KR20170040152A

KR20170040152A - 성형틀

Info

Publication number: KR20170040152A
Application number: KR1020170041329A
Authority: KR
Inventors: 카즈히코 반도; 쿠니히코 후지와라; 다이스케 히가시; 토모코 키시모토; 요시노리 노구치; 켄시로 시라이
Original assignee: 토와 가부시기가이샤
Priority date: 2014-05-09
Filing date: 2017-03-31
Publication date: 2017-04-12
Also published as: TWI574813B; TW201600299A; CN105082414A; KR20150128545A; JP2015214070A; JP6366348B2; KR102009074B1

Abstract

이형성 및 방오성에 우수하고, 또한, 갈라짐이나 이지러짐이 생기기 어려운 성형틀을 제공한다.
성형틀은, 성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서, 금속제의 기재(10)와, 기재(10)상에 마련되고, 산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온을 포함하고, 성형품과 접촉하는 세라믹스층(20)을 구비한다. 상기 성형틀은, 기재(10)와 세라믹스층(20)과의 사이에 개재하는 중간층(30)을 또한 구비하여도 좋다. 중간층(30)은, 기재(10)보다도 경도가 높고, 또한, 세라믹스층(20)보다도 인성이 높은 부분을 갖는다.

Description

성형틀{MOLD}

본 발명은, 성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀(成形型)에 관한 것이다.

특허 문헌 1(일본 특개2011-79261호 공보)에는, 세라믹스로 이루어지는 기재(基材)(5)의 표면(8)에 이형층(4)이 형성된 성형틀이 개시되어 있다.

일본 특개2011-79261호 공보 일본 특개2010-185095호 공보

특허 문헌 1에 기재된 이형층(4)은, 이형성(離型性) 및 방오성(防汚性)에 우수하다고 되어 있다. 다른 한편, 특허 문헌 1에서는, 세라믹스로 이루어지는 기재를 이용하고 있는데만, 이와 같이 한 경우, 기재의 기계 가공이 어려운, 기재의 취급이 어렵다는(갈라짐이나 이지러짐이 생기기 쉽다는) 문제가 있다.

본 발명은, 상기한 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, 이형성 및 방오성에 우수하고, 또한, 갈라짐이나 이지러짐이 생기기 어려운 성형틀을 제공하는 것에 있다.

본 발명에 관한 성형틀은, 성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀이다.

본 발명의 하나의 국면에 있어서, 성형틀은, 금속제의 기재와, 기재상에 마련되고, 산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온을 포함하고, 성형품과 접촉하는 세라믹스층을 구비한다.

하나의 실시 양태에 있어서, 성형틀은, 기재와 세라믹층과의 사이에 개재하는 접착층을 또한 구비한다. 접착층은 단층으로 형성되어도 좋고, 복수층으로 형성되어도 좋다.

본 발명의 다른 국면에 있어서, 성형틀은, 금속제의 기재와, 산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온을 포함하고, 성형품과 접촉하는 세라믹스층과, 기재와 세라믹스층과의 사이에 개재하는 중간층을 구비한다. 중간층은 단층으로 형성되어도 좋고, 복수층으로 형성되어도 좋다.

하나의 실시 양태에 있어서, 성형틀은, 기재와 중간층과의 사이에 개재하는 접착층을 또한 구비한다.

하나의 실시 양태에 있어서, 성형틀은, 중간층과 세라믹스층과의 사이에 개재하는 접착층을 또한 구비한다.

하나의 실시 양태에 있어서, 중간층이 복수층으로 형성되고, 복수의 중간층에서의 적어도 2개의 중간층의 사이에 접착층을 개재시킨다.

하나의 실시 양태에 있어서, 중간층은, 기재보다도 경도(硬度)가 높고, 또한, 세라믹스층보다도 인성(靭性)이 높은 부분을 갖는다.

하나의 실시 양태에 있어서, 중간층은, 적어도 세라믹스층측의 표면 부분에서 기재보다도 경도가 높다.

하나의 실시 양태에 있어서, 중간층은, 기재측부터 세라믹스층측을 향하여 고경도가 되도록 경도가 변화하는 완충층을 포함한다. 또한, 여기서 말하는 「변화」란, 연속적인 변화 및 단계적인 변화 및 연속적, 단계적의 조합을 모두 포함한다.

하나의 실시 양태에 있어서, 중간층은, 그 중간층의 조성을 변화시킴에 의해, 경도를 연속적으로 변화시키는 완충층을 포함한다.

하나의 실시 양태에 있어서, 중간층은, M-A계(M은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 알루미늄, 또는 실리콘이고, A는, 질소, 탄소, 또는 산소이다.)의 질화물, 탄화물, 산화물로 이루어지는 부분을 포함한다.

하나의 실시 양태에 있어서, 접착층은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 이트륨, 알루미늄, 실리콘의 금속 단체나 그들의 혼합물, 또는, 금속 단체의 산화물 또는 금속 단체를 복수 포함하는 산화물로 이루어지는 부분을 포함한다.

또한, 본원 명세서에서 「경도」란, 주식회사 시마즈제작소제의 「다이내믹 미소 경도계」(형번 : DUH - 211S)를 이용하고, 측정 조건은, 「압자(壓子) : 삼각추(三角錐) 압자(베르코비치 타입, 능간각(陵間角) 115°), 표면부터가 압입 깊이 : 0.1㎛, 부하 속도 : 설정치 80(0.8758mN/sec), 부하 유지 시간 : 15sec」로서 측정한 것을 의미한다.

본 발명에 의하면, 이형성 및 방오성에 우수하고, 또한, 갈라짐이나 이지러짐이 생기기 어려운 성형틀을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 하나의 실시의 형태에 관한 성형틀의 단면을 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 다른 실시의 형태에 관한 성형틀의 단면을 도시하는 도면.
도 3은 중간층의 구조의 한 예를 보다 상세히 도시하는 단면도.
도 4는 중간층의 구조의 다른 예를 보다 상세히 도시하는 단면도.
도 5는 중간층의 구조의 다른 예를 보다 상세히 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명의 하나의 실시례에 관한 성형틀과 비교례에 관한 성형틀에 대해 이형성을 평가한 실험 결과를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 하나의 실시례에 관한 성형틀을 이용하여 소정 횟수의 성형 동작을 행한 후의 당해 성형틀의 저면(底面)을 도시하는 사진.
도 8은 비교례에 관한 성형틀을 이용하여 소정 횟수의 성형 동작을 행한 후의 당해 성형틀의 저면을 도시하는 사진.

이하에, 본 발명의 실시의 형태에 관해 설명한다. 또한, 동일 또는 상당한 부분에 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 반복하지 않는 경우가 있다.

또한, 이하에 설명하는 실시의 형태에서, 개수, 양 등에 언급하는 경우, 특히 기재가 있는 경우를 제외하고, 본 발명의 범위는 반드시 그 개수, 양 등으로 한정되지 않는다. 또한, 이하의 실시의 형태에서, 각각의 구성 요소는, 특히 기재가 있는 경우를 제외하고, 본 발명에서 반드시 필수의 것은 아니다.

우선, 본 발명의 실시의 형태를 개략적으로 설명한다.

본 발명의 실시의 하나의 형태는, 성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서, 금속제의 기재와, 상기 기재상에 마련되고, 산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온을 포함하고, 상기 성형품과 접촉하는 세라믹스층을 구비한 성형틀이다. 상기 기재와 상기 세라믹층과의 사이에는 접착층을 마련하여도 좋다.

또한, 본 발명의 하나의 형태는, 성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서, 금속제의 기재와, 산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온을 포함하고, 상기 성형품과 접촉하는 세라믹스층을 구비하고, 상기 기재와 상기 세라믹스층과의 사이에 개재하는 중간층을 또한 구비한 성형틀이다. 또한, 상기 기재와 중간층과의 사이에 접착층을 개재시켜도 좋다. 또한, 상기 중간층과 상기 세라믹스층과의 사이에 접착층을 개재시켜도 좋다.

또한, 상기 중간층을 복수층으로 형성한 경우, 상기 복수의 중간층에서의 적어도 2개의 중간층의 사이에 접착층을 개재시켜도 좋다.

더욱, 상기 접착층을 단층 또는 복수층으로 형성하여도 좋다. 또한,

상기 성형틀에서, 상기 중간층은, 상기 기재보다도 경도가 높고, 또한, 상기 세라믹스층보다도 인성이 높은 부분을 갖는다. 또한, 상기 중간층은, 적어도 상기 세라믹스층측의 표면 부분에서 상기 기재보다도 경도가 높다.

또한, 상기 성형틀에서, 상기 중간층에 완충층을 포함할 수 있고, 예를 들면, 상기 완충층은, 상기 기재측부터 상기 세라믹스층측을 향하여 고경도가 되도록 경도가 변화하도록 구성되어 있다.

또한, 상기 성형틀에서, 상기 중간층에 접착층을 포함하는 구성으로 할 수 있다.

또한, 완충층을 복수층, 마련할 수 있고, 적어도 2개의 완충층의 사이에, 단층 또는 복수층의 접착층을 개재시킬 수 있다.

또한, 상기 접착층이 완충층의 기능을 나타내는 경우가 있다.

또한, 예를 들면, 중간층(완충층)과 세라믹스층을 단층의 접착층으로 접합하기 어려운 경우가 있다. 이 경우, 중간층(완충층)과 세라믹스층을 다층의 접착층(예를 들면 3층의 경우, 세라믹스층측부터 제1 접착층, 제2 접착층, 제3 접착층으로 한다)를 개재시켜서 단계적으로 접합하여도 좋다(도 5 참조).

즉, 세라믹스층과 접하는 제1 접착층을 세라믹스층과 접착하기 쉬운 물질로 구성하고, 또한, 중간층(완충층)과 접하는 다른 접착층(상기 제3 접착층에 상당한다)을 중간층(완충층)과 접착하기 쉬운 물질로 형성할 수 있다. 즉 접착층을 필요에 응하여 다층 구조로 할 수 있다.

또한, 상기 다층의 접착층을 3층으로 한 경우, 상기 제1 접착층과 상기 제3 접착층을 상기 제1 및 제3 접착층과 접착하기 쉬운 물질로 형성되는 제2 접착층으로 접합할 수 있다.

또한, 대체로 말하면, 상기 중간층은 실질적으로 완충층이고, 상기 중간층(완충층)은 다른 층과 접착층을 통하여 접합할 수 있다(중간층에 대한 접착층의 외적(外的) 부가(附加)).

또한, 도시한 예에 도시하는 바와 같이 상기 중간층은 완충층과 접착층으로 구성할 수 있고, 상기 중간층은 상기 접착층을 포함하는 중간층으로 되어 있다(중간층에서의 접착층의 내적(內的) 부가).

따라서 본 발명에 관한 중간층은, 실질적인 중간층이 되는 완충층에 대해, 접착층을 외적으로 또는 내적으로 부가할 수 있는 것이다.

또한, 본 발명에 관한 중간층은 완충층뿐이라도 좋고, 접착층뿐이라도 좋다.

또한, 완충층이 접착 작용을 갖는 경우도 있고, 접착층이 완충 작용을 갖는 경우도 있다.

또한, 전술한 중간층(완충층 또는 접착층)에 의한 완충 작용에 관해 언급한다. 상기 세라믹스층은 얇은층이고 상기 금속제의 기재에 대해 경도가 굳고 인성이 낮은 것이다. 이 양자의 경도의 차 및 인성의 차를 완충하는 층으로서 중간층이 마련되게 된다.

이하, 도면을 이용하여 보다 구체적으로 설명한다.

도 1은, 본 실시의 형태에 관한 성형틀의 단면을 도시하는 도면이다. 본 실시의 형태에 관한 성형틀은, 수지 성형품 등을 성형할 때에 사용되는 것으로서, 도 1에 도시하는 바와 같이 금속 기재(10)와, 금속 기재(10)상에 마련되고, 성형품과 접촉하는 세라믹스층(20)을 구비한다.

금속 기재(10)는, 철계의 재료(예를 들면, 스테인리스강, 탄소강, 합금강, 합금 공구강, 고속도강, 프리하든강 등)로 구성되어도 좋고, 비철계의 재료(구리계, 알루미늄계, 초경합금계 등)로 구성되어도 좋다. 이에 의해, 가공성에 우수함과 함께, 갈라짐이나 이지러짐이 생기기 어려운 금속 기재(10)로 할 수 있다.

세라믹스층(20)은, 산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온을 포함한다. 이에 의해, 이형성 및 방오성에 우수한 성형틀이 제공된다. 금속 기재(10)와 세라믹스층(20)은, 도시하지 않은 접착층을 통하여 접합하여도 좋다.

금속 기재(10)는, 절삭 가공이나 방전 가공 등, 종래의 금속 가공법으로 형성 가능하다. 세라믹스층은, 예를 들면, 스퍼터링이나 이온플레이팅 등의 물리적 증착법(PVD)에 의해 형성 가능하다.

도 1의 예에서, 세라믹스층(20)의 두께는, 0.1㎛ 내지 5㎛ 정도이다. 금속 기재(10)와 세라믹스층(20) 사이의 접착층의 두께는, 0.01㎛ 내지 1㎛ 정도이다.

도 2는, 다른 실시의 형태에 관한 성형틀의 단면을 도시하는 도면이다.

도 2에 도시하는 실시의 형태에서, 성형틀은, 기재(10)와 세라믹스층(20)과의 사이에 개재하는 중간층(30)을 또한 구비한다. 중간층(30)은, 금속 기재(10)보다도 경도가 높고, 또한, 세라믹스층(20)보다도 인성이 높은 부분을 갖는다. 이에 의해, 세라믹스층(20)이 갈라지거나 금속 기재(10)로부터 박리하거나 하는 것을 억제할 수 있다.

도 2의 예에서, 중간층(30)의 두께는, 0.2㎛ 내지 5㎛ 정도이다. 세라믹스층(20)의 두께는, 도 1의 예와 마찬가지로 0.1㎛ 내지 5㎛정도이다.

다음에, 도 3 내지 도 5를 이용하여, 중간층(30)의 구조를 보다 상세히 설명한다. 도 3의 예에서, 중간층(30)은, 완충층(31A, 31B)과 접착층(32A, 32B)을 가지며, 도 4의 예에서, 중간층(30)은, 완충층(31)과 접착층(32A, 32B)을 가지며, 도 5의 예에서, 중간층(30)은, 완충층(31A, 31B)과 접착층(32A 내지 32D)를 갖는다.

즉, 완충층은, 도 3, 도 5에 도시하는 바와 같이 복수층으로 이루어지는 것이라도 좋고, 도 4에 도시하는 바와 같이 단층으로 이루어지는 것이라도 좋다. 접착층도, 도 3, 도 4에 도시하는 바와 같이 완충층의 양측에서 단층으로 이루어지는 것이라도 좋고, 도 5에 도시하는 바와 같이 완충층의 일방측에서 복수층, 타방측에서 단층으로 이루어지는 것이라도 좋고, 또한, 완충층의 양측에서 복수층으로 이루어지는 것이라도 좋다.

또한, 도 5의 중간층(30)에서, 실질적으로 중간층이 되는 완충층(31A, 31B)의 사이에 단층 또는 복수층으로 이루어지는 접착층을 마련하여도 좋다. 또한, 상기 완충층(실질적인 중간층)에 다른 층과의 접착층을 마련한 경우, 상기 중간층은 접착층을 포함하는 것으로 된다.

또한, 도 4에서, 완충층(31)과 금속 기재(10)를 직접적으로 접합할 수 있다. 또한, 도 4에서, 완충층(31)과 세라믹스층(20)을 직접적으로 접합할 수 있다.

완충층 및 접착층 모두, 예를 들면, 스퍼터링이나 이온플레이팅 등의 물리적 증착법(PVD)에 의해 형성 가능하다.

완충층은, 경도가 낮은 금속 기재(10)측부터 경도가 높은 세라믹스층(20)측을 향하여 고경도가 되도록 경도가 변화하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 3, 도 5와 같이 적층 구조의 완충층(31A, 31B)의 경우는, 금속 기재(10)측의 완충층(31A)의 경도를 세라믹스층(20)측의 완충층(31B)의 경도보다도 낮게 함에 의해, 경도를 단계적으로 변화시킬 수 있다. 또한, 도 4와 같이 단층 구조 완충층(31)의 경우는, 완충층의 두께 방향으로 조성을 변화시킴(예를 들면 금속 기재(10)에 근접함에 따라 질소 농도를 저감한다) 의해, 경도를 연속적으로 변화시킬 수 있다.

완충층은, 예를 들면, M-A계(M은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 알루미늄, 또는 실리콘이고, A는, 질소, 탄소, 또는 산소이다.)의 질화물, 탄화물, 산화물로 이루어진다.

접착층은, 예를 들면, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 이트륨, 알루미늄, 실리콘의 금속 단체나 그들의 혼합물, 또는, 상기 금속 단체의 산화물 또는 상기 금속을 복수 포함하는 산화물로 이루어진다.

완충층을 구성하는 소재 및 접착층을 구성하는 소재는, 적절히 선택하여 조합시키는 것이 가능하다. 또한, 완충층의 두께(합계)는, 0.2㎛ 내지 5㎛ 정도이다.

다음에, 도 6을 이용하여, 본 발명의 실시례에 의한 이형성의 향상에 관해 설명한다. 도 6은, 본 발명의 하나의 실시례에 관한 성형틀과 비교례에 관한 성형틀(금속 기재에 경질 크롬 도금을 입힌 것)에 대해 소정 횟수의 성형 동작을 행하고, 그때마다, 이형력(離型力)을 측정함에 의해 이형성을 평가한 실험 결과를 도시하는 것이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시례에 관한 성형틀에 의하면, 비교례에 관한 성형틀과 비교하여, 이형력이 저감되어 있고, 세라믹스층(20)에 의해, 이형성에 우수한 성형틀로 되어 있음을 알 수 있다.

다음에, 도 7, 도 8을 이용하여, 본 발명의 실시례에 의한 방오성의 향상에 관해 설명한다. 도 7, 도 8은, 각각, 본 발명의 실시례에 관한 성형틀, 및, 비교례에 관한 성형틀을 이용하여 소정 횟수(도 7 : 1000회, 도 8 : 300회)의 성형 동작을 행한 후의 당해 성형틀의 저면을 도시하는 사진이다.

도 7, 도 8을 참조하면, 본 발명의 실시례에 관한 성형틀(도 7)에서는, 1000회의 성형 동작을 행한 후도, 눈에 띈 오염은 인정되지 않음에 대해, 비교례에 관한 성형틀(도 8)에서는, 300회의 성형 동작의 후, A부에서 수지의 고착이 인정되는 외에, B부에서 플래시의 퇴적이 인정된다. 또한, 캐비티 저면 전체에서 변색이 인정된다. 이상의 결과로부터, 세라믹스층(20)에 의해, 방오성에 우수한 성형틀로 되어 있음을 알 수 있다.

이와 같이, 본 실시의 형태에 관한 성형틀에 의하면, 세라믹스층(20)을 이용함에 의해 이형성 및 방오성에 우수한 성형틀로 함과 함께, 금속 기재(10)를 이용함에 의해, 성형틀의 갈라짐이나 이지러짐을 억제할 수 있다. 또한, 중간층(30)에 의해, 금속 기재(10)와 세라믹스층(20)과의 접합 구조를 개선하여, 세라믹스층(20)의 갈라짐이나 금속 기재(10)로부터의 박리를 억제할 수 있다.

또한, 상기 성형틀은, 예를 들면, 사출 성형, 트랜스퍼 성형, 압축 성형에 이용할 수 있다.

트랜스퍼 성형(내지는 압축 성형)의 경우, 수지 재료를 이용하여, 기판에 장착한 반도체 칩을 세라믹스층이 마련된 캐비티 내에서 당해 캐비티의 형상에 대응한 패키지(성형품) 내에 밀봉 성형(내지는 압축 성형)할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시의 형태에 관해 설명하였지만, 금회 개시된 실시의 형태는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 할 것이다. 본 발명의 범위는 특허청구의 범위에 의해 나타나고, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

10 : 금속 기재
20 : 세라믹스층
30 : 중간층
31, 31A, 31B : 완충층
32A, 32B, 32C, 32D : 접착층

Claims

성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서,
금속제의 기재와,
산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온(양이온)을 포함하고, 상기 성형품과 접촉하는 세라믹스층과,
상기 기재와 상기 세라믹스층과의 사이에 개재하는 중간층을 구비하며,
상기 중간층은, 상기 기재보다도 경도가 높고, 또한, 상기 세라믹스층보다도 인성이 높은 부분을 가지며,
상기 중간층에 있어서, 금속제의 상기 기재측으로부터 상기 성형품과 접촉하는 상기 세라믹스층 측으로 향해 고경도가 되도록 경도가 변화하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서,
금속제의 기재와,
산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온(양이온)을 포함하고, 상기 성형품과 접촉하는 세라믹스층과,
상기 기재와 상기 세라믹스층과의 사이에 개재하는 중간층을 구비하며,
상기 중간층은, 적어도 상기 세라믹스층측의 표면 부분에서 상기 기재보다도 경도가 높으며,
상기 중간층에 있어서, 금속제의 상기 기재측으로부터 상기 성형품과 접촉하는 상기 세라믹스층 측으로 향해 고경도가 되도록 경도가 변화하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서,
금속제의 기재와,
산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온(양이온)을 포함하고, 상기 성형품과 접촉하는 세라믹스층과,
상기 기재와 상기 세라믹스층과의 사이에 개재하는 중간층을 구비하며,
상기 중간층은, 금속제의 상기 기재측으로부터 상기 성형품과 접촉하는 상기 세라믹스층측을 향하여 고경도가 되도록 경도가 변화하는 완충층을 포함하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
성형품을 성형할 때에 사용되는 성형틀로서,
금속제의 기재와,
산화이트륨, 질소 및 4A족 원소의 카티온(양이온)을 포함하고, 상기 성형품과 접촉하는 세라믹스층과,
상기 기재와 상기 세라믹스층과의 사이에 개재하는 중간층을 구비하며,
상기 중간층은, 상기 중간층의 조성을 변화시킴에 의해, 경도를 연속적으로 변화시키는 완충층을 포함하며,
상기 중간층에 있어서, 금속제의 상기 기재측으로부터 상기 성형품과 접촉하는 상기 세라믹스층 측으로 향해 고경도가 되도록 경도가 변화하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재와 상기 중간층과의 사이에 개재하는 접착층을 또한 구비한 것을 특징으로 하는 성형틀.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간층과 상기 세라믹스층과의 사이에 개재하는 접착층을 또한 구비한 것을 특징으로 하는 성형틀.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간층이 단층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간층이 복수층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간층이 복수층으로 형성되고, 상기 복수의 중간층에서의 적어도 2개의 중간층의 사이에 접착층을 개재시킨 것을 특징으로 하는 성형틀.
제5항에 있어서,
상기 접착층이 단층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제6항에 있어서,
상기 접착층이 단층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제9항에 있어서,
상기 접착층이 단층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제5항에 있어서,
상기 접착층이 복수층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제6항에 있어서,
상기 접착층이 복수층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제9항에 있어서,
상기 접착층이 복수층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중간층은, M-A계(M은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 알루미늄, 또는 실리콘이고, A는, 질소, 탄소, 또는 산소이다.)의 질화물, 탄화물, 산화물로 이루어지는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제5항에 있어서,
상기 접착층은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 이트륨, 알루미늄, 실리콘의 금속 단체나 그들의 혼합물, 또는, 상기 금속 단체의 산화물 또는 상기 금속 단체를 복수 포함하는 산화물로 이루어지는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제6항에 있어서,
상기 접착층은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 이트륨, 알루미늄, 실리콘의 금속 단체나 그들의 혼합물, 또는, 상기 금속 단체의 산화물 또는 상기 금속 단체를 복수 포함하는 산화물로 이루어지는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 성형틀.
제9항에 있어서,
상기 접착층은, 티탄, 크롬, 니켈, 지르코늄, 이트륨, 알루미늄, 실리콘의 금속 단체나 그들의 혼합물, 또는, 상기 금속 단체의 산화물 또는 상기 금속 단체를 복수 포함하는 산화물로 이루어지는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 성형틀.