KR102623973B1 - Display Device - Google Patents
Display Device Download PDFInfo
- Publication number
- KR102623973B1 KR102623973B1 KR1020180108554A KR20180108554A KR102623973B1 KR 102623973 B1 KR102623973 B1 KR 102623973B1 KR 1020180108554 A KR1020180108554 A KR 1020180108554A KR 20180108554 A KR20180108554 A KR 20180108554A KR 102623973 B1 KR102623973 B1 KR 102623973B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- color filter
- layer
- electrode
- light emitting
- overcoat layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 189
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 101100505320 Caenorhabditis elegans gpa-16 gene Proteins 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 101100508418 Caenorhabditis elegans ifet-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100167744 Caenorhabditis elegans let-711 gene Proteins 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- -1 light emitting area Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
본 발명은 빛샘을 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 패시베이션막, 상기 패시베이션막 상에 위치하며, 역테이퍼로 이루어진 컬러필터, 상기 패시베이션막 및 상기 컬러필터 상에 위치하는 오버코트층, 상기 오버코트층 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극을 노출시키며, 상기 컬러필터 및 상기 오버코트층 상에 위치하는 뱅크층, 상기 제1 전극 및 상기 뱅크층 상에 위치하며, 상기 컬러필터와 대응되는 영역과 상기 컬러필터와 이격된 상기 뱅크층에 대응되는 영역에서 서로 단락된 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. The present invention relates to a display device that can improve display quality by preventing light leakage. The display device of the present invention includes a substrate, a thin film transistor positioned on the substrate, a passivation film positioned on the thin film transistor, a color filter positioned on the passivation film and made of an inverted taper, and a color filter positioned on the passivation film and the color filter. An overcoat layer located on, a first electrode located on the overcoat layer, a bank layer exposing the first electrode, located on the color filter and the overcoat layer, located on the first electrode and the bank layer. and a light emitting layer shorted to each other in a region corresponding to the color filter and a region corresponding to the bank layer spaced apart from the color filter, and a second electrode positioned on the light emitting layer.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 빛샘을 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more specifically, to a display device that can improve display quality by preventing light leakage.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. The display device field has been rapidly changing toward thin, light, large-area flat panel displays (FPDs) replacing bulky cathode ray tubes (CRTs). Flat panel displays include Liquid Crystal Display Device (LCD), Plasma Display Panel (PDP), Organic Light Emitting Display Device (OLED), and Electrophoretic Display Device. : ED), etc.
이 중 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 유기발광표시장치는 유연한(flexible) 플렉서블 기판 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 구동 가능하고 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다.Among these, organic light emitting display devices are self-emitting devices that emit light on their own and have the advantages of fast response speed, high luminous efficiency, brightness, and viewing angle. In particular, organic light emitting display devices can not only be formed on flexible substrates, but can also be driven at lower voltages and consume relatively less power than plasma display panels or inorganic electroluminescence (EL) displays. It has the advantage of excellent color.
유기발광표시장치는 적색, 녹색 및 청색의 3개의 서브픽셀이 하나의 단위 픽셀을 구성하거나, 백색을 더하여 4개의 서브픽셀이 하나의 단위 픽셀을 구성한다. 유기발광표시장치는 각 서브픽셀의 개구율을 증가시켜 표시 품질을 향상시키기 위한 설계가 시도되고 있다. 이때, 각 서브픽셀의 발광영역이 서로 인접하게 배치됨에 따라 인접한 서브픽셀의 광이 다른 서브픽셀을 통해 방출되는 빛샘이 발생하는 문제가 있다.In an organic light emitting display device, three subpixels of red, green, and blue make up one unit pixel, or four subpixels plus white make up one unit pixel. Organic light emitting display devices are being designed to improve display quality by increasing the aperture ratio of each subpixel. At this time, as the light emitting areas of each subpixel are arranged adjacent to each other, there is a problem in that light leakage occurs in which light from adjacent subpixels is emitted through other subpixels.
본 발명은 빛샘을 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device that can improve display quality by preventing light leakage.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 패시베이션막, 상기 패시베이션막 상에 위치하며, 역테이퍼로 이루어진 컬러필터, 상기 패시베이션막 및 상기 컬러필터 상에 위치하는 오버코트층, 상기 오버코트층 상에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극을 노출시키며, 상기 컬러필터 및 상기 오버코트층 상에 위치하는 뱅크층, 상기 제1 전극 및 상기 뱅크층 상에 위치하며, 상기 컬러필터와 대응되는 영역과 상기 컬러필터와 이격된 상기 뱅크층에 대응되는 영역에서 서로 단락된 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. In order to achieve the above object, a display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a thin film transistor located on the substrate, a passivation film located on the thin film transistor, a reverse taper A color filter consisting of a color filter, an overcoat layer located on the passivation film and the color filter, a first electrode located on the overcoat layer, and a bank exposing the first electrode and located on the color filter and the overcoat layer. layer, a light emitting layer located on the first electrode and the bank layer and shorted to each other in a region corresponding to the color filter and a region corresponding to the bank layer spaced apart from the color filter, and a second light emitting layer located on the light emitting layer. Contains 2 electrodes.
일례로, 상기 컬러필터는 하부가 정테이퍼를 이루고 상부가 역테이퍼를 이루고, 상기 정테이퍼의 제1 테이퍼각은 70 내지 90도이고 상기 역테이퍼의 제2 테이퍼각은 30 내지 60도일 수 있다. 상기 역테이퍼는 상기 컬러필터의 전체 둘레에 형성될 수 있다. For example, the color filter may have a regular taper at the bottom and a reverse taper at the top, a first taper angle of the normal taper may be 70 to 90 degrees, and a second taper angle of the reverse taper may be 30 to 60 degrees. The reverse taper may be formed around the entire circumference of the color filter.
일례로, 상기 오버코트층은 상기 컬러필터 상부에 위치한 오버코트층과, 상기 컬러필터 주변에서 상기 패시베이션 상부에 위치한 오버코트층이 서로 단락될 수 있다. For example, the overcoat layer located on top of the color filter and the overcoat layer located on top of the passivation around the color filter may be short-circuited with each other.
일례로, 상기 뱅크층은 상기 컬러필터의 형상을 따라 연속적으로 형성될 수 있다. For example, the bank layer may be formed continuously along the shape of the color filter.
일례로, 상기 오버코트층은 상기 컬러필터의 주변에서 상기 패시베이션막을 노출시키는 오버홀을 더 포함하고, 상기 오버홀은 상기 컬러필터 상부에 형성된 오버코트층과 상기 컬러필터 주변에 형성된 오버코트층과의 사이에 상기 패시베이션막이 노출된 영역일 수 있다. For example, the overcoat layer further includes an overhaul exposing the passivation film around the color filter, and the overhaul is between the overcoat layer formed on the color filter and the overcoat layer formed around the color filter. It may be an area where the membrane is exposed.
일례로, 상기 오버홀은 상기 컬러필터의 장변을 따라 바(bar) 형상으로 이루어지고, 상기 오버홀은 상기 컬러필터의 하나의 장변에 대해 복수 개로 이루어질 수 있다. For example, the overhaul is formed in a bar shape along the long side of the color filter, and the overhaul may be formed in plural pieces for one long side of the color filter.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 역테이퍼 형상으로 이루어진 컬러필터를 형성함으로써, 컬러필터를 둘러싸는 영역에서 발광층을 단락시켜 컬러필터에 대응되는 발광영역에서만 발광이 이루어지도록 할 수 있다. 이에 따라, 컬러필터 상부에 배치된 발광층에서만 발광이 이루어지도록 함으로써, 발광영역 외의 비발광영역에서 발광이 이루어지는 빛샘을 방지할 수 있다.The organic light emitting display device according to embodiments of the present invention forms a color filter having an inverse tapered shape, thereby short-circuiting the light emitting layer in the area surrounding the color filter so that light is emitted only in the light emitting area corresponding to the color filter. . Accordingly, by ensuring that light is emitted only from the light-emitting layer disposed on the upper part of the color filter, light leakage in which light is emitted in a non-emission area other than the light-emitting area can be prevented.
도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 서브픽셀의 개략적인 회로 구성도.
도 3은 서브픽셀의 상세 회로 구성도.
도 4는 표시 패널의 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면.
도 7은 도 6의 절취선 A-A'에 따라 절취한 단면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면.
도 9는 도 8의 절취선 B-B'에 따라 절취한 단면도.
도 10은 본 발명의 컬러필터를 나타낸 단면도.
도 11은 본 발명의 컬러필터를 나타낸 광학이미지.
도 12는 도 8의 절취선 C-C'에 따라 절취한 단면도.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면.
도 14는 도 13의 절취선 D-D'에 따라 절취한 단면도.
도 15는 본 발명의 다른 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면.
도 16a 내지 도 16e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 단면도.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device.
2 is a schematic circuit diagram of a subpixel.
3 is a detailed circuit diagram of a subpixel.
Figure 4 is a cross-sectional view of the display panel.
Figure 5 is a diagram schematically showing the planar layout of subpixels according to the present invention.
Figure 6 is a diagram showing a planar layout of a subpixel according to the first embodiment of the present invention.
Figure 7 is a cross-sectional view taken along line A-A' of Figure 6.
Figure 8 is a diagram showing a plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
Figure 9 is a cross-sectional view taken along line B-B' of Figure 8.
Figure 10 is a cross-sectional view showing the color filter of the present invention.
11 is an optical image showing the color filter of the present invention.
Figure 12 is a cross-sectional view taken along line C-C' of Figure 8.
Figure 13 is a diagram showing a plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line D-D' of FIG. 13.
Figure 15 is a diagram showing a plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to another third embodiment of the present invention.
16A to 16E are cross-sectional views showing the manufacturing method of the organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention by process.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. Like reference numerals refer to substantially the same elements throughout the specification. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. Additionally, the component names used in the following description may have been selected in consideration of ease of specification preparation, and may be different from the component names of the actual product.
