KR20170011735A - Light emittng device package - Google Patents

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Abstract

An embodiment provides a light emitting device package. The light emitting device package includes a package body having a cavity; a light emitting device flip-bonded to the bottom surface of the cavity; and a molding part disposed between the bottom surface of the cavity and the light emitting device. The molding part reacts with one of 2-acetoxyethylsilsesquioxane, 2-chloroethylsilsesquioxane, 2-bromoethylsilsesquioxane and polysilazane. So, the optical power of the light emitting device package can be improved.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTNG DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광소자를 견고하게 몰딩하고 광출력이 향상된 발광소자 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device package that is rigidly molded and light output is improved.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode (Ligit Emitting Diode) or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광소자는 질화물계 반도체인 GaN을 발광 구조물로 사용할 수 있으며, 발광 구조물은 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.The light emitting device may be a nitride semiconductor, such as GaN, as a light emitting structure, and the light emitting structure may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.

발광소자 패키지는 발광소자가 리드 프레임과 연결되어 배치될 수 있고, 외부의 전원으로부터 리드 프레임에 전류가 공급되어 발광소자가 구동될 수 있다.In the light emitting device package, the light emitting device may be disposed in connection with the lead frame, and a current may be supplied to the lead frame from an external power source to drive the light emitting device.

이때, 발광소자나 발광소자를 리드 프레임에 연결하는 와이어 등을 보호하기 위하여 몰딩(molding)을 하는데, 에폭시 계열의 재료를 몰딩 재료로 사용할 수 있다.At this time, molding is performed to protect the light emitting element and wires connecting the light emitting element to the lead frame, and an epoxy-based material can be used as a molding material.

그러나, 발광소자에서 자외선 파장 영역의 광을 방출할 때, 에폭시 계열의 재료는 광 흡수율이 높고 자외선 파장 영역의 광에 의하여 에폭시가 손상될 수 있다.However, when emitting light in the ultraviolet wavelength region in the light emitting device, the epoxy based material has a high light absorptivity and the epoxy may be damaged by the light in the ultraviolet wavelength region.

실시예는 발광소자를 견고하게 몰딩하고 발광소자 패키지의 광출력을 향상시키고자 하는 것이다.The embodiment intends to rigidly mold the light emitting element and improve the light output of the light emitting element package.

실시예는 캐비티를 가지는 패키지 몸체; 상기 캐비티의 바닥면에 플립 본딩되는 발광소자; 상기 캐비티의 바닥면과 상기 발광소자 사이에 배치되는 몰딩부를 포함하고, 상기 몰딩부는 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나가 반응하여 형성된 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a package body having a cavity; A light emitting element flip-bonded to a bottom surface of the cavity; And a molding part disposed between the bottom surface of the cavity and the light emitting device, wherein the molding part is formed by reacting one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane.

몰딩부는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다.The molding part may include a silicon oxide (SiO 2).

몰딩부는 상기 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나를 포함할 수 있다.The molding part may include one of the 2-acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane.

캐비티의 내부는 보이드(void)가 형성되고, 상기 캐비티의 개구부는 커버가 배치될 수 있다.A void may be formed inside the cavity, and a cover may be disposed at the opening of the cavity.

패키지 몸체는 복수 개의 제1 세라믹층으로 이루어지고, 상기 캐비티의 바닥면을 이루는 제1 세라믹층과 상기 캐비티의 측면을 이루는 제1 세라믹층은 서로 다를 수 있다.The package body may include a plurality of first ceramic layers, and the first ceramic layer forming the bottom surface of the cavity and the first ceramic layer forming the side surface of the cavity may be different from each other.

패키지 몸체를 이루는 복수 개의 제1 세라믹층의 사이에 배치되는 복수 개의 접촉 전극을 더 포함할 수 있다.And a plurality of contact electrodes disposed between the plurality of first ceramic layers constituting the package body.

서로 다른 높이에 배치된 상기 접촉 전극들을 연결하는 복수 개의 연결 전극들을 더 포함할 수 있다.And may further include a plurality of connection electrodes connecting the contact electrodes disposed at different heights.

발광소자는 범프를 통하여 플립 본딩되고, 상기 몰딩부는 상기 범프의 외부에도 배치할 수 있다.The light emitting element is flip-bonded through the bump, and the molding part can be disposed outside the bump.

다른 실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 플립 본딩되는 발광소자; 상기 발광소자의 둘레에 배치되는 몰딩부를 포함하고, 상기 몰딩부는2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나가 반응하여 형성된 발광소자 패키지를 제공한다.Another embodiment includes a package body; A light emitting device flip-bonded on the package body; And a molding part disposed around the light emitting device, wherein the molding part is formed by reacting one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane.

몰딩부는 상기 패키지 몸체와 발광소자의 사이에도 더 배치될 수 있다.The molding part may further be disposed between the package body and the light emitting device.

실시예들에 따른 발광소자 패키지는 고분자 재료를 자외선과 열에 의하여 반응시켜서 실리콘 산화물(SiO2)을 형성하므로, 패키지 몸체의 바닥면과 발광소자 사이의 좁은 영역에 몰딩부가 형성되어, 외부로부터의 이물질이 발광소자로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 실리콘 산화물은 자외선의 흡수가 적고 자외선에 의하여 손상되지 않으므로, 발광소자 패키지의 광효율도 향상될 수 있다.In the light emitting device package according to the embodiments, since the polymer material reacts with ultraviolet rays and heat to form silicon oxide (SiO 2 ), a molding portion is formed in a narrow region between the bottom surface of the package body and the light emitting device, Can be prevented from intruding into the light emitting element. Further, since the silicon oxide absorbs less ultraviolet rays and is not damaged by ultraviolet rays, the light efficiency of the light emitting device package can be improved.

도 1은 발광소자 패키지의 제1 실시예를 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 발광소자를 나타낸 도면이고,
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 몰딩부의 형성 공정을 나타낸 도면이고,
도 4는 발광소자 패키지의 제2 실시예를 나타낸 도면이고,
도 5는 상술한 발광소자 패키지를 사용하는 살균 장치를 나타낸다.1 is a view showing a first embodiment of a light emitting device package,
FIG. 2 is a view showing the light emitting device of FIG. 1,
3 is a view illustrating a process of forming a molding part of the light emitting device package of FIG. 1,
4 is a view showing a second embodiment of the light emitting device package,
5 shows a sterilizing apparatus using the above-described light emitting device package.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 상(위) 또는 하(아래)(on or under) 등으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. In addition, when expressed by upper or lower (on or under), it is possible to include not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

도 1은 발광소자 패키지의 제1 실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a first embodiment of a light emitting device package.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체가 복수 개의 제1 세라믹 층(111~116)으로 이루어진다. 패키지 몸체는 고온 동시 소성 세라믹(High Temperature Cofired Ceramics, HTCC) 또는 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Cofired Ceramics, LTCC) 기술을 이용하여 구현될 수 있다.In the light emitting device package 100 according to the embodiment, the package body includes a plurality of first ceramic layers 111 to 116. The package body may be implemented using High Temperature Cofired Ceramics (HTCC) or Low Temperature Cofired Ceramics (LTCC) technology.

패키지 몸체가 본 실시예와 같이 복수 개의 제1 세라믹층(111~116)인 경우, 각 층의 두께는 동일할 수도 있고, 다를 수도 있다. 패키지 몸체는 질화물 또는 산화물의 절연성 재질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, Al2O3, SiO2, SixOy, Si3Ny SiOxNy 또는 AlN을 포함할 수 있다.When the package body is a plurality of first ceramic layers 111 to 116 as in the present embodiment, the thicknesses of the respective layers may be the same or different. The package body may be made of an insulating material of nitride or oxide, and may include, for example, Al 2 O 3 , SiO 2 , Si x O y , Si 3 N y SiO x N y, or AlN.

패키지 몸체는 캐비티(cavity)를 가질 수 있는데, 일부 제1 세라믹층(111~112)이 캐비티의 바닥면에 위치할 수 있고, 나머지 제1 세라믹층(113~116)은 캐비티의 측면을 이룰 수 있다.The package body may have a cavity in which some of the first ceramic layers 111-112 may be located on the bottom surface of the cavity and the remaining first ceramic layers 113-116 may be the sides of the cavity have.

캐비티의 바닥면에 위치하는 제1 세라믹층(111~112)에는 방열부(120)가 삽입되어 배치되는데, 방열부(120) 위에는 제2 세라믹층(130)이 배치될 수 있다. 제2 세라믹층(130)은 방열부(120)가 열팽창에 의하여 상부로 돌출되는 것을 방지할 수 있으며, 경우에 따라 생략될 수 있다.The first ceramic layers 111 to 112 located on the bottom surface of the cavity are disposed with a heat dissipation unit 120 inserted therein. The second ceramic layer 130 may be disposed on the heat dissipation unit 120. The second ceramic layer 130 may prevent the heat dissipating unit 120 from protruding upward due to thermal expansion, and may be omitted depending on circumstances.

캐비티의 바닥면에 위치하는 제2 세라믹층(130) 상에는 발광소자(200)가 배치되는데, 플립 본딩 방식으로 배치될 수 있다. 발광소자(200)의 플립 본딩 방식을 설명하면 아래와 같다.The light emitting device 200 is disposed on the second ceramic layer 130 located on the bottom surface of the cavity, and may be disposed in a flip bonding manner. The flip bonding method of the light emitting device 200 will be described below.

제2 세라믹층(130) 상에 서브 마운트(140)가 배치되고, 서브 마운트(140) 상에는 제1 본딩 전극(142)과 제2 본딩 전극(146)이 배치될 수 있다. 제1 본딩 전극(142)와 제2 본딩 전극(146)에 발광소자(200)의 제1 전극과 제2 전극이 전기적으로 접촉할 수 있다.A submount 140 may be disposed on the second ceramic layer 130 and a first bonding electrode 142 and a second bonding electrode 146 may be disposed on the submount 140. The first electrode and the second electrode of the light emitting device 200 can be in electrical contact with the first bonding electrode 142 and the second bonding electrode 146.

제1 본딩 전극(142) 및 제2 본딩 전극(146)는 제1 전극 및 제2 전극에 각각 범프(bump)를 통하여 결합될 수 있고, 범프는 도전성 재료로 이루어질 수 있다.The first bonding electrode 142 and the second bonding electrode 146 may be respectively coupled to the first electrode and the second electrode through a bump, and the bump may be made of a conductive material.

도 2는 도 1의 발광소자를 나타낸 도면이다.2 is a view showing the light emitting device of FIG.

실시예에 따른 발광소자(200)는 기판(210)과, 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하는 발광 구조물(220)과, 제1 전극(262) 및 제2 전극(266)을 포함하여 이루어진다.A light emitting device 200 according to an embodiment includes a substrate 210, a light emitting structure 220 including a first conductive semiconductor layer 222, an active layer 224, and a second conductive semiconductor layer 226, And includes a first electrode 262 and a second electrode 266.

기판(210)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 210 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 can be used.

기판(210)과 발광 구조물(220)은 이종의 재료이므로 격자 상수 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있다.Since the substrate 210 and the light emitting structure 220 are different materials, lattice mismatch is very large and the difference in thermal expansion coefficient between them is very large. Therefore, dislocations that deteriorate the crystallinity, melt-back, crack, pit, and surface morphology defects may occur.

따라서, 기판(210)과 발광 구조물(220)의 사이에 버퍼층(215)을 형성할 수도 있다.Accordingly, a buffer layer 215 may be formed between the substrate 210 and the light emitting structure 220.

제1 도전형 반도체층(222)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 222 may be formed of a compound semiconductor such as Group III-V or Group II-VI, and may be doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 222 is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(222)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity type semiconductor layer 222 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 222 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

활성층(224)은 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 224 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 222 and the second conductivity type semiconductor layer 226 and may include a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) Well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(224)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), and AlGaN / AlGaN / InGaN / GaN, / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 활성층(224)이 심자외선(deep UV) 파장의 빛을 생성할 때, 활성층(224)은 다중양자우물 구조로 이루어질 수 있고, 상세하게는 AlxGa(1-x)N (0<x<1)을 포함하는 양자벽과 AlyGa(1-y)N (0<x<y<1)을 포함하는 양자 우물층의 페어 구조가 1주기 이상인 다중 양자 우물 구조일 수 있고, 양자 우물층은 후술하는 제2 도전형의도펀트를 포함할 수 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer. When the active layer 224 generates light having a deep UV wavelength, the active layer 224 may have a multi-quantum well structure, and more specifically, Al x Ga (1-x) N (0 & 1) and a quantum well layer including Al y Ga (1-y) N (0 <x <y <1) may be a multiple quantum well structure having one or more periods, May include a dopant of the second conductivity type described later.

제2 도전형 반도체층(226)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 226 may be formed of a semiconductor compound. The second conductive semiconductor layer 226 may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a second conductive dopant.

제2 도전형 반도체층(226)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(226)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 226 is formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, the second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed of Al x Ga (1-x) N, and the second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed of Al x Ga y have.

제2 도전형 반도체층(226)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the second conductivity type semiconductor layer 226 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

실시예에 따른 발광소자(200)에서 활성층(224)에서 자외선을 방출할 수 있다. 자외선은 파장대에 따라 세가지(UV-A, UV-B, UV-C)로 구분될 수 있고, UV-A는 파장대가 320nm 내지 400nm인 자외선이고, UV-B는 파장대가 290nm 내지 320nm인 자외선이며, UV-C는 파장대가 290nm이하인 자외선일 수 있다.The active layer 224 may emit ultraviolet light in the light emitting device 200 according to the embodiment. The ultraviolet rays may be classified into three types (UV-A, UV-B, and UV-C) according to their wavelength ranges, UV-A is ultraviolet rays having a wavelength range of 320 to 400 nm, and UV-B is ultraviolet rays having a wavelength range of 290 to 320 nm , And UV-C may be an ultraviolet ray having a wavelength of 290 nm or less.

이때, 제1 도전형 반도체층(222)은 특히 n형 도펀트가 도핑된 AlGaN으로 이루어질 수 있고, 제2 도전형 반도체층(226)은 p형 도펀트가 도핑된 AlGaN일 수 있다.In this case, the first conductive semiconductor layer 222 may be made of AlGaN doped with an n-type dopant, and the second conductive semiconductor layer 226 may be doped with a p-type dopant.

활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer, 미도시)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 초격자(superlattice) 구조로 이루어질 수도 있는데, 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있고, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교번하여 배치될 수도 있다.An electron blocking layer (not shown) may be disposed between the active layer 224 and the second conductive semiconductor layer 226. The electron blocking layer may have a superlattice structure. For example, the superlattice may be formed by doping AlGaN doped with a second conductive dopant, and a layer of GaN having a different composition ratio of aluminum may be formed. And a plurality of these may be alternately arranged.

제2 도전형 반도체층(226) 상에는 오믹 컨택층(240)이 배치될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 후술하는 제2 전극(266)과의 컨택 특성이 좋지 않아서, 오믹 컨택층(240)을 배치하여 제2 전극(266)으로부터 제2 도전형 반도체층(226)으로의 전류 스프레딩(spreading) 특성을 향상시킬 수 있다. 오믹 컨택층(240)은 p형 도펀트가 도핑된 AlGaN으로 이루어질 수 있다.The ohmic contact layer 240 may be disposed on the second conductive semiconductor layer 226. The ohmic contact layer 240 is disposed on the second conductivity type semiconductor layer 226 from the second electrode 266 to the second conductivity type semiconductor layer 226 The current spreading characteristics can be improved. The ohmic contact layer 240 may be made of AlGaN doped with a p-type dopant.

오믹 컨택층(240)으로부터 제2 도전형 반도체층(226)과 활성층(224)과 제1 도전형 반도체층(222)의 일부까지 메사 식각되고, 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(222)에 제1 전극(262)이 배치되고 제2 도전형 반도체층(226) 상에 제2 전극(266)이 배치될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 222 is etched and exposed from the ohmic contact layer 240 to the second conductive semiconductor layer 226, the active layer 224, and a portion of the first conductive semiconductor layer 222, The second electrode 266 may be disposed on the second conductive type semiconductor layer 226. The first electrode 262 may be disposed on the second conductive semiconductor layer 226,

제1 도전형 반도체층(222)의 노출된 상부면과 오믹 컨택층(240)의 상부면에는 각각 제1 전극(262)과 제2 전극(266)이 배치될 수 있다.The first electrode 262 and the second electrode 266 may be disposed on the exposed upper surface of the first conductive semiconductor layer 222 and the upper surface of the ohmic contact layer 240, respectively.

제1 전극(262)과 제2 전극(266)은 도전성 재료로 이루어질 수 있고, 예를 들면 금속으로 이루어질 수 있고, 보다 상세하게는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 262 and the second electrode 266 may be made of a conductive material and may be made of metal. More specifically, the first electrode 262 and the second electrode 266 may be made of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr) Layer structure including at least one of nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au).

제1 전극(262)과 제2 전극(266)의 상부면의 가장자리와 측면, 그리고 메사 식각되어 노출되는 발광 구조물(220)의 측면 등에는 패시베이션층(미도시)이 배치될 수 있다. 패시베이션층은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 패시베이션층은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.A passivation layer (not shown) may be disposed on the edge and the side of the upper surface of the first electrode 262 and the second electrode 266, and on the side of the light emitting structure 220 exposed by mesa etching. The passivation layer may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the passivation layer may comprise a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer.

캐비티의 바닥면과 발광소자(200) 사이의 영역에는 몰딩부(180)가 배치되는데, 몰딩부(180)는 제1,2 본딩 전극(142, 146)과 범프(bump) 및 발광소자(200)의 제1,2 전극(262, 266)을 보호할 수 있으며, 활성층(224)에서 방출되는 광 특히 자외선에 의하여 손상되지 않고 자외선 파장 영역의 광 흡수율이 낮을 수 있다.A molding part 180 is disposed in a region between the bottom surface of the cavity and the light emitting device 200. The molding part 180 includes first and second bonding electrodes 142 and 146 and a bump and a light emitting device 200 The first and second electrodes 262 and 266 of the active layer 224 can be protected and the light absorption rate of the ultraviolet wavelength region can be low without being damaged by the light emitted from the active layer 224,

몰딩부(180)는 실리콘 산화물(SiO2)를 포함하여 이루어지는데, 이때의 실리콘 산화물은 실리카(silica)와 구별되는 실리콘(silocone)을 뜻하며 규소와 산소의 결합(...-Si-O-Si-O-...)을 주축으로 하는 중합체를 의미한다.The molding part 180 is made of silicon oxide (SiO 2 ). Silicon oxide means silocone, which is distinguished from silica. Silicon-oxygen bond (Si-O- Si-O- ...) as a main axis.

상술한 실리콘 산화물을 제2 세라믹층(130)과 발광소자(200) 상의 좁은 영역에 주입하기가 어렵고, 또한 미리 실리콘 산화물을 배치한 후에 실리콘 산화물의 상부에 발광소자(200)를 배치하여 고정하기 어렵다.It is difficult to inject the above-described silicon oxide into the narrow area on the second ceramic layer 130 and the light emitting device 200. Further, after arranging the silicon oxide in advance, the light emitting device 200 is disposed and fixed on the silicon oxide it's difficult.

실시예에서는 몰딩부(180)를 형성하기 위하여 고분자 재료를 SOG(Spin on Glass) 등의 방법으로 상술한 제2 세라믹층(130)과 발광소자(200) 상의 영역에 주입할 수 있으며, 기타 스프레이법이나 디스펜싱법 등의 방법으로 주입할 수 있다.The polymer material may be injected into the region of the second ceramic layer 130 and the light emitting device 200 by a method such as SOG (Spin on Glass) to form the molding part 180, It can be injected by a method or a dispensing method.

이때 고분자 재료는, 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane(폴리실라잔) 중 하나일 수 있다.In this case, the polymer material may be one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane (polysilazane).

상술한 재료를 공급한 후에, 자외선과 200℃~300℃의 열을 상술한 고분자 재료에 가하면, 고분자 재료가 자외선 및 열과 반응하여 실리콘 산화물(SiO2)이 형성될 수 있다.When ultraviolet rays and heat of 200 ° C to 300 ° C are applied to the above-mentioned polymer material after supplying the above-described materials, the polymer material may react with ultraviolet rays and heat to form silicon oxide (SiO 2 ).

도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 몰딩부의 형성 공정을 나타낸 도면이고, 상술한 고분자 재료가 자외선 및 열과 반응하여 실리콘 산화물(SiO2)이 형성되는 과정을 도시하고 있다.FIG. 3 is a view showing a process of forming the molding part of the light emitting device package of FIG. 1, and the process of forming the silicon oxide (SiO 2 ) by reacting the polymer material with ultraviolet rays and heat.

실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 몰딩부(180)는 도시된 바와 같이 범프(bump)의 외부에도 배치될 수 있으며, 일부 고분자 재료는 자외선과 열에 의하여 충분히 반응하지 않고 남을 수 있으며, 발광소자 패키지의 사용 중에 발생하는 열과 자외선에 의하여 추가로 반응하여 실리콘 산화물이 형성될 수도 있으며, 반응 후에 형성된 실리콘 산화물의 굴절률은 1.5 내지 1.6일 수 있다.The molding part 180 including silicon oxide (SiO 2 ) may be disposed outside the bump as shown, and some polymeric material may remain without reacting sufficiently due to ultraviolet rays and heat, May be further reacted with heat generated by the use of ultraviolet rays to form silicon oxide, and the refractive index of the silicon oxide formed after the reaction may be 1.5 to 1.6.

제1,2 본딩 전극(142, 146)은 제1-1 접촉 전극 (151) 및 제1-2 접촉 전극(161)에 각각 와이어(wire)로 본딩될 수 있다.The first and second bonding electrodes 142 and 146 may be bonded to the 1-1 and 1-2 contact electrodes 151 and 161, respectively.

제1-1 접촉 전극 (151) 및 제1-2 접촉 전극(161)은 캐비티의 바닥면을 이루는 제1 세라믹층(112) 상에 배치되는데, 제1 세라믹층들(111, 112)의 사이에는 제1-2 접촉 전극 (152) 및 제2-2 접촉 전극(162)이 배치되고, 제1 세라믹층(111)의 하부면에는 제1-3 접촉 전극 (153) 및 제2-3 접촉 전극(163)이 배치될 수 있다.The first 1-1 contact electrode 151 and the 1-2 contact electrode 161 are disposed on the first ceramic layer 112 constituting the bottom surface of the cavity and between the first ceramic layers 111 112 The first to third contact electrodes 153 and 162 are disposed on the lower surface of the first ceramic layer 111 and the first to third contact electrodes 153 and 162 are disposed on the lower surface of the first ceramic layer 111, The electrode 163 may be disposed.

그리고, 제1 세라믹층(112)을 관통하여 2개의 연결 전극(151a, 161a)이 배치되어, 제1-1 접촉 전극 (151) 및 제1-2 접촉 전극(161)을 각각 제1-2 접촉 전극 (152) 및 제2-2 접촉 전극(162)과 전기적으로 연결할 수 있다.Two connecting electrodes 151a and 161a are disposed so as to penetrate through the first ceramic layer 112 so that the 1-1 contact electrode 151 and the 1-2 contact electrode 161 are connected to the 1-2 And may be electrically connected to the contact electrode 152 and the second-second contact electrode 162.

또한, 제1 세라믹층(111)을 관통하여 2개의 연결 전극(152a, 162a)이 배치되어, 제1-2 접촉 전극 (152) 및 제2-2 접촉 전극(162)을 각각 제1-3 접촉 전극 (153) 및 제2-3 접촉 전극(163)과 전기적으로 연결할 수 있다.Two connecting electrodes 152a and 162a are disposed so as to penetrate through the first ceramic layer 111 so that the first and second contact electrodes 152 and 162 are connected to the first And can be electrically connected to the contact electrode 153 and the 2-3 contact electrode 163.

최상부에 배치된 제1 세라믹층(116)은 하부의 제1 세라믹층(115)보다 폭이 좁을 수 있고, 따라서 제1 세라믹층(115)의 상부면이 일부 노출될 수 있다.The first ceramic layer 116 disposed on the uppermost portion may be narrower than the first ceramic layer 115 on the lower portion and thus the upper surface of the first ceramic layer 115 may be partially exposed.

노출된 제1 세라믹층(115)의 표면에는 커버(150)가 배치되는데, 커버(150)는 자외선 영역에서의 광투과율이 우수한 재료로 이루어질 수 있고, 제1 세라믹층(115)의 상부면과 접착층(155)으로 접착될 수 있다. 커버(150)는 발광소자 패키지(100)의 개구부에 배치될 수 있다.A cover 150 is disposed on the exposed surface of the first ceramic layer 115. The cover 150 may be made of a material having a high light transmittance in the ultraviolet region And can be adhered with the adhesive layer 155. The cover 150 may be disposed at an opening of the light emitting device package 100.

발광소자 패키지(100)의 캐비티의 내부 영역은 보이드(void)를 이루어 에어(air)가 채워질 수 있는데, 커버(150)가 접착층(155)을 통하여 패키지 몸체에 밀봉되어 외부로부터 이물질의 침투를 방지할 수 있다.The inner region of the cavity of the light emitting device package 100 may be filled with air so that the cover 150 is sealed to the package body through the adhesive layer 155 to prevent foreign matter can do.

실시예에 따른 발광소자 패키지는, 상술한 고분자 재료를 자외선과 열에 의하여 반응시켜서 실리콘 산화물(SiO2)을 형성하므로, 제2 세라믹층(130)과 발광소자(200) 사이의 좁은 영역에 몰딩부(180)가 형성되어, 외부로부터의 이물질이 발광소자(200)로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 실리콘 산화물은 자외선의 흡수가 적고 자외선에 의하여 손상되지 않으므로, 발광소자 패키지의 광효율도 향상될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment reacts with the ultraviolet light and the heat to form the silicon oxide (SiO 2 ), so that the molding material is embedded in the narrow region between the second ceramic layer 130 and the light emitting device 200. (180) is formed, so that foreign substances from the outside can be prevented from entering the light emitting device (200). Further, since the silicon oxide absorbs less ultraviolet rays and is not damaged by ultraviolet rays, the light efficiency of the light emitting device package can be improved.

도 4는 발광소자 패키지의 제2 실시예를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a second embodiment of a light emitting device package.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(400)는 패키지 몸체(310)가 캐비티를 가지지 않고 플랫(flat)하게 배치되고 있다.In the light emitting device package 400 according to the present embodiment, the package body 310 is arranged flat without having a cavity.

제1 본딩 전극(342)과 제2 본딩 전극(346)이 패키지 몸체(310) 상에 배치되고, 제1 본딩 전극(342)과 제2 본딩 전극(346) 상에 발광소자(200)가 범프(bump)를 통하여 플립 본딩되고 있으며, 발광소자(200)는 도 2에 도시된 구조와 동일할 수 있다.The first bonding electrode 342 and the second bonding electrode 346 are disposed on the package body 310 and the light emitting device 200 is formed on the first bonding electrode 342 and the second bonding electrode 346, and the light emitting device 200 may be flip-bonded through a bump.

몰딩부(380)는 패키지 몸체(310)와 발광소자(200) 사이의 영역과, 범프의 둘레, 그리고 발광소자(200)의 둘레에 배치되고 있다.The molding part 380 is disposed around the area between the package body 310 and the light emitting device 200, the perimeter of the bump, and the periphery of the light emitting device 200.

본 실시예에서의 몰딩부(380)의 조성은 도 1의 몰딩부(180)와 동일할 수 있으며, 실리콘 산화물(SiO2)를 포함하여 이루어질 수 있다.The composition of the molding part 380 in this embodiment may be the same as that of the molding part 180 of FIG. 1 and may include silicon oxide (SiO 2 ).

몰딩부(380)는 고분자 재료, 예를 들면 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나를 SOG(Spin on Glass) 등의 방법으로 주입한 후 자외선과 200℃~300℃의 열을 상술한 고분자 재료에 가하면, 고분자 재료가 자외선 및 열과 반응하여 실리콘 산화물(SiO2)이 형성되어 이루어진다.The molding part 380 may be formed by injecting a polymer material such as 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane by using SOG (Spin on Glass) Is added to the above-mentioned polymer material, the polymer material reacts with ultraviolet rays and heat to form silicon oxide (SiO 2 ).

그리고, 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 몰딩부(380)는 도시된 바와 같이 범프(bump)의 외부에도 배치될 수 있으며, 일부 고분자 재료는 자외선과 열에 의하여 충분히 반응하지 않고 남을 수 있다.Also, the molding part 380 including silicon oxide (SiO 2 ) may be disposed outside the bump as shown, and some polymer material may remain without reacting sufficiently due to ultraviolet rays and heat.

발광소자 패키지는 상술한 발광소자를 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package can be mounted with one or more of the above-described light emitting elements, but the present invention is not limited thereto.

발광소자가 가시광선 파장 영역의 광을 방출할 때 상술한 발광소자 패키지는 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 일예로 영상표시장치의 백라이트 유닛과 조명 장치에 사용될 수 있다.When the light emitting device emits light in the visible light wavelength range, the light emitting device package described above can be used as a light source of the illumination system, for example, in a backlight unit of a video display device and a lighting device.

영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벌트 타입의 광원에 사용될 수도 있다.When used as a backlight unit of an image display apparatus, it can be used as a backlight unit of an edge type or as a direct-type backlight unit, and can be used as a light source of a register or a ball type when used in a lighting apparatus.

발광소자가 자외선 파장 영역의 광을 방출할 때 상술한 발광소자 패키지는 살균 장치에 사용될 수 있다.When the light emitting element emits light in the ultraviolet wavelength range, the light emitting element package described above can be used in the sterilizing apparatus.

도 5는 상술한 발광소자 패키지를 사용하는 살균 장치를 나타낸다.5 shows a sterilizing apparatus using the above-described light emitting device package.

도 5를 참조하면, 살균장치(500)는, 하우징(501)의 일면에 실장된 발광 모듈부(510)와, 방출된 심자외선 파장 대역의 광을 난반사시키는 난반사 반사 부재(530a, 530b)와, 발광 모듈부(510)에서 필요한 가용전력을 공급하는 전원 공급부(520)를 포함한다.5, the sterilizing apparatus 500 includes a light emitting module 510 mounted on one surface of a housing 501, diffusive reflecting members 530a and 530b for diffusing light of emitted deep ultraviolet wavelength band, And a power supply unit 520 for supplying available power required by the light emitting module unit 510.

먼저 하우징(501)은 장방형 구조로 이루어지며 발광 모듈부(510)와 난반사 반사부재(530a, 530b) 및 전원 공급부(520)를 모두 내장하는 일체형 즉 콤팩트한 구조로 형성될 수 있다. 또한, 하우징(501)은 살균장치(500) 내부에서 발생된 열을 외부로 방출시키기에 효과적인 재질 및 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(501)의 재질은 Al, Cu 및 이들의 합금 중 어느 하나의 재질로 이루어 질 수 있다. 따라서, 하우징(501)의 외기와의 열전달 효율이 향상되어, 방열 특성이 개선될 수 있다.The housing 501 may have a rectangular structure and may be formed as a unitary or compact structure including both the light emitting module unit 510 and the diffusive reflective members 530a and 530b and the power supply unit 520. [ In addition, the housing 501 may have a material and shape effective for discharging the heat generated inside the sterilizing apparatus 500 to the outside. For example, the material of the housing 501 may be made of any one of Al, Cu, and alloys thereof. Therefore, the heat transfer efficiency with the outside air of the housing 501 is improved, and the heat radiation characteristic can be improved.

또는, 하우징(501)은 특유한 외부 표면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 하우징(501)은 예를 들어 코러게이션(corrugation) 또는 메쉬(mesh) 또는 불특정 요철 무늬 형상으로 돌출 형성되는 외부 표면 형상을 가질 수 있다. 따라서, 하우징(501)의 외기와의 열전달 효율이 더욱 향상되어 방열 특성이 개선될 수 있다.Alternatively, the housing 501 may have a distinctive external surface shape. For example, the housing 501 may have an external surface shape that is protruded, for example, in a corrugation or a mesh or an unspecified concavo-convex shape. Accordingly, the heat transfer efficiency with the outside air of the housing 501 is further improved, and the heat radiation characteristic can be improved.

한편, 이러한 하우징(501)의 양단에는 부착판(550)이 더 배치될 수 있다. 부착판(550)은 도 15에 예시된 바와 같이 하우징(501)을 전체 설비 장치에 구속시켜 고정하는데 사용되는 브라켓 기능의 부재를 의미한다. 이러한 부착판(550)은 하우징(501)의 양단에서 일측 방향으로 돌출 형성될 수 있다. 여기서, 일측 방향은 심자외선이 방출되고 난반사가 일어나는 하우징(501)의 내측 방향일 수 있다.On the other hand, attachment plates 550 may be disposed on both ends of the housing 501. The attachment plate 550 means a member of a bracket function used to lock and fix the housing 501 to the entire equipment as illustrated in Fig. The attachment plate 550 may protrude from both ends of the housing 501 in one direction. Here, the one direction may be an inner direction of the housing 501 in which deep ultraviolet rays are emitted and diffuse reflection occurs.

따라서, 하우징(501)으로부터 양단 상에 구비된 부착판(550)은 전체 설비 장치와의 고정 영역을 제공하여, 하우징(501)이 보다 효과적으로 고정 설치될 수 있도록 한다.Thus, the attachment plate 550 provided on both ends from the housing 501 provides a fixing area with the entire facility apparatus, so that the housing 501 can be more effectively fixedly installed.

부착판(550)은 나사 체결 수단, 리벳 체결 수단, 접착 수단 및 탈착 수단 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있으며, 이들 다양한 결합 수단의 방식은 당업자의 수준에서 자명하므로, 여기서 상세한 설명은 생략하기로 한다.The attachment plate 550 may take any of the form of a screw fastening means, a rivet fastening means, an adhesive means, and an attaching / detaching means, and the manner of these various fastening means is obvious at the level of those skilled in the art. do.

한편, 발광 모듈부(510)는 전술한 하우징(501)의 일면 상에 실장 되는 형태로 배치된다. 발광 모듈부(510)는 공기 중의 미생물을 살균 처리하도록 심자외선을 방출하는 역할을 한다. 이를 위해, 발광 모듈부(510)는 기판(512)과, 기판(512)에 탑재된 다수의 발광 소자 패키지(100)를 포함한다. 여기서, 발광 소자 패키지는 도 2에 예시된 발광 소자 패키지(100) 등일 수 있다.On the other hand, the light emitting module unit 510 is disposed on one surface of the housing 501. The light emitting module unit 510 emits ultraviolet rays to sterilize microorganisms in the air. To this end, the light emitting module unit 510 includes a substrate 512 and a plurality of light emitting device packages 100 mounted on the substrate 512. Here, the light emitting device package may be the light emitting device package 100 illustrated in FIG.

기판(512)은 하우징(501)의 내면을 따라 단일 열로 배치되어 있으며, 회로 패턴(미도시)을 포함하는 PCB일 수 있다. 다만, 기판(512)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성(flexible) PCB 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 512 is arranged in a single row along the inner surface of the housing 501 and may be a PCB including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 512 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB, and the like, but the present invention is not limited thereto.

다음으로, 난반사 반사부재(530a, 530b)는 전술한 발광 모듈부(510)에서 방출된 심자외선을 강제로 난반사시키도록 형성되는 반사판 형태의 부재를 의미한다. 이러한 난반사 반사부재(530a, 530b)의 전면 형상 및 배치 형상은 다양한 형상을 가질 수 있다. 난반사 반사부재(530a, 530b)의 면상 구조(예: 곡률반경 등)를 조금씩 변경하여 설계함에 따라, 난반사된 심자외선이 중첩되게 조사되어 조사 강도가 강해지거나, 또는 조사 영역되는 영역의 폭이 확장될 수 있다.Next, the diffuse reflection members 530a and 530b refer to a reflection plate type member formed to forcibly diffuse the deep ultraviolet rays emitted from the light emitting module unit 510 described above. The front surface shape and the arrangement shape of the diffusely reflecting reflection members 530a and 530b may have various shapes. (For example, a radius of curvature) of the diffusive reflection members 530a and 530b is slightly changed, the diffused deep ultraviolet rays are irradiated to overlap with each other to increase the irradiation intensity, or the width of the region to be irradiated increases .

전원 공급부(520)는 전원을 도입 받아 전술된 발광 모듈부(510)에서 필요한 가용전력을 공급하는 역할을 한다. 이러한 전원 공급부(520)는 전술한 하우징(501) 내에 배치될 수 있다. 도 15에 예시된 바와 같이, 전원 공급부(520)는 난반사 반사부재(530a, 530b)와 발광 모듈부(510) 사이의 이격 공간의 내벽 쪽에 배치될 수 있다. 외부 전원을 전원 공급부(520) 측으로 도입시키기 위해 상호 간을 전기적으로 연결하는 전원 연결부(540)가 더 배치될 수 있다.The power supply unit 520 receives power and supplies necessary power to the light emitting module unit 510. The power supply unit 520 may be disposed in the housing 501 described above. As illustrated in FIG. 15, the power supply unit 520 may be disposed on the inner wall side of the spacing space between the diffusive reflective members 530a and 530b and the light emitting module unit 510. A power connection unit 540 for electrically connecting the external power supply to the power supply unit 520 may be further disposed.

도 5에 예시된 바와 같이, 전원 연결부(540)의 형태는 면상일 수 있으나, 외부의 전원 케이블(미도시)이 전기적으로 접속될 수 있는 소켓 또는 케이블 슬롯의 형태를 가질 수 있다. 그리고 전원 케이블은 플렉시블한 연장 구조를 가져, 외부 전원과의 연결이 용이한 형태로 이루어질 수 있다.As illustrated in FIG. 5, the power connection 540 may be in the form of a surface, but may take the form of a socket or cable slot through which an external power cable (not shown) may be electrically connected. Also, the power cable has a flexible extension structure and can be easily connected to an external power source.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 300: 발광소자 패키지
111~116: 제1 세라믹층 120: 방열부
130: 제2 세라믹층 140: 서브 마운트
142, 342: 제1 본딩 전극 146, 346: 제2 본딩 전극
150: 커버
151, 152, 153, 161, 162, 162: 제1-1 접촉 전극~제2-3 접촉 전극
151a, 152a, 161a, 162a: 연결 전극
155: 접착층 180, 380: 몰딩부
200: 발광소자 310: 패키지 몸체
500: 살균 장치100, 300: Light emitting device package
111 to 116: first ceramic layer 120:
130: second ceramic layer 140: submount
142, 342: first bonding electrode 146, 346: second bonding electrode
150: cover
151, 152, 153, 161, 162, 162: 1-1-1 contact electrode ~ 2-3 contact electrode
151a, 152a, 161a, 162a:
155: adhesive layer 180, 380: molding part
200: light emitting element 310: package body
500: sterilizing device

Claims (15)

캐비티를 가지는 패키지 몸체;
상기 캐비티의 바닥면에 플립 본딩되는 발광소자;
상기 캐비티의 바닥면과 상기 발광소자 사이에 배치되는 몰딩부를 포함하고,
상기 몰딩부는 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane(폴리실라잔) 중 하나가 반응하여 형성된 발광소자 패키지.A package body having a cavity;
A light emitting element flip-bonded to a bottom surface of the cavity;
And a molding part disposed between the bottom surface of the cavity and the light emitting element,
Wherein the molding part is formed by reacting one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane (polysilazane). 제1 항에 있어서,
상기 몰딩부는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The molding unit light emitting device including a silicon oxide (SiO 2). 제1 항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the molding part comprises one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane, and Polysilazane. 제1 항에 있어서,
상기 캐비티의 내부는 보이드(void)가 형성되고, 상기 캐비티의 개구부는 커버가 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a cavity is formed inside the cavity, and a cover is disposed in an opening of the cavity. 제1 항에 있어서,
상기 패키지 몸체는 복수 개의 제1 세라믹층으로 이루어지고, 상기 캐비티의 바닥면을 이루는 제1 세라믹층과 상기 캐비티의 측면을 이루는 제1 세라믹층은 서로 다른 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the package body comprises a plurality of first ceramic layers and the first ceramic layer forming the bottom surface of the cavity and the first ceramic layer forming the side surface of the cavity are different from each other. 제5 항에 있어서,
상기 패키지 몸체를 이루는 복수 개의 제1 세라믹층의 사이에 배치되는 복수 개의 접촉 전극을 더 포함하는 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
And a plurality of contact electrodes disposed between the plurality of first ceramic layers constituting the package body. 제6 항에 있어서,
서로 다른 높이에 배치된 상기 접촉 전극들을 연결하는 복수 개의 연결 전극들을 더 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 6,
And a plurality of connection electrodes connecting the contact electrodes disposed at different heights. 제1 항에 있어서,
상기 발광소자는 범프를 통하여 플립 본딩되고, 상기 몰딩부는 상기 범프의 외부에도 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting element is flip-bonded through a bump, and the molding portion is disposed outside the bump. 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체 상에 플립 본딩되는 발광소자;
상기 발광소자의 둘레에 배치되는 몰딩부를 포함하고,
상기 몰딩부는2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나가 반응하여 형성된 발광소자 패키지.A package body;
A light emitting device flip-bonded on the package body;
And a molding part disposed around the light emitting element,
Wherein the molding part is formed by reacting one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane. 제9 항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 패키지 몸체와 발광소자의 사이에도 더 배치되는 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
Wherein the molding part is further disposed between the package body and the light emitting device. 제9 항에 있어서,
상기 몰딩부는 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
The molding unit light emitting device including a silicon oxide (SiO 2). 제9 항에 있어서,
상기 몰딩부는 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane 및 Polysilazane 중 하나를 포함하는 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
Wherein the molding part comprises one of 2-Acetoxyethylsilsesquioxane, 2-Chloroethylsilsesquioxane, 2-Bromoethylsilsesquioxane and Polysilazane. 제9 항에 있어서,
상기 발광소자는 범프를 통하여 플립 본딩되고, 상기 몰딩부는 상기 범프를 둘러싸고 배치되는 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
Wherein the light emitting element is flip-bonded through a bump, and the molding portion is disposed to surround the bump. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 몰딩부의 굴절률은 1.5 내지 1.6인 발광소자 패키지.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
And the refractive index of the molding portion is 1.5 to 1.6. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광소자는 자외선 영역의 광을 방출하는 발광소자 패키지.14. The method according to any one of claims 1 to 13,
Wherein the light emitting element emits light in an ultraviolet ray region.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20130072990A (en) * 2011-12-22 2013-07-02 한국세라믹기술원 Encapsulant for uvled device, uvled device using the same and manufacturing method thereof
KR20130079940A (en) * 2012-01-03 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighting system having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5133963B2 (en) * 2004-12-03 2013-01-30 日本特殊陶業株式会社 Ceramic substrate
KR20130072990A (en) * 2011-12-22 2013-07-02 한국세라믹기술원 Encapsulant for uvled device, uvled device using the same and manufacturing method thereof
KR20130079940A (en) * 2012-01-03 2013-07-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighting system having the same

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