KR20170083188A - Wafer boat and semiconductor fabricating apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 플레이트; 상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트; 상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및 상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고, 상기 지지 판은: 상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및 상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함하는 웨이퍼 보트 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma display panel comprising a first plate; A second plate spaced apart from one side of the first plate; Support rods connecting the first plate and the second plate; And at least one support plate connected to each of the support rods and disposed between the first plate and the second plate, the support plate comprising: A support plate comprising a large material; And a side wall extending from the support plate toward the second plate, and a semiconductor manufacturing apparatus including the wafer boat.

Description

웨이퍼 보트 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치{Wafer boat and semiconductor fabricating apparatus including the same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer boat and a semiconductor manufacturing apparatus including the same,

본 발명은 웨이퍼 보트 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer boat and a semiconductor manufacturing apparatus including the same.

반도체 제조공정은 크게 두 가지 방식에 의해 이루어진다. 약 50여장 이상의 웨이퍼를 동시에 처리하는 배치(batch)식이나 1장씩의 웨이퍼를 낱개로 처리하는 매엽식에 의해 이루어지며, 각 방식은 각 공정의 종류에 따라서 선택적으로 적용되고 있다. 배치식에 의해 공정을 진행하기 위해서는 약 50여장 이상의 웨이퍼를 한꺼번에 웨이퍼 보트에 적재하여 이를 공정이 진행되는 반도체 제조 장치의 반응관의 내부로 이송시키게 된다. The semiconductor manufacturing process is largely accomplished in two ways. It consists of a batch process that processes more than 50 wafers simultaneously, or a single wafer process that processes individual wafers one by one, and each process is selectively applied depending on the type of each process. In order to carry out the process by the batch method, about 50 or more wafers are loaded on the wafer boat at a time and transferred to the inside of the reaction tube of the semiconductor manufacturing apparatus in which the process is performed.

반응관 내로 이동된 웨이퍼에 가스 공급 유닛에서 공급된 공정 가스가 증착될 수 있다. 공정 가스가 증착률을 향상시키기 위해, 웨이퍼는 가열된 상태에서 웨이퍼 보트에 적재될 수 있다. 또한, 웨이퍼의 온도가 균일하게 가열된 때, 공정 가스는 웨이퍼에 균일하게 증착될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 온도 분포가 균일한 상태로 유지하는 것이 매우 중요하다. The process gas supplied from the gas supply unit can be deposited on the wafer moved into the reaction tube. In order to improve the deposition rate of the process gas, the wafer may be loaded on the wafer boat in a heated state. Further, when the temperature of the wafer is uniformly heated, the process gas can be uniformly deposited on the wafer. Accordingly, it is very important to keep the temperature distribution of the wafer uniform.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 웨이퍼의 온도를 균일하게 하는 웨이퍼 보트 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer boat that uniformizes the temperature of a wafer and a semiconductor manufacturing apparatus including the same.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 보트는, 제1 플레이트; 상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트; 상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및 상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고, 상기 지지 판은: 상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및 상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer boat comprising: a first plate; A second plate spaced apart from one side of the first plate; Support rods connecting the first plate and the second plate; And at least one support plate connected to each of the support rods and disposed between the first plate and the second plate, the support plate comprising: A support plate comprising a large material; And a sidewall extending from the support plate toward the second plate.

일 실시예에서, 상기 지지 플레이트는 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the support plate may comprise silicon carbide carbide (SiC).

일 실시예에서, 상기 지지 판은 상기 측벽으로부터 외측을 향해 연장되며, 상기 지지 로드들의 각각과 결합되는 플랜지를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the support plate may further include a flange extending outwardly from the sidewall and coupled with each of the support rods.

일 실시예에서, 상기 지지 플레이트는 복수의 관통 홀들을 포함할 수 있다.In one embodiment, the support plate may include a plurality of through holes.

일 실시예에서, 상기 지지 플레이트는 상기 관통 홀들의 각각으로부터 상기 측벽을 향해 연장되는 제1 가이드 슬릿들을 더 포함하고, 상기 측벽은 상기 제1 가이드 슬릿들의 각각과 연결되는 제2 가이드 슬릿들을 포함할 수 있다. In one embodiment, the support plate further comprises first guide slits extending from each of the through-holes toward the sidewall, the sidewall including second guide slits connected to each of the first guide slits .

일 실시예에서, 상기 제1 가이드 슬릿들의 각각은 서로 평행하게 배치될 수 있다.In one embodiment, each of the first guide slits may be disposed parallel to each other.

일 실시예에서, 상기 지지 판은 상기 측벽으로부터 외측을 향해 연장되며, 상기 지지 로드들의 각각과 결합되는 플랜지를 더 포함하고, 상기 플랜지는 가장자리로부터 상기 측벽을 향해 연장되어, 상기 제2 가이드 슬릿들의 각각과 연결되는 제3 가이드 슬릿들을 포함할 수 있다. In one embodiment, the support plate further includes a flange extending outwardly from the sidewall and coupled with each of the support rods, the flange extending from the rim towards the sidewall, the second guide slits And third guide slits connected to the first guide slits.

일 실시예에서, 상기 제1 가이드 슬릿들의 각각과 상기 제3 가이드 슬릿들의 각각은 서로 평행하게 배치될 수 있다. In one embodiment, each of the first guide slits and each of the third guide slits may be disposed parallel to each other.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 보트는, 제1 플레이트; 상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트; 상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 복수의 지지 로드들; 및 상기 지지 로드들의 각각과 결합되어, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되며, 웨이퍼를 지지하는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 상기 지지 판은 상기 웨이퍼가 안착되는 안착 홈을 포함할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a wafer boat comprising: a first plate; A second plate spaced apart from one side of the first plate; A plurality of support rods connecting the first plate and the second plate; And at least one support plate coupled to each of the support rods and disposed between the first plate and the second plate for supporting the wafer, the support comprising a material having a higher thermal conductivity than the wafer, The plate may include a seating groove on which the wafer is seated.

상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는, 적어도 하나의 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 보트와, 상기 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프트하는 웨이퍼 리프트와, 상기 웨이퍼 보트 및 상기 웨이퍼 리프트를 일측 및 타측으로 이동시키는 보트 엘리베이터와, 내부에 상기 웨이퍼 보트, 상기 웨이퍼 리프트 및 상기 보트 엘리베이터를 수용하는 하우징을 포함하고, 상기 웨이퍼 보트는: 제1 플레이트; 상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트; 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및 상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고, 상기 지지 판은: 상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및 상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함하며, 상기 지지 플레이트는 복수의 관통 홀들을 포함하고, 상기 웨이퍼 리프트는: 상기 지지 로드들과 평행하게 배치되는 적어도 하나의 기둥; 상기 기둥으로부터 상기 지지 판을 향해 연장되어, 상기 지지 플레이트의 타측에 배치되는 핀 지지부; 및 상기 핀 지지부로부터 상기 관통 홀들의 각각을 향해 돌출되는 리프트 핀들을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus including: a wafer boat on which at least one wafer is placed; a wafer lift for lifting a wafer placed on the wafer boat; A boat elevator for moving the lift to one side and the other side; and a housing for receiving the wafer boat, the wafer lift and the boat elevator therein, the wafer boat comprising: a first plate; A second plate spaced apart from one side of the first plate; Support rods connecting the first plate and the second plate; And at least one support plate connected to each of the support rods and disposed between the first plate and the second plate, the support plate comprising: A support plate comprising a large material; And a sidewall extending from the support plate toward the second plate, the support plate including a plurality of through holes, the wafer lift comprising: at least one column disposed parallel to the support rods; A pin support portion extending from the column toward the support plate and disposed on the other side of the support plate; And lift pins protruding from the pin support portion toward each of the through holes.

일 실시예에서, 상기 보트 엘리베이터는: 상기 웨이퍼 보트와 상기 웨이퍼 리프트가 안착되는 안착 플레이트; 상기 안착 플레이트를 관통하는 적어도 하나의 삽입 홀; 및 상기 삽입 홀 상에 배치되는 탄성 부재를 포함하고, 상기 하우징의 일면에 배치되고, 상기 관통 홀을 향해 돌출되는 돌출 부재를 포함할 수 있다. In one embodiment, the boat elevator includes: a seating plate on which the wafer boat and the wafer lift are seated; At least one insertion hole through the seating plate; And an elastic member disposed on the insertion hole, and a protruding member disposed on one surface of the housing and protruding toward the through hole.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 웨이퍼 보트 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the wafer boat of the present invention and the semiconductor manufacturing apparatus including the same, the following effects can be obtained.

