KR102568932B1 - Electroluminescence display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 전계 발광 표시장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 외측의 비 표시 영역이 정의된 표시 패널을 포함한다. 상기 표시 패널의 상기 표시 영역은, 복수의 픽셀들, 및 보조 전원 배선들을 포함한다. 상기 픽셀은, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 애노드, 상기 애노드 위에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 위에 배치된 캐소드를 포함한다. 상기 캐소드는, 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고 상기 보조 전원 배선 위에 배치되며, 상기 캐소드와 상기 보조 전원 배선 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 보조 전원 배선과 연결된다. The present invention relates to an electroluminescent display device. An electroluminescent display device includes a display panel in which a display area and a non-display area outside the display area are defined. The display area of the display panel includes a plurality of pixels and auxiliary power lines. The pixel includes a thin film transistor, an anode connected to the thin film transistor, a light emitting layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the light emitting layer. The cathode is disposed on the auxiliary power wire with at least one insulating layer interposed therebetween, and is connected to the auxiliary power wire through a contact hole penetrating the at least one insulating layer disposed between the cathode and the auxiliary power wire.

Description

전계 발광 표시장치{ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY}Electroluminescence display {ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY}

본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device.

음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 표시장치(display device)들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계 발광 표시장치(Electroluminescence Display) 등으로 구현될 수 있다. Various display devices capable of reducing the weight and volume, which are disadvantages of the cathode ray tube, are being developed. These display devices will be implemented as Liquid Crystal Displays (LCDs), Field Emission Displays (FEDs), Plasma Display Panels (PDPs), and Electroluminescence Displays. can

이들 표시장치 중에서 전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광 표시장치와 유기발광 표시장치로 대별된다. 유기발광 표시장치는 유기 화합물을 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시장치로, LCD에서 사용되는 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라 공정을 단순화시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 저온 제작이 가능하고, 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가질 뿐 아니라 낮은 소비 전력, 넓은 시야각 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 갖는다는 점에서 널리 사용되고 있다.Among these display devices, the electroluminescent display device is roughly divided into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device according to the material of the light emitting layer. An organic light emitting display device is a self-emitting display device that excites organic compounds to emit light. It does not require a backlight used in an LCD, so it is lightweight and thin, and has the advantage of simplifying the process. In addition, the organic light emitting display device is widely used in that it can be manufactured at a low temperature, has a high response speed with a response speed of 1 ms or less, and has characteristics such as low power consumption, wide viewing angle, and high contrast. .

유기발광 표시장치는 전기 에너지를 빛 에너지로 전환하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 포함한다. 유기발광 다이오드는 애노드, 캐소드, 및 이들 사이에 배치되는 유기 발광층을 포함한다. 유기발광 표시장치는, 애노드 및 캐소드로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 발광층 내부에서 결합하여 여기자인 액시톤(exciton)을 형성하고, 형성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광하여 화상을 표시하게 된다. An organic light emitting display includes an organic light emitting diode (OLED) that converts electrical energy into light energy. An organic light emitting diode includes an anode, a cathode, and an organic light emitting layer disposed therebetween. In an organic light emitting display device, holes and electrons respectively injected from an anode and a cathode are combined inside the light emitting layer to form excitons, which are excitons, from an excited state to a ground state. As it falls down, it emits light to display an image.

전술한 장점에도 불구하고, 유기발광 표시장치가 대면적으로 구현되는 경우, 입력 영상이 표시되는 액티브 영역의 전면(全面)에서 균일한 휘도를 유지하지 못하고 위치에 따른 휘도 편차가 발생할 수 있다. 좀 더 자세하게는, 유기발광 다이오드를 구성하는 캐소드는 액티브 영역이 정의된 기판의 대부분을 덮도록 넓게 형성되는데, 캐소드에 인가되는 전원 전압이 전면에 걸쳐 균일한 전압 값을 갖지 못하는 문제가 발생한다. 예를 들어, 캐소드의 저항에 의해 전원 전압이 인가되는 인입부에서의 전압 값과, 인입부로부터 이격된 위치에서의 전압 값의 편차가 커짐에 따라, 위치에 따른 휘도 편차가 커진다.Despite the above advantages, when the organic light emitting display device is implemented in a large area, uniform luminance may not be maintained on the entire surface of the active area where an input image is displayed, and luminance deviation may occur depending on the position. In more detail, the cathode constituting the organic light emitting diode is formed wide to cover most of the substrate in which the active region is defined, but a power supply voltage applied to the cathode does not have a uniform voltage value over the entire surface. For example, as a difference between a voltage value at a lead-in portion to which power supply voltage is applied due to a resistance of a cathode and a voltage value at a position spaced apart from the lead-in portion increases, the luminance deviation according to the position increases.

이러한 문제점은, 상부 발광형(Top emission) 표시장치에서 더욱 문제된다. 즉, 상부 발광형 표시장치에서는, 유기발광 다이오드에서 상층에 위치하는 캐소드의 투과도를 확보할 필요가 있기 때문에, 캐소드를 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전물질로 형성하거나, 매우 얇은 두께의 불투명 도전물질로 형성하게 된다. 이 경우, 면 저항이 커지기 때문에, 이에 대응하여 위치에 따른 휘도 편차 또한 현저히 커진다.This problem is more problematic in a top emission display device. That is, in the top emission type display device, since it is necessary to secure the transmittance of the cathode located in the upper layer of the organic light emitting diode, the cathode is formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or is opaque with a very thin thickness. made of conductive material. In this case, since the sheet resistance increases, the luminance deviation according to the position also significantly increases correspondingly.

본 발명은 위치에 따른 저전위 전압 편차를 최소화하여 휘도 불균일 문제를 해소한 전계 발광 표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an electroluminescent display device that solves the luminance non-uniformity problem by minimizing the low potential voltage deviation according to the position.

본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다. 전계 발광 표시장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역 외측의 비 표시 영역이 정의된 표시 패널을 포함한다. 상기 표시 패널의 상기 표시 영역은, 복수의 픽셀들, 및 보조 전원 배선들을 포함한다. 상기 픽셀은, 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 애노드, 상기 애노드 위에 배치된 발광층, 및 상기 발광층 위에 배치된 캐소드를 포함한다. 상기 캐소드는, 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고 상기 보조 전원 배선 위에 배치되며, 상기 캐소드와 상기 보조 전원 배선 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 보조 전원 배선과 연결된다. The present invention relates to an electroluminescent display device. An electroluminescent display device includes a display panel in which a display area and a non-display area outside the display area are defined. The display area of the display panel includes a plurality of pixels and auxiliary power lines. The pixel includes a thin film transistor, an anode connected to the thin film transistor, a light emitting layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the light emitting layer. The cathode is disposed on the auxiliary power wire with at least one insulating layer interposed therebetween, and is connected to the auxiliary power wire through a contact hole penetrating the at least one insulating layer disposed between the cathode and the auxiliary power wire.

본 발명은, 저저항 도전 물질을 포함하는 보조 전원 배선을 캐소드에 연결시킴으로써, 위치에 따른 저전위 전압 편차를 효과적으로 줄일 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 휘도 불균일 불량을 최소화할 수 있는 바, 표시 품질이 향상된 전계 발광 표시장치를 제공할 수 있다. According to the present invention, by connecting an auxiliary power wire including a low-resistance conductive material to a cathode, it is possible to effectively reduce a low potential voltage deviation according to a position. Accordingly, the present invention can minimize non-uniformity in luminance and provide an electroluminescent display device with improved display quality.

본 발명의 바람직한 실시예는 불량 픽셀을 암점화 하기 위해, 보조 전원 배선을 리페어 라인으로 활용할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는, 불량 픽셀을 용이하게 리페어할 수 있기 때문에, 표시장치의 제조 수율을 높일 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있는 이점을 갖는다.In a preferred embodiment of the present invention, an auxiliary power line may be used as a repair line in order to darken a defective pixel. Accordingly, the preferred embodiment of the present invention can easily repair defective pixels, thereby increasing the manufacturing yield of the display device and reducing manufacturing cost.

도 1은 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 평면도 이다.
도 4는 보조 전원 배선의 배열 예를 도시한 도면들이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 6 및 도 7은 보조 전원 배선의 배치 예를 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9는 캐소드와 보조 전원 배선의 연결 구조 예를 나타낸 단면도들이다.
도 10은 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 11은 리페어된 불량 픽셀의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a pixel shown in FIG. 1 .
3 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating an arrangement example of auxiliary power lines.
5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
6 and 7 are cross-sectional views illustrating arrangement examples of auxiliary power lines.
8 and 9 are cross-sectional views illustrating an example of a connection structure between a cathode and an auxiliary power line.
10 is a schematic configuration diagram of pixels of an organic light emitting display device according to a second embodiment.
11 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a repaired defective pixel.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 서두에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numbers throughout the specification indicate substantially the same elements. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In describing various embodiments, the same components are representatively described at the beginning and may be omitted in other embodiments.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinal numbers, such as first and second, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another.

이하에서는, 설명의 편의를 위해, 전계 발광 표시장치가 유기 발광 물질을 포함하는 유기발광 표시장치로 구현되는 경우를 예로 들어 설명한다. 본 발명의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있다Hereinafter, for convenience of explanation, a case in which the electroluminescent display device is implemented as an organic light emitting display device including an organic light emitting material will be described as an example. The technical idea of the present invention is not limited to an organic light emitting display device and may be applied to an inorganic light emitting display device including an inorganic light emitting material.

도 1은 유기발광 표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시된 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다. 1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a pixel shown in FIG. 1 .

도 1을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 표시장치는 디스플레이 구동 회로, 표시 패널(10)을 포함한다. Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device according to the present invention includes a display driving circuit and a display panel 10 .

디스플레이 구동 회로는 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(14) 및 타이밍 콘트롤러(16)를 포함하여 입력 영상의 비디오 데이터전압을 표시 패널(10)의 픽셀들에 기입한다. 데이터 구동회로(12)는 타이밍 콘트롤러(16)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생한다. 데이터 구동회로(12)로부터 출력된 데이터전압은 데이터 배선들(D1~Dm)에 공급된다. 게이트 구동회로(14)는 데이터전압에 동기되는 게이트 신호를 게이트 배선들(G1~Gn)에 순차적으로 공급하여 데이터 전압이 기입되는 표시 패널(10)의 픽셀들을 선택한다.The display driving circuit includes a data driving circuit 12 , a gate driving circuit 14 and a timing controller 16 to write video data voltages of an input image to pixels of the display panel 10 . The data driving circuit 12 converts the digital video data RGB input from the timing controller 16 into an analog gamma compensation voltage to generate a data voltage. The data voltage output from the data driving circuit 12 is supplied to the data lines D1 to Dm. The gate driving circuit 14 sequentially supplies a gate signal synchronized with the data voltage to the gate lines G1 to Gn to select pixels of the display panel 10 to which the data voltage is written.

