KR20170035842A - Sheet-like resin composition, sheet-like resin composition with integrated tape for back grinding, and method for producing semiconductor device - Google Patents

Sheet-like resin composition, sheet-like resin composition with integrated tape for back grinding, and method for producing semiconductor device Download PDF

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KR20170035842A
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나오히데 다카모토
히로유키 하나조노
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 보존성이 좋으며 또한 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 속경화성을 갖는 시트상 수지 조성물을 제공하는 것에 관한 것이다. 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하이고, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상인 반도체 장치 제조용의 시트상 수지 조성물이 제공된다. The present invention relates to providing a sheet-like resin composition having good shelf life and fast curability in the manufacturing process of a semiconductor device. There is provided a sheet-like resin composition for the production of a semiconductor device, wherein the heat-curing rate after heating at 120 占 폚 for 10 minutes is 40% or less and the heat-curing rate after heating at 200 占 폚 for 20 seconds is 50% or more.

Description

시트상 수지 조성물, 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법{SHEET-LIKE RESIN COMPOSITION, SHEET-LIKE RESIN COMPOSITION WITH INTEGRATED TAPE FOR BACK GRINDING, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a sheet-like resin composition, a back-grinding tape-integrated sheet-like resin composition, and a method of manufacturing a semiconductor device. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002]

본 발명은 시트상 수지 조성물, 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sheet-like resin composition, a resin composition on a sheet-on-a-sheet for back grinding, and a method of manufacturing a semiconductor device.

종래, 반도체 칩이 기판 상에 플립 칩 본딩에 의해 실장된(플립 칩 접속된) 플립 칩형의 반도체 장치에 이용되는 시트상 수지 조성물로서, 반도체 칩과 기판의 간극의 밀봉용으로 이용하는 시트상 수지 조성물이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). Conventionally, a sheet-like resin composition used for a flip-chip type semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted (flip-chip connected) by flip-chip bonding on a substrate includes a sheet- (See, for example, Patent Document 1).

특허문헌 1: 일본 특허 제4438973호Patent Document 1: Japanese Patent No. 4438973

특허문헌 1과 같은 시트상 수지 조성물에 있어서는, 열경화성 수지로서 에폭시 수지가 이용됨과 더불어, 그 경화제로서 페놀 수지가 이용되는 경우가 많다. In the sheet-like resin composition as in Patent Document 1, an epoxy resin is used as the thermosetting resin, and a phenol resin is often used as the hardening agent.

그러나, 에폭시 수지의 경화 반응에 있어서, 페놀 수지를 경화제로서 이용한 경우, 경화 개시 온도에서부터 경화 종료 온도까지의 온도 폭은 비교적 넓다. 그 때문에, 저온이라도 경화 반응이 서서히 진행되어 버려, 시트상 수지 조성물 상태에서의 보존성이 부족하게 된다고 하는 문제가 있음을 본 발명자들은 밝혀냈다. However, in the case of using the phenol resin as the curing agent in the curing reaction of the epoxy resin, the temperature width from the curing start temperature to the curing end temperature is comparatively wide. Therefore, the inventors of the present invention have found that there is a problem that the curing reaction proceeds slowly even at a low temperature, resulting in insufficient preservability in the state of the sheet-like resin composition.

이것을 해소하는 방법으로서는, 보존 시에 경화 반응이 진행되지 않을 정도로 고온에서 반응이 시작되는 페놀 수지를 경화제로서 사용하는 방법이 생각되었다. 그러나, 이러한 페놀 수지를 이용하면, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 경화 반응에 있어서 보다 고온, 보다 장시간의 가열이 필요하게 되어, 제조 효율이 저하하게 된다. As a method for solving this problem, a method of using a phenol resin as a curing agent, which initiates the reaction at a high temperature such that the curing reaction does not proceed during storage, has been considered. However, when such a phenol resin is used, it is necessary to heat at a higher temperature and for a longer time in the curing reaction in the production process of the semiconductor device, thereby lowering the production efficiency.

본 발명은 상술한 과제에 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 보존성이 좋으며 또한 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 속경화성을 갖는 시트상 수지 조성물을 제공하는 데에 있다. 또한, 상기 시트상 수지 조성물을 갖는 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물을 제공하는 데에 있다. 또한, 상기 시트상 수지 조성물을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a sheet-like resin composition having good storage stability and fast curability in the manufacturing process of a semiconductor device. It is still another object of the present invention to provide a sheet-like resin composition for a back grinding tape having the sheet-like resin composition. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the sheet-like resin composition.

본원 발명자들은, 하기의 구성을 채용함으로써 상기한 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성시키기에 이르렀다. The present inventors have found out that the above-mentioned problems can be solved by employing the following constitution, thereby completing the present invention.

즉, 본 발명은, 반도체 장치 제조용의 시트상 수지 조성물로서, That is, the present invention provides a sheet-like resin composition for producing a semiconductor device,

120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하이고, The heat curing rate after heating at 120 占 폚 for 10 minutes is 40% or less,

200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상인 것을 특징으로 한다. And has a thermosetting rate of 50% or more after being heated at 200 占 폚 for 20 seconds.

본 발명에 따른 시트상 수지 조성물에 의하면, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하로, 저온에 있어서의 경화 반응의 진행이 억제되고 있다. 따라서, 시트상 수지 조성물 상태에서의 보존성이 우수하다. According to the sheet-like resin composition according to the present invention, the curing reaction at a low temperature is inhibited at 40% or less after the curing at 120 占 폚 for 10 minutes. Therefore, the preservability in the state of the sheet resin composition is excellent.

또한, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상이기 때문에, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 경화 반응에 있어서 그다지 고온이 아닌 조건으로 또 단시간에 경화 반응을 진행시킬 수 있다. 그 결과, 제조 효율을 향상시킬 수 있다. Further, since the thermal curability after heating at 200 占 폚 for 20 seconds is 50% or more, the curing reaction can proceed in a short period of time in a curing reaction in a manufacturing process of a semiconductor device at a temperature that is not too high. As a result, the manufacturing efficiency can be improved.

이와 같이, 본 발명에 따른 시트상 수지 조성물에 의하면, 보존성이 좋으면서 또한 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 속경화성을 갖는 시트상 수지 조성물을 제공할 수 있다. Thus, the sheet-like resin composition according to the present invention can provide a sheet-like resin composition having good storage stability and fast curability in the process of manufacturing a semiconductor device.

상기 열경화율은, 가열 전의 상태를 0%, 완전히 열경화한 상태를 100%로 하여, 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 얻어지는 반응열로부터 구한 값이다. 보다 자세하게는 후에 설명한다. The heat curing rate is a value obtained from the heat of reaction obtained by differential scanning calorimetry (DSC), assuming that the state before heating is 0% and the state in which completely cured is 100%. More specifically, it will be described later.

상기 구성에 있어서는, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지와 라디칼 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. In the above constitution, it is preferable to include an epoxy (meth) acrylate resin and a radical generator.

라디칼 발생제는, 일반적으로, 라디칼을 발생시키는 조건이 되지 않는 한 라디칼을 거의 발생시키지 않고, 라디칼을 발생시키는 조건이 되면, 라디칼을 발생시킨다. 에폭시(메트)아크릴레이트 수지는 탄소-탄소 이중 결합을 갖고 있다. 본 발명에서는, 라디칼 발생제로부터 라디칼이 발생하여, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지가 갖는 탄소-탄소 이중 결합이 관여하는 라디칼 부가 반응이 일단 시작되면, 이 라디칼 부가 반응은 연쇄적으로 진행된다.Generally, the radical generating agent generates radicals when it is in a condition that radicals are generated without generating radicals unless the radical generating conditions are satisfied. Epoxy (meth) acrylate resins have carbon-carbon double bonds. In the present invention, when a radical is generated from a radical generator and a radical addition reaction involving a carbon-carbon double bond of an epoxy (meth) acrylate resin is initiated, the radical addition proceeds in a cascade.

따라서, 실온(예컨대, 120℃ 이하)에서는 라디칼을 발생시키지 않는 한편, 실온보다는 고온이지만 비교적 저온(예컨대, 200℃)의 조건에서 라디칼을 발생시키는 라디칼 발생제를 이용하면, 시트상 수지 조성물의 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율을 40% 이하로 하면서 또한 200℃에서의 20초 가열한 후의 열경화율을 50% 이상으로 하기 쉽게 된다. Therefore, when a radical generating agent that generates radicals at a room temperature (for example, 120 ° C or less) and generates radicals at a relatively high temperature (for example, 200 ° C) at room temperature rather than room temperature is used, It is easy to set the heat-curing rate after heating at 200 ° C for 20 seconds to 50% or more while keeping the heat-curing rate after heating for 10 minutes at 40 ° C or lower.

또, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지는, 경화제와 반응하는 에폭시기를 갖고 있을 필요는 없다. 단, 예컨대, 디글리시딜에테르와 (메트)아크릴산과의 에스테르 반응에 의해 에폭시(메트)아크릴레이트 수지를 제조하는 경우 등, 에폭시기는 극히 소량 남는 경우는 있을 수 있다. 즉, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지는, 경화 반응으로서 기여할 정도로 에폭시기를 갖고 있을 필요는 없다. 예컨대, 옥시란 산소 농도가 0.2% 중량 이하면 된다. 단, 탄소-탄소 이중 결합과는 별도로, 작용기로서 에폭시기를 갖고 있어도 좋다. The epoxy (meth) acrylate resin does not need to have an epoxy group reacting with the curing agent. However, the epoxy group may be left in an extremely small amount, for example, in the case of producing an epoxy (meth) acrylate resin by an ester reaction between diglycidyl ether and (meth) acrylic acid. That is, the epoxy (meth) acrylate resin does not need to have an epoxy group to the extent that it contributes as a curing reaction. For example, the oxygen concentration may be 0.2% or less by weight. However, in addition to the carbon-carbon double bond, an epoxy group may be contained as a functional group.

상기 구성에서는, 열경화성 수지와 경화제를 함유하고, 상기 열경화성 수지는 에폭시 수지이고, 상기 경화제는 분자 내에 2개 이상의 머캅토기를 갖는 티올계 경화제인 것도 바람직하다. In the above configuration, it is also preferable that the thermosetting resin and the curing agent are contained, the thermosetting resin is an epoxy resin, and the curing agent is a thiol curing agent having two or more mercapto groups in the molecule.

티올계 경화제는, 일반적으로 페놀 수지와 비교하여, 경화 개시 온도에서부터 경화 종료 온도까지의 온도 폭이 좁다. 따라서, 에폭시 수지의 경화제로서 티올계 경화제를 이용하면, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율을 40% 이하로 하면서 또한 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상으로 하기 쉽다. The thiol-based curing agent generally has a narrow temperature width from the curing initiation temperature to the curing ending temperature, as compared with the phenol resin. Therefore, when a thiol curing agent is used as a curing agent for an epoxy resin, the thermal curability after heating at 120 ° C for 10 minutes is less than 40% and the heat curing rate after heating at 200 ° C for 20 seconds is more than 50%.

상기 구성에서는, 열가소성 수지를 함유하고, 상기 열가소성 수지는, 중량 평균 분자량이 3×105 이상인 아크릴 수지인 것이 바람직하다. In the above configuration, it is preferable that the thermoplastic resin contains a thermoplastic resin, and the thermoplastic resin is an acrylic resin having a weight average molecular weight of 3 x 10 < 5 >

열가소성 수지로서 중량 평균 분자량이 3×105 이상인 아크릴 수지를 함유하면, 수지 조성물을 시트상으로 하기 쉽다. When an acrylic resin having a weight average molecular weight of 3 x 10 < 5 > or more is contained as the thermoplastic resin, the resin composition is easily formed into a sheet.

또한, 본 발명에 따른 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물은, 상기 시트상 수지 조성물이 이면 연삭용 테이프 상에 적층되어 있는 것을 특징으로 한다. Further, the sheet-like resin composition for a back grinding tape according to the present invention is characterized in that the sheet-like resin composition is laminated on a back grinding tape.

본 발명에 따른 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물에 의하면, 상기 시트상 수지 조성물이, 미리 이면 연삭용 테이프 상에 적층되어 있기 때문에, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 이면 연삭용 테이프를 시트상 수지 조성물에 접합시키는 공정 등을 생략할 수 있다. 또한, 상기 시트상 수지 조성물은, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하이고, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상이기 때문에, 보존성이 좋으면서 또한 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 속경화성을 갖는다. According to the sheet-like resin composition for a back grinding tape according to the present invention, since the sheet-like resin composition is laminated on a back grinding tape in advance, in the process of manufacturing a semiconductor device, A step of joining to the resin composition and the like can be omitted. In addition, the sheet-like resin composition is excellent in shelf stability and is excellent in heat resistance after being heated at 120 DEG C for 10 minutes and not more than 40% It has fast curability in the manufacturing process.

또한, 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention,

반도체 칩의 범프 형성면에, 상기 시트상 수지 조성물이 접착된 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을 준비하는 공정 A와, A step A of preparing a chip having a sheet-like resin composition to which the sheet-like resin composition is adhered, on a bump forming surface of a semiconductor chip,

전극이 형성된 실장용 기판을 준비하는 공정 B와, A step B of preparing a mounting substrate on which electrodes are formed,

상기 실장용 기판에, 상기 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을, 상기 시트상 수지 조성물을 접합면으로 하여 접착하여, 상기 반도체 칩에 형성된 상기 범프와 상기 실장용 기판에 형성된 전극을 대향시키는 공정 C와, A step C of adhering a chip having the sheet-like resin composition to the mounting board with the sheet-like resin composition as a bonding surface to face the electrode formed on the mounting board with the bumps formed on the semiconductor chip ,

상기 공정 C 후에, 상기 시트상 수지 조성물을 가열하여 반경화시키는 공정 D와, A step D of heating and semi-curing the sheet-like resin composition after the step C,

상기 공정 D 후에, 상기 공정 D에 있어서의 가열보다도 고온에서 가열하여, 상기 범프와 상기 전극을 접합함과 더불어, 상기 시트상 조성물을 경화시키는 공정 E를 포함하는 것을 특징으로 한다. And a step (E) of heating, after the step (D), the heating at a temperature higher than the heating in the step (D), joining the bump and the electrode, and curing the sheet-like composition.

본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하이고, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상인 시트상 수지 조성물을 이용하고 있기 때문에, 공정 C 후, 공정 D의 반경화 공정까지 크게 온도를 올리지 않더라도, 경화 반응이 시작되어 조기에 종료된다. 공정 D를 신속하게 종료시킬 수 있기 때문에, 반도체 장치의 제조 프로세스의 효율화를 도모할 수 있다. According to the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a sheet-like resin composition is used in which the heat-curing rate after heating at 120 ° C for 10 minutes is 40% or less and the heat-curing rate after heating at 200 ° C for 20 seconds is 50% Therefore, even if the temperature is not raised significantly after Step C and before the semi-curing step of Step D, the curing reaction starts and ends prematurely. The process D can be terminated quickly, so that the efficiency of the manufacturing process of the semiconductor device can be improved.

본 발명에 따르면, 보존성이 좋으면서 또한 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 속경화성을 갖는 시트상 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 상기 시트상 수지 조성물을 갖는 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 상기 시트상 수지 조성물을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a sheet-like resin composition having good shelf life and fast curability in the process of manufacturing a semiconductor device. Further, it is possible to provide a sheet-like resin composition for a back grinding tape having the sheet-like resin composition. In addition, it is possible to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the sheet-like resin composition.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물을 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a resin composition on a sheet-on-tape for back grinding according to an embodiment of the present invention. Fig.
2 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
9 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
10 is a schematic cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic cross-sectional view for explaining a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 참조하면서 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[제1 실시형태][First Embodiment]

우선, 제1 실시형태에 관해서 설명한다. First, the first embodiment will be described.

[이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물][Resin composition on sheet-on-back grinding tape-integrated sheet]

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물을 도시하는 단면 모식도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물(100)은, 이면 연삭용 테이프(12)와, 이면 연삭용 테이프(12) 상에 적층된 시트상 수지 조성물(10)을 구비한다. 이면 연삭용 테이프(12)는, 기재(12a) 및 점착제층(12b)을 구비하고, 점착제층(12b)은 기재(12a) 상에 형성되어 있다. 시트상 수지 조성물(10)은 점착제층(12b) 상에 마련되어 있다. 또한, 시트상 수지 조성물(10)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 이면 연삭용 테이프(12)의 전면에 적층되어 있지 않아도 되며, 반도체 웨이퍼(16)(도 2 참조)와의 접합에 충분한 사이즈로 마련되어 있으면 된다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a resin composition on a sheet-on-tape for back grinding according to an embodiment of the present invention. Fig. 1, the resin composition 100 on a sheet-on-tape type for back grinding according to the present embodiment comprises a back grinding tape 12, a sheet-like resin Composition (10) is provided. The back grinding tape 12 includes a base material 12a and a pressure sensitive adhesive layer 12b and the pressure sensitive adhesive layer 12b is formed on the base material 12a. The sheet-like resin composition 10 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 12b. 1, the sheet-like resin composition 10 does not have to be laminated on the entire surface of the back grinding tape 12, and the sheet-like resin composition 10 has a sufficient size for bonding with the semiconductor wafer 16 (see Fig. 2) .

(시트상 수지 조성물)(Sheet-like resin composition)

시트상 수지 조성물(10)은, 반도체 칩(22)을 실장용 기판(50)(도 9 참조)에 실장할 때, 반도체 칩(22)과 실장용 기판(50)과의 간극을 밀봉하는 기능을 갖는다. The sheet-like resin composition 10 has a function of sealing the gap between the semiconductor chip 22 and the mounting substrate 50 when the semiconductor chip 22 is mounted on the mounting substrate 50 (see Fig. 9) Respectively.

시트상 수지 조성물(10)은, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하이며, 35% 이하인 것이 바람직하고, 30% 이하인 것이 보다 바람직하다. 시트상 수지 조성물(10)은, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하로, 저온에 있어서의 경화 반응의 진행이 억제되고 있다. 따라서, 시트상 수지 조성물 상태에서의 보존성이 우수하다. The sheet-like resin composition 10 preferably has a heat-curing rate of 40% or less after heating at 120 占 폚 for 10 minutes, more preferably 35% or less, and still more preferably 30% or less. The sheet-like resin composition (10) has a heat-curing rate of 40% or less after being heated at 120 占 폚 for 10 minutes, and the progress of the curing reaction at a low temperature is suppressed. Therefore, the preservability in the state of the sheet resin composition is excellent.

또한, 시트상 수지 조성물(10)은, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상이며, 60% 이상인 것이 바람직하고, 70% 이상인 것이 보다 바람직하다. 시트상 수지 조성물(10)은, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상이기 때문에, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서의 경화 반응에 있어서 그다지 고온이 아닌 조건으로 또 단시간에 경화 반응을 진행시킬 수 있다. 그 결과, 제조 효율을 향상시킬 수 있다. The sheet-like resin composition 10 preferably has a heat-curing rate of 50% or more after heating at 200 占 폚 for 20 seconds, more preferably 60% or more, and more preferably 70% or more. Since the sheet-like resin composition 10 has a heat-curing rate of 50% or more after being heated at 200 占 폚 for 20 seconds, the curing reaction in the curing reaction in the manufacturing process of the semiconductor device is performed at a temperature not at a high temperature, You can proceed. As a result, the manufacturing efficiency can be improved.

이와 같이, 시트상 수지 조성물(10)에 의하면, 보존성이 좋으면서 또한 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 속경화성을 갖는 시트상 수지 조성물을 제공할 수 있다. As described above, the sheet-like resin composition 10 can provide a sheet-like resin composition having good storage stability and fast curability in the process of manufacturing a semiconductor device.

시트상 수지 조성물(10)의 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율 및 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율은, 시트상 수지 조성물(10)에 함유되는 경화제의 종류나 경화촉진제의 종류, 경화촉진제의 함유량, 각종 첨가제 등에 의해 컨트롤할 수 있다. The heat curing rate of the sheet-like resin composition 10 after being heated at 120 占 폚 for 10 minutes and the heat curing rate after heating at 200 占 폚 for 20 seconds are determined depending on the kind of the curing agent contained in the sheet resin composition 10, The content of the curing accelerator, various additives, and the like.

상기 열경화율은, 시차 주사 열량 측정(DSC)을 이용하여, 발열량을 측정하여 구한다. 구체적으로는, 우선 열경화시키지 않은 시트상 수지 조성물을 작성하여, -10℃에서부터 승온 속도 10℃/분의 조건으로 350℃(열경화 반응이 완전히 완료되었다고 상정되는 온도)까지 승온했을 때의 발열량(미경화 샘플의 반응 열량)을 측정한다. 또한, 열경화 전의 시트상 수지 조성물을, 소정 조건(120℃에서 10분 가열 또는 200℃에서 20초 가열)으로 가열한 샘플을 작성한다. The heat curing rate is obtained by measuring the calorific value using differential scanning calorimetry (DSC). Specifically, a sheet-like resin composition which is not thermally cured is first prepared, and the amount of heat generated when it is heated from -10 ° C to a temperature of 350 ° C (a temperature at which the thermosetting reaction is assumed to be completely completed) under the condition of a heating rate of 10 ° C / (The amount of reaction heat of the uncured sample) is measured. Further, a sample is prepared by heating the sheet-like resin composition before heat curing under predetermined conditions (heating at 120 占 폚 for 10 minutes or heating at 200 占 폚 for 20 seconds).

이어서, 소정 조건으로 가열한 샘플에 관해서, -10℃에서부터 승온 속도 10℃/분의 조건으로 350℃(열경화 반응이 완전히 완료되었다고 상정되는 온도)까지 승온했을 때의 발열량(소정 조건으로 열경화시킨 샘플의 반응 열량)을 측정한다. 그 후, 이하의 식(1)에 의해 열경화율을 얻는다. 또한 발열량은, 시차 주사 열량계로 측정되는 발열 피크의 기립 온도와 반응 종료 온도의 2점을 연결한 직선과 피크로 둘러싸이는 면적을 이용하여 구한다. Subsequently, with respect to the sample heated under predetermined conditions, the amount of heat generated when the temperature was raised from -10 ° C to a temperature of 350 ° C (the temperature at which the thermal curing reaction was assumed to be completely completed) under the condition of a temperature raising rate of 10 ° C / The reaction calorie of the resulting sample) is measured. Thereafter, the heat curing rate is obtained by the following formula (1). The calorific value is obtained by using an area surrounded by a straight line connecting the two points of the standing temperature of the exothermic peak measured by the differential scanning calorimeter and the reaction termination temperature and the peak.

식(1): Equation (1):

열경화율=[{(미경화 샘플의 반응 열량)-(소정 조건으로 열경화시킨 샘플의 반응 열량)}/(미경화 샘플의 반응 열량)]×100(%)(Reaction calorific value of unhardened sample) - (thermal calorific value of sample after thermosetting under predetermined conditions) / (reaction calorific value of uncured sample)] x 100 (%)

시트상 수지 조성물(10)은, 시차 주사 열량 측정에 있어서 10℃/min의 승온 조건으로 측정했을 때에, 열경화의 피크 온도가 130℃~190℃의 범위 내가 되도록 조제된 것이 바람직하다. 상기 열경화의 피크 온도를 130℃~190℃의 범위 내가 되도록 조정하는 방법으로서는, 예컨대, 경화촉진제의 종류, 경화촉진제의 함유량에 의해 조정하는 방법을 들 수 있다. It is preferable that the sheet-like resin composition 10 is prepared so that the peak temperature of the thermosetting is in the range of 130 占 폚 to 190 占 폚 when measured at a temperature elevation condition of 10 占 폚 / min in the differential scanning calorimetry. As a method of adjusting the peak temperature of the thermal curing to be within a range of 130 ° C to 190 ° C, there is a method of adjusting the peak temperature by the kind of the curing accelerator and the content of the curing accelerator.

시트상 수지 조성물(10)은, 120℃에 있어서의 점도가 0.1 kPa·s 이상 10 kPa·s 이하인 것이 바람직하고, 0.5 kPa·s 이상 9 kPa·s 이하인 것이 보다 바람직하고, 1 kPa·s 이상 8 kPa·s 이하인 것이 더욱 바람직하다. 시트상 수지 조성물(10)의 120℃에 있어서의 점도가 0.1 kPa·s 이상이면, 공정 C의 온도에서 반경화 공정 D의 온도로 승온할 때의 보이드 팽창을 억제할 수 있다. 한편, 10 kPa·s 이하이면, 실장용 기판의 요철에 시트상 수지 조성물을 매립할 수 있다.The sheet-like resin composition 10 preferably has a viscosity at 120 ° C of 0.1 kPa · s or more and 10 kPa · s or less, more preferably 0.5 kPa · s or more and 9 kPa · s or less, more preferably 1 kPa · s or more More preferably 8 kPa s or less. When the viscosity of the sheet-like resin composition 10 at 120 캜 is 0.1 kPa ∙ s or more, the expansion of the voids at the time of raising the temperature from the step C to the semi-curing step D can be suppressed. On the other hand, if it is 10 kPa · s or less, a sheet-like resin composition can be embedded in the concave and convex portions of the mounting substrate.

시트상 수지 조성물(10)은, 온도: 25℃의 조건으로 일주일 보존한 후의 120℃에서의 점도와, 보존 전에 있어서의 120℃에서의 점도와의 점도 변화율 X1이, 절대치로 0~40%의 범위 내인 것이 바람직하고, 0~20%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점도 변화율 X1은 하기 식에 의해 얻어지는 값이다. The sheet-like resin composition (10) preferably has a viscosity change rate X1 between a viscosity at 120 占 폚 and a viscosity at 120 占 폚 after storage for one week under the condition of a temperature of 25 占 폚 in an absolute value of 0 to 40% , And more preferably in the range of 0 to 20%. The viscosity change rate X1 is a value obtained by the following formula.

[점도 변화율 X1(%)]=[100×{(일주일 보존 후의 120℃에서의 점도)-(보존 전의 120℃에서의 점도)}/(보존 전의 120℃에서의 점도)](Viscosity change rate at 120 占 폚 before storage) / (viscosity at 120 占 폚 before storage)] [100 占 (viscosity change rate at 120 占 폚 after one week storage)

시트상 수지 조성물(10)은, 온도: 25℃의 조건으로 2주간 보존한 후의 120℃에서의 점도와, 보존 전에 있어서의 120℃에서의 점도와의 점도 변화율 X2이, 절대치로 0~40%의 범위 내인 것이 바람직하고, 0~20%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점도 변화율 X2은 하기 식에 의해 얻어지는 값이다. The sheet-like resin composition (10) has a viscosity change rate X2 at a temperature of 120 DEG C after storage for two weeks at a temperature of 25 DEG C and a viscosity at 120 DEG C before storage of 0 to 40% , And more preferably in the range of 0 to 20%. The viscosity change rate X2 is a value obtained by the following formula.

[점도 변화율 X2(%)]=[100×{(2주간 보존 후의 120℃에서의 점도)-(보존 전의 120℃에서의 점도)}/(보존 전의 120℃에서의 점도)](Viscosity change at 120 占 폚 before storage) / (viscosity at 120 占 폚 before storage)] [100 占 (viscosity change at 120 占 폚 after storage for 2 weeks)

시트상 수지 조성물(10)은 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도가 10 Pa·s~5000 Pa·s의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 50 Pa·s~3000 Pa·s의 범위 내에 있는 것이 보다 바람직하고, 100 Pa·s~2000 Pa·s의 범위 내에 있는 것이 더욱 바람직하다. 시트상 수지 조성물(10)의 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도가 10 Pa·s~5000 Pa·s의 범위 내에 있으면, 후술하는 공정 C에 있어서, 반도체 칩(22)에 형성된 범프(18)와 실장용 기판(50)에 형성된 전극(52)을 용이하게 시트상 수지 조성물(10)에 매립하면서 대향시킬 수 있다. The sheet-like resin composition 10 preferably has a minimum melt viscosity in a range of 10 Pa · s to 5,000 Pa · s at a temperature of less than 200 ° C. and is preferably in a range of 50 Pa · s to 3,000 Pa · s And more preferably in the range of 100 Pa · s to 2000 Pa · s. If the minimum melt viscosity of the sheet-like resin composition 10 at a temperature of less than 200 deg. C is in the range of 10 Pa · s to 5000 Pa · s, the bumps 18 formed on the semiconductor chip 22, And the electrodes 52 formed on the mounting substrate 50 can be easily faced while being embedded in the sheet-like resin composition 10. [

시트상 수지 조성물(10)의 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도란, 열경화 전의 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도를 말한다. The minimum melt viscosity of the sheet-like resin composition 10 at a temperature of less than 200 占 폚 means the lowest melt viscosity at a temperature of less than 200 占 폚 before thermosetting.

시트상 수지 조성물(10)의 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도는, 시트상 수지 조성물(10)의 구성 재료의 선택에 의해 컨트롤할 수 있다. 특히, 열가소성 수지의 선택에 의해 컨트롤할 수 있다. 구체적으로, 열가소성 수지로서, 예컨대, 저분자량인 것을 사용하면, 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도를 작게 할 수 있고, 예컨대, 고분자량인 것을 사용하면, 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도를 크게 할 수 있다. The minimum melt viscosity of the sheet-like resin composition 10 at a temperature of less than 200 占 폚 can be controlled by selecting the constituent material of the sheet-like resin composition 10. Particularly, it can be controlled by selecting a thermoplastic resin. Specifically, when a thermoplastic resin having a low molecular weight is used, for example, the lowest melt viscosity at a temperature lower than 200 ° C can be reduced. For example, when a thermoplastic resin having a high molecular weight is used, Can be greatly increased.

시트상 수지 조성물(10)은 열경화성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 시트상 수지 조성물(10)은 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. The sheet-like resin composition 10 preferably comprises a thermosetting resin. The sheet-like resin composition 10 preferably contains a curing agent.

상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 특히, 반도체 칩을 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Particularly, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities which corrodes semiconductor chips is preferable.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 이용되는 것이라면 특별히 한정은 없고, 예컨대 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 이작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 경화제로서 티올계 경화제를 이용하는 경우, 티올계 경화제와의 반응성이나 범용성의 관점에서, 상기 에폭시 수지 중에서도, 비스페놀 A형, 비페닐형, 나프탈렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형이 특히 바람직하다. The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition and examples thereof include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, There may be mentioned functional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins such as naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenyl methane type and tetraphenylol ethane type, An epoxy resin such as a dibisocyanurate type or a glycidylamine type is used. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, bisphenol A, biphenyl, naphthalene, phenol novolak and orthocresol novolac types are particularly preferable from the viewpoints of reactivity with the thiol curing agent and versatility in the case of using a thiol curing agent as the curing agent Do.

