KR20180008955A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 컬러필터에 의한 단차를 줄여 전극 간의 쇼트를 방지할 수 있는 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of preventing a short circuit between electrodes by reducing a stepped portion by a color filter.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. The display field has rapidly changed to a thin, light, and large-area flat panel display device (FPD) that replaces bulky cathode ray tubes (CRTs). The flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting display (OLED), and an electrophoretic display device : ED).
이 중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 유기발광표시장치는 유연한(flexible)한 플라스틱 기판 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 구동이 가능하고 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.Among these organic electroluminescent display devices, self-luminous elements emit self-luminous elements, which have the advantage of high response speed and high luminous efficiency, brightness and viewing angle. Particularly, the organic light emitting display device can be formed on a flexible plastic substrate, and can be driven at a lower voltage than a plasma display panel (PDP) or an inorganic electroluminescence (EL) display, It is relatively small and has an advantage of excellent color.
유기발광표시장치는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 3개의 서브픽셀들 또는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W)의 4개의 서브픽셀들을 포함하는 복수의 단위화소들을 구비하여 풀컬러를 구현한다. 3개의 서브픽셀들을 하나의 단위화소로 포함하는 경우 각 서브픽셀들의 발광층에서 적색, 녹색 및 청색을 직접 발광하여 풀컬러를 구현할 수 있고, 4개의 서브픽셀들을 하나의 단위화소로 포함하는 경우 모든 서브픽셀들의 발광층에서 백색을 발광하고 각 서브픽셀들에 적색, 녹색 및 청색 컬러필터를 구비하여 풀컬러를 구현할 수 있다. 이때, 백색 서브픽셀은 발광층에서 백색을 발광하기 때문에 컬러필터를 구비하지 않는다. The organic light emitting display includes three subpixels of red (R), green (G), and blue (B) or four subpixels of red (R), green (G), blue (B), and white And a plurality of unit pixels including a plurality of unit pixels. When three subpixels are included as one unit pixel, the red, green, and blue light emission of each subpixel may be directly emitted to realize full color. If four subpixels are included as one unit pixel, A white color is emitted in the light emitting layer of the pixels, and red, green, and blue color filters are provided in each sub-pixel to realize full color. At this time, since the white subpixel emits white light in the light emitting layer, no color filter is provided.
도 1은 종래 유기발광표시장치를 나타낸 단면도로, 컬러필터가 구비된 적색 서브픽셀과 컬러필터가 구비되지 않은 백색 서브픽셀의 일부를 나타낸 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting diode display, which is a cross-sectional view of a red subpixel with a color filter and a white subpixel without a color filter.
도 1을 참조하면, 기판(SUB) 상에 버퍼층(BUF)과 층간 절연막(ILD)이 위치하고, 층간 절연막(ILD) 상에 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL)이 위치한다. 이때, 데이터 라인(DL)은 백색 서브픽셀(WSP)에 위치하고, 전원 라인(VL)은 적색 서브픽셀(RSP)에 위치한다. 데이터 라인(DL)과 전원 라인(VL) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치하고, 적색 서브픽셀(RSP)에 적색 컬러필터(R_CF)가 위치한다. 백색 서브픽셀(WSP)은 백색을 발광하기 때문에 컬러필터가 위치하지 않는다. 백색 서브픽셀(WSP)과 적색 서브픽셀(RSP)이 형성된 기판(SUB) 상에 오버코트층(OC)이 위치하고, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 각각 위치한다. 그리고, 뱅크층(BNK)이 위치하여 백색 서브픽셀(WSP)과 적색 서브픽셀(RSP)을 구획한다. 제1 전극(ANO) 상에 발광층(EML)이 위치하고, 발광층(EML) 상에 제2 전극(CAT)이 위치한다. Referring to FIG. 1, a buffer layer BUF and an interlayer insulating film ILD are positioned on a substrate SUB, and a data line DL and a power source line VL are located on an interlayer insulating film ILD. At this time, the data line DL is located in the white subpixel WSP and the power supply line VL is located in the red subpixel RSP. The passivation film PAS is positioned on the data line DL and the power supply line VL and the red color filter R_CF is located on the red subpixel RSP. Since the white subpixel WSP emits white light, the color filter is not located. The overcoat layer OC is positioned on the substrate SUB on which the white subpixel WSP and the red subpixel RSP are formed and the first electrode ANO is positioned on the overcoat layer OC. Then, the bank layer BNK is positioned to partition the white subpixel WSP and the red subpixel RSP. The light emitting layer (EML) is located on the first electrode (ANO) and the second electrode (CAT) is located on the light emitting layer (EML).
전술한 바와 같이, 적색 서브픽셀(RSP)은 발광층에서 발광하는 백색의 광을 적색으로 변환하기 위한 적색 컬러필터(R_CF)가 구비되지만, 백색 서브픽셀(WSP)은 컬러필터가 구비되지 않는다. 따라서, 적색 컬러필터(R_CF)가 있는 적색 서브픽셀(RSP)과 컬러필터가 없는 백색 서브픽셀(WSP)들 사이에 단차가 크게 형성된다. 적색 컬러필터(R_CF)를 포함하는 기판(SUB) 상에 형성되는 오버코트층(OC)은 용액 공정으로 코팅되는데, 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)에 형성된 단차로 인해 적색 컬러필터(R_CF)의 일부를 덮지 못하고 노출시키게 된다.As described above, the red subpixel (RSP) is provided with a red color filter (R_CF) for converting white light emitted from the light emitting layer to red, while the white subpixel (WSP) is not provided with a color filter. Therefore, a large step is formed between the red subpixel RSP with the red color filter R_CF and the white subpixels WSP without the color filter. The overcoat layer OC formed on the substrate SUB including the red color filter R_CF is coated by a solution process. Due to the step formed on the red subpixel RSP and the white subpixel WSP, (R_CF).
제1 전극(ANO)은 오버코트층(OC) 상에 적층되고 패터닝되어 형성되는데, 노출된 적색 컬러필터(R_CF) 상에 제1 전극(ANO)이 적층되면 제1 전극(ANO)과 컬러필터의 접착력이 나쁘기 때문에 제1 전극(ANO)이 과시각된다. 이에 따라, 제1 전극(ANO)의 가장자리가 뱅크층(BNK)에 의해 덮혀지지 않고, 제1 전극(ANO) 상에 형성되는 발광층(EML) 또한 제1 전극(ANO)의 가장자리를 노출시킴으로써 제1 전극(ANO)과 제2 전극(CAT)이 쇼트되는 문제가 있다.The first electrode ANO is laminated and patterned on the overcoat layer OC. When the first electrode ANO is stacked on the exposed red color filter R_CF, the first electrode ANO and the color filter The first electrode ANO is outwardly angled because the adhesive force is poor. The edge of the first electrode ANO is not covered with the bank layer BNK and the edge of the first electrode ANO is also exposed by the light emitting layer EML formed on the first electrode ANO, There is a problem that the one electrode ANO and the second electrode CAT are short-circuited.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출된 발명으로써, 컬러필터에 의해 발생되는 단차를 줄여 전극 간의 쇼트를 방지할 수 있는 표시장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a display device capable of preventing a short circuit between electrodes by reducing a step generated by a color filter.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판, 버퍼층, 박막트랜지스터, 패시베이션막, 컬러필터, 오버코트층 및 유기발광 다이오드를 포함한다. 버퍼층은 기판 상에 위치하고, 박막트랜지스터는 버퍼층 상에 위치하며, 패시베이션막은 박막트랜지스터 상에 위치한다. 컬러필터는 패시베이션막 상에 위치하며, 박막트랜지스터와 이격된다. 오버코트층은 컬러필터 상에 위치한다. 유기발광 다이오드는 오버코트층 상에 위치하며 박막트랜지스터와 연결된다. 버퍼층은 적어도 하나의 홀을 포함하며 홀은 컬러필터와 중첩된다.According to an aspect of the present invention, a display device includes a substrate, a buffer layer, a thin film transistor, a passivation layer, a color filter, an overcoat layer, and an organic light emitting diode. The buffer layer is located on the substrate, the thin film transistor is located on the buffer layer, and the passivation film is located on the thin film transistor. The color filter is located on the passivation film and is separated from the thin film transistor. The overcoat layer is located on the color filter. The organic light emitting diode is positioned on the overcoat layer and connected to the thin film transistor. The buffer layer includes at least one hole and the hole overlaps with the color filter.
