KR20140052228A - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

Provided is an organic electroluminescence display device comprising a panel including a transistor unit and an organic light emitting device unit; a power supply unit for supplying power to the panel; a sensing wiring formed on the organic light emitting device unit; and a short detection unit for sensing whether a short between a power supply wire or an electrode formed on the panel and a sensing wire, and outputting a shutdown signal for turning off the power supply unit when the short is generated.

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device,

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.An organic electroluminescent device used in an organic electroluminescent display device is a self-luminous device in which a light emitting layer is formed between two electrodes located on a substrate. The organic light emitting display device may be a top emission type, a bottom emission type or a dual emission type depending on a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.

유기전계발광표시패널에 배치된 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터부와 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터에 연결된 하부전극, 유기 발광층 및 상부전극을 포함하는 유기 발광다이오드를 포함한다.The subpixel disposed in the organic light emitting display panel includes a transistor portion including a switching transistor, a driving transistor and a capacitor, and an organic light emitting diode including a lower electrode connected to the driving transistor included in the transistor portion, an organic light emitting layer, and an upper electrode .

유기전계발광표시패널은 유기 발광다이오드를 통해 흐르는 전류의 양에 따라 빛의 밝기가 달라진다. 유기전계발광표시패널은 액정표시패널 대비 고전류가 요구되므로, 쇼트 발생 시 서브 픽셀에 포함된 소자에 과전류가 흐르게 된다. 쇼트는 제조공정(또는 모듈공정)시, 유기전계발광표시패널에 유입된 파티클, 크랙(Crack), 패드부의 미스얼라인, 협소한 배선 레이아웃과 같은 내부 구조적 요인은 물론 정전기와 같은 외부적 요인 등으로 원인, 위치 및 대상이 다양하다.The brightness of the organic light emitting display panel varies depending on the amount of current flowing through the organic light emitting diode. Since an organic light emitting display panel requires a higher current than a liquid crystal display panel, an overcurrent flows to a device included in a sub pixel when a short circuit occurs. In the manufacturing process (or module process), a short circuit is a phenomenon in which an internal structural factor such as particles, cracks, misalignment of a pad portion, a narrow wiring layout, and the like external to the organic electroluminescent display panel The cause, location and subject vary.

한편, 쇼트가 발생하면 과전류가 패널의 내부로 유입되어 고온의 열을 발생하게 되고 패널의 서브 픽셀에 포함된 소자를 연소(burnt)시킴은 물론 이로 인한 화재를 일으킬 가능성이 매우 높은바 이를 방지할 수 있는 방안이 요구된다.On the other hand, when a short circuit occurs, an overcurrent flows into the panel to generate high-temperature heat, burnt the devices included in the sub-pixels of the panel, and there is a high possibility of causing a fire due to the burnt It is necessary to take measures.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 전원 또는 전극 간의 쇼트나 과전류 발생 여부를 검출하여 소자의 국부적인 연소(burnt)가 전면으로 확산되어 화재로 이어질 수 있는 가능성을 제거할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.The present invention for solving the above-mentioned problems of the background art is to provide an organic electroluminescent device capable of detecting the occurrence of a short circuit or an overcurrent between a power source or an electrode to eliminate the possibility that a local burnt of the device spreads to the front, And an electroluminescent display device.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 트랜지스터부와 유기발광소자부를 포함하는 패널; 패널에 전원을 공급하는 전원공급부; 유기발광소자부에 형성된 센싱배선; 및 센싱배선과 패널에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 전원공급부를 턴오프 시키는 셧다운 신호를 출력하는 쇼트검출부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a panel including a transistor portion and an organic light emitting element portion. A power supply unit for supplying power to the panel; A sensing wiring formed in the organic light emitting element portion; And a short detection part for sensing whether a short circuit occurs between the sensing wiring and the electrode or power supply wiring formed on the panel and outputting a shutdown signal for turning off the power supply part when a short is generated.

센싱배선은 유기발광소자부의 하부전극과 동일한 층에 구분되어 형성될 수 있다.The sensing wiring may be formed in the same layer as the lower electrode of the organic light emitting element portion.

센싱배선은 패널의 X축방향, Y축방향 또는 X축 및 Y축방향으로 배열될 수 있다.The sensing wiring can be arranged in the X-axis direction, the Y-axis direction, or the X-axis and Y-axis directions of the panel.

쇼트검출부는 센싱배선에 센싱신호를 공급하고 센싱하며, 센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 셧다운 신호를 출력할 수 있다.The short detection unit supplies a sensing signal to the sensing wiring and senses the sensing signal. When a change amount is generated in the sensing signal, the short detection unit can determine a short and output a shutdown signal.

다른 측면에서 본 발명은 트랜지스터부와 유기발광소자부를 포함하는 패널; 패널에 전원을 공급하는 전원공급부; 유기발광소자부 상에 형성된 센싱배선; 및 센싱배선을 통해 패널에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트에 따른 발열 여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 전원공급부를 턴오프 시키는 셧다운 신호를 출력하는 쇼트검출부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a panel comprising a transistor portion and an organic light emitting element portion; A power supply unit for supplying power to the panel; A sensing wiring formed on the organic light emitting element portion; And a short detection unit for sensing whether heat is generated due to a short circuit between electrodes or power supply wiring formed on the panel through the sensing wiring and outputting a shutdown signal for turning off the power supply unit when a short is generated.

센싱배선은 유기발광소자부의 상부전극 상에 위치하는 유기물층과, 유기물층 상에 위치하는 금속층을 포함할 수 있다.The sensing wiring may include an organic material layer positioned on the upper electrode of the organic light emitting element portion and a metal layer located on the organic material layer.

쇼트검출부는 금속층에 센싱신호를 공급하고 센싱하며, 패널의 쇼트발생시 발열에 의해 유기물층이 용융되어 센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 셧다운 신호를 출력할 수 있다.The short detection unit supplies and senses a sensing signal to the metal layer, and when the organic material layer melts due to heat generation when a panel is short-circuited and a change amount is generated in the sensing signal, the short detection unit can output a shutdown signal.

또 다른 측면에서 본 발명은 트랜지스터부와 유기발광소자부를 포함하는 패널; 패널에 전원을 공급하는 전원공급부; 패널의 비표시면에 해당하는 기판의 전면에 형성된 센싱배선; 및 센싱배선을 통해 패널에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트에 따른 발열 여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 전원공급부를 턴오프 시키는 셧다운 신호를 출력하는 쇼트검출부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a panel including a transistor portion and an organic light emitting element portion. A power supply unit for supplying power to the panel; A sensing wiring formed on a front surface of the substrate corresponding to a non-display surface of the panel; And a short detection unit for sensing whether heat is generated due to a short circuit between electrodes or power supply wiring formed on the panel through the sensing wiring and outputting a shutdown signal for turning off the power supply unit when a short is generated.

