KR20170016736A - 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 56
- -1 azole compound Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 126
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 24
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 claims description 3
- SXGZJKUKBWWHRA-UHFFFAOYSA-N 2-(N-morpholiniumyl)ethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)CC[NH+]1CCOCC1 SXGZJKUKBWWHRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MYMDOKBFMTVEGE-UHFFFAOYSA-N methylsulfamic acid Chemical compound CNS(O)(=O)=O MYMDOKBFMTVEGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WUHLVXDDBHWHLQ-UHFFFAOYSA-N pentazole Chemical compound N=1N=NNN=1 WUHLVXDDBHWHLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WRFYIYOXJWKONR-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-2-methoxyaniline Chemical compound COC1=CC(Br)=CC=C1N WRFYIYOXJWKONR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- ABDMOMCGBHCTMN-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[In+3].[O-2].[In+3] ABDMOMCGBHCTMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Weting (AREA)
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Abstract
본 발명은 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸 화합물, 아미노 술폰산 화합물 및 물을 포함하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 상기 식각액 조성물은 처리매수가 우수하며, 상기 금속막과 접촉하는 다른 금속막에 손상을 발생시키지 않는 효과를 지니고 있다.
Description
본 발명은 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸 화합물, 아미노 술폰산 화합물 및 물을 포함하는 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device)는 뛰어난 해상도에 따른 선명한 영상을 제공하며 전기를 적게 소모하고, 디스플레이 화면을 얇게 만들 수 있게 하는 특성 때문에 평판 디스플레이 장치 중 가장 각광을 받고 있다. 오늘날 이러한 액정 표시 소자를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 회로로서, 전형적인 박막 트랜지스터 액정표시(TFT-LCD) 소자는 디스플레이 화면의 화소(pixel)를 이루고 있다. TFT-LCD 소자에서 스위칭 소자로 작용하는 TFT는 매트릭스 형태로 배열한 TFT용 기판과 그 기판을 마주 보는 컬러 필터 기판 사이에 액정 물질을 채워 제조한 것이다. TFT-LCD의 전체 제조 공정은 크게 TFT 기판 제조 공정, 컬러 필터 공정, 셀 공정, 모듈 공정으로 나뉘는데, 정확하고 선명한 영상을 나타내는데 있어서 TFT 기판과 컬러 필터 제조 공정의 중요성은 매우 크다.
TFT-LCD 장치의 화소 표시 전극 제조에는 투명한 광학적 특성을 가지면서 전기 전도도가 높은 물질로 된 박막이 필요한데, 현재 산화인듐(indium oxide)을 기반으로 한 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)과 산화인듐아연(Indium Zinc Oxide, IZO)이 투명도전막의 재료로 쓰이고 있다.
또한, 화소표시 전극에 원하는 전기회로의 선로를 구현하려면 회로 패턴대로 박막층을 깎아내는 식각(蝕刻, etching) 과정이 필요하다.
그러나 금속 이중층의 식각에 흔히 쓰이는 기존 식각액으로는 산화물인 ITO의 강한 내화학성 때문에 ITO나 IZO소재의 투명도전막을 식각하기 어려웠다. 구체적으로 왕수(aqua regia, HCl+CH3COOH+HNO3)나 염산제2철(Ⅲ)의 염산 용액(FeCl3/HCl), 옥살산수용액이 투명도전막 습식 식각액으로 사용되어 왔지만, 왕수계 식각액 또는 염산제2철의 염산 용액을 이용하여 ITO 막을 식각하는 경우 가격은 저렴하나 패턴의 측면에서 더 빨리 식각되어 프로파일(profile)이 불량하며, 식각액을 조성한 후 염산 또는 질산이 휘발하기 때문에 식각액 조성물의 변동이 심하고, 하부 금속에 화학적 어택(Attack)을 발생시킬 수 있다.
대한민국 공개특허 제10-2000-0017470호에는 옥살산(Oxalic Acid)을 이용하여 비정질 ITO(amorphous Indium Tin Oxide)를 식각하였지만, 이러한 경우 ITO 패턴 주위에 잔사가 발생하기 쉬우며, 저온에서 옥살산의 용해도가 낮아 석출물이 발생하여 식각 장비 고장을 발생시키는 문제가 있다.