본 발명에 따른 표시장치는 유리 기판 또는 플렉서블 기판 상에 표시소자가 형성된 표시장치이다. 표시장치의 예로, 유기발광표시장치, 액정표시장치, 전기영동표시장치 등이 사용 가능하나, 본 발명에서는 유기발광표시장치를 예로 설명한다. 유기발광표시장치는 애노드인 제1 전극과 캐소드인 제2 전극 사이에 유기물로 이루어진 유기막층을 포함한다. 따라서, 제1 전극으로부터 공급받는 정공과 제2 전극으로부터 공급받는 전자가 유기막층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하는 자발광 표시장치이다. The display device according to the present invention is a display device in which display elements are formed on a glass substrate or a flexible substrate. Examples of display devices include organic light emitting display devices, liquid crystal display devices, and electrophoretic display devices. However, in the present invention, the organic light emitting display device is described as an example. The organic light emitting display device includes an organic film layer made of organic material between a first electrode, which is an anode, and a second electrode, which is a cathode. Therefore, the holes supplied from the first electrode and the electrons supplied from the second electrode combine within the organic layer to form excitons, which are hole-electron pairs, and emit light by the energy generated when the excitons return to the ground state. It is a self-luminous display device.
도 1은 유기발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브픽셀의 개략적인 회로 구성도이며, 도 3은 서브픽셀의 상세 회로 구성도이고, 도 4는 표시 패널의 단면도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display device, FIG. 2 is a schematic circuit diagram of a subpixel, FIG. 3 is a detailed circuit diagram of a subpixel, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a display panel.
도 1에 도시된 바와 같이, 유기발광표시장치에는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 데이터 구동부(130), 스캔 구동부(140) 및 표시 패널(150)이 포함된다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting display device includes an
영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터 신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다.The
타이밍 제어부(120)는 영상 처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터 신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다.The
데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력한다. 데이터 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.The
스캔 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔 신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 게이트 라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 스캔 신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 표시 패널(150)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The
표시 패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 스캔 구동부(140)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 스캔 신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(150)은 영상을 표시할 수 있도록 동작하는 서브픽셀들(SP)을 포함한다.The
서브픽셀들(SP)은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함하거나 백색 서브픽셀, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀을 포함한다. 서브픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.The subpixels SP include a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel, or include a white subpixel, a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel. The subpixels SP may have one or more different light emission areas depending on light emission characteristics.
도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 보상회로(CC) 및 유기 발광다이오드(OLED)가 포함된다.As shown in FIG. 2, one subpixel includes a switching transistor (SW), a driving transistor (DR), a capacitor (Cst), a compensation circuit (CC), and an organic light emitting diode (OLED).
스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1 데이터 라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터 신호가 커패시터(Cst)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 전압에 따라 전원 라인(EVDD)(고전위전압)과 캐소드 전원 라인(EVSS)(저전위전압) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.The switching transistor SW performs a switching operation in response to the scan signal supplied through the first gate line GL1 so that the data signal supplied through the first data line DL1 is stored as a data voltage in the capacitor Cst. The driving transistor (DR) operates so that a driving current flows between the power line (EVDD) (high potential voltage) and the cathode power line (EVSS) (low potential voltage) according to the data voltage stored in the capacitor (Cst). An organic light-emitting diode (OLED) operates to emit light according to a driving current formed by a driving transistor (DR).
보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상하기 위해 서브픽셀 내에 추가된 회로이다. 보상회로(CC)는 하나 이상의 트랜지스터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 외부 보상 방법에 따라 매우 다양한바 이에 대한 예시를 설명하면 다음과 같다.The compensation circuit (CC) is a circuit added to the subpixel to compensate for the threshold voltage of the driving transistor (DR). The compensation circuit (CC) consists of one or more transistors. The composition of the compensation circuit (CC) varies greatly depending on the external compensation method, and an example is as follows.
도 3에 도시된 바와 같이, 보상회로(CC)에는 센싱 트랜지스터(ST)와 센싱 라인(VREF)(또는 레퍼런스라인)이 포함된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극과 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이(이하 센싱노드)에 접속된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱 라인(VREF)을 통해 전달되는 초기화전압(또는 센싱전압)을 구동 트랜지스터(DR)의 센싱 노드에 공급하거나 구동 트랜지스터(DR)의 센싱 노드 또는 센싱 라인(VREF)의 전압 또는 전류를 센싱할 수 있도록 동작한다.As shown in FIG. 3, the compensation circuit (CC) includes a sensing transistor (ST) and a sensing line (VREF) (or reference line). The sensing transistor (ST) is connected between the source electrode of the driving transistor (DR) and the anode electrode of the organic light-emitting diode (OLED) (hereinafter referred to as the sensing node). The sensing transistor (ST) supplies the initialization voltage (or sensing voltage) transmitted through the sensing line (VREF) to the sensing node of the driving transistor (DR) or the voltage of the sensing node of the driving transistor (DR) or the sensing line (VREF). Or, it operates to sense current.
스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 데이터 라인(DL1)에 드레인 전극이 연결되고, 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 소스 전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DR)는 전원 라인(EVDD)에 드레인 전극이 연결되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 소스 전극이 연결된다. 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DR)의 게이트 전극에 상부전극이 연결되고 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극에 하부전극이 연결된다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 애노드 전극이 연결되고 제2 전원 라인(EVSS)에 캐소드 전극이 연결된다. 센싱 트랜지스터(ST)는 센싱 라인(VREF)에 드레인 전극이 연결되고 센싱 노드인 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극 및 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극에 소스 전극이 연결된다.The switching transistor SW has a drain electrode connected to the first data line DL1 and a source electrode connected to the gate electrode of the driving transistor DR. The driving transistor (DR) has its drain electrode connected to the power line (EVDD) and its source electrode connected to the anode electrode of the organic light-emitting diode (OLED). The capacitor (Cst) has its upper electrode connected to the gate electrode of the driving transistor (DR) and its lower electrode connected to the anode electrode of the organic light-emitting diode (OLED). The organic light emitting diode (OLED) has an anode connected to the source electrode of the driving transistor (DR) and a cathode connected to the second power line (EVSS). The sensing transistor (ST) has a drain electrode connected to the sensing line (VREF), and a source electrode connected to the anode electrode of the organic light-emitting diode (OLED), which is a sensing node, and the source electrode of the driving transistor (DR).
센싱 트랜지스터(ST)의 동작 시간은 외부 보상 알고리즘(또는 보상 회로의 구성)에 따라 스위칭 트랜지스터(SW)와 유사/동일하거나 다를 수 있다. 일례로, 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1 게이트 라인(GL1)에 게이트 전극이 연결되고, 센싱 트랜지스터(ST)는 제2 게이트 라인(GL2)에 게이트 전극이 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 게이트 라인(GL1)에는 스캔 신호(Scan)가 전달되고 제2 게이트 라인(GL2)에는 센싱 신호(Sense)가 전달된다. 다른 예로, 스위칭 트랜지스터(SW)의 게이트 전극에 연결된 제1 게이트 라인(GL1)과 센싱 트랜지스터(ST)의 게이트 전극에 연결된 제2 게이트 라인(GL2)은 공통으로 공유하도록 연결될 수 있다.The operating time of the sensing transistor (ST) may be similar/same or different from that of the switching transistor (SW) depending on the external compensation algorithm (or configuration of the compensation circuit). For example, the switching transistor SW may have its gate electrode connected to the first gate line GL1, and the sensing transistor ST may have its gate electrode connected to the second gate line GL2. In this case, a scan signal (Scan) is transmitted to the first gate line (GL1) and a sensing signal (Sense) is transmitted to the second gate line (GL2). As another example, the first gate line GL1 connected to the gate electrode of the switching transistor SW and the second gate line GL2 connected to the gate electrode of the sensing transistor ST may be connected to share a common feature.
센싱 라인(VREF)은 데이터 구동부에 연결될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부는 실시간, 영상의 비표시기간 또는 N 프레임(N은 1 이상 정수) 기간 동안 서브픽셀의 센싱 노드를 센싱하고 센싱결과를 생성할 수 있게 된다. 한편, 스위칭 트랜지스터(SW)와 센싱 트랜지스터(ST)는 동일한 시간에 턴온될 수 있다. 이 경우, 데이터 구동부의 시분할 방식에 의거 센싱 라인(VREF)을 통한 센싱 동작과 데이터 신호를 출력하는 데이터 출력 동작은 상호 분리(구분) 된다.The sensing line (VREF) may be connected to the data driver. In this case, the data driver can sense the sensing node of the subpixel in real time, during the non-display period of the image, or during the N frame period (N is an integer greater than 1) and generate a sensing result. Meanwhile, the switching transistor (SW) and the sensing transistor (ST) may be turned on at the same time. In this case, the sensing operation through the sensing line (VREF) and the data output operation of outputting the data signal are separated (differentiated) from each other based on the time division method of the data driver.
이 밖에, 센싱결과에 따른 보상 대상은 디지털 형태의 데이터신호, 아날로그 형태의 데이터신호 또는 감마 등이 될 수 있다. 그리고 센싱결과를 기반으로 보상신호(또는 보상전압) 등을 생성하는 보상 회로는 데이터 구동부의 내부, 타이밍 제어부의 내부 또는 별도의 회로로 구현될 수 있다.In addition, the compensation target according to the sensing result may be a digital data signal, an analog data signal, or gamma. And the compensation circuit that generates a compensation signal (or compensation voltage) based on the sensing result may be implemented inside the data driver, inside the timing control unit, or as a separate circuit.