타이밍 콘트롤러(16)는 호스트 시스템(19)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(14)의 동작 타이밍을 동기시킨다. 데이터 구동회로(12)를 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 게이트 구동회로(14)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다.The timing controller 16 inputs timing signals such as a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), a data enable signal (Data Enable, DE), and a main clock (MCLK) input from the host system 19. and the operation timings of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 14 are synchronized. The data timing control signal for controlling the data driving circuit 12 includes a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (SOE), and the like. Gate timing control signals for controlling the gate driving circuit 14 include a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal (Gate Output Enable (GOE)), and the like. includes

호스트 시스템(19)은 텔레비젼 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(19)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)을 포함하여 입력 영상의 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시 패널(10)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(19)은 디지털 비디오 데이터와 함께 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 콘트롤러(16)로 전송한다.The host system 19 may be implemented as any one of a television system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system. The host system 19 includes a system on chip (SoC) with a built-in scaler to convert digital video data (RGB) of an input image into a format suitable for display on the display panel 10 . The host system 19 transmits timing signals Vsync, Hsync, DE, and MCLK to the timing controller 16 along with the digital video data.

표시 패널(10)은 픽셀 어레이를 포함한다. 픽셀 어레이는 데이터 배선들(D1~Dm, m은 양의 정수)과 게이트 배선들(G1~Gn, n은 양의 정수)에 의해 정의된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 자발광 소자인 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 포함한다.The display panel 10 includes a pixel array. The pixel array includes pixels defined by data wires (D1 to Dm, where m is a positive integer) and gate wires (G1 to Gn, where n is a positive integer). Each of the pixels includes an organic light emitting diode (OLED), which is a self-light emitting element.

도 2를 더 참조하면, 표시 패널(10)에는 다수의 데이터 배선들(DL)과, 다수의 게이트 배선들(GL)이 교차되고, 이 교차영역마다 픽셀들이 배치된다. 픽셀 각각은 유기발광 다이오드, 유기발광 다이오드에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT라 함)(DT), 구동 TFT(DT)의 게이트-소스간 전압을 셋팅하기 위한 프로그래밍부(SC)를 포함한다.Further referring to FIG. 2 , in the display panel 10, a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL cross each other, and pixels are disposed in each intersection area. Each pixel has an organic light emitting diode, a driving thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) (DT) controlling the amount of current flowing through the organic light emitting diode, and a programming unit for setting the voltage between the gate and source of the driving TFT (DT). (SC).

프로그래밍부(SC)는 적어도 하나 이상의 스위치 TFT와, 적어도 하나 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 스위치 TFT는 게이트 배선(GL)으로부터의 게이트 신호에 응답하여 턴 온 됨으로써, 데이터 배선(DL)으로부터의 데이터전압을 스토리지 커패시터의 일측 전극에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 스토리지 커패시터에 충전된 전압의 크기에 따라 OLED로 공급되는 전류량을 제어하여 유기발광 다이오드 의 발광량을 조절한다. 유기발광 다이오드의 발광량은 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류량에 비례한다. 이러한 픽셀은 고전위 전압원(EVDD)과 저전위 전압원(EVSS)에 연결되어, 도시하지 않은 전원 발생부로부터 각각 고전위 전원 전압과 저전위 전원 전압을 공급받는다. 픽셀을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체층이 산화물을 포함하는 경우를 예로 들어 설명한다. 유기발광 다이오드는 애노드(ANO), 캐소드(CAT), 및 애노드(ANO)와 캐소드(CAT) 사이에 개재된 유기 화합물층을 포함한다. 애노드(ANO)는 구동 TFT(DT)와 접속된다. The programming unit SC may include at least one switch TFT and at least one storage capacitor. The switch TFT is turned on in response to a gate signal from the gate line GL, thereby applying a data voltage from the data line DL to one electrode of the storage capacitor. The driving TFT (DT) controls the amount of light emitted by the organic light emitting diode by controlling the amount of current supplied to the OLED according to the level of the voltage charged in the storage capacitor. The amount of light emitted from the organic light emitting diode is proportional to the amount of current supplied from the driving TFT (DT). These pixels are connected to a high-potential voltage source (EVDD) and a low-potential voltage source (EVSS), and receive a high-potential power supply voltage and a low-potential power supply voltage, respectively, from a power generator (not shown). The TFTs constituting the pixel may be implemented as p-type or as n-type. In addition, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel may include amorphous silicon, polysilicon, or oxide. Hereinafter, a case in which the semiconductor layer includes an oxide will be described as an example. The organic light emitting diode includes an anode (ANO), a cathode (CAT), and an organic compound layer interposed between the anode (ANO) and the cathode (CAT). The anode ANO is connected to the driving TFT DT.

하나의 픽셀은 기본적으로 스위칭 TFT, 구동 TFT(DT), 스토리지 커패시터 및 유기발광 다이오드를 포함하는 2T(Transistor)1C(capacitor) 구조로 구성될 수 있고, 보상회로가 추가되는 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C 등으로 다양하게 구성될 수도 있다.One pixel can basically be composed of a 2T (transistor) 1C (capacitor) structure including a switching TFT, a driving TFT (DT), a storage capacitor, and an organic light emitting diode, and when a compensation circuit is added, 3T1C, 4T2C, 5T2C , 6T2C, 7T2C, etc. may be variously configured.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 평면도 이다. 도 4는 보조 전원 배선의 배열 예를 도시한 도면들이다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 단면도이다. 도 6 및 도 7은 보조 전원 배선의 배치 예를 나타낸 단면도이다. 도 8 및 도 9는 캐소드와 보조 전원 배선의 연결 구조 예를 나타낸 단면도들이다.3 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention. 4 is a diagram illustrating an arrangement example of auxiliary power lines. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention. 6 and 7 are cross-sectional views illustrating arrangement examples of auxiliary power lines. 8 and 9 are cross-sectional views illustrating an example of a connection structure between a cathode and an auxiliary power line.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의한 유기발광 표시장치는 표시패널 구동부, 표시패널(10)을 포함한다. Referring to FIG. 3 , the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes a display panel driver and a display panel 10 .

표시패널 구동부는 표시패널(10)에 입력 영상 데이터를 기입한다. 표시패널 구동부는 소스 드라이브 IC(SIC) 및 소스 PCB(Printed Circuit Board, SPC)를 포함한다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 구부러질 수 있는 연성 회로 기판 예를 들어, COF(Chip on film, CO)에 실장될 수 있다. 대화면 표시장치의 경우에, 소스 PCB(SPC)는 복수 개로 분리될 수 있다. COF(CO)의 일단 및 타단은 ACF(anisotropic conductive film)를 통해 표시패널(10)과 소스 PCB(SPC)에 각각 접착될 수 있다. The display panel driver writes input image data on the display panel 10 . The display panel driver includes a source drive IC (SIC) and a source PCB (Printed Circuit Board, SPC). The source drive IC (SIC) may be mounted on a bendable flexible circuit board, for example, a chip on film (COF). In the case of a large screen display device, a plurality of source PCBs (SPCs) may be separated. One end and the other end of the COF (CO) may be respectively adhered to the display panel 10 and the source PCB (SPC) through an anisotropic conductive film (ACF).

전원부(미도시)는 소스 PCB(SPC) 상에 실장될 수 있다. 전원부는 호스트 시스템(19, 도 1)으로부터 공급되는 입력 전압에 의해 구동되어 표시패널 구동부와 표시패널(10)의 구동에 필요한 전압을 발생한다.A power supply unit (not shown) may be mounted on a source PCB (SPC). The power supply unit is driven by an input voltage supplied from the host system 19 (FIG. 1) to generate voltages required to drive the display panel driver and the display panel 10.

표시패널(10)에는, 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA) 외측의 비 표시 영역(NA)이 정의된다. 표시 영역(AA)은 픽셀들 및 보조 전원 배선(AVSL)을 포함한다. In the display panel 10, a display area AA and a non-display area NA outside the display area AA are defined. The display area AA includes pixels and an auxiliary power line AVSL.

픽셀들은 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 픽셀들 각각은 풀 컬러를 구현하기 위해 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 및 청색 서브 픽셀을 포함할 수 있다. 필요에 따라서, 픽셀들 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수 있다. Pixels may be arranged in a matrix form. Each of the pixels may include a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel to implement full color. If necessary, each of the pixels may further include a white sub-pixel.

픽셀들 각각은 유기발광 다이오드 및 이를 구동하는 TFT를 포함한다. 제1 유기발광 다이오드는 애노드(ANO), 유기 화합물층(OL), 캐소드(CAT)를 포함한다. Each of the pixels includes an organic light emitting diode and a TFT driving the organic light emitting diode. The first organic light emitting diode includes an anode (ANO), an organic compound layer (OL), and a cathode (CAT).

애노드(ANO)는 대응하는 서브 픽셀에 할당되며, 대응하는 서브 픽셀에 구비된 구동 TFT의 드레인 전극에 연결된다. 구동 TFT의 소스 전극은 고전위 전원 배선(미도시)을 통해 전원부와 연결되어, 고전위 전원 전압을 공급받는다. 도시하지는 않았으나, 고전위 전원 배선은 표시 영역(AA)의 내측으로 연장되어 대응되는 픽셀들에 연결될 수 있다. An anode ANO is assigned to a corresponding subpixel and is connected to a drain electrode of a driving TFT provided in the corresponding subpixel. A source electrode of the driving TFT is connected to a power supply unit through a high potential power supply line (not shown) to receive a high potential power supply voltage. Although not shown, the high-potential power lines may extend inside the display area AA and be connected to corresponding pixels.

유기 화합물층(OL)은 백색 안료를 포함하여 기판 전면에 넓게 도포될 수 있다. 백색 안료는 픽셀들을 덮도록 넓게 도포될 수 있다. 이 경우, 적색, 녹색, 청색, 서브 픽셀은, 대응되는 적색, 녹색, 청색 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 또는, 유기 화합물층(OL)은 적색, 녹색, 청색 안료를 포함하여, 대응되는 적색, 녹색, 청색, 서브 픽셀에 각각 분리 도포될 수 있다. The organic compound layer OL may include a white pigment and may be widely applied over the entire surface of the substrate. The white pigment can be widely applied to cover the pixels. In this case, the red, green, blue, and sub-pixels may further include corresponding red, green, and blue color filters. Alternatively, the organic compound layer OL may include red, green, and blue pigments and may be separately applied to corresponding red, green, blue, and sub-pixels, respectively.

