KR20170072216A - 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법 - Google Patents

다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170072216A
KR20170072216A KR1020177010848A KR20177010848A KR20170072216A KR 20170072216 A KR20170072216 A KR 20170072216A KR 1020177010848 A KR1020177010848 A KR 1020177010848A KR 20177010848 A KR20177010848 A KR 20177010848A KR 20170072216 A KR20170072216 A KR 20170072216A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
substrates
bonded
wafer
integration
Prior art date
Application number
KR1020177010848A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102405373B1 (ko
Inventor
라인하르트 노일
토르스텐 옴스
프리트요프 호익
프레데릭 안테
크리스토프 셸링
미르코 하타스
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20170072216A publication Critical patent/KR20170072216A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102405373B1 publication Critical patent/KR102405373B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/00238—Joining a substrate with an electronic processing unit and a substrate with a micromechanical structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0214—Biosensors; Chemical sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0785—Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
    • B81C2203/0792—Forming interconnections between the electronic processing unit and the micromechanical structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 발명은 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체 및 상응하는 제조 방법에 관한 것이다. 다수의 기판을 포함하는 상기 마이크로 전자 부품 조립체는 제 1 집적도의 회로 기판으로서 설계된 제 1 기판(C1), 제 2 집적도의 회로 기판으로서 설계된 제 2 기판(C2), 및 MEMS 센서 기판으로 설계되며 제 2 기판(C2) 상에 본딩되는 제 3 기판(C3)을 포함한다. 제 2 및 제 3 기판은 제 1 기판(C1) 상에 본딩된다. 제 1 집적도는 제 2 집적도보다 실질적으로 더 높다.

Description

다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법{MICROELECTRONIC COMPONENT ASSEMBLY COMPRISING A PLURALITY OF SUBSTRATES, AND CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION}
본 발명은 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법에 관한 것이다.
임의의 마이크로 기계 부품 조립체도 적용될 수 있지만, 본 발명 및 본 발명의 과제는 실리콘 기반 칩을 갖는 MEMS 기판 장치를 참고로 설명된다.
DE 10 2010 006 132 A1은 MEMS 기판과 ASIC 기판으로 이루어진 스택을 포함하는 소형화된 전기 부품을 개시하고, 상기 MEMS 기판과 상기 ASIC 기판은 적층되어 스택(stack) 구조로 배치되며, 상기 MEMS 기판과 상기 ASIC 기판 사이에 갭이 있다.
DE 10 2008 043 735 A1은 본딩 연결부를 갖는 적어도 2개의 와이퍼의 장치 및 상응하는 제조 방법을 개시한다.
DE 10 2007 048 604 A1은 적어도 2개의 반도체 기판으로 이루어진 복합체와 상응하는 제조 방법을 개시하며, 알루미늄 함유층은 제 1 기판상에 제공되고 게르마늄 함유층은 제 2 기판 상에 본딩 층으로서 제공된다 .
통상, 다수의 자유도를 가진 마이크로 기계 또는 마이크로 전자 부품 조립체를 형성하기 위해, 상이한 MEMS 기능의 기판들이 회로 기판상에 스택된다. 한편, 필요한 ASIC 회로 면은 부품의 크기를 결정한다. 여기에 사용되는 웨이퍼/웨이퍼 본딩 공정은 동일한 웨이퍼 크기 및 동일한 측면 치수를 필요로 하기 때문에, 추가의 소형화는 어려운 것으로 나타났다.
본 발명의 과제는 부품의 바람직한 분할에 의해, 특히 작은 측면 면적 필요량 및 다수의 자유도를 가지며 MEMS 기능을 하는 마이크로 전자 부품 조립체의 비용 효율적이고 컴팩트한 스택 구성을 제공하는 것이다.
본 발명은 청구항 제 1 항에 따른 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체 및 청구항 제 11 항에 따른 상응하는 제조 방법을 제공한다.
바람직한 개선은 각각의 종속 청구항들에 제시된다.
본 발명은 부품의 바람직한 분할에 의해, 특히 작은 측면 면적 필요량 및 다수의 자유도를 가지며 MEMS 기능을 하는 마이크로 전자 부품 조립체의 비용 효율적이고 컴팩트한 스택 구성을 제공할 수 있다.
본 발명의 기본 아이디어는 상이한 집적도를 갖는 기판들을 적절하게 쌓는 것이다.
