KR20170018813A - 관통 실리콘 비아들(ｔｖｓ)의 사용 없이 로직 다이에의 메모리 다이의 직접 통합을 위한 방법 - Google Patents

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KR20170018813A
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KR
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interconnects
devices
substrate
device layer
forming
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KR1020167031101A
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도날드 더블유. 넬슨
엠 클레어 웨브
패트릭 모로우
기민 전
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인텔 코포레이션
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Abstract

복수의 제1 인터커넥트들 및 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 집적 회로 디바이스 층을 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계; 메모리 디바이스 층이 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되도록, 메모리 디바이스 층을 포함하는 제2 기판을 상기 제1 기판에 연결하는 단계; 및 상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 방법. 기판 상에 복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 복수의 회로 디바이스들을 포함하는 디바이스 층; 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되어 연결된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 메모리 디바이스 층; 및 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 중의 하나에 연결된 콘택트 포인트들을 포함하는 장치.

Description

관통 실리콘 비아들(ＴＶＳ)의 사용 없이 로직 다이에의 메모리 다이의 직접 통합을 위한 방법{METHOD FOR DIRECT INTEGRATION OF MEMORY DIE TO LOGIC DIE WITHOUT USE OF THROUGH SILICON VIAS (TSV)}
집적 회로들 및 보다 구체적으로, 모놀리식 3차원 집적 회로들.
모놀리식 집적 회로들(IC들)은 일반적으로 실리콘 웨이퍼와 같은 평면 기판 위에 제조된 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터들(MOSFET들)과 같은 다수의 트랜지스터들을 포함한다. MOSFET들의 게이트 치수들이 이제 20 nm 미만이 되면서 IC 치수들의 측방향 스케일링이 더욱 어려워지고 있다. 디바이스 사이즈들이 계속해서 감소함에 따라, 표준 평면 스케일링을 계속하는 것이 비실용적이 되는 시점이 올 것이다. 이러한 변곡점은, 엄청나게 높은 커패시턴스, 또는 양자-기반 가변성과 같은, 경제학 또는 물리학에 기인할 수 있다. 일반적으로 수직 스케일링 또는 3차원(3D) 집적화로 지칭되는, 3차원으로 디바이스들을 적층하는 것이 더 큰 트랜지스터 밀도를 향한 유망한 길이다.
메모리 디바이스들을 로직 디바이스들과 집적하기 위한 하나의 해결법은, 메모리 다이에 접속하기 위해서 로직 다이를 관통하여 배치된 TSV(through silicon via)들을 사용하여 메모리 다이를 로직 다이와 통합하는 것에 의한 것이다. 또 다른 해결법은 로직 다이를 메모리 다이에 와이어 접합하는 것이다. 이러한 해결법들 둘 다는 한정된 속도/대역폭, 및 적어도 2 다이의 패키지 높이를 초래한다.
도 1은 단결정 실리콘 반도체 기판의 기판을 도시한다.
도 2는 기판에 병치된 복수의 인터커넥트들을 도입하고, 상기 복수의 인터커넥트들 중의 인터커넥트들이 디바이스들에 접속된 후의 도 1의 구조체를 도시한다.
도 3은 도 2의 구조체 내로 디바이스 층을 도입한 후의 해당 구조체를 도시한다.
도 4는 도 3의 구조체 상에 복수의 인터커넥트들을 도입한 후의 해당 구조체를 도시한다.
도 5는 메모리 디바이스 층을 포함하는 캐리어 웨이퍼에 도 4의 구조체를 접속한 후의 해당 구조체를 도시한다.
도 6은 도 5의 구조체로부터 기판(110)을 제거한 후의 해당 구조체를 도시한다.
도 7은 디바이스들을 포함하는 디바이스 층의 부동태화 후의 도 6의 구조체를 도시한다.
도 8은 하나 이상의 실시예들을 구현하는 인터포저이다.
도 9는 컴퓨팅 디바이스의 실시예를 예시한다.
집적 회로(IC) 및 IC 형성 방법 및 그것의 이용법이 개시된다. 일 실시예에서, 모놀리식 3차원(3D) IC 및 그것의 제조 및 이용 방법이 설명된다. 일 실시예에서, 3차원 집적 회로의 장치는, 기판 상의 복수의 제1 인터커넥트들 및 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 복수의 회로 디바이스들을 포함하는 디바이스 층, 및 복수의 제1 인터커넥트들 및 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나와 회로 디바이스에 접속된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 메모리 디바이스 층을 포함한다. 따라서, 메모리 디바이스 층을 적어도 하나의 능동 회로(예를 들어, 로직) 층에 직접 부착되는 장치가 개시된다. 설명된 바와 같이 DRAM 또는 다른 메모리와 같은 메모리를 직접 부착 방법에 의해 능동 회로에 직접 부착하는 방법은 속도 제한 TSV들을 필요로 하지 않는 고대역폭을 제공한다. 대신에, 메모리 디바이스는 모놀리식 3D IC 구조체에 집적되어, 단일의 다이 해결법을 초래한다. 별개의 층들에 있는 능동(예를 들어, 로직) 회로와 메모리 회로의 집적화된 스택은, 단일의 다이 해결법을 제공하는데, 이는 패키지 높이가 중요한 애플리케이션들을 위해 얇은 패키지를 초래한다.
이하의 설명에서는, 예시적인 구현예들의 다양한 양태들이, 본 기술분야의 다른 기술자들에게 자신들의 연구의 요지를 전달하기 위해, 본 기술분야의 기술자들에 의해 통상적으로 채택되는 용어들을 이용하여 설명될 것이다. 그러나, 실시예들은 설명된 양태들 중 일부만으로 실시될 수도 있음이 본 기술분야의 기술자들에게 명백할 것이다. 설명을 위해, 특정 숫자들, 재료들 및 구성들이 개시되어 예시적인 구현예들의 철저한 이해를 제공한다. 그러나, 실시예들은 특정 세부 사항들 없이 실시될 수 있음이 본 기술분야의 기술자에게 명백할 것이다. 다른 예들에서, 예시적인 구현예들을 모호하게 하지 않기 위해 주지된 특징들은 생략되거나 간략화된다.
