KR20170014224A - The compositions using conductive film - Google Patents

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KR20170014224A
KR20170014224A KR1020150107201A KR20150107201A KR20170014224A KR 20170014224 A KR20170014224 A KR 20170014224A KR 1020150107201 A KR1020150107201 A KR 1020150107201A KR 20150107201 A KR20150107201 A KR 20150107201A KR 20170014224 A KR20170014224 A KR 20170014224A
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Abstract

The present invention relates to a composition for conductive films, a conductive film, a method for producing the conductive film, and a use thereof. More specifically, provided is a composition which enables the production of a conductive film in an economical way and ensures reduction in the number of processes as well as improved visibility. Also, provided are a conductive film, a method for producing the conductive film, and a use thereof.

Description

도전성 필름용 조성물{THE COMPOSITIONS USING CONDUCTIVE FILM}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composition for a conductive film,

본 출원은 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다. The present application relates to a composition for a conductive film, a conductive film, a method for producing the conductive film, and uses thereof.

사용자가 화면(스크린)을 손 또는 물체로 터치하는 것만으로 편하게 데이터를 입력할 수 있도록 해주는 Operating System의 입력장치를 터치스크린패널(TSP, Touch Screen Panel)이라고 하며, 터치 인식 방법에 따라 저항막 방식(Resistive), 정전용량 방식(Capacitive) 등으로 구분된다.A touch screen panel (TSP) is an input device of an operating system that allows a user to easily input data by simply touching the screen (screen) with a hand or an object. The touch screen panel (TSP) (Resistive), and capacitive (Capacitive).

이중 현재 가장 널리 사용되고 있는 방식은 저항막 방식(Resistive)과 정전용량 방식(Capacitive)이며, 저항막 방식은 손가락이나 펜으로 터치했을 때, 눌린 지점에서 전위차가 발생하면, 그 지점을 감지해 동작하는 원리이며 감압식이라 부르기도 한다.Among them, Resistive and Capacitive are the most widely used methods. Resistive method is to detect when a potential difference occurs at a pressed point when touching with a finger or a pen. It is a principle and it is called a decompression type.

또한, 정전용량 방식은 사람의 몸에 있는 정전 용량을 이용해 전류의 방향이 변경된 부분을 감지해 동작하는 것이다.In addition, the electrostatic capacity type uses the electrostatic capacity in the human body to sense and change the direction of the current.

상기 저항막 방식과 정전용량 방식의 터치 스크린 패널의 구조에 공통으로 구성되는 ITO(Indium-Tin Oxide) 필름은 금속 전도성 물질인 인듐 주석 화합물로 이루어진 투명전도막을 물리적 또는 화학적 방식으로 증착하여 전류가 흐르는 투명전극(전기회로, pattern)을 베이스기판에 형성되도록 한 것이다.An indium-tin oxide (ITO) film commonly used in the structure of the resistive film type and capacitive touch screen panel is formed by depositing a transparent conductive film made of indium tin compound, which is a metal conductive material, And a transparent electrode (electric circuit, pattern) is formed on the base substrate.

특히, 정전용량 방식은 투명전극(전기회로, pattern)의 시인성이 문제가 되고 있다. 상기 시인성 문제를 개선하기 위하여 ITO층 등의 도전층이 형성되는 하부면에 광학 조절층을 형성시켜 에칭(패터닝 형성 공정)된 필름면과 에칭이 되지 않은 면의 반사율을 최소화하는 기술을 이용하고 있다. Particularly, in the capacitance type, visibility of a transparent electrode (electric circuit, pattern) becomes a problem. In order to improve the visibility, an optical control layer is formed on a lower surface of a conductive layer such as an ITO layer to minimize the reflectance of a film surface that has been etched (patterning) and a surface that is not etched .

또한, 도전성 필름은 광학 조절층 이외에 도전층의 하부에 투명 언더코팅(under coating)층과 같은 층을 형성하여, 도전층과 기재층의 부착력 및 투과도를 향상시키고 있다. 상기 언더 코팅층은 습식 코팅(wetcoating)이나 진공 스터터링 방법으로 형성할 수 있으나, 각 층의 형성 공정이 개별적으로 수행될 필요가 있어, 제조 공정이 복잡하고 비용이 높은 단점이 있다.Further, in the conductive film, in addition to the optical control layer, a layer such as a transparent undercoating layer is formed under the conductive layer to improve the adhesion and transmittance between the conductive layer and the base layer. The undercoat layer can be formed by wet coating or vacuum stuttering. However, since the steps for forming each layer need to be performed separately, the manufacturing process is complicated and the cost is high.

더욱이, 상기와 같은 시인성 개선 노력에도 불구하고, ITO 층의 패턴 후 열처리 과정에서 ITO가 패턴 되지 않은 기재부분의 눌림 현상이 발생할 수 있고, 이에 따라 시인성이 저하되는 문제점 등은 여전히 존재한다. In addition, despite the above-mentioned efforts to improve the visibility, there is still a problem that the ITO layer may be pressed on the patterned substrate portion during the heat treatment process after the patterning of the ITO layer, thereby lowering the visibility.

한국공개특허공보 제 2010-0134692호Korean Patent Publication No. 2010-0134692

본 출원은 도전성 필름의 굽힘 현상에 따른 시인성 문제를 개선하고, 공정수가 절감되어 경제적이며, 도전층의 결정화도 개선에 따른 도전층의 저항값이 낮은 도전성 필름을 제조할 수 있는 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름 및 이의 제조방법을 제공한다. The present invention relates to a composition for a conductive film which is capable of producing a conductive film having improved visibility due to the bending phenomenon of a conductive film, economical efficiency due to reduction in the number of steps, improved resistance to crystallization of the conductive layer, Film and a method for producing the same.

본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공한다. The present application also provides a touch panel including a conductive film.

본 출원은 상기 과제를 해결하기 위해 안출된 것으로써, 제 1 중합성 화합물; 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물; 및 산화 방지제를 포함하는 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.The present application is conceived to solve the above-mentioned problems, A second polymerizable compound having a lower surface energy than the first polymerizable compound; And a composition for a conductive film containing an antioxidant.

하나의 예시에서, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이는 1 mN/m 이상일 수 있다. In one example, the surface energy difference between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound may be at least 1 mN / m.

하나의 예시에서, 산화 방지제는 힌더드 아민계, 페놀계, 티오에스터계 및 포스파이트계 유기물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. In one example, the antioxidant may include any one or more selected from the group consisting of hindered amine-based, phenol-based, thioester-based, and phosphite-based organic materials.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은 또한, 무기 입자를 추가로 포함할 수 있다.The composition for a conductive film of the present application may further contain inorganic particles.

본 출원은 또한, 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있으며, 제 1 중합성 화합물; 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함하는 조성물의 중합물인 제 1 수지층; 및 상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성된 면의 반대 면에 형성되어 있는 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다. The present application also discloses a film comprising a substrate film; A first polymerizable compound formed on one surface of the substrate film; A first resin layer which is a polymer of a composition comprising a second polymerizable compound having a smaller surface energy than the first polymerizable compound and an antioxidant; And a second resin layer formed on an opposite surface of the base film on which the first resin layer is formed.

하나의 예시에서, 제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함할 수 있다. In one example, the first resin layer may include an A region including a polymerization unit of the first polymerizable compound and a B region including a polymerization unit of the second polymerizable compound formed on the A region .

하나의 예시에서, 제 1 수지층의 A 영역은 무기 입자를 더 포함할 수 있다. In one example, the A region of the first resin layer may further include inorganic particles.

하나의 예시에서, 기재 필름은 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행한 것일 수 있다. In one example, the substrate film may be one selected from the group consisting of a chemical treatment, a corona discharge treatment, a mechanical treatment, an ultraviolet (UV) treatment, an active plasma treatment and a glow discharge treatment.

본 출원의 도전성 필름은, 또한 제 1 수지층 상에 도전층을 더 포함하고, 상기 도전층 방향으로 오목한 곡면 구조를 형성할 수 있다.The conductive film of the present application may further include a conductive layer on the first resin layer to form a concave curved surface structure in the direction of the conductive layer.

본 출원은 또한, 기재 필름 상에 제 1 중합성 화합물; 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함하는 조성물을 코팅한 후, 경화하여 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다. The present application also relates to a process for preparing a film comprising a first polymerizable compound on a substrate film; Coating a composition comprising a second polymerizable compound having a surface energy lower than that of the first polymerizable compound and an antioxidant, and curing the first polymerizable compound to form a first resin layer.

본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널에 관한 것이다. The present application also relates to a touch panel including a conductive film.

본 출원은 열 처리 등에 의해 발생할 수 있는 굽힘 현상에 따른 시인성 문제를 방지할 수 있는 도전성 필름용 조성물, 이로부터 형성된 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공할 수 있다.The present application can provide a composition for a conductive film which can prevent a visibility problem due to a bending phenomenon that may be caused by heat treatment, a conductive film formed therefrom, a method for producing a conductive film, and a touch panel including the conductive film .

본 출원은 또한, 제 1 하드 코팅층과 언더 코팅층을 상 분리 현상을 이용하여 단일 코팅공정으로 형성함으로써, 공정수가 저감되고 경제적인 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공할 수 있다.The present application also relates to a method for manufacturing a conductive film, a conductive film, a conductive film, and a conductive film which are economical and reduce the number of processes by forming the first hard coat layer and the undercoat layer by a single coating process It is possible to provide a touch panel.

더욱이, 본 출원은 산화 방지제를 더 포함하여, 도전층의 결정화를 촉진 시킬 수 있으며, 도전층의 저항값이 낮은 도전성 필름용 조성물, 도전성 필름, 도전성 필름의 제조방법 및 도전성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공할 수 있다. Further, the present application is directed to a composition for a conductive film which can further promote crystallization of a conductive layer and which has a low resistance value of the conductive layer, a conductive film, a manufacturing method of the conductive film, Can be provided.

도 1 은 본 출원의 도전성 필름에 대한 일 모식도이다. 1 is a schematic diagram of a conductive film of the present application.

이하 본 출원에 대해서 실시예를 통해 보다 상세히 설명하겠지만, 본 출원의 요지에 국한된 실시예에 지나지 않는다. 한편 본 출원은 이하의 실시예에서 제시하는 공정조건에 제한되는 것이 아니며, 본 출원의 목적을 달성하기에 필요한 조건의 범위 안에서 임의로 선택 할 수 있음은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. Hereinafter, the present application will be described in more detail by way of examples, but is merely an example limited to the gist of the present application. It will be understood by those skilled in the art that this application is not limited to the process conditions set forth in the following examples, but may be optionally selected within the scope of the conditions necessary to accomplish the object of the present application Do.

본 출원은 도전성 필름용 조성물에 관한 것이다.The present application relates to a composition for a conductive film.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은, 예를 들면 중합 후 상 분리 구조를 형성할 수 있는 중합성 화합물을 포함할 수 있다.The composition for a conductive film of the present application may contain, for example, a polymerizable compound capable of forming a phase separation structure after polymerization.

통상적인 도전성 필름은 시인성을 개선하기 위하여, 도전층과 기재 필름 사이에 언더 코팅층 및 하드 코팅층을 형성한다. 상기 하드 코팅층 및 언더 코팅층은 각각 기재 필름 상에 습식 도포 방식, 예를 들면 그라비아 코팅, 마이크로그라비아 코팅, 롤 코팅, 바 코팅 또는 딥 코팅 등의 방식을 이용하여 하드 코팅층을 형성한 후, 건식 도포 방식, 예를 들면 스퍼터링 등의 방식을 이용하여 언더 코팅층을 형성하는 공정에 의해 제조된다. 상기와 같은, 도전성 필름에 포함되는 언더 코팅층 및 하드 코팅층을 형성하는 공정은 습식 및 건식 도포 공정이 모두 포함되어 공정이 복잡하고, 공정상의 제약이 많이 따르며 경제적으로 고비용을 요구하는 등 많은 문제점이 있다.Conventional conductive films form an undercoat layer and a hard coat layer between the conductive layer and the base film in order to improve the visibility. The hard coat layer and the undercoat layer may be formed by forming a hard coat layer on a base film by a wet coating method such as gravure coating, micro gravure coating, roll coating, bar coating or dip coating, , For example, a method of forming an undercoat layer by a method such as sputtering. The process for forming the undercoat layer and the hard coat layer included in the conductive film as described above includes both wet and dry coating processes, which complicates the process, requires a large amount of processing restrictions, and requires a high cost in terms of cost .

이에, 본 출원은 중합 후 상 분리가 가능하고, 소정의 표면 에너지 차이를 가지는 중합성 화합물을 포함하여 상 분리 구조를 구현함으로써, 단일 코팅공정으로 하드 코팅층 및 언더 코팅층을 형성하여 공정이 간편하며, 경제적으로 우수한 도전성 필름용 조성물을 제공할 수 있다. Accordingly, the present application realizes a phase separation structure including a polymerizable compound having a predetermined surface energy difference and capable of phase separation after polymerization, thereby forming a hard coating layer and an undercoat layer by a single coating process, An economically excellent composition for a conductive film can be provided.

또한, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 산화 방지제를 소정 함량으로 포함하여, 미 경화된 화합물 및 각종 첨가제로 인한 도전층의 결정화 지연 문제를 극복할 수 있고, 도전층의 저항값을 감소시킬 수 있다. In addition, the composition for a conductive film of the present application can contain a predetermined amount of an antioxidant to overcome the problem of delayed crystallization of the conductive layer due to uncured compounds and various additives, and reduce the resistance value of the conductive layer .

즉, 본 출원은 도전성 필름용 조성물은 상 분리 구조를 구현할 수 있는 서로 다른 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 서로 다른 중합성 화합물은 표면 에너지가 상이할 수 있다.That is, the present application may include a different polymerizable compound capable of realizing a phase separation structure in the composition for a conductive film. Further, the different polymerizable compounds may have different surface energies.

구체적으로, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물; 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함한다. 상기 제 2 중합성 화합물은 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 것이다. 또한, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물은 중합 후 상분리 구조를 구현할 수 있다. Specifically, the composition for a conductive film of the present application comprises a first polymerizable compound; A second polymerizable compound and an antioxidant. The second polymerizable compound has a smaller surface energy than the first polymerizable compound. Further, the first polymerizable compound and the second polymerizable compound can realize a phase separation structure after polymerization.

