KR100749632B1 - Device for manufacturing wafer slide - Google Patents

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KR100749632B1
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thin film
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김현탁
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동부일렉트로닉스 주식회사
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    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract

An apparatus for forming a wafer thin film is provided to form a uniform thin film on a wafer surface by flowing uniformly a process gas into an inner tube using a cap disc with a plurality of gas inlet holes regularly arranged with each other. An apparatus for forming a wafer thin film includes an inner tube for loading a boat for storing wafers, an outer tube, and a manifold. The outer tube is used for enclosing the inner tube. The manifold is used for fixing the inner and outer tubes. The manifold is composed of a gas supply unit for supplying a process gas into the spaced formed by the inner and outer tubes and a gas exhaust unit. The gas exhaust unit is connected with a lower portion of the inner tube. The gas exhaust unit is used for exhausting the process gas to the outside by moving from an upper portion to the lower portion of the inner tube. The apparatus further includes a cap disc(21) for sealing an upper opening portion of the inner tube. The cap disc includes a plurality of gas inlet holes(22), wherein the gas inlet holes are uniformly distributed on the cap disc.

Description

반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치{DEVICE FOR MANUFACTURING WAFER SLIDE}Wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing {DEVICE FOR MANUFACTURING WAFER SLIDE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치의 프로세스 가스의 흐름이 도시된 개략적인 종단면도.1 is a schematic longitudinal cross-sectional view showing the flow of the process gas of the wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치에 구비된 이너튜브의 상단 개구부에 설치되는 캡디스크의 사시도.Figure 2 is a perspective view of the cap disk installed in the upper opening of the inner tube provided in the wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention.

도 3은 종래의 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치의 프로세스 가스의 흐름이 도시된 개략적인 종단면도.Figure 3 is a schematic longitudinal cross-sectional view showing the flow of the process gas of the conventional wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10:보트(Boat) 11:웨이퍼(Wafer)10: Boat 11: Wafer

20:이너튜브(Inner Tube) 21:캡디스크(Cap Disk)20: Inner Tube 21: Cap Disk

22:가스유입홀 30:아우터튜브(Outer Tube)22: gas inlet hole 30: outer tube

40:매니폴드(Manifold) 41:가스공급기40: Manifold 41: Gas Supply

42:가스배출관42: gas discharge pipe

본 발명은 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치에 관한 것으로, 보다 상세하 게는 보트 및 웨이퍼의 위치차 또는 흡기펌프의 유입속도 등에는 관계없이 웨이퍼 표면에 균일하게 박막을 형성하여 균일도의 변화를 최소로 감소시키는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing, and more particularly, to form a thin film uniformly on the surface of the wafer irrespective of the positional difference between the boat and the wafer, or the inflow rate of the intake pump, thereby minimizing the change in uniformity. It relates to a wafer thin film forming apparatus for semiconductor production.

반도체 제조장치 중 산화막성장 또는 화학기상증착(LP CVD)을 하기 위한 공정에는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치가 사용된다.In the semiconductor manufacturing apparatus, a wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing is used in a process for performing oxide film growth or chemical vapor deposition (LP CVD).

일반적으로 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 고온 저압의 상태에서 챔버의 내부로 웨이퍼의 막을 형성하는데 필요한 소정의 프로세스 가스를 공급함으로써 웨이퍼의 표면에 요구되는 재질의 막질이 형성되도록 하는 것이다.In general, a wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing is to supply a predetermined process gas necessary for forming a film of a wafer into a chamber in a state of high temperature and low pressure so that a film quality of a required material is formed on a surface of a wafer.

종래의 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 복수개의 웨이퍼(11)가 수직방향으로 장착된 보트(10)와, 상기 보트(10)가 내부로 적재되고 하단에서 프로세스 가스가 유입되어 상단 개구부로 유출되는 이너튜브(20)와, 이너튜브(20)의 외부를 감싸며 설치되는 아우터튜브(30)와, 상기 이너튜브(20)와 아우터튜브(30)의 하단을 고정하는 매니폴드(40)가 포함되어 구성된다.In the conventional wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor, as shown in FIG. 3, a boat 10 in which a plurality of wafers 11 are mounted in a vertical direction, and the boat 10 are loaded inside and a process gas is disposed at a lower end thereof. Inner tube 20 that flows into and flows out of the upper opening, outer tube 30 that surrounds the inner tube 20, and a manifold that fixes lower ends of the inner tube 20 and the outer tube 30. The fold 40 is configured to be included.

