KR20170042592A - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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라스 위슈마이어
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

EUV 방사선을 이용하는 리소그래피 장치는 쾰러 조명을 제공하도록 구성되는 일루미네이터를 갖는다. 일루미네이터는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울(422) 및 복수의 퓨필 패싯들(4241-1 내지 4241-M)을 갖는 퓨필 거울(424)을 포함하고, 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯(50)들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지며, 퓨필 패싯은 조명 필드(IS)를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영한다. 개별적으로 지향가능한 반사기들은 기판에 전달되는 도즈를 제어하기 위해 비활성 상태와 적어도 하나의 활성 상태 사이에서 제어된다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICES}
본 출원은 2014년 7월 15일에 출원된 EP 출원 14177025.5의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명의 일 실시예는 리소그래피 장치 - 특히, 패싯 필드 거울 디바이스(faceted field mirror device) 및/또는 패싯 퓨필 거울 디바이스(faceted pupil mirror device)를 갖는 리소그래피 장치 - , 및 이러한 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피는 집적 회로(IC)들, 및 다른 디바이스들 및/또는 구조체들의 제조 시 핵심 단계들 중 하나로서 폭넓게 인식된다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 구성되는 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 더 결정적인 인자(critical factor)가 되고 있다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 IC의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 하나, 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
노광 파장을 단축하고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선 소스들은 통상적으로 약 5 내지 20 nm, 예를 들어 13.5 nm 또는 약 13 nm 또는 6.5 내지 6.8 nm의 방사선 파장을 출력하도록 구성된다. EUV 방사선의 사용은 작은 피처 프린팅을 달성하기 위한 중요한 단계를 구성할 수 있다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 연질 x-선(soft x-ray)이라고 칭해지며, 가능한 소스들로는 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링으로부터의 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)을 포함한다.
대부분의 재료들이 EUV 방사선을 흡수하기 때문에, EUV 방사선을 이용하는 리소그래피 장치의 광학 시스템들은 반사기들을 이용하여 디자인되어야 한다. 높은 반사율을 갖는 EUV에 대한 반사기를 구성하는 것이 어렵기 때문에, 사용되는 반사기들의 수는 최소로 유지되어야 한다. 그러므로, 균일하고 제어되는 방식으로 패터닝 디바이스를 조명할 수 있는 광학 시스템을 디자인하고 구성하는 것이 어렵다.
EUV 광학 장치의 조명 시스템의 한가지 디자인은 개별적으로 지향가능한 반사기들의 어레이를 갖는 필드 거울 및 패싯 퓨필 거울을 채택한다. 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯(virtual field facet)들로 그룹화된다. 각각의 가상 패싯은 패싯 퓨필 거울의, 퓨필 패싯이라 칭해지는 패싯 상으로 방사선을 지향한다. 각각의 퓨필 패싯은, 조명 시스템 내의 여하한의 다른 거울들과 함께, 패터닝 디바이스의 조명 필드(때로는 슬릿이라고도 함) 상으로 가상 필드 패싯을 이미징한다. 많은 가상 필드 패싯들의 이미지들은 조명의 균일성(uniformity)을 증가시키도록 조명 필드에서 오버랩(overlap)된다.
다양한 이유들로, 조명 필드의 크기를 조정하고, 및/또는 조명 필드의 길이 및/또는 폭에 걸쳐 조명의 세기를 조정하는 것이 바람직할 수 있다. 이는 패터닝 디바이스 부근에 조명 방사선 내로 돌출하도록(project into) 선택적으로 연장될 수 있는 마스킹 블레이드(masking blade)들 또는 다른 마스킹 부재(masking member)들을 제공함으로써 행해질 수 있다. 하지만, 패터닝 디바이스 부근의 공간이 리소그래피 장치의 다른 구성요소들을 위해서도 필요하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울,
기판의 타겟부에 의도된 도즈 프로파일(desired dose profile)을 전달하기 위해 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 제어기, 및
기판이 노광되고 있는 동안에 스캐닝 방향으로 기판을 스캐닝하도록 구성되는 위치설정기를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법이 제공되고, 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하고, 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록(fill) 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 하나의 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하지 않도록 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
기판의 타겟부 상으로 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
를 포함하고,
서브세트 내의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 수는 타겟부에 의해 의도된 도즈 프로파일이 수용되도록 시간에 따라 변화한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울, 및
제 1 모드에서 제 1 방사선 세기로 조명 필드 전체를 조명하고, 제 2 모드에서 제 2 방사선 세기로 조명 필드의 구역을 조명하기 위해 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 제어기를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 조명 필드의 구역은 전체 조명 필드보다 작고, 제 2 방사선 세기는 제 1 방사선 세기보다 크다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법이 제공되고, 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하고, 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 그 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하지 않도록 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
기판의 타겟부 상으로 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
를 포함하고,
가상 필드 패싯들은 제 1 방향으로 세장형(elongate)이며, 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 조명 필드의 단부(end portion)가 조명되지 않도록 제 1 방향으로 각각의 가상 필드 패싯의 적어도 하나의 단부에 있도록 선택되고,
각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트의 방위들은 이들이 그 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 상이한 퓨필 패싯들의 패싯으로 방사선을 지향하도록 제어된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울, 및
인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트의 제 1 서브세트가 제 1 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하고, 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트의 제 2 서브세트가 제 2 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트를 제어하도록 구성되는 제어기를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 제 2 서브세트는 조명 필드에서 의도된 도즈 프로파일을 제공하도록 선택된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법이 제공되고, 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하며, 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 하나의 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하지 않도록 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
기판의 타겟부 상으로 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
를 포함하고,
하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 의도된 도즈 프로파일을 제공하도록 선택되며,
하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트의 방위들은 이들이 하나의 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 상이한 퓨필 패싯들의 패싯으로 방사선을 지향하도록 제어된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울, 및
기판의 에지에 인접한 타겟부의 에지 부분(edge part)이 타겟부의 비-에지 부분보다 낮은 도즈를 수용하도록 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 제어기를 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법이 제공되고, 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하며, 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 퓨필 거울로 방사선을 지향하지 않도록 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
기판의 타겟부 상으로 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
를 포함하고,
타겟부는 기판의 에지와 교차하며, 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 타겟부의 에지 부분 -에지 부분은 기판의 에지에 인접함- 이 타겟부의 비-에지 부분 -비-에지 부분은 기판의 에지에 인접하지 않음- 보다 낮은 도즈를 수용하도록 배치된다.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 실시형태들, 특징들 및 잠재적 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 본 명세서에서, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 교시에 기초하여 추가적인 실시예들을 명백히 알 것이다.
