KR20170022512A - Ic 패키지 디캡 장치 및 그 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 IC 패키지 디캡 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 레이저를 이용하여 IC 패키지의 특정부분을 우선적으로 제거하는 프리 디캡을 수행함으로써, 내부 회로 및 본딩 와이어가 내장된 IC 패키지 부분의 디캡을 위해 사용될 케미컬의 양을 최소화하여 유해 물질의 발생을 최소화하고, 또한 케미컬의 화학반응에 필요한 열에너지는 레이저를 이용하여 공급함으로써, IC 패키지 디캡에 소요되는 총 시간을 단축하고 IC 및 본딩 와이어에 대한 손상을 방지할 수 있는 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 IC 패키지 디캡 장치 및 그 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 먼저 레이저를 이용하여 프리 디캡을 수행함으로써, 케미컬의 사용량을 최소화하여 유해 물질의 발생을 최소화하고, 또한 케미컬의 화학반응에 필요한 열에너지는 레이저를 이용하여 공급함으로써, IC 패키지의 디캡에 소요되는 공정시간을 단축하고, 일정 영역만 부분 디캡이 가능하며, 내부 회로 및 본딩 와이어에 대한 손상을 최소화할 수 있는 장치 및 그 방법을 제공하고자 하는 것이다.
현대 산업기술의 급격한 발전에 따라 IC 제조 기술 또한 급속도로 발전되어 왔으며, 현재에 이르러 IC는 장난감에서부터 우주산업에 이르기까지 다양한 분야에 사용되고 있다.
일반적으로 IC는 복잡하고 세밀한 여러 단계의 공정을 거쳐 제조되며, IC의 접속단자인 전극과 외부에 접속하기 위한 리드 전극을 전기적으로 연결하기 위한 배선재인 본딩 와이어를 포함하여 에폭시 몰딩 수지(Epoxy Molding Compound, EMC, 이하 EMC로 지칭함)와 같은 플라스틱 성형 수지로 패키징된다.
또한 IC는 회로 기판이나 전자기기의 구성품으로서 필요한 위치에 정확하게 장착되어야 하기 때문에 그에 맞는 모양으로 패키징되어야 하며, 이렇게 패키딩 된 IC 패키지는 온도, 습도, 화학약품에 대한 오염 또는 물리적 충격 등과 같이 다양한 외부환경으로부터 내부 회로 및 본딩 와이어 등을 안전하게 보호한다.
한편 첨단기술의 발전으로 인해 IC는 더욱 고집적화, 소형화 및 경박 단소화되어 가면서, IC 제조 기술 또한 더욱 정밀하고 복잡한 공정을 요구함에 따라 IC의 불량률도 점점 증가하고 있다.
이러한 불량률의 증가는 IC의 오작동, 성능저하 및 수율 감소로 이어지며 이를 해결하기 위해 IC 불량검출에 대한 많은 기술들이 개발되어 수행되고 있다.
또한 IC의 불량검출은 IC 제조 공정이 완료된 후, 즉 IC 패키지인 상태에서 IC를 보호하고 있는 패키지 부분(EMC)를 벗겨내는 디캡(Decapsulation, 이하 디캡이라 지칭함) 공정을 수행한 후, IC의 불량을 판별하게 된다.
한편 디캡이란 IC 패키지 내부의 불량검출을 위하여 IC 패키지의 EMC 또는 플라스틱 부분을 제거하는 것으로, IC 패키지의 내부를 오픈시키는 에칭기술(식각기술)을 말하며, 특히 IC 패키지의 불량검출을 정확하게 하기 위해서는 디캡 시 내부 회로 및 본딩 와이어의 손상이 없어야 한다.
이러한 디캡은 IC의 제작 공정상의 불량을 규명함으로써, IC의 질을 개선하며 전체 생산량의 향상에 기여한다. 또한 불량검출 과정에서 발생하는 데이터를 수집 및 분석하여 그 결과를 IC 제조 공정에 피드백 함으로써, IC의 수율을 높일 수 있다.
기존의 IC 패키지를 디캡하기 위한 기술은, 발연 질산과 황산과 같은 고 순도의 산을 혼합한 화학적인 식각반응을 이용하는 방법이 널리 사용되어 오고 있다. 상기 기술은 사용자가 고 순도의 산을 이용하여 수작업으로 진행하고, IC 패키지의 디캡 정도를 현미경으로 일일이 확인하기 때문에 유해한 화학물질로 인한 신체 유해성에 큰 문제가 있으며, 공정에 소요되는 시간도 많이 소비되는 문제점이 있다. 또한 상기 발연 질산과 황산의 식각반응을 유도하기 위한 적정 온도를 유지하기 위해, 별도의 열에너지 공급을 위한 플레이트나 램프를 구비하여야 하며, 이는 IC 패키지의 하단에 형성되는 솔더 볼이 고온에 의해 변형될 염려가 있으며, IC 패키지에 열에너지가 전달되는 속도가 지연되어 디캡 시간이 오래 걸리는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 레이저를 이용하여 IC 패키지의 특정부분을 우선적으로 제거하는 프리 디캡을 수행함으로써, 최종 디캡에 사용될 케미컬의 사용량을 최소화하여, 유해물질의 발생을 극히 제한하고, 레이저를 이용하여 케미컬의 활성 온도를 유지한 상태에서 케미컬을 사용함으로써, 본딩 와이어의 손상을 방지하고 디캡 공정시간을 현저히 단축시킬 수 있는 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.
다음으로 본 발명의 기술 분야에 존재하는 선행기술에 대하여 간단하게 설명하고, 이어서 본 발명이 상기 선행기술에 비해서 차별적으로 이루고자 하는 기술적 사항에 대해서 기술하고자 한다.
먼저 한국등록특허 제1025401호(2011.03.28.)는 디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법에 관한 것으로, 반도체 패키지가 안착되는 플레이트 및 반도체 패키지의 상면에 램프를 이용하여 케미컬의 반응에 필요한 열에너지를 공급하여 반도체 패키지를 디캡하는 기술이 구현되어 있다.