광차단층(LS)은 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부에만 배치되거나 구동 트랜지스터(DR)의 채널영역 하부뿐만 아니라 스위칭 트랜지스터(SW) 및 센싱 트랜지스터(ST)의 채널영역 하부에도 배치될 수 있다. 광차단층(LS)은 단순히 외광을 차단할 목적으로 사용하거나, 광차단층(LS)을 다른 전극이나 라인과의 연결을 도모하고, 커패시터 등을 구성하는 전극으로 활용할 수 있다. 그러므로 광차단층(LS)은 차광 특성을 갖도록 복층(이종 금속의 복층)의 금속층으로 선택된다.The light blocking layer (LS) may be disposed only under the channel region of the driving transistor (DR), or may be disposed not only under the channel region of the driving transistor (DR) but also under the channel regions of the switching transistor (SW) and the sensing transistor (ST). The light blocking layer (LS) can be used simply to block external light, or it can be used to connect with other electrodes or lines, and can be used as an electrode to form a capacitor, etc. Therefore, the light blocking layer (LS) is selected as a multi-layer (multi-layer of different metals) metal layer to have light-blocking properties.
기타, 도 3에서는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 유기발광다이오드(OLED), 센싱 트랜지스터(ST)를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조의 서브픽셀을 일례로 설명하였지만, 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C 등으로 구성될 수도 있다.In addition, in Figure 3, a subpixel of a 3T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor (SW), a driving transistor (DR), a capacitor (Cst), an organic light emitting diode (OLED), and a sensing transistor (ST) is shown. Although explained as an example, if a compensation circuit (CC) is added, it may be configured as 3T2C, 4T2C, 5T1C, 6T2C, etc.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(또는 박막 트랜지스터 기판)(SUB1)의 표시영역(AA) 상에는 도 3에서 설명된 회로를 기반으로 서브픽셀들이 형성된다. 표시영역(AA) 상에 형성된 서브픽셀들은 보호필름(또는 보호기판)(SUB2)에 의해 밀봉된다. 기타 미설명된 NA는 비표시영역을 의미한다. 기판(SUB1)은 유리나 연성을 갖는 재료로 선택될 수 있다.As shown in FIG. 4, subpixels are formed on the display area AA of the substrate (or thin film transistor substrate) SUB1 based on the circuit described in FIG. 3. Subpixels formed on the display area AA are sealed by a protective film (or protective substrate) SUB2. Other unexplained NAs refer to non-display areas. The substrate SUB1 may be selected from glass or a flexible material.
서브픽셀들은 표시영역(AA) 상에서 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)의 순으로 수평 또는 수직하게 배치된다. 그리고 서브픽셀들은 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 된다. 그러나 서브픽셀들의 배치 순서는 발광재료, 발광면적, 보상회로의 구성(또는 구조) 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 서브픽셀들은 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 될 수 있다.Subpixels are arranged horizontally or vertically in the order of red (R), white (W), blue (B), and green (G) on the display area (AA). And the subpixels of red (R), white (W), blue (B), and green (G) become one pixel (P). However, the arrangement order of subpixels may vary depending on the light emitting material, light emitting area, composition (or structure) of the compensation circuit, etc. Additionally, the subpixels may be red (R), blue (B), and green (G) into one pixel (P).
도 5는 본 발명에 따른 서브픽셀들의 평면 레이아웃을 개략적으로 나타낸 도면이다. Figure 5 is a diagram schematically showing the planar layout of subpixels according to the present invention.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(SUB1)의 표시영역(AA) 상에는 발광영역(EMA)과 회로영역(DRA)을 갖는 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)이 형성된다. 발광영역(EMA)에는 유기발광다이오드(발광소자)가 형성되고, 회로영역(DRA)에는 유기발광다이오드를 구동하는 스위칭, 센싱 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 회로가 형성된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)은 회로영역(DRA)에 위치하는 스위칭 및 구동 트랜지스터 등의 동작에 대응하여 발광영역(EMA)에 위치하는 유기발광다이오드가 빛을 발광하게 된다. 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4) 사이에 위치하는 "WA"는 배선영역으로서, 전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)이 배치된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 서브픽셀(SPn1) 내지 제4 서브픽셀(SPn4)을 가로지르며 배치된다.As shown in FIGS. 4 and 5, on the display area (AA) of the substrate (SUB1), first to fourth subpixels (SPn1) to fourth subpixels (SPn4) having an emission area (EMA) and a circuit area (DRA) This is formed. An organic light-emitting diode (light-emitting device) is formed in the light-emitting area (EMA), and a circuit including switching, sensing, and driving transistors that drive the organic light-emitting diode is formed in the circuit area (DRA). The first subpixel (SPn1) to the fourth subpixel (SPn4) cause the organic light emitting diode located in the light emitting area (EMA) to emit light in response to the operation of the switching and driving transistor located in the circuit area (DRA). do. “WA” located between the first subpixel (SPn1) to the fourth subpixel (SPn4) is a wiring area, and includes the power line (EVDD), the sensing line (VREF), and the first to fourth data lines (DL1 to DL1). DL4) is deployed. The first and second gate lines GL1 and GL2 are arranged across the first to fourth subpixels SPn1 to SPn4.
전원 라인(EVDD), 센싱 라인(VREF), 제1 내지 제4 데이터 라인들(DL1 ~ DL4)과 같은 배선들은 물론 박막 트랜지스터를 구성하는 전극들은 서로 다른 층에 위치하지만 콘택홀(비어홀)을 통한 접촉으로 인하여 전기적으로 연결된다. 센싱 라인(VREF)은 센싱 연결라인(VREFC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 전원 라인(EVDD)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 구동 트랜지스터(미도시)에 연결된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(미도시)에 연결된다. Wires such as the power line (EVDD), the sensing line (VREF), and the first to fourth data lines (DL1 to DL4), as well as the electrodes that make up the thin film transistor, are located in different layers, but are connected through contact holes (via holes). They are electrically connected by contact. The sensing line (VREF) is connected to each sensing transistor (not shown) of the first to fourth subpixels (SPn1 to SPn4) through the sensing connection line (VREFC). The power line (EVDD) is connected to each driving transistor (not shown) of the first to fourth subpixels (SPn1 to SPn4) through the power connection line (EVDDC). The first and second gate lines GL1 and GL2 are connected to each sensing and switching transistor (not shown) of the first to fourth subpixels SPn1 to SPn4.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6의 절취선 A-A'에 따라 절취한 단면도이다.FIG. 6 is a diagram showing a planar layout of a subpixel according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line A-A' of FIG. 6.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광표시장치는 제1 및 제2 게이트 라인(GL1, GL2)과 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1~DL4)이 교차하여 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)이 정의된다. 구체적으로, 제1 내지 제4 데이터 라인(DL1~DL4)과 각각 연결되는 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)은 센싱 라인(VREF)에 공통으로 연결되어 있다. 센싱 라인(VREF)은 제2 및 제3 서브픽셀(SPn2, SPn3)과는 직접 연결되어 있고, 제1 및 제4 서브픽셀(SPn1, SPn4)과는 센싱 연결라인(VREFC)을 통해 연결된다. 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 양 가장자리에는 전원 라인(EVDD)이 각각 배치되고, 전원 라인(EVDD)과 인접한 제1 및 제4 서브픽셀(SPn1, SPn4)은 직접 연결되고 제2 및 제3 서브픽셀(SPn2, SPn3)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 연결된다.Referring to FIG. 6, in the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention, the first and second gate lines (GL1, GL2) and first to fourth data lines (DL1 to DL4) intersect to form a first to fourth subpixels (SPn1 to SPn4) are defined. Specifically, the first to fourth subpixels (SPn1 to SPn4) respectively connected to the first to fourth data lines (DL1 to DL4) are commonly connected to the sensing line (VREF). The sensing line VREF is directly connected to the second and third subpixels SPn2 and SPn3, and is connected to the first and fourth subpixels SPn1 and SPn4 through the sensing connection line VREFC. Power lines (EVDD) are disposed at both edges of the first to fourth subpixels (SPn1 to SPn4), and the first and fourth subpixels (SPn1, SPn4) adjacent to the power line (EVDD) are directly connected to each other. The second and third subpixels (SPn2, SPn3) are connected through a power connection line (EVDDC).
각 서브픽셀들의 발광영역(EMA)에는 유기발광다이오드(OLED)의 제1 전극(ANO)이 배치되어 있고, 회로영역(DRA)에는 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 센싱 트랜지스터(ST) 및 스위칭 트랜지스터(SW)가 배치된다. 예를 들어, 센싱 트랜지스터(ST)는 게이트 전극(240), 드레인 전극(250D), 소스 전극(250S) 및 반도체층(220)으로 구성된다. 센싱 라인(VREF)은 센싱연결라인(VREFC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 트랜지스터(ST)에 연결된다. 전원 라인(EVDD)은 전원 연결라인(EVDDC)을 통해 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 구동 트랜지스터(DR)에 연결된다. 제1 및 제2 게이트 라인들(GL1, GL2)은 제1 내지 제4 서브픽셀(SPn1~SPn4)의 각 센싱 및 스위칭 트랜지스터(ST, SW)에 연결된다. The first electrode (ANO) of an organic light emitting diode (OLED) is disposed in the light emitting area (EMA) of each subpixel, and the driving transistor (DR), capacitor (Cst), and sensing transistor (ST) are located in the circuit area (DRA). and a switching transistor (SW) is disposed. For example, the sensing transistor ST is composed of a gate electrode 240, a
도 7에 도시된 제1 서브픽셀(SPn1)의 발광영역의 단면을 참조한다. 제1 서브픽셀(SPn1)은 적색 서브픽셀일 수 있다. Refer to the cross section of the light emitting area of the first subpixel SPn1 shown in FIG. 7. The first subpixel SPn1 may be a red subpixel.