다양한 동작들이 다수의 개별적인 동작들로서, 차례차례, 본 명세서에서 설명된 실시예들을 이해하는 데 가장 도움이 되는 방식으로 설명될 것이지만, 설명의 순서는, 이들 동작들이 반드시 순서에 의존하는 것을 의미하는 것으로 이해되지 않아야 한다. 특히, 이러한 동작들은 제시된 순서로 수행될 필요는 없다.
구현예들은 반도체 기판과 같은 기판상에서 형성되거나 수행될 수 있다. 일 구현예에서, 반도체 기판은 벌크 실리콘 또는 SOI(silicon-on-insulator) 하부 구조를 이용하여 형성된 결정 기판일 수 있다. 다른 구현예들에서, 반도체 기판은, 게르마늄, 인듐 안티모나이드(indium antimonide), 납 텔루라이드(lead telluride), 인듐 비소(indium arsenide), 인듐 인(indium phosphide), 갈륨 비소(gallium arsenide), 인듐 갈륨 비소, 갈륨 안티모나이드(gallium antimonide), 또는 III-V 족 또는 IV 족 재료들의 다른 조합들을 포함하지만 이들에 한정되지 않는, 실리콘과 조합될 수 있거나 실리콘과 조합되지 않을 수 있는, 대안의 재료들을 이용하여 형성될 수 있다. 비록 여기서는 기판이 형성될 수 있는 재료들의 소수의 예들이 설명되지만, 반도체 디바이스가 제조될 수 있는 기반으로서의 역할을 할 수 있는 어떤 재료라도 본 정신 및 범주 내에 속한다.
기판상에, 예를 들어 본 명세서에서 언급될 디바이스 층들 내에 금속-산화물-반도체 전계-효과 트랜지스터들(MOSFET 또는 간단히 MOS 트랜지스터들)과 같은 복수의 트랜지스터들이 제조될 수 있다. 다양한 구현예들에서, MOS 트랜지스터들은 평면 트랜지스터들, 비평면 트랜지스터들, 또는 이 둘의 조합일 수 있다. 비평면 트랜지스터들은 더블-게이트 트랜지스터들 및 트라이-게이트 트랜지스터들과 같은 FinFET 트랜지스터들, 및 나노리본 및 나노와이어 트랜지스터들과 같은 랩 어라운드형(wrap-around) 또는 올 어라운드형(all-around) 게이트 트랜지스터들을 포함한다. 본 명세서에서 설명된 구현예들은 평면 트랜지스터들만을 예시할 수 있지만, 실시예들은 비평면 트랜지스터들을 이용하여 수행될 수도 있다는 점에 주목해야 한다.
각각의 MOS 트랜지스터는 적어도 2개의 층들, 즉 게이트 유전체 층 및 게이트 전극 층으로 형성된 게이트 스택을 포함한다. 게이트 유전체 층은 하나의 층 또는 층들의 스택을 포함할 수 있다. 하나 이상의 층들은 실리콘 산화물, 실리콘 이산화물(SiO2) 및/또는 하이-k 유전체 재료를 포함할 수 있다. 하이-k 유전체 재료는 하프늄, 실리콘, 산소, 티타늄, 탄탈룸, 란타늄, 알루미늄, 지르코늄, 바륨, 스트론튬, 이트륨, 납, 스칸듐, 니오븀, 및 아연과 같은 원소들을 포함할 수 있다. 게이트 유전체 층에 사용될 수 있는 하이-k 재료들의 예들은, 하프늄 산화물, 하프늄 실리콘 산화물, 란타늄 산화물, 란타늄 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물, 탄탈룸 산화물, 티타늄 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 이트륨 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈룸 산화물, 및 납 아연 니오브산염(lead zinc niobate)을 포함하는데, 이들에 한정되지는 않는다. 일부 실시예들에서, 하이-k 재료가 사용될 때 그 품질을 향상시키기 위해 게이트 유전체 층에 대해 어닐링 공정이 수행될 수 있다.
게이트 전극 층은 게이트 유전체 층 상에 형성되고 트랜지스터가 PMOS 트랜지스터가 될 것인지 또는 NMOS 트랜지스터가 될 것인지에 따라, 적어도 하나의 P-형 일함수 금속 또는 N-형 일함수 금속으로 이루어질 수 있다. 일부 구현예들에서, 게이트 전극 층은 2개 이상의 금속 층들의 스택으로 이루어질 수 있고, 여기서 하나 이상의 금속 층들은 일함수 금속 층들이고 적어도 하나의 금속 층은 충전(fill) 금속 층이다.
PMOS 트랜지스터의 경우, 게이트 전극으로 사용될 수 있는 금속들은, 루테늄, 팔라듐, 백금, 코발트, 니켈, 및 도전성 금속 산화물들, 예를 들어, 루테늄 산화물을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. P-형 금속 층은 일함수가 약 4.9 eV 내지 약 5.2 eV인 PMOS 게이트 전극의 형성을 가능하게 할 것이다. NMOS 트랜지스터의 경우, 게이트 전극으로 사용될 수 있는 금속들은, 하프늄, 지르코늄, 티타늄, 탄탈룸, 알루미늄, 이 금속들의 합금들, 및 하프늄 탄화물, 지르코늄 탄화물, 티타늄 탄화물, 탄탈룸 탄화물 및 알루미늄 탄화물과 같은 이 금속들의 탄화물들을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다. N-형 금속 층은 일함수가 약 3.9 eV 내지 약 4.2 eV인 NMOS 게이트 전극의 형성을 가능하게 할 것이다.
일부 구현예들에서, 게이트 전극은 기판의 표면에 실질적으로 평행한 하부 부분 및 기판의 상부 표면에 실질적으로 수직인 2개의 측벽 부분들을 포함하는 "U" 형상의 구조체로 이루어질 수 있다. 또 다른 구현예에서, 게이트 전극을 형성하는 금속 층들 중 적어도 하나는 단순히 기판의 상부 표면에 실질적으로 평행한 평면 층일 수 있고 기판의 상부 표면에 실질적으로 수직인 측벽 부분들은 포함하지 않는다. 추가 구현예들에서, 게이트 전극은 U 형상의 구조체들 및 평면의 U 형상이 아닌 구조체들의 조합으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극은 하나 이상의 평면의 U 형상이 아닌 층들 위에 형성된 하나 이상의 U 형상의 금속 층들로 이루어질 수 있다.
일부 구현예들에서, 게이트 스택의 상반되는 측들에 게이트 스택을 브래킷(bracket)하는 한 쌍의 측벽 스페이서들이 형성될 수 있다. 측벽 스페이서들은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 탄화물, 탄소로 도핑된 실리콘 질화물, 및 실리콘 산질화물과 같은 재료로 형성될 수 있다. 측벽 스페이서들을 형성하는 공정들은 본 기술분야에 공지되어 있고 일반적으로 퇴적 및 에칭 공정 단계들을 포함한다. 대안의 구현예에서는, 복수의 스페이서 쌍들이 이용될 수 있고, 예를 들어, 2개의 쌍, 3개의 쌍, 또는 4개의 쌍의 측벽 스페이서들이 게이트 스택의 상반되는 측들에 형성될 수 있다.
본 기술분야에 공지된 바와 같이, 각각의 MOS 트랜지스터의 게이트 스택에 인접하여 기판 내에 소스 및 드레인 영역들이 형성된다. 이 소스 및 드레인 영역들은 일반적으로 주입/확산 공정 또는 에칭/퇴적 공정 중 어느 하나를 이용하여 형성된다. 전자의 공정에서는, 붕소, 알루미늄, 안티몬, 인, 또는 비소와 같은 도펀트들이 소스 및 드레인 영역들을 형성하도록 기판에 이온 주입될 수 있다. 전형적으로 이온 주입 공정에는 도펀트들을 활성화시키고 그것들로 하여금 기판 내로 더 확산되게 하는 어닐링 공정이 뒤따른다. 후자의 공정에서는, 처음에 기판을 에칭하여 소스 및 드레인 영역들의 위치들에 리세스들을 형성할 수 있다. 그 후 에피택셜 퇴적 공정을 수행하여 소스 및 드레인 영역들을 제조하기 위해 사용되는 재료로 리세스들을 채울 수 있다. 일부 구현예들에서, 소스 및 드레인 영역들은 실리콘 게르마늄 또는 실리콘 탄화물과 같은 실리콘 합금을 이용하여 제조될 수 있다. 일부 구현예들에서 에피택셜 방식으로 퇴적된 실리콘 합금은 붕소, 비소, 또는 인과 같은, 도펀트들로 인 시츄(in situ)로 도핑될 수 있다. 추가 구현예들에서, 소스 및 드레인 영역들은 게르마늄 또는 III-V 족 재료 또는 합금과 같은 하나 이상의 대안의 반도체 재료들을 이용하여 형성될 수 있다. 그리고 추가 실시예들에서, 금속 및/또는 금속 합금들의 하나 이상의 층들을 이용하여 소스 및 드레인 영역들을 형성할 수 있다.
하나 이상의 층간 유전체(interlayer dielectrics)(ILD)가 MOS 트랜지스터들 위에 퇴적된다. ILD 층들은, 로우-k 유전체 재료들과 같은, 집적 회로 구조들에서 적용가능한 것으로 알려진 유전체 재료들을 이용하여 형성될 수 있다. 사용될 수 있는 유전체 재료들의 예들은, 실리콘 이산화물(SiO2), CDO(carbon doped oxide), 실리콘 질화물, 퍼플루오로시클로부탄(perfluorocyclobutane) 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), FSG(fluorosilicate glass)와 같은 유기 폴리머들, 및 실세스퀴옥산(silsesquioxane), 실록산(siloxane), 또는 오가노실리케이트 글래스(organosilicate glass)와 같은 오가노실리케이트들(organosilicates)을 포함할 수 있지만, 이들에 한정되지는 않는다. ILD 층들은 그들의 유전 상수를 더 감소시키기 위해 구멍들(pores) 또는 에어 갭들(air gaps)을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 7은 메모리 디바이스 층을 포함하는 모놀리식 3D IC를 형성하는 한 방법을 설명한다. 설명된 실시예는 또한, 2개의 회로 디바이스 층(능동 회로 층들)을 포함하고, 여기서 회로 디바이스 층들 중의 하나는 다른 하나의 회로 디바이스 층 내의 디바이스들과는 상이한 전압 범위들을 갖는 디바이스들을 포함한다. 대표적으로, 더 고전압 범위를 갖는 디바이스들은 고 주파수(예를 들어, 무선 주파수(RF)) 및 전원 교환 애플리케이션들의 용도로 동작 가능한 디바이스들을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 예시적인 그러한 디바이스들은, 비교적 큰(예를 들어, 더 이전 세대) p-형 및/또는 n-형 디바이스들, 질화갈륨(GaN) 또는 갈륨 비소(GaAs)와 같은 높은 전자 이동성 트랜지스터들이다. 대표적으로, 그러한 디바이스들은 증가된 전압을 견뎌낼 수 있고, 증가된 구동 전류를 제공할 수 있는 디바이스들을 포함할 수 있다. 그러한 디바이스들은 최신 로직 디바이스들보다 더 큰 경향이 있다. 더 저전압 범위의, 통상적으로 더 고속의 디바이스들은 더 고전압 범위의 디바이스들보다 더 높은 피치로 디바이스 층 상에 배열될 수 있는 FinFET들과 같은 로직 디바이스들 또는 다른 축소된 폼팩터(formfactor)의 디바이스들을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 모놀리식 3D IC는 유사한 디바이스들의 회로 디바이스 층들 또는 단 하나의 디바이스 층(예를 들어, 로직 디바이스 층) 또는 디바이스 타입들의 혼합체들을 포함한다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에서, 고전압 스윙 디바이스들 및/또는 더 큰(예를 들어, 더 이전 세대) PMOS 및/또는 NMOS 디바이스들이 기판 상에 형성된다. 도 1은, 예를 들어, 단결정 실리콘 반도체 기판(예를 들어, 실리콘 기판)의 기판(110)을 도시한다. 디바이스들(120A, 120B, 및 120C)을 포함하는 디바이스 층이 기판(110) 상에 배치된다. 디바이스(120A)는, 예를 들어, GaN 디바이스 또는 GaAs 디바이스이고; 디바이스(120B)는, 예를 들어, 더 이전 세대 n-형 디바이스이고; 디바이스(120C)는 대표적으로, 더 이전 세대 p-형 디바이스이다. 그러한 디바이스들은 고전력 애플리케이션들에 사용될 수 있다.
도 2는 기판(110)에 병치되는 복수의 인터커넥트들을 도입하고, 상기 복수의 인터커넥트들 중의 인터커넥트들이 디바이스들에 접속된 후의 도 1의 구조체를 도시한다. 도 2는 디바이스들(120A, 120B, 및 120C)과 같은 비교적 고전압 스윙 디바이스들을 위해 호환 가능한(예를 들어, 임피던스 매칭되는) 치수들을 갖는 인터커넥트들(1305)을 포함하는 복수의 인터커넥트들(130)을 도시한다. 복수의 인터커넥트들(130)은, 일 실시예에서, 인터커넥트들(1305)의 치수와 상이한 치수들을 갖는 인터커넥트들(1306)을 더 포함한다. 일 실시예에서, 복수의 인터커넥트들(130)은 본 기술분야에 공지된 바와 같은 구리 재료이고 패턴화된다. 디바이스들과 제1 레벨의 인터커넥트 사이의 디바이스 층 콘택트들(125A, 125B, 및 125C)은 텅스텐 또는 구리일 수 있고, 인터커넥트들 사이의 레벨간 콘택트들은, 예를 들어, 구리이다. 인터커넥트들은, 유전체 재료(예를 들어, 산화물)에 의해 서로 그리고 디바이스들로부터 절연된다.
도 3은 도 2의 구조체 내로 디바이스 층을 도입한 후의 해당 구조체를 도시한다. 도 3은 복수의 인터커넥트들(130)에 또는 그 위에 병치된 디바이스 층(150)을 도시한다. 일 실시예에서, 디바이스 층(150)은 층 전사 공정(layer transfer process)을 통해 도입된 층을 포함하는 단결정 반도체 층(예를 들어, 실리콘 층)이다. 디바이스 층(150)은 전사 시에 디바이스들을 포함하거나 또는 디바이스들을 포함하지 않을 수 있다. 그러한 층이 전사 시에 디바이스들을 포함하지 않는 일 실시예에서, 복수의 디바이스들은 전사 후(post-transfer) 형성될 수 있다. 그러한 디바이스들은 고속의 로직 디바이스들(예를 들어, FinFET 디바이스들)과 같은 고속의 디바이스들을 포함한다. 그러한 디바이스들은, 구조체(100) 상의 다른 디바이스 층(예를 들어, 디바이스들(120A 내지 120C)을 포함하는 디바이스 층)과 관련된 고전압 스윙 디바이스들 및/또는 더 큰(더 이전 세대) 디바이스들보다 더 미세 피치로 디바이스 층(150) 내에 배치 또는 배열될 수 있다. 그러한 디바이스들은, 일 실시예에서, 예를 들어, 디바이스 층과 인터커넥트 사이의 콘택트들(155)을 통해, 복수의 인터커넥트들(130)의 인터커넥트들(1306)에 접속된다. 대표적으로, 인터커넥트들(1306)은, 대략 게이트 피치의 적어도 0.67배의 두께를 갖고, 인터커넥트들(1305)은 인터커넥트들(1306)의 두께의 대략 100배 내지 1000배 더 큰 두께를 갖는다. 대표적으로, 현재의 FinFET들은 0 내지1.5 volts의 전압 범위를 갖는다. 더 고전압 범위의 디바이스들은, 일 실시예에서, 1.5 volts보다 큰 전압 범위, 예를 들어, 5.5 volts까지의 범위를 갖는 디바이스들이다.
도 4는 도 3의 구조체 상에 복수의 인터커넥트들을 도입한 후의 해당 구조체를 도시한다. 도 4는 디바이스 층(150)에 또는 그 위에 병치된 복수의 인터커넥트들(170)을 도시하며, 여기서 이 복수의 인터커넥트들(170) 중의 인터커넥트들은 디바이스 층(150)의 디바이스들에 접속된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 디바이스 층(150) 내의 디바이스들은 복수의 인터커넥트들(170) 중의 인터커넥트들에 콘택트들(158)을 통해 접속될 수 있고, 그리고/또는 복수의 인터커넥트들(130) 중의 인터커넥트들에 콘택트들(155)을 통해 접속될 수 있다. 도 4는 또한 복수의 인터커넥트들(170)에 임베딩된 메모리 요소들을 도시한다. 일 실시예에서, 메모리 요소들(예를 들어, STTM(scalable two transistor memory) 및/또는 ReRAM(resistive random access memory) 요소들)은 한 단부에서 복수의 인터커넥트들(170)에 접속되고(콘택트(164)를 통해), 디바이스 층(150) 및 복수의 인터커넥트들(130)에 콘택트들(162)을 통해 접속된다. 디바이스 층(150) 내의 디바이스들은 메모리 판독 및 기입 동작 동안 메모리 요소를 인에이블하기 위해 동작 가능하다.
도 4는 본 기술분야에서 공지된 바와 같이 유전체 재료에 의해 서로 그리고 디바이스 층으로부터 절연된 복수의 인터커넥트들(170)을 도시한다. 복수의 인터커넥트들(170)은, 일 실시예에서, 도금 공정에 의해 도입된 구리와 같은 재료로부터 선택되고, 디바이스 층(150) 내의 디바이스들에의 콘택트들(158)은 대표적으로 구리 또는 텅스텐이고 인터커넥트들 사이의 콘택트들은 구리이다. 복수의 인터커넥트들(170) 상에 금속화 층(175)이 배치되고, 이 금속화 층은 금속 대 금속 접합 접속들을 위한 노출된 도전성 콘택트 포인트들을 포함한다.
도 5는 메모리 디바이스 층을 포함하는 캐리어 웨이퍼에 도 4의 구조체를 접속한 후의 해당 구조체를 도시한다. 일 실시예에서, 도 4에서 구조체(100)는 뒤집혀서 캐리어 웨이퍼에 접합된다. 도 5는, 예를 들어, 실리콘 또는 다른 적합한 기판의 캐리어 웨이퍼(185)를 도시한다. 캐리어 웨이퍼(185)는, 한 면에, 메모리 디바이스 층(190)을 포함한다. 메모리 디바이스 층(190)은 동적 RAM(DRAM) 디바이스 층과 같은, 다수의 복수의 메모리 요소들 및 메모리 회로일 수 있다. 일 실시예예서, 메모리 디바이스 층은 금속화 층(195)을 포함하고, 이 금속화 층은 구조체(100)의 금속화 층(175)의 도전성 콘택트 포인트들에 노출 및 정렬된 도전성 접속 포인트들 또는 접속들을 포함한다. 따라서, 일 실시예예서, 메모리 디바이스 층(190)과 관련된 노출된 콘택트들은, 직접 금속 대 금속 접합(예를 들어, 구리 대 구리 압축 접합)을 통해 금속화(175)에 접속될 수 있다.
도 6은 도 5의 구조체로부터 기판(110)을 제거한 후의 해당 구조체를 도시한다. 일 실시예에서, 기판(110)은 기계적(예를 들어, 그라인딩) 또는 다른 메커니즘(예를 들어, 에칭)에 의해 제거될 수 있다. 기판(110)은, 일 실시예에서, 디바이스들(120A, 120B, 및 120C)을 포함하는 적어도 디바이스 층이 캐리어 웨이퍼 상에 남아 있는 정도까지 제거된다.
도 7은 디바이스(120A), 디바이스(120B) 및 디바이스(120C)를 포함하는 디바이스 층의 부동태화 후의 도 6의 구조체를 도시한다. 그러한 부동태화는 산화물 층 또는 유사한 유전체 재료 층에 의한 것일 수 있다. 도 7은 또한, 복수의 인터커넥트들(130) 중의 인터커넥트들(인터커넥트(1305))에의 콘택트 포인트(195)의 형성을 도시한다. 콘택트 포인트들(195)은 패키지 기판과 같은 기판에 구조체(100)를 접속하는 데 이용될 수 있다. 일단 구조체가 형성되면, 이 구조체가 웨이퍼 레벨에서 형성된 경우에는, 개별 모놀리식 3D IC로 개별화(singulate)될 수 있다. 도 7은 대표적으로 개별화 후의 구조체(100)를 도시하고 콘택트 포인트들(195)로의 납땜 접속들을 통한 패키지 기판에의 구조체의 접속을 고스트 라인들(ghost lines)로 예시한다.
도 8은 본 발명의 하나 이상의 실시예들을 포함하는 인터포저(200)를 예시한다. 인터포저(200)는 제1 기판(202)을 제2 기판(204)에 브리징(bridge)하기 위해 이용되는 개재 기판이다. 제1 기판(202)은, 예를 들어, 집적 회로 다이일 수 있다. 제2 기판(204)은, 예를 들어, 메모리 모듈, 컴퓨터 마더보드, 또는 또 다른 집적 회로 다이일 수 있다. 일반적으로, 인터포저(200)의 용도는 접속을 더 넓은 피치로 펼치거나 또는 접속을 상이한 접속으로 경로 변경(reroute)하기 위한 것이다. 예를 들어, 인터포저(200)는 집적 회로 다이를 BGA(ball grid array)(206)에 연결할 수 있고, BGA는 후속하여 제2 기판(204)에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 기판들(202/204)은 인터포저(200)의 상반되는 측들에 부착된다. 다른 실시예들, 제1 및 제2 기판들(202/204)은 인터포저(200)의 동일한 측에 부착된다. 그리고 추가 실시예들에서, 3개 이상의 기판들이 인터포저(200)를 통하여 상호 접속된다.
인터포저(200)는 에폭시 수지, 유리 섬유 강화 에폭시 수지, 세라믹 재료, 또는 폴리이미드와 같은 폴리머 재료로 형성될 수 있다. 추가 구현예들에서, 인터포저는 실리콘, 게르마늄, 및 다른 III-V 족 및 IV 족 재료들과 같은, 반도체 기판에 사용하기 위해 위에 설명된 동일한 재료들을 포함할 수 있는 대안의 강성 또는 연성 재료들로 형성될 수 있다.
인터포저는 금속 인터커넥트들(208), 및 TSV(through-silicon via)들(212)을 포함하지만 이에 한정되지 않는 비아들(210)을 포함할 수 있다. 인터포저(200)는 수동 및 능동 디바이스들 둘 다를 포함하는, 임베딩된 디바이스들(214)을 더 포함할 수 있다. 그러한 디바이스들은 커패시터들, 디커플링 커패시터들, 저항기들, 인덕터들, 퓨즈들, 다이오드들, 변압기들, 센서들, 및 ESD(electrostatic discharge) 디바이스들을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. RF(radio-frequency) 디바이스들, 전력 증폭기들, 전력 관리 디바이스들, 안테나들, 어레이들, 센서들, 및 MEMS 디바이스들과 같은 더 복잡한 디바이스들이 인터포저(200) 상에 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따라, 본 명세서에 개시된 장치들 또는 공정들이 인터포저(200)의 제조에 이용될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 컴퓨팅 디바이스(300)를 예시한다. 컴퓨팅 디바이스(300)는 다수의 구성요소들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 이 구성요소들은 하나 이상의 마더보드에 부착된다. 대안의 실시예에서, 이 구성요소들은 마더보드보다는 단일의 SoC(system-on-a-chip) 다이 상에 제조된다. 컴퓨팅 디바이스(300) 내의 구성요소들은 집적 회로 다이(302) 및 적어도 하나의 통신 칩(308)을 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다. 일부 구현예들에서, 통신 칩(308)은 집적 회로 다이(302)의 일부로서 제조된다. 집적 회로 다이(302)는 CPU(304)뿐만 아니라, 임베딩된 DRAM(eDRAM) 또는 스핀-전달 토크 메모리(STTM 또는 STTM-RAM)와 같은 기술들에 의해 제공될 수 있는, 캐시 메모리로서 종종 이용되는, 온-다이 메모리(306)를 포함할 수 있다.
컴퓨팅 디바이스(300)는 마더보드에 물리적으로 전기적으로 연결되거나 또는 SoC 다이 내에 제조될 수 있는 또는 그렇지 않을 수 있는 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 이 다른 구성요소들은 휘발성 메모리(310)(예를 들어, DRAM), 비휘발성 메모리(312)(예를 들어, ROM 또는 플래시 메모리), GPU(graphics processing unit)(314), 디지털 신호 프로세서(316), 암호 프로세서(342)(하드웨어 내의 암호화 알고리즘들을 실행하는 전문화된 프로세서), 칩셋(320), 안테나(322), 디스플레이 또는 터치스크린 디스플레이(324), 터치스크린 컨트롤러(326), 배터리(328) 또는 다른 전원, 전력 증폭기(도시되지 않음), GPS(global positioning system) 디바이스(344), 컴퍼스(330), 모션 코프로세서 또는 센서들(332)(가속도계, 자이로스코프, 및 컴퍼스를 포함할 수 있음), 스피커(334), 카메라(336), 사용자 입력 디바이스들(338)(예를 들어 키보드, 마우스, 스타일러스, 및 터치패드), 및 대용량 저장 디바이스(340)(예를 들어 하드 디스크 드라이브, CD(compact disk), DVD(digital versatile disk), 및 기타 등등)를 포함하지만, 이들에 한정되지 않는다.
통신 칩(308)은 컴퓨팅 디바이스(300)로의/로부터의 데이터의 전송을 위한 무선 통신을 가능하게 한다. 용어 "무선(wireless)" 및 그 파생어들은, 비-고체 매체를 통한 변조된 전자기 복사(electromagnetic radiation)를 이용하여 데이터를 전달할 수 있는, 회로들, 디바이스들, 시스템들, 방법들, 기법들, 통신 채널들 등을 기술하는 데 이용될 수 있다. 그 용어는 관련 디바이스들이 어떤 배선도 포함하지 않음을 암시하지 않지만, 일부 실시예들에서는 어떤 배선도 포함하지 않을 수 있다. 통신 칩(308)은, Wi-Fi(IEEE 802.11 계열), WiMAX(IEEE 802.16 계열), IEEE 802.20, LTE(long term evolution), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, 블루투스, 그 파생물들뿐만 아니라 3G, 4G, 5G, 및 그 이상으로 지명되는 임의의 다른 무선 프로토콜들을 포함하지만 이들로 한정되지 않는, 다수의 무선 표준들이나 프로토콜들 중 임의의 것을 구현할 수 있다. 컴퓨팅 디바이스(300)는 복수의 통신 칩(308)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 통신 칩(308)은 Wi-Fi 및 블루투스와 같은 단거리 무선 통신에 전용될 수 있고 제2 통신 칩(308)은 GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, Ev-DO, 및 다른 것들과 같은 장거리 무선 통신에 전용될 수 있다.
컴퓨팅 디바이스(300)의 프로세서(304)는, 일 실시예에서, 위에 설명된 실시예들에 따라 형성되는, 다수의 디바이스 층들을 포함하는 모놀리식 3D IC이다. 용어 "프로세서"는, 레지스터들 및/또는 메모리로부터의 전자적 데이터를 처리하여 그 전자적 데이터를 레지스터들 및/또는 메모리에 저장될 수 있는 다른 전자적 데이터로 변환하는 임의의 디바이스 또는 디바이스의 일부를 지칭할 수 있다.
통신 칩(308)은 또한, 일 실시예에서, 위에 설명된 실시예들에 따라 형성되는, 다수의 디바이스 층들을 포함하는 모놀리식 3D IC를 포함할 수 있다.
추가 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스(300) 내에 하우징된 또 다른 구성요소가, 위에 설명된 구현예들에 따른, 다수의 디바이스 층들을 포함하는 모놀리식 3D IC를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 컴퓨팅 디바이스(300)는 랩톱 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 울트라북 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿, PDA(personal digital assistant), 울트라 모바일 PC, 모바일폰, 데스크톱 컴퓨터, 서버, 프린터, 스캐너, 모니터, 셋톱 박스, 엔터테인먼트 제어 유닛, 디지털 카메라, 휴대용 뮤직 플레이어 또는 디지털 비디오 레코더일 수 있다. 추가 구현예들에서, 컴퓨팅 디바이스(300)는 데이터를 처리하는 임의의 다른 전자적 디바이스일 수 있다.
예들
예 1은 복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 집적 회로 디바이스 층을 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계; 메모리 디바이스 층이 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되도록, 메모리 디바이스 층을 포함하는 제2 기판을 상기 제1 기판에 연결하는 단계; 및 상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 방법이다.
예 2에서, 복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 집적 회로 디바이스 층을 포함하는 예 1의 제1 기판을 형성하는 단계는, 상기 제1 기판 상에 제1 디바이스 층을 형성하는 단계; 상기 제1 기판 상에 복수의 제1 인터커넥트들을 형성하는 단계 - 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 복수의 제1 디바이스들 중의 디바이스들에 연결됨 -; 복수의 제2 디바이스들이 없는 디바이스 층 및 복수의 제2 디바이스들을 포함하는 디바이스 층 중의 하나를 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들에 연결하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 제2 디바이스들이 없는 디바이스 층이 연결되면, 상기 방법은 복수의 제2 디바이스들을 형성하는 단계; 및 상기 제2 디바이스 층 상에 복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계 - 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 상기 복수의 제2 디바이스들 중의 디바이스들에 연결됨 - 를 포함한다.
예 3에서, 상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계 후에, 예 2의 상기 방법은 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 중의 하나에의 콘택트 포인트들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 콘택트 포인트들은 외부 소스에의 접속을 위해 동작 가능하다.
예 4에서, 예 2의 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들의 치수들은 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들의 치수들보다 더 크다.
예 5에서, 예 2의 상기 복수의 제1 디바이스들은 상기 복수의 제2 디바이스들보다 더 고전압 범위를 갖는 디바이스들을 포함한다.
예 6에서, 예 2의 상기 복수의 제2 디바이스들은 상기 복수의 제1 디바이스들의 피치보다 더 미세 피치로 배치된 디바이스들을 포함한다.
예 7에서, 예 1의 복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계는 상기 복수의 제2 인터커넥트들 및 내부에 임베딩된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 인터커넥트 스택을 형성하는 단계를 포함한다.
예 8에서, 예 1의 상기 메모리 디바이스 층은 DRAM 디바이스들을 포함한다.
예 9는 예 1 내지 예 8의 중 어느 하나의 방법에 의해 형성된 3차원 집적 회로이다.
예 10은 기판 상에 복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 복수의 제1 회로 디바이스들을 포함하는 디바이스 층 - 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 상기 복수의 제1 회로 디바이스들 중의 회로 디바이스들에 연결됨 -; 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되어 연결된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 메모리 디바이스 층; 및 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 중의 하나에 연결된 콘택트 포인트들 - 상기 콘택트 포인트들은 외부 소스로의 접속을 위해 동작 가능함 - 를 포함하는 장치이다.
예 11에서, 예 10의 상기 디바이스 층은 제1 디바이스 층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되어 연결되고, 상기 장치는 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 다른 하나에 병치되어 연결된 복수의 제2 회로 디바이스들을 포함하는 제2 디바이스 층을 더 포함한다.
예 12에서, 예 11의 상기 복수의 제1 디바이스들 및 상기 복수의 제2 디바이스들 중의 하나는 상기 복수의 제1 디바이스들 및 상기 복수의 제2 디바이스들 중의 다른 하나보다 더 고전압 범위를 갖는 디바이스들을 포함한다.
예 13에서, 예 12의 상기 제1 디바이스 층의 상기 복수의 제1 회로 디바이스들은 상기 복수의 제2 회로 디바이스들의 피치보다 더 미세 피치로 배치된 디바이스들을 포함하고, 상기 복수의 제1 인터커넥트들은 캐리어 기판과 상기 제1 디바이스 층 사이에 배치된다.
예 14에서, 예 12의 상기 콘택트 포인트들은 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들에 연결된다.
예 15에서, 예 11의 복수의 메모리 디바이스들이 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나 내에 배치된다.
예 16에서, 예 12의 상기 콘택트 포인트들은 회로 콘택트 포인트들을 포함하고, 상기 장치는 상기 회로 콘택트 포인트들에 연결된 패키지 콘택트 포인트들을 포함하는 패키지를 더 포함한다.
예 17은 제1 기판 상에 제1 디바이스 층을 형성하는 단계 - 상기 디바이스 층은 복수의 제1 디바이스들을 포함함 -; 복수의 제1 인터커넥트들을 형성하는 단계 - 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 상기 복수의 제1 디바이스들 중의 디바이스들에 연결됨 -; 상기 복수의 제1 인터커넥트들에 병치된 제2 디바이스 층을 형성하는 단계 - 상기 제2 디바이스 층은 복수의 제2 디바이스들을 포함함 -; 상기 제2 디바이스 층에 병치된 복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계; 메모리 디바이스 층이 상기 복수의 제2 인터커넥트들에 병치되도록, 메모리 디바이스 층을 포함하는 제2 기판을 상기 제1 기판에 연결하는 단계; 및 상기 제1 디바이스 층을 유지하면서 상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 방법이다.
예 18에서, 예 17의 상기 방법은 상기 복수의 제1 인터커넥트들에의 콘택트 포인트들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 콘택트 포인트들은 외부 소스에의 접속을 위해 동작 가능하다.
예 19에서, 예 17의 상기 복수의 제1 디바이스들은 상기 복수의 제2 디바이스들보다 더 고전압 범위를 갖는 디바이스들을 포함한다.
예 20에서, 예 17의 상기 복수의 제2 디바이스들은 상기 복수의 제1 디바이스들의 피치보다 더 미세 피치로 배치된 디바이스들을 포함한다.
예 21에서, 예 17의 복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계는 상기 복수의 제2 인터커넥트들 및 내부에 임베딩된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 인터커넥트 스택을 형성하는 단계를 포함한다.
예 22는 예 17 내지 예 21 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 3차원 장치이다.
요약서에서 설명된 것을 포함하여, 본 발명의 예시된 구현예들의 상기 설명은 철저하거나, 또는 본 발명을 개시된 정확한 형태들로 한정하려는 의도가 아니다. 본 발명의 특정 구현들 및 예들이 본 명세서에서 예시의 목적으로 설명되었으나, 관련 기술분야의 기술자들이라면 인식하는 바와 같이, 다양한 동등한 수정들이 본 발명의 범주 내에서 가능하다.
