KR20170068717A - 에폭시 수지의 제조방법, 에폭시 수지, 이를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용해 성형된 성형품 - Google Patents

에폭시 수지의 제조방법, 에폭시 수지, 이를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용해 성형된 성형품 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 온도 이상으로 가열하여 용융시키는 단계; 및 상기 용융된 에폭시 화합물을 냉각시키는 단계를 포함하는 에폭시 수지의 제조 방법과, 상기 방법을 통해 제조된 에폭시 수지, 이를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 성형품에 관한 것이다.

Description

에폭시 수지의 제조방법, 에폭시 수지, 이를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용해 성형된 성형품{METHOD FOR PRODUCING EPOXY RESIN, EPOXY RESIN, EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME AND MOLED ARTICLE USING THE SAME}
본 발명은 에폭시 수지의 제조방법, 이를 이용해 제조된 에폭시 수지, 이를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용해 성형된 성형품에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 저수축, 저탄성 특성을 갖는 에폭시 수지의 제조방법과 상기 제조방법에 의해 제조된 에폭시 수지, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물 및 성형품에 관한 것이다.
IC, LSI등의 반도체 소자를 포장하고 반도체장치를 얻는 방법으로는 에폭시(epoxy) 수지 조성물의 트랜스퍼(transfer) 성형이 저비용, 대량 생산에 적합하다는 점에서 널리 사용되고 있다.
종래에는 반도체 패키징 공정의 특성상, 연화점이 50℃ ~ 140℃ 수준인 지방족 또는 방향족 에폭시 수지들이 주로 사용되어 왔다. 에폭시 수지의 연화점이 상기 범위를 벗어나는 경우, 성형이 어렵고, 불량이 발생하기 쉽기 때문이다.
그러나, 전자 제품의 소형화, 경량화, 고성능화 추세에 따라 반도체 칩이 얇아지고, 고집적화 및/또는 표면 실장화가 증가함에 따라 종래의 에폭시 수지 조성물들로는 해결할 수 없는 문제점이 발생하고 있다. 특히, 반도체 소자의 박형화에 따라 기판과 밀봉층 사이의 열팽창, 열수축으로 인한 패키지의 휨이 발생하기 쉽고, 밀봉층이 고탄성 특성을 가져 밀봉층에 의해 칩이 손상 또는 파손되는 등의 문제점이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 저수축, 저탄성 물성을 갖는 에폭시 수지의 개발이 시도되고 있다. 예를 들면, 에폭시 수지 조성물에 다환 구조의 결정성 에폭시 수지를 적용하여 수축율 및 탄성율을 낮추는 방법이 시도되고 있다. 그러나, 상기와 같은 다환 구조의 결정성 에폭시 수지는 녹는점이 높아 단독으로 사용할 경우, 성형에 적합한 연화점 온도를 구현할 수 없다. 따라서, 다환 구조의 에폭시 수지와 연화점이 낮은 다른 에폭시 수지 조성물을 혼합하여 사용하는 방안이 연구되고 있다. 그러나, 이와 같이 이종의 에폭시 수지 조성물을 혼합하여 사용할 경우, 에폭시 수지들 간의 상용성 문제로 인해 혼합 가능한 중량 비율이 제한되고, 이로 인해 충분한 저수축, 저탄성 효과를 얻을 수 없다는 문제점이 있다.
따라서, 반도체 패키징 공정에 적합한 연화점을 가지면서, 저수축, 저탄성 특성이 우수한 에폭시 수지의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 반도체 패키징 공정에 적합한 연화점을 가지면서, 저수축, 저탄성 특성이 우수한 에폭시 수지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 특성을 갖는 에폭시 수지의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물 및 성형품을 제공하는 것이다.
일 측면에서, 본 발명은, 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 온도 이상으로 가열하여 용융시키는 단계; 및 상기 용융된 에폭시 화합물을 냉각시키는 단계를 포함하는 에폭시 수지의 제조 방법을 제공한다.