웨이퍼 보트에 적재된 웨이퍼의 온도를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 온도에 민감한 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 온도의 불 균일에 따른 반도체의 불량률 저감할 수 있다.The temperature of the wafer loaded on the wafer boat can be made uniform. Thus, in the temperature sensitive semiconductor manufacturing process, the defect rate of the semiconductor due to the unevenness of the temperature of the wafer can be reduced.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 지지 판에 안착된 웨이퍼의 직경에 따른 온도를 나타낸 그래프이다.
도 3은 웨이퍼가 안착된 도 1의 웨이퍼 보트에 웨이퍼 리프트가 접근하는 모습을 나타낸 사시도이다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다.
도 10은 도 9의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 11은 웨이퍼가 안착된 도 9의 웨이퍼 보트에 웨이퍼 리프트가 접근하는 모습을 나타낸 사시도이다.
도 12 내지 도 15는 도 11의 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 단면도들이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 나타낸 개략도이다.
도 17은 도 16의 반도체 제조 장치의 일부 구성을 나타낸 사시도이다.
도 18은 도 17의 반도체 제조 장치의 웨이퍼 리프트를 나타낸 사시도이다.
도 19는 도 17의 웨이퍼 보트에 웨이퍼가 안착된 반도체 제조 장치의 일부 구성을 나타낸 사시도이다.
도 20 내지 도 23은 도 17의 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 단면도들이다.
도 24 및 도 25는 도 16의 반도체 제조 장치의 웨이퍼 리트프가 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하는 공정들을 나타낸 개략도이다. 1 is a perspective view of a wafer boat according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing the temperature according to the diameter of the wafer placed on the support plate of FIG. 1;
3 is a perspective view showing the wafer lift approaching the wafer boat of FIG. 1 on which the wafer is placed.
Figs. 4 to 8 are cross-sectional views illustrating processes for lifting and moving wafers placed on the wafer boat of Fig.
9 is a perspective view illustrating a wafer boat according to an embodiment of the present invention.
10 is an enlarged view of a portion A in Fig.
11 is a perspective view showing the wafer lift approaching the wafer boat of FIG. 9 on which the wafer is placed.
Figs. 12 to 15 are sectional views showing processes for lifting and moving wafers seated on the wafer boat of Fig.
16 is a schematic view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
17 is a perspective view showing a part of the structure of the semiconductor manufacturing apparatus of Fig.
18 is a perspective view showing the wafer lift of the semiconductor manufacturing apparatus of Fig.
19 is a perspective view showing a part of the structure of a semiconductor manufacturing apparatus in which a wafer is placed on the wafer boat shown in Fig.
Figs. 20 to 23 are sectional views showing processes of lifting and moving wafers seated on the wafer boat of Fig.
Figs. 24 and 25 are schematic diagrams showing processes in which the wafer lift of the semiconductor manufacturing apparatus of Fig. 16 lifts the wafer placed on the wafer boat.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. &Quot; comprises " and / or "comprising" when used in this specification is taken to specify the presence or absence of one or more other components, steps, operations and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

이하, 본 발명의 실시예들에 의하여 웨이퍼 보트 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for explaining a wafer boat and a semiconductor manufacturing apparatus including the same according to embodiments of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view of a wafer boat according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트(10)는 적어도 하나의 웨이퍼(W, 도 3 참조)를 적재할 수 있다. 웨이퍼 보트(10)는 제1 플레이트(100); 제1 플레이트(100)의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트(200); 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)를 연결하는 지지 로드들(300); 및 지지 로드들(300)의 각각과 연결되고, 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200) 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판(400)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 일측은 상측을 의미하고, 타측은 하측을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 1, a wafer boat 10 according to an embodiment of the present invention can load at least one wafer W (see FIG. 3). The wafer boat 10 includes a first plate 100; A second plate 200 spaced apart from one side of the first plate 100; Support rods (300) connecting the first plate (100) and the second plate (200); And at least one support plate 400 connected to each of the support rods 300 and between the first plate 100 and the second plate 200. In one embodiment of the present invention, one side means upper side and the other side means lower side, but is not limited thereto.

제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)는 서로 이격 배치될 수 있다. 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)는 서로 마주보게 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 플레이트(200)는 제1 플레이트(100)의 상측에 이격 배치되고, 제1 플레이트(100)는 제2 플레이트(200)의 하측에 이격 배치될 수 있다. 그리고, 제1 플레이트(100)의 상부면과 제2 플레이트(200)의 하부면은 서로 마주보게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200) 사이에 지지 로드들(300), 지지 판(400), 웨이퍼(W, 도 3 참조) 등이 배치되는 공간이 형성될 수 있다.The first plate 100 and the second plate 200 may be spaced apart from each other. The first plate 100 and the second plate 200 may be disposed facing each other. For example, the second plate 200 may be disposed on the upper side of the first plate 100, and the first plate 100 may be disposed on the lower side of the second plate 200. The upper surface of the first plate 100 and the lower surface of the second plate 200 may be disposed opposite to each other. Accordingly, a space in which the support rods 300, the support plate 400, the wafer W (see FIG. 3), and the like are disposed may be formed between the first plate 100 and the second plate 200.

본 발명의 일 실시예에서, 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)는 웨이퍼(W, 도 3 참조)와 유사한 원판 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상일 수 있다. 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)는 석영 및 실리콘 카바이트카바이드(SiC) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. In an embodiment of the present invention, the first plate 100 and the second plate 200 may be in the shape of a disc similar to the wafer W (see FIG. 3), but the present invention is not limited thereto. The first plate 100 and the second plate 200 may include at least one of quartz and silicon carbide carbide (SiC), but are not limited thereto.

지지 로드들(300)의 각각은 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200) 사이에 배치되어, 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)를 연결할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 3개의 지지 로드(300)가 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)를 연결하나, 이에 한정되지 않고, 지지 로드(300)의 개수는 2개 또는 4개이상이 될 수도 있다. 지지 로드들(300)의 각각은 봉 형상으로 이루어지나, 이에 한정되는 것은 아니다. 지지 로드들(300)의 각각은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 지지 로드들(300)의 각각은 석영 및 실리콘 카바이트카바이드(SiC) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Each of the support rods 300 may be disposed between the first plate 100 and the second plate 200 to connect the first plate 100 and the second plate 200. In an embodiment of the invention, three support rods 300 connect the first plate 100 and the second plate 200, but not limited thereto, the number of support rods 300 is two or four Or more. Each of the support rods 300 is in the shape of a bar, but is not limited thereto. Each of the support rods 300 may be disposed parallel to each other. Each of the support rods 300 may include, but is not limited to, at least one of quartz and silicon carbide carbide (SiC).

지지 로드들(300)의 각각은 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)의 가장 자리를 따라 배열될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 지지 로드들(300)의 각각은 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)의 중심(미부호)으로부터 일정 각도의 간격으로 가장자리를 따라 배열될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 지지 로드들(300) 각각은 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)의 가장 자리를 따라 한쪽으로 편중되게 배열될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼는 웨이퍼 트랜스퍼(305, 도 6 참조)에 의해 지지 로드들(300)이 배치되지 않은 다른 쪽을 통해 웨이퍼 보트(10)에 적재되거나 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼내질 수 있다. Each of the support rods 300 may be arranged along the edge of the first plate 100 and the second plate 200. In one embodiment of the present invention, each of the support rods 300 may be arranged along the edge at a predetermined angle from the center (not shown) of the first plate 100 and the second plate 200. Alternatively, in another embodiment, each of the support rods 300 may be biased to one side along the edge of the first plate 100 and the second plate 200. Accordingly, the wafer can be loaded onto or removed from the wafer boat 10 via the other side where the support rods 300 are not placed by the wafer transfer 305 (see FIG. 6).

지지 판(400)은 지지 로드들(300) 과 연결되어, 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200) 사이에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 지지 판(400)은 지지 로드들(300)의 길이 방향을 따라 일정 간격으로 복수개가 구비될 수 있다. 지지 판(400)은 웨이퍼(W, 도 3 참조)와 유사한 원형일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 지지 판(400)은 웨이퍼(W)가 안착되는 음각 형태의 안착 홈(440)을 포함할 수 있다. 안착 홈(440)은 후술할 지지 판(400)의 지지 플레이트(410)와 측벽(420)에 의해 형성될 수 있다. The support plate 400 may be connected to the support rods 300 and disposed between the first plate 100 and the second plate 200. In one embodiment of the present invention, a plurality of support plates 400 may be provided at regular intervals along the longitudinal direction of the support rods 300. The support plate 400 may be circular in shape similar to the wafer W (see FIG. 3), but is not limited thereto. The support plate 400 may include a recessed groove 440 in which the wafer W is seated. The seating groove 440 may be formed by the support plate 410 and the side wall 420 of the support plate 400, which will be described later.

지지 판(400)은 지지 플레이트(410) 및 측벽(420)을 포함할 수 있다. The support plate 400 may include a support plate 410 and side walls 420.

지지 플레이트(410)는 일측에 웨이퍼가 안착될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 하부면이 지지 플레이트(410)의 상부면에 안착될 수 있다. 지지 플레이트(410)는 웨이퍼(W, 도 3 참조)와 대략 동일한 원판 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서, 원판 형의 지지 플레이트(410)는 원판 형의 웨이퍼의 직경과 대략 동일하거나 큰 직경을 가질 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 전체가 지지 플레이트(410)에 안착될 수 있다. The support plate 410 can seat the wafer on one side. For example, the lower surface of the wafer W may be seated on the upper surface of the support plate 410. The support plate 410 may be in the form of a disc having substantially the same shape as the wafer W (see Fig. 3), but is not limited thereto. In one embodiment of the present invention, the disc-shaped support plate 410 may have a diameter substantially equal to or greater than the diameter of the disc-shaped wafer. Thus, the entire wafer can be seated on the support plate 410. [

지지 플레이트(410)는 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 지지 플레이트(410)는 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 지지 플레이트(410)는 일측에 안착된 웨이퍼에 대한 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 이에 대한, 자세한 사항은 후술한 도 2에서 설명한다. The support plate 410 may comprise a material having a higher thermal conductivity than the wafer. For example, the support plate 410 may comprise silicon carbide carbide (SiC). Thus, the support plate 410 can improve the temperature uniformity for the wafer placed on one side. Details of this will be described later with reference to FIG.