본 출원에서 용어 「중합성 화합물」이란, 광, 예를 들면 UV 광이나 열 등에 의해 라디칼 또는 이온 중합되어 중합체를 형성할 수 있는 화합물을 의미할 수 있다. The term " polymerizable compound " in this application means a compound capable of forming a polymer by radical or ion polymerization by light, for example, UV light or heat.

본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은, 광 예를 들면 UV 광에 의해 중합되며, 중합 후 상 분리 되어 각자의 영역을 형성한 상태로 도전성 필름에 포함될 수 있다.The first polymerizable compound and the second polymerizable compound contained in the composition for a conductive film of the present application are polymerized by light irradiation, for example, by UV light, phase separated after polymerization and formed into a conductive film .

하나의 예시에서, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 중합되는 경우, 소정 두께를 가지고 상분리 되어, 예를 들면 후술하는 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성할 수 있다.In one example, when the first polymerizable compound and the second polymerizable compound are polymerized, a first resin layer including a region A and a region B, which will be described later, is phase-separated with a predetermined thickness .

상기에서 용어 「상 분리 되어 각자의 영역을 형성한 상태」라는 것은 각 화합물이 중합되어 형성된 중합체가 서로 다른 물성을 가지며 상 분리 되어 각자의 영역을 형성한 상태, 예를 들면 수직 상 분리 되어 소정 두께의 층을 형성하고 있는 상태를 의미할 수 있다. 상기 상 분리 되어 형성된 각층은 실질적으로 하나의 수지에 의해 형성된 층이고, 실질적으로 다른 수지에 의해 형성된 층 상에 위치하거나 배열될 수 있다. The term " phase separated and formed in each region " as used herein means a state in which polymers formed by polymerizing respective compounds have different physical properties and phase separated to form respective regions, for example, Of the first layer. Each of the layers formed by phase separation is a layer formed by substantially one resin and may be positioned or arranged on a layer formed by substantially different resins.

상기 「실질적으로 하나의 수지에 의해 형성된 층」이란 한 종류의 수지가 해-도(sea-island) 구조를 형성하지 않고, 하나의 층 전체에 연속적으로 존재하는 것을 의미할 수 있다. 상기 「해-도 구조」는 상 분리된 수지가 전체 수지 혼합물 내에 부분적으로 분포되어 있는 것을 의미한다. 또한, 「실질적으로 형성된」은 하나의 층에 하나의 수지만 존재하거나, 하나의 수지가 풍부한(rich) 것, 예를 들면 하나의 수지가 층의 구성 수지 중 90% 이상, 91% 이상, 92% 이상, 93% 이상94% 이상, 95% 이상을 차지하고 있는 것을 의미할 수 있다. The above-mentioned " layer formed by substantially one resin " may mean that one kind of resin is continuously present in one layer without forming a sea-island structure. The "sea-island structure" means that the phase-separated resin is partially distributed in the whole resin mixture. In addition, " substantially formed " means that only one resin exists in one layer, or one resin is rich, for example, one resin accounts for 90% or more, 91% % Or more, 93% or more, 94% or more, or 95% or more.

구체적으로, 상기에서 A 영역 및 B 영역은 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합물인 제 1 수지층 내에 포함되어 있는 물성이 상이한 영역을 의미하는 것으로써, 예를 들면 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 주로 포함하는 영역을 A 영역이라 하고, 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 주로 포함하는 영역을 B 영역이라 할 수 있다. 상기 「소정 화합물을 주로 포함하고 있다」는 것은 실질적으로 하나의 중합성 화합물만을 포함하고 있는 상태, 예를 들면 A 영역에 제 1 중합성 화합물을 제외한 화합물이 10% 이하, 9% 이하, 8% 이하, 7% 이하, 6% 이하 또는 5% 이하인 상태를 의미할 수 있다. 상기 용어 「소정 화합물의 중합 단위」라는 것은 소정 화합물이 중합되어 형성된 중합체의 주쇄 또는 측쇄 등에 상기 소정 화합물이 중합되어 포함되어 있는 상태를 의미할 수 있다. Specifically, the A region and the B region mean regions having different physical properties contained in the first resin layer which is a polymer of the first polymerizable compound and the second polymerizable compound. For example, the first polymerizable compound The region mainly containing the polymerization unit of the compound is referred to as A region, and the region mainly including the polymerization unit of the second polymerizable compound is referred to as B region. The phrase " mainly contains a predetermined compound " as used herein means that the compound containing only one polymerizable compound is contained in the A region, for example, 10% or less, 9% or less, 8% Or less, 7% or less, 6% or less, or 5% or less. The above-mentioned term "polymerized unit of a predetermined compound" may mean a state in which the above-mentioned predetermined compound is polymerized in the main chain or side chain of a polymer formed by polymerizing a predetermined compound.

상기 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물이 중합된 후 상 분리 되어 각자의 영역을 형성하기 위해서는 각 화합물의 물성이 상이해야 한다. The physical properties of the respective compounds must be different in order to phase-separate the first polymerizable compound and the second polymerizable compound to form their respective regions after polymerization.

구체적으로, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 표면 에너지 차이가 서로 상이해야 한다. Specifically, the first polymerizable compound and the second polymerizable compound must have different surface energy differences from each other.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 제 1 중합성 화합물 및 상기 제 1 중합성 화합물 보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 상기 제 2 중합성 화합물은 중합 후 상기 제 1 중합성 화합물과 수직 상 분리 구조를 구현할 수 있을 정도의 표면 에너지 차이를 가지는 것일 수 있다. In one example, the conductive film of the present application may include a first polymerizable compound and a second polymerizable compound having a lower surface energy than the first polymerizable compound. The second polymerizable compound may have a surface energy difference with respect to the first polymerizable compound to such a degree that the second polymerizable compound can form a vertical phase separation structure with the first polymerizable compound after polymerization.

구체적으로, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이는 1 mN/m 이상일 수 있다. 상기 중합성 화합물의 표면 에너지는 중합성 화합물이 중합되어 형성된 중합체를 포함하는 층의 표면 에너지로부터 계산된 것일 수 있다.Specifically, the surface energy difference between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound may be 1 mN / m or more. The surface energy of the polymerizable compound may be calculated from the surface energy of the layer comprising the polymer formed by polymerizing the polymerizable compound.

상기와 같은 표면 에너지 차이 범위 내에서, 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물은 중합 후, 상 분리 되어 각자의 영역, 예를 들면 수직 상 분리된 A 영역 및 B영역을 형성할 수 있다. Within the range of the surface energy difference as described above, the first polymerizable compound and the second polymerizable compound can be phase separated after polymerization to form their respective regions, for example, A region and B region that are vertically phase separated.

다른 예시에서 상기 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이는 25℃에서, 1.5 mN/m 이상, 2.0 mN/m 이상, 3.0 mN/m 이상, 4.0 mN/m 이상, 5.0mN/m 이상 또는 6.0mN/m 이상 일 수 있다. 상기 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이의 상한값은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 50mN/m 이하, 45mN/m 이하 또는 40mN/m 이하일 수 있다. 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이가 0.1mN/m 보다 작을 경우, 작은 표면 에너지 차이로 인하여 수직 상분리되어 각자의 영역을 형성한 상태의 층을 형성할 수 없으며, 표면 에너지 차이가 50mN/m 를 초과하는 경우, 각 화합물 간에 서로 섞이는 현상은 발생하지 않으나, 전체적인 필름의 내구성에 영향을 줄 수 있다. In another example, the surface energy difference between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound is at least 1.5 mN / m, at least 2.0 mN / m, at least 3.0 mN / m, at least 4.0 mN / m, at least 5.0 mN / m or 6.0 mN / m or more. The upper limit value of the surface energy difference between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound is not particularly limited, but may be, for example, 50 mN / m or less, 45 mN / m or 40 mN / m or less. When the difference in surface energy between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound is less than 0.1 mN / m, it is impossible to form a layer in which each region is formed due to a vertical phase separation due to a small surface energy difference, If the difference exceeds 50 mN / m, no intermixing phenomenon occurs between the respective compounds, but it may affect the overall durability of the film.

본 출원의 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 전술한 표면 에너지 차이 이외에, 상 분리 구조에 영향을 줄 수 있는 다른 물성, 예를 들면 용융 점도 등이 서로 상이한 것일 수 있다.The first polymerizable compound and the second polymerizable compound of the present application may be different from each other in physical properties other than the above-described difference in surface energy, which may affect the phase separation structure, for example, melt viscosity and the like.

본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 상기 제 1 중합성 화합물은, 제 2 중합성 화합물과 전술한 표면 에너지 차이를 만족하며, 예를 들면 도전성 필름의 제 1 수지층의 A영역을 형성하기에 적합한 공지의 재료가 제한 없이 이용될 수 있다.The first polymerizable compound contained in the composition for a conductive film of the present application satisfies the above-described difference in surface energy from the second polymerizable compound, for example, to form the A region of the first resin layer of the conductive film Suitable known materials can be used without limitation.

하나의 예시에서, 제 1 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물 일 수 있다.In one example, the first polymerizable compound may be a radically polymerizable compound.

상기 라디칼 중합성 화합물은 예를 들면, 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물일 수 있다. 상기 용어 「단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물」은 중합성 관능기, 예를 들면 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 하나 또는 그 이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 단량체, 올리고머 또는 이들의 혼합물을 의미할 수 있다. 또한, 상기 「(메타)아크릴레이트」는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미할 수 있다.The radically polymerizable compound may be, for example, a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound. The term " monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound " means a (meth) acrylate monomer, an oligomer or an oligomer thereof containing one or more polymerizable functional groups such as acryloyl group or methacryloyl group Can mean mixtures. In addition, the above "(meth) acrylate" may mean acrylate or methacrylate.

하나의 예시에서, 단관능 (메타)아크릴레이트 화합물은 알킬 (메타)아크릴레이트 일 수 있다.In one example, the monofunctional (meth) acrylate compound may be an alkyl (meth) acrylate.

구체적으로, 알킬 (메타)아크릴레이트는 탄소수가 1 내지 20인 알킬기를 가지는 알킬 (메타)아크릴레이트 일 수 있으며, 그 예로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 테트라데실 (메타)아크릴레이트, 옥타데실 (메타)아크릴레이트 또는 이소보닐 (메타)아크릴레이트 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. Specifically, the alkyl (meth) acrylate may be an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, examples of which include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) (Meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, t- (Meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, Acrylic Although the agent or the like can be illustrated, without being limited thereto.

상기 다관능성 (메타)아크릴레이트 화합물로는, 예를 들면, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트(neopentylglycol adipate) 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산(hydroxyl puivalic acid) 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(dicyclopentanyl) 디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 디(메타)아크릴레이트, 디(메타)아크릴록시 에틸 이소시아누레이트, 알릴(allyl)화 시클로헥실 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 디메틸롤 디시클로펜탄 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥시드 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸프로판 디(메타)아크릴레이트, 아다만탄(adamantane) 디(메타)아크릴레이트 또는 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌(fluorine) 등과 같은 2관능성 (메타)아크릴레이트; 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 3 관능형 우레탄 (메타)아크릴레이트 또는 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트 등의 3관능성 (메타)아크릴레이트; 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트 또는 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트 등의 4관능성 (메타) 아크릴레이트; 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트 등의 5관능성 (메타) 아크릴레이트; 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 또는 우레탄 (메타)아크릴레이트(ex. 이소시아네이트 단량체 또는 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트의 반응물) 등의 6관능성 (메타) 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth) acrylate compound include 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) , Neopentylglycol adipate di (meth) acrylate, hydroxyl puivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, ) Di (meth) acrylate, caprolactone modified dicyclopentenyl di (meth) acrylate, ethylene oxide modified di (meth) acrylate, di (meth) acryloxyethyl isocyanurate, allyl Acrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, cyclohexyl di (meth) acrylate, tricyclodecane dimethanol (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentanedi (meth) acrylate, ethylene oxide modified hexahydrophthalic acid di Di (meth) acrylate, neopentyl glycol-modified trimethylpropane di (meth) acrylate, adamantane di (meth) acrylate or 9,9-bis [4- Bifunctional (meth) acrylates such as acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorine and the like; (Meth) acrylates such as trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri Trifunctional (meth) acrylates such as modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trifunctional urethane (meth) acrylate or tris (meth) acryloxyethylisocyanurate; Tetrafunctional (meth) acrylates such as diglycerin tetra (meth) acrylate or pentaerythritol tetra (meth) acrylate; Pentafunctional (meth) acrylate such as propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate; Caprolactone-modified dipentaerythritol hexa (meth) acrylate or urethane (meth) acrylate (e.g., a reaction product of an isocyanate monomer or trimethylolpropane tri (meth) acrylate) (Meth) acrylate and the like can be used.

또한, 다관능성 (메타)아크릴레이트로는, 업계에서 소위 광 중합성 올리고머로 호칭되는 화합물로서, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트 또는 폴리에테르 (메타)아크릴레이트 등도 사용할 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth) acrylate include urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate or polyether Methacrylate) can also be used.

본 출원은 상기와 같은 제 1 중합성 화합물 중에서 제2 중합성 화합물과의 물성 차이를 고려하여 적절한 종류를 일종 또는 이종 이상 선택하여 사용할 수 있다.In the present application, one kind or more than two types of the first kind of polymerizable compounds may be selected in consideration of the difference in physical properties between the first and second polymerizable compounds.

본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 제 2 중합성 화합물은 제 1 중합성 화합물과 전술한 표면 에너지 차이를 만족하며, 예를 들면 도전성 필름의 제 1 수지층의 B 영역을 형성하기에 적합한 공지의 재료가 제한 없이 이용될 수 있다.The second polymerizable compound contained in the composition for a conductive film of the present application satisfies the above-described difference in surface energy between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound, for example, a known method suitable for forming the B region of the first resin layer of the conductive film May be used without limitation.

하나의 예시에서, 제 2 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물 또는 이온 중합성 화합물 일 수 있다.In one example, the second polymerizable compound may be a radically polymerizable compound or an ionically polymerizable compound.

