KR20170015787A - 마스크 제조방법 - Google Patents

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KR20170015787A
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Abstract

본 발명은 마스크 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 서로 상이한 제1 면과 제2 면을 갖는 부재 상에 레이저로 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 상기 부재를 관통하도록 제1 홀을 가공하는 단계와, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나의 상기 제1 홀에 에칭액을 공급하여 상기 제1홀을 확장시켜 제2 홀을 가공하는 단계를 포함한다.

Description

마스크 제조방법{Manufacturing method for the mask}
본 발명의 실시예들은 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 마스크 제조방법에 관한 것이다.
이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시부를 포함한다. 최근, 표시부를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시부가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.
본 발명의 실시예들은 마스크 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 서로 상이한 제1 면과 제2 면을 갖는 부재 상에 레이저로 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 상기 부재를 관통하도록 제1 홀을 가공하는 단계와, 상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나의 상기 제1 홀에 에칭액을 공급하여 상기 제1홀을 확장시켜 제2 홀을 가공하는 단계를 포함하는 마스크 제조방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 홀 및 상기 제2 홀 중 적어도 하나는 상기 부재의 두께와 수직한 단면적이 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 갈수록 작아질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 홀을 가공하는 단계는 상기 제1 홀의 내면에 형성된 산화막을 제거하는 단계일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 면에 형성된 상기 제1 홀을 가로지르는 임의의 제1 직선거리와 상기 제2 면에 형성된 상기 제1 홀을 가로지르는 임의의 제2 직선거리는 하기의 수학식을 만족할 수 있다.
[수학식]
X2=X1-2T/tanθ
여기서 X1:제1 직선거리, X2: 제2 직선거리, T:부재의 두께, θ:제1 홀의 형성각도일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 홀 및 상기 제2 홀을 형성하는 가공면은 테이퍼 형상일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 홀을 형성하는 가공면과 상기 제2 홀을 형성하는 가공면은 서로 평행할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 부재의 제1 면에 형성되며 상기 에칭액을 차단하며, 상기 부재의 제1 면 일부를 외부로 노출되도록 개방된 제1 개구부를 구비한 제1 차단막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 개구부의 크기는 상기 제1 면에 형성될 상기 제2 홀의 크기와 동일할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 차단막에는 상기 부재의 제1 면이 외부로 노출되도록 개방된 제1 개구부가 형성되고, 상기 제1 개구부의 크기는 상기 제1 면에 형성된 상기 제1 홀의 크기보다 크게 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 차단막은 상기 제1 홀을 형성하기 전 또는 상기 제1 홀을 형성한 후에 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 차단막을 상기 부재의 제1 면으로부터 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 부재의 제2 면에 형성되어 상기 에칭액을 차단하며, 상기 부재의 제2 면 일부를 외부로 노출되도록 개방된 제2 개구부를 구비한 제2 차단막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 차단막은 상기 제1 홀을 형성하기 전 또는 상기 제1 홀을 형성한 후에 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 차단막을 상기 부재의 제2 면으로부터 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 마스크 제조방법은 정교한 패턴의 마스크를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조방법을 보여주는 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 마스크를 포함하는 표시장치 제조장치를 보여주는 개념도이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시장치 제조장치를 통하여 제조된 표시장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 제조방법을 보여주는 순서도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조방법을 보여주는 순서도이다.
도 1을 참고하면, 마스크(110)는 부재(M)에 패턴 형태의 슬롯(S)을 형성하여 제조할 수 있다. 부재(M)는 인바(Invar) 재질로 형성될 수 있다. 이때, 슬롯(S)은 복수개 형성될 수 있으며, 일정한 패턴으로 형성될 수 있다. 또한, 슬롯(S)의 형태는 다양할 수 있다. 예를 들면, 슬롯(S)은 타원 형태, 사각형 형태, 마름모 형태, 원 형태 등일 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 슬롯(S)은 원 형태인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같이 슬롯(S)을 형성하는 방법을 살펴보면, 부재(M)를 적당한 크기로 재단한 후 준비할 수 있다. 이후 부재(M)의 제1 면(F1)에는 제1 차단막(120)을 형성할 수 있으며, 부재(M)의 제2 면(F2)에는 제2 차단막(130)이 형성될 수 있다.