첨부된 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만, 본 발명의 실시예들이 아래에서 설명된다:
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 반사 광학기들을 갖는 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하는 도면;
도 2는 도 1의 장치의 더 상세한 도면;
도 3은 필드 패싯들의 어레이를 갖는 필드 거울 디바이스를 도시하는 도면;
도 4는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트로 구성되는 필드 패싯을 도시하는 도면;
도 5는 도즈를 조정하는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 선택적 활성화(selective activation)를 도시하는 도면;
도 6은 시간에 따라 변화하는 세기를 도시하는 도면;
도 7은 조명 필드의 폭에 걸쳐 도즈를 조정하는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 선택적 활성화를 도시하는 도면;
도 8은 슬릿의 폭에 걸쳐, 및 시간에 따라 변하는 세기를 도시하는 도면;
도 9, 도 10 및 도 11은 조명 필드의 크기를 제어하는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 선택적 활성화를 도시하는 도면;
도 12는 필드 거울 디바이스로부터 퓨필 거울의 상이한 패싯들로의 방사선의 전향(redirection)을 도시하는 도면;
도 13은 조명 필드의 부분만을 조명하도록 배치되는 가상 필드 패싯들을 도시하는 도면;
도 14는 조명 필드의 부분만을 조명하는 가상 필드 패싯들의 또 다른 구성을 도시하는 도면;
도 15는 조명 필드의 전체를 조명하도록 배치되는 가상 필드 패싯을 도시하는 도면;
도 16은 빔 덤프(beam dump)로 지향되는 방사선의 부분으로 조명 필드의 부분만을 조명하도록 배치되는 가상 필드 패싯을 도시하는 도면;
도 17은 빔 덤프로 방사선을 지향하지 않고 조명 필드의 부분만을 조명하도록 배치되는 가상 필드 패싯을 도시하는 도면;
도 18은 에지에 오버랩되는 타겟부들을 갖는 기판을 도시하는 도면; 및
도 19는 기판의 에지에 오버랩되는 타겟부와 사용되는 X 방향으로 변하는 세기 프로파일을 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컬렉터 모듈(SO)을 포함하는 리소그래피 장치(4100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 노광 빔(EB)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성되는 조명 시스템(일루미네이터)(EIL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 노광 빔(EB)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스들의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
조명 시스템과 같이 투영 시스템은, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 가스들이 너무 많은 방사선을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 조명 시스템(EIL)은 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 극자외 방사선을 수용한다. EUV 방사선을 생성하는 방법들은 EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 재료를 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 칭하는 이러한 한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 요구되는 선-방출 원소를 갖는 재료의 액적, 스트림, 또는 클러스터(cluster)와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사(irradiate)함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키는 레이저 빔을 제공하는 레이저(도 1에 나타내지 않음)를 포함한 EUV 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기를 위한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 레이저 및 소스 컬렉터 모듈은 별도의 개체일 수 있다.
이러한 경우, 레이저는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스가 흔히 DPP 소스라고 칭하는 방전 생성 플라즈마 EUV 발생기인 경우, 소스는 소스 컬렉터 모듈의 통합부일 수 있다.
일루미네이터(EIL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(EIL)는 패싯 필드 및 퓨필 거울 디바이스들과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터(EIL)는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
노광 빔(EB)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 노광 빔(EB)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 노광 빔(EB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(PS1)는 노광 빔(EB)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
리소그래피 장치는 스캔 모드에서 작동할 수 있으며, 이때 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 노광 빔(EB)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
도 2는 소스 컬렉터 모듈(SO), 일루미네이터(EIL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치(4100)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은, 소스 컬렉터 모듈(SO)의 포위 구조체(enclosing structure: 4220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선을 방출하는 플라즈마(4210)가 레이저 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 플라즈마(4210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 플라즈마(4210)는, 예를 들어 펄스 레이저 빔(pulsed laser beam)에 의해 생성된다. 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일 실시예에서는, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.
플라즈마(4210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 4211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽(gas barrier) 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 4230)[몇몇 경우, 오염물 방벽 또는 포일 트랩(foil trap)이라고도 함]을 통해, 소스 챔버(4211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 4212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(4230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(4230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다.
컬렉터 챔버(4212)는 소위 스침 입사 컬렉터(grazing incidence collector)일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 컬렉터(CO)를 가로지른 방사선은 격자 스펙트럼 퓨리티 필터(grating spectral purity filter: 4240)로부터 반사되어 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈은 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(4220)에서의 개구부(4221)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(4210)의 이미지이다.
후속하여, 방사선은 일루미네이터(IL)를 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 노광 빔(EB)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치되는 패싯 필드 거울 디바이스(422) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(424)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 거울 디바이스(422)는 복수의 필드 패싯들을 갖는다. 패싯 퓨필 거울 디바이스는 복수의 퓨필 패싯들을 갖는다. 또한, 일루미네이터(EIL)는 조명 필드(슬릿이라고도 함)(IS) 상으로 패싯 필드 거울 디바이스(422)의 각각의 패싯의 이미지를 투영하도록 패싯 퓨필 거울 디바이스(424)와 상호작동하는 일루미네이터 거울들(423, 425)을 포함한다. 일루미네이터(EIL)는 조명 슬릿(IS)의 쾰러 조명을 제공하도록 배치된다.
지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에서의 노광 빔(EB)의 반사 시, 패터닝된 빔(426)이 형성되고, 패터닝된 빔(426)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(428, 430)을 통해 기판 테이블(WT) 또는 웨이퍼 스테이지에 의해 유지된 기판(W) 상으로 이미징된다.
일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소가 일루미네이터(EIL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 퓨리티 필터(4240)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 거울들이 존재할 수 있고, 예를 들어 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.
도 2에 나타낸 바와 같은 컬렉터(CO)는 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시에 불과할 뿐이지만 스침 입사 반사기들을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 이 타입의 컬렉터(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다.
