-12-08 | Adhesive, die-bonding material composed of the adhesive, conductive connection method using the adhesive, optical semiconductor device obtained by the method |
| PCT/JP2015/005576 WO2016092742A1 (en) | 2014-12-08 | 2015-11-09 | Adhesive, die bond material comprising adhesive, conductive connection method using adhesive, and optical semiconductor device obtained using method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170084028A true KR20170084028A (en) | 2017-07-19 |
Family
ID=56106977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177010944A KR20170084028A (en) | 2014-12-08 | 2015-11-09 | Adhesive, die bond material comprising adhesive, conductive connection method using adhesive, and optical semiconductor device obtained using method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2016108461A (en) |
| KR (1) | KR20170084028A (en) |
| CN (1) | CN107001907A (en) |
| WO (1) | WO2016092742A1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018115302A (en) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 田島ルーフィング株式会社 | Conductive adhesive composition for waterproof construction and waterproof structure |
| JP6702224B2 (en) * | 2017-02-17 | 2020-05-27 | 信越化学工業株式会社 | Addition curable silicone resin composition and die attach material for optical semiconductor device |
| CN109135659A (en) * | 2018-08-08 | 2019-01-04 | 无锡帝科电子材料股份有限公司 | A kind of LED crystal-bonding adhesive and production method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006342200A (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Silicone resin composition for die bonding |
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| KR20110060628A (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-08 | 중앙대학교 산학협력단 | Anisotropic conductive adhesive and method for packaging semiconductors using the same |
| KR20130092283A (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-20 | 도레이첨단소재 주식회사 | Composition for conductive adhesive, adhesive film and circuit board using the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4539644B2 (en) * | 1993-07-29 | 2010-09-08 | 日立化成工業株式会社 | Circuit connection material and circuit connection method using the connection material |
| JP4627125B2 (en) * | 2001-07-27 | 2011-02-09 | 三井化学株式会社 | Anisotropic conductive paste |
| JP2004091703A (en) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Conductive silicone self-adhesive composition and self-adhesive tape |
| JP4803350B2 (en) * | 2005-06-03 | 2011-10-26 | 信越化学工業株式会社 | Crimpable anisotropic conductive resin composition and method for connecting fine electrodes |
| KR101139749B1 (en) * | 2007-08-10 | 2012-04-26 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | Adhesive and bonded body |
| JP2009242508A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Asahi Kasei E-Materials Corp | Adhesive and bonded body |
| JP2009256400A (en) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Silicone adhesive for semiconductor element |
-
2014
- 2014-12-08 JP JP2014247677A patent/JP2016108461A/en active Pending
-
2015
- 2015-11-09 WO PCT/JP2015/005576 patent/WO2016092742A1/en active Application Filing
- 2015-11-09 CN CN201580066749.9A patent/CN107001907A/en active Pending
- 2015-11-09 KR KR1020177010944A patent/KR20170084028A/en not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016092742A1 (en) | 2016-06-16 |
| CN107001907A (en) | 2017-08-01 |
| JP2016108461A (en) | 2016-06-20 |
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