제1 차단막(120)과 제2 차단막(130)은 각각 제1 면(F1)의 일부를 외부로 노출시키는 제1 개구부(120a)와 제2 면(F2)의 일부를 노출시키는 제2 개구부(130a)를 구비할 수 있다. 이때, 제1 개구부(120a)와 제2 개구부(130a)는 각각 제1 면(F1)에 형성되는 슬롯(S)의 크기 및 제2 면(F2)에 형성되는 슬롯(S)의 크기와 동일하게 형성될 수 있다.
제1 차단막(120)과 제2 차단막(130)은 에칭액을 차단하는 내에칭성을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 차단막(120)과 제2 차단막(130)은 포토레지스트(Photo-resist) 물질일 수 있다.
한편, 제1 차단막(120)과 제2 차단막(130)이 형성된 후 부재(M)에 레이저를 통하여 제1 홀(110a)을 형성할 수 있다. 제1 홀(110a)은 제1 면(F1)으로부터 제2 면(F2)까지 부재(M)를 관통하도록 형성될 수 있다. 이때, 레이저는 제1 개구부(120a)를 통하여 조사되어 부재(M)를 관통한 후 제2 개구부(130a)로 투과될 수 있다.
상기와 같은 경우 제1 홀(110a)은 부재(M)의 두께방향(또는 Z방향)에 수직한 단면적이 제1 면(F1)으로부터 제2 면(F2)으로 갈수록 작아질 수 있다. 이때, 제1 홀(110a)의 부재(M)의 두께방향에 수직한 단면적은 제1 면(F1)으로부터 제2 면(F2)으로 갈수록 선형적으로 작아질 수 있다. 따라서 제1 홀(110a)을 형성하는 부재(M) 내부의 가공면은 테이퍼 형상으로 형성되어 경사지게 형성될 수 있다.
상기와 같이 형성된 제1 홀(110a)의 크기는 슬롯(S)의 크기보다 작게 형성될 수 있다. 또한, 제1 면(F1)에 형성된 제1 홀(110a)을 가로지르는 임의의 제1 직선거리(X1)와 제2 면(F2)에 형성된 제1 홀(110a)을 가로지르는 임의의 제2 직선거리(X2)는 하기의 수학식을 만족할 수 있다.
Figure pat00001
여기서 X1:제1 직선거리, X2: 제2 직선거리, T:부재의 두께, θ: 제1 홀의 테이퍼 형상의 가공면의 각도일 수 있다. 이때, X2의 값은 X1과 θ에 의해 결정될 수 있다. 특히 제1 직선거리(X1)은 부재(M)의 물성, 예를 들면, 녹는점, 강성, 재료 등에 따라 상이하게 결정될 수 있다.
상기와 같은 제1 직선거리(X1)는 제1 면(F1)에 형성된 슬롯(S)의 임의의 직선거리(N)보다 작게 형성될 수 있다. 특히 제1 직선거리(X1)은 최소한 제1 면(F1)에 형성된 슬롯(S)의 임의의 직선거리(N)보다 작게 형성함으로써 차후 에칭액을 통하여 제1 홀(110a)을 확장시켜 제2 홀(110b)를 형성할 수 있다. 이때, 제1 직선거리(X1)의 선택은 상기에서 설명한 것과 같이 제1 면(F1)에 형성된 슬롯(S)의 임의의 직선거리(N)보다 작은 범위에서 임의로 선택될 수 있다. 또한, 제2 직선거리(X2)는 제2 면(F2)에 형성된 슬롯(S)의 임의의 직선거리보다 작게 형성될 수 있다. 따라서 제1 홀(110a)은 슬롯(S)보다 크기가 작게 형성될 수 있다.
제1 홀(110a)이 형성된 후 에칭액을 공급하여 제2 홀(110b)을 형성할 수 있다. 이때, 제2 홀(110b)은 최종적으로 슬롯(S)과 동일한 형상을 가질 수 있다.
