KR20170050727A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 배치된 애노드 전극과 상기 애노드 전극과 동일한 층에 배치된 보조 전극과 상기 보조 전극 상에 배치된 격벽 받침과 상기 격벽 받침 상에 배치된 격벽 및 상기 보조 전극과 연결된 캐소드 전극을 포함하고, 상기 격벽 받침의 하면은, 한 쌍의 단변 및 상기 한 쌍의 단변 사이를 연결하는 적어도 하나의 경사면을 갖는 한 쌍의 장변을 갖는다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 자발광 소자로서, 소비전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치(OLED)는 유기 발광 소자를 통해 발광된 광의 투과 방향에 따라 상부 발광 방식(top emission type)과 하부 발광 방식(bottom emission type)으로 나뉜다. 상기 하부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하기 때문에 상기 회로 소자로 인해서 개구율이 저하되는 단점이 있는 반면에, 상기 상부 발광 방식은 발광층과 화상 표시면 사이에 회로 소자가 위치하지 않기 때문에 개구율이 향상되는 장점이 있다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 액티브층(11), 게이트 절연막(12), 게이트 전극(13), 층간 절연막(14), 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)을 포함하는 박막 트랜지스터층(T)이 형성되어 있고, 상기 박막 트랜지스터층(T) 상에 패시베이션층(20)과 평탄화층(30)이 차례로 형성되어 있다.
상기 평탄화층(30) 상에는 애노드(Anode) 전극(40)과 보조 전극(50)이 형성되어 있다. 상기 보조 전극(50)은 후술하는 캐소드(Cathode) 전극(80)의 저항을 줄이는 역할을 한다.
상기 애노드 전극(40)과 보조 전극(50) 상에는 뱅크(60)가 형성되어 화소 영역이 정의되고, 상기 뱅크(60)에 의해 정의된 화소 영역 내에는 유기 발광층(70)이 형성되어 있고, 상기 유기 발광층(70) 상에는 캐소드 전극(80)이 형성되어 있다.
상부 발광 방식의 경우 상기 유기 발광층(70)에서 발광된 광이 상기 캐소드 전극(80)을 통과하여 진행하게 된다. 따라서, 상기 캐소드 전극(80)은 투명한 도전물을 이용하여 형성되며, 그로 인해서 상기 캐소드 전극(80)의 저항이 커지는 문제가 발생한다. 이와 같은 캐소드 전극(80)의 저항을 줄이기 위해서 캐소드 전극(80)을 상기 보조 전극(50)에 연결하는 것이다.
이러한 종래의 유기 발광 표시 장치는 상부 발광 방식이 적용된 유기 발광 표시 장치로서, 상기 유기 발광층(70)을 증착하기 어려운 단점이 있다. 종래의 유기 발광 표시 장치와 같이 상기 애노드 전극(40) 상에만 상기 유기 발광층(70)을 증착하는 경우, 추가적인 공정이 필요할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층(70)을 전면 증착할 경우, 상기 보조 전극(50)과 상기 캐소드 전극(80)을 연결시킬 수 없다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 유기 발광층을 전면 증착하면서도, 보조 전극과 캐소드 전극을 연결시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 배치된 애노드 전극과 상기 애노드 전극과 동일한 층에 배치된 보조 전극과 상기 보조 전극 상에 배치된 격벽 받침과 상기 격벽 받침 상에 배치된 격벽 및 상기 보조 전극과 연결된 캐소드 전극을 포함하고, 상기 격벽 받침의 하면은, 한 쌍의 단변 및 상기 한 쌍의 단변 사이를 연결하는 적어도 하나의 경사면을 갖는 한 쌍의 장변을 갖는다.
본 발명에 따르면, 보조 전극 상에 격벽을 배치함으로써, 마스크 패턴 없이 보조 전극을 노출시켜 캐소드 전극과 연결할 수 있다.
또한, 격벽 받침이 가변적으로 형성됨에 따라, 격벽과 보조 전극 사이의 폭 또한 가변적으로 마련됨으로써 격벽의 적어도 한 부분 이상은 보조 전극과 분리되도록 형성된다. 따라서, 격벽과 보조 전극 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극과 보조 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 상부 발광 방식 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 A영역을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 A영역을 확대한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 공정을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 4의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 8는 도 4 C-C선에 따른 단면도이다.
도 9은 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 확대한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 확대한 평면도이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 3은 도 2의 A영역을 확대한 도면이다.
도 2 및 도 3를 참조하면, 본 발명의 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 애노드 전극(300), 보조 전극(350), 격벽 받침(400), 격벽(450), 및 뱅크(500)를 포함한다.
상기 애노드 전극(300)은 각각의 화소 별로 분리되어 배치된다. 이러한 애노드 전극(300)은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 애노드 전극(300)은 반사효율이 우수한 금속물질 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴과 티타늄의 합금(MoTi), 알루미늄(Al), 은(Ag), APC(Ag;Pb;Cu) 등을 포함하는 적어도 둘 이상의 층으로 구성될 수 있다.
