KR20170032198A - 반도체 웨이퍼로부터 집적회로를 형성하기 위한 제조 설비 및 제조 설비용 와플 부재 - Google Patents

반도체 웨이퍼로부터 집적회로를 형성하기 위한 제조 설비 및 제조 설비용 와플 부재 Download PDF

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프레이야 에베를레
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Abstract

본 발명의 제조 설비는 반도체 웨이퍼 위에 집적회로를 형성하기 위해 사용되고 EUV 방사선을 발생시키는 적어도 하나의 방사선 발생기를 갖고 있다. 상기 EUV 방사선은 웨이퍼의 노광을 위한 적어도 하나의 리소그래피 기계에 공급된다. 상기 리소그래피 기계는 제작 건물동에 수용되어 있다. 상기 방사선 발생기는 제작 건물동으로부터 분리된 건물동 또는 건물동 일부에 제공되어 있다. 상기 EUV 방사선은 적어도 하나의 방사선 안내부를 통해 제작 건물동에 공급된다. 상기 방사선 안내부로부터 둔각으로 적어도 하나의 공급관이 분기되고, 상기 공급관을 통해 EUV 방사선의 적어도 일부가 리소그래피 기계에 공급된다. 와플 부재는 직사각형 형태를 갖고 와플 부재를 위에서 봤을 때 와플 부재의 중앙면과 예각을 형성하는 적어도 하나의 통로를 갖고 있다. 상기 제조 설비 및 와플 부재는 EUV 방사선을 리소그래피 기계에 비용면에서 유리하면서 단순한 구성으로 공급할 수 있게 한다.

Description

반도체 웨이퍼로부터 집적회로를 형성하기 위한 제조 설비 및 제조 설비용 와플 부재{FABRICATION FACILITY FOR THE PRODUCTION OF INTEGRATED CIRCUITS FROM SEMICONDUCTOR-WAFERS AND WAFFLE ELEMENT FOR A FABRICATION FACILITY}
본 발명은 제1항의 전제부에 따른 웨이퍼에 집적회로(칩)를 형성하기 위한 제조 설비 및 제15항의 전제부에 따른 제조 설비용 와플 부재에 관한 것이다.
칩 제조시 EUV 방사선(극자외선)에 의해 노광되는 웨이퍼를 사용한다. EUV 방사선은 매우 작은 파장을 가져 매우 작은 선폭을 가진 칩을 제조할 수 있다. EUV 방사선은 레이저광의 초점을 주석 소적(tin droplets)에 맞춰 생성하는 플라즈마가 발생할 때 방출된다. EUV 방사선은 리소그래피 기계(lithography machine)에 공급되어 칩 제조시 웨이퍼를 노광시킨다. 상기 리소그래피 기계는 제작 건물동에 제공된다.
본 발명의 과제는 EUV 방사선을 리소그래피 기계에 비용면에서 유리하면서 단순하게 공급할 수 있는 상술한 유형의 제조 설비와 상술한 유형의 와플 부재를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 과제는 제1항의 특징부를 가진 상술한 유형의 제조 설비와 제15항의 특징부를 가진 상술한 유형의 와플 부재에 의해 해결된다.
본 발명에 따른 제조 설비에서 EUV 방사선을 발생하는 방사선 발생기는 제작 건물동과는 별도의 건물동 또는 건물동 일부에 제공된다. 발생된 EUV 방사선은 적어도 하나의 방사선 안내부를 통해 제작 건물동으로 안내된다. 제작 건물동의 내부에 있는 리소그래피 기계에 EUV 방사선을 도입하기 위해서 상기 리소그래피 기계에 대해 둔각으로 연장 형성되어 있는 적어도 하나의 공급관이 방사선 안내부로부터 분기되어 있다. 방사선 발생기가 제작 건물동에 제공되지 않기 때문에 건설할 때 제작 건물동의 특징을 고려하여야 한다. 이에 따라 방사선 발생기를 포함하는 건물동/건물동 일부는 제조 설비의 부지 내 존재하는 공간에 최적으로 세울 수 있다. 상기 방사선 안내부는 내부에 EUV 방사선이 진행하는 진공관이다. 진공으로 인해 EUV 방사선은 전혀 흡수되지 않거나 또는 아주 조금만 흡수된다. EVU 방사선은 방사선 안내부로부터 EUV 방사선의 공급관으로 광학 광분할기에 의해 둔각으로 분리된다.
상기 리소그래피 기계는 다층 제작 건물동의 클린룸에 수용되어 웨이퍼를 노광시킬 수 있는 것이 유리하다. 상기 클린룸의 상부 및/또는 하부 층은 청정 공기의 공급과 배출 및 매질의 공급과 배출을 위해 이용되는 것이 유리하다. 클린룸과 그 위에 위치해있는 층 사이의 바닥부는 와플 바닥부로서 구성된다.
상기 방사선 안내부가 유리한 방법으로 제작 건물동 내 리소그래피 기계의 하부 영역으로 연장 형성될 때 EUV 방사선의 공급이 단순화된다. 이 경우, 상기 리소그래피 기계의 상부 영역은 예를 들면 리소그래피 기계 부품과 재료를 이송할 수 있는 이송 장치를 위해 개방되어 있다.
상기 클린룸에는 바람직하게는 일렬로 서로 나란히 배치되어 있는 여러 개의 리소그래피 기계가 제공되는 것이 유리하다.
제조 설비가 새로 설치될 때 방사선 안내부는 제작 건물동의 바닥판 하부에 연장 형성되도록 제공되는 것이 권장된다. 이 경우, 상기 방사선 안내부는 건설 기술 계획, 부지 조건 등을 고려하여 최적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제작 건물동의 내부 공간은 방사선 안내부가 없어 제작 건물동을 최적으로 활용할 수 있다.
상기 제작 건물동이 이미 세워져 있는 경우에는 제작 건물동의 한 층에서 방사선 안내부가 클린룸의 하부 또는 상부에 연결되는 것이 유리하다. 이 경우, 해당 공급관은 쉽게 리소그래피 기계(들)로 안내될 수 있다.
상기 방사선 안내부 및/또는 공급관 및 이들의 광학 부재로부터 공급된 EUV 방사선이 진동에 의해 방해받지 않도록 하기 위해서 방사선 안내부는 제작 건물동의 직원 출입 구역에 도입하는 것이 바람직하다. 직원 출입 구역에는 방사선 안내부 내 EUV 방사선에 대해 불리한 영향을 줄 만한 흔들림이 전혀 없거나 무시할 정도로만 나타난다.
이 경우, 직원 출입 구역에 대향 위치해 있는 제작 건물동의 측면에는 물질 취급 구역이 제공된다. 물질 취급 구역에서는 일반적으로 예를 들면 이송 차량 등에 의해 야기되는 더 큰 진동이 발생하지만 방사선 안내부로부터 먼 거리로 인해 EUV 방사선에는 불리하게 작용하지 않는다. 상기 방사선 안내부가 리소그래피 기계의 하부 영역에 위치해 있는 경우에 공급관은 클린룸의 구멍이 형성되어 있는 바닥부로 통로를 통해 연장되어 있는 것이 바람직하다.
상기 클린룸의 구멍이 형성된 바닥부는 바람직하게는 와플 부재에 의해 형성된다. 상기 와플 부재는 구멍이 형성된 바닥부를 형성하기 위해 서로 맞물려 있고 서로 견고하게 연결되어 있는 미리 제작한 구성부재이다.
상기 와플 부재에는 공급관을 위한 적어도 하나, 바람직하게는 여러 개의 통로가 마련되어 있다. 그 결과, 상기 공급관은 구멍이 형성된 바닥부 위의 리소그래피 기계로 구멍이 형성된 바닥부를 통해 아래로부터 매우 쉽게 도입된다. 상기 와플 부재가 여러 개의 통로를 갖고 있는 바람직한 경우에 공급관은 각각 가장 적합한 통로를 통해 클린룸으로 안내될 수 있다.
상기 통로는 직사각형 형태를 갖는 것이 유리하다. 이로 인해 상기 통로는 직사각형으로 충분히 크게 형성될 수 있어서 공급관은 문제없이 통과하여 안내될 수 있다.
상기 와플 부재는 사각형 형태를 가져 와플 부재로부터 구멍이 형성된 바닥부를 매우 단순하게 구성할 수 있어 유리하다.
상기 공급관이 방사선 안내부로부터 둔각으로 분기되기 때문에 통로는 와플 부재의 중앙면에 대해 비스듬하게 예각으로 위치되도록 제공된다. 상기 통로는 직사각형 형태를 갖기 때문에 통로가 와플 부재 내 제공될 수 있어 와플 부재를 통해 공급관이 비스듬하게 관통 연장될 수 있다.
마찬가지로 상기 공급관은 와플 부재의 중앙면과 예각을 형성하는 것이 유리하다.
본 발명에 따른 와플 부재는 상기 공급관용 통로가 직사각형 형태를 갖고 와플 부재를 위에서 봤을 때 와플 부재의 중앙면과 예각을 형성하도록 구성된다. 직사각형 형상을 토대로 상기 통로를 크게 형성하여 예각의 크기에 따라 공급관이 통로를 관통하여 비스듬하게 안내되도록 할 수 있다.
상기 통로는 와플 부재 내 중앙에 제공되는 것이 바람직하다.
바람직한 일 실시형태에 있어서, 상기 와플 부재는 적어도 2개의 나란히 위치해 있는 절단부를 포함하고, 이들 절단부 중 하나는 공급관을 위한 통로를 갖고 다른 절단부는 청정 공기를 위한 관통 개구부를 갖는다. 이 경우, 상기 와플 부재에는 2개의 서로 다른 통로가 마련된다. 따라서 서로 다른 통로에 대해 서로 다른 와플 부재를 사용할 필요가 없어 유리하다.
상기 와플 부재의 절단부는 동일한 형태와 동일한 두께를 갖고 나머지 와플 부재의 응력- 및 진동 규격에 상응하는 것이 유리하다.
본원의 요지는 개별 특허청구항의 요지로부터 알 수 있을 뿐 아니라 도면과 상세한 설명에 기재되어 있는 모든 내용과 특징들에 의해 분명해진다. 이들이 청구범위의 요지가 아니더라도 단독으로 또는 조합하여 종래기술에 비해 신규성이 있는 한 발명에 중요한 것으로서 청구된다.
본 발명의 추가 특징들은 다른 청구항, 상세한 설명과 도면으로부터 알 수 있다.
도면에 도시한 몇몇 실시형태를 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 도면에서
도 1은 반도체 웨이퍼에 집적회로를 제조하기 위한 본 발명에 따른 제조 설비의 개략적인 평면도이고,
도 2 내지 5는 본 발명에 따른 제조 설비의 다양한 실시형태의 개략적인 측면도이고,
도 6은 도 2에 따른 실시형태의 정면도이고,
도 7은 와플 부재로 구성된 본 발명에 따른 제조 설비의 바닥부의 평면도이고,
도 8은 와플 부재의 확대평면도이고,
도 9는 도 8에 따른 와플 부재를 관통하는 방사선 안내부의 도통부의 개략도이다.
웨이퍼에 집적회로 또는 구성요소(칩) 제조시 웨이퍼를 공지의 방법으로 노광시키는 리소그래피 기계가 이용되고 있다.
도 1에는 웨이퍼 위에 칩을 제조하기 위한 통상적인 설비가 개략적으로 도시되어 있다. 상기 설비는 칩을 제조하는 건물동(1)을 갖고 있다. 이를 위해 공지된 방법으로 리소그래피 기계(2)에서 노광되는 웨이퍼가 사용된다. 이 방법은 공지되어 있으므로 간략하게만 후술하기로 한다. 웨이퍼 위에 포토레지스트를 도포하고 이어서 상기 포토레지스트를 노광한다. 노광 공정 후에는 웨이퍼를 현상한다. 웨이퍼를 노광하기 위해 자유 전자 레이저(FEL)에 의해 발생되는 싱크로트론 방사선을 이용한다. 상기 레이저는 뢴트겐 영역의 방사선을 발생하도록 구성되어 있다. 이러한 레이저는 FEL 또는 뢴트겐 레이저라고 한다. 이에 의해 0.05 내지 약 30 nm의 파장을 가진 극히 높은 에너지의 레이저광이 발생될 수 있다. 이러한 방사선을 이용하여 웨이퍼에는 매우 미세하고 좁은 구조가 노광을 통해 생성될 수 있다.
뢴트겐 방사선을 발생시키기 위해 필요한 뢴트겐 레이저 FEL은 건물동(1) 옆에 제공되어 있는 건물동(3)에 수용되어 있다.
제작 건물동(1)은 바람직하게는 물질 취급 구역(4)이 직원 출입 구역(5)으로부터 공간적으로 분리되도록 구성되어 있다. 도시된 바람직한 실시예에서 제작 건물동(1)은 대략 직사각형 형태를 갖고 있다. 이 경우, 물질 취급 구역(4)과 직원 출입 구역(5)은 제작 건물동(1)의 양쪽의 좁은 측면에 제공된다. 직원은 관리 건물동(6)에 수용되고 상기 관리 건물동은 제작 건물동(1)의 종방향 측면(7)에 인접하여 위치되어 있다.
예를 들면 도 1에는 자세히 도시되어 있지 않지만 공급 건물동과 저장 건물동은 제작 건물동(1)의 대향 위치해 있는 종방향 측면(8)에 인접하여 위치되어 있다.
FEL 건물동(3)은 제작 건물동(1) 옆에 위치되어 있기 때문에 뢴트겐 방사선 레이저로부터 발생된 뢴트겐 방사선은 적어도 하나의 방사선 안내부(9)를 통해 리소그래피 기계(2)로 안내되어야 한다. 도 1에는 방사선 안내부(9)가 개략적으로 도시되어 있다.
도 2는 제작 건물동(1)의 구성예를 도시하고 있다. 리소그래피 기계(2)는 지지대(11)에 의해 토대(12) 위에 지지되어 있는 바닥부(10) 상에 위치되어 있다. 리소그래피 기계(2)는 웨이퍼의 노광을 위해 규정된 클린룸 조건을 충족하는 클린룸(13) 안에 제공되어 있다. 클린룸(13)은 상부 영역에서 도 2에 개략적으로만 도시되어 있는 필터-환기 장치(14)에 의해 한정되어 있다. 필터-환기 장치(14)는 공지의 방법으로 구성되고 아래쪽으로 청정 공기를 클린룸(13) 안으로 유도한다. 클린룸(13)의 바닥부(10)에는 청정 공기를 위한 관통 개구부가 마련되어 있고 상기 관통 개구부는 공지의 방법으로 바닥부(10)의 개구부를 통해 유입된 후 필터-환기 장치(14)로 반송된다. 이때 청정 공기는 조절되고 경우에 따라서는 가열되기도 한다. 상기 청정 공기의 처리는 공지되어 있으므로 더 이상 기재하지 않기로 한다.
필터-환기 장치(14)의 상부에는 지지 구조(15)가 제공되어 있고 예를 들면 리소그래피 기계(2)를 이송할 수 있는, 예를 들면 이송 크레인 등이 상기 지지 구조를 따라 이동할 수 있다. 지지 구조(15)에는 크레인이 이동할 수 있도록 적절한 레일이 제공되어 있다. 지지 구조(15)와 그 아래 배치되어 있는 필터-환기 장치(14)는 지지대(16)와 벽(17)을 통해 적절한 방법으로 토대(12) 위에 지지되어 있다.
클린룸(13)의 바닥부(10)의 하부에는 바닥부(19)가 구비된 하부층(18)이 제공되어 있다. 바닥부(19)는 하부층(18)을 그 아래 제공되어 있는 또 다른 하부층(20)으로부터 분리하고, 하부층(20)은 바닥부로서 토대(12) 또는 추가 바닥부를 포함할 수 있다. 하부층(18)의 내부에는 바닥부(19)의 평면 전체에 걸쳐 유리하게는 균일하게 분포 배치되어 있고 클린룸(13)의 바닥부(10)를 지지하는 지지대(11)가 제공되어 있다. 지지대(11)는 하부층(20)을 통해 연장되어 있는 것이 유리하고 토대(12)에 바닥부(19)를 지지시킨다.
건물동(3)에는 뢴트겐 레이저가 제공되기 때문에 상기 건물동으로부터 발생되는 뢴트겐 방사선이 제작 건물동(1) 안에 있는 리소그래피 기계(2)로 공급되어야 한다. 뢴트겐 방사선 발생을 위한 설비는 큰 치수, 예를 들면 약 100 m의 연장된 길이를 갖는다. 이에 따라 방사선 발생원이 수용되어 있는 건물동(3)은 또한 적당한 크기를 갖는다. FEL로부터 발생된 뢴트겐 방사선은 적어도 하나의 방사선 안내부(9)를 통해 건물동(3)으로부터 도입된다. 방사선 안내부(9)는 공지된 방법으로 상기 뢴트겐 방사선이 진행하는 진공관이다. 도 2에 따른 실시형태에서 방사선 안내부(9)는 아래쪽 하부층(20)으로 안내된다. 이 경우, 방사선 안내부(9)는 토대(12) 또는 하부층(20)의 추가 바닥부에 직접적으로 덮으면서 체결되는 것이 유리하다. 도 6으로부터 알 수 있듯이 방사선 안내부(9)는 수직 지지대(11)의 종방향 측면에 위치하도록 제공되어 있다.
방사선 안내부(9)의 내부에서 뢴트겐 방사선은 공지의 방법으로 광학 소자에 의해 비스듬하게 위를 향해 연장 형성되어 있는 공급관(21)에서 분리되고 상기 공급관을 통해 분리된 뢴트겐 방사선의 일부가 리소그래피 기계(2)로 공급된다. 각각의 노광기(2)에 대해 공급관(21)이 제공되어 있다.
공급관(21)은 방사선 안내부(9)에 둔각으로 연결되어 있다(도 2).
공급된 뢴트겐선은 각각의 기계(2)에서 공지의 방법으로 다시 분리되고 웨이퍼 노광을 위해 기계(2)에서 사용된다.
바닥부(10, 19)에는 후술할 방법으로 공급관(21)이 통과하여 연장 형성되는 통로가 마련되어 있다.
방사선 안내부(9)는 클린룸(13)에 존재하는 기계(2)로 공급관(21)을 통해 필요한 뢴트겐 방사선이 공급될 수 있는 길이를 갖는다. 방사선 안내부(9)는 직선으로 연장되어 있기 때문에 기계(2)가 클린룸(13) 내 일렬로 소정의 간격으로 나란히 배치되어 있는 것이 유리하다. 이 경우, 공급관(21)에 의해 상기 기계에 방사선을 공급하는 것이 단순화될 수 있다.
방사선 안내부(9)는 하부층(20)이 또 다른 용도로 최적으로 활용될 수 있도록 상기 하부층에 위치해 있는 것이 유리하다. 이러한 이유로 방사선 안내부(9)는 제작 건물동(1)의 좁은 측면에 가까이 연결된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 방사선 안내부(9) 좌측 옆의 영역은 다른 용도로 충분히 활용될 수 있다.
도 3에 따른 실시형태에 있어서, 방사선 안내부(9)는 하부층(18)으로 안내된다. 상기 하부층에서 방사선 안내부(9)는 도 2에 따른 하부층(20)에서와 같이 동일한 방법으로 위치될 수 있다. 방사선 안내부(9)는 리소그래피 기계(2)까지 더 짧은 거리를 갖기 때문에 이에 상응하게 공급관(21)도 더 짧게 구성될 수 있다. 이는 경우에 따라 발생하는 방사선 손실을 적게 유지할 수 있다는 장점이 있다. 나머지 부분에서 도 3에 따른 실시형태는 도 2에 따른 실시예와 동일하게 구성된다.
도 2와 3에 따른 실시형태에서는 제작 건물동(1)에서 공급관(21)은 아래로부터 리소그래피 기계(2)에 도입되는 반면에 도 4에 따른 실시예에서는 뢴트겐 방사선이 위로부터 리소그래피 기계(2)로 공급된다. 방사선 안내부(9)는 리소그래피 기계(2)의 상부 영역에서 클린룸(13)으로 안내되도록 위치되어 있다. FEL 건물동(3)으로부터 도입되는 방사선 안내부(9)는 기계(2) 상부에 직접적으로 제공되지 않고 전술한 실시예에 따라 기계에 측면 방향으로 떨어져 위치되도록 제공되는 것이 유리하다. 이로 인해 기계(2)에 대한 접근이 방해받지 않는다. 공급관(21)은 방사선 안내부(9)로부터 아래쪽으로 비스듬하게 각각의 기계(2)로 분기되어 있다. 공급관(21)은 방사선 관에 대해 수직으로 봤을 때 전술한 실시형태에 따라 방사선 안내부(9)로부터 둔각으로 분기되어 있다(도 4). 방사선 안내부(9)는 클린룸(13)으로 연장되어 있기 때문에 공급관(21)은 짧을 수 있는바, 이는 경우에 따라 발생하는 방사선 손실에 대해 유리한 영향을 미친다.
본 실시형태에서 하부층(18, 20)은 전적으로 또 다른 목적을 위해 제공된다.
나머지 부분에서 본 실시형태는 전술한 실시예와 동일하게 구성된다.
도 5는 FEL 건물동(3)의 방사선 안내부(9)가 제작 건물동(1)로 연결되지 않고 제작 건물동(1)의 하부에 제공될 수 있는 가능성을 보여주고 있다. 방사선 안내부(9)는 토대(12)의 바닥판의 하부에 연장 형성되어 있다. 이 경우, 상기 형성은 제작 건물동(1)과 FEL 건물동(3)을 동시에 건설할 때 장점이 있다. 이때 전술한 실시예는 제작 건물동(1)이 이미 구성되어 있고 이후 그 안에 위치되어 있는 기계(2)에 뢴트겐 방사선을 공급할 필요가 있을 때 장점이 있다.
전술한 실시예와는 달리 방사선 안내부(9)로부터 노광기(2)로 이어져 있는 공급관(21)은 토대(12)를 통해서가 아니라 2개의 하부층(18, 20) 모두를 통해 연장되기 때문에 더 길다. 또한 공급관(21)은 방사선 안내부(9)에 연결되어 있다. 클린룸(13) 및 하부층(18)의 바닥부(10, 19)에는 공급관(21)을 위한 적절한 관통 개구부가 마련되어 있다.
방사선 안내부(9)는 바닥판(12) 아래에 위치되어 있기 때문에 공급관(21)이 기계(2)에 최적으로 안내될 수 있도록 최적으로 위치될 수 있다.
도 7 내지 9를 참조하여 공급관(21)이 클린룸(13)의 바닥부(10)를 관통하는 것에 대해 상세히 설명하기로 한다. 바닥부(10)는 격자 크기로 연결되어 있는 와플 부재(22)에 의해 형성되어 있다. 와플 부재(22)의 전형적인 치수는 7.2 m×7.2 m×1 m이다. 와플 부재(22) 각각은 3개의 절단부(22a, 22b, 22c)로 구성되어 있다. 상기 절단부들은 동일한 치수를 갖는 것이 유리하다. 예를 들면 상기 절단부 각각은 7.2 m의 길이, 2.4 m의 폭과 1 m의 높이를 갖는다.
도 7은 와플 부재(22)로 이루어져 있는 바닥부(10)의 평면도를 도시하고 있다. 예를 들어 와플 부재(22) 각각은 3개의 동일한 크기의 절단부(22a 내지 22c)에 의해 형성되어 있다. 도 7로부터 알 수 있듯이 상기 와플 부재 절단부들은 와플 부재(22)의 내부에 동일하게 형성될 수 있다. 이는 예를 들어 바닥부(10)의 2개의 종방향 열(23, 24)에 있는 경우이다. 바닥부(10)의 중앙 열(25)에는 절단부는 동일하지만 다르게 구성되어 있는 와플 부재(22)가 제공되어 있다.
기본적으로 와플 부재(22)는 단 하나의 절단부로 구성될 수도 있다.
도 8에 따른 와플 부재(22)는 클린룸의 바닥부(10)에 사용되고 공급관(21)은 클린룸을 통과하여 기계(2)에 도달해 있다. 와플 부재(22)는 양측에 동일하게 형성된 절단부(22a, 22c)를 갖고 있고 상기 절단부에는 관통 개구부(26)가 마련되어 있다. 상기 관통 개구부는 서로 나란히 연속하여 열을 지어 배치되어 있다. 클린룸(13)에서 위로부터 아래로 흐르는 청정 공기가 클린룸(13)으로부터 개구부(26)를 통해 아래쪽으로 배출된다. 관통 개구부(26)는 원형의 형태를 갖는 것이 유리하다.
와플 부재(22)의 중앙 절단부(22b)에는 공급관(21)을 위한 통로(27)가 마련되어 있다. 통로(27)는 소정 거리로 나란히 위치하여 있다. 상기 통로는 동일하게 형성되어 있고 각각 직사각형 형태를 갖고 있다. 도시된 실시예에서 와플 부재(22)에 대해 위에서 봤을 때 통로(27)는 그의 종축(28)이 절단부(22b)의 종축(29)에 대해 예각(α)으로 위치되어 있다. 통로(27)의 경사 위치는 공급관(21)이 방사선 안내부(9)에 대해 비스듬한 위치에서 통로(27)를 통해 확실하게 안내될 수 있도록 제공되어 있다. 도 9에 도시되어 있는 바와 같이, 공급관(21)은 종축(29)이 포함된 절단부(22b)의 종방향 중앙면(30)에 대해 소정 각(β)으로 위치하여 있다. 도 8에서 통로(27)가 연장 형성되어 있는 공급관(21) 중 하나가 파선으로 표시되어 있다. 와플 부재(22)에 대해 위에서 봤을 때 공급관(21)은 통로(27)의 종방향 측면에 평행하게 연장 형성되어 있다.
통로(27)는 청정 공기가 통로(27)를 통해 공급관(21)에 아래쪽으로 관통하여 흐를 수 있게 하는 단면 형태를 갖고 있다. 이때 통로(27)의 단면은 중앙 절단부(22b)에 위치한 통로 전체가 절단부(22a 또는 22c)에 있는 관통 개구부(26)를 통해 흐르는 양과 동일한 공기량을 흐르게 할 수 있는 크기인 것이 유리하다.
게다가 와플 부재(22)는 통로(27)가 있음에도 불구하고 와플 부재(22)의 강도가 내진동성과 응력 용량과 관련한 요건을 충족하도록 구성된다.
방사선 안내부(9)가 진공관인 것과 마찬가지로 공급관(21)은 적절한 방법으로 와플 부재(22)에 체결되어 와플 부재(22) 또는 클린룸(13)의 바닥부(10)로부터 진동이 공급관(21)에 도달하지 않게 한다. 그 결과, 요구되는 정밀도로 기계(2)에서 노광이 이루어지도록 한다.
도 7로부터 알 수 있듯이, 클린룸(13)의 바닥부(10)에 있는 통로(27)는 공급관(21)이 하부층(18)으로부터 안내되는 위치에만 제공된다.
기본적으로 개별 절단부(22a 내지 22c)는 별도의 부분으로서 사용될 가능성이 있는바, 이를 통해 클린룸 바닥부(10)를 마련할 때 변동성이 높아진다. 이 경우, 공급관(21)을 위한 통로(27)가 마련된 절단부(22b)는 클린룸 바닥부(10) 내부에 각각 원하는 위치에 배치될 수 있다.
와플 부재(22) 또는 그의 개별 절단부들은 공지의 방법으로 서로 연결되어 관통 개구부(26)와 통로(27)를 통해서만 청정 공기가 클린룸(13)으로부터 아래쪽으로 배출될 수 있다.

Claims (19)

  1. 반도체 웨이퍼 위에 집적회로를 형성하기 위한 제조 설비로서, 제작 건물동(1) 안에 수용되어 있는 웨이퍼의 노광을 위한 적어도 하나의 리소그래피 기계에 공급되는 EUV 방사선을 발생시키는 적어도 하나의 방사선 발생기를 구비하되, 상기 방사선 발생기가 제작 건물동(1)으로부터 분리된 건물동(3) 또는 건물동 일부에 수용되어 있고, 건물동(3) 또는 건물 일부로부터 EUV 방사선이 적어도 하나의 방사선 안내부(9)를 통해 제작 건물동(1)으로 공급되며, 방사선 안내부(9)로부터 둔각으로 적어도 하나의 공급관(21)이 제작 건물동(1)의 영역으로 분기되어 있고, 상기 공급관을 통해 EUV 방사선의 적어도 일부가 리소그래피 기계(2)에 공급되는 것을 특징으로 하는 설비.
  2. 제1항에 있어서, 리소그래피 기계(2)가 제작 건물동(1)의 클린룸(13)에 수용되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 방사선 안내부(9)가 제작 건물동(1) 내 리소그래피 기계(2)의 하부 영역으로 연장 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선 안내부(9)가 제작 건물동(1)의 토대(12)의 하부에 연장 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선 안내부(9)가 클린룸(13)의 하부 또는 상부의 층(18, 20)에 연장 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 방사선 안내부(9)가 제작 건물동(1)의 직원 출입 구역(5)에 도입되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  7. 제6항에 있어서, 직원 출입 구역(5)에 대향 위치해 있는 제작 건물동(1)의 측면에 물질 취급 구역(4)이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 공급관(21)이 클린룸(13)의 구멍이 형성되어 있는 바닥부(10)로 통로(27)를 통해 연장 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  9. 제8항에 있어서, 클린룸(13)의 구멍이 형성된 바닥부(10)가 와플 부재(22)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 설비.
  10. 제9항에 있어서, 와플 부재(22)가 공급관(21)을 위한 적어도 하나, 바람직하게는 여러 개의 통로(27)를 갖는 것을 특징으로 하는 설비.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 통로(27)가 직사각형 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 설비.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 와플 부재(22)가 사각형 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 설비.
  13. 제12항에 있어서, 통로(27)가 와플 부재(22)의 중앙면(30)에 대해 비스듬하게 예각(α)으로 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  14. 제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 공급관(21)이 와플 부재(22)의 중앙면(30)에 대해 예각(β)으로 통로(27)를 통해 연장 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 설비.
  15. 적어도 하나의 통로를 가진 특히 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 제조 설비용 와플 부재로서, 통로(27)가 직사각형 형태를 갖고 와플 부재(22)를 위에서 봤을 때 와플 부재(22)의 중앙면(30)과 예각(α)을 형성하는 것을 특징으로 하는 와플 부재.
  16. 제15항에 있어서, 통로(27)가 와플 부재(22) 내 중앙에 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 와플 부재.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 와플 부재(22)가 적어도 2개의 나란히 위치해 있는 절단부(22a 내지 22c)를 포함하고, 이들 절단부 중 하나의 절단부(22b)는 공급관(21)을 위한 통로(27)를 갖고 다른 절단부(22a, 22b)는 청정 공기를 위한 관통 개구부(26)를 갖는 것을 특징으로 하는 와플 부재.
  18. 제17항에 있어서, 절단부들(22a 내지 22c)이 동일한 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 와플 부재.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서, 절단부들(22a 내지 22c)이 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 와플 부재.
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