상기 선행기술은 플레이트와 램프를 통해 필요한 열에너지를 공급하나 반도체 패키지의 하부에 위치하는 플레이트로부터 반도체 패키지를 통과하여 열에너지를 공급 받을 경우에는 상기 케미컬이 필요한 반응 온도보다 높게 설정될 수 있어 상기 반도체 패키지의 하단이 열에너지로 인해 변성되거나 손상될 수 있으며, 고온의 경우에는 본딩 와이어 및 내부 회로를 손상시킬 수 있는 문제점이 있다.
반면에 본 발명은, 레이저를 통하여 케미컬의 반응에 필요한 열에너지를 신속하게 제공하고, 디캡이 수행되는 동안 열에너지의 공급을 일정하게 유지함으로써, IC 패키지 디캡에 소요되는 시간을 단축시키고, 선택적 부분 디캡이 가능하며, 내부 회로 및 본딩 와이어에 대한 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한 한국공개특허 제2005-0033693호(2005.04.13.)는 패키지된 칩의 디캡 방법에 관한 것으로, 칩이 FBGA 타입으로 패키지 된 경우에, 상기 패키지된 칩을 핫플레이트에 안착시킨 후, 핫플레이트를 통해서 열을 공급하고 선택된 영역에 발연 질산을 발라 상기 FBGA 타입의 패키지를 디캡하는 기술이 구현되어 있다.
상기 선행기술은 케미컬을 이용하여 IC 패키지를 디캡하는 점에서 본 발명과 일부분 유사점이 있으나 FBGA 타입의 패키지를 디캡함에 있어, 핫플레이트를 통한 열에너지의 공급은 간접적인 가열방식으로써 케미컬의 반응속도의 저하와 디캡 영역 결정에 용이하지 않으며, 패키지 하단의 손상에 대한 한계점을 극복하지 못하고 있다.
반면에 본 발명은 IC 패키지를 디캡함에 있어, 레이저를 이용하여 우선적으로 프리 디캡을 수행함으로써, 패키지되는 방법에 상관없이 IC 패키지를 디캡 하고 유해물질의 발생을 극히 제한할 수 있는 장점이 있으며, 레이저를 이용하여 케미컬이 반응할 수 있는 열에너지를 신속하게 공급하고, 선택적으로 일정 영역에만 조사 할 수 도 있으며, 온도를 일정하게 유지하여 IC 패키지의 디캡에 소요되는 시간을 현저하게 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한 한국공개특허 제2008-0070180호(2008.07.30.)는 레이저 디캡슐레이션 장비 및 방법에 관한 것으로, 반도체 패키지가 위치하는 스테이지와 반도체 패키지를 디캡하기 위한 레이저를 조사하는 레이저빔 조사기를 구비한 후, 상기 반도체 패키지에 레이저빔을 포커싱하여 상기 반도체 패키지를 디캡하는 기술이 구현되어 있다.
상기 선행기술은 반도체 패키지의 일정영역(반도체 칩이 위치하는 영역)에 레이저빔을 포커싱하여 상기 반도체 패키지를 디캡한다고 명시되어 있으나, 고 에너지 및 에너지 고 밀도의 특성을 가지고 있는 레이저를 상기 반도체 패키지의 일정영역에 포커싱하는 경우 상기 반도체 패키지뿐만 아니라 패키지 내부에 위치하는 본딩 와이어 및 반도체 또한 순식간에 손상될 수 있는 문제점이 내재하고 있으며, 일정영역을 순차적으로 디캡함으로서 전체 디캡에 소요되는 시간이 증가되고, 레이저빔이 조사되는 포커싱 면적을 넓히더라도 조사되는 레이저빔의 에너지가 균일하지 못한 경우, 먼저 디캡되는 부분에 손상을 입을 수 있는 단점이 있다. 또한 상기 선행기술은 레이저빔이 조사되는 반도체 패키지 상부에 액체를 분사하여 패키지의 잔유물을 제거하도록 되어 있으나 상기 패키지 몰드의 잔유물의 경우에도 고온을 유지하고 있으므로 이를 신속하게 제거하지 못하는 경우 역시 상기 반도체 및 본딩 와이어가 손상을 입을 수 있는 단점이 있다.
반면에 본 발명은 레이저를 이용하여 IC 패키지의 특정부분에 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 해당 부분을 프리 디캡함으로써, IC 패키지 내부의 회로 및 본딩 와이어가 손상될 염려가 없으며 프리 디캡한 패키지의 잔유물을 신속하게 제거하지 않더라도 회로 및 본딩 와이어가 위치하는 IC 패키지 자체가 디캡되어 있지 않으므로 상기 회로 및 본딩 와이어가 손상될 염려가 전혀 없다. 또한 본 발명은 상기 프리 디캡 이후, IC 패키지를 케미컬을 이용하여 디캡하는 과정에 있어서, 상기 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 상기 케미컬의 반응에 필요한 열에너지를 공급하고, 또한 공급되는 열에너지의 변화 없이 일정하게 유지하여 상기 IC 패키지를 동시에 전체적으로 일정한 속도로 디캡할 수 있도록 함으로써, 디캡 공정에 소요되는 공정 시간을 현저하게 줄일 수 있고 상기 케미컬의 사용을 최소화하여 유해 물질의 발생을 극히 제한할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작 된 것으로서, 레이저를 이용하여 회로가 내장되어 있는 IC 패키지의 특정부분을 우선적으로 제거하는 프리 디캡을 수행함으로써, 회로가 내장된 패키지 부분의 디캡을 위해 사용될 케미컬의 양을 최소화하여 유해 물질의 발생을 최소화할 수 있는 장치 및 그 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한 본 발명은 디캡에 사용되는 케미컬의 화학반응에 필요한 열에너지 공급을 별도의 열 공급 장치를 구비하지 않고 상기 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 상기 필요한 열에너지를 공급함으로써, IC 패키지 디캡에 소요되는 시간을 단축하고 내부 회로 및 본딩 와이어에 대한 손상을 방지할 수 있는 장치 및 그 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 IC 패키지의 디캡 장치는, 케미컬을 이용하여 IC 패키지를 디캡하기 위한 케미컬 제공부 및 레이저를 조사하여 상기 IC 패키지를 디캡하기 위한 레이저 생성부를 포함하며, 상기 케미컬과 레이저는 상기 IC 패키지의 디캡을 촉진하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 상기 IC 패키지에 레이저가 조사되는 위치를 상, 하, 좌, 우 또는 이들의 조합을 포함하는 방향으로 조절하기 위한 스테이지 및 상기 스테이지의 이동을 제어하는 스테이지 제어 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 상기 케미컬 및 패키지 잔유물을 제거하기 위해 상기 IC 패키지에 세정액을 분사하는 세정액 제공부, 상기 디캡을 수행하는 공간에서 질소를 주입하기 위한 질소 퍼지부 및 상기 세정액의 분사를 제어하는 것, 상기 케미컬을 IC 패키지에 드롭하는 양을 조절하는 것, 상기 디캡을 수행하는 공간에서 질소를 퍼지하는 것 또는 이들의 조합 중 적어도 하나를 제어하는 디스펜서 제어모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 모니터링하기 위한 카메라 및 상기 카메라의 줌, 포커스, 팬, 틸트, 밝기 또는 이들의 조합을 포함한 카메라 제어를 수행하는 카메라 제어 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 상기 레이저를 조사하는 과정에서, 상기 레이저를 상기 IC 패키지에 포커싱하거나 디포커싱하는 것을 제어하는 레이저 제어 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 상기 레이저 생성부와 카메라를 포함하는 광학부 및 스테이지에 IC 패키지를 실장하여 디캡을 수행하는 디캡 수행부를 분리하여 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 광학부와 상기 디캡 수행부 간에는 광학적인 투과율을 향상시키기 위해서 쿼츠 윈도우를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 상기 IC 패키지의 본딩 와이어가 표면에 나타날 때 까지 레이저만을 이용하여 프리 디캡을 수행하도록 함으로써, 케미컬의 사용량을 최소화할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 디캡 장치는, 레이저, 케미컬 또는 이들의 조합으로 인해 발생된 흄을 포함한 상기 프리 디캡 및 상기 디캡 시 생성된 화학물질을 배기하기 위한 덕트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
아울러 본 발명의 일 실시예에 따른 IC 패키지의 디캡 방법은, IC 패키지를 디캡하기 위해 레이저를 포커싱 혹은 디포커싱하는 단계 및 상기 IC 패키지에 케미컬을 드롭하고 상기 레이저를 스캔하여 디캡을 수행하는 단계를 포함하며, 상기 케미컬과 레이저는 상기 IC 패키지의 디캡을 촉진하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 IC 패키지의 디캡 방법은, 상기 IC 패키지의 본딩 와이어가 표면에 나타날 때 까지 레이저만을 이용하여 프리 디캡하는 단계, 카메라를 통해 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 모니터링하는 단계 및 상기 케미컬 및 패키지의 잔유물을 제거하기 위해 상기 IC 패키지를 세정액으로 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 IC 패키지 디캡 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 레이저를 이용하여 프리 디캡을 수행함으로써, 회로가 내장된 부분의 디캡을 위해 사용될 케미컬의 양을 최소화하여 유독 물질의 발생을 최소화하고, 케미컬의 화학반응에 필요한 열에너지는 레이저를 이용하여 공급함으로써, IC 패키지 디캡에 소요되는 시간을 단축하고, 일정 영역만 부분 디캡이 가능하며, 내부 회로 및 본딩 와이어에 대한 손상을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지 디캡 장치의 구성을 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저를 포커싱 또는 디 포커싱하여 IC 패키지를 프리 디캡하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 IC 패키지를 디캡하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지 디캡 장치에 있어서, 제어부의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지를 프리 디캡 및 디캡을 수행하는 절차를 나타낸 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저를 포커싱 또는 디 포커싱하여 IC 패키지를 프리 디캡하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 IC 패키지를 디캡하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지 디캡 장치에 있어서, 제어부의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지를 프리 디캡 및 디캡을 수행하는 절차를 나타낸 흐름도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지 디캡 장치의 구성을 나타낸 구성도이다.
우선, 디캡은 IC 패키지 내부에 위치하는 내부 회로의 불량여부를 판별하기 위해 IC 패키지를 구성하는 EMC를 제거(식각)하는 작업을 일컫는다. IC 회로의 불량여부를 정확하게 판별하기 위해서는 디캡 시 내부 회로 및 내부 회로와 외부에 접속하기 위해 외부와 전기적으로 연결하는 본딩 와이어의 손상이 없어야만 정확한 내부 회로의 불량여부를 판별할 수 있다.
본딩 와이어는 주로 금으로 사용되고 있으며, 금을 이용한 본딩 와이어의 경우 전도율이 높고 산화가 잘되지 않아 신뢰도가 높으며 반영구적으로 사용할 수 있는 장점이 있다. 그러나 금을 이용한 본딩 와이어는 가격이 비싸 최근에 들어서는 구리, 또는 은과 같은 물질로 대체되고 있는 실정이다. 그러나 상기 구리, 또는 은과 같은 물질은 금보다 산화가 매우 빠르며 화학반응도가 높기 때문에 디캡 시에 많은 주의를 요한다.
또한 상기 디캡은 주로 케미컬을 이용하여 상기 IC 패키지의 표면을 식각하는 방법이 사용되고 있으며, 상기 케미컬은 발연 질산, 황산 및 탈 이온수를 적정한 비율로 혼합하여 사용되기 때문에 신체에 매우 유독하다.
따라서 본 발명은 레이저를 이용하여 상기 IC 패키지의 특정부분을 먼저 프리 디캡하고, 프리 디캡 이후 케미컬을 사용하여 IC 패키지를 디캡함으로써, 케미컬의 사용량을 최소화하고 유독 물질의 발생을 극히 제한하는 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 상기 케미컬의 화학반응에 필요한 열에너지는 레이저를 이용하여 공급함으로써, 전체 디캡 공정에 소요되는 공정 시간을 현저하게 감소시킬 수 있는 장치 및 그 방법을 제공하고자 한다.