상기 보조 전극(350)은 화소 사이에 직사각형의 형태로 배치될 수 있지만, 반드시 그러한 것은 아니다. 이때, 보조 전극(350)은 상기 뱅크(500)와 일부가 중첩되는 영역과 상기 뱅크(500)와 중첩되지 않고 노출되는 보조 전극 오픈 영역(350a)을 포함한다. 상기 보조 전극 오픈 영역(350a)은 격벽(450)의 측면과 뱅크(500) 측면 사이의 보조 전극(350)을 노출시킨다. 이러한 보조 전극(350)은 상기 보조 전극 오픈 영역(350a)을 통해서 후술되는 캐소드 전극과 전기적으로 연결된다.
상기 격벽 받침(400)은 일정한 폭을 가지도록 보조 전극(350) 상에 배치되며, 격벽(450)을 지지한다. 이때, 격벽 받침(400)은 뱅크(500)와 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 이러한, 격벽 받침(400)은 격벽(450)을 하부에서 지지함으로써 상기 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이에 갭 공간을 마련한다. 상기 갭 공간은 상기 보조 전극(350)을 노출시켜 후술되는 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 한다.
상기 격벽(450)은 상기 격벽 받침(400) 상에 배치된다. 이때, 격벽(450)의 상면이 처마(eaves) 역할을 하기 위해서, 상기 격벽(450)의 상면의 폭은 상기 격벽(450)의 하면의 폭보다 크게 형성된다. 이러한, 격벽(450)은 유기 발광층의 증착시 상기 격벽(450)의 상면이 처마(eaves)와 같은 역할을 함으로써 처마(eaves) 아래 영역에는 상기 유기 발광층이 증착되지 않게 되어 보조 전극(350)의 상면을 가리는 마스크 패턴이 필요 없게 된다. 즉, 처마의 역할을 하는 격벽(450)의 상면이 갭 공간을 가리도록 구성할 경우, 유기 발광층이 상기 갭 공간으로 침투하지 않게 되어 보조 전극(350)이 노출될 수 있다. 특히, 유기 발광층은 증발법(Evaporation)과 같은 증착 물질의 직진성이 우수한 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 유기 발광층의 증착 공정시 갭 공간으로 상기 유기 발광층이 증착되지 않게 된다.
상기 뱅크(500)는 애노드 전극(300)과 보조 전극(350) 사이에 형성되어 상기 애노드 전극(300)과 상기 보조 전극(350)을 서로 절연시킨다. 이러한, 상기 뱅크(500)는 폴리이미드 수지(polyimide resin), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 본 발명의 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(350) 상에 격벽(450)을 배치함으로써, 마스크 패턴 없이 보조 전극(350)을 노출시켜 캐소드 전극과 연결할 수 있다. 그러나, 본 발명의 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽 받침(400)이 일정한 폭으로 형성되어 있기 때문에, 공정 마진에 의해서 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이에 갭 공간이 마련되지 않고 격벽(450)이 보조 전극(350)과 접촉되도록 형성 될 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 보조 전극(350)이 캐소드 전극과 전기적으로 연결되지 못하는 문제점이 발생할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 5은 도 4의 A영역을 확대한 도면으로서, 이는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 격벽 받침의 구조를 변경하여 구성한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 격벽 받침 및 격벽에 대해서만 설명하기로 하고, 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
상기 격벽 받침(400)은 보조 전극(350) 상에 배치된다. 이때, 상기 격벽 받침(400)은 하면이 다각형의 형태를 가질 수 있으며, 일 예로 사다리꼴 형태의 평면을 가질 수 있다. 이러한, 상기 격벽 받침(400)은 제1 단변(401), 제2 단변(402), 제1 장변(403), 및 제2 장변(404)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 단변(401, 402)은 격벽 받침(400)의 하면을 이루는 다각형에서 길이가 짧은 한 쌍의 변이다. 이때, 상기 제1 및 제2 단변(401, 402)은 서로 마주볼 수 있다.
상기 제1 및 제2 장변(403, 404)은 격벽 받침(400)의 하면을 이루는 다각형에서 길이가 긴 한 쌍의 변이다. 이러한, 제1 및 제2 장변(403, 404)은 상기 제1 및 제2 단변(401, 402) 사이를 각각 연결한다. 이때, 제1 및 제2 장변(403, 404)은 적어도 하나의 경사면을 이루고 있으며, 서로 대칭될 수 있다.