일 실시예에서, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 LPP 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 레이저가 크세논(Xe), 주석(Sn) 또는 리튬(Li)과 같은 연료에 레이저 에너지를 축적(deposit)하도록 배치되어, 수십 eV의 전자 온도를 갖는 고이온화 플라즈마(highly ionized plasma: 4210)를 생성한다. 이 이온들의 탈-여기(de-excitation) 및 재조합 동안 발생되는 강렬한 방사선(energetic radiation)은 플라즈마로부터 방출되어, 근수직 입사 컬렉터 광학기(near normal incidence collector: CO)에 의해 수집되고, 포위 구조체(4220)의 개구부(4221) 상에 포커스된다.
리소그래피에서, 패터닝 디바이스의 조명은 매우 중요하다. 특히, 조명 필드(IS)에 도달하는 방사선의 각도 분포를 제어하는 것이 바람직하다. 일루미네이터(EIL)는 바람직하게는 쾰러 조명을 제공하도록 배치되고, 퓨필 거울 및 일루미네이터의 여하한의 다른 광학 구성요소들에 의해 조명 필드 상으로 이미징되는 필드 거울을 갖는다. 쾰러 조명에서, 조명 시스템에서의 방사선의 각도 분포는 퓨필 평면, 예를 들어 퓨필 거울의 평면 내에서의 방사선의 공간 분포에 관하여 편리하게 설명된다. 소위 컨벤셔널 조명 모드(conventional illumination mode)에서, 방사선은 광학 축선을 중심으로 한 퓨필 평면의 원형 구역을 균일하게 채운다. 다이폴(dipole) 조명 모드에서, 방사선은 광학 축선으로부터 이격되는 퓨필 평면의 2 개의 구역들을 채운다. 많은 다른 조명 모드가 알려져 있다. 원칙적으로, 최적 조명 모드가 주어진 조건들 하에 주어진 패턴을 이미징하도록 정의될 수 있다. 그러므로, 조명 모드에서 유연성을 제공하는 것이 바람직하다.
또한, 조명의 균일성이 매우 중요하다. 조명의 균일성은 기판의 타겟부가 노광되는 도즈의 균일성에 영향을 미치고, 이는 CD-균일성, 기판 상에 형성되는 피처들의 치수의 균일성의 중요한 척도에 영향을 미친다. 패싯 필드 거울 디바이스가 필드 거울로서 사용되고, 패싯 퓨필 거울 디바이스가 퓨필 거울로서 사용될 수 있다. 일루미네이터는 각각의 필드 패싯이 오버랩되는 방식으로 조명 필드(IS)에 이미징되도록 배치된다. 바람직하게는, 필드 패싯의 각각의 이미지가 조명 슬릿(IS)을 채운다. 필드 패싯들의 이미지들의 오버랩은 소스 컬렉터 모듈(SO)에 의해 제공되는 노광 빔(EB)에서의 여하한의 불규칙들을 고른다(even out).
많은 수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 패싯 필드 거울 디바이스가 US 2011/0001947 A1 및 WO 2014/019675에서 설명된다. 이러한 개별적으로 지향가능한 반사기는, 예를 들어 다층 거울일 수 있다. 각각의 개별적으로 지향가능한 반사기는, 방사선이 지향되는 퓨필 평면 상의 위치가 제어될 수 있도록 1 또는 2 개의 축선에 대해 제어되는 방위를 가질 수 있다. 개별적으로 지향가능한 반사기들은 그룹들로 나누어지며, 각각의 그룹이 가상 필드 패싯으로서 간주된다. 퓨필 패싯들은 조명 필드로 가상 필드 패싯들을 이미징한다. 원하는 조명 모드를 초래하기 위해, 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 퓨필 패싯들 중 선택된 패싯으로 방사선을 지향하도록 제어된다. 몇몇 퓨필 패싯들은 하나보다 많은 가상 필드 패싯으로부터 방사선을 수용할 수 있다; 다른 퓨필 패싯들은 방사선을 수용하지 않을 수 있다. 이 구성은 많은 수의 상이한 조명 모드들을 수행하기 위해 사용될 수 있다. 필드 거울의 실질적으로 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들이 가상 필드 패싯들로 그룹화될 수 있다. 필드 거울의 실질적으로 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들을 가상 필드 패싯들로 그룹화함으로써, 방사선 세기가 최적화된다.
본 발명의 일 실시예에서 이용가능한 리소그래피 장치에서, 도 3에 나타낸 패싯 필드 거울 디바이스(422)는 복수의 필드 패싯들(50-1 내지 50-n; n은 정수임)을 포함한다. 도 4에 나타낸 바와 같은 필드 패싯들 각각은 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들로 구성된다. 간명함을 위해, 몇몇 필드 패싯들만이 도 3에 도시되지만, 실제 실시예에서는 100보다 많은 필드 패싯들, 예를 들어 300 내지 400 개의 필드 패싯들이 존재할 수 있다. 일 실시예에서, 필드 패싯들에 대한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 할당은 고정되지 않고, 리소그래피 장치가 사용중인 동안에 변화될 수 있다. 필드 패싯들은 가상 필드 패싯들이라고 칭해질 수 있다.
개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들 각각은 1 이상의 액추에이터를 갖고, 이에 의해 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)가 축선 또는 2 개의 직교 축선들을 중심으로 회전될 수 있다. 이로 인해, 각각의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)가 특정 방향으로 방사선을 지향하도록 제어될 수 있다. 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들은 마이크로-전자기계 시스템(MEMS)일 수 있다. 패싯 필드 거울 디바이스(422) 내에 100,000보다 많은 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들이 존재할 수 있다.
필드 패싯들(50-1 내지 50-n) 중 하나를 구성하는 개별적으로 지향가능한 거울(4221)들의 세트는 조명 필드(IS)의 형상에 대응하는 형상으로 복수의 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들을 포함한다. 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들의 세트는 일루미네이터 거울들(423, 425)과 조합하여 1 이상의 퓨필 패싯들에 의해 이미징되어, 조명 슬릿(IS)을 채운다. 각각의 필드 패싯의 형상 및 크기는 조명 필드(IS)와 정확히 동일하지 않을 수 있으며, 일루미네이터 거울들(423, 425)과 조합하여 퓨필 패싯들의 X 및 Y 방향들에서의 배율들에 의존한다는 것을 유의한다. 조명 필드(IS)는 곡선이거나 직선일 수 있다. 일 실시예에서, 필드 패싯들은 세장형이고, 필드 패싯의 이미지의 길이 방향(longitudinal direction)이 스캐닝 방향, 예를 들어 Y 방향에 수직이고 필드 패싯의 이미지의 가로 방향(transverse direction)이 스캐닝 방향에 평행이도록 조명 필드(IS) 상으로 투영된다.
