KR20070032530A - Low Pressure Chemical Vaper Deposition of vertical type - Google Patents

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송윤석
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Abstract

A vertical type low pressure chemical vapor deposition apparatus is provided to improve uniformity of deposition of each wafer mounted on a wafer boat by using ring type gas injection tubes mounted in a constant height at an inner circumference of an inner tube. The vertical type low pressure chemical vapor deposition apparatus comprises an outer tube(10), an inner tube(20), a flange(30), a heater(40), and a wafer boat(50). The wafer boat is a ladder type having horizontal installation grooves, each of which is opened to the inner side of the deposition apparatus in a constant height at supporters. Ring type gas injection tubes(60) are provided along an inner circumference of the inner tube in a constant height. A plurality of gas injection holes are formed on an inner side of each gas injection tube.

Description

종형 저압 화학기상증착 장치{Low Pressure Chemical Vaper Deposition of vertical type}Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Vertical Type

도 1은 종래 종형 저압 화학기상증착 장치를 예시한 측단면도,1 is a side cross-sectional view illustrating a conventional vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus,

도 2는 도 1의 구성에서 웨이퍼 보트의 지지대를 지지하도록 구비되는 링을 형성한 링 타입의 웨이퍼 보트를 도시한 측단면도,FIG. 2 is a side cross-sectional view showing a ring type wafer boat in which a ring is formed to support the support of the wafer boat in the configuration of FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명에 따른 종형 저압 화학기상증착 장치의 측단면도,Figure 3 is a side sectional view of a vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 보트의 구성을 도시한 측단면도,4 is a side sectional view showing the configuration of a wafer boat according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 가스 분사관을 예시한 사시도,5 is a perspective view illustrating a gas injection pipe according to the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 가스 분사관으로의 반응 가스를 공급하는 연결 구조를 도시한 요부 확대 단면도,6 is an enlarged sectional view showing a main part showing a connection structure for supplying a reaction gas to a gas injection pipe according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따라 웨이퍼 보트에 적재되어 있는 웨이퍼에 가스 분사관을 통해 반응 가스가 분사되는 상태를 도시한 평면도.7 is a plan view showing a state in which a reaction gas is injected through a gas injection tube to a wafer loaded in a wafer boat according to the present invention;

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 아우터 튜브10: outer tube

20 : 이너 튜브20: inner tube

30 : 플랜지30: flange

31 : 가스 도입구31 gas inlet

32 : 가스 배출구32: gas outlet

40 : 히터40: heater

50 : 웨이퍼 보트50: Wafer Boat

51 : 지지대51: support

52 : 안치홈52: Settle Home

60 : 가스 분사관60 gas injection pipe

본 발명은 종형 저압 화학기상증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 보트를 지지대에 수평의 안치홈을 형성한 래더 타입으로 형성하면서 이너 튜브의 내주면측으로는 일정한 높이마다 링형의 가스 분사관이 구비되도록 하여 공정 수행 중 웨이퍼의 에지부측으로부터 센터측으로 반응 가스가 공급되면서 균일한 분포를 나타내도록 하여 제품 제조 수율이 더욱 향상되도록 하는 종형 저압 화학기상증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, a ring-shaped gas is formed at a predetermined height toward the inner circumferential surface side of an inner tube while forming a wafer boat in which a wafer is loaded into a ladder type having a horizontal settling groove formed on a support. The present invention relates to a vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus which provides a uniform distribution while supplying a reaction tube to supply a reaction gas from an edge portion side of a wafer to a center side during a process.

일반적으로 고온 산화막(High Temperature Oxide, HTO)은 약 800℃ 이상의 공정 온도에서 형성되는 산화막이다.In general, high temperature oxide (HTO) is an oxide film formed at a process temperature of about 800 ℃ or more.

고온 산화막은 특히 막질이 치밀한 특성으로 인해 반도체 소자를 제조하는데 있어서의 절연막이나 이온 주입의 블로킹막으로서 널리 사용되고 있다. The high temperature oxide film is widely used as an insulating film or a blocking film for ion implantation in manufacturing a semiconductor device due to its particularly dense quality.