상기 격벽 받침(400)은 격벽(450)을 하부에서 지지함으로써 상기 격벽(450)의 하면과 보조 전극(350) 사이에 갭 공간을 마련한다. 상기 갭 공간은 보조 전극(350)을 노출시켜 후술되는 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 한다. 이러한 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400a) 및 제2 격벽 받침 영역(400b)을 포함한다. 이때, 격벽 받침(400)의 길이 방향을 기준으로, 제1 격벽 받침 영역(400a)은 격벽 받침(400)의 일측부이고, 제2 격벽 받침 영역(400b)은 격벽 받침(400)의 타측부이다. 이러한, 제1 격벽 받침 영역(400a)은 제1 폭을 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400b)은 상기 제1 폭 보다 넓은 제2 폭을 갖는다. 따라서, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제2 격벽 받침 영역(400b)으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형태를 가질 수 있다. 또한, 격벽 받침(400)의 측면은 제1 높이를 갖는 제1 격벽 받침 영역(400a)과 제2 높이를 갖는 제2 격벽 받침 영역(400b)을 포함한다. 즉, 상기 격벽 받침(400)의 측면은 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제2 격벽 받침 영역(400b)으로 갈수록 높이가 점점 높아진다. 따라서, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)은 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제2 격벽 받침 영역(400b)으로 갈수록 하면의 폭이 점점 증가하고, 측면의 높이 또한 점점 증가한다.
상기 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 배치된다. 이때, 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 동일 노광량으로 형성하는데, 상기 격벽 받침(400)의 폭과 높이에 따라 갭 공간의 높이가 달라진다. 상기 갭 공간의 높이는 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제1 높이를 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400b)에서 제2 높이를 가진다. 이때, 제2 격벽 받침 영역(400b) 상에 배치되는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 갭 공간의 높이는, 제1 격벽 받침 영역(400a) 상에 배치되는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 갭 공간의 높이 보다 높게 마련된다. 즉, 상기 갭 공간의 높이는 제1 높이에서 제2 높이로 점차적으로 증가한다. 이러한, 상기 격벽(450)은 동일 노광량으로 제1 격벽 받침 영역(400a) 및 제2 격벽 받침 영역(400b) 상에 동시에 형성되기 때문에, 상대적으로 폭과 높이가 큰 제2 격벽 받침 영역(400b) 상에 배치되는 격벽(450)은 갭 공간의 높이가 크도록 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽 받침(400)의 폭 및 높이가 일정하지 않은 형태로 형성됨에 따라, 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 폭과 높이 또한 일정하지 않도록 마련됨으로써 공정상 마진에 의한 오차가 생기더라도 격벽(450)의 적어도 한 부분 이상은 보조 전극(350)과 분리되도록 형성된다. 따라서, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 연결되지 못하는 불량을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(350) 상에 격벽(450)을 배치함으로써, 마스크 패턴 없이 보조 전극(350)을 노출시켜 캐소드 전극과 연결할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 공정을 나타내는 도면으로, 격벽 받침의 폭과 높이에 따라 격벽이 다르게 형성되는 공정을 나타낸 것이다.
도 6을 참조하면, 제1 격벽 받침 영역(400a) 및 제2 격벽 받침 영역(400b)에서 격벽(450)이 형성되는 공정을 비교하기 위해서, 보조 전극(350) 상에 제1 격벽 받침 영역(400a)에 해당되는 격벽 받침(400)과 제2 격벽 받침 영역(400b)에 해당되는 격벽 받침(400)을 도시하였다. 상기와 같이, 보조 전극(350) 상에 격벽 받침(400)을 형성한 뒤에, 상기 격벽 받침(400) 상에 격벽(450)을 형성하기 위한 물질을 증착한다. 상기 격벽물질은 네가티브 타입의 포토 레지스트(Negative PR)로 형성될 수 있다. 상기 네가티브 타입의 포토 레지스트는 빛에 노출된 부분이 경화되어 패턴으로 형성되고, 빛에 노출되지 않은 부분이 용매에 의해 씻겨나가는 감광성 물질이다. 이러한 격벽 물질은 격벽 받침(400)의 크기에 따라서 굴곡지게 형성된다. 그런 다음, 상기 격벽(450)을 형성하기 위한 물질 상에 포토마스크를 배치한다. 그런 다음, 네가티브 포토 레지스트(Negative Photo Resist) 공정을 통해 격벽(450)을 형성한다. 네가티브 포토 레지스트 공정은 빛이 노출된 부분이 화학적으로 결합하여 남고, 노광후 빛이 노출되지 않은 부분이 현상액에 씻겨나가는 공정이다. 따라서, 포토마스크로 가려진 격벽물질은 사라지고, 빛에 노출된 격벽물질은 남아서 격벽(450)이 된다. 이때, 격벽 받침(400) 상에 동일 노광량으로 형성되는 격벽(450)은 상기 격벽 받침(400)의 폭과 높이에 따라 갭 공간의 높이가 다르게 형성된다. 즉, 제2 높이(410)를 갖는 격벽 받침(400)의 격벽(450)은 제1 높이(410)를 갖는 격벽 받침(400)상의 격벽(450) 보다 높게 형성되어, 갭 공간(350b, 350c)의 높이도 차이가 발생한다. 또한, 폭이 상대적으로 넓게 형성된 제2 격벽 받침 영역(400b)에 형성된 격벽(450)과 제1 격벽 받침 영역(400a)에 형성되는 격벽(450)은 폭의 차이에 의해서 격벽(450)이 형성되기 시작하는 높이가 달라지기 때문에 갭 공간(350b, 350c)의 높이 또한 차이가 발생한다. 이와 같이, 상기 갭 공간(350b, 350c)의 높이가 일정하지 않게 형성됨에 따라, 공정상 마진에 의한 오차가 생기더라도 격벽(450)의 적어도 한 부분 이상은 보조 전극(350)과 분리되도록 형성된다. 따라서, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 연결되지 못하는 불량을 방지할 수 있다.