시트상 수지 조성물(10) 전체에 대한 열경화성 수지의 함유량은, 시트상 수지 조성물이 열경화성 시트로서의 기능을 발휘할 수 있는 정도라면 특별히 한정되지 않고, 5~50 중량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 10~30 중량%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The content of the thermosetting resin relative to the whole sheet resin composition 10 is not particularly limited as long as the sheet resin composition can exert its function as a thermosetting sheet and is preferably within a range of 5 to 50 wt% By weight to 30% by weight.

상기 경화제는 열경화성 수지의 종류에 따라서 적절하게 선택할 수 있다. 상기 열경화성 수지가 에폭시 수지인 경우, 상기 경화제로서는, 분자 내에 2개 이상의 머캅토기를 갖는 티올계 경화제가 바람직하다. 그 중에서도, 분자 내에 4개의 머캅토기를 갖는 티올계 경화제가 바람직하다. 티올계 경화제는, 일반적으로, 페놀 수지와 비교하여, 경화 개시 온도에서부터 경화 종료 온도까지의 온도 폭이 좁다. 따라서, 에폭시 수지의 경화제로서 티올계 경화제를 이용하면, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율을 40% 이하로 하면서 또한 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상으로 하기 쉽다. The curing agent may be appropriately selected depending on the kind of the thermosetting resin. When the thermosetting resin is an epoxy resin, the curing agent is preferably a thiol curing agent having two or more mercapto groups in the molecule. Among them, a thiol curing agent having four mercapto groups in the molecule is preferable. The thiol-based curing agent generally has a narrow temperature range from the curing initiation temperature to the curing ending temperature, as compared with the phenol resin. Therefore, when a thiol curing agent is used as a curing agent for an epoxy resin, the thermal curability after heating at 120 ° C for 10 minutes is less than 40% and the heat curing rate after heating at 200 ° C for 20 seconds is more than 50%.

상기 티올계 경화제 중에서도, 분자 내에 하나 이상의 제2급 머캅토기를 갖는 티올계 경화제가 보다 바람직하고, 분자 내에 4개의 제2급 머캅토기를 갖는 티올계 경화제가 더욱 바람직하다. 일반적으로, 제2급 머캅토기는, 메틸기의 존재에 의한 입체 장해가 크고, 제1급 머캅토기에 비해서 에폭시기와의 반응성이 낮다. 또한, 제2급 머캅토기는, β 위치의 카르보닐기에 내부 수소 결합할 수 있으므로, 안정적인 상태가 되어 반응성이 저하한다. 그 때문에, 시트상 수지 조성물(10)의 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율을 보다 40% 이하로 하기 쉽다. Among these thiol curing agents, thiol curing agents having at least one secondary mercapto group in the molecule are more preferable, and thiol curing agents having four secondary mercapto groups in the molecule are more preferable. Generally, the secondary mercapto group has a large steric hindrance due to the presence of a methyl group and has a lower reactivity with an epoxy group than a primary mercapto group. Further, since the secondary mercapto group can internal hydrogen bond to the carbonyl group at the? -Position, the secondary mercapto group is in a stable state and the reactivity is lowered. Therefore, it is easy to make the thermosetting rate after heating the sheet-like resin composition 10 at 120 캜 for 10 minutes to 40% or less.

티올계 경화제 중에서도, 시트상 수지 조성물(10)의 경화 개시 온도를 페놀 수지를 이용한 경우보다도 높게 할(예컨대, 120~180℃ 정도) 수 있는 것이 바람직하다. 이러한 티올계 경화제의 구체예로서는, 분자 내에 제2급 머캅토기를 갖는 하기 식(2)으로 표시되는 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 하기 식(3)으로 표시되는 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 하기 식(4)으로 표시되는 1,3,5-트리스(3-머캅토부티릴옥시에틸)1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온 등을 들 수 있다. Among the thiol-based curing agents, it is preferable that the curing start temperature of the sheet-like resin composition 10 is set to be higher (for example, about 120 to 180 ° C) than that in the case of using a phenol resin. Specific examples of such a thiol curing agent include pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutylate) represented by the following formula (2) having a secondary mercapto group in the molecule, 1,4-cyclohexanedimethanol represented by the following formula (3) Bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, 1,3,5-tris (3-mercaptobutyryloxyethyl) 1,3,5-triazine- 6 (1H, 3H, 5H) -tione.

Figure pct00001
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Figure pct00002
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Figure pct00003
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상기 열경화성 수지가 에폭시 수지인 경우, 상기 경화제의 배합량으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 시트상 수지 조성물(10) 전체에 대하여 5~30 중량%가 바람직하고, 10~20 중량%가 보다 바람직하다. When the thermosetting resin is an epoxy resin, the blending amount of the curing agent is not particularly limited, but is preferably from 5 to 30% by weight, and more preferably from 10 to 20% by weight based on the whole sheet resin composition (10).

시트상 수지 조성물(10)은 열경화 촉진제를 함유하고 있어도 좋다. 상기 열경화 촉진제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 열경화 촉진제 중에서 적절하게 선택하여 이용할 수 있다. 열경화 촉진제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 이용할 수 있다. 열경화 촉진제로서는, 예컨대, 아민계 경화촉진제, 인계 경화촉진제, 이미다졸계 경화촉진제, 붕소계 경화촉진제, 인-붕소계 경화촉진제 등을 이용할 수 있다. 그 중에서도 반응성, 용해성의 관점에서, 질소 원자를 분자 내에 포함하는 유기 화합물(예컨대, 아민계 경화촉진제, 이미다졸계 경화촉진제)이 바람직하다. The sheet-like resin composition 10 may contain a thermosetting accelerator. The thermosetting accelerator is not particularly limited and may be appropriately selected from known thermosetting accelerators. The thermosetting accelerators may be used alone or in combination of two or more. As the thermal curing accelerator, for example, amine-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, boron-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators and the like can be used. Among them, from the viewpoints of reactivity and solubility, organic compounds containing a nitrogen atom in the molecule (for example, an amine-based curing accelerator and an imidazole-based curing accelerator) are preferable.

상기 열경화 촉진제의 함유량은, 열경화성 수지 100 중량부에 대하여, 0.3 중량부 이상인 것이 바람직하고, 1.0 중량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 2.0 중량부 이상인 것이 더욱 바람직하다. 4.8 중량부 이상이면, 후술하는 반경화 공정(공정 D)에 있어서 용이하게 시트상 수지 조성물(10)을 반경화시킬 수 있다. 또한, 열경화 촉진제의 함유량은 바람직하게는 24 중량부 이하이다. 24 중량부 이하이면, 열경화성 수지의 보존성을 향상시킬 수 있다. The content of the thermosetting accelerator is preferably 0.3 parts by weight or more, more preferably 1.0 parts by weight or more, and further preferably 2.0 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. If the amount is 4.8 parts by weight or more, the sheet-like resin composition 10 can be semi-cured easily in the semi-curing step (step D) described later. The content of the thermosetting accelerator is preferably 24 parts by weight or less. If it is 24 parts by weight or less, the preservability of the thermosetting resin can be improved.

시트상 수지 조성물(10)은 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET이나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 칩의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다. The sheet-like resin composition 10 preferably comprises a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, Polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins and fluororesins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can secure the reliability of a semiconductor chip is particularly preferable.

상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4~18의 직쇄 혹은 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예컨대 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기 또는 도데실기 등을 들 수 있다. The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer containing one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a straight chain or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, . Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, a cyclohexyl group, A decyl group, an lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, an octadecyl group, a dodecyl group, or the like can be used in combination with an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, .

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다. The other monomer forming the polymer is not particularly limited and includes monomers containing carboxyl groups such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid, (Meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth) acrylic acid 6-hydrate Hydroxydecyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (Meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylamide-containing monomers, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- ) It may be mentioned phosphoric acid group-containing monomer such as acrylate or (meth) sulfonic acid group-containing monomer, or 2-hydroxy ethyl acrylate phosphate, such as one oxy-naphthalene sulfonic acid with an acrylic.

상기 아크릴 수지는, 제막성의 관점에서, 중량 평균 분자량이 3×105 이상인 것이 바람직하고, 4×105 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 열가소성 수지로서 중량 평균 분자량이 3×105 이상인 아크릴 수지를 함유하면, 수지 조성물을 시트상으로 하기 쉽다. 중량 평균 분자량은, GPC(Gel Permeation Chromatography)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출한 값이다. The acrylic resin preferably has a weight average molecular weight of 3 x 10 5 or more, more preferably 4 x 10 5 or more, from the viewpoint of film formability. When the thermoplastic resin contains an acrylic resin having a weight average molecular weight of 3 x 10 < 5 > or more, the resin composition is easily formed into a sheet. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (Gel Permeation Chromatography) and calculated by polystyrene conversion.

시트상 수지 조성물(10) 전체에 대한 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 1 중량% 이상이고, 보다 바람직하게는 3 중량% 이상이다. 1 중량% 이상이면, 양호한 가요성을 얻을 수 있다. 한편, 수지 성분 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 15 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 12 중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 8 중량% 이하이다. 15 중량% 이하이면, 양호한 열적 신뢰성을 얻을 수 있다. The content of the thermoplastic resin in the whole sheet resin composition 10 is preferably 1% by weight or more, and more preferably 3% by weight or more. If it is 1% by weight or more, good flexibility can be obtained. On the other hand, the content of the thermoplastic resin in the resin component is preferably 15% by weight or less, more preferably 12% by weight or less, and still more preferably 8% by weight or less. If it is 15% by weight or less, good thermal reliability can be obtained.

또한, 시트상 수지 조성물(10)에는 무기 충전제를 적절하게 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 열전도성의 향상, 저장 탄성율의 조절 등을 가능하게 한다. Further, an inorganic filler can be appropriately compounded in the sheet-like resin composition (10). The combination of the inorganic filler makes it possible to improve the thermal conductivity and the storage elastic modulus.

상기 무기 충전제로서는, 예컨대, 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 카본 등의 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적합하게 이용된다. Examples of the inorganic filler include inorganic powders such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, ceramics such as silicon carbide and silicon nitride, and carbon. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, silica, particularly fused silica, is preferably used.

무기 충전제의 평균 입경은 10~1000 nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 20~500 nm의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 50~300 nm의 범위 내인 것이 더욱 바람직하다. 또한 본 발명에서는, 평균 입경이 서로 다른 무기 충전제끼리를 조합시켜, 전체적으로 평균 입경이 상기 수치 범위 내가 되도록 하여도 좋다. 상기 무기 충전제의 평균 입경이 10 nm 이상이면, 용이하게 제막할 수 있다. 한편, 상기 무기 충전제의 평균 입경이 10000 nm 이하이면, 필름에 투명성을 부여할 수 있다. 상기 평균 입경은, 광도식의 입도 분포계(HORIBA 제조, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 10 to 1000 nm, more preferably in the range of 20 to 500 nm, and still more preferably in the range of 50 to 300 nm. Further, in the present invention, the inorganic fillers having different average particle diameters may be combined so that the average particle diameter as a whole falls within the above-mentioned numerical range. When the average particle diameter of the inorganic filler is 10 nm or more, the film can be easily formed. On the other hand, when the average particle diameter of the inorganic filler is 10000 nm or less, transparency can be imparted to the film. The average particle diameter is a value obtained by a photometric type particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, device name: LA-910).

상기 무기 충전제의 배합량은, 유기 수지 성분 100 중량부에 대하여 50~1400 중량부로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 100~900 중량부이다. 무기 충전제의 배합량을 50 중량부 이상으로 하면, 내열성이나 강도가 향상된다. 또한, 1400 중량부 이하로 함으로써 유동성을 확보할 수 있다. 이에 따라, 접착성이나 매립성이 저하하는 것을 방지할 수 있다. The blending amount of the inorganic filler is preferably set to 50 to 1400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. And particularly preferably 100 to 900 parts by weight. When the blending amount of the inorganic filler is 50 parts by weight or more, heat resistance and strength are improved. Further, when the content is 1400 parts by weight or less, fluidity can be secured. As a result, it is possible to prevent the adhesiveness and the filling property from deteriorating.

또, 시트상 수지 조성물(10)에는, 상기 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예컨대 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 카본 블랙 등의 안료 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예컨대, 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예컨대 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예컨대 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 또한, 실장 시에 땜납의 산화막을 제거하는 것을 목적으로 하여, 유기산 등의 플럭스를 첨가할 수도 있다. In addition to the inorganic filler, other additives may be appropriately added to the sheet-like resin composition 10, if necessary. Examples of other additives include pigments such as flame retardants, silane coupling agents, ion trap agents and carbon black. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like . These compounds may be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more. Further, a flux such as an organic acid may be added for the purpose of removing the oxide film of the solder during mounting.

시트상 수지 조성물(10)의 두께(복층인 경우는 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 경화 후의 수지의 강도나 충전성을 고려하면 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하가 바람직하다. 또한 시트상 수지 조성물(10)의 두께는, 칩(22)과 실장용 기판(50)의 간극의 폭을 고려하여 적절하게 설정할 수 있다. The thickness of the sheet-like resin composition 10 (total thickness in the case of a multi-layered structure) is not particularly limited, but is preferably 5 m or more and 500 m or less in consideration of the strength and packing property of the resin after curing. The thickness of the sheet-like resin composition 10 can be appropriately set in consideration of the width of the gap between the chip 22 and the mounting substrate 50.

시트상 수지 조성물(10)은 예컨대 다음과 같은 식으로 제작된다. 우선, 시트상 수지 조성물(10)의 형성 재료인 수지 조성물 용액을 제작한다. 이 수지 조성물 용액에는, 상술한 대로, 상기 수지 조성물이나 필러, 기타 각종 첨가제 등이 배합되어 있다. The sheet-like resin composition 10 is produced, for example, in the following manner. First, a resin composition solution which is a material for forming the sheet-like resin composition 10 is prepared. In the resin composition solution, the resin composition, filler, and various other additives are mixed as described above.

이어서, 수지 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜, 시트상 수지 조성물(10)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예컨대 건조 온도 70~160℃, 건조 시간 1~5분간의 범위 내에서 행해진다. Subsequently, a resin composition solution is applied on the substrate separator to a predetermined thickness to form a coating film, and the coating film is dried under predetermined conditions to form a sheet-like resin composition (10). The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, and gravure coating. The drying conditions are, for example, a drying temperature of 70 to 160 ° C and a drying time of 1 to 5 minutes.

(이면 연삭용 테이프)(Back grinding tape)

이면 연삭용 테이프(12)는, 기재(12a)와, 기재(12a) 상에 적층된 점착제층(12b)을 구비하고 있다. The backside grinding tape 12 includes a base material 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b laminated on the base material 12a.

상기 기재(12a)는 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물(100)의 강도 모체가 되는 것이다. 예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 글라스 클로스, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 점착제층(12b)이 자외선 경화형인 경우, 기재(12a)는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다. The base material 12a serves as a strength matrix of the resin-on-sheet type resin-based sheet for back grinding. Examples thereof include polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene and polymethylpentene, ethylene- , An ionomer resin, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, an ethylene- (meth) acrylate (random, alternating) copolymer, an ethylene-butene copolymer, an ethylene-hexene copolymer, a polyurethane, a polyethylene terephthalate, Polyamide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper), glass, glass cloth, fluororesin, polyether sulfone, polyether sulfone, Polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose-based resin, Cone resin, metal (foil), paper, and the like. When the pressure-sensitive adhesive layer 12b is of ultraviolet curing type, it is preferable that the base material 12a has transparency to ultraviolet rays.

상기 기재(12a)는 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 필요에 따라서 여러 종류를 블렌드한 것을 이용할 수 있다. 기재(12a)의 표면에는 관용의 표면 처리를 실시할 수 있다. 기재(12a)에는, 대전방지능을 부여하기 위해서, 상기한 기재(12a) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30~500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(12a)는 단층 또는 2종 이상의 복층이라도 좋다. As the base material 12a, homogeneous or heterogeneous materials may be appropriately selected and used, and if necessary, various kinds of materials may be blended. The surface of the base material 12a can be subjected to an ordinary surface treatment. In order to impart antistatic performance to the substrate 12a, a vapor deposition layer of a conductive material having a thickness of 30 to 500 angstroms made of a metal, an alloy, an oxide thereof, or the like may be formed on the substrate 12a. The substrate 12a may be a single layer or two or more layers.

기재(12a)의 두께는 적절히 결정할 수 있으며, 일반적으로는 5 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하 정도이고, 바람직하게는 35 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하이다. The thickness of the substrate 12a can be suitably determined, and is generally about 5 占 퐉 or more and 200 占 퐉 or less, and preferably 35 占 퐉 or more and 120 占 퐉 or less.

또한, 기재(12a)에는 각종 첨가제(예컨대, 착색제, 충전제, 가소제, 노화방지제, 산화방지제, 계면활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 좋다. The base material 12a may contain various additives (for example, a colorant, a filler, a plasticizer, an antioxidant, an antioxidant, a surfactant, a flame retardant, etc.).

점착제층(12b)의 형성에 이용하는 점착제는, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 시에 반도체 웨이퍼를 유지할 수 있고, 이면 연삭 후에 반도체 웨이퍼로부터 박리할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 이용할 수 있다. 상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 피해야 하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다. The pressure-sensitive adhesive used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 12b is not particularly limited as long as it can hold the semiconductor wafer at the back grinding of the semiconductor wafer and can be separated from the semiconductor wafer after the back grinding. For example, general pressure-sensitive adhesives such as acrylic pressure-sensitive adhesives and rubber pressure-sensitive adhesives can be used. As the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part which should be avoided from contamination of a semiconductor wafer or glass, clean cleaning property by an organic solvent such as alcohol and the like.

상기 아크릴계 폴리머로서는, 아크릴산에스테르를 주된 모노머 성분으로서 이용한 것을 예로 들 수 있다. 상기 아크릴산에스테르로서는, 예컨대, (메트)아크릴산알킬에스테르(예컨대, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1~30, 특히 탄소수 4~18의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르(예컨대, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 여기서, (메트)아크릴산에스테르란, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)란 전부 같은 의미이다. As the acrylic polymer, acrylic acid ester is used as a main monomer component. Examples of the acrylic acid esters include (meth) acrylic acid alkyl esters such as methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, iso But are not limited to, pentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, Linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (such as cyclopentyl ester, cyclo Hexyl ester, etc.) as a monomer component. There may be mentioned methacrylic acid polymer or the like. Here, (meth) acrylic acid ester refers to acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and the term (meth) in the present invention means all.

상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 모노머 성분으로서, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40 중량% 이하가 바람직하다. The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of the monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Containing sulfonic acid group such as styrene sulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamide propanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Monomers; Monomers containing phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해서, 다작용성 모노머 등도, 필요에 따라서 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다작용성 모노머로서, 예컨대, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30 중량% 이하가 바람직하다. In order to crosslink the acrylic polymer, a polyfunctional monomer or the like may be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such a polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester ) Acrylate, and urethane (meth) acrylate. These multifunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.

상기 아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합에 부침으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로나 행할 수 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만~300만 정도이다. The acryl-based polymer is obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. In this respect, the number-average molecular weight of the acryl-based polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교하여야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 5 중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1~5 중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라 상기 성분 이외에 종래 공지된 각종 점착부여제, 노화방지제 등의 첨가제를 이용하여도 좋다. To the pressure-sensitive adhesive, an external crosslinking agent may be suitably employed in order to increase the number-average molecular weight of the acryl-based polymer as the base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is 5 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer. If necessary, various additives known in the art such as various tackifiers and anti-aging agents may be added to the pressure-sensitive adhesive.

점착제층(12b)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있으며, 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 방사선으로서는, X선, 자외선, 전자선, α선, β선, 중성자선 등을 들 수 있다. The pressure-sensitive adhesive layer 12b can be formed by a radiation-curing pressure-sensitive adhesive. The radiation-curing pressure-sensitive adhesive can easily increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays to easily lower the adhesive force, and can easily carry out the pick-up. Examples of the radiation include X rays, ultraviolet rays, electron rays,? Rays,? Rays, neutron rays, and the like.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 가지면서 또한 점착성을 보이는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive may be used without any particular limitation, such as a carbon-carbon double bond, which has a radiation-curable functional group and exhibits adhesiveness. As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, there can be mentioned, for example, an addition type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or an oligomer component is blended with a common pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예컨대, 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그 중량 평균 분자량이 100~30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라서, 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을, 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 5~500 중량부, 바람직하게는 40~150 중량부 정도이다. Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri , Pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene. The weight average molecular weight of the oligomer is suitably in the range of about 100 to 30,000. The amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer so that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered. Generally, it is about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 이외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화성 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 많게는 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하는 일없이, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있으므로 바람직하다. As the radiation curing type pressure-sensitive adhesive, in addition to the addition type radiation-curing pressure-sensitive adhesive described above, an internal type radiation-curable pressure-sensitive adhesive using a base polymer having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal thereof. The intrinsic type radiation-curing pressure-sensitive adhesive does not need to include an oligomer component or the like, which is a low-molecular component, and does not contain an oligomer component or the like in a large amount, so that an oligomer component or the like does not move in the pressure- It is preferable.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 가지면서 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다. The base polymer having a carbon-carbon double bond may be any one having a carbon-carbon double bond and having a tackiness, without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymer exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예컨대, 미리 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다. The method of introducing the carbon-carbon double bond into the acryl-based polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, molecular design is easy to introduce the carbon-carbon double bond into the polymer side chain. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized in advance with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed or added with maintaining the radiation curability of the carbon- .

이들 작용기 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리디닐기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기 조합 중에서도 반응 추적이 용이하다는 점에서, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 작용기의 조합에 의해서, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이라면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 좋지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 가지고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예컨대 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시한 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다. Examples of these functional group combinations include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridinyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among these functional group combinations, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable in that reaction tracking is easy. The functional group may be present on either side of the acrylic polymer and the compound, provided that the combination of these functional groups is used to produce the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond. In the preferred combination described above, It is suitable that the compound has an isocyanate group in actual use. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- alpha, alpha -dimethyl benzyl isocyanate and the like. As the acrylic polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-mentioned hydroxyl group-containing monomer, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and ether compound of diethylene glycol monovinyl ether may be used.

상기 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 30 중량부의 범위 내이고, 바람직하게는 0~10 중량부의 범위이다. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the present invention can be used singly as the base polymer having the carbon-carbon double bond (particularly acrylic polymer), but it is also possible to blend the radiation curable monomer component or the oligomer component have. The radiation-curable oligomer component and the like are usually in the range of 30 parts by weight, preferably 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합개시제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광중합개시제로서는, 예컨대, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일안식향산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 예컨대 0.05~20 중량부 정도이다. When the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, it is preferable to include a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy- ?,? -Dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropylphenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; A photoactive oxime-based compound such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoyl benzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4- Thioxanthone-based compounds such as thionone, 2,4-diisopropylthioxanthone and the like; Campquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxide; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight relative to 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 방사선 조사할 때에, 산소에 의한 경화 저해가 발생하는 경우는, 방사선 경화형의 점착제층(12b)의 표면으로부터 어떠한 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 점착제층(12b)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선을 조사하는 방법 등을 들 수 있다. When curing inhibition by oxygen occurs when irradiating with radiation, it is preferable to block oxygen (air) by any method from the surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12b. For example, a method of covering the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12b with a separator or a method of irradiating radiation such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere can be given.

또한, 점착제층(12b)에는 각종 첨가제(예컨대, 착색제, 증점제, 증량제, 충전제, 점착부여제, 가소제, 노화방지제, 산화방지제, 계면활성제, 가교제 등)가 포함되어 있어도 좋다. The pressure-sensitive adhesive layer 12b may contain various additives such as a colorant, a thickener, an extender, a filler, a tackifier, a plasticizer, an anti-aging agent, an antioxidant, a surfactant, and a crosslinking agent.

점착제층(12b)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 결손 방지, 시트상 수지 조성물(10)의 고정 유지의 양립성 등의 관점에서 1~50 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2~30 ㎛, 더욱 바람직하게는 5~25 ㎛이다. Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12b is not particularly limited, it is preferably about 1 to 50 占 퐉 from the viewpoints of prevention of chip cutting surface defects, compatibility of fixing of the sheet-like resin composition 10, and the like. Preferably 2 to 30 占 퐉, more preferably 5 to 25 占 퐉.

(이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물의 제조 방법)(Method for producing a resin composition on a sheet-backed sheet for back grinding)

이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물(100)은, 예컨대 이면 연삭용 테이프(12) 및 시트상 수지 조성물(10)을 따로따로 제작해 두고, 마지막으로 이들을 접합시킴으로써 작성할 수 있다. The back-grinding tape-integrated sheet-like resin composition 100 can be produced, for example, by separately preparing the back grinding tape 12 and the sheet-like resin composition 10, and finally bonding them together.

(반도체 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Semiconductor Device)

이어서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 관해서 설명한다. 도 2~도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다. Next, a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described. FIGS. 2 to 11 are schematic cross-sectional views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment,

반도체 칩의 범프 형성면에 시트상 수지 조성물이 접착된 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을 준비하는 공정 A와, A step A of preparing a chip having a sheet-like resin composition in which a sheet-like resin composition is adhered to a bump forming surface of a semiconductor chip,

전극이 형성된 실장용 기판을 준비하는 공정 B와, A step B of preparing a mounting substrate on which electrodes are formed,

상기 실장용 기판에, 상기 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을, 상기 시트상 수지 조성물을 접합면으로 하여 접착하여, 상기 반도체 칩에 형성된 상기 범프와 상기 실장용 기판에 형성된 전극을 대향시키는 공정 C와, A step C of adhering a chip having the sheet-like resin composition to the mounting board with the sheet-like resin composition as a bonding surface to face the electrode formed on the mounting board with the bumps formed on the semiconductor chip ,

상기 공정 C 후에, 상기 시트상 수지 조성물을 가열하여 반경화시키는 공정 D와, A step D of heating and semi-curing the sheet-like resin composition after the step C,

상기 공정 D 후에, 상기 공정 D에 있어서의 가열보다도 고온에서 가열하여, 상기 범프와 상기 전극을 접합함과 더불어, 상기 시트상 조성물을 경화시키는 공정 E를 적어도 포함한다. And a step E in which after the step D, the bump and the electrode are bonded together by heating at a higher temperature than that in the step D, and the curable composition is cured.

[시트상 수지 조성물을 갖는 칩을 준비하는 공정][Step of preparing a chip having a sheet-like resin composition]

본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 우선 도 8에 도시하는 바와 같이, 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40)을 준비한다(공정 A). 이하, 도 2~도 7을 참조하면서, 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40)의 구체적인 준비 방법에 관해서 설명한다. In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, a chip 40 having a sheet-like resin composition is first prepared as shown in Fig. 8 (step A). Hereinafter, with reference to Figs. 2 to 7, a specific preparation method of the chip 40 having the sheet-like resin composition will be described.

(시트상 수지 조성물을 갖는 칩의 준비 방법)(Preparation method of chip having a sheet-like resin composition)

본 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물을 갖는 칩의 준비 방법은, 반도체 웨이퍼(16)의 범프(18)가 형성된 범프 형성면(22a)과 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물(100)의 시트상 수지 조성물(10)을 접합시키는 접합 공정, 반도체 웨이퍼(16)의 이면(16b)을 연삭하는 연삭 공정, 반도체 웨이퍼(16)의 이면(16b)에 다이싱 테이프(11)를 접착하는 웨이퍼 고정 공정, 이면 연삭용 테이프(12)를 박리하는 박리 공정, 반도체 웨이퍼(16)를 다이싱하여 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩(40)을 형성하는 다이싱 공정 및 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩(40)을 다이싱 테이프(11)로부터 박리하는 픽업 공정을 포함한다. The method of preparing a chip having a sheet-like resin composition according to the present embodiment is characterized in that the bump forming surface 22a on which the bumps 18 of the semiconductor wafer 16 are formed and the sheet 22 of the resin- A grinding step for grinding the back surface 16b of the semiconductor wafer 16 and a grinding step for grinding the back surface 16b of the semiconductor wafer 16 and the wafer fixing step for bonding the dicing tape 11 to the back surface 16b of the semiconductor wafer 16, A dicing step of dicing the semiconductor wafer 16 to form a semiconductor chip 40 having a sheet-like resin composition, and a semiconductor chip 40 having a sheet-like resin composition, And a pickup step of peeling off the dicing tape 40 from the dicing tape 11.

<접합 공정> <Bonding Step>

접합 공정에서는, 반도체 웨이퍼(16)의 범프(18)가 형성된 범프 형성면(22a)과 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물(100)의 시트상 수지 조성물(10)을 접합시킨다(도 2 참조). In the bonding step, the bump forming surface 22a on which the bumps 18 of the semiconductor wafer 16 are formed and the sheet-like resin composition 10 of the resin-on-sheet-on-sheet-for-back grinding tape 100 are bonded ).

반도체 웨이퍼(16)의 범프 형성면(22a)에는 복수의 범프(18)가 형성되어 있다(도 2 참조). 범프(18)의 높이는 용도에 따라서 정해지며, 일반적으로는 5~100 ㎛ 정도이다. 물론, 반도체 웨이퍼(16)에 있어서의 개개의 범프(18)의 높이는 동일하더라도 다르더라도 좋다. A plurality of bumps 18 are formed on the bump forming surface 22a of the semiconductor wafer 16 (see FIG. 2). The height of the bumps 18 is determined depending on the application, and is generally about 5 to 100 mu m. Of course, the height of the individual bumps 18 in the semiconductor wafer 16 may be the same or different.

반도체 웨이퍼(16) 표면에 형성된 범프(18)의 높이 X(㎛)와 시트상 수지 조성물(10)의 두께 Y(㎛)가 0.5≤Y/X≤2의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.5≤Y/X≤1.5이고, 더욱 바람직하게는 0.8≤Y/X≤1.3이다. It is preferable that the height X (占 퐉) of the bump 18 formed on the surface of the semiconductor wafer 16 and the thickness Y (占 퐉) of the sheet-like resin composition 10 satisfy the relationship 0.5? Y / X? More preferably, 0.5? Y / X? 1.5 and more preferably 0.8? Y / X? 1.3.

범프(18)의 높이 X(㎛)와 시트상 수지 조성물(10)의 두께 Y(㎛)가 상기 관계를 만족함으로써, 반도체 칩(22)과 실장용 기판(50) 사이의 공간을 충분히 충전할 수 있음과 더불어, 상기 공간으로부터의 시트상 수지 조성물(10)의 과잉의 돌출을 방지할 수 있어, 시트상 수지 조성물(10)에 의한 반도체 칩(22)의 오염 등을 방지할 수 있다. 또, 각 범프(18)의 높이가 다른 경우는, 가장 높은 범프(18)의 높이를 기준으로 한다. The space between the semiconductor chip 22 and the mounting board 50 is sufficiently filled up by satisfying the above relationship between the height X (占 퐉) of the bump 18 and the thickness Y (占 퐉) of the sheet- It is possible to prevent excessive protrusion of the sheet-like resin composition 10 from the space and to prevent the semiconductor chip 22 from being dirty by the sheet-like resin composition 10. When the height of each bump 18 is different, the height of the highest bump 18 is used as a reference.

우선, 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물(100)의 시트상 수지 조성물(10) 상에 임의로 설치된 세퍼레이터를 적절히 박리하여, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(16)의 범프(18)가 형성된 범프 형성면(22a)과 시트상 수지 조성물(10)을 대향시켜, 시트상 수지 조성물(10)과 반도체 웨이퍼(16)를 접합시킨다(마운트). 2, the bump 18 of the semiconductor wafer 16 is peeled off from the bump 18 of the semiconductor wafer 16, as shown in Fig. 2, The resinous sheet composition 10 and the semiconductor wafer 16 are bonded to each other with the bump forming surface 22a on which the sheet-like resin composition 10 is formed and the sheet-like resin composition 10 facing each other.

접합 방법은 특별히 한정되지 않지만, 압착에 의한 방법이 바람직하다. 압착의 압력은, 바람직하게는 0.1 MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.2 MPa 이상이다. 0.1 MPa 이상이면, 반도체 웨이퍼(16)의 범프 형성면(22a)의 요철을 양호하게 매립할 수 있다. 또한, 압착의 압력의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.5 MPa 이하이다. The bonding method is not particularly limited, but a bonding method is preferable. The pressure of the compression bonding is preferably 0.1 MPa or more, and more preferably 0.2 MPa or more. If it is 0.1 MPa or more, the unevenness of the bump formation surface 22a of the semiconductor wafer 16 can be satisfactorily buried. The upper limit of the pressure of the compression bonding is not particularly limited, but is preferably 1 MPa or less, more preferably 0.5 MPa or less.

접합의 온도는, 바람직하게는 40℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 60℃ 이상이다. 40℃ 이상이면, 시트상 수지 조성물(10)의 점도가 저하하고, 반도체 웨이퍼(16)의 요철을 공극 없이 충전할 수 있다. 또한, 접합의 온도는, 바람직하게는 100℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 80℃ 이하이다. 100℃ 이하이면, 시트상 수지 조성물(10)의 경화 반응을 억제한 채로 접합이 가능하게 된다. The temperature of the bonding is preferably 40 DEG C or more, and more preferably 60 DEG C or more. If the temperature is 40 占 폚 or higher, the viscosity of the sheet-like resin composition 10 is lowered and the irregularities of the semiconductor wafer 16 can be filled without voids. The bonding temperature is preferably 100 占 폚 or lower, and more preferably 80 占 폚 or lower. When the temperature is lower than 100 占 폚, bonding can be performed while suppressing the curing reaction of the sheet-like resin composition 10.

접합은 감압 하에서 행하는 것이 바람직하며, 예컨대, 1000 Pa 이하, 바람직하게는 500 Pa 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 1 Pa 이상이다. The bonding is preferably performed under a reduced pressure, for example, 1000 Pa or less, preferably 500 Pa or less. The lower limit is not particularly limited and is, for example, 1 Pa or more.

<연삭 공정> <Grinding process>

연삭 공정에서는, 반도체 웨이퍼(16)의 범프 형성면(22a)과는 반대쪽의 면(즉, 이면)(16b)을 연삭한다(도 3 참조). 반도체 웨이퍼(16)의 이면 연삭에 이용하는 박형 가공기로서는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 연삭기(백그라인더), 연마 패드 등을 예시할 수 있다. 또한, 에칭 등의 화학적 방법으로 이면 연삭을 행하여도 좋다. 이면 연삭은, 반도체 웨이퍼(16)가 원하는 두께(예컨대, 20~700 ㎛)가 될 때까지 행해진다. In the grinding step, the surface (i.e., back surface) 16b opposite to the bump forming surface 22a of the semiconductor wafer 16 is ground (see Fig. 3). The thin processing machine used for the back grinding of the semiconductor wafer 16 is not particularly limited, and examples thereof include a grinding machine (back grinder), a polishing pad and the like. Further, the back side grinding may be performed by a chemical method such as etching. The back side grinding is performed until the semiconductor wafer 16 has a desired thickness (for example, 20 to 700 mu m).

<웨이퍼 고정 공정> &Lt; Wafer fixing step &

연삭 공정 후, 반도체 웨이퍼(16)의 이면(16b)에 다이싱 테이프(11)를 접착한다(도 4 참조). 또, 다이싱 테이프(11)는, 기재(11a) 상에 점착제층(11b)이 적층된 구조를 갖는다. 기재(11a) 및 점착제층(11b)으로서는, 이면 연삭용 테이프(12)의 기재(12a) 및 점착제층(12b)의 항에서 기재한 성분 및 제법을 이용하여 적합하게 제작할 수 있다. After the grinding process, the dicing tape 11 is bonded to the back surface 16b of the semiconductor wafer 16 (see Fig. 4). The dicing tape 11 has a structure in which a pressure-sensitive adhesive layer 11b is laminated on a base material 11a. The base material 11a and the pressure-sensitive adhesive layer 11b can be suitably manufactured by using the components and the manufacturing method described in the section of the substrate 12a and the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the back-grinding tape 12. [

<박리 공정><Peeling process>

이어서, 이면 연삭용 테이프(12)를 박리한다(도 5 참조). 이에 따라, 시트상 수지 조성물(10)이 노출된 상태가 된다. Then, the back grinding tape 12 is peeled off (see Fig. 5). As a result, the sheet-like resin composition 10 is exposed.

이면 연삭용 테이프(12)를 박리할 때, 점착제층(12b)이 방사선 경화성을 갖는 경우에는, 점착제층(12b)에 방사선을 조사하여 점착제층(12b)을 경화시킴으로써 용이하게 박리할 수 있다. 방사선의 조사량은, 이용하는 방사선의 종류나 점착제층의 경화도 등을 고려하여 적절하게 설정하면 된다. When the backing grinding tape 12 is peeled off, the pressure-sensitive adhesive layer 12b can be easily peeled off by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12b with radiation to harden the pressure-sensitive adhesive layer 12b when the pressure-sensitive adhesive layer 12b has radiation curability. The irradiation dose of the radiation may be suitably set in consideration of the type of radiation used and the degree of curing of the pressure-sensitive adhesive layer.

<다이싱 공정> &Lt; Dicing step &

다이싱 공정에서는, 도 6에 도시하는 바와 같이 반도체 웨이퍼(16) 및 시트상 수지 조성물(10)을 다이싱하여 다이싱된 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩(40)을 형성한다. 다이싱은, 반도체 웨이퍼(16)의 시트상 수지 조성물(10)을 접합시킨 범프 형성면(22a)으로부터 통상의 방법에 따라서 행해진다. 예컨대, 다이싱 테이프(11)까지 절입하는 풀 컷트라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 이용하는 다이싱 장치로서는, 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지된 것을 이용할 수 있다. In the dicing step, as shown in Fig. 6, the semiconductor wafer 16 and the sheet-like resin composition 10 are diced to form a semiconductor chip 40 having a diced sheet-like resin composition. The dicing is performed from the bump forming surface 22a bonded with the sheet-like resin composition 10 of the semiconductor wafer 16 according to a conventional method. For example, a cutting method called full cutting in which the dicing tape 11 is fed can be adopted. The dicing apparatus used in this step is not particularly limited and conventionally known dicing apparatuses can be used.

또, 다이싱 공정에 이어서 다이싱 테이프(11)를 익스펜드하는 경우, 그 익스펜드는 종래 공지된 익스펜드 장치를 이용하여 행할 수 있다. When the dicing tape 11 is to be expanded following the dicing step, the expanding can be performed using a conventionally known expanding apparatus.

<픽업 공정> <Pickup Process>

도 7에 도시하는 바와 같이, 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩(40)을 다이싱 테이프(11)로부터 박리한다(시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩(40)을 픽업한다). 픽업 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. The semiconductor chip 40 having the sheet-like resin composition is peeled off from the dicing tape 11 (the semiconductor chip 40 having the sheet-like resin composition is picked up), as shown in Fig. The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed.

여기서 픽업은, 다이싱 테이프(11)의 점착제층(11b)이 자외선 경화형인 경우, 점착제층(11b)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 따라, 점착제층(11b)의 반도체 칩(22)에 대한 점착력이 저하하여, 반도체 칩(22)의 박리가 용이하게 된다. Here, the pickup is performed after ultraviolet rays are applied to the pressure-sensitive adhesive layer 11b when the pressure-sensitive adhesive layer 11b of the dicing tape 11 is of the ultraviolet curing type. As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 11b to the semiconductor chip 22 is lowered, and the semiconductor chip 22 is easily peeled off.

이상에 의해, 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩(40)의 준비가 완료된다. Thus, the preparation of the semiconductor chip 40 having the sheet-like resin composition is completed.

상기한 것과 같이 하여 얻어진 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40)은, 범프(18)가 형성된 반도체 칩(22)과, 반도체 칩(22)의 범프 형성면(22a)에 접착된 시트상 수지 조성물(10)을 갖는다(도 8 참조). 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40)에서는, 범프(18)가 시트상 수지 조성물(10)에 매립됨과 더불어, 반도체 칩(22)의 범프 형성면(22a)이 시트상 수지 조성물(10)에 접착된다. The chip 40 having the sheet-like resin composition obtained as described above has the semiconductor chip 22 on which the bumps 18 are formed and the sheet-like resin composition 22 bonded to the bump forming surface 22a of the semiconductor chip 22 (See Fig. 8). In the chip 40 having the sheet-like resin composition, the bump 18 is buried in the sheet-like resin composition 10 and the bump forming surface 22a of the semiconductor chip 22 is bonded to the sheet- .

반도체 칩(22)의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 10~1000 ㎛의 범위 내에서 적절하게 설정할 수 있다. The thickness of the semiconductor chip 22 is not particularly limited, but may be suitably set within a range of 10 to 1000 占 퐉, for example.

반도체 칩(22)에 형성되어 있는 범프(18)의 높이로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 2~300 ㎛의 범위 내에서 적절하게 설정할 수 있다. The height of the bumps 18 formed on the semiconductor chip 22 is not particularly limited, but can be appropriately set within a range of 2 to 300 占 퐉, for example.

범프(18)의 구성 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 땜납이 바람직하고, Sn-Pb계, Pb-Sn-Sb계, Sn-Sb계, Sn-Pb-Bi계, Bi-Sn계, Sn-Cu계, Sn-Pb-Cu계, Sn-In계, Sn-Ag계, Sn-Pb-Ag계, Pb-Ag계, Sn-Ag-Cu계의 땜납을 예로 들 수 있다. 그 중에서도 융점이 210~230℃의 범위 내에 있는 것을 바람직하게 이용할 수 있고, 상기한 땜납 중에서도 예컨대 Sn-Ag계가 바람직하다. The material of the bump 18 is not particularly limited but is preferably solder. The solder is preferably used as the material of the bump 18. The Sn-Pb-based, Pb-Sn-Sb based, Sn- Sn-Pb-Ag solder, Sn-Ag-Cu solder, Sn-Pb-Cu solder, Sn-Pb-Cu solder, Sn-In solder, Sn-Ag solder, Sn-Pb-Ag solder, Pb-Ag solder and Sn-Ag-Cu solder. Among them, those having a melting point in the range of 210 to 230 占 폚 can be preferably used, and among these solders, for example, Sn-Ag is preferable.

[실장용 기판을 준비하는 공정][Process for preparing a mounting substrate]

또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 표면(50a)에 전극(52)이 형성된 실장용 기판(50)을 준비한다(공정 B). Further, as shown in Fig. 9, a mounting substrate 50 on which an electrode 52 is formed on a surface 50a is prepared (step B).

실장용 기판(50)으로서는, 리드 프레임이나 회로 기판(배선 회로 기판 등) 등의 각종 기판을 이용할 수 있다. 이러한 기판의 재질로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 세라믹 기판이나 플라스틱 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예컨대, 에폭시 기판, 비스말레이미드트리아진 기판, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다. As the mounting substrate 50, various substrates such as a lead frame and a circuit board (wiring circuit board, etc.) can be used. The material of such a substrate is not particularly limited, but a ceramic substrate or a plastic substrate can be used. Examples of the plastic substrate include an epoxy substrate, a bismaleimide triazine substrate, and a polyimide substrate.

또한, 실장용 기판(50)으로서 반도체 웨이퍼를 이용할 수도 있다.A semiconductor wafer may also be used as the mounting substrate 50.

[반도체 칩에 형성된 범프와 실장용 기판에 형성된 전극을 대향시키는 공정][Step of opposing the bumps formed on the semiconductor chip and the electrodes formed on the mounting substrate]

상기 공정 A 및 상기 공정 B 후에, 도 10에 도시하는 바와 같이, 실장용 기판(50)에, 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40)을, 시트상 수지 조성물(10)을 접합면으로 하여 접착하여, 반도체 칩(22)에 형성된 범프(18)와 실장용 기판(50)에 형성된 전극(52)을 대향시킨다(공정 C). 구체적으로는, 우선 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40)의 시트상 수지 조성물(10)을 실장용 기판(50)에 대향시켜 배치하고, 이어서, 플립 칩 본더를 이용하여, 시트상 수지 조성물을 갖는 칩(40) 측에서 압력을 가한다. 이에 따라, 범프(18)와 전극(52)은, 시트상 수지 조성물(10)에 매립되면서 대향된다. 접합 시의 온도는 100~200℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 150~190℃이다. 단, 땜납의 융점보다도 낮은 온도인 것이 바람직하다. 또한, 접합 시의 압력은 0.01~10 MPa가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~1 MPa이다. 10, after the step A and the step B, a chip 40 having a sheet-like resin composition is bonded to the mounting board 50 with the sheet-like resin composition 10 as a bonding surface, The bumps 18 formed on the semiconductor chip 22 and the electrodes 52 formed on the mounting substrate 50 are opposed to each other (step C). Specifically, first, the sheet-like resin composition 10 of the chip 40 having the sheet-like resin composition is disposed so as to face the mounting substrate 50, and then the sheet-like resin composition The pressure is applied to the chip 40 side. Thus, the bump 18 and the electrode 52 are opposed to each other while being embedded in the sheet-like resin composition 10. The temperature at the time of bonding is preferably 100 to 200 占 폚, more preferably 150 to 190 占 폚. However, it is preferable that the temperature is lower than the melting point of the solder. The pressure at the time of bonding is preferably from 0.01 to 10 MPa, and more preferably from 0.1 to 1 MPa.

접합의 온도가 150℃ 이상이면, 시트상 수지 조성물(10)의 점도가 저하하고, 요철을 공극 없이 충전할 수 있다. 또한, 접합의 온도가 200℃ 이하이면, 시트상 수지 조성물(10)의 경화 반응을 억제한 채로 접합이 가능하게 된다. When the bonding temperature is 150 캜 or higher, the viscosity of the sheet-like resin composition 10 is lowered, and the concavities and convexities can be filled without voids. When the bonding temperature is 200 占 폚 or less, bonding can be performed while suppressing the curing reaction of the sheet-like resin composition 10.

이 때, 시트상 수지 조성물(10)의 200℃ 미만에 있어서의 최저 용융 점도가 10 Pa·s~5000 Pa·s의 범위 내에 있으면, 반도체 칩(22)에 형성된 범프(18)와 실장용 기판(50)에 형성된 전극(52)을 용이하게 시트상 수지 조성물(10)에 매립하면서 대향시킬 수 있다. At this time, if the minimum melt viscosity of the sheet-like resin composition 10 at less than 200 캜 is in the range of 10 Pa · s to 5000 Pa · s, the bump 18 formed on the semiconductor chip 22, The electrode 52 formed in the sheet-like resin composition 10 can be easily faced while being embedded in the sheet-like resin composition 10.

[시트상 수지 조성물을 반경화시키는 공정][Step of semi-curing the sheet-like resin composition]

상기 공정 C 후에, 시트상 수지 조성물(10)을 가열하여 반경화시킨다(공정 D). 상기 공정 D에 있어서의 가열 온도는, 100~230℃인 것이 바람직하고, 150~210℃인 것이 보다 바람직하다. 상기 공정 D에 있어서의 가열 온도는, 땜납의 융점보다도 낮은 온도인 것이 바람직하다. 또한, 가열 시간은 1~300초의 범위 내인 것이 바람직하고, 3~120초의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. After the step C, the sheet-like resin composition 10 is heated and semi-cured (step D). The heating temperature in the step D is preferably 100 to 230 ° C, more preferably 150 to 210 ° C. The heating temperature in the step D is preferably lower than the melting point of the solder. The heating time is preferably in the range of 1 to 300 seconds, more preferably in the range of 3 to 120 seconds.

이 때, 시트상 수지 조성물(10)의 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상이기 때문에, 공정 C 후, 공정 D의 반경화 공정까지 크게 온도를 올리지 않더라도, 경화 반응이 시작되어 조기에 종료된다. 공정 D를 신속하게 종료시킬 수 있기 때문에, 반도체 장치의 제조 프로세스의 효율화를 도모할 수 있다. At this time, since the heat-curing rate of the sheet-like resin composition 10 after heating at 200 ° C for 20 seconds is not less than 50%, the curing reaction starts even after the step C and before the semi-curing step of the step D It ends prematurely. The process D can be terminated quickly, so that the efficiency of the manufacturing process of the semiconductor device can be improved.

[범프와 전극을 접합함과 더불어 시트상 조성물을 경화시키는 공정][Step of bonding the bump and the electrode and curing the sheet-like composition]

상기 공정 D 후, 상기 공정 D에 있어서의 가열보다도 고온에서 가열하여, 도 11에 도시하는 바와 같이, 범프(18)와 전극(52)을 접합함과 더불어, 시트상 조성물(10)을 경화시킨다(공정 E). 도 11에서는, 범프(18)가 땜납으로 구성되고, 범프(18)가 용융됨으로써 범프(18)와 전극(52)이 접합(전기적으로 접속)되어 있는 모습을 도시하고 있다. After the step D, the bump 18 and the electrode 52 are bonded together as shown in Fig. 11, and the sheet-like composition 10 is cured by heating at a temperature higher than the heating in the step D (Step E). 11 shows a state in which the bump 18 is made of solder and the bump 18 is melted so that the bump 18 and the electrode 52 are bonded (electrically connected).

이 때의 가열 온도는 180~400℃인 것이 바람직하고, 200~300℃인 것이 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 1~300초의 범위 내인 것이 바람직하고, 3~120초의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The heating temperature at this time is preferably 180 to 400 ° C, more preferably 200 to 300 ° C. The heating time is preferably in the range of 1 to 300 seconds, more preferably in the range of 3 to 120 seconds.

상술한 대로, 본 실시형태에서는, 범프(18)가 융점 180~260℃의 범위 내에 있는 땜납이고, 상기 공정 D은, 100~230℃의 범위 내에서 가열하는 공정이고, 상기 공정 D에 있어서의 가열 온도는, 상기 땜납의 상기 융점보다도 낮은 온도인 것이 바람직하다. 융점이 180~260℃의 범위 내에 있는 땜납을 이용하면, 상기 공정 D에 있어서의 가열에서는, 땜납은 용융되지 않는다. 그 한편, 시트상 수지 조성물(10)은 반경화한다. 즉, 공정 D에서는, 땜납을 용융시키지 않는 양태로 시트상 수지 조성물(10)을 반경화시킨다. 공정 D에서는 땜납을 용융시키지 않기 때문에, 공정 D에서 땜납이 흐르는 일은 기본적으로 없다. As described above, in the present embodiment, the bumps 18 are solder having a melting point in the range of 180 to 260 DEG C, the step D is a step of heating within a range of 100 to 230 DEG C, The heating temperature is preferably lower than the melting point of the solder. When solder having a melting point in the range of 180 to 260 占 폚 is used, the solder does not melt in the heating in the step D. On the other hand, the sheet-like resin composition 10 is semi-cured. That is, in Step D, the sheet-like resin composition 10 is semi-cured in such a manner that the solder is not melted. Since the solder is not melted in the process D, there is basically no flow of the solder in the process D.

그 후, 이 공정 E에서, 상기 공정 D에 있어서의 가열보다도 고온에서 가열하여, 범프(18)와 전극(52)을 땜납을 용융시켜 접합함과 더불어, 시트상 조성물(10)을 경화시킨다. 공정 E의 단계에서는, 이미 시트상 수지 조성물(10)은 반경화되어 있기 때문에, 시트상 수지 조성물(10)을 구성하는 수지가 흐르기 어렵게 되어 있다. 따라서, 범프(18)와 전극(52)의 접합을 위해서 땜납을 용융시키더라도 시트상 수지 조성물(10)의 흐름에 따라 땜납이 흐르는 것은 억제되고 있다. 그 결과, 땜납 흐름에 의한 단락이나 접촉 불량이 발생하는 것을 더욱 억제할 수 있다. Thereafter, in this step E, the sheet-like composition 10 is cured by heating at a temperature higher than the heating in the step D to melt and bond the bumps 18 and the electrodes 52 to each other. In the step E, since the sheet-like resin composition 10 is semi-cured, the resin constituting the sheet-like resin composition 10 is hardly flowed. Therefore, even when the solder is melted for bonding the bump 18 and the electrode 52, the flow of the solder according to the flow of the sheet-like resin composition 10 is suppressed. As a result, occurrence of a short circuit or a contact failure due to the solder flow can be further suppressed.

이상에 의해 반도체 장치(60)를 얻을 수 있다. Thus, the semiconductor device 60 can be obtained.

이상, 제1 실시형태에 관해서 설명했다. The first embodiment has been described above.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물은, 제1 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물(10)과 비교하여 구성 재료가 다르다는 점에서 상이하며, 각종 물성(열경화율, 점도, 점도 변화율 등)에서 공통된다. 그래서, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와 다른 점에 관해서만 설명하고, 그 밖에 관해서는 설명을 생략하는 것으로 한다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment is different from the sheet-like resin composition 10 according to the first embodiment in that the constituent materials thereof are different from each other. The sheet-like resin composition according to the second embodiment differs from the sheet-like resin composition 10 according to the first embodiment in various properties (thermal curability, viscosity, Common. Therefore, in the second embodiment, only points different from those of the first embodiment will be described, and description of other points will be omitted.

(시트상 수지 조성물)(Sheet-like resin composition)

제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물은, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지와 라디칼 발생제를 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 에폭시(메트)아크릴레이트란, 에폭시아크릴레이트 또는 에폭시메타크릴레이트를 의미한다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment preferably comprises an epoxy (meth) acrylate resin and a radical generator. Here, epoxy (meth) acrylate means epoxy acrylate or epoxy methacrylate.

상기 에폭시(메트)아크릴레이트 수지의 구체예로서는, 에톡시화(3)비스페놀 A디아크릴레이트 등의 비스페놀 A형 에폭시(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. Specific examples of the epoxy (meth) acrylate resin include bisphenol A epoxy (meth) acrylates such as ethoxylated (3) bisphenol A diacrylate.

상기 에폭시(메트)아크릴레이트 수지의 분자량(중량 평균 분자량)은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 100~10000이며, 보다 바람직하게는 200~1000이다. 중량 평균 분자량이 100~10000이면, 경화물의 응집력이 강하게 된다는 점에서 바람직하다. 중량 평균 분자량의 측정은, GPC법에 의해 폴리스티렌 환산으로 구할 수 있다. The molecular weight (weight average molecular weight) of the epoxy (meth) acrylate resin is not particularly limited, but is preferably 100 to 10,000, more preferably 200 to 1,000. When the weight average molecular weight is 100 to 10000, the cohesive force of the cured product becomes strong. The weight average molecular weight can be determined by polystyrene conversion by the GPC method.

시트상 수지 조성물 전체에 대한 상기 에폭시(메트)아크릴레이트 수지의 함유량으로서는, 보존성과 반응성의 관점에서, 2~70 중량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 10~30 중량%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The content of the epoxy (meth) acrylate resin in the entire sheet resin composition is preferably in the range of 2 to 70% by weight, more preferably in the range of 10 to 30% by weight, from the viewpoint of storage stability and reactivity .

상기 라디칼 발생제는 적어도 가열에 의해 라디칼을 발생시키는 것이다. The radical generator generates radicals by at least heating.

가열에 의해 라디칼을 발생시키는 라디칼 발생제로서는, 예컨대, 과산화벤조일(BPO), 과황산칼륨, 디쿠밀퍼옥사이드와 같은 유기 과산화물 및 무기 과산화물, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)과 같은 아조 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the radical generator that generates radicals by heating include organic peroxides such as benzoyl peroxide (BPO), potassium persulfate, dicumyl peroxide, and inorganic peroxides, and azo compounds such as azobisisobutyronitrile (AIBN) .

시트상 수지 조성물 전체에 대한 상기 라디칼 발생제의 함유량으로서는, 반응 속도의 관점에서, 0.001~2 중량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.1~1 중량%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The content of the radical generator in the whole sheet resin composition is preferably in the range of 0.001 to 2% by weight, more preferably 0.1 to 1% by weight, from the viewpoint of the reaction rate.

제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물은 열경화성 수지를 포함하고 있어도 좋다. 또한, 경화제를 포함하여도 좋다. 특히, 시트상 수지 조성물이 열가소성 수지를 포함하면서 또한 상기 열가소성 수지가 에폭시기와 가교 반응하는 작용기를 갖는 경우, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment may contain a thermosetting resin. A curing agent may also be included. Particularly, when the sheet-like resin composition contains a thermoplastic resin and the thermoplastic resin has a functional group that undergoes a crosslinking reaction with an epoxy group, it preferably contains an epoxy resin as a thermosetting resin.

상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 특히, 반도체 칩을 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Particularly, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities which corrodes semiconductor chips is preferable.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 이용되는 것이라면 특별히 한정은 없고, 예컨대 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 이작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 경화제로서 티올계 경화제를 이용하는 경우, 티올계 경화제와의 반응성이나 범용성의 관점에서, 상기 에폭시 수지 중에서도 비스페놀 A형, 비페닐형, 나프탈렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형이 특히 바람직하다. The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition and examples thereof include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, There may be mentioned functional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins such as naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenyl methane type and tetraphenylol ethane type, An epoxy resin such as a dibisocyanurate type or a glycidylamine type is used. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, bisphenol A, biphenyl, naphthalene, phenol novolak and orthocresol novolac are particularly preferred from the viewpoints of reactivity with the thiol curing agent and versatility in the case of using a thiol curing agent as the curing agent .

시트상 수지 조성물 전체에 대한 열경화성 수지의 함유량은, 시트상 수지 조성물의 신뢰성의 관점에서, 0.1~50 중량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.4~20 중량%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The content of the thermosetting resin with respect to the entire sheet-like resin composition is preferably within a range of 0.1 to 50 wt%, and more preferably within a range of 0.4 to 20 wt%, from the viewpoint of reliability of the sheet-like resin composition.

제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물은 열경화 촉진제를 함유하고 있어도 좋다. 상기 열경화 촉진제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 열경화 촉진제 중에서 적절하게 선택하여 이용할 수 있다. 열경화 촉진제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 이용할 수 있다. 열경화 촉진제로서는, 예컨대, 아민계 경화촉진제, 인계 경화촉진제, 이미다졸계 경화촉진제, 붕소계 경화촉진제, 인-붕소계 경화촉진제 등을 이용할 수 있다. 그 중에서도 반응성, 용해성의 관점에서, 질소 원자를 분자 내에 포함하는 유기 화합물(예컨대, 아민계 경화촉진제, 이미다졸계 경화촉진제)이 바람직하다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment may contain a thermosetting accelerator. The thermosetting accelerator is not particularly limited and may be appropriately selected from known thermosetting accelerators. The thermosetting accelerators may be used alone or in combination of two or more. As the thermal curing accelerator, for example, amine-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, boron-based curing accelerators, phosphorus-based curing accelerators and the like can be used. Among them, from the viewpoints of reactivity and solubility, organic compounds containing a nitrogen atom in the molecule (for example, an amine-based curing accelerator and an imidazole-based curing accelerator) are preferable.

상기 열경화 촉진제의 함유량은, 열경화성 수지 100 중량부에 대하여 0.001~2 중량%의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.01~1 중량%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 0.001 중량부 이상이면, 열경화성 수지를 충분히 경화할 수 있고, 2 중량부 이하이면 양호한 보존성을 유지할 수 있다. The content of the thermosetting accelerator is preferably in the range of 0.001 to 2% by weight, more preferably in the range of 0.01 to 1% by weight, based on 100 parts by weight of the thermosetting resin. If it is 0.001 parts by weight or more, the thermosetting resin can be sufficiently cured, and if it is 2 parts by weight or less, good preservability can be maintained.

제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물은 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 실시형태에 있어서 열가소성 수지는, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지를 포함하지 않는다. 또한, 제2 실시형태에 있어서 열가소성 수지는, 탄소-탄소 이중 결합을 분자 내에 포함하여도 좋다. 상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET이나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높고, 반도체 칩의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다. 여기서, 제2 실시형태에 따른 열가소성 수지는, 중량 평균 분자량이 10000보다 큰 것을 말하며, 라디칼 반응성의 탄소-탄소 이중 결합을 분자 내에 포함하여도 좋다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment preferably comprises a thermoplastic resin. Further, in the second embodiment, the thermoplastic resin does not contain an epoxy (meth) acrylate resin. Further, in the second embodiment, the thermoplastic resin may contain a carbon-carbon double bond in the molecule. Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, Polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins and fluororesins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can secure the reliability of a semiconductor chip is particularly preferable. Here, the thermoplastic resin according to the second embodiment means a resin having a weight average molecular weight of more than 10,000, and may contain a radical-reactive carbon-carbon double bond in the molecule.

상기 아크릴 수지로서는, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지를 포함하지 않는 범위 내에서, 제1 실시형태에서 설명한 것과 같은 것을 이용할 수 있다. As the acrylic resin, those similar to those described in the first embodiment can be used within the range not including the epoxy (meth) acrylate resin.

시트상 수지 조성물 전체에 대한 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 1 중량% 이상이고, 보다 바람직하게는 3 중량% 이상이다. 1 중량% 이상이면, 양호한 가요성을 얻을 수 있다. 한편, 수지 성분 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 40 중량% 이하이고, 보다 바람직하게는 30 중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 25 중량% 이하이다. 40 중량% 이하이면, 양호한 열적 신뢰성을 얻을 수 있다. The content of the thermoplastic resin in the whole sheet resin composition is preferably 1% by weight or more, and more preferably 3% by weight or more. If it is 1% by weight or more, good flexibility can be obtained. On the other hand, the content of the thermoplastic resin in the resin component is preferably 40% by weight or less, more preferably 30% by weight or less, and still more preferably 25% by weight or less. If it is 40% by weight or less, good thermal reliability can be obtained.

또한, 제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물에는 무기 충전제를 적절하게 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 열전도성의 향상, 저장 탄성율의 조절 등을 가능하게 한다. In addition, an inorganic filler can be appropriately compounded in the sheet-like resin composition according to the second embodiment. The combination of the inorganic filler makes it possible to improve the thermal conductivity and the storage elastic modulus.

상기 무기 충전제로서는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 같은 것을 이용할 수 있으며, 배합량도 같게 할 수 있다. As the inorganic filler, the same materials as those described in the first embodiment can be used, and the blending amount can be made the same.

또한, 제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물에는, 상기 무기 충전제 이외에 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 제1 실시형태에서 설명한 것과 같은 것을 예로 들 수 있다. Further, in the sheet-like resin composition according to the second embodiment, in addition to the inorganic filler, other additives may be appropriately added as needed. Examples of other additives include those described in the first embodiment.

이상 제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물에 관해서 설명했다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment has been described above.

또한, 제2 실시형태에 따른 시트상 수지 조성물은, 제1 실시형태와 같은 방법으로 제조할 수 있다. 또한 제1 실시형태와 마찬가지로, 이면 연삭용 테이프와의 일체형으로 할 수 있다. 또한, 제1 실시형태와 같은 식의 반도체 장치의 제조 방법에 사용할 수 있다. 따라서, 여기서의 설명은 생략한다. The sheet-like resin composition according to the second embodiment can be produced by the same method as in the first embodiment. Further, like the first embodiment, it can be integrated with the back-grinding tape. It can also be used in the same manufacturing method of the semiconductor device as the first embodiment. Therefore, the description here is omitted.

[그 밖의 변형예][Other Modifications]

상술한 실시형태에서는, 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을 준비하는 공정 A으로서, 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물을 이용한 경우에 관해서 설명했다. 그러나, 본 발명에 있어서의 공정 A은 이 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 다이싱 테이프 일체형 시트상 수지 조성물을 이용하여 준비하여도 좋다. 다이싱 테이프 일체형 시트상 수지 조성물은 다이싱 테이프와 시트상 수지 조성물을 구비한다. 다이싱 테이프는 기재 및 점착제층을 갖추고, 점착제층은 기재 상에 형성되어 있다. 시트상 수지 조성물은 점착제층 상에 형성되어 있다. 다이싱 테이프는 상술한 이면 연삭용 테이프와 같은 구성을 채용할 수 있다. In the above-described embodiment, the case where the sheet-like resin composition for a back grinding tape is used as the step A for preparing a chip having a sheet-like resin composition has been described. However, the process A in the present invention is not limited to this example. For example, a dicing tape-integrated sheet resin composition may be used. The dicing tape-integrated sheet-like resin composition comprises a dicing tape and a sheet-like resin composition. The dicing tape is provided with a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer is formed on the substrate. The sheet-like resin composition is formed on the pressure-sensitive adhesive layer. The dicing tape may have the same construction as the above-mentioned back-grinding tape.

구체적으로, 상기 시트상 수지 조성물을 갖는 칩의 준비 방법은, 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 범프 형성면과 다이싱 테이프 일체형 시트상 수지 조성물의 시트상 수지 조성물을 접합시키는 접합 공정, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 형성하는 다이싱 공정 및 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 다이싱 테이프로부터 박리하는 픽업 공정을 포함한다. Specifically, a method of preparing a chip having the sheet-like resin composition includes a bonding step of bonding a bump formed surface of a semiconductor wafer, on which a bump is formed, and a sheet-like resin composition of a dicing tape- A dicing step of forming a semiconductor chip having a sheet-like resin composition, and a pick-up step of peeling the semiconductor chip having the sheet-like resin composition from the dicing tape.

또한, 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 준비하는 공정 A으로서, 단일체의 시트상 수지 조성물을 이용하여 준비하여도 좋다. As a step A for preparing a semiconductor chip having a sheet-like resin composition, a single sheet-like resin composition may be used.

구체적으로, 단일체의 시트상 수지 조성물을 이용한 시트상 수지 조성물을 갖는 칩의 준비 방법은, 예컨대, 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 범프 형성면과 시트상 수지 조성물을 접합시키는 접합 공정, 시트상 수지 조성물의 반도체 웨이퍼 접합면과는 반대쪽의 면에 이면 연삭용 테이프를 접합시키는 공정, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 공정, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프를 접착하는 웨이퍼 고정 공정, 이면 연삭용 테이프를 박리하는 박리 공정, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 형성하는 다이싱 공정 및 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 다이싱 테이프로부터 박리하는 픽업 공정을 포함한다. Specifically, a method of preparing a chip having a sheet-like resin composition using a sheet-like resin composition is described, for example, by a bonding step of bonding a sheet-like resin composition to a bump- A step of grinding the back surface of the semiconductor wafer, a step of fixing the wafer to adhere the dicing tape to the back surface of the semiconductor wafer, a step of peeling the back grinding tape A dicing step of dicing a semiconductor wafer to form a semiconductor chip having a sheet-like resin composition, and a pick-up step of peeling the semiconductor chip having the sheet-like resin composition from the dicing tape.

또한, 단일체의 시트상 수지 조성물을 이용한 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 준비하는 공정 A의 다른 예로서는, 반도체 웨이퍼의 범프가 형성된 범프 형성면과 시트상 수지 조성물을 접합시키는 접합 공정, 시트상 수지 조성물의 반도체 웨이퍼 접합면과는 반대쪽의 면에 다이싱 테이프를 접합시키는 공정, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 형성하는 다이싱 공정 및 시트상 수지 조성물을 갖는 반도체 칩을 다이싱 테이프로부터 박리하는 픽업 공정을 포함한다. As another example of the step A for preparing a semiconductor chip having a sheet-like resin composition using a sheet-like resin composition, a bonding step of bonding the bump forming surface of the semiconductor wafer on which the bumps are formed and the sheet- A dicing step of dicing the semiconductor wafer to form a semiconductor chip having a sheet-like resin composition, and a step of dicing the semiconductor chip having the sheet-like resin composition, And a pick-up step of peeling off the dicing tape.

또한, 상술한 실시형태에서는, 본 발명의 시트상 수지 조성물이, 반도체 칩과 실장용 기판의 간극을 밀봉하는 것(소위, 언더필용 시트)인 경우에 관해서 설명했다. 그러나, 본 발명의 시트상 수지 조성물은, 반도체 장치의 제조에 이용되는 것, 즉, 반도체 장치 제조용이라면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 피착체에 반도체 소자를 다이본드하기 위한 다이본드 필름이라도 좋고, 피착체 상에 플립 칩 접속된 반도체 소자의 이면에 형성하기 위한 플립 칩형 반도체 이면용 필름이라도 좋고, 반도체 소자를 밀봉하기 위한 밀봉 필름이라도 좋다. In the above-described embodiment, the case where the sheet-like resin composition of the present invention is used to seal the gap between the semiconductor chip and the mounting board (so-called underfill sheet) has been described. However, the sheet-like resin composition of the present invention is not particularly limited as long as it is used for the production of semiconductor devices, that is, for producing semiconductor devices. For example, it may be a die-bonding film for die bonding a semiconductor element to an adherend, a flip-chip type semiconductor backing film for forming a back surface of a semiconductor element flip-chip bonded on an adherend, It may be a film.

[실시예][Example]

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 자세히 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 이들에만 한정한다는 취지의 것이 아니다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to these, unless otherwise specified.

<시트상 수지 조성물의 제작> &Lt; Production of Sheet-like Resin Composition >

이하의 성분을 표 1에 나타내는 비율로 메틸에틸케톤에 용해하여, 고형분 농도가 25.4~60.6 중량%가 되는 접착제 조성물의 용액을 조제했다. The following components were dissolved in methyl ethyl ketone in the proportions shown in Table 1 to prepare a solution of the adhesive composition having a solid content concentration of 25.4 to 60.6% by weight.

아크릴 폴리머: 아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 폴리머(상품명「파라클론 W-197C」, 네가미고교가부시키가이샤 제조, 중량 평균 분자량: 4×105)Acrylic polymer: Acrylic ester polymer (trade name: "Paracron W-197C", manufactured by Negami Kogyo Kabushiki Kaisha, weight average molecular weight: 4 × 10 5 ) containing ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component

에폭시 수지 1: 상품명 「에피코트 1004」, JER가부시키가이샤 제조 Epoxy resin 1: trade name &quot; Epikote 1004 &quot;, manufactured by JER K.K.

에폭시 수지 2: 상품명 「에피코트 828」, JER가부시키가이샤 제조Epoxy resin 2: trade name &quot; Epicote 828 &quot;, manufactured by JER K.K.

티올계 경화제: 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 상품명 「카렌즈 MT PE1」, 쇼와덴코사 제조 Thiol-based curing agent: pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutylate), trade name "Carlens MT PE1", manufactured by Showa Denko K.K.

에폭시아크릴레이트 수지(비스A형 에폭시아크릴레이트 수지): 상품명 「CN-104NS」, Sartomer사 제조, 중량 평균 분자량 10000 이하. Epoxy acrylate resin (bis A type epoxy acrylate resin): trade name "CN-104NS", manufactured by Sartomer, weight average molecular weight 10,000 or less.

페놀계 경화제: 상품명「MEH-7851H」, 메이와가세이가부시키가이샤 제조Phenol-based curing agent: &quot; MEH-7851H &quot;, trade name, manufactured by Meiwa Kasei K.K.

플럭스: 2-페녹시안식향산 Flux: 2-phenoxybenzoic acid

무기 충전제: 구상 실리카(상품명 「SO-25R」, 가부시키가이샤아드마테크스 제조, 평균 입경: 500 nm)Inorganic filler: spherical silica (trade name &quot; SO-25R &quot;, manufactured by Admatechs, average particle size: 500 nm)

열경화 촉진제: 이미다졸계 경화촉진제(상품명 「2PHZ-PW」, 시코쿠가세이가부시키가이샤 제조)Thermal curing accelerator: Imidazole-series curing accelerator (trade name &quot; 2PHZ-PW &quot;, manufactured by Shikoku Kasei K.K.)

라디칼 발생제: 유기 과산화물(상품명 「퍼쿠밀 D」, 니치유사 제조)Radical generating agent: organic peroxide (trade name &quot; Percumyl D &quot;, manufactured by Nichicon Corporation)

실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2에 관해서는, 이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2에 따른 시트상 수지 조성물을 제작했다. 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2에 있어서는, 두께는 전부 35 ㎛로 했다. The adhesive composition of Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 was subjected to a release treatment using a releasing treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 탆 and subjected to silicone release treatment as a release liner (separator) And then dried at 130 캜 for 2 minutes to prepare a sheet resin composition according to Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. In Example 1, Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the thicknesses were all 35 m.

또한, 실시예 3, 실시예 4에 관해서는, 이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 120℃에서 3분간 건조시킴으로써, 실시예 3, 실시예 4에 따른 시트상 수지 조성물을 제작했다. 실시예 3, 실시예 4에 있어서는, 두께는 전부 35 ㎛로 했다. In Examples 3 and 4, the solution of the adhesive composition was applied as a release liner (separator) onto a release treatment film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 탆 and subjected to silicone release treatment, And dried at 120 DEG C for 3 minutes to produce sheet-like resin compositions according to Examples 3 and 4. In Example 3 and Example 4, the thicknesses were all 35 m.

(120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율의 측정)(Measurement of the thermal curability after heating at 120 캜 for 10 minutes)

실시예, 비교예의 시트상 수지 조성물에 관해서, 다음과 같이 하여, 120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율을 측정했다. 측정에는, 티에이인스트루먼트사 제조의 시차 주사 열량계, 제품명 「Q2000」을 이용했다. With respect to the sheet-like resin compositions of Examples and Comparative Examples, the heat-curing rate after heating at 120 ° C for 10 minutes was measured as follows. For the measurement, a differential scanning calorimeter, product name &quot; Q2000 &quot; manufactured by TE Instruments Inc. was used.

우선, 열경화 처리를 하지 않은 시트상 수지 조성물을 -10℃에서부터 승온 속도 10℃/분의 조건으로 350℃(열경화 반응이 완전히 완료되었다고 상정되는 온도)까지 승온했을 때의 발열량(미경화 샘플의 반응 열량)을 측정했다. 또한 이 때, 발열 피크 온도에 관해서도 읽어들였다. 이 값을 표 1에 나타냈다. First, the amount of heat generated when the sheet-like resin composition without heat curing was heated from -10 ° C to a temperature of 350 ° C (the temperature at which the thermal curing reaction was assumed to be completely completed) under the condition of a heating rate of 10 ° C / ) Was measured. At this time, we also read about the exothermic peak temperature. These values are shown in Table 1.

또한, 시트상 수지 조성물을 120℃에서 10분 가열한 샘플을 준비하여, -10℃에서부터 승온 속도 10℃/분의 조건으로 350℃(열경화 반응이 완전히 완료되었다고 상정되는 온도)까지 승온했을 때의 발열량(200℃에서 10초간 가열한 샘플의 반응 열량)을 측정했다. 그 후, 이하의 식(1a)에 의해 열경화율을 얻었다. Further, a sample in which the sheet-like resin composition was heated at 120 占 폚 for 10 minutes was prepared and the temperature was raised from -10 占 폚 to a temperature rise rate of 10 占 폚 / min to 350 占 폚 (a temperature at which the thermosetting reaction was assumed to be completely completed) (The heat of reaction of the sample heated at 200 DEG C for 10 seconds) was measured. Thereafter, the heat curing rate was obtained by the following formula (1a).

식(1a): Formula (1a):

열경화율=[{(미경화 샘플의 반응 열량)-(120℃에서 10분 가열한 샘플의 반응 열량)}/(미경화 샘플의 반응 열량)]×100(%)(The amount of heat of reaction of the uncured sample) - (the amount of heat of reaction of the uncured sample)

또한, 발열량은, 시차 주사 열량계로 측정되는 발열 피크의 기립 온도와 반응 종료 온도의 2점을 연결한 직선과 피크로 둘러싸이는 면적을 이용하여 구한다. The calorific value is obtained by using an area enclosed by a straight line connecting two points of the standing temperature of the exothermic peak measured by a differential scanning calorimeter and the reaction termination temperature and a peak.

결과를 표 1에 나타낸다. The results are shown in Table 1.

(200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율의 측정)(Measurement of thermal curability after heating at 200 캜 for 20 seconds)

실시예, 비교예의 시트상 수지 조성물에 관해서, 다음과 같이 하여, 200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율을 측정했다. 측정에는, 티에이인스트루먼트사 제조의 시차 주사 열량계, 제품명 「Q2000」을 이용했다. With respect to the sheet-like resin compositions of Examples and Comparative Examples, the heat curability after heating at 200 ° C for 20 seconds was measured as follows. For the measurement, a differential scanning calorimeter, product name &quot; Q2000 &quot; manufactured by TE Instruments Inc. was used.

우선, 열경화 처리를 하지 않은 시트상 수지 조성물을 -10℃에서부터 승온 속도 10℃/분의 조건으로 350℃(열경화 반응이 완전히 완료되었다고 상정되는 온도)까지 승온했을 때의 발열량(미경화 샘플의 반응 열량)을 측정했다. First, the amount of heat generated when the sheet-like resin composition without heat curing was heated from -10 ° C to a temperature of 350 ° C (the temperature at which the thermal curing reaction was assumed to be completely completed) under the condition of a heating rate of 10 ° C / ) Was measured.

또한, 시트상 수지 조성물을 200℃에서 20초 가열한 샘플을 준비하여, -10℃에서부터 승온 속도 10℃/분의 조건으로 350℃(열경화 반응이 완전히 완료되었다고 상정되는 온도)까지 승온했을 때의 발열량(200℃에서 10초간 가열한 샘플의 반응 열량)을 측정했다. 그 후, 이하의 식(1b)에 의해 열경화율을 얻었다. Further, a sample in which the sheet-like resin composition was heated at 200 캜 for 20 seconds was prepared, and the temperature was raised from -10 캜 to a temperature rise rate of 10 캜 / min to 350 캜 (a temperature at which the thermosetting reaction was assumed to be completely completed) (The heat of reaction of the sample heated at 200 DEG C for 10 seconds) was measured. Thereafter, the heat curing rate was obtained by the following formula (1b).

식(1b): Formula (1b):

열경화율=[{(미경화 샘플의 반응 열량)-(200℃에서 20초 가열한 샘플의 반응 열량)}/(미경화 샘플의 반응 열량)]×100(%)Thermal reaction rate of the sample heated at 200 占 폚 for 20 seconds} / (reaction calorific value of uncured sample)] 占 100 (%)

또한, 발열량은, 시차 주사 열량계로 측정되는 발열 피크의 기립 온도와 반응 종료 온도의 2점을 연결한 직선과 피크로 둘러싸이는 면적을 이용하여 구한다. The calorific value is obtained by using an area enclosed by a straight line connecting two points of the standing temperature of the exothermic peak measured by a differential scanning calorimeter and the reaction termination temperature and a peak.

결과를 표 1에 나타낸다. The results are shown in Table 1.

[보존성 평가 1][Conservation Evaluation 1]

우선, 열경화 처리를 하지 않은 시트상 수지 조성물의 정적 점도를, 회전식 점도계(서모피셔사이엔티픽사 제조, 제품명 「HAAKE Roto Visco 1」)로 측정했다. 측정 조건은, 갭 100 ㎛, 회전 플레이트 직경 20 mm, 승온 속도 10℃/min, 전단 속도 5(1/s)로 하여, 80℃~230℃에 있어서의 점도를 측정했다. First, the static viscosity of the sheet-like resin composition not subjected to the heat curing treatment was measured with a rotary viscometer (product name "HAAKE Roto Visco 1" manufactured by Thermo Fisher Scientific Corporation). The viscosity was measured at 80 캜 to 230 캜 at a gap of 100 탆, a rotating plate diameter of 20 mm, a temperature raising rate of 10 캜 / min and a shear rate of 5 (1 / s).

또한, 온도: 25℃의 조건으로, 7일(일주일) 기간 방치(보존)한 시트상 수지 조성물에 관해서, 상기와 같이 점도를 측정했다. The viscosity of the sheet-like resin composition, which was left (stored) for 7 days (one week) under the condition of the temperature of 25 ° C, was measured as described above.

일주일 보존 전과 보존 후의 120℃에 있어서의 측정 점도를 비교하여, 보존 후의 점도와 보존 전의 점도 변화가 1000 Pa·s 이하인 경우를 ○, 1000 Pa·s보다 큰 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 기준을 상기한 것과 같이 설정한 이유는, 상기한 점도 변화가 1000 Pa·s 이하이면, 실장 시의 접합이 양호하게 되기 때문이다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한 표 1에는, 보존 전과 보존 후의 120℃에 있어서의 측정 점도도 아울러 나타냈다. The measurement viscosity before and after the storage for one week was compared with the measurement viscosity at 120 ° C to evaluate the viscosity after storage and the viscosity change before storage to be 1000 Pa · s or less. The reason why the evaluation criterion is set as described above is that if the viscosity change is 1000 Pa s or less, bonding at the time of mounting becomes good. The results are shown in Table 1. Table 1 also shows the measured viscosity at 120 ° C before and after storage.

[보존성 평가 2][Conservation Evaluation 2]

상기한 보존성 평가 1에 있어서 측정한, 일주일 보존 전과 보존 후의 120℃에 있어서의 측정 점도를 비교하여, 보존 전부터 보존 후의 점도의 변화율(점도 변화율 X1)이 0~20%의 범위인 경우를 ○, 20%~40%인 경우를 △, 40%를 넘는 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 기준을 상기한 것과 같이 설정한 이유는, 상기한 점도 변화율이 20% 이하이면, 실장 시의 접합이 양호하게 되기 때문이다. 결과를 표 1에 나타낸다. The measured viscosity at 120 ° C before and after one week's storage as measured in the above-mentioned preservation evaluation 1 was evaluated as O when the change rate (viscosity change rate X1) of the viscosity after storage before storage was in the range of 0 to 20% A case where 20% to 40% was evaluated as?, And a case where it exceeded 40% was evaluated as?. The reason why the evaluation criteria are set as described above is that if the viscosity change rate is 20% or less, the bonding at the time of mounting becomes good. The results are shown in Table 1.

점도 변화율 X1은 하기 식에 의해 얻어지는 값의 절대치이다. The viscosity change rate X1 is an absolute value of a value obtained by the following equation.

[점도 변화율 X1(%)]=[100×{(일주일 보존 후의 120℃에서의 점도)-(보존 전의 120℃에서의 점도)}/(보존 전의 120℃에서의 점도)(Viscosity at 120 占 폚 before storage) / (Viscosity at 120 占 폚 before storage) 占 (Viscosity change rate X1 (%)) = 100 占

[보존성 평가 3][Conservation Evaluation 3]

온도: 25℃의 조건으로, 14일(2주간) 기간 방치(보존)한 시트상 수지 조성물에 관해서, 상기 보존성 평가 1과 같은 식으로 점도를 측정했다. The viscosity was measured in the same manner as in the above storage stability evaluation 1 with respect to the sheet-like resin composition in which the temperature was kept at 25 占 폚 for 14 days (two weeks).

2주간 보존 전과 보존 후의 120℃에 있어서의 측정 점도를 비교하여, 보존 전에서부터 보존 후의 점도의 변화율(점도 변화율 X2)이 0~20%의 범위인 경우를 ○, 20%~40%인 경우를 △, 40%를 넘는 경우를 ×로 하여 평가했다. 평가 기준을 상기한 것과 같이 설정한 이유는, 상기한 점도 변화율이 20% 이하이면, 실장 시의 접합이 양호하게 되기 때문이다. 결과를 표 1에 나타낸다. A case where the rate of change of viscosity after storage (viscosity change rate X2) was 0 to 20% was rated as O, and a case where the viscosity was 20% to 40% as measured before storage for two weeks and a measured viscosity at 120 ° C after storage for two weeks Quot ;, and &quot; x &quot; when it exceeds 40%. The reason why the evaluation criteria are set as described above is that if the viscosity change rate is 20% or less, the bonding at the time of mounting becomes good. The results are shown in Table 1.

점도 변화율 X2은 하기 식에 의해 얻어지는 값의 절대치이다. The viscosity change rate X2 is an absolute value of a value obtained by the following equation.

[점도 변화율 X2(%)]=[100×{(2주간 보존 후의 120℃에서의 점도)-(보존 전의 120℃에서의 점도)}/(보존 전의 120℃에서의 점도)(Viscosity at 120 占 폚 after storage) - (viscosity at 120 占 폚 before storage) / (viscosity at 120 占 폚 before storage) 占 (viscosity change rate X2

[보이드 평가][Evaluation of void]

(주)월츠사의 테스트 비클(두께 725 ㎛의 웨이퍼에, 높이 40 ㎛의 범프가 형성된 것)에, 두께 40 ㎛의 시트상 수지 조성물을 접착했다. 접착 조건은, 진공도: 100 Pa의 조건 하에 있어서, 온도: 60℃, 접착 압력: 0.5 Mpa로 했다. 이에 따라 도 8에 도시하는 것과 같은 형태의 샘플 A을 얻었다. A sheet-like resin composition having a thickness of 40 占 퐉 was bonded to a test bottle (a wafer having a thickness of 725 占 퐉 and a bump having a height of 40 占 퐉) of Walsh Co., Ltd. The bonding conditions were a temperature of 60 占 폚 and a bonding pressure of 0.5 MPa under a vacuum degree of 100 Pa. Thus, a sample A having a shape as shown in Fig. 8 was obtained.

이어서, 이 샘플 A에 전극을 갖는 실장용 기판(전극의 높이: 15 ㎛)을 접착했다. 접착에는, 도레엔지니어링사의 플립 칩 본더(FC3000W)를 이용하고, 접착 조건은, 하중: 0.5 Mpa의 조건으로, 200℃에서 10초간 유지한 후, 260℃에서 10초 유지했다. Subsequently, a mounting substrate (electrode height: 15 mu m) having an electrode was adhered to the sample A. A flip chip bonder (FC3000W) from Dore Engineering Co., Ltd. was used for the bonding, and the bonding conditions were maintained at 200 占 폚 for 10 seconds under a load of 0.5 Mpa, and then at 260 占 폚 for 10 seconds.

얻어진 실장 후의 샘플을 칩(웨이퍼)과 평행하게 연마하여, 시트상 수지 조성물을 노출시켰다. 노출한 수지 부분의 보이드 상태를 광학현미경(200배)으로 확인하여, 보이드(최대 직경: 3 ㎛ 초과)의 발생이 확인되지 않은 경우를 「○」, 한 곳이라도 보이드의 발생이 확인된 경우를 「×」로 하여 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 실시예에서는, 200℃에서 10초간 유지했을 때에 시트상 수지 조성물의 반경화가 충분히 행해졌기 때문에, 보이드의 팽창이 억제되었다고 생각된다. 한편, 비교예 2에서는, 200℃에서 10초간 유지했을 때에 시트상 수지 조성물의 반경화가 충분히 행해지고 있지 않기 때문에, 보이드의 팽창이 억제되지 않았다고 생각된다. The resulting mounted sample was polished parallel to the chip (wafer) to expose the sheet-like resin composition. When the occurrence of voids (maximum diameter: more than 3 占 퐉) was not confirmed by checking with the optical microscope (200 times) the void state of the exposed resin portion, the case where the occurrence of voids was confirmed even at one place Quot; x &quot;. The results are shown in Table 1. In the examples, it was considered that expansion of the voids was suppressed because the sheet-like resin composition was sufficiently semi-cured when held at 200 占 폚 for 10 seconds. On the other hand, in Comparative Example 2, it was considered that the expansion of voids was not suppressed because the sheet-like resin composition was not sufficiently cured at 200 ° C for 10 seconds.

Figure pct00004
Figure pct00004

10: 시트상 수지 조성물, 18: 범프, 22: 반도체 칩, 22a: 범프 형성면, 40: 시트상 수지 조성물을 갖는 칩, 50: 실장용 기판, 52: 전극, 60: 반도체 장치 The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor device having a semiconductor chip,

Claims (6)

120℃에서 10분 가열한 후의 열경화율이 40% 이하이고,
200℃에서 20초 가열한 후의 열경화율이 50% 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용의 시트상 수지 조성물. The heat curing rate after heating at 120 占 폚 for 10 minutes is 40% or less,
Wherein the thermosetting rate after heating at 200 占 폚 for 20 seconds is 50% or more. 제1항에 있어서, 에폭시(메트)아크릴레이트 수지와,
라디칼 발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 시트상 수지 조성물. 2. The composition of claim 1, wherein the epoxy (meth) acrylate resin,
And a radical generator. 제1항에 있어서, 열경화성 수지와 경화제를 함유하고,
상기 열경화성 수지는 에폭시 수지이고,
상기 경화제는 분자 내에 2개 이상의 머캅토기를 갖는 티올계 경화제인 것을 특징으로 하는 시트상 수지 조성물. The thermosetting resin composition according to claim 1, which comprises a thermosetting resin and a curing agent,
The thermosetting resin is an epoxy resin,
Wherein the curing agent is a thiol curing agent having two or more mercapto groups in the molecule. 제1항 또는 제3항에 있어서, 열가소성 수지를 함유하고,
상기 열가소성 수지는, 중량 평균 분자량이 3×105 이상인 아크릴 수지인 것을 특징으로 하는 시트상 수지 조성물. The thermoplastic resin composition according to claim 1 or 3,
Wherein the thermoplastic resin is an acrylic resin having a weight average molecular weight of 3 x 10 &lt; 5 &gt; or more. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재한 시트상 수지 조성물이, 이면 연삭용 테이프 상에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물. A sheet-like resin composition for a back grinding with a tape, wherein the sheet-like resin composition according to any one of claims 1 to 4 is laminated on a back grinding tape. 반도체 칩의 범프 형성면에, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재한 시트상 수지 조성물이 접착된 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을 준비하는 공정 A와,
전극이 형성된 실장용 기판을 준비하는 공정 B와,
상기 실장용 기판에, 상기 시트상 수지 조성물을 갖는 칩을, 상기 시트상 수지 조성물을 접합면으로 하여 접착하여, 상기 반도체 칩에 형성된 상기 범프와 상기 실장용 기판에 형성된 전극을 대향시키는 공정 C와,
상기 공정 C 후에, 상기 시트상 수지 조성물을 가열하여 반경화시키는 공정 D와,
상기 공정 D 후에, 상기 공정 D에 있어서의 가열보다도 고온에서 가열하여, 상기 범프와 상기 전극을 접합하고, 상기 시트상 조성물을 경화시키는 공정 E를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법. A step A of preparing a chip having a sheet-like resin composition to which the sheet-like resin composition according to any one of claims 1 to 4 is adhered, on a bump forming surface of a semiconductor chip,
A step B of preparing a mounting substrate on which electrodes are formed,
A step C in which the chip having the sheet-like resin composition is adhered to the mounting board with the sheet-like resin composition as a bonding surface to face the electrode formed on the mounting board with the bump formed on the semiconductor chip ,
A step D of heating and semi-curing the sheet-like resin composition after the step C,
And a step (E) after the step (D) for heating at a temperature higher than the heating in the step (D), bonding the bump and the electrode, and curing the sheet-like composition.
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