상기 매니폴드(40)는 주로 스테인레스 스틸로 이루어지며, 상기 이너튜브(20) 하단으로 상기 프로세스 가스를 공급하도록 상기 이너튜브(20) 하단과 연결된 일 측에 가스공급기(41)가 형성되며, 이너튜브(20)의 상단 개구부로 유출된 상기 프로세스 가스가 상기 이너튜브(20)와 아우터튜브(30) 사이에 형성된 이격공간을 통하여 외부로 배출되도록 상기 이격공간과 연결된 타 측에 가스배출관(42)이 형성된다.The manifold 40 is mainly made of stainless steel, the gas supplier 41 is formed on one side connected to the lower end of the inner tube 20 to supply the process gas to the lower end of the inner tube 20, the inner The gas discharge pipe 42 on the other side connected to the separation space so that the process gas flowing into the upper opening of the tube 20 is discharged to the outside through the separation space formed between the inner tube 20 and the outer tube 30. Is formed.

또한, 아우터튜브(30)의 외측에는 내측 공간을 가열하는 가열기(미도시)가 장착되어 반응가스의 온도를 제어하며, 매니폴드(40)의 하향의 개방부로 부터는 다수의 웨이퍼(11)가 적재될 수 있도록 하는 보트(10)가 승강 작용에 의해 인출입된다. 또한, 가스배출관(42)에는 흡기펌프(미도시)가 설치되어 프로세스 가스의 배출을 용이하게 한다.In addition, a heater (not shown) for heating the inner space is mounted outside the outer tube 30 to control the temperature of the reaction gas, and a plurality of wafers 11 are loaded from the downward opening of the manifold 40. The boat 10 which can be made is withdrawn by the lifting action. In addition, the gas discharge pipe 42 is provided with an intake pump (not shown) to facilitate the discharge of the process gas.

한편, 상기한 바와 같이 종래의 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 프로세스 가스가 완전히 개방되어 있는 이너튜브(20)의 하단으로 펌핑의 힘에 따라 유입되게 되어 펌핑의 스피드 및 보트(10)의 미묘한 위치변화에 따라 균일도(Uniformity)를 저하시키는 문제점이 있다.On the other hand, as described above, the conventional wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing is introduced into the lower end of the inner tube 20 in which the process gas is completely opened according to the pumping force, so that the speed of pumping and the delicate position of the boat 10 are changed. As a result, there is a problem of lowering uniformity.

또한, 이너튜브(20) 내로 프로세스 가스가 균등하게 분포되어 유입되지 못하고 프로세스 가스 이송라인이 일정치 못하므로 웨이퍼(11)에 박막이 균일하게 형성되지 못하는 문제점이 있다.In addition, since the process gas is not evenly distributed into the inner tube 20 and the process gas transfer line is not uniform, there is a problem that the thin film is not uniformly formed on the wafer 11.

또한, 웨이퍼(11)가 갈수록 대형화되어 가는 추세를 감안하면 이너튜브(20) 내에서 프로세스 가스가 균등하게 유입 및 확산되어서 웨이퍼(11) 표면에 박막이 균일하게 형성되도록 하는 것이 매우 중요함에도 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 이를 만족시키지 못하는 문제점이 있다. In addition, considering that the wafer 11 is becoming larger in size, it is very important that the process gas is uniformly introduced and diffused in the inner tube 20 so that the thin film is uniformly formed on the surface of the wafer 11. The wafer thin film forming apparatus does not satisfy this problem.

이에 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치에 구비된 이너튜브의 외부에서 내부로 프로세스 가스가 균등하게 확산되면서 유입되도록 상기 이너튜브의 상단 개구부에 다수의 가스유입홀이 형성된 캡디스크를 설치함으로써, 보트 및 웨이퍼의 위치차 또는 흡기 펌프의 유입속도 등에는 관계없이 웨이퍼 표면에 균일하게 박막을 형성하도록 하는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, a plurality of the upper openings of the inner tube so that the process gas is spread evenly from the inner tube provided in the wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing to the inside. It is an object of the present invention to provide a wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing, which makes it possible to form a thin film uniformly on the wafer surface regardless of the position difference between the boat and the wafer, the inflow speed of the intake pump, etc. by providing a cap disk having a gas inlet hole formed therein. .

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 웨이퍼가 설치된 보트가 내부로 적재되는 이너튜브; 상기 이너튜브의 외부를 감싸며 설치되는 아우터튜브; 및 상기 이너튜브와 아우터튜브가 형성하는 이격공간으로 프로세스 가스를 공급하는 가스공급기가 일 측에 형성되고, 상기 이너튜브의 상부에서 하부로 이동하며 상기 보트의 웨이퍼에 박막을 형성하는 프로세스 가스를 배출하도록 상기 이너튜브 하부와 연결된 가스배출관이 타 측에 형성되며, 상기 이너튜브와 아우터튜브의 하단을 고정하는 매니폴드가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention includes an inner tube in which a boat on which a wafer is installed is loaded; An outer tube installed to surround the inner tube; And a gas supplier configured to supply a process gas to a space formed by the inner tube and the outer tube on one side, and move from the upper portion of the inner tube to the lower portion to form a thin film on the wafer of the boat. A gas discharge pipe connected to the lower portion of the inner tube is formed on the other side, and a manifold for fixing the lower ends of the inner tube and the outer tube is included.

또한, 상기 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 상기 이너튜브의 상단 개구부를 밀봉하는 다수의 가스유입홀이 형성된 캡디스크가 포함되어 구성될 수 있다.In addition, the wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor may include a cap disk formed with a plurality of gas inlet holes for sealing the upper opening of the inner tube.

또한, 상기 캡디스크는 유입되는 프로세스 가스가 균일하게 확산되도록 상기 가스유입홀이 균등하게 분포되어 형성될 수 있다.In addition, the cap disk may be formed by uniformly distributing the gas inlet hole so that the incoming process gas is uniformly diffused.

또한, 상기 가스공급기는 인젝터로 이루어질 수 있다.In addition, the gas supplier may be made of an injector.

이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 보트(10)와, 상기 보트(10)가 내부로 적재되는 이너튜브(20)와, 상기 이너튜브(20)의 외부를 감싸며 설치되는 아우터튜브(30)와, 상기 이너튜브(20)와 아우터튜브(30)를 고정하는 매니폴드(40)가 포함되어 구성된다.As shown in FIG. 1, a wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention includes a boat 10, an inner tube 20 in which the boat 10 is loaded, and the inner tube ( The outer tube 30 is installed to surround the outside of the 20, and the manifold 40 for fixing the inner tube 20 and the outer tube 30 is configured to include.

상기 보트(10)는 복수개의 웨이퍼(11)가 수직방향으로 장착되어 있으며, 상기 이너튜브(20)의 내부로 적재된다.The boat 10 has a plurality of wafers 11 mounted in a vertical direction, and are loaded into the inner tube 20.

상기 이너튜브(20)는 원통형으로 이루어지며, 상부는 프로세스 가스가 유입되는 상단 개구부가 형성되며, 하부는 상기 매니폴드(40)에 고정된다.The inner tube 20 is formed in a cylindrical shape, an upper part is formed with an upper opening through which a process gas is introduced, and a lower part is fixed to the manifold 40.

또한, 상기 이너튜브(20)는 상부에 형성된 상단 개구부를 밀봉하는 캡디스크(21)가 더 포함된다.In addition, the inner tube 20 further includes a cap disk 21 for sealing the upper opening formed in the upper portion.

상기 캡디스크(21)는 도 2에 도시된 바와 같이, 원형플레이트 형상으로 상기 프로세스 가스가 유입되는 가스유입홀(22)이 다수 형성되어 있다. 이때, 상기 가스유입홀(22)은 상기 프로세스 가스가 균일하게 이너튜브(20) 내부로 확산되도록 캡디스크(21) 전체에 균등하게 형성된다.As shown in FIG. 2, the cap disk 21 has a plurality of gas inlet holes 22 through which the process gas is introduced into a circular plate shape. At this time, the gas inlet hole 22 is formed evenly on the entire cap disk 21 so that the process gas is uniformly diffused into the inner tube 20.

상기 아우터튜브(30)는 이너튜브(20)와 아우터튜브(30) 사이에 형성된 이격공간으로 공급된 상기 프로세스 가스가 외부로 유출되는 것을 방지하고 상기 이너튜브(20) 내부로 프로세스 가스의 이동을 유도하도록 상부가 밀봉되어 있으며, 하부는 상기 매니폴드(40)에 고정된다.The outer tube 30 prevents the process gas supplied to the separation space formed between the inner tube 20 and the outer tube 30 to flow out to the outside and moves the process gas into the inner tube 20. The upper part is sealed to guide and the lower part is fixed to the manifold 40.

상기 매니폴드(40)에 고정된 상기 이너튜브(20)와 아우터튜브(30)가 형성하는 이격공간에 상기 프로세스 가스를 공급하도록 매니폴드(40)의 상기 이격공간과 연결된 일 측에 가스공급기(41)가 형성된다. 이때, 상기 가스공급기(41)는 인젝터로 이루어지며, 프로세스 가스를 상기 이격공간에 분출시킨다.A gas supply unit is provided at one side connected to the separation space of the manifold 40 to supply the process gas to the separation space formed by the inner tube 20 and the outer tube 30 fixed to the manifold 40. 41) is formed. At this time, the gas supplier 41 is composed of an injector, and the process gas is ejected to the space.

또한, 상기 매니폴드(40)는, 상기 가스공급기(41)에 의해 공급되어 상기 이너튜브(20)의 캡디스크(21)를 관통하고, 이후, 상기 이너튜브(20)의 상부에서 하부로 이동하며 상기 이너튜브(20) 내의 보트(10)에 장착된 웨이퍼(11)에 박막을 형성한 후, 상기 이너튜브(20)의 하부로 이동된 프로세스 가스를 배출하도록 상기 이너튜브(20) 하부와 연결된 타 측에 가스배출관(42)이 형성된다.In addition, the manifold 40 is supplied by the gas supplier 41 to penetrate through the cap disk 21 of the inner tube 20, and thereafter, moves from the upper portion of the inner tube 20 to the lower portion. And a thin film formed on the wafer 11 mounted on the boat 10 in the inner tube 20, and then the lower portion of the inner tube 20 to discharge the process gas moved to the lower portion of the inner tube 20. The gas discharge pipe 42 is formed on the other side connected.

한편, 상기 아우터튜브(30) 외부에는 프로세스 가스의 온도를 제어하도록 가열기(미도시)가 설치될 수 있으며, 상기 가스배출관(42)에는 프로세스 가스의 배출을 용이하게 하는 흡기펌프(미도시)가 설치될 수 있다.On the other hand, a heater (not shown) may be installed outside the outer tube 30 to control the temperature of the process gas, and the gas discharge pipe 42 has an intake pump (not shown) to facilitate the discharge of the process gas. Can be installed.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치의 작용을 설명한다.Hereinafter, the operation of the wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세스 가스가 매니폴드(40) 일 측에 형성된 가스공급기(41)를 통해 상기 이너튜브(20)와 아우터튜브(30) 사이에 형성된 이격공간에 공급된다. 상기 프로세스 가스는 기압차에 의해 상기 이격공간의 상부로 이동하며, 이때, 상기 프로세스 가스는 아우터튜브(30)의 밀봉성과 그 유도성에 의해 상기 이너튜브(20) 상단에 형성된 캡디스크(21)를 통해 이너튜브(20) 내부로 유입된다. 상기 캡디스크(21)는 상기 프로세스 가스가 균일하게 확산되도록 다수개의 가스유입홀(22)이 균등하게 분포되어 있다. 한편, 상기 캡디스크(21)가 가스유 입홀(22)이 없이 상기 이너튜브(20)의 상단 개구부에 설치되면 프로세스 가스가 편중되게 흘러 캡디스크(21)가 없을 때 보다 균일도에 더 좋지 않은 영향을 미칠 수 있으므로 캡디스크(21)에 가스유입홀(22)이 형성되는 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 1, process gas is supplied to a space formed between the inner tube 20 and the outer tube 30 through a gas supplier 41 formed at one side of the manifold 40. The process gas is moved to the upper portion of the separation space by the pressure difference, wherein the process gas is a cap disk 21 formed on the inner tube 20 by the sealability and induction of the outer tube 30 Through the inner tube 20 is introduced into. The cap disk 21 has a plurality of gas inlet holes 22 evenly distributed such that the process gas is uniformly diffused. On the other hand, when the cap disk 21 is installed in the upper opening of the inner tube 20 without the gas inlet hole 22, the process gas flows in a biased manner, which has a worse effect on the uniformity than when the cap disk 21 is not present. Since the gas inlet hole 22 may be formed in the cap disc 21.

상기 캡디스크(21)를 관통한 프로세스 가스는 이너튜브(20) 내부에 적재된 웨이퍼(11)가 장착된 보트(10)와 반응한다. 즉, 상기 프로세스 가스는 상기 이너튜브(20)의 상부에서 하부로 이동하며 상기 보트(10)에 적재된 웨이퍼(11)에 박막을 형성한다. 한편, 상기 프로세스 가스는 이전에 상기 캡디스크(21)에 의해 균등하게 확산되는 과정을 거치기 때문에 보트(10) 및 웨이퍼(11)의 위치차 또는 흡기펌프의 유입속도 등에 관계없이 웨이퍼(11) 표면에 균일하게 박막을 형성한다.The process gas passing through the cap disc 21 reacts with the boat 10 on which the wafer 11 loaded inside the inner tube 20 is mounted. That is, the process gas moves from the top of the inner tube 20 to the bottom to form a thin film on the wafer 11 loaded on the boat 10. On the other hand, since the process gas is previously spread evenly by the cap disk 21, the surface of the wafer 11 regardless of the position difference between the boat 10 and the wafer 11 or the inflow rate of the intake pump, etc. To form a thin film uniformly.

상기 웨이퍼(11)에 박막을 형성한 프로세스 가스는 상기 이너튜브(20) 하부로 이동하며, 상기 이너튜브(20) 하부와 연결된 상기 매니폴드(40)의 가스배출관(42)을 통해 외부로 배출된다.The process gas in which the thin film is formed on the wafer 11 moves to the lower portion of the inner tube 20 and is discharged to the outside through the gas discharge pipe 42 of the manifold 40 connected to the lower portion of the inner tube 20. do.

본 발명은 상술한 특정의 실시예나 도면에 기재된 내용에 그 기술적 사상이 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 본 발명의 청구범위 내에 있게 된다.The present invention is not limited to the technical spirit of the specific embodiments or drawings described above, and those skilled in the art without departing from the gist of the invention claimed in the claims Various modifications are possible, of course, and such changes are within the scope of the claims of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 이너튜브 외부에서 내부로 프로세스 가스가 균등하게 확산되면서 유입되도록 상기 이너튜브의 상단 개구부에 다수의 가스 유입홀이 형성된 캡디스크를 설치함으로써, 프로세스 가스가 한 쪽 방향으로만 유입되는 것이 아니라 상기 캡디스크의 가스유입홀에 따라 골고루 유입되므로 보트 및 웨이퍼의 위치차 또는 흡기펌프의 유입속도 등에는 관계없이 웨이퍼 표면에 균일하게 박막을 형성하여 균일도의 변화를 최소로 감소시키는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, by installing a cap disk having a plurality of gas inlet holes formed in the upper opening of the inner tube so that the process gas is uniformly diffused from the inner tube to the inside, the process gas is in one direction. It is not only introduced, but evenly flows in accordance with the gas inlet hole of the cap disc, so that a uniform thin film is formed on the surface of the wafer regardless of the positional difference between the boat and the wafer or the inflow speed of the intake pump, thereby minimizing the change in uniformity. It works.

Claims (4)

웨이퍼가 설치된 보트가 내부로 적재되는 이너튜브;An inner tube into which a boat on which a wafer is installed is loaded; 상기 이너튜브의 외부를 감싸며 설치되는 아우터튜브; 및An outer tube installed to surround the inner tube; And 상기 이너튜브와 아우터튜브가 형성하는 이격공간으로 프로세스 가스를 공급하는 가스공급기가 일 측에 형성되고, 상기 이너튜브의 상부에서 하부로 이동하며 상기 보트의 웨이퍼에 박막을 형성하는 프로세스 가스를 배출하도록 상기 이너튜브 하부와 연결된 가스배출관이 타 측에 형성되며, 상기 이너튜브와 아우터튜브의 하단을 고정하는 매니폴드가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치.A gas supplier for supplying a process gas to a space formed by the inner tube and the outer tube is formed at one side, and moves from the top of the inner tube to the bottom to discharge the process gas for forming a thin film on the wafer of the boat. The gas discharge pipe connected to the lower portion of the inner tube is formed on the other side, the wafer thin film forming apparatus for semiconductor manufacturing, characterized in that it comprises a manifold for fixing the lower end of the inner tube and the outer tube. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치는,The wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor, 상기 이너튜브의 상단 개구부를 밀봉하는 다수의 가스유입홀이 형성된 캡디스크가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치.Wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor, characterized in that it comprises a cap disk formed with a plurality of gas inlet holes for sealing the upper opening of the inner tube. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 캡디스크는,The cap disk, 유입되는 프로세스 가스가 균일하게 확산되도록 상기 가스유입홀이 균등하게 분포되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치.The apparatus for forming a thin film for manufacturing a semiconductor according to claim 1, wherein the gas inlet holes are uniformly distributed so that the inflow of the process gas is uniform. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스공급기는 인젝터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 웨이퍼박막 형성장치.The gas supply device is a wafer thin film forming apparatus for manufacturing a semiconductor, characterized in that consisting of an injector.
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