지지 플레이트(410)는 복수의 관통 홀들(4101)을 포함할 수 있다. 관통 홀들(4101)은 서로 이격 배치될 수 있다. 도 5 및 도 6을 참조하여 후술할 웨이퍼 리프트(20)의 리프트 핀들(21)의 각각은 관통 홀들(4101)의 각각을 관통할 수 있다. 리프트 핀들(21)의 각각이 관통 홀들(4101)의 각각을 관통함으로써, 지지 플레이트(410)에 안착된 웨이퍼는 리프팅(lifting)될 수 있다. 이에 대한, 자세한 사항은 후술한 도 4 내지 도 8에서 설명한다.The support plate 410 may include a plurality of through holes 4101. The through holes 4101 may be spaced apart from each other. Each of the lift pins 21 of the wafer lift 20, which will be described later with reference to Figs. 5 and 6, can penetrate through each of the through holes 4101. Fig. As each of the lift pins 21 passes through each of the through holes 4101, the wafer placed on the support plate 410 can be lifted. Details thereof will be described later with reference to FIGS. 4 to 8. FIG.

측벽(420)은 전술한 바와 같이, 지지 플레이트(410)로부터 제2 플레이트(200)를 향해 연장될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 측벽(420)은 지지 플레이트(410)의 가장자리로부터 상측으로 수직하게 연장될 수 있다. 이에 따라, 지지 판(400)에 웨이퍼가 안착되는 안착 홈(440)이 형성될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 측벽(420)은 지지 플레이트(410)의 가장자리로부터 상측으로 경사지게 연장될 수 있다. 측벽(420)은 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 측벽(420)은 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. The side wall 420 may extend from the support plate 410 toward the second plate 200, as described above. In one embodiment of the present invention, the side wall 420 may extend vertically upwardly from the edge of the support plate 410. Accordingly, a seating groove 440 on which the wafer is seated can be formed on the support plate 400. Alternatively, in other embodiments, the sidewall 420 may extend obliquely upwardly from the edge of the support plate 410. Sidewall 420 may comprise a material having a higher thermal conductivity than the wafer. For example, the sidewall 420 may comprise silicon carbide carbide (SiC).

지지 판(400)은 측벽(420)으로부터 외측을 향해 연장되는 플랜지(430)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 외측은 제1 플레이트(100), 제2 플레이트(200) 또는 지지 플레이트(410)의 중심으로부터 가장자리를 향하는 방향을 의미할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 플랜지(430)는 링 형상이나, 이에 한정되지 않는다. 플랜지(430)는 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 플랜지(430)는 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함할 수 있다. The support plate 400 may further include a flange 430 extending outwardly from the side wall 420. Here, the outer side may mean the direction from the center of the first plate 100, the second plate 200, or the support plate 410 toward the edge. In one embodiment of the invention, the flange 430 is ring shaped, but is not limited thereto. The flange 430 may comprise a material having a higher thermal conductivity than the wafer. For example, the flange 430 may comprise silicon carbide carbide (SiC).

플랜지(430)는 지지 로드들(300)의 각각과 결합될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 플랜지(430)는 지지 로드들(300)의 각각이 관통하는 결합 홀들(4301)을 포함할 수 있다. 결합 홀들(4301)의 각각을 관통한 지지 로드들(300)의 각각은 용접, 접착제 등을 통해 플랜지(430)와 결합될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 지지 로드들(300)의 각각에는 플랜지(430)가 삽입되는 적어도 하나의 삽입 슬릿(미도시)을 포함할 수 있다. 플랜지(430)가 삽입 슬릿들의 각각에 삽입됨으로써, 지지 판(400)은 지지 로드들(300)의 각각에 결합될 수 있다. Flange 430 may be coupled to each of support rods 300. In one embodiment of the present invention, the flange 430 may include engagement holes 4301 through which each of the support rods 300 passes. Each of the support rods 300 passing through each of the engagement holes 4301 can be coupled with the flange 430 through welding, adhesive, or the like. Alternatively, in another embodiment, each of the support rods 300 may include at least one insertion slit (not shown) into which the flange 430 is inserted. By inserting the flanges 430 into each of the insertion slits, the support plate 400 can be coupled to each of the support rods 300.

도 2는 도 1의 지지 플레이트에 안착된 웨이퍼의 직경에 따른 온도를 나타낸 그래프이다.FIG. 2 is a graph showing the temperature according to the diameter of the wafer placed on the support plate of FIG. 1;

일반적으로 웨이퍼(W, 도 3 참조)는 웨이퍼 보트(10, 도 3 참조)에 적재된 상태에서 반도체 제조 장치의 반응관(미도시50, 도 16 참고) 내로 이동할 수 있다. 웨이퍼 보트(10)가 반응관 내로 이동될 때, 가스 공급 장치(미도시)는 반응관 내로 공정 가스를 공급할 수 있다. 반응관 내로 공급된 공정 가스가 웨이퍼에 제공될 수 있다. 그리고, 웨이퍼는 공정 가스와의 증착률이 향상되도록 가열될 수 있다. 일반적으로 웨이퍼는 가장자리에 히터 등의 열원(미도시)을 접촉되어 가열될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼는 가장자리 부분의 온도와 중심 부분의 온도가 다를 수 있다. 즉, 웨이퍼의 온도 분포가 균일하지 않을 수 있다. In general, the wafer W (see FIG. 3) can be moved into the reaction tube (not shown 50, see FIG. 16) of the semiconductor manufacturing apparatus while being loaded on the wafer boat 10 (see FIG. 3). When the wafer boat 10 is moved into the reaction tube, a gas supply device (not shown) can supply the process gas into the reaction tube. The process gas supplied into the reaction tube may be provided to the wafer. Then, the wafer may be heated to improve the deposition rate with the process gas. Generally, the wafer can be heated by contacting a heat source (not shown) such as a heater to the edge. Accordingly, the temperature of the edge portion and the temperature of the central portion of the wafer may be different. That is, the temperature distribution of the wafer may not be uniform.

웨이퍼의 온도 분포가 균일하지 않음으로써, 웨어퍼는 가장자리 부분의 공정 가스의 증착률과 중심 부분의 공정 가스의 증착률이 상이할 수 있다. 가장자리 부분과 중심 부분의 공정 가스 증착률이 상이한 웨이퍼가 미세 공정을 사용하는 반도체 제조 공정에서 사용될 경우, 반도체의 불량률이 증가될 수 있다. Since the temperature distribution of the wafer is not uniform, the deposition rate of the process gas at the edge portion and the deposition rate of the process gas at the center portion may differ from each other in the wiper. If the wafers having different process gas deposition rates at the edge portion and the central portion are used in a semiconductor manufacturing process using a fine process, the defect rate of the semiconductor can be increased.

반도체의 불량률을 저감 또는 방지하기 위해, 지지 플레이트(410, 도 1 참조)는 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(410, 도 1 참조)가 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함함으로써, 웨이퍼는 지지 플레이트(410, 도 1 참조)는 웨이퍼의 가장자리 부분의 열을 웨이퍼의 중심 부분으로 신속하게 열 전도할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼에 대한 온도 분포의 균일성이 향상될 수 있다. In order to reduce or prevent the defect rate of the semiconductor, the support plate 410 (see FIG. 1) may include a material having higher thermal conductivity than the wafer. The support plate 410 (see FIG. 1) includes a material having a higher thermal conductivity than the wafer, so that the wafer can quickly heat the edge of the wafer to the center portion of the wafer . Thus, the uniformity of the temperature distribution on the wafer can be improved.

도 2를 참조하면, 실리콘 카바이트카바이드(SiC)가 실리콘 다이 옥사이드(SiO₂) 또는 실리콘(Si)보다 열 전도도가 크다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함하는 지지 플레이트(410, 도 1 참조)에 안착된 경우, 실리콘 다이 옥사이드(SiO₂) 또는 실리콘(Si)를 포함하는 지지 플레이트(410, 도 1 참조)에 안착된 경우보다 웨이퍼에 대한 온도 분포의 균일성이 향상될 수 있다. 즉, 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함하는 지지 플레이트(410, 도 1 참조)에 안착된 웨이퍼는 실리콘 다이 옥사이드(SiO₂) 또는 실리콘(Si)를 포함하는 지지 플레이트(410, 도 1 참조)에 안착된 웨이퍼보다 가장자리 부분과 중심 부분의 온도 차가 작을 수 있다. Referring to FIG. 2, silicon carbide carbide (SiC) has higher thermal conductivity than silicon dioxide (SiO2) or silicon (Si). Accordingly, the wafer W is supported on the support plates 410, 410 comprising silicon dioxide (SiO2) or silicon (Si) when seated on a support plate 410 (see Fig. 1) comprising silicon carbide carbide The uniformity of the temperature distribution with respect to the wafer can be improved as compared with the case where the wafer is seated on the wafer (see Fig. 1). That is, the wafer placed on the support plate 410 (see Fig. 1) containing silicon carbide carbide (SiC) is seated on the support plate 410 (see Fig. 1) containing silicon dioxide (SiO2) The temperature difference between the edge portion and the center portion of the wafer may be smaller.

도 3은 웨이퍼가 안착된 도 1의 웨이퍼 보트에 웨이퍼 리프트가 접근하는 모습을 나타낸 사시도이다. 도 4 내지 도 8은 도 3의 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 단면도들이다. 도 4 내지 도 8은 도 3의 I-I' 선에 따른 단면을 기준으로 웨이퍼 보트(10)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 도면들이다.3 is a perspective view showing the wafer lift approaching the wafer boat of FIG. 1 on which the wafer is placed. Figs. 4 to 8 are cross-sectional views illustrating processes for lifting and moving wafers placed on the wafer boat of Fig. FIGS. 4 to 8 are views showing processes for lifting and moving the wafer W placed on the wafer boat 10 based on the cross section taken along line I-I 'of FIG.

도 1, 도 3 및 도 6을 참조하면, 반도체 제조 장치는 웨이퍼 보트(10), 웨이퍼 리프트(20) 및 웨이퍼 트랜스퍼(305, 도 6 참조)를 포함할 수 있다. 1, 3, and 6, the semiconductor manufacturing apparatus may include a wafer boat 10, a wafer lift 20, and a wafer transfer 305 (see FIG. 6).