도 7은 도 4의 B-B선에 따른 단면도이고, 도 8는 도 4의 C-C선에 따른 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(T), 패시베이션층(200), 평탄화층(250), 애노드 전극(300), 보조 전극(350), 격벽 받침(400), 격벽(450), 뱅크(500), 유기 발광층(550), 및 캐소드 전극(600)을 형성한다.
상기 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)을 포함한다.
상기 액티브층(110)은 게이트 전극(130)과 중첩되도록 기판(100) 상에 배치된다. 이러한, 상기 액티브층(110)은 실리콘계 반도체 물질로 이루어질 수도 있고 산화물계 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 도시하지는 않았지만, 기판(100)과 액티브층(110) 사이에 차광막이 추가로 형성될 수 있다.
상기 게이트 절연막(120)은 상기 액티브층(110) 상에 배치된다. 이러한, 상기 게이트 절연막(120)은 액티브층(110)과 게이트 전극(130)을 절연시킨다. 이때, 상기 게이트 절연막(120)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 배치된다. 이때, 상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 상기 액티브층(110)과 중첩되도록 형성된다. 상기 게이트 전극(130)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층일 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 전극(130) 상에 형성된다. 이러한, 상기 층간 절연막(140)은 상기 게이트 절연막(120)과 동일한 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX), 실리콘 질화막(SiNX), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 소스 전극(150) 및 드레인 전극(160)은 상기 층간 절연막(140) 상에서 서로 마주하도록 배치된다. 전술한 게이트 절연막(120)과 층간 절연막(140)에는 액티브층(110)의 일단 영역을 노출시키는 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 액티브층(110)의 타단 영역을 노출시키는 제2 콘택홀(CH2)이 마련된다. 이때, 소스 전극(150)은 제1 콘택홀(CH1)을 통해서 상기 액티브층(110)의 타단 영역과 연결되고, 드레인 전극(160)은 제2 콘택홀(CH2)을 통해서 액티브층(110)의 일단 영역과 연결된다.
이상과 같은 박막 트랜지스터층(T)의 구성은 도시된 구조로 한정되지 않고, 당업자에게 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다. 예로서, 도면에는 게이트 전극(130)이 액티브층(110)의 위에 형성되는 탑 게이트 구조(Top Gate) 구조를 도시하였지만, 게이트 전극(130)이 액티브층(110)의 아래에 형성되는 바텀 게이트 구조(Bottom Gate) 구조로 이루어질 수도 있다.
상기 패시베이션층(200)은 상기 박막 트랜지스터층(T) 상에 배치된다. 이러한, 패시베이션층(200)은 박막 트랜지스터층(T)을 보호하는 기능을 한다. 이때, 패시베이션층(200)은 무기 절연 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiOX) 또는 실리콘 질화막(SiNX)으로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 평탄화층(250)은 상기 패시베이션층(200) 상에 배치된다. 이러한, 상기 평탄화층(250)은 상기 박막 트랜지스터(T)가 구비되어 있는 기판(100) 상부를 평탄하게 해주는 기능을 수행한다. 이때, 상기 평탄화층(250)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 전극(300)은 평탄화층(250) 상에 배치된다. 전술한 패시베이션층(200)과 평탄화층(250)에는 드레인 전극(160)을 노출시키는 제3 콘택홀(CH3)이 마련되어 있으며, 애노드 전극(300)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통하여 드레인 전극(160)과 연결된다.
상기 보조 전극(350)은 평탄화층(250) 상에 배치된다. 즉, 상기 보조 전극(350)은 애노드 전극(300)과 동일한 층에 배치된다. 이러한, 보조 전극(350)은 후술되는 캐소드 전극(600)의 저항을 줄이기 위해서 상기 캐소드 전극(600)과 연결된다.
상기 격벽 받침(400)은 상기 격벽(450)을 지지하도록 보조 전극(350) 상에 배치되며, 뱅크(500)와 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 이때, 격벽 받침(400)은 격벽(450)을 하부에서 지지함으로써 상기 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이에 갭 공간(350b, 350c)을 마련한다. 상기 갭 공간(350b, 350c)은 상기 보조 전극(350)을 노출시켜 캐소드 전극(600)과 전기적으로 연결되도록 한다. 이러한 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400a) 및 제2 격벽 받침 영역(400b)을 포함한다. 이때, 격벽 받침(400)의 길이 방향을 기준으로, 제1 격벽 받침 영역(400a)은 격벽 받침(400)의 일측부이고, 제2 격벽 받침 영역(400b)은 격벽 받침(400)의 타측부이다. 이러한, 제1 격벽 받침 영역(400a)은 제1 폭을 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400b)은 상기 제1 폭 보다 넓은 제2 폭을 갖는다. 또한, 격벽 받침(400)의 측면은 제1 높이(410)를 갖는 제1 격벽 받침 영역(400a)과 제2 높이(420)를 갖는 제2 격벽 받침 영역(400b)을 포함한다. 즉, 상기 격벽 받침(400)의 측면은 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제2 격벽 받침 영역(400b)으로 갈수록 높이가 점점 높아진다. 따라서, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)은 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제2 격벽 받침 영역(400b)으로 갈수록 하면의 폭이 점점 증가하고, 측면의 높이 또한 점점 증가한다.
상기 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 배치된다. 이때, 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 동일 노광량으로 형성하는데, 상기 격벽 받침(400)의 하면 폭과 측면 높이에 따라 갭 공간(350b, 350c)의 높이가 달라진다. 도 7과 같이, 상기 격벽(450)이 제1 격벽 받침 영역(400a) 상에 배치되는 경우에는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이에 제1 갭 공간(350b)이 마련된다. 또한, 도 8과 같이, 상기 격벽(450)이 제2 격벽 받침 영역(400b) 상에 배치되는 경우에는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이에 제2 갭 공간(350c)이 마련된다. 상기 제2 갭 공간(350c)의 높이는 제2 격벽 받침 영역(400b)에 해당하는 격벽 받침(400)의 폭과 높이가 제1 격벽 받침 영역(400a)에 해당하는 격벽 받침(400)의 폭과 높이보다 크기 때문에, 제1 갭 공간(350b)의 높이보다 높게 마련된다. 즉, 상기 격벽(450)은 동일 노광량으로 제1 격벽 받침 영역(400a) 및 제2 격벽 받침 영역(400b) 상에 동시에 형성되기 때문에, 상대적으로 폭과 높이가 큰 제2 격벽 받침 영역(400b) 상에 배치되는 격벽(450)은 제2 갭 공간(350c)의 높이가 크도록 형성된다. 이와 같이, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽 받침(400)의 형태가 일정하지 않도록 형성됨에 따라, 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 폭 또한 일정하지 않도록 마련됨으로써, 공정상 마진에 의한 오차가 생기더라도 격벽(450)의 적어도 한 부분 이상은 보조 전극(350)과 분리되도록 형성된다. 따라서, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극(600)과 보조 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 캐소드 전극(600)과 보조 전극(350)이 연결되지 못하는 불량을 방지할 수 있다.
상기 뱅크(500)는 상기 애노드 전극(300) 및 보조 전극(350) 상에 배치된다. 이때, 뱅크(500)는 애노드 전극(300) 및 보조 전극(350)의 일부와 중첩되도록 배치된다. 즉, 뱅크(500)는 상기 애노드 전극(300) 및 보조 전극(350)의 상면을 노출시키면서 상기 애노드 전극(300) 및 보조 전극(350)의 측면을 덮도록 일측 및 타측 상에 배치된다. 이와 같이, 뱅크(500)는 애노드 전극(300)의 상면을 노출시키도록 배치됨으로써 화상이 디스플레이되는 영역을 확보할 수 있다. 또한, 뱅크(500)는 보조 전극(350)의 상면을 노출시키는 보조 전극 오픈 영역(350a)을 갖도록 배치됨으로써 상기 보조 전극(350)과 상기 캐소드 전극(600) 사이의 전기적 연결 공간을 확보할 수 있다. 이러한, 뱅크(500)는 애노드 전극(300)과 보조 전극(350) 사이에 배치되어 상기 애노드 전극(300)과 보조 전극(350)을 서로 절연시킨다. 이와 같은 뱅크(500)는 폴리이미드 수지(polyimide resin), 아크릴 수지(acryl resin), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 등과 같은 유기절연물로 이루어질 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 발광층(550)은 애노드 전극(300) 상에 배치된다. 이때, 유기 발광층(550)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)을 포함하여 이루어질 수 있으며, 유기 발광층(550)은 구조는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. 이러한, 상기 유기 발광층(550)은 뱅크(500)의 상면까지 연장될 수 있다. 그러나, 유기 발광층(550)은 격벽(400)과 보조 전극(350) 사이에 마련되는 갭 공간(350b, 350c)에는 형성되지 않는다. 전술한 바와 같이, 유기 발광층(550)은 보조 전극(350)의 상면을 가리는 마스크 없이 증착 공정을 통해 형성할 수 있으며, 이 경우 유기 발광층(550)은 격벽(450)의 상면에도 형성될 수 있다.