구체적으로 제1 홀(110a)이 형성된 상태에서 에칭액을 부재(M)에 분사할 수 있다. 이때, 에칭액은 부재(M)에 스프레이 형태로 분사될 수 있다. 또한, 에칭액은 부재(M)의 제1 면(F1)에 분사될 수 있다. 다른 실시예로써 에칭액은 부재(M)의 제1 면(F1)과 제2 면(F2)에 동시에 분사되거나 순차적으로 분사되는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 에칭액은 부재(M)의 제1 면(F1)에 분사되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
에칭액이 부재(M)의 제1 면(F1)에 분사되면, 제1 홀(110a) 내부로 에칭액이 유동할 수 있다. 이때, 부재(M)의 제1 면(F1)에는 제1 차단막(120)과 제1 개구부(120a)를 통하여 제1 홀(110a)과 제1 홀(110a)의 주변의 부재(M)만 노출된 상태일 수 있다. 이러한 경우 제1 홀(110a)의 주변과 제1 홀(110a)의 내부가 에칭액과 접촉하여 에칭될 수 있다. 특히 상기와 같은 경우 에칭액은 부재(M) 내부의 제1 홀(110a)의 가공면의 경사각과 동일 또는 유사한 각도로 제1 홀(110a)의 가공면을 에칭할 수 있다. 따라서 제1 홀(110a)과 동일 또는 유사한 형태이면서 제1 홀(110a)보다 큰 제2 홀(110b)을 부재(M)에 형성할 수 있다. 이때, 제1 홀(110a) 내부의 가공면과 제2 홀(110b) 내부의 가공면은 서로 평행할 수 있다. 또한, 제2 홀(110b)을 형성하는 경우 제1 홀(110a)의 가공면(또는 내면)에 형성된 산화막이 제거될 수 있다.
상기와 같은 에칭은 제2 홀(110b)이 설계한 슬롯(S)과 동일해질 때까지 수행될 수 있다. 이때, 제1 면(F1)에 형성된 제2 홀(110b)의 크기는 제1 개구부(120a)의 크기와 동일해지고, 제2 면(F2)에 형성된 제2 홀(110b)의 크기는 제2 개구부(130a)의 크기와 동일해질 수 있다. 특히 상기와 같이 제2 홀(110b)을 형성하는 경우 에칭 속도를 조절함으로써 제2 홀(110b)을 설계한 슬롯(S)과 동일하게 형성할 수 있다.
상기와 같이 에칭을 통하여 제2 홀(110b)을 형성하는 경우 제1 홀(110a)의 형성 시 발생하는 산화막을 제거할 수 있다. 구체적으로 제1 홀(110a)을 형성하는 경우 제1 홀(110a)의 가공면, 제1 면(F1)에 형성된 제1 홀(110a)의 주변, 제2 면(F2)에 형성된 제1 홀(110a) 주변에는 레이저 가공으로 인하여 산화막이 형성될 수 있다. 이러한 산화막의 세정을 통하여 제거할 수 있지만 본 발명의 실시예들에서는 제2 홀(110b)을 형성하는 과정에서 에칭액에 의하여 제거될 수 있다.
또한, 제1 홀(110a)을 제조하는 과정에서 레이저를 조사하는 장치가 오염이 되거나 레이저 조사하는 장치 일부가 고장나는 등의 문제로 복수개의 제1 홀(110a) 중 일부가 형성되지 않거나 정확한 형태로 형성되지 않을 수 있다. 뿐만 아니라 제1 홀(110a)을 제조하는 과정에서 제1 홀(110a)에 이물질이 발생할 수 있다. 이러한 경우 제2 홀(110b)을 형성하면서 상기와 같은 문제를 해결할 수 있다.
따라서 마스크 제조방법은 마스크(110) 제조 시 발생할 수 있는 마스크(110)의 불량을 최소화할 수 있다. 또한, 마스크 제조방법은 마스크(110) 레이저를 통하여 제1 홀(110a)의 가공 시 발생하는 산화막을 제2 홀(110b)을 형성하면서 동시에 제거할 수 있으므로 산화막을 제거하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않다.
마스크 제조방법은 레이저만을 사용하여 마스크(110)를 제조하는 경우 정밀한 가공을 위하여 제조시간이 늘어나는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 마스크를 포함하는 표시장치 제조장치를 보여주는 개념도이다. 도 3은 도 2에 도시된 표시장치 제조장치를 통하여 제조된 표시장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 표시장치 제조장치(100)는 챔버(161), 마스크조립체(140), 안착부(162), 증착원(170), 기판지지부(181) 및 비젼부(182)를 포함할 수 있다. 이때, 마스크조립체(140)는 마스크(110)와 마스크(110)가 안착되어 고정되는 마스크 프레임(150)을 포함할 수 있다. 상기와 같은 마스크(110)는 도 1에 도시된 제조방법에 의하여 제조된 마스크일 수 있다.
챔버(161)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 일부가 개방될 수 있다. 이때, 챔버(161)의 개방된 부분에는 게이트밸브(161a) 등이 설치되어 개방된 부분을 개폐할 수 있다.