상기 다환 구조는 플루오렌, 안트라센, 나프탈렌 및 바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체적으로는, 상기 다환 구조를 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 또는 C1~10인 알킬기, n은 1 내지 5인 정수, m은 1 내지 5인 정수이다.
상기 용융시키는 단계는 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 150℃ 내지 250℃로 가열하여 수행될 수 있다.
상기 냉각시키는 단계는 상기 용융된 에폭시 화합물을 20℃ 내지 30℃로 냉각시키는 것일 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 상기 방법에 따라 제조되며, 연화점이 50℃ 내지 140℃인 에폭시 수지를 제공한다.
상기 에폭시 수지는 120℃에서의 점도 편차가 5% 이하일 수 있다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 성형된 성형품을 제공한다.
본 발명에 따라 제조된 에폭시 수지는 50℃ 내지 140℃의 연화점을 가져 다른 에폭시 수지와 혼용하여 사용하지 않아도 반도체 패키징 공정에 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 본 발명에 따라 제조된 에폭시 수지는 다환 구조를 포함하여 성형 후 저수축 및 저탄성 특성을 갖는다.
도 1은 실시예 1의 시차주사열량계 그래프를 보여주는 도면이다.
도 2는 실시예 4의 시차주사열량계 그래프를 보여주는 도면이다.
도 3은 비교예 1의 시차주사열량계 그래프를 보여주는 도면이다.
도 4는 비교예 4의 시차주사열량계 그래프를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명자들은 저수축, 저탄성 특성을 가지며, 반도체 패키징 공정에 적합한 연화점을 갖는 에폭시 수지를 개발하기 위해 연구를 거듭한 결과, 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융시킨 후, 냉각시키는 방법으로 에폭시 수지를 제조할 경우, 상기와 같은 목적을 달성할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성하였다.
먼저, 본 발명에 따른 에폭시 수지의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명에 따른 에폭시 수지의 제조방법은 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 상기 이관능 단분자 에폭시 화합물의 용융 온도 이상으로 가열하여 용융시키는 단계, 및 상기 용융된 에폭시 화합물을 냉각시키는 단계를 포함한다.
이때, 상기 이관능 단분자 에폭시 화합물에 포함되는 다환 구조는, 이로써 한정되는 것은 아니나, 예를 들면, 플루오렌, 안트라센, 나프탈렌 및 바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다. 본 발명자들의 연구에 따르면, 상기와 같은 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융, 냉각시켜 제조된 에폭시 수지를 사용할 경우, 저수축, 저탄성 특성을 구현할 수 있다.
구체적으로는, 상기 다환 구조를 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서, X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 또는 C1~10인 알킬기, n은 1 내지 5인 정수, m은 1 내지 5인 정수이다.
예를 들면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3의 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1-1]
Figure pat00003
[화학식 1-2]
Figure pat00004
[화학식 1-3]
Figure pat00005
본 발명의 제조 방법에 따르면, 상기와 같은 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 상기 화합물의 용융 온도 이상으로 가열하여 용융시킨다. 상기 가열 온도는 사용되는 이관능 단분자 에폭시 화합물의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 예를 들면, 150℃ 내지 250℃ 정도일 수 있으며, 바람직하게는 180℃ 내지 200℃일 수 있다. 상기와 같이 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 온도 이상의 가열하면, 화합물들이 용융되면서 분자들의 방향성 및 배열성이 상실되고 균질한(homogenous) 용융 상태가 된다.
이관능 단분자 에폭시 화합물들이 완전히 용융되면, 상기 용융된 화합물들을 냉각시킨다. 이때, 상기 냉각은 상기 용융된 화합물들을 상온까지 냉각시키는 방법으로 수행될 수 있으며, 예를 들면, 20℃ 내지 30℃의 온도 범위까지 냉각시킬 수 있다. 상기 과정을 통해 용융된 이관능 단분자 에폭시 화합물들이 무정형의 고체 상태의 에폭시 수지로 변하게 된다.
일반적으로 플루오렌, 안트라센, 나프탈렌, 바이페닐 등과 같은 다환 구조를 포함하는 대부분의 에폭시 수지는 수축율 및 탄성율이 낮다는 장점이 있으나, 녹는 점이 높은 결정형 수지를 형성하기 때문에 니딩(kneading) 공정 시에 혼합이 잘 이루어지지 않아 입자가 토출될 수 있고, 트랜스퍼 성형 시 금형 입구를 막거나 외관 불량을 발생시키는 등의 문제점이 있어 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물에 단독으로 적용하기 어려웠다. 그러나, 본 발명과 같이 다환 구조를 갖는 이관능 에폭시 화합물을 용융시킨 다음 냉각하여 에폭시 수지를 제조할 경우, 다환 구조를 갖는 무정형의 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명자들의 연구에 따르면, 상기 방법에 의해 제조된 본 발명의 에폭시 수지는 시차주사열량 분석법을 통해 측정한 그래프에서 50℃ 내지 130℃ 온도 범위에서 피크(peak)가 나타나며, 130℃ 내지 250℃ 온도 범위에서는 유의미한 피크(peak)가 나타나지 않는 특성을 갖는다. 이는 종래의 플루오렌, 안트라센, 나프탈렌, 바이페닐 등과 같은 다환 구조를 포함하는 결정성 에폭시 수지들이 130℃ ~ 250℃ 온도 범위에서만 피크가 나타나거나, 50℃ ~ 130℃와 130℃ ~ 250℃에서 모두 피크가 나타나는 것과는 상이한 특성으로, 본 발명에 따라 제조된 에폭시 수지가 무정형의 구조를 가짐을 보여주는 것이다. 이때, 상기 시차주사열량 분석은 에폭시 수지를 승온 속도 10℃/min으로 200℃까지 가열하고, 냉각 속도 10℃/min으로 0℃까지 냉각한 다음, 다시 승온 속도 10℃/min으로 200℃까지 가열하면서 수행되었다.
상기와 같이 본 발명의 에폭시 수지는 무정형 구조를 가지며, 이로 인해 낮은 연화점 및 점도 편차를 갖기 때문에, 반도체 패키징 공정에 단독으로 적용될 수 있다. 구체적으로는, 상기와 같은 방법을 통해 제조된 본 발명의 에폭시 수지는 연화점이 50℃ 내지 140℃이며, 120℃에서의 점도 편차가 5% 이하이다. 본 명세서에서, 상기 점도 편차는 120℃에서 에폭시 수지의 점도를 5회 측정한 후, 측정된 점도의 최대값과 최소값의 차를 점도 평균값으로 나눈 후 100을 곱하여 계산된 값을 의미한다.
한편, 본 발명의 에폭시 수지는 벌키(bulky)한 다환 구조를 포함하기 때문에, 저수축, 저탄성 특성을 갖는다.
다음으로, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대해 설명한다. 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기한 본 발명의 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전제를 포함한다.
(A) 에폭시 수지
상기 에폭시 수지는 상술한 본 발명의 제조 방법, 즉, 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 상기 이관능 단분자 에폭시 화합물의 용융 온도 이상으로 가열하여 용융시키는 단계, 및 상기 용융된 에폭시 화합물을 냉각시키는 단계를 포함하는 제조방법에 의해 제조된 에폭시 수지로, 연화점이 50℃ 내지 140℃이며, 120℃에서의 점도 편차가 5% 이하인 에폭시 수지이다. 에폭시 수지의 구체적인 내용은 상술한 바와 동일하다.
상기 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.5중량% 내지 20중량% 정도, 구체적으로는 1중량% 내지 12중량% 정도, 더욱 구체적으로 3중량% 내지 15중량% 정도의 함량으로 포함될 수 있다.
(B) 경화제
상기 경화제로는, 반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 경화제들이 제한없이 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기 경화제로 페놀아랄킬형 페놀수지,　페놀노볼락형 페놀수지, 자일록(xylok)형 페놀수지, 크레졸 노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형　페놀수지 등과 같은 페놀 수지가 사용될 수 있다.
구체적으로는, 상기 경화제는 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록형 페놀수지, 페놀아랄킬형 페놀수지 및 다관능형 페놀수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 페놀노볼락형 페놀수지는, 예를 들면, 하기 [화학식 2]로 표시되는 페놀노볼락형 패놀수지일 수 있으며, 상기 페놀아랄킬형 페놀수지는 예를 들면, 하기 [화학식 3]으로　표시되는　분자 중에 바이페닐　유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 페놀수지일 수 있다. 또한,　상기 자일록형 페놀수지는, 예를 들면, 하기 [화학식 4]로　표시되는　자일록(xylok)형　페놀수지일 수 있으며, 상기 다관능형 페놀수지는, 예를 들면, 하기 [화학식 5]로 표시되는 반복 단위를 포함하는 다관능형 페놀수지일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00006
상기 [화학식 2]에서 d는 1 내지 7이다.
[화학식 3]
Figure pat00007
상기 [화학식 3]에서, e의 평균치는 1 내지 7이다.
[화학식 4]
Figure pat00008
상기 [화학식 4]에서, f의 평균치는 0 내지 7이다.
[화학식 5]
Figure pat00009
상기 [화학식 5]에서 g의 평균치는 1 내지 7이다.
상기 화학식 2로 표시되는 페놀노볼락형 페놀수지는 가교점 간격이 짧아, 에폭시 수지와 반응할 경우 가교밀도가 높아져 그 경화물의 유리전이온도를 높일 수 있고, 이에 따라 경화물 선팽창계수를 낮추어 반도체 소자 패키지의 휨을 억제할 수 있다. 상기 화학식 3으로 표시되는 페놀아랄킬형 페놀수지는 에폭시 수지와 반응하여 탄소층(char)을 형성하여 주변의 열 및 산소의 전달을 차단함으로써 난연성을 달성하게 된다. 상기 화학식 4로 표시되는 자일록형 페놀수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성　강화 측면에서 바람직하다. 상기 화학식 5로 표시되는 반복단위를 포함하는 다관능형 페놀수지는 에폭시 수지 조성물의 고온 휨 특성 강화 측면에서 바람직하다.
이들 경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 경화제에 에폭시 수지, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 및 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터 배치와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물로도 사용할 수 있다.
상기 경화제는 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 13 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 8 중량%으로 포함될 수 있다.
상기 에폭시 수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 요구되는 물성에 따라 적절하게 조절될 수 있다. 예를 들면, 경화제에 대한　에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 3 정도일 수 있으며, 구체적으로 1 내지 2 정도, 더욱 구체적으로 1 내지 1.75 정도일 수 있다.
(C) 무기 충전제
상기 무기 충전제로는 반도체 밀봉재에 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한없이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 무기 충전제로는 용융실리카, 결정성실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등이 사용될 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있다.
바람직하게는 저응력화를 위해서 선팽창계수가 낮은 용융실리카를 사용한다. 용융실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 평균 입경 5 내지 30㎛의 구상용융실리카를 50 내지 99중량%, 평균입경 0.001 내지 1㎛의 구상 용융실리카를 1내지 50중량%를 포함한 용융실리카 혼합물을 전체 충전제에 대하여 40 내지 100중량%가 되도록 포함하는 것이 좋다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45㎛, 55㎛, 및 75㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다. 상기 구상 용융실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으나 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다.
무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온강도 등의 요구 물성에 따라 다르다. 구체예에서는 상기 무기 충전제는 에폭시 수지 조성물 중 70 내지 95중량%, 예를 들면 80중량% 내지 90중량% 또는 83중량% 내지 87중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 난연성, 유동성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
(D) 기타 성분
상기 에폭시 수지 조성물은, 상기한 성분들 이외에, 필요에 따라, 경화촉진제, 커플링제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 상기 경화 촉진제로는, 예를 들면,　3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다.
상기 유기 금속화합물의 구체적인 예로는, 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트　등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논　부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-페닐-4메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸,　2-페닐이미다졸,　2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸　등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 붕소화합물의 구체적인 예로는, 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene:DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및　페놀노볼락 수지염　등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로는, 상기 경화 촉진제로 유기인화합물, 붕소화합물, 아민계, 또는 이미다졸계 경화 촉진제를 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에서 경화 촉진제의 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여　0.01 내지 2 중량% 정도일 수 있으며, 구체적으로 0.02 내지 1.5 중량% 정도, 더욱 구체적으로 0.05 내지 1 중량% 정도일 수 있다.　상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고 또한, 경화도도 좋은 장점이 있다.
상기 커플링제는 실란 커플링제일 수 있다. 상기 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 되고, 그 종류가 특별히 한정되지 않는다. 상기 실란 커플링제의 구체적인 예로는 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 머캅토실란 등을 들 수 있다. 상기 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
상기 커플링제는 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대해 0.01 내지 5 중량% 정도, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량% 정도, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량% 정도의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물 경화물의 강도가 향상된다.
상기 착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹을 위한 것으로, 예를 들면, 카본 블랙, 티탄질화물(titanium nitride), 티탄블랙(titan black) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
상기 착색제는 에폭시 수지 조성물 중 0.05 내지 4.0중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 에폭시 수지 조성물의 불완전 마킹이 일어나는 것을 방지하고, 마킹시 그을음이 발생하여 마킹성이 저하되는 것을 막을 수 있으며, 수지 조성물의 전기 절연성이 나빠지는 것을 막을 수 있다.
이외에도, 상기 에폭시 수지 조성물은　본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 고급 지방산; 고급 지방산 금속염; 및 에스테르계 왁스, 카르나우바 왁스 등의 이형제; 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 및 실리콘 레진 등의 응력완화제; Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane 등의 산화방지제;　등을　필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
한편, 상기 에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 성분들을 헨셀　믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 소정의 배합비로 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법으로 제조될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자, 특히 저수축 및 저탄성 특성이 요구되는 박막형 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 본 발명에서 얻어진 에폭시　수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 저압 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이 가능하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명한다.
실시예 1
하기 화학식 1-1로 표시되는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 200℃온도의 오븐에서 1시간동안 열을 가하여 용융시킨 후 상온에서 냉각시킨 다음, 분쇄하여 에폭시 수지를 제조하였다.
[화학식 1-1]
Figure pat00010
실시예 2
하기 화학식 1-2로 표시되는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 사용한 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에폭시 수지를 제조하였다.
[화학식 1-2]
Figure pat00011
실시예 3
하기 화학식 1-3으로 표시되는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 사용한 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에폭시 수지를 제조하였다.
[화학식 1-3]
Figure pat00012
실시예 4
시판되는 플루오렌계 이관능 단분자 에폭시 화합물인 SE-250(Shin-a T&C)를 사용한 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에폭시 수지를 제조하였다.
비교예 1
상기 화학식 1-1로 표시되는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 및 냉각 처리 없이 에폭시 수지로 사용하였다.
비교예 2
상기 화학식 1-2로 표시되는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 및 냉각 처리 없이 에폭시 수지로 사용하였다.
비교예 3
상기 화학식 1-3으로 표시되는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 및 냉각 처리 없이 에폭시 수지로 사용하였다.
비교예 4
시판되는 플루오렌계 이관능 단분자 에폭시 화합물인 SE-250(Shin-a T&C)를 용융 및 냉각 처리 없이 에폭시 수지로 사용하였다.
상기 실시예 1 ~ 4 및 비교예 1 ~ 4의 에폭시 수지의 에폭시 당량, 연화점, 유리전이온도, 점도 및 점도 편차를 하기 측정방법에 따라 측정하였다. 측정 결과는 하기 [표 1]에 나타내었다.
또한, 실시예 1 및 4와 비교예 1 및 4의 에폭시 수지의 시차주사열량법에 따라 측정한 그래프를 도 1 및 도 2에 도시하였다.
물성측정방법
(1) 에폭시 당량: 측정하고자 하는 에폭시 수지의 무게를 0.200g 가량 측정하여 100mL 삼각 플라스크에 넣은 후, 메틸렌 클로라이드(Methylene chloride) 15 mL를 넣어서 고체를 모두 녹이고, Crystal violet indicator solution 3방울, TBAB(Tetrabutyl ammonium bromide) 용액 5mL와 마그네틱 교반 막대(Magnetic stirring bar)를 넣고 교반하였다. 과염소산(Perchloric acid) 용액을 뷰렛이나 dropping funnel을 이용해 삼각 플라스크에 서서히 주입하면서 적정을 수행하고, 용액 상에서 보라색에서 녹색으로 변하는 시점의 과염소산(Perchloric acid) 용액 부피를 측정하였다. 그런 다음, 하기 식에 따라 에폭시 수지의 에폭시 당량을 계산하였다.
에폭시 당량(EEQ) = (1000 × We) / (N × V)
We = 측정한 에폭시 수지의 무게
N = 사용된 과염소산 용액의 농도
V = 적정에 사용한 과염소산의 부피
(2) 연화점: 에폭시 수지 샘플을 가이드에 담은 후 샘플 키트와 연결시킨다. FP-90 Central Processor와 FP-83HT 장비를 start 온도로 맞춘 후 측정 part와 샘플 키트를 결합시키고 Run을 눌러 측정을 진행하였다. 하나의 샘플에 때하여 2회 측정을 실시하고, 측정된 값의 평균값을 연화점으로 기재하였다.
(3) 유리전이온도(Tg) 및 시차주사열량분석: DSC(Discovery, TA Instrument) 장비를 사용하여 6mm Al 팬에 10mg의 에폭시 수지 샘플을 넣은 후 DSC cell에 Reference pan과 sample pan을 위치시키고 측정하였다. 질소 가스 조건하에서 40도에서 안정화가 이루어진 후 승온 속도 10℃/min으로 200℃까지 온도를 올려 1차 가열을 실시한 후 같은 속도로 0℃까지 냉각시켰다. 이후 다시 에폭시 수지 샘플을 승온 속도 10℃/min으로 200℃까지 온도를 가열하였다.
(4) 점도 및 점도 편차: 점도계(CAP-2000+ H) 장비를 120 ℃조건으로 맞추어 안정화가 된 이후에 300 mg의 에폭시 수지 샘플을 측정부에 올린 후 스핀들(spindle)을 하강시킨다. 이후 Run 버튼을 눌러 점도값을 측정한 후 아세톤을 이용하여 샘플 및 spindle을 세정한 후 다시 온도를 안정화시킨다. 하나의 샘플에 대해 상기 과정을 5회 반복하여 5개의 측정치를 얻고, 상기 측정치들의 평균값을 구하였다. 그런 다음, 측정치의 최대값과 최소값의 차를 측정치들의 평균값으로 나눈 다음 100을 곱한 값을 점도 편차로 나타내었다.
구분 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4
에폭시 당량 245 265 278 246 245 265 278 246
연화점(℃) 88 102 131 88 145 167 192 104
유리전이온도(℃) 57 70 93 57 57 70 93 57
점도 평균값(cps) 7060 16533 44500 7100 - - - 9400
점도 편차(%) 2.8 4.3 4.5 3.5 - - - 5.7
상기 [표 1]에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제조방법에 따라 용융 및 냉각 처리된 실시예 1 ~ 4의 에폭시 수지는 88℃~131℃의 연화점을 가지며, 점도 편차가 5% 이하로 낮았다. 이에 비해, 비교예 1 ~ 4의 에폭시 수지는 상대적으로 높은 연화점을 가짐을 확인할 수 있다. 또한, 비교예 1 ~ 3의 경우, 120℃보다 높은 연화점을 가지고 있어, 120℃에서의 점도 측정이 불가능하였으며, 비교예 4의 경우, 동일 화합물로 이루어진 실시예 4에 비해 높은 점도 및 점도 편차를 가짐을 알 수 있다.