기판(SUB1) 상에 버퍼층(BUF), 층간 절연막(ILD)이 순차적으로 배치되고, 그 위에 전원 라인(EVDD)과 제1 데이터 라인(DL1)이 배치된다. 전원 라인(EVDD)과 제1 데이터 라인(DL1) 상에 패시베이션막(PAS)이 배치되고, 패시베이션막(PAS) 상에 적색의 컬러필터(CF)가 배치된다. 적색의 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 배치되고, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 배치된다. 제1 전극(ANO) 상에는 발광영역을 정의하는 뱅크층(BNK)이 배치된다. 뱅크층(BNK) 상에 발광층(EML)이 배치되고 발광층(EML) 상에 제2 전극(CAT)이 배치된다. A buffer layer (BUF) and an interlayer insulating layer (ILD) are sequentially disposed on the substrate SUB1, and a power line EVDD and a first data line DL1 are disposed thereon. A passivation film (PAS) is disposed on the power line (EVDD) and the first data line (DL1), and a red color filter (CF) is disposed on the passivation film (PAS). An overcoat layer (OC) is disposed on the red color filter (CF), and a first electrode (ANO) is disposed on the overcoat layer (OC). A bank layer (BNK) defining a light emitting area is disposed on the first electrode (ANO). A light emitting layer (EML) is disposed on the bank layer (BNK) and a second electrode (CAT) is disposed on the light emitting layer (EML).
발광층(EML)은 전체 표시영역에 형성되어, 광을 발광하는 발광층 외에 전자와 정공의 결합을 용이하게 해주는 여러가지 기능층들 예를 들어 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층들을 포함한다. 유기발광 다이오드에서 광이 발광하는 영역은 제1 전극(ANO)과 발광층(EML)이 컨택하면서 발광층(EML)이 제2 전극(CAT)과 컨택하는 영역이다. 그러나 상기 기능층들 중 어느 하나에는 리튬(Li)과 같은 금속 이온이 포함되어 금속 이온을 통해 전류가 전달되어 발광영역 외의 영역에서도 원치않는 발광이 이루어져 빛샘이 발생하게 된다. 따라서, 인접한 서브픽셀 간의 빛샘으로 인해 표시품질이 저하될 수 있다. 이하, 전술한 서브픽셀 간의 빛샘을 방지하기 위한 표시장치를 개시한다.The light emitting layer (EML) is formed over the entire display area and includes, in addition to the light emitting layer that emits light, various functional layers that facilitate the combination of electrons and holes, such as a hole injection layer, hole transport layer, electron transport layer, and electron injection layer. . The area where light is emitted in the organic light emitting diode is the area where the first electrode (ANO) and the light emitting layer (EML) are in contact with the light emitting layer (EML) and the second electrode (CAT). However, one of the functional layers contains a metal ion such as lithium (Li), and current is transmitted through the metal ion, causing unwanted light emission in areas other than the light-emitting area, resulting in light leakage. Therefore, display quality may deteriorate due to light leakage between adjacent subpixels. Hereinafter, a display device for preventing light leakage between the above-described subpixels is disclosed.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면이고, 도 9는 도 8의 절취선 B-B'에 따라 절취한 단면도이며, 도 10은 본 발명의 컬러필터를 나타낸 단면도이고, 도 11은 본 발명의 컬러필터를 나타낸 광학이미지이며, 도 12는 도 8의 절취선 C-C'에 따라 절취한 단면도이다. 도 8은 전술한 도 6에서 절취선만 달리 표시한 평면도이므로, 그 설명을 생략하기로 한다. FIG. 8 is a diagram showing a planar layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention, FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 8, and FIG. 10 is a diagram showing the plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention. is a cross-sectional view showing the color filter, Figure 11 is an optical image showing the color filter of the present invention, and Figure 12 is a cross-sectional view taken along the cutting line C-C' of Figure 8. Since FIG. 8 is a plan view with only the perforated lines displayed differently from the above-described FIG. 6, its description will be omitted.
도 8의 절취선 B-B'에 따라 절취한 도 9를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 대해 설명하면 다음과 같다. The second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 9 cut along the cutting line B-B' of FIG. 8 as follows.
도 9에 도시된 바와 같이, 기판(SUB1) 상에 광차단층(LS)이 위치한다. 광차단층(LS)은 외부의 광이 입사되는 것을 차단하여 박막트랜지스터에서 광전류가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 광차단층(LS)은 광흡수율과 도전성이 우수한 MoTi로 이루어질 수 있다. 광차단층(LS)과 이격되어 전원 연결라인(EVDDC)이 위치한다.As shown in FIG. 9, the light blocking layer LS is located on the substrate SUB1. The light blocking layer (LS) blocks external light from entering and prevents photocurrent from occurring in the thin film transistor. The light blocking layer (LS) may be made of MoTi, which has excellent light absorption and conductivity. The power connection line (EVDDC) is located away from the light blocking layer (LS).
광차단층(LS)과 전원 연결라인(EVDDC) 상에 버퍼층(BUF)이 위치한다. 버퍼층(BUF)은 광차단층(LS)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 박막트랜지스터를 보호하는 역할을 한다. 버퍼층(BUF)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.A buffer layer (BUF) is located on the light blocking layer (LS) and the power connection line (EVDDC). The buffer layer (BUF) serves to protect the thin film transistor formed in the subsequent process from impurities such as alkali ions leaking from the light blocking layer (LS). The buffer layer (BUF) may be silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof.
버퍼층(BUF) 상에 반도체층(ACT)이 위치한다. 반도체층(ACT)은 실리콘 반도체나 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 실리콘 반도체는 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서, 다결정 실리콘은 이동도가 높아(100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 구동 소자용 게이트 드라이버 및/또는 멀티플렉서(MUX)에 적용하거나 화소 내 구동 TFT에 적용할 수 있다. 한편, 산화물 반도체는 오프-전류가 낮으므로, 온(On) 시간이 짧고 오프(Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 TFT에 적합하다. 또한, 오프 전류가 작으므로 화소의 전압 유지 기간이 길어서 저속 구동 및/또는 저 소비 전력을 요구하는 표시장치에 적합하다. 또한, 반도체층(ACT)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 드레인 영역 및 소스 영역을 포함하고 이들 사이에 채널을 포함한다. The semiconductor layer (ACT) is located on the buffer layer (BUF). The semiconductor layer (ACT) may be made of a silicon semiconductor or an oxide semiconductor. Silicon semiconductors may include amorphous silicon or crystallized polycrystalline silicon. Here, polycrystalline silicon has high mobility (over 100㎠/Vs), low energy consumption and excellent reliability, so it can be applied to gate drivers and/or multiplexers (MUX) for driving elements or to driving TFTs within pixels. there is. Meanwhile, oxide semiconductors have low off-current, so they are suitable for switching TFTs that have a short on time and a long off time. In addition, since the off-current is small, the pixel voltage maintenance period is long, making it suitable for display devices that require low-speed driving and/or low power consumption. Additionally, the semiconductor layer ACT includes a drain region and a source region containing p-type or n-type impurities, and includes a channel between them.
반도체층(ACT) 상에 게이트 절연막(GI)이 위치한다. 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 기판 전체에 형성될 수도 있으나 도 9와 같이 반도체층(ACT)의 일부에만 패턴되어 형성될 수도 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 상기 반도체층(ACT)의 일정 영역, 즉 불순물이 주입되었을 경우의 채널과 대응되는 위치에 게이트 전극(GAT)이 위치한다. 게이트 전극(GAT)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 형성된다. 또한, 게이트 전극(GAT)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(GAT)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다. A gate insulating layer (GI) is located on the semiconductor layer (ACT). The gate insulating film (GI) may be silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof. The gate insulating film GI may be formed on the entire substrate, but may also be formed by patterning only a portion of the semiconductor layer ACT, as shown in FIG. 9. A gate electrode (GAT) is located on the gate insulating film (GI) in a certain area of the semiconductor layer (ACT), that is, at a position corresponding to a channel where impurities are injected. The gate electrode (GAT) is selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It is formed from any one or an alloy thereof. In addition, the gate electrode (GAT) is a group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It may be a multi-layer made of any one selected from or an alloy thereof. For example, the gate electrode (GAT) may be a double layer of molybdenum/aluminum-neodymium or molybdenum/aluminum.
게이트 전극(GAT) 상에 게이트 전극(GAT)을 절연시키는 층간 절연막(ILD)이 위치한다. 층간 절연막(ILD)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 층간 절연막(ILD) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 위치한다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 반도체층(ACT)의 소스/드레인 영역을 각각 노출하는 콘택홀을 통해 반도체층(ACT)에 연결된다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 티타늄/알루미늄/티타늄, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다. 따라서, 반도체층(ACT), 게이트 전극(GAT), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 구동 트랜지스터(DR)가 구성된다. An interlayer dielectric (ILD) that insulates the gate electrode (GAT) is located on the gate electrode (GAT). The interlayer insulating layer (ILD) may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof. A source electrode (SE) and a drain electrode (DE) are located on the interlayer insulating layer (ILD). The source electrode (SE) and drain electrode (DE) are connected to the semiconductor layer (ACT) through contact holes that respectively expose the source/drain regions of the semiconductor layer (ACT). The source electrode (SE) and drain electrode (DE) may be made of a single layer or multiple layers. When the source electrode (SE) and drain electrode (DE) are a single layer, molybdenum (Mo), aluminum (Al), or chromium It may be made of any one selected from the group consisting of (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof. In addition, when the source electrode (SE) and drain electrode (DE) are multilayers, a double layer of molybdenum/aluminum-neodymium, a triple layer of titanium/aluminum/titanium, molybdenum/aluminum/molybdenum, or molybdenum/aluminum-neodymium/molybdenum. It can be done. Accordingly, the driving transistor DR is configured including a semiconductor layer (ACT), a gate electrode (GAT), a source electrode (SE), and a drain electrode (DE).
구동 트랜지스터(DR)를 포함하는 기판(SUB1) 상에 패시베이션막(PAS)이 위치한다. 패시베이션막(PAS)은 하부의 소자를 보호하는 절연막으로, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 패시베이션막(PAS) 상에 컬러필터(CF)가 위치한다. 본 발명의 컬러필터(CF)는 발광층에서 발광하는 백색의 광의 색을 변환시키는 것으로, 도 9에 도시된 컬러필터(CF)는 적색 컬러필터일 수 있다. A passivation film (PAS) is located on the substrate (SUB1) including the driving transistor (DR). The passivation film (PAS) is an insulating film that protects the underlying device and may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multiple layer thereof. A color filter (CF) is located on the passivation film (PAS). The color filter (CF) of the present invention converts the color of white light emitted from the light emitting layer, and the color filter (CF) shown in FIG. 9 may be a red color filter.