각각의 필드 패싯은 수백 이상의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 세트는 각각 100 개의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들의 10 행(row)으로 배치되는 1000 개의 거울들을 갖는다. 행들은 10 개의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들의 100 열(column)이 존재하도록 정렬될 수 있다. 열들 중 일부는 거의 곡선인 형상을 형성하도록 인접한 열들로부터 오프셋(offset)될 수 있다. 일 실시예에서, 세트의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯이 단일 접경 영역(single contiguous area)을 차지하도록 인접한다. 일 실시예에서, 세트의 개별적으로 지향가능한 반사기들 중 일부 또는 전체는 서로 인접하지 않는다.
각각의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)는 적어도 2 가지 상태: 방사선이 조명 필드(IS)에 도달하지 않는 방향으로 중간 포커스(IF)로부터 수용되는 방사선을 지향하는 비활성 상태(inactive state); 및 방사선이 조명 필드(IS)에 도달하는 방향으로 중간 포커스(IF)로부터 수용되는 방사선을 지향하는 활성 상태(active state)로 설정될 수 있다. 활성 상태에서는, 각각의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)가 퓨필 패싯으로 방사선을 지향한다. 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)는 다수 활성 상태들을 가질 수 있고; 각각의 활성 상태에서, 방사선이 퓨필 패싯들의 상이한 패싯으로 지향되므로, 상이한 각도로부터 조명 필드(IS)에 도달한다. 그러므로, 적절한 상태들에 있도록 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들을 제어함으로써 상이한 조명 모드들이 수행될 수 있다. 비활성 상태에 있는 여하한의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들에 의해 반사되는 방사선을 수용하기 위해 빔 덤프가 제공될 수 있다. 빔 덤프는 일루미네이터를 둘러싸는 진공 챔버의 벽으로 통합될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 각각의 세트의 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들 중 선택된 반사기들이 그 비활성 상태들로 설정되어, 기판의 타겟부에 전달되는 도즈를 제어한다. 그 비활성 상태들로 설정되는 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들의 반사기들은 아래에서 비활성 반사기들이라고 칭해진다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 비활성 반사기(4223)들(도면에 음영으로 나타냄)은 필드 패싯(50)에 걸쳐 분포되고 개별적으로 지향가능한 반사기(4221)들의 서브세트를 형성한다. 도 5에서, 필드 패싯(50)은 예시의 편의상 직선인 것으로 나타내지만, 앞서 설명된 바와 같이 곡선일 수 있다. 비활성 반사기(4223)들의 수 및/또는 분포는 시간에 따라 변화되어, 기판(W)에 의해 수용되는 도즈(I)가 도 6에 나타낸 바와 같이 시간(T)에 따라 변하도록 한다.
본 발명의 일 실시예에 의해 도즈 제어의 몇몇 모드들이 제공될 수 있다. 노광-간 도즈 제어 모드(inter-exposure dose control mode)에서, 비활성 반사기들의 분포는 필드 패싯(50)의 길이 방향에 걸쳐 실질적으로 균일하고, 하나의 타겟부의 노광을 위해 걸리는 시간 동안 일정하다. 하지만, 비활성 반사기들의 수는 하나의 타겟부의 하나의 노광으로부터 또 다른 타겟부의 또 다른 노광까지 변한다. 배치의 하나의 기판 상의 주어진 위치에서 타겟부를 노광하는 데 사용되는 도즈는 배치의 또 다른 기판 상의 대응하는 위치에서 타겟부를 노광하는 데 사용되는 노즈와 동일하거나 상이할 수 있다. 따라서, 상이한 타겟부들이 상이한 도즈들로 노광되어, 기판 상의 타겟부들 사이에서 CD 또는 CD-균일성과 같은 이미징 파라미터들의 변동들을 보정할 수 있다.
노광-내 모드(intra-exposure mode)에서, 비활성 반사기들의 분포는 도 7에 나타낸 바와 같이 필드 패싯(50)의 길이(X)에 걸쳐, 및 이에 따라 조명 필드(IS)의 길이에 걸쳐 원하는 구성에 따라 비-균일하게 이루어진다. 비활성 반사기들의 구성은 도 8에 나타낸 바와 같이 타겟부(C)의 X 방향에 걸쳐 도즈의 원하는 변동을 초래하도록 선택되고, 타겟부(C)의 Y 방향에 걸쳐 도즈의 원하는 변동을 초래하도록 기판(W) 및 패터닝 디바이스(MA)의 스캐닝과 동기적으로 시간에 따라 변화된다. 도 8의 세기 변동들은 예시를 위해 과장된다는 것을 유의한다; 실제 실시예에서, 도즈 변동들은 최대 도즈의 5 % 미만인 경향이 있다.
노광-내 모드는 기판의 각각의 타겟부 상에 동일한 도즈 프로파일을 초래하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 노광-내 모드는 도즈 프로파일이 기판 상 또는 배치 내의 타겟부들 사이에서 상이하도록 노광-간 모드와 조합될 수 있다.
개략적인(coarse) 도즈 제어 모드에서, 본 발명의 일 실시예가 전달될 수 있는 최대 파워의 약 10 % 내지 약 30 %의 범위 내의 양만큼 투영 빔에서의 방사선의 세기를 감소시키기 위해 사용된다. 이러한 개략적인 제어는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 약 10 % 내지 약 30 %를 비활성 상태로 설정함으로써 초래된다. 비활성 상태로 설정되는 개별적으로 지향가능한 반사기들은 필드 패싯에 걸쳐 고르게 분포된다. 비활성 상태로 설정되는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 분포는 의사 랜덤(pseudo random)일 수 있다. 비활성 상태로 설정되는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 분포는 노광의 과정 동안에 일정할 수 있으며, 또는 비활성 상태에서의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 총 개수를 일정하게 유지하고 노광된 타겟부에 걸쳐 균일한 도즈가 수용될 것을 보장하면서 변할 수 있다.
개략적인 도즈 제어는 높은 민감도를 갖는, 즉 노광하는 데 낮은 도즈를 필요로 하는 방사선-감응층(예를 들어, 레지스트)을 이용하는 경우에 유용할 수 있다. EUV 소스는 특정 파워 레벨에서 방사선을 방출하도록 최적화되고, 이를 줄이는 것은 가능하지 않을 수 있다. 노광 스캔 동안 패터닝 디바이스 및 기판의 이동 속력을 증가시킴으로써 EUV 소스 파워를 일정하게 유지하면서 기판 레벨에서 도즈를 감소시키는 것이 가능하다. 하지만, 반-직관적으로 스캔 속력을 증가시키는 것은 노광 스캔들 사이에서 패터닝 디바이스 및 기판 테이블을 가속 및 감속시키는 데 필요한 추가적인 시간으로 인해 스루풋의 감소를 초래할 수 있다. 그러므로, 개략적인 도즈 제어는 높은 민감도를 갖는 방사선-감응층(예를 들어, 레지스트)을 이용하는 경우에 스루풋을 증가시키기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태는 패터닝 디바이스의 가상 마스킹에 관한 것이다. 타겟부들이 스캔 모드에서 노광되는 경우, 패터닝 디바이스는 노광이 시작되기 전에 스캔 속력까지 상승되어야 한다. 패터닝 디바이스, 예를 들어 마스크는 통상적으로 불투명하거나 비-반사적인 경계(border)로 둘러싸이는, 노광될 패턴이 정의되는 패턴 영역(MF)을 갖는다. 경계는 흡수성일 수 있다. 노광이 시작될 때, 패턴 영역(MF)의 전방 에지(leading edge)가 조명 필드(IS)로 이동하고, 그 후 조명 필드에 걸쳐 이동한다. 전방 에지가 조명 필드에 도달하기 전에, 노광 방사선은 경계에 입사할 것이고, 이는 바람직하지 않은 가열을 야기할 수 있다.
X 방향으로의 조명 필드의 길이는 노광될 수 있는 타겟부(C)의 최대 폭에 대응한다. 몇몇 경우, 기판에 부여되는 패턴은 X 방향으로의 조명 필드의 길이보다 X 방향으로 더 작다. 다시 말하면, 조명 필드는 노광될 수 있는 최대 치수와 상이한 X 방향으로의(즉, 스캔 방향에 수직인) 치수를 가질 수 있다. 그러므로, Y 방향으로 연장되는 경계의 부분들이 노광 동안 조명 필드 내에 올 수 있고, 이에 따라 노광 동안 방사선을 수용할 수 있다. 마찬가지로, 조명 필드는 노광될 수 있는 최대 치수와 상이한 Y 방향으로의(즉, 스캐닝 방향에 평행인) 치수를 가질 수 있다.
경계의 조사를 회피하기 위해, 패터닝 디바이스 가까이에 이동가능한 마스킹 블레이드들을 제공하는 것이 알려져 있다. 소위 Y-마스킹 블레이드들이 X 방향에 평행하게 연장되고, Y 방향으로 이동가능하다. 이들은 Y 방향으로의 노광을 정의하는 데 사용된다. 소위 X-마스킹 블레이드들이 Y 방향에 평행하게 연장되고, X 방향으로 이동가능하다. 이들은 Y 방향으로의 노광을 정의하는 데 사용된다. Y-마스킹 블레이드들은 노광 전에 폐쇄되고, 조명 필드로의 패턴 영역의 전방 에지의 이동과 동기적으로 개방된다. 노광의 끝에, 이들은 조명 필드로부터 이동하는 패턴 영역의 후방 에지(trailing edge)와 동기적으로 폐쇄된다. X-마스킹 블레이드들은 X 방향으로 패턴 영역의 폭에 매칭하도록 설정되고, 노광 동안 정지 상태이다.
앞서 언급된 WO 2014/019675가 이동가능한 마스킹 블레이들과 유사한 기능을 초래하기 위해 몇몇 개별적으로 지향가능한 반사기들을, 이들이 마스크로 방사선을 반사시키지 않는 위치에 놓는 것을 개시한다.
이제, 본 발명의 일 실시예에 따른 방법이 도 9, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명될 것이다. 이 도면들은 마스킹 모드에서 하나의 필드 패싯에서의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 스위칭을 예시한다. 일 실시예에서, 모든 필드 패싯들에 대응하는 모든 세트들의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 노광 동안 동일한 방식으로 제어된다. 초기에, 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들이 비활성 상태 -이 상태는 도 9 내지 도 11에서 사선 해칭(diagonal hatching)으로 표시됨- 로 설정되어, 조명 필드에 방사선이 도달하지 않는다. 패턴 영역(MF)이 조명 필드로 이동함에 따라, 패턴 영역(MF)의 전방 에지가 도달하는 조명 필드의 부분들에 대응하는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 행들이 활성 상태로 스위칭된다. 도 9에서, 패턴 영역은 조명 필드로 개별적으로 지향가능한 반사기들의 2 개의 행들(R1, R2)과 균등한 거리를 이동하였고, 이에 따라 패턴 영역(MF)의 폭 내에 있는 처음 2 개의 행들에서의 개별적으로 지향가능한 반사기들이 활성 상태 -이 상태는 도 9 내지 도 11에서 해칭 없이 나타냄- 로 스위칭된다. 도 10에서, 패턴 영역은 조명 필드로 또 다른 행(R3)을 이동시켰고, 또 다른 행의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 활성 상태로 스위칭된다. 도 11에서, 패턴 영역은 조명 필드로 또 다른 행(R4)을 이동시켰고, 다시 또 다른 행의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 활성 상태로 스위칭된다. 이 단계에서, 최종 행(R5)의 개별적으로 지향가능한 반사기들만은 비활성 상태로 있지만, 이들은 패턴 영역이 더 진행하는 경우에 활성 상태로 스위칭될 것이다.
