KR20160095470A - 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸화합물, 메탄술폰산 및 물을 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 과산화수소, 함불소 화합물, 아졸화합물, 메탄술폰산 및 물을 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 소자(liquid crystal display device, LCD device)는 뛰어난 해상도에 따른 선명한 영상을 제공하며 전기를 적게 소모하고, 디스플레이 화면을 얇게 만들 수 있게 하는 특성 때문에 평판 디스플레이 장치 중 가장 각광을 받고 있다. 오늘날 이러한 액정 표시 소자를 구동하는 전자 회로로서 대표적인 것은 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 회로로서 전형적인 박막 트랜지스터 액정표시(TFT-LCD) 소자는 디스플레이 화면의 화소(pixel)를 이루고 있다. TFT-LCD 소자에서 스위칭 소자로 작용하는 TFT는 매트릭스 형태로 배열한 TFT용 기판과 그 기판을 마주 보는 컬러 필터 기판 사이에 액정 물질을 채워 제조한 것이다. TFT-LCD의 전체 제조 공정은 크게 TFT 기판 제조 공정, 컬러 필터 공정, 셀 공정, 모듈 공정으로 나뉘는데, 정확하고 선명한 영상을 나타내는데 있어서 TFT 기판과 컬러 필터 제조 공정의 중요성은 매우 크다.
TFT-LCD 장치의 화소 표시 전극 제조에는 투명한 광학적 특성을 가지면서 전기 전도도가 높은 물질로 된 박막이 필요한데, 현재 산화인듐(indium oxide)을 기반으로 한 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)과 산화인듐아연(Indium Zinc Oxide, IZO)이 투명도전막의 재료로 쓰이고 있다.
또한, 화소표시 전극에 원하는 전기회로의 선로를 구현하려면 회로 패턴대로 박막층을 깎아내는 식각(蝕刻, etching) 과정이 필요하다.
그러나 금속 이중층의 식각에 흔히 쓰이는 기존 식각액으로는 산화물인 ITO의 강한 내화학성 때문에 ITO나 IZO 소재의 투명도전막을 에칭하기 어려웠다. 구체적으로 왕수(aqua regia, HCl+CH3COOH+HNO3)나 염산제2철(Ⅲ)의 염산 용액(FeCl3/HCl), 옥살산수용액이 투명도전막 습식 식각액이 사용되어 왔지만, 왕수계 식각액 또는 염산제2철의 염산 용액을 이용하여 ITO 막을 식각하는 경우 가격은 저렴하나 패턴의 측면에서 더 빨리 식각되서 프로파일(profile)이 불량하며, 식각액을 조성한 후 염산 또는 질산이 휘발하기 때문에 식각액 조성물의 변동이 심하고, 하부 금속에 화학적 어택(Attack)을 발생시킬 수 있다. 대한민국 공개특허 제10-2000-0017470호에는 옥살산(Oxalic Acid)을 이용하여 비정질 ITO(amorphous Indium Tin Oxide)를 식각하였지만, 이러한 경우 ITO 패턴 주위에 잔사가 발생하기 쉬우며, 저온에서 옥살산의 용해도가 낮아 석출물이 발생하여 식각 장비 고장을 발생시키는 문제가 있다.
또한, HI로 이루어진 식각액의 경우, 식각 속도가 크고 측면 식각이 적지만, 가격이 비싸고, 독성과 부식성이 크며, 투명 화소전극 하부에 위치한 데이터 배선에 어택을 발생시킴에 따라 실제 공정에 사용하기에는 한계가 있는 문제점이 있다.
또한, 대한민국 등록특허 제10-1394133호에는 과산화수소, 함불소 화합물, 술폰산기를 포함하는 화합물, 부식방지제, 보조산화제, 과수안정제 및 물을 포함하는 몰리브덴 및 ITO막의 식각액 조성물에 관하여 기재되어 있지만, 상기 식각액 조성물은 몰리브덴 및 ITO막의 처리매수를 향상시키지 못한다는 문제가 있다.
본 발명은 식각액 조성물에 메탄술폰산을 포함함으로써, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 처리매수를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하여 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각하여 상기 식각된 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 액정표시 장치용 어레이 기판의 화소전극으로 사용함으로써, 액정표시소자의 구동 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 15 내지 25 중량%, 함불소 화합물 0.1 내지 2 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 1 중량%, 메탄술폰산 0.3 내지 1 중량% 및 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 형성하는 단계;
(2)상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 (1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 형성하고, 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 본 발명의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물은 메탄술폰산을 포함함으로써, 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 처리매수를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물로 식각된 화소전극을 포함하는 액정표시소자는 구동 특성이 향상된 효과를 지니고 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 15 내지 25 중량%, 함불소 화합물 0.1 내지 2 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 1 중량%, 메탄술폰산 0.3 내지 1 중량% 및 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 식각액 조성물은 몰리브덴계 금속막, 인듐산화막 또는 상기 몰리브덴계 금속막과 인듐산화막의 다층막을 식각할 수 있는 식각액 조성물이다.
상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막이며, 상기 몰리브덴 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴으로 이루어진 합금을 의미한다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소(H2O2)는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각속도에 영향을 주는 주산화제이다.
상기 과산화수소는 식각액 조성물 총 중량에 대하여 15 내지 25 중량%로 포함되며, 바람직하게는 18 내지 23 중량%로 포함된다. 상기 과산화수소가 15 중량% 미만으로 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 느려 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 25 중량%를 초과하여 포함되면, 과산화수소의 농도가 지나치게 높아져 식각액의 안정성이 감소될 수 있다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 함불소 화합물은 물에 해리되어 불소 이온 또는 다원자 불소 이온을 낼 수 있는 화합물을 뜻한다. 상기 함불소 화합물은 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도에 영향을 주는 해리제이며, 보다 구체적으로는 몰리브덴계 금속막의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
상기 함불소 화합물은 당 업계에서 사용되는 것이라면, 그 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 바람직하게는 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 화소 전극 하부의 산화물 반도체층(SiO2)에 손상을 발생시키지 않을 수 있는 HF기가 없는 NH4F를 포함하는 것이 가장 바람직하다.
또한, 상기 함불소 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 2 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.5 내지 1.5 중량%로 포함된다. 상기 함불소 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 느려지며, 2 중량%를 초과하여 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 성능은 향상되나, 하부막인 Si계열의 산화물 반도체층에 손상이 가해질 수 있다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 아졸 화합물은 화소 전극으로 사용되는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막과 접촉하게 되는 구리 배선(data 배선)의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다.
상기 아졸 화합물은 예를 들어, 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계 및 이소디아졸(isothiazole)계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며, 바람직하게는 트리아졸(triazole)계이며, 구체적으로 벤조트리아졸(benzotriazole)계를 포함하는 것이 가장 바람직하다.
상기 아졸 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 1 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.2 내지 0.8 중량%로 포함된다. 상기 아졸 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면, 구리 배선의 손상을 방지하는 효과가 감소하며, 1 중량%를 초과하여 포함되면, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각 속도가 감소하게 되어 공정시간이 길어져 공정 효율이 감소하게 되는 문제점이 발생한다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 메탄술폰산은 산도가 아세트산 등의 카르복실산과 비교하여서는 매우 강하며, 황산과는 거의 비슷하므로, 식각액 조성물의 pH를 0.5 내지 2.9로 조절하여 과산화수소의 활동도를 높여줌으로써, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막의 식각을 조절하는 역할을 하며, 처리매수 진행시 사이드 에치(side etch) 변화율을 향상시키는 역할도 한다.
상기 메탄술폰산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 1 중량%로 포함되며, 바람직하게는 0.5 내지 0.8 중량%로 포함된다. 상기 메탄술폰산이 0.3 중량% 미만으로 포함되면, 식각 속도가 감소하고, 처리매수가 향상되지 못하며, 1 중량%를 초과하여 포함되면, 식각 속도가 지나치게 빨라져 패턴 유실 현상이 발생할 수 있다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은
(1)기판 상에 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 형성하는 단계;
(2)상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)상기 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법에 관한 것이다.
본 발명의 식각방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
또한, 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막은 단일막이거나, 상기 몰리브덴계 금속막과 인듐산화막의 다층막일 수 있다.
상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막이며, 상기 몰리브덴 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴으로 이루어진 합금을 의미한다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이다.
또한, 본 발명은
(1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 형성하고, 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 상기 본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막은 단일막이거나, 상기 몰리브덴계 금속막과 인듐산화막의 다층막일 수 있다.
상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막이며, 상기 몰리브덴 합금막은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이며, 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd) 및 인듐(In)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴으로 이루어진 합금을 의미한다.
상기 인듐산화막은 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO) 및 인듐갈륨아연산화막(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이다.
본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물로 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각하여, 상기 (5)단계의 화소 전극을 형성할 수 있다.
또한, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물을 사용하여 식각된 화소 전극을 포함한다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<몰리브덴계
금속막
또는
인듐산화막
식각액
조성물 제조>
실시예
1 내지 7 및
비교예
1 내지 4.
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4의 식각액 조성물을 제조하였으며, 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
| 구 분 | H2O2 | AF | KF | BTA | TA | MSA | DBSA | ABF |
| 실시예 1 | 18 | 0.5 | - | 0.3 | - | 0.7 | - | - |
| 실시예 2 | 21 | 1.0 | - | 0.3 | - | 0.7 | - | - |
| 실시예 3 | 23 | 0.7 | - | 0.3 | - | 0.7 | - | - |
| 실시예 4 | 18 | 0.5 | - | 0.3 | - | 0.4 | - | - |
| 실시예 5 | 18 | 0.5 | - | 0.3 | - | 1.0 | - | - |
| 실시예 6 | 18 | - | 0.5 | 0.3 | 0.3 | 1.0 | - | - |
| 실시예 7 | 18 | - | 0.7 | - | 0.5 | 1.0 | - | - |
| 비교예 1 | 23 | 0.7 | - | 0.3 | - | 0.1 | - | - |
| 비교예 2 | 23 | 0.7 | - | 0.3 | - | 1.5 | - | - |
| 비교예 3 | 23 | 0.7 | - | 0.3 | - | - | 1.5 | - |
| 비교예 4 | 18 | - | - | 0.2 | - | - | - | 0.2 |
AF : Ammonium fluoride
KF : Potassium fluoride
BTA : Benzotriazole
TA : Triazole
MSA : Methane sulfonic acid
DBSA : Dodecyl benzene sulfonic acid
ABF : Ammonium bifluoride
실험예
1.
식각액
조성물의 처리매수에 따른 사이드
에치
평가
유리 기판(100mmⅩ100mm)상에 Mo-Ti/ITO(100/400Å)막을 증착시킨 뒤, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4의 식각액 조성물을 각각 사용하여 Mo-Ti/ITO 막에 대하여 식각공정을 실시하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명 : ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 35℃ 내외로 하였으나, 적정온도는 다른 공정조건과 기타 요인에 의해 필요에 따라 변경될 수 있다. 식각시간은 식각 온도에 따라서 다를 수 있으나, 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화물막은 LCD 에칭 공정에서 통상 80 내지 100초 정도로 진행하였다.
또한, 포토레지스트/SiO2로 구성된 막질을 100초 동안 식각하여 식각된 단면을 관찰하여 SiO2 damage를 관찰하였다.
상기 식각공정에서 식각된 Mo-Ti/ITO의 처리매수에 따른 사이드 에치(side etch)의 단면 및 SiO2 damage는 SEM(Hitachi사 제품, 모델명 S-4700)을 사용하여 검사하였다.
상기 처리매수는 0, 1000 및 2000ppm으로 진행하였으며, 1000ppm은 Mo-Ti 및 ITO 파우더를 각각 500ppm씩 투입하였으며, 2000ppm은 Mo-Ti 및 ITO 파우더를 각각 1000ppm씩 투입하였다.
처리매수에 따른 사이드 에치 변화량은 ±0.1μm인 것이 바람직하며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 구 분 | 0ppm | 1000ppm | 2000ppm |
| 실시예 1 | 0.40㎛ | 0.35㎛ | 0.31㎛ |
| 실시예 2 | 0.51㎛ | 0.47㎛ | 0.40㎛ |
| 실시예 3 | 0.65㎛ | 0.60㎛ | 0.55㎛ |
| 실시예 4 | 0.31㎛ | 0.28㎛ | 0.25㎛ |
| 실시예 5 | 0.56㎛ | 0.51㎛ | 0.47㎛ |
| 실시예 6 | 0.50㎛ | 0.46㎛ | 0.43㎛ |
| 실시예 7 | 0.77㎛ | 0.72㎛ | 0.67㎛ |
| 비교예 1 | 0.21㎛ | 0.10㎛ | 0.03㎛ |
| 비교예 2 | 패턴 유실 | 패턴 유실 | 패턴 유실 |
| 비교예 3 | 0.40㎛ | 0.22㎛ | 0.13㎛ |
| 비교예 4 | 0.40㎛ | 0.20㎛ | 0.03㎛ |
상기 표 2의 결과에서, 본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물인 실시예 1 내지 7은 처리매수가 증가하여도 사이드 에치가 크게 감소하지 않아, 모두 양호한 식각 특성을 나타내었다. 특히, 실시예 3의 식각액 조성물은 처리매수가 증가하여도 사이드 에치가 크게 감소하지 않아, 사이드 에치 변화량의 결과가 가장 우수하게 관찰되었다.
반면, 메탄술폰산이 0.3 중량% 미만으로 포함된 비교예 1의 식각액 조성물은 처리매수에 따른 사이드 에치 변화량이 0.18μm로 매우 크게 나타났으며, 메탄술폰산이 1 중량%를 초과하여 포함된 비교예 2의 식각액 조성물은 패턴이 유실되는 결과를 보였다.
또한, 메탄술폰산이 아닌 도데실벤젠술폰산을 포함하는 비교예 3의 식각액 조성물은 처리매수 변화량이 0.27μm로, 처리매수가 증가함에 따라 사이드 에치가 크게 감소하는 경향을 보였으며, 종래의 식각액 조성물인 술폰산을 포함하는 화합물을 포함하지 않은 비교예 4의 식각액 조성물 역시 처리매수 변화량이 0.37μm로, 처리매수가 증가함에 따라 사이드 에치가 크게 감소하는 경향을 보였다.
따라서, 메탄술폰산을 포함하며, 상기 메탄술폰산을 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 1 중량%로 포함하는 본 발명의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물은 처리매수가 증가하더라도 사이드 에치가 크게 감소하지 않아, 처리매수를 향상시킬 수 있는 효과를 지니고 있다는 것을 실험을 통하여 확인할 수 있었다.
Claims (18)
- 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 과산화수소 15 내지 25 중량%, 함불소 화합물 0.1 내지 2 중량%, 아졸 화합물 0.1 내지 1 중량%, 메탄술폰산 0.3 내지 1 중량% 및 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 함불소 화합물은 HF, NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF, KHF2, AlF3 및 HBF4로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 아졸 화합물은 피롤계, 피라졸계, 이미다졸계, 트리아졸계, 테트라졸계, 펜타졸계, 옥사졸계, 이소옥사졸계, 디아졸계 및 이소디아졸계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막인 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 4에 있어서, 상기 몰리브덴 합금막은 티타늄, 탄탈륨, 크롬, 니켈, 네오디늄 및 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴의 합금인 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막, 인듐아연산화막 및 인듐갈륨아연산화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물.
- (1)기판 상에 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 형성하는 단계;
(2)상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3)청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 식각액 조성물을 사용하여 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각하는 단계를 포함하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법. - 청구항 8에 있어서, 상기 광반응 물질은 포토레지스트 물질로, 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨지는 것임을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막인 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법.
- 청구항 10에 있어서, 상기 몰리브덴 합금막은 티타늄, 탄탈륨, 크롬, 니켈, 네오디늄 및 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴의 합금인 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막, 인듐아연산화막 및 인듐갈륨아연산화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각방법.
- (1)기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2)상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3)상기 게이트 절연층 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
(4)상기 산화물 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5)상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (5)단계는 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 형성하고, 상기 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막을 식각액 조성물로 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 13에 있어서, 상기 몰리브덴계 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 14에 있어서, 상기 몰리브덴 합금막은 티타늄, 탄탈륨, 크롬, 니켈, 네오디늄 및 인듐으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴의 합금인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 인듐산화막은 인듐주석산화막, 인듐아연산화막 및 인듐갈륨아연산화막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
- 청구항 13의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판.
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| KR1020150016764A KR20160095470A (ko) | 2015-02-03 | 2015-02-03 | 몰리브덴계 금속막 또는 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
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| KR20000017470A (ko) | 1998-08-18 | 2000-03-25 | 이기원 | 아이티오 에칭 조성물 |
| KR101394133B1 (ko) | 2012-08-22 | 2014-05-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 |
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2015
- 2015-02-03 KR KR1020150016764A patent/KR20160095470A/ko not_active IP Right Cessation
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