상기 캐소드 전극(600)은 상기 유기 발광층(550) 상에 형성되어 있다. 상기 캐소드 전극(600)은 광이 방출되는 면에 형성되기 때문에 투명한 도전물질로 이루어진다. 상기 캐소드 전극(600)은 투명한 도전물질로 이루어지기 때문에 저항이 높게 되고, 따라서 상기 캐소드 전극(600)의 저항을 줄이기 위해서 상기 캐소드 전극(600)은 보조 전극(350)과 연결된다. 이때, 상기 캐소드 전극(600)은 보조 전극 오픈 영역(350a)과, 갭 공간(350b, 350c)을 통해서 상기 보조 전극(350)과 연결되어 있다. 이러한, 캐소드 전극(600)은 스퍼터링(Sputtering)과 같은 증착 물질의 직진성이 좋지 않은 증착 공정을 통해 형성할 수 있기 때문에, 상기 캐소드 전극(600)의 증착 공정시 상기 갭 공간(350b, 350c)으로 캐소드 전극(600)이 파고들어 증착될 수 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았으나, 상기 캐소드 전극(600) 상에는 밀봉층(encapsulation layer)이 추가로 형성되어 수분의 침투를 방지할 수 있다. 상기 밀봉층은 당업계에 공지된 다양한 재료가 이용될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 캐소드 전극(600) 상에 각 화소별로 컬러 필터가 추가로 형성될 수도 있으며, 이 경우에는 상기 유기 발광층(550)에서 화이트(white) 광이 발광될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극(600)과 보조 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 캐소드 전극(600)과 보조 전극(350)이 연결되지 못하는 불량을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제2 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(350) 상에 격벽(450)을 배치함으로써, 마스크 패턴 없이 보조 전극(350)을 노출시켜 캐소드 전극(600)과 연결할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 확대한 평면도로서, 이는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 격벽 받침의 구조를 변경하여 구성한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 격벽 받침 및 격벽에 대해서만 설명하기로 하고, 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
상기 격벽 받침(400)은 상기 격벽(450)을 지지하도록 보조 전극(350) 상에 배치된다. 이때, 상기 격벽 받침(400)은 하면이 다각형의 형태를 가질 수 있으며, 일 예로 두 개의 사다리꼴이 넓은 밑면을 기준으로 대칭되는 형태의 평면을 가질 수 있다. 이러한, 상기 격벽 받침(400)은 제1 단변(401), 제2 단변(402), 제1 경사면을 갖는 제1 장변(403a), 제2 경사면을 갖는 제1 장변(403a), 제1 경사면을 갖는 제2 장변(404a), 및 제2 경사면을 갖는 제2 장변(404b)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 단변(401, 402)은 격벽 받침(400)의 하면을 이루는 다각형에서 길이가 짧은 한 쌍의 변이다. 이때, 상기 제1 및 제2 단변(401, 402)은 서로 마주볼 수 있다.
상기 제1 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403a, 404a) 및 제2 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403b, 404b)은 격벽 받침(400)의 하면을 이루는 다각형에서 길이가 긴 한 쌍의 변이다. 이러한, 제1 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403a, 404a) 및 제2 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403b, 404b)은 제1 및 제2 단변(401, 402) 사이를 각각 연결한다. 이때, 제1 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403a, 404a) 및 제2 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403b, 404b)은 제1 및 제2 단변(401, 402) 사이의 중심부를 기준으로 대칭될 수 있다.
상기 격벽 받침(400)은 격벽(450)을 하부에서 지지함으로써 상기 격벽(450)의 하면과 보조 전극(350) 사이에 갭 공간을 마련한다. 상기 갭 공간은 보조 전극(350)을 노출시켜 후술되는 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 한다. 이러한 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400c) 및 제2 격벽 받침 영역(400d)을 포함한다. 이때, 격벽 받침(400)의 길이 방향을 기준으로, 제1 격벽 받침 영역(400c)은 격벽 받침(400)의 일측부와 타측부이고, 제2 격벽 받침 영역(400d)은 격벽 받침(400)의 일측부와 타측부 사이의 중간부이다. 이러한, 제1 격벽 받침 영역(400c)은 제1 폭을 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400d)은 상기 제1 폭 보다 넓은 제2 폭을 갖는다. 따라서, 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400c)에서 제2 격벽 받침 영역(400d)으로 갈수록 폭이 넓어진다. 또한, 격벽 받침(400)의 측면은 제1 높이를 갖는 제1 격벽 받침 영역(400c)과 제2 높이를 갖는 제2 격벽 받침 영역(400d)을 포함한다. 즉, 상기 격벽 받침(400)의 측면은 제1 격벽 받침 영역(400c)에서 제2 격벽 받침 영역(400d)으로 갈수록 높이가 점점 높아진다. 따라서, 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)은 제1 격벽 받침 영역(400a)에서 제2 격벽 받침 영역(400b)으로 갈수록 하면의 폭이 점점 증가하고, 측면의 높이 또한 점점 증가한다.
