KR20170028000A - Display device and driving method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 표시장치 및 이의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a driving method thereof.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 및 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.As the information technology is developed, the market of display devices, which is a connection medium between users and information, is getting larger. Accordingly, the use of display devices such as an organic light emitting display (OLED), a liquid crystal display (LCD), and a plasma display panel (PDP) is increasing.
앞서 설명한 표시장치 중 일부 예컨대, 액정표시장치나 유기전계발광표시장치에는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시패널과 표시패널을 구동하는 구동부가 포함된다. 구동부에는 표시패널에 게이트신호(또는 스캔신호)를 공급하는 게이트 구동부 및 표시패널에 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부 등이 포함된다.Some of the above-described display devices, for example, a liquid crystal display device and an organic light emitting display device, include a display panel including a plurality of sub-pixels arranged in a matrix form and a driver for driving the display panel. The driver includes a gate driver for supplying a gate signal (or a scan signal) to the display panel, and a data driver for supplying a data signal to the display panel.
위와 같은 표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 서브 픽셀들에 게이트신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다.When a gate signal, a data signal, or the like is supplied to the subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixel emits light so that an image can be displayed.
게이트 구동부는 박막 트랜지스터 공정과 함께 이루어지는 게이트인패널(Gate In Panel; GIP) 방식으로 표시패널 내에 형성된다. 게이트 구동부는 박막 트랜지스터를 포함한다. 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터는 표시패널의 환경과 구동 시간에 비례하여 열화(threshold voltage 상승)가 진행되므로, 표시장치의 구동 신뢰성과 수명을 연장하기 위해서는 열화에 대한 보상이 필요하다.The gate driver is formed in the display panel by a gate in panel (GIP) method which is combined with a thin film transistor process. The gate driver includes a thin film transistor. Since the threshold voltage of the thin film transistor constituting the gate driver progresses in proportion to the environment of the display panel and the driving time, threshold voltage compensation is required to extend driving reliability and lifetime of the display device.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 게이트 구동부 구동 환경과 구동 시간에 비례하여 열화를 보상하여 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 구동 신뢰성과 수명을 연장하고, 박막 트랜지스터의 열화에 따른 불량을 개선하는 것이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving a thin film transistor, the method comprising: .
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 표시패널, 게이트 구동부, 전원 공급부 및 열화 보상 회로부를 포함하는 표시장치를 제공한다. 표시패널은 영상을 표시한다. 게이트 구동부는 표시패널의 비표시영역에 위치한다. 전원 공급부는 게이트 구동부에 게이트전압을 제공한다. 열화 보상 회로부는 게이트 구동부로부터 출력된 게이트신호를 센싱하고 센싱된 게이트신호를 기반으로 게이트전압을 보상하기 위한 보상신호를 출력한다.According to the present invention, there is provided a display device including a display panel, a gate driver, a power supply, and a deterioration compensation circuit. The display panel displays the image. The gate driver is located in the non-display area of the display panel. The power supply unit supplies a gate voltage to the gate driver. The deterioration compensation circuit part senses the gate signal outputted from the gate driver and outputs a compensation signal for compensating the gate voltage based on the sensed gate signal.
열화 보상 회로부는 센싱된 게이트신호와 내부 기준전압을 비교한 결과 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화로 판단되면 게이트전압을 가변하기 위한 보상신호를 출력할 수 있다.The deterioration compensation circuit part can output a compensation signal for varying the gate voltage when it is determined that deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver is a result of comparing the sensed gate signal and the internal reference voltage.
전원 공급부는 보상신호에 대응하여 게이트하이전압과 게이트로우전압 중 선택된 하나 또는 둘의 레벨을 가변할 수 있다.The power supply unit may vary the level of the selected one or both of the gate high voltage and the gate low voltage in response to the compensation signal.
전원 공급부는 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화에 대응하여 게이트하이전압을 증가시킬 수 있다.The power supply part can increase the gate high voltage in response to deterioration of the thin film transistor constituting the gate driving part.
열화 보상 회로부는 센싱된 게이트신호와 내부 기준전압을 비교하는 센싱 회로부와, 센싱 회로부로부터 출력된 차신호값을 기반으로 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화 정도를 파악하고 열화를 보상하기 위한 보상신호를 전원 공급부에 전달하는 보상 신호 생성부를 포함할 수 있다.The deterioration compensating circuit part includes a sensing circuit part for comparing the sensed gate signal and an internal reference voltage, a compensating circuit for determining a degradation degree of the thin film transistor constituting the gate driving part based on the difference signal value outputted from the sensing circuit part, To the power supply unit.
게이트 구동부는 더미 게이트 구동부를 더 포함하고, 열화 보상 회로부는 더미 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 피드백라인을 통해 더미 게이트신호를 센싱할 수 있다.The gate driving unit may further include a dummy gate driving unit, and the deterioration compensation circuit unit may sense the dummy gate signal through a feedback line connected to an output terminal of the dummy gate driving unit.
전원 공급부는 열화 보상 회로부와, 표시패널의 좌측에 위치하는 더미 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 좌측 피드백라인과, 표시패널의 우측에 위치하는 더미 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 우측 피드백라인을 포함할 수 있다.The power supply section may include a deterioration compensation circuit section, a left feedback line connected to the output terminal of the dummy gate driving section located on the left side of the display panel, and a right feedback line connected to the output terminal of the dummy gate driving section located on the right side of the display panel have.
다른 측면에서 본 발명은 표시장치의 구동방법을 제공한다. 표시장치의 구동방법은 표시패널에 데이터신호를 공급하는 단계; 표시패널에 게이트신호를 공급하는 단계; 및 게이트신호를 센싱하고, 센싱된 게이트신호를 기반으로 게이트전압을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.In another aspect, the present invention provides a method of driving a display device. A method of driving a display device includes: supplying a data signal to a display panel; Supplying a gate signal to the display panel; And sensing the gate signal and compensating for the gate voltage based on the sensed gate signal.
게이트전압을 보상하는 단계는 센싱된 게이트신호와 내부 기준전압을 비교한 결과 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화로 판단되면 게이트전압을 가변할 수 있다.The step of compensating the gate voltage may vary the gate voltage when it is determined that the deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver results from comparing the sensed gate signal with the internal reference voltage.
게이트전압을 보상하는 단계는 게이트하이전압과 게이트로우전압 중 선택된 하나 또는 둘의 레벨을 가변할 수 있다.The step of compensating the gate voltage may vary the level of the selected one or both of the gate high voltage and the gate low voltage.
본 발명은 게이트 구동부 구동 환경과 구동 시간에 비례하여 열화를 보상할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 구동 신뢰성과 수명을 연장하고, 박막 트랜지스터의 열화에 따른 불량을 개선할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 박막 트랜지스터의 열화 정도에 따라 게이트전압을 증가시키므로, 고정된 게이트전압을 사용하는 종래 방식 대비 신뢰성 마진(MARGIN)의 부족한 상황을 탈피하여 추가 신뢰성 확보가 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명은 픽셀 충전전압 드랍 등의 영향을 최소화하면서도 게이트 구동부의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of compensating deterioration in proportion to the driving environment and driving time of the gate driver. Further, the present invention has the effect of extending the driving reliability and lifetime of the thin film transistor constituting the gate driver, and improving the defect caused by deterioration of the thin film transistor. Further, since the gate voltage is increased according to the degree of deterioration of the thin film transistor, the present invention is advantageous in that additional reliability can be secured by avoiding a situation where the reliability margin is insufficient as compared with the conventional method using a fixed gate voltage. In addition, the present invention has the effect of extending the lifetime of the gate driver while minimizing the influence of the drop of the pixel charge voltage and the like.
도 1은 표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 구성 예시도.
도 3은 게이트 구동부로부터 출력된 게이트신호의 파형 예시도.
도 4 및 도 5는 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터의 문턱전압 이동 특성을 설명하기 위한 도면들.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 주요 구성 블록도.
도 7은 게이트 구동부와 더미 게이트 구동부를 개략적으로 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 보상 개념을 설명하기 위한 파형도.
도 9는 열화 보상 회로부의 개략적인 회로 구성 예시도.
도 10은 열화 보상 회로부를 갖는 전원 공급부의 개략적인 회로 구성 예시도.
도 11은 도 10을 기반으로 구성한 표시장치 모듈의 예시도.1 is a schematic block diagram of a display device;
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of a subpixel shown in FIG. 1; FIG.
3 is an exemplary diagram showing a waveform of a gate signal output from the gate driver;
FIGS. 4 and 5 are views for explaining the threshold voltage transfer characteristic of the thin film transistor included in the gate driver; FIG.
6 is a block diagram of a main configuration of a display device according to an embodiment of the present invention;
7 is a schematic view of a gate driver and a dummy gate driver;
8 is a waveform diagram for explaining a compensation concept according to an embodiment of the present invention;
Fig. 9 is a schematic circuit configuration example of the deterioration compensating circuit; Fig.
10 is a schematic circuit configuration example of a power supply unit having a deterioration compensation circuit unit;
FIG. 11 is an exemplary view of a display device module constructed based on FIG. 10; FIG.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 표시장치는 텔레비젼, 셋톱박스, 네비게이션, 영상 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈시어터, 웨어러블 기기(예: 스마트워치) 및 스마트폰(모바일폰) 등으로 구현된다. 표시장치의 표시패널은 액정표시패널, 유기발광표시패널, 전기영동표시패널 등이 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The display device according to the present invention is implemented as a television, a set-top box, a navigation device, a video player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater, a wearable device (such as a smart watch) and a smart phone (mobile phone). The display panel of the display device may be a liquid crystal display panel, an organic light emitting display panel, an electrophoretic display panel, or the like, but is not limited thereto.
도 1은 표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 구성 예시도이며, 도 3은 게이트 구동부로부터 출력된 게이트신호의 파형 예시도이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of a display device, FIG. 2 is a configuration example of a subpixel shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an exemplary waveform diagram of a gate signal outputted from a gate driver.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 표시장치에는 표시패널(100), 타이밍 제어부(110), 데이터 구동부(120), 전원 공급부(130), 게이트 구동부(140L, 140R) 및 열화 보상 회로부(150)가 포함된다.1 to 3, the display device includes a
표시패널(100)에는 상호 교차하는 데이터 라인들(DL) 및 게이트 라인들(GL)에 구분되어 연결된 서브 픽셀들이 포함된다. 표시패널(100)은 서브 픽셀들이 형성되는 표시영역(AA)과 표시영역(AA)의 외측으로 각종 신호라인들이나 패드 등이 형성되는 비표시영역(LNA, RNA)을 포함한다.The
하나의 서브 픽셀(SP)에는 제1게이트 라인(GL1)과 제1데이터 라인(DL1)에 연결된 스위칭 트랜지스터(SW)와 스위칭 트랜지스터(SW)를 통해 공급된 게이트신호(또는 스캔신호)에 대응하여 공급된 데이터신호(DATA)에 대응하여 동작하는 픽셀회로(PC)가 포함된다. 표시패널(100)은 서브 픽셀(SP)의 픽셀회로(PC)의 구성에 따라 액정표시패널, 유기발광표시패널, 전기영동표시패널 등으로 구현될 수 있다.One subpixel SP corresponds to the gate signal (or scan signal) supplied through the switching transistor SW and the switching transistor SW connected to the first gate line GL1 and the first data line DL1 And a pixel circuit (PC) that operates in response to the supplied data signal (DATA). The
표시패널(100)이 액정표시패널로 구성된 경우, 이는 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, IPS(In Plane Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드 또는 ECB(Electrically Controlled Birefringence) 모드로 구현된다. 표시패널(100)이 유기발광표시패널로 구성된 경우, 이는 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 구현된다.When the
타이밍 제어부(110)는 영상보드에 연결된 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로 등을 통해 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 도트 클럭 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(110)는 입력된 타이밍신호를 기준으로 데이터 구동부(120)와 게이트 구동부(140L, 140R)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다.The
데이터 구동부(120)는 다수의 소스 드라이브 IC(Integrated Circuit)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들은 타이밍 제어부(110)로부터 데이터신호(DATA)와 소스 타이밍 제어신호(DDC)를 공급받는다. 소스 드라이브 IC들은 소스 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터신호(DATA)를 디지털신호에서 아날로그신호로 변환하고, 이를 표시패널(100)의 데이터 라인들(DL)을 통해 공급한다. 소스 드라이브 IC들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 표시패널(100)의 데이터 라인들(DL)에 접속된다.The
전원 공급부(130)는 IC 형태로 표시패널(100)에 접속되는 외부 기판에 형성된다. 전원 공급부(130)는 타이밍 제어부(110)의 제어하에 동작할 수 있다. 전원 공급부(130)는 게이트하이전압(VGH) 및 게이트로우전압(VGL)의 레벨을 시프팅한 후 시프트 레지스터부에 공급한다. 한편, 전원 공급부(130)는 표시장치의 구성 또는 크기에 따라 게이트하이전압(VGH) 및 게이트로우전압(VGL)을 출력하는 부분만 레벨 시프터부(미도시)에 포함되어 별도의 IC 형태로 구성될 수도 있다.The
게이트 구동부(140L, 140R)는 시프트 레지스터부를 포함한다. 게이트 구동부(140L, 140R)를 구성하는 시프트 레지스터부는 표시패널(100)의 비표시영역(LNA, RNA) 상에 게이트인패널(Gate In Panel; 이하 GIP) 방식으로 형성된다.The
시프트 레지스터부는 표시패널(100)의 비표시영역(LNA, RNA)의 좌우측 상에 박막 트랜지스터 형태로 형성될 수 있다. 시프트 레지스터부는 전원 공급부(130)로부터 공급된 게이트하이전압(VGH) 및 게이트로우전압(VGL)을 게이트신호로 변경하여 순차적으로 출력할 수 있는 스테이지 형태로 구성된다.The shift register unit may be formed on the left and right sides of the non-display area (LNA, RNA) of the
시프트 레지스터부를 구성하는 스테이지 회로부들(미도시)은 출력단자들을 통해 게이트신호들(GL1 ~ GLn)을 순차적으로 출력한다. 게이트신호들은 게이트하이전압(VGH)에 해당하는 레벨과 게이트로우전압(VGL)에 해당하는 레벨로 이루어진다. 게이트하이전압(VGH)은 표시패널의 서브 픽셀(SP)의 스위칭 트랜지스터를 턴온하는 신호로 사용된다. 반면, 게이트로우전압(VGL)은 표시패널의 서브 픽셀(SP)의 스위칭 트랜지스터를 턴오프하는 신호로 사용된다.The stage circuit units (not shown) constituting the shift register unit sequentially output the gate signals GL1 to GLn through the output terminals. The gate signals consist of a level corresponding to the gate high voltage VGH and a level corresponding to the gate low voltage VGL. The gate high voltage VGH is used as a signal to turn on the switching transistor of the subpixel SP of the display panel. On the other hand, the gate-low voltage VGL is used as a signal to turn off the switching transistor of the sub-pixel SP of the display panel.
도 3에서는 제1게이트신호(GL1)와 제2게이트신호(GL2) 간에 게이트하이전압(VGH)이 중첩하지 않는 것을 일례로 하였지만 이는 표시패널(100)의 구동 특성에 따라 중첩될 수도 있다. 또한, 게이트신호들(GL1 ~ GLn)은 도 3에 도시된 형태 외에 다른 형태로 이루어질 수도 있다.In FIG. 3, the gate high voltage VGH does not overlap the first gate signal GL1 and the second gate signal GL2. However, the gate high voltage VGH may be superimposed according to the driving characteristics of the
앞서 설명하였듯이, 게이트 구동부(140L, 140R)는 다수의 박막 트랜지스터를 포함한다. 게이트 구동부(140L, 140R)를 구성하는 박막 트랜지스터는 표시패널(100)의 환경과 구동 시간에 비례하여 열화(threshold voltage 상승)가 진행된다. 그러므로 표시장치의 구동 신뢰성과 수명을 연장하기 위해서는 열화에 대한 보상이 필요하다.As described above, the
열화 보상 회로부(150)는 게이트 구동부(140L, 140R)를 구성하는 박막 트랜지스터의 구동 신뢰성과 수명을 연장하기 위한 센싱 동작을 수행하는 회로이다. 열화 보상 회로부(150)에 대한 설명은 이하에서 더욱 자세히 다룬다.The deterioration
이하, 구동 시간 및 환경(예: 온도)에 따른 게이트 구동부(140L, 140R)의 열화와 관련하여 설명한다.Hereinafter, deterioration of the
도 4 및 도 5는 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터의 문턱전압 이동 특성을 설명하기 위한 도면들이다.4 and 5 are views for explaining the threshold voltage transfer characteristics of the thin film transistor included in the gate driver.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터의 문턱전압(Vth)은 구동 시간 및 환경(예: 온도)에 대하여 지수적인 관계에 있다. 따라서, 구동 시간이 장기화되거나 온도가 높아질수록 문턱전압이 변화한다. 즉, 트랜지스터의 신뢰성과 관계되는 주요 인자는 구동 시간과 온도의 변화이다.As shown in FIGS. 4 and 5, the threshold voltage Vth of the thin film transistor included in the gate driver is in an exponential relationship with respect to the driving time and the environment (for example, temperature). Therefore, the threshold voltage changes as the driving time is prolonged or the temperature is increased. That is, the main factors related to the reliability of the transistor are the driving time and the temperature change.
게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터는 이와 같은 특성이 있기 때문에 구동 시간(도 4 참조)이 장기화됨에 따라 문턱전압(Vth)이 포지티브(X2 방향) 또는 네거티브(X1) 방향으로 이동(Postive/Negative Shift)하게 된다. 그리고 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터는 이와 같은 특성이 있기 때문에 온도(도 5 참조)가 높아짐에 따라 문턱전압(Vth)이 달라진다. 이와 같은 특성 때문에, 설정된 전압보다 문턱전압이 높아지게 되면, 표시장치의 게이트 구동부는 수명은 다하게 된다.Since the thin film transistor included in the gate driving unit has such a characteristic, the threshold voltage Vth shifts (Positive / Negative Shift) in the positive (X2 direction) or negative (X1) direction as the driving time . Since the thin film transistor included in the gate driver has such a characteristic, the threshold voltage (Vth) changes as the temperature (see FIG. 5) increases. Because of this characteristic, when the threshold voltage is higher than the set voltage, the gate drive unit of the display device has a short life.
위와 같은 문제를 해결하고자 다양한 실험을 실시 해 보았다. 예컨대, 게이트 구동부에 미리 높은 전압을 인가해 본 결과, 픽셀 충전전압 드랍양(ΔVp)이 높아지는 현상이 관측되었다. 픽셀 충전전압 드랍양(ΔVp)은 게이트전압에 비례하여 커지기 때문에 게이트전압을 높이게 되면 이 양이 커지게 되는 것으로 나타났다.Various experiments were conducted to solve the above problems. For example, as a result of applying a high voltage to the gate driver in advance, a phenomenon that the pixel charge voltage drop amount? Vp becomes high has been observed. Since the pixel charge voltage drop amount (DELTA Vp) increases in proportion to the gate voltage, this amount is increased when the gate voltage is increased.
그리고 이를 액정표시장치에 적용한 결과 액정에 비대칭적인 직류(DC) 전압이 쌓이게 되어 얼룩계 불량과 기타 신뢰성 불량이 야기됨을 확인하였다. 즉, 실험을 통해 게이트 구동부의 박막 트랜지스터에 처음부터 높은 전압이 인가될수록 열화되는 속도가 가속화되어 신뢰성에 좋지 않은 영향이 있음을 알게 되었다.As a result, it is confirmed that asymmetrical DC voltage is accumulated in the liquid crystal, resulting in defects such as unevenness in the alignment and other defective reliability. In other words, it has been found through experiments that as the high voltage is applied to the thin film transistor of the gate driving part from the beginning, the deterioration speed is accelerated and the reliability is badly influenced.
이후 다른 실험을 지속한 결과, 하기의 실시예를 적용하면 실시간(또는 실시간에 가깝게)으로 게이트 구동부에 포함된 박막 트랜지스터의 특성(문턱전압 등)을 센싱하고 보상할 수 있는 것으로 확인되었다.As a result of continuing other experiments, it has been confirmed that the characteristics (threshold voltage, etc.) of the thin film transistor included in the gate driver can be sensed and compensated in real time (or close to real time) by applying the following embodiments.
설명을 덧붙이면, 하기에서 설명되는 실시예는 열화 보상 회로부로 피드백된 전압이 내부에 설정된 기준전압(또는 한계값)을 벗어날 시 게이트 구동부로부터 출력되는 게이트전압의 레벨을 가변한다. 즉, 실시예는 정상적인 게이트신호(또는 클록신호)의 파형이 출력되지 않으면 게이트전압을 보상하기 위해 게이트전압의 레벨을 가변한다.In addition, the embodiment described below varies the level of the gate voltage output from the gate driver when the voltage fed back to the deterioration compensation circuitry exceeds the reference voltage (or threshold value) set therein. That is, the embodiment varies the level of the gate voltage to compensate the gate voltage if the waveform of the normal gate signal (or clock signal) is not output.
실시예는 고정된 게이트전압을 사용하는 종래 방식 대비 신뢰성 마진(MARGIN)의 부족한 상황을 탈피하여 추가 신뢰성 확보가 가능한 것으로 나타났다. 또한, 실시예는 픽셀 충전전압 드랍 등의 영향을 최소화하면서도 게이트 구동부의 수명을 연장할 수 있는 것으로 나타났다.The embodiment has been shown to be capable of securing additional reliability by avoiding the shortage of the reliability margin (MARGIN) compared with the conventional method using the fixed gate voltage. In addition, the embodiment shows that the lifetime of the gate driver can be extended while minimizing the influence of the drop of the pixel charge voltage and the like.
이하, 본 발명의 실시예를 더욱 자세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 주요 구성 블록도이고, 도 7은 게이트 구동부와 더미 게이트 구동부를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 보상 개념을 설명하기 위한 파형도이다.FIG. 6 is a block diagram of a main part of a display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a schematic view of a gate driver and a dummy gate driver, and FIG. 8 is a diagram illustrating a concept of compensation according to an embodiment of the present invention Fig.
도 6에 도시된 바와 같이, 열화 보상 회로부(150)는 게이트 구동부(140)의 출력단자에 연결된 피드백라인(FB)을 갖는다. 열화 보상 회로부(150)는 피드백라인(FB)을 통해 게이트 구동부(140)의 출력단자를 통해 출력된 게이트신호(Vgout)를 피드백 받는다.6, the deterioration
열화 보상 회로부(150)는 피드백 받은 게이트신호(Vgout)를 기반으로 게이트 구동부(140)를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화 정도를 파악하고 이를 보상할 수 있는 보상신호(PCS)를 출력한다.The deterioration
전원 공급부(130)는 열화 보상 회로부(150)로부터 출력된 보상신호(PCS)를 기반으로 게이트하이전압(VGH) 및 게이트로우전압(VGL) 중 하나 또는 둘을 보상하여 출력한다. 전원 공급부(130)는 보상신호(PCS)를 분석하고 게이트하이전압(VGH) 또는 게이트로우전압(VGL)에 대한 보상이 필요하다고 판단되는 경우 이들의 레벨을 가변한다.The
위의 설명을 통해 알 수 있듯이, 열화 보상 회로부(150)는 게이트 구동부(140)를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화에 따른 불량을 개선하기 위해 게이트 구동부(140)의 출력단자를 통해 출력되는 게이트신호(Vgout)의 전압을 가변한다.The deterioration
한편, 게이트 구동부(140)의 출력단자를 통해 출력된 게이트신호(Vgout)는 표시장치의 구동 안정성과 신뢰성을 높이기 위해 안정적인 레벨을 유지하는 것이 좋다. 그 이유는 열화 보상 회로부(150)가 게이트 구동부(140)의 출력단자를 통해 출력된 게이트신호(Vgout)를 피드백 받을 경우 게이트신호(Vgout)의 전압 다운이 유발될 수 있다. 이 경우, 게이트신호(Vgout)의 전압 다운(레벨 다운) 등으로 인하여 해당 라인의 표시품질이 저하될 수 있기 때문에 표시장치의 구동 안정성과 신뢰성 저하가 야기될 수 있다.Meanwhile, the gate signal Vgout output through the output terminal of the
따라서, 이하에서는 열화 보상 회로부(150)와 게이트 구동부(140) 간의 회로 구성을 다음과 같이 변경한다.Therefore, the circuit configuration between the deterioration
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 표시패널(100)을 구동하기 위한 게이트 구동부(140A) 외에 더미 게이트 구동부(140D)를 더 형성한다. 이로 인하여, 좌측 및 우측 게이트 구동부는 표시패널(100)을 구동하기 위한 게이트 구동부(140A)와 더미 게이트 구동부(140D)를 포함하게 된다. 도 7에서는 좌측 게이트 구동부에 포함된 게이트 구동부(140A)와 더미 게이트 구동부(140D)를 도시한 것임을 참조한다.As shown in FIG. 7, in the embodiment of the present invention, a
게이트 구동부(140A)로부터 출력된 게이트신호(Vgout)는 표시패널(100)의 표시영역(AA)에 형성된 서브 픽셀들에 공급한다. 반면, 더미 게이트 구동부(140D)로부터 출력된 더미 게이트신호(DVgout)는 열화 보상 회로부로 피드백된다.The gate signal Vgout output from the
도 7에 도시되어 있진 않지만 도 6을 참조하여 회로를 구성해보면, 열화 보상 회로부는 더미 게이트 구동부(140D)의 출력단자에 연결된 피드백라인을 갖게 된다. 그리고 열화 보상 회로부는 피드백라인을 통해 더미 게이트 구동부(140D)의 출력단자를 통해 출력된 더미 게이트신호(DVgout)를 피드백 받게 된다.Although not shown in FIG. 7, when the circuit is constructed with reference to FIG. 6, the deterioration compensation circuit portion has a feedback line connected to the output terminal of the
이와 같은 구성에 따라, 열화 보상 회로부는 더미 게이트 구동부(140D)로부터 출력된 더미 게이트신호(DVgout)를 기반으로 게이트 구동부(140A)를 구성하는 박막 트랜지스터에 대한 열화 정도를 파악하게 된다. 열화 보상 회로부는 특히 게이트 구동부(140A)의 Q노드(Q) 및 QB노드(QB)를 관장하는 풀업 및 풀다운 박막 트랜지스터(Tpu, Tpd)에 대한 열화 정도를 파악한다. 이를 위해, 타이밍 제어부는 더미 게이트 구동부(140D) 또한 게이트 구동부(140A)와 동일한 조건으로 동작시키게 된다.According to such a configuration, the deterioration compensation circuit part can grasp the deterioration degree of the thin film transistor constituting the
한편, 표시패널(100)의 서브 픽셀들에 포함된 스위칭 트랜지스터 등은 게이트하이전압에 의해 턴온된다. 만약, 게이트 구동부(140A)의 열화로 인하여 게이트하이전압의 레벨에 문제가 생길 경우 스위칭 트랜지스터 등은 턴온되지 않는다. 따라서, 이하의 설명에서는 게이트하이전압을 보상하는 것을 일례로 설명한다.On the other hand, the switching transistors included in the sub pixels of the
도 8에 도시된 바와 같이, 전원 공급부(130)는 노말 구동시 제1레벨의 게이트하이전압(VGH1)을 출력한다. 그런데 보상신호(PCS)를 분석한 결과 보상이 필요하다고 판단되는 경우 박막 트랜지스터의 열화 정도에 대응하여 제2 내지 제M레벨의 게이트하이전압(VGH2 ~ VGHm)을 출력하게 된다. 예컨대, 전원 공급부(130)는 박막 트랜지스터의 열화 정도에 대응하여 게이트하이전압(VGH)을 단계별로 증가시킬 수 있다.As shown in FIG. 8, the
전원 공급부(130)는 게이트 구동부(140)를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화 정도에 따른 보상 테이블로 이루어진 룩업테이블(LUT)을 가질 수 있다. 이와 같은 경우, 전원 공급부(130)로 보상신호(PCS)가 공급될 때마다 열화 정도에 따른 보상값이 룩업테이블(LUT)을 통해 자동으로 출력된다. 그 결과, 게이트하이전압(VGH)의 레벨은 구동 시간 및 환경에 대응하여 적응적으로 보상(가변)된다.The
이하, 본 발명의 실시예에 따른 회로의 구성에 대한 예를 설명한다.Hereinafter, an example of the configuration of the circuit according to the embodiment of the present invention will be described.
도 9는 열화 보상 회로부의 개략적인 회로 구성 예시도이고, 도 10은 열화 보상 회로부를 갖는 전원 공급부의 개략적인 회로 구성 예시도이다.FIG. 9 is a schematic circuit configuration diagram of a deterioration compensation circuit portion, and FIG. 10 is a schematic circuit configuration diagram of a power supply portion having a deterioration compensation circuit portion.
<제1회로 구성 예시도><First Circuit Configuration Example> FIG.
도 9에 도시된 바와 같이, 열화 보상 회로부(150)에는 센싱 회로부(153)와 보상 신호 생성부(155)가 포함된다. 센싱 회로부(153)는 피드백라인(FB)을 통해 더미 게이트신호를 센싱한다.As shown in FIG. 9, the deterioration
예컨대, 센싱 회로부(153)는 센싱된 더미 게이트신호의 레벨과 내부 기준전압(Vref)을 비교하고 이를 기반으로 더미 게이트신호의 레벨 변화에 따른 차신호값을 출력할 수 있다. 이때, 기준전압(Vref)은 초기 게이트하이전압에 대응되는 전압값으로 설정될 수 있다.For example, the
보상 신호 생성부(155)는 센싱 회로부(153)로부터 전달된 차신호값을 기반으로 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화 정도를 파악하고 이를 보상할 수 있는 보상신호(PCS)를 출력한다. 앞서 설명한 바와 같이, 보상신호(PCS)는 게이트하이전압 또는 게이트로우전압 중 하나 이상을 보상하라는 신호로 구성될 수 있다.The compensation
앞서 설명된 제1회로 구성 방식은 열화 보상 회로부(150)가 별도로 구성된다. 따라서, 열화 보상 회로부(150)로부터 출력된 보상신호(PCS)는 전원 공급부로 전달되고, 전원 공급부는 보상신호(PCS)에 대응하여 게이트하이전압(VGH)을 보상하여 출력하게 된다.In the first circuit construction method described above, the deterioration
<제2회로 구성 예시도>≪ Second Circuit Configuration Example >
도 10에 도시된 바와 같이, 전원 공급부(130)는 게이트전압 생성 회로부(135)와 열화 보상 회로부(150)를 갖는다. 열화 보상 회로부(150)에는 센싱 회로부(153)와 보상 신호 생성부(155)가 포함된다. 센싱 회로부(153)는 피드백라인(FB)을 통해 더미 게이트신호를 센싱한다.As shown in FIG. 10, the
예컨대, 센싱 회로부(153)는 센싱된 더미 게이트신호의 레벨과 내부 기준전압(Vref)을 비교하고 이를 기반으로 더미 게이트신호의 레벨 변화에 따른 차신호값을 출력할 수 있다. 이때, 기준전압(Vref)은 초기 게이트하이전압에 대응되는 전압값으로 설정될 수 있다.For example, the
보상 신호 생성부(155)는 센싱 회로부(153)로부터 전달된 차신호값을 기반으로 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화 정도를 파악하고 이를 보상할 수 있는 보상신호(PCS)를 출력한다.The compensation
게이트전압 생성 회로부(135)는 전압 변경부(135a)와 전압 생성부(135b)를 갖는다. 전압 변경부(135a)는 열화 보상 회로부(150)로부터 출력된 보상신호(PCS)에 대응하여 게이트하이전압의 변경 여부를 결정한다.The gate voltage
전압 변경부(135a)는 보상신호(PCS)를 분석하고, 분석한 결과에 대응하여 전압변경신호를 출력하거나 출력하지 않는다. 전압 변경부(135a)는 보상신호(PCS)를 분석하고, 분석한 결과 게이트하이전압(VGH)에 대한 보상이 필요하다고 판단되는 경우 이들의 레벨을 가변하라는 전압변경신호(VC)를 출력한다.The
전압 생성부(135b)는 게이트하이전압을 생성 및 출력한다. 전압 생성부(135b)는 전압 변경부(135a)로부터 전압변경신호(VC)가 전달되면 게이트하이전압(VGH)에 대한 레벨을 가변한다. 전압 생성부(135b)는 전압변경신호에 대응하여 게이트하이전압(VGH)을 특정 레벨로 승압하여 출력한다.The
앞서 설명된 제2회로 구성 방식은 열화 보상 회로부(150)가 전원 공급부(130) 내에 포함되도록 구성된다. 따라서, 전원 공급부(130)는 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 피드백라인(FB)을 갖게 된다. 그리고 전원 공급부(130)는 보상신호(PCS)에 대응하여 게이트하이전압(VGH)을 보상하게 된다.The second circuit construction method described above is configured such that the deterioration
이상의 설명에 따르면 본 발명에 따른 표시장치는 표시패널에 데이터신호를 공급하고, 표시패널에 게이트신호를 공급하고, 게이트신호를 센싱하고, 센싱된 게이트신호를 기반으로 게이트전압을 보상하는 흐름으로 구동하게 된다.According to the above description, the display device according to the present invention is driven by supplying a data signal to a display panel, supplying a gate signal to the display panel, sensing a gate signal, and compensating a gate voltage based on the sensed gate signal .
이하, 표시장치가 제2회로 구성 방식을 기반으로 모듈 형태로 제작된 예를 설명한다. 다만, 이하에서 설명되는 표시장치는 하나의 예시일 뿐, 구현하고자 하는 장치의 형태에 따라 장치의 구성이나 전기적인 연결관계가 달라질 수 있다.Hereinafter, an example in which the display device is manufactured in a module form based on the second circuit configuration method will be described. However, the display device described below is only one example, and the configuration of the device and the electrical connection relation may be changed depending on the type of the device to be implemented.
도 11은 도 10을 기반으로 구성한 표시장치 모듈의 예시도이다.FIG. 11 is an exemplary view of a display device module based on FIG. 10; FIG.
도 11에 도시된 바와 같이, 표시장치는 표시패널(100), 제1회로기판(FPCB), 제2회로기판(S-PCB) 및 제3회로기판(C-PCB)이 전기적으로 연결됨에 따라 모듈 형태로 제작된다.11, the display device is electrically connected to the
제1회로기판(FPCB)은 연성회로기판으로 선택될 수 있다. 제1회로기판(FPCB)은 표시패널(100)의 일측에 전기적으로 연결된다. 제1회로기판(FPCB) 상에는 데이터 구동부(120)가 실장된다. 데이터 구동부(120)가 실장된 제1회로기판(FPCB)은 다수로 구성될 수 있다. 다만, 제1회로기판(FPCB) 및 데이터 구동부(120)의 개수는 표시장치의 해상도 및 크기에 따라 달라질 수 있다.The first circuit board (FPCB) may be selected as a flexible circuit board. The first circuit board (FPCB) is electrically connected to one side of the display panel (100). The
제2회로기판(S-PCB)은 인쇄회로기판으로 선택될 수 있다. 제2회로기판(S-PCB)은 제1회로기판(FPCB)의 일측에 전기적으로 연결된다. 제2회로기판(S-PCB)은 제1회로기판(FPCB)과 제3회로기판(C-PCB)을 전기적으로 연결하는 역할을 한다.The second circuit board (S-PCB) can be selected as a printed circuit board. The second circuit board (S-PCB) is electrically connected to one side of the first circuit board (FPCB). The second circuit board (S-PCB) electrically connects the first circuit board (FPCB) and the third circuit board (C-PCB).
제3회로기판(C-PCB)은 인쇄회로기판으로 선택될 수 있다. 제3회로기판(C-PCB)은 제2회로기판(S-PCB)의 일측에 전기적으로 연결된다. 제3회로기판(C-PCB)은 케이블(CAB) 등을 통해 제2회로기판(S-PCB)의 일측에 전기적으로 연결될 수 있다. 제3회로기판(C-PCB) 상에는 전원 공급부(130, PMIC)가 실장된다.The third circuit board (C-PCB) can be selected as a printed circuit board. The third circuit board (C-PCB) is electrically connected to one side of the second circuit board (S-PCB). The third circuit board (C-PCB) may be electrically connected to one side of the second circuit board (S-PCB) through a cable (CAB) or the like. A power supply 130 (PMIC) is mounted on the third circuit board (C-PCB).
열화 보상 회로부가 포함된(내재된) 전원 공급부(130)는 더미 게이트 구동부의 출력단자(GIP Dummy 출력)에 연결된 피드백라인(FB)을 갖는다. 피드백라인(FB)은 표시패널(100), 제1회로기판(FPCB), 제2회로기판(S-PCB), 케이블(CAB) 및 제3회로기판(C-PCB) 상에 배선된다.The (internal)
피드백라인(FB)은 표시패널(100)의 좌측에 위치하는 더미 게이트 구동부의 출력단자(GIP Dummy 출력)에 연결된 좌측 피드백라인(140L_FB)과 표시패널(100)의 우측에 위치하는 더미 게이트 구동부의 출력단자(GIP Dummy 출력)에 연결된 우측 피드백라인(140R_FB)을 포함할 수 있다. 즉, 피드백라인(FB)은 표시패널(100)의 좌우측으로부터 출력된 더미 게이트신호를 열화 보상 회로부가 포함된 전원 공급부(130)에 전달할 수 있다.The feedback line FB is connected to the left feedback line 140L_FB connected to the output terminal (GIP Dummy output) of the dummy gate driving unit located on the left side of the
열화 보상 회로부가 포함된 전원 공급부(130)는 피드백라인(FB)을 통해 전달된 더미 게이트신호를 기반으로 게이트하이전압(VGH)을 보상할 수 있다. 한편, 위의 설명에서는 게이트하이전압(VGH)을 보상하는 것을 일례로 하였다. 그러나 앞서 설명한 바와 같이, 열화 보상 회로부가 포함된 전원 공급부(130)는 게이트하이전압 또는 게이트로우전압 중 하나 이상을 보상할 수 있다.The
아울러, 위의 설명에서는 열화 보상 회로부가 포함된 전원 공급부(130)가 제3회로기판(C-PCB) 상에 실장된 것을 일례로 하였다. 그러나 열화 보상 회로부가 포함된 전원 공급부(130)는 제1회로기판(FPCB)이나 제2회로기판(S-PCB) 등에 실장될 수 있다.In addition, in the above description, the
그리고 위의 설명에서는 열화 보상 회로부가 더미 게이트 구동부로부터 출력된 더미 게이트신호를 기반으로 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화를 보상하는 것을 일례로 한다. 그러나 열화 보상 회로부는 더미 형태가 아닌 게이트 구동부의 출력단자를 통해 출력된 게이트신호를 기반으로 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화를 보상할 수도 있다.In the above description, the degradation compensation circuit part compensates for the deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver based on the dummy gate signal output from the dummy gate driver. However, the deterioration compensation circuit part may compensate the deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver based on the gate signal outputted through the output terminal of the gate driver, not the dummy type.
이상 본 발명은 게이트 구동부 구동 환경과 구동 시간에 비례하여 열화를 보상할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 구동 신뢰성과 수명을 연장하고, 박막 트랜지스터의 열화에 따른 불량을 개선할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 박막 트랜지스터의 열화 정도에 따라 게이트전압을 증가시키므로, 고정된 게이트전압을 사용하는 종래 방식 대비 신뢰성 마진(MARGIN)의 부족한 상황을 탈피하여 추가 신뢰성 확보가 가능한 효과가 있다. 또한, 본 발명은 픽셀 충전전압 드랍 등의 영향을 최소화하면서도 게이트 구동부의 수명을 연장할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of compensating the deterioration in proportion to the driving environment and driving time of the gate driver. Further, the present invention has the effect of extending the driving reliability and lifetime of the thin film transistor constituting the gate driver, and improving the defect caused by deterioration of the thin film transistor. Further, since the gate voltage is increased according to the degree of deterioration of the thin film transistor, the present invention is advantageous in that additional reliability can be secured by avoiding a situation where the reliability margin is insufficient as compared with the conventional method using a fixed gate voltage. In addition, the present invention has the effect of extending the lifetime of the gate driver while minimizing the influence of the drop of the pixel charge voltage and the like.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
100: 표시패널
110: 타이밍 제어부
120: 데이터 구동부
130: 전원 공급부
140L, 140R: 게이트 구동부
150: 열화 보상 회로부
153: 센싱 회로부
155: 보상 신호 생성부
FB: 피드백라인
PCS: 보상신호100: display panel 110: timing controller
120: Data driver 130: Power supply
140L, 140R: gate driver 150: deterioration compensation circuit part
153: sensing circuit unit 155: compensation signal generating unit
FB: feedback line PCS: compensation signal
Claims (10)
상기 표시패널의 비표시영역에 위치하는 게이트 구동부;
상기 게이트 구동부에 게이트전압을 제공하는 전원 공급부; 및
상기 게이트 구동부로부터 출력된 게이트신호를 센싱하고 센싱된 게이트신호를 기반으로 상기 게이트전압을 보상하기 위한 보상신호를 출력하는 열화 보상 회로부를 포함하는 표시장치.A display panel for displaying an image;
A gate driver positioned in a non-display area of the display panel;
A power supply for supplying a gate voltage to the gate driver; And
And a deterioration compensation circuit for sensing the gate signal output from the gate driver and outputting a compensation signal for compensating the gate voltage based on the sensed gate signal.
상기 열화 보상 회로부는
상기 센싱된 게이트신호와 내부 기준전압을 비교한 결과 상기 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화로 판단되면 상기 게이트전압을 가변하기 위한 보상신호를 출력하는 표시장치.The method according to claim 1,
The degradation compensation circuit section
And outputs a compensation signal for varying the gate voltage when it is determined that the thin film transistor constituting the gate driver is deteriorated as a result of comparing the sensed gate signal and an internal reference voltage.
상기 전원 공급부는
상기 보상신호에 대응하여 게이트하이전압과 게이트로우전압 중 선택된 하나 또는 둘의 레벨을 가변하는 표시장치.The method according to claim 1,
The power supply unit
And a gate high voltage and a gate low voltage corresponding to the compensation signal.
상기 전원 공급부는
상기 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화에 대응하여 게이트하이전압을 증가시키는 표시장치.The method according to claim 1,
The power supply unit
Wherein the gate high voltage is increased in response to deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver.
상기 열화 보상 회로부는
상기 센싱된 게이트신호와 내부 기준전압을 비교하는 센싱 회로부와,
상기 센싱 회로부로부터 출력된 차신호값을 기반으로 상기 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화 정도를 파악하고 열화를 보상하기 위한 보상신호를 상기 전원 공급부에 전달하는 보상 신호 생성부를 포함하는 표시장치.The method according to claim 1,
The degradation compensation circuit section
A sensing circuit for comparing the sensed gate signal with an internal reference voltage,
And a compensation signal generator for sensing a degree of deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver based on the difference signal output from the sensing circuit and transmitting a compensation signal for compensating for deterioration to the power supply unit.
상기 게이트 구동부는 더미 게이트 구동부를 더 포함하고,
상기 열화 보상 회로부는 상기 더미 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 피드백라인을 통해 더미 게이트신호를 센싱하는 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the gate driver further includes a dummy gate driver,
Wherein the deterioration compensation circuit unit senses the dummy gate signal through a feedback line connected to an output terminal of the dummy gate driver.
상기 전원 공급부는
상기 열화 보상 회로부와,
상기 표시패널의 좌측에 위치하는 더미 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 좌측 피드백라인과,
상기 표시패널의 우측에 위치하는 더미 게이트 구동부의 출력단자에 연결된 우측 피드백라인을 포함하는 표시장치.The method according to claim 1,
The power supply unit
A deterioration compensation circuit section,
A left feedback line connected to an output terminal of the dummy gate driver positioned on the left side of the display panel,
And a right feedback line connected to an output terminal of the dummy gate driver positioned on the right side of the display panel.
상기 표시패널에 게이트신호를 공급하는 단계; 및
상기 게이트신호를 센싱하고, 센싱된 게이트신호를 기반으로 게이트전압을 보상하는 단계를 포함하는 표시장치의 구동방법.Supplying a data signal to a display panel;
Supplying a gate signal to the display panel; And
Sensing the gate signal, and compensating a gate voltage based on the sensed gate signal.
상기 게이트전압을 보상하는 단계는
상기 센싱된 게이트신호와 내부 기준전압을 비교한 결과 게이트 구동부를 구성하는 박막 트랜지스터의 열화로 판단되면 상기 게이트전압을 가변하는 표시장치의 구동방법.9. The method of claim 8,
The step of compensating for the gate voltage
And comparing the sensed gate signal with an internal reference voltage to determine a deterioration of the thin film transistor constituting the gate driver, wherein the gate voltage is varied.
상기 게이트전압을 보상하는 단계는
게이트하이전압과 게이트로우전압 중 선택된 하나 또는 둘의 레벨을 가변하는 표시장치의 구동방법.10. The method of claim 9,
The step of compensating for the gate voltage
Wherein a level of one or both of a gate high voltage and a gate low voltage is varied.
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