도 10을 참조하면, 본 발명의 컬러필터(CF)는 상부가 역테이퍼를 이루는 형상으로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 컬러필터(CF)는 하부에 정테이퍼의 제1 테이퍼각(θ1)을 가지고, 상부에 역테이퍼의 제2 테이퍼각(θ2)을 가지는 형상으로 이루어진다. 정테이퍼의 제1 테이퍼각(θ1)은 70 내지 90도의 각도를 이루어 컬러필터의 형상을 유지하고 하부의 패시베이션막(PAS)과의 접착력을 유지할 수 있다. 상부의 역테이퍼각(θ2)은 30 내지 60도의 각도로 이루어진다. 여기서, 역테이퍼각(θ2)이 30도 이상이면 역테이퍼 형상을 유지하고 상부에 형성되는 제1 전극이 단락되는 것을 방지할 수 있고, 역테이퍼각(θ2)이 60도 이하이면 상부에 형성되는 발광층이 연속적으로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 컬러필터(CF)의 역테이퍼는 컬러필터(CF)의 전체 둘레에 형성되어 컬러필터(CF) 상부에 형성되는 발광층을 완전히 단락시킬 수 있다.Referring to FIG. 10, the color filter (CF) of the present invention may be formed in a reverse-tapered upper part. Specifically, the color filter CF has a shape that has a first taper angle θ1 of a positive taper at the bottom and a second taper angle θ2 of an inverse taper at the top. The first taper angle θ1 of the regular taper is 70 to 90 degrees, so that the shape of the color filter can be maintained and adhesion to the lower passivation film (PAS) can be maintained. The upper reverse taper angle (θ2) is comprised of an angle of 30 to 60 degrees. Here, if the reverse taper angle (θ2) is 30 degrees or more, the reverse taper shape can be maintained and the first electrode formed at the top can be prevented from short-circuiting, and if the reverse taper angle (θ2) is 60 degrees or less, the first electrode formed at the top can be prevented from being short-circuited. It is possible to prevent the light emitting layer from being continuously connected. The reverse taper of the color filter (CF) is formed around the entire circumference of the color filter (CF) and can completely short-circuit the light emitting layer formed on the top of the color filter (CF).
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 컬러필터(CF)는 포토레지스트(PR)를 이용한 노광 기법으로 역테이퍼의 제2 테이퍼각(θ2)을 가지는 형상으로 제조될 수 있다. As shown in FIG. 11, the color filter (CF) of the present invention can be manufactured into a shape having a reverse taper second taper angle (θ2) using an exposure technique using photoresist (PR).
본 발명의 컬러필터(CF)는 상부가 역테이퍼를 이루도록 형성함으로써, 컬러필터(CF) 상부에 형성되는 발광층을 단락시킬 수 있다. 전술한 것처럼, 발광층(EML)은 발광영역 외의 영역에서 발광되면 빛샘이 발생한다. 따라서, 본 발명에서는 컬러필터(CF)의 상부가 역테이퍼를 이루도록 형성함으로써, 컬러필터(CF)를 둘러싸는 영역에서 발광층(EML)을 단락시켜 컬러필터(CF)에 대응되는 발광영역에서만 발광이 이루어지도록 할 수 있다. 이에 따라, 컬러필터(CF) 상부에 배치된 발광층(EML)에서만 발광이 이루어지도록 함으로써, 발광영역 외의 비발광영역에서 발광이 이루어지는 빛샘을 방지할 수 있다.The color filter (CF) of the present invention is formed to have an inverse taper at the top, so that the light emitting layer formed on the top of the color filter (CF) can be short-circuited. As described above, light leakage occurs when the light emitting layer (EML) emits light in an area other than the light emitting area. Therefore, in the present invention, by forming the upper part of the color filter (CF) to form a reverse taper, the light emitting layer (EML) is short-circuited in the area surrounding the color filter (CF), so that light is emitted only in the light emitting area corresponding to the color filter (CF). It can be done. Accordingly, by allowing light to be emitted only from the light-emitting layer (EML) disposed on the color filter (CF), light leakage in which light is emitted in a non-emission area other than the light-emitting area can be prevented.
다시, 도 9를 참조하면, 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 위치한다. 오버코트층(OC)은 하부 구조의 단차를 완화시키기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 오버코트층(OC)은 상기 유기물을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 SOG(spin on glass)와 같은 방법으로 형성될 수 있다. 오버코트층(OC)의 일부 영역에는 패시베이션막(PAS)을 노출하여 소스 전극(SE)을 노출시키는 비아홀(VIA)이 위치한다. Referring again to FIG. 9, the overcoat layer (OC) is located on the color filter (CF). The overcoat layer (OC) may be a flattening film to alleviate steps in the lower structure, and is made of organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, and acrylate. The overcoat layer (OC) can be formed in a method such as SOG (spin on glass) in which the organic material is coated in a liquid form and then cured. A via hole (VIA) that exposes the source electrode (SE) by exposing the passivation film (PAS) is located in some areas of the overcoat layer (OC).
오버코트층(OC)은 역테이퍼 형상의 컬러필터(CF)로 인해 연속적으로 이루어지지 않고 단락되게 된다. 구체적으로, 오버코트층(OC)은 컬러필터(CF)를 포함하는 기판 상에 형성되나, 컬러필터(CF) 상부에 위치한 오버코트층(OC)과 컬러필터(CF) 주변에서 패시베이션막(PAS) 상부에 위치한 오버코트층(OC)이 서로 단락되어 형성된다. The overcoat layer (OC) is not continuous but is short-circuited due to the color filter (CF) having an inverse tapered shape. Specifically, the overcoat layer (OC) is formed on a substrate including a color filter (CF), but the overcoat layer (OC) located on top of the color filter (CF) and the top of the passivation film (PAS) around the color filter (CF) The overcoat layer (OC) located in is formed by short-circuiting each other.
오버코트층(OC) 상에 유기발광 다이오드(OLED)가 위치한다. 보다 자세하게는, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 위치한다. 제1 전극(ANO)은 화소 전극으로 작용하며, 구동 트랜지스터(DR)의 소스 전극(SE)에 연결된다. 제1 전극(ANO)은 애노드로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 등의 투명도전물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 유기발광표시장치(100)는 전면발광 구조로, 제1 전극(ANO)은 반사 전극으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 전극(ANO)은 반사층(미도시)을 더 포함한다. 반사층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 APC(은/팔라듐/구리 합금)으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(ANO)은 CVD의 증착방법에 따라 형성되기 때문에 커버리지(coverage)가 좋아 컬러필터(CF)에 의해 단락되지 않고 컬러필터(CF)를 따라 연속적으로 형성된다. An organic light emitting diode (OLED) is located on the overcoat layer (OC). More specifically, the first electrode (ANO) is located on the overcoat layer (OC). The first electrode (ANO) acts as a pixel electrode and is connected to the source electrode (SE) of the driving transistor (DR). The first electrode (ANO) is an anode and may be made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). The organic light emitting display device 100 of the present invention may have a top-emitting structure, and the first electrode (ANO) may be formed as a reflective electrode. Accordingly, the first electrode ANO further includes a reflective layer (not shown). The reflective layer may be made of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), nickel (Ni), or an alloy thereof, and is preferably made of APC (silver/palladium/copper alloy). Since the first electrode (ANO) is formed according to the CVD deposition method, it has good coverage and is formed continuously along the color filter (CF) without being short-circuited by the color filter (CF).
제1 전극(ANO) 상에 화소를 구획하는 뱅크층(BNK)이 위치한다. 뱅크층(BNK)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물로 이루어진다. 뱅크층(BNK)은 제1 전극(ANO)을 노출시키는 개구부(OP)가 위치한다. 뱅크층(BNK)은 컬러필터(CF)에 의해 단락되지 않고 컬러필터(CF)의 형상을 따라 연속적으로 형성된다. A bank layer (BNK) that partitions pixels is located on the first electrode (ANO). The bank layer (BNK) is made of organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, and acrylate. The bank layer (BNK) has an opening (OP) exposing the first electrode (ANO). The bank layer (BNK) is not short-circuited by the color filter (CF) and is formed continuously along the shape of the color filter (CF).
기판(SUB1)의 표시영역에는 제1 전극(ANO)에 컨택하는 발광층(EML)이 위치한다. 발광층(EML)은 전자와 정공이 결합하여 발광하는 층으로, 발광층(EML)과 제1 전극(ANO) 사이에 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함할 수 있으며, 발광층(EML) 상에 전자수송층 또는 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer (EML) contacting the first electrode (ANO) is located in the display area of the substrate (SUB1). The light emitting layer (EML) is a layer that emits light by combining electrons and holes, and may further include a hole injection layer or a hole transport layer between the light emitting layer (EML) and the first electrode (ANO), and an electron transport layer on the light emitting layer (EML). Alternatively, it may further include an electron injection layer.
발광층(EML)은 컬러필터(CF) 상부와 컬러필터(CF) 주변에 형성된다. 구체적으로, 발광층(EML)은 증발법(evaporation)으로 형성되므로 컬러필터(CF)가 형성된 기판 상에 전체적으로 증착되나, 컬러필터(CF)의 역테이퍼 형상으로 인해 컬러필터(CF)와 대응되는 영역과 컬러필터(CF)와 이격된 뱅크층(BNK)에 대응되는 영역에서 서로 단락되어 형성된다. 즉, 발광층(EML)은 컬러필터(CF)를 둘러싸는 영역에서 단락되어 불연속적으로 형성된다. The light emitting layer (EML) is formed on top of the color filter (CF) and around the color filter (CF). Specifically, the light emitting layer (EML) is formed by evaporation, so it is entirely deposited on the substrate on which the color filter (CF) is formed, but due to the reverse tapered shape of the color filter (CF), the area corresponding to the color filter (CF) and the color filter (CF) are formed by short-circuiting each other in a region corresponding to the bank layer (BNK) spaced apart from the color filter (CF). That is, the light emitting layer (EML) is short-circuited in the area surrounding the color filter (CF) and is formed discontinuously.