또한, HI로 이루어진 식각액의 경우, 식각 속도가 크고 측면 식각이 적지만, 가격이 비싸고, 독성과 부식성이 크며, 투명 화소전극 하부에 위치한 데이터 배선에 어택을 발생시킴에 따라 실제 공정에 사용하기에는 한계가 있는 문제점이 있다.
또한, 대한민국 등록특허 제10-1394133호에는 과산화수소, 함불소 화합물, 술폰산기를 포함하는 화합물, 부식방지제, 보조산화제, 과수안정제 및 물을 포함하는 몰리브덴 및 ITO막의 식각액 조성물에 관하여 기재되어 있지만, 상기 식각액 조성물은 몰리브덴 및 ITO막의 처리매수를 향상시키지 못한다는 문제가 있다.
본 발명은 식각액 조성물을 사용하여 금속막의 처리매수를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 식각액 조성물을 사용하여 금속막 식각시, 상기 금속막과 접촉해 있는 데이터 배선에 손상을 가하지 않고 금속막을 식각하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물로 금속막을 식각하여 상기 식각된 금속막을 액정 표시 장치용 어레이 기판의 화소전극으로 사용함으로써, 액정 표시 소자의 구동 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸 화합물, 아미노 술폰산 화합물 및 물을 포함하는 식각액 조성물로,
상기 아미노 술폰산 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 5 중량%로 포함되는 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 (1)기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
(2)상기 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)상기 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 금속막 식각방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 (1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 상기 본 발명의 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 금속막의 처리 매수를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 금속막과 접촉해 있는 데이터 배선에 손상을 가하지 않고 금속막을 식각할 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물로 식각된 금속막은 화소전극으로 사용되며, 상기 화소전극을 포함하는 액정 표시 소자는 구동 특성이 향상된 효과를 지니고 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸 화합물, 아미노 술폰산 화합물 및 물을 포함하는 식각액 조성물로,
상기 아미노 술폰산 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 5 중량%로 포함되는 식각액 조성물에 관한 것이다.
종래의 식각액 조성물은 술폰산 화합물을 포함함으로써 금속막의 처리 매수를 향상시켰지만, 상기 술폰산 화합물의 함량이 늘어나면 식각액 조성물로써의 성능은 좋아지지만, 상기 금속막과 접촉해 있는 데이터 배선(일반적으로 구리 배선)에 손상을 가하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하고자 아미노 술폰산화합물을 식각액 조성물로 사용하였으며, 그에 따른 처리매수 향상뿐만 아니라 데이터 배선에 발생할 수 있는 손상을 방지하고자 하였다.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 포함하는 단일막 또는 다층막을 식각할 수 있는 식각액 조성물이다.
상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막이며, 상기 몰리브덴 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴으로 이루어진 합금을 의미한다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이다.
과산화수소(
H
2
O
2
)
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소(H2O2)는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각속도에 영향을 주는 주산화제이다.
상기 과산화수소는 식각액 조성물 총 중량에 대하여 15 내지 25 중량%로 포함되며, 바람직하게는 18 내지 23 중량%로 포함된다. 상기 과산화수소가 15 중량% 미만으로 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 느려 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25 중량%를 초과하여 포함되면, 과산화수소의 농도가 지나치게 높아져 식각액의 안정성이 감소될 수 있다.
함불소
화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 함불소 화합물은 물에 해리되어 불소 이온 또는 다원자 불소 이온을 낼 수 있는 화합물을 뜻한다.
상기 함불소 화합물은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도에 영향을 주는 해리제이며, 보다 구체적으로는 몰리브덴계 금속막의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
상기 함불소 화합물은 당 업계에서 사용되는 것이라면, 그 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 바람직하게는 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 화소 전극 하부의 산화물 반도체층(SiO2)에 손상을 발생시키지 않을 수 있는 HF기가 없는 NH4F를 포함하는 것이 가장 바람직하다.
또한, 상기 함불소 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 2 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.5 내지 1.5 중량%로 포함된다. 상기 함불소 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 느려지며, 2 중량%를 초과하여 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 성능은 향상되나, 하부막인 Si계열의 산화물 반도체층에 손상이 가해질 수 있다.