센싱배선은 유기발광소자부와 마주보지 않는 기판의 외부표면 또는 유기발광소자와 마주보는 기판의 내부표면에 위치할 수 있다.The sensing wiring may be located on the outer surface of the substrate not facing the organic light emitting element portion or on the inner surface of the substrate facing the organic light emitting element.

센싱배선은 제1금속층, 유기물층 및 제2금속층으로 이루어지고, 유기물층은 패널의 쇼트발생시 발열에 의해 용융되는 재료로 이루어질 수 있다.The sensing wiring may be composed of a first metal layer, an organic material layer, and a second metal layer, and the organic material layer may be made of a material that melts by generation of heat when a panel is short-circuited.

쇼트검출부는 제1금속층 및 제2금속층에 서로 다른 제1 및 제2센싱신호를 공급하고 센싱하며, 패널의 쇼트발생시 발열에 의해 유기물층이 용융되어 제1 및 제2센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 셧다운 신호를 출력할 수 있다.The short detection unit supplies and senses different first and second sensing signals to the first metal layer and the second metal layer. When a change amount is generated in the first and second sensing signals due to melting of the organic layer due to heat generation when a short- And output a shutdown signal.

본 발명은 전원 또는 전극 간의 쇼트나 과전류 발생 여부를 검출할 수 있는 패널의 구조 및 회로 구조를 이용하여 소자의 국부적인 연소가 전면으로 확산되어 화재로 이어질 수 있는 가능성을 제거할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.The present invention relates to an organic electroluminescent display device capable of detecting the occurrence of a short circuit or an overcurrent between a power source or an electrode and using a structure and a circuit structure of the panel to eliminate the possibility that the local combustion of the device is spread to the front, There is an effect of providing a display device.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도.
도 2는 서브 픽셀의 회로 구성 예시도.
도 3 내지 도 5는 패널에 형성된 센싱배선의 다양한 예시도.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 센싱배선의 구조를 설명하기 위한 단면 예시도.
도 8은 센싱배선에 공급되는 신호의 예시도.
도 9는 쇼트 발생시 전원공급부의 출력 상태를 설명하기 위한 도면.
도 10은 타이밍제어부에 쇼트검출부가 포함된 예를 설명하기 위한 도면.
도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 센싱배선의 구조를 설명하기 위한 단면 예시도.
도 12는 도 11에 도시된 센싱배선을 평면 상에 나타낸 도면.
도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 센싱배선의 구조를 설명하기 위한 단면 예시도.
도 14는 도 13에 도시된 센싱배선을 평면 상에 나타낸 도면.
도 15는 센싱배선에 공급되는 신호의 예시도.
1 is a schematic view of an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention;
Fig. 2 is an exemplary circuit configuration of a subpixel. Fig.
Figs. 3 to 5 are various examples of the sensing wiring formed on the panel. Fig.
6 and 7 are cross-sectional exemplary views for explaining a structure of a sensing wiring according to a first embodiment of the present invention;
8 is an exemplary view of a signal supplied to the sensing wiring;
9 is a diagram for explaining an output state of a power supply unit when a short occurs.
10 is a diagram for explaining an example in which the timing control section includes a short detection section;
11 is a cross-sectional exemplary view for explaining a structure of a sensing wiring according to a second embodiment of the present invention.
12 is a plan view of the sensing wiring shown in Fig. 11. Fig.
13 is a cross-sectional exemplary view for explaining a structure of a sensing wiring according to a third embodiment of the present invention.
Fig. 14 is a plan view of the sensing wiring shown in Fig. 13. Fig.
15 is an exemplary view of a signal supplied to the sensing wiring;

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 서브 픽셀의 회로 구성 예시도 이며, 도 3 내지 도 5는 패널에 형성된 센싱배선의 다양한 예시도 이다.FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an organic light emitting display according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram of a subpixel. FIGS. 3 to 5 show various examples .

도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치에는 영상처리부(120), 전원공급부(125), 타이밍제어부(130), 데이터구동부(150), 스캔구동부(140), 패널(160) 및 쇼트검출부(170)가 포함된다.1 to 5, an organic light emitting display according to a first exemplary embodiment of the present invention includes an image processing unit 120, a power supply unit 125, a timing control unit 130, a data driving unit 150, A scan driver 140, a panel 160, and a short detection unit 170 are included.

영상처리부(120)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK) 및 데이터신호(DATA)를 타이밍제어부(130)에 공급한다. 영상처리부(120)는 시스템보드(110)에 형성된다.The image processing unit 120 supplies the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the data enable signal DE, the clock signal CLK and the data signal DATA to the timing control unit 130 do. The image processing unit 120 is formed on the system board 110.

타이밍제어부(130)는 영상처리부(120)로부터 공급된 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK) 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터구동부(150)와 스캔구동부(140)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍제어부(130)는 1 수평기간의 데이터 인에이블 신호(DE)를 카운트하여 프레임기간을 판단할 수 있으므로 외부로부터 공급되는 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 타이밍제어부(130)에서 생성되는 제어신호들에는 스캔구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(150)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)가 포함된다. 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에는 게이트 스타트 펄스, 게이트 시프트 클럭, 게이트 출력 인에이블신호 등이 포함된다. 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에는 소스 스타트 펄스, 소스 샘플링 클럭, 소스 출력 인에이블신호 등이 포함된다.The timing controller 130 uses a timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE and a clock signal CLK supplied from the image processing unit 120 And controls the operation timings of the data driver 150 and the scan driver 140. The timing controller 130 can determine the frame period by counting the data enable signal DE in one horizontal period so that the vertical synchronization signal Vsync and the horizontal synchronization signal Hsync supplied from the outside can be omitted. The control signals generated by the timing controller 130 include a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 150. [ ). The gate timing control signal GDC includes a gate start pulse, a gate shift clock, a gate output enable signal, and the like. The data timing control signal DDC includes a source start pulse, a source sampling clock, a source output enable signal, and the like.

스캔구동부(140)는 타이밍제어부(130)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트 구동전압의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 순차적으로 생성한다. 스캔구동부(140)는 패널(160)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 연결된 스캔라인들(GL)을 통해 스캔신호를 공급한다.The scan driver 140 sequentially generates a scan signal while shifting the level of the gate driving voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 130. The scan driver 140 supplies the scan signals through the scan lines GL connected to the sub-pixels SP included in the panel 160.

데이터구동부(150)는 타이밍제어부(130)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍제어부(130)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환한다. 데이터구동부(150)는 데이터신호(DATA)를 감마 기준전압으로 변환한다. 데이터구동부(150)는 패널(160)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 연결된 데이터라인들(DL)을 통해 데이터신호(DATA)를 공급한다.The data driver 150 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 130 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 130 and converts the sampled data signal into data of a parallel data system . The data driver 150 converts the data signal DATA into a gamma reference voltage. The data driver 150 supplies the data signal DATA through the data lines DL connected to the sub-pixels SP included in the panel 160.