안착부(162)는 마스크조립체(140)가 안착될 수 있다. 이때, 안착부(162)는 마스크조립체(140)를 회전시키거나 선형 운동시킬 수 있다.
증착원(170)은 증착물질이 내부에 삽입되어 기화되거나 승화될 수 있다. 이때, 기화되거나 승화된 증착물질은 마스크(110)를 통하여 제1 기판(11)에 증착될 수 있다. 기판지지부(181)는 제1 기판(11)을 지지할 수 있다.
상기와 같은 표시장치 제조장치(100)는 제1 기판(11)을 지지시킨 상태에서 증착물질을 제1 기판(11)에 증착할 수 있다. 다른 실시예로써 제1 기판(11)과 증착원(170)이 서로 상대 운동함으로써 증착물질을 제1 기판(11)에 증착하는 것도 가능하다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 기판(11)을 지지시킨 상태에서 증착물질을 제1 기판(11)에 증착시키는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
챔버(161)에는 압력조절부(190)가 연결될 수 있다. 이때, 압력조절부(190)는 챔버(161)와 연결되는 연결배관(191)과, 연결배관(191)에 설치되는 펌프(192)를 포함할 수 있다.
상기와 같은 표시장치 제조장치(100)는 유기층, 무기층 또는 금속층 등을 형성할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시장치 제조장치(100)가 유기층을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 특히 이하에서는 유기층 중 중간층(18b)을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
구체적으로 표시장치 제조장치(100)의 작동을 살펴보면, 외부로부터 제1 기판(11) 및 마스크조립체(140)를 챔버(161) 내부로 장입하여 각각 기판지지부(181) 및 안착부(162)에 지지시킬 수 있다.
이후 비젼부(182)를 통하여 마스크조립체(140)와 제1 기판(11)의 위치를 측정한 후 안착부(162)를 조절하여 제1 기판(11)과 마스크조립체(140)를 정렬시킬 수 있다. 이때, 비젼부(182)는 마스크조립체(140)와 제1 기판(11)을 촬영하는 카메라를 포함할 수 있다.
마스크조립체(140)와 제1 기판(11)의 위치를 정렬한 후 증착원(170)을 가동하여 증착물질을 기화 또는 승화시킬 수 있다. 이때, 증착물질은 마스크(110)의 슬롯(S)을 통하여 제1 기판(11)에 증착될 수 있다. 이후 증착이 완료된 제1 기판(11)을 챔버(161) 외부로 인출하여 다음 공정을 수행할 수 있다.
한편, 상기와 같은 표시장치 제조장치(100)는 중간층(18b)을 형성할 수 있다. 이후 중간층(18b) 상에 대향 전극(18c)을 형성한 후 대향 전극(18c) 상에 박막 봉지층(E) 또는 제2 기판(미도시)을 설치하여 표시장치(10)를 제조할 수 있다.
구체적으로 상기와 같은 표시장치(10)는 제1 기판(11) 및 발광부(미표기)를 포함할 수 있다. 또한, 표시장치(10)는 상기 발광부의 상부에 형성되는 박막 봉지층(E) 또는 상기 제2 기판을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제2 기판은 일반적인 표시장치에 사용되는 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 또한, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시장치(10)가 박막 봉지층(E)를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기 발광부는 박막 트랜지스터(TFT) 이 구비되고, 이들을 덮도록 패시베이션막(17)이 형성되며, 이 패시베이션막(17) 상에 유기 발광 소자(18)가 형성될 수 있다.
제1 기판(11)은 유리 재질을 사용할 수 있는 데, 반드시 이에 한정되지 않으며, 플라스틱재를 사용할 수도 있으며, SUS, Ti과 같은 금속재를 사용할 수도 있다. 또한, 제1 기판(11)는 폴리이미드(PI, Polyimide)를 사용할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 기판(11)이 유리 재질로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1 기판(11)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(12)이 더 형성되는 데, SiOx(x≥1), SiNx(x≥1)로 형성될 수 있다.
이 버퍼층(12) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(13)이 형성된 후, 활성층(13)이 게이트 절연층(14)에 의해 매립된다. 활성층(13)은 소스 영역(13a)과 드레인 영역(13c)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(13b)을 더 포함한다.
이러한 활성층(13)은 다양한 물질을 함유하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(13)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(13)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서, 활성층(13)은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 활성층(13)이 비정질 실리콘으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
이러한 활성층(13)은 버퍼층(12) 상에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 이를 결정화하여 다결정질 실리콘막으로 형성하고, 이 다결정질 실리콘막을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 활성층(13)은 구동 TFT(미도시), 스위칭 TFT(미도시) 등 TFT 종류에 따라, 그 소스 영역(13a) 및 드레인 영역(13c)이 불순물에 의해 도핑된다.
게이트 절연층(14)의 상면에는 활성층(13)과 대응되는 게이트 전극(15)과 이를 매립하는 층간 절연층(16)이 형성된다.
그리고, 층간 절연층(16)과 게이트 절연층(14)에 콘택홀(H1)을 형성한 후, 층간 절연층(16) 상에 소스 전극(17a) 및 드레인 전극(17b)을 각각 소스 영역(13a) 및 드레인 영역(13c)에 콘택되도록 형성한다.
이렇게 형성된 상기 박막 트랜지스터의 상부로는 패시베이션막(17)이 형성되고, 이 패시베이션막(17) 상부에 유기 발광 소자(18, OLED)의 화소 전극(18a)이 형성된다. 이 화소 전극(18a)은 패시베이션막(17)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 TFT의 드레인 전극(17b)에 콘택된다. 상기 패시베이션막(17)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. 그리고, 이 패시베이션막(17)은, 공진 효과를 달성할 수 있도록 투명 절연체로 형성되는 것이 바람직하다.
패시베이션막(17) 상에 화소 전극(18a)을 형성한 후에는 이 화소 전극(18a) 및 패시베이션막(17)을 덮도록 화소정의막(19)이 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소 전극(18a)이 노출되도록 개구된다.
그리고, 적어도 상기 화소 전극(18a) 상에 중간층(18b) 및 대향 전극(18c)이 형성된다.
화소 전극(18a)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(18c)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(18a)과 대향 전극(18c)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(18a)과 대향 전극(18c)은 상기 중간층(18b)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(18b)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.
중간층(18b)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(18b)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 공통층(미표기)으로써 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다.
하나의 단위 화소는 복수의 부화소로 이루어지는데, 복수의 부화소는 다양한 색의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들면 복수의 부화소는 각각 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 부화소를 구비할 수 있고, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 빛을 방출하는 부화소를 구비할 수 있다.
한편, 상기와 같은 박막 봉지층(E)은 복수의 무기층들을 포함하거나, 무기층 및 유기층을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(E)의 상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 2,4,6-트리메틸벤조일포스핀옥시드(TPO)와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
박막 봉지층(E)의 상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
박막 봉지층(E) 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조 및 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 포함할 수도 있다.
박막 봉지층(E)은 유기 발광 소자(18, OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층을 포함할 수 있다.
다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 유기 발광 소자(18, OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제 3 무기층을 포함할 수 있다.
또 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 상기 유기 발광 소자(18, OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 상기 제2 유기층, 제 3 무기층, 제 3 유기층, 제 4 무기층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(18, OLED)와 제1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 제1 무기층을 스퍼터링 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자(18, OLED)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제1 유기층은 제2 무기층 보다 면적이 좁게 할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 제 3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다.
따라서 표시장치 제조장치(100)는 정밀한 패턴의 형성이 가능하다. 또한, 표시장치(10)는 선명한 이미지 구현이 가능하다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 제조방법을 보여주는 순서도이다.
도 4를 참고하면, 마스크(210)는 상기 도 1에서 설명한 것과 유사한 제조방법으로 제조될 수 있다.
구체적으로 적당한 크기로 재단하여 준비한 부재(M)의 제1 면(F1)에 레이저를 조사하여 제1 홀(210a)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 홀(210a)의 크기는 기 설정된 크기일 수 있으며, 이를 위하여 레이저의 세기, 레이저 조사 시간 등을 제어할 수 있다.
상기와 같이 제1 홀(210a)이 부재(M)에 형성되는 경우 제1 홀(210a)은 부재(M)의 제1 면(F1)으로부터 제2 면(F2)까지 부재(M)를 관통하여 형성될 수 있다. 이때, 제1 홀(210a)은 상기 도 1에서 설명한 것과 동일 또는 유사한 형태를 가질 수 있다.
제1 홀(210a)이 형성된 후 부재(M)의 제1 면(F1)과 제2 면(F2)에 각각 제1 차단막(220) 및 제2 차단막(230)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 차단막(220) 및 제2 차단막(230)은 상기 도 1에서 설명한 바와 같이 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
제1 차단막(220)에 형성되는 제1 개구부(220a)의 크기는 제1 면(F1)에 형성된 제1 홀(210a)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 이때, 제1 개구부(220a)의 크기는 제1 면(F1)에 형성될 슬롯(S)의 크기와 동일할 수 있다. 특히 제1 개구부(220a)의 크기는 제1 면(F1)에 형성될 제2 홀(210b)의 크기와 동일할 수 있다.
제2 차단막(230)에 형성되는 제2 개구부(230a)의 크기는 제2 면(F2)에 형성된 제2 홀(210b)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 이때, 제2 개구부(230a)의 크기는 제2 면(F2)에 형성될 슬롯(S)의 크기 또는 제2 면(F2)에 형성될 제2 홀(210b)의 크기와 동일할 수 있다.
제1 차단막(220)과 제2 차단막(230)의 형성이 완료되면, 에칭액을 제1 면(F1)에 분사하거나 제1 면(F1) 및 제2 면(F2)에 각각 분사하여 제2 홀(210b)을 형성할 수 있다. 이때, 제2 홀(210b)의 크기는 상기에서 설명한 것과 같이 제1 면(F1)에서 제1 개구부(220a)의 크기와 동일하고, 제2 면(F2)에서 제2 개구부(230a)의 크기와 동일하게 형성될 수 있다.
상기와 같은 제2 홀(210b)은 최종적으로 마스크(210)의 슬롯(S)으로 될 수 있다. 이때, 슬롯(S)은 복수개 구비될 수 있으며, 복수개의 슬롯(S)은 일정한 패턴을 형성할 수 있다.
상기와 같이 제2 홀(210b)이 형성된 후 제1 차단막(220)과 제2 차단막(230)을 제거할 수 있다.
따라서 마스크(210) 제조 시 발생할 수 있는 마스크(210)의 불량을 최소화할 수 있다. 또한, 마스크 제조방법은 마스크(210) 레이저를 통하여 제1 홀(210a)의 가공 시 발생하는 산화막을 제2 홀(210b)을 형성하면서 동시에 제거할 수 있으므로 산화막을 제거하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않다.
마스크 제조방법은 레이저만을 사용하여 마스크(210)를 제조하는 경우 정밀한 가공을 위하여 제조시간이 늘어나는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시장치
11: 제1 기판
18b: 중간층
100: 표시장치 제조장치
110,210: 마스크
120,220: 제1 차단막
130,230: 제2 차단막
140: 마스크조립체
150: 마스크 프레임
161: 챔버
162: 안착부
170: 증착원
181: 기판지지부
182: 비젼부
190: 압력조절부

Claims (14)

  1. 서로 상이한 제1 면과 제2 면을 갖는 부재 상에 레이저로 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 상기 부재를 관통하도록 제1 홀을 가공하는 단계;
    상기 제1 면 및 상기 제2 면 중 적어도 하나의 상기 제1 홀에 에칭액을 공급하여 상기 제1 홀을 확장시켜 제2 홀을 가공하는 단계;를 포함하는 마스크 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 홀 및 상기 제2 홀 중 적어도 하나는 상기 부재의 두께와 수직한 단면적이 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 갈수록 작아지는 마스크 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 홀을 가공하는 단계는 상기 제1 홀의 내면에 형성된 산화막을 제거하는 단계인 마스크 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 면에 형성된 상기 제1 홀을 가로지르는 임의의 제1 직선거리와 상기 제2 면에 형성된 상기 제1 홀을 가로지르는 임의의 제2 직선거리는 하기의 수학식을 만족하는 마스크 제조방법.
    [수학식]
    X2=X1-2T/tanθ
    (여기서 X1:제1 직선거리, X2: 제2 직선거리, T:부재의 두께, θ:제1 홀의 형성각도)
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 홀 및 상기 제2 홀을 형성하는 가공면은 테이퍼 형상인 마스크 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 홀을 형성하는 가공면과 상기 제2 홀을 형성하는 가공면은 서로 평행한 마스크 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 부재의 제1 면에 형성되며 상기 에칭액을 차단하며, 상기 부재의 제1 면 일부를 외부로 노출되도록 개방된 제1 개구부를 구비한 제1 차단막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 마스크 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 개구부의 크기는 상기 제1 면에 형성될 상기 제2 홀의 크기와 동일한 마스크 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 차단막에는 상기 부재의 제1 면이 외부로 노출되도록 개방된 제1 개구부가 형성되고, 상기 제1 개구부의 크기는 상기 제1 면에 형성된 상기 제1 홀의 크기보다 크게 형성되는 마스크 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 차단막은 상기 제1 홀을 형성하기 전 또는 상기 제1 홀을 형성한 후에 형성되는 마스크 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1 차단막을 상기 부재의 제1 면으로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 마스크 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 부재의 제2 면에 형성되며 상기 에칭액을 차단하며, 상기 부재의 제2 면 일부를 외부로 노출되도록 개방된 제2 개구부를 구비한 제2 차단막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 마스크 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 차단막은 상기 제1 홀을 형성하기 전 또는 상기 제1 홀을 형성한 후에 형성되는 마스크 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 차단막을 상기 부재의 제2 면으로부터 제거하는 단계;를 더 포함하는 마스크 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190058982A (ko) 2017-11-22 2019-05-30 주식회사 선익시스템 박막 증착용 마스크 제조 방법 및 이를 통해 제작된 박막 증착용 마스크

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101674506B1 (ko) * 2015-08-10 2016-11-10 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크
US10410883B2 (en) * 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
CN109594040B (zh) * 2017-09-30 2020-11-03 张家港康得新光电材料有限公司 一种像素掩膜板及其制作方法
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
JP2019196511A (ja) * 2018-05-08 2019-11-14 住友重機械工業株式会社 板処理装置及び板処理方法
CN111334750B (zh) * 2020-03-11 2022-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种soi精细掩模版及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658471A (en) * 1995-09-22 1997-08-19 Lexmark International, Inc. Fabrication of thermal ink-jet feed slots in a silicon substrate
US20020111035A1 (en) * 2001-01-26 2002-08-15 Seiko Epson Corporation System and methods for manufacturing and using a mask
KR20050047474A (ko) * 2003-11-17 2005-05-20 세이코 엡슨 가부시키가이샤 마스크 및 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법,유기 ｅｌ 표시 장치의 제조 방법, 유기 ｅｌ 장치, 및전자 기기
KR20140088078A (ko) * 2011-10-06 2014-07-09 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 개구 보유 기판 및 개구 보유 기판 형성 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023396B1 (ko) 2004-02-23 2011-03-18 사천홍시현시기건유한공사 유기 전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조방법
US7354863B2 (en) * 2004-03-19 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Methods of selectively removing silicon
KR100623158B1 (ko) 2004-11-11 2006-09-19 엘지마이크론 주식회사 레이저 빔을 이용하여 제조된 메탈 마스크
JP2009041054A (ja) 2007-08-07 2009-02-26 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法
US8925192B2 (en) * 2009-06-09 2015-01-06 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP5455461B2 (ja) * 2009-06-17 2014-03-26 キヤノン株式会社 シリコン基板の加工方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法
US8493747B2 (en) * 2010-02-05 2013-07-23 Ibiden Co., Ltd. Flex-rigid wiring board and method for manufacturing the same
KR101412225B1 (ko) * 2012-08-10 2014-06-25 이비덴 가부시키가이샤 배선판 및 그 제조 방법
CN102978568A (zh) * 2012-12-25 2013-03-20 唐军 Oled蒸镀罩及其加工方法
JP5534093B1 (ja) 2013-01-11 2014-06-25 大日本印刷株式会社 メタルマスクおよびメタルマスクの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5658471A (en) * 1995-09-22 1997-08-19 Lexmark International, Inc. Fabrication of thermal ink-jet feed slots in a silicon substrate
US20020111035A1 (en) * 2001-01-26 2002-08-15 Seiko Epson Corporation System and methods for manufacturing and using a mask
KR20050047474A (ko) * 2003-11-17 2005-05-20 세이코 엡슨 가부시키가이샤 마스크 및 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법,유기 ｅｌ 표시 장치의 제조 방법, 유기 ｅｌ 장치, 및전자 기기
KR20140088078A (ko) * 2011-10-06 2014-07-09 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 개구 보유 기판 및 개구 보유 기판 형성 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190058982A (ko) 2017-11-22 2019-05-30 주식회사 선익시스템 박막 증착용 마스크 제조 방법 및 이를 통해 제작된 박막 증착용 마스크

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