한편, 상기 [표 1]을 통해, 실시예 1 ~ 4는 각각 비교예 1 ~ 4와 동일한 에폭시 당량을 가짐을 알 수 있다. 이는 본 발명의 제조방법에 의해 에폭시 화합물의 조성이 바뀌지 않았음을 의미한다.
또한, 도 1 및 도 2를 통해 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 에폭시 수지의 경우, 시차주사열량법에 의해 측정된 그래프에서 50℃ 내지 130℃ 온도 범위에서 피크(peak)를 가지며, 130℃ 내지 250℃ 온도 범위에서는 피크(peak)를 갖지 않음을 확인할 수 있다. 이에 비해 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 비교에 1의 에폭시 수지는 130℃ 내지 250℃ 온도 범위에서만 피크가 나타나고, 비교예 4의 에폭시 수지는 50℃ ~ 75℃의 온도 범위와 130℃ ~ 175℃ 온도범위에서 각각 피크가 나타났다. 이는 용융 및 냉각 처리를 통해 에폭시 수지의 물성 변화가 발생하였음을 보여준다.
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (9)

  1. 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 용융 온도 이상으로 가열하여 용융시키는 단계; 및
    상기 용융된 에폭시 화합물을 냉각시키는 단계를 포함하는 에폭시 수지의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다환 구조는 플루오렌, 안트라센, 나프탈렌 및 바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 에폭시 수지의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다환 구조를 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 에폭시 수지의 제조 방법.
    [화학식 1]
    Figure pat00013

    상기 화학식 1에서, X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 또는 C1~10인 알킬기, n은 1 내지 5인 정수, m은 1 내지 5인 정수임.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 용융시키는 단계는 다환 구조를 포함하는 이관능 단분자 에폭시 화합물을 150℃ 내지 250℃로 가열하여 수행되는 것인 에폭시 수지의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각시키는 단계는 상기 용융된 에폭시 화합물을 20℃ 내지 30℃로 냉각시키는 것인 에폭시 수지의 제조 방법.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 에폭시 수지이며,
    연화점이 50℃ 내지 140℃인 에폭시 수지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 120℃에서의 점도 편차가 5% 이하인 에폭시 수지.
  8. 청구항 6의 에폭시 수지, 경화제 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  9. 청구항 8의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 성형된 성형품.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109651762B (zh) * 2018-12-20 2022-05-13 江苏华海诚科新材料股份有限公司 一种耐高压型环氧树脂组合物及其制备方法
CN114276651B (zh) * 2021-12-24 2023-06-23 江苏华海诚科新材料股份有限公司 适用于低压封装的环氧树脂组合物及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148411A (ja) * 1991-11-26 1993-06-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
KR19990077791A (ko) * 1998-03-13 1999-10-25 고사이 아끼오 에폭시 수지 조성물 및 수지-봉입형 반도체 장치
KR100896794B1 (ko) * 2007-12-26 2009-05-11 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR20130074664A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU5192398A (en) * 1996-11-29 1998-06-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Cyclopentylene compounds and intermediates therefor, epoxy resin composition, molding material, and resin-sealed electronic device
KR20030057107A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
KR101520764B1 (ko) * 2012-06-01 2015-05-15 한국생산기술연구원 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 무기입자를 포함하는 조성물, 경화물, 이의 용도 및 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법
KR101557538B1 (ko) * 2012-12-24 2015-10-06 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148411A (ja) * 1991-11-26 1993-06-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
KR19990077791A (ko) * 1998-03-13 1999-10-25 고사이 아끼오 에폭시 수지 조성물 및 수지-봉입형 반도체 장치
KR100896794B1 (ko) * 2007-12-26 2009-05-11 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR20130074664A (ko) * 2011-12-26 2013-07-04 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치

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