상기 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 배치된다. 이때, 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 동일 노광량으로 형성하는데, 상기 격벽 받침(400)의 폭과 높이에 따라 갭 공간의 높이가 달라진다. 상기 갭 공간의 높이는 제1 격벽 받침 영역(400c)에서 제1 높이를 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400d)에서 제2 높이를 가진다. 이때, 제2 격벽 받침 영역(400d) 상에 배치되는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 갭 공간의 높이는, 제1 격벽 받침 영역(400c) 상에 배치되는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 갭 공간의 높이 보다 높게 마련된다. 즉, 상기 갭 공간의 높이는 제1 높이에서 제2 높이로 점차적으로 증가한다. 이러한, 상기 격벽(450)은 동일 노광량으로 제1 격벽 받침 영역(400c) 및 제2 격벽 받침 영역(400d) 상에 동시에 형성되기 때문에, 상대적으로 폭과 높이가 큰 제2 격벽 받침 영역(400d) 상에 배치되는 격벽(450)은 갭 공간의 높이가 크도록 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽 받침(400)의 폭 및 높이가 일정하지 않은 형태로 형성됨에 따라, 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 폭과 높이 또한 일정하지 않도록 마련됨으로써 공정상 마진에 의한 오차가 생기더라도 격벽(450)의 적어도 한 부분 이상은 보조 전극(350)과 분리되도록 형성된다. 따라서, 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 연결되지 못하는 불량을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제3 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(350) 상에 격벽(450)을 배치함으로써, 마스크 패턴 없이 보조 전극(350)을 노출시켜 캐소드 전극과 연결할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 보조 전극을 확대한 평면도로서, 이는 도 2 및 도 3에 도시된 제1 예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 격벽 받침의 구조를 변경하여 구성한 것이다. 이에 따라, 이하의 설명에서는 격벽 받침 및 격벽에 대해서만 설명하기로 하고, 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
상기 격벽 받침(400)은 상기 격벽(450)을 지지하도록 보조 전극(350) 상에 배치된다. 이때, 상기 격벽 받침(400)은 하면이 다각형의 형태를 가질 수 있으며, 일 예로 두 개의 사다리꼴이 좁은 밑면을 기준으로 대칭되는 형태의 평면을 가질 수 있다. 이러한, 상기 격벽 받침(400)은 제1 단변(401), 제2 단변(402), 제1 경사면을 갖는 제1 장변(403a), 제2 경사면을 갖는 제1 장변(403a), 제1 경사면을 갖는 제2 장변(404a), 및 제2 경사면을 갖는 제2 장변(404b)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 단변(401, 402)은 격벽 받침(400)의 하면을 이루는 다각형에서 길이가 짧은 한 쌍의 변이다. 이때, 상기 제1 및 제2 단변(401, 402)은 서로 마주볼 수 있다.
상기 제1 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403a, 404a) 및 제2 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403b, 404b)은 격벽 받침(400)의 하면을 이루는 다각형에서 길이가 긴 한 쌍의 변이다. 이러한, 제1 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403a, 404a) 및 제2 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403b, 404b)은 제1 및 제2 단변(401, 402) 사이를 각각 연결한다. 이때, 제1 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403a, 404a) 및 제2 경사면을 갖는 제1 및 제2 장변(403b, 404b)은 제1 및 제2 단변(401, 402) 사이의 중심부를 기준으로 대칭될 수 있다.
상기 격벽 받침(400)은 격벽(450)을 하부에서 지지함으로써 상기 격벽(450)의 하면과 보조 전극(350) 사이에 갭 공간을 마련한다. 상기 갭 공간은 보조 전극(350)을 노출시켜 후술되는 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 한다. 이러한 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400e) 및 제2 격벽 받침 영역(400f)을 포함한다. 이때, 격벽 받침(400)의 길이 방향을 기준으로, 제2 격벽 받침 영역(400f)은 격벽 받침(400)의 일측부와 타측부이고, 제1 격벽 받침 영역(400e)은 격벽 받침(400)의 일측부와 타측부 사이의 중간부이다. 이러한, 제1 격벽 받침 영역(400e)은 제1 폭을 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400f)은 상기 제1 폭 보다 넓은 제2 폭을 갖는다. 따라서, 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)의 하면은 제1 격벽 받침 영역(400e)에서 제2 격벽 받침 영역(400f)으로 갈수록 폭이 넓어진다. 또한, 격벽 받침(400)의 측면은 제1 높이를 갖는 제1 격벽 받침 영역(400e)과 제2 높이를 갖는 제2 격벽 받침 영역(400f)을 포함한다. 즉, 상기 격벽 받침(400)의 측면은 제1 격벽 받침 영역(400e)에서 제2 격벽 받침 영역(400f)으로 갈수록 높이가 점점 높아진다. 따라서, 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 격벽 받침(400)은 제1 격벽 받침 영역(400e)에서 제2 격벽 받침 영역(400f)으로 갈수록 하면의 폭이 점점 증가하고, 측면의 높이 또한 점점 증가한다.