아졸
화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 아졸 화합물은 화소 전극으로 사용되는 금속막, 즉 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막과 접촉하게 되는 구리 배선(data 배선)의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
상기 아졸 화합물은 예를 들어, 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계 및 이소디아졸(isothiazole)계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 바람직하게는 트리아졸(triazole)계를 포함하며, 구체적으로 벤조트리아졸(benzotriazole)계를 포함하는 것이 가장 바람직하다.
상기 아졸 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 1 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.2 내지 0.8 중량%로 포함된다. 상기 아졸 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면, 구리 배선의 손상을 방지하는 효과가 감소하며, 1 중량%를 초과하여 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 감소하게 되어 공정시간이 길어져 공정 효율이 감소하게 되는 문제점이 발생한다.
아미노 술폰산 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 아미노 술폰산 화합물은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도를 조절하고, 처리매수 진행시 사이드 에치 변화율을 향상시키는 역할을 한다.
보다 자세하게는, 상기 아미노 술폰산 화합물의 술폰산의 산도(acidity)는 아세트산 등의 카르복실산에 비하여 훨씬 강하며, 황산과 비슷한 정도이다. 따라서, 상기 아미노 술폰산 화합물은 식각액의 pH를 조절하여 과산화수소의 활동도를 높여줌으로써 상기와 같은 역할을 수행할 수 있다.
또한, 상기 아미노 술폰산 화합물을 사용함으로써, 인듐계 화합물을 사용하지 않아도 인듐산화막의 식각 속도를 조절할 수 있다.
또한, 상기 아미노 술폰산 화합물의 아미노기는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막과 접촉하게 되는 데이터 배선(일반적으로 구리 배선)의 식각 속도를 조절하는 역할도 수행한다. 상기 아미노 술폰산은 상기 아졸 화합물과 유사한 역할을 수행하므로 아졸 화합물의 함량을 줄일 수 있어, 아졸 화합물의 함량 증가에 따른 데이터 배선의 손상을 억제하는 효과를 기대할 수 있다.
상기 아미노 술폰산 화합물은 아미노기 및 술폰산을 포함하는 구조를 갖는 화합물을 들 수 있으며, 구체적으로 메틸술팜산(methylsulfamic acid), 술팜산(sulfamic acid), 시클로헥산술팜산(cyclohexanesulfamic acid), 술파닐산(sulfanilic acid), 3-아미노벤젠술폰산(3-aminobenzene sulfonic acid) 및 2-몰포리노에탄술폰산(2-morpholinoethane sulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
상기 아미노 술폰산 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 5 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.5 내지 2 중량%로 포함된다. 상기 아미노 술폰산 화합물이 0.3 중량% 미만으로 포함되면, 식각 속도가 저하되고, 처리매수 변화율에 효과를 나타내지 못하며, 5 중량%를 초과하면 식각 속도가 지나치게 빨라져 패턴이 유실되는 현상이 발생한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은
(1)기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
(2)상기 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)상기 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 금속막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
또한, 상기 금속막은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 포함하는 단일막 또는 다층막이다.
상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막이며, 상기 몰리브덴 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴으로 이루어진 합금을 의미한다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이다.
또한, 본 발명은
(1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 상기 본 발명의 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 상기 금속막은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 포함하는 단일막 또는 다층막이다.
상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막이며, 상기 몰리브덴 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴으로 이루어진 합금을 의미한다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이다.
본 발명의 식각액 조성물로 상기 금속막을 식각하여, 상기 (5)단계의 화소 전극을 형성할 수 있다.
또한, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 본 발명의 금속막 식각액 조성물을 사용하여 식각된 화소 전극을 포함한다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<
식각액
조성물 제조>
실시예
1 내지 10 및
비교예
1 내지 9.
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 9의 식각액 조성물을 제조하였으며, 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
| 구 분 | H2O2 | BTA | AF | SFA | SFAA | MSA | PTSA | In(NO3)3 |
| 실시예 1 | 23 | 0.4 | 0.5 | 0.3 | - | - | - | - |
| 실시예 2 | 20 | 0.4 | 0.5 | 0.7 | - | - | - | - |
| 실시예 3 | 23 | 0.4 | 0.5 | 1.5 | - | - | - | - |
| 실시예 4 | 18 | 0.4 | 0.5 | 3 | - | - | - | - |
| 실시예 5 | 20 | 0.4 | 0.5 | 5 | - | - | - | - |
| 실시예 6 | 21 | 0.4 | 0.5 | - | 0.3 | - | - | - |
| 실시예 7 | 20 | 0.4 | 0.5 | - | 0.7 | - | - | - |
| 실시예 8 | 23 | 0.4 | 0.5 | - | 1.2 | - | - | - |
| 실시예 9 | 23 | 0.4 | 0.5 | - | 2 | - | - | - |
| 실시예 10 | 18 | 0.4 | 0.5 | - | 5 | - | - | - |
| 비교예 1 | 23 | 0.4 | 0.5 | 0.1 | - | - | - | - |
| 비교예 2 | 20 | 0.4 | 0.5 | 7 | - | - | - | - |
| 비교예 3 | 23 | 0.4 | 0.5 | - | 0.1 | - | - | - |
| 비교예 4 | 18 | 0.4 | 0.5 | - | 7 | - | - | - |
| 비교예 5 | 20 | 0.4 | 0.5 | - | - | 0.7 | - | - |
| 비교예 6 | 23 | 0.4 | 0.5 | - | - | 1.5 | - | - |
| 비교예 7 | 20 | 0.4 | 0.5 | - | - | - | 0.7 | - |
| 비교예 8 | 23 | 0.4 | 0.5 | - | - | - | 2 | - |
| 비교예 9 | 23 | 0.4 | 0.5 | - | - | - | - | 0.05 |
BTA : Benzotriazole
AF : Ammonium fluoride
SFA : Sulfamic acid
SFAA : Sulfanilic acid
MAS : Methane sulfonic acid
PTSA : p-toluene sulfamic acid
실험예
1.
식각액
조성물의 처리매수에 따른 사이드
에치
평가
유리 기판(100mmⅩ100mm)상에 Mo-Ti막(100Å), ITO막(400Å) 및 Mo-Ti/ITO(100/400Å)막을 각각 증착시킨 뒤, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 실시예 1 내지 10 및 비교예 1 내지 9의 식각액 조성물을 각각 사용하여 Mo-Ti막, ITO 막 및 Mo-Ti/ITO막에 대하여 식각공정을 실시하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명 : ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 35℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화물막은 LCD 에칭 공정에서 통상 80 내지 100초 정도로 진행하였다.
상기 식각 공정으로 Mo-Ti막(100Å) 및 ITO막(400Å)의 잔사와 Mo-Ti/ITO(100/400Å)막의 이중막 팁(tip) 발생을 관찰하였다.
또한, Mo-Ti/ITO(100/400Å)막의 처리매수에 따른 사이드 에치(side etch)의 단면 및 Cu damage는 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였다.
상기 처리매수는 2000ppm으로 진행하였으며, Mo-Ti 및 ITO 파우더를 각각 1000ppm씩 투입하였다. 처리매수에 따른 사이드 에치 변화량, 즉 편측 식각 변화량은 ±0.10μm인 것이 바람직하다.
상기 Cu damage는 300초 동안 진행하여 Cu damage 발생 여부를 관찰하였다.
상기 실험 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 구 분 | Mo-Ti 잔사발생 |
ITO 잔사발생 |
Mo-Ti/ITO tip 발생 | 편측 식각 변화량(μm) | Cu damage |
| 실시예 1 | X | X | ○ | 0.03 | X |
| 실시예 2 | X | X | X | 0.07 | X |
| 실시예 3 | X | X | X | 0.10 | X |
| 실시예 4 | X | X | X | 0.10 | X |
| 실시예 5 | X | X | X | 0.10 | X |
| 실시예 6 | X | X | ○ | 0.07 | X |
| 실시예 7 | X | X | X | 0.10 | X |
| 실시예 8 | X | X | X | 0.10 | X |
| 실시예 9 | X | X | X | 0.05 | X |
| 실시예 10 | X | X | X | 0.05 | X |
| 비교예 1 | X | X | ○ | 0.33 | X |
| 비교예 2 | X | X | X | 0.10 | ○ |
| 비교예 3 | X | X | ○ | 0.31 | X |
| 비교예 4 | X | X | X | 0.14 | ○ |
| 비교예 5 | X | X | X | 0.17 | ○ |
| 비교예 6 | X | X | ○ | 0.15 | ○ |
| 비교예 7 | X | X | X | 0.20 | ○ |
| 비교예 8 | X | X | ○ | 0.10 | ○ |
| 비교예 9 | ○ | ○ | ○ | 0.35 | X |
상기 표 2의 결과에서, 아미노 술폰산의 함량이 적은 실시예 1 및 실시예 6의 식각액 조성물은 Mo-Ti/ITO 이중막에서 tip이 발생하였으나, 이외의 실시예 식각액 조성물에서는 Mo-Ti/ITO 이중막에서 tip이 발생하지 않은 것을 관찰할 수 있었다.
또한, 상기 실시예 1 내지 10의 식각액 조성물 모두 Mo-Ti막 및 ITO막에서 잔사가 발생하지 않았으며, 편측 식각 변화량도 우수하였고, 구리막에 손상을 발생시키지 않았다.
반면, 아미노 술폰산의 함량이 0.3 중량% 미만인 비교예 1 및 3의 식각액 조성물은 Mo-Ti/ITO 이중막에서 tip이 발생하였으며, 구리막에 손상을 발생시키지는 않았으나, 편측 식각 변화량이 불량하게 나타났다.
아미노 술폰산 대신에 다른 화합물을 포함한 비교예 중 비교예 6 및 8의 식각액 조성물은 Mo-Ti/ITO 이중막에서 tip이 발생하였으며, 구리막 손상도 관찰되었다.
또한, 비교예 2, 4, 5 및 7의 식각액 조성물은 Mo-Ti/ITO 이중막에서 tip이 발생하지 않았으나, 구리막에 손상을 발생시켰다.
또한, 아미노 술폰산 화합물 대신 인듐 화합물을 포함한 비교예 9의 식각액 조성물은 구리막에 손상을 발생시키지는 않았으나, Mo-Ti막 및 ITO막에서 잔사가 발생하였으며, Mo-Ti/ITO 이중막에서는 tip이 발생하였고, 편측 식각 변화량 역시 매우 크게 나타났다.
따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴계 금속막, 인듐산화막의 단일막 및 몰리브덴계 금속막/인듐산화막의 이중막에 대하여 식각 속도를 조절할 수 있으며, 하부 데이터 배선인 구리막에 손상을 가하지 않고 상기 막을 식각할 수 있다는 것을 알 수 있다.
Claims (13)
- 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸 화합물, 아미노 술폰산 화합물 및 물을 포함하는 식각액 조성물로,
상기 아미노 술폰산 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 5 중량%로 포함되는 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서, 상기 함불소 화합물은 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 아졸 화합물은 피롤계, 피라졸계, 이미다졸계, 트리아졸계, 테트라졸계, 펜타졸계, 옥사졸계, 이소옥사졸계, 디아졸계 및 이소디아졸계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 아미노 술폰산 화합물은 메틸술팜산, 술팜산, 시클로헥센술팜산, 술파닐산, 3-아미노벤젠술폰산 및 2-몰포리노에텐술폰산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 포함하는 단일막 또는 다층막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물 총 중량에 대하여 과산화수소 15 내지 25 중량%, 함불소 화합물 0.1 내지 2 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 1 중량%, 아미노 술폰산 화합물 0.3 내지 5 중량% 및 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- (1)기판 상에 금속막을 형성하는 단계;
(2)상기 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 상기 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 금속막 식각방법. - 청구항 8에 있어서, 상기 금속막은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 포함하는 단일막 또는 다층막인 것을 특징으로 하는 금속막 식각방법.
- (1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 금속막을 형성하고, 상기 금속막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 10에 있어서, 상기 금속막은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 포함하는 단일막 또는 다층막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 10에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 10의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150110206A KR102368380B1 (ko) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020150110206A KR102368380B1 (ko) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170016736A true KR20170016736A (ko) | 2017-02-14 |
| KR102368380B1 KR102368380B1 (ko) | 2022-02-28 |
Family
ID=58121249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150110206A KR102368380B1 (ko) | 2015-08-04 | 2015-08-04 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102368380B1 (ko) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20000017470A (ko) | 1998-08-18 | 2000-03-25 | 이기원 | 아이티오 에칭 조성물 |
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-
2015
- 2015-08-04 KR KR1020150110206A patent/KR102368380B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101394133B1 (ko) | 2012-08-22 | 2014-05-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 |
| KR20140065962A (ko) * | 2012-11-22 | 2014-05-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정 표시장치용 어레이 기판 제조방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102368380B1 (ko) | 2022-02-28 |
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