캐소드(CAT)는 표시 영역(AA)에 배열된 픽셀들을 덮도록 넓게 형성된다. 캐소드(CAT)는 전원부 및 저전위 전원 배선(VSL)과 전기적으로 연결되어 저전위 전원 전압을 공급받는다. 저전위 전원 배선(VSL)은 표시 영역(AA)의 외측에서, 표시 영역(AA)의 둘레를 따라 연장될 수 있다. 후술하겠으나, 캐소드(CAT)는 저저항 도전 물질을 포함하는 연결 배선(LL, 도 5)을 통해, 저전위 전원 배선(VSL)과 연결될 수 있다. 즉, 캐소드(CAT)는, 저전위 전원 배선 (VSL, 도 5)과 연결 배선(LL, 도 5)을 포함하는 전원 경로를 통해, 전원부로부터 저전위 전원 전압을 인가받을 수 있다. The cathode CAT is formed wide to cover the pixels arranged in the display area AA. The cathode CAT is electrically connected to the power supply unit and the low potential power line VSL to receive a low potential power supply voltage. The low potential power line VSL may extend outside the display area AA along the circumference of the display area AA. As will be described later, the cathode CAT may be connected to the low-potential power line VSL through a connection line LL including a low-resistance conductive material ( FIG. 5 ). That is, the cathode CAT may receive a low potential power supply voltage from the power supply unit through a power path including the low potential power line VSL ( FIG. 5 ) and the connection line LL ( FIG. 5 ).

보조 전원 배선(AVSL)은 표시 영역(AA) 내에 배치된다. 보조 전원 배선(AVSL)은 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)들과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)들을 포함한다. The auxiliary power line AVSL is disposed within the display area AA. The auxiliary power line AVSL includes first auxiliary power lines AVSL-V and second auxiliary power lines AVSL-H.

제1 보조 전원 배선(AVSL-V)들은 제1 방향(예를 들어, Y축 방향)으로 연장된다. 어느 하나의 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)은, 적어도 다른 하나의 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 다른 길이 및/또는 다른 폭을 가질 수 있다. 즉, 본 발명은, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)의 길이 및/또는 폭을 위치에 따라 달리 설정함으로써, 설계 자유도를 확보할 수 있다. The first auxiliary power lines AVSL-V extend in a first direction (eg, a Y-axis direction). One first auxiliary power line AVSL-V may have a different length and/or a different width from at least one other first auxiliary power line AVSL-V. That is, according to the present invention, design freedom can be secured by setting the length and/or width of the first auxiliary power line AVSL-V differently according to positions.

도면에서는, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)이 제1 방향과 교차하는 제2 방향(예를 들어, X축 방향)으로 이웃하는 픽셀들 사이에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도면에서는, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)이 직선 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 곡선일 수 있고, 직선과 곡선이 조합된 형태를 가질 수도 있다. In the drawing, the first auxiliary power line AVSL-V is illustrated as being disposed between neighboring pixels in a second direction (eg, an X-axis direction) crossing the first direction, but is not limited thereto. no. In the drawing, the first auxiliary power line AVSL-V is illustrated as having a straight line shape, but is not limited thereto, and may be curved or may have a combination of straight and curved lines.

제1 보조 전원 배선(AVSL-V)은 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고, 캐소드(CAT) 아래에 배치된다. 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)은 저저항 도전 물질을 포함한다. 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)은 적어도 하나의 제1 연결점(CNT-V)에서 캐소드(CAT)와 연결된다. 제1 연결점(CNT-V)에서, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)은 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 캐소드(CAT)와 연결될 수 있다. 표시 영역(AA) 상에서, 제1 연결점(CNT-V)의 밀도는 위치에 따라 상이할 수 있다. 캐소드(CAT)가 저전위 전원 배선(VSL)(또는, 연결 배선(LL))으로부터 저전위 전원 전압을 공급받는 특정 위치를 가정할 때, 상기 특정 위치로부터 멀어질수록 제1 연결점(CNT-V)의 배치 밀도는 증가할 수 있다.The first auxiliary power supply line AVSL-V is disposed under the cathode CAT with at least one insulating film interposed therebetween. The first auxiliary power line AVSL-V includes a low-resistance conductive material. The first auxiliary power line AVSL-V is connected to the cathode CAT at at least one first connection point CNT-V. At the first connection point CNT-V, the first auxiliary power line AVSL-V may be connected to the cathode CAT through a contact hole penetrating the at least one insulating layer. In the display area AA, the density of the first connection point CNT-V may be different according to positions. Assuming a specific location where the cathode CAT receives a low potential power supply voltage from the low potential power line VSL (or connection line LL), the first connection point CNT-V is further away from the specific position. ) can be increased.

본 발명의 제1 실시예는 표시 영역(AA) 내에서, 저저항의 도전 물질로 형성된 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)을 캐소드(CAT)에 연결함으로써 위치에 따른 전압 편차를 줄일 수 있기 때문에, 휘도 불균일 불량을 줄일 수 있는 이점을 갖는다.In the first embodiment of the present invention, the voltage deviation according to the position can be reduced by connecting the first auxiliary power line AVSL-V formed of a low-resistance conductive material to the cathode CAT in the display area AA. Therefore, it has an advantage of reducing the luminance non-uniformity defect.

제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 제2 방향으로 연장된다. 어느 하나의 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은, 적어도 다른 하나의 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)과 다른 길이 및/또는 다른 폭을 가질 수 있다. 즉, 본 발명은, 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)의 길이 및/또는 폭을 위치에 따라 달리 설정함으로써, 설계 자유도를 확보할 수 있다.The second auxiliary power line AVSL-H extends in the second direction. One second auxiliary power line AVSL-H may have a different length and/or a different width from at least one other second auxiliary power line AVSL-H. That is, according to the present invention, design freedom can be secured by differently setting the length and/or width of the second auxiliary power line AVSL-H according to positions.

도면에서는, 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)이 제1 방향으로 이웃하는 픽셀들 사이에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도면에서는, 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)이 직선 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 곡선일 수 있고, 직선과 곡선이 조합된 형태를 가질 수도 있다. In the drawing, the second auxiliary power line AVSL-H is shown as being disposed between pixels adjacent to each other in the first direction, but is not limited thereto. In the drawing, the second auxiliary power line AVSL-H is illustrated as having a straight line shape, but is not limited thereto, and may be curved or may have a combination of straight and curved lines.

제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고, 캐소드(CAT) 아래에 배치된다. 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 저저항 도전 물질을 포함한다. 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 적어도 하나의 제2 연결점(CNT-H)에서 캐소드(CAT)와 연결된다. 제2 연결점(CNT-H)에서, 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 캐소드(CAT)와 연결될 수 있다. 표시 영역(AA) 상에서, 제2 연결점(CNT-H)의 밀도는 위치에 따라 상이할 수 있다. 캐소드(CAT)가 저전위 전원 배선(VSL)(또는, 연결 배선(LL))으로부터 저전위 전원 전압을 공급받는 특정 위치를 가정할 때, 상기 특정 위치로부터 멀어질수록 제2 연결점(CNT-H)의 배치 밀도는 증가할 수 있다. The second auxiliary power supply line AVSL-H is disposed under the cathode CAT with at least one insulating film interposed therebetween. The second auxiliary power line AVSL-H includes a low-resistance conductive material. The second auxiliary power line AVSL-H is connected to the cathode CAT at at least one second connection point CNT-H. At the second connection point CNT-H, the second auxiliary power line AVSL-H may be connected to the cathode CAT through a contact hole penetrating the at least one insulating film. On the display area AA, the density of the second connection points CNT-H may be different according to positions. Assuming a specific location where the cathode CAT receives a low potential power supply voltage from the low potential power line VSL (or connection line LL), the second connection point CNT-H is further away from the specific position. ) can be increased.

본 발명의 제1 실시예는 표시 영역(AA) 내에서, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V) 외에 저저항의 도전 물질로 형성된 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)을 캐소드(CAT)에 연결함으로써 위치에 따른 전압 편차를 더욱 효과적으로 줄일 수 있기 때문에, 휘도 불균일 불량을 현저히 줄일 수 있는 이점을 갖는다.In the first embodiment of the present invention, in addition to the first auxiliary power line AVSL-V, the second auxiliary power line AVSL-H formed of a low-resistance conductive material is connected to the cathode CAT in the display area AA. Since the voltage deviation according to the position can be more effectively reduced by connecting, the luminance non-uniformity defect can be remarkably reduced.

또한, 본 발명의 제1 실시예는, 다른 배선들 및 전극들의 배치를 고려하여, 위치에 따라 연결 가능한 연결점(CNT-V, CNT-H)을 선택할 수 있기 때문에 설계 자유도가 향상된다. 즉, 높은 PPI(Pixel Per Inch)를 갖는 고 해상도 표시장치를 구현하기 위해서는, 여러 소자들을 한정된 공간 내에 집적시킬 필요가 있기 때문에, 설계 자유도가 상대적으로 현저히 줄어든다. 본 발명의 제1 실시예는, 단순히 일방향으로 연장되는 보조 전원 배선(AVSL)이 아닌 서로 다른 방향으로 연장되는 보조 전원 배선(AVSL)들을 다수 배치함으로써, 당해 위치의 상태(또는, 조건)에 대응하여 캐소드(CAT)에 연결 가능한 보조 전원 배선(AVSL)을 용이하게 선택할 수 있기 때문에, 고 해상도 표시장치에서도 본 발명의 목적 달성을 위한 충분한 설계 자유도를 확보할 수 있다.In addition, in the first embodiment of the present invention, design freedom is improved because connectable connection points (CNT-V, CNT-H) can be selected according to positions in consideration of the arrangement of other wires and electrodes. That is, in order to implement a high-resolution display device having a high pixel per inch (PPI), since it is necessary to integrate several elements within a limited space, the degree of freedom in design is relatively significantly reduced. The first embodiment of the present invention corresponds to the state (or condition) of the position by arranging a plurality of auxiliary power lines (AVSL) extending in different directions rather than simply extending in one direction. Since the auxiliary power line AVSL connectable to the cathode CAT can be easily selected, sufficient design freedom can be secured even in a high-resolution display device to achieve the object of the present invention.