전술한 바와 같이, 본 발명은 컬러필터(CF)의 상부가 역테이퍼를 이루도록 형성함으로써, 컬러필터(CF)를 둘러싸는 영역에서 발광층(EML)을 단락시켜 컬러필터(CF)에 대응되는 발광영역에서만 발광이 이루어지도록 한다. 이에 따라, 컬러필터(CF) 상부에 배치된 발광층(EML)에서만 발광함으로써, 발광영역 외의 비발광영역에서 발광이 이루어지는 빛샘을 방지할 수 있다.As described above, the present invention forms the upper part of the color filter (CF) to form an inverse taper, thereby short-circuiting the light emitting layer (EML) in the area surrounding the color filter (CF), thereby forming the light emitting area corresponding to the color filter (CF). Ensure that light is emitted only from Accordingly, by emitting light only from the light emitting layer (EML) disposed on the color filter (CF), light leakage in which light is emitted in a non-light emitting area other than the light emitting area can be prevented.
한편, 발광층(EML) 상에 제2 전극(CAT)이 위치한다. 제2 전극(CAT)은 표시영역(AA) 전면에 위치하고, 캐소드 전극으로 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 제2 전극(CAT)은 투과 전극일 수 있으며, 광이 투과될 수 있을 정도로 얇은 두께로 이루어진다. 제2 전극(CAT)은 컬러필터(CF)에 의해 단락되지 않고 연속적으로 형성된다. Meanwhile, the second electrode (CAT) is located on the light emitting layer (EML). The second electrode (CAT) is located in front of the display area (AA), and as a cathode electrode, it may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof with a low work function. . The second electrode (CAT) may be a transmission electrode and is thin enough to allow light to pass through. The second electrode CAT is formed continuously without being short-circuited by the color filter CF.
도 8의 절취선 C-C'에 따른 단면도인 도 12를 참조하면, 기판(SUB1) 상에 버퍼층(BUF), 층간 절연막(ILD)이 순차적으로 배치되고, 그 위에 전원 라인(EVDD)과 제1 데이터 라인(DL1)이 배치된다. 전원 라인(EVDD)과 제1 데이터 라인(DL1) 상에 패시베이션막(PAS)이 배치되고, 패시베이션막(PAS) 상에 적색의 컬러필터(CF)가 배치된다. 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 배치되고, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 배치된다. 제1 전극(ANO) 상에는 발광영역을 정의하는 뱅크층(BNK)이 배치된다. 뱅크층(BNK) 상에 발광층(EML)이 배치되고 발광층(EML) 상에 제2 전극(CAT)이 배치된다. Referring to FIG. 12, which is a cross-sectional view taken along line C-C' of FIG. 8, a buffer layer (BUF) and an interlayer dielectric (ILD) are sequentially disposed on the substrate (SUB1), and the power line (EVDD) and the first A data line DL1 is disposed. A passivation film (PAS) is disposed on the power line (EVDD) and the first data line (DL1), and a red color filter (CF) is disposed on the passivation film (PAS). An overcoat layer (OC) is disposed on the color filter (CF), and a first electrode (ANO) is disposed on the overcoat layer (OC). A bank layer (BNK) defining a light emitting area is disposed on the first electrode (ANO). A light emitting layer (EML) is disposed on the bank layer (BNK) and a second electrode (CAT) is disposed on the light emitting layer (EML).
도 10에서 설명한 바와 같이, 오버코트층(OC)은 역테이퍼의 컬러필터(CF)로 인해 연속적으로 이루어지지 않고 단락되어 불연속적으로 형성된다. 구체적으로, 오버코트층(OC)은 컬러필터(CF)를 포함하는 기판 상에 형성되나, 컬러필터(CF) 상부를 덮는 오버코트층(OC)과 컬러필터(CF) 주변을 덮는 오버코트층(OC)이 서로 단락되어 형성된다. As explained in FIG. 10, the overcoat layer (OC) is not continuous due to the inverse taper color filter (CF), but is short-circuited and discontinuously formed. Specifically, the overcoat layer (OC) is formed on a substrate including a color filter (CF), but the overcoat layer (OC) covers the upper part of the color filter (CF) and the overcoat layer (OC) covers the area around the color filter (CF). They are formed by short-circuiting each other.
또한, 뱅크층(BNK)은 컬러필터(CF)에 의해 단락되지 않고 컬러필터(CF)를 따라 연속적으로 형성된다. 그리고 발광층(EML)은 컬러필터(CF) 상부와 컬러필터(CF) 주변에 형성된다. 구체적으로, 발광층(EML)은 컬러필터(CF)의 역테이퍼 형상으로 인해 컬러필터(CF) 상부와 컬러필터(CF) 주변이 서로 단락되어 형성된다. 즉, 발광층(EML)은 컬러필터(CF)를 둘러싸는 영역에서 단락되어 불연속적으로 형성된다. Additionally, the bank layer (BNK) is not short-circuited by the color filter (CF) and is formed continuously along the color filter (CF). And the light emitting layer (EML) is formed on top of the color filter (CF) and around the color filter (CF). Specifically, the light emitting layer (EML) is formed by short-circuiting the upper part of the color filter (CF) and the surrounding area of the color filter (CF) due to the reverse taper shape of the color filter (CF). That is, the light emitting layer (EML) is short-circuited in the area surrounding the color filter (CF) and is formed discontinuously.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광표시장치는 역테이퍼 형상으로 이루어진 컬러필터를 형성함으로써, 컬러필터 상부 및 주변으로 발광층을 단락시켜 컬러필터 상부의 발광영역에서만 발광이 이루어지도록 한다. 따라서, 컬러필터 상부의 발광영역 이외에서 광이 발광하여 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As described above, the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention forms a color filter with an inverted taper shape, thereby short-circuiting the light emitting layer around the top and around the color filter, so that light is emitted only in the light emitting area above the color filter. Let it be lost. Accordingly, it is possible to prevent light leakage from occurring due to light being emitted outside of the light emitting area on the upper part of the color filter.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13의 절취선 D-D'에 따라 절취한 단면도이며, 도 15는 본 발명의 다른 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 평면 레이아웃을 나타낸 도면이다. 도 13 및 도 15는 전술한 도 8에서 절취선과 오버홀만 달리 표시한 평면도이므로, 오버홀에 대한 설명만 하고 나머지 중복되는 설명은 생략하기로 한다. FIG. 13 is a diagram showing the plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line D-D' of FIG. 13, and FIG. 15 is a diagram showing the plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention. This is a diagram showing the plan layout of a subpixel of an organic light emitting display device according to another third embodiment. Since FIGS. 13 and 15 are plan views showing only the perforation line and the overhaul shown differently from the above-described FIG. 8, only the overhaul will be described and the remaining overlapping description will be omitted.
도 13을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치는 컬러필터(CF) 주변에 위치한 오버코트층(OC)에 형성된 오버홀(OH)을 구비한다. 오버홀(OH)은 컬러필터(CF)의 장변에 인접하여 각각 배치되며, 컬러필터(CF)의 장변을 따라 바(bar) 형상으로 배치될 수 있다. 오버홀(OH)은 인접한 서브픽셀들의 사이에 배치되어, 인접한 서브픽셀로의 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Referring to FIG. 13, the organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention includes an overhaul (OH) formed in the overcoat layer (OC) located around the color filter (CF). The overhaul (OH) is each arranged adjacent to the long side of the color filter (CF), and may be arranged in a bar shape along the long side of the color filter (CF). The overhaul (OH) is disposed between adjacent subpixels to prevent light leakage into adjacent subpixels.
보다 자세하게, 도 14를 참조하면, 기판(SUB1) 상에 버퍼층(BUF), 층간 절연막(ILD)이 순차적으로 배치되고, 그 위에 전원 라인(EVDD)과 제1 데이터 라인(DL1)이 배치된다. 전원 라인(EVDD)과 제1 데이터 라인(DL1) 상에 패시베이션막(PAS)이 배치되고, 패시베이션막(PAS) 상에 적색의 컬러필터(CF)가 배치된다. 컬러필터(CF) 상에 오버코트층(OC)이 배치되고, 오버코트층(OC) 상에 제1 전극(ANO)이 배치된다. 제1 전극(ANO) 상에는 발광영역을 정의하는 뱅크층(BNK)이 배치된다. 뱅크층(BNK) 상에 발광층(EML)이 배치되고 발광층(EML) 상에 제2 전극(CAT)이 배치된다. In more detail, referring to FIG. 14 , a buffer layer (BUF) and an interlayer insulating layer (ILD) are sequentially disposed on the substrate SUB1, and a power line EVDD and a first data line DL1 are disposed thereon. A passivation film (PAS) is disposed on the power line (EVDD) and the first data line (DL1), and a red color filter (CF) is disposed on the passivation film (PAS). An overcoat layer (OC) is disposed on the color filter (CF), and a first electrode (ANO) is disposed on the overcoat layer (OC). A bank layer (BNK) defining a light emitting area is disposed on the first electrode (ANO). A light emitting layer (EML) is disposed on the bank layer (BNK) and a second electrode (CAT) is disposed on the light emitting layer (EML).