패널(160)은 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀들(SP)을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)에는 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀이 포함되고 경우에 따라 백색 서브 픽셀이 포함되기도 한다. 한편, 백색 서브 픽셀이 포함된 패널(160)은 각 서브 픽셀들(SP)의 발광층이 적색, 녹색 및 청색을 발광하지 않고 백색을 발광할 수 있다. 이 경우, 백색으로 발광된 광은 RGB 컬러필터에 의해 적색, 녹색 및 청색으로 변환된다.The panel 160 includes sub-pixels SP arranged in a matrix form. The subpixels SP include red subpixels, green subpixels, and blue subpixels, and occasionally white subpixels. On the other hand, the panel 160 including the white subpixels can emit white light without emitting red, green, and blue light emission layers of the respective subpixels SP. In this case, the light emitted in white is converted into red, green and blue by the RGB color filter.

한편, 패널(160)에 포함된 서브 픽셀의 예를 들면 다음의 도 2와 같이 구성될 수 있다. 하나의 서브 픽셀에는 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst), 보상회로(CC) 및 유기 발광다이오드(D)가 포함된다. 스위칭 트랜지스터(SW)는 제1스캔라인(GL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1데이터라인(DL1)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. 구동 트랜지스터(DR)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 따라 제1전원배선(VDD)과 그라운드배선(GND) 사이로 구동 전류가 흐르도록 동작한다. 보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DR)의 문턱전압 등을 보상한다. 보상회로(CC)는 하나 이상의 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로(CC)의 구성은 매우 다양한바 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다. 유기 발광다이오드(D)는 구동 트랜지스터(DR)에 의해 형성된 구동 전류에 따라 빛을 발광하도록 동작한다.For example, the sub-pixels included in the panel 160 may be configured as shown in FIG. One subpixel includes a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor Cst, a compensation circuit CC, and an organic light emitting diode D. The switching transistor SW is operated so that a data signal supplied through the first data line DL1 is stored as a data voltage in the capacitor Cst in response to a scan signal supplied through the first scan line GL1. The driving transistor DR operates so that the driving current flows between the first power supply line VDD and the ground line GND in accordance with the data voltage stored in the capacitor Cst. The compensation circuit CC compensates the threshold voltage of the driving transistor DR and the like. The compensation circuit CC consists of one or more transistors and a capacitor. The configuration of the compensation circuit (CC) is very various, and a detailed illustration and description thereof are omitted. The organic light emitting diode D operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor DR.

하나의 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터(SW), 구동 트랜지스터(DR), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(D)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성된다. 그러나 보상회로(CC)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C 등으로 구성된다. 위와 같은 구성을 갖는 서브 픽셀은 구조에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성된다.One subpixel is composed of a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor SW, a driving transistor DR, a capacitor Cst and an organic light emitting diode D. However, when the compensation circuit (CC) is added, it is composed of 3T1C, 4T2C, 5T2C, and the like. The subpixels having the above-described structure may be formed by a top emission method, a bottom emission method, or a dual emission method according to the structure.

한편, 패널(160)에는 도 3 내지 도 5와 같이 센싱배선(180)이 형성된다. 센싱배선(180)은 스트라이프 형태(도 3, 도 4) 또는 매쉬 형태(도 5)로 배선된다. 구체적으로 설명하면 다음과 같다.On the other hand, in the panel 160, a sensing wiring 180 is formed as shown in FIGS. The sensing wiring 180 is wired in a stripe shape (FIGS. 3 and 4) or a mesh shape (FIG. 5). Specifically, it is as follows.

센싱배선(180)은 도 3과 같이 패널(160)의 Y축방향으로 배선된다. 센싱배선(180)은 서브 픽셀들(SP) 간의 이격 공간을 지나도록 데이터라인과 동일한 방향으로 배열된다. 센싱배선(180)은 도 4와 같이 패널(160)의 X축방향으로 배선된다. 센싱배선(180)은 서브 픽셀들(SP) 간의 이격 공간을 지나도록 스캔라인과 동일한 방향으로 배열된다. 센싱배선(180)은 도 5와 같이 패널(160)의 X축 및 Y축방향으로 배선된다. 센싱배선(180)은 서브 픽셀들(SP) 간의 이격 공간을 지나도록 데이터라인 및 스캔라인과 동일한 방향으로 배열된다.The sensing wiring 180 is wired in the Y-axis direction of the panel 160 as shown in Fig. The sensing wiring 180 is arranged in the same direction as the data lines so as to pass through the spacing space between the sub-pixels SP. The sensing wiring 180 is wired in the X axis direction of the panel 160 as shown in Fig. The sensing wiring 180 is arranged in the same direction as the scan line so as to pass the space between the sub pixels SP. The sensing wiring 180 is wired in the X-axis and Y-axis directions of the panel 160 as shown in Fig. The sensing wiring 180 is arranged in the same direction as the data lines and the scan lines so as to pass the space between the subpixels SP.

전원공급부(125)는 외부로부터 공급된 외부전압을 변환하여 제1전위전압(예컨대 20V 수준), 제2전위전압(예컨대 3.3V 수준) 및 저전위전압(예컨대 0V 수준) 등을 출력한다. 제1전위전압은 제1전원배선(VDD)에 공급되는 전압이고, 제2전위전압은 제2전원배선(VCC)에 공급되는 전압이며, 저전위전압은 그라운드배선(GND)에 공급되는 전압이다. 전원공급부(125)는 영상처리부(120)와 함께 시스템보드(110)에 형성된다. 전원공급부(125)로부터 출력된 전원은 영상처리부(120), 타이밍제어부(130), 데이터구동부(150), 스캔구동부(140) 및 패널(160)에 이용된다.The power supply unit 125 converts an external voltage supplied from the outside to output a first potential voltage (e.g., 20V level), a second potential voltage (e.g., 3.3V level), and a low potential voltage (e.g. The first potential voltage is a voltage supplied to the first power supply line VDD, the second potential voltage is a voltage supplied to the second power supply line VCC, and the low potential voltage is a voltage supplied to the ground line GND . The power supply unit 125 is formed on the system board 110 together with the image processing unit 120. The power supplied from the power supply unit 125 is used in the image processing unit 120, the timing control unit 130, the data driving unit 150, the scan driving unit 140, and the panel 160.

쇼트검출부(170)는 패널(160)에 형성된 센싱배선(180)과 패널(160)에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 전원공급부(125)를 턴오프 시키는 셧다운 신호(SDS)를 출력한다.The short detection unit 170 senses whether the sensing wiring 180 formed on the panel 160 is short-circuited between an electrode or a power supply wiring formed on the panel 160 and outputs a shutdown signal SDS ).

한편, 패널(160)은 고전류에 의해 구동되므로, 쇼트가 발생하면 과전류가 패널(160)의 내부로 유입되어 고온의 열을 발생하게 되고 패널(160)의 서브 픽셀에 포함된 소자를 연소(burnt)시킴은 물론 이로 인한 화재를 일으키기도 한다.Since the panel 160 is driven by a high current, when a short circuit occurs, an overcurrent flows into the panel 160 to generate heat at a high temperature. When a device included in the sub-pixel of the panel 160 is burnt ), As well as a fire caused by this.