구체적으로, 제 2 중합성 화합물은 라디칼 중합성 관능기, 예를 들면 (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기를 포함하는 불소 화합물; 또는 상기 작용기를 포함하는 실록산 화합물; 일 수 있다. 상기 용어 「(메타)아크릴로일기」는 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 의미하고, 상기 용어 「(메타)아크릴로일옥시기」는 아크릴일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 의미할 수 있다. Specifically, the second polymerizable compound is a fluorine compound containing a radically polymerizable functional group, for example, a (meth) acryloyl group or a (meth) acryloyloxy group; Or a siloxane compound containing said functional group; Lt; / RTI > The term "(meth) acryloyl group" means an acryloyl group or a methacryloyl group, and the term "(meth) acryloyloxy group" may mean an acryloyloxy group or a methacryloyloxy group.

상기 불소 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 1 내지 5로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 불소 (메타)아크릴레이트 화합물 일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The fluorine compound may be, for example, any fluorine (meth) acrylate compound selected from the group consisting of the following formulas (1) to (5), but is not limited thereto.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 1 내지 5에서 에서 R1은 수소 또는 알킬기이고, a 내지f는 임의의 수, 예를 들면 양의 정수이다. In the general formulas (1) to (5), R 1 is hydrogen or an alkyl group, and a to f are an arbitrary number, for example, a positive integer.

본 출원에서 용어 「알킬기」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 알킬기로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기,sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기,n- 헵틸기 또는 n-옥틸기 등의 직쇄형 또는 분지쇄형 알킬기이거나, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 또는 시클로헵틸기 등의 시클로 알킬기 등이 예시될 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.The term "alkyl group" in the present application may mean an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms unless otherwise specified. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec- A straight chain or branched chain alkyl group such as a hexyl group, an n-heptyl group or an n-octyl group, or a cycloalkyl group such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group or a cycloheptyl group. In addition, the alkyl group may be optionally substituted with one or more substituents.

하나의 예시에서, 상기 화학식 1의 a는 0 내지 7의 정수이고, b는 1 내지 3의 정수 일 수 있다.In one example, a in the above formula (1) may be an integer of 0 to 7, and b may be an integer of 1 to 3.

하나의 예시에서, 상기 화학식 2의 c는 1 내지 10의 정수 일 수 있다. In one example, c in Formula 2 may be an integer of 1 to 10.

하나의 예시에서, 상기 화학식 3의 d는 1 내지 11의 정수 일 수 있다.In one example, d in formula (3) may be an integer of 1 to 11.

하나의 예시에서, 상기 화학식 4의 e는 1 내지 5의 정수 일 수 있다. In one example, e in Formula 4 may be an integer of 1 to 5.

하나의 예시에서, 상기 화학식 5의 f는 4 내지 10의 정수 일 수 있다.In one example, f in formula (5) may be an integer of 4 to 10.

상기 실록산 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 6 의 중합 단위를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The siloxane compound may include, for example, a polymerization unit represented by the following formula (6), but is not limited thereto.

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 6에서 R2은 수소 또는 알킬기이고, R3는 하기 화학식 7의 치환기를 나타내고,Wherein R 2 is hydrogen or an alkyl group, R 3 is a substituent represented by the following general formula (7)

[화학식 7](7)

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 7에서 R4는 알킬렌기를 나타내고, R5 및 R6는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내며, n은 임의의 수, 예를 들면 양의 정수이다.In the formula (7), R 4 represents an alkylene group, R 5 and R 6 each independently represent an alkyl group, and n represents an arbitrary number, for example, a positive integer.

또한, 상기 실록산 화합물은, 예를 들면 상기 화학식 6의 중합 단위와 함께 하기 화학식 8의 중합 단위를 포함할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The siloxane compound may include, for example, a polymerization unit represented by the following general formula (6) and a polymerization unit represented by the following general formula (8), but is not limited thereto.

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 8에서 R7은 수소 또는 알킬기를 나타내며, R8은 알킬기, 아릴기 또는 지환족 고리기를 나타낸다.In the formula (8), R 7 represents hydrogen or an alkyl group, and R 8 represents an alkyl group, an aryl group or an alicyclic group.

본 출원에서 용어 「알킬렌기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기를 의미할 수 있다. 상기 알킬렌기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬렌기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다. The term "alkylene group" in the present application may mean an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms unless otherwise specified. The alkylene group may be linear, branched or cyclic. The alkylene group may optionally be substituted with one or more substituents.

본 출원에서 용어 「아릴기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 탄소계 방향족기이며, 이에 제한되는 것은 아니나, 벤젠, 나프탈렌 등을 포함한다. 용어 "방향족"은 또한 "헤테로아릴기"를 포함하며, 이는 방향족기의 고리 내에 혼입된 하나 이상의 헤테로 원자를 갖는 방향족기로 정의된다. 헤테로원자의 예는, 이에 제한되는 것은 아니나, 질소, 산소, 황, 및 인을 포함한다. 아릴기는 치환되거나 또는 비치환 될 수 있다. The term "aryl group" in the present application is a carbon-based aromatic group having 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 12 carbon atoms unless otherwise specified, Naphthalene, and the like. The term "aromatic" also includes a "heteroaryl group ", defined as an aromatic group having at least one heteroatom incorporated within a ring of aromatic groups. Examples of heteroatoms include, but are not limited to, nitrogen, oxygen, sulfur, and phosphorus. The aryl group may be substituted or unsubstituted.

본 출원에서 용어 「지환족 고리기」는 3개 이상의 탄소 원자로 구성된 지방족 탄소계 고리를 의미한다. 지환족 고리기의 예는, 이에 제한되는 것은 아니나, 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 등을 포함한다. The term " alicyclic ring group " in the present application means an aliphatic carbon-based ring composed of three or more carbon atoms. Examples of alicyclic groups include, but are not limited to, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl or cyclohexyl.

더욱이, 실록산 화합물은 전술한 (메타)아크릴로일기 또는 (메타)아크릴로일옥시기를 포함하는 화합물 이외에도, 라디칼 중합성 관능기, 예를 들면 비닐기를 포함할 수 있다. 비닐기 등의 라디칼 중합성 관능기를 포함하는 실록산 화합물의 구체적인 종류는 공지이며, 언더 코팅층을 형성할 수 있을 정도의 투광성 및 굴절률 범위를 가지고 있는 것이면 본 출원에서는 제한 없이 이용될 수 있다. Furthermore, the siloxane compound may include a radically polymerizable functional group such as a vinyl group, in addition to the compound containing the (meth) acryloyl group or the (meth) acryloyloxy group described above. Specific examples of the siloxane compound containing a radically polymerizable functional group such as a vinyl group are known and can be used without limitation in the present application as far as they have a light transmittance and a refractive index range enough to form an undercoat layer.

제 2 중합성 화합물이 이온 중합성 화합물 일 경우, 상기 이온 중합성 화합물은 예를 들면 에폭사이드, 사이클릭 에테르, 설파이드, 아세탈 또는 락톤 등의 양이온 중합성 관능기를 포함하는 실록산 화합물 일 수 있다. 상기 이온 중합성 화합물로서의 실록산 화합물은 라디칼 중합성 관능기, 예를 들면 (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴로일옥시기 또는 비닐기 등의 관능기를 포함하지 않는 화합물을 의미할 수 있다.When the second polymerizable compound is an ionic polymerizable compound, the ionic polymerizable compound may be a siloxane compound containing a cationic polymerizable functional group such as epoxide, cyclic ether, sulfide, acetal or lactone. The siloxane compound as the ionic polymerizable compound may mean a compound which does not contain a functional group such as a radically polymerizable functional group, for example, a (meth) acryloyl group, a (meth) acryloyloxy group or a vinyl group.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은 상기 제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물을 중합 후 각자의 영역을 형성할 수 있을 정도의 범위로 포함할 수 있다. The composition for a conductive film of the present application may contain the first polymerizable compound and the second polymerizable compound in such a range as to be able to form their respective regions after polymerization.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물 100 중량부 및 10 중량부 내지 100 중량부의 제 2 중합성 화합물을 포함할 수 있다. In one example, the composition for a conductive film of the present application may comprise 100 parts by weight of the first polymerizable compound and 10 parts by weight to 100 parts by weight of the second polymerizable compound.

다른 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물 30 내지 95 중량부 및 제 2 중합성 화합물 3 내지 50 중량부를 포함할 수 있고, 또는 반대로, 제 1 중합성 화합물 3 내지 50 중량부 및 제 2 중합성 화합물 30 내지 95 중량부를 포함할 수 있다. 본 출원에서 용어 「중량부」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 각 성분간의 중량비율을 의미한다. In another example, the composition for a conductive film of the present application may contain 30 to 95 parts by weight of the first polymerizable compound and 3 to 50 parts by weight of the second polymerizable compound, or conversely, 3 to 50 parts by weight of the first polymerizable compound And 30 to 95 parts by weight of the second polymerizable compound. The term " parts by weight " in this application means the weight ratios among the components unless otherwise specified.

상기와 같은 비율로 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물을 도전성 필름용 조성물에 포함시킬 경우, 상기 조성물이 중합되었을 때, 상 분리되어, 예를 들면 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성할 수 있다. When the first polymerizable compound and the second polymerizable compound are contained in the composition for a conductive film in the above-described ratio, when the composition is polymerized, the first polymerizable compound and the second polymerizable compound are phase-separated and, for example, A resin layer can be formed.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물이 후술하는 방법에 의해 중합되는 경우 제 1 수지층이 형성될 수 있다. 상기 제 1 수지층은 A 영역 및 B 영역을 포함할 수 있다. In one example, when the composition for a conductive film of the present application is polymerized by a method described later, a first resin layer may be formed. The first resin layer may include an A region and a B region.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은 산화 방지제를 포함한다. The composition for a conductive film of the present application includes an antioxidant.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은 상기 산화 방지제를, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합물인 제 1 수지층의 일 영역, 구체적으로 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역에 포함시킴으로써, 도전층의 결정화를 촉진시켜 저항을 감소시킬 수 있다. In the composition for a conductive film of the present application, the antioxidant is contained in one region of a first resin layer, for example, a polymer of a first polymerizable compound and a second polymerizable compound, specifically a polymerized unit of a second polymerizable compound The crystallization of the conductive layer can be promoted and the resistance can be reduced.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 산화 방지제는 힌더드 아민계, 페놀계, 티오에스터계 및 포스파이트계 유기물 중 선택되는 어느 하나 이상일 수 있다.In one example, the antioxidant contained in the composition for a conductive film of the present application may be any one or more selected from hindered amine type, phenol type, thioester type and phosphite type organic materials.

구체적으로, 상기 힌더드 아민계 유기물은 하기 화학식 9로 표시되는 부분구조를 가질 수 있다.Specifically, the hindered amine-based organic material may have a partial structure represented by the following formula (9).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 9에서, R9 내지 R12은 각각 독립적으로 알킬기이고, R13는 수소, 또는 히드록시기로 치환 또는 비치환 되어 있는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기 또는 사이클로 알킬기이다.In the general formula (9), R 9 to R 12 are each independently an alkyl group, and R 13 is hydrogen or a linear or branched alkyl group or cycloalkyl group substituted or unsubstituted with a hydroxy group.

본 출원에서 용어 「사이클로 알킬기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 5 내지 30, 탄소수 5 내지 20, 탄소수 5 내지 16, 탄소수 5 내지 12 또는 탄소수 5 내지 8의 고리형 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 사이클로 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.Unless otherwise specified, the term "cycloalkyl group" in the present application may mean a cyclic alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, 5 to 20 carbon atoms, 5 to 16 carbon atoms, 5 to 12 carbon atoms, or 5 to 8 carbon atoms . The cycloalkyl group may optionally be substituted with one or more substituents.

힌더드 아민계 유기물은, 상과 화학식 9의 부분구조를 포함하는 것으로써, 예를 들면, 시판되는 것으로써 나우가드 445(naugard® 445), 슈퍼Q, A(Super-Q® A), PS30 또는 게녹스 EP(GENOX? EP) 등의 공지의 힌더드 아민계 산화 방지제가 이용될 수 있다.The hindered amine-based organic material includes a phase and a partial structure of formula (9), for example, Naugard 445, Super Q, A, PS30 Or a known hindered amine antioxidant such as GENOX? EP may be used.

구체적인 예시에서, 상기 페놀계 유기물은 하기 화학식 10 또는 11로 표시되는 화합물일 수 있다.In a specific example, the phenolic organic compound may be a compound represented by the following general formula (10) or (11).

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 10에서, R14은 알킬기 일 수 있다.In Formula 10, R 14 may be an alkyl group.

[화학식 11](11)

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 11에서, R15

Figure pat00012
이고, R16
Figure pat00013
이며, 여기서 n은 1 내지 4의 정수이고, R17
Figure pat00014
이다.In the formula (11), R < 15 >
Figure pat00012
, R < 16 >
Figure pat00013
, Wherein n is an integer from 1 to 4, and R < 17 >
Figure pat00014
to be.

보다 구체적인 상기 페놀 유기물은, 예를 들면, 트리에틸렌 글리콜-비스[3-(3-터트-부틸-5-메틸-4-하이드록시)페놀프로피오네이트], 1,6-헥산디올-비스[3-(3,5-디-터트-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 2,4-비스-(n-옥틸티오)-6-(4-하이드록시-3,5-디-터트-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진, 펜타에리트리틸 테트라키스[3,5-디-터트-부틸-4-하이드록시 페닐)프로피오네이트], 2,4-비스-(n-옥틸티오)-6-(4-히드록시-3,5-디-터트-부틸아닐리노)-1,3,5-트리아진, 펜타에트리트리틸 테트라키스[3-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시 페닐)프로피오네이트] 2,2-티오-디에틸렌비스[3-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트],옥타데실-3-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, N,N'-헥사메틸렌비스(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시-히드로신남아마이드), 3,5-디-터트-부틸-4-히드록시벤질포스포네이트-디에틸 에스터, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시벤질)벤젠 1,6-비스[3-(3,5-디-터트-부틸-4-하이드록시페닐)프로피온아미도]헥산, 1,6-비스[3-(3,5-디-터트-부틸-4-히드록시페닐)프로피온아미도]프로판 또는 테트라키스[메틸렌(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시히드로시나메이트)]메탄 등이 예시될 수 있으며, 시판되는 것으로써 SONGNOX® 1010, SONGNOX® 1076, SONGNOX® 1077, SONGNOX® 1135, SONGNOX® 2450, SONGNOX® 3114, SONGNOX® 1035, SONGNOX® 1024, SONGNOX® 1290, SONGNOX® 2590, SONGNOX® 1098, SONGNOX® 4150, SONGNOX® 4425, SONGNOX® 2246, SONGNOX® 1330, SONGNOX® 1790 또는 SONGNOX® 1520 등이 예시될 수 있다. More specifically, the phenol organic material may be, for example, triethylene glycol-bis [3- (3-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxy) phenolpropionate], 1,6-hexanediol- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,4-bis- (n-octylthio) -6- Tri-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,4-bis (tert-butylanilino) -1,3,5-triazine and pentaerythrityl tetrakis - (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-tert-butyl anilino) -1,3,5-triazine, pentaerythrityl tetrakis [3- Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5- Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, N, N'-hexamethylenebis (3,5- Hydroxy-hydrocinnamamide), 3,5-di-tert-butyl-4-hyde Benzylphosphonate diethyl ester, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene 1,6-bis [3 (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionamido] hexane, 1,6-bis [3- Amido] propane or tetrakis [methylene (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyhydrocinnamate)] methane and the like can be exemplified and commercially available such as SONGNOX® 1010, SONGNOX® 1076, SONGNOX ? 1077, SONGNOX® 1135, SONGNOX® 2450, SONGNOX® 3135, SONGNOX® 1035, SONGNOX® 1024, SONGNOX® 1290, SONGNOX® 2590, SONGNOX® 1098, SONGNOX® 4150, SONGNOX® 4425, SONGNOX® 2246, SONGNOX® 1330 , SONGNOX (R) 1790 or SONGNOX (R) 1520, and the like.

구체적인 예시에서, 티오에스터계 유기물은 하기 화학식 12 또는 13로 표시되는 화합물일 수 있다.In a specific example, the thioester-based organic material may be a compound represented by the following formula (12) or (13).

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 화학식 12 및 13에서, R18 및 R19는 각각 독립적으로 알킬기 또는 아릴기이다.In the general formulas (12) and (13), R 18 and R 19 are each independently an alkyl group or an aryl group.

본 출원에서 용어 「아릴기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리 또는 2개 이상의 벤젠 고리가 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다. 예를 들면, 상기 아릴기는 히드록시기, 염소 또는 불소 등의 할로겐, 알킬기 또는 아릴옥시기 등의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.The term " aryl group " in the present application may mean a monovalent residue derived from a compound or derivative containing a benzene ring or a structure in which two or more benzene rings are condensed or bonded, unless otherwise specified. The aryl group may be, for example, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 12 carbon atoms. The aryl group may be optionally substituted with one or more substituents. For example, the aryl group may be substituted with a substituent such as a halogen, an alkyl group or an aryloxy group such as a hydroxyl group, chlorine or fluorine.

보다 구체적인 상기 티오에스터계 유기물은, 예를 들면, 테트라키스[메탄-3-(라우릴티오)프로피오네이트]메탄, 디스테아릴 티오디프로피오네이트 또는 디라우릴 티오디프로피오네이트 등을 예시할 수 있으며, 시판되는 것으로써, SONGNOX® DSTDP, SONGNOX® DLTDP, SONGNOX® DTDTP 또는 SONGNOX® 4129 등이 예시될 수 있다. More specific examples of the thioester-based organic material include, for example, tetrakis [methane-3- (laurylthio) propionate] methane, distearyl thiodipropionate or dilauryl thiodipropionate For example, SONGNOX® DSTDP, SONGNOX® DLTDP, SONGNOX® DTDTP or SONGNOX® 4129, which are commercially available.

포스파이트계 유기물은 하기 화학식 14로 표시되는 화합물일 수 있다.The phosphite-based organic material may be a compound represented by the following formula (14).

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure pat00017
Figure pat00017

화학식 6에서, R20 및 R21은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기 이다.In Formula (6), R 20 and R 21 are each independently an alkyl group or an aryl group.

구체적인 포스파이트계 유기물은, 예를 들면, 비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페닐)펜타에리쓰리톨-디-포스파이트 또는 비스 (2,4-디-tert-부틸페닐)펜타에리쓰리톨-디-포스파이트 등을 예시될 수 있으며, 시판되는 것으로써, SONGNOX® 1680, SONGNOX® 6260, SONGNOX® 6180, SONGNOX® 6280, SONGNOX® TPP, SONGNOX® TDP, SONGNOX® DPDP, SONGNOX® EHDPP 또는 SONGNOX® DHOP 등이 예시될 수 있다. Specific phosphite-based organic materials include, for example, bis (2,6-di-tert-butyl-4-methylphenyl) pentaerythritol-di-phosphite or bis (2,4- Pentaerythritol-di-phosphite, and the like, commercially available such as SONGNOX® 1680, SONGNOX® 6260, SONGNOX® 6180, SONGNOX® 6280, SONGNOX® TPP, SONGNOX® TDP, SONGNOX® DPDP, SONGNOX ® EHDPP or SONGNOX® DHOP may be exemplified.

산화 방지제(antioxidant)는, 도전성 필름용 조성물이 중합되어 형성되는 어느 한 영역, 예를 들면 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역에 포함될 수 있다.The antioxidant may be contained in a region formed by polymerization of the composition for a conductive film, for example, a region B containing a polymerization unit of the second polymerizable compound.

산화 방지제(antioxidant)는, 미반응 라디칼을 감소시키고, 표면 경화도를 개선하여 도전층의 저항을 감소시킬 수 있을 정도의 양으로 도전성 필름용 조성물에 포함될 수 있다. The antioxidant can be included in the composition for the conductive film in such an amount as to reduce unreacted radicals and improve the surface hardening degree to reduce the resistance of the conductive layer.

하나의 예시에서, 산화 방지제는 0.01 내지 5 중량부의 범위로 도전성 필름용 조성물에 포함될 수 있다. In one example, the antioxidant may be included in the composition for a conductive film in the range of 0.01 to 5 parts by weight.

산화 방지제(anti-oxidant)는, 전술한 바와 같이 도전성 필름용 조성물에 중합되어 형성된 층의 어느 한 영역, 예를 들면 제 1 수지층의 B 영역에 포함될 수 있도록 적절한 처리를 수행할 수 있다. The antioxidant may be appropriately treated so as to be contained in any region of the layer formed by polymerization in the composition for a conductive film as described above, for example, in the region B of the first resin layer.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은 또한, 무기 입자를 추가로 포함할 수 있다.The composition for a conductive film of the present application may further contain inorganic particles.

본 출원의 도전성 필름용 조성물에 포함되는 무기 입자는 제 1 중합성 화합물이 중합되어 형성된 제 1 수지층의 A 영역에 포함되어 목적하는 굴절률의 조절 및 제 1 수지층의 A 영역에 적절한 강성을 부여하기 위한 것일 수 있다. The inorganic particles contained in the composition for a conductive film of the present application are contained in the A region of the first resin layer formed by polymerization of the first polymerizable compound to control the desired refractive index and to give appropriate rigidity to the A region of the first resin layer . ≪ / RTI >

하나의 예시에서, 상기 무기 입자는 ZnO, TiO2, CeO2, SnO2, ZrO2, MgO 또는 Ta2O5을 포함하는 입자일 수 있다. 상기 무기 입자는 크기는 예를 들면 5 내지 100 nm 범위 내에 있을 수 있다.In one example, the inorganic particles may be particles comprising ZnO, TiO 2, CeO 2, SnO 2, ZrO 2, MgO or Ta 2 O 5. The size of the inorganic particles may be, for example, in the range of 5 to 100 nm.

다른 예시에서, 상기 무기 입자는 표면이 적절히 처리되어 전술한 제 1 중합성 화합물과 유사한 물성을 가지도록 할 수 있다. 구체적으로, 무기 입자는 전술한 제 1 중합성 화합물 중 어느 한 화합물에 의해서 표면이 코팅된 것일 수 있다. In another example, the inorganic particles may have a surface treated appropriately so as to have properties similar to those of the above-mentioned first polymerizable compound. Specifically, the inorganic particles may be one whose surface has been coated with any one of the above-mentioned first polymerizable compounds.

상기 무기 입자의 함량은 전술한 무기 입자의 채택 목적을 해치지 아니하는 범위 내에서 적절히 포함될 수 있으며, 예를 들면 조성물의 총 고형분 대비 40중량% 이상, 50중량% 이상, 60중량% 이상 또는 70중량% 이상의 범위로 도전성 필름용 조성물에 포함될 수 있다. The content of the inorganic particles may be appropriately included within a range that does not impair the purpose of the inorganic particles described above. For example, the content of the inorganic particles may be 40 wt% or more, 50 wt% or more, 60 wt% % Of the total weight of the conductive film.

본 출원의 도전성 필름용 조성물은 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합을 위하여 개시제를 포함한다. 상기 개시제는, 예를 들면 라디칼 광 개시제 또는 양이온 광 개시제일 수 있다. The composition for a conductive film of the present application contains an initiator for the polymerization of the first polymerizable compound and the second polymerizable compound. The initiator may be, for example, a radical photoinitiator or a cationic photoinitiator.

보다 구체적으로, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물이 모두 라디칼 중합이 가능한 경우, 라디칼 광 개시제가 단독으로 첨가될 수 있다. 한편, 상기 두 화합물 중 적어도 하나가 이온 중합성을 띄는 경우, 양이온 광 개시제를 더 포함할 수 있다. More specifically, when both the first polymerizable compound and the second polymerizable compound are capable of radical polymerization, the radical photoinitiator can be added singly. On the other hand, when at least one of the two compounds is ionically polymerizable, it may further include a cationic photoinitiator.

하나의 예시에서, 라디칼 광 개시제로는 벤조인계, 히드록시 케톤계, 아미노케톤계 또는 포스핀 옥시드계 광개시제 등이 사용될 수 있다. 구체적으로, 라디칼 광 개시제로는 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 에틸에테르, 벤조인 이소프로필에테르, 벤조인 n-부틸에테르, 벤조인 이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4’-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤(thioxanthone), 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논 디메틸케탈, p-디메틸아미노 안식향산 에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판논] 또는 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥시드 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In one example, as the radical photoinitiator, benzoin, hydroxy ketone, amino ketone or phosphine oxide photoinitiators may be used. Specific examples of the radical photoinitiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- hydroxycyclohexyl phenyl ketone Propane-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl-2- (hydroxy-2- propyl) Ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methyl anthraquinone, 2-ethyl anthraquinone, 2- Quinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethylketal, acetophenone dimethylketal, p - dimethylaminone (2-hydroxy-2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone] or 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide But is not limited thereto.

하나의 예시에서, 양이온 광개시제는 방향족 디아조늄염 광 개시제, 방향족 할로늄염 광개시제 또는 방향족 술포늄염 광 개시제 등이 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.In one example, the cationic photoinitiator may be, but is not limited to, an aromatic diazonium salt photoinitiator, an aromatic halonium salt photoinitiator, or an aromatic sulfonium salt photoinitiator.

상기 광 개시제는, 예를 들면 도전성 필름용 조성물에 0.05 내지 5 중량부의 범위로 포함될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 중합을 위해 필요한 범위 내에서 상기 수치는 변동될 수 있다.The photoinitiator may be contained in, for example, 0.05 to 5 parts by weight of the composition for a conductive film, but the present invention is not limited thereto. The amount of the photoinitiator may be within the range necessary for the polymerization of the first polymerizable compound and the second polymerizable compound Lt; / RTI >

본 출원의 도전성 필름용 조성물은, 또한 전술한 성분 이외에 공지의 첨가제, 예를 들면 계면 활성제, 가소제, 표면 윤활제, 레벨링제, 부식 방지제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 중합 금지제 또는 실란 커플링제 등을 추가로 포함할 수 있다. 상기 성분들의 함량은 도전성 필름의 물성을 해치지 아니하는 범위 내에서 적정량 첨가될 수 있으며, 예를 들면 도전성 필름용 조성물 100 중량부 대비 0.01 내지 2 중량부의 범위로 포함될 수 있다.The composition for a conductive film of the present application may further contain known additives such as a surfactant, a plasticizer, a surface lubricant, a leveling agent, a corrosion inhibitor, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor or a silane coupling agent in addition to the above- May be further included. The content of the components may be added in an appropriate amount within a range that does not impair the physical properties of the conductive film, and may be included in the range of 0.01 to 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the composition for a conductive film.

본 출원은 또한, 전술한 도전성 필름용 조성물로부터 형성된 층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다.The present application also relates to a conductive film comprising a layer formed from the above composition for a conductive film.

본 출원의 도전성 필름은 도전성 필름의 열처리 공정 시 발생할 수 있는 굽힘 현상으로 인한 시인성 저하 문제를 극복할 수 있으며, 전술한 조성물의 단일 코팅공정으로부터 상 분리 된 층을 형성하여 공정수를 저감하여 경제성을 도모할 수 있고, 또한 산화 방지제의 첨가에 의해 도전층의 결정화도가 우수하여, 저항이 감소된 것일 수 있다. The conductive film of the present application can overcome the problem of lowering the visibility due to the bending phenomenon that may occur in the heat treatment process of the conductive film and reduce the number of processes by forming a layer separated from the single coating process of the above- And the resistance of the conductive layer may be decreased due to the addition of the antioxidant.

하나의 예시에서, 본 출원은 기재 필름; 상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있으며, 제 1 중합성 화합물; 상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함하는 조성물의 중합물인 제 1 수지층; 및 상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성된 면의 반대 면에 형성되어 있는 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름에 관한 것이다.In one example, the present application is directed to a film comprising a substrate film; A first polymerizable compound formed on one surface of the substrate film; A first resin layer which is a polymer of a composition comprising a second polymerizable compound having a smaller surface energy than the first polymerizable compound and an antioxidant; And a second resin layer formed on an opposite surface of the base film on which the first resin layer is formed.

즉, 본 출원에 따른 도전성 필름은 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하고, 상기 제 1 수지층과 제 2 수지층의 두께 및 무기 입자의 함량을 조절하여 도전성 필름의 열 팽창 계수를 소정 범위 이하로 유지하거나, 열 처리 공정으로 인한 도전성 필름의 굽힘 방향을 도전층 방향으로 설정함으로써, 궁극적으로 도전성 필름의 패턴 시인성 문제를 개선할 수 있다. That is, in the conductive film according to the present application, the first resin layer and the second resin layer are formed on both sides of the base film, and the thickness of the first resin layer and the second resin layer and the content of the inorganic particles are controlled, The problem of the pattern visibility of the conductive film can ultimately be improved by keeping the coefficient of thermal expansion below a predetermined range or by setting the bending direction of the conductive film due to the heat treatment process in the direction of the conductive layer.

또한, 본 출원의 도전성 필름은 기존에 기재 필름 상에 형성되는 하드 코팅층 및 언더 코팅층의 복수 형성 공정 대신에, 전술한 제 1 및 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물의 단일 코팅공정만으로 하드 코팅층 및 언더 코팅층 역할을 수행할 수 있는 층을 형성함으로써, 공정수를 저감하여 경제성을 도모할 수 있다.In addition, the conductive film of the present application can be formed by a single coating process of a composition including the above-described first and second polymerizable compounds in place of the hard coating layer and the undercoating layer forming process which are conventionally formed on the base film, By forming a layer capable of serving as an undercoat layer, it is possible to reduce the number of process steps and achieve economical efficiency.

더욱이, 산화 방지제를 제 1 수지층의 일 영역, 예를 들면 B 영역에 포함시켜 열 처리 공정에 따른 도전층의 결정화를 용이하게 할 수 있으며, 궁극적으로 도전층의 저항값을 낮출 수 있다. Furthermore, the antioxidant can be included in one region of the first resin layer, for example, in the region B, thereby facilitating the crystallization of the conductive layer in accordance with the heat treatment process, and ultimately lowering the resistance value of the conductive layer.

본 출원의 도전성 필름은 기재 필름을 포함한다. The conductive film of the present application includes a base film.

하나의 예시에서, 상기 기재 필름은 투명 필름으로서, 투명성과 강도가 적정 범위에 있는 도전성 필름용으로 적합한 공지의 것이 채택될 수 있다. In one example, the base film may be a transparent film, and a known one suitable for a conductive film having transparency and strength in an appropriate range may be employed.

구체적으로 기재 필름의 재질로는 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리 에스테르; 6-나일론 또는 6,6-나일론 등의 폴리아미드; 폴리카보네이트; 폴리에테르설폰; 또는 노르보르넨계 수지 등이 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 기재 필름은 이들 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어있을 수 있다. 또한 기재 필름은 단일 필름의 형태 또는 적층 필름의 형태가 될 수 있다. Specifically, the base film may be made of polyolefin such as polyethylene or polypropylene; Polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate; Polyamides such as 6-nylon or 6,6-nylon; Polycarbonate; Polyethersulfone; Or a norbornene resin can be used, but the present invention is not limited thereto. These base films may be used alone or in combination of two or more. The base film may also be in the form of a single film or a laminated film.

본 출원의 기재 필름은 또한, 표면이 개질 된 것일 수 있다. 상기 표면 개질은 극성을 부여하기 위한 것으로써, 도전성 필름용 조성물을 기재 필름에 도포 한 후, 상 분리 현상에 의해 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층의 형성 시, 상 분리 구조를 보다 더 명확하게 하기 위한 것일 수 있다. The base film of the present application may also be one whose surface has been modified. The surface modification is for imparting polarity. The composition for a conductive film is applied to a base film, and then a phase separation structure is formed when a first resin layer including regions A and B is formed by phase separation It may be to make it more clear.

하나의 예시에서, 기재 필름은 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 또는 글로우 방전 처리 등의 공지의 처리 방식을 이용하여 표면을 개질 한 것일 수 있다.In one example, the substrate film may be a surface modified by a known treatment method such as a chemical treatment, a corona discharge treatment, a mechanical treatment, an ultraviolet (UV) treatment, an active plasma treatment or a glow discharge treatment.

또한, 기재 필름에는 공지의 첨가제, 예컨대 대전 방지제, 자외선 흡수제, 적외선 흡수제, 가소제, 윤활제, 착색제, 산화방지제 또는 난연제 등이 포함되어 있을 수 있다. The base film may contain known additives such as an antistatic agent, an ultraviolet absorber, an infrared absorber, a plasticizer, a lubricant, a colorant, an antioxidant or a flame retardant.

기재 필름의 두께는 투명성, 박막화 및 가공시 장력에 의한 주름의발생 등을 최소화 하기 위한 목적 등을 고려한 적절한 두께 범위가 설정될 수 있다. 하나의 예시에서, 기재 필름은 10 ㎛ 내지 80 ㎛, 또는 20 ㎛ 내지 50 ㎛의 두께 범위를 가질 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The thickness of the base film may be set to a suitable thickness range in consideration of transparency, the purpose of minimizing the occurrence of thinning and the occurrence of wrinkles due to tension during processing, and the like. In one example, the substrate film may have a thickness ranging from 10 占 퐉 to 80 占 퐉, or from 20 占 퐉 to 50 占 퐉, but is not limited thereto.

본 출원의 도전성 필름은 제 1 수지층을 포함한다. 상기 제 1 수지층은, 예를 들면 전술한 제 1 중합성 화합물, 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함하는 조성물의 중합물 일 수 있다. The conductive film of the present application comprises a first resin layer. The first resin layer may be, for example, a polymer of a composition comprising the first polymerizable compound, the second polymerizable compound and the antioxidant described above.

보다 구체적으로, 본 출원의 제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물, 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제와 기타 전술한 첨가제 등을 포함하는 도전성 필름용 조성물을 기재 필름 상에 코팅 하는 경우, 각 중합성 화합물의 표면 에너지 등의 물성 차이에 기인하여, 상 분리 되어 두 층을 형성하는 것으로부터 제조될 수 있다.More specifically, when the composition for a conductive film comprising the first polymerizable compound, the second polymerizable compound, and the antioxidant and the above-mentioned additives is coated on the base film, Due to the difference in physical properties such as the surface energy of the compound, and the like.

상기와 같은 상 분리 현상에 기인하여, 제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함할 수 있다.상기 A 영역 및 B 영역은, 예를 들면 도 1에 도시된 바와 같이, 수직 상 분리되어 각자의 영역을 형성하고 있는 상태로 제 1 수지층에 포함될 수 있다. Due to the phase separation phenomenon as described above, the first resin layer is composed of the A region including the polymerization unit of the first polymerizable compound and the B region including the polymerization unit of the second polymerizable compound formed on the A region The A region and the B region may be included in the first resin layer in a state in which their regions are vertically separated from each other, for example, as shown in FIG.

하나의 예시에서, 상기 A 영역은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하고, 실질적으로 제 2 중합성 화합물을 포함하지 않을 수 있다. In one example, the A region includes polymerized units of the first polymerizable compound and may not substantially contain the second polymerizable compound.

상기 「실질적으로 포함하지 않는다는 것」은, 예를 들면 A 영역에 포함되어 있는 제 1 중합성 화합물 대비 제 2 중합성 화합물이 10 중량% 이하, 9 중량% 이하, 8 중량% 이하, 7 중량% 이하, 6 중량% 이하 또는 5 중량% 이하의 비율로 포함되어 있는 상태를 의미할 수 있다. The phrase " substantially not included " means that the second polymerizable compound is contained in an amount of 10 wt% or less, 9 wt% or less, 8 wt% or less, 7 wt% or less, By weight or less, 6% by weight or less, and 5% by weight or less.

상기 A 영역은, 예를 들면 무기 입자를 더 포함할 수 있다. 즉, A 영역은 도전성 필름에 적절한 강성을 부여하고, 기재 필름과 굴절률 차이를 감소시키기 위해 형성되는 하드 코팅층의 역할을 수행할 수 있다.The A region may further include, for example, inorganic particles. That is, the A region can serve as a hard coating layer which is formed to impart appropriate rigidity to the conductive film and to reduce the refractive index difference with the base film.

하나의 예시에서, A 영역 내 무기 입자의 비율은 60 중량% 이상일 수 있다. 상기와 같은 중량 범위 내에서 제 1 수지층의 A 영역은 목적하는 굴절률 및 강성을 확보하여 궁극적으로 패턴 시인성이 개선된 도전성 필름을 제공할 수 있다. 상기 무기 입자의 함량은, 예를 들면 열 중량 분석기(TGA)를 이용하여 산출된 값일 수 있다. In one example, the ratio of the inorganic particles in the A region may be at least 60% by weight. The A region of the first resin layer within the above-mentioned weight range can provide a conductive film having desired refractive index and rigidity and ultimately improved pattern visibility. The content of the inorganic particles may be, for example, a value calculated using a thermogravimetric analyzer (TGA).

다른 예시에서, 무기 입자는 70 중량% 이상, 80 중량% 이상 또는 85 중량% 이상의 범위로 제 1 수지층의 A 영역에 포함될 수 있다. 상기 무기 입자 함량 범위의 상한값은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 99 중량% 이하, 95 중량% 이하 또는 90 중량% 이하 일 수 있다. In another example, the inorganic particles may be contained in the A region of the first resin layer in a range of 70 wt% or more, 80 wt% or more, or 85 wt% or more. The upper limit value of the inorganic particle content range is not particularly limited, but may be, for example, 99 wt% or less, 95 wt% or less, or 90 wt% or less.

제 1 수지층의 A 영역은 상기와 같은 범위 내에서 무기 입자를 포함함으로써, 기재 필름과 유사한 굴절률을 나타낼 수 있다.The A region of the first resin layer can exhibit a refractive index similar to that of the base film by including the inorganic particles in the same range as described above.

하나의 예시에서, 제 1 수지층 내 A 영역의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값은 0.3 이하일 수 있다. 상기와 같은 굴절률 차이 내에서 도전성 필름의 목적하는 광학적 특성을 달성할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 제 1 수지층 내 A 영역의 굴절률(550 nm 파장 기준)과 기재 필름의 굴절률(550 nm 파장 기준)의 차이의 절대값은 0.2 이하 또는 0.1 이하일 수 있다. In one example, the absolute value of the difference between the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the A region in the first resin layer and the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the base film may be 0.3 or less. The desired optical properties of the conductive film can be achieved within the refractive index difference as described above. In another example, the absolute value of the difference between the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the A region in the first resin layer and the refractive index (based on a wavelength of 550 nm) of the base film may be 0.2 or less or 0.1 or less.

구체적으로, 제 1 수지층의 A 영역은 550nm 파장에서 측정한 굴절률이 1.5 내지 1.8의 범위 내에 있을 수 있다. 다른 예시에서, 제 1 수지층의 A 영역은 550nm 파장에서 측정한 굴절률이 1.5 내지 1.7 또는 1.6 내지 1.7의 범위 내에 있을 수 있다.Specifically, the A region of the first resin layer may have a refractive index in a range of 1.5 to 1.8 as measured at a wavelength of 550 nm. In another example, the A region of the first resin layer may have a refractive index, measured at a wavelength of 550 nm, in the range of 1.5 to 1.7 or 1.6 to 1.7.

제 1 수지층의 A 영역의 두께는, 예를 들면 0.3 ㎛ 내지 1.3 ㎛의 범위 내에 있을 수 있다. 상기 제 1 수지층의 A 영역의 두께는 도전성 필름의 열 팽창 계수를 조절할 수 있는 인자로써, 두께가 지나치게 얇을 경우, 열 팽창 계수가 낮아져 패턴 눌림 현상이 발생할 수 있고, 두께가 지나치게 두꺼울 경우 필름의 박형화에 부합하지 못하며, 후속되는 열 처리 공정에 따라 크랙(crack) 등이 발생할 우려가 있으므로, 상기 수치 범위 내에서 적절한 두께가 설정되어야 한다. The thickness of the A region of the first resin layer may be, for example, in the range of 0.3 mu m to 1.3 mu m. The thickness of the A region of the first resin layer can control the coefficient of thermal expansion of the conductive film. If the thickness of the first resin layer is too small, the coefficient of thermal expansion may be low to cause pattern pressing. If the thickness is excessively thick, It is not compatible with thinning, and cracks may occur due to a subsequent heat treatment process, so that an appropriate thickness should be set within the above numerical range.

제 1 수지층은 B 영역을 포함할 수 있다. 상기 B 영역은 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하고, 실질적으로 제 1 중합성 화합물을 포함하지 않을 수 있다. The first resin layer may include a B region. The B region includes a polymerization unit of the second polymerizable compound and may not substantially contain the first polymerizable compound.

상기 제 1 수지층의 B 영역은, 도전성 필름의 도전층 및 기재 필름 사이에 위치하여, 소정의 굴절률을 가지는 것으로서, 도전성 필름의 반사율을 감소시키는 역할을 수행할 수 있다. The B region of the first resin layer is located between the conductive layer of the conductive film and the base film, and has a predetermined refractive index, and may reduce the reflectance of the conductive film.

제 1 수지층의 B 영역은, 예를 들면 550nm 파장에 대한 굴절률이 1.4 내지 1.7 범위 내에 있을 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 도전층 및 제 1 수지층 내 A 영역의 굴절률에 따라 상기 범위는 달라질 수 있다.The B region of the first resin layer may have a refractive index of, for example, within a range of 1.4 to 1.7 with respect to a wavelength of 550 nm, but the present invention is not limited thereto. The range may vary depending on the refractive index of the A region in the conductive layer and the first resin layer .

제 1 수지층의 B 영역은 또한, 산화 방지제를 포함할 수 있다. 즉, B 영역은 상기 제 1 수지층의 B 영역 상에 형성되는 도전층의 결정화를 용이하게 할 수 있으며, 궁극적으로 도전층의 저항값을 낮출 수 있다. The B region of the first resin layer may also contain an antioxidant. That is, the B region can facilitate the crystallization of the conductive layer formed on the B region of the first resin layer, and ultimately the resistance value of the conductive layer can be lowered.

상기 산화 방지제는, 제 1 수지층의 B 영역에 포함될 수 있도록 적절한 표면 처리를 수행할 수 있다. 하나의 예시에서, 산화 방지제는 제 1수지층의 B 영역을 형성하는 화합물, 구체적으로 제 2 중합성 화합물에 의해 표면 처리가 수행될 수 있다. 상기와 같이 제 1 수지층의 B 영역에 포함될 수 있도록 적절한 물성을 부여 받은 산화 방지제는, 제 1 수지층의 A 영역에는 실질적으로 포함되지 않을 수 있다. The antioxidant may be subjected to appropriate surface treatment so as to be included in the B region of the first resin layer. In one example, the antioxidant may be surface-treated with a compound that forms the B region of the first resin layer, specifically, the second polymerizable compound. As described above, the antioxidant imparted with appropriate physical properties to be contained in the region B of the first resin layer may not be substantially contained in the region A of the first resin layer.

본 출원의 도전성 필름은 제 2 수지층을 포함한다. The conductive film of the present application comprises a second resin layer.

본 출원의 제 2 수지층은, 예를 들면 제 1 수지층과 소정의 두께 범위 차이 및 열 팽창 계수 차이를 가지는 것으로써, 도전성 필름에 전체적인 강성을 부여하고, 소정의 열 처리 공정에 따라 어느 일 방향으로 도전성 필름이 만곡되는 것을 방지하는 역할을 수행하는 것일 수 있다. The second resin layer of the present application has a difference in a predetermined thickness range and a difference in thermal expansion coefficient from, for example, the first resin layer, thereby imparting overall rigidity to the conductive film, To prevent the conductive film from curving in the direction of the surface of the conductive film.

하나의 예시에서, 제 1 수지층 내 A 영역의 두께(T1) 및 제 2 수지층의 두께(T2)의 비율(T1/T2)은 0.75 내지 1.30의 범위 내에 있을 수 있다. 이와 같은 두께 비율 범위 내에서 도전성 필름의 패턴부 눌림 현상을 개선할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 비율(T1/T2)는 0.85 내지 1.20 또는 0.90 내지 1.10의 범위 내에 있을 수 있으며, 바람직하게는 상기 비율(T1/T2)가 0.90 내지 1.10의 범위 내에 있을 때 도전성 필름의 낮은 열 팽창 계수로 인하여 패턴의 눌림 현상을 최소화할 수 있다. In one example, the ratio (T1 / T2) of the thickness (T1) of the A region and the thickness (T2) of the second resin layer in the first resin layer may be in the range of 0.75 to 1.30. It is possible to improve the pressing phenomenon of the pattern portion of the conductive film within such a thickness ratio range. In another example, the ratio T1 / T2 may be in the range of 0.85 to 1.20 or 0.90 to 1.10, and preferably the low heat of the conductive film when the ratio T1 / T2 is in the range of 0.90 to 1.10 The pressing force of the pattern can be minimized due to the expansion coefficient.

제 2 수지층의 두께는, 상기 두께 비율(T1/T2)을 만족할 수 있을 정도의 범위로 적절히 설정될 수 있으며, 예를 들면 0.8㎛ 내지 1.7㎛ 또는 0.9㎛ 내지 1.7㎛의 범위 내에 있을 수 있다. The thickness of the second resin layer may be appropriately set in a range that satisfies the thickness ratio (T1 / T2), and may be in the range of, for example, 0.8 mu m to 1.7 mu m or 0.9 mu m to 1.7 mu m .

제 2 수지층은, 예를 들면 라디칼 중합성 화합물의 중합에 의해 형성된 코팅층일 수 있다. 제 2 수지층은 라디칼 중합성 화합물은 제 1 수지층의 A 영역을 형성할 수 있는 화합물, 예를 들면 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 중합 단위를 포함할 수 있다. The second resin layer may be, for example, a coating layer formed by polymerization of a radically polymerizable compound. The second resin layer may contain a compound capable of forming the A region of the first resin layer, for example, a polymerization unit of a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound.

상기와 같은, 제 1 수지층 및 제 2 수지층은 적절한 강성을 가지고 있어, 도전성 필름의 열 팽창 계수를 낮추는 역할을 수행할 수 있다.As described above, the first resin layer and the second resin layer have appropriate rigidity and can play a role of lowering the thermal expansion coefficient of the conductive film.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 15ppm/℃ 이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 다른 예시에서, 도전성 필름은 14ppm/℃ 이하, 13ppm/℃ 이하, 12ppm/℃ 이하 또는 11ppm/℃ 이하일 열 팽창 계수를 가질 수 있다. 도전성 필름의 열 팽창 계수가 낮을수록 열 처리 공정에 따른 변형이 감소된다는 것을 의미하므로 그 하한값은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 1ppm/℃ 이상, 2ppm/℃ 이상, 3ppm/℃ 이상, 4ppm/℃ 이상 또는 5ppm/℃ 이상 일 수 있다. 상기 열 팽창 계수는 예를 들면, TMA(thermo mechanical analyzer)를 이용하여 25℃에서 150℃의 온도구간에서 10℃/min의 속도로 냉각 및 승온하면서 측정한 평균 열 팽창률을 선 열팽창 계수로 산출한 값일 수 있다.In one example, the conductive film of the present application may have a thermal expansion coefficient of 15 ppm / DEG C or less. In another example, the conductive film may have a thermal expansion coefficient of 14 ppm / ° C or less, 13 ppm / ° C or less, 12 ppm / ° C or less, or 11 ppm / ° C or less. The lower limit of the lower limit is not particularly limited. For example, the lower limit is 1 ppm / ° C or higher, 2 ppm / ° C or higher, 3 ppm / Or 5 ppm / [deg.] C or higher. The coefficient of thermal expansion can be calculated, for example, by using a thermo mechanical analyzer (TMA) at a rate of 10 占 폚 / min at a temperature range of 25 占 폚 to 150 占 폚, and calculating an average thermal expansion coefficient as a coefficient of linear thermal expansion Lt; / RTI >

본 출원의 도전성 필름은 상기와 같이 기재 필름의 양면에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성함으로써, 열 팽창 계수를 15ppm/℃ 이하로 유지하여, 도전성 필름의 열 처리 공정시 발생할 수 있는 굽힘 현상에 기인하는 시인성 문제를 극복할 수 있다.The conductive film of the present application is formed by forming the first resin layer and the second resin layer on both surfaces of the base film as described above to maintain the thermal expansion coefficient at 15 ppm / The visibility problem caused by the phenomenon can be overcome.

본 출원의 도전성 필름은 제 1 수지층 상에 도전층을 추가로 포함할 수 있다. 도전층이 제 1 수지층 상에 포함된다는 것은, 제 1 수지층과 직접 접하고 있는 경우뿐 아니라, 제 1 수지층에 임의의 층이 더 존재하고 있는 상태에서 포함하고 있는 경우도 의미하는 것으로 이해될 수 있다. The conductive film of the present application may further include a conductive layer on the first resin layer. The fact that the conductive layer is included in the first resin layer means not only the case where the conductive layer is in direct contact with the first resin layer but also the case where the conductive layer is included in a state in which an arbitrary layer is further present in the first resin layer .

상기 도전층은, 예를 들면 에칭 공정을 통해 패턴부와 비 패턴부를 포함하는 구조 일 수 있다. The conductive layer may be a structure including a pattern portion and a non-pattern portion through, for example, an etching process.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 도 1 에 도시된 바와 같이 패턴부(101)와 비 패턴부(102)를 포함하는 도전층(100), A 영역(201) 및 B 영역 (202)를 포함하는 제 1 수지층(200), 기재 필름(300) 및 제 2 하드 코팅층(400)을 포함하는 구조 일 수 있다. In one example, the conductive film of the present application includes a conductive layer 100, an A region 201 and a B region 202 including a pattern portion 101 and a non-pattern portion 102, A base film 300, and a second hard coat layer 400. The first hard coat layer 400 includes a first hard coat layer 400,

도전층의 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리, 산화티탄, 산화카드뮴, 요오드화 구리, 주석을 함유하는 산화 인듐 (ITO: Indium Tin Oxide), 안티몬을 함유하는 산화 주석, 불소를 함유하는 산화주석(FTO: Florinated Tin Oxide) 및 산화아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 금속의 금속 산화물; 탄소나노튜브; 은이나 구리 등의 물질로 형성된 금속 나노와이어; 또는, 폴리(스티렌술포네이트)(Poly(styrenesulfonate))를 포함하는 폴리티오펜(Polythiophene)계 고분자 또는 폴리아닐린(Polyanilin)계 고분자 등과 같은 도전성 고분자 등 일 수 있다. The material of the conductive layer is not particularly limited and may be, for example, indium tin oxide (ITO) containing gold, silver, platinum, palladium, copper, titanium oxide, cadmium oxide, copper iodide, tin, A metal oxide of at least one metal selected from the group consisting of tin oxide, fluorinated tin oxide (FTO) and zinc oxide; Carbon nanotubes; Metal nanowires formed of a material such as silver or copper; Or a conductive polymer such as a polythiophene-based polymer or a polyaniline-based polymer including poly (styrenesulfonate) (poly (styrenesulfonate)).

도전층은, 예를 들면 550nm 파장에 대한 굴절률이 1.9 내지 2.1 범위 내에 있을 수 있다. The conductive layer may have a refractive index, for example, at a wavelength of 550 nm of 1.9 to 2.1.

또한, 도전층은 두께가 0.01 내지 0.022㎛의 범위로 형성될 수 있다. 도전층의 두께가 0.01㎛ 미만이 되면 도전성이 저하되고 0.022㎛를 초과하면 투명성이 저하될 수 있으므로, 상기 범위가 바람직하다.The conductive layer may be formed to have a thickness in the range of 0.01 to 0.022 mu m. When the thickness of the conductive layer is less than 0.01 mu m, the conductivity is deteriorated. When the thickness exceeds 0.022 mu m, the transparency may be lowered.

하나의 예시에서, 본 출원의 도전성 필름은 도전층을 향해 오목한 곡면 구조를 형성할 수 있다. 또한, 상기 곡면 구조의 곡률 반경은 1 mm 내지 1,000 mm의 범위 내에 있을 수 있다. In one example, the conductive film of the present application can form a curved surface structure concave toward the conductive layer. In addition, the curvature radius of the curved surface structure may be in the range of 1 mm to 1,000 mm.

본 출원은 또한, 도전성 필름의 제조 방법에 대한 것이다. The present application also relates to a method for producing a conductive film.

즉, 본 출원은 기재 필름 상에 기재 필름 상에 제 1 중합성 화합물; 상기 제 1 중합성 화합물보다 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함하는 조성물을 코팅한 후, 경화하여 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법에 관한 것이다.That is, the present application relates to a process for producing a film comprising a first polymerizable compound on a substrate film, Coating a composition comprising a second polymerizable compound having a surface energy lower than that of the first polymerizable compound and an antioxidant, and curing the first polymerizable compound to form a first resin layer.

본 출원은, 기재 필름 상에 상 분리 구조가 구현 가능한 조성물을 코팅한 후, 경화하여 물성이 상이한 두 영역, 예를 들면 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성함으로써, 공정수가 저감되고 경제적인 도전성 필름의 제조방법을 제공할 수 있다.In the present application, a composition capable of achieving a phase separation structure is coated on a base film and then cured to form a first resin layer including two regions having different physical properties, for example, regions A and B, Thereby providing an economical method for producing a conductive film.

또한, 본 출원은 산화 방지제를 상기 상 분리 구조가 구현되어 형성된 층 중 어느 한 층, 예를 들면 제 1 수지층의 B 영역에 포함시킴으로써, 열 처리 공정에 따른 도전층의 결정화 시 도전층의 결정화 속도를 저하할 수 있는 요인을 제거할 수 있고, 궁극적으로 도전층의 저항값을 낮출 수 있다. In addition, the present application discloses that by incorporating an antioxidant in any one of the layers formed by embodying the phase-separated structure, for example, in the region B of the first resin layer, crystallization of the conductive layer It is possible to eliminate a factor that lowers the speed, and ultimately the resistance value of the conductive layer can be lowered.

하나의 예시에서, 본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름 상에 물성이 상이한 중합성 화합물, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물의 조성물을 코팅한 후, 경화하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 조성물을 코팅하는 경우, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물은 물성의 차이 예를 들면, 표면에너지 또는 용해도 파라미터 등의 물성 차이에 기인하여, 상 분리 되어 각자의 영역을 형성할 수 있고, 산화 방지제는 제 1 중합성 화합물이 주로 포함되어 있는 영역 또는 제 2 중합성 화합물이 주로 포함되어 있는 영역 중 어느 한 영역, 예를 들면 제 2 중합성 화합물이 주로 포함되어 있는 영역에 포함될 수 있다. 제 1 중합성 화합물, 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제의 구체적인 종류 및 물성은 전술한 도전성 필름용 조성물에서 언급한 바와 같다. In one example, the method for producing a conductive film according to the present application includes a step of coating a composition of a polymerizable compound having different physical properties on a base film, for example, a composition of a first polymerizable compound and a second polymerizable compound, . ≪ / RTI > When the composition is coated, the first polymerizable compound and the second polymerizable compound can be phase-separated to form their respective regions due to differences in physical properties, for example, differences in physical properties such as surface energy or solubility parameter , The antioxidant may be contained in any one of a region mainly containing the first polymerizable compound or a region mainly containing the second polymerizable compound, for example, a region mainly containing the second polymerizable compound . The specific types and physical properties of the first polymerizable compound, the second polymerizable compound and the antioxidant are the same as those mentioned above in the composition for a conductive film.

기재 필름 상에 상기 조성물을 코팅하는 방법은, 특별히 제한되지 않으며 예를 들면, 그라비아 코팅, 마이크로그라비아 코팅, 슬롯 다이 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 바 코팅 또는 딥 코팅 등의 방법을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The method of coating the composition on the base film is not particularly limited and a method such as gravure coating, microgravure coating, slot die coating, spin coating, spray coating, roll coating, bar coating or dip coating may be used But is not limited thereto.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름 상에 상기 조성물을 코팅하기 전, 기재 필름에 소정의 전처리를 실시할 수 있다. 기재 필름 상에 전처리, 예를 들면 표면 개질을 위한 전처리를 수행하는 경우, 기재 필름의 극성을 향상 시킬 수 있어, 제 1 중합성 화합물 및 제 2 중합성 화합물을 포함하는 조성물에 따른 상 분리 현상이 보다 뚜렷하게 일어날 수 있다. In the method for producing a conductive film according to the present application, the base film may be subjected to a predetermined pretreatment before the composition is coated on the base film. When the preprocessing for the surface modification, for example, the surface modification, is carried out on the base film, the polarity of the base film can be improved, and the phase separation phenomenon depending on the composition comprising the first polymerizable compound and the second polymerizable compound Can be more pronounced.

하나의 예시에서, 본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 기재 필름에 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행하여 기재 필름 표면을 개질하는 단계를 더 포함할 수 있다. In one example, the method for producing a conductive film according to the present application is a method for producing a conductive film according to any one of (1) to (4), wherein the base film is formed by a chemical treatment, a corona discharge treatment, a mechanical treatment, an ultraviolet (UV) treatment, an active plasma treatment, And then performing a treatment to modify the surface of the base film.

기재 필름 상에 코팅되는 상기 조성물에는, 전술한 제 1 중합성 화합물, 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제 이외에, 무기 입자 및 개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 무기 입자 및 개시제의 종류 및 함량은 도전성 필름용 조성물에서 언급한 바와 동일하다.The composition coated on the base film may further contain inorganic particles and an initiator, in addition to the first polymerizable compound, the second polymerizable compound and the antioxidant described above. The kind and content of the inorganic particles and the initiator are the same as those mentioned in the composition for a conductive film.

또한, 기재 필름 상에 코팅되는 조성물에는 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 조성물에 포함되는 용매는, 예를 들면 물, 유기용매 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. In addition, the composition coated on the base film may further comprise a solvent. The solvent contained in the composition may be, for example, water, an organic solvent, or a mixture thereof.

유기용매는, 예를 들면 알콜류 용매, 할로겐 함유 탄화수소류 용매, 케톤류 용매, 셀로솔브류 용매 또는 아미이드류 용매 등을 사용할 수 있다. The organic solvent may be, for example, an alcohol solvent, a halogen-containing hydrocarbon solvent, a ketone solvent, a cellosolve solvent or an amide solvent.

보다 구체적으로 상기 알콜류 용매는 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알콜, n-부탄올 또는 디아세톤알코올 등이고, 할로겐 함유 탄화수소류 용매는 클로로포름, 디클로로메탄 또는 에틸렌디클로라이드 등이고, 케톤류 용매는 아세트알데하이드, 아세톤, 메틸에틸케톤 또는 메틸이소부틸케톤 등이고, 셀로솔브류 용매는 메틸 셀로솔브 또는 이소프로필 셀로솔브 등이고, 아미이드류 용매는 디메틸포름아미드, 포름아마이드 또는 아세트아마이드 등일 수 있다.More specifically, the alcohol solvent is methanol, ethanol, isopropyl alcohol, n-butanol or diacetone alcohol, and the halogen-containing hydrocarbon solvent is chloroform, dichloromethane or ethylene dichloride. The ketone solvent is acetaldehyde, acetone, Ketone or methyl isobutyl ketone, and the cellosolve solvent may be methyl cellosolve or isopropyl cellosolve, and the amide solvent may be dimethyl formamide, formamide or acetamide.

상기 제 1 중합성 화합물, 제 2 중합성 화합물 및 산화 방지제를 포함하는 조성물을 기재 필름 상에 코팅하는 경우, 각 화합물의 물성, 예를 들면 표면 에너지 차이에 의해 두께 방향으로 상 분리된 층이 형성되고, 경화하는 단계를 거치는 경우 기재 필름 상에 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층이 형성되고, 상기 산화 방지제는 예를 들면, B 영역에 포함될 수 있다. When the composition comprising the first polymerizable compound, the second polymerizable compound and the antioxidant is coated on the base film, the layer separated in the thickness direction is formed due to the physical properties of each compound, for example, A first resin layer including an A region and a B region is formed on a base film, and the antioxidant may be included in, for example, a B region.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 또한, 제 1 수지층이 형성되어 있는 기재 필름 면의 반대 면에 제 2 수지층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing a conductive film according to the present application may further include the step of forming a second resin layer on a surface opposite to a surface of the base film on which the first resin layer is formed.

제 2 수지층은 제 1 수지층과 소정의 두께 범위 및 열 팽창 계수 차이를 가지는 것으로써, 열 처리시 발생할 수 있는 도전성 필름의 굽힘 현상에 따른 시인성 저하를 개선하기 위한 구성일 수 있다. 따라서, 제 2 수지층을 형성하기 위한 재료는 제 1 수지층을 형성하는 재료, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 및 무기 입자와 기타 첨가제를 포함할 수 있다. 제 2 수지층을 형성하는 방법은, 예를 들면 제 1 중합성 화합물 등을 포함하는 조성물을 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 기재 필름 면에 코팅 및 경화하는 단계를 포함할 수 있다. The second resin layer has a predetermined thickness range and a difference in thermal expansion coefficient from the first resin layer and may be configured to improve the visibility deterioration due to the bending phenomenon of the conductive film which may occur during the heat treatment. Therefore, the material for forming the second resin layer may include a material forming the first resin layer, for example, a first polymerizable compound and inorganic particles and other additives. The method of forming the second resin layer may include, for example, coating and curing a composition containing the first polymerizable compound or the like on the surface of a substrate film on which the first resin layer is not formed.

기재 필름의 양면에 형성되어 있는 제 1 수지층 및 제 2 수지층의 물성은 전술한 도전성 필름에서 언급한 바와 같다. The physical properties of the first resin layer and the second resin layer formed on both surfaces of the base film are the same as those mentioned above for the conductive film.

상기와 같이 기재 필름 상에 제 1 수지층 및 제 2 수지층을 형성하는 경우, 도전성 필름은 열 팽창 계수가 15ppm/℃ 이하의 열 팽창 계수를 가질 수 있고, 이를 통해, 소정의 열 처리 공정시 발생할 수 있는 도전성 필름의 굽힘 현상을 최소화하여, 궁극적으로 시인성 문제를 해결할 수 있다. When the first resin layer and the second resin layer are formed on the base film as described above, the conductive film may have a thermal expansion coefficient of 15 ppm / ° C or lower, The bending phenomenon of the conductive film that can be generated is minimized, and ultimately, the visibility problem can be solved.

본 출원에 따른 도전성 필름의 제조방법은 또한, 제 1 수지층 상에 도전층을 형성한 후, 열 처리 하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method for manufacturing a conductive film according to the present application may further include a step of forming a conductive layer on the first resin layer and then subjecting the conductive layer to heat treatment.

도전층을 형성하는 방법은, 예를 들면 전술한 도전층의 형성 재료를 스퍼터링 등의 방식으로 증착 하는 공정을 포함하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 도전층을 형성하는 방법은 이 기술분야에서 공지이며, 본 출원에서는 이를 제한 없이 이용할 수 있다. The method for forming the conductive layer may include, for example, a step of depositing the above-described conductive layer forming material by a method such as sputtering, but is not limited thereto. Methods for forming a conductive layer are known in the art and can be used without limitation in the present application.

상기 도전층이 형성된 도전성 필름을 열 처리 하는 단계는 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 도전층의 재료를 결정화시키기 위한 것이거나 또는 도전층을 패터닝 한 후 추가적인 열 처리를 수행하여 필름의 내구성 등을 향상시키기 위한 것일 수 있다.The step of heat-treating the conductive film on which the conductive layer is formed is not particularly limited. For example, the conductive layer may be crystallized, or the conductive layer may be patterned and then subjected to additional heat treatment to improve the durability of the film. . ≪ / RTI >

하나의 예시에서, 상기 열 처리 공정은 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10분 내지 100분의 시간 동안 수행될 수 있다. In one example, the heat treatment process may be performed at a temperature of 100 占 폚 to 200 占 폚 for a time of 10 minutes to 100 minutes.

상기와 같이 열 처리 공정을 거치는 경우, 본 출원의 도전성 필름은 도전층 방향으로 오목한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 도전성 필름은 곡률 반경이 1mm 내지 1,000 mm의 범위 내에서 도전층 방향으로 오목한 구조를 가질 수 있다. 이러한 구조에서, 도전성 필름의 시인성이 개선될 수 있다.When the heat treatment process is performed as described above, the conductive film of the present application may have a concave structure in the direction of the conductive layer. For example, the conductive film may have a concave structure in the direction of the conductive layer within a range of a radius of curvature of 1 mm to 1,000 mm. In such a structure, the visibility of the conductive film can be improved.

본 출원은 또한, 도전성 필름을 포함하는 터치 패널에 관한 것이다. 본 출원의 도전성 필름은 터치 패널, 특히 저항막 방식의 터치 패널의 상부 기판 및/또는 하부 기판으로 유용할 수 있다. 저항막 방식의 터치 패널은 한 쌍의 도전성 필름이 스페이서를 개재하여 배향 배치되어 있으며, 손가락이나 펜 등으로 상부 패널을 가압하면, 상기 도전성 필름이 굴곡되면서, 상부 기판과 하부 기판의 도전층이 접촉되어 통전함으로써, 위치를 검지하는 구조일 수 있다. The present application also relates to a touch panel including a conductive film. The conductive film of the present application may be useful as an upper substrate and / or a lower substrate of a touch panel, particularly a resistive touch panel. When the upper panel is pressed with a finger or a pen, the conductive film of the resistive film type is bent and the conductive layer of the upper substrate and the lower substrate are brought into contact with each other So that it can be a structure for detecting the position.

본 출원에 따른 도전성 필름은 시인성이 개선되며, 적은 공정수를 포함하여 제조되기 때문에, 투명성이 우수하고, 경제적인 비용으로 제조될 수 있는 터치 패널을 구현할 수 있다. Since the conductive film according to the present application is improved in visibility and includes a small number of process water, a touch panel having excellent transparency and being manufactured at an economical cost can be realized.

상기와 같은 터치 패널은, 예를 들면 LCD, PDP, LED, OLED 또는 E-페이퍼 등과 같은 디스 플레이 장치에 장착되어 이용될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The touch panel may be mounted on a display device such as an LCD, a PDP, an LED, an OLED or an E-paper, but the present invention is not limited thereto.

이하, 본 출원에 따른 도전성 필름을 실시예 및 비교예를 들어 보다 구체적으로 설명하나, 하기 실시예 및 비교예는 본 출원에 따른 일례에 불과할 뿐 본 출원의 기술적 사상을 제한하는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 사람에게 자명하다.Hereinafter, the conductive film according to the present application will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the following Examples and Comparative Examples are merely examples according to the present application and do not limit the technical idea of the present application. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

1. 표면 에너지의 측정1. Measurement of surface energy

Owens-Wendt-Rabel-Kaelble 방법에 의거하여, 물방울모양분석기(Drop Shape Analyzer, KRUSS사의 DSA100제품)를 사용하여 표면 에너지를 측정하였다. 구체적으로, 실시예 및 비교예에 따른 제 1 중합성 화합물 또는 제 2 광중합성 화합물의 단독 중합체를 메틸 에틸 케톤(methyl ethyl ketone) 용매에 15중량%로 녹인 후, LCD 유리(glass)에 바코팅(bar coating)하였다. 그리고, 상기 코팅된 LCD 유리를 100℃의 오븐에서 1분간 건조 후, UV 경화시켰다. 경화 후, 상기 코팅 면에 다이오도메탄 및 탈이온화수를 각각 10번씩 떨어뜨려서 접촉각의 평균값을 구하고, Owens-Wendt-Rabel-Kaelble 방법에 수치를 대입하여 표면에너지를 구하였다. Based on the Owens-Wendt-Rabel-Kaelble method, the surface energy was measured using a Drop Shape Analyzer (DSA100 from KRUSS). Specifically, a homopolymer of the first polymerizable compound or the second photopolymerizable compound according to Examples and Comparative Examples was dissolved in methyl ethyl ketone solvent in an amount of 15% by weight, (bar coating). Then, the coated LCD glass was dried in an oven at 100 DEG C for 1 minute, and UV cured. After curing, the average value of the contact angle was determined by dropping the diiodomethane and the deionized water to the coated surface 10 times, respectively, and the surface energy was obtained by substituting the numerical values into the Owens-Wendt-Rabel-Kaelble method.

2. 곡률 반경 측정 실험2. Curvature radius measurement experiment

소정의 열처리가 수행된 도전성필름을 10cm x10cm 로 잘라 평면에 위치시켰을 때, 각 모서리 또는 일 변이 평면에서 이격되는 거리의 최대값(H1)과, 필름의 현의 길이(S1)를 측정하여 하기 식 2에 의해 곡률 반경(R) 값 구하였다.When the conductive film subjected to the predetermined heat treatment was cut into a plane of 10 cm x 10 cm, the maximum value (H 1 ) of the distance at which each edge or one side is spaced from the plane and the length (S 1 ) And the radius of curvature (R) was obtained by the following formula (2).

[식 2][Formula 2]

R = H1 + R x cos (S1/2R)R = H 1 + R x cos (S 1 / 2R)

3. 도전성 필름의 열 팽창 계수의 측정3. Measurement of thermal expansion coefficient of conductive film

도전성 필름을 TMA(thermo mechanical analyzer)를 이용하여 25℃ 내지 150℃의 온도구간에서 10℃/min의 속도로 냉각 및 승온 하면서 측정한 평균 열 팽창률을 선 열팽창 계수로 산출하였다.The average thermal expansion coefficient measured by cooling and heating the conductive film at a rate of 10 占 폚 / min in a temperature range of 25 占 폚 to 150 占 폚 using a TMA (thermo mechanical analyzer) was calculated as a coefficient of linear thermal expansion.

4. 4. 도전층의The 저항값 측정 Resistance measurement

ITO를 이용하여 제 1 수지층 상에 도전층을 형성하고, 결정화를 위한 열 처리 공정 전 도전층의 저항값 및 도전층의 결정화를 위하여 130℃의 온도조건에서 1시간 동안 열 처리 한 후 저항값(Ω/□)을 4-프로브(Probe) 측정법(Loresta EP MCP-T360)으로 측정한다. A conductive layer is formed on the first resin layer using ITO, and after heat treatment for one hour at a temperature condition of 130 캜 for crystallization of the conductive layer and the resistance value of the conductive layer before the heat treatment process for crystallization, (Ω / □) is measured by a 4-probe measurement method (Loresta EP MCP-T360).

[[ 실시예Example 1] One]

제 11st 수지층 형성용 조성물(A1) The composition (A1) for forming a resin layer

표면 에너지가 약 47.6mN/m인 펜타에리쓰리톨 테트라아크릴레이트 (pentaerythritol tetraacrylate,PETA)(제 1 중합성 화합물), 표면에너지가 약 42.8mN/m인 아크릴레이트 실록산(KR513)(제 2 중합성 화합물), 라디칼 개시제(Irgacure 184), 무기 입자(ZrO2) 및 산화 방지제(송원 DHOP)를 각각 40:5:3:60:0.5의 중량비율로 혼합하고, 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(Propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)를 첨가하여 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 제조 하였다.Pentaerythritol tetraacrylate (PETA) (first polymerizable compound) having a surface energy of about 47.6 mN / m, acrylate siloxane (KR513) having a surface energy of about 42.8 mN / m (Irgacure 184), inorganic particles (ZrO 2 ) and antioxidant (Songwon DHOP) were mixed in a weight ratio of 40: 5: 3: 60: 0.5, and propylene glycol monomethyl ether acetate Propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA) was added to prepare a composition (A1) for forming the first resin layer.

제 2Second 수지층 형성용 조성물(A2)의 제조 Preparation of Composition (A2) for Resin Layer Formation

디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA) 및 개시제(Irgacure 184)를 각각 100:3의 중량 비율로 혼합하고, 용매로서, 메틸 이소부틸 케톤(MIBK)을 첨가하여 제 2 수지층 형성용 조성물(A2)을 제조하였다.Dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) and initiator (Irgacure 184) were mixed in a weight ratio of 100: 3, and methyl isobutyl ketone (MIBK) was added as a solvent to form a second resin layer (A2) was prepared.

도전성 필름의 제조Preparation of conductive film

양면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 PET 기재 필름(UH-13 PET, 굴절률 약 1.65)의 일면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 코팅하고, 자외선을 조사하여 수직 상분리된 A 영역(두께 약 0.5㎛, 굴절률 약 1.65, 무기 입자의 함량 약 65%) 및 B 영역(두께 약 30nm, 굴절률 약 1.46 내지 1.54)을 포함하는 제 1 수지층을 형성하고, 상기 PET 기재 필름(UH-13 PET)의 제 1 수지층이 형성되어 있지 않은 면에 제 2 수지층 형성용 조성물(A2)를 코팅하고, 자외선을 조사하여 두께 약 1.3㎛의 제 2 수지층을 형성하였다. 또한, 상기 제 1 수지층 상에 ITO를 진공 스퍼터링 방식으로 증착 한 후, 상기 ITO 도전층을 패터닝 하여 순차적으로 제 2 수지층/기재 필름/제 1수지층(A영역/B영역)/도전층을 포함하는 도전성 필름을 제조하였다. 실시예 1의 도전성 필름에 대한 물성 평과 결과는 하기 표 1과 같다.The first resin layer-forming composition A1 was coated on one side of a PET base film (UH-13 PET, refractive index: about 1.65) having a thickness of 50 탆 on both sides and subjected to a mold releasing treatment and irradiated with ultraviolet rays to form a vertically phase- (UH-13 PET) having a refractive index of about 1.65 and an inorganic particle content of about 65%) and a B region (thickness of about 30 nm, refractive index of about 1.46 to 1.54) ) Was coated on the surface on which the first resin layer was not formed and irradiated with ultraviolet rays to form a second resin layer having a thickness of about 1.3 탆. After the ITO conductive layer is patterned by depositing ITO on the first resin layer by a vacuum sputtering method, the second resin layer / the base film / the first resin layer (A region / B region) / the conductive layer To prepare a conductive film. The physical properties and results of the conductive film of Example 1 are shown in Table 1 below.

[[ 실시예Example 2] 2]

제 2 중합성 화합물로서, 표면 에너지가 약 40.0mN/m인 에폭시 실록산(Shinetsu : X-40-2670) 및 양이온 개시제(Irgacure 250)를 포함하고, 제 1 중합성 화합물 : 제 2 중합성 화합물 : 라디칼 개시제 : 양이온 개시제 : 무기 입자:산화 방지제를 40:5:3:0.15:60:0.5의 중량 비율로 포함하는 제 1 수지층 형성용 조성물(A3)를 이용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조 하였다. 제조된 도전성 필름의 각 층 물성은 표 1에 나타난 바와 같다.(Shinetsu: X-40-2670) having a surface energy of about 40.0 mN / m and a cationic initiator (Irgacure 250) as the second polymerizable compound, and the first polymerizable compound: the second polymerizable compound: (A3) for forming a first resin layer containing a radical initiator: a cationic initiator: an inorganic particle: an antioxidant in a weight ratio of 40: 5: 3: 0.15: 60: 0.5 was used. To prepare a conductive film. The physical properties of each layer of the conductive film thus produced are shown in Table 1.

[[ 실시예Example 3] 3]

기재 필름에 플라즈마 표면 처리를 실시하고, 상기 플라즈마 표면 처리된 면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A1)을 코팅하여 수직 상 분리된 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제1 수지층을 형성하고, 그 반대 면에 제 2수지층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 제조된 도전성 필름의 각 층 물성은 표 1에 나타난 바와 같다.A first resin layer (A) and a second resin layer (B) are formed by vertically separating the first resin layer forming composition (A1) on the plasma surface treated surface by performing a plasma surface treatment on the base film, A conductive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the second resin layer was formed on the opposite side. The physical properties of each layer of the conductive film thus produced are shown in Table 1.

[[ 실시예Example 4] 4]

기재 필름에 플라즈마 표면 처리를 실시하고, 상기 플라즈마 표면 처리된 면에 제 1 수지층 형성용 조성물(A3)을 코팅하여 수직 상 분리된 A 영역 및 B 영역을 포함하는 제 1 수지층을 형성하고, 그 반대 면에 제 2수지층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 2과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 제조된 도전성 필름의 각 층 물성은 표 1에 나타난 바와 같다.(A3) is coated on the plasma-treated surface of the base film to form a first resin layer including the vertically-separated regions A and B, A conductive film was produced in the same manner as in Example 2, except that the second resin layer was formed on the opposite surface. The physical properties of each layer of the conductive film thus produced are shown in Table 1.

[[ 비교예Comparative Example 1] One]

제 2 중합성 화합물로서, 표면 에너지가 약 48.4 mN/m인 디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트(dipentaerythritol hexaacrylate, DPHA)를 포함하고, 제 1 중합성 화합물 : 제 2 중합성 화합물 : 라디칼 개시제 : 무기 입자를 각각 40:5:3:60의 중량비율로 혼합하여 제 1 수지층 형성용 조성물(B1)을 제조 하였다. 그 후, 양면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 PET 기재 필름(UH-13 PET, 굴절률 약 1.65)의 어느 일면에 상기 제 1 수지층 형성용 조성물(B1)을 코팅 하여 UV 경화 시키는 경우, 제 2 중합성 화합물을 주로 포함하는 층이 제 1 중합성 화합물을 주로 포함하는 층의 상부에 형성되고, 또한 국지적으로 도-해 구조를 나타내는 혼합층이 형성되어, 목적하는 도전성 필름을 제조하지 못하였다.Wherein the second polymerizable compound comprises dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) having a surface energy of about 48.4 mN / m, wherein the first polymerizable compound: the second polymerizable compound: the radical initiator: Particles were mixed at a weight ratio of 40: 5: 3: 60, respectively, to prepare a composition (B1) for forming a first resin layer. Thereafter, when the first resin layer-forming composition (B1) is coated on one side of a PET base film (UH-13 PET, refractive index of about 1.65) A layer mainly containing a polymerizable compound is formed on a layer mainly containing a first polymerizable compound and a mixed layer showing a locally deodorizing structure is formed so that a desired conductive film can not be produced.

[[ 비교예Comparative Example 2] 2]

산화 방지제를 포함하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 도전성 필름을 제조하였다. 제조된 도전성 필름의 물성은 표 1에 나타난 바와 같다.A conductive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that an antioxidant was not included. The physical properties of the conductive film thus produced are shown in Table 1.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 제 1 수지층The first resin layer A영역A region 표면 에너지(mN/m)Surface energy (mN / m) 47.647.6 47.647.6 47.647.6 47.647.6 -- 47.647.6 무기 입자 함량Inorganic particle content 65%65% 65%65% 65%65% 65%65% -- 65%65% 두께(㎛)Thickness (㎛) 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 -- 0.50.5 B 영역B region 표면 에너지(mN/m)Surface energy (mN / m) 42.842.8 40.040.0 42.842.8 40.040.0 -- 42.842.8 두께(mm)Thickness (mm) 3030 3030 3030 3030 -- 3030 제 2 수지층The second resin layer 두께(㎛)Thickness (㎛) 1.31.3 1.31.3 1.31.3 1.31.3 1.31.3 1.31.3 열처리 공정 전 후 도전층 저항값(Ω/□)Resistance value of conductive layer before and after heat treatment (Ω / □) 열 처리 공정 전Before heat treatment process 435435 440440 438438 442442 -- 550550 130℃, 1시간 동안 열 처리 후After heat treatment at 130 占 폚 for 1 hour 130130 135135 131131 135135 -- 192192

100 : 도전층
101 : 패턴부
102 : 비패턴부
200 : 제 1 수지층
201 : A 영역
202 : B 영역
300 : 기재 필름
400 ; 제 2 수지층
100: conductive layer
101:
102: Non-patterned portion
200: first resin layer
201: area A
202: area B
300: substrate film
400; The second resin layer

Claims (22)

제 1 중합성 화합물;
상기 제 1 중합성 화합물에 비하여 표면 에너지가 작은 제 2 중합성 화합물; 및
산화 방지제를 포함하는 도전성 필름용 조성물.
A first polymerizable compound;
A second polymerizable compound having a lower surface energy than the first polymerizable compound; And
A composition for a conductive film comprising an antioxidant.
제 1항에 있어서,
제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이가 1mN/m 이상인 도전성 필름용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the surface energy difference between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound is at least 1 mN / m.
제 1항에 있어서,
무기 입자를 추가로 포함하는 도전성 필름용 조성물.
The method according to claim 1,
A composition for a conductive film further comprising inorganic particles.
제 1항에 있어서,
제 1 중합성 화합물은 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물인 도전성 필름용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the first polymerizable compound is a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate compound.
제 1항에 있어서,
제 2 중합성 화합물은 라디칼 중합성 화합물 또는 이온 중합성 화합물인 도전성 필름용 조성물.
The method according to claim 1,
And the second polymerizable compound is a radical polymerizable compound or an ionic polymerizable compound.
제 1항에 있어서,
제 1 중합성 화합물 30 내지 95 중량부 및 제 2 중합성 화합물 3 내지 50 중량부를 포함하는 도전성 필름.
The method according to claim 1,
30 to 95 parts by weight of the first polymerizable compound and 3 to 50 parts by weight of the second polymerizable compound.
제 1항에 있어서,
산화 방지제를 0.01 중량부 내지 5 중량부의 범위로 포함하는 도전성 필름용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the antioxidant is contained in an amount of 0.01 to 5 parts by weight.
제 1항에 있어서,
산화 방지제는 힌더드 아민계, 페놀계, 티오에스터계 및 포스파이트계 유기물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 도전성 필름용 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the antioxidant comprises at least one selected from the group consisting of hindered amine-based, phenol-based, thioester-based, and phosphite-based organic materials.
기재 필름;
상기 기재 필름의 일면에 형성되어 있으며, 제 1항의 조성물의 중합물인 제 1 수지층; 및
상기 기재 필름의 상기 제 1 수지층이 형성된 면의 반대 면에 형성되어 있는 제 2 수지층을 포함하는 도전성 필름.
A base film;
A first resin layer formed on one surface of the base film and being a polymer of the composition of claim 1; And
And a second resin layer formed on an opposite surface of the base film on which the first resin layer is formed.
제 9항에 있어서,
제 1 중합성 화합물과 제 2 중합성 화합물의 표면 에너지 차이가 1mN/m 이상인 도전성 필름.
10. The method of claim 9,
Wherein the surface energy difference between the first polymerizable compound and the second polymerizable compound is 1 mN / m or more.
제 9항에 있어서,
제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함하는 도전성 필름.
10. The method of claim 9,
Wherein the first resin layer comprises an A region including a polymerization unit of the first polymerizable compound and a B region including a polymerization unit of the second polymerizable compound formed on the A region.
제 11항에 있어서,
제 1 수지층의 A 영역은 무기 입자를 더 포함하는 도전성 필름.
12. The method of claim 11,
And the A region of the first resin layer further comprises inorganic particles.
제 12항에 있어서,
A 영역 내 무기 입자의 비율은 60 중량% 이상인 도전성 필름.
13. The method of claim 12,
And the ratio of the inorganic particles in the A region is 60% by weight or more.
제 9항에 있어서,
기재 필름은 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행한 것인 도전성 필름.
10. The method of claim 9,
Wherein the base film is one of a chemical treatment, a corona discharge treatment, a mechanical treatment, an ultraviolet (UV) treatment, an active plasma treatment and a glow discharge treatment.
제 9항에 있어서,
제 1 수지층 상에 도전층을 더 포함하고, 상기 도전층 방향으로 오목한 곡면 구조를 형성하는 도전성 필름.
10. The method of claim 9,
A conductive film further comprising a conductive layer on the first resin layer and forming a concave curved surface structure in the direction of the conductive layer.
제 15항에 있어서,
곡면 구조의 곡률 반경이 1 mm 내지 1,000 mm의 범위 내에 있는 도전성 필름.
16. The method of claim 15,
Wherein the curvature radius of the curved surface structure is in the range of 1 mm to 1,000 mm.
기재 필름 상에 제 1항의 조성물을 코팅한 후, 경화하여 제 1 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 도전성 필름의 제조방법.A method for producing a conductive film, comprising: coating a composition of claim 1 on a base film and curing the composition to form a first resin layer. 제 17항에 있어서,
제 1 수지층은 제 1 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 A 영역 및 상기 A 영역 상에 형성되어 있는 제 2 중합성 화합물의 중합 단위를 포함하는 B 영역을 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the first resin layer comprises an A region including a polymerization unit of the first polymerizable compound and a B region including a polymerization unit of a second polymerizable compound formed on the A region.
제 17항에 있어서,
기재 필름에 화학적 처리, 코로나 방전 처리, 기계적 처리, 자외선(UV) 처리, 활성 플라즈마 처리 및 글로우 방전 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 처리를 수행하여 기재 필름 표면을 개질하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
18. The method of claim 17,
Further comprising the step of modifying the surface of the base film by performing any one treatment selected from the group consisting of chemical treatment, corona discharge treatment, mechanical treatment, ultraviolet (UV) treatment, active plasma treatment and glow discharge treatment on the substrate film A method for producing a conductive film.
제 17항에 있어서,
제 1 수지층이 형성되어 있는 기재 필름 면의 반대 면에 제 2 수지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
18. The method of claim 17,
And forming a second resin layer on a surface opposite to the surface of the base film on which the first resin layer is formed.
제 17항에 있어서,
제 1 수지층 상에 도전층을 형성한 후, 열 처리하는 단계를 더 포함하는 도전성 필름의 제조방법.
18. The method of claim 17,
Forming a conductive layer on the first resin layer, and then subjecting the conductive layer to heat treatment.
제 9항의 도전성 필름을 포함하는 터치 패널.
A touch panel comprising the conductive film of claim 9.
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