본 발명의 제3 실시예에 따른 오버코트층(OC)은 컬러필터(CF)의 장변에 인접하여 형성된 오버홀(OH)을 포함한다. 오버홀(OH)은 컬러필터(CF) 상부에 오버코트층(OC)과 컬러필터(CF) 주변에 오버코트층(OC) 사이에 패시베이션막(PAS)이 노출된 영역을 의미한다. 즉, 오버홀(OH)로 인해 오버코트층(OC)은 컬러필터(CF)로부터 제1 거리(d1)만큼 수평으로 이격된다. 오버코트층(OC)과 컬러필터(CF)의 이격된 제1 거리(d1)는 최소한 오버코트층(OC)이 컬러필터(CF)와 이격되면 충분하고, 인접한 서브픽셀의 컬러필터에 접촉하지 않는 것이 바람직하다.The overcoat layer (OC) according to the third embodiment of the present invention includes an overhaul (OH) formed adjacent to the long side of the color filter (CF). Overhaul (OH) refers to the area where the passivation film (PAS) is exposed between the overcoat layer (OC) on top of the color filter (CF) and the overcoat layer (OC) around the color filter (CF). That is, due to the overhaul (OH), the overcoat layer (OC) is horizontally spaced apart from the color filter (CF) by a first distance (d1). The first distance d1 between the overcoat layer (OC) and the color filter (CF) is at least sufficient if the overcoat layer (OC) is separated from the color filter (CF) and does not contact the color filter of an adjacent subpixel. desirable.
오버홀(OH)이 형성된 오버코트층(OC) 상에 위치한 뱅크층(BNK)은 컬러필터(CF) 상부에서 제1 전극(ANO)의 가장자리를 덮으며 컬러필터(CF)를 따라 형성된다. 여기서 컬러필터(CF) 상에 형성된 뱅크층(BNK)과 패시베이션막(PAS) 상에 형성된 뱅크층(BNK) 사이는 제2 거리(d2)만큼 이격된다. 오버홀(OH)이 존재하면 오버홀(OH)로 인해 오버코트층(OC)이 컬러필터(CF)로부터 제1 거리(d1)만큼 이격되고, 이에 따라, 오버코트층(OC) 상에 형성된 뱅크층(BNK)도 그만큼 컬러필터(CF)로부터 멀어져 형성된다. 따라서, 컬러필터(CF) 상에 형성된 뱅크층(BNK)과 패시베이션막(PAS) 상에 형성된 뱅크층(BNK) 사이의 거리가 늘어나게 된다.The bank layer (BNK) located on the overcoat layer (OC) on which the overhaul (OH) is formed covers the edge of the first electrode (ANO) at the top of the color filter (CF) and is formed along the color filter (CF). Here, the bank layer (BNK) formed on the color filter (CF) and the bank layer (BNK) formed on the passivation film (PAS) are spaced apart by a second distance (d2). If an overhaul (OH) exists, the overcoat layer (OC) is spaced apart from the color filter (CF) by a first distance (d1) due to the overhaul (OH), and accordingly, the bank layer (BNK) formed on the overcoat layer (OC) ) is also formed farther away from the color filter (CF). Accordingly, the distance between the bank layer (BNK) formed on the color filter (CF) and the bank layer (BNK) formed on the passivation film (PAS) increases.
이러한 뱅크층(BNK) 상에 위치한 발광층(EML)은 컬러필터(CF)의 역테이퍼로 인해 단락된다. 그러나, 컬러필터(CF) 상에 형성된 뱅크층(BNK)과 패시베이션막(PAS) 상에 형성된 뱅크층(BNK) 사이의 제2 거리(d2)가 짧다면 발광층(EML)이 컬러필터(CF) 상부에 형성된 뱅크층(BNK)을 타고 패시베이션막(PAS) 상에 형성된 뱅크층(BNK)으로 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제3 실시예에서는 오버코트층(OC)에 오버홀(OH)을 형성함으로써, 뱅크층(BNK)의 제2 거리(d2)를 길게하여 발광층(EML)을 보다 확실하게 단락시킬 수 있다. 이에 따라, 컬러필터 상부의 발광영역 이외에서 광이 발광하여 빛샘이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The light emitting layer (EML) located on the bank layer (BNK) is short-circuited due to the reverse taper of the color filter (CF). However, if the second distance d2 between the bank layer (BNK) formed on the color filter (CF) and the bank layer (BNK) formed on the passivation film (PAS) is short, the light emitting layer (EML) is connected to the color filter (CF). It can be formed continuously with the bank layer (BNK) formed on the top and the bank layer (BNK) formed on the passivation film (PAS). Therefore, in the third embodiment of the present invention, by forming an overhaul (OH) in the overcoat layer (OC), the second distance (d2) of the bank layer (BNK) can be lengthened to more reliably short-circuit the light emitting layer (EML). there is. Accordingly, it is possible to prevent light leakage from occurring due to light being emitted outside of the light emitting area on the upper part of the color filter.
한편, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치는 도 15에 도시된 바와 같이, 컬러필터(CF)의 하나의 장변에 대해 오버홀(OH)이 복수 개로 형성될 수도 있다. 오버홀(OH)이 복수 개로 형성되어도 컬러필터(CF)가 역테이퍼 형상으로 이루어지기 때문에 오버홀(OH)이 형성되지 않은 영역에서도 발광층이 단락될 수 있다. 따라서, 본 발명의 오버홀(OH)은 복수 개로 이루어질 수 있다. 도시하지 않았지만, 본 발명의 오버홀(OH)은 컬러필터(CF)의 단변에도 위치할 수 있으며, 컬러필터(CF)를 둘러싸는 영역 어디에도 형성될 수 있다. Meanwhile, in the organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention, as shown in FIG. 15, a plurality of overhauls (OH) may be formed on one long side of the color filter (CF). Even if a plurality of overhauls (OH) are formed, the light emitting layer may be short-circuited even in areas where no overhauls (OH) are formed because the color filter (CF) is formed in a reverse taper shape. Therefore, the overhaul (OH) of the present invention may be made up of multiple pieces. Although not shown, the overhaul (OH) of the present invention may be located on a short side of the color filter (CF) and may be formed anywhere in the area surrounding the color filter (CF).
도 16a 내지 도 16e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 단면도이다. 제조방법은 전술한 도 14의 단면도에 나타난 본원 발명의 컬러필터 공정부터 도시하여 설명하였고, 제3 실시예를 예로 설명하지만 제2 실시예도 동일한 제조방법으로 제조될 수 있다.Figures 16A to 16E are cross-sectional views showing the manufacturing method of the organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention by process. The manufacturing method has been described starting from the color filter process of the present invention shown in the cross-sectional view of FIG. 14, and the third embodiment is explained as an example, but the second embodiment can also be manufactured by the same manufacturing method.
도 16a를 참조하면, 기판(SUB1) 상에 버퍼층(BUF), 층간 절연막(ILD), 전원 라인(EVDD), 제1 데이터 라인(DL1) 및 패시베이션막(PAS)을 순차적으로 형성한다. 그리고 패시베이션막(PAS)이 형성된 기판(SUB1) 상에 컬러필터 물질을 도포한 후 포토리소그래피법을 이용하여 패터닝하여 컬러필터(CF)를 형성한다. 역테이퍼 형상의 컬러필터(CF)는 노광량을 조절하는 등의 공지된 방법을 이용하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 16A, a buffer layer (BUF), an interlayer insulating layer (ILD), a power line (EVDD), a first data line (DL1), and a passivation layer (PAS) are sequentially formed on the substrate SUB1. Then, a color filter material is applied on the substrate (SUB1) on which the passivation film (PAS) is formed and then patterned using a photolithography method to form a color filter (CF). A color filter (CF) with an inverse taper shape can be formed using a known method such as adjusting the exposure amount.
이어 도 16b를 참조하면, 컬러필터(CF)가 형성된 기판(SUB1) 상에 오버코트층 물질을 도포한다. 오버코트층 물질은 컬러필터(CF)의 상부 및 컬러필터(CF) 상부로부터 단락되어 컬러필터(CF)의 하단에 접하여 형성된다. 그리고 포토리소그래피법을 이용하여, 도포된 오버코트층 물질을 패터닝하여 오버홀(OH)을 형성함으로써 오버코트층(OC)을 형성한다. 이에 따라, 오버코트층(OC)은 컬러필터(CF) 상부와, 컬러필터(CF)로부터 이격되어 컬러필터(CF) 주변에 형성됨으로써, 컬러필터(CF) 상부와 컬러필터(CF) 주변에 각각 형성된 오버코트층(OC)은 서로 단락되어 불연속적으로 형성된다.Next, referring to FIG. 16B, an overcoat layer material is applied on the substrate (SUB1) on which the color filter (CF) is formed. The overcoat layer material is formed in contact with the bottom of the color filter (CF) by being short-circuited from the top of the color filter (CF) and the top of the color filter (CF). Then, using a photolithography method, the applied overcoat layer material is patterned to form an overhaul (OH), thereby forming an overcoat layer (OC). Accordingly, the overcoat layer (OC) is formed on the top of the color filter (CF) and around the color filter (CF) at a distance from the color filter (CF), so that the overcoat layer (OC) is formed on the top of the color filter (CF) and around the color filter (CF), respectively. The formed overcoat layer (OC) is short-circuited and discontinuously formed.
다음, 도 16c를 참조하면, 오버코트층(OC)이 형성된 기판(SUB1) 상에 제1 전극 물질을 증착하고 패터닝하여 제1 전극(ANO)을 형성한다. 제1 전극(ANO)은 컬러필터(CF) 상부의 오버코트층(OC) 상에 형성된다. Next, referring to FIG. 16C, a first electrode material is deposited and patterned on the substrate SUB1 on which the overcoat layer OC is formed to form the first electrode ANO. The first electrode (ANO) is formed on the overcoat layer (OC) on the color filter (CF).
이어, 도 16d를 참조하면, 제1 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB1) 상에 뱅크층 물질을 도포하고 패터닝을 통해 제1 전극(ANO)을 노출시키는 뱅크층(BNK)을 형성한다. 뱅크층(BNK)은 컬러필터(CF) 상부의 제1 전극(ANO)의 가장자리를 덮으며 컬러필터(CF)를 따라 연속적으로 오버코트층(OC) 상부에 형성된다. Next, referring to FIG. 16D, a bank layer material is applied on the substrate SUB1 on which the first electrode ANO is formed, and a bank layer BNK is formed through patterning to expose the first electrode ANO. The bank layer (BNK) covers the edge of the first electrode (ANO) on the color filter (CF) and is continuously formed on the overcoat layer (OC) along the color filter (CF).
다음, 도 16e를 참조하면, 뱅크층(BNK)이 형성된 기판(SUB1) 상에 발광층(EML)을 증착하여 형성한다. 발광층(EML)은 증발법(evaporation)으로 형성됨으로 컬러필터(CF) 상부에 대응하는 제1 전극(ANO)과 뱅크층(BNK) 상부에 형성되고, 컬러필터(CF)의 역테이퍼 형상으로 인해 컬러필터(CF) 주변에서 단락된다. 그리고 컬러필터(CF)와 이격된 뱅크층(BNK) 상에 발광층(EML)이 형성된다. 즉, 발광층(EML)은 컬러필터(CF)로 인해 단락되어 불연속적으로 형성된다. Next, referring to FIG. 16E, the light emitting layer (EML) is deposited on the substrate (SUB1) on which the bank layer (BNK) is formed. The light emitting layer (EML) is formed by evaporation and is formed on the first electrode (ANO) and the bank layer (BNK) corresponding to the color filter (CF), and due to the reverse taper shape of the color filter (CF) There is a short circuit around the color filter (CF). Then, a light emitting layer (EML) is formed on the bank layer (BNK) spaced apart from the color filter (CF). That is, the light emitting layer (EML) is short-circuited by the color filter (CF) and is formed discontinuously.
이어, 발광층(EML)이 형성된 기판(SUB1) 상에 제2 전극(CAT)을 증착하여 형성함으로써, 본 발명의 유기발광표시장치가 제조된다.Next, the organic light emitting display device of the present invention is manufactured by depositing a second electrode (CAT) on the substrate (SUB1) on which the light emitting layer (EML) is formed.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 역테이퍼 형상으로 이루어진 컬러필터를 형성함으로써, 컬러필터를 둘러싸는 영역에서 발광층을 단락시켜 컬러필터에 대응되는 발광영역에서만 발광이 이루어지도록 할 수 있다. 이에 따라, 컬러필터 상부에 배치된 발광층에서만 발광이 이루어지도록 함으로써, 발광영역 외의 비발광영역에서 발광이 이루어지는 빛샘을 방지할 수 있다.As described above, the organic light emitting display device according to embodiments of the present invention forms a color filter having an inverted taper shape, thereby short-circuiting the light emitting layer in the area surrounding the color filter, so that light is emitted only in the light emitting area corresponding to the color filter. It can be done. Accordingly, by ensuring that light is emitted only from the light-emitting layer disposed on the upper part of the color filter, light leakage in which light is emitted in a non-emission area other than the light-emitting area can be prevented.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above can be modified by those skilled in the art in the technical field to which the present invention belongs in other specific forms without changing the technical idea or essential features of the present invention. You will understand that it can be done. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims described later rather than the detailed description above. In addition, the meaning and scope of the patent claims and all changes or modified forms derived from the equivalent concept should be construed as being included in the scope of the present invention.
PAS : 패시베이션막 OC : 오버코트층
OH : 오버홀 ANO : 제1 전극
BNK : 뱅크층 EML : 발광층
CAT : 제2 전극PAS: Passivation film OC: Overcoat layer
OH: Overhaul ANO: First electrode
BNK: Bank layer EML: Emitting layer
CAT: second electrode
Claims (10)
상기 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 패시베이션막;
상기 패시베이션막 상에 위치하며, 역테이퍼로 이루어진 컬러필터;
상기 패시베이션막 및 상기 컬러필터 상에 위치하는 오버코트층;
상기 오버코트층 상에 위치하는 제1 전극;
상기 제1 전극을 노출시키며, 상기 컬러필터 및 상기 오버코트층 상에 위치하는 뱅크층;
상기 제1 전극 및 상기 뱅크층 상에 위치하며, 상기 컬러필터와 대응되는 영역과 상기 컬러필터와 이격된 상기 뱅크층에 대응되는 영역에서 서로 단락된 발광층; 및
상기 발광층 상에 위치하고 상기 컬러필터의 역테이퍼의 측면 및 상면을 따라 연속적으로 배치되는 제2 전극을 포함하는 표시장치.Board;
a thin film transistor located on the substrate;
A passivation film located on the thin film transistor;
a color filter located on the passivation film and having an inverse taper;
an overcoat layer located on the passivation film and the color filter;
a first electrode located on the overcoat layer;
a bank layer exposing the first electrode and located on the color filter and the overcoat layer;
a light emitting layer located on the first electrode and the bank layer and shorted to each other in a region corresponding to the color filter and a region corresponding to the bank layer spaced apart from the color filter; and
A display device comprising a second electrode located on the light emitting layer and continuously disposed along a side surface and a top surface of an inverse taper of the color filter.
상기 컬러필터는 하부가 정테이퍼를 이루고 상부가 역테이퍼를 이루는 표시장치.According to claim 1,
The color filter is a display device in which the lower part has a normal taper and the upper part has a reverse taper.
상기 정테이퍼의 제1 테이퍼각은 70 내지 90도이고, 상기 역테이퍼의 제2 테이퍼각은 30 내지 60도인 표시장치.According to clause 2,
A first taper angle of the normal taper is 70 to 90 degrees, and a second taper angle of the reverse taper is 30 to 60 degrees.
상기 역테이퍼는 상기 컬러필터의 전체 둘레에 형성된 표시장치.According to claim 1,
The reverse taper is formed around the entire circumference of the color filter.
상기 오버코트층은 상기 컬러필터 상부에 위치한 오버코트층과, 상기 컬러필터 주변에서 상기 패시베이션막 상부에 위치한 오버코트층이 서로 단락된 표시장치.According to claim 1,
The overcoat layer is a display device in which an overcoat layer located on top of the color filter and an overcoat layer located on top of the passivation film around the color filter are short-circuited with each other.
상기 뱅크층은 상기 컬러필터의 형상을 따라 연속적으로 형성된 표시장치.According to claim 1,
A display device in which the bank layer is continuously formed along the shape of the color filter.
상기 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 위치하는 패시베이션막;
상기 패시베이션막 상에 위치하며, 역테이퍼로 이루어진 컬러필터;
상기 패시베이션막 및 상기 컬러필터 상에 위치하는 오버코트층;
상기 오버코트층 상에 위치하는 제1 전극;
상기 제1 전극을 노출시키며, 상기 컬러필터 및 상기 오버코트층 상에 위치하는 뱅크층;
상기 제1 전극 및 상기 뱅크층 상에 위치하며, 상기 컬러필터와 대응되는 영역과 상기 컬러필터와 이격된 상기 뱅크층에 대응되는 영역에서 서로 단락된 발광층; 및
상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
상기 오버코트층은 상기 컬러필터의 주변에서 상기 패시베이션막을 노출시키는 오버홀을 더 포함하는 표시장치.Board;
a thin film transistor located on the substrate;
A passivation film located on the thin film transistor;
a color filter located on the passivation film and having an inverse taper;
an overcoat layer located on the passivation film and the color filter;
a first electrode located on the overcoat layer;
a bank layer exposing the first electrode and located on the color filter and the overcoat layer;
a light emitting layer located on the first electrode and the bank layer and shorted to each other in a region corresponding to the color filter and a region corresponding to the bank layer spaced apart from the color filter; and
It includes a second electrode located on the light emitting layer,
The overcoat layer further includes an overhaul exposing the passivation film around the color filter.
상기 오버홀은 상기 컬러필터 상부에 형성된 오버코트층과 상기 컬러필터 주변에 형성된 오버코트층과의 사이에 상기 패시베이션막이 노출된 영역인 표시장치.According to clause 7,
The overhaul is an area where the passivation film is exposed between an overcoat layer formed on the color filter and an overcoat layer formed around the color filter.
상기 오버홀은 상기 컬러필터의 장변을 따라 바(bar) 형상으로 이루어진 표시장치.According to clause 8,
The overhaul is a display device formed in a bar shape along the long side of the color filter.
상기 오버홀은 상기 컬러필터의 하나의 장변에 대해 복수 개로 이루어진 표시장치.According to clause 9,
The display device includes a plurality of overhauls on one long side of the color filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108554A KR102623973B1 (en) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | Display Device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108554A KR102623973B1 (en) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | Display Device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200029937A KR20200029937A (en) | 2020-03-19 |
| KR102623973B1 true KR102623973B1 (en) | 2024-01-10 |
Family
ID=69957001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180108554A KR102623973B1 (en) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | Display Device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102623973B1 (en) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW420964B (en) * | 1998-02-25 | 2001-02-01 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element |
| KR101885925B1 (en) * | 2010-12-15 | 2018-08-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array substrate and liquid crystal display device comprising the same |
| KR102020805B1 (en) * | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| KR102358542B1 (en) * | 2015-07-31 | 2022-02-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode panel and organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR102458864B1 (en) * | 2015-10-16 | 2022-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| KR101857868B1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display Device |
| KR20180073065A (en) * | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device having a color filter |
-
2018
- 2018-09-11 KR KR1020180108554A patent/KR102623973B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200029937A (en) | 2020-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102584959B1 (en) | Display Device | |
| EP3503238B1 (en) | Display device | |
| CN107664862B (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| KR102651733B1 (en) | Display device | |
| US11882732B2 (en) | Display device | |
| KR102583621B1 (en) | Display Device And Method for Manufacturing Of The Same | |
| KR20180135342A (en) | Display Device And Method For Driving Of The Same | |
| JP7148482B2 (en) | Display device | |
| US10665820B2 (en) | Display device | |
| KR102460917B1 (en) | Display Device | |
| KR20190079254A (en) | Display device | |
| KR20200039263A (en) | Display Device | |
| KR102623973B1 (en) | Display Device | |
| KR102646400B1 (en) | Display Device | |
| KR20190042361A (en) | Display Device | |
| KR102652076B1 (en) | Display Device | |
| KR20210026923A (en) | Organic Light Emitting Display Device | |
| KR102590336B1 (en) | Display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |