KR20170015615A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR20170015615A
KR20170015615A KR1020150107295A KR20150107295A KR20170015615A KR 20170015615 A KR20170015615 A KR 20170015615A KR 1020150107295 A KR1020150107295 A KR 1020150107295A KR 20150107295 A KR20150107295 A KR 20150107295A KR 20170015615 A KR20170015615 A KR 20170015615A
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박명수
요시히사 히라노
선종우
오상록
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는 챔버와, 상기 챔버의 내벽에 코팅되는 플라즈마 보호막을 포함한다. 챔버의 내벽은 상기 내벽은 0.5 마이크로미터 이하의 중심선 평균 거칠기를 가질 수 있다.

Description

플라즈마 처리 장치 {apparatus for processing plasma}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 상세하게는 플라즈마 보호막을 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들에 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 증착(deposition) 공정, 확산(diffusion) 공정, 열처리(thermal) 공정, 포토리소그래피(photo-lithography) 공정, 연마(polishing) 공정, 식각(etching) 공정, 이온주입 공정, 및 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 증착 공정과 식각 공정은 대부분 플라즈마 반응으로 수행될 수 있다. 플라즈마 반응은 기판 상의 반응 가스를 균일하게 혼합시킬 수 있다. 이와 달리, 플라즈마 반응은 반응 가스의 직진성을 높일 수 있다. 그럼에도 불구하고, 플라즈마 반응은 챔버 내벽을 손상시킬 수 있다. 손상된 챔버의 내벽으로부터 파티클이 발생되고, 파티클은 증착 공정 및 식각 공정의 불량을 야기할 수 있다.
본 발명의 일 과제는 파티클 불량을 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 플라즈마 처리 장치를 개시한다. 그의 장치는, 플라즈마 처리 공정이 수행되는 챔버; 및 상기 챔버의 내벽에 코팅되는 플라즈마 보호막을 포함한다. 여기서, 상기 내벽은 0.5 마이크로미터 이하의 중심선 평균 거칠기를 가질 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 모재; 및 상기 모재 상의 플라즈마 보호막을 포함한다. 여기서, 상기 모재는 0.01마이크로미터 내지 0.5마이크로미터의 중심선 평균 거칠기를 가질 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 하부 하우징; 상기 하부 하우징 상의 상부 하우징; 및 상기 하부 하우징과 대향되는 상기 상부 하우징의 하부면에 코팅되는 플라즈마 보호막을 포함한다. 여기서, 상기 하부면은 0.01마이크로미터 내지 0.5마이크로미터의 중심선 평균 거칠기를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버의 내벽에 코팅되는 플라즈마 보호막을 포함할 수 있다. 챔버의 내벽은 0.5 마이크로미터 이하의 중심선 평균 거칠기로 평탄할 수 있다. 플라즈마 보호막은 거의 평탄하게 코팅될 수 있다. 평탄한 플라즈마 보호막은 거친 플라즈마 보호막보다 낮은 식각율을 가질 수 있다. 낮은 식각율의 평탄한 플라즈마 보호막은 파티클 불량을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 시스템을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 식각 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 A 부분에서의 윈도우와 플라즈마 보호막의 일 예를 보여 주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 윈도우의 하부면의 중심선 평균 거칠기에 따른 플라즈마 보호막의 식각율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 3의 윈도우의 하부면의 중심선 평균 거칠기에 따른 플라즈마 보호막과 윈도우의 결합력을 보여주는 그래프이다.
도 6은 도 2의 B 부분에서의 월 라이너와 플라즈마 보호막을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 C 부분에서의 링 부재와 플라즈마 보호막을 보여주는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당 업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 명세서에서 챔버, 플라즈마, 보호막, 코팅은 일반적인 반도체 및 장치 용어들로 이해될 수 있을 것이다. 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 시스템(10)을 개략적으로 보여준다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 시스템(10)은 기판들(W)의 단위 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 단위 공정은 증착 공정, 리소그래피 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 이와 달리, 단위 공정은 확산 공정, 열처리 공정, 연마 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 및 에싱 공정을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 반도체 제조 시스템(10)은 증착 장치(20), 포토리소그래피 장치(30), 식각 장치(40), 및 반송 장치들(50)을 포함할 수 있다. 증착 장치(20)는 증착 공정을 수행할 수 있다. 증착 장치(20)는 기판들(W) 상에 박막을 증착할 수 있다. 포토리소그래피 장치(30)는 포토레지스트의 리소그래피 공정을 수행할 수 있다. 포토리소그래피 장치(30)는 기판들(W) 상에 마스크 패턴들을 형성할 수 있다. 식각 장치(40)는 식각 공정을 수행할 수 있다. 식각 장치(40)는 스크 패턴들로부터 노출되는 기판들(W) 및/또는 박막을 식각할 수 있다. 반송 장치들(50)은 기판들(W)을 반송할 수 있다. 반송 장치들(50)은 증착 장치(20)와 포토리소그래피 장치(30) 사이, 및 포토리소그래피 장치(30)와 식각 장치(40) 사이에 배치될 수 있다. 증착 장치(20), 포토리소그래피 장치(30), 식각 장치(40), 및 반송 장치들(50)은 일렬(series)로 배치될 수 있다. 반도체 제조 시스템(10)은 기판들(W)의 단위 공정을 순차적으로 수행할 수 있다.
일 예에 따르면, 증착 장치(20) 및 식각 장치(40)는 플라즈마 반응으로 기판들(W)을 처리(processing)할 수 있다. 예를 들어, 증착 장치(20)는 스퍼터링 장치를 포함할 수 있다. 식각 장치(40)는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 식각 장치 또는 커패시터 결합 플라즈마(Capacitor Coupled Plasma) 식각 장치를 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 식각 장치(40)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 챔버(100), 가스 공급 부(200), 고주파 공급 부(300), 펌핑 부(400), 및 플라즈마 보호막(130)을 포함할 수 있다. 기판(W)은 챔버(100) 내에 제공될 수 있다. 반응 가스 공급 부(200)는 챔버(100) 내에 반응 가스를 제공할 수 있다. 고주파 공급 부(300)는 챔버(100) 내에 고주파 파워를 제공할 수 있다. 고주파 파워는 반응 가스의 플라즈마 반응을 유도할 수 있다. 펌핑 부(400)는 챔버(100) 내의 공기를 펌핑할 수 있다. 기판(W)은 플라즈마 반응에 의해 식각될 수 있다. 플라즈마 보호막(130)은 반응 가스로부터 챔버(100)의 내벽을 보호할 수 있다.
챔버(100)는 기판(W)에 대해 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 일 예에 따르면, 챔버(100)는 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)을 포함할 수 있다. 기판(W)은 하부 하우징(110) 상에 제공될 수 있다. 상부 하우징(120)은 기판(W) 및 하부 하우징(110)의 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)이 하부 하우징(110) 상에 제공되면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)은 결합(coupled)될 수 있다. 이와 달리, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120)은 기판(W)의 로딩 및/또는 언로딩 시에 위 아래로 분리될 수 있다.
일 예에 따르면, 하부 하우징(110)은 월 라이너(112), 정전 척(114), 링 부재(115), 하부 전극(116), 및 지지 블록(118)을 포함할 수 있다. 월 라이너(112)는 상부 하우징(120)의 아래에 결합될 수 있다. 정전 척(114)은 월 라이너(112) 내에 배치될 수 있다. 정전 척(114)은 기판(W)을 수납할 수 있다. 반응 가스는 기판(W)과 상부 하우징(120) 사이로 유동될 수 있다. 링 부재(115)는 정전 척(114)의 가장자리를 둘러쌀 수 있다. 하부 전극(116)은 정전 척(114) 아래에 배치될 수 있다. 하부 전극(116)은 고주파 공급 부(300)으로부터 고주파 파워를 제공받을 수 있다. 반응 가스는 고주파 파워에 의해 기판(W)으로 집중될 수 있다. 지지 블록(118)은 월 라이너(112)와 하부 전극(116)을 아래에 배치될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 지지 블록(118)은 리프터에 의해 위 아래로 승강될 수 있다.
일 예에 따르면, 상부 하우징(120)은 윈도우(122), 가스 노즐(124), 및 플라즈마 안테나(126)를 포함할 수 있다. 윈도우(122)는 월 라이너(112) 및 정전 척(114) 상에 배치될 수 있다. 가스 노즐(124)은 윈도우(122)의 중심을 관통할 수 있다. 반응 가스는 가스 노즐(124)에서 기판(W)으로 제공될 수 있다. 플라즈마 안테나(126)는 윈도우(122) 상에 배치될 수 있다. 윈도우(122)는 플라즈마 안테나(126)의 하부를 절연시킬 수 있다. 플라즈마 안테나(126)는 고주파 파워를 이용하여 반응 가스의 플라즈마 반응을 유도할 수 있다.
펌핑 부(400)는 하부 하우징(110)의 아래에 배치될 수 있다. 펌핑 부(400)는 하부 하우징(110)과 상부 하우징(120) 사이의 반응 후 가스를 배기할 수 있다. 예를 들어, 펌핑 부(400)는 진공 펌프를 포함할 수 있다.
가스 공급 부(200)는 상부 하우징(120)에 연결될 수 있다. 가스 공급 부(200)는 가스 저장 부(202)와 질량 조절 밸브(204)를 포함할 수 있다. 가스 저장 부(202)는 반응 가스를 저장할 수 있다. 질량 조절 밸브(204)는 가스 저장 부(202)와 상부 하우징(120) 사이에 연결될 수 있다. 질량 조절 밸브(204)는 챔버(100)내에 제공되는 반응 가스의 유량을 제어할 수 있다.
고주파 공급 부(300)는 하부 전극(116)과 플라즈마 안테나(126)에 고주파 파워를 제공할 수 있다. 고주파 공급 부(300)는 제 1 고주파 공급 부(310)와 제 2 고주파 공급 부(320)를 포함할 수 있다. 제 1 고주파 공급 부(310)는 하부 전극(116)에 연결될 수 있다. 제 1 고주파 공급 부(310)는 제 1 고주파 생성기(312)와 제 1 매쳐(314)를 포함할 수 있다. 제 1 고주파 생성기(312)는 제 1 고주파 파워를 생성할 수 있다. 제 1 매쳐(314)는 제 1 고주파 생성기(312)와 하부 전극(116) 사이에 연결될 수 있다. 제 1 매쳐(314)는 제 1 고주파 파워의 임피던스를 정합(matching)시킬 수 있다. 제 2 고주파 공급 부(320)는 플라즈마 안테나(126)에 연결될 수 있다. 제 1 고주파 파워는 반응 가스의 플라즈마 반응을 활성화시킬 수 있다. 제 2 고주파 공급 부(320)는 제 2 고주파 생성기(322)와 제 2 매쳐(324)를 포함할 수 있다. 제 2 고주파 생성기(322)는 제 2 고주파 파워를 생성할 수 있다. 제 2 매쳐(324)는 제 2 고주파 생성기(322)와 하부 전극(116) 사이에 연결될 수 있다. 제 2 고주파 파워는 반응 가스를 기판(W)에 집중시킬 수 있다. 제 2 매쳐(324)는 제 2 고주파 파워의 임피던스를 정합시킬 수 있다. 플라즈마 반응의 세기는 고주파 파워의 크기에 비례하여 증가할 수 있다.
플라즈마 보호막(130)은 챔버(100)의 내벽에 코팅될 수 있다. 일 예에 따르면, 플라즈마 보호막(130)은 윈도우(122), 월 라이너(112), 및 링 부재(115) 상에 코팅될 수 있다. 윈도우(122), 월 라이너(112), 및 링 부재(115)은 플라즈마 보호막(130)의 모재(base material)로서 서로 다른 재질로 구성될 수 있다.
도 3은 도 2의 A 부분에서의 윈도우(122)와 플라즈마 보호막(130)의 일 예를 보여 준다.
도 3을 참조하면, 플라즈마 보호막(130)은 윈도우(122)의 하부면(127) 아래에 코팅될 수 있다. 일 예에 따르면, 플라즈마 보호막(130)은 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 보호막(130)은 이트륨 산화물(Y2O3)를 포함할 수 있다. 이와 달리, 플라즈마 보호막(130)은, 알루미늄 산화물(Al2O3), 이트륨 불화물(YF), 이트륨 산소 불화물(YxOyFz, x=1, y=1, 2, z=1, 2: YOF, YO2F, 또는 YOF2), 다이아몬드, 및 그라파이트를 포함할 수 있다. 플라즈마 보호막(130)은 약 1μm 내지 1mm의 두께를 가질 수 있다.
일 예에 따르면, 윈도우(122)는 유전체 및/또는 세라믹을 포함할 수 있다. 윈도우(122)는 플라즈마 보호막(130)과 다른 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(122)는 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다.
윈도우(122) 및/또는 플라즈마 보호막(130)의 표면 거칠기는 상기 플라즈마 보호막(130)의 식각율에 영향을 줄 수 있다. 일 예에 따르면, 플라즈마 보호막(130)의 하부면(132)의 표면 거칠기가 증가할 경우, 플라즈마 보호막(130)의 식각율은 증가할 수 있다. 표면 거칠기는 플라즈마 보호막(130)의 코팅 조건에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 보호막(130)의 하부면(132)의 표면 거칠기는 윈도우(122)의 하부면(127)의 표면 거칠기에 비례할 수 있다. 즉, 윈도우(122)의 하부면(127)의 표면 거칠기가 증가하면, 플라즈마 보호막(130)의 하부면(132)의 표면 거칠기는 증가할 수 있다. 표면 거칠기는 윈도우(122)의 하부면(127)으로부터 플라즈마 보호막(130)의 하부면(132)으로 전사(projected)되기 때문이다.
일반적으로 표면 거칠기는 중심선 평균 거칠기(Ra: centerline average roughness)와, 최대 거칠기(Rmax)를 포함할 수 있다. 윈도우(122)의 중심선 평균 거칠기(Ra)는 중심선(14)에서 하부면(127)의 골과 산까지의 길이의 절대값들의 기준 길이 내에서의 평균 값으로 정의될 수 있다. 최대 거칠기(Rmax)는 최고 점과 최저 점을 지나는 두 평행 선간의 길이로 정의될 수 있다.
도 4는 도 3의 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)에 따른 플라즈마 보호막(130)의 식각율(etching rate)을 보여준다.
도 4를 참조하면, 플라즈마 보호막(130)의 식각율은 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)에 비례할 수 있다. 일 예에 따르면, 윈도우(122)의 하부면(127)은 약 0.5μm이하의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 윈도우(122)의 하부면(127)은 10μm의 최대 거칠기(Rmax)를 가질 수 있다. 예를 들어, 하부면(127)이 0.1μm 내지 0.5 μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 때, 플라즈마 보호막(130)은 약 1nm/hr 내지 2 nm/hr의 식각율로 느리게 식각될 수 있다. 이와 달리, 하부면(127)이 0.5μm 내지 0.7 μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 때, 플라즈마 보호막(130)은 약 2nm/hr 내지 10 nm/hr의 식각율로 빠르게 식각될 수 있다. 높은 식각율의 플라즈마 보호막(130)은 파티클 불량의 오염원이 될 수 있다. 따라서, 0.5μm 이하의 중심선 평균 거칠기(Ra)의 윈도우(122)는 플라즈마 보호막(130)의 식각율을 감소시켜 파티클 오염 불량을 감소시킬 수 있다. 윈도우(122)은 알루미늄 산화물을 포함하고, 플라즈마 보호막(130)은 약 10μm의 두께를 갖는 이트륨 산화물을 포함할 수 있다. 플라즈마 보호막(130)의 반응 가스는 SF6를 포함할 수 있다. 제 1 고주파 파워는 약 1KW일 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 윈도우(122)의 하부면(127)의 표면 거칠기는 윈도우(122)와 플라즈마 보호막(130)의 표면 결합력에 비례할 수 있다. 윈도우(122)의 하부면(127)의 표면 거칠기가 증가하면, 윈도우(122)와 플라즈마 보호막(130)의 결합력은 증가할 수 있다. 윈도우(122)와 플라즈마 보호막(130)의 접촉면적이 증가되기 때문이다. 반면, 윈도우(122)의 하부면(127)의 표면 거칠기가 감소하면, 윈도우(122)와 플라즈마 보호막(130)의 결합력은 감소할 수 있다.
도 5는 도 3의 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)에 따른 플라즈마 보호막(130)과 윈도우(122)의 결합력(coherence)을 보여준다.
도 5를 참조하면, 플라즈마 보호막(130)과 윈도우(122)의 결합력은 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)에 비례할 수 있다. 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 증가하면, 접촉 면적의 증가 때문에, 플라즈마 보호막(130)과 윈도우(122)의 결합력은 증가할 수 있다. 반면, 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 감소하면, 플라즈마 보호막(130)과 윈도우(122)의 결합력은 줄어들 수 있다. 일 예에 따르면, 윈도우(122)의 하부면(127)은 약 0.01μm 이상의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 윈도우(122)은 알루미늄 산화물을 포함하고, 플라즈마 보호막(130)은 약 10μm의 두께의 이트륨 산화물을 포함할 수 있다. 플라즈마 보호막(130)과 윈도우(122)의 결합력은 플라즈마 반응의 제 1 고주파 파워의 크기에 따라 측정될 수 있다. 제 1 고주파 파워는 1KW 내지 1MW일 수 있다. 예를 들어, 윈도우(122)의 하부면(127)이 약 0.005μm 이하의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 경우, 플라즈마 보호막(130)은 윈도우(122)로부터 박리될 수 있다. 박리된 플라즈마 보호막(130)은 파티클로 작용할 수 있다. 0.01μm 이상의 중심선 평균 거칠기(Ra)의 윈도우(122)는 플라즈마 보호막(130)의 박리에 의한 파티클 오염을 최소화할 수 있다. 따라서, 윈도우(122)는 0.01μm 내지 0.5μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다.
도 6은 도 2의 B 부분에서의 월 라이너(112)와 플라즈마 보호막(130)을 보여준다.
도 6을 참조하면, 플라즈마 보호막(130)은 월 라이너(112) 상에 코팅될 수 있다. 일 예에 따르면, 월 라이너(112)는 알루미늄의 금속을 포함할 수 있다. 이와 달리, 월 라이너(112)는 스테인레스 스틸의 금속을 포함할 수 있다. 플라즈마 보호막(130)의 식각율은 월 라이너(112)의 상부면(113)의 표면 거칠기에 비례할 수 있다. 플라즈마 보호막(130)과 월 라이너(112)의 결합력은 월 라이너(112)의 상부면(113)의 표면 거칠기에 비례할 수 있다. 일 예에 따르면, 월 라이너(112)의 상부면(113)은 윈도우(122)의 하부면(127)과 동일한 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 예를 들어, 월 라이너(112)의 상부면(113)은 약 0.01μm 내지 0.5μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 0.5μm보다 큰 중심선 평균 거칠기(Ra)의 월 라이너(112)의 상부면(113)은 약 0.01 내지 0.5μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)로 연삭(grinding) 및/또는 연마(polishing)될 수 있다. 월 라이너(112)의 상부 면(113)은 약 0.01 내지 0.5μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 갖도록 갭필 물질에 의해 평탄화될 수 있다. 갭필 물질은 플라즈마 보호막(130)과 다른 세라믹을 포함할 수 있다. 이와 달리, 월 라이너(112)의 내부 측벽은 약 0.01μm 내지 0.5μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다.
도 7은 도 2의 C 부분에서의 링 부재(115)와 플라즈마 보호막(130)을 보여준다.
도 7을 참조하면, 플라즈마 보호막(130)은 링 부재(115)의 외부 측벽(115a)에 코팅될 수 있다. 플라즈마 보호막(130)은 링 부재(115)의 상부면(115b)에 코팅될 수 있다. 일 예에 따르면, 링 부재(115)는 세라믹을 포함할 수 있다. 예를 들어, 링 부재(115)는 이트륨 산화물, 또는 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 링 부재(115)의 외부 측벽(115a) 및 상부면(115b)의 중심선 평균 거칠기(Ra)는 윈도우(122)의 하부면(127)의 중심선 평균 거칠기(Ra)보다 작을 수 있다. 반응 가스가 제 2 고주파 파워에 의해 윈도우(122)보다 링 부재(115)에 많이 집중되기 때문에 링 부재(115)의 외부 측벽(115a) 및 상부면(115b)은 윈도우(122)의 하부면(127)보다 평탄할 수 있다. 예를 들어, 링 부재(115)의 외부 측벽(115a)과 상부면(115b)은 약 0.01μm 내지 약 0.09μm의 중심선 평균 거칠기(Ra)를 가질 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 처리 공정이 수행되는 챔버; 및
    상기 챔버의 내벽에 코팅되는 플라즈마 보호막을 포함하되,
    상기 내벽은 0.5 마이크로미터 이하의 중심선 평균 거칠기를 갖는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내벽은 0.01 마이크로미터 이상의 상기 중심선 평균 거칠기를 갖는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버는:
    하부 하우징; 및
    상기 하부 하우징 상의 상부 하우징을 포함하되,
    상기 플라즈마 보호막은 상기 하부 하우징에 대향하는 상기 상부 하우징의 하부면에 코팅되는 제 1 세라믹을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 상부 하우징은 상기 하부면을 갖는 윈도우를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 윈도우는 상기 제 1 세라믹과 다른 제 2 세라믹을 포함하되,
    상기 제 2 세라믹은 알루미늄 산화물을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 하우징은 상기 하부면의 가장자리 아래의 월 라이너를 포함하되,
    상기 플라즈마 보호막은 상기 월 라이너의 내부 측벽 및 상부면에 코팅되는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 월 라이너는 상기 제 1 세라믹과 다른 금속을 포함하되,
    상기 금속은 알루미늄을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 하우징은:
    기판을 수납하는 정전 척; 및
    상기 정전 척 가장자리를 둘러싸는 링 부재를 더 포함하되,
    상기 플라즈마 보호막은 상기 링 부재의 외부 측벽과 상부면에 코팅되는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 링 부재는 상기 제 1 세라믹과 동일한 제 3 세라믹을 포함하되,
    제 3 세라믹은 이트륨 산화물을 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 링 부재는 0.01 마이크로미터 내지 0.09 마이크로미터의 상기 중심선 평균 거칠기를 갖는 플라즈마 처리 장치.
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