웨이퍼 리프트(20)는 지지 플레이트(410)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅(lifting)하는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 웨이퍼 리프트(20)는 지지 판(400)의 안착 홈에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 리프팅(lifting)한다는 것은 지지 플레이트(410)에 안착된 웨이퍼(W)를 제2 플레이트(200)를 향해 들어올리는 것을 의미할 수 있다. The wafer lift 20 may serve to lift the wafer W that is seated on the support plate 410. That is, the wafer lift 20 can lift the wafer W that is seated in the seating groove of the support plate 400. Lifting in one embodiment of the present invention may mean lifting the wafer W seated on the support plate 410 toward the second plate 200.

웨이퍼 리프트(20)는 지지 플레이트(410)의 관통 홀들(4101)의 각각을 관통하는 리프트 핀(21)과, 리프트 핀(21) 이 연결되어 리프트 핀(21)을 지지하는 핀 지지부(22)를 포함할 수 있다. 리프트 핀(21)은 핀 지지부(22)의 일단에 배치될 수 있다. 웨이퍼 리프트(20)는 복수 개로 제공될 수 있다.The wafer lift 20 includes a lift pin 21 passing through each of the through holes 4101 of the support plate 410 and a pin support portion 22 connected to the lift pin 21 to support the lift pin 21, . ≪ / RTI > The lift pin 21 may be disposed at one end of the pin support portion 22. The wafer lift 20 may be provided in plural.

웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 웨이퍼 리프트(20)에 의해 리프팅된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼내는 역할을 수행할 수 있다. 이와는 달리, 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(10)의 지지 플레이트(410)에 안착하는 역할을 수행할 수 있다. Wafer transfer 30 The wafer transfer 35 can serve to take the wafer W lifted by the wafer lift 20 from the wafer boat 10. Alternatively, the wafer transfer 30 can transfer the wafer W to the support plate 410 of the wafer boat 10.

도 4 내지 도 8을 참조하여, 지지 판(400)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 설명한다.4 to 8, processes for lifting and moving the wafer W placed on the support plate 400 will be described.

도 4를 참조하면, 웨이퍼 리프트(20)가 제1 방향(D1)을 향해 이동하여, 지지 판(400)의 하측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀(21) 은 관통 홀들(4101) 과 대응되게 배치될 수 있다. 즉, 리프트 핀(21)은 관통 홀들(4101)의 하측에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, the wafer lift 20 may move toward the first direction D1 and be disposed on the lower side of the support plate 400. Accordingly, the lift pins 21 can be disposed in correspondence with the through holes 4101. That is, the lift pins 21 may be disposed below the through holes 4101.

도 5 및 도 6을 참조하면, 웨이퍼 리프트(20)가 상측을 향해 이동될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 하측에 배치된 웨이퍼 리프트(20)가 상측을 향해 이동될 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀(21)은 관통 홀(4101)을 관통하여, 지지 플레이트(410)에 안착된 웨이퍼(W)를 상측으로 리프팅할 수 있다. 웨이퍼(W)가 웨이퍼 리프트(20)에 의해 상측으로 리프팅된 때, 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)가 제1 방향과 반대된 제2 방향(D2)으로 이동할 수 있다. Referring to Figs. 5 and 6, the wafer lift 20 can be moved upward. For example, the wafer lift 20 disposed below the wafer W can be moved upward. Accordingly, the lift pins 21 can pass through the through holes 4101, lifting the wafer W placed on the support plate 410 upward. When the wafer W is lifted upward by the wafer lift 20, the wafer transfer 30 wafer transfer 35 may move in a second direction D2 opposite to the first direction.

도 7을 참조하면, 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 리프팅된 웨이퍼(W)의 하부면을 지지할 수 있다. 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 웨이퍼(W)를 더욱 상측으로 리프팅하여, 웨이퍼 리프트(20)로부터 분리할 수 있다. 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 리프트(20)로부터 분리한 후, 제1 방향(D1)으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)에 의해 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼내질 수 있다. Referring to Fig. 7, wafer transfer 30 wafer transfer 35 can support the lower surface of the lifted wafer W. As shown in Fig. Wafer transfer 30 The wafer transfer 35 can lift the wafer W further upward and separate it from the wafer lift 20. Wafer transfer 30 The wafer transfer 35 can move in the first direction D1 after detaching the wafer W from the wafer lift 20. [ Thus, the wafer W can be taken out of the wafer boat 10 by the wafer transfer 30.

도 8을 참조하면, 웨이퍼(W)가 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)에 의해 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼내질 때, 웨이퍼 리프트(20)는 하측으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀(21)은 관통 홀(4101)로부터 분리될 수 있다.8, when the wafer W is taken out of the wafer boat 10 by the wafer transfer 30 wafer transfer 35, the wafer lift 20 can move downward. As a result, the lift pin 21 can be separated from the through hole 4101.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트를 나타낸 사시도이다. 도 10은 도 9의 A 부분을 확대한 확대도이다. 9 is a perspective view illustrating a wafer boat according to an embodiment of the present invention. 10 is an enlarged view of a portion A in Fig.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트(11)는 제1 플레이트(100), 제2 플레이트(200), 지지 로드들(300) 및 지지 판(401)을 포함할 수 있다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명한 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.9 and 10, a wafer boat 11 according to an embodiment of the present invention includes a first plate 100, a second plate 200, support rods 300, and a support plate 401 . For the sake of simplicity of explanation, description of components substantially the same as those described with reference to Fig. 1 will be omitted.

도 9에서와 같이, 지지 플레이트(411)는 관통 홀들(4111)의 각각으로부터 측벽(421)을 향해 연장되는 제1 가이드 슬릿들(4112)을 포함할 수 있다. 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각은 일 방향을 향해 연장되어, 서로 평행하게 배치될 수 있다. 9, the support plate 411 may include first guide slits 4112 extending from each of the through holes 4111 toward the sidewall 421. As shown in Fig. Each of the first guide slits 4112 may extend in one direction and be disposed parallel to each other.

측벽(421)은 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각과 연결되는 제2 가이드 슬릿들(4212)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 측벽(421)은 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각으로부터 제2 플레이트(200)를 향해 연장되는 제2 가이드 슬릿들(4212)을 포함할 수 있다. 제2 가이드 슬릿들(4212)의 각각은 서로 평행하게 배치될 수 있다. The side wall 421 may include second guide slits 4212 connected to each of the first guide slits 4112. For example, the side wall 421 may include second guide slits 4212 extending from each of the first guide slits 4112 toward the second plate 200. Each of the second guide slits 4212 may be disposed parallel to each other.

플랜지(431)는 가장자리로부터 측벽(421)을 향해 연장되어, 제2 가이드 슬릿들(4212)의 각각과 연결되는 제3 가이드 슬릿들(4312)을 포함할 수 있다. 제3 가이드 슬릿들(4312)의 각각은 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각과 서로 평행하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제3 가이드 슬릿들(4312)의 각각은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 플랜지(431)는 지지 로드들(300)의 각각이 관통하는 결합 홀들(4311)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 플랜지(431)는 결합 홀들(4311)의 각각을 관통한 지지 로드들(300)의 각각과 결합할 수 있다. The flange 431 may include third guide slits 4312 extending from the edge toward the side wall 421 and connected to each of the second guide slits 4212. Each of the third guide slits 4312 may be disposed parallel to each of the first guide slits 4112. Accordingly, each of the third guide slits 4312 can be disposed parallel to each other. The flange 431 may include engagement holes 4311 through which each of the support rods 300 passes. Thus, the flange 431 can engage with each of the support rods 300 passing through each of the engagement holes 4311.

도 9에서와 같이, 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각, 제2 가이드 슬릿들(4212)의 각각 및 제3 가이드 슬릿들(4312)의 각각은 서로 연결될 수 있다. 즉, 지지 판(401)은 관통 홀들(4111)의 각각과 연결된 복수의 가이드 슬릿들(4112, 4212, 4312)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 후술할 리프트 핀들(21)의 각각은 가이드 슬릿들(4112, 4212, 4312)에 삽입되어, 관통 홀들(4111)의 각각으로 가이드될 수 있다. 9, each of the first guide slits 4112, each of the second guide slits 4212, and each of the third guide slits 4312 may be connected to each other. That is, the support plate 401 may include a plurality of guide slits 4112, 4212, and 4312 connected to each of the through holes 4111. Accordingly, each of the lift pins 21 to be described later can be inserted into the guide slits 4112, 4212, and 4312, and guided to each of the through holes 4111. [

도 11은 웨이퍼가 안착된 도 9의 웨이퍼 보트에 웨이퍼 리프트가 접근하는 모습을 나타낸 사시도이다. 도 12 내지 도 15는 도 11의 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 단면도들이다. 도 12 내지 도 15은 도 11의 II-II' 선에 따른 단면을 기준으로 웨이퍼 보트(11)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 도면들이다.11 is a perspective view showing the wafer lift approaching the wafer boat of FIG. 9 on which the wafer is placed. Figs. 12 to 15 are sectional views showing processes for lifting and moving wafers seated on the wafer boat of Fig. 12 to 15 are views showing processes for lifting and moving the wafer W placed on the wafer boat 11 based on the cross section taken along the line II-II 'in FIG.

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 웨이퍼 보트(11) 및 웨이퍼 리프트(20)를 포함할 수 있다. 이하, 도 12 내지 도 15를 참조하여, 지지 판(401)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 설명한다.10 and 11, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a wafer boat 11 and a wafer lift 20. [ Hereinafter, with reference to Figs. 12 to 15, the steps of lifting and moving the wafer W placed on the support plate 401 will be described.