상기 상세한 설명을 고려하여 이러한 수정들이 본 발명에 이루어질 수 있다. 이하의 특허청구범위에서 사용된 용어들은, 본 발명을 명세서 및 특허청구범위에 개시된 특정 구현예들로 한정하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 오히려, 본 발명의 범주는 전적으로, 확립된 청구항 해석의 원칙에 따라 해석되어야 하는, 이하의 청구항들에 의해 결정되어야 한다.

Claims (22)

  1. 방법으로서,
    복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 집적 회로 디바이스 층을 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계;
    메모리 디바이스 층이 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치(juxtaposed)되도록, 메모리 디바이스 층을 포함하는 제2 기판을 상기 제1 기판에 연결하는 단계; 및
    상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 집적 회로 디바이스 층을 포함하는 제1 기판을 형성하는 단계는,
    상기 제1 기판 상에 제1 디바이스 층을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 복수의 제1 인터커넥트들을 형성하는 단계 - 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 복수의 제1 디바이스들 중의 디바이스들에 연결됨 -;
    복수의 제2 디바이스들이 없는 디바이스 층 및 복수의 제2 디바이스들을 포함하는 디바이스 층 중의 하나를 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들에 연결하는 단계를 포함하고, 상기 복수의 제2 디바이스들이 없는 디바이스 층이 연결된다면, 상기 방법은 복수의 제2 디바이스들을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 디바이스 층 상에 복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계 - 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 상기 복수의 제2 디바이스들 중의 디바이스들에 연결됨 - 를 포함하는, 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계 후에, 상기 방법은,
    상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 중의 하나에의 콘택트 포인트들을 형성하는 단계 - 상기 콘택트 포인트들은 외부 소스에의 접속을 위해 동작 가능함 - 를 포함하는, 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들의 치수들은 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들의 치수들보다 더 큰, 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 제1 디바이스들은 상기 복수의 제2 디바이스들보다 더 고전압 범위(higher voltage range)를 갖는 디바이스들을 포함하는, 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 제2 디바이스들은 상기 복수의 제1 디바이스들의 피치보다 더 미세 피치(finer pitch)로 배치된 디바이스들을 포함하는, 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계는 상기 복수의 제2 인터커넥트들 및 내부에 임베딩된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 인터커넥트 스택을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 메모리 디바이스 층은 DRAM 디바이스들을 포함하는, 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성된 3차원 집적 회로 디바이스.
  10. 장치로서,
    기판 상에 복수의 제1 인터커넥트들과 복수의 제2 인터커넥트들 사이에 배치된 복수의 제1 회로 디바이스들을 포함하는 디바이스 층 - 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 상기 복수의 제1 회로 디바이스들 중의 회로 디바이스들에 연결됨 -;
    상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되어 연결된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 메모리 디바이스 층; 및
    상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들 중의 하나에 연결된 콘택트 포인트들 - 상기 콘택트 포인트들은 외부 소스로의 접속을 위해 동작 가능함 - 를 포함하는 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 디바이스 층은 제1 디바이스 층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나에 병치되어 연결되고, 상기 장치는 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 다른 하나에 병치되어 연결된 복수의 제2 회로 디바이스들을 포함하는 제2 디바이스 층을 더 포함하는, 장치.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 복수의 제1 디바이스들 및 상기 복수의 제2 디바이스들 중의 하나는 상기 복수의 제1 디바이스들 및 상기 복수의 제2 디바이스들 중의 다른 하나보다 더 고전압 범위를 갖는 디바이스들을 포함하는, 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 디바이스 층의 상기 복수의 제1 회로 디바이스들은 상기 복수의 제2 회로 디바이스들의 피치보다 더 미세 피치로 배치된 디바이스들을 포함하고, 상기 복수의 제1 인터커넥트들은 캐리어 기판과 상기 제1 디바이스 층 사이에 배치되는, 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 콘택트 포인트들은 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 인터커넥트들에 연결되는, 장치.
  15. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    복수의 메모리 디바이스들이 상기 복수의 제1 인터커넥트들 및 상기 복수의 제2 인터커넥트들 중의 하나 내에 배치되는, 장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 콘택트 포인트들은 회로 콘택트 포인트들을 포함하고, 상기 장치는 상기 회로 콘택트 포인트들에 연결된 패키지 콘택트 포인트들을 포함하는 패키지를 더 포함하는, 장치.
  17. 방법으로서,
    제1 기판 상에 제1 디바이스 층을 형성하는 단계 - 상기 디바이스 층은 복수의 제1 디바이스들을 포함함 -;
    복수의 제1 인터커넥트들을 형성하는 단계 - 상기 복수의 제1 인터커넥트들 중의 인터커넥트들은 상기 복수의 제1 디바이스들 중의 디바이스들에 연결됨 -;
    상기 복수의 제1 인터커넥트들에 병치된 제2 디바이스 층을 형성하는 단계 - 상기 제2 디바이스 층은 복수의 제2 디바이스들을 포함함 -;
    상기 제2 디바이스 층에 병치된 복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계;
    메모리 디바이스 층이 상기 복수의 제2 인터커넥트들에 병치되도록, 메모리 디바이스 층을 포함하는 제2 기판을 상기 제1 기판에 연결하는 단계; 및
    상기 제1 디바이스 층을 유지하면서 상기 제1 기판의 일부를 제거하는 단계
    를 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 제1 인터커넥트들에의 콘택트 포인트들을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 콘택트 포인트들은 외부 소스에의 접속을 위해 동작 가능한, 방법.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 복수의 제1 디바이스들은 상기 복수의 제2 디바이스들보다 더 고전압 범위를 갖는 디바이스들을 포함하는, 방법.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 디바이스들은 상기 복수의 제1 디바이스들의 피치보다 더 미세 피치로 배치된 디바이스들을 포함하는, 방법.
  21. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 제2 인터커넥트들을 형성하는 단계는 상기 복수의 제2 인터커넥트들 및 내부에 임베딩된 복수의 메모리 디바이스들을 포함하는 인터커넥트 스택을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
  22. 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 3차원 집적 회로.
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