쇼트는 제조공정(또는 모듈공정)시, 패널(160)에 유입된 파티클, 크랙(Crack), 패드부의 미스얼라인, 협소한 배선 레이아웃과 같은 내부 구조적 요인은 물론 정전기와 같은 외부적 요인 등으로 원인, 위치 및 대상이 다양하다.The short circuit is caused by external factors such as static electricity as well as internal structural factors such as particles introduced into the panel 160, cracks, misalignment of the pad portions, narrow wiring layout, etc. during the manufacturing process The cause, location and subject vary.

따라서, 쇼트검출부(170)는 이러한 문제를 사전에 차단하여 패널(160) 등에 화재가 발생할 가능성을 방지할 수 있도록 전원공급부(125)를 제어하여 한다. 이를 위해, 쇼트검출부(170)는 패널(160)에 형성된 센싱배선(180)을 이용하는데, 이에 대한 구체적인 설명은 다음과 같다.Therefore, the short detection unit 170 controls the power supply unit 125 to prevent the occurrence of a fire in the panel 160 or the like by preventing this problem in advance. To this end, the short detection unit 170 uses the sensing wiring 180 formed on the panel 160, which will be described in detail as follows.

도 6 및 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 센싱배선의 구조를 설명하기 위한 단면 예시도 이다.FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views for explaining the structure of the sensing wiring according to the first embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 패널은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀을 포함한다. 패널을 구성하는 제1기판(160a) 상에는 트랜지스터부(TFT) 및 유기발광소자부(OLED)가 형성된다. 트랜지스터부(TFT)에는 제1기판(160a) 상에 위치하는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터 및 보상회로 등이 포함된다. 유기발광소자부(OLED)에는 하부전극, 센싱배선, 유기 발광층, 뱅크층 및 상부전극 등이 포함된다. 이하, 트랜지스터부(TFT) 상에 위치하는 구성에 대해 더욱 자세히 설명한다.The panel shown in Fig. 6 includes red subpixels, green subpixels, and blue subpixels. A transistor portion (TFT) and an organic light emitting element portion (OLED) are formed on a first substrate 160a constituting a panel. The transistor portion (TFT) includes a switching transistor, a driving transistor, a capacitor, a compensation circuit, and the like located on the first substrate 160a. The organic light emitting diode OLED includes a lower electrode, a sensing wiring, an organic light emitting layer, a bank layer, and an upper electrode. Hereinafter, the configuration located on the transistor portion (TFT) will be described in more detail.

트랜지스터부(TFT)를 덮는 절연막(162) 상에는 하부전극(163)이 형성된다. 하부전극(163)은 서브 픽셀의 영역별로 구분되어 형성된다. 하부전극(163)은 트랜지스터부(TFT)에 포함된 구동 트랜지스터의 소오스전극 또는 드레인전극에 연결된다. 하부전극(163)은 애노드전극 또는 캐소드전극으로 선택된다. 하부전극(163)이 애노드전극으로 선택된 경우, 이는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)나 그라핀(graphene) 등과 같은 투명도전성 재료로 선택된다. 하부전극(163)이 캐소드전극으로 선택된 경우, 이는 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등과 같은 금속 재료로 선택된다.A lower electrode 163 is formed on the insulating film 162 covering the transistor portion (TFT). The lower electrode 163 is divided into sub-pixel regions. The lower electrode 163 is connected to the source electrode or the drain electrode of the driving transistor included in the transistor portion (TFT). The lower electrode 163 is selected as an anode electrode or a cathode electrode. When the lower electrode 163 is selected as an anode electrode, it may be formed of a metal such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide (ZnO), indium gallium zinc oxide A transparent conductive material such as a graphene or the like. When the lower electrode 163 is selected as the cathode electrode, it is selected from a metal material such as aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca)

절연막(162) 상에는 하부전극(163)과 구분되어 센싱배선(180)이 형성된다. 센싱배선(180)은 하부전극(163)과 동일한 층에 형성되되, 하부전극(163) 간의 이격된 공간에 위치한다. 센싱배선(180)은 앞서 도 3 내지 도 5에 도시된 형태로 배열된다. 센싱배선(180)은 하부전극(163)과 동일한 투명도전성 재료로 형성되거나 금속 재료로 형성된다.On the insulating film 162, a sensing wiring 180 is formed, which is separated from the lower electrode 163. [ The sensing wiring 180 is formed on the same layer as the lower electrode 163, and is located in a spaced space between the lower electrodes 163. The sensing wiring 180 is arranged in the form shown in Figs. 3 to 5 above. The sensing wiring 180 is formed of the same transparent conductive material as the lower electrode 163 or is formed of a metal material.

하부전극(163) 상에는 서브 픽셀의 개구부를 정의하는 뱅크층(164)이 형성된다. 뱅크층(164)은 하부전극(163)의 일부와 센싱배선(180)을 모두 덮도록 형성된다.On the lower electrode 163, a bank layer 164 defining the opening of the subpixel is formed. The bank layer 164 is formed to cover both the lower electrode 163 and the sensing wiring 180.

뱅크층(164)에 의해 노출된 하부전극(163) 상에는 유기 발광층(165)이 형성된다. 유기 발광층(165)은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)로 구성되거나 이들 중 하나 이상이 생략되도록 구성된다. 유기 발광층(165)은 정공과 전자의 이동 특성을 조절하는 기능층이나 층간의 계면 안정화를 도모하는 기능층 등이 더 포함될 수도 있다.An organic light emitting layer 165 is formed on the lower electrode 163 exposed by the bank layer 164. The organic light emitting layer 165 may be composed of a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL). The organic light emitting layer 165 may further include a functional layer for adjusting the transport characteristics of holes and electrons, and a functional layer for stabilizing interfacial stability between layers.

유기 발광층(165) 상에는 상부전극(166)이 형성된다. 상부전극(166)은 모든 서브 픽셀 영역에 걸쳐 공통으로 연결되도록 전면전극 형태로 형성된다. 상부전극(166)은 하부전극(163)이 캐소드전극(하부전극이 애노드전극으로 선택된 경우) 또는 애노드전극(하부전극이 캐소드전극으로 선택된 경우)으로 선택된다.An upper electrode 166 is formed on the organic light emitting layer 165. The upper electrode 166 is formed in the form of a front electrode so as to be connected in common across all sub-pixel regions. The upper electrode 166 is selected as a cathode electrode (when the lower electrode is selected as the anode electrode) or an anode electrode (when the lower electrode is selected as the cathode electrode).