알 수 있는 바와 같이, 패턴 영역(MF)은 X 방향으로 조명 필드보다 더 작다. 개별적으로 지향가능한 반사기들의 열들(C1 내지 C3, 및 Cn-2 내지 Cn)이 패턴 영역 밖에서 조명 필드 내에 이미징된다. 패턴 영역이 진행함에 따라 이 거울들이 개별적으로 지향가능한 반사기들의 나머지와 함께 활성 상태로 스위칭되는 것은 바람직하지 않은데, 이는 이들이 지향하는 방사선이 패터닝 디바이스에 불필요한 열부하를 야기할 것이기 때문이다. 열들(C1 내지 C3, 및 Cn-2 내지 Cn)의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 노광 내내 비활성 상태로 스위칭될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스 제조 방법에서, 에지 반사기라고 하는 패턴 영역 밖에서 조명 필드에 이미징되는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 열들(C1 내지 C3, 및 Cn-2 내지 Cn)은 비활성 상태로 스위칭되지 않는다. 에지 반사기들은 또한 정상 활성 상태로 스위칭되지 않는다. 오히려, 에지 반사기들은 이들이 패턴 영역(MF) 내부에서 조명 필드에 이미징되는 개별적으로 지향가능한 반사기들 -이들은 중간 반사기(medial reflector)라고 함- 과 상이한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하는 제 2 활성 상태로 스위칭된다. 제 2 활성 상태는 도 9 내지 도 11에서 수평 해칭(horizontal hatching)으로 표시된다. 다시 말하면, 주어진 가상 필드 패싯에서, 중간 반사기들은 제 1 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하도록 설정되고, 에지 반사기들은 제 1 퓨필 패싯과 상이한 제 2 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하도록 설정된다.
도 12는 방사선의 전향이 달성되는 방식을 나타낸다. 퓨필 거울 디바이스(424)는 복수의 퓨필 패싯들(4241-1 내지 4241-M)을 포함한다. 퓨필 패싯들의 수는 필드 패싯들의 수보다 많으며, 예를 들어 3 내지 5 배 더 많다. 각각의 필드 패싯은 다수, 예를 들어 3 내지 5 개의 퓨필 패싯들과 연계된다. 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들 각각은 그 필드 패싯과 연계된 퓨필 패싯들 중 어느 하나로 방사선을 지향하도록 설정될 수 있다. 개별적으로 지향가능한 거울이 연계된 퓨필 패싯들 중 하나로 방사선을 지향하도록 설정되는 경우, 방사선은 조명 필드(IS)에 도달하지만, 조명 필드(IS)에서의 방사선의 입사 방향 및 위치는 방사선이 지향되는 퓨필 패싯에 따라 상이하다. 제 1 가상 필드 패싯의 에지 반사기들은 제 2 가상 필드 패싯의 중간 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향할 수 있다.
도 13 내지 도 17은 리소그래피 장치에서 이미징될 수 있는 최대 디바이스 패턴보다 작은 디바이스 패턴을 노광하는 경우에 가상 필드 패싯들의 에지들에 위치되는 개별적으로 지향가능한 반사기들로부터 방사선을 전향하는 본 발명의 일 실시예에 따른 방법을 예시한다.
도 13은 가상 필드 패싯들의 행(50-1 내지 50-5)을 나타내며, 이들 각각은 도 15에 나타낸 바와 같이 길이(L1)를 갖는 조명 필드(IS) 상으로 이미징될 수 있는 길이(L1)를 갖는다. 가상 필드 패싯들(50-1 내지 50-5)은 직선으로서 도시되지만, 그 대신 곡선일 수 있다. 설명의 용이함을 위해, 필드 패싯(50)과 패터닝 디바이스(MA) 사이의 광학 시스템은 1의 배율을 갖는 것으로 가정되고, 배율이 1이 아닌 경우, 필드 패싯들은 이에 따라 스케일링(scale)된다.
각각의 필드 패싯(50)은 개별적으로 지향가능한 반사기들이 제 1 활성 상태로 설정되는 길이(L2)의 중간부(51)를 갖는다. 중간부(51)는 조명 슬릿(IS)의, L1보다 작은, 길이(L2)만이 조명되도록 조명 슬릿(IS) 상으로 이미징된다. 길이(L2)는 이미징될 디바이스 패턴의 폭에 대응하고, 이때 디바이스 패턴은 리소그래피 장치에 의해 이미징가능한 최대 디바이스 패턴보다 작다. 또한, 각각의 필드 패싯(50)은 이미징될 디바이스 패턴에 대응하는 구역 밖에서 조명 슬릿(IS)에 이미징되는 2 개의 에지부(52)들을 갖는다. 에지부(52)들에서의 개별적으로 지향가능한 반사기들은 이들이 도 16에 나타낸 바와 같이 빔 덤프(60)로 방사선을 지향하는 비활성 상태로 설정될 수 있다. 하지만, 빔 덤프(60)로 방사선을 지향하는 것은 빔 덤프로 지향되는 방사선이 아무 목적도 없다는 의미에서 낭비적이다.
본 발명의 일 실시예에서, 개별적으로 지향가능한 반사기들의 할당은 리소그래피 장치에 이미징될 수 있는 최대 디바이스 패턴보다 작은 디바이스 패턴을 노광하는 경우에 변화된다. 도 14는 가상 필드 패싯들(50-1 내지 50-5)과 동일한 필드 거울 디바이스의 길이를 차지하는 제 2 가상 필드 패싯들(55-1 내지 55-6)의 행을 나타낸다. 따라서, 이 예시에서는, 6 개의 제 2 가상 필드 패싯들이 5 개의 가상 필드 패싯들을 구성하는 데 사용되었던 개별적으로 지향가능한 반사기들로부터 구성된다. 제 2 가상 필드 패싯들(55-1 내지 55-6) 각각은 조명 필드(IS) 상으로 이미징되고 길이(L2)를 갖는 조명된 구역을 형성하며, 이때 도 17에 나타낸 바와 같이 L2는 L1보다 작다. 이 방식으로, 더 작은 디바이스 패턴이 방사선의 낭비 없이 조명될 수 있다. 조명 필드에서의 방사선의 세기는 조명 필드의 전체 길이가 조명되는 경우보다 높으므로, 스캐닝 속력이 증가될 수 있다. 그러므로, 스루풋이 증가될 수 있다. 필드 거울의 실질적으로 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들이 가상 필드 패싯들로 그룹화될 수 있다. 필드 거울의 실질적으로 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들을 가상 패싯들로 그룹화함으로써, 방사선 세기가 최대화된다. 조명 필드의 소정 치수들로, 가상 필드 패싯들에 걸쳐 동등하게 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들을 분포시키는 것은 가능하지 않을 수 있다. 이 상황에서, 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들이 활성으로 설정되지는 않을 수 있다. 설명된 예시에서, 행에서의 가상 필드 패싯들의 수는 5 개로부터 6 개로 확대된다. 본 발명은 이 실시예로 제한되지 않는다. 하나의 행에서 다른 수의 가상 필드 패싯들이 가능하다.
본 발명의 또 다른 실시형태는 에지 다이들의 노광에 관한 것이다. 도 18은 원형 기판(W)에 부여되는 직사각형 그리드의 타겟부(C)들을 도시한다. 알 수 있는 바와 같이, 그리드 내의 소정 셀(E)들은 기판의 에지에 걸쳐 연장된다. 에지-다이들이라고 칭해지는 이러한 셀들은 유용한 디바이스들을 제조하는 데 사용될 수 없다. 기판 상의 이용가능한 타겟부(C)들의 구성은 기판 당 이용가능한 타겟부(C)들의 수를 최대화하고, 및/또는 스루풋을 최대화하기 위해 예시된 단순한 그리드로부터 변화될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 여하한의 구성에서 몇몇 에지 다이(E)들이 존재할 것이다.
에지 다이들이 유용한 디바이스들을 제조하는 데 사용될 수 없다는 사실에도 불구하고, 유용한 타겟부(C)들과 동일한 방식으로 에지 다이들을 노광하고 처리하는 것이 통상적이다. 이는, 에지 다이들이 노광되고 처리되지 않는 경우, 디바이스들의 제조 동안 이용가능한 타겟부들 상에 층들이 형성됨에 따라, 에지 다이들과 이용가능한 타겟부들 간의 높이 차이가 발생할 수 있기 때문이다. 또한, 기판 내의 내부 응력의 차이들이 발생할 수 있다. 이 차이들은 기판의 변형을 초래할 수 있다. 또한, 처리 단계 동안, 노광되고 처리되지 않은 에지 다이에 인접한 타겟부(C)가 겪는 환경은 기판의 중심에서 타겟부가 겪는 환경과 상이할 것이다.
하지만, 본 발명자들은 에지 다이들이 노광되는 경우에 잔해가 야기될 수 있다고 판단하였다. 특히, 얇은 구조체, 예를 들어 격리된 라인들이 기판의 에지 가까이에 형성되도록 에지 다이가 노광되는 경우, 구조체의 부분들이 부서져 잔해가 생성될 가능성이 크다. 다양한 문제들이 잔해에 의해 야기될 수 있다. 잔해는 기판의 다른 타겟부들을 오염시키거나 손상시킬 수 있다. 잔해는 리소그래피 장치의 일부분을 오염시킬 수 있다. 잔해는 아직 노광되지 않은 타겟부에 떨어지고, 이미징 결함을 야기할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 에지 다이의 적어도 일부분을 노광하는 도즈가 이용가능한 타겟부를 노광하는 데 사용되는 도즈에 비해 감소되는 에지 다이 모드가 제안된다. 감소된 도즈를 수용하는 에지 다이의 부분은 기판의 에지에 인접하고, 에지 부분이라고 칭해진다. 도즈는, 도즈를 감소시키는 것이 더 크고 및/또는 더 견고한 피처들이 형성되게 하도록 레지스트 타입, 패턴 및 레시피가 이루어지는 경우에 감소된다. 일 실시예에서, 에지 부분을 노광하는 데 사용되는 도즈는 균일하지 않고, 기판의 에지를 향해 감소된다. 도 19는 예시의 방식으로, 기판의 +X 측에서 에지 다이의 노광에 유용한 도즈 프로파일을 도시한다. 에지 다이의 왼쪽(-X 측)이 이용가능한 타겟부들을 노광하는 데 사용되는 도즈와 실질적으로 동일한 표준 도즈를 수용한다. 도즈는 에지 다이의 에지 부분에서 오른쪽(+X 측)을 향해 점점 줄어들어(taper off), 기판의 에지에 인접한 피처 크기들이 증가하도록 한다. 도시된 바와 같이, 도즈 점감(taper)은 선형이지만, 반드시 그러할 필요는 없다. 기판의 가장 에지(very edge)에서, 도즈는 0으로 감소된다. 기판의 가장 에지에서 0으로 도즈를 감소시킴으로써, 기판 홀더 또는 기판 테이블 상으로의 방사선의 오버스필(overspill)이 존재하지 않으며, 이는 열부하를 방지하고 코팅들의 저하를 회피한다.
물론, 기판의 에지는 직선이 아니고, Y 방향(스캐닝 방향)과 정렬되지 않는다. 그러므로, 줄어든 도즈 프로파일은 에지 다이의 노광 동안 일정하지 않고, 기판의 에지에 대한 투영 빔의 순간 위치에 따라 동적으로 조정될 수 있다. 하지만, 기판의 에지가 Y 방향에 거의 평행인 에지 다이들에 대해서는 일정한 프로파일이 사용될 수 있다. 에지에 대해 상이한 위치들에서 에지 다이들에 대해 상이한 도즈 프로파일이 결정된다. 기판의 에지가 X 방향에 거의 평행인 에지 다이에 대해, 도즈 프로파일은 X에서 일정할 수 있지만, 기판의 이동과 동기적으로 시간에 따라 변한다.
앞서 설명된 본 발명의 다양한 실시형태들의 도즈 조정 모드들은 서로, 및 여하한의 다른 이유를 위해 필요할 수 있는 도즈 조정들과 조합될 수 있음을 이해할 것이다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한 번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함하는 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (22)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    복수의 개별적으로 지향가능한 반사기(individually directable reflector)들을 갖는 필드 거울(field mirror) 및 복수의 퓨필 패싯(pupil facet)들을 갖는 퓨필 거울,
    기판의 타겟부에 의도된 도즈 프로파일(desired dose profile)을 전달하기 위해 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 제어기, 및
    상기 기판이 노광되고 있는 동안에 스캐닝 방향으로 상기 기판을 스캐닝하도록 구성되는 위치설정기
    를 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는 제 1 타겟부에 제 1 도즈 프로파일을 전달하고 제 2 타겟부에 제 2 도즈 프로파일을 전달하기 위해 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되고, 상기 제 1 도즈 프로파일은 상기 제 2 도즈 프로파일과 상이한 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 타겟부의 제 1 부분이 상기 타겟부의 제 2 부분과 상이한 도즈를 수용하도록 도즈 프로파일을 전달하기 위해 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 스캐닝 방향에 평행인 방향으로 타겟부의 영역에 걸쳐 비균일한 도즈 프로파일을 전달하기 위해 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 스캐닝 방향에 수직인 방향으로 타겟부의 영역에 걸쳐 비균일한 도즈 프로파일을 전달하기 위해 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트(subset)들을 가상 필드 패싯(virtual field facet)들로 그룹화(group)하도록 더 구성되고, 각각의 가상 필드 패싯은 조명 필드의 전체를 조명하도록 구성되며, 상기 제어기는 제 1 모드에서 제 1 치수들 및 제 1 방사선 세기로 제 1 조명 필드를 조명하고, 제 2 모드에서 제 2 치수들 및 제 2 방사선 세기로 제 2 조명 필드를 조명하기 위해 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트들을 그룹화하도록 더 구성되며, 상기 제 1 조명 필드의 제 1 치수들은 상기 제 2 조명 필드의 제 2 치수들과 상이한 리소그래피 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 조명 필드는 상기 제 2 조명 필드보다 상기 스캐닝 방향에 수직인 방향으로 더 큰 치수를 갖는 리소그래피 장치.
  8. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 조명 필드는 상기 제 2 조명 필드보다 상기 스캐닝 방향에 평행인 방향으로 더 큰 제 1 치수를 갖는 리소그래피 장치.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 조명 필드를 조명하는 가상 필드 패싯들의 수는 상기 제 1 조명 필드를 조명하는 가상 필드 패싯들의 수보다 많은 리소그래피 장치.
  10. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필드 거울의 실질적으로 모든 개별적으로 지향가능한 반사기들이 가상 필드 패싯들로 그룹화되는 리소그래피 장치.
  11. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 방사선 세기는 상기 제 1 방사선 세기보다 큰 리소그래피 장치.
  12. 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하고, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록(fill) 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
    하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 상기 하나의 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하지 않도록 상기 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
    상기 조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
    기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 서브세트 내의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 수는 상기 타겟부에 의해 의도된 도즈 프로파일이 수용되도록 시간에 따라 변화하는 디바이스들을 제조하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 조명 필드는 제 1 방향으로 세장형(elongate)이고, 상기 의도된 도즈 프로파일은 상기 제 1 방향으로 비균일한 디바이스들을 제조하는 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 조명 필드는 제 1 방향으로 세장형이고, 상기 의도된 도즈 프로파일은 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 비균일한 디바이스들을 제조하는 방법.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어하는 단계, 위치시키는 단계 및 투영하는 단계는 상기 기판의 복수의 타겟부들에 패턴을 투영하도록 반복되고, 상기 제어하는 단계는 적어도 하나의 타겟부가 적어도 하나의 다른 타겟부와 상이한 도즈 프로파일을 수용하도록 구성되는 디바이스들을 제조하는 방법.
  16. 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계는, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 상기 퓨필 거울로부터 멀리 방사선을 지향하고, 선택적으로는 빔 덤프(beam dump)로 방사선을 지향하도록 상기 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트의 방위를 제어하는 단계를 포함하는 디바이스들을 제조하는 방법.
  17. 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하고, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
    각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 그 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하지 않도록 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
    상기 조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
    기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 가상 필드 패싯들은 제 1 방향으로 세장형이며, 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 상기 조명 필드의 단부(end portion)가 조명되지 않도록 제 1 방향으로 각각의 가상 필드 패싯의 적어도 하나의 단부에 있도록 선택되고,
    각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트의 방위들은 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들이 그 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 상이한 상기 퓨필 패싯들의 패싯으로 방사선을 지향하도록 제어되는 디바이스들을 제조하는 방법.
  18. 리소그래피 장치에 있어서,
    복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울, 및
    인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트의 제 1 서브세트가 제 1 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하고, 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트의 제 2 서브세트가 제 2 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트를 제어하도록 구성되는 제어기
    를 포함하고, 상기 제 2 서브세트는 조명 필드에서 의도된 도즈 프로파일을 제공하도록 선택되는 리소그래피 장치.
  19. 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하고, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
    하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 상기 하나의 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 동일한 퓨필 패싯으로 방사선을 지향하지 않도록 상기 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
    상기 조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
    기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 의도된 도즈 프로파일을 제공하도록 선택되며,
    상기 하나의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트의 방위들은 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들이 상기 하나의 가상 필드 패싯의 다른 개별적으로 지향가능한 반사기들과 상이한 상기 퓨필 패싯들의 패싯으로 방사선을 지향하도록 제어되는 디바이스들을 제조하는 방법.
  20. 리소그래피 장치를 이용하여 디바이스들을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 복수의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 갖는 필드 거울 및 복수의 퓨필 패싯들을 갖는 퓨필 거울을 포함하고, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들은 가상 필드 패싯들을 형성하도록 인접한 개별적으로 지향가능한 반사기들의 세트들로 나누어지고, 퓨필 패싯은 조명 필드를 채우도록 가상 필드 패싯의 이미지를 투영하며, 상기 방법은:
    각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트가 상기 퓨필 거울로 방사선을 지향하지 않도록 각각의 가상 필드 패싯의 개별적으로 지향가능한 반사기들을 제어하는 단계;
    상기 조명 필드에 패터닝 디바이스의 부분을 위치시키는 단계; 및
    기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 투영하는 단계
    를 포함하고,
    상기 타겟부는 상기 기판의 에지와 교차하며, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 상기 타겟부의 에지 부분(edge part) -상기 에지 부분은 상기 기판의 에지에 인접함- 이 상기 타겟부의 비-에지 부분 -상기 비-에지 부분은 상기 기판의 에지에 인접하지 않음- 보다 낮은 도즈를 수용하도록 배치되는 디바이스들을 제조하는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 위치시키는 단계는 상기 조명 필드를 통해 상기 패터닝 디바이스를 스캐닝하는 단계를 포함하고,
    상기 투영하는 단계는 상기 조명 필드 내의 상기 패터닝 디바이스의 부분의 이미지를 통해 상기 타겟부를 스캐닝하는 단계를 포함하며,
    상기 제어하는 단계는 상기 에지 부분의 더 낮은 도즈를 달성하기 위해 상기 패터닝 디바이스의 스캐닝과 동기적으로 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트를 변화시키는 단계를 포함하는 디바이스들을 제조하는 방법.
  22. 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,
    상기 조명 필드는 세장형이고, 상기 개별적으로 지향가능한 반사기들의 서브세트는 상기 조명 필드의 일 단부에 대응하는 상기 가상 필드 패싯의 부분에 배치되는 디바이스들을 제조하는 방법.
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