고온 산화막은 주로 종형 저압 화학기상증착(LPCVD) 장치를 사용하여 형성하게 되며, 이런 종형 저압 화학기상증착 장치는 도 1에서와 같이 하향 개방된 아우터 튜브(1)와, 이 아우터 튜브(1)의 내부에 구비되면서 상/하로 관통된 실린더형의 이너 튜브(2)와, 아우터 튜브(1)의 하부에서 아우터 튜브(1)와 이너 튜브(2)의 하단부가 고정되도록 하는 관형상의 플랜지(3)와, 이너 튜브(2)의 내부로 로딩되거나 내부로부터 언로딩되는 다수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 보트(4)와, 아우터 튜브(1)의 외부에 설치되어 이너 튜브(2)의 내부공간 온도를 제어하는 히터(5)를 구비한다.The high temperature oxide film is mainly formed using a longitudinal low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) apparatus, and the vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus includes an outer tube 1 opened downward as shown in FIG. A cylindrical inner tube 2 which is provided inside and penetrates up and down, and a tubular flange 3 for fixing the lower end of the outer tube 1 and the inner tube 2 at the lower portion of the outer tube 1. ), A wafer boat 4 on which a plurality of wafers loaded into or unloaded from the inner tube 2 are loaded, and an inner space temperature of the inner tube 2 installed outside the outer tube 1. It is provided with a heater 5 for controlling.

이때의 아우터 튜브(1)와 이너 튜브(2)와 웨이퍼 보트(4)는 공히 약 1200℃에서도 변형되지 않는 재질인 쿼츠로 이루어지고 있다.The outer tube 1, the inner tube 2, and the wafer boat 4 at this time are made of quartz, which is a material that does not deform even at about 1200 ° C.

다시 말해 아우터 튜브(1)는 플랜지(3)의 상단에 하단이 견고하게 결합되고, 플랜지(3)에는 측벽에 가스 도입구(3a)와 함께 가스 배출구(3b)가 높이 차를 갖고 형성되도록 하고 있다.In other words, the outer tube 1 has a lower end firmly coupled to the upper end of the flange 3, and the gas outlet 3b is formed with the gas inlet 3a on the side wall at a height difference. have.

따라서 웨이퍼 보트(4)에 다수의 웨이퍼가 적재되도록 한 상태에서 웨이퍼 보트(4)를 이너 튜브(2)의 내부로 삽입시키게 되면 내부가 완전 밀폐 상태가 된다.Therefore, when the wafer boat 4 is inserted into the inner tube 2 in a state where a plurality of wafers are loaded in the wafer boat 4, the inside is completely sealed.

밀폐된 이너 튜브(2)의 내부로 플랜지(3)의 일측에 형성한 가스 도입구(3a)를 통해 반응 가스가 공급되도록 하면 가스는 이너 튜브(2)의 하부로부터 상단부로 유동하면서 웨이퍼 보트(4)에 적재되어 있는 다수의 웨이퍼에 필요로 하는 막질을 증착시키게 된다.When the reaction gas is supplied to the inside of the sealed inner tube 2 through the gas inlet 3a formed at one side of the flange 3, the gas flows from the lower portion of the inner tube 2 to the upper portion while the wafer boat ( The necessary film quality is deposited on a plurality of wafers loaded in 4).

이때 이너 튜브(2)의 상단부로 유도되는 잔류 가스들은 아우터 튜브(1)와 이너 튜브(2) 사이의 공간을 통해 화살표 방향으로 하향 유도되고, 다시 플랜지(3)에 형성한 가스 배출구(3b)를 통하여 배출시키게 된다.At this time, the residual gas guided to the upper end of the inner tube (2) is guided downward in the direction of the arrow through the space between the outer tube (1) and the inner tube (2), the gas outlet (3b) formed in the flange (3) again Discharged through.