도 7에 도시된 패널은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀 및 백색 서브 픽셀을 포함한다. 패널을 구성하는 제1기판(160a) 상에는 트랜지스터부(TFT) 및 유기발광소자부(OLED)가 형성된다. 도 7의 구조는 백색 유기 발광다이오드로부터 출사된 백색의 광을 RGB 컬러필터(168)로 변환하여 RGB를 구현하는 점을 제외하고 도 6과 유사하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.The panel shown in Figure 7 includes a red subpixel, a green subpixel, a blue subpixel, and a white subpixel. A transistor portion (TFT) and an organic light emitting element portion (OLED) are formed on a first substrate 160a constituting a panel. The structure of FIG. 7 is similar to that of FIG. 6 except that white light emitted from a white organic light emitting diode is converted into an RGB color filter 168 to implement RGB, so a detailed description thereof will be omitted.

도 6의 (a)는 정상적인 패널의 예를 나타내고, 도 6의 (b)는 패널의 제조공정 중 크랙이나 패턴의 유실 등으로 인해 상부전극(166)과 센싱배선(180) 간에 쇼트가 발생한 패널의 예를 나타낸다. 그리고, 도 7의 (a)는 정상적인 패널의 예를 나타내고, 도 7의 (b)는 패널의 제조공정 중 크랙이나 패턴의 유실 등으로 인해 하부배선(161)과 센싱배선(180) 간에 쇼트가 발생한 패널의 예를 나타낸다. 여기서, 하부배선(161)에는 제1전원배선(VDD) 및 그라운드배선(GND)과 같은 전원배선은 물론 데이터라인들(DL) 및 스캔라인들(GL)과 같은 신호배선이 포함된다. 또한, 하부배선(161)에는 보상회로에 보조전압을 전달하는 보조전원배선, 기준전압을 전달하는 기준전원배선 및 초기화전압을 전달하는 초기화전원배선 등이 더 포함된다. 그러므로, 하부배선(161)은 앞서 나열된 배선 중 하나로 해석되어야 한다.6 (a) shows an example of a normal panel, and FIG. 6 (b) shows a case where a panel is formed between the upper electrode 166 and the sensing wiring 180 due to a crack, Fig. 7 (a) shows an example of a normal panel, and Fig. 7 (b) shows a case where a short circuit occurs between the lower wiring 161 and the sensing wiring 180 due to cracks, Here is an example of the panel that occurred. Here, the lower wiring 161 includes signal wiring such as data lines DL and scan lines GL as well as power wiring such as a first power supply line VDD and a ground line GND. Further, the lower wiring 161 further includes an auxiliary power supply wiring for transmitting an auxiliary voltage to the compensation circuit, a reference power supply wiring for transmitting a reference voltage, and an initialization power supply wiring for transferring an initialization voltage. Therefore, the lower wiring 161 must be interpreted as one of the wirings listed above.

한편, 도 1에 도시된 쇼트검출부(170)는 도 6의 (b) 및 도 7의 (b)와 같이 쇼트가 발생하면 이를 센싱하고 전원공급부의 출력을 차단할 수 있는데 이를 설명하면 다음과 같다.The short detection unit 170 shown in FIG. 1 senses a short, as shown in FIGS. 6 (b) and 7 (b), and blocks the output of the power supply unit.

도 8은 센싱배선에 공급되는 신호의 예시도이고, 도 9는 쇼트 발생시 전원공급부의 출력 상태를 설명하기 위한 도면이며, 도 10은 타이밍제어부에 쇼트검출부가 포함된 예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a signal supplied to the sensing wiring, FIG. 9 is a diagram for explaining an output state of a power supply unit when a short occurs, and FIG. 10 is a diagram for explaining an example of including a short detection unit in the timing control unit.

도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 쇼트검출부(170)는 예컨대 도 8의 좌측과 같이 센싱신호(SS)를 펄스신호(PLS) 형태로 생성하여 센싱배선(180)을 통해 공급할 수 있다.As shown in FIGS. 1 to 8, the short detection unit 170 may generate the sensing signal SS in the form of a pulse signal PLS, for example, as shown on the left side of FIG. 8, and supply the sensing signal SS through the sensing wiring 180.

도 6 및 도 7의 (a)와 같이 패널이 정상적인 상태일 때, 쇼트검출부(170)는 도 8의 (a)와 같이 펄스신호(PLS)를 그대로 센싱하게 된다. 반면, 도 6 및 도 7의 (b)와 같이 쇼트가 발생한 상태일 때, 쇼트검출부(170)는 도 8의 (b)와 같이 펄스신호(PLS)가 왜곡된 형태의 신호를 센싱하게 된다.When the panel is in a normal state as shown in Figs. 6 and 7A, the short detection unit 170 senses the pulse signal PLS as it is in Fig. 8A. On the other hand, when the shot is generated as shown in Figs. 6 and 7 (b), the short detection unit 170 senses a signal in which the pulse signal PLS is distorted as shown in Fig. 8 (b).

그러면, 쇼트검출부(170)는 센싱배선(180)을 통해 패널(160)이 정상상태(Normal)가 아닌 쇼트 등에 의한 비정상상태(Abnormal)라고 판단한다. 그리고 쇼트검출부(170)는 전원공급부(125)에 셧다운 신호(SDS)를 출력하게 된다.Then, the short detection unit 170 determines via the sensing wiring 180 that the panel 160 is in an abnormal state (Abnormal) due to a short circuit or the like other than the normal state. The short detection unit 170 outputs a shutdown signal SDS to the power supply unit 125. [

한편, 쇼트검출부(170)로부터 셧다운 신호(SDS)가 미출력된 경우, 전원공급부(125)는 도 9의 (a)와 같이 출력을 유지한다. 반면, 쇼트검출부(170)로부터 셧다운 신호(SDS)가 출력된 경우, 전원공급부(125)는 도 9의 (b)와 같이 출력을 차단한다.On the other hand, when the shutdown signal SDS is not output from the short detection unit 170, the power supply unit 125 maintains the output as shown in FIG. 9A. On the other hand, when the shutdown signal SDS is outputted from the short detection unit 170, the power supply unit 125 cuts off the output as shown in FIG. 9 (b).

쇼트검출부(170)는 앞서 설명한 바와 같이 펄스신호(PLS) 형태로 센싱신호(SS)를 공급하고 센싱한다. 이 경우, 쇼트검출부(170)는 도 10과 같이 타이밍제어부(130) 내에 포함될 수 있다.The short detection unit 170 supplies and senses the sensing signal SS in the form of a pulse signal PLS as described above. In this case, the short detection unit 170 may be included in the timing control unit 130 as shown in FIG.

앞서 설명한 바와 같이, 센싱배선(180)이 패널의 비발광영역에 해당하는 뱅크층의 하부에 형성된 구조는 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 형성된 구조에 적용할 수 있다.As described above, the structure in which the sensing wiring 180 is formed on the lower portion of the bank layer corresponding to the non-light emitting region of the panel may be a top emission scheme, a bottom emission scheme, a dual- Emission) method.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 11은 본 발명의 제2실시예에 따른 센싱배선의 구조를 설명하기 위한 단면 예시도 이고, 도 12는 도 11에 도시된 센싱배선을 평면 상에 나타낸 도면이다.11 is a cross-sectional view for explaining a structure of a sensing wiring according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a plan view of the sensing wiring shown in FIG.