버퍼층의 홀은 평면 상에서 컬러필터를 둘러싼다. The holes in the buffer layer surround the color filter in a plane.
버퍼층의 홀의 면적은 상기 컬러필터의 면적보다 크다.The area of the hole of the buffer layer is larger than the area of the color filter.
버퍼층의 홀은 상기 컬러필터의 적어도 일 가장자리와 중첩된다. Holes in the buffer layer overlap at least one edge of the color filter.
적어도 하나의 홀은 내부에 적어도 하나의 버퍼층 패턴을 포함한다.The at least one hole includes at least one buffer layer pattern therein.
유기발광 다이오드는 광이 방광하는 발광부를 포함하며, 적어도 하나의 버퍼층 패턴은 발광부와 중첩된다.The organic light emitting diode includes a light emitting portion to which the light blasts, and at least one buffer layer pattern overlaps the light emitting portion.
적어도 하나의 버퍼층 패턴은 컬러필터의 가장자리와 이격된다.At least one of the buffer layer patterns is spaced apart from the edge of the color filter.
버퍼층은 10 내지 1000nm의 두께로 이루어진다.The buffer layer has a thickness of 10 to 1000 nm.
유기발광 다이오드는 배면발광 타입이다.Organic light emitting diodes are backlit.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판, 버퍼층, 박막트랜지스터, 패시베이션막, 컬러필터, 오버코트층 및 유기발광 다이오드를 포함한다. 기판은 적어도 백색 서브픽셀과 백색 서브픽셀에 접하는 유색 서브픽셀을 포함한다. 버퍼층은 기판 전면에 위치하고, 박막트랜지스터는 백색 서브픽셀과 유색 서브픽셀에 각각 위치한다. 패시베이션막은 박막트랜지스터 상에 위치한다. 컬러필터는 유색 서브픽셀에서 패시베이션막 상에 위치하며, 박막트랜지스터와 이격된다. 오버코트층은 컬러필터를 덮으며 기판 전면에 위치한다. 유기발광 다이오드는 오버코트층 상에 위치하며, 백색 서브픽셀과 유색 서브픽셀에 각각 위치한다. 유색 서브픽셀에서 버퍼층은 적어도 하나의 홀을 포함하며, 홀은 컬러필터와 중첩된다.Also, a display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a buffer layer, a thin film transistor, a passivation film, a color filter, an overcoat layer, and an organic light emitting diode. The substrate includes colored subpixels tangent to at least white subpixels and white subpixels. The buffer layer is located on the front side of the substrate, and the thin film transistor is located on the white subpixel and the colored subpixel, respectively. The passivation film is located on the thin film transistor. The color filter is located on the passivation film in the colored subpixel, and is spaced apart from the thin film transistor. The overcoat layer covers the color filter and is located on the front side of the substrate. The organic light emitting diode is located on the overcoat layer and is located in the white subpixel and the colored subpixel, respectively. In the colored subpixel, the buffer layer includes at least one hole, and the hole overlaps with the color filter.
백색 서브픽셀은 컬러필터와 버퍼층의 홀을 포함하지 않는다.The white subpixels do not include holes in the color filter and buffer layer.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 컬러필터와 중첩되도록 버퍼층에 홀을 형성하여, 기판 표면에서부터 컬러필터 상부 표면까지의 거리를 줄일 수 있다. 따라서, 컬러필터가 없는 백색 서브픽셀과, 백색 서브픽셀에 인접한 적색 서브픽셀 및 녹색 서브픽셀과의 오버코트층의 단차를 줄여, 적색과 녹색 컬러필터가 오버코트층 밖으로 노출되지 않게 한다. 그러므로 본 발명은 제1 전극과 제2 전극의 쇼트를 방지하여 서브픽셀의 암점 불량을 방지할 수 있다. The display device according to an embodiment of the present invention may reduce the distance from the substrate surface to the upper surface of the color filter by forming a hole in the buffer layer so as to overlap with the color filter. Thus, the step of the overcoat layer between the white subpixel without the color filter and the red subpixel and the green subpixel adjacent to the white subpixel is reduced, so that the red and green color filters are not exposed out of the overcoat layer. Therefore, the present invention can prevent a short between the first electrode and the second electrode, thereby preventing the defect of the dark spot of the sub pixel.
도 1은 종래 유기발광표시장치를 나타낸 단면도.
도 2는 유기발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 3은 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제1 예시도.
도 4는 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제2 예시도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 평면도.
도 6은 도 5의 I-I'에 따라 절취한 단면도.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적색, 백색, 녹색 및 청색 서브픽셀을 모식화한 평면도.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치의 일부를 나타낸 단면도.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 일부를 나타낸 단면도.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 적색, 백색, 녹색 및 청색 서브픽셀을 모식화한 평면도.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 일부를 나타낸 단면도.
도 14는 본 발명의 제3 실시예에 따른 적색, 백색, 녹색 및 청색 서브픽셀을 모식화한 평면도.1 is a cross-sectional view of a conventional OLED display.
2 is a schematic block diagram of an organic light emitting display;
3 is a first exemplary view showing a circuit configuration of a subpixel.
4 is a second exemplary diagram showing a circuit configuration of a subpixel.
5 is a plan view of an OLED display according to a first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 5;
FIG. 7 is a plan view schematically illustrating red, white, green, and blue subpixels according to the first embodiment of the present invention; FIG.
8 is a cross-sectional view showing a part of an organic light emitting diode display according to a first embodiment of the present invention.
9 is a sectional view of an OLED display according to a second embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view illustrating a part of an organic light emitting diode display according to a second embodiment of the present invention.
11 is a plan view schematically illustrating red, white, green, and blue subpixels according to a second embodiment of the present invention.
12 is a sectional view of an OLED display according to a third embodiment of the present invention;
13 is a cross-sectional view of a part of an organic light emitting diode display according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a plan view schematically illustrating red, white, green, and blue subpixels according to a third embodiment of the present invention; FIG.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description, a detailed description of known technologies or configurations related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products.
본 발명에 따른 표시장치는 컬러필터를 구비하는 표시장치로, 유기발광표시장치, 액정표시장치, 전기영동표시장치 등이 사용가능하나, 본 발명에서는 유기발광표시장치를 예로 설명한다. 유기발광표시장치는 애노드인 제1 전극과 캐소드인 제2 전극 사이에 유기물로 이루어진 발광층을 포함한다. 따라서, 제1 전극으로부터 공급받는 정공과 제2 전극으로부터 공급받는 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하는 자발광 표시장치이다. A display device according to the present invention is a display device having a color filter, and may be an organic light emitting display, a liquid crystal display, an electrophoretic display, or the like. In the present invention, an organic light emitting display will be described as an example. The organic light emitting display includes a light emitting layer made of an organic material between a first electrode, which is an anode, and a second electrode, which is a cathode. Therefore, the holes supplied from the first electrode and the electrons supplied from the second electrode are combined in the light emitting layer to form excitons as a hole-electron pair, and the excitons emit light due to energy generated when the excitons return to the ground state Emitting display device.
유기발광표시장치는 상부로 광이 방출되는 전면발광 타입과 하부로 광이 방출되는 배면발광 타입이 있으나, 본 발명의 유기발광표시장치는 하부로 광이 방출되는 배면발광 타입을 예로 설명한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. The organic light emitting display includes a front emission type in which light is emitted upward and a bottom emission type in which light is emitted in a lower portion. However, the OLED display of the present invention is an example of a back emission type in which light is emitted downward. However, the present invention is not limited thereto.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 유기발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 3은 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제1 예시도이고, 도 4는 서브 픽셀의 회로 구성을 나타낸 제2 예시도이다.FIG. 2 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device, FIG. 3 is a first exemplary view showing a circuit configuration of a subpixel, and FIG. 4 is a second exemplary view showing a circuit configuration of a subpixel.
도 2를 참조하면, 유기발광표시장치는 영상 처리부(10), 타이밍 제어부(20), 데이터 구동부(30), 게이트 구동부(40) 및 표시 패널(50)을 포함한다. 2, the OLED display includes an
영상 처리부(10)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(10)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다. 영상 처리부(10)는 시스템 회로기판에 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성된다.The
타이밍 제어부(20)는 영상 처리부(10)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다.The
타이밍 제어부(20)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(40)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍 제어부(20)는 제어 회로기판에 IC 형태로 형성된다.The
데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(20)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(20)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(30)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(30)는 데이터 회로기판에 IC 형태로 형성된다.The
게이트 구동부(40)는 타이밍 제어부(20)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(40)는 게이트라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. 게이트 구동부(40)는 게이트 회로기판에 IC 형태로 형성되거나 표시 패널(50)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The
표시 패널(50)은 데이터 구동부(30) 및 게이트 구동부(40)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(50)은 영상을 표시하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.The
도 3을 참조하면, 하나의 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 보상회로(CC) 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.Referring to FIG. 3, one sub-pixel includes a switching transistor SW, a driving transistor DR, a compensation circuit CC, and an organic light emitting diode (OLED). The organic light emitting diode OLED operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor DR.
스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급된 게이트 신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터에 저장된 데이터 전압에 따라 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이다. 또한, 스위칭 트랜지스터(SW)나 구동 트랜지스터(DR)에 연결된 커패시터는 보상회로(CC) 내부로 위치할 수 있다. The switching transistor SW is operated so that the data signal supplied through the first data line DL1 is stored as a data voltage in the capacitor in response to the gate signal supplied through the first gate line GL1. The driving transistor DR operates so that a driving current flows between the high potential power supply line VDD and the low potential power supply line GND in accordance with the data voltage stored in the capacitor. The compensation circuit CC is a circuit for compensating the threshold voltage and the like of the driving transistor DR. Also, the capacitor connected to the switching transistor SW or the driving transistor DR may be located inside the compensation circuit CC.
보상회로(CC)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양한 바, 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다. The compensation circuit CC consists of one or more thin film transistors and a capacitor. The configuration of the compensation circuit CC varies greatly depending on the compensation method, and a detailed illustration and description thereof will be omitted.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)가 포함된 경우 서브 픽셀에는 보상 박막 트랜지스터를 구동함과 더불어 특정 신호나 전원을 공급하기 위한 신호라인과 전원라인 등이 더 포함된다. 추가된 신호라인은 서브 픽셀에 포함된 보상 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 제1-2 게이트 라인(GL1b)으로 정의될 수 있다. 그리고 추가된 전원라인은 서브 픽셀의 특정 노드를 특정 전압으로 초기화하기 위한 초기화 전원라인(INIT)으로 정의될 수 있다. 그러나 이는 하나의 예시일 뿐 이에 한정되지 않는다.In addition, as shown in FIG. 4, when the compensation circuit CC is included, the sub-pixel further includes a signal line and a power supply line for driving a compensating thin film transistor and supplying a specific signal or power. The added signal line may be defined as a 1-2 gate line GL1b for driving the compensating thin film transistor included in the subpixel. The added power supply line may be defined as an initialization power supply line (INIT) for initializing a specific node of the subpixel to a specific voltage. However, this is merely one example, but is not limited thereto.
한편, 도 3 및 도 4에서는 하나의 서브 픽셀에 보상회로(CC)가 포함된 것을 일례로 하였다. 하지만, 보상의 주체가 데이터 구동부(30) 등과 같이 서브 픽셀의 외부에 위치하는 경우 보상회로(CC)는 생략될 수도 있다. 즉, 하나의 서브 픽셀은 기본적으로 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터 및 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T2C, 7T2C 등으로 다양하게 구성될 수도 있다.In FIGS. 3 and 4, one compensator CC is included in one subpixel. However, the compensation circuit CC may be omitted when the subject of compensation is located outside the sub-pixel such as the
또한, 도 3 및 도 4에서는 보상회로(CC)가 스위칭 트랜지스터(SW)와 구동 트랜지스터(DR) 사이에 위치하는 것으로 도시하였지만, 구동 트랜지스터(DR)와 유기발광다이오드(OLED) 사이에도 더 위치할 수도 있다. 보상회로(CC)의 위치와 구조는 도 3과 도 4에 한정되지 않는다. Although the compensation circuit CC is shown between the switching transistor SW and the driving transistor DR in FIGS. 3 and 4, the compensation circuit CC is located between the driving transistor DR and the organic light emitting diode OLED. It is possible. The position and structure of the compensation circuit CC are not limited to Fig. 3 and Fig.
하기에서는 컬러필터를 구비하는 유기발광표시장치의 다양한 구조를 개시한다. Various structures of an organic light emitting display device having a color filter are described below.
<제1 실시예>≪ Embodiment 1 >
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 5의 I-I'에 따라 절취한 단면도이며, 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 적색, 백색, 녹색 및 청색 서브픽셀을 모식화한 평면도이고, 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치의 일부를 나타낸 단면도이다.FIG. 5 is a plan view of an OLED display according to a first embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 5, Red, white, green, and blue subpixels. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a portion of an organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG.
본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치는 복수의 서브픽셀들이 배치되어 적색(R), 백색(W), 녹색(G), 청색(B)의 광을 발광하여 풀 컬러(full color)를 구현한다. 또한, 복수의 서브픽셀들은 시안, 마젠타, 옐로우 화소로도 구비될 수 있으며 공지된 화소 구성이라면 모두 적용가능하다. 또한, 복수의 서브픽셀들은 적색(R), 백색(W), 녹색(G) 및 청색(B)이 하나의 행에 순서대로 배열되는 스트라이프 방식을 도시하였지만, 펜타일(pentile) 방식으로도 배열될 수 있다. The organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of sub-pixels arranged to emit light of red (R), white (W), green (G), and blue (B) ). Also, the plurality of subpixels may be provided as cyan, magenta, and yellow pixels, and any known pixel structure is applicable. Although a plurality of subpixels are shown in a stripe manner in which red (R), white (W), green (G) and blue (B) are arranged in order on one row, .
본 실시예에서는 적색, 백색, 녹색 및 청색 중 적색 및 백색 서브픽셀들을 예로 설명한다. In this embodiment, red and white subpixels of red, white, green, and blue are described as an example.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치는 기판 상에 게이트 라인(GL), 게이트 라인(GL)과 교차하는 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(VL)이 배치되어 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들이 구획된다. 본 발명의 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(VL)의 교차로 구획된 내부 영역을 의미한다. 도면에는 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들의 아래 부분에 게이트 라인(GL)이 배치되지 않은 것으로 도시되었으나, 인접한 화소의 게이트 라인이 존재하기 때문에 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들이 정의될 수 있다.5, the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention includes a gate line GL, a data line DL and a power line VL intersecting with the gate line GL, So that the red subpixel RSP and the white subpixel WSP are partitioned. The red subpixel RSP and the white subpixel WSP of the present invention mean an inner region partitioned by the intersection of the gate line GL, the data line DL and the power supply line VL. Although it is shown that the gate line GL is not disposed under the red subpixel RSP and the white subpixel WSP in the drawing, the red subpixel RSP and the white subpixel WSP Pixels WSP can be defined.
본 발명의 각 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들에는 스위칭 박막트랜지스터(S_TFT), 구동 박막트랜지스터(D_TFT) 및 캐패시터(Cst)가 배치되고, 구동 박막트랜지스터(D_TFT)가 연결된 유기발광 다이오드(미도시)가 배치된다. 스위칭 박막트랜지스터(S_TFT)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 박막트랜지스터(S_TFT)는 반도체층(121), 게이트 라인(GL)으로부터 분기된 게이트 전극(123), 데이터 라인(DL)으로부터 분기된 소스 전극(124), 그리고 드레인 전극(126)을 포함한다. 캐패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(S_TFT)의 드레인 전극(126)과 연결된 캐패시터 하부전극(127)과 전원 라인(VL)에 연결된 캐패시터 상부전극(128)을 포함한다. 구동 박막트랜지스터(D_TFT)는 스위칭 박막트랜지스터(S_TFT)에 의해 선택된 화소의 제1 전극(ANO)을 구동하는 역할을 한다. 구동 박막트랜지스터(D_TFT)는 반도체층(120), 캐패시터 하부전극(128)에 연결된 게이트 전극(130), 전원 라인(VL)으로부터 분기된 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함한다. 유기발광 다이오드(미도시)는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)의 드레인 전극(145)에 연결된 제1 전극(ANO), 제1 전극(ANO) 상에 형성된 발광층을 포함하는 발광층(미도시) 및 제2 전극(미도시)을 포함한다. A switching thin film transistor S_TFT, a driving thin film transistor D_TFT and a capacitor Cst are arranged in each of the red subpixels RSP and the white subpixels WSP of the present invention and the driving thin film transistor D_TFT A light emitting diode (not shown) is disposed. The switching thin film transistor S_TFT functions to select a pixel. The switching thin film transistor S_TFT includes a
이하, 도 5의 절취선 I-I'로 자른 단면도인 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, description will be made with reference to FIG. 6 which is a cross-sectional view taken along the perforated line I-I 'in FIG.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 기판(110) 상에 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들이 위치한다. 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들 각각에는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)와 구동 박막트랜지스터(D_TFT)에 연결된 유기발광 다이오드(OLED)가 위치한다.Referring to FIG. 6, the organic
보다 자세하게, 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속 등으로 이루어진다. 기판(110) 상에 제1 버퍼층(112)이 위치한다. 제1 버퍼층(112)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 구동 박막트랜지스터(D_TFT) 등의 박막트랜지스터 소자를 보호하는 역할을 한다. 제1 버퍼층(112)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.In more detail, the
제1 버퍼층(112) 상에 차광층(114)이 위치한다. 차광층(114)은 기판(110) 하부로부터 입사된 광이 반도체층에 도달하는 것을 차단하는 역할을 한다. 차광층(114)은 광을 흡수하거나 차단하는 재료 예를 들면 흑색 안료, 카본 블랙, 크롬(Cr) 등으로 이루어질 수 있다. 차광층(114) 상에 제2 버퍼층(116)이 위치한다. 제2 버퍼층(116)은 차광층(114)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막트랜지스터 소자를 보호하는 역할을 한다. 제2 버퍼층(116)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.The
제2 버퍼층(116) 상에 반도체층(120)이 위치한다. 반도체층(120)은 실리콘 반도체나 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 실리콘 반도체는 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층(120)은 불순물이 도핑되어 소스 영역과 드레인 영역을 포함하고 이들 사이에 채널 영역을 포함한다. The
반도체층(120) 상에 게이트 절연막(125)이 위치한다. 게이트 절연막(125)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 게이트 절연막(125) 상에 상기 반도체층(120)의 일정 영역, 즉 채널 영역과 대응되는 위치에 게이트 전극(130)이 위치한다. 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성된다. 또한, 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(130)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다. A
게이트 전극(130) 상에 층간 절연막(135)이 위치한다. 층간 절연막(135)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 상기 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)의 일부 영역이 식각되어 반도체층(120)의 일부 즉 소스 영역과 드레인 영역을 노출시키는 콘택홀들(137, 138)이 위치한다. 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)을 관통하는 콘택홀들(137, 138)을 통하여 반도체층(120)과 전기적으로 연결되는 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 위치한다. 상기 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 상기 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 티타늄/알루미늄/티타늄, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다. 따라서, 반도체층(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함하는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)가 구성된다. An interlayer insulating
구동 박막트랜지스터(D_TFT)를 포함하는 기판(110) 전면에 하부의 박막트랜지스터를 보호하는 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 패시베이션막(PAS)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 적색 서브픽셀(RSP)에는 패시베이션막(PAS) 상에 구동 박막트랜지스터(D_TFT)와 이격되게 적색 컬러필터(R_CF)가 위치한다. 적색 컬러필터(R_CF)는 발광층에서 발광하는 백색 광을 적색으로 변환한다. 반면, 백색 서브픽셀(WSP)에는 발광층에서 발광하는 광이 백색이므로 컬러필터가 위치하지 않는다.A passivation film (PAS) for protecting the lower thin film transistor is disposed on the entire surface of the
패시베이션막(PAS) 및 적색 컬러필터(R_CF) 상에 오버코트층(OC)이 위치한다. 오버코트층(OC)은 하부 구조의 단차, 예를 들어 적색 컬러필터(R_CF)의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 바람직하게는 오버코트층(OC)은 포토아크릴(photoacryl)일 수 있다. 오버코트층(OC)은 구동 박막트랜지스터(D_TFT)의 드레인 전극(145)을 노출시키는 비어홀(155)을 포함한다. An overcoat layer OC is placed on the passivation film PAS and the red color filter R_CF. The overcoat layer OC may be a flattening film for alleviating the step of the substructure, for example, the step of the red color filter R_CF, and may be a polyimide, a benzocyclobutene series resin, (acrylate) or the like. Preferably, the overcoat layer OC may be a photoacryl. The overcoat layer OC includes a via
오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 위치한다. 제1 전극(ANO)은 애노드일 수 있으며, 투명도전물질 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등으로 이루어진다. 제1 전극(ANO)은 비어홀(155)을 매우며, 구동 박막트랜지스터(D_TFT)의 드레인 전극(145)과 연결된다. 여기서, 유기발광표시장치(100)가 광이 제2 전극(CAT) 방향으로 방출되는 전면발광 타입인 경우 제1 전극(ANO)은 반사층을 더 포함하여, ITO/반사층의 2층 구조 또는 ITO/반사층/ITO의 3층 구조로 이루어질 수 있다. 반면, 유기발광표시장치(100)가 광이 제1 전극(ANO) 방향으로 방출되는 배면발광 타입인 경우 제1 전극(ANO)은 투명도전물질로만 이루어질 수 있다.A first electrode (ANO) is located on the overcoat layer (OC). The first electrode ANO may be an anode and may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO). The first electrode ANO has a very large via
상기 제1 전극(ANO)을 포함하는 기판(110) 상에 뱅크층(BNK)이 위치한다. 뱅크층(BNK)은 제1 전극(ANO)의 일부를 노출하여 화소를 정의하는 화소정의막일 수 있다. 뱅크층(BNK)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 뱅크층(BNK)은 제1 전극(ANO)을 노출하는 개구부(167)가 구비된다. A bank layer BNK is disposed on a
뱅크층(BNK)의 개구부(167)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 상에 발광층(EML)이 위치한다. 발광층(EML)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 층으로, 발광층(EML)과 제1 전극(ANO) 사이에 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있으며, 발광층(EML) 상에 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 형성된 기판(110) 상에 제2 전극(CAT)이 위치한다. 제2 전극(CAT)은 캐소드 전극으로 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기발광표시장치(100)가 광이 제2 전극(CAT) 방향으로 방출되는 전면발광 타입인 경우 제2 전극(CAT)은 광이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께로 이루어진다. 반면, 본 발명의 유기발광표시장치(100)가 광이 제1 전극(ANO) 방향으로 방출되는 배면발광 타입인 경우 제2 전극(CAT)은 광이 반사될 수 있을 정도로 두꺼운 두께로 이루어진다. 따라서, 제1 전극(ANO), 발광층(EML) 및 제2 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 구성된다. The light emitting layer (EML) is located on the first electrode (ANO) exposed by the opening (167) of the bank layer (BNK). The light emitting layer (EML) may include a hole injecting layer or a hole transporting layer between the light emitting layer (EML) and the first electrode (ANO), and may include an electron transporting layer And an electron injection layer. A second electrode (CAT) is located on a substrate (110) on which a light emitting layer (EML) is formed. The second electrode (CAT) may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag) or an alloy thereof having a low work function as a cathode electrode. When the
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 제2 버퍼층(116)에 형성된 하나의 홀(BUH)을 포함한다. The organic light emitting
도 6을 참조하면, 백색 서브픽셀(WSP)과 접하는 적색 서브픽셀(RSP)에서 제2 버퍼층(116)에 하나의 홀(BUH)이 위치한다. 제2 버퍼층(116)에 형성된 홀(BUH)은 인접한 백색 서브픽셀(WSP)과의 오버코트층(OC)의 단차를 줄이기 위한 것으로, 적색 컬러필터(R_CF)와 중첩되도록 위치한다. Referring to FIG. 6, one hole BUH is located in the
홀(BUH)의 기능은 상부에 위치한 구조물들의 높이를 홀(BUH)의 깊이만큼 줄이는 것이다. 도 6에 도시된 것처럼, 홀(BUH)에 중첩되도록 적색 컬러필터(R_CF)가 위치하면, 기판(110) 표면에서부터 적색 컬러필터(R_CF) 상부 표면까지의 거리가 홀(BUH)의 깊이만큼 줄어들 수 있다. 제2 버퍼층(116)의 두께가 약 10 내지 1000nm로 이루어질 수 있으므로, 제2 버퍼층(116)에 홀(BUH)이 형성되지 않은 경우보다 약 10 내지 1000nm만큼 기판(110) 표면에서부터 적색 컬러필터(R_CF) 상부 표면까지의 거리를 줄일 수 있다. The function of the hole (BUH) is to reduce the height of the structures located at the top by the depth of the hole (BUH). 6, when the red color filter R_CF overlaps the hole BUH, the distance from the surface of the
한편, 도 7을 참조하면, 본 발명의 유기발광표시장치(100)는 적색 서브픽셀(RSP), 백색 서브픽셀(WSP), 녹색 서브픽셀(GSP) 및 청색 서브픽셀(BSP)을 포함한다. 각 서브픽셀들은 회로부(CIP)와 회로부(CIP)의 아래에 위치한 발광부(LEP)들을 포함한다. 컬러필터(R_CF, G_CF, B_CF)들은 발광부(LEP)보다 큰 면적으로 이루어진다. Referring to FIG. 7, the
본 발명에서 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)들은 평면 상에서 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리를 둘러싸는 형상으로 이루어진다. 즉, 평면 상에서 볼 때, 홀(BUH)의 내부에 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 일 가장자리가 포함되는 것으로 보여진다. 왜냐하면, 백색 서브픽셀(WSP)에 인접한 적색 컬러필터(R_CF)의 가장자리는 오버코트층(OC)에 의해 단차가 발생하여 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)가 노출될 수 있는 영역에 해당되기 때문이다. 따라서, 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)은 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리를 둘러싸도록 위치한다. 바람직하게, 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)은 적어도 백색 서브픽셀(WSP)에 인접한 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리를 둘러싸도록 위치할 수 있다. 따라서, 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)은 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)보다 큰 면적으로 형성된다. In the present invention, the holes BUH of the
전술한 바와 같이, 본 발명은 백색 서브픽셀(WSP)에 인접한 적색 서브픽셀(RSP)과 녹색 서브픽셀(GSP)의 각 컬러필터에 중첩되는 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)을 형성한다. 따라서, 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)에 의해, 기판(110) 표면에서부터 각 컬러필터 상부 표면까지의 거리를 줄일 수 있다.As described above, the present invention forms a hole BUH of the
도 8을 참조하여 적색 서브픽셀(RSP)을 예를 들어 설명하면, 기판(110) 표면에서부터 적색 컬러필터(R_CF) 상부 표면까지의 거리를 줄이는 이유는 인접한 백색 서브픽셀(WSP)에 컬러필터가 형성되지 않기 때문에 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP) 상에 형성되는 오버코트층(OC)에 단차가 생기기 때문이다. 오버코트층(OC)에 단차가 생기면, 도 8의 (a)에 도시된 것처럼 적색 컬러필터(R_CF)의 가장자리가 노출된다. 오버코트층(OC)의 형성 이후에 제1 전극(ANO)이 적층되고 패터닝되어 형성되는데, 노출된 적색 컬러필터(R_CF) 상에 제1 전극(ANO)이 적층되면 제1 전극(ANO)과 컬러필터의 접착력이 나쁘기 때문에 제1 전극(ANO)이 과시각된다. 이에 따라, 제1 전극(ANO)의 가장자리가 뱅크층(BNK)에 의해 덮혀지지 않고, 제1 전극(ANO) 상에 형성되는 발광층(EML) 또한 제1 전극(ANO)의 가장자리를 노출시킴으로써 제1 전극(ANO)과 제2 전극(CAT)이 쇼트가 발생한다. 8, the reason for reducing the distance from the surface of the
도 8의 (b)를 참조하면, 본 발명은 적색 컬러필터(R_CF)와 중첩되도록 제2 버퍼층(116)에 홀(BUH)을 형성하여, 기판(110) 표면에서부터 적색 컬러필터(R_CF) 상부 표면까지의 거리를 줄일 수 있다. 따라서, 적색 서브픽셀(RSP)에 인접한 백색 서브픽셀(WSP)과의 오버코트층(OC)의 단차를 줄여, 적색 컬러필터(R_CF)가 노출되지 않게 한다. 그러므로 본 발명은 제1 전극(ANO)과 제2 전극(CAT)의 쇼트를 방지하고 서브픽셀의 암점 불량을 방지할 수 있다. 8B, a hole BUH is formed in the
<제2 실시예>≪ Embodiment 2 >
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도이고, 도 10은 유기발광표시장치의 일부를 나타낸 단면도이며, 도 11은 적색, 백색, 녹색 및 청색 서브픽셀을 모식화한 평면도이다. 하기에서는 전술한 제1 실시예와 동일한 구성에 대해 동일한 도면부호를 붙여 그 설명을 간략히 한다.FIG. 9 is a cross-sectional view of an OLED display according to a second embodiment of the present invention, FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a part of an OLED display device, and FIG. 11 is a schematic view of a red, white, FIG. In the following description, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first embodiment, and a description thereof will be simplified.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 기판(110) 상에 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들이 위치한다. 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들 각각에는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)와 구동 박막트랜지스터(D_TFT)에 연결된 유기발광 다이오드(OLED)가 위치한다.Referring to FIG. 9, an
보다 자세하게, 기판(110) 상에 제1 버퍼층(112)이 위치하고, 제1 버퍼층(112) 상에 차광층(114)이 위치한다. 차광층(114) 상에 제2 버퍼층(116)이 위치하고, 제2 버퍼층(116) 상에 반도체층(120)이 위치한다. 반도체층(120) 상에 게이트 절연막(125)이 위치하고, 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)이 위치한다. 게이트 전극(130) 상에 층간 절연막(135)이 위치하고, 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)의 일부 영역에 콘택홀들(137, 138)이 위치한다. 층간 절연막(135) 상에 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 위치한다. 따라서, 반도체층(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함하는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)가 구성된다. More specifically, the
구동 박막트랜지스터(D_TFT)를 포함하는 기판(110) 전면에 하부의 박막트랜지스터를 보호하는 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 적색 서브픽셀(RSP)에는 패시베이션막(PAS) 상에 적색 컬러필터(R_CF)가 위치하고, 백색 서브픽셀(WSP)에는 발광층에서 발광하는 광이 백색이므로 컬러필터가 위치하지 않는다. 패시베이션막(PAS) 및 적색 컬러필터(R_CF) 상에 오버코트층(OC)이 위치하며 오버코트층(OC)은 구동 박막트랜지스터(D_TFT)의 드레인 전극(145)을 노출시키는 비어홀(155)을 포함한다. 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 위치하고, 제1 전극(ANO)을 포함하는 기판(110) 상에 제1 전극(ANO)을 노출하는 개구부(167)를 포함한 뱅크층(BNK)이 위치한다. 뱅크층(BNK)의 개구부(167)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 상에 발광층(EML)이 위치한다. 발광층(EML)이 형성된 기판(110) 상에 제2 전극(CAT)이 위치한다. 따라서, 제1 전극(ANO), 발광층(EML) 및 제2 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 구성된다.A passivation film (PAS) for protecting the lower thin film transistor is disposed on the entire surface of the
도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 각 서브픽셀들에서 제2 버퍼층(116)에 형성된 하나의 홀(BUH)을 포함하며, 홀(BUH)로 둘러싸인 버퍼층 패턴(BPT)을 더 포함한다. 제2 버퍼층(116)에 형성된 홀(BUH)은 인접한 백색 서브픽셀(WSP)과의 오버코트층(OC)의 단차를 줄이기 위한 것으로, 적색 컬러필터(R_CF)와 중첩되도록 위치한다. Referring to FIG. 10, the organic light emitting
도 11을 참조하면, 본 발명의 유기발광표시장치(100)는 적색 서브픽셀(RSP), 백색 서브픽셀(WSP), 녹색 서브픽셀(GSP) 및 청색 서브픽셀(BSP)을 포함한다. 각 서브픽셀들은 회로부(CIP)와 회로부(CIP)의 아래에 위치한 발광부(LEP)들을 포함한다. 컬러필터들(R_CF, G_CF, B_CF)들은 발광부(LEP)보다 큰 면적으로 이루어진다. Referring to FIG. 11, the
본 발명에서 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)들은 평면 상에서 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리를 둘러싸는 액자틀 형상으로 이루어진다. 즉, 평면 상에서 볼 때, 홀(BUH)의 내부에 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 일 가장자리가 중첩되는 것으로 보여진다. 또한, 버퍼층 패턴(BPT)은 홀(BUH)로 둘러싸여진다. 즉, 평면 상에서 볼 때, 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 내부에 버퍼층 패턴(BPT)이 포함되는 것으로 보여진다.In the present invention, the holes BUH of the
본 발명의 제2 실시예의 홀(BUH)은 적색 컬러필터(R_CF)의 가장자리와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리에만 중첩되게 형성되고, 적색 컬러필터(R_CF)와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리들을 제외한 나머지 영역에는 중첩되지 않는다. 적색 컬러필터(R_CF)와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리들을 제외한 나머지 영역에는 버퍼층 패턴(BPT)이 중첩된다. 즉, 버퍼층 패턴(BPT)은 적색 컬러필터(R_CF)와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리와 이격된다.The hole BUH of the second embodiment of the present invention is formed so as to overlap only the edge of the red color filter R_CF and the edge of the green color filter G_CF and the edge of the red color filter R_CF and the edge of the green color filter G_CF Are not overlapped with each other. The buffer layer pattern BPT is superimposed on other regions except the edges of the red color filter R_CF and the green color filter G_CF. That is, the buffer layer pattern BPT is separated from the edges of the red color filter R_CF and the green color filter G_CF.
백색 서브픽셀(WSP)에 인접한 적색 컬러필터(R_CF)의 가장자리와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리는 오버코트층(OC)의 단차가 발생하여 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)가 노출될 수 있는 영역에 해당된다. 따라서, 본 발명의 제2 실시예에서는 버퍼층(116)의 홀(BUH)을 크게 형성하지 않고, 적색 컬러필터(R_CF)의 가장자리와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리에만 중첩되도록 형성할 수 있다.The edge of the red color filter R_CF adjacent to the white subpixel WSP and the edge of the green color filter G_CF are separated by the step of the overcoat layer OC so that the red color filter R_CF and the green color filter G_CF It corresponds to the area which can be exposed. Therefore, in the second embodiment of the present invention, the holes BUH of the
전술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 백색 서브픽셀(WSP), 백색 서브픽셀(WSP)과 인접한 적색 서브픽셀(RSP) 및 녹색 서브픽셀(GSP)의 오버코트층(OC)의 단차를 줄여, 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)가 노출되지 않게 한다. 그러므로 본 발명은 제1 전극(ANO)과 제2 전극(CAT)의 쇼트를 방지하고 서브픽셀의 암점 불량을 방지할 수 있다. As described above, the
<제3실시예>≪ Third Embodiment >
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 단면도이고, 도 13은 유기발광표시장치의 일부를 나타낸 단면도이며, 도 14는 적색, 백색, 녹색 및 청색 서브픽셀을 모식화한 평면도이다. 하기에서는 전술한 제1 및 제2 실시예와 동일한 구성에 대해 동일한 도면부호를 붙여 그 설명을 간략히 한다.FIG. 12 is a cross-sectional view of an OLED display according to a third embodiment of the present invention, FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a part of an organic light emitting display device, and FIG. 14 is a schematic diagram of a red, white, FIG. In the following, the same reference numerals are assigned to the same components as those of the first and second embodiments described above, and a description thereof will be simplified.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 기판(110) 상에 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들이 위치한다. 적색 서브픽셀(RSP)과 백색 서브픽셀(WSP)들 각각에는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)와 구동 박막트랜지스터(D_TFT)에 연결된 유기발광 다이오드(OLED)가 위치한다.Referring to FIG. 12, an
보다 자세하게, 기판(110) 상에 제1 버퍼층(112)이 위치하고, 제1 버퍼층(112) 상에 차광층(114)이 위치한다. 차광층(114) 상에 제2 버퍼층(116)이 위치하고, 제2 버퍼층(116) 상에 반도체층(120)이 위치한다. 반도체층(120) 상에 게이트 절연막(125)이 위치하고, 게이트 절연막(125) 상에 게이트 전극(130)이 위치한다. 게이트 전극(130) 상에 층간 절연막(135)이 위치하고, 층간 절연막(135) 및 게이트 절연막(125)의 일부 영역에 콘택홀들(137, 138)이 위치한다. 층간 절연막(135) 상에 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)이 위치한다. 따라서, 반도체층(120), 게이트 전극(130), 소스 전극(140) 및 드레인 전극(145)을 포함하는 구동 박막트랜지스터(D_TFT)가 구성된다. More specifically, the
구동 박막트랜지스터(D_TFT)를 포함하는 기판(110) 전면에 하부의 박막트랜지스터를 보호하는 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 적색 서브픽셀(RSP)에는 패시베이션막(PAS) 상에 적색 컬러필터(R_CF)가 위치하고, 백색 서브픽셀(WSP)에는 발광층에서 발광하는 광이 백색이므로 컬러필터가 위치하지 않는다. 패시베이션막(PAS) 및 적색 컬러필터(R_CF) 상에 오버코트층(OC)이 위치하며 오버코트층(OC)은 구동 박막트랜지스터(D_TFT)의 드레인 전극(145)을 노출시키는 비어홀(155)을 포함한다. 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 위치하고, 제1 전극(ANO)을 포함하는 기판(110) 상에 제1 전극(ANO)을 노출하는 개구부(167)를 포함한 뱅크층(BNK)이 위치한다. 뱅크층(BNK)의 개구부(167)에 의해 노출된 제1 전극(ANO) 상에 발광층(EML)이 위치한다. 발광층(EML)이 형성된 기판(110) 상에 제2 전극(CAT)이 위치한다. 따라서, 제1 전극(ANO), 발광층(EML) 및 제2 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 구성된다.A passivation film (PAS) for protecting the lower thin film transistor is disposed on the entire surface of the
도 13을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 각 서브픽셀들에서 제2 버퍼층(116)에 형성된 하나의 홀(BUH)을 포함하며, 홀(BUH)로 둘러싸인 복수의 버퍼층 패턴(BPT)들을 더 포함한다. 제2 버퍼층(116)에 형성된 홀(BUH)은 인접한 백색 서브픽셀(WSP)과의 오버코트층(OC)의 단차를 줄이기 위한 것으로, 적색 컬러필터(R_CF)와 중첩되도록 위치한다. Referring to FIG. 13, the organic light emitting
도 14를 참조하면, 본 발명의 유기발광표시장치(100)는 적색 서브픽셀(RSP), 백색 서브픽셀(WSP), 녹색 서브픽셀(GSP) 및 청색 서브픽셀(BSP)을 포함한다. 각 서브픽셀들은 회로부(CIP)와 회로부(CIP)의 아래에 위치한 발광부(LEP)들을 포함한다. 컬러필터들(R_CF, G_CF, B_CF)들은 발광부(LEP)보다 큰 면적으로 이루어진다. Referring to FIG. 14, the
본 발명에서 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)들은 평면 상에서 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리를 둘러싸는 형상으로 이루어진다. 즉, 평면 상에서 볼 때, 홀(BUH)의 내부에 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 일 가장자리가 중첩되는 것으로 보여진다. 또한, 복수의 버퍼층 패턴(BPT)들은 홀(BUH)에 의해 둘러싸여진다. 즉, 평면 상에서 볼 때, 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)의 내부에 복수의 버퍼층 패턴(BPT)들이 포함되는 것으로 보여진다.In the present invention, the holes BUH of the
본 발명의 제2 실시예의 홀(BUH)은 적색 컬러필터(R_CF)의 가장자리와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리에 중첩되게 형성되고, 적색 컬러필터(R_CF)와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리들을 제외한 나머지 영역 중 발광부(LEP)에 중첩되게 형성된다. 또한, 적색 컬러필터(R_CF)와 녹색 컬러필터(G_CF)의 가장자리들을 제외한 나머지 영역 중 발광부(LEP)에는 복수의 버퍼층 패턴(BPT)들이 중첩된다. The hole BUH of the second embodiment of the present invention is formed so as to overlap the edge of the red color filter R_CF and the edge of the green color filter G_CF and the edge of the red color filter R_CF and the edge of the green color filter G_CF (LEP) of the remaining regions except for the light emitting portion (LEP). In addition, a plurality of buffer layer patterns BPT are superimposed on the light emitting portion LEP among the regions other than the edges of the red color filter R_CF and the green color filter G_CF.
즉, 적색 서브픽셀(RSP)의 발광부(LEP)와 녹색 서브픽셀(GSP)의 발광부(LEP) 각각에는 홀(BUH)과 복수의 버퍼층 패턴(BPT)들은 중첩된다. 발광층(EML)에서 발광된 광의 경로에 있어서, 홀(BUH)을 투과하는 광과 버퍼층 패턴(BPT)을 투과하는 광들의 휘도 차이가 발생할 수 있다. 본 발명의 제3 실시예에서는 적색 서브픽셀(RSP)의 길이 방향과 수직하는 방향으로 홀(BUH)과 버퍼층 패턴(BPT)들이 교번하는 형상으로 배치된다. 버퍼층 패턴(BPT)들과 교번하는 홀(BUH)은 슬릿(slit)과 같이 작용하게 되어, 적색 서브픽셀(RSP) 내에서의 광 휘도 차이가 나는 것을 방지할 수 있다. That is, the hole BUH and the plurality of buffer layer patterns BPT overlap each other in the light emitting portion LEP of the red subpixel RSP and the light emitting portion LEP of the green subpixel GSP. A difference in luminance may occur between the light passing through the hole BUH and the light passing through the buffer layer pattern BPT in the path of light emitted from the light emitting layer (EML). In the third embodiment of the present invention, holes (BUH) and buffer layer patterns (BPT) are alternately arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the red subpixel (RSP). The buffer layer patterns (BPT) and the alternating holes (BUH) act like a slit, so that a difference in light luminance in the red subpixel RSP can be prevented.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 백색 서브픽셀(WSP), 백색 서브픽셀(WSP)과 인접한 적색 서브픽셀(RSP) 및 녹색 서브픽셀(GSP)의 오버코트층(OC)의 단차를 줄여, 적색 컬러필터(R_CF) 및 녹색 컬러필터(G_CF)가 노출되지 않게 한다. 그러므로 본 발명은 제1 전극(ANO)과 제2 전극(CAT)의 쇼트를 방지하고 서브픽셀의 암점 불량을 방지할 수 있다. As described above, the
전술한 본 발명의 실시예들에서는 제2 버퍼층(116)에 홀(BUH)을 형성하는 것을 개시하였다. 제2 버퍼층(116)의 하부에 위치한 제1 버퍼층(112)에는 홀(BUH)이 구비되지 않는 것이 바람직하다. 제1 버퍼층(112)은 기판(110)으로부터 불순물이 침투되는 것을 방지하기 위한 기능층으로, 제1 버퍼층(112)에 홀(BUH)이 형성되기 곤란하다. 제2 버퍼층(116)은 제1 버퍼층(112) 상에 형성된 차광층(114)을 절연시키기 위한 것이나, 컬러필터와 중첩되는 영역에는 차광층(114)이 위치하지 않기 때문에 일부 제거되어 홀(BUH)로 형성되어도 무방하다. 따라서, 본 발명은 제2 버퍼층(116)에 홀(BUH)이 형성되는 것이 바람직하다.In the embodiments of the present invention described above, formation of a hole (BUH) in the
또한, 본 발명의 실시예들에서는 백색 서브픽셀(WSP)에 인접한 적색 서브픽셀(RSP)과 녹색 서브픽셀(GSP)에 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)이 형성된 것을 예로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며, 백색 서브픽셀(WSP)과 인접하지 않는 청색 서브픽셀(BSP)에도 제2 버퍼층(116)의 홀(BUH)이 형성될 수도 있다.In addition, in the embodiments of the present invention, the hole (BUH) of the
또한, 본 발명의 제3 실시예에서는 적색 서브픽셀(RSP)과 녹색 서브픽셀(GSP) 각각에 3개의 버퍼층 패턴(BPT)이 형성된 것을 예로 설명하였지만, 이에 한정되지 않으며 2개의 버퍼층 패턴(BPT)이 형성될 수도 있고 4개 이상의 버퍼층 패턴(BPT)이 형성될 수도 있다. In the third embodiment of the present invention, three buffer layer patterns BPT are formed in each of the red subpixel RSP and the green subpixel GSP. However, the present invention is not limited to this, Or four or more buffer layer patterns (BPT) may be formed.
또한, 본 발명의 실시예에들에서는 적색 서브픽셀(RSP)과 녹색 서브픽셀(GSP)에 각각 연속적으로 이어진 하나의 홀(BUH)이 형성된 것을 예로 설명하였지만, 불연속적인 복수의 홀들이 형성될 수도 있다. Also, in the embodiments of the present invention, it has been described by way of example that one hole BUH successively connected to the red subpixel RSP and the green subpixel GSP is formed. Alternatively, a plurality of discontinuous holes may be formed have.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
100 : 표시장치
110 : 기판
112 : 제1 버퍼층
114 : 차광층
116 : 제2 버퍼층
147 : 패시베이션막
BUH : 홀
D_TFT : 구동 박막트랜지스터
R_CF : 적색 컬러필터
OC : 오버코트층
ANO : 제1 전극
BNK : 뱅크층
EML : 발광층
CAT : 제2 전극
OLED : 유기발광 다이오드100: display device 110: substrate
112: first buffer layer 114: shielding layer
116: second buffer layer 147: passivation film
BUH: Hall D_TFT: Driving Thin Film Transistor
R_CF: Red color filter OC: Overcoat layer
ANO: first electrode BNK: bank layer
EML: light emitting layer CAT: second electrode
OLED: Organic Light Emitting Diode
Claims (11)
상기 기판 상에 위치하는 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 위치하는 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터 상에 위치하는 패시베이션막;
상기 패시베이션막 상에 위치하며, 상기 박막트랜지스터와 이격되는 컬러필터;
상기 컬러필터 상에 위치하는 오버코트층; 및
상기 오버코트층 상에 위치하며, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 유기발광 다이오드;를 포함하며,
상기 버퍼층은 적어도 하나의 홀을 포함하며 상기 홀은 상기 컬러필터와 중첩되는 표시장치.
Board;
A buffer layer located on the substrate;
A thin film transistor located on the buffer layer;
A passivation film located on the thin film transistor;
A color filter disposed on the passivation film and spaced apart from the thin film transistor;
An overcoat layer disposed on the color filter; And
And an organic light emitting diode (OLED) disposed on the overcoat layer and connected to the thin film transistor,
Wherein the buffer layer includes at least one hole and the hole overlaps with the color filter.
상기 버퍼층의 홀은 평면 상에서 상기 컬러필터를 둘러싸는 표시장치.
The method according to claim 1,
And the holes of the buffer layer surround the color filter in a plane.
상기 버퍼층의 홀의 면적은 상기 컬러필터의 면적보다 큰 표시장치.
3. The method of claim 2,
And the area of the hole of the buffer layer is larger than the area of the color filter.
상기 버퍼층의 홀은 상기 컬러필터의 적어도 일 가장자리와 중첩되는 표시장치.
The method according to claim 1,
And the holes of the buffer layer overlap with at least one edge of the color filter.
상기 적어도 하나의 홀은 내부에 적어도 하나의 버퍼층 패턴을 포함하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the at least one hole includes at least one buffer layer pattern therein.
상기 유기발광 다이오드는 광이 방광하는 발광부를 포함하며,
상기 적어도 하나의 버퍼층 패턴은 상기 발광부와 중첩되는 표시장치.
6. The method of claim 5,
The organic light emitting diode includes a light emitting portion for blasting light,
Wherein the at least one buffer layer pattern overlaps the light emitting portion.
상기 적어도 하나의 버퍼층 패턴은 상기 컬러필터의 가장자리와 이격된 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the at least one buffer layer pattern is spaced apart from an edge of the color filter.
상기 버퍼층은 10 내지 1000nm의 두께로 이루어지는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the buffer layer has a thickness of 10 to 1000 nm.
상기 유기발광 다이오드는 배면발광 타입인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the organic light emitting diode is a backlight type.
상기 기판 전면에 위치하는 버퍼층;
상기 백색과 유색 서브픽셀에 각각 위치하는 박막트랜지스터;
상기 박막트랜지스터 상에 위치하는 패시베이션막;
상기 유색 서브픽셀에서 상기 패시베이션막 상에 위치하며, 상기 박막트랜지스터와 이격되는 컬러필터;
상기 컬러필터를 덮으며 상기 기판 전면에 위치하는 오버코트층; 및
상기 오버코트층 상에 위치하며, 상기 백색과 유색 서브픽셀에 각각 위치하는 유기발광 다이오드;를 포함하며,
상기 유색 서브픽셀에서 상기 버퍼층은 적어도 하나의 홀을 포함하며, 상기 홀은 상기 컬러필터와 중첩되는 표시장치.
A substrate comprising at least a white sub-pixel and a colored sub-pixel in contact with the white sub-pixel;
A buffer layer located on the entire surface of the substrate;
A thin film transistor located in each of the white and colored subpixels;
A passivation film located on the thin film transistor;
A color filter located on the passivation film in the colored subpixel and spaced apart from the thin film transistor;
An overcoat layer covering the color filter and positioned over the entire surface of the substrate; And
And an organic light emitting diode (OLED) disposed on the overcoat layer and located in the white and colored subpixels, respectively,
Wherein in the colored subpixel, the buffer layer includes at least one hole, and the hole overlaps with the color filter.
상기 백색 서브픽셀은 상기 컬러필터와 상기 버퍼층의 홀을 포함하지 않는 표시장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the white subpixel does not include holes of the color filter and the buffer layer.
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