도 1에 도시한 바와 같이 상기 디캡 장치는 디캡 수행부(130), 광학부(110), 제어부(140) 및 디캡 화학물질 공급부(120)를 포함하여 구성된다.
또한 상기 광학부(110)는, 디캡의 대상이 되는 IC 패키지에 레이저를 조사하여 상기 IC 패키지를 프리 디캡 또는 디캡을 하기 위한 레이저를 생성하는 레이저 생성부(111), 상기 생성한 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하는 렌즈(112), 상기 레이저를 상기 IC 패키지로 조사하도록 유도하는 제 1빔스플리터(113), 상기 디캡 시 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 모니터링하기 위한 카메라(114), 상기 카메라로 빛을 유도하기 위한 제 2빔스플리터(115) 및 쿼츠 윈도우(116)를 포함하여 구성된다.
또한 상기 레이저 생성부는(111), 상기 IC 패키지에 레이저를 조사하여 상기 IC 패키지를 프리 디캡 또는 디캡을 수행하기 위한 레이저를 생성하며, 상기 생성한 레이저의 궤적, 세기, 펄스, 주파수 또는 이들의 조합은 제어부(140)에 의해서 제어된다. 또한 상기 레이저는 자외선 레이저, 가시광 레이저, 적외선 레이저 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있으며 그 제한을 두지 아니한다.
또한 상기 레이저는, 상기 IC 패키지 상부에 포커싱 또는 디포커싱되어 프리 디캡을 수행할 수 있도록 한다.
한편 상기 프리 디캡은 IC 패키지의 특정부분을 우선적으로 디캡하는 과정이며, 이는 상기 레이저를 이용하여 상기 IC 패키지에 대하여 프리 디캡을 수행하는 도중에 본딩 와이어가 IC 패키지의 표면에 검출될 때까지 상기 IC 패키지를 제거(식각)하는 과정을 말한다.
일반적으로 IC 패키지 내부에 실장되는 상기 본딩 와이어는, 상기 IC 패키지의 상부에서부터 150㎛ 에서 200㎛사이에 실장되며, 본 발명에서 지칭하는 특정부분은 상기 IC 패키지의 상부에서부터 상기 본딩 와이어가 실장되는 사이를 말하며, 상기 프리 디캡은 상기 특정부분의 IC 패키지를 먼저 디캡하는 것을 의미한다. 또한 상기 내부 회로는 상기 본딩 와이어보다 IC 패키지 내부에 더 깊이 실장된다.
따라서 상기 프리 디캡은, 우선적으로 상기 IC 패키지의 특정부분을 디캡함으로써, 상기 내부 회로에 대해 디캡을 수행할 때 사용되는 케미컬의 양을 최소화할 수 있으며, 케미컬의 화학반응으로 인해 생성되는 유해 물질의 발생을 극히 제한할 수 있다. 또한 상기 케미컬로 인한 내부 회로 및 본딩 와이어의 손상을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한 상기 레이저는, 상기 프리 디캡 이후, 상기 IC 패키지에 포커싱 또는 디포커싱되어, 상기 케미컬을 이용하여 디캡을 수행할 때 상기 케미컬의 화학적 반응 활성화를 위한 열에너지를 공급한다. 이는 플레이트 또는 램프를 이용하여 열에너지를 공급하던 기존의 방식과 달리 상기 케미컬의 화학적 반응 활성화를 위한 열에너지를 신속하게 공급하고, 열에너지의 변화 없이 일정하게 유지할 수 있는 특징이 있다. 이는 상기 IC 패키지 디캡 시 상기 프리 디캡을 수행하고 남은 부분을 전체적으로 일정한 속도로 디캡할 수 있도록 하며, 디캡에 소요되는 총시간을 현저하게 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한 상기 렌즈(112)는 상기 제어부(140)와 함께, 상기 레이저 생성부(111)에서 생성한 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하며, 상기 렌즈는 블록렌즈 및 오목렌즈로 구성될 수 있다. 한편 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱은 상기 제어부(140)를 통해 제어될 수 있으며, 또한 상기 제어부(140)는 상기 레이저의 세기, 궤적, 펄스, 주파수 또는 이들의 조합을 제어하여 포커싱되는 위치 및 범위를 제어할 수 있다.
또한 상기 제 1빔스플리터(113)는, 상기 레이저를 상기 IC 패키지가 위치하는 스테이지(131) 쪽으로 유도하는 역할을 하며 상기 제 1빔스플리터(113)의 각도를 제어하여 상기 레이저가 조사되는 위치를 조정할 수 있다.
또한 상기 카메라(114)는, 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 실시간으로 모니터링하며, CCD를 탑재한 가시광 카메라 또는 적외선 카메라로 구성될 수 있다. 또한 상기 카메라는 제어부를 통해 줌인, 줌아웃, 포커스, 팬, 틸트, 밝기 또는 이들의 조합을 포함하여 제어된다.
또한 상기 제 2빔스플리터(115)는, IC 패키지의 상태를 더욱 정확하고 세밀하게 촬영할 수 있도록 디캡 수행부(130)에서 조사되는 빛을 상기 카메라(114)로 유도한다.
한편 상기 제 2빔스플리터(115)는, 상기 IC 패키지로 조사되는 레이저를 그대로 투과시키며, 상기 티캡 수행부(130)로부터 조사되는 빛을 상기 카메라(114)로 유도한다.
또한 상기 쿼츠 윈도우(116)는 분리되어 있는 상기 광학부(110)와 디캡 수행부(130)사이의 광학적인 투과율을 향상시켜, 상기 카메라(114)의 촬영 효율 및 상기 레이저의 성능에 대한 효율을 높일 수 있다. 물론 상기 쿼츠 윈도우(116) 대신에 일반 글라스를 구비하여도 되지만 투과율이 떨어지는 단점이 있다.