하지만 현재 웨이퍼를 적재시키기 위해 사용되는 웨이퍼 보트(4)는 도 2에서와 같은 링 보트로서, 이 웨이퍼 보트(4)는 수직으로 구비되는 다수개의 지지대(4a)에 일정 높이마다 링(4b)이 구비되도록 하고, 이 링(4b)에는 웨이퍼(W)를 안치시키도록 하는 슬롯(4c)이 각각 형성되도록 하는 것이므로 이러한 웨이퍼 보트(4)의 슬롯(4c)에 적재되는 웨이퍼(W)에 필요로 하는 막질을 증착시키게 되면 웨이퍼 보트(4)에 적재되는 웨이퍼(W)의 센터와 에지에서의 막질 두께에 미세한 편차가 불가피하게 발생하게 된다.However, the wafer boat 4 currently used to load the wafer is a ring boat as shown in FIG. 2, and the wafer boat 4 has a plurality of supports 4a vertically provided with a ring 4b at a predetermined height. Since the slots 4c are formed in the ring 4b so as to allow the wafers W to be placed therein, they are required for the wafers W loaded in the slots 4c of the wafer boat 4. When the film quality is deposited, a slight variation inevitably occurs in the thickness of the film quality at the center and the edge of the wafer W loaded on the wafer boat 4.

이러한 막질 편차는 후속의 공정에서 유니포미티(uniformity)의 문제를 발생시키게 되는 원인이 되기도 한다.This film quality variation may cause a problem of uniformity in subsequent processes.

따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 링형상의 가스 분사관을 이너 튜브의 내부에 일정 높이차를 두고 복수개로서 구비되도록 하고, 각 가스 분사관에는 중앙을 향해 복수의 가스 분사구가 형성되도록 하여 웨이퍼의 센터를 향해서 가스가 분사되면서 웨이퍼에서의 가스 분포가 균일하게 이루어지게 함으로써 제품 수율을 대폭 향상시킬 수 있도록 하는 종형 저압 화학기상증착 장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been invented to solve the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a plurality of ring-shaped gas injection pipes with a plurality of predetermined height difference inside the inner tube, each gas injection pipe The present invention provides a vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus which allows a plurality of gas injection holes to be formed toward the center to uniformly distribute the gas in the wafer while the gas is injected toward the center of the wafer, thereby greatly improving product yield. have.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 내부가 비고 하향 개방된 통형상의 아우터 튜브와, 수직으로 관통된 통형상이면서 상기 아우터 튜브의 내부로 삽입되는 이너 튜브와, 상단부에는 상기 아우터 튜브의 하단부가 결합되는 수직으로 관통된 통형상이면서 내주면에는 상기 이너 튜브의 하단부가 결합되는 플랜지와, 상기 아우터 튜브의 외부를 감싸는 형상으로 구비되어 상기 아우터 튜브의 내부 온도를 제어하는 히터 및 다수의 웨이퍼가 적층되도록 하면서 승강 작용에 의해 상기 이너 튜브의 내부로 로딩/언로딩되는 웨이퍼 보트의 결합으로 이루어지는 종형 저압 화학기상증착 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 보트는 복수의 지지대에 일정한 높이마다 내측으로 개방되는 수평의 안치홈이 형성되도록 하는 래더 타입이고, 상기 이너 튜브의 내부에는 내주면을 따라 소정의 높이 차를 두고 링형상의 가스 분사관이 구비되며, 상기 가스 분사관에는 안쪽면으로 중앙을 향해 가스를 분사하는 다수의 가스 분사공이 일정한 간격으로 다수 형성되고, 상기 가스 분사관들은 상기 플랜지의 가스 도입관으로부터 가스가 공급되도록 하는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cylindrical outer tube which is empty and opened downward, an inner tube which is vertically penetrated and is inserted into the outer tube, and an upper end thereof has a lower end portion of the outer tube. A vertically penetrating cylindrical shape coupled to the inner circumferential surface is provided with a flange to which the lower end of the inner tube is coupled, and a shape surrounding the outside of the outer tube so as to stack a heater and a plurality of wafers for controlling the internal temperature of the outer tube. In the vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus consisting of a combination of wafer boats loaded / unloaded into the inner tube by lifting and lowering, the wafer boats are horizontally settled grooves which are opened inward at a predetermined height to a plurality of supports. Is a ladder type to be formed, the inside of the inner tube It is provided with a ring-shaped gas injection tube with a predetermined height difference along the inner circumferential surface, the gas injection tube is formed with a plurality of gas injection holes for injecting gas toward the center to the inner surface at regular intervals, The ducts allow gas to be supplied from the gas introduction pipe of the flange.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 종형 저압 화학기상증착 장치를 개략적으로 도시한 측단면도이다.Figure 3 is a side cross-sectional view schematically showing a vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

본 발명은 우선 크게 아우터 튜브(10)와 이너 튜브(20)와 플랜지(30)와 히터 (40) 및 웨이퍼 보트(50)로서 이루어지는 구성이다.The present invention largely consists of an outer tube 10, an inner tube 20, a flange 30, a heater 40, and a wafer boat 50.