제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은, 적어도 하나의 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 교차할 수 있으나, 도면에 도시된 바와 같이 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 반드시 수직으로 교차하는 것은 아니다. 즉, 평면상에서 바라볼 때, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)이 이루는 각도는, 사각(dutch angle 또는 tilt angle)일 수 있다.The second auxiliary power line AVSL-H may cross at least one first auxiliary power line AVSL-V, but must be perpendicular to the first auxiliary power line AVSL-V as shown in the drawing. does not intersect with That is, when viewed from a plane, an angle between the first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may be a square (dutch angle or tilt angle).

제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 동일층에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 연결되어, 한 몸체로 형성될 수 있다. 다른 예로, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 상기 적어도 하나의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 연결될 수 있다. The first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may be disposed on the same layer. In this case, the first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may be connected and formed as one body. As another example, the first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may be disposed on different layers with at least one insulating layer interposed therebetween. In this case, the first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may be connected through a contact hole penetrating the at least one insulating layer.

제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은, 표시 영역(AA) 중 적어도 일부 영역에서 서로 교차되어, 평면 상에서 바라볼 때 메쉬(mesh) 형태의 구조를 갖도록 배열될 수 있다. 일 예로, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은, 표시 영역(AA) 전 영역에서 교차 구조를 가질 수 있다. The first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H intersect each other in at least a portion of the display area AA to form a mesh structure when viewed on a plane. can be arranged to have For example, the first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may have a crossing structure in the entire area of the display area AA.

다른 예로, 도 4를 참조하면, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은, 표시 영역(AA)에서 국부적으로 교차 구조를 가질 수 있다. 상기 일부 영역(PA)은, 단위 면적 당 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)이 배치된 밀도가 다른 영역 대비 높은 영역일 수 있다. 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)의 밀도가 높은 영역(PA)은, 캐소드(CAT)와 저저항의 도전 물질을 포함하는 제1 보조 전원 배선(AVSL-V) 및/또는 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)과의 직접 접촉이, 다른 영역 대비 많은 영역을 의미한다. 상기 일부 영역(PA)은, 캐소드(CAT)가 저전위 전원 배선(VSL)(또는, 연결 배선(LL))으로부터 저전위 전원 전압을 공급받는 특정 위치를 가정할 때, 상기 특정 위치로부터 가장 이격된 영역일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예는 상대적으로 적은 수의 보조 전원 배선(AVSL)을 이용하여, 표시 패널(10)의 픽셀들에 균일한 저전위 전원 전압을 공급할 수 있는 이점을 갖는다. As another example, referring to FIG. 4 , the first auxiliary power line AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may have a cross structure locally in the display area AA. The partial area PA may have a higher density than other areas in which the first connection points CNT-V and/or the second connection points CNT-H are disposed per unit area. The region PA having a high density of the first connection point CNT-V and/or the second connection point CNT-H includes a cathode CAT and a low-resistance conductive material, and the first auxiliary power line AVSL- V) and/or the second auxiliary power line AVSL-H means a larger area than other areas. The partial area PA is the most distant from the specific position, assuming a specific position where the cathode CAT receives the low potential power supply voltage from the low potential power line VSL (or connection line LL). area may be Accordingly, the preferred embodiment of the present invention has the advantage of being able to supply a uniform low-potential power supply voltage to the pixels of the display panel 10 by using a relatively small number of auxiliary power lines AVSL.

좀 더 구체적으로, 캐소드(CAT)는 적어도 하나의 연결부(CNT-P)에서 저전위 전원 배선(VSL)(또는, 연결 배선(LL))과 연결된다. 연결부(CNT-P)는 비 표시 영역(NA) 내에 위치하며, 표시 영역(AA)의 상, 하, 좌, 우 중 적어도 어느 하나에 정의될 수 있다. 일 예로, 어느 하나의 연결부(CNT-P)와 다른 하나의 연결부(CNT-P)는, 서로 다른 저전위 전원 배선(VSL) 상에 위치할 수 있다. 이 경우, 캐소드(CAT)는 복수의 저전위 전원 배선(VSL)들로부터 저전위 전원 전압을 공급받을 수 있기 때문에, 어느 하나의 저전위 전원 배선(VSL)에 오픈 불량이 발생하거나, 어느 하나의 저전위 전원 배선(VSL)과 캐소드(CAT) 사이의 접촉 불량이 발생하더라도, 다른 저전위 전원 배선(VSL)을 통해 저전위 전원 전압을 공급 받을 수 있어 구동 불량을 방지할 수 있다. More specifically, the cathode CAT is connected to the low potential power line VSL (or connection line LL) through at least one connection part CNT-P. The connection part CNT-P is located in the non-display area NA and may be defined on at least one of upper, lower, left, and right sides of the display area AA. For example, one connection part CNT-P and another connection part CNT-P may be located on different low potential power lines VSL. In this case, since the cathode CAT can receive the low-potential power supply voltage from the plurality of low-potential power lines VSL, an open defect occurs in one low-potential power line VSL or one of the low-potential power lines VSL Even if a contact failure occurs between the low-potential power line VSL and the cathode CAT, the low-potential power supply voltage can be supplied through another low-potential power line VSL, thereby preventing driving failure.

표시 영역(AA)내에서 단위 면적 당 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)의 배치 밀도는, 캐소드(CAT)가 저전위 전원 배선(VSL)(또는, 연결 배선(LL))으로부터 저전위 전원 전압을 공급받는 연결부(CNT-P)의 위치와 관계 된다. 일 예로, 연결부(CNT-P)가 표시 영역(AA)의 좌, 우에 정의되는 경우, 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)은 표시 영역(AA)의 중심부에 집중될 수 있다. 다른 예로, 연결부(CNT-P)가 표시 영역(AA)의 좌측(또는, 우측)에 정의되는 경우, 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)은 표시 영역(AA)의 우측(또는, 좌측)에 집중될 수 있다. 이와 같이, 본원 발명은, 연결부(CNT-P)로부터의 거리에 대응하여, 단위 면적 당 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)의 배치 밀도를 달리 설정함으로써, 위치에 따른 전압 편차를 더욱 효과적으로 줄일 수 있는 이점을 갖는다. 이 경우, 상대적으로 적은 수의 제1 연결점(CNT-V) 및/또는 제2 연결점(CNT-H)을 형성하고도 위치에 따른 전압 편차를 최소화할 수 있기 때문에, 공정 불량 예를 들어 제1 연결점(CNT-V) 및 제2 연결점(CNT-H)을 형성할 때 발생할 수 있는 공정 불량을 줄일 수 있는 이점을 갖는다.도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 비 표시 영역(NA), 및 표시 영역(AA)이 정의된 기판(SUB)을 포함한다. 도시하지는 않았으나, 기판(SUB) 상에는, 박막 트랜지스터(T) 및 유기발광 다이오드(OLE)를 덮는 봉지(encapsulation)층이 더 구비될 수 있다. 봉지층은 외부로부터 유입될 수 있는 수분 및 산소로부터 내부 소자를 보호할 수 있다. The arrangement density of the first connection point CNT-V and/or the second connection point CNT-H per unit area within the display area AA is such that the cathode CAT is connected to the low potential power supply line VSL (or connection density). It is related to the position of the connection part (CNT-P) to which the low-potential power supply voltage is supplied from the wiring (LL). For example, when the connection part CNT-P is defined on the left and right sides of the display area AA, the first connection point CNT-V and/or the second connection point CNT-H are at the center of the display area AA. can be focused on As another example, when the connection part CNT-P is defined on the left (or right) side of the display area AA, the first connection point CNT-V and/or the second connection point CNT-H may be defined in the display area ( AA) can be centered on the right (or left) side. In this way, according to the present invention, the arrangement density of the first connection point (CNT-V) and/or the second connection point (CNT-H) per unit area is set differently in correspondence with the distance from the connection part (CNT-P), It has the advantage of being able to more effectively reduce the voltage deviation according to the position. In this case, since the voltage deviation according to the position can be minimized even when a relatively small number of first connection points (CNT-V) and/or second connection points (CNT-H) are formed, process defects, for example, the first It has an advantage of reducing process defects that may occur when forming the connection point CNT-V and the second connection point CNT-H. Referring to FIG. 5, the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention The device includes a substrate SUB on which a non-display area NA and a display area AA are defined. Although not shown, an encapsulation layer covering the thin film transistor T and the organic light emitting diode OLE may be further provided on the substrate SUB. The encapsulation layer may protect internal elements from moisture and oxygen that may be introduced from the outside.

기판(SUB)은 유리(glass) 또는 플라스틱(plastic) 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 PI(Polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 등의 플라스틱 재질로 형성되어, 유연한(flexible) 특성을 가질 수 있다. The substrate SUB may be made of glass or plastic material. For example, the substrate SUB may be formed of a plastic material such as polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), or polycarbonate (PC), and may have flexible characteristics.

기판(SUB)의 비 표시 영역(NA) 상에는, 저전위 전원 배선(VSL)이 형성된다. 저전위 전원 배선(VSL)은, 도시된 바와 같이 소스/드레인 전극(S, D)과 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 전원부로부터 공급된 저전위 전원 전압은, 저전위 전원 배선(VSL)을 통해 캐소드(CAT)에 인가될 수 있다.A low potential power line VSL is formed on the non-display area NA of the substrate SUB. As shown, the low potential power line VSL may be formed of the same material on the same layer as the source/drain electrodes S and D. However, it is not limited thereto. The low potential power voltage supplied from the power supply unit may be applied to the cathode CAT through the low potential power line VSL.

기판(SUB)의 표시 영역(AA) 상에는, 박막 트랜지스터(T) 및 박막 트랜지스터(T)와 연결된 유기발광 다이오드(OLE)가 형성된다. 기판(SUB)과 박막 트랜지스터(T) 사이에는, 기능층(BSM) 및 버퍼층(BUF)이 형성될 수 있다. 기능층(BSM)은 박막 트랜지스터(T)의 반도체층 특히, 채널(channel)에 중첩되도록 배치되어, 외부광으로부터 반도체 소자를 보호하는 기능을 할 수 있다. 또는, 기능층은(BSM) 스토리지 커패시터의 일 전극으로써 기능할 수도 있다. 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)으로부터 확산되는 이온이나 불순물을 차단하고, 외부의 수분 침투를 차단하는 기능을 할 수 있다. On the display area AA of the substrate SUB, a thin film transistor T and an organic light emitting diode OLE connected to the thin film transistor T are formed. A functional layer BSM and a buffer layer BUF may be formed between the substrate SUB and the thin film transistor T. The functional layer BSM may be disposed to overlap the semiconductor layer of the thin film transistor T, particularly the channel, and may function to protect the semiconductor device from external light. Alternatively, the functional layer (BSM) may function as one electrode of the storage capacitor. The buffer layer BUF may block ions or impurities from diffusing from the substrate SUB and may block penetration of external moisture.