상기 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 배치된다. 이때, 격벽(450)은 격벽 받침(400) 상에 동일 노광량으로 형성하는데, 상기 격벽 받침(400)의 폭과 높이에 따라 갭 공간의 높이가 달라진다. 상기 갭 공간의 높이는 제1 격벽 받침 영역(400e)에서 제1 높이를 가지며, 제2 격벽 받침 영역(400f)에서 제2 높이를 가진다. 이때, 제2 격벽 받침 영역(400f) 상에 배치되는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 갭 공간의 높이는, 제1 격벽 받침 영역(400e) 상에 배치되는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 갭 공간의 높이 보다 높게 마련된다. 즉, 상기 갭 공간의 높이는 제1 높이에서 제2 높이로 점차적으로 증가한다. 이러한, 상기 격벽(450)은 동일 노광량으로 제1 격벽 받침 영역(400e) 및 제2 격벽 받침 영역(400f) 상에 동시에 형성되기 때문에, 상대적으로 폭과 높이가 큰 제2 격벽 받침 영역(400f) 상에 배치되는 격벽(450)은 갭 공간의 높이가 크도록 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽 받침(400)의 폭 및 높이가 일정하지 않은 형태로 형성됨에 따라, 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 폭과 높이 또한 일정하지 않도록 마련됨으로써 공정상 마진에 의한 오차가 생기더라도 격벽(450)의 적어도 한 부분 이상은 보조 전극(350)과 분리되도록 형성된다. 따라서, 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 격벽(450)과 보조 전극(350) 사이의 틈이 적어도 한 부분 이상 형성되어 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 전기적으로 연결될 수 있으며, 캐소드 전극과 보조 전극(350)이 연결되지 못하는 불량을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 제4 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조 전극(350) 상에 격벽(450)을 배치함으로써, 마스크 패턴 없이 보조 전극(350)을 노출시켜 캐소드 전극과 연결할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
T: 박막 트랜지스터 200: 패시베이션층
250: 평탄화층 300: 애노드 전극
350: 보조 전극 400: 격벽 받침
450: 격벽 500: 뱅크
550: 유기 발광층 600: 캐소드 전극

Claims (11)

  1. 기판 상에 배치된 애노드 전극;
    상기 애노드 전극과 동일한 층에 배치된 보조 전극;
    상기 보조 전극 상에 배치된 격벽 받침;
    상기 격벽 받침 상에 배치된 격벽; 및
    상기 애노드 전극 상에 배치되고 상기 격벽에 의해 분리된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 및 상기 보조 전극과 연결된 캐소드 전극을 포함하고,
    상기 격벽 받침의 하면은,
    한 쌍의 단변; 및
    상기 한 쌍의 단변 사이를 연결하고 적어도 하나의 경사면을 갖는 한 쌍의 장변을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽 받침의 하면은 사다리꼴 형태의 평면을 갖는, 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 한 쌍의 장변 각각은 상기 한 쌍의 단변 사이를 연결하는 제1 및 제2 경사면을 가지며,
    상기 제1 및 제2 경사면은 상기 한 쌍의 단변 사이의 중심부를 기준으로 대칭되는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽 받침의 하면은,
    제1 폭을 갖는 제1 격벽 받침 영역; 및
    제2 폭을 갖는 제2 격벽 받침 영역을 포함하고,
    상기 제2 폭은 상기 제1 폭 보다 넓은, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽 받침의 측면은,
    제1 높이를 갖는 제1 격벽 받침 영역; 및
    제2 높이를 갖는 제2 격벽 받침 영역을 포함하고,
    상기 제2 높이는 상기 제1 높이 보다 높은, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 보조 전극을 노출시키는 뱅크;
    상기 격벽의 측면과 상기 뱅크의 측면 사이의 보조 전극을 노출시키는 보조 전극 오픈 영역; 및
    상기 격벽 받침에 의해 상기 격벽의 하면과 상기 보조 전극 사이에 마련된 갭 공간을 더 포함하고,
    상기 캐소드 전극은 상기 보조 전극 오픈 영역과 상기 갭 공간에서 상기 보조 전극과 연결되는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 갭 공간은 상기 제1 격벽 받침 영역에서 제1 높이를 가지며, 상기 제2 격벽 받침 영역에서 상기 제1 높이와 다른 제2 높이를 갖는, 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 격벽 받침의 길이 방향을 기준으로, 상기 제1 격벽 받침 영역은 상기 격벽 받침의 일측부이고, 상기 제2 격벽 받침 영역은 상기 격벽 받침의 타측부인, 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 격벽 받침의 길이 방향을 기준으로, 상기 제1 격벽 받침 영역은 상기 격벽 받침의 일측부와 타측부이고, 상기 제2 격벽 받침 영역은 상기 격벽 받침의 일측부와 타측부 사이의 중간부인, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 격벽 받침의 길이 방향을 기준으로, 상기 제2 격벽 받침 영역은 상기 격벽 받침의 일측부와 타측부이고, 상기 제1 격벽 받침 영역은 상기 격벽 받침의 일측부와 타측부 사이의 중간부인, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 갭 공간의 높이는 상기 제1 높이에서 상기 제2 높이로 점차적으로 증가하는, 유기 발광 표시 장치.
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