아우터 튜브(10)는 내부가 비고, 하향 개방되도록 한 형상으로 이루어지는 구성이다.The outer tube 10 is a structure comprised so that the inside may be empty and open downward.

이너 튜브(20)는 내부가 수직으로 관통되는 관형상이며, 아우터 튜브(10)의 내측면으로부터는 일정한 간격만큼 이격되도록 하면서 아우터 튜브(10)와는 동심원상에서 아우터 튜브(10)의 내부로 삽입되고, 이너 튜브(20)의 상단부 또한 아우터 튜브(10)의 상부면과도 일정한 간격만큼 이격되도록 한 구성이다.The inner tube 20 is a tubular shape through which the inside penetrates vertically, and is inserted into the outer tube 10 concentrically with the outer tube 10 while being spaced apart from the inner surface of the outer tube 10 by a predetermined distance. The upper end of the inner tube 20 is also configured to be spaced apart from the upper surface of the outer tube 10 by a predetermined interval.

플랜지(30)는 내부가 수직으로 관통되는 형상이면서 상단부는 아우터 튜브(10)의 하단부와 플랜지 결합되며, 내측면의 상단부로부터 소정의 높이에서는 이너 튜브(20)의 하단부가 안착된다. The flange 30 has a shape in which the inside penetrates vertically, and the upper end is flange-coupled with the lower end of the outer tube 10, and the lower end of the inner tube 20 is seated at a predetermined height from the upper end of the inner side.

특히 플랜지(30)는 측면으로 이너 튜브(20)가 연결되는 부분을 기준으로 그 하부에는 일측에 가스 도입구(31)가 구비되고, 그 상부의 일측에는 가스 배출구(32)가 구비되도록 하며, 이때 가스 도입구(31)는 직접적으로 이너 튜브(20)의 내부와 연통되고, 가스 배출구(32)는 아우터 튜브(10)의 내주면과 이너 튜브(20)의 외주면간 일정하게 이격되도록 한 공간과 연통되도록 한다.Particularly, the flange 30 has a gas inlet 31 at one side thereof, and a gas outlet 32 at one side thereof, provided at the lower side of the flange 30 based on a portion where the inner tube 20 is connected to the side thereof. At this time, the gas inlet 31 is in direct communication with the interior of the inner tube 20, the gas outlet 32 is spaced so as to be spaced at regular intervals between the inner peripheral surface of the outer tube 10 and the outer peripheral surface of the inner tube 20; Ensure communication.

히터(40)는 아우터 튜브(10)의 외측으로 구비되면서 아우터 튜브(10) 및 이너 튜브(20)의 내부에서의 온도를 제어하도록 구비된다.The heater 40 is provided to the outside of the outer tube 10 to control the temperature inside the outer tube 10 and the inner tube 20.

웨이퍼 보트(50)는 다단으로 다수의 웨이퍼가 수평 적재되도록 하면서 승강 가능하게 구비되어 이너 튜브(20)의 내부로 로딩/언로딩되도록 하는 구성이며, 하단부는 플랜지(30)의 하단부와 긴밀하게 밀착될 수 있도록 한다.The wafer boat 50 is configured to be liftable while allowing a plurality of wafers to be horizontally stacked in multiple stages so that the wafer boat 50 can be loaded / unloaded into the inner tube 20. The lower end is in close contact with the lower end of the flange 30. To be possible.

상기한 구성은 종전의 종형 저압 화학기상증착 장치와 대동소이하다.The above-described configuration is substantially the same as the conventional vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus.

이에 본 발명은 도 4에서와 같이 우선 웨이퍼 보트(50)의 수직으로 구비하는 지지대(51)에는 반경 중심을 향해 개방되도록 소정의 깊이로 수평 요입한 안치홈(52)이 일정한 높이로 다수 형성되도록 하여 래더 타입(ladder type)으로 이루어지도록 하는데 두드러진 특징이 있다.Accordingly, in the present invention, as shown in FIG. 4, first, the support 51 provided vertically of the wafer boat 50 includes a plurality of settled grooves 52 horizontally recessed to a predetermined depth so as to be opened toward a radial center. There is a distinctive feature of being made in ladder type.

이때 웨이퍼 보트(50)의 지지대(51)는 일측으로부터 웨이퍼가 삽입 및 인출이 가능하도록 웨이퍼의 외경보다는 큰 간격을 이격하여 양측으로 구비하고, 이들 양측의 지지대(51) 사이에는 후방으로 하나 이상의 지지대(51)가 형성되도록 하는 것이 가장 바람직하다.At this time, the support 51 of the wafer boat 50 is provided on both sides at a distance larger than the outer diameter of the wafer so that the wafer can be inserted and withdrawn from one side, and one or more supports rearward between the support 51 on both sides. Most preferably, 51 is formed.

또한 본 발명은 이너 튜브(20)의 내주면에 소정의 높이 차를 두고 복수개로 도 5에서와 같은 링형상의 가스 분사관(60)이 구비되도록 하는데 두드러진 특징이 있다.In addition, the present invention has a distinctive feature to provide a plurality of ring-shaped gas injection pipe 60 as shown in Figure 5 with a predetermined height difference on the inner peripheral surface of the inner tube (20).

가스 분사관(60)은 외경이 이너 튜브(20)보다는 작고, 내경이 웨이퍼 보트(50)보다는 크게 형성되도록 하는 크기이다.The gas injection pipe 60 has a size such that the outer diameter is smaller than the inner tube 20 and the inner diameter is larger than the wafer boat 50.

가스 분사관(60)은 이너 튜브(20)에 견고하게 고정되도록 하는 것이 바람직하며, 수직의 단면은 원형인 형상으로 이루어지도록 하는 것이 보다 바람직하다.The gas injection tube 60 is preferably fixed to the inner tube 20, and more preferably, the vertical cross section is formed in a circular shape.

가스 분사관(60)에는 내주면에 중앙을 향해 가스를 분사하는 다수의 가스 분사공(61)이 일정한 간격으로 형성되도록 한다.In the gas injection pipe 60, a plurality of gas injection holes 61 for injecting gas toward the center on the inner circumferential surface are formed at regular intervals.

즉 가스 분사관(60)에서의 가스 분사공(61)은 원형상의 가스 분사관(60)에서 반경 중심을 향해 가스가 분사되도록 하는 형상으로 구비되도록 한다.That is, the gas injection hole 61 in the gas injection tube 60 is provided in a shape such that the gas is injected toward the radial center from the circular gas injection tube 60.

또한 이들 가스 분사관(60)은 플랜지(30)의 일측으로 구비되는 가스 도입구(31)와 일체로 연결되도록 하여 가스 도입구(31)를 통해 반응 가스가 공급되도록 한다.In addition, the gas injection pipe 60 is connected to the gas inlet 31 provided on one side of the flange 30 to be integrally so that the reaction gas is supplied through the gas inlet (31).

특히 가스 분사관(60)은 외주연부가 이너 튜브(20)에 견고하게 고정되는 구성으로도 실시가 가능하다.In particular, the gas injection pipe 60 may be implemented in a configuration in which the outer periphery is firmly fixed to the inner tube 20.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 공정 수행은 우선 웨이퍼 보트(50)의 각 지지대(51)에 형성한 안치홈(52)으로 웨이퍼가 한 매씩 끼워지도록 하면서 다수의 웨이퍼가 적재되도록 한다.The process according to the present invention configured as described above allows a plurality of wafers to be loaded while allowing the wafers to be inserted one by one into the settling grooves 52 formed in each support 51 of the wafer boat 50.

다수의 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 보트(50)는 별도의 승강 수단에 의해 상승시켜 이너 튜브(20)의 내부로 삽입되게 한다.The wafer boat 50 loaded with a plurality of wafers is lifted by a separate lifting means to be inserted into the inner tube 20.

웨이퍼 보트(50)가 이너 튜브(20)에 삽입되면 웨이퍼 보트(50)의 하단부가 플랜지(30)의 하단부에 긴밀하게 밀착되면서 이너 튜브(20)의 내부 즉 반응실은 외부와 완벽하게 차단되는 상태가 된다.When the wafer boat 50 is inserted into the inner tube 20, the lower end portion of the wafer boat 50 is closely attached to the lower end portion of the flange 30, and the inside of the inner tube 20, that is, the reaction chamber is completely blocked from the outside. Becomes

이와 같은 상태에서 히터(40)에 의해 반응실 내부를 가열하여 일정한 온도가 되게 하는 동시에 플랜지(30)의 일측에 구비되는 가스 도입구(31)를 통해 반응 가스가 유입되도록 한다.In such a state, the inside of the reaction chamber is heated by the heater 40 to a constant temperature, and at the same time, the reaction gas is introduced through the gas inlet 31 provided at one side of the flange 30.

가스 도입구(31)를 통하여 유입되는 반응 가스는 도 6에서와 같이 이너 튜브(20)의 내주면에서 일정한 높이마다 구비되도록 한 링형상의 가스 분사관(60)으로 유도되고, 각 가스 분사관(60)에서는 반경 중심을 향해 형성되도록 한 가스 분사공(61)을 통하여 반응 가스가 외측에서 내측으로 분사되도록 한다.Reaction gas flowing through the gas inlet 31 is led to a ring-shaped gas injection tube 60 provided at a predetermined height on the inner circumferential surface of the inner tube 20 as shown in FIG. In 60, the reaction gas is injected from the outside to the inside through the gas injection hole 61 that is formed toward the radial center.

이때 웨이퍼 보트(50)에서 웨이퍼는 도 7에서와 같이 단순히 웨이퍼 보트(50)의 지지대(51)에 의해 지지되고 있으므로 가스 분사공(61)을 통해 분사되는 반응 가스가 웨이퍼(W)의 전면에 걸쳐 균일하게 분포될 수가 있게 된다.At this time, since the wafer in the wafer boat 50 is simply supported by the support 51 of the wafer boat 50 as shown in FIG. 7, the reaction gas injected through the gas injection hole 61 is placed on the front surface of the wafer W. As shown in FIG. It can be distributed uniformly over.

즉 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W)의 사이로 종전의 웨이퍼 보트에서는 링이 형성되어 있고, 반응 가스는 가스 도입구(31)를 통해 이너 튜브(20)의 하부에서부터 상부로 유동하도록 하고 있어 불가피하게 웨이퍼(W)의 센터와 에지 부위에서의 막질 증착에 편차가 발생할 수 밖에 없으나 본 발명에서와 같이 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W) 사이의 링을 제거하고 이너 튜브(20)의 내부에서 일정한 높이 차를 두고 구비되는 복수의 링형 가스 분사관(60)을 통해 웨이퍼(W)의 에지부에서부터 센터측으로 반응 가스를 강제 분사시키게 된다.That is, a ring is formed in the conventional wafer boat between the wafer W and the wafer W, and the reaction gas flows from the lower part of the inner tube 20 to the upper part through the gas inlet 31, which is unavoidable. Variation in film deposition at the center and the edge of the wafer W is inevitably caused, but as in the present invention, the ring between the wafer W and the wafer W is removed, and a constant height is formed inside the inner tube 20. The reaction gas is forcibly injected from the edge portion of the wafer W to the center side through a plurality of ring-type gas injection tubes 60 provided with a difference.

따라서 가스 분사관(60)의 가스 분사공(61)을 통해 외측에서부터 반경의 중심을 향해 반응 가스를 분사시키게 되면 반응 가스는 웨이퍼(W)의 전 표면으로 균일하게 분포하게 되므로 웨이퍼(W)에의 막질 증착 또한 균일하게 이루어지게 한다.Therefore, when the reaction gas is injected from the outside toward the center of the radius through the gas injection hole 61 of the gas injection tube 60, the reaction gas is uniformly distributed over the entire surface of the wafer W, so that Film deposition is also made uniform.

이와 같이 웨이퍼(W)에서의 막질을 균일하게 증착되도록 하면 후속 공정 특히 에칭 공정에서의 식각 효율을 더욱 향상시킬 수가 있으므로 보다 제품의 수율을 높일 수가 있도록 한다.In this way, if the film quality on the wafer W is uniformly deposited, the etching efficiency in the subsequent process, particularly the etching process, may be further improved, thereby increasing the yield of the product.

한편 상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다는 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. On the other hand, while many matters have been described in detail in the above description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention.

따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특 허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 다수의 웨이퍼를 적재하는 웨이퍼 보트(50)는 반응 가스의 분산에 간섭을 최소화한 래더 타입으로 구비하고, 이너 튜브(20)의 내주면에는 일정한 높이마다 링형상의 가스 분사관(60)들이 구비되게 함으로써 공정 수행 중 반응 가스가 웨이퍼 보트(50)에 적재되어 있는 각 웨이퍼(W)들 표면으로 균일하게 증착되면서 제품의 제조 수율을 향상시켜 공정 및 제품 신뢰성을 더욱 향상시키도록 하는 매우 유용한 효과를 제공한다. As described above, according to the present invention, the wafer boat 50 for loading a plurality of wafers is provided in a ladder type with a minimum of interference in the dispersion of reaction gas, and the inner circumferential surface of the inner tube 20 has a ring-shaped gas at a predetermined height. By providing the injection tubes 60, the reaction gas is uniformly deposited on the surface of each wafer W loaded on the wafer boat 50 during the process, thereby improving the manufacturing yield of the product and further improving the process and product reliability. It provides a very useful effect.

Claims (4)

내부가 비고 하향 개방된 통형상의 아우터 튜브와, 수직으로 관통된 통형상이면서 상기 아우터 튜브의 내부로 삽입되는 이너 튜브와, 상단부에는 상기 아우터 튜브의 하단부가 결합되는 수직으로 관통된 통형상이면서 내주면에는 상기 이너 튜브의 하단부가 결합되는 플랜지와, 상기 아우터 튜브의 외부를 감싸는 형상으로 구비되어 상기 아우터 튜브의 내부 온도를 제어하는 히터 및 다수의 웨이퍼가 적층되도록 하면서 승강 작용에 의해 상기 이너 튜브의 내부로 로딩/언로딩되는 웨이퍼 보트의 결합으로 이루어지는 종형 저압 화학기상증착 장치에 있어서, A cylindrical outer tube that is open and downwardly opened, an inner tube that is vertically penetrated and inserted into the outer tube, and a vertically penetrated cylindrical and inner circumferential surface to which the lower end of the outer tube is coupled to an upper end thereof. The inner tube of the inner tube by the lifting and lowering action while the plurality of wafers and the heater to control the internal temperature of the outer tube is provided in a flange that is coupled to the lower end of the inner tube, the outer tube is laminated In a longitudinal low pressure chemical vapor deposition apparatus consisting of a combination of a wafer boat loaded / unloaded, 상기 웨이퍼 보트는 복수의 지지대에 일정한 높이마다 내측으로 개방되는 수평의 안치홈이 형성되도록 하는 래더 타입이고, 상기 이너 튜브의 내부에는 내주면을 따라 소정의 높이 차를 두고 링형상의 가스 분사관이 구비되며, 상기 가스 분사관에는 안쪽면으로 중앙을 향해 가스를 분사하는 다수의 가스 분사공이 일정한 간격으로 다수 형성되고, 상기 가스 분사관들은 상기 플랜지의 가스 도입관으로부터 가스가 공급되도록 하는 종형 저압 화학기상증착 장치.The wafer boat is of a ladder type to form a horizontal settling groove which is opened inward at a predetermined height in a plurality of supports, the inner tube is provided with a ring-shaped gas injection pipe with a predetermined height difference along the inner peripheral surface A plurality of gas injection holes are formed in the gas injection pipe at regular intervals, and a plurality of gas injection pipes are formed at regular intervals, and the gas injection pipes have a vertical low pressure chemical vapor gas to supply gas from the gas introduction pipe of the flange. Deposition apparatus. 제 1 항에 있어서, 상기 지지대는 상기 웨이퍼 보트에서 중앙으로부터 일측으로만 복수개로서 형성되는 종형 저압 화학기상증착 장치.2. The vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the support is formed as a plurality of supports only from one side to one side in the wafer boat. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사관은 상기 플랜지의 가스 도입관에 일체로 연결되는 종형 저압 화학기상증착 장치.The vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the plurality of gas injection tubes are integrally connected to a gas introduction tube of the flange. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 가스 분사관들은 상기 이너 튜브의 내주면에 견고하게 고정되는 종형 저압 화학기상증착 장치.The vertical low pressure chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the plurality of gas injection tubes are firmly fixed to an inner circumferential surface of the inner tube.
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