도 11에 도시된 패널(160)은 광(L)을 제1기판(160a) 방향으로 발광하는 배면발광(Bottom-Emission) 방식으로 형성된다.The panel 160 shown in FIG. 11 is formed in a bottom-emission manner in which light L is emitted toward the first substrate 160a.

이 구조에서, 센싱배선(180)은 패널(160)을 구성하는 제1기판(160a)과 제2기판(160b) 사이에 형성된다. 센싱배선(180)은 유기발광소자부(OLED) 상에 형성된다. 센싱배선(180)은 유기발광소자부(OLED)의 상부전극 상에 위치하는 유기물층(182)과 유기물층(182) 상에 위치하는 금속층(181)으로 이루어진다.In this structure, the sensing wiring 180 is formed between the first substrate 160a and the second substrate 160b constituting the panel 160. [ The sensing wiring 180 is formed on the organic light emitting element portion OLED. The sensing wiring 180 includes an organic layer 182 located on the upper electrode of the organic light emitting diode OLED and a metal layer 181 located on the organic layer 182.

유기발광소자부(OLED)의 상부전극은 표시영역(AA)의 전면에 전면전극 형태로 형성된다. 그러므로, 센싱배선(180)은 도 12에 도시된 바와 같이, 발광영역(AA)에 대응하여 전면에 형성될 수 있다. 단, 센싱배선(180)은 광(L)을 출사하지 않는 상부전극 상에 위치함에 주의해야 한다.The upper electrode of the organic light emitting diode OLED is formed as a front electrode on the front surface of the display area AA. Therefore, the sensing wiring 180 may be formed on the entire surface corresponding to the light emitting area AA, as shown in FIG. It should be noted, however, that the sensing wiring 180 is located on the upper electrode which does not emit the light L.

도 11의 (a)는 정상적인 패널(160)의 예를 나타내고, 도 11의 (b)는 패널(160)의 제조공정 중 상부전극과 하부전극 또는 제1전원배선 간에 쇼트가 발생한 패널(160)의 예를 나타낸다. 상부전극이 다른 전극이나 배선과 쇼트되면 쇼트된 영역에 과전류가 흐르게 됨으로써 고열이 발생하게 된다. 그러면, 이때 발생한 고열에 의해 유기물층(182)이 용융되어 녹게 되고 상부전극과 센싱배선(180) 간에 쇼트가 발생하게 된다.11 (a) shows an example of a normal panel 160, and FIG. 11 (b) shows a panel 160 in which a short between the upper electrode and the lower electrode or the first power supply line occurs during the manufacturing process of the panel 160, Fig. When the upper electrode is short-circuited with another electrode or wiring, an overcurrent flows to the short-circuited region, thereby generating a high temperature. Then, the organic material layer 182 is melted and melted by the heat generated at this time, and a short circuit occurs between the upper electrode and the sensing wiring 180.

쇼트검출부(170)는 금속층(181)에 센싱신호를 공급하고 센싱한다. 이때, 도 11의 (a)와 같이 패널(160)이 정상적인 상태면, 금속층(181)으로부터 센싱된 센싱신호에는 왜곡이 발생하지 않는다. 반면, 도 11의 (b)와 같이 쇼트가 발생한 상태면, 금속층(181)으로부터 센싱된 센싱신호에는 왜곡이 발생하게 된다.The short detection unit 170 supplies a sensing signal to the metal layer 181 and senses the sensing signal. At this time, if the panel 160 is in a normal state as shown in FIG. 11A, no distortion occurs in the sensing signal sensed from the metal layer 181. On the other hand, when a short is generated as shown in FIG. 11 (b), distortion occurs in the sensing signal sensed from the metal layer 181.

그러면, 쇼트검출부(170)는 센싱배선(180)을 통해 패널(160)이 정상상태(Normal)가 아닌 쇼트 등에 의한 비정상상태(Abnormal)라고 판단한다. 그리고 쇼트검출부(170)는 전원공급부(125)에 셧다운 신호(SDS)를 출력하게 된다.Then, the short detection unit 170 determines via the sensing wiring 180 that the panel 160 is in an abnormal state (Abnormal) due to a short circuit or the like other than the normal state. The short detection unit 170 outputs a shutdown signal SDS to the power supply unit 125. [

한편, 쇼트검출부(170)로부터 셧다운 신호(SDS)가 미출력된 경우, 전원공급부(125)는 도 9의 (a)와 같이 출력을 유지한다. 반면, 쇼트검출부(170)로부터 셧다운 신호(SDS)가 출력된 경우, 전원공급부(125)는 도 9의 (b)와 같이 출력을 차단한다.On the other hand, when the shutdown signal SDS is not output from the short detection unit 170, the power supply unit 125 maintains the output as shown in FIG. 9A. On the other hand, when the shutdown signal SDS is outputted from the short detection unit 170, the power supply unit 125 cuts off the output as shown in FIG. 9 (b).

앞서 설명한 바와 같이, 쇼트검출부(170)는 금속층(181)에 센싱신호를 공급하고 센싱하며, 패널(160)의 쇼트발생시 발열에 의해 유기물층(182)이 용융되어 센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 셧다운 신호(SDS)를 출력하게 된다. 이를 가능하게 하기 위해, 유기물층(182)은 고열에 잘 녹는 저융점 재료로 선택되는 것이 바람직하다.As described above, the short detection unit 170 supplies and senses a sensing signal to the metal layer 181, and when the organic layer 182 is melted by heat generation when a short circuit of the panel 160 is generated and a change amount is generated in the sensing signal, And outputs a shutdown signal SDS. To enable this, it is preferable that the organic material layer 182 is selected as a low melting point material that is highly soluble in high temperature.

<제3실시예>&Lt; Third Embodiment >

도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 센싱배선의 구조를 설명하기 위한 단면 예시도 이고, 도 14는 도 13에 도시된 센싱배선을 평면 상에 나타낸 도면이며, 도 15는 센싱배선에 공급되는 신호의 예시도 이다.13 is a cross-sectional view illustrating a structure of a sensing wiring according to a third embodiment of the present invention, FIG. 14 is a plan view of the sensing wiring shown in FIG. 13, and FIG. Fig.

도 13에 도시된 패널(160)은 광(L)을 제1기판(160a) 방향으로 발광하는 배면발광(Bottom-Emission) 방식으로 형성된다.The panel 160 shown in FIG. 13 is formed in a bottom-emission manner in which light L is emitted toward the first substrate 160a.

