KR20170039806A - 표시장치 및 그의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시품질을 향상시킬 수 있도록 한 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 표시장치는 주사선들로 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 주사 구동부와; 상기 주사 구동부로 상기 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 전원부를 구비하며; 상기 전원부는 패널의 온도 또는 주변온도에 대응하여 전압값이 변하는 감지전압을 생성하기 위한 온도 감지부와; 상기 감지전압의 최저 전압값을 제한하기 위한 제 1전압 제한부와; 상기 감지전압의 최고 전압값을 제한하기 위한 제 2전압 제한부를 구비한다.

Description

표시장치 및 그의 구동방법{DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명의 실시예는 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것으로, 특히 표시품질을 향상시킬 수 있도록 한 표시장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device) 및 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 표시장치(Display Device)의 사용이 증가하고 있다.
일반적으로, 표시장치는 데이터선들로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부, 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부, 주사선들 및 데이터선들에 의하여 구획된 영역에 위치되는 화소들을 포함하는 화소부를 구비한다.
화소부에 포함된 화소들은 주사선으로 주사신호가 공급될 때 선택되어 데이터선으로부터 데이터신호를 공급받는다. 데이터신호를 공급받은 화소들은 데이터신호에 대응하는 휘도의 빛을 외부로 공급한다. 이를 위하여, 화소들 각각은 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터신호의 전압을 입력받기 위한 스위칭 트랜지스터를 포함한다.
이와 같은 스위칭 트랜지스터는 온도, 특히 40도 이상의 고온에서 특성이 변화된다. 스위칭 트랜지스터의 특성이 변화되면 전압마진(Voltage Margin)이 부족해지고, 이에 따라 패널에서 색빠짐 현상이 발생한다.
따라서, 본 발명은 표시품질을 향상시킬 수 있도록 한 표시장치 및 그의 구동방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 의한 표시장치는 주사선들로 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 주사 구동부와; 상기 주사 구동부로 상기 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 전원부를 구비하며; 상기 전원부는 패널의 온도 또는 주변온도에 대응하여 전압값이 변하는 감지전압을 생성하기 위한 온도 감지부와; 상기 감지전압의 최저 전압값을 제한하기 위한 제 1전압 제한부와; 상기 감지전압의 최고 전압값을 제한하기 위한 제 2전압 제한부를 구비한다.
실시 예에 의한, 상기 최저 전압값에 대응하는 제 1제어값이 저장되는 제 1저장부와, 상기 최고 전압값에 대응하는 제 2제어값이 저장되는 제 2저장부를 더 구비한다.
실시 예에 의한, 상기 제 1제어값은 제 1온도에 대응하여 설정되고, 상기 제 2제어값은 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도에 대응하여 설정된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1전압 제한부는 상기 감지전압이 상기 제 1제어값 미만으로 설정되는 경우 상기 제 1제어값을 출력하고, 그 외의 경우에는 상기 감지전압을 출력한다.
실시 예에 의한, 상기 제 2전압 제한부는 상기 감지전압이 상기 제 2제어값을 초과하는 경우 상기 제 2제어값을 출력하고, 그 외의 경우에는 상기 감지전압을 출력한다.
실시 예에 의한, 상기 주사 구동부를 제어하기 위한 타이밍 제어부를 더 구비하며, 상기 제 1제어값 및 상기 제 2제어값은 상기 타이밍 제어부에 의하여 변경 가능하다.
실시 예에 의한, 상기 온도 감지부는 제 1구동전원과 상기 제 1구동전원과 상이한 제 2구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 1저항 및 상기 제 2저항과, 상기 제 1저항 및 제 2저항 사이의 제 1노드와 상기 제 1구동전원 사이에서 상기 제 1저항과 병렬로 접속되는 서미스터를 구비하며, 상기 제 1노드의 전압이 상기 감지전압이다.
실시 예에 의한, 상기 서미스터는 부특성 서미스터(NTC Thermistor)이다.
실시 예에 의한, 상기 감지전압의 전압을 변경하여 상기 제 1전압 제한부로 공급하기 위한 전압 변환부를 더 구비한다.
실시 예에 의한, 게인에 대응하여 상기 제 2전압 제한부로부터 출력되는 전압의 전압값을 변경하여 상기 게이트 오프 전압을 생성하기 위한 게인 제어부를 더 구비한다.
실시 예에 의한, 상기 게인 제어부는 비반전 입력단자인 제 1입력단자, 반전 입력단자인 제 2입력단자 및 출력단자를 구비하는 오피-앰프와, 상기 출력단자와 제 3구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 3저항 및 제 4저항을 구비하며, 상기 제 1입력단자는 상기 제 2전압 제한부에 접속되고, 상기 제 2입력단자는 상기 제 3저항 및 상기 제 4저항의 공통노드인 제 2노드에 접속된다.
실시 예에 의한, 상기 제 1전압 제한부는 제 1구동전원과 상기 제 1구동전원보다 높은 전압값을 갖는 제 2구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 1저항 및 제 2저항과; 상기 제 1저항 및 제 2저항 사이의 공통노드인 제 1노드와 상기 제 2구동전원 사이에 접속되는 제 1커패시터와; 비반전 입력단자인 제 1입력단자가 상기 제 1노드에 접속되고, 반전 입력단자인 제 2입력단자가 상기 감지전압을 공급받는 오피-앰프와; 상기 오피-앰프의 출력단자에 접속되는 제 3저항과; 베이스단자가 상기 제 3저항, 컬렉터단자가 상기 제 2구동전원, 에미터단자가 상기 감지전압을 공급받는 제 1트랜지스터를 구비한다.
실시 예에 의한, 상기 오피-앰프는 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 낮은 경우 상기 제 2구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급하고, 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 높은 경우 상기 제 1구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급한다.
실시 예에 의한, 상기 제 1트랜지스터는 상기 제 2구동전원의 전압이 공급될 때 턴-온되고, 상기 제 1구동전원의 전압이 공급될 때 턴-오프된다.
실시 예에 의한, 상기 제 2전압 제한부는 제 1구동전원과 상기 제 1구동전원보다 높은 전압값을 갖는 제 2구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 1저항 및 제 2저항과; 상기 제 1저항 및 제 2저항 사이의 공통노드인 제 1노드와 상기 제 2구동전원 사이에 접속되는 제 1커패시터와; 비반전 입력단자인 제 1입력단자가 상기 제 1노드에 접속되고, 반전 입력단자인 제 2입력단자가 상기 감지전압을 공급받는 오피-앰프와; 상기 오피-앰프의 출력단자에 접속되는 제 3저항과; 베이스단자가 상기 제 3저항, 컬렉터단자가 상기 제 1구동전원, 에미터단자가 상기 감지전압을 공급받는 제 1트랜지스터를 구비한다.
실시 예에 의한, 상기 오피-앰프는 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 높은 경우 상기 1구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급하고, 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 낮은 경우 상기 제 2구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급한다.
실시 예에 의한, 상기 제 1트랜지스터는 상기 제 1구동전원의 전압이 공급될 때 턴-온되고, 상기 제 2구동전원의 전압이 공급될 때 턴-오프된다.
본 발명의 실시예에 의한 주사선들로 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 주사 구동부를 포함하는 표시장치의 구동방법은; 패널의 온도 또는 주변온도가 제 1온도보다 높은 경우 제 1제어값에 대응하여 상기 게이트 오프 전압을 제 1전압으로 유지하는 단계와; 상기 패널의 온도 또는 상기 주변온도가 제 2온도보다 낮은 경우 제 2제어값에 대응하여 상기 게이트 오프 전압을 상기 제 1전압보다 높은 제 2전압으로 유지하는 단계와; 상기 패널의 온도 또는 상기 주변온도가 상기 제 1온도에서 상기 제 2온도로 낮아질 때 상기 게이트 오프 전압을 상기 제 1전압으로부터 상기 제 2전압으로 상승시키는 단계를 포함한다.
실시 예에 의한, 상기 제 1전압 및 상기 제 2전압은 부극성 전압이다.
실시 예에 의한, 상기 제 1제어값 및 상기 제 2제어값은 상기 주사 구동부를 제어하기 위한 타이밍 제어부에 의하여 변경 가능하다.
본 발명의 실시예에 의한 표시장치 및 그의 구동방법에 의하면, 스위칭 트랜지스터의 게이트전극으로 공급되는 게이트 오프 전압을 온도에 대응하여 변화시킨다. 다시 말하여, 본 발명에서는 온도가 올라갈수록 게이트 오프 전압의 전압값을 낮추고, 이에 따라 구동에 필요한 전압마진을 확보함으로서 표시품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 게이트 오프 전압의 최저 전압값 및 최고 전압값을 제한함으로서, 동작의 신뢰성을 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 주사 구동부에서 생성되는 주사신호를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 전원부를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 의한 전원부를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3 및 도 4의 전원부에서 생성되는 게이트 오프 전압의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 온도 감지부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 온도 감지부의 동작과정 실시예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 4에 도시된 게인 제어부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9 및 도 10은 도 8에 도시된 게인 제어부의 동작과정 실시예를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 3실시예에 의한 전원부를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11에 도시된 제 2전압 제한부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 13a 및 도 13b는 도 12에 도시된 제 2전압 제한부의 동작과정 실시예를 나타내는 도면이다.
도 14는 도 12에 도시된 제 2전압 제한부로부터 출력되는 전압의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 15는 도 11에 도시된 제 1전압 제한부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 16a 및 도 16b는 도 15에 도시된 제 1전압 제한부의 동작과정 실시예를 나타내는 도면이다.
도 17은 도 15에 도시된 제 1전압 제한부로부터 출력되는 전압의 실시예를 나타내는 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시예 및 그 밖에 당업자가 본 발명의 내용을 쉽게 이해하기 위하여 필요한 사항에 대하여 상세히 기재한다. 다만, 본 발명은 청구범위에 기재된 범위 안에서 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으므로 하기에 설명하는 실시예는 표현 여부에 불구하고 예시적인 것에 불과하다.
즉, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 표시장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에서는 설명의 편의성을 위하여 표시장치를 액정 표시장치로 가정하였지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시장치는 화소부(100), 주사 구동부(110), 데이터 구동부(120), 타이밍 제어부(130), 호스트 시스템(140) 및 전원부(150)를 구비한다.
화소부(100)는 액정패널의 유효 표시부를 의미한다. 액정패널은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함) 기판과 컬러필터 기판을 포함한다. TFT 기판과 컬러필터 기판 사이에는 액정층이 형성된다. TFT 기판 상에는 데이터선(D)들 및 주사선(S)들이 형성되고, 주사선(S)들 및 데이터선(D)들에 의하여 구획된 영역에는 복수의 화소들이 배치된다.
화소들 각각에 포함되는 TFT(즉, 스위칭 트랜지스터)는 주사선(S)으로부터의 주사신호에 응답하여 데이터선(D)을 경유하여 공급되는 데이터신호의 전압을 액정 커패시터(Clc)에 전달한다. 이를 위하여 TFT의 게이트전극은 주사선(S)에 접속되고, 제 1전극은 데이터선(D)에 접속된다. 그리고, TFT의 제 2전극은 액정 커패시터(Clc) 및 스토리지 커패시터(Storage Capacitor : SC)에 접속된다.
여기서, 제 1전극은 TFT의 소오스전극 및 드레인전극 중 어느 하나를 의미하며, 제 2전극은 제 1전극과 다른 전극을 의미한다. 일례로, 제 1전극이 드레인전극으로 설정되는 경우, 제 2전극은 소오스전극으로 설정된다. 또한, 액정 커패시터(Clc)는 TFT 기판에 형성되는 화소전극(미도시)과 공통전극 사이의 액정을 등가적으로 표현한 것이다. 스토리지 커패시터(SC)는 화소전극에 전달된 데이터신호의 전압을 다음 데이터신호가 공급될 때까지 일정시간 유지한다.
컬러필터 기판에는 블랙 매트릭스 및 컬러필터 등이 형성된다.
공통전극은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직전계 구동방식에서 컬러필터 기판에 형성되며, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소전극과 함께 TFT 기판에 형성된다. 이와 같은 공통전극으로는 공통전압(Vcom)이 공급된다. 또한, 액정패널의 액정모드는 전술한 TN 모드, VA 모드, IPS 모드, FFS 모드뿐 아니라 어떠한 액정모드로도 구현될 수 있다.
데이터 구동부(120)는 타이밍 제어부(130)로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 정극성/부극성 아날로그 데이터전압들을 생성한다. 데이터 구동부(120)에서 생성된 정극성/부극성 아날로그 데이터전압은 데이터신호로서 데이터선(D)들로 공급된다.
주사 구동부(110)는 주사선(S)들로 주사신호를 공급한다. 일례로, 주사 구동부(110)는 주사선(S)들로 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 실시예적으로, 도 2에 도시된 바와 같이 주사 구동부(110)는 주사신호가 공급되는 기간 동안 주사선(S)들로 게이트 온 전압(Von)을 공급할 수 있다. 그리고, 주사 구동부(110)는 주사신호가 공급되지 않는 기간 동안 주사선(S)들로 게이트 오프 전압(VSS)을 공급할 수 있다. 여기서, 게이트 온 전압(Von)은 TFT가 턴-온되는 전압을 의미하며, 게이트 오프 전압(VSS)은 TFT가 턴-오프되는 전압을 의미한다. 게이트 오프 전압(VSS)은 TFT가 완전히 턴-오프됨과 동시에 구동전압의 마진이 확보되도록 부극성의 전압으로 설정될 수 있다.
주사선(S)들로 주사신호가 순차적으로 공급되면 화소들이 수평라인 단위로 선택되고, 주사신호에 의하여 선택된 화소들은 데이터신호를 공급받는다. 주사 구동부(110)는 ASG(Armophous silicon gate driver)의 형태로 액정패널에 실장될 수 있다. 즉, 주사 구동부(110)는 박막 공정을 통해서 TFT 기판에 실장될 수 있다. 또한, 주사 구동부(110)는 화소부(100)를 사이에 두고 액정패널의 양측에 실장될 수도 있다.
타이밍 제어부(130)는 호스트 시스템(140)으로부터 출력된 영상 데이터(RGB), 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE) 및 클럭신호(CLK) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 게이트 제어신호를 주사 구동부(110)로 공급하고, 데이터 제어신호를 데이터 구동부(120)로 공급한다.
게이트 제어신호에는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse : GSP), 하나 이상의 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock : GSC) 등이 포함된다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 첫 번째 주사신호의 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트시키기 위한 하나 이상의 클럭신호를 의미한다.
데이터 제어신호에는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse : SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock : SSC), 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable : SOE) 및 극성 제어신호(POL) 등이 포함된다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동부(120)의 데이터 샘플링 시작 시점을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 데이터 구동부(120)의 샘플링 동작을 제어한다. 소스 출력 인에이블신호(SOE)는 데이터 구동부(120)의 출력 타이밍을 제어한다. 극성 제어신호(POL)는 데이터 구동부(120)로부터 출력되는 데이터신호의 극성을 반전시킨다.
호스트 시스템(140)은 LVDS(Low Voltage Differential Signaling), TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 등의 인터페이스를 통해 영상 데이터(RGB)를 타이밍 제어부(130)로 공급한다. 또한, 호스트 시스템(140)은 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, CLK)을 타이밍 제어부(130)로 공급한다.
전원부(150)는 타이밍 제어부(130)의 제어에 대응하여 게이트 오프 전압(VSS)을 생성하고, 생성된 게이트 오프 전압(VSS)을 주사 구동부(110)로 공급한다. 여기서, 전원부(150)는 주변온도 또는 액정패널의 온도에 대응하여 게이트 오프 전압(VSS)의 전압값을 제어한다. 일례로, 전원부(150)는 40도 이상의 고온에서 TFT의 특성 변화와 무관하게 TFT가 안정적으로 턴-오프 상태를 유지하도록 게이트 오프 전압(VSS)의 전압값을 낮출 수 있다.
전원부(150)는 액정패널 또는 외부의 PCB기판(미도시)에 위치될 수 있다. 전원부(150)가 액정패널에 위치되는 경우, 액정패널의 온도에 대응하여 게이트 오프 전압(VSS)이 제어될 수 있다. 그리고, 전원부(150)가 PCB기판에 위치되는 경우 주변온도에 대응하여 게이트 오프 전압(VSS)이 제어될 수 있다.
또한, 도 1에서는 본 발명이 특징이 강조되도록 전원부(150)에서 게이트 오프 전압(VSS)만이 생성되는 것으로 도시하였지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 전원부(150)는 게이트 온 전압(Von)을 포함한 액정패널에 사용되는 다양한 전압을 추가로 생성할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 전원부를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 전원부(150)는 온도 감지부(200), 제 1전압 제한부(202), 제 2전압 제한부(204), 제 1저장부(206) 및 제 2저장부(208)를 구비한다.
온도 감지부(200)는 액정패널 또는 주변온도에 대응하여 감지전압(Vm)을 생성한다. 이후에는 설명의 편의성을 위하여 온도 감지부(200)가 액정패널의 온도를 감지하는 것으로 가정하기로 한다. 온도 감지부(200)는 온도에 비례 또는 반비례되도록 감지전압(Vm)을 생성한다. 즉, 온도 감지부(200)는 온도에 대응하여 변화되는 감지전압(Vm)을 생성하는 것으로, 다양하게 구성될 수 있다.
제 1저장부(206)는 제 1제어값을 저장한다. 여기서, 제 1제어값은 게이트 오프 전압(VSS)의 최저 전압값에 대응하여 설정된다. 상세히 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이 액정패널의 온도가 고온으로 가는 경우, 전압마진을 확보하기 위하여 게이트 오프 전압(VSS)이 낮아진다. 이때, 게이트 오프 전압(VSS)이 최저 전압값(예를 들면, -9.0V)으로 설정되는 경우, 온도와 무관하게 TFT를 구동하기 위한 충분한 전압마진을 확보할 수 있다.
제 2저장부(208)는 제 2제어값을 저장한다. 여기서, 제 2제어값은 게이트 오프 전압(VSS)의 최고 전압값에 대응하여 설정된다. 상세히 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이 액정패널의 온도가 저온으로 가는 경우, 게이트 오프 전압(VSS)이 높아진다. 이때, 게이트 오프 전압(VSS)이 최고 전압값(예를 들면, -7.6V) 이상으로 높아지는 경우, TFT를 구동하기 위한 충분한 전압마진이 확보되지 못한다.
한편, 제 1제어값은 제 1온도(예를 들면, 55℃)에 대응하여 설정될 수 있고, 제 2제어값은 제 2온도(예를 들면, 40℃)에 대응하여 설정될 수 있다. 그러면, 액정패널이 제 2온도 미만으로 설정되는 경우 게이트 오프 전압(VSS)은 최고 전압값을 유지하고, 제 1온도를 초과하는 경우 게이트 오프 전압(VSS)은 최저 전압값을 유지한다. 또한, 액정패널이 제 1온도 및 제 2온도 사이의 특정온도에 위치되는 경우, 특정온도에 대응하여 게이트 오프 전압(VSS)이 설정된다.
추가적으로, 제 1저장부(206) 및 제 2저장부(208)에 저장되는 제 1제어값 및 제 2제어값은 타이밍 제어부(130)에 의하여 변경될 수 있다. 일례로, 타이밍 제어부(130)는 12C BUS I/F를 이용하여 제 1제어값 및 제 2제어값을 변경할 수 있다. 이 경우, 액정패널의 구동환경에 대응하여 게이트 오프 전압(VSS)의 전압값을 제어할 수 있다.
제 1전압 제한부(202)는 감지전압(Vm) 및 제 1제어값을 공급받는다. 감지전압(Vm)을 공급받은 제 1전압 제한부(202)는 감지전압(Vm)이 제 1제어값 미만으로 설정되는 경우 제 1제어값을 출력하고, 그 외의 경우에는 감지전압(Vm)을 출력한다. 일례로, 감지전압(Vm)이 -9.1V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되고, 제 1제어값이 -9.0V(또는 그에 대응되는 전압)으로 설정되는 경우 제 1전압 제한부(202)는 제 1제어값을 출력한다. 그리고, 감지전압(Vm)이 -8.1V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되고, 제 1제어값이 -9.0V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되는 경우 제 1전압 제한부(202)는 감지전압(Vm)을 출력한다. 이와 같은 제 1전압 제한부(202)는 비교기 등으로 구현될 수 있다.
제 2전압 제한부(204)는 감지전압(Vm)(또는 제 1제어값) 및 제 2제어값을 공급받는다. 감지전압(Vm)(또는 제 1제어값) 및 제 2제어값을 공급받은 제 2전압 제한부(204)는 감지전압(Vm)(또는 제 1제어값)이 제 2제어값을 초과하는 경우 제 2제어값을 출력하고, 그 외의 경우에는 감지전압(Vm)(또는 제 1제어값)을 출력한다. 일례로, 감지전압(Vm)이 -8V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되고, 제 2제어값이 -7.6V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되는 경우 제 2전압 제한부(204)는 감지전압(Vm)을 출력한다. 그리고, 감지전압(Vm)이 -6V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되고, 제 2제어값이 -7.6V(또는 그에 대응되는 전압)로 설정되는 경우 제 2전압 제한부(204)는 제 2제어값을 출력한다. 이와 같은 제 2전압 제한부(204)는 비교기 등으로 구현될 수 있다.
제 2전압 제한부(204)로부터 출력되는 감지전압(Vm), 제 1제어값 또는 제 2제어값은 게이트 오프 전압(VSS)으로서 주사 구동부(110)로 공급된다. 그러면, 게이트 오프 전압(VSS)은 온도에 대응하여 변화되고, 이에 따라 TFT의 전압마진이 확보되어 표시품질을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 의한 전원부를 나타내는 도면이다. 도 4를 설명할 때 도 3과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 전원부(150)는 온도 감지부(200), 전압 변환부(210), 제 1전압 제한부(202), 제 2전압 제한부(204), 제 1저장부(206), 제 2저장부(208) 및 게인 제어부(212)를 구비한다.
전압 변환부(210)는 온도 감지부(200)로부터 감지전압(Vm)을 공급받고, 공급받은 감지전압(Vm)의 전압값을 변경하여 제 1전압 제한부(202)로 공급한다. 이와 같은 전압 변환부(210)는 제 1제어값 및 제 2제어값에 대응되도록 감지전압(Vm)의 전압값을 변경할 수 있다.
상세히 설명하면, 감지전압(Vm)은 온도에 대응하여 생성되는 것으로, 그 전압값을 정확히 제어하기 어렵다. 따라서, 온도 감지부(200)와 제 1전압 제한부(202) 사이에 전압 변환부(210)를 설치하고, 전압 변환부(210)를 이용하여 제 1제어값 및 제 2제어값에 대응되도록 감지전압(Vm)의 전압값을 변경할 수 있다. 예를 들어, 제 1제어값이 -9.0V, 제 2제어값이 -7.6V으로 설정되는 경우, 전압 변환부(210)는 제 1온도 및 제 2온도 사이에서 감지전압(Vm)이 -9.0V 내지 -7.6V로 설정되도록 제어할 수 있다. 또한, 제 1제어값이 -3V, 제 2제어값이 -1V로 설정되는 경우, 전압 변환부(210)는 제 1온도 및 제 2온도 사이에서 감지전압(Vm)이 -3V 내지 -1V로 설정되도록 제어할 수 있다.
게인 제어부(212)는 제 2전압 제한부(204)로부터 출력되는 전압의 전압값을 변경한다. 일례로, 게인 제어부(212)는 오피-앰프의 게인을 조절하여 제 2전압 제한부(204)로부터의 출력전압을 변경할 수 있다. 즉, 게인 제어부(212)는 제 2전압 제한부(204)로부터의 출력전압이 -7.6V 내지 -9.0V로 설정되도록 제어할 수 있다. 이와 관련하여 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 6은 도 3에 도시된 온도 감지부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 온도 감지부(200)는 제 1저항(R1), 제 2저항(R2) 및 서미스터(RTh)를 구비한다.
제 1저항(R1) 및 제 2저항(R2)은 제 1구동전원(VD1)과 제 2구동전원(VD2) 사이에 직렬로 접속된다. 여기서, 제 1구동전원(VDD1) 및 제 2구동전원(VDD2)은 서로 상이한 전압으로 설정된다.
서미스터(RTh)는 제 1저항(R1) 및 제 2저항(R2)의 공통노드인 제 1노드(N1)와 제 1구동전원(VD1) 사이에 접속된다. 즉, 서미스터(RTh)는 제 1저항(R1)과 병렬로 접속되며, 온도에 대응하여 저항이 변화된다.
일례로, 서미스터(RTh)가 부특성 서미스터(NTC Thermistor : Negative Temperature Coefficient thermistor)인 경우 온도의 증가에 대응하여 저항이 감소된다. 그리고, 서미스터(RTh)가 정특성 서미스터(PTC Thermistor : Positive Temperature Coefficient thermistor)인 경우 온도의 증가에 대응하여 저항이 증가된다. 이후, 설명의 편의성을 위하여 서미스터(RTh)는 부특성 서미스터로 가정하기로 한다.
온도의 증가에 대응하여 서미스터(RTh)의 저항이 감소되면, 제 1저항(R1)과 서미스터(RTh)에 의한 병렬 저항이 감소된다. 이 경우, 제 1노드(N1)의 전압, 즉 감지전압(Vm)이 변경된다. 일례로, 제 1구동전원(VD1)의 전압을 -10.6V로 설정하고, 제 2구동전원(VD2)의 전압을 그라운드 전압(GND)으로 설정하는 경우 도 7과 같이 온도에 대응하여 감지전압(Vm)이 변경된다. 즉, 감지전압(Vm)은 40℃에서 대략 -5.51V, 55℃에서 대략 6.78V로 설정될 수 있다. 추가적으로, 도 7의 감지전압(Vm)의 특성곡선은 제 1저항(R1) 및 제 2저항(R2)의 저항값, 서미스터(RTh) 특성에 대응하여 변경될 수 있다.
한편, 본 발명에서 제 1구동전원(VD1)은 정극성의 전압, 제 2구동전원(VD2)은 부극성의 전압으로 설정될 수 있다. 이 경우, 제 1노드(N1)의 전압, 즉 감지전압(Vm)은 온도에 대응하여 상승된다. 이때, 전압 변환부(210)는 특정 전압에서 감지전압(Vm)을 감하여 전압값을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 전압 변환부(210)는 연산부 등으로 구현될 수 있다.
도 8은 도 4에 도시된 게인 제어부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 게인 제어부(212)는 제 2전압 제한부(204)로부터 출력되는 전압의 전압값을 변경한다. 이를 위하여, 게인 제어부(212)는 오피-앰프(2121), 제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)을 구비한다.
오피-앰프(2121)의 제 1입력단자(+)는 제 2전압 제한부(204)로부터의 전압을 공급받는다. 그리고, 오피-앰프(2121)의 제 2입력단자(-)는 제 3저항(R3) 및 제 4항(R4) 사이의 제 2노드(N2)에 접속된다. 여기서, 제 1입력단자(+)는 비반전 입력단자, 제 2입력단자(-)는 반전 입력단자로 설정될 수 있다.
제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)은 오피-앰프(2121)의 출력단자와 제 3구동전원(VD3) 사이에 직렬로 접속된다. 여기서, 제 3구동전원(VD3)은 그라운드 전압(GND)으로 설정될 수 있다.
오피-앰프(2121)의 게인은 제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)의 저항값에 대응하여 설정된다. 일례로, 오피-앰프(2121)의 게인은 수학식 1과 같이 설정될 수 있다.
Figure pat00001
수학식 1에서 V2는 제 2전압 제한부(204)로부터 출력되는 전압을 의미한다. 수학식 1에서 제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)의 저항값을 제어하는 경우 게이트 오프 전압(VSS)의 전압값을 제어할 수 있다.
일례로, 도 9에 도시된 바와 같이 제 2전압 제한부(204)로부터의 전압(V2)이 -0.475V 내지 -0.5625V로 설정되는 경우, 게인을 16배로 설정할 수 있다. 그러면, 게이트 오프 전압(VSS)은 -7.6V 내지 -9.0V로 설정될 수 있다. 즉, 게인 제어부(212)는 제 3저항(R3) 및 제 4저항(R4)의 저항값을 제어함으로서(즉, 게인 제어) 원하는 게이트 오프 전압(VSS)을 생성할 수 있다.
추가적으로, 도 10에 도시된 바와 같이 제 2전압 제한부(204)로부터의 전압(V2)이 -5.51V 내지 -6.78V로 설정되는 경우, 게인을 1.18로 설정할 수 있다. 그러면, 게이트 오프 전압(VSS)은 -6.5V 내지 -8.0V로 설정될 수 있다. 즉, 게인 제어부(212)는 게인을 제어하여 주사 구동부(110)에 필요한 게이트 오프 전압(VSS)을 생성할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제 3실시예에 의한 전원부를 나타내는 도면이다. 도 11을 설명할 때 도 3과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 할당함과 아울러 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제 3실시예에 의한 전원부(150)는 제 1전압 제한부(202'), 제 2전압 제한부(204'), 온도 감지부(200) 및 게인 제어부(212)를 구비한다.
제 1전압 제한부(202')는 감지전압(Vm)의 최저 전압값을 제한한다. 일례로, 제 1전압 제한부(202')는 감지전압(Vm)이 미리 설정된 최저 전압값 미만으로 낮아지지 않도록 제어한다.
제 2전압 제한부(204')는 감지전압(Vm)의 최고 전압값을 제한한다. 일례로, 제 2전압 제한부(204')는 감지전압(Vm)이 미리 설정된 최고 전압값을 초과하지 않도록 제어한다.
그러면, 온도 감지부(200)로부터 출력되는 감지전압(Vm)은 최저 전압값 및 최고 전압값 사이의 전압으로 설정된다. 여기서, 도 5에 도시된 바와 같이 최저 전압값은 -9.0V, 최고 전압값은 -7.6V로 설정될 수 있다. 이 경우, 감지전압은 액정패널의 온도가 제 2온도 보다 낮은 경우 -7.6V, 제 1온도 보다 높은 경우 -9.0V를 유지한다.
도 12는 도 11에 도시된 제 2전압 제한부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제 2전압 제한부(204')는 제 1저항(R11), 제 2저항(R12), 제 3저항(R13), 제 1커패시터(C1), 오피-앰프(2041) 및 제 1트랜지스터(TR1)를 구비한다.
제 1저항(R11) 및 제 2저항(R12)은 제 1구동전원(VD1') 및 제 2구동전원(VD2') 사이에 직렬로 접속된다. 여기서, 제 1구동전원(VD1')은 부극성의 전압으로 설정되고, 제 2구동전원(VD2')은 그라운드 전압(GND)으로 설정될 수 있다. 이와 같은 제 1저항(R11) 및 제 2저항(R12)은 제 1구동전원(VD1') 및 제 2구동전원(VD2') 사이의 전압을 분압하여 제 1노드(N1')에 인가한다.
제 1커패시터(C1)는 제 1노드(N1')와 제 2구동전원(VD2') 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1)는 제 1노드(N1')의 전압을 안정적으로 유지시킨다.
오피-앰프(2041)의 제 1입력단자(+)는 제 1노드(N1')에 접속되고, 제 2입력단자(-)는 온도 감지부(200)에 접속된다. 즉, 제 2입력단자(-)는 감지전압(Vm)을 공급받는다.
제 3저항(R13)은 오피-앰프(2041)의 출력단자와 제 1트랜지스터(TR1)의 베이스단자에 접속된다.
제 1트랜지스터(TR1)의 에미터단자는 온도 감지부(200)로부터 감지전압(Vm)을 공급받고, 컬렉터단자는 제 1구동전원(VD1')에 접속된다. 그리고, 제 1트랜지스터(TR1)의 베이스단자는 제 3저항(R13)에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(TR1)는 PNP 트랜지스터로 형성된다. 따라서, 제 1트랜지스터(TR1)는 베이스단자로 제 1구동전원(VD1')의 전압이 공급될 때 턴-온되고, 제 2구동전원(VD2')의 전압이 공급될 때 턴-오프된다.
도 13a 및 도 13b는 도 12에 도시된 제 2전압 제한부의 동작과정 실시예를 나타내는 도면이다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 먼저, 제 2입력단자(-)의 전압(즉, 감지전압(Vm))이 제 1입력단자(+)의 전압보다 높은 경우 제 1구동전원(VD1')의 전압이 제 3저항(R13)으로 공급된다. 제 3저항(R13)으로 제 1구동전원(VD1')의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(TR1)가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(TR1)가 턴-온되면 감지전압(Vm)으로부터의 전류가 제 1구동전원(VD1')으로 공급되고, 이에 따라 감지전압(Vm)의 전압이 하강된다.
제 2입력단자(-)의 전압이 제 1입력단자(+)의 전압보다 낮은 경우 제 2구동전원(VD2')의 전압이 제 3저항(R13)으로 공급된다. 제 3저항(R13)으로 제 2구동전원(VD2')의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(TR1)가 턴-오프된다. 그러면, 감지전압(Vm)은 현재의 전압을 유지한다.
즉, 본 발명의 제 2전압 제한부(204')는 감지전압(Vm)이 미리 설정된 전압(즉, 제 1노드(N1')의 전압)을 초과하지 않도록 제어한다. 일례로, 제 1노드(N1')의 전압이 -5.51V로 설정될 수 있다. 이 경우, 제 2전압 제한부(240')는 도 14에 도시된 "A" 및 "B" 단계를 반복하면서 감지전압(Vm)이 대략 -5.51V를 초과하지 않도록 제어한다. 여기서, "A" 및 "B" 단계는 감지전압(Vm)이 -5.51V를 초과하지 않도록 제어하는 것으로, 상승 및 하강을 반복하는 것으로 도시되었지만, 실제 회로의 반응속도에 대응하여 대략 -5.51V로 설정될 수 있다.
도 15는 도 11에 도시된 제 1전압 제한부의 실시예를 나타내는 도면이다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 제 1전압 제한부(202')는 제 1저항(R11'), 제 2저항(R12'), 제 3저항(R13'), 제 1커패시터(C1'), 오피-앰프(2021) 및 제 1트랜지스터(TR1')를 구비한다.
제 1저항(R11') 및 제 2저항(R12')은 제 1구동전원(VD1') 및 제 2구동전원(VD2') 사이에 직렬로 접속된다. 제 1저항(R11') 및 제 2저항(R12')은 제 1구동전원(VD1') 및 제 2구동전원(VD2') 사이의 전압을 분압하여 제 1노드(N1'')에 인가한다.
제 1커패시터(C1')는 제 1노드(N1'')와 제 2구동전원(VD2') 사이에 접속된다. 이와 같은 제 1커패시터(C1')는 제 1노드(N1'')의 전압을 안정적으로 유지시킨다.
오피-앰프(2021)의 제 1입력단자(+)는 제 1노드(N1'')에 접속되고, 제 2입력단자(-)는 온도 감지부(200)에 접속된다. 즉, 제 2입력단자(-)는 감지전압(Vm)을 공급받는다.
제 3저항(R13')은 오피-앰프(2021)의 출력단자와 제 1트랜지스터(TR1')의 베이스단자에 접속된다.
제 1트랜지스터(TR1')의 컬렉터단자는 제 2구동전원(VD2')에 접속되고, 에미터단자는 온도 감지부(200)로부터 감지전압(Vm)을 공급받는다. 그리고, 제 1트랜지스터(TR1')의 베이스단자는 제 3저항(R13')에 접속된다. 이와 같은 제 1트랜지스터(TR1')는 NPN 트랜지스터로 형성된다. 따라서, 제 1트랜지스터(TR1')는 베이스단자로 제 1구동전원(VD1')의 전압이 공급될 때 턴-오프되고, 제 2구동전원(VD2')의 전압이 공급될 때 턴-온된다.
도 16a 및 도 16b는 도 15에 도시된 제 1전압 제한부의 동작과정 실시예를 나타내는 도면이다.
도 16a 및 도 16b를 참조하면, 먼저, 제 2입력단자(-)의 전압(즉, 감지전압(Vm))이 제 1입력단자(+)의 전압보다 낮은 경우 제 2구동전원(VD2')의 전압이 제 3저항(R13')으로 공급된다. 제 3저항(R13')으로 제 2구동전원(VD2')의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(TR1')가 턴-온된다. 제 1트랜지스터(TR1')가 턴-온되면 제 2구동전원(VD2')으로부터의 전류가 감지전압(Vm)으로 공급되고, 이에 따라 감지전압(Vm)의 전압이 상승된다.
제 2입력단자(-)의 전압이 제 1입력단자(+)의 전압보다 높은 경우 제 1구동전원(VD1')의 전압이 제 3저항(R13')으로 공급된다. 제 3저항(R13')으로 제 1구동전원(VD1')의 전압이 공급되면 제 1트랜지스터(TR1')가 턴-오프된다. 그러면, 감지전압(Vm)은 현재의 전압을 유지한다.
즉, 본 발명의 제 1전압 제한부(202')는 감지전압(Vm)이 미리 설정된 전압(즉, 제 1노드(N1'')의 전압) 미만으로 낮아지지 않도록 제어한다. 일례로, 제 1노드(N1'')의 전압이 -6.78V로 설정될 수 있다. 이 경우, 제 1전압 제한부(202')는 도 17에 도시된 "A'" 및 "B'" 단계를 반복하면서 감지전압(Vm)이 대략 -6.78V 미만으로 낮아지지 않도록 제어한다.
여기서, "A'" 및 "B'" 단계는 감지전압(Vm)이 -6.78V 미만으로 낮아지지 않도록 제어하는 것으로, 상승 및 하강을 반복하는 것으로 도시되었지만, 실제 회로의 반응속도에 대응하여 대략 -6.78V로 설정될 수 있다.
상술한 제 1전압 제한부(202') 및 제 2전압 제한부(204')의 구동에 대응하여 온도 감지부(200)로부터의 감지전압(Vm)은 대략 -5.51V 내지 6.78V로 설정된다. 이후, 게인 제어부(212)는 도 10에 도시된 바와 같이 게인을 제어함으로서 온도에 대응하여 전압이 제어되는 게이트 오프 전압(VSS)을 생성하고, 생성된 게이트 오프 전압(VSS)을 주사 구동부(110)로 공급한다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 발명에 대한 권리범위는 이하의 특허청구범위에서 정해지는 것으로서, 명세서 본문의 기재에 구속되지 않으며, 청구범위의 균등 범위에 속하는 변형과 변경은 모두 본 발명의 범위에 속할 것이다.
100 : 화소부 110 : 주사 구동부
120 : 데이터 구동부 130 : 타이밍 제어부
140 : 호스트 시스템 150 : 전원부
200 : 온도 감지부 202,204 : 전압 제한부
206,208 : 저장부 210 : 전압 변환부
212 : 게인 제어부 2021,2041,2121 : 오피-앰프

Claims (20)

  1. 주사선들로 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 주사 구동부와;
    상기 주사 구동부로 상기 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 전원부를 구비하며;
    상기 전원부는
    패널의 온도 또는 주변온도에 대응하여 전압값이 변하는 감지전압을 생성하기 위한 온도 감지부와;
    상기 감지전압의 최저 전압값을 제한하기 위한 제 1전압 제한부와;
    상기 감지전압의 최고 전압값을 제한하기 위한 제 2전압 제한부를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 최저 전압값에 대응하는 제 1제어값이 저장되는 제 1저장부와,
    상기 최고 전압값에 대응하는 제 2제어값이 저장되는 제 2저장부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1제어값은 제 1온도에 대응하여 설정되고, 상기 제 2제어값은 상기 제 1온도보다 낮은 제 2온도에 대응하여 설정되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1전압 제한부는
    상기 감지전압이 상기 제 1제어값 미만으로 설정되는 경우 상기 제 1제어값을 출력하고, 그 외의 경우에는 상기 감지전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 제 2전압 제한부는
    상기 감지전압이 상기 제 2제어값을 초과하는 경우 상기 제 2제어값을 출력하고, 그 외의 경우에는 상기 감지전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 주사 구동부를 제어하기 위한 타이밍 제어부를 더 구비하며, 상기 제 1제어값 및 상기 제 2제어값은 상기 타이밍 제어부에 의하여 변경 가능한 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 온도 감지부는
    제 1구동전원과 상기 제 1구동전원과 상이한 제 2구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 1저항 및 제 2저항과,
    상기 제 1저항 및 상기 제 2저항 사이의 제 1노드와 상기 제 1구동전원 사이에서 상기 제 1저항과 병렬로 접속되는 서미스터를 구비하며,
    상기 제 1노드의 전압이 상기 감지전압인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 서미스터는 부특성 서미스터(NTC Thermistor)인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 감지전압의 전압을 변경하여 상기 제 1전압 제한부로 공급하기 위한 전압 변환부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    게인에 대응하여 상기 제 2전압 제한부로부터 출력되는 전압의 전압값을 변경하여 상기 게이트 오프 전압을 생성하기 위한 게인 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 게인 제어부는
    비반전 입력단자인 제 1입력단자, 반전 입력단자인 제 2입력단자 및 출력단자를 구비하는 오피-앰프와,
    상기 출력단자와 제 3구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 3저항 및 제 4저항을 구비하며,
    상기 제 1입력단자는 상기 제 2전압 제한부에 접속되고, 상기 제 2입력단자는 상기 제 3저항 및 상기 제 4저항의 공통노드인 제 2노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1전압 제한부는
    제 1구동전원과 상기 제 1구동전원보다 높은 전압값을 갖는 제 2구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 1저항 및 제 2저항과;
    상기 제 1저항 및 제 2저항 사이의 공통노드인 제 1노드와 상기 제 2구동전원 사이에 접속되는 제 1커패시터와;
    비반전 입력단자인 제 1입력단자가 상기 제 1노드에 접속되고, 반전 입력단자인 제 2입력단자가 상기 감지전압을 공급받는 오피-앰프와;
    상기 오피-앰프의 출력단자에 접속되는 제 3저항과;
    베이스단자가 상기 제 3저항, 컬렉터단자가 상기 제 2구동전원, 에미터단자가 상기 감지전압을 공급받는 제 1트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 오피-앰프는 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 낮은 경우 상기 제 2구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급하고, 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 높은 경우 상기 제 1구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 1트랜지스터는 상기 제 2구동전원의 전압이 공급될 때 턴-온되고, 상기 제 1구동전원의 전압이 공급될 때 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2전압 제한부는
    제 1구동전원과 상기 제 1구동전원보다 높은 전압값을 갖는 제 2구동전원 사이에 직렬로 접속되는 제 1저항 및 제 2저항과;
    상기 제 1저항 및 제 2저항 사이의 공통노드인 제 1노드와 상기 제 2구동전원 사이에 접속되는 제 1커패시터와;
    비반전 입력단자인 제 1입력단자가 상기 제 1노드에 접속되고, 반전 입력단자인 제 2입력단자가 상기 감지전압을 공급받는 오피-앰프와;
    상기 오피-앰프의 출력단자에 접속되는 제 3저항과;
    베이스단자가 상기 제 3저항, 컬렉터단자가 상기 제 1구동전원, 에미터단자가 상기 감지전압을 공급받는 제 1트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 오피-앰프는 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 높은 경우 상기 1구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급하고, 상기 제 2입력단자의 전압이 상기 제 1입력단자의 전압보다 낮은 경우 상기 제 2구동전원의 전압을 상기 제 3저항으로 공급하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1트랜지스터는 상기 제 1구동전원의 전압이 공급될 때 턴-온되고, 상기 제 2구동전원의 전압이 공급될 때 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 주사선들로 게이트 온 전압 또는 게이트 오프 전압을 공급하기 위한 주사 구동부를 포함하는 표시장치의 구동방법에 있어서;
    패널의 온도 또는 주변온도가 제 1온도보다 높은 경우 제 1제어값에 대응하여 상기 게이트 오프 전압을 제 1전압으로 유지하는 단계와;
    상기 패널의 온도 또는 상기 주변온도가 제 2온도보다 낮은 경우 제 2제어값에 대응하여 상기 게이트 오프 전압을 상기 제 1전압보다 높은 제 2전압으로 유지하는 단계와;
    상기 패널의 온도 또는 상기 주변온도가 상기 제 1온도에서 상기 제 2온도로 낮아질 때 상기 게이트 오프 전압을 상기 제 1전압으로부터 상기 제 2전압으로 상승시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제 1전압 및 상기 제 2전압은 부극성 전압인 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 제 1제어값 및 상기 제 2제어값은 상기 주사 구동부를 제어하기 위한 타이밍 제어부에 의하여 변경 가능한 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법.
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