바람직한 실시 예에 따르면, 제 2 기판은 아날로그 회로 장치를 포함한다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 1 기판은 디지털 회로 장치를 포함한다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 1 기판은 180 nm 이하의 최소 구조 크기를 갖는다. 따라서, 회로의 별도의 고집적된 디지털 부분이 예를 들어 300 mm 웨이퍼 기술로 구현될 수 있다. .
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 2 기판은 180 nm 이상의 최소 구조 크기를 갖는다. 따라서, 회로의 별도의 아날로그 부분이 예를 들어 200 mm 웨이퍼 기술로 구현될 수 있다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 3 기판은 적어도 하나의 관성 부품 및/또는 압력 센서 부품을 포함한다. 따라서, 회로의 별도의 센서 부분이 구현될 수 있다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 4 집적도를 갖는 MEMS 센서 기판으로서 설계된 제 4 기판이 제 1 기판 상에 본딩된다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 4 기판은 자기장 센서 부품 및/또는 마이크로 프로세서 부품을 포함한다. 따라서, 회로의 별도의 추가 센서 부분 및/또는 평가 부분이 구현될 수 있다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 3 기판은 캡핑(capping)되지 않은 MEMS 부품을 포함하며, 밀봉형 본딩 프레임에 의해 제 2 기판상에 본딩되며, 그 결과 캡핑이 형성된다. 이로 인해, MEMS 부품의 추가적인 별도의 캡핑이 생략될 수 있다.
다른 바람직한 실시 예에 따르면, 제 3 기판은 캡핑된 MEMS 부품을 포함한다. 따라서, 센서 부분은 본딩 전에 컨디셔닝될 수 있다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 이하에서 도면을 참조하여 실시 예로 설명된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다수의 기판을 갖는 마이크로 전자 부품 조립체를 설명하기 위한 개략적인 수직 단면도.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 따른 마이크로 전자 부품 조립체의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 수직 단면도.
도면들에서, 동일한 도면 부호는 동일하거나 기능적으로 동일한 요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다수의 기판을 갖는 마이크로 전자 부품 조립체를 설명하기 위한 개략적인 수직 단면도이다.
도 1의 도면 부호 C1은 제 1 집적도를 갖는 제 1 회로 기판을 나타낸다. 집적도는 본 실시 예에서 180 nm (나노 미터) 이하인 최소 구조 크기에 대한 척도이다. 집적도가 높을수록 최소 구조 크기가 작아진다.
특히, 제 1 기판(C1)은 디지털 회로 장치(SE1)를 포함한다. 이러한 기판(C1)은 이제 300 mm 웨이퍼 기술로 제조될 수 있다. 제 1 기판(C1)은 본딩 연결부(L1, L2)에 의해 캐리어 요소(T)에 본딩될 수 있으며, 디지털 회로 장치(SE1)는 캐리어 요소(T)를 향한다. 또한, 제 1 기판(C1)은 관통 연결부(DK11, DK12)를 포함한다. 캐리어 요소(T)와 제 1 기판(C1)의 디지털 회로 장치(SE1) 사이에, 자기 센서 기판(C4) 또는 대안으로서 마이크로 프로세서 기판이 본딩 연결부(L3, L4)에 의해 제 1 기판(C1) 상에 본딩된다.
도면 부호 C2는 180 nm 이상의 최소 구조 크기에 의해 주어진 제 2 집적도를 갖는 제 2 회로 기판을 나타낸다. 제 2 기판은 아날로그 회로 장치(SE2)를 포함한다. 제 2 기판(C2)은 또한 관통 연결부들(DK21, DK22)을 포함한다. 이는 관통 연결부(DK21, DK22)가 관통 연결부(DK11, DK12)와 전기적 및 기계적으로 접촉하는 방식으로 본딩 연결부(L5, L6)에 의해 제 1 기판(C1)에 본딩된다. 아날로그 회로 장치(SE2)는 제 1 기판(C1)으로부터 떨어져 있는 제 2 기판(C2)의 측면에 위치한다. 제 2 기판(C2)은 200 mm 웨이퍼 기술로 제조된다.
예를 들어 관성 센서 구조 및/또는 압력 센서 구조와 같은 MEMS 센서 구조(M1, M2)를 포함하는 MEMS 센서 기판(C3)은 본딩 연결부(L7, L8, L9)에 의해 제 2 기판(C2)의 아날로그 회로 장치(SE2) 상에 본딩된다.