도 12 및 도 13을 참조하면, 웨이퍼 리프트(20)가 제1 방향(D1)을 향해 이동할 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀들(21)의 각각은 지지 플레이트(411)의 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각에 삽입되어, 관통 홀들(4111)의 각각으로 이동하게 된다. 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각을 따라 이동한 리프트 핀들(21)의 각각은 관통 홀들(4111)의 각각에 배치될 수 있다. 12 and 13, the wafer lift 20 can move in the first direction D1. Each of the lift pins 21 is inserted into each of the first guide slits 4112 of the support plate 411 and moved to each of the through holes 4111. [ Each of the lift pins 21 moved along each of the first guide slits 4112 may be disposed in each of the through holes 4111. [

도 14를 참조하면, 웨이퍼 리프트(20)가 상측을 향해 이동될 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 하측에 배치된 웨이퍼 리프트(20)가 상측을 향해 이동될 수 있다. 이에 따라, 리프트 핀들(21)의 각각은 관통 홀들(4111)의 각각을 관통하여, 지지 플레이트(411)에 안착된 웨이퍼(W)를 상측으로 리프팅할 수 있다. 웨이퍼 리프트(20)가 지지 플레이트(411)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅함으로써, 웨이퍼(W)는 지지 판(401)으로부터 분리될 수 있다. Referring to Fig. 14, the wafer lift 20 can be moved upward. For example, the wafer lift 20 disposed below the wafer W can be moved upward. Thus, each of the lift pins 21 can pass through each of the through holes 4111, lifting the wafer W mounted on the support plate 411 upward. The wafer W can be separated from the support plate 401 by lifting the wafer W placed on the support plate 411 by the wafer lift 20. [

도 15를 참조하면, 웨이퍼 리프트(20)는 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(411)로부터 분리한 후, 제1 방향(D1)과 반대된 제2 방향(D2)으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(11)로부터 꺼낼 수 있다. 웨이퍼 리프트(20)가 제2 방향(D2)으로 이동될 때, 핀 지지부(22)들의 각각은 제1 가이드 슬릿들(4112)의 각각을 따라 제2 방향(D2)으로 이동할 수 있다. 그리고 리프트 핀들(21)의 각각은 제2 가이드 슬릿들(4212)의 각각과 제3 가이드 슬릿들(4312)의 각각을 관통할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 리프트(20)는 지지 플레이트(411)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅하여, 웨이퍼 보트(11)로부터 꺼낼 수 있다. 또한, 웨이퍼 리프트(20)는 리프트 핀들(21)에 웨이퍼를 배치시킨 후, 복수의 가이드 슬릿들(4112, 4212, 4312)을 따라 지지 플레이트(411)로 이동할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 리프트(20)는 웨이퍼(W)를 지지 플레이트(411)에 안착시킬 수 있다. 15, the wafer lift 20 can move in a second direction D2 opposite to the first direction D1 after detaching the wafer W from the support plate 411. As shown in FIG. Thus, the wafer W can be taken out from the wafer boat 11. Each of the pin supports 22 may move in a second direction D2 along each of the first guide slits 4112 when the wafer lift 20 is moved in the second direction D2. And each of the lift pins 21 can pass through each of the second guide slits 4212 and each of the third guide slits 4312. Thus, the wafer lift 20 can lift the wafer W placed on the support plate 411 and take it out of the wafer boat 11. The wafer lift 20 can also move the wafer along the plurality of guide slits 4112, 4212 and 4312 to the support plate 411 after placing the wafer on the lift pins 21. Accordingly, the wafer lift 20 can seat the wafer W on the support plate 411.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 나타낸 개략도이다. 16 is a schematic view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 16을 참조하면, 반도체 제조 장치(1)는 반응관(50), 보트 엘리베이터(30), 하우징(60), 웨이퍼 보트(10), 웨이퍼 리프트(250) 및 웨이퍼 트랜스퍼(3035, 도 21 참조)를 포함할 수 있다. 16, the semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a reaction tube 50, a boat elevator 30, a housing 60, a wafer boat 10, a wafer lift 250, and a wafer transfer 3035 ).

반응 관(50)은 내부에 웨이퍼 보트(10), 웨이퍼 리프트(25) 등이 배치되는 공간을 가질 수 있다. 반응 관(50)은 종(bell) 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 반응 관(50)의 내에 웨이퍼 보트(10) 등이 배치될 때, 반응 관(50)의 내로 공정 가스가 유입될 수 있다. 반응 관(50)의 내로 유입된 공정 가스는 웨이퍼 보트(10)에 안착된 웨이퍼(W)에 증착될 수 있다. 반응 관(50)은 웨이퍼 보트(10), 웨이퍼 리프트(25) 등이 내부로 유입되도록 일측에 개구부(51, 도 24 참고)를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 반응 관(50)의 개구부(51, 도 24 참고)는 반응 관(50)의 하부에 형성될 수 있다. The reaction tube 50 may have a space in which the wafer boat 10, the wafer lift 25, and the like are disposed. The reaction tube 50 may be in a bell shape, but is not limited thereto. When the wafer boat 10 or the like is placed in the reaction tube 50, the process gas can be introduced into the reaction tube 50. The process gas introduced into the reaction tube 50 can be deposited on the wafer W placed on the wafer boat 10. The reaction tube 50 may have an opening 51 (see FIG. 24) at one side so that the wafer boat 10, the wafer lift 25, and the like may be introduced therein. In one embodiment of the present invention, the opening 51 (see FIG. 24) of the reaction tube 50 may be formed at the bottom of the reaction tube 50.

보트 엘리베이터(30)는 웨이퍼 보트(10) 및 웨이퍼 리프트(25)를 일측 및 타측으로 이동시킬 수 있다. 보트 엘리베이터(30)는 웨이퍼 보트(10) 및 웨이퍼 리프트(25)가 안착되는 안착 플레이트(31)와, 안착 플레이트(31)를 관통하는 적어도 하나의 삽입 홀(31a)과, 삽입 홀(31a) 상에 배치되는 탄성 부재(32)와, 안착 플레이트(31)를 일측 및 타측으로 이동시키는 승강 유닛(33)을 포함할 수 있다. 탄성 부재(32)는 삽입 홀 상에 배치되는 막 형태일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The boat elevator 30 can move the wafer boat 10 and the wafer lift 25 to one side and the other side. The boat elevator 30 includes a seating plate 31 on which the wafer boat 10 and the wafer lift 25 are seated, at least one insertion hole 31a penetrating the seating plate 31, an insertion hole 31a, And an elevating unit 33 for moving the seating plate 31 to one side and the other side. The elastic member 32 may be in the form of a membrane disposed on the insertion hole, but is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에서, 승강 유닛(33)을 안착 플레이트(31)를 상하 방향으로 승강시킬 수 있다. 반응 관(50)을 향해 이동한 안착 플레이트(31)는 반응 관(50)의 개구부(51, 도 24 참조)를 폐쇄할 수 있다. 이에 따라, 안착 플레이트(31)에 안착된 웨이퍼 보트(10) 및 웨이퍼 리프트(25)는 반응 관(50)의 내부에 배치될 수 있다. 안착 플레이트(31)는 원판 형일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 안착 플레이트(31)는 개구부(51)를 밀폐하기 위해 외주면에 실링부재(미도시)가 배치될 수 있다. 승강 유닛(33)은 안착 플레이트(31)를 일측 및 타측으로 이동시키는 다양한 승강 구조를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the lift plate 33 can be lifted up and down in the vertical direction. The seating plate 31 moved toward the reaction tube 50 can close the opening 51 (see Fig. 24) of the reaction tube 50. Accordingly, the wafer boat 10 and the wafer lift 25, which are seated on the seating plate 31, can be disposed inside the reaction tube 50. The seating plate 31 may be of a disc shape, but is not limited thereto. A sealing member (not shown) may be disposed on the outer circumferential surface of the seating plate 31 to seal the opening 51. The elevating unit 33 may include various elevating structures for moving the seating plate 31 to one side and the other side.

하우징(60)은 반응 관(50)의 하부의 일부와 연결될 수 있다. 하우징(60)은 내부에 보트 엘리베이터(30), 웨이퍼 보트(10), 웨이퍼 리프트(25) 등이 배치되는 수용 공간을 가질 수 있다. 하우징(60)은 원통형일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 하우징(60)의 수용 공간은 반응 관(50)의 개구부(51)와 연결될 수 있다. 하우징(60)의 하면(61)에 적어도 하나의 돌출 부재(40)가 배치될 수 있다. The housing 60 may be connected to a part of the lower portion of the reaction tube 50. The housing 60 may have a receiving space in which the boat elevator 30, the wafer boat 10, the wafer lift 25, and the like are disposed. The housing 60 may be cylindrical, but is not limited thereto. The receiving space of the housing 60 may be connected to the opening 51 of the reaction tube 50. At least one protruding member 40 may be disposed on the lower surface 61 of the housing 60.

돌출 부재(40)는 안착 플레이트(31)의 삽입 홀(31a)을 향해 돌출될 수 있다. 돌출 부재(40)는 삽입 홀(31a)에 소정의 길이(L)만큼 삽입될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 돌출 부재(40)는 삽입 홀(31a)의 일부 영역에만 삽입될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 돌출 부재(40)는 삽입 홀(31a)에 삽입되어, 삽입 홀(31a)을 관통할 수도 있다. The protruding member 40 can protrude toward the insertion hole 31a of the seating plate 31. [ The projecting member 40 can be inserted into the insertion hole 31a by a predetermined length L. [ In one embodiment of the present invention, the projecting member 40 can be inserted only in a part of the insertion hole 31a. Alternatively, in another embodiment, the projecting member 40 may be inserted into the insertion hole 31a and penetrate the insertion hole 31a.

웨이퍼 보트(10)는 웨이퍼(W)가 안착될 수 있다. 웨이퍼 보트(10)는 보트 엘리베이터(30)의 안착 플레이트(31)에 안착될 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은 도 17 및 도 19에서 후술한다. The wafer boat 10 can seat the wafer W thereon. The wafer boat 10 can be seated in the seating plate 31 of the boat elevator 30. [ Details of this will be described later with reference to FIG. 17 and FIG.

웨이퍼 리프트(25)는 웨이퍼 보트(10)에 안착된 웨이퍼(W)를 안착할 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은 도 17 및 도 19에서 후술한다. The wafer lift 25 can seat the wafer W that is seated on the wafer boat 10. Details of this will be described later with reference to FIG. 17 and FIG.

웨이퍼 트랜스퍼(3035, 도 21 참조)는 웨이퍼 리프트(25)에 의해 리프팅된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼낼 수 있다. The wafer transfer 3035 (see FIG. 21) can take out the wafer W lifted by the wafer lift 25 from the wafer boat 10.

도 17은 도 16의 반도체 제조 장치의 일부 구성을 나타낸 사시도이다. 도 18은 도 17의 반도체 제조 장치의 웨이퍼 리프트를 나타낸 사시도이다. 도 19는 도 17의 웨이퍼 보트에 웨이퍼가 안착된 반도체 제조 장치의 일부 구성을 나타낸 사시도이다17 is a perspective view showing a part of the structure of the semiconductor manufacturing apparatus of Fig. 18 is a perspective view showing the wafer lift of the semiconductor manufacturing apparatus of Fig. 19 is a perspective view showing a part of the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus in which a wafer is placed on the wafer boat shown in Fig. 17

도 17 내지 도 19를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 보트(10)는 제1 플레이트(100); 제1 플레이트(100)의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트(200); 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200)를 연결하는 지지 로드들(300); 및 지지 로드들(300)의 각각과 연결되고, 제1 플레이트(100)와 제2 플레이트(200) 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판(400)을 포함할 수 있다. 설명의 간결함을 위해, 도 1을 참조하여 설명한 예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략한다.17 to 19, a wafer boat 10 according to an embodiment of the present invention includes a first plate 100; A second plate 200 spaced apart from one side of the first plate 100; Support rods (300) connecting the first plate (100) and the second plate (200); And at least one support plate 400 connected to each of the support rods 300 and between the first plate 100 and the second plate 200. For the sake of simplicity of explanation, description of components substantially the same as those described with reference to Fig. 1 will be omitted.

지지 판(400)은 일측에 웨이퍼(W)가 안착되며, 웨이퍼(W)보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트(410); 및 지지 플레이트(410)로부터 제2 플레이트(200)를 향해 연장되는 측벽(421)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(410)는 복수의 관통 홀들(4101)을 포함할 수 있다. 지지 판(400)은 측벽(421)으로부터 외측을 향해 연장되며, 지지 로드들(300)의 각각과 결합되는 플랜지(430)를 더 포함할 수 있다. 플랜지(430)는 지지 로드들(300)의 각각이 관통하는 결합 홀들(4301)을 포함할 수 있다. The support plate 400 includes a support plate 410 on which a wafer W is mounted and includes a material having thermal conductivity higher than that of the wafer W; And a side wall 421 extending from the support plate 410 toward the second plate 200. The support plate 410 may include a plurality of through holes 4101. The support plate 400 may further include a flange 430 extending outwardly from the side wall 421 and coupled with each of the support rods 300. The flange 430 may include engagement holes 4301 through which each of the support rods 300 passes.

웨이퍼 리프트(25)는 기둥(26a, 26b), 핀 지지부(27) 및 복수의 리프트 핀들(28a, 28b, 28c)을 포함할 수 있다. The wafer lift 25 may include pillars 26a and 26b, a pin support 27 and a plurality of lift pins 28a, 28b and 28c.

기둥(26a, 26b)은 지지 로드들(300)과 평행하게 배치될 수 있다. 기둥(26a, 26b)은 웨이퍼 보트(10)와 이격 배치될 수 있다. 기둥(26a, 26b)은 복수 개일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 기둥은 2개일 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 1개 또는 3개 이상일 수 있다. The pillars 26a, 26b may be disposed in parallel with the support rods 300. The pillars 26a, 26b may be spaced apart from the wafer boat 10. The columns 26a, 26b may be plural. In an embodiment of the present invention, there may be two, but not limited to, one or three or more pillars.

복수의 기둥들(26a, 26b)의 각각은 웨이퍼 보트(10)의 둘레를 따라 소정 간격으로 배치될 수 있다. 복수의 기둥들(26a, 26b)의 각각은 적어도 하나의 연결 부재(29)에 의해 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 연결 부재(29)는 호 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Each of the plurality of pillars 26a and 26b may be disposed at predetermined intervals along the circumference of the wafer boat 10. [ Each of the plurality of pillars 26a, 26b may be connected by at least one connecting member 29. [ In one embodiment of the present invention, the connecting member 29 may be arc-shaped, but is not limited thereto.

핀 지지부(27)는 기둥(26a, 26b)으로부터 지지 판(400)을 향해 연장되어, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예서, 핀 지지부(27)는 복수의 막대들이 연결된 구조로 이루어지나, 이에 한정되지 않고, 지지 플레이트(410)와 평행한 플레이트 구조로 이루어질 수 있다. The pin support portion 27 may extend from the pillars 26a and 26b toward the support plate 400 and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ In an embodiment of the present invention, the pin support portion 27 has a structure in which a plurality of rods are connected to each other. However, the pin support portion 27 may be formed in a plate structure parallel to the support plate 410.

도 17에서와 같이, 핀 지지부(27)는 제1 핀 지지대(27a), 제2 핀 지지대(27b), 제3 핀 지지대(27c), 제4 핀 지지대(27d), 제5 핀 지지대(27e) 및 제 6 핀 지지대(27f)를 포함할 수 있다. 17, the pin support 27 includes a first pin support 27a, a second pin support 27b, a third pin support 27c, a fourth pin support 27d, a fifth pin support 27e And a sixth pin support 27f.

제1 핀 지지대(27a)는 제1 기둥(26a)으로부터 지지 판(400)의 향해 연장되어, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 제2 핀 지지대(27b)는 제2 기둥(27b)으로부터 지지 판(400)을 향해 연장되어, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 제3 핀 지지대(27c)는 제1 기둥(26a)으로부터 제2 기둥(26b)을 향해 연장되며, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 제4 핀 지지대(27d)는 제1 핀 지지대(27a)의 일단과 제2 핀 지지대(27b)의 일단을 연결하며, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 제5 핀 지지대(27e)는 제1 핀 지지대(27a)의 일단과 제3 핀 지지대(27c)의 일 지점(c)을 연결하며, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 제6 핀 지지대(27f)는 제2 핀 지지대(27b)의 일단과 제3 핀 지지대(27c)의 일 지점(c)을 연결하며, 지지 플레이트(410)의 타측에 배치될 수 있다. 여기서, 제3 핀 지지대(27c)의 일 지점(c)은 지지 플레이트(410)의 관통 홀들(4101) 중 어느 하나와 대응되는 지점이다. The first pin support 27a extends from the first column 26a toward the support plate 400 and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ The second pin support 27b may extend from the second column 27b toward the support plate 400 and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ The third pin support 27c extends from the first column 26a toward the second column 26b and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ The fourth pin support 27d connects one end of the first pin support 27a and one end of the second pin support 27b and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ The fifth pin support 27e connects one end of the first pin support 27a to a point c of the third pin support 27c and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ The sixth pin support 27f connects one end of the second pin support 27b and one point c of the third pin support 27c and may be disposed on the other side of the support plate 410. [ Here, one point c of the third pin support 27c corresponds to one of the through holes 4101 of the support plate 410.

리프트 핀들(28a, 28b, 28c)은 핀 지지부(27)로부터 지지 플레이트(410)의 관통 홀들(4101)의 각각을 향해 돌출될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 관통 홀들(4101)은 3개이며, 관통 홀들(4101)의 각각을 관통하는 리프트 핀도 3개일 수 있다. 예를 들면, 리프트 핀들(28a, 28b, 28c)은 제1 핀 지지대(27a)의 일단으로부터 일측으로 돌출된 제1 리프트 핀(28a))과, 제2 핀 지지대(27b)의 일단으로부터 일측으로 돌출된 제2 리프트 핀(28b), 제3 핀 지지대(27c)의 일 지점(c)으로부터 일측으로 돌출된 제3 리프트 핀(28c)을 포함할 수 있다. 제1 리프트 핀(28a), 제2 리프트 핀(28b) 및 제3 리프트 핀(28c)은 웨이퍼 보트(10)가 보트 엘리베이터(430)에 의해 타측으로 이동할 때, 관통 홀들(4101)의 각각을 관통할 수 있다. The lift pins 28a, 28b and 28c may protrude from the pin support 27 toward each of the through holes 4101 of the support plate 410. [ In one embodiment of the present invention, there are three through-holes 4101, and three lift pins passing through each of the through-holes 4101. For example, the lift pins 28a, 28b, and 28c include a first lift pin 28a protruded from one end of the first pin support 27a to one side, and a second lift pin 28b protruding from one end of the second pin support 27b to one side A protruded second lift pin 28b and a third lift pin 28c protruding to one side from a point c of the third pin support 27c. The first lift pin 28a, the second lift pin 28b and the third lift pin 28c are located at the center of the wafer boat 10 when the wafer boat 10 moves to the other side by the boat elevator 430, Can penetrate.

본 발명의 일 실시예에서, 웨이퍼 리프트(25)는 스토퍼(미도시)를 더 포함할 수 있다. 스토퍼(미도시)는 웨이퍼 리프트(25)의 일측으로의 이동을 제한할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 스토퍼는 웨이퍼 리프트(25)의 상측으로의 이동을 제한 할 수 있다. 예를 들면, 스토퍼는 웨이퍼 리프트(25)의 기둥들(26a, 26b) 중 적어도 어느 하나에 설치될 수 있다. 스토퍼는 기둥들(26a, 26b)로부터 제2 플레이트(200)를 향해 연장되어, 제2 플레이트(200)의 하측에 배치될 수 있다. 스토퍼(50)는 제2 플레이트(200)와 일정 거리(L)만큼 이격 배치될 수 있다. 스토퍼와 제2 플레이트(200)와 이격 거리는 돌출 부재(40)의 돌출된 길이(L, 도 16 참조)와 동일하거나 작을 수 있다. 후술할 바와 같이, 스토퍼는 웨이퍼 리프트(25)가 상측으로 이동할 때, 상측으로 이동할 수 있다. 스토퍼가 제2 플레이트(200)의 하측에 일정 거리만큼 이격 배치됨으로써, 웨이퍼 리프트(25)의 상측으로의 이동 거리는 스토퍼와 제2 플레이트(200)의 이격 거리 내로 제한 될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the wafer lift 25 may further include a stopper (not shown). The stopper (not shown) can limit the movement of the wafer lift 25 to one side. In one embodiment of the present invention, the stopper can limit the upward movement of the wafer lift 25. [ For example, the stopper may be installed on at least one of the columns 26a, 26b of the wafer lift 25. [ The stopper may extend from the posts 26a and 26b toward the second plate 200 and may be disposed on the lower side of the second plate 200. [ The stopper 50 may be spaced apart from the second plate 200 by a predetermined distance L. The distance between the stopper and the second plate 200 may be equal to or less than the protruding length L of the protruding member 40 (see FIG. 16). As will be described later, the stopper can move upward when the wafer lift 25 moves upward. The stopper may be spaced apart from the second plate 200 by a predetermined distance so that the upward movement of the wafer lift 25 may be limited to a distance between the stopper and the second plate 200. [

도 20 내지 도 23는 도 17의 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 단면도들이다. 도 24 및 도 25는 도 16의 반도체 제조 장치의 웨이퍼 리트프가 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프팅하는 공정들을 나타낸 개략도이다. 도 20 내지 도 23은 도 18의 III-III' 선에 따른 단면을 기준으로 웨이퍼 보트(10)에 안착된 웨이퍼(W)를 리프팅하여 이동시키는 공정들을 나타낸 도면들이다. 도 24는 도 20의 공정을 나타낸 개략도이고, 도 25는 도 21의 공정을 나타낸 개략도이다. Figs. 20 to 23 are sectional views showing processes for lifting and moving wafers seated on the wafer boat of Fig. Figs. 24 and 25 are schematic diagrams showing processes in which the wafer lift of the semiconductor manufacturing apparatus of Fig. 16 lifts the wafer placed on the wafer boat. FIGS. 20 to 23 are views showing processes for lifting and moving the wafer W placed on the wafer boat 10 based on the cross section taken along the line III-III 'in FIG. Fig. 24 is a schematic view showing the process of Fig. 20, and Fig. 25 is a schematic view showing the process of Fig.

도 20 및 도 24를 참고하면, 보트 엘리베이터(30)의 승강 유닛(33)이 안착 플레이트(31)를 하측으로 이동시킬 때, 안착 플레이트(31)에 안착된 웨이퍼 보트(10) 및 웨이퍼 리프트(25)도 하측으로 이동할 수 있다. 이때, 웨이퍼 리프트(25)의 리프트 핀(28c)은 지지 플레이트(410)의 관통 홀(4101)의 하측에 배치된 상태일 수 있다. 20 and 24, when the elevating unit 33 of the boat elevator 30 moves the placing plate 31 downward, the wafer boat 10 and the wafer lift 25 can also move downward. At this time, the lift pins 28c of the wafer lift 25 may be disposed below the through holes 4101 of the support plate 410.

도 21 및 도 25를 참조하면, 안착 플레이트(31)가 승강 유닛(33)에 의해 하측으로 이동될 때, 하우징(60)의 하면(61)에 배치된 돌출 부재(40)가 삽입 홀(31a)로 삽입될 수 있다. 이때, 돌출 부재(40)는 관통 홀(31a) 상에 배치된 탄성 부재(32)를 상측으로 밀어 올리게 된다. 이에 따라, 관통 홀(31a) 상에 배치된 웨이퍼 리프트(25)의 기둥(26b)이 상측으로 이동하게 된다. 웨이퍼 리프트(25)의 기둥(26b)이 상측으로 이동함으로써, 핀 지지부(27)와 리프트 핀(28c)도 상측으로 이동하게 된다. 리프트 핀(28c)가 상측으로 이동함으로써, 리프트 핀(28c)은 관통 홀(4101)을 관통할 수 있다. 리프트 핀(28c)이 관통 홀(4101)을 관통함으로써, 지지 플레이트(410)에 안착된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 리프트(25)의 리프트 핀(28c)에 의해 상측으로 리프팅될 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)는 지지 판(400)으로부터 분리될 수 있다. 21 and 25, when the mounting plate 31 is moved downward by the elevating unit 33, the protruding member 40 disposed on the lower surface 61 of the housing 60 is inserted into the insertion hole 31a ). At this time, the projecting member 40 pushes upward the elastic member 32 disposed on the through hole 31a. As a result, the column 26b of the wafer lift 25 disposed on the through hole 31a moves upward. The column 26b of the wafer lift 25 moves upward so that the pin support portion 27 and the lift pin 28c also move upward. As the lift pin 28c moves upward, the lift pin 28c can penetrate the through hole 4101. [ The wafer W placed on the support plate 410 can be lifted upward by the lift pins 28c of the wafer lift 25 as the lift pins 28c pass through the through holes 4101. [ That is, the wafer W can be separated from the support plate 400.

도 21 및 도 22를 참고하면, 웨이퍼(W)가 웨이퍼 리프트(25)에 의해 상측으로 리프팅된 때, 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)가 제1 방향(D3)을 향해 이동할 수 있다. 제1 방향(D3)으로 이동한 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 리프팅된 웨이퍼(W)의 하부면을 지지할 수 있다. 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 웨이퍼(W)를 더욱 상측으로 리프팅하여, 웨이퍼 리프트(25)로부터 분리할 수 있다. 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 웨이퍼(W)를 웨이퍼 리프트(25)로부터 분리한 후, 제1 방향(D3)과 반대 방향인 제2 방향(D4)으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)에 의해 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼내질 수 있다. 21 and 22, when the wafer W is lifted upward by the wafer lift 25, the wafer transfer 30 wafer transfer 35 can move toward the first direction D3. The wafer transfer 30 moved in the first direction D3 can support the lower surface of the lifted wafer W. [ Wafer transfer 30 The wafer transfer 35 can further lift the wafer W upward and separate it from the wafer lift 25. [ Wafer transfer 30 The wafer transfer 35 can be moved in a second direction D4 which is opposite to the first direction D3 after the wafer W is separated from the wafer lift 25. Thus, the wafer W can be taken out of the wafer boat 10 by the wafer transfer 30.

웨이퍼 트랜스퍼(30)웨이퍼 트랜스퍼(35)는 반응관(50, 도 16 참조)에서 증착 물질이 증착된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보트(10)로부터 꺼낸 후, 새로운 웨이퍼를 웨이퍼 보트(10)에 적재할 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 트랜스퍼(3035, 도 22 참조)는 새로운 웨이퍼를 지지 플레이트(410, 도 22 참조)의 관통 홀(4101, 도 22 참조)을 관통한 리프트 핀(28c, 도 22 참조) 상에 배치할 수 있다. 리프트 핀(28c) 상에 새로운 웨이퍼가 배치될 때, 보트 엘리베이터(30, 도 17 참조)의 승강 유닛(33, 도 16 참고)은 안착 플레이트(31, 도 16 참고)를 상측으로 이동할 수 있다. 안착 플레이트(31)가 상측으로 이동할 때, 안착 플레이트(31)의 삽입 홀(31a, 도 16 참고) 상에 배치된 돌출 부재(40, 도 16 참고)가 삽입 홀(31a)로부터 분리될 수 있다. 즉, 삽입 홀(31a) 상에 배치된 돌출 부재(40)가 삽입 홀(31a)에서 빠질 수 있다. 돌출 부재(40)가 삽입 홀(31a)로부터 분리됨으로써, 돌출 부재(40)에 의해 상측으로 밀어 올려졌던 탄성 부재(32, 도 16 참고)가 탄성력에 의해 다시 삽입 홀(31a) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 리프트(25, 도 16 참고)의 기둥(26b, 도 16 참조)은 하측으로 이동할 수 있다. 웨이퍼 리프트(25)의 기둥(26c)이 하측으로 이동함으로써, 리프트 핀(28c, 도 22 참고)도 하측으로 이동하여, 지지 플레이트(410)의 관통 홀(4101)로부터 분리될 수 있다. 리프트 핀(28c)이 지지 플레이트(410)의 관통 홀(4101)로부터 분리됨으로써, 리프트 핀(28c) 상에 배치된 새로운 웨이퍼는 웨이퍼 보트(10)의 지지 플레이트(410)에 안착될 수 있다. 즉, 새로운 웨이퍼는 웨이퍼 보트(10)의 지지 판(400)에 안착될 수 있다.Wafer transfer 30 The wafer transfer 35 takes out the wafer W on which the evaporation material has been deposited from the wafer boat 10 at the reaction tube 50 (see Fig. 16), and then loads the new wafer into the wafer boat 10 can do. For example, the wafer transfer 3035 (see FIG. 22) is mounted on a lift pin 28c (see FIG. 22) penetrating the through hole 4101 (see FIG. 22) of the support plate 410 Can be deployed. When the new wafer is placed on the lift pin 28c, the elevating unit 33 (see Fig. 16) of the boat elevator 30 (see Fig. 17) can move the seating plate 31 (see Fig. 16) upward. The protruding member 40 (see FIG. 16) disposed on the insertion hole 31a (see FIG. 16) of the seating plate 31 can be separated from the insertion hole 31a when the mounting plate 31 moves upward . That is, the protruding member 40 disposed on the insertion hole 31a may be detached from the insertion hole 31a. The elastic member 32 (see FIG. 16), which has been pushed upward by the projecting member 40, is again placed on the insertion hole 31a by the elastic force by the projection member 40 being separated from the insertion hole 31a . Accordingly, the column 26b (see Fig. 16) of the wafer lift 25 (see Fig. 16) can move downward. The lift pins 28c (see FIG. 22) also move downward and can be separated from the through holes 4101 of the support plate 410 by moving the column 26c of the wafer lift 25 downward. The lift pin 28c is separated from the through hole 4101 of the support plate 410 so that a new wafer placed on the lift pin 28c can be seated on the support plate 410 of the wafer boat 10. [ That is, the new wafer can be seated on the support plate 400 of the wafer boat 10.

보트 엘리베이터(30)의 승강 유닛(33)은 안착 플레이트(31)를 계속 상측으로 상승시켜, 안착 플레이트(31)가 반응 관(50, 도 24 참고)의 개구부(51, 도 24 참고)를 폐쇄하도록 할 수 있다. 이에 따라, 안착 플레이트(31)에 안착된 웨이퍼 보트(10)는 반응 관(50)의 내부에 배치될 수 있다. The elevating unit 33 of the boat elevator 30 continues to raise the seating plate 31 upward so that the seating plate 31 closes the opening 51 (see FIG. 24) of the reaction tube 50 (see FIG. 24) . Accordingly, the wafer boat 10 seated on the seating plate 31 can be disposed inside the reaction tube 50.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

10, 11: 웨이퍼 보트 20, 25: 웨이퍼 리프트
21, 28a~b: 리프트 핀 22, 27: 핀 지지부
26a, 26b: 기둥 29: 연결 부재들
20: 웨이퍼 트랜스퍼 30: 보트 엘리베이터
31: 안착 플레이트 31a: 삽입 홀
32: 탄성 부재 33: 승강 유닛
35: 웨이퍼 트랜스퍼 40: 돌출 부재
50: 반응 관 60: 하우징
100: 제1 플레이트 200: 제2 플레이트
300: 지지 로드들 400, 401: 지지 판
410, 411: 지지 플레이트 4101, 4111: 관통 홀들
4112: 제1 가이드 슬릿들 420, 421: 측벽
4212: 제2 가이드 슬릿들 430, 431: 플랜지
4301, 4311: 결합 홀들 4312: 제3 가이드 슬릿들
440, 441: 안착 홈 W: 웨이퍼10, 11: Wafer boats 20, 25: Wafer lift
21, 28a to b: lift pins 22, 27: pin support
26a, 26b: column 29: connecting members
20: wafer transfer 30: boat elevator
31: seat plate 31a: insertion hole
32: elastic member 33: elevating unit
35: wafer transfer 40: projecting member
50: reaction tube 60: housing
100: first plate 200: second plate
300: support rods 400, 401: support plate
410, 411: Support plates 4101, 4111: Through holes
4112: first guide slits 420, 421: side wall
4212: second guide slits 430, 431: flange
4301, 4311: coupling holes 4312: third guide slits
440, 441: seating groove W: wafer

Claims (10)

제1 플레이트;
상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트;
상기 제1 플레이트와 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및
상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고,
상기 지지 판은:
상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및
상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함하는 웨이퍼 보트.A first plate;
A second plate spaced apart from one side of the first plate;
Support rods connecting the first plate and the second plate; And
And at least one support plate connected to each of the support rods and disposed between the first plate and the second plate,
Said support plate comprising:
A support plate on which the wafer is mounted, the support plate including a material having a higher thermal conductivity than the wafer; And
And a side wall extending from the support plate toward the second plate. 제1항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 실리콘 카바이트카바이드(SiC)를 포함하는 웨이퍼 보트.The method according to claim 1,
Wherein the support plate comprises silicon carbide carbide (SiC). 제1항에 있어서,
상기 지지 판은 상기 측벽으로부터 외측을 향해 연장되며, 상기 지지 로드들의 각각과 결합되는 플랜지를 더 포함하는 웨이퍼 보트.The method according to claim 1,
Wherein the support plate further extends outwardly from the side wall and further comprises a flange coupled with each of the support rods. 제1항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 복수의 관통 홀들을 포함하는 웨이퍼 보트.The method according to claim 1,
Wherein the support plate comprises a plurality of through holes. 제4항에 있어서,
상기 지지 플레이트는 상기 관통 홀들의 각각으로부터 상기 측벽을 향해 연장되는 제1 가이드 슬릿들을 더 포함하고,
상기 측벽은 상기 제1 가이드 슬릿들의 각각과 연결되는 제2 가이드 슬릿들을 포함하는 웨이퍼 보트.5. The method of claim 4,
The support plate further comprises first guide slits extending from each of the through holes toward the side wall,
And the side walls include second guide slits connected to each of the first guide slits. 제5항에 있어서,
상기 제1 가이드 슬릿들의 각각은 서로 평행하게 배치되는 웨이퍼 보트. 6. The method of claim 5,
And each of the first guide slits is disposed parallel to each other. 제5항에 있어서,
상기 지지 판은 상기 측벽으로부터 외측을 향해 연장되며, 상기 지지 로드들의 각각과 결합되는 플랜지를 더 포함하고,
상기 플랜지는 가장자리로부터 상기 측벽을 향해 연장되어, 상기 제2 가이드 슬릿들의 각각과 연결되는 제3 가이드 슬릿들을 포함하는 웨이퍼 보트.6. The method of claim 5,
The support plate further includes a flange extending outwardly from the side wall and coupled with each of the support rods,
Wherein the flange includes third guide slits extending from the edge toward the side wall and connected to each of the second guide slits. 제7항에 있어서,
상기 제1 가이드 슬릿들의 각각과 상기 제3 가이드 슬릿들의 각각은 서로 평행하게 배치되는 웨이퍼 보트. 8. The method of claim 7,
Wherein each of the first guide slits and each of the third guide slits are disposed parallel to each other. 적어도 하나의 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 보트와, 상기 웨이퍼 보트에 안착된 웨이퍼를 리프트하는 웨이퍼 리프트와, 상기 웨이퍼 보트 및 상기 웨이퍼 리프트를 일측 및 타측으로 이동시키는 보트 엘리베이터와, 내부에 상기 웨이퍼 보트, 상기 웨이퍼 리프트 및 상기 보트 엘리베이터를 수용하는 하우징을 포함하고,
상기 웨이퍼 보트는:
제1 플레이트;
상기 제1 플레이트의 일측에 이격 배치된 제2 플레이트;
상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트를 연결하는 지지 로드들; 및
상기 지지 로드들의 각각과 연결되고, 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치되는 적어도 하나의 지지 판을 포함하고,
상기 지지 판은:
상기 일측에 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼보다 열 전도도가 큰 물질을 포함하는 지지 플레이트; 및
상기 지지 플레이트로부터 상기 제2 플레이트를 향해 연장되는 측벽을 포함하며,
상기 지지 플레이트는 복수의 관통 홀들을 포함하고,
상기 웨이퍼 리프트는:
상기 지지 로드들과 평행하게 배치되는 적어도 하나의 기둥;
상기 기둥으로부터 상기 지지 판을 향해 연장되어, 상기 지지 플레이트의 타측에 배치되는 핀 지지부; 및
상기 핀 지지부로부터 상기 관통 홀들의 각각을 향해 돌출되는 리프트 핀들을 포함하는 반도체 제조 장치.A wafer boat on which at least one wafer is placed; a wafer lift for lifting a wafer placed on the wafer boat; a boat elevator for moving the wafer boat and the wafer lift to one side and the other side; A wafer lift, and a housing for receiving the boat elevator,
The wafer boat comprises:
A first plate;
A second plate spaced apart from one side of the first plate;
Support rods connecting the first plate and the second plate; And
And at least one support plate connected to each of the support rods and disposed between the first plate and the second plate,
Said support plate comprising:
A support plate on which the wafer is mounted, the support plate including a material having a higher thermal conductivity than the wafer; And
And a side wall extending from the support plate toward the second plate,
Wherein the support plate includes a plurality of through holes,
The wafer lift comprises:
At least one column disposed parallel to the support rods;
A pin support portion extending from the column toward the support plate and disposed on the other side of the support plate; And
And lift pins protruding from the pin support portion toward each of the through holes. 제9항에 있어서,
상기 보트 엘리베이터는:
상기 웨이퍼 보트와 상기 웨이퍼 리프트가 안착되는 안착 플레이트;
상기 안착 플레이트를 관통하는 적어도 하나의 삽입 홀; 및
상기 삽입 홀 상에 배치되는 탄성 부재를 포함하고,
상기 하우징의 일면에 배치되고, 상기 관통 홀을 향해 돌출되는 돌출 부재를 포함하는 반도체 제조 장비.10. The method of claim 9,
The boat elevator comprises:
A mounting plate on which the wafer boat and the wafer lift are seated;
At least one insertion hole through the seating plate; And
And an elastic member disposed on the insertion hole,
And a protruding member disposed on one side of the housing and protruding toward the through hole.
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