이 구조에서, 센싱배선(180)은 패널(160)을 구성하는 제2기판(160b)의 전면에 형성된다. 이때, 센싱배선(180)은 제2기판(160b)의 전면에 필름 형태로 형성될 수 있다. 센싱배선(180)은 제1금속층(181), 유기물층(182) 및 제2금속층(182)으로 이루어진다.In this structure, the sensing wiring 180 is formed on the entire surface of the second substrate 160b constituting the panel 160. [ At this time, the sensing wiring 180 may be formed as a film on the entire surface of the second substrate 160b. The sensing wiring 180 includes a first metal layer 181, an organic material layer 182, and a second metal layer 182.

도 13에서, 센싱배선(180)은 유기발광소자부(OLED)와 마주보지 않는 제2기판(160b)의 외부표면에 형성된 것을 일례로 하였다. 그러나 센싱배선(180)은 유기발광소자부(OLED)와 마주보는 제2기판(160b)의 내부표면에 형성될 수도 있다. 이 경우, 센싱배선(180)과 유기발광소자부(OLED) 사이에는 이들을 전기적으로 절연시키는 절연막이 더 형성된다.13, the sensing wiring 180 is formed on the outer surface of the second substrate 160b which is not opposed to the organic light emitting element OLED. However, the sensing wiring 180 may be formed on the inner surface of the second substrate 160b facing the organic light emitting device OLED. In this case, an insulating film for electrically insulating the sensing wiring 180 and the organic light emitting element OLED is further formed.

센싱배선(180)은 필름 형태로 형성되어 패널(160)의 비발광면에 부착된다. 그러므로, 센싱배선(180)은 도 14에 도시된 바와 같이 제2기판(160b)에 대응하여 전면에 형성될 수 있다. 단, 센싱배선(180)은 광(L)을 출사하지 않는 제2기판(160b)의 표면에 위치함에 주의해야 한다.The sensing wiring 180 is formed in the form of a film and attached to the non-light emitting surface of the panel 160. Therefore, the sensing wiring 180 may be formed on the entire surface corresponding to the second substrate 160b as shown in FIG. It should be noted, however, that the sensing wiring 180 is located on the surface of the second substrate 160b which does not emit the light L.

도 13의 (a)는 정상적인 패널(160)의 예를 나타내고, 도 13의 (b)는 패널(160)의 구동시 특정 전극과 전극 또는 특정 전극과 배선 간에 쇼트가 발생한 패널(160)의 예를 나타낸다. 특정 전극과 전극 또는 특정 전극과 배선이 쇼트되면 쇼트된 영역에 과전류가 흐르게 됨으로써 고열이 발생하게 된다. 그러면, 이때 발생한 고열에 의해 유기물층(182)이 용융되어 녹게 되고 제1금속층(181)과 제2금속층(183) 간에 쇼트가 발생하게 된다.13A shows an example of a normal panel 160 and FIG. 13B shows an example of a panel 160 in which a short circuit occurs between a specific electrode and an electrode or a specific electrode and a wiring at the time of driving the panel 160 . When a specific electrode and an electrode or a specific electrode and a wiring are short-circuited, an overcurrent flows to a short-circuited region, thereby generating a high temperature. Then, the organic material layer 182 is melted and melted by the heat generated at this time, and short-circuiting occurs between the first metal layer 181 and the second metal layer 183.

쇼트검출부(170)는 도 15와 같이 제1 및 제2센싱신호(SS1, SS2)를 전압 형태로 구성하여 공급할 수 있다. 도 13의 (a)와 같이 패널(160)이 정상상태(Normal)일 경우, 제1 및 제2센싱신호(SS1, SS2)는 원래의 전압을 유지한다. 반면, 반면, 도 13의 (b)와 같이 쇼트에 의해 비정상상태(Abnormal)일 경우, 제2센싱신호(SS2)는 제1센싱신호(SS1)의 전압 레벨까지 다운되어 왜곡된다.The short detection unit 170 can supply the first and second sensing signals SS1 and SS2 in the form of a voltage as shown in FIG. 13 (a), when the panel 160 is in the normal state, the first and second sensing signals SS1 and SS2 maintain the original voltage. On the other hand, if the second sensing signal SS2 is in an abnormal state (Abnormal) due to a short circuit as shown in FIG. 13 (b), the second sensing signal SS2 is down to the voltage level of the first sensing signal SS1 and is distorted.

그러면, 쇼트검출부(170)는 센싱배선(180)을 통해 패널(160)이 정상상태(Normal)가 아닌 쇼트 등에 의한 비정상상태(Abnormal)라고 판단한다. 그리고 쇼트검출부(170)는 전원공급부(125)에 셧다운 신호(SDS)를 출력하게 된다.Then, the short detection unit 170 determines via the sensing wiring 180 that the panel 160 is in an abnormal state (Abnormal) due to a short circuit or the like other than the normal state. The short detection unit 170 outputs a shutdown signal SDS to the power supply unit 125. [

한편, 쇼트검출부(170)로부터 셧다운 신호(SDS)가 미출력된 경우, 전원공급부(125)는 도 9의 (a)와 같이 출력을 유지한다. 반면, 쇼트검출부(170)로부터 셧다운 신호(SDS)가 출력된 경우, 전원공급부(125)는 도 9의 (b)와 같이 출력을 차단한다.On the other hand, when the shutdown signal SDS is not output from the short detection unit 170, the power supply unit 125 maintains the output as shown in FIG. 9A. On the other hand, when the shutdown signal SDS is outputted from the short detection unit 170, the power supply unit 125 cuts off the output as shown in FIG. 9 (b).

앞서 설명한 바와 같이, 쇼트검출부(170)는 제1 및 제2금속층(181, 183)에 제1 및 제2센싱신호(SS1, SS2)를 공급하고 센싱하며, 패널(160)의 쇼트발생시 발열에 의해 유기물층(182)이 용융되어 제1 및 제2센싱신호(SS1, SS2)에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 셧다운 신호(SDS)를 출력하게 된다. 이를 가능하게 하기 위해, 유기물층(182)은 고열에 잘 녹는 저융점 재료로 선택되는 것이 바람직하다.As described above, the short detection unit 170 supplies and senses the first and second sensing signals SS1 and SS2 to the first and second metal layers 181 and 183, When the organic layer 182 melts and the first and second sensing signals SS1 and SS2 are changed, a short circuit is detected and a shutdown signal SDS is output. To enable this, it is preferable that the organic material layer 182 is selected as a low melting point material that is highly soluble in high temperature.

제1 내지 제3실시예에서, 쇼트검출부(170)는 쇼트 발생 여부를 검출하기 위해 프레임마다 또는 특정 프레임이나 시간마다 센싱신호를 공급하고 센싱할 수 있다. 또한, 센싱배선에 작용하는 기생용량을 고려하여 임계값을 정해 놓고 그 이상의 범위를 벗어나는 신호의 왜곡이 발생하였을 경우에만 쇼트로 판별할 수 있다.In the first to third embodiments, the short detection unit 170 can supply and sense a sensing signal for each frame or for each specific frame or time in order to detect whether or not a short occurs. Also, it is possible to determine a threshold value in consideration of the parasitic capacitance acting on the sensing wiring, and to determine that the signal is short-circuited only when distortion of a signal out of the above range occurs.

이상 본 발명은 전원 또는 전극 간의 쇼트나 과전류 발생 여부를 검출할 수 있는 패널의 구조 및 회로 구조를 이용하여 소자의 국부적인 연소(burnt)가 전면으로 확산되어 화재로 이어질 수 있는 가능성을 제거할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.The present invention eliminates the possibility that the local burnt of the device may spread to the front and lead to fire by using the structure of the panel and the circuit structure capable of detecting short circuit or over current between the power source or the electrodes There is an effect of providing an organic electroluminescence display device having a light emitting layer.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

120: 영상처리부 125: 전원공급부
130: 타이밍제어부 150: 데이터구동부
140: 스캔구동부 160: 패널
170: 쇼트검출부 180: 센싱배선
181: 금속층, 제1금속층 182: 유기물층
183: 제2금속층
120: image processing unit 125: power supply unit
130: a timing controller 150: a data driver
140: scan driver 160: panel
170: short detection unit 180: sensing wiring
181: metal layer, first metal layer 182: organic layer
183: second metal layer

Claims (11)

트랜지스터부와 유기발광소자부를 포함하는 패널;
상기 패널에 전원을 공급하는 전원공급부;
상기 유기발광소자부에 형성된 센싱배선; 및
상기 센싱배선과 상기 패널에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 상기 전원공급부를 턴오프 시키는 셧다운 신호를 출력하는 쇼트검출부를 포함하는 유기전계발광표시장치.
A panel including a transistor portion and an organic light emitting element portion;
A power supply unit for supplying power to the panel;
A sensing wiring formed in the organic light emitting element portion; And
And a short detection unit for sensing whether a short circuit occurs between the sensing wiring and an electrode or power supply wiring formed on the panel and outputting a shutdown signal for turning off the power supply when a short is generated.
제1항에 있어서,
상기 센싱배선은
상기 유기발광소자부의 하부전극과 동일한 층에 구분되어 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
The sensing wiring
And the lower electrode of the organic light emitting diode is divided into the same layer as the lower electrode of the organic light emitting diode.
제1항에 있어서,
상기 센싱배선은
상기 패널의 X축방향, Y축방향 또는 X축 및 Y축방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
The sensing wiring
Axis direction, the Y-axis direction, or the X-axis and Y-axis directions of the panel.
제1항에 있어서,
상기 쇼트검출부는
상기 센싱배선에 센싱신호를 공급하고 센싱하며, 상기 센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 상기 셧다운 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
The short-
Wherein the sensing circuit supplies and senses a sensing signal to the sensing wiring and determines that the sensing signal is short when the sensing signal changes, and outputs the shutdown signal.
트랜지스터부와 유기발광소자부를 포함하는 패널;
상기 패널에 전원을 공급하는 전원공급부;
상기 유기발광소자부 상에 형성된 센싱배선; 및
상기 센싱배선을 통해 상기 패널에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트에 따른 발열 여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 상기 전원공급부를 턴오프 시키는 셧다운 신호를 출력하는 쇼트검출부를 포함하는 유기전계발광표시장치.
A panel including a transistor portion and an organic light emitting element portion;
A power supply unit for supplying power to the panel;
A sensing wiring formed on the organic light emitting element portion; And
And a short detection unit for sensing whether heat is generated due to a short circuit between electrodes or power supply wiring formed on the panel through the sensing wiring and outputting a shutdown signal for turning off the power supply unit when a short is generated.
제5항에 있어서,
상기 센싱배선은
상기 유기발광소자부의 상부전극 상에 위치하는 유기물층과,
상기 유기물층 상에 위치하는 금속층을 포함하는 유기전계발광표시장치.
6. The method of claim 5,
The sensing wiring
An organic material layer disposed on the upper electrode of the organic light emitting device,
And a metal layer disposed on the organic material layer.
제6항에 있어서,
상기 쇼트검출부는
상기 금속층에 센싱신호를 공급하고 센싱하며, 상기 패널의 쇼트발생시 발열에 의해 상기 유기물층이 용융되어 상기 센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 상기 셧다운 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 6,
The short-
And a sensing signal is supplied to the metal layer and sensed. When the organic layer is melted due to heat generation at the time of occurrence of a short circuit of the panel and a change amount is generated in the sensing signal, the organic layer is determined as a short circuit and the shutdown signal is outputted. Device.
트랜지스터부와 유기발광소자부를 포함하는 패널;
상기 패널에 전원을 공급하는 전원공급부;
상기 패널의 비표시면에 해당하는 기판의 전면에 형성된 센싱배선; 및
상기 센싱배선을 통해 상기 패널에 형성된 전극 또는 전원배선 간의 쇼트에 따른 발열 여부를 센싱하며, 쇼트 발생시 상기 전원공급부를 턴오프 시키는 셧다운 신호를 출력하는 쇼트검출부를 포함하는 유기전계발광표시장치.
A panel including a transistor portion and an organic light emitting element portion;
A power supply unit for supplying power to the panel;
A sensing wiring formed on a front surface of the substrate corresponding to a non-display surface of the panel; And
And a short detection unit for sensing whether heat is generated due to a short circuit between electrodes or power supply wiring formed on the panel through the sensing wiring and outputting a shutdown signal for turning off the power supply unit when a short is generated.
제8항에 있어서,
상기 센싱배선은
상기 유기발광소자부와 마주보지 않는 기판의 외부표면 또는 상기 유기발광소자와 마주보는 기판의 내부표면에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
9. The method of claim 8,
The sensing wiring
Wherein the organic electroluminescent device is located on an outer surface of a substrate not facing the organic electroluminescent device or an inner surface of a substrate facing the organic electroluminescent device.
제8항에 있어서,
상기 센싱배선은 제1금속층, 유기물층 및 제2금속층으로 이루어지고,
상기 유기물층은 상기 패널의 쇼트발생시 발열에 의해 용융되는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the sensing wiring comprises a first metal layer, an organic material layer and a second metal layer,
Wherein the organic material layer is made of a material that is melted by heat generated when a short circuit occurs in the panel.
제10항에 있어서,
상기 쇼트검출부는
상기 제1금속층 및 상기 제2금속층에 서로 다른 제1 및 제2센싱신호를 공급하고 센싱하며, 상기 패널의 쇼트발생시 발열에 의해 상기 유기물층이 용융되어 상기 제1 및 제2센싱신호에 변화량이 발생하면 쇼트로 판별하고 상기 셧다운 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
11. The method of claim 10,
The short-
The first and second sensing layers supply and sense different first and second sensing signals to the first metal layer and the second metal layer, and the organic layer is melted by the heat generated when the panel is short-circuited to generate a change amount in the first and second sensing signals And outputs the shutdown signal to the organic light emitting display device.
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