박막 트랜지스터(T)는, 반도체층(A), 게이트 전극(G), 소스/드레인 전극(S, D)을 포함한다. 반도체층(A) 위에는 게이트 절연막(GI) 및 게이트 전극(G)이 배치된다. 게이트 절연막(GI)은 게이트 전극(G)을 절연시키는 것으로, 실리콘 산화막(SiOx)으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트 절연막(GI)은 기판(SUB) 전체 표면을 덮도록 형성될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(G)은 동일 마스크를 이용하여 패턴될 수 있으며, 이 경우, 게이트 절연막(GI)과 게이트 전극(G)은 동일한 평면 형상을 가질 수 있다.The thin film transistor T includes a semiconductor layer A, a gate electrode G, and source/drain electrodes S and D. A gate insulating layer GI and a gate electrode G are disposed on the semiconductor layer A. The gate insulating layer GI insulates the gate electrode G, and may be made of a silicon oxide layer (SiOx), but is not limited thereto. The gate insulating layer GI may be formed to cover the entire surface of the substrate SUB. Although not shown, the gate insulating film GI and the gate electrode G may be patterned using the same mask, and in this case, the gate insulating film GI and the gate electrode G may have the same planar shape.

게이트 전극(G)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체층(A)과 중첩하도록 배치된다. 게이트 전극(G)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금의 단층이나 다층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode G is disposed to overlap the semiconductor layer A with the gate insulating film GI interposed therebetween. The gate electrode (G) is made of copper (Cu), molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), or tantalum (Ta). and tungsten (W), or a single layer or multiple layers of alloys thereof.

게이트 전극(G) 위에는 층간 절연막(IN)이 배치된다. 층간 절연막(IN)은 게이트 전극(G)과 소스/드레인 전극(S, D)을 상호 절연시키는 것으로, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. An interlayer insulating layer IN is disposed on the gate electrode G. The interlayer insulating film (IN) insulates the gate electrode (G) and the source/drain electrodes (S, D) from each other, and may be made of a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is limited thereto It is not.

층간 절연막(IN) 위에는 소스/드레인 전극(S, D)이 배치된다. 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)은 소정 간격 이격되어 배치된다. 소스 전극(S)은 층간 절연막(IN)을 관통하는 소스 콘택홀을 통해 반도체층(A)의 일측에 접촉한다. 드레인 전극(D)은 층간 절연막(IN)을 관통하는 드레인 콘택홀을 통해 반도체층(A)의 타측에 접촉한다.Source/drain electrodes S and D are disposed on the interlayer insulating film IN. The source electrode (S) and the drain electrode (D) are spaced apart from each other by a predetermined distance. The source electrode S contacts one side of the semiconductor layer A through a source contact hole penetrating the interlayer insulating film IN. The drain electrode D contacts the other side of the semiconductor layer A through the drain contact hole penetrating the interlayer insulating layer IN.

소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 단일층 또는 다층으로 이루어질 수 있으며, 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)이 다층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴, 몰리브덴/알루미늄, 티타늄/알루미늄, 또는 구리/몰리티타늄의 2중층이거나 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴, 티타늄/알루미늄/티타늄, 또는 몰리티타늄/구리/몰리티타늄의 3중층으로 이루어질 수 있다.The source electrode (S) and the drain electrode (D) may be formed of a single layer or multiple layers, and in the case of a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti, It may be made of any one selected from the group consisting of nickel (Ni), neodymium (Nd) and copper (Cu) or an alloy thereof. In addition, when the source electrode (S) and the drain electrode (D) are multi-layered, they are a double layer of molybdenum/aluminum-neodymium, molybdenum/aluminum, titanium/aluminum, or copper/motitanium, or molybdenum/aluminum-neodymium/molybdenum or molybdenum. /Aluminum/molybdenum, titanium/aluminum/titanium, or motitanium/copper/motitanium triple layers.

박막 트랜지스터(T) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 패시베이션막(PAS)은 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 것으로 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. A passivation film (PAS) is positioned on the thin film transistor (T). The passivation film PAS protects the thin film transistor T and may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof.

패시베이션막(PAS) 상에 평탄화막(OC)이 위치한다. 평탄화막(OC)은 하부의 단차를 평탄화하는 것으로, 포토아크릴(photo acryl), 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene resin), 아크릴레이트계 수지(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 필요에 따라서, 패시베이션막(PAS)과 평탄화막(OC) 중 어느 하나는 생략될 수 있다. A planarization layer OC is positioned on the passivation layer PAS. The planarization film (OC) is to planarize the lower step, and may be made of an organic material such as photo acryl, polyimide, benzocyclobutene resin, or acrylate. there is. If necessary, either the passivation layer PAS or the planarization layer OC may be omitted.

평탄화막(OC) 상에 유기발광 다이오드(OLE)가 위치한다. 유기발광 다이오드(OLE)는 애노드(ANO), 유기 화합물층(OL) 및 캐소드(CAT)를 포함한다. 보다 자세하게, 평탄화막(OC) 상에 애노드(ANO)가 위치한다. 애노드(ANO)는 패시베이션막(PAS)과 평탄화막(OC)를 관통하는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터(T)의 드레인 전극(D)에 접속된다. 애노드(ANO)는 반사층을 포함하여 반사 전극으로 기능할 수 있다. 반사층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 APC(은/팔라듐/구리 합금)으로 이루어질 수 있다. 애노드(ANO)는 반사층을 포함한 다층으로 이루어질 수 있다. An organic light emitting diode (OLE) is positioned on the planarization layer (OC). The organic light emitting diode (OLE) includes an anode (ANO), an organic compound layer (OL), and a cathode (CAT). More specifically, the anode ANO is positioned on the planarization layer OC. The anode ANO is connected to the drain electrode D of the thin film transistor T through a contact hole penetrating the passivation film PAS and the planarization film OC. The anode ANO may function as a reflective electrode by including a reflective layer. The reflective layer may be made of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), or alloys thereof, preferably made of APC (silver/palladium/copper alloy). The anode ANO may be formed of multiple layers including a reflective layer.

애노드(ANO)가 형성된 기판(SUB) 상에 서브 픽셀을 구획하는 뱅크층(BN)이 위치한다. 뱅크층(BN)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 뱅크층(BN)에 의해 노출된 애노드(ANO)의 중심부는 발광 영역으로 정의될 수 있다. 뱅크층(BN)은 애노드(ANO)의 중심부를 노출하되 애노드(ANO)의 측단을 덮도록 배치될 수 있다. A bank layer BN partitioning sub-pixels is positioned on the substrate SUB on which the anode ANO is formed. The bank layer BN may be made of an organic material such as polyimide, benzocyclobutene series resin, or acrylate. A central portion of the anode ANO exposed by the bank layer BN may be defined as an emission area. The bank layer BN may be disposed to cover a side end of the anode ANO while exposing a central portion of the anode ANO.

뱅크층(BN)에 의해 노출된 애노드(ANO) 상에 유기 화합물층(OL)이 위치한다. 유기 화합물층(OL)은 대응되는 서브 픽셀마다 분할되어 배치될 수 있고, 일체로 기판(SUB) 전면에 넓게 형성될 수도 있다. 유기 화합물층(OL)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 층으로, 발광층(Emission layer, EML)을 포함하고, 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. An organic compound layer OL is positioned on the anode ANO exposed by the bank layer BN. The organic compound layer OL may be divided and disposed for each corresponding sub-pixel, or may be integrally formed widely over the entire surface of the substrate SUB. The organic compound layer (OL) is a layer that emits light by combining electrons and holes, and includes an emission layer (EML), a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron Any one or more of an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) may be further included.

유기 화합물층(OL) 상에 캐소드(CAT)가 위치한다. 캐소드(CAT)는 픽셀들을 덮도록 기판(SUB)의 전면에 넓게 형성될 수 있다. 캐소드(CAT)는, ITO(Indium Tin Oxide) IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전물질로 형성될 수 있고, 광이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께를 갖는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.A cathode CAT is positioned on the organic compound layer OL. The cathode CAT may be formed widely on the entire surface of the substrate SUB to cover the pixels. The cathode CAT may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and may be formed of magnesium (Mg), calcium (Ca), It may be made of aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof.

캐소드(CAT)는 저전위 전원 배선(VSL)과 직접 접촉되어 저전위 전원 전압을 공급 받을 수 있다. 이 경우, 캐소드(CAT)는 패시베이션막(PAS)을 관통하는 패시베이션 콘택홀(CH)을 통해 저전위 전원 배선(VSL)과 연결될 수 있다. 바람직하게, 캐소드(CAT)는, 저전위 전원 배선(VSL)에 연결된 연결 배선(LL)에 직접 접촉되어, 저전위 전원 배선(VSL)에 연결된 연결 배선(LL)을 통해 저전위 전원 전압을 공급 받을 수 있다. 이 경우, 연결 배선(LL)은 패시베이션막(PAS)을 관통하는 패시베이션 콘택홀(CH)을 통해 저전위 전원 배선(VSL)과 연결될 수 있고, 캐소드(CAT)는 뱅크를 관통하는 뱅크 콘택홀(BH)을 통해 연결 배선(LL)과 연결될 수 있다. 또는, 도시하지는 않았으나, 연결 배선(LL)은 패시베이션막(PAS)을 관통하는 패시베이션 콘택홀(CH)을 통해 저전위 전원 배선(VSL)과 연결될 수 있고, 캐소드(CAT)는 연결 배선(LL)과 직접 접촉될 수 있다. 연결 배선(LL)을 구성하는 물질은, 캐소드(CAT)를 구성하는 물질 대비 낮은 비저항을 갖는다. The cathode CAT may directly contact the low-potential power line VSL to receive a low-potential power supply voltage. In this case, the cathode CAT may be connected to the low potential power line VSL through the passivation contact hole CH penetrating the passivation film PAS. Preferably, the cathode CAT is in direct contact with the connection line LL connected to the low potential power line VSL, and supplies a low potential power voltage through the connection line LL connected to the low potential power line VSL. can receive In this case, the connection wire LL may be connected to the low potential power supply wire VSL through the passivation contact hole CH passing through the passivation film PAS, and the cathode CAT may be connected to the bank contact hole passing through the bank. BH) may be connected to the connection wire LL. Alternatively, although not shown, the connection line LL may be connected to the low potential power line VSL through the passivation contact hole CH penetrating the passivation film PAS, and the cathode CAT may be connected to the connection line LL can come into direct contact with A material constituting the connection line LL has a lower specific resistance than a material constituting the cathode CAT.

캐소드(CAT)가 저전위 전원 배선(VSL)에 직접 접촉되어 저전위 전원 전압을 공급 받기 위해서는, 비 저항이 큰 물질을 포함하는 캐소드(CAT)를 상대적으로 넓게 형성해야 한다. 위치에 따른 저전위 전원 전압의 편차를 줄이고자 하는 본 발명의 목적을 고려할 때, 전술한 연결 구조 대비 캐소드(CAT)를 본연의 기능이 저하되지 않으면서 설계 가능한 최소 면적을 갖도록 형성하고, 저전위 전원 배선(VSL)과 캐소드(CAT)를 저저항 물질을 포함하는 연결 배선(LL)을 통해 연결하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 캐소드(CAT)는, 픽셀들을 덮도록 표시 영역(AA) 내에 구비되어, 연결 배선(LL)을 통해 비 표시 영역(NA)에 배치된 저전위 전원 배선(VSL)과 전기적으로 연결될 수 있다.In order for the cathode CAT to directly contact the low-potential power line VSL and receive the low-potential power supply voltage, the cathode CAT including a material having a high specific resistance must be formed relatively wide. Considering the object of the present invention to reduce the deviation of the low potential power supply voltage according to the position, the cathode (CAT) is formed to have a minimum area that can be designed without deteriorating the original function compared to the above-described connection structure, and the low potential It may be desirable to connect the power line VSL and the cathode CAT through a connection line LL including a low-resistance material. For example, the cathode CAT is provided in the display area AA to cover the pixels and is electrically connected to a low potential power line VSL disposed in the non-display area NA through the connection line LL. can

기판(SUB)의 표시 영역(AA) 상에는, 보조 전원 배선(AVSL)이 형성된다. 보조 전원 배선(AVSL)은 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고, 캐소드(CAT) 아래에 배치될 수 있다. 보조 전원 배선(AVSL)은 단일층 또는 다층으로 이루어질 수 있으며, 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 보조 전원 배선(AVSL)이 다층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴, 몰리브덴/알루미늄, 티타늄/알루미늄, 또는 구리/몰리티타늄의 2중층이거나 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴, 티타늄/알루미늄/티타늄, 또는 몰리티타늄/구리/몰리티타늄의 3중층으로 이루어질 수 있다.An auxiliary power line AVSL is formed on the display area AA of the substrate SUB. The auxiliary power supply line AVSL may be disposed under the cathode CAT with at least one insulating layer interposed therebetween. The auxiliary power line (AVSL) may be composed of a single layer or multiple layers, and in the case of a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), It may be made of any one selected from the group consisting of neodymium (Nd) and copper (Cu) or an alloy thereof. In addition, when the auxiliary power line (AVSL) is multi-layered, it is a double layer of molybdenum/aluminum-neodymium, molybdenum/aluminum, titanium/aluminum, or copper/motitanium, or molybdenum/aluminum-neodymium/molybdenum, molybdenum/aluminum/molybdenum, It may be made of a triple layer of titanium/aluminum/titanium or motitanium/copper/motitanium.

도 5에 도시된 바와 같이, 보조 전원 배선(AVSL)은, 패시배이션막(PAS) 위에 형성되어, 평탄화막(OC)과 뱅크층(BN)을 사이에 두고 캐소드(CAT) 아래에 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도 6에 도시된 바와 같이, 보조 전원 배선(AVSL)은, 소스/드레인 전극(S, D)과 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있고(도 6의 (a)), 게이트 전극(G)과 동일층에 동일한 물질로 형성될 수 있으며(도 6의 (b)), 기능층(BSM)과 동일층에 동일한 물질로 형성될 수도 있다(도 6의 (c)). 이 경우, 보조 전원 배선(AVSL)을 형성하기 위한 추가 공정을 별도로 수행할 필요가 없다. 이에 따라, 공정 수를 줄일 수 있어 제조 시간 및 비용을 줄일 수 있고, 공정 불량을 줄임에 따라 제품 수율을 현저히 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다.As shown in FIG. 5 , the auxiliary power line AVSL is formed on the passivation film PAS and disposed below the cathode CAT with the planarization film OC and the bank layer BN interposed therebetween. can However, it is not limited thereto, and as shown in FIG. 6, the auxiliary power line AVSL may be formed of the same material on the same layer as the source/drain electrodes S and D (Fig. 6(a) )), may be formed of the same material on the same layer as the gate electrode G (FIG. 6(b)), and may be formed of the same material on the same layer as the functional layer BSM (FIG. 6(c) )). In this case, there is no need to separately perform an additional process for forming the auxiliary power line AVSL. Accordingly, it is possible to reduce the number of processes, thereby reducing manufacturing time and cost, and having an advantage of significantly improving product yield by reducing process defects.

도 7을 참조하면, 전술한 바와 같이, 보조 전원 배선(AVSL)은 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)을 포함할 수 있고, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 적어도 하나의 절연막(PAS)을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 7 , as described above, the auxiliary power line AVSL may include a first auxiliary power line AVSL-V and a second auxiliary power line AVSL-H, and the first auxiliary power line AVSL-H. AVSL-V and the second auxiliary power line AVSL-H may be disposed on different layers with at least one insulating layer PAS interposed therebetween.

예를 들어, 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)은, 적어도 하나의 절연막(BN, OC)을 사이에 두고 캐소드(CAT) 아래에 배치되어, 상기 적어도 하나의 절연막(BN, OC)을 관통하는 보조 콘택홀(VH)을 통해 캐소드(CAT)와 접촉될 수 있다. 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은, 적어도 하나의 절연막(PAS)을 사이에 두고 제1 보조 전원 배선(AVSL-V) 아래에 배치되어, 상기 적어도 하나의 절연막(PAS)을 관통하는 연결 콘택홀(PH)을 통해 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)과 접촉될 수 있다. 제2 보조 전원 배선(AVSL-H)은 제1 보조 전원 배선(AVSL-V)을 통해 캐소드(CAT)와 전기적으로 연결될 수 있다.For example, the first auxiliary power line AVSL-V is disposed under the cathode CAT with at least one insulating film BN and OC interposed therebetween, and penetrates the at least one insulating film BN and OC. may be in contact with the cathode CAT through the auxiliary contact hole VH. The second auxiliary power line AVSL-H is disposed under the first auxiliary power line AVSL-V with at least one insulating film PAS interposed therebetween, and is connected to pass through the at least one insulating film PAS. It may be in contact with the first auxiliary power line AVSL-V through the contact hole PH. The second auxiliary power line AVSL-H may be electrically connected to the cathode CAT through the first auxiliary power line AVSL-V.

본 발명에 의한 유기발광 표시장치는 상부 발광형으로 구현되는 경우, 개구율을 상대적으로 넓히기 위해, 애노드(ANO)의 면적을 충분히 확보할 필요가 있다. 따라서, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치가 상부 발광형으로 구현되는 경우, 애노드(ANO)를 설계 가능한 최대 면적을 갖도록 형성하고, 애노드(ANO)와의 단락(short)을 방지하기 위해 보조 전원 배선(AVSL)을 애노드(ANO)와 동일층에 형성하지 않는 것이 바람직하다.When the organic light emitting display device according to the present invention is implemented as a top emission type, it is necessary to secure a sufficient area of the anode ANO in order to relatively widen the aperture ratio. Therefore, when the organic light emitting display device according to the present invention is implemented as a top emission type, the anode ANO is formed to have the maximum designable area and the auxiliary power line ( AVSL) is preferably not formed on the same layer as the anode ANO.

캐소드(CAT)와 보조 전원 배선(AVSL)이 두 개 이상의 절연막(BN, OC)을 사이에 두고 배치되는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 두 개 이상의 절연막(BN, OC)을 관통하는 하나의 보조 콘택홀(VH)을 통해 캐소드(CAT)와 보조 전원 배선(AVSL)이 직접 접촉될 수 있다. When the cathode CAT and the auxiliary power line AVSL are disposed with two or more insulating films BN and OC interposed therebetween, as shown in FIG. 5, one through the two or more insulating films BN and OC The cathode CAT and the auxiliary power line AVSL may be directly contacted through the auxiliary contact hole VH.

다른 예로, 캐소드(CAT)와 보조 전원 배선(AVSL)이 두 개 이상의 절연막(BN, OC)을 사이에 두고 배치되는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이 캐소드(CAT) 및 보조 전원 배선(AVSL) 사이에 배치된 적어도 하나의 보조 전극(LVSL)을 더 포함할 수 있고, 캐소드(CAT)와 보조 전원 배선(AVSL)은 적어도 하나의 보조 전극(LVSL)을 통해 연결될 수 있다. 보조 전극(LVSL)은, 적어도 하나의 절연막(BN)을 사이에 두고 캐소드(CAT) 아래에 배치되며, 상기 적어도 하나의 절연막(BN)을 관통하는 제1 보조 콘택홀(VH1)을 통해 캐소드(CAT)와 접촉된다. 보조 전극(LVSL)은, 적어도 하나의 절연막(OC)을 사이에 두고 보조 전원 배선(AVSL) 위에 배치되며, 상기 적어도 하나의 절연막(OC)을 관통하는 제2 보조 콘택홀(VH2)을 통해 보조 전원 배선(AVSL)과 접촉된다.As another example, when the cathode (CAT) and the auxiliary power line (AVSL) are disposed with two or more insulating films (BN, OC) interposed therebetween, as shown in FIG. 8, the cathode (CAT) and the auxiliary power line (AVSL) It may further include at least one auxiliary electrode LVSL disposed therebetween, and the cathode CAT and the auxiliary power line AVSL may be connected through the at least one auxiliary electrode LVSL. The auxiliary electrode LVSL is disposed below the cathode CAT with at least one insulating film BN interposed therebetween, and the cathode ( CAT). The auxiliary electrode LVSL is disposed on the auxiliary power line AVSL with at least one insulating film OC interposed therebetween, and is provided through a second auxiliary contact hole VH2 penetrating the at least one insulating film OC. It is in contact with the power line (AVSL).

도 5에 도시된 바와 같이 보조 콘택홀(VH)을 형성하는 경우, 두 개 이상의 절연막을 관통하는 공정 중에 콘택홀의 상부가 식각액에 계속적으로 노출되어 홀 면적이 과도하게 커질 수 있다. 이와 달리, 도 8과 같이 보조 콘택홀(VH1, VH2)을 분할하여 형성하는 경우, 콘택홀의 홀 면적을 일정 수준 이하로 제어할 수 있는 이점이 있다. In the case of forming the auxiliary contact hole VH as shown in FIG. 5 , the upper part of the contact hole is continuously exposed to the etchant during the process of penetrating two or more insulating layers, and thus the hole area may become excessively large. In contrast, when the auxiliary contact holes VH1 and VH2 are divided and formed as shown in FIG. 8 , the hole area of the contact hole can be controlled to a certain level or less.

제1 보조 콘택홀(VH1)과 제2 보조 콘택홀(VH2)은, 도 8과 같이 중첩되도록 형성될 수 있고, 도 9와 같이 일정 간격 시프트되어 형성될 수 있다. 보조 전극(LVSL)이 애노드(ANO)와 동일층에 형성됨을 전제로, 도 9와 같이 제1 보조 콘택홀(VH1)과 제2 보조 콘택홀(VH2)이 시프트되어 형성되는 경우, 상대적으로 애노드(ANO)가 차지하는 면적이 줄어든다. 유기발광 표시장치가 상부 발광형으로 구현되는 경우, 애노드(ANO)가 차지하는 면적 감소는, 개구율의 감소를 야기하는 바 도 8과 같은 구조가 바람직할 수 있다. The first auxiliary contact hole VH1 and the second auxiliary contact hole VH2 may be formed to overlap each other as shown in FIG. 8 or may be shifted at regular intervals as shown in FIG. 9 . On the premise that the auxiliary electrode LVSL is formed on the same layer as the anode ANO, when the first auxiliary contact hole VH1 and the second auxiliary contact hole VH2 are shifted and formed as shown in FIG. 9 , the anode The area occupied by (ANO) is reduced. When the organic light emitting display device is implemented as a top emission type, a decrease in the area occupied by the anode ANO causes a decrease in aperture ratio, so the structure shown in FIG. 8 may be preferable.

본 발명의 제1 실시예는 위치에 따른 저전위 전압 편차를 효과적으로 줄일 수 있어, 휘도 불균일 불량을 최소화할 수 있는 이점을 갖는다. 이에 따라, 본 발명의 제1 실시예는 표시 품질이 향상된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. The first embodiment of the present invention has an advantage of minimizing the luminance non-uniformity defect by effectively reducing the low potential voltage deviation according to the position. Accordingly, the first embodiment of the present invention can provide an organic light emitting display device with improved display quality.

<제2 실시예><Second Embodiment>

픽셀 회로를 제조하는 과정에서 유기발광 다이오드 및 박막 트랜지스터의 특성 저하와, 전극들 및/또는 배선들 간의 쇼트 발생으로 인해 각 픽셀이 정상적으로 구동되지 않는 불량이 발생될 수 있다. 일 예로, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극과 드레인 전극이 쇼트되는 경우, 구동 박막 트랜지스터가 정상적으로 구동되지 않고 소스 전극으로 인가된 전압이 드레인 전극으로 직접 인가될 수 있다. 이 경우, 구동 박막 트랜지스터가 오프(off)되지 않고 온(on) 상태를 유지하게 됨에 따라, 유기발광 다이오드가 계속 점등되는 휘점 불량이 발생할 수 있다. 이와 같은 휘점 불량은 시인성이 높아 사용자가 불량을 곧바로 인지할 수 있다. 이와 달리, 암점 불량은, 시인성이 상대적으로 낮아 일부 픽셀에서 발생하더라도 제품화가 가능하다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예는, 휘점 불량 대비 암점 불량의 시인성이 상대적으로 낮음을 고려하여, 휘점 불량이 발생한 픽셀을 암점화 시킬 수 있는 신규한 리페어(repair) 구조를 제안한다. In the process of manufacturing a pixel circuit, a defect in which each pixel is not normally driven may occur due to deterioration of characteristics of the organic light emitting diode and thin film transistor and occurrence of a short circuit between electrodes and/or wires. For example, when the source electrode and drain electrode of the driving thin film transistor are short-circuited, the driving thin film transistor is not normally driven and the voltage applied to the source electrode may be directly applied to the drain electrode. In this case, since the driving thin film transistor is not turned off and maintained in an on state, a bright point defect in which the organic light emitting diode is continuously turned on may occur. Such bright spot defects have high visibility, so that a user can recognize them immediately. In contrast, dark spot defects are relatively low in visibility, and even if they occur in some pixels, they can be commercialized. Accordingly, the second embodiment of the present invention proposes a novel repair structure capable of turning a pixel having a bright point defect into a dark point, considering that the visibility of the dark point defect is relatively low compared to the bright point defect.

도 10은 제2 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이다. 도 11은 리페어된 불량 픽셀의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 10 is a schematic configuration diagram of pixels of an organic light emitting display device according to a second embodiment. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a repaired defective pixel.

도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널에는, 데이터 배선들(DL), 게이트 배선들(GL), 및 보조 전원 배선(AVSL)이 배치된다. 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)의 교차 구조에 의해 픽셀이 정의될 수 있다. 픽셀 각각은 유기발광 다이오드, 유기발광 다이오드에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터(DT), 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스간 전압을 셋팅하기 위한 프로그래밍부(SC)를 포함한다. 캐소드(CAT)에 연결된 보조 전원 배선(AVSL)에는, 저전위 전원 전압이 인가된다. Referring to FIGS. 10 and 11 , data lines DL, gate lines GL, and an auxiliary power supply line AVSL are disposed in the display panel according to the second embodiment of the present invention. A pixel may be defined by an intersection structure of a data line DL and a gate line GL. Each pixel includes an organic light emitting diode, a driving transistor DT for controlling the amount of current flowing through the organic light emitting diode, and a programming unit SC for setting a gate-source voltage of the driving transistor DT. A low-potential power supply voltage is applied to the auxiliary power line AVSL connected to the cathode CAT.

본 발명의 제2 실시예는 픽셀의 구동 불량 여부를 판단하고 이를 리페어하기 위한 검사 공정을 진행한다. 검사 공정은, 휘점 불량이 발생한 좌표를 추출하는 검사 단계, 추출된 좌표에 대응하는 픽셀을 암점화하는 리페어 단계를 포함한다. The second embodiment of the present invention determines whether a pixel has a driving defect and proceeds with an inspection process to repair it. The inspection process includes an inspection step of extracting coordinates where bright spot defects occur, and a repair step of darkening pixels corresponding to the extracted coordinates.

리페어 단계는, 불량이 발생한 픽셀에 배치된 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(D)을 보조 전원 배선(AVSL)에 연결하는 공정을 포함한다. 보조 전원 배선(AVSL)은 검사 공정 시 리페어 배선으로 활용될 수 있다. 즉, 불량이 발생한 픽셀에 배치된 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(D)에 저전위 전원 전압을 인가함으로써, 당해 픽셀을 암점화시킬 수 있다. The repair step includes a process of connecting the drain electrode D of the driving transistor DT disposed in the pixel where the defect occurs to the auxiliary power line AVSL. The auxiliary power line (AVSL) can be used as a repair line during the inspection process. That is, by applying a low-potential power supply voltage to the drain electrode D of the driving transistor DT disposed in the pixel where the defect occurs, the corresponding pixel can be darkened.

구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(D)과 보조 전원 배선(AVSL)은, 웰딩(welding) 공정을 통해 연결될 수 있다. 본 발명의 제2 실시예는, 저전위 전원 전압이 인가된 보조 전원 배선(AVSL)이 표시 영역 내에 배치되어 있기 때문에, 불량으로 판별된 픽셀 내 구동 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(D)을 보조 전원 배선(AVSL)에 용이하게 연결할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 보조 전원 배선(AVSL)은, 메쉬 구조로 배열되어 모든 픽셀에 인접하게 배치될 수 있기 때문에, 드레인 전극(D)과의 연결점이 용이하게 선택될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시예는 유기발광 표시장치의 제조 수율을 높일 수 있고, 제조 비용을 절감시킬 수 있는 이점을 갖는다.The drain electrode D of the driving transistor DT and the auxiliary power line AVSL may be connected through a welding process. In the second embodiment of the present invention, since the auxiliary power line AVSL to which the low potential power supply voltage is applied is disposed in the display area, the drain electrode D of the driving transistor DT within the pixel determined to be defective is assisted. It can be easily connected to the power wiring (AVSL). In addition, since the auxiliary power line AVSL according to the second embodiment of the present invention is arranged in a mesh structure and can be arranged adjacent to all pixels, a connection point with the drain electrode D can be easily selected. . Accordingly, the second embodiment of the present invention has an advantage of increasing the manufacturing yield of the organic light emitting display device and reducing the manufacturing cost.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.Through the above description, those skilled in the art will be able to make various changes and modifications without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention is not limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 AA : 표시 영역
NA : 비 표시 영역 VSL : 저전위 전원 배선
AVSL : 보조 전원 배선 CAT : 캐소드
CNT : 연결점 LL : 연결 배선
LVSL : 보조 전극
10: display panel AA: display area
NA: Non-display area VSL: Low potential power wiring
AVSL: Auxiliary Power Wiring CAT: Cathode
CNT: connection point LL: connection wiring
LVSL: auxiliary electrode

Claims (27)

표시 영역 및 상기 표시 영역 외측에 있는 비 표시 영역을 포함하는 표시 패널을 포함하고,
상기 표시 영역에는 복수의 픽셀들이 배치되고,
상기 비표시 영역에는 저전위 전압이 인가되는 적어도 하나의 저전위 전원 배선이 배치되고,
상기 복수의 픽셀 각각은,
박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 애노드;
상기 애노드 상에 형성된 발광층; 및
상기 발광층 상에 형성된 캐소드를 포함하고,
상기 표시 영역은 상기 캐소드와 접촉되는 메쉬 형태의 제1 보조 전원 배선 및 제2 보조 전원 배선을 포함하며,
상기 제1 보조 전원 배선 및 상기 제2 보조 전원 배선은 적어도 하나의 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 연결된, 전계 발광 표시장치.
A display panel including a display area and a non-display area outside the display area;
A plurality of pixels are disposed in the display area;
At least one low potential power line to which a low potential voltage is applied is disposed in the non-display area;
Each of the plurality of pixels,
thin film transistor;
an anode electrically connected to the thin film transistor;
a light emitting layer formed on the anode; and
Including a cathode formed on the light emitting layer,
The display area includes a first auxiliary power line and a second auxiliary power line in a mesh shape contacting the cathode,
wherein the first auxiliary power line and the second auxiliary power line are connected through a contact hole penetrating at least one insulating layer.
제1 항에 있어서,
상기 표시 패널은 상기 캐소드를 구성하는 물질 대비 낮은 비저항을 갖는 도전 물질을 포함하는 연결 배선을 포함하고,
상기 캐소드 및 상기 저전위 전원 배선은 상기 연결 배선을 통해 전기적으로 연결되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The display panel includes a connection wire including a conductive material having a lower specific resistance than a material constituting the cathode,
wherein the cathode and the low potential power line are electrically connected through the connection line.
제2 항에 있어서,
상기 연결 배선은 상기 애노드와 동일한 층 상에 동일한 물질인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 2,
The connection wire is made of the same material on the same layer as the anode.
제2 항에 있어서,
상기 연결 배선은,
상기 연결 배선과 상기 저전위 전원 배선 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 상기 저전위 전원 배선과 연결되고, 상기 연결 배선과 상기 캐소드 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 상기 캐소드와 연결되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 2,
The connecting wire is
at least one insulating film disposed between the connection wire and the low potential power wire and connected to the low potential power wire through a first contact hole penetrating the at least one insulating film disposed between the connection wire and the low potential power wire; An electroluminescent display device connected to the cathode through a penetrating second contact hole.
제4 항에 있어서,
상기 복수의 픽셀은 상기 애노드 끝단을 덮는 뱅크를 포함하고,
상기 연결 배선과 상기 캐소드 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막은 상기 뱅크를 포함하는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 4,
The plurality of pixels include a bank covering an end of the anode,
and at least one insulating layer disposed between the connection wire and the cathode includes the bank.
제1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터이며,
상기 복수의 픽셀은 적어도 하나의 절연막을 사이에 두고, 상기 반도체층과 중첩되어 배치된 기능층을 포함하는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The thin film transistor is a driving transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, and a source/drain electrode,
wherein the plurality of pixels include a functional layer disposed overlapping the semiconductor layer with at least one insulating layer interposed therebetween.
제6 항에 있어서,
상기 저전위 전원 배선은 상기 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층 상에 동일한 물질로 형성되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 6,
The low potential power line is formed of the same material on the same layer as any one of the semiconductor layer, the gate electrode, and the source/drain electrode.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 비 표시 영역의 일측에 배치되고, 상기 캐소드와 상기 저전위 전원 배선을 전기적으로 연결시키는 연결부를 더 포함하는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
and a connection portion disposed on one side of the non-display area and electrically connecting the cathode and the low potential power line.
제1 항에 있어서,
상기 제1 보조 전원 배선은 제1 방향으로 배치되고, 상기 제2 보조 전원 배선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 배치된, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The first auxiliary power wire is disposed in a first direction, and the second auxiliary power wire is disposed in a second direction crossing the first direction.
제9 항에 있어서,
상기 캐소드와 상기 제1 및 제2 보조 전원 배선이 접촉하는 영역은 상기 표시 영역 내부에 배치되고,
상기 표시 영역 내에서, 상기 캐소드와 상기 제1 및 제2 보조 전원 배선이 접촉하는 영역의 밀도는 균일하지 않은, 전계 발광 표시 장치.
According to claim 9,
An area in which the cathode and the first and second auxiliary power lines contact each other is disposed within the display area;
The electroluminescence display device of claim 1 , wherein a density of an area where the cathode contacts the first and second auxiliary power lines is not uniform within the display area.
제10 항에 있어서,
상기 표시 영역은,
상기 제1 및 제2 보조 전원 배선이 서로 교차하는 교차 영역;
상기 제1 보조 전원 배선과 상기 캐소드가 접촉되는 제1 연결점;
상기 제2 보조 전원 배선과 상기 캐소드가 접촉되는 제2 연결점; 및
단위 면적 당 상기 제1 및 제2 연결점 중 적어도 하나가 배치된 밀도가 상대적으로 높은 영역인 일부 영역을 포함하고,
상기 일부 영역은 상기 저전위 전원 배선으로부터 가장 이격된 영역인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 10,
The display area is
an intersection area where the first and second auxiliary power lines cross each other;
a first connection point where the first auxiliary power line and the cathode are in contact;
a second connection point where the second auxiliary power line and the cathode are in contact; and
Including a partial region that is a region with a relatively high density in which at least one of the first and second connection points per unit area is disposed;
The partial area is an area most separated from the low potential power line.
제2 항에 있어서,
상기 저전위 전원 배선은 제1 저전위 전원 배선 및 상기 제1 저전위 전원 배선과 이격되어 형성된 제2 저전위 전원 배선을 포함하고,
상기 연결배선은 제1 연결부 및 상기 제1 연결부와 이격되어 형성된 제2 연결부를 포함하며,
상기 캐소드는 상기 제1 연결부를 통해 상기 제1 저전위 전원 배선과 연결되고, 상기 제2 연결부를 통해 상기 제2 저전위 전원 배선과 연결되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 2,
The low-potential power wiring includes a first low-potential power wiring and a second low-potential power wiring formed to be spaced apart from the first low-potential power wiring;
The connection wire includes a first connection part and a second connection part formed spaced apart from the first connection part,
wherein the cathode is connected to the first low potential power line through the first connection part and connected to the second low potential power line through the second connection part.
제13 항에 있어서,
상기 제1 연결부는 상기 표시 영역의 좌측 외곽에 형성되고, 상기 제2 연결부는 상기 표시 영역의 우측 외곽에 배치되며,
상기 캐소드와 상기 제1 및 제2 보조 전원 배선들이 접촉하는 영역은 상기 표시 영역의 중심부에 있는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 13,
The first connection part is formed on the left edge of the display area, and the second connection part is disposed on the right edge of the display area.
and an area in which the cathode and the first and second auxiliary power lines contact each other is in a central portion of the display area.
삭제delete 제10 항에 있어서,
상기 표시 패널은,
상기 캐소드와 상기 제1 및 제2 보조 전원 배선 사이에 배치된 보조 전극을 더 포함하고,
상기 보조 전극은,
상기 보조 전극과 상기 캐소드 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 상기 캐소드와 연결되고, 상기 보조 전극과 상기 제1 및 제2 보조 전원 배선 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 상기 제1 및 제2 보조 전원 배선과 연결되는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 10,
The display panel,
Further comprising an auxiliary electrode disposed between the cathode and the first and second auxiliary power lines,
The auxiliary electrode is
At least one insulating film disposed between the auxiliary electrode and the first and second auxiliary power lines and connected to the cathode through a first contact hole penetrating at least one insulating film disposed between the auxiliary electrode and the cathode. connected to the first and second auxiliary power lines through a second contact hole penetrating the .
제10 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는,
반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하고,
상기 제1 및 제2 보조 전원 배선 중 적어도 어느 하나는,
상기 게이트 전극, 및 소스/드레인 전극 중 어느 하나와 동일한 층 상에서 동일한 물질인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 10,
The thin film transistor,
Including a semiconductor layer, a gate electrode and a source / drain electrode,
At least one of the first and second auxiliary power lines,
An electroluminescent display device comprising the same material on the same layer as any one of the gate electrode and the source/drain electrode.
제6 항에 있어서,
상기 반도체층은 폴리 실리콘 또는 산화물인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 6,
Wherein the semiconductor layer is polysilicon or oxide.
제18 항에 있어서,
상기 복수의 픽셀은,
상기 구동 트랜지스터와 연결된 프로그래밍부;
상기 저전위 전원 배선과 동일한 방향으로 배치된 데이터 배선; 및
상기 데이터 배선과 교차하는 게이트 배선을 더 포함하고,
상기 프로그래밍부는,
상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극, 상기 데이터 배선과 연결된 일 전극, 및 타 전극을 포함하는 스위치 트랜지스터; 및
상기 타 전극에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 18,
The plurality of pixels,
a programming unit connected to the driving transistor;
a data wire disposed in the same direction as the low potential power wire; and
Further comprising a gate wire crossing the data wire,
The programming department,
a switch transistor including a gate electrode connected to the gate line, one electrode connected to the data line, and another electrode; and
An electroluminescent display device comprising a storage capacitor connected to the other electrode.
제19 항에 있어서,
상기 기능층은 상기 스토리지 커패시터의 일 전극인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 19,
The functional layer is an electrode of the storage capacitor, the electroluminescent display device.
제1 항에 있어서,
상기 발광층은 백색 안료를 포함하고, 상기 복수의 픽셀을 덮으며,
상기 복수의 픽셀 각각에 대응되는 적색, 녹색, 및 청색 컬러 필터를 더 포함하는, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light emitting layer includes a white pigment and covers the plurality of pixels;
and red, green, and blue color filters corresponding to each of the plurality of pixels.
제1 항에 있어서,
상기 발광층은 적색, 녹색, 및 청색 안료를 포함하고, 상기 복수의 픽셀 각각에 대응되어 배치된, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The light emitting layer includes red, green, and blue pigments, and is disposed to correspond to each of the plurality of pixels.
제1 항에 있어서,
상기 저전위 전원 배선은 직선과 곡선이 조합된 형태인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
The electroluminescent display device of claim 1 , wherein the low potential power wiring has a combination of a straight line and a curved line.
제1 항 또는 제13 항에 있어서,
상기 표시 패널은 상기 복수의 픽셀이 배치되는 기판을 포함하고,
상기 기판은 PI(Polyimide), PET(Polyethylene terephthalate), PEN(Polyethylene naphthalate), PC(Polycarbonate), 또는 유리인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1 or 13,
The display panel includes a substrate on which the plurality of pixels are disposed;
Wherein the substrate is polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), or glass.
제7 항에 있어서,
상기 저전위 전원 배선은 구리, 몰리브덴, 알루미늄, 크롬, 금, 티타늄, 니켈, 네오디뮴, 탄탈륨, 및 텅스텐 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단층 또는 다층인, 전계 발광 표시장치.
According to claim 7,
The low potential power wiring is a single layer or a multi-layer made of any one selected from copper, molybdenum, aluminum, chromium, gold, titanium, nickel, neodymium, tantalum, and tungsten, or an alloy thereof.
제1 항에 있어서,
상기 저전위 전원 배선은 상기 표시 영역의 외측에서 상기 표시 영역의 둘레를 따라 연결된, 전계 발광 표시장치.
According to claim 1,
wherein the low potential power line is connected along a circumference of the display area outside the display area.
제26 항에 있어서,
상기 캐소드는 상기 저전위 전원 배선과 직접 접촉하는, 전계 발광 표시장치.
27. The method of claim 26,
wherein the cathode directly contacts the low potential power line.
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