또한 상기 디캡 수행부(130)는, X축, Y축 및 Z축으로 이동 가능한 스테이지(131), IC 패키지가 위치하고 이를 고정하는 IC 패키지 고정부(132), 디캡 화학물질 공급부(120)에서 제공되는 화학물질이 외부로 튀어, 세어나지기 않도록 상기 화학물질을 고정하기 위한 시료지그(133), 상기 IC 패키지 및 상기 디캡 수행부(130)에 구비되는 장치의 오염을 방지하기 위해 상기 디캡 수행부(130)를 질소로 채우는 질소 퍼지 제공부(134) 및 디캡 시 발생할 수 있는 흄을 배기하는 덕트(135)를 포함하여 구성된다.
또한 상기 스테이지(131)는 X-Y-Z 스테이지로써, 상기 IC 패키지가 위치하는 IC 패키지의 고정부(132)를 상, 하, 좌, 우 또는 이들의 조합을 포함하는 방향으로 이동시킬 수 있다. 이는 상기 레이저가 IC 패키지에 포커싱 또는 디포커싱 되어 조사될 때, 조사되는 위치를 상기 IC 패키지를 이동시켜 조절함으로써, 정확한 프리 디캡 및 디캡을 수행할 수 있도록 한다. 한편 상기 스테이지(131)는 상기 IC 패키지 고정부(132)를 이동시켜 상기 IC 패키지의 위치를 변경할 수 있으며, 또한 상기 스테이지(131) 자체가 이동함으로써 상기 IC 패키지의 위치를 변경할 수 있다.
또한 상기 스테이지(131)는, 디캡의 시료가 되는 IC 패키지의 두께에 따라 상기 레이저가 포커싱 또는 디포커싱되는 위치에 정확하게 상기 IC 패키지가 위치할 수 있도록 IC 패키지의 위치를 조절할 수 있다.
한편 상기 스테이지(131)는, 상기 제어부(140)를 통해 소프트웨어 컨트롤 또는 조이스틱을 사용하여 제어할 수 있다.
또한 상기 IC 패키지 고정부(132)는, 상기 스테이지(131)에 의해 IC 패키지의 위치가 변경될 때 상기 IC 패키지의 미세한 움직임을 방지하거나 IC 패키지의 정확한 위치를 제어하기 위하여 상기 IC 패키지를 고정한다.
또한 상기 시료지그(133)는, PVC로 구성될 수 있으며, 상기 디캡 화학물질 공급부(120)에서 제공되는 케미컬 또는 세정액 및 상기 프리 디캡 또는 디캡 시 발생하는 상기 IC 패키지의 잔유물이 외부로 세어나가지 않도록 고정한다. 또한 상기 시료지그(133)는, 아래쪽으로 파인 형태로 구성될 수 있으며, 이는 상기 케미컬, 세정액 또는 IC 패키지의 잔유물이 쉽게 고정될 수 있도록 한다.
또한 상기 질소 퍼지 제공부(134)는, 상기 디캡 화학물질 공급부(120)로부터 질소를 제공 받아 상기 디캡 수행부(130)를 질소로 가득 채우는 질소 퍼지를 수행한다.
상기 IC 패키지를 디캡하는 경우, 케미컬의 화학반응으로 인해 유해 물질이 생길 수 있으며, 이는 상기 디캡 수행부(130)에 산소가 침입할 경우 상기 유해 물질과 반응하여 IC 패키지뿐만 아니라 상기 디캡 수행부(130)에 구비된 장치가 오염될 수 있는 문제가 발생할 수 있다. 이는 상기 내부 회로의 불량검출을 제대로 수행하지 못할 뿐만 아니라 상기 장치가 치명적인 손상을 입을 수 있다. 이를 방지하기 위해 상기 질소 퍼지 제공부(134)는 상기 디캡 수행부(130)에 지속적으로 질소를 공급함으로써, 디캡 수행부(130)의 산소 잔량을 제거하는 역할을 한다.
또한 상기 덕트(135)는 상기 IC 패키지의 디캡을 수행하는 과정에서 레이저 또는 케미컬을 사용함에 따라 발생할 수 있는 흄을 제거한다. 상기 흄은 미세한 고체 미립자로서, 상기 디캡 과정에서 연소되는 IC 패키지가 응축하여 생성된 고체입자의 에어로졸이다. 이러한 흄은 상기 IC 패키지 또는 상기 디캡 수행부(130)에 구비된 장치의 내부로 유입되어 손상을 초래할 수 있다. 따라서 상기 덕트(135)는 상기 발생한 흄을 배기하여 상기 IC 패키지 및 장치의 손상을 방지할 수 있도록 한다.
또한 상기 디캡 화학물질 공급부(120)는 디캡 시약 노즐(125)과 연결되어 상기 디캡 수행부(130)에 케미컬을 제공하는 케미컬 제공부(122), 클리닝 노즐(126)과 연결되어 상기 디캡 수행부(130)에 세정액을 제공하는 세정액 제공부(123) 및 상기 퍼지 노즐(127)과 연결되어 상기 디캡 수행부(130)에 질소를 제공하는 질소 제공부(124)를 포함하여 구성되며, 상기 케미컬 제공부(122), 세정액 제공부(123) 및 질소 제공부(124)는 각각 디스펜서(121)와 연결된다.
상기 디스펜서(121)는 상기 케미컬 제공부(122), 세정액 제공부(123) 및 질소 제공부(124)에서 제공하는 케미컬, 세정액 및 질소의 양을 조절할 수 있다. 예를 들어, 상기 IC 패키지를 디캡하기 위해 사용되는 케미컬은 한 번에 많은 양이 IC 패키지 표면에 드롭되는 경우에는 IC뿐만 아니라 주변의 장치들까지 손상을 입힐 수 있으므로 한 번에 드롭되는 양(예를 들어 한 번에 드롭되는 양을 1mml로 고정)을 미세 조정할 수 있다. 또한 상기 디스펜서(121)는 상기 제어부(140)를 통해 제어된다.
또한 상기 제어부(140)는 상기 디스펜서(121)를 통하여 상기 세정액의 분사, 상기 케미컬의 IC 패키지에 드롭하는 양의 조절, 상기 디캡 수행부(130)로의 질소 퍼지 또는 이들의 조합을 제어한다.
또한 상기 세정액은, 상기 IC 패키지를 프리 디캡 또는 디캡 시 발생하는 IC 패키지의 잔유량을 제거하기 위해 사용되는 솔벤트를 말하며, 상기 솔벤트은 유기, 아세톤, 산 또는 이들의 조합에 의해 구성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 IC 패키지를 프리 디캡하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
상술한 바와 같이 상기 디캡 장치(100)는 레이저를 이용하여 IC 패키지의 특정부분을 먼저 프리 디캡하고, 나머지 부분을 케미컬을 이용하여 디캡함으로써, 상기 케미컬의 화학반응에 의해 생성될 수 있는 유해 물질의 발생을 극히 제한할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이 상기 레이저 생성부(111)는 레이저를 생성하고, 상기 제어부(140), 렌즈(112) 및 제 1빔스플리터(113)를 통해 상기 IC 패키지에 상기 생성한 레이저를 포커싱 또는 디포커싱한다.
또한 상기 제어부(140)는 상기 IC 패키지에 상기 포커싱 또는 디포커싱되는 레이저의 위치를 상, 하, 좌, 우 또는 이들의 조합을 포함하는 방향으로 상기 스테이지(131)를 제어하여, 상기 IC 패키지의 프리 디캡이 정확하게 수행될 수 있도록 한다.
한편 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱은, 상기 제어부(140), 렌즈, 제 1빔스플리터 및 스테이지를 통해 상기 IC 패키지에 조사되는 레이저의 위치를 조절하기 위한 일련의 과정을 말하는 것으로, IC 패키지에 상기 레이저가 정확하게 조사되도록 하여 프리 디캡 또는 디캡이 더욱 정밀하게 수행될 수 있도록 한다.
또한 프리 디캡할 특정부분에 상기 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 프리 디캡을 수행하며 상기 프리 디캡 시 발생하는 상기 IC 패키지의 잔유물을 제거하기 위하여 상기 디캡 화학물질 공급부(120)는 상기 클리닝 노즐(126)을 통해 상기 세정액을 분사하여 상기 IC 패키지의 잔유물을 제거한다.
한편 제어부(140)는, 상기 클리닝 노즐(126)이 상기 프리 디캡하는 IC 패키지의 부분에 정확하게 위치할 수 있도록 하여 신속하게 상기 IC 패키지의 잔유물을 제거를 할 수 있도록 한다.
또한 상기 카메라(114)는 항상 상기 IC 패키지를 실시간으로 모니터링하며, 상기 제어부(140)는 상기 촬영되는 IC 패키지의 영상을 디스플레이 장치(150)에 디스플레이한다.
또한 상기 디캡 장치(100)는 상기 카메라(114)를 통해 촬영되는 IC 패키지의 영상을 실시간으로 모니터링하며, 프리 디캡 중에 상기 IC 패키지 내의 본딩 와이어가 검출되는 경우에는 상기 프리 디캡을 종료시키고, 케미컬을 사용하여 상기 IC 패키지의 디캡을 수행하도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여 IC 패키지를 디캡하는 과정을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3에 도시한 바와 같이 상기 레이저 생성부(111)는 레이저를 생성하고, 상기 제어부, 렌즈 및 제 1빔스플리터를 통해 상기 IC 패키지 상부에 상기 생성한 레이저를 포커싱 또는 디포커싱한다.
한편 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱은 상기 렌즈(112) 및 제어부(140)를 통해 제어되며 상기 렌즈(112)는 볼록렌즈 또는 오목렌즈로 구성될 수 있다. 또한 상기 제어부(140)는 상기 레이저의 세기, 궤적, 펄스, 주파수 또는 이들의 조합을 제어하여 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱되는 위치 및 범위 등을 제어할 수 있다.
또한 상기 케미컬 제공부(122)는, 디캡을 수행하기 위해 상기 케미컬을 디캡 시약 노즐(125) 통해 제공하며, 상기 세정액 제공부(123)는 상기 디캡 중에 발생하는 IC 패키지의 잔유물을 신속하게 제거하기 위해 상기 세정액을 클리닝 노즐(126)을 통해 분사한다.
또한 상기 제어부는(140), 상기 케미컬이 상기 IC 패키지로 드롭되는 양을 디스펜서(121)를 통해 제어할 수 있으며, 이는 상기 케미컬이 한 번에 다량으로 상기 IC 패키지로 드롭되는 것을 방지하여 상기 IC 패키지 내의 내부 회로 및 본딩 와이어가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한 상기 케미컬의 화학적 반응을 활성화하기 위한 열에너지는 상기 레이저를 통해 제공되며, 이는 상기 열에너지를 신속하게 제공하고 디캡이 종료될 때까지 일정하게 유지시킴으로서, 플레이트 또는 램프를 통해 열에너지를 공급하는 기존의 디캡 공정보다 소요되는 시간을 현저하게 단축시킬 수 있으며, 또한 IC 및 본딩 와이어에 대한 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한 상기 제어부는(140), 상기 스테이지(131)의 이동을 제어하여 상기 IC 패키지가 상기 포커싱되거나 디포커싱된 레이저의 범위 안에 위치할 수 있도록 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지 디캡 장치에 있어서, 제어부의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 제어부(140)는 레이저 제어모듈(141), 카메라 제어모듈(142), 스테이지 제어모듈(143) 및 디스펜서 제어모듈(144)을 포함하여 구성된다.
또한 상기 레이저 제어모듈(141)은, 상기 레이저 생성부가 생성하는 레이저의 궤적, 세기, 펄스, 주파수 또는 이들의 조합을 제어할 수 있으며, 이를 통하여 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱 되는 위치 및 범위를 제어할 수 있다.
또한 상기 카메라 제어모듈(142)은, 디캡 시 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 실시간으로 모니터링하는 카메라(114)를 제어하는 것으로, 상기 카메라의 줌인, 줌아웃, 포커스, 팬, 틸트, 밝기 또는 이들의 조합을 제어할 수 있다.
또한 상기 스테이지 제어모듈(143)은, 상기 스테이지(131)를 상, 하, 좌 또는 우로 이동시켜 상기 IC 패키지의 위치를 조정할 수 있으며, 이는 상기 포커싱된 레이저 또는 디포커싱된 레이저의 위치에 상기 IC 패키지가 정확하게 위치하도록 상기 IC 패키지의 위치를 좀 더 세밀하게 제어하여 정확한 디캡이 수행될 수 있도록 하는 효과가 있다.
또한 상기 디스펜서 제어모듈(144)은, 상기 디캡 수행부로 제공되는 케미컬, 세정액 또는 질소의 양을 조절하여 상기 IC 패키지 내에 실장된 내부 회로 및 본딩 와이어가 손상되는 것을 방지하고, 더 나아가 상기 디캡 수행부(130)에 구비되는 장치의 손상을 방지한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지를 프리 디캡 및 디캡을 수행하는 절차를 나타낸 흐름도이다.
우선 상기 디캡 장치(100)에 디캡을 수행할 IC 패키지를 준비하고 상기 스테이지(131) 위에 위치한 IC 패키지 고정부(132)에 상기 IC 패키지를 고정한다(S110).
다음으로 카메라(114)를 통해 상기 IC 패키지를 실시간으로 모니터링한다(S120). 한편 상기 카메라(114)를 통해 상기 IC 패키지를 모니터링하는 것은 상기 수행되는 디캡의 전체에 걸쳐 수행되는 것으로 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 실시간으로 모니터링하기 위한 것이다.
다음으로 상기 레이저 생성부(111)를 통해 레이저를 생성하고, 상기 생성한 레이저를 포커싱 또는 디포커싱하여(S130), 상기 IC 패키지를 프리 디캡한다(S140).
상기 생성한 레이저는 상기 렌즈(112) 및 제어부(140)를 통해 포커싱 또는 디포커싱되는 위치를 제어할 수 있으며, 또한 상기 제어부(140)는 상기 스테이지(131)를 제어하고, 상기 IC 패키지가 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱되는 위치를 조절하여 정확한 프리 디캡이 수행될 수 있도록 할 수 있다.
다음으로 상기 카메라(114)를 통하여 실시간으로 촬영되는 IC 패키지를 모니터링하여 상기 프리 디캡 시에 본딩 와이어가 검출되는지 여부를 확인한다(S150).
다음으로 상기 확인결과 본딩 와이어가 검출되는 경우에는 상기 프리 디캡을 종료하고, 케미컬을 이용하여 상기 IC 패키지를 디캡하기 위해 상기 레이저를 포커싱 또는 디포커싱한다(S160).
한편 상기 확인 결과 본딩 와이어가 검출되지 않은 경우(S150)에는 상기 프리 디캡을 계속해서 수행한다(S140).
다음으로 상기 IC 패키지를 디캡하기 위해 상기 IC 패키지에 케미컬을 드롭하고, 상기 레이저를 스캔한다(S170).
상술한 바와 같이, 상기 IC 패키지를 디캡하기 위해 상기 케미컬의 화학적 반응 활성화를 위한 열에너지는 상기 레이저로부터 제공받으며, 상기 제어부(140)는 상기 레이저의 세기, 펄스, 궤적, 주파수 또는 이들의 조합을 제어하여 상기 레이저의 포커싱 또는 디포커싱되는 위치 및 범위를 제어할 수 있다.
또한 상기 레이저를 통해 상기 열에너지를 신속하고, 일정하게 공급함으로써, 상기 디캡에 소요되는 시간을 현저하게 줄일 수 있으며, 상기 내부 회로 및 본딩 와이어의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
다음으로 상기 디캡시 발생하는 IC 패키지의 잔유물은 상기 클리닝 노즐(126)을 통해 제공되는 세정액을 이용하여 제거한다(S180).
한편 상기 케미컬을 이용하여 디캡을 수행하는 경우뿐만 아니라 상기 레이저를 통한 프리 디캡을 수행하는 경우에도 상기 IC 패키지의 잔유물을 상기 세정액을 이용하여 제거하는 것은 당연하다.
또한 상기 세정액은 유기, 아세톤, 산 또는 이들의 조합으로 구성된 솔벤트이다.
다음으로 상기 전체적인 디캡이 종료된 경우(S190), 상기 IC 및 본딩 와이어의 불량여부를 검출한다(S200).
한편 상기 디캡이 종료되지 않은 경우에는(S190), 상기 디캡을 계속해서 수행한다(S170).
이상에서 설명하였듯이, 본 발명인 레이저 및 케미컬을 이용한 IC 패키지 디캡 장치 및 그 방법은, 레이저를 이용하여 상기 IC 패키지의 특정부분을 먼저 프리 디캡함으로써, 디캡에 필요한 케미컬의 양을 최소화하여 상기 케미컬의 화학반응 시에 생성되는 유해 물질의 발생을 극히 제한하며, 또한 상기 케미컬의 화학반응에 필요한 열에너지를 상기 레이저를 이용하여 공급함으로써, 상기 디캡에 소요되는 시간을 현저하게 단축하고, 상기 IC 패키지 내에 실장된 내부 회로 및 본딩 와이어의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 위주로 상술하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명의 각 구성요소는 동일한 목적 및 효과의 달성을 위하여 본 발명의 기술적 범위 내에서 변경 또는 수정될 수 있을 것이다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
100 : 레이저 및 케미컬을 이용한 디캡 장치
110 : 광학부 111 : 레이저 생성부
112 : 렌즈 113 : 제 1빔스플리터
114 : 카메라 115 : 제 2빔스플리터
116 : 쿼츠 윈도우 120 : 디캡 화학물질 공급부
121 : 디스펜서 122 : 케미컬 제공부
123 : 세정액 제공부 124 : 질소 제공부
125 : 디캡 시약 노즐 126 : 클리닝 노즐
127 : 퍼지 노즐 130 : 디캡 수행부
131 : 스테이지 132 : IC 패키지 고정부
133 : 시료지그 134 : 질소 퍼지 제공부
135 : 덕트 140 : 제어부
141 : 레이저 제어모듈 142 : 카메라 제어모듈
143 : 스테이지 제어모듈 144 : 디스펜서 제어모듈
150 : 디스플레이 장치
110 : 광학부 111 : 레이저 생성부
112 : 렌즈 113 : 제 1빔스플리터
114 : 카메라 115 : 제 2빔스플리터
116 : 쿼츠 윈도우 120 : 디캡 화학물질 공급부
121 : 디스펜서 122 : 케미컬 제공부
123 : 세정액 제공부 124 : 질소 제공부
125 : 디캡 시약 노즐 126 : 클리닝 노즐
127 : 퍼지 노즐 130 : 디캡 수행부
131 : 스테이지 132 : IC 패키지 고정부
133 : 시료지그 134 : 질소 퍼지 제공부
135 : 덕트 140 : 제어부
141 : 레이저 제어모듈 142 : 카메라 제어모듈
143 : 스테이지 제어모듈 144 : 디스펜서 제어모듈
150 : 디스플레이 장치
Claims (11)
- 케미컬을 이용하여 IC 패키지를 디캡하기 위한 케미컬 제공부; 및
레이저를 조사하여 상기 IC 패키지를 디캡하기 위한 레이저 생성부;를 포함하며,
상기 케미컬과 레이저는 상기 IC 패키지의 디캡을 촉진하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 IC 패키지에 레이저가 조사되는 위치를 상, 하, 좌, 우 또는 이들의 조합을 포함하는 방향으로 조절하기 위한 스테이지; 및
상기 스테이지의 이동을 제어하는 스테이지 제어 모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 케미컬 및 패키지 잔유물을 제거하기 위해 상기 IC 패키지에 세정액을 분사하는 세정액 제공부;
상기 디캡을 수행하는 공간에서 질소를 주입하기 위한 질소 퍼지부; 및
상기 세정액의 분사를 제어하는 것, 상기 케미컬을 IC 패키지에 드롭하는 양을 조절하는 것, 상기 디캡을 수행하는 공간에서 질소를 퍼지하는 것, 또는 이들의 조합 중 적어도 하나를 제어하는 디스펜서 제어모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 IC 패키지의 디캡 상태를 모니터링하기 위한 카메라; 및
상기 카메라의 줌, 포커스, 팬, 틸트, 밝기 또는 이들의 조합을 포함한 카메라 제어를 수행하는 카메라 제어 모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 레이저를 조사하는 과정에서, 상기 레이저를 상기 IC 패키지에 포커싱하거나 디포커싱하는 것을 제어하는 레이저 제어 모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 레이저 생성부와 카메라를 포함하는 광학부; 및 스테이지에 IC 패키지를 실장하여 디캡을 수행하는 디캡 수행부;를 분리하여 구성하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 광학부와 상기 디캡 수행부 간에는 광학적인 투과율을 향상시키기 위해서 쿼츠 윈도우;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 디캡 장치는,
상기 IC 패키지의 본딩 와이어가 표면에 나타날 때 까지 레이저만을 이용하여 프리 디캡을 수행하도록 함으로써, 케미컬의 사용량을 최소화할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 디캡 장치는,
레이저, 케미컬 또는 이들의 조합으로 인해 발생된 흄을 포함한 상기 프리 디캡 및 상기 디캡 시 생성된 화학물질을 배기하기 위한 덕트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 장치. - IC 패키지를 디캡하기 위해 레이저를 포커싱 혹은 디포커싱하는 단계; 및
상기 IC 패키지에 케미컬을 드롭하고 상기 레이저를 스캔하여 디캡을 수행하는 단계;를 포함하며,
상기 케미컬과 레이저는 상기 IC 패키지의 디캡을 촉진하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 방법. - 청구항 10에 있어서,
상기 IC 패키지의 디캡 방법은,
상기 IC 패키지의 본딩 와이어가 표면에 나타날 때 까지 레이저만을 이용하여 프리 디캡하는 단계;
카메라를 통해 상기 IC 패키지의 디캡 상태를 모니터링하는 단계;및
상기 케미컬 및 패키지의 잔유물을 제거하기 위해 상기 IC 패키지를 세정액으로 세정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 IC 패키지의 디캡 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150117602A KR20170022512A (ko) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | Ic 패키지 디캡 장치 및 그 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150117602A KR20170022512A (ko) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | Ic 패키지 디캡 장치 및 그 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170022512A true KR20170022512A (ko) | 2017-03-02 |
Family
ID=58426853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150117602A KR20170022512A (ko) | 2015-08-21 | 2015-08-21 | Ic 패키지 디캡 장치 및 그 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20170022512A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022260784A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-15 | Tokyo Electron Limited | Bath systems and methods thereof |
| US11624607B2 (en) | 2020-01-06 | 2023-04-11 | Tokyo Electron Limited | Hardware improvements and methods for the analysis of a spinning reflective substrates |
| CN116013817A (zh) * | 2023-01-17 | 2023-04-25 | 上海季丰电子股份有限公司 | 芯片封装破除装置及方法 |
-
2015
- 2015-08-21 KR KR1020150117602A patent/KR20170022512A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11624607B2 (en) | 2020-01-06 | 2023-04-11 | Tokyo Electron Limited | Hardware improvements and methods for the analysis of a spinning reflective substrates |
| WO2022260784A1 (en) * | 2021-06-07 | 2022-12-15 | Tokyo Electron Limited | Bath systems and methods thereof |
| US11738363B2 (en) | 2021-06-07 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Bath systems and methods thereof |
| CN116013817A (zh) * | 2023-01-17 | 2023-04-25 | 上海季丰电子股份有限公司 | 芯片封装破除装置及方法 |
| CN116013817B (zh) * | 2023-01-17 | 2024-03-19 | 上海季丰电子股份有限公司 | 芯片封装破除装置及方法 |
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