본딩 연결부들(L7, L8, L9)은 MEMS 센서 소자(M1, M2)가 각각 밀봉 방식으로 캡핑되도록 밀봉형 본딩 프레임을 형성한다.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 따른 마이크로 전자 부품 조립체의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 수직 단면도이다.
도 1에 도시된 마이크로 전자 부품 조립체를 제조하기 위해, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 먼저 다수의 적어도 제 1 기판(C1)을 갖는 웨이퍼(CW)가 제공된다. 웨이퍼(CW)는 300 mm 이상의 지름을 갖는다.
또한, 다수의 제 3 기판(C3)은 웨이퍼/웨이퍼 본딩 공정에 의해 각각 상응하는 다수의 제 2 기판(C2) 상에 본딩되어, 서로 본딩된 다수의 기판 쌍을 형성한다. 관련 웨이퍼는 200 mm 이하의 지름을 갖는다. 제 2 및 제 3 기판(C2, C3)은 동일한 측면 치수를 갖는다.
제 1 본딩 공정에 의해 다수의 서로 본딩된 기판 쌍을 형성한 후에, 서로 본딩된 기판 쌍의 개별화가 이루어진다.
각각의 제 2 및 제 3 기판(C2, C3)으로 서로 본딩된 후에 개별화된 기판 쌍은 후속해서 칩/웨이퍼 본딩 공정에 의해 제 1 기판(C1)을 가진 웨이퍼(CW) 상에 본딩됨으로써, 각각 제 1 기판(C1), 제 2 기판(C2) 및 제 3 기판(C3)으로 이루어진 스택이 결합 형태로 주어진다.
다수의 서로 본딩된 기판 쌍들을 웨이퍼(CW) 상에 본딩한 후에, 제 1 기판(C1) 및 상기 제 1 기판(C1) 상에 본딩된, 제 2 및 제 3 기판(C2, C3)으로 서로 본딩된 기판 쌍을 포함하는 본딩 스택이 예를 들어, 소잉 공정에 의해 개별화된다.
이러한 제조 방법은 보다 저렴한 웨이퍼/웨이퍼 본딩 공정과 보다 고가의 칩/웨이퍼 본딩 공정의 조합에 의해 적어도 3개의 적층 본딩된 기판을 갖는 마이크로 전자 부품 조립체를 제조하는 것을 가능하게 한다. 설명된 제조 방법을 전체적으로 또는 부분적으로 여러 번 추가 적용함으로써, 서로 본딩된 3개 이상의 기판을 갖는 마이크로 전자 부품 조립체가 간단하고 저렴하게 구현될 수 있다.
이러한 방식으로 제조된 마이크로 전자 부품 조립체는 MEMS 센서 기판(C3)과 더불어, 예를 들어 자기장 센서 부품 및/또는 마이크로 프로세서 부품이 형성되는 제 4 기판(C4)을 포함한다.
자기장 센서 부품(C4)은 ASIC 또는 MEMS 공정과의 시너지 효과가 거의 없고 독립적인 측면 치수를 갖는 기판을 생성하는 특별한 반도체 공정에서 제조되므로 제 4 기판(C4)이 별도로 제조되고, 칩/웨이퍼 본딩 공정에서 각각의 제 1 기판(C1)의 디지털 회로 장치(SE1)에 본딩된다.
따라서, 다기능 마이크로 전자 부품 조립체가 비용 효율적으로 제조될 수 있다.
본 발명이 바람직한 실시 예를 참조하여 설명되었지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 언급된 재료 및 토폴로지는 단지 예시적인 것이며 설명된 예들에 한정되지 않는다.
C1, C2, C3, C4 기판
CW 웨이퍼
L7, L8, L9 본딩 프레임

Claims (13)

  1. 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체로서, 상기 마이크로 전자 부품 조립체는
    제 1 집적도를 가진 회로 기판으로서 설계된 제 1 기판(C1),
    제 2 집적도를 가진 회로 기판으로서 설계되며 상기 제 1 기판(C1) 상에 본딩된 제 2 기판(C2), 및
    제 3 집적도를 가진 MEMS 센서 기판으로서 설계되며 상기 제 1 기판(C1) 또는 상기 제 2 기판(C2) 상에 본딩되는 제 3 기판(C3)을 포함하고,
    상기 제 1 집적도는 상기 제 2 집적도보다 실질적으로 더 높은, 마이크로 전자 부품 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 기판(C2)은 아날로그 회로 장치를 포함하는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 기판(C1)은 디지털 회로 장치를 포함하는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 기판(C1)은 180 nm 이하의 최소 구조 크기를 갖는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 기판(C2)은 180 nm 이상의 최소 구조 크기를 갖는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3 기판(C3)은 적어도 하나의 관성 부품 및/또는 압력 센서 부품을 포함하는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 제 4 집적도로 형성된 제 4 기판(C4)이 상기 제 1 기판(C1) 상에 본딩되는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 4 기판(C4)은 자기장 센서 부품 및/또는 마이크로 프로세서 부품을 포함하는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3 기판(C3)은 캡핑되지 않은 MEMS 부품을 포함하고, 밀봉형 본딩 프레임(L7, L8, L9)에 의해 상기 제 2 기판(C2) 상에 본딩됨으로써, 캡핑이 형성되는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3 기판(C3)은 별도의 캡핑된 MEMS 부품을 포함하는, 마이크로 전자 부품 조립체.
  11. 제 1 항에 따른 마이크로 전자 부품 조립체의 제조 방법으로서,
    다수의 제 1 기판(C1)을 갖는 웨이퍼(CW)를 제공하는 단계;
    다수의 서로 본딩된 기판 쌍을 형성하기 위해 각각 웨이퍼/웨이퍼 본딩 공정에 의해 다수의 제 3 기판(C3)을 상응하는 다수의 제 2 기판(C2) 상에 본딩하는 단계;
    상기 서로 본딩된 기판 쌍들을 개별화하는 단계;
    상기 서로 본딩된 기판 쌍들을 칩/웨이퍼 본딩 공정에 의해 상기 웨이퍼(CW) 상에 본딩함으로써, 상기 서로 본딩된 기판 쌍들이 각각 상기 웨이퍼(CW)의 제 1 기판(C1) 상에 본딩되는 단계; 및
    서로 본딩된 기판 쌍들이 본딩된 제 1 기판(C1)을 개별화하는 단계를 포함하는, 마이크로 전자 부품 조립체의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 3 기판(C3)은 상기 제 2 기판(C2)과 동일한 측면 치수를 갖는, 마이크로 전자 부품 조립체의 제조 방법.
  13. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 제 4 기판(C4)이 상기 제 1 기판(C1) 상에 본딩되는, 마이크로 전자 부품 조립체의 제조 방법.
KR1020177010848A 2014-10-23 2015-09-18 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법 KR102405373B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014221546.3 2014-10-23
DE102014221546.3A DE102014221546A1 (de) 2014-10-23 2014-10-23 Mikroelektronische Bauelementanordnung mit einer Mehrzahl von Substraten und entsprechendes Herstellungsverfahren
PCT/EP2015/071431 WO2016062465A1 (de) 2014-10-23 2015-09-18 Mikroelektronische bauelementanordnung mit einer mehrzahl von substraten und entsprechendes herstellungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170072216A true KR20170072216A (ko) 2017-06-26
KR102405373B1 KR102405373B1 (ko) 2022-06-07

Family

ID=54238397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177010848A KR102405373B1 (ko) 2014-10-23 2015-09-18 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3209600B1 (ko)
KR (1) KR102405373B1 (ko)
CN (1) CN106852140B (ko)
DE (1) DE102014221546A1 (ko)
WO (1) WO2016062465A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106517085B (zh) * 2016-12-30 2019-01-08 苏州晶方半导体科技股份有限公司 Mems传感器封装结构及其形成方法
WO2018121289A1 (zh) * 2016-12-30 2018-07-05 苏州晶方半导体科技股份有限公司 Mems传感器封装结构及其形成方法
CN107879310A (zh) * 2017-11-06 2018-04-06 余帝乾 一种多功能集成叠层传感器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130181355A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Support Structure for TSV in MEMS Structure
JP2014054718A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Seiko Epson Corp 電子装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7309923B2 (en) * 2003-06-16 2007-12-18 Sandisk Corporation Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor
US20060267173A1 (en) * 2005-05-26 2006-11-30 Sandisk Corporation Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor
CN100552906C (zh) * 2006-12-29 2009-10-21 巨擘科技股份有限公司 多层基板间交互连结结构的制造方法及其交互连结结构
CN101212864B (zh) * 2006-12-29 2010-12-15 巨擘科技股份有限公司 多层基板间交互连结的结构及其制造方法
DE102007048604A1 (de) 2007-10-10 2009-04-16 Robert Bosch Gmbh Verbund aus mindestens zwei Halbleitersubstraten sowie Herstellungsverfahren
DE102008043735A1 (de) 2008-11-14 2010-05-20 Robert Bosch Gmbh Anordnung von mindestens zwei Wafern mit einer Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
US10040681B2 (en) * 2009-08-28 2018-08-07 Miradia Inc. Method and system for MEMS devices
DE102010006132B4 (de) 2010-01-29 2013-05-08 Epcos Ag Miniaturisiertes elektrisches Bauelement mit einem Stapel aus einem MEMS und einem ASIC
CN102730617B (zh) * 2011-04-08 2015-02-04 美新半导体（无锡）有限公司 集成磁和加速度传感器的封装结构及其封装方法
US9586811B2 (en) * 2011-06-10 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices with moving members and methods for making the same
US8946888B2 (en) * 2011-09-30 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package on packaging structure and methods of making same
DE102012208031A1 (de) * 2012-05-14 2013-11-14 Robert Bosch Gmbh +Hybrid integriertes Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
CN103743790B (zh) * 2014-01-03 2016-03-23 南京信息工程大学 基于mems的微机械传感器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130181355A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Support Structure for TSV in MEMS Structure
JP2014054718A (ja) * 2012-09-14 2014-03-27 Seiko Epson Corp 電子装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Mitsumasa외3명,Heterogeneous 3D integration technology and new 3D LSIs. IEEE,[online],2013년2월21일,인터넷:<URL:https://ieeexplore.ieee.org/document/6467716>* *
Wolf 외 3명,Technologies for 3D wafer level heterogeneous integration. IEEE,[online],2009년1월19일,인터넷:<URL:https://ieeexplore.ieee.org/document/4752966>* *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3209600A1 (de) 2017-08-30
CN106852140A (zh) 2017-06-13
WO2016062465A1 (de) 2016-04-28
DE102014221546A1 (de) 2016-04-28
CN106852140B (zh) 2019-07-19
KR102405373B1 (ko) 2022-06-07
EP3209600B1 (de) 2019-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9796580B2 (en) CMOS-MEMS-CMOS platform
CN103130175B (zh) Mems芯片封装以及用于制造mems芯片封装的方法
US9540228B2 (en) MEMS-CMOS device that minimizes outgassing and methods of manufacture
US9885626B2 (en) Micromechanical sensor system and corresponding manufacturing method
KR101717837B1 (ko) 압력파 및 주변 압력을 감지하기 위한 센서 구조체
TWI645550B (zh) 使用移動閘傳感器之用於慣性感測器模組的封裝系統和製程
KR20140088070A (ko) 시스템-인-패키지 디바이스를 제조하는 방법 및 시스템-인-패키지 디바이스
US10829367B2 (en) MEMS gap control structures
US8796791B2 (en) Hybrid intergrated component and method for the manufacture thereof
KR102405373B1 (ko) 다수의 기판을 포함하는 마이크로 전자 부품 조립체, 및 상응하는 제조 방법
US20160297675A1 (en) Semiconductor device, and method of manufacturing device
CN105609491B (zh) 装置嵌入式影像传感器及其晶圆级制造方法
JP4933934B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9663349B2 (en) MEMS device with electrodes permeable to outgassing species
TWI392641B (zh) 微機電裝置及其製造方法
TW201712854A (zh) 電子裝置及其製造方法
JP2015161600A (ja) 湿度センサ
IT201600083804A1 (it) Procedimento di fabbricazione di un dispositivo a semiconduttore includente una struttura microelettromeccanica ed un associato circuito elettronico integrato e relativo dispositivo a semiconduttore
US9162873B2 (en) Component and method for producing same
US20180095106A1 (en) Physical quantity sensor and manufacturing method therefor
JP2013036829A (ja) シリコン埋込ガラス基板とその製造方法、シリコン埋込ガラス多層基板とその製造方法、静電式加速度センサ
CN108946652B (zh) 半导体器件封装及制造其之方法
JP2010179401A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008199031A (ja) 構成素子アッセンブリ
JP2006332576A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant