KR20170081074A - Organic light emitting diode display device - Google Patents

Organic light emitting diode display device Download PDF

Info

Publication number
KR20170081074A
KR20170081074A KR1020150191804A KR20150191804A KR20170081074A KR 20170081074 A KR20170081074 A KR 20170081074A KR 1020150191804 A KR1020150191804 A KR 1020150191804A KR 20150191804 A KR20150191804 A KR 20150191804A KR 20170081074 A KR20170081074 A KR 20170081074A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathode electrode
potential power
link pattern
power supply
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020150191804A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102560268B1 (en
Inventor
한성만
강병욱
이기형
오길환
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150191804A priority Critical patent/KR102560268B1/en
Publication of KR20170081074A publication Critical patent/KR20170081074A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102560268B1 publication Critical patent/KR102560268B1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5228
    • H01L27/3225
    • H01L27/326
    • H01L27/3262
    • H01L27/3276
    • H01L51/5221
    • H01L2227/32

Abstract

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 애노드 전극(ANO), 유기발광층, 캐소드 전극으로 구성된 유기발광 다이오드를 갖는다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 저전위 전원 라인, 보조 캐소드 전극들, 및 제1 링크 패턴을 포함한다. 저전위 전원 라인은 캐소드 전극에 저전위 전원 전압을 공급한다. 보조 캐소드 전극들은 제1 접촉점에서 캐소드 전극과 연결된다. 제1 링크 패턴은 제2 접촉점에서 보조 캐소드 전극들의 일단에 연결된다. 이때, 제1 링크 패턴은 저전위 전원 라인에 연결되어, 보조 캐소드 전극들을 저전위 전원 라인에 전기적으로 연결한다. The organic light emitting diode display according to the present invention has an organic light emitting diode electrically connected to a thin film transistor, and includes an anode electrode (ANO), an organic light emitting layer, and a cathode electrode. The organic light emitting diode display according to the present invention includes a low potential power supply line, auxiliary cathode electrodes, and a first link pattern. The low potential power supply line supplies a low potential power supply voltage to the cathode electrode. The auxiliary cathode electrodes are connected to the cathode electrode at the first contact point. The first link pattern is connected to one end of the auxiliary cathode electrodes at the second contact point. At this time, the first link pattern is connected to the low potential power supply line, and electrically connects the auxiliary cathode electrodes to the low potential power supply line.

Description

유기발광 다이오드 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting diode display.

최근, 음극선관(CRT : Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한, 평판 표시장치의 예로는, 액정 표시장치(LCD : Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(FED : Field Emission Display), 플라즈마 표시장치(PDP : Plasma Display Panel) 및 유기발광 다이오드 표시장치(OLED : Organic Light Emitting Display) 등이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of CRT (Cathode Ray Tube), have been developed. Examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an organic light emitting diode (OLED) : Organic Light Emitting Display).

이들 평판 표시장치 중에서 유기발광 다이오드 표시장치는 유기 화합물을 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시장치로, LCD에서 사용되는 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 유기 전계발광 표시장치는 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가질 뿐 아니라 낮은 소비 전력, 넓은 시야각 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 갖는다는 점에서 널리 사용되고 있다. Of these flat panel display devices, an organic light emitting diode display device is a self-luminous display device that excites an organic compound to emit light, and it does not require a backlight used in an LCD, so that it is lightweight and thin and can simplify a process . Further, the organic light emitting display device is widely used because it can be manufactured at low temperature, has a response speed of 1 ms or less and has a high response speed as well as low power consumption, wide viewing angle, and high contrast have.

이하, 도 1 및 도 2를 참조하여, 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 1은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1에서 절취선 Ⅰ-Ⅰ'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, a conventional organic light emitting diode display device will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view showing a structure of a conventional organic light emitting diode display device. FIG. 2 is a cross-sectional view cut along a perforated line I-I 'in FIG. 1, illustrating a structure of a conventional organic light emitting diode display device.

도 1 및 2를 참조하면, 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라 함)(ST, DT) 및 박막 트랜지스터(ST, DT)와 연결되어 구동되는 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된 박막 트랜지스터 기판을 포함한다. 1 and 2, an organic light emitting diode (OLED) display device includes an organic light emitting diode (OLED) connected to a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) ST and a thin film transistor DT, Film transistor substrate.

박막 트랜지스터 기판은 스위칭 TFT(ST), 스위칭 TFT(ST)와 연결된 구동 TFT(DT), 구동 TFT(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLE)를 포함한다. 스위칭 TFT(ST)는 기판(SUB) 위에서, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 부위에 형성된다. 스위칭 TFT(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 TFT(ST)는 게이트 라인(GL)에서 분기하는 게이트 전극(SG), 반도체 층(SA), 소스 전극(SS), 및 드레인 전극(SD)을 포함한다.The thin film transistor substrate includes a switching TFT ST, a driving TFT DT connected to the switching TFT ST, and an organic light emitting diode OLE connected to the driving TFT DT. The switching TFT ST is formed on a portion of the substrate SUB where the gate line GL and the data line DL cross each other. The switching TFT ST functions to select a pixel. The switching TFT ST includes a gate electrode SG, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD which branch off from the gate line GL.

구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 역할을 한다. 구동 TFT(DT)는 스위칭 TFT(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG), 반도체층(DA), 고전위 전원 라인(VDL)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)과 연결된다. 애노드 전극(ANO) 위에는 기판의 대부분을 덮는 캐소드 전극(CAT)이 배치되며, 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에는 유기발광층이 개재된다. The driving TFT DT serves to drive the organic light emitting diode OLE of the pixel selected by the switching TFT ST. The driving TFT DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching TFT ST, a semiconductor layer DA, a source electrode DS connected to the high potential power supply line VDL, DD). The drain electrode DD of the driving TFT DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE. A cathode electrode (CAT) covering the majority of the substrate is disposed on the anode electrode (ANO), and an organic light emitting layer is interposed between the anode electrode (ANO) and the cathode electrode (CAT).

화소가 배치되는 표시 영역의 외주부에는, 게이트 라인(GL)의 일측 단부에 형성된 게이트 패드(GP), 데이터 라인(DL)의 일측 단부에 형성된 데이터 패드(DP), 및 저전위 전원 라인(VDL)의 일측 단부에 형성된 고전위 전원 패드(VDP)가 배치된다.A gate pad GP formed at one end of the gate line GL, a data pad DP formed at one end of the data line DL and a data pad DP formed at one end of the data line DL and a low potential power line VDL, And a high potential power supply pad (VDP) formed at one end of the power supply pad.

도 2를 더 참조하면, 기판(SUB) 위에는 반도체층(SA, DA)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체층(SA, DA) 위에는 게이트 전극(SG, DG)이 형성된다. 게이트 전극(SG, DG)은 반도체층(SA, DA)의 중심부에 중첩되며, 게이트 전극(SG, DG)과 중첩된 반도체층(SA, DA)의 중심부는 채널영역으로 정의될 수 있다. 또한, 게이트 절연막(GI) 위에는 게이트 패드(GP)가 형성될 수 있다. 2, semiconductor layers SA and DA are formed on a substrate SUB. Gate electrodes SG and DG are formed on the semiconductor layers SA and DA with the gate insulating film GI therebetween. The gate electrodes SG and DG are superimposed on the central portions of the semiconductor layers SA and DA and the center portion of the semiconductor layers SA and DA overlapped with the gate electrodes SG and DG can be defined as a channel region. A gate pad GP may be formed on the gate insulating film GI.

반도체층(SA, DA)의 일측부는 콘택홀을 통해 소스 전극들(SS, DS)과 연결되고, 타측부는 드레인 전극들(SD, DD)과 연결된다. 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)들은 게이트 전극들(SG, DG)을 덮는 절연막(IN) 위에 형성된다. 또한, 절연막(IN) 위에는 데이터 패드(DP), 고전위 전원 패드(VDP)가 형성될 수 있다.One side of the semiconductor layers SA and DA is connected to the source electrodes SS and DS through the contact holes and the other side is connected to the drain electrodes SD and DD. The source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD are formed on the insulating film IN covering the gate electrodes SG and DG. A data pad DP and a high potential power supply pad VDP may be formed on the insulating layer IN.

스위칭 TFT(ST)와 구동 TFT(DT)가 형성된 기판(SUB) 위에는, 보호막(PAS)이 형성된다. 보호막(PAS)이 형성된 기판(SUB) 위에는 평탄화 막(PL)이 형성된다. A protective film PAS is formed on the substrate SUB on which the switching TFT ST and the driving TFT DT are formed. A planarizing film PL is formed on the substrate SUB on which the protective film PAS is formed.

평탄화 막(PL) 위에는, 콘택홀을 통해 구동 TFT(DT)의 드레인 전극(DD)과 접촉하는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 또한, 평탄화 막(PL)이 형성되지 않은 외주부에는, 절연막을 관통하는 콘택홀들을 통해 게이트 패드(GP), 데이터 패드(DP), 및 고전위 전원 패드(VDP)와 각각 연결되는 게이트 패드 단자(GPT), 데이터 패드 단자(DPT), 및 고전위 전원 단자(VDPT)가 형성된다. 애노드 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB) 위에는 뱅크(BA)가 형성된다. 뱅크(BA)는 애노드 전극(ANO)의 대부분을 노출시킨다. 노출된 애노드 전극(ANO) 위에는 유기발광층(OL)이 형성된다. 유기발광층(OL)이 형성된 기판 위에는 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기발광층(OL), 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLE)가 완성된다.An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL in contact with the drain electrode DD of the driving TFT DT through the contact hole. A gate pad terminal (not shown) connected to the gate pad GP, the data pad DP, and the high potential power supply pad VDP is formed through the contact holes passing through the insulating film, GPT), a data pad terminal (DPT), and a high potential power supply terminal (VDPT). On the substrate SUB on which the anode electrode ANO is formed, a bank BA is formed. The bank BA exposes most of the anode electrode ANO. The organic light emitting layer OL is formed on the exposed anode electrode ANO. A cathode electrode (CAT) is formed on the substrate on which the organic light emitting layer (OL) is formed. Thereby, an organic light emitting diode (OLE) including the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OL, and the cathode electrode CAT is completed.

저전위 전원 전압을 인가받는 캐소드 전극(CAT)은, 기판(SUB) 전체 표면의 대부분에 걸쳐 형성된다. 캐소드 전극(CAT)을 비 저항 값이 낮은 금속 물질로 형성할 경우에는 큰 문제가 없다. 다만, 상부 발광형(Top-Emission) 표시장치와 같이, 상층에 위치하는 캐소드 전극(CAT)의 투과도를 확보할 필요가 있는 경우, 캐소드 전극(CAT)을 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전물질로 형성할 필요가 있다. 캐소드 전극(CAT)을 ITO와 같은 투명 도전물질로 형성하는 경우, 면 저항이 커져서 화질에 문제가 발생할 수 있다.The cathode electrode (CAT) to which the low potential power supply voltage is applied is formed over most of the entire surface of the substrate (SUB). There is no serious problem when the cathode electrode (CAT) is formed of a metal material having a low specific resistance value. However, when it is necessary to secure the transmittance of the cathode electrode (CAT) located in the upper layer like the top emission display, the cathode electrode (CAT) may be formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) It needs to be formed of a material. In the case where the cathode electrode (CAT) is formed of a transparent conductive material such as ITO, the surface resistance may become large, which may cause image quality problems.

즉, 비 저항이 큰 물질을 포함한 캐소드 전극(CAT)을 이용하는 경우, 면 저항이 커진다. 이 경우, 캐소드 전극(CAT)에 인가되는 저전위 전원 전압이 캐소드 전극(CAT)의 전체 면적에 걸쳐 일정한 전압값을 갖지 못하는 문제가 발생한다. 특히, 대면적 표시장치의 경우, 위치에 따른 전압 편차 예를 들어, 저전위 전원 전압이 인가되는 인입부와의 거리에 따른 전압 편차가 크게 발생할 것이므로, 전체 화면에 걸쳐서 휘도가 불균일해지는 현상은 더욱 중요한 문제로 대두될 수 있다.That is, when the cathode electrode (CAT) including a material having a high resistivity is used, the surface resistance becomes large. In this case, a problem occurs that the low potential power supply voltage applied to the cathode electrode CAT does not have a constant voltage value over the entire area of the cathode electrode CAT. Particularly, in the case of a large-area display device, a voltage deviation according to the position will occur with a large voltage deviation according to the distance from the lead-in portion to which the low-potential power supply voltage is applied. Therefore, It can become an important problem.

본 발명의 목적은 상기 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 위치에 따른 캐소드 전극의 저전위 전원 전압 편차를 최소화한 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) display device in which a low potential power source voltage deviation of a cathode electrode is minimized according to a position.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 애노드 전극(ANO), 유기발광층, 캐소드 전극으로 구성된 유기발광 다이오드를 갖는다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 저전위 전원 라인, 보조 캐소드 전극들, 및 제1 링크 패턴을 포함한다. 저전위 전원 라인은 캐소드 전극에 저전위 전원 전압을 공급한다. 보조 캐소드 전극들은 제1 접촉점에서 캐소드 전극과 연결된다. 제1 링크 패턴은 제2 접촉점에서 보조 캐소드 전극들의 일단에 연결된다. 이때, 제1 링크 패턴은 저전위 전원 라인에 연결되어, 보조 캐소드 전극들을 저전위 전원 라인에 전기적으로 연결한다. The organic light emitting diode display according to the present invention has an organic light emitting diode electrically connected to a thin film transistor, and includes an anode electrode (ANO), an organic light emitting layer, and a cathode electrode. The organic light emitting diode display according to the present invention includes a low potential power supply line, auxiliary cathode electrodes, and a first link pattern. The low potential power supply line supplies a low potential power supply voltage to the cathode electrode. The auxiliary cathode electrodes are connected to the cathode electrode at the first contact point. The first link pattern is connected to one end of the auxiliary cathode electrodes at the second contact point. At this time, the first link pattern is connected to the low potential power supply line, and electrically connects the auxiliary cathode electrodes to the low potential power supply line.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 보조 캐소드 전극들의 타단과 연결되는 제2 링크 패턴을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention may further include a second link pattern connected to the other end of the auxiliary cathode electrodes.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 제1 링크 패턴 및 제2 링크 패턴과 연결되는 제3 링크 패턴을 더 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display according to the present invention may further include a first link pattern and a third link pattern connected to the second link pattern.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 구획된 화소들을 더 포함한다. 보조 캐소드 전극은 이웃하는 화소들 사이에서 상기 데이터 라인과 나란하게 배치될 수 있다. 제1 링크 패턴은 게이트 라인과 나란하게 배치될 수 있다. The organic light emitting diode display according to the present invention further includes pixels partitioned by gate lines and data lines intersecting with each other. The auxiliary cathode electrode may be disposed in parallel with the data line between neighboring pixels. The first link pattern may be arranged in parallel with the gate line.

보조 캐소드 전극은 캐소드 전극보다 낮은 저항값을 갖는다. The auxiliary cathode electrode has a lower resistance value than the cathode electrode.

제1 링크 패턴은 캐소드 전극보다 낮은 저항값을 갖는다. The first link pattern has a lower resistance value than the cathode electrode.

제1 접촉점은 보조 캐소드 전극들 각각에 적어도 하나 이상 위치한다. The first contact point is located at least on each of the auxiliary cathode electrodes.

이웃하는 제1 접촉점들 사이의 간격은 제1 링크 패턴으로부터의 거리에 반비례할 수 있다. The distance between neighboring first contact points may be inversely proportional to the distance from the first link pattern.

제1 접촉점의 밀도는 제1 링크 패턴으로부터 멀어질수록 높을 수 있다. The density of the first contact point can be increased as the distance from the first link pattern is increased.

본 발명은 비 저항이 낮은 도전 물질로 형성된 보조 캐소드 전극을 캐소드 전극에 연결함으로써, 캐소드 전극의 면 저항을 낮출 수 있고, 이에 따라 캐소드 전극의 면내 저항 편차에 기인한 휘도 불균일 불량을 줄일 수 있다.The present invention can reduce the surface resistance of the cathode electrode by connecting the auxiliary cathode electrode formed of a conductive material having a low resistivity to the cathode electrode, thereby reducing the luminance unevenness defect caused by the in-plane resistance variation of the cathode electrode.

또한, 본 발명은 저전위 전원 전압을 캐소드 전극으로 전달하기 위한 복수의 저전위 전원 공급경로를 확보함으로써, 캐소드 전극에서 발생되는 IR 라이징(rising)의 위치별 편차를 최소화할 수 있다. 즉, 본 발명은 충분한 저전위 전원 공급경로를 확보함으로써, 저전위 전원 전압이 인가되는 캐소드 전극에 단순히 보조 캐소드 전극만을 연결한 구조 대비, 위치에 따른 캐소드 전극의 면내 저항 편차에 기인한 휘도 불균일 불량을 최소화할 수 있다. In addition, by providing a plurality of low potential power supply paths for transmitting the low potential power supply voltage to the cathode electrode, it is possible to minimize the variation of the IR rising position generated at the cathode electrode. That is, according to the present invention, by ensuring a sufficient low-potential power supply path, a structure in which only the auxiliary cathode electrode is connected to the cathode electrode to which the low-potential power supply voltage is applied is compared with the structure in which the luminance non- Can be minimized.

도 1은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에서 절취선 Ⅰ-Ⅰ'로 자른 단면으로 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 화소를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명에 의한 링크 패턴의 배치 예를 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7에서 절취선 Ⅱ-Ⅱ'으로 절취한 단면도이다.
도 9는 도 7에서 절취선 Ⅲ-Ⅲ'으로 절취한 단면도이다.
도 10 내지 도 12는 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극이 연결되는 제1 접촉점의 위치 패턴을 설명하기 위한 도면들이다.
1 is a plan view showing a structure of a conventional organic light emitting diode display device.
FIG. 2 is a cross-sectional view cut along a perforated line I-I 'in FIG. 1, illustrating a structure of a conventional organic light emitting diode display device.
3 is a schematic view illustrating an organic light emitting diode display device according to the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram showing the pixel shown in FIG. 3. FIG.
5 is a plan view schematically showing an organic light emitting diode display device according to the present invention.
6 is a view schematically showing an example of arrangement of link patterns according to the present invention.
7 is a plan view schematically showing an organic light emitting diode display according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the cutting line II-II 'in FIG.
9 is a cross-sectional view taken along the perforated line III-III 'in FIG.
FIGS. 10 to 12 are views for explaining a position pattern of the first contact point where the cathode electrode and the auxiliary cathode electrode are connected.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

도 3은 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 화소를 개략적으로 나타낸 구성도이다. 3 is a schematic view illustrating an organic light emitting diode display device according to the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram showing the pixel shown in FIG. 3. FIG.

도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치(10)는 디스플레이 구동 회로, 표시 패널(DIS)을 포함한다. Referring to FIG. 3, the organic light emitting diode display 10 according to the present invention includes a display driving circuit and a display panel DIS.

디스플레이 구동 회로는 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(14) 및 타이밍 콘트롤러(16)를 포함하여 입력 영상의 비디오 데이터전압을 표시 패널(DIS)의 화소들에 기입한다. 데이터 구동회로(12)는 타이밍 콘트롤러(16)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터전압은 데이터라인들(D1~Dm)에 공급된다. 게이트 구동회로(14)는 데이터전압에 동기되는 게이트펄스를 게이트라인들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터 전압이 기입되는 표시 패널(DIS)의 화소들을 선택한다.The display driving circuit includes a data driving circuit 12, a gate driving circuit 14 and a timing controller 16, and writes the video data voltage of the input image to the pixels of the display panel DIS. The data driving circuit 12 converts the digital video data RGB input from the timing controller 16 into an analog gamma compensation voltage to generate a data voltage. The data voltage output from the data driving circuit 12 is supplied to the data lines D1 to Dm. The gate driving circuit 14 sequentially supplies gate pulses synchronized with the data voltages to the gate lines G1 to Gn to select the pixels of the display panel DIS to which the data voltages are written.

타이밍 콘트롤러(16)는 호스트 시스템(19)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 데이터 구동회로(12)를 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 게이트 구동회로(14)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다.The timing controller 16 inputs timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE and a main clock MCLK input from the host system 19 And synchronizes the operation timings of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 14 with each other. The data timing control signal for controlling the data driving circuit 12 includes a source sampling clock (SSC), a source output enable (SOE) signal, and the like. The gate timing control signal for controlling the gate driving circuit 14 includes a gate start pulse GSP, a gate shift clock GSC, a gate output enable signal GOE .

호스트 시스템(19)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(19)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시 패널(DIS)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(19)은 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(16)로 전송한다.The host system 19 may be implemented as any one of a television system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system. The host system 19 includes a system on chip (SoC) with a built-in scaler to convert the digital video data RGB of the input image into a format suitable for display on the display panel DIS. The host system 19 transmits timing signals (Vsync, Hsync, DE, MCLK) to the timing controller 16 together with the digital video data.

표시 패널(DIS)의 화소 어레이는 데이터라인들(D1~Dm, m은 양의 정수)과 게이트라인들(G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 자발광 소자인 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함한다. The pixel array of the display panel DIS includes pixels defined by the data lines (D1 to Dm, m is a positive integer) and the gate lines (G1 to Gn, n is a positive integer). Each of the pixels includes an organic light emitting diode (OLED), which is a self-luminous element.

도 4를 더 참조하면, 표시 패널(DIS)에는 다수의 데이터라인들(D)과, 다수의 게이트라인들(G)이 교차되고, 이 교차영역마다 화소들이 매트릭스 형태로 배치된다. 화소 각각은 OLED, OLED에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라 함)(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트-소스간 전압을 셋팅하기 위한 프로그래밍부(SC)를 포함한다. 4, a plurality of data lines D and a plurality of gate lines G are intersected with each other in a display panel DIS, and pixels are arranged in a matrix form in each of the intersection areas. Each of the pixels includes a driving thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) DT for controlling the amount of current flowing through the OLED and the OLED, and a programming portion SC for setting the gate-source voltage of the driving TFT DT .

프로그래밍부(SC)는 적어도 하나 이상의 스위치 TFT와, 적어도 하나 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 스위치 TFT는 게이트 라인(G)으로부터의 스캔 신호에 응답하여 턴 온 됨으로써, 데이터라인(D)으로부터의 데이터전압을 스토리지 커패시터의 일측 전극에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터에 충전된 전압의 크기에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 OLED의 발광량을 조절한다. OLED의 발광량은 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류량에 비례한다. 이러한 화소는 고전위 전원 전압원(EVDD)과 저전위 전원 전압원(EVSS)에 연결되어, 도시하지 않은 전원발생부로부터 각각 고전위 전원 전압과 저전위 전원 전압을 공급받는다. 화소를 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 화소를 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다. OLED는 애노드 전극(ANO), 캐소드 전극(CAT), 및 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이에 개재된 유기발광층을 포함한다. 애노드 전극(ANO)은 구동 TFT(DT)와 접속된다. 유기발광층은 발광층(Emission layer, EML)을 포함하고, 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. The programming portion SC may include at least one switch TFT and at least one storage capacitor. The switch TFT is turned on in response to a scan signal from the gate line G, thereby applying a data voltage from the data line D to one electrode of the storage capacitor. The driving TFT DT controls the amount of current supplied to the OLED according to the magnitude of the voltage charged in the storage capacitor to control the amount of light emitted from the OLED. The amount of light emission of the OLED is proportional to the amount of current supplied from the driving TFT DT. These pixels are connected to a high potential power source voltage source (EVDD) and a low potential power source voltage source (EVSS), respectively, and are supplied with a high potential power source voltage and a low potential power source voltage from a power source not shown. The TFTs constituting the pixel may be implemented as a p-type or an n-type. Further, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel may include amorphous silicon, polysilicon, or an oxide. The OLED includes an anode electrode ANO, a cathode electrode CAT, and an organic light emitting layer interposed between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT. The anode electrode ANO is connected to the driving TFT DT. The organic emission layer includes an emission layer (EML) and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer injection layer, EIL).

이하, 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 특징적 구성을 설명한다. 도 5는 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 6은 본 발명에 의한 링크 패턴의 배치 예를 개략적으로 도시한 도면들이다.Hereinafter, a characteristic configuration of an organic light emitting diode display device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a plan view schematically showing an organic light emitting diode display device according to the present invention. 6 is a view schematically showing an example of arrangement of link patterns according to the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 전술한 회로부로부터 다양한 구동 신호 및 전원 전압을 인가받는 표시 패널(DIS)을 포함한다. 표시 패널(DIS)은 저전위 전원 라인(VSL), 캐소드 전극(CAT), 보조 캐소드 전극(ACAT), 및 제1 링크 패턴(LP1)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the organic light emitting diode display device according to the present invention includes a display panel (DIS) to which various driving signals and a power voltage are supplied from the above-described circuit portion. The display panel DIS includes a low potential power supply line VSL, a cathode electrode CAT, an auxiliary cathode electrode ACAT, and a first link pattern LP1.

저전위 전원 라인(VSL)에는 저전위 전원 전압이 인가된다. 예를 들어, 저전위 전원 라인(VSL)은 패드부(PA)에 구비된 패드들 중 저전위 전원 전압이 공급되는 패드와 연결될 수 있다. 이때, 패드부(PA)는 COF(Chip On Film)와 같은 연성 필름과 연결될 수 있고, 전원발생부에서 출력된 저전위 전원 전압은 표시 패널(DIS)의 패드부(PA)와 전기적으로 연결된 연성 필름을 통해 표시 패널(DIS)의 저전위 전원 라인(VSL)으로 입력될 수 있다. A low potential power supply voltage is applied to the low potential power supply line (VSL). For example, the low potential power supply line (VSL) may be connected to a pad to which a low potential power supply voltage is supplied among the pads provided in the pad portion PA. At this time, the pad portion PA can be connected to a flexible film such as COF (Chip On Film), and the low potential power supply voltage outputted from the power generation portion is connected to the pad portion PA of the display panel DIS And can be input to the low potential power supply line (VSL) of the display panel DIS via the film.

캐소드 전극(CAT)은 저전위 전원 라인(VSL)과 직접 연결되어 저전위 전원 전압을 공급받는다. 캐소드 전극(CAT)은 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide) 혹은 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전 물질로 형성된다. 즉, 상부 발광형(Top-Emission)의 경우, 상층에 위치하는 캐소드 전극(CAT)은, 빛이 이를 투과하여야 하므로, 투명 도전 물질로 형성된다.The cathode electrode CAT is directly connected to the low-potential power supply line (VSL) to receive the low-potential power supply voltage. The cathode electrode (CAT) is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (ITO). That is, in the case of the top emission type, the cathode electrode (CAT) located in the upper layer is formed of a transparent conductive material since light must transmit through it.

투명 도전물질은 금속 물질보다는 비 저항 값이 높은 편이다. 이와 같이, 비 저항이 큰 물질을 포함한 캐소드 전극(CAT)을 이용하는 경우, 캐소드 전극(CAT)에 인가되는 저전위 전원 전압이 캐소드 전극(CAT)의 전체 면적에 걸쳐 일정한 전압값을 갖지 못하는 문제가 발생한다. 예를 들어, 저전위 전원 전압이 인가되는 쪽인 인입부에서의 저전위 전원 전압 값과, 인입부로부터 이격된 위치에서의 저전위 전원 전압 값과의 편차가 커져 휘도가 위치에 따라 일정하지 않을 수 있다.Transparent conductive materials have higher resistivity than metallic materials. When the cathode electrode (CAT) including a material having a high resistivity is used, the problem that the low potential power supply voltage applied to the cathode electrode (CAT) does not have a constant voltage value over the entire area of the cathode electrode (CAT) Occurs. For example, when the deviation between the low-potential power supply voltage value at the lead-in portion to which the low-potential power supply voltage is applied and the low-potential power supply voltage value at the position apart from the lead-in portion becomes large and the brightness is not constant have.

이를 방지하기 위해, 본 발명은 비 저항이 낮은 도전 물질로 형성된 보조 캐소드 전극(ACAT)을 더 포함한다. 즉, 보조 캐소드 전극(ACAT)은 캐소드 전극(CAT) 보다 저항이 낮은 물질을 포함한다. 보조 캐소드 전극(ACAT)은 캐소드 전극(CAT)과 하나 이상의 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치된다. To prevent this, the present invention further includes an auxiliary cathode electrode (ACAT) formed of a low resistivity conductive material. That is, the auxiliary cathode electrode ACAT includes a material having lower resistance than the cathode electrode CAT. The auxiliary cathode electrode ACAT is disposed in a different layer with the cathode electrode CAT interposed therebetween.

보조 캐소드 전극(ACAT)과 캐소드 전극(CAT)은, 하나 이상의 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치되며, 제1 접촉점(CP1)에서 서로 접촉된다. 예를 들어, 캐소드 전극(CAT)과 보조 캐소드 전극(ACAT)은 제1 접촉점(CP1)에서 레이저 공정을 통해 전기적으로 연결되거나, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 캐소드 전극(CAT)의 면 저항을 낮출 수 있어, 캐소드 전극(CAT)의 면내 저항 편차에 기인한 휘도 불균일 불량을 줄일 수 있다. The auxiliary cathode electrode ACAT and the cathode electrode CAT are disposed in different layers with one or more insulating films therebetween and are in contact with each other at the first contact point CP1. For example, the cathode electrode CAT and the auxiliary cathode electrode ACAT may be electrically connected through a laser process at the first contact point CP1 or may be electrically connected through the contact hole. Accordingly, the present invention can reduce the surface resistance of the cathode electrode (CAT), thereby reducing the luminance unevenness defect due to the in-plane resistance variation of the cathode electrode (CAT).

제1 링크 패턴(LP1)은 저전위 전원 라인(VSL)과 직접 연결되어 저전위 전원 전압을 공급받는다. 제1 링크 패턴(LP1)은 보조 캐소드 전극(ACAT)들의 일단과 연결되어, 보조 캐소드 전극(ACAT)들 각각을 전기적으로 연결시킨다. 제1 링크 패턴(LP1)과 보조 캐소드 전극(ACAT)은, 하나 이상의 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치되며, 제2 접촉점(CP2)에서 서로 접촉된다. 예를 들어, 제1 링크 패턴(LP1)과 보조 캐소드 전극(ACAT)의 일단은 제2 접촉점(CP2)에서 레이저 공정을 통해 전기적으로 연결되거나, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 저전위 전원 라인(VSL)으로 인가된 저전위 전원 전압은 제1 링크 패턴(LP1)을 통해 각 보조 캐소드 전극(ACAT)들로 전달된다.The first link pattern LP1 is directly connected to the low-potential power supply line VSL and is supplied with the low-potential power supply voltage. The first link pattern LP1 is connected to one end of the auxiliary cathode electrodes ACAT to electrically connect each of the auxiliary cathode electrodes ACAT. The first link pattern LP1 and the auxiliary cathode electrode ACAT are disposed on different layers with one or more insulating films interposed therebetween and are in contact with each other at a second contact point CP2. For example, one end of the first link pattern LP1 and the auxiliary cathode electrode ACAT may be electrically connected through a laser process at the second contact point CP2, or may be electrically connected through the contact hole. The low potential power supply voltage applied to the low potential power supply line (VSL) is transmitted to each of the auxiliary cathode electrodes (ACAT) through the first link pattern (LP1).

제1 링크 패턴(LP1)은 캐소드 전극(CAT) 보다 저항이 낮은 물질을 포함한다. 제1 링크 패턴(LP1)은 보조 캐소드 전극(ACAT)과 교차하는 방향으로 연장된 바(bar) 형상을 가질 수 있다. The first link pattern LP1 includes a material having lower resistance than the cathode electrode CAT. The first link pattern LP1 may have a bar shape extending in a direction crossing the auxiliary cathode electrode ACAT.

제1 링크 패턴(LP1)은 저전위 전원 라인(VSL)과 연결되는 저전위 전원 전압의 인입부에서 캐소드 전극(CAT)과 접촉될 수 있다. 또한, 인입부 외의 제3 접촉점(CP3)에서도 제1 링크 패턴(LP1)과 캐소드 전극(CAT)은 서로 접촉될 수 있다. 예를 들어, 제1 링크 패턴(LP1)과 캐소드 전극(CAT)은 하나 이상의 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치되며, 제3 접촉점(CP3)에서 레이저 공정을 통해 전기적으로 연결되거나, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예는 제3 접촉점(CP3)을 복수 개 형성함으로써, 캐소드 전극(CAT)의 저항을 더욱 낮출 수 있다.The first link pattern LP1 may be in contact with the cathode electrode CAT at the entrance of the low potential power supply voltage connected to the low potential power supply line VSL. Also, the first link pattern LP1 and the cathode electrode CAT may be in contact with each other at the third contact point CP3 outside the lead-in portion. For example, the first link pattern LP1 and the cathode electrode CAT are disposed on different layers with at least one insulating film interposed therebetween, and are electrically connected through a laser process at the third contact point CP3, As shown in FIG. In the preferred embodiment of the present invention, by forming a plurality of third contact points CP3, the resistance of the cathode electrode CAT can be further reduced.

본 발명에서, 캐소드 전극(CAT)은 전원발생부(미도시)로부터 발생된 저전위 전원 전압을 저전위 전원 라인(VSL)을 통해 직접 입력받는다. 또한, 캐소드 전극(CAT)은 전원발생부로부터 발생된 저전위 전원 전압을 저전위 전원 라인(VSL)과 연결된 보조 캐소드 전극(ACAT)을 통해 입력받는다. 이에 따라, 본 발명은 저전위 전원 전압을 캐소드 전극(CAT)으로 전달하기 위한 복수의 저전위 전원 공급경로를 포함할 수 있다. In the present invention, the cathode electrode CAT receives a low-potential power supply voltage generated from a power generating unit (not shown) directly through a low-potential power supply line (VSL). The cathode electrode CAT receives the low potential power supply voltage generated from the power generating unit through the auxiliary cathode electrode ACAT connected to the low potential power supply line VSL. Accordingly, the present invention can include a plurality of low potential power supply paths for transferring the low potential power supply voltage to the cathode electrode (CAT).

즉, 저전위 전원 공급경로는 제1 공급경로 및 제2 공급경로를 포함한다. 제1 공급경로는 캐소드 전극(CAT)과 연결된 저전위 전원 라인(VSL), 및 저전위 전원 전압을 생성하여 저전위 전원 라인(VSL)에 공급하는 저전위 전원 전압원을 포함한다. 제2 공급경로는 캐소드 전극(CAT)과 연결된 보조 캐소드 전극(ACAT), 보조 캐소드 전극(ACAT)과 연결된 제1 링크 패턴(LP1), 제1 링크 패턴(LP1)과 연결된 저전위 전원 라인(VSL), 및 저전위 전원 전압을 생성하여 저전위 전원 라인(VSL)에 공급하는 저전위 전원 전압원을 포함한다. 본 발명은 제1 공급 경로 외에 제2 공급 경로를 더 포함함으로써, 캐소드 전극(CAT)에서 발생되는 IR 라이징(rising)의 위치별 편차를 최소화할 수 있다.That is, the low potential power supply path includes a first supply path and a second supply path. The first supply path includes a low potential power supply line (VSL) connected to the cathode electrode (CAT), and a low potential power supply voltage source for generating a low potential power supply voltage and supplying it to the low potential power supply line (VSL). The second supply path includes an auxiliary cathode electrode ACAT connected to the cathode electrode CAT, a first link pattern LP1 connected to the auxiliary cathode electrode ACAT, a low potential power supply line VSL connected to the first link pattern LP1, ), And a low-potential power supply voltage source for generating a low-potential power supply voltage and supplying it to the low-potential power supply line (VSL). The present invention further includes a second supply path in addition to the first supply path, thereby minimizing the variation of the IR rising position generated in the cathode electrode (CAT).

본 발명은, 제1 공급 경로를 통해서만 캐소드 전극(CAT)에 저전위 전원 전압을 공급하는 경우와 달리, 하나 이상의 보조 캐소드 전극(ACAT)을 통해 캐소드 전극(CAT)으로 저전위 전원 전압을 더 공급할 수 있어, 복수의 저전위 전원 공급경로를 추가로 확보할 수 있다. 본 발명은 충분한 저전위 전원 공급경로를 확보함으로써, 저전위 전원 전압이 인가되는 캐소드 전극(CAT)에 단순히 보조 캐소드 전극(ACAT)만을 연결한 구조 대비, 위치에 따른 캐소드 전극(CAT)의 면내 저항 편차에 기인한 휘도 불균일 불량을 최소화할 수 있다. Unlike the case of supplying the low potential power supply voltage to the cathode electrode CAT only through the first supply path, the present invention further supplies the low potential power supply voltage to the cathode electrode CAT through one or more of the auxiliary cathode electrodes ACAT So that a plurality of low potential power supply paths can be additionally secured. The present invention provides a structure in which only the auxiliary cathode electrode (ACAT) is connected to the cathode electrode (CAT) to which a low potential power supply voltage is applied by securing a sufficient low potential power supply path, It is possible to minimize the nonuniformity in luminance due to the deviation.

제1 공급 경로를 통해서만 캐소드 전극(CAT)에 저전위 전원 전압을 공급하는 경우, 보조 캐소드 전극(ACAT)을 캐소드 전극(CAT)에 연결함으로써 캐소드 전극(CAT)의 저항을 어느 정도 낮출 수는 있다. 다만, 이 경우 기본적으로 저전위 전원 전압이 저항이 높은 캐소드 전극(CAT)을 통해 전달되기 때문에 캐소드 전극(CAT)에서 발생되는 IR 라이징의 위치별 편차를 요구되는 만큼 줄이기에는 어려움이 있다. 본 발명은 저항이 낮은 제1 링크 패턴(LP1) 및 보조 캐소드 전극(ACAT)을 통해 저전위 전압이 공급되는 제2 공급경로를 더 형성함으로써, 캐소드 전극(CAT)에서 발생되는 IR 라이징(rising)의 위치별 편차를 최소화할 수 있다.When the low-potential power supply voltage is supplied to the cathode electrode CAT only through the first supply path, the resistance of the cathode electrode CAT can be reduced to some extent by connecting the auxiliary cathode electrode ACAT to the cathode electrode CAT . However, in this case, since the low-potential power supply voltage is basically transmitted through the high-resistance cathode electrode (CAT), it is difficult to reduce the deviation of the position of the IR rising generated by the cathode electrode CAT as much as required. The present invention further provides a second supply path through which a low potential voltage is supplied through the first link pattern LP1 and the auxiliary cathode electrode ACAT having a low resistance so that an IR rising generated in the cathode electrode CAT is generated, Can be minimized.

도 6을 더 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 제2 링크 패턴(LP2) 및/또는 제3 링크 패턴(LP3)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the organic light emitting diode display according to the present invention may further include a second link pattern LP2 and / or a third link pattern LP3.

제2 링크 패턴(LP2)은 보조 캐소드 전극(ACAT)들의 타단과 연결된다. 제2 링크 패턴(LP2)은 저 저항 물질로 형성되며, 제1 링크 패턴(LP1)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제2 링크 패턴(LP2)과 보조 캐소드 전극(ACAT)의 타단은 제2 접촉점(CP2)에서 서로 접촉된다. 예를 들어, 제2 링크 패턴(LP2)과 보조 캐소드 전극(ACAT)의 타단은 제2 접촉점(CP2)에서 레이저 공정을 통해 전기적으로 연결되거나, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 링크 패턴(LP2)은 보조 캐소드 전극(ACAT)과 교차하는 방향으로 연장된 바 형상을 가질 수 있다.The second link pattern LP2 is connected to the other end of the auxiliary cathode electrodes ACAT. The second link pattern LP2 is formed of a low resistance material and may be formed of the same material as the first link pattern LP1. The other end of the second link pattern LP2 and the auxiliary cathode electrode ACAT are in contact with each other at the second contact point CP2. For example, the other end of the second link pattern LP2 and the auxiliary cathode electrode ACAT may be electrically connected through a laser process at the second contact point CP2, or may be electrically connected through a contact hole. The second link pattern LP2 may have a bar shape extending in a direction crossing the auxiliary cathode electrode ACAT.

제3 링크 패턴(LP3)은 제1 링크 패턴(LP1) 및 제3 링크 패턴(LP3)과 연결되어, 제1 링크 패턴(LP1) 및 제3 링크 패턴(LP3)을 전기적으로 연결시킨다. 제3 링크 패턴(LP3)은 저 저항 물질로 형성되며, 제1 링크 패턴(LP1) 및/또는 제2 링크 패턴(LP2)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제1 링크 패턴(LP1), 제2 링크 패턴(LP2), 및 제3 링크 패턴(LP3)은 동일한 층에 한 몸체로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 링크 패턴(LP1), 제2 링크 패턴(LP2), 및 제3 링크 패턴(LP3) 중 적어도 어느 하나는 다른 하나와 다른 층에 배치될 수 있고, 양자는 콘택홀을 통해 서로 연결될 수 있다. 제3 링크 패턴(LP3)은 보조 캐소드 전극(ACAT)과 나란한 방향으로 연장된 바 형상을 가질 수 있다. The third link pattern LP3 is connected to the first link pattern LP1 and the third link pattern LP3 to electrically connect the first link pattern LP1 and the third link pattern LP3. The third link pattern LP3 is formed of a low resistance material and may be formed of the same material as the first link pattern LP1 and / or the second link pattern LP2. The first link pattern LP1, the second link pattern LP2, and the third link pattern LP3 may be formed as one body on the same layer. At least one of the first link pattern LP1, the second link pattern LP2, and the third link pattern LP3 may be disposed on a different layer than the other one, Holes can be connected to each other. The third link pattern LP3 may have a bar shape extending in a direction parallel to the auxiliary cathode electrode ACAT.

저항이 낮은 물질을 포함하는 제2 링크 패턴(LP2) 및 제3 링크 패턴(LP3)을 더 구비할수록 캐소드 전극(CAT) 전면에서의 등 전위 형성에 유리하다. 따라서, 본 발명에 의한 바람직한 실시예는 제2 링크 패턴(LP2) 및 제3 링크 패턴(LP3)을 더 포함함으로써, 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 사이의 전위차가 감소하는 현상을 최소화할 수 있다. The more the second link pattern LP2 and the third link pattern LP3 including the low-resistance material are provided, the more advantageous is the formation of the equipotential at the front surface of the cathode electrode CAT. Therefore, the preferred embodiment of the present invention further includes the second link pattern LP2 and the third link pattern LP3, thereby minimizing the reduction in the potential difference between the anode electrode ANO and the cathode electrode CAT can do.

이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 8은 도 7에서 절취선 Ⅱ-Ⅱ'으로 절취한 단면도이다. 도 9는 도 7에서 절취선 Ⅲ-Ⅲ'으로 절취한 단면도이다.Hereinafter, an OLED display according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9. FIG. 7 is a plan view schematically showing an organic light emitting diode display according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the cutting line II-II 'in FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the perforated line III-III 'in FIG.

도 7을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)이 정의된 기판(SUB)을 포함한다. 표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소(PA)들이 정의된다. 도 7에서는 점선으로 화소(PA)들을 표시하였다.Referring to FIG. 7, the organic light emitting diode display according to the preferred embodiment of the present invention includes a display area AA for displaying image information, a non-display area AA for driving various elements for driving the display area AA NA) is defined. A plurality of pixels PA arranged in a matrix manner are defined in the display area AA. In Fig. 7, PAs are indicated by dotted lines.

예를 들어, NxM 방식의 장방형으로 화소(PA)들이 정의될 수 있다. 하지만, 반드시 이러한 방식에만 국한되는 것이 아니고, 다양한 방식으로 배열될 수도 있다. 각 화소들이 동일한 크기를 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 또한, RGB 색상을 나타내는 세 개의 서브 화소를 하나의 단위로 하여, 규칙적으로 배열될 수도 있다. 가장 단순한 구조로 설명하면, 화소(PA)들은 제1 방향으로 진행하는 게이트 라인(GL)들과, 제2 방향으로 진행하는 복수 개의 데이터 라인(DL)들의 교차 구조로 정의될 수 있다.For example, the pixels PA can be defined in a rectangular form of the NxM scheme. However, it is not necessarily limited to this method, but may be arranged in various ways. Each pixel may have the same size or different sizes. In addition, three sub-pixels representing RGB colors may be regularly arranged as one unit. In the simplest structure, the pixels PA may be defined as the intersection structure of the gate lines GL extending in the first direction and the plurality of data lines DL extending in the second direction.

비 표시 영역의 일측에는 패드부(PA)가 구비된다. 데이터 라인(DL)은 패드부(PA)의 데이터 패드와 전기적으로 연결되어 데이터 전압을 공급받는다. 고전위 전원 라인(VDL)은 패드부(PA)의 고전위 전원 패드와 전기적으로 연결되어 고전위 전원 전압을 공급받는다. 저전위 전원 라인(VSL)은 패드부(PA)의 저전위 전원 패드와 전기적으로 연결되어 저전위 전원 전압을 공급받는다. 캐소드 전극(CAT)은 저전위 전원 라인(VSL)과 연결되어 저전위 전원 전압을 공급받는다. 이로써, 저전위 전원 전압이 공급되는 제1 공급 경로가 형성된다. A pad portion PA is provided on one side of the non-display region. The data line DL is electrically connected to the data pad of the pad unit PA to receive the data voltage. The high-potential power supply line VDL is electrically connected to the high-potential power supply pad of the pad unit PA and is supplied with the high-potential power supply voltage. The low potential power supply line VSL is electrically connected to the low potential power pad of the pad portion PA and is supplied with the low potential power supply voltage. The cathode electrode CAT is connected to the low potential power supply line (VSL) to receive the low potential power supply voltage. Thereby, a first supply path through which the low potential power supply voltage is supplied is formed.

데이터 라인(DL)은 제1 방향으로 이웃하는 화소(PA)들 사이에 배치된다. 고전위 전원 라인(VDL)은 제1 방향으로 이웃하는 화소(PA)들 사이에 배치된다. 다만, 고전위 전원 라인(VDL)은 제1 방향으로 이웃하는 화소(PA)들 사이마다 반드시 배치될 필요는 없다. 이 경우, 제2 방향으로 진행하는 어느 하나의 고전위 전원 라인(VDL)은 제1 방향으로 이웃하는 적어도 두 개 이상의 화소(PA)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제1 방향으로 이웃하는 적어도 두 개 이상의 화소(PA)는 하나의 고전위 전원 라인(VDL)을 공유할 수 있다. The data lines DL are arranged between neighboring pixels PA in the first direction. The high potential power supply line VDL is disposed between neighboring pixels PA in the first direction. However, the high-potential power supply line VDL need not always be arranged between neighboring pixels PA in the first direction. In this case, any one of the high-potential power supply lines VDL running in the second direction may be electrically connected to at least two pixels PA neighboring in the first direction. That is, at least two pixels PA adjacent to each other in the first direction may share one high potential power supply line VDL.

보조 캐소드 전극(ACAT)은 제1 방향으로 이웃하는 화소(PA)들 사이에 배치된다. 보조 캐소드 전극(ACAT)은 데이터 라인(DL) 및 고전위 전원 라인(VDL)과 나란하게 배치될 수 있다. 보조 캐소드 전극(ACAT)은 제1 방향으로 이웃하는 화소(PA)들 사이마다 반드시 배치될 필요는 없다. 이웃하는 화소(PA)들 사이에는 제2 방향으로 진행하는 데이터 라인과 함께, 고전위 전원 라인(VDL)과 보조 캐소드 전극(ACAT) 중 적어도 어느 하나가 배치될 수 있다. 예를 들어, 이웃하는 화소(PA)들 사이에는 고전위 전원 라인(VDL)과 보조 캐소드 전극(ACAT)이 모두 배치될 수 있고, 어느 하나만 배치될 수도 있다. 고전위 전원 라인(VDL)과 보조 캐소드 전극(ACAT)은 서로 교번하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 고전위 전원 라인(VDL)들은 이웃하는 보조 캐소드 전극(ACAT) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 하나 이상의 보조 캐소드 전극(ACAT)들은 이웃하는 고전위 전원 라인(VDL)들 사이에 배치될 수 있다. The auxiliary cathode electrode ACAT is disposed between neighboring pixels PA in the first direction. The auxiliary cathode electrode ACAT may be disposed in parallel with the data line DL and the high potential power supply line VDL. The auxiliary cathode electrode ACAT need not necessarily be disposed between adjacent pixels PA in the first direction. At least one of the high potential power supply line (VDL) and the auxiliary cathode electrode (ACAT) may be disposed between the neighboring pixels (PA) along with the data line extending in the second direction. For example, both the high potential power supply line VDL and the auxiliary cathode electrode ACAT may be disposed between neighboring pixels PA, either of which may be arranged. The high-potential power supply line VDL and the auxiliary cathode electrode ACAT may be alternately arranged. For example, one or more high power supply lines VDL may be disposed between neighboring auxiliary cathode electrodes ACAT. Also, one or more of the auxiliary cathode electrodes ACAT may be disposed between neighboring high-potential power supply lines VDL.

각 화소(PA)에는 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다. 유기발광 다이오드는 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(CAT) 및, 두 전극들(ANO, CAT) 사이에 개재된 유기발광층을 포함한다. 실제로 발광하는 영역은 애노드 전극(ANO)과 중첩하는 유기발광층의 면적에 의해 결정될 수 있다.Thin film transistors for driving the organic light emitting diodes are disposed in each pixel PA. The thin film transistors may be formed in the thin film transistor region TA defined at one side of the pixel PA. The organic light emitting diode includes an anode electrode ANO and a cathode electrode CAT and an organic light emitting layer interposed between the two electrodes ANO and CAT. The region in which light is actually emitted can be determined by the area of the organic light emitting layer overlapping with the anode electrode ANO.

애노드 전극(ANO)은 화소(PA) 중에서 일부 영역을 차지하도록 형성되며, 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성된 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 애노드 전극(ANO)은 각 화소(PA)별로 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 이웃하는 화소(PA)의 애노드 전극(ANO)과 접촉되지 않도록 일정 간격 이격되어 형성된다. 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광층이 형성된다. 캐소드 전극(CAT)은 유기발광층 위에서 적어도 화소(PA)들이 배치된 표시 영역(AA)의 면적을 모두 덮을 정도로 넓게 형성된다. 캐소드 전극(CAT)은 보조 캐소드 전극(ACAT)과 제1 접촉점(CP1)에서 전기적으로 연결된다. The anode electrode ANO is formed to occupy a part of the pixel PA and is electrically connected to the thin film transistor formed in the thin film transistor region TA. An anode electrode ANO is formed for each pixel PA. The anode electrode ANO is spaced apart from the anode electrode ANO of the neighboring pixel PA so as not to be in contact with the anode electrode ANO. An organic light emitting layer is formed on the anode electrode ANO. The cathode electrode CAT is formed so as to cover the entire area of the display area AA where at least the pixels PA are arranged above the organic light emitting layer. The cathode electrode CAT is electrically connected to the auxiliary cathode electrode ACAT at the first contact point CP1.

제1 링크 패턴(LP1)은 보조 캐소드 전극(ACAT)들의 일단과 연결된다. 제1 링크 패턴(LP1)은 보조 캐소드 전극(ACAT)과 제2 접촉점(CP2)에서 전기적으로 연결된다. 필요에 따라서, 제1 링크 패턴(LP1)은 캐소드 전극(CAT)과 제3 접촉점(CP3)에서 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 링크 패턴(LP1)은 저전위 전원 라인(VSL)에 연결되어, 저전위 전원 라인(VSL)으로부터 공급받은 저전위 전원 전압을 보조 캐소드 전극(ACAT)들에 전달한다. 이로써, 저전위 전원 전압이 공급되는 제2 공급 경로가 형성된다. The first link pattern LP1 is connected to one end of the auxiliary cathode electrodes ACAT. The first link pattern LP1 is electrically connected to the auxiliary cathode electrode ACAT at the second contact point CP2. If necessary, the first link pattern LP1 may be electrically connected to the cathode electrode CAT at the third contact point CP3. The first link pattern LP1 is connected to the low potential power supply line VSL and transfers the low potential power supply voltage supplied from the low potential power supply line VSL to the auxiliary cathode electrodes ACAT. Thereby, a second supply path through which the low potential power supply voltage is supplied is formed.

제1 링크 패턴(LP1)은 비 표시 영역(NA)에서, 게이트 라인(GL)과 나란하게 배치될 수 있다. 제1 링크 패턴(LP1)은 데이터 라인 및 고전위 전원 라인(VDL)과 교차된다. 제1 링크 패턴(LP1)은 데이터 라인 및 고전위 전원 라인(VDL)과 쇼트되지 않도록 하나 이상의 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치된다. The first link pattern LP1 may be disposed in parallel with the gate line GL in the non-display area NA. The first link pattern LP1 intersects the data line and the high-potential power supply line VDL. The first link pattern LP1 is disposed in a different layer with at least one insulating film interposed therebetween so as not to be short-circuited with the data line and the high-potential power supply line VDL.

도 8 및 도 9를 더 참조하면, 기판 상에는 비 표시 영역(NA) 및 표시 영역(AA)이 정의된다. 비 표시 영역(NA)에는, 저전위 전원 라인(VSL)이 배치된다. 표시 영역(AA)에는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 유기발광 다이오드(OLE)가 배치된다. 8 and 9, a non-display area NA and a display area AA are defined on the substrate. In the non-display area NA, a low-potential power supply line VSL is disposed. In the display area AA, a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT and an organic light emitting diode OLE are arranged.

표시 영역(AA)에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 게이트 전극(SG), 게이트 절연막(GI), 채널층(SA), 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(SD)을 포함한다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG), 게이트 절연막(GI), 채널층(DA), 소스 전극(DS) 및 드레인 전극(DD)을 포함한다. TFT(ST, DT)의 구조는 이에 한정되는 것은 아니다. 박막 트랜지스터(ST, DT) 구조는 탑 게이트(top gate) 구조, 바텀 게이트(bottom gate) 구조, 더블 게이트(double gate) 구조 등 유기발광 다이오드 표시장치를 구동할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다.The switching thin film transistor ST formed in the display region AA includes a gate electrode SG, a gate insulating film GI, a channel layer SA, a source electrode SS and a drain electrode SD. The driving thin film transistor DT includes a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST, a gate insulating film GI, a channel layer DA, a source electrode DS and a drain electrode DD). The structure of the TFTs (ST, DT) is not limited thereto. The structure of the thin film transistor (ST, DT) may include any structure that can drive an organic light emitting diode display device such as a top gate structure, a bottom gate structure, and a double gate structure.

박막 트랜지스터들(ST, DT) 위에는 보호막(PAS)과 평탄화막(PL)이 차례로 형성된다. 평탄화막(PL) 위에는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 보호막(PAS) 및 평탄화막(PL)을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)과 연결된다. A protective film PAS and a planarizing film PL are sequentially formed on the thin film transistors ST and DT. An anode electrode ANO is formed on the planarizing film PL. The anode electrode ANO is connected to the driving drain electrode DD of the driving thin film transistor DT through the protective film PAS and the contact hole passing through the planarizing film PL.

애노드 전극(ANO) 및 제1 링크 패턴(LP1) 위에는 뱅크(BA)가 형성된다. 뱅크(BA)는 애노드 전극(ANO)의 대부분을 노출시킨다. 뱅크(BA) 패턴에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에는 유기발광층(OL)이 형성된다. 뱅크(BA) 위에는 투명 도전 물질을 포함하는, 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다.A bank BA is formed on the anode electrode ANO and the first link pattern LP1. The bank BA exposes most of the anode electrode ANO. The organic light emitting layer OL is formed on the anode electrode ANO exposed by the bank BA pattern. On the bank BA, a cathode electrode (CAT) including a transparent conductive material is formed. Thereby, an organic light emitting diode (OLE) including the anode electrode ANO, the organic light emitting layer OL, and the cathode electrode CAT is formed.

저전위 전원 라인(VSL)은 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 저전위 전원 라인(VSL)은 게이트 전극(SG, DG)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 저전위 전원 라인(VSL)은 캐소드 전극(CAT)과 접촉되어 전기적으로 연결된다. The low potential power supply line VSL may be formed in the same layer with the same material as the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD. However, the present invention is not limited thereto, and the low potential power supply line VSL may be formed on the same layer with the same material as the gate electrodes SG and DG. The low potential power supply line (VSL) is in contact with and electrically connected to the cathode electrode (CAT).

보조 캐소드 전극(ACAT)은 소스 전극(SS, DS) 및 드레인 전극(SD, DD)과 동일한 물질로 동일한 층에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터로 구현된 경우 유기발광 다이오드 표시장치는 반도체층으로 입사될 수 있는 광을 차단하기 위해 반도체층 하부에 광 차단층을 더 구비할 수 있다. 이때, 보조 캐소드 전극(ACAT)은 광 차단층과 동일 물질로 동일층에 형성될 수 있다.The auxiliary cathode electrode ACAT may be formed on the same layer with the same material as the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD. However, the present invention is not limited thereto. For example, in the case of a top gate type thin film transistor, the organic light emitting diode display may further include a light blocking layer below the semiconductor layer in order to block light that may be incident on the semiconductor layer. At this time, the auxiliary cathode electrode ACAT may be formed on the same layer with the same material as the light blocking layer.

보조 캐소드 전극(ACAT)은 제1 접촉점(CP1)에서 캐소드 전극(CAT)과 연결된다. 도시한 바와 같이, 보조 캐소드 전극(ACAT)은 뱅크(BA), 평탄화 막(PL) 및 보호막(PAS)을 관통하는 콘택홀을 통해 캐소드 전극(CAT)과 연결될 수 있다. The auxiliary cathode electrode ACAT is connected to the cathode electrode CAT at the first contact point CP1. The auxiliary cathode electrode ACAT may be connected to the cathode electrode CAT through a contact hole passing through the bank BA, the planarizing film PL, and the passivation film PAS.

제1 링크 패턴(LP1)은 제2 접촉점(CP2)에서 보조 캐소드 전극(ACAT)과 연결된다. 도시한 바와 같이, 제1 링크 패턴(LP1)은 평탄화 막(PL) 및 보호막(PAS)을 관통하는 콘택홀을 통해 보조 캐소드 전극(ACAT)과 연결될 수 있다. 또한, 제1 링크 패턴(LP1)은 제3 접촉점(CP3)에서 캐소드 전극(CAT)과 연결될 수 있다. 도시한 바와 같이, 제1 링크 패턴(LP1)은 뱅크(BA)를 관통하는 콘택홀을 통해 캐소드 전극(CAT)과 연결될 수 있다.The first link pattern LP1 is connected to the auxiliary cathode electrode ACAT at the second contact point CP2. As shown in the figure, the first link pattern LP1 may be connected to the auxiliary cathode electrode ACAT through the contact hole passing through the planarizing film PL and the protective film PAS. Also, the first link pattern LP1 may be connected to the cathode electrode CAT at the third contact point CP3. As shown in the figure, the first link pattern LP1 may be connected to the cathode electrode CAT through a contact hole passing through the bank BA.

제1 링크 패턴(LP1)은 저 저항 물질로 형성된다. 예를 들어, 제1 링크 패턴(LP1)은 Mo, Cu, Ag, Cr, Al, MoTi을 포함하는 단일 층 혹은 이들이 적층된 다중 층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 링크 패턴(LP1)은 애노드 전극(ANO)과 동일한 물질로 동일한 층에 배치될 수 있다. 상부 발광형의 경우, 표시 장치의 발광 효율을 향상시키기 위해, 반사율이 높은 물질로 애노드 전극(ANO)을 형성할 수 있다. 저항 및 반사율을 고려할 때, 제1 링크 패턴(LP1)과 애노드 전극(ANO)은 Ag를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. The first link pattern LP1 is formed of a low resistance material. For example, the first link pattern LP1 may be formed of a single layer including Mo, Cu, Ag, Cr, Al, or MoTi, or a multilayer in which the layers are stacked. However, the present invention is not limited thereto. The first link pattern LP1 may be disposed on the same layer with the same material as the anode electrode ANO. In the case of the top emission type, in order to improve the luminous efficiency of the display device, the anode electrode ANO can be formed of a material having high reflectance. In consideration of the resistance and the reflectance, it may be preferable that the first link pattern LP1 and the anode electrode ANO include Ag.

제1 링크 패턴(LP1)은 평탄화 막(PL) 및 보호막(PAS)을 사이에 두고, 고전위 전원 라인(VDL)과 일정 간격(G) 이격된다. 즉, 본 발명은 저전위 전원 전압이 인가되는 제1 링크 패턴(LP1)을 하나 이상의 절연막을 사이에 두고 고전위 전원 라인(VDL)과 이격 배치함으로써, 제1 링크 패턴(LP1)과 고전위 전원 라인(VDL)의 쇼트를 방지할 수 있다. 이에 따라, 제1 링크 패턴(LP1)과 고전위 전원 라인(VDL)의 쇼트에 기인하여, 유기발광 다이오드가 열화 되는 등의 번트(burnt) 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. The first link pattern LP1 is spaced apart from the high potential power supply line VDL by a predetermined distance G with the planarizing film PL and the protective film PAS interposed therebetween. That is, according to the present invention, the first link pattern LP1 to which a low-potential power supply voltage is applied is disposed apart from the high-potential power supply line VDL with one or more insulating films interposed therebetween, It is possible to prevent a short circuit of the line VDL. This can prevent burnt defects such as deterioration of the organic light emitting diode due to a short circuit between the first link pattern LP1 and the high-potential power supply line VDL.

이하, 도 10 내지 도 12를 참조하여, 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극이 연결되는 제1 접촉점의 위치 패턴에 대하여 설명한다. 도 10 내지 도 12는 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극이 연결되는 제1 접촉점의 위치 패턴을 설명하기 위한 도면들이다. Hereinafter, the positional pattern of the first contact point to which the cathode electrode and the auxiliary cathode electrode are connected will be described with reference to FIGS. 10 to 12. FIG. FIGS. 10 to 12 are views for explaining a position pattern of the first contact point where the cathode electrode and the auxiliary cathode electrode are connected.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 제1 방향으로 배열된 제1 링크 패턴(LP1)과, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 나란하게 배열된 보조 캐소드 전극(ACAT)들을 포함한다. 보조 캐소드 전극(ACAT)들의 일단은 제1 링크 패턴(LP1)에 연결된다. 보조 캐소드 전극(ACAT)들은 캐소드 전극(CAT)과 제1 접촉점(CP1)에서 전기적으로 연결된다. The organic light emitting diode display according to the present invention includes a first link pattern LP1 arranged in a first direction and a plurality of auxiliary cathode electrodes ACAT arranged in parallel in a second direction intersecting the first direction. One end of the auxiliary cathode electrodes ACAT is connected to the first link pattern LP1. The auxiliary cathode electrodes ACAT are electrically connected to the cathode electrode CAT at the first contact point CP1.

전술한 바와 같이, 보조 캐소드 전극(ACAT)과 캐소드 전극(CAT)은 제1 접촉점(CP1)에서 레이저 공정을 통해 전기적으로 연결되거나, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 캐소드 전극(CAT)의 면 저항을 효과적으로 낮추기 위해서는, 제1 접촉점(CP1)의 개수가 많을수록 좋다. 다만, 오히려 너무 많은 경우, 접촉 저항이 증가하여 불리할 수 있고 공정 불량에 따른 오작동 등이 발생할 수 있으므로, 제1 접촉점(CP1)의 개수는 이를 고려하여 적절히 선택되어짐이 바람직하다.As described above, the auxiliary cathode electrode ACAT and the cathode electrode CAT may be electrically connected through a laser process at the first contact point CP1 or may be electrically connected through the contact hole. In order to effectively reduce the surface resistance of the cathode electrode CAT, the larger the number of the first contact points CP1, the better. However, if it is too much, it may be disadvantageous due to an increase in contact resistance, and a malfunction due to a process failure may occur. Therefore, it is preferable that the number of the first contact points CP1 is appropriately selected in consideration thereof.

본 발명의 일 실시예는 제1 접촉점(CP1)을 보조 캐소드 전극(ACAT)들 각각에 적어도 하나 이상 위치시킴으로써, 캐소드 전극(CAT)에서 발생하는 IR 라이징을 저감시킬 수 있다.An embodiment of the present invention can reduce the IR lifting caused in the cathode electrode (CAT) by locating at least one or more first contact points (CP1) in each of the auxiliary cathode electrodes (ACAT).

비교예로, 도 10을 참조하면, 보조 캐소드 전극(ACAT)은 제1 보조 캐소드 전극(ACAT1) 및 제2 캐소드 전극(CAT)을 포함할 수 있다. 제1 보조 캐소드 전극(ACAT1) 상에는 제1 접촉점(CP1)이 위치한다. 제2 보조 캐소드 전극(ACAT2) 상에는 제1 접촉점(CP1)이 위치하지 않는다. 이웃하는 제1 보조 캐소드 전극(ACAT1)들 사이에는 하나 이상의 제2 보조 캐소드 전극(ACAT2)이 배치될 수 있다. 이 경우, 이웃하는 제1 보조 캐소드 전극(ACAT1)들 사이마다 IR 라이징이 발생한다. 즉, 이웃하는 제1 보조 캐소드 전극(ACAT1)들 사이에서, IR 라이징에 기인한 국부적인 휘도 편차가 발생할 수 있다. 10, the auxiliary cathode electrode ACAT may include a first auxiliary cathode electrode ACAT1 and a second cathode electrode CAT. A first contact point CP1 is located on the first auxiliary cathode electrode ACAT1. The first contact point CP1 is not located on the second auxiliary cathode electrode ACAT2. At least one second auxiliary cathode electrode ACAT2 may be disposed between adjacent first auxiliary cathode electrodes ACAT1. In this case, IR rising occurs between adjacent first auxiliary cathode electrodes ACAT1. That is, a local luminance variation due to IR rising may occur between adjacent first auxiliary cathode electrodes ACAT1.

이를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예는 보조 캐소드 전극(ACAT)마다 제1 접촉점(CP1)을 위치시킨다. 도 11을 더 참조하면, 모든 보조 캐소드 전극(ACAT)들에는 적어도 하나 이상의 제1 접촉점(CP1)이 위치한다. 제1 접촉점(CP1)의 위치 패턴은 도시된 바와 같이 다양할 수 있다. 본 발명은 제1 접촉점(CP1)의 위치 패턴을 달리함으로써, 위치에 따라 국부적인 휘도 편차가 발생하는 것을 최소화할 수 있다. In order to solve this problem, an embodiment of the present invention places the first contact point CP1 for each of the auxiliary cathode electrodes ACAT. 11, at least one first contact point CP1 is located on all the auxiliary cathode electrodes ACAT. The position pattern of the first contact point CP1 may vary as shown. By varying the position pattern of the first contact point CP1, it is possible to minimize the occurrence of a local brightness variation depending on the position.

본 발명의 일 실시예는 저전위 전원 전압이 인가되는 인입부와의 거리에 따라 제1 접촉점(CP1)의 위치 패턴을 달리할 수 있다. 캐소드 전극(CAT)의 높은 저항에 기인하여, 위치에 따른 전압 편차 예를 들어, 저전위 전원 전압이 인가되는 인입부와의 거리에 따른 전압 편차가 크게 발생한다. 즉, 인입부와의 거리가 멀어질수록 IR 라이징이 증가한다. 본 발명은, 제1 링크 패턴(LP1)으로부터의 거리에 대응하여, 이웃하는 제1 접촉점(CP1)들 사이의 간격을 달리한다. In one embodiment of the present invention, the position of the first contact point CP1 may be different according to the distance from the inlet portion to which the low potential power supply voltage is applied. Due to the high resistance of the cathode electrode (CAT), a voltage deviation corresponding to the position, for example, a voltage deviation according to the distance from the lead-in portion to which the low-potential power supply voltage is applied, is large. That is, the IR distance increases as the distance from the inlet portion increases. In the present invention, the distances between the neighboring first contact points CP1 are different, corresponding to the distance from the first link pattern LP1.

도 12를 더 참조하면, 이웃하는 제1 접촉점(CP1)들 사이의 간격(a, b, c)은 제1 링크 패턴(LP1)으로부터의 거리(D)에 반비례한다. 예를 들어, 이웃하는 제1 접촉점(CP1) 사이의 간격(a, b, c)은 제1 링크 패턴(LP1)에서 멀어질수록 점진적으로 좁아질 수 있다.(a > b > c) 12, the distance a, b, c between the neighboring first contact points CP1 is inversely proportional to the distance D from the first link pattern LP1. For example, the distance (a, b, c) between the neighboring first contact points CP1 may gradually become narrower as the distance from the first link pattern LP1 becomes longer (a> b> c)

제1 접촉점(CP1)의 밀도는 제1 링크 패턴(LP1)으로부터 이격될수록 점진적으로 높아질 수 있다. 기 설정된 단위 면적을 가정했을 때, 그 면적을 갖는 영역(DD1, DD2)에서 제1 접촉점(CP1)의 밀도는 제1 링크 패턴(LP1)으로부터의 거리(D)와 관계되며, 제1 링크 패턴(LP1)으로부터 멀어질수록 높은 밀도를 갖는다. 즉, 제1 링크 패턴(LP1)에서 멀어질수록 제1 접촉점(CP1)은 조밀하게 배치된다.The density of the first contact point CP1 can be gradually increased as the distance from the first link pattern LP1 is increased. The density of the first contact point CP1 in the regions DD1 and DD2 having the area is assumed to be related to the distance D from the first link pattern LP1, Lt; RTI ID = 0.0 > LP1. ≪ / RTI > That is, as the distance from the first link pattern LP1 increases, the first contact point CP1 is densely arranged.

도면에서는, 제2 방향으로 이웃하는 제1 접촉점(CP1)들의 간격을 조절하는 경우를 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 링크 패턴(LP1)으로부터의 거리에 따라, 이웃하는 제1 접촉점(CP1)의 제1 방향으로의 간격을 조절할 수 있음은 물론이다.In the drawing, the interval between the first contact points CP1 adjacent to each other in the second direction is shown as an example, but the present invention is not limited thereto. It is needless to say that the interval of the neighboring first contact point CP1 in the first direction can be adjusted according to the distance from the first link pattern LP1.

본 발명의 일 실시예는 거리에 따라 제1 접촉점(CP1)의 위치 패턴을 달리 구성함으로써, 저전위 전원 전압의 인입 효율을 높일 수 있다. 즉, 제1 접촉점(CP1)의 위치 패턴을 달리하여, 상대적으로 적은 개수의 제1 접촉점(CP1)을 포함하고도 요구되는 휘도 균일도를 확보할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예는 제1 접촉점(CP1)의 수를 줄일 수 있어, 제1 접촉점(CP1)을 형성하기 위한 공정 비용, 공정 시간 등을 줄일 수 있는 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, the positional pattern of the first contact point CP1 may be configured differently depending on the distance, so that the pull-in efficiency of the low potential power supply voltage can be increased. In other words, even if the first contact point CP1 includes a relatively small number of first contact points CP1 by varying the position pattern of the first contact point CP1, the desired brightness uniformity can be ensured. Therefore, one embodiment of the present invention can reduce the number of the first contact points CP1, thereby reducing the process cost, the process time, and the like for forming the first contact point CP1.

본 발명의 일 실시예는, 인입부와의 거리에 따른 전압 편차를 줄일 수 있어, 표시장치의 휘도 불균일 불량을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a voltage deviation according to the distance from the lead-in portion can be reduced, so that the defective luminance unevenness of the display device can be minimized.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

OLE : 유기발광 다이오드 ANO : 애노드 전극
OL : 유기발광층 CAT : 캐소드 전극
VSL : 저전위 전원 라인 ACAT : 보조 캐소드 전극
LP1 : 제1 링크 패턴 LP2 : 제2 링크 패턴
LP3 : 제3 링크 패턴 CP1 : 제1 접촉점
CP2 : 제2 접촉점 CP3 : 제3 접촉점
OLE: organic light emitting diode ANO: anode electrode
OL: organic light emitting layer CAT: cathode electrode
VSL: low potential power line ACAT: auxiliary cathode electrode
LP1: first link pattern LP2: second link pattern
LP3: third link pattern CP1: first contact point
CP2: second contact point CP3: third contact point

Claims (10)

박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며, 애노드 전극, 유기발광층, 캐소드 전극으로 구성된 유기발광 다이오드를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치에 있어서,
상기 캐소드 전극에 저전위 전원 전압을 공급하는 저전위 전원 라인;
제1 접촉점에서 상기 캐소드 전극과 연결되는 하나 이상의 보조 캐소드 전극들; 및
제2 접촉점에서 상기 보조 캐소드 전극들의 일단에 연결되는 제1 링크 패턴을 포함하고,
상기 제1 링크 패턴은,
상기 저전위 전원 라인에 연결되어, 상기 보조 캐소드 전극들을 상기 저전위 전원 라인에 전기적으로 연결하는 유기발광 다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode display device having an organic light emitting diode electrically connected to a thin film transistor and configured by an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode,
A low potential power supply line for supplying a low potential power supply voltage to the cathode electrode;
At least one auxiliary cathode electrode connected to the cathode electrode at a first contact point; And
And a first link pattern connected to one end of the auxiliary cathode electrodes at a second contact point,
Wherein the first link pattern comprises:
And an organic light emitting diode (OLED) display connected to the low potential power line, the plurality of auxiliary cathode electrodes being electrically connected to the low potential power line.
제 1 항에 있어서,
상기 보조 캐소드 전극들의 타단과 연결되는 제2 링크 패턴을 더 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
And a second link pattern connected to the other end of the auxiliary cathode electrodes.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 링크 패턴 및 상기 제2 링크 패턴과 연결되는 제3 링크 패턴을 더 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.
3. The method of claim 2,
And a third link pattern connected to the first link pattern and the second link pattern.
제 1 항에 있어서,
서로 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 구획된 화소들을 더 포함하고,
상기 보조 캐소드 전극은,
상기 이웃하는 화소들 사이에서 상기 데이터 라인과 나란하게 배치되고
상기 제1 링크 패턴은,
상기 게이트 라인과 나란하게 배치된 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Further comprising pixels partitioned by a gate line and a data line intersecting each other,
The auxiliary cathode electrode
And arranged adjacent to the data line between the neighboring pixels
Wherein the first link pattern comprises:
And an organic light emitting diode (OLED) display device arranged in parallel with the gate line.
제 1 항에 있어서,
상기 보조 캐소드 전극은,
상기 캐소드 전극보다 낮은 저항값을 갖는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
The auxiliary cathode electrode
And has a resistance value lower than that of the cathode electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 링크 패턴은,
상기 캐소드 전극보다 낮은 저항값을 갖는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first link pattern comprises:
And has a resistance value lower than that of the cathode electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 링크 패턴은,
제3 접촉점에서, 상기 캐소드 전극과 연결된 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first link pattern comprises:
And at the third contact point, is connected to the cathode electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 접촉점은,
상기 보조 캐소드 전극들 각각에 적어도 하나 이상 위치하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first contact point
And at least one or more organic light emitting diode (OLED) display devices are disposed on each of the auxiliary cathode electrodes.
제 8 항에 있어서,
상기 이웃하는 제1 접촉점들 사이의 간격은,
상기 제1 링크 패턴으로부터의 거리에 반비례하는 유기발광 다이오드 표시장치.
9. The method of claim 8,
The distance between the neighboring first contact points is determined by the distance
And the distance from the first link pattern is inversely proportional to the distance from the first link pattern.
제 8 항에 있어서,
상기 제1 접촉점의 밀도는,
상기 제1 링크 패턴으로부터 멀어질수록 높은 유기발광 다이오드 표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the density of the first contact point
And the distance from the first link pattern is higher.
KR1020150191804A 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting diode display device KR102560268B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191804A KR102560268B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting diode display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191804A KR102560268B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting diode display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170081074A true KR20170081074A (en) 2017-07-11
KR102560268B1 KR102560268B1 (en) 2023-07-27

Family

ID=59355068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150191804A KR102560268B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Organic light emitting diode display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102560268B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322065B2 (en) 2019-04-18 2022-05-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device preventing a common voltage drop and minimizing a bezel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005031645A (en) * 2003-06-16 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its manufacturing method
KR20060020028A (en) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 Flat panel display
WO2011155306A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Necライティング株式会社 Organic electroluminescent illumination device
KR20140087436A (en) * 2012-12-29 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005031645A (en) * 2003-06-16 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its manufacturing method
KR20060020028A (en) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 Flat panel display
WO2011155306A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Necライティング株式会社 Organic electroluminescent illumination device
KR20140087436A (en) * 2012-12-29 2014-07-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11322065B2 (en) 2019-04-18 2022-05-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device preventing a common voltage drop and minimizing a bezel
US11735084B2 (en) 2019-04-18 2023-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device preventing a common voltage drop and minimizing a bezel

Also Published As

Publication number Publication date
KR102560268B1 (en) 2023-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107369698B (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing connection structure
US10714561B2 (en) Display device
EP3331019B1 (en) Display device
US10591753B2 (en) Electroluminescent display
US10177212B2 (en) Organic electroluminescent display device
KR20170081076A (en) Flexible display device
KR20190030944A (en) Organic light emitting display device
KR20190060473A (en) Organic light emitting display device
KR102531312B1 (en) Display Device
KR102568932B1 (en) Electroluminescence display
KR20190067049A (en) Organic light emitting display device
US8847943B2 (en) Organic light emitting display
CN111326673A (en) Display device
KR102396253B1 (en) Organic light emitting display device
KR20140052228A (en) Organic light emitting display device
US11789574B2 (en) Light emitting display apparatus
KR102560268B1 (en) Organic light emitting diode display device
KR102584965B1 (en) Electroluminescent Display Device
KR20180002436A (en) Top Emission Type Organic Light Emitting Diode Display
KR102344142B1 (en) Display Device
KR102491261B1 (en) Organic light emitting diode display device
KR102470898B1 (en) Chip on film and organic light emitting diode display device comprising the same
KR20160083449A (en) Organic Light Emitting Display Device
KR20200060941A (en) Organic Light Emitting